TWI550128B - 膜沉積裝置 - Google Patents

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TWI550128B
TWI550128B TW101108336A TW101108336A TWI550128B TW I550128 B TWI550128 B TW I550128B TW 101108336 A TW101108336 A TW 101108336A TW 101108336 A TW101108336 A TW 101108336A TW I550128 B TWI550128 B TW I550128B
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橋本浩幸
大向時雨
安藤厚司
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東京威力科創股份有限公司
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Description

膜沉積裝置 【相關專利申請案之交叉參照】
本申請案係以2011年3月24日提出申請之日本專利申請案第2011-066461號為基礎並主張其優先權，其全部內容在此併入以作為參考。
本發明係關於膜沉積裝置，其用以在基板上沉積膜。
近年來，各式各樣的材料(從無機材料到有機材料)被使用於半導體裝置。有機材料之特性(無機材料不具有之特性)有助於最佳化半導體裝置之特性與半導體裝置之製造製程。
有機材料之一者為聚亞醯胺(polyimide)。聚亞醯胺具有高絕緣特性。因此，藉由在基板之表面上沉積聚亞醯胺所得到之聚亞醯胺膜可以被使用作為絕緣膜、以及半導體裝置之絕緣膜。
已知一種膜沉積方法作為沉積聚亞醯胺膜之方法，舉例來說，該膜沉積方法藉由使用苯均四酸二酐(PMDA，pyromellitic dianhydride)與4,4’-二氨基二苯醚(ODA，4,4’-oxydianiline)作為原料單體來執行蒸鍍聚合。蒸鍍聚合為一種方法，其使基板之表面上之苯均四酸二酐(PMDA)與4,4’-二氨基二苯醚(ODA)(被使用作為原料單體)產生熱聚合(舉例來說，參考日本專利第4283910號)。日本專利第4283910號揭露一種膜沉積方法，其藉由在蒸發器中蒸發PMDA與ODA單體、將各蒸發氣體供應到蒸鍍聚合腔室中、以及使蒸鍍聚合發生於基板上來沉積聚亞醯胺膜。
然而，藉由將上述PMDA氣體與ODA氣體供應到基板來沉積聚亞醯腔膜之膜沉積裝置具有以下問題。
為了改善沉積於基板上之聚亞醯胺膜之膜性質，必須在膜沉積製程之前使用黏合促進劑執行表面處理、以及在膜沉積製程之後藉由熱處理來執行亞醯胺化製程。
可以在沉積聚亞醯胺膜之前，藉由使用黏合促進劑(例如：矽烷耦合劑)處理基板之表面來執行使用黏合促進劑之表面處理。藉此，可以改善所沉積之聚亞醯胺膜之黏合強度。然而，在沉積聚亞醯胺膜之前，在與膜沉積腔室(用以沉積聚亞醯胺膜)分隔之容器中執行使用黏合促進劑之表面處理之情況下，處理時間會因為步驟之次數之增加而變得更長。因此，每單位時間可以處理之基板之數量會減少。
並且，在膜沉積製程之後藉由熱處理執行亞醯胺化製程之目的係為了藉由在沉積聚亞醯胺膜之後進一步執行熱處理來增加亞醯胺化比率(膜中之聚亞醯胺之比例)。藉此，可以改善所沉積之聚亞醯胺膜之絕緣特性。然而，使用批次式熱處理裝置(例如：直立加熱爐)在基板上執行熱處理的情況下，需要很長的時間以藉由加熱基板而增加基板之溫度，其中該基板安裝在晶舟盒中、並且在其上沉積有膜之後從膜沉積腔室傳送出。
