CN104635420B - 防尘薄膜组件的贴附方法以及使用该方法的贴附装置 - Google Patents

防尘薄膜组件的贴附方法以及使用该方法的贴附装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104635420B
CN104635420B CN201410643891.2A CN201410643891A CN104635420B CN 104635420 B CN104635420 B CN 104635420B CN 201410643891 A CN201410643891 A CN 201410643891A CN 104635420 B CN104635420 B CN 104635420B
Authority
CN
China
Prior art keywords
dustproof film
film component
base plate
attaching
load
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410643891.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104635420A (zh
Inventor
滨田裕
滨田裕一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN104635420A publication Critical patent/CN104635420A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104635420B publication Critical patent/CN104635420B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/16—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with all layers existing as coherent layers before laminating
    • B32B37/18—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with all layers existing as coherent layers before laminating involving the assembly of discrete sheets or panels only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B41/00—Arrangements for controlling or monitoring lamination processes; Safety arrangements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2559/00—Photographic equipment or accessories
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

提供一种可以减轻将防尘薄膜组件贴附于光掩模时的光掩模扭曲的防尘薄膜组件的贴附方法以及实施该方法贴附装置。本发明的特征为在将防尘薄膜组件框架的一个端面通过接着剂将防尘薄膜绷紧设置，在防尘薄膜组件框架的另一个端面设有粘着层的光刻用防尘薄膜组件贴附于光掩模基板时，粘着层和光掩模基板优选加热为35℃以上80℃以下。另外，本发明的另一个特征为使100N以下的贴附负荷分为至少一个以上的加压步骤断续上升。

Description

防尘薄膜组件的贴附方法以及使用该方法的贴附装置
技术领域
本发明涉及LSI、超LSI等的半导体装置或液晶表示板制造时的光刻用光掩模的防尘装置、光刻用防尘薄膜组件的贴附方法以及使用该方法的贴附装置。
背景技术