另一方面，相較於使用批次式熱處理裝置執行熱處理，在使用單晶圓式熱處理裝置(例如：熱板)執行熱處理之情況下，執行熱處理所需之時間較短。然而，因為單晶圓式處理，處理整批晶圓需要非常長的時間。因此，每單位時間可以經歷膜沉積製程之基板之數量(產能)會減少。
有鑑於此，本發明實施例提供一種膜沉積裝置，其能改善所沉積聚亞醯胺膜之膜品質、以及增加每單位時間經歷膜沉積製程之基板之數量。
根據本發明實施例，提供一種膜沉積裝置，包含：一膜沉積腔室，其中一基板被搬運到該膜沉積腔室中；一加熱機構，其加熱被搬運到該膜沉積腔室中之該基板；一黏合促進劑供給機構，其將黏合促進劑氣體供應到該膜沉積腔室中；以及一控制部，其控制該加熱機構與該黏合促進劑供給機構；其中當藉由將由二酸酐所組成之第一來源氣體與由二胺所組成之第二來源氣體供應到 膜沉積腔室中以在該基板上沉積聚亞醯胺膜時，該控制部用來控制該黏合促進劑供給機構，俾藉由將該黏合促進劑氣體供應到該膜沉積腔室中，而以該黏合促進劑氣體處理該基板之表面，直到該基板被加熱到用以沉積該聚亞醯胺膜之預定溫度。
本發明之目的與優點將藉由特別指出於申請專利範圍中之元件與結合而實現與達到。
應當了解，前述一般說明與下面詳細說明為示範與說明、而非限制所請發明。
接著，參考隨附圖示來描述本發明實施例。
[第一實施例]
首先，參考圖1到圖15B來描述根據本發明第一實施例之膜沉積裝置。
根據此實施例之膜沉積裝置可以應用於膜沉積裝置，該膜沉積裝置藉由將第一來源氣體(例如：汽化之苯均四酸二酐(pyromellitic dianhydride)(之後縮寫為「PMDA」))與第二來源氣體(例如：汽化之4,4’-3二氨基二苯醚(4,4’-3 oxydianiline)(之後縮寫為「ODA」))供應到基板而用以沉積聚亞醯胺膜於基板上，該基板支撐於膜沉積腔室中。
圖1係概略縱向橫剖面圖，說明根據此實施例之膜沉積裝置10。圖2係裝載區域40之概略斜視圖。圖3係斜視圖，說明晶舟盒44之範例。
膜沉積裝置10包含放置桌(裝載埠)20、外殼30、以及控制部100。
放置桌20設置在外殼30之前側。外殼30包含裝載區域(工作區域)40、以及膜沉積腔室60。裝載區域40設置在外殼30之下部。膜沉積腔室60設置在外殼30中之裝載區域40上方。並且，底板31設置在裝載區域40與膜沉積腔室60之間。下述供給機構70係以連接到膜沉積腔室60之方式而設置。
舉例來說，底板31為不銹鋼底板，用以設置膜沉積腔室60之反應管61。開口(圖中未說明)形成於底板31中，以使反應管61由下而上插入。
放置桌20用來將晶圓W搬運到外殼30中、以及搬運出外殼30。容器21與22設置在放置桌20上。容器21與22為可關閉容器(前開式晶舟盒(front-opening unified pod)或FOUP)，其前方具有可卸除遮蓋(圖中未說明)，並且該容器21與22以預定間隔容納多片(例如：約50片)晶圓。
並且，對準單元(對準器)23可以設置在放置桌20下方，該對準單元23用以將設置在晶圓W之周圍中之凹部(凹口)對準於單一方向，該晶圓W藉由下述傳送機構47來傳送。
裝載區域40為工作區域，用以在容器21、22與晶舟盒44之間傳送晶圓W、將晶舟盒44搬運(裝載)到膜沉積腔室60中、以及將晶舟盒44從膜沉積腔室60搬運出(卸除)。門機構41、檔門機構42、蓋體43、晶舟盒44、基台45a與45b、升降機構46、以及傳送機構47設置在裝載區域40中。
應當注意，蓋體43與晶舟盒44相當於根據本發明實施態樣之基板支撐部。
門機構41用來移動容器21與22之遮蓋，以使容器21、22與裝載區域40之內部相連通、以及開放到裝載區域40之內部。