在LSI、超LSI等的半导体制造或液晶表示板等的制造中，要对半导体晶片或液晶用原版仅光照射以进行图案制作，该场合所用曝光原版如有灰尘附着，灰尘就会吸收光或使光弯曲，转印的图案就会变形，边不就会不齐，并且会基底乌黑，从而产生尺寸、品质、外观等受损的问题。此外，在本发明中，所谓“曝光原版”为光刻用光掩模以及中间掩模的总称。
因此，这样的作业通常在无尘室中进行，但即使如此，也难免曝光原版的经常的清洁，因此，一般使用在曝光原版的表面贴附可以使曝光用的光良好通过的防尘薄膜组件。该场合中，灰尘不在曝光原版的表面上直接附着，而是在防尘薄膜上附着，由此，只要在光刻时将焦点对准曝光原版的图案，防尘薄膜上的灰尘就和转印无关系了。
这样的防尘薄膜组件的基本构造为在防尘薄膜组件框架以及在其上绷紧设置的防尘薄膜构成。该防尘薄膜为用可以良好地使曝光使用光(g线，i线，248nm，193nm，157nm等)透过硝化纤维素、醋酸纤维素、氟系聚合物等制成。另外，防尘薄膜组件框架由进行了黑色防氧化膜处理等的A7075、A6061、A5052等的铝合金、不锈钢、聚乙烯等制成。
在防尘薄膜组件框架的上部，涂布防尘薄膜的良溶媒，将防尘薄膜风干接着，或通过丙烯酸树脂、环氧树脂和氟树脂等的接着剂来进行接着。在防尘薄膜组件框架的下部，为了进行曝光原版的安装，要设置由聚丁烯树脂，聚醋酸乙烯基树脂，丙烯酸树脂以及硅氧烷树脂等组成的粘着层以及以粘着层的保护为目的设置掩模粘着剂保护用衬层。
如此制作的防尘薄膜组件以将曝光原版的表面形成的图案领域包围的形式设置，该防尘薄膜组件是为了防止在曝光原版上有灰尘附着而设置的，该图案领域和防尘薄膜组件外部被隔离开，以不使防尘薄膜组件外部的尘埃在图案面附着。
近年来，LSI的设计规则正在向微米以下的细微化前进，由此，曝光光源的短波长化也在前进，即，曝光光源从迄今作为主流的水银灯的g线(436nm)、i线(365nm)变为KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)、F2激光(157nm)等。细微化的结果，防尘薄膜组件贴附的光掩模基板图案面的平坦度被严格地管理，由此对防尘薄膜组件在光掩模上贴附时发生的光掩模基板的扭曲进行抑制的必要性就增加了。
特别是防尘薄膜组件的贴附造成的光掩模的扭曲在很大程度上依赖于防尘薄膜组件框架的平坦度、防尘薄膜组件光掩模贴附用粘着剂的材质(柔软度)以及形状。由此，迄今都是对将粘着剂的形状进行了平坦加工的防尘薄膜组件和框架的平坦度进行管理，并且作为粘着剂的材质，为了抑制贴附时的光掩模扭曲采用柔软的粘着剂等而进行了一定的改善。
例如在专利文献1中公开了将防尘薄膜组件的粘着剂的形状控制在平坦度15μm以下的平坦面的防尘薄膜组件。但是，即使采取这些对策，也难于完全将贴附了防尘薄膜组件了光掩模的扭曲。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2009-25560号。
因此，鉴于上述情况，本发明的目的是提供一种在将防尘薄膜组件贴附于光掩模基板时，使光掩模基板的扭曲变形减低的防尘薄膜组件的贴附方法以及实施该方法的贴附装置。
发明人为了实现上述目的而进行深入研究，得知在防尘薄膜组件在贴附于光掩模基板时如将粘着剂层和光掩模基板进行加热，粘着剂的柔软度就会增加，由此就可以用更弱的负荷压力来将防尘薄膜组件贴附于光掩模基板上，以减小贴附时的光掩模基板的扭曲变形，从而得到了本发明。
发明内容
即，本发明是一种将在防尘薄膜组件框架的一个端面通过接着剂进行防尘薄膜的绷紧设置，在另一个端面设置粘着层的光刻用防尘薄膜组件贴附于光掩模基板的贴附方法，其特征为将光掩模基板加热。该场合的加热温度优选35℃以上80℃以下。
另外，本发明的另一特征为贴附负荷在100N以下进行防尘薄膜组件在光掩模基板上的贴附，此时优选在达到贴附负荷的时间为1分钟以上。
进一步，在本发明中，以至少分为1个以上的加压步骤使贴附负荷断续上升为特征，在这种情况下优选在各加压步骤的之间，设置使贴附负荷释放的时间，优选该释放时间为30秒以上。
本发明的贴附装置为实施上述防尘薄膜组件的贴附方法的装置，其包括将光掩模基板以及防尘薄膜组件的粘着层加热的热源、将防尘薄膜组件贴附于光掩模基板的负荷装置、对至少1个以上的加压步骤的贴附负荷量、负荷施加时间以及负荷释放时间进行控制的控制装置。
发明效果