檔門機構42設置在裝載區域40之上部。將檔門機構42設置為遮蓋(或關閉)膜沉積腔室60之下述開口63，以在蓋體43為打開時控制或防止高溫下膜沉積腔室60內部之熱透過開口63而釋放到裝載區域40。
蓋體43包含熱絕緣管48與旋轉機構49。熱絕緣管48設置在蓋體43上。熱絕緣管48防止晶舟盒44透過與蓋體43之熱傳送而冷卻，並且將熱保持在晶舟盒44中。旋轉機構49連接到蓋體43之底部。旋轉機構49使晶舟盒44旋轉。旋轉機構49之旋轉軸設置為以氣密方式穿過蓋體43以旋轉設置在蓋體43上之旋轉桌(圖中未說明)。
當晶舟盒44從裝載區域40搬運到膜沉積腔室60中、以及從膜沉積腔室60搬運到裝載區域40時，升降機構46驅動蓋體43以向上與向下移動。當藉由升降機構46而向上移動之蓋體43已被搬運到膜沉積腔室60時，蓋體43設置為與開口63相接觸以氣密地關閉開口63。放置在蓋體43上之晶舟盒44可以將晶圓W支撐於膜沉積腔室60而使晶圓W在水平面旋轉。
膜沉積裝置10可以具有多個晶舟盒44。在此實施例中，下面將參考圖2來說明膜沉積裝置10包含兩個晶舟盒44a與44b的情況，當不需要特別區分晶舟盒44a與44b時，該晶舟盒44a與44b亦可以共同地稱為「晶舟盒44」。
晶舟盒44a與44b設置在裝載區域40中。基台45a與45b、以及晶舟盒輸送機構45c設置在裝載區域40中。基台45a與45b為放置桌，將晶舟盒44a與44b分別從蓋體43傳送到該放置桌上。晶舟盒輸送機構45c將晶舟盒44a與44b分別從蓋體43傳送到基台45a與45b。
舉例來說，晶舟盒44a與44b由石英所組成，並且用來使大尺寸(例如：直徑300 mm)之晶圓W在垂直方向上以預定間隔(具有預定間距寬度)裝載於水平位置中。舉例來說，如圖3中所說明，具有多個(例如：3個)支柱52之晶舟盒44a與44b設置在頂板50與底板51之間。支柱52設有爪部53，其用來支撐晶圓W。並且，輔助柱54可以與支柱52一起適當地設置。
傳送機構47用來將晶圓W傳送於容器21、22與晶舟盒44(44a與44b)之間。傳送機構47包含基台57、升降臂58、以及數個叉狀物(傳送板)59。基台57設置為可垂直地移動與轉動。舉例來說，升降臂58使用滾珠螺桿等等而設置為可垂直地移動(可向上與向下移動)。基台57設置為可相對升降臂58而可水平移動(可旋轉)。
圖4係橫剖面圖，說明根據本發明實施例之膜沉積腔室60之結構。
舉例來說，膜沉積腔室60可以為直立爐，其容納多個待處理基板(例如：薄盤狀晶圓W)，並在待處理基板上執行預定製程(例 如：CVD)。膜沉積腔室60包含反應管61、加熱器(加熱機構)62、冷卻機構65、供給機構70、黏合促進劑供給機構80、驅氣氣體供給機構90、以及排氣機構95。
應當注意，加熱器62可以相當於根據本發明實施態樣之加熱機構。
舉例來說，反應管61由石英所組成、具有垂直細長形狀、以及具有形成於低端之開口63。加熱器(加熱機構)62設置為遮蓋反應管61之周圍，並且可以控制加熱，如此反應管61之內部可以被加熱到預定溫度，例如：50℃到1200℃。應當注意，可以藉由噴射加熱器77來控制在反應管61內部之晶圓W之溫度，該噴射加熱器77控制下述噴射器72內部之溫度。噴射加熱器77可以設置在加熱器62(遮蓋反應管61之周圍)與噴射器72附近。
圖5係概略圖，說明根據本發明實施例之冷卻機構65之結構。
冷卻機構65包含送風機(鼓風機)66、鼓風管67、以及排氣管68。送風機66用來將空氣吹到設置在加熱器62內部之空間62a中、以及冷卻膜沉積腔室60。鼓風管67用以將空氣從送風機66供應到加熱器62。鼓風管67連接到空間62a。排氣管68用來排空加熱器62內部之空氣(氣體)。排氣管68亦連接到空間62a。