根据本发明，可以使防尘薄膜组件在光掩模基板上贴附时的光掩模基板的扭曲变形降低，从而防止光掩模基板的PID的变差。
附图说明
附图1为表示防尘薄膜组件的基本结构的概要图。
具体实施方式
以下对本发明的实施方式进行说明，但本发明不限于这些实施方式。
本发明方法的特征为，将在防尘薄膜组件框架的一端面通过接着剂绷紧设置防尘薄膜，在防尘薄膜组件框架的另一端面设置光掩模粘着层的光刻用防尘薄膜组件在光掩模基板上贴附时，对粘着层和光掩模基板进行加热。
本发明所使用的防尘薄膜组件10的基本的构造如图1所示。在该防尘薄膜组件10中，防尘薄膜组件框架3的上端面上，防尘薄膜1被通过接着剂2绷紧设置。在防尘薄膜组件框架3的下端面，设置将防尘薄膜组件10粘着在光掩模基板或中间掩模5(曝光原版)的光掩模粘着剂4。另外，在该粘着剂4的下端面，通常，粘附可以剥离的衬层(未图示)，进一步，气压调整用孔6(通气口)被在防尘薄膜组件框架3上设置，根据需要，设置除尘用过滤器7。
这样的防尘薄膜组件10的构成部材的大小，与通常的防尘薄膜组件如半导体光刻用防尘薄膜组件和大型液晶表示板制造光刻工程用防尘薄膜组件等同样，其材质可以采用上述公知的材质。
防尘薄膜1的种类没有特别的限制，可以使用例如准分子激光用的非晶质氟聚合物等。作为该非晶质氟聚合物，例如可以使用CYTOP(旭硝子公司的商品的名称)、特氟隆(注册商标)AF(杜邦公司的商品的名称)等。这样的聚合物可以在防尘薄膜1制作时根据需要溶解于溶剂中使用，例如可以用氟系溶剂等进行适宜溶解。
作为防尘薄膜组件框架3的材质，可以使用常用的铝合金，优选使用JISA7075、JISA6061、JISA5052材料，在使用铝合金材的场合，只要作为防尘薄膜组件框架3的强度能得到保障，就没有特别的限制。防尘薄膜组件框架3的表面，在设置聚合物被膜前，优选进行喷砂以及化学研磨来进行粗化，该防尘薄膜组件框架3的表面的粗化方法，可以使用公知的方法。特别是，对于铝合金，优选在用不锈钢、碳化硅以及玻璃珠等进行表面喷砂处理后，进一步用NaOH等进行化学研磨，由此来使表面粗糙化。
作为粘着层4中使用的接着剂，可以适宜地选择各种接着剂，但优选丙烯酸接着剂和硅氧烷系接着剂。另外，作为粘着剂的形状，优选贴附于光掩模基板的面为平坦面。
在本发明中，在将防尘薄膜组件贴附于光掩模基板时，为了减轻光掩模基板的扭曲等的影响，有必要对贴附的残余应力进行抑制，防尘薄膜组件10优选进行贴附时变形的少的平坦加工。
以下，对本发明的防尘薄膜组件的贴附方法，按照具体例进行说明。
首先，将防尘薄膜组件10安装在防尘薄膜组件贴附装置的台子上的防尘薄膜组件托上，使光掩模粘着剂向上，将粘着剂保护膜剥离后，将其向光掩模基板安装，使防尘薄膜组件贴附面向下，如按下开始按钮，使贴附装置的加热器通电，使防尘薄膜组件框架和光掩模基板开始加热。防尘薄膜组件框架和光掩模基板的温度上升到设定温度时，使光掩模基板慢慢地落在防尘薄膜组件框架上，使光掩模基板由其自重按压在防尘薄膜组件框架上。
在这样的防尘薄膜组件的贴附工程中，温度的影响非常大，防尘薄膜组件框架和光掩模基板的温度要用照射温度计那样的仪器进行测定，优选设定35℃至80℃的温度条件，这是由于要使光掩模粘着剂适度软化，用在不会给光掩模基板不好的影响的范围的低负荷就可以进行贴附。然后，在实际进行贴附操作的场合，有必要对防尘薄膜组件框架和光掩模基板的温度是否安定地处于设定温度进行确认。如比该温度范围低，则光掩模粘着剂不会软化，不能使防尘薄膜组件贴附负荷充分下降，但是，如比该温度范围高，则光掩模粘着剂会变质，有发生气体的可能性，所以这种情况是不优选的。
在本发明的贴附工程中，优选贴附负荷为100N以下，使该贴附负荷用1分钟以上到达。贴附负荷100N超时，会给予光掩模基板多余的应力，使防尘薄膜组件贴附时有光掩模平坦性变差的可能性，所以不优选。另外，如该贴附负荷以1分未满的短时间到达时，会给光掩模基板以局所的应力，其结果会对光掩模平面均一性有阻碍的可能性，所以不优选。因此，具体的贴附工程中，1分钟左右经过后，通过贴附装置的上部的的加压部对光掩模基板的里面外周部加压。第1的加压步骤中，其设定值到达时间为1分以上，保持30秒，然后将加压压力释放，30秒静置。其后，在第2的加压步骤中，再用加压部加压，到达设定值的时间为1分以上，30秒保持，防尘薄膜组件的贴附工程终了。此外，在需要的场合，第1以及第2的加压步骤之外，也可以追加同样的加压步骤，将防尘薄膜组件进行贴附。
另外，在贴附工程中，在用至少1个以上的加压步骤方式中，优选加压力依次上升，这比一下就加到目标的设定值要好，这样防尘薄膜组件的贴附造成的光掩模基板的残余应力要小。进一步，优选在至少1个以上的加压步骤的各加压步骤的之间，设置加压力释放时间，可以使由于防尘薄膜组件贴附所造成的光掩模基板的残余应力降低。进一步，该释放时间，设定为30秒以上优选，如果比30秒短，光掩模基板的残余应力不能充分减小。
本发明的贴附方法中，通过将加压力降低到极限来贴附防尘薄膜组件贴附，目的是使防尘薄膜组件贴附时的光掩模基板的扭曲变形减低，如将使用的防尘薄膜组件框架的平坦度和用于光掩模基板贴附的粘着剂面的平坦性，进一步，粘着剂的柔软度最优化，可以得到PID的良好的防尘薄膜组件的贴附工程。
以下，对本发明的贴附装置进行说明。该贴附装置，由于使在本发明的贴附方法中使用的装置，要具备对防尘薄膜组件框架和光掩模基板(曝光原版)的粘着层进行加热的加热装置。另外，具有将粘着剂保护膜剥离的剥离装置的同时，还要具有使光掩模基板在防尘薄膜组件框架上缓慢升降，将光掩模基板通过自重压附在防尘薄膜组件框架上的升降装置和对光掩模基板的里面外周部进行加压的加压部等的加压装置。
另外，在所述贴附装置中，为了进行防尘薄膜组件框架和光掩模基板的前述那样的贴附工程，要具备对在至少1个以上的加压步骤的加压过程中的加压力·加压时间·加压力释放时间等进行程序控制的控制装置。
实施例
以下，对本发明的实施例进行具体说明。此外，在实施例以及比较例中用“光掩模”来作为“曝光原版”的例子进行说明，对于中间掩模也同样适用。
<实施例1>
在实施例1中，首先，准备铝合金制的防尘薄膜组件框架(外形尺寸149mm×115mm×3.5mm，厚2mm，光掩模基板贴附用粘着剂的涂布端面侧的平坦度为15μm)，将其精密洗净后，15μm侧的端面将信越化学工业株式会社制的硅氧烷粘着剂(制品名：X-40-3264)进行涂布，60分室温静置。其后，平坦度5μm的铝板上设置分离片，同时将涂布了粘着剂的防尘薄膜组件框架放置，使粘着剂向下，使粘着剂的表面与平坦的分离片接触，粘着剂的表面进行了平坦加工。
另外，铝板上的防尘薄膜组件框架放入60℃的烘箱60分钟,将粘着剂硬化后，将该防尘薄膜组件框架与铝板一起取出，将剥离片剥离。其后，在粘着剂的涂布的端面的相反侧端面上涂布旭硝子株式会社制的接着剂(商品名：CYTOPCTX-A)，将该防尘薄膜组件框架在130℃加热,使接着剂硬化。最后，将用比上述防尘薄膜组件框架更大的铝框制得的防尘薄膜在该防尘薄膜组件框架的接着剂端面侧贴附，将比防尘薄膜组件框架大的外侧的部分除去，制得防尘薄膜组件。
接着将6英寸、0.25英寸厚的基板“6025”的光掩模基板加以准备，对该光掩模基板的平坦度进行测定，得知为0.25μm。测定后，其该光掩模基板设置在防尘薄膜组件贴附装置上，用加热装置将光掩模基板加热至35℃，同时,将先前制作的防尘薄膜组件设置于贴附装置上，用60秒使贴附负荷到达100N的设定负荷，用该贴附负荷进行30秒加压，将该防尘薄膜组件贴附于加热到35℃的光掩模基板。
然后，对防尘薄膜组件贴附后的光掩模基板的平坦度进行测定，得知虽然平坦度从贴附前的0.25μm变为0.32μm，但由于防尘薄膜组件贴附造成的光掩模基板扭曲量的变化为0.07μm，故可以说抑制到了充分小的值。
实施例1和后述的实施例2～4以及比较例1～4的防尘薄膜组件的贴附前后的光掩模基板的平坦度和变化量的结果以及防尘薄膜组件的贴附条件被示于下表1中。
表1
※比较例2的粘着剂贴附基板周边有少量云状物发生。
<实施例2>
在实施例2中，以与实施例1同样的方法制作防尘薄膜组件。然后，将“6025”的光掩模基板加以准备，对该光掩模基板的平坦度进行测定，得知为0.26μm。另外，将该光掩模基板设置在防尘薄膜组件贴附装置上，将光掩模基板的温度加热至80℃，同时，将先前制作的防尘薄膜组件设置在贴附装置上，贴附负荷为100N(用60秒得到设定负荷)，用该负荷进行30秒加压，将防尘薄膜组件贴附于加热为80℃的光掩模基板上。
然后，对防尘薄膜组件贴附后的光掩模基板的平坦度进行测定，虽然平坦度从贴附前的0.26μm变为0.30μm，由于防尘薄膜组件贴附造成的光掩模的扭曲量的变化为0.04μm，故可以说抑制到了充分小的值。