應當注意，空間62a內部之氣體可以透過熱交換裝置69而從排氣管68排氣到工廠排氣系統。或者，如圖5中所說明，可以設置熱交換裝置69來替代從工廠排氣系統排放氣體，如此氣體會藉由熱交換裝置69而受熱、回到送風機66之吸入側、並且循環以供使用。在另一範例中，最好藉由空氣過濾器69a來使氣體循環。雖然空氣過濾器69a可以設置在送風機66之吸入側，空氣過濾器69a設置在送風機66之吹出側為更佳的。熱交換裝置69係用來利用自加熱器62排出之熱。
根據本發明實施例之膜沉積裝置可以具有溫度感測器101、以及溫度控制器102(為下述控制部100之一部分)。
溫度感測器101用來偵測膜沉積腔室60內部之溫度(晶圓W之溫度)。溫度控制器102為控制裝置，用以控制欲供應到加熱器 62與送風機66之電力，同時回饋藉由溫度感測器101所偵測之溫度。來自溫度感測器之訊號輸入到溫度控制器102。用以控制供應到加熱器62與送風機66之電力之程式(序列)內建於溫度控制器102中，如此膜沉積腔室60內部之溫度會有效率地趨近於設定溫度(預定溫度)。供應到加熱器62之電力透過電源控制器(例如：閘流器103)而受來自溫度控制器102之控制訊號所控制。並且，供應到送風機66之電力透過電源控制器(例如：反向器104)而受來自溫度控制器102之控制訊號所控制。
在設置噴射加熱器77之情況下，溫度控制器102控制欲供應到加熱器62、噴射加熱器77、與送風機66之電力，同時回饋藉由溫度感測器101所偵測之溫度。此外，用來控制供應到加熱器62、噴射加熱器77、與送風機66之電力之另一程式(序列)內建於溫度控制器102中，如此膜沉積腔室60內部之溫度可以有效率地趨近於設定溫度(預定溫度)。供應到噴射加熱器77之電力亦透過電源控制器(例如：閘流器103)而受來自溫度控制器102之控制訊號所控制。
在此實施例中，當在晶圓W上沉積聚亞醯胺膜時，將晶圓W之溫度提升到預定溫度(膜沉積溫度)之情況下，溫度控制器102接收來自溫度感測器101之訊號，並依據所接收之訊號而控制欲供應到加熱器62與冷卻機構65之電力。接著，控制部100控制加熱器62之加熱量、以及送風機66之冷卻量。藉此，在膜沉積溫度為低溫範圍(例如：約200℃)的情況下增加晶圓W之溫度之製程期間，可以縮短將晶圓W之溫度收斂到膜沉積溫度所需之時間(即用來執行下述回復步驟之時間)。此外，在晶圓W之溫度收斂之後，可以改善晶圓W之溫度之穩定性。
供給機構70包含來源氣體供應部71、以及設置在膜沉積腔室60內部之噴射器72。噴射器72包含供應管73a。來源氣體供應部71連接到噴射器72之供應管73a。
在此實施例中，供給機構70可以包含第一來源氣體供應部71a與第二來源氣體供應部71b。第一與第二來源氣體供應部71a、71b 分別透過閥71c、71d而連接到噴射器72(供應管73a)。第一來源氣體供應部71a包含第一蒸發器74a，舉例來說，其用來蒸發PMDA原料。如此，第一來源氣體供應部71a可以供應PMDA氣體。第二來源氣體供應部71b包含第二蒸發器74b，舉例來說，其用來蒸發ODA原料。
供應孔75形成於供應管73a中，其為朝向膜沉積腔室60之內部之開口。噴射器72透過供應孔75而將第一與第二來源氣體供應到膜沉積腔室60中，該第一與第二來源氣體係從來源氣體供應部71流動到供應管73a。
並且，供應管73a可以延伸於垂直方向之方式來設置。此外，數個供應孔75可以形成於供應管73a中。供應孔75可以具有各種形狀，例如：圓形、橢圓形、或矩形。
噴射器72最好包含內供應管73b。可以在比形成供應管73a之供應孔之部分更上游之部分中形成內供應管73b。並且，開口76可以形成於內供應管73b之下游側附近，以將第一或第二來源氣體供應到供應管73a之內部空間。開口76可以具有各種形狀，例如：圓形、橢圓形、或矩形。