<实施例3>
在实施例3中，用与实施例1同样的方法制作防尘薄膜组件。然后，准备“6025”的光掩模基板，对该光掩模基板的平坦度进行测定，得知为0.25μm。另外，将该光掩模基板设置在防尘薄膜组件贴附装置上，将光掩模基板的温度加热至35℃，同时，将先前制作的防尘薄膜组件设置在贴附装置上，先用贴附负荷50N(用60秒达到设定负荷)加压30秒，然后将负荷释放，30秒放置，进一步用贴附负荷100N(用60秒达到设定负荷)，30秒加压，将防尘薄膜组件贴附于35℃加热光掩模基板上。
然后，对防尘薄膜组件贴附后的光掩模基板的平坦度进行测定，虽然从贴附前的平坦度0.25μm变为0.30μm，但由于防尘薄膜组件贴附所造成的光掩模的扭曲量的变化为0.05μm，故可以说已经抑制到了充分小值。
<实施例4>
在实施例4中，用与实施例1同样的方法制作防尘薄膜组件。然后，准备“6025”的光掩模基板，对该光掩模基板的平坦度进行测定，得知为0.25μm。另外，将该光掩模基板设置在防尘薄膜组件贴附装置上，将光掩模基板的温度加热到80℃，同时将先前制作的防尘薄膜组件设置在贴附装置上，先用贴附负荷50N(用60秒得到设定负荷)加压30秒，然后将负荷释放，30秒钟放置，进一步用贴附负荷100N(用60秒达到设定负荷)，30秒加压，将防尘薄膜组件贴附于80℃加热的光掩模基板上。
然后，对防尘薄膜组件贴附后的光掩模基板的平坦度进行测定，得知平坦度从贴附前的0.25μm变为0.28μm，但由于防尘薄膜组件贴附造成的光掩模的扭曲量的变化为0.03μm，故可以说已经抑制到了充分小的值。
<比较例1>
在比较例1中，用与实施例1同样的方法制作防尘薄膜组件。然后，准备“6025”的光掩模基板，对该光掩模基板的平坦度进行测定，得知为0.25μm。另外，将该光掩模基板设置在防尘薄膜组件贴附装置上，不对光掩模基板加热，置于室温(25℃)的状态，将先前制作的防尘薄膜组件设置在贴附装置上，先用贴附负荷50N(用60秒达到设定负荷)进行30秒加压，然后将负荷释放，30秒放置，进一步用贴附负荷100N(用60秒达到设定负荷)，30秒加压，将室温状态的防尘薄膜组件贴附于光掩模基板。
然后，对防尘薄膜组件贴附后的光掩模基板的平坦度进行测定，得知平坦度从贴附前的0.25μm变为0.36μm，由于由防尘薄膜组件贴附造成的光掩模扭曲量的变化为0.11μm之大，故可以说没有抑制到期待的范围内。
<比较例2>
在比较例2中，用与实施例1同样的方法制作防尘薄膜组件。然后，准备“6025”的光掩模基板，对该光掩模基板的平坦度进行测定，得知为0.26μm。另外，将该光掩模基板设置在防尘薄膜组件贴附装置上，将光掩模基板的温度加热到100℃，同时，将先前制作的防尘薄膜组件设置在贴附装置上，先用贴附负荷50N(用60秒达到设定负荷)加压30秒，然后将负荷释放，30秒放置，进一步用贴附负荷100N(用60秒达到设定负荷)，加压30秒，将防尘薄膜组件贴附于100℃加热的光掩模基板上。
然后，对防尘薄膜组件贴附后的光掩模基板的平坦度进行测定，平坦度从贴附前的0.26μm变为0.28μm，由防尘薄膜组件贴附造成的光掩模的扭曲量的变化为0.02μm，被抑制为小值，但是，由于光掩模基板的加热温度为100℃，过高，在粘着剂的贴附付近的光掩模基板上，有云状物发生，可以说作为防尘薄膜组件的贴附条件有问题。
<比较例3>
在比较例3中，用与实施例1相同的方法制作防尘薄膜组件。然后，准备“6025”的光掩模基板，对该光掩模基板的平坦度进行测定，得知为0.25μm。另外，将该光掩模基板设置在防尘薄膜组件贴附装置上，将光掩模基板加热到80℃，同时，将先前制作的防尘薄膜组件设置在贴附装置上，先用贴附负荷50N(用5秒达到设定负荷)加压30秒，然后将负荷释放，放置30秒，进一步用100N(用15秒达到设定负荷)30秒加压，将防尘薄膜组件贴附于加热为80℃光掩模基板上。
然后，对防尘薄膜组件贴附后的光掩模基板的平坦度进行测定，平坦度从贴附前的0.25μm变为0.37μm，由于防尘薄膜组件贴附造成的光掩模的扭曲量的变化为0.12μm，大，可以说没有抑制到期待的范围。
<比较例4>