憑藉具有上述結構之內供應管73b，在將第一與第二來源氣體從供應孔75供應到膜沉積腔室60之內部之前，第一與第二來源氣體可以在供應管73a之內部空間內充分地混合。
下面實施例係將第一來源氣體供應到供應管73a、以及將第二來源氣體供應到內供應管73b之情況。
在此實施例中，晶舟盒44可以具有多片晶圓W，其以預定間隔垂直地容納於該晶舟盒44中。在此實施例中，供應管73a與內供應管73b可以延伸於垂直方向之方式而設置。並且，假定供應管73a之下部相當於上游側，而供應管73a之上部相當於下游側，內供應管73b可以安裝在供應管73a內部比形成供應管73a之供應孔之部分還低的位置中。而且，用來連通供應管73a之內部空間之開口76可以設置在內供應管73b之頂端部附近。
舉例來說，供給機構70用來使第一來源氣體流經供應管73a、 以及使第二來源氣體流經內供應管73b。第二來源氣體透過開口76而從內供應管73b流動到供應管73a。藉此，第一與第二來源氣體會混合。在這樣的混合狀態下，第一與第二來源氣體透過供應孔75而供應到膜沉積腔室60中。
噴射加熱器77可以設置在供應管73a附近，以控制供應管73a(噴射器72)內部之溫度。並且，如上所述，在反應管61內部之晶圓W之溫度可以藉由噴射加熱器77與加熱器62而受到控制。
圖6係概略圖，說明根據本發明實施例之黏合促進劑供給機構80之結構。應當注意，圖6未說明除了膜沉積腔室60、晶舟盒44、以及黏合促進劑供給機構80以外之元件。
如圖6所說明，黏合促進劑供給機構80包含黏合促進劑供應部81、以及設置在膜沉積腔室60內部之供應管82。黏合促進劑供應部81透過閥81a而連接到供應管82。黏合促進劑供給機構80將黏合促進劑氣體(藉由蒸發下述黏合促進劑SC而形成)供應到膜沉積腔室60中，並使用黏合促進劑氣體來處理晶圓W的表面。
黏合促進劑供應部81包含保持容器83、氣體入口部84、以及氣體出口部85。
保持容器83用來使黏合促進劑SC(例如：矽烷耦合劑)填充於其中。加熱機構86設置在保持容器83內部。可以藉由加熱機構86來加熱與蒸發填充保持容器83內部之黏合促進劑SC。應當注意，可以使用加熱器等等作為加熱機構86。加熱機構86可以隨意地設置在保持容器83之特定區域，只要可以加熱保持容器83。
氣體入口部84從黏合促進劑載送氣體供應部87導引黏合促進劑載送氣體，其由惰性氣體(例如：氮(N2))所組成，如此可以藉由黏合促進劑載送氣體來運送黏合促進劑氣體。氣體入口部84包含氣體入口管84a、以及氣體入口84b。氣體入口管84a為導管，用來將黏合促進劑載送氣體從保持容器83之外側導引到內側。氣體入口管84a以下述方式連接到保持容器83之頂面：其穿過保持容器83之頂面並垂直地延伸到(即從保持容器83之頂部到底部)保持容器83中。並且，氣體入口管84a之一端具有一開口，其位 於保持容器83之底部，而氣體入口管84a之另一端連接到在保持容器83外側之黏合促進劑載送氣體供應部87。氣體入口84b相當於在氣體入口管84a之底端所形成之開口。
圖6說明設置在黏合促進劑SC之液體表面下方之氣體入口84b，其使用從氣體入口84b供應之黏合促進劑載送氣體來使黏合促進劑SC冒泡。或者，氣體入口84b可以設置在黏合促進劑SC之液體表面上方。在這個情況下，不需要使用從氣體入口84b供應之黏合促進劑載送氣體來使黏合促進劑SC冒泡。
氣體出口部85將黏合促進劑氣體與黏合促進劑載送氣體導引離開保持容器83。氣體出口部85包含氣體出口管85a、以及氣體出口85b。氣體出口管85a為導管，用來將黏合促進劑氣體與黏合促進劑載送