在比较例4中，用与实施例1同样的方法制作防尘薄膜组件。然后，准备“6025”的光掩模基板，对该光掩模基板的平坦度进行测定，为0.25μm。另外，将该光掩模基板设置在防尘薄膜组件贴附装置上，将光掩模基板加热到80℃，同时，将先前制作防尘薄膜组件设置在贴附装置上，首先，用贴附负荷50N(用60秒达到设定负荷)加压30秒，然后将负荷释放，30秒放置，进一步用150N(用60秒达到设定负荷)，30秒加压，将防尘薄膜组件贴附于加热为80℃的光掩模基板。
然后，对防尘薄膜组件贴附后的光掩模基板的平坦度进行测定，平坦度从贴附前的0.25μm变为0.38μm，由防尘薄膜组件贴附造成的光掩模的扭曲量的变化为0.13μm，大，可以说没有抑制到期待的范围内。
附图标记说明
1 防尘薄膜
2 防尘薄膜接着剂
3 防尘薄膜组件框架
4 光掩模粘着剂
5 光掩模或中间掩模
6 气压调整用孔(通气口)
7 除尘用过滤器
10 防尘薄膜组件

Claims (6)

1.一种防尘薄膜组件的贴附方法，其为将在防尘薄膜组件框架的一个端面具有通过接着剂绷紧设置的防尘薄膜，在防尘薄膜组件框架的另一端面设有粘着层的光刻用防尘薄膜组件贴附于光掩模基板，其特征在于：所述光掩模基板和防尘薄膜组件框架被加热，所述粘着层被加热、软化，以100N以下的贴附负荷进行贴付，到达所述贴附负荷的时间为1分钟以上。
2.权利要求1所述的防尘薄膜组件的贴附方法，其特征在于：所述加热温度为35℃以上80℃以下。
3.根据权利要求1所述的防尘薄膜组件的贴附方法，其特征在于：所述贴附负荷至少被分为1个以上的加压步骤断续上升。
4.根据权利要求3所述的防尘薄膜组件的贴附方法，其特征在于：在所述至少一个以上的加压步骤之间，设有加压负荷释放时间。
5.根据权利要求4所述的防尘薄膜组件的贴附方法，其特征在于：所述释放时间为30秒以上。
6.一种防尘薄膜组件的贴附装置，它是实施权利要求1至5之一所述的防尘薄膜组件的贴附方法的贴附装置，其特征在于：具有将光掩模基板以及防尘薄膜组件的粘着剂层各自独立加热的热源、将防尘薄膜组件贴附于光掩模基板的负荷装置以及对至少一个以上的加压步骤的贴附负荷、加负荷时间以及负荷释放时间进行控制的控制装置。
CN201410643891.2A 2013-11-11 2014-11-11 防尘薄膜组件的贴附方法以及使用该方法的贴附装置 Active CN104635420B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013232807A JP6025178B2 (ja) 2013-11-11 2013-11-11 ペリクルの貼り付け方法及びこの方法に用いる貼り付け装置
JP2013-232807 2013-11-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104635420A CN104635420A (zh) 2015-05-20
CN104635420B true CN104635420B (zh) 2019-04-26

Family

ID=51900172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410643891.2A Active CN104635420B (zh) 2013-11-11 2014-11-11 防尘薄膜组件的贴附方法以及使用该方法的贴附装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9645487B2 (zh)
EP (1) EP2871521B1 (zh)
JP (1) JP6025178B2 (zh)
KR (2) KR20150054662A (zh)
CN (1) CN104635420B (zh)
TW (1) TWI554409B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6632057B2 (ja) * 2016-01-07 2020-01-15 信越化学工業株式会社 ペリクル
KR101768214B1 (ko) 2016-12-15 2017-08-30 주식회사 네오세미텍 포토마스크와 펠리컬프레임의 부착 장치 및 방법
EP3404486B1 (en) * 2017-05-15 2021-07-14 IMEC vzw A method for forming a pellicle
CN111983888A (zh) * 2019-05-24 2020-11-24 长鑫存储技术有限公司 掩膜版及其制造方法
CN110632824A (zh) * 2019-09-11 2019-12-31 中国科学院光电技术研究所 一种提高模板转印柔性衬底微结构位置精度的方法
CN111580359B (zh) * 2020-04-29 2021-06-18 中国科学院光电技术研究所 一种用于超分辨光刻精密掩模的智能校正装置控制系统
WO2023182186A1 (ja) * 2022-03-23 2023-09-28 三井化学株式会社 粘着層付きペリクル枠の製造方法、保護フィルム付きペリクル枠、粘着層付きペリクル枠、ペリクル及びペリクル付きフォトマスク

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6841312B1 (en) * 2001-04-11 2005-01-11 Dupont Photomasks, Inc. Method and apparatus for coupling a pellicle assembly to a photomask

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63284551A (ja) * 1987-05-15 1988-11-21 Mitsubishi Electric Corp フォトマスクペリクル装着方法
JPS6413152A (en) * 1987-07-06 1989-01-18 Mitsubishi Electric Corp Fitting method for photomask pellicle
JPH04212958A (ja) * 1990-12-07 1992-08-04 Nikon Corp ペリクルフレーム装着方法
US7264853B2 (en) * 2003-08-26 2007-09-04 Intel Corporation Attaching a pellicle frame to a reticle
US7316869B2 (en) * 2003-08-26 2008-01-08 Intel Corporation Mounting a pellicle to a frame
US20060269847A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 International Business Machines Corporaton Binding of hard pellicle structure to mask blank and method
JP4931717B2 (ja) 2007-07-19 2012-05-16 信越化学工業株式会社 リソグラフィー用ペリクルの製造方法
KR101070792B1 (ko) * 2009-06-10 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 펠리클이 부착된 마스크 및 펠리클과 마스크의 부착 방법
JP5142297B2 (ja) * 2009-06-19 2013-02-13 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP2011017833A (ja) * 2009-07-08 2011-01-27 Toppan Printing Co Ltd ペリクル貼付装置およびペリクル貼付方法、ペリクル付マスク
KR20110011959A (ko) * 2009-07-29 2011-02-09 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크와 펠리클 부착 방법
EP2555052A4 (en) * 2010-04-02 2017-12-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask unit and method of manufacturing same
JP5649134B2 (ja) * 2011-02-08 2015-01-07 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6841312B1 (en) * 2001-04-11 2005-01-11 Dupont Photomasks, Inc. Method and apparatus for coupling a pellicle assembly to a photomask

Also Published As

Publication number Publication date
US20150129103A1 (en) 2015-05-14
US9645487B2 (en) 2017-05-09
TW201532836A (zh) 2015-09-01
CN104635420A (zh) 2015-05-20
TWI554409B (zh) 2016-10-21
JP6025178B2 (ja) 2016-11-16
KR20210128984A (ko) 2021-10-27
KR20150054662A (ko) 2015-05-20
KR102332802B1 (ko) 2021-12-01
EP2871521A2 (en) 2015-05-13
JP2015094800A (ja) 2015-05-18
EP2871521A3 (en) 2015-06-24
EP2871521B1 (en) 2023-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104635420B (zh) 防尘薄膜组件的贴附方法以及使用该方法的贴附装置
JP5478463B2 (ja) リソグラフィー用ペリクル
TWI836704B (zh) 防塵薄膜組件框架、防塵薄膜組件、附防塵薄膜組件的光阻、曝光方法、圖案的製造方法以及半導體裝置的製造方法
CN101349873B (zh) 光刻用防护薄膜组件
TWI411874B (zh) 防塵薄膜組件
TWI815825B (zh) 防護薄膜框架及防護薄膜組件
JP4889778B2 (ja) ペリクルの製造方法及びリソグラフィ用ペリクル
TWI409581B (zh) 防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件
JP2008065258A (ja) リソグラフィー用ペリクル
CN102759852A (zh) 光刻用防尘薄膜组件
JP2008256925A (ja) ペリクル
JP2017116697A (ja) Ｅｕｖ露光用ペリクル
JP7456526B2 (ja) ペリクルの製造方法、ペリクル付フォトマスクの製造方法、露光方法、半導体デバイスの製造方法、液晶ディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイの製造方法
CN104977800A (zh) 防尘薄膜组件用接着剂以及使用其的防尘薄膜组件
JP4974389B2 (ja) リソグラフィ用ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
TWI567484B (zh) 防塵薄膜組件
WO2013141325A1 (ja) ペリクル及びペリクルフレーム並びにペリクルの製造方法
JP2011164259A (ja) リソグラフィー用ペリクル
JP6293045B2 (ja) リソグラフィー用ペリクルの作製方法
US20240184205A1 (en) Pellicle Frame, Pellicle, Photomask with Pellicle, Exposure Method, Method for Manufacturing Semiconductor Device, and Method for Manufacturing Liquid Crystal Display

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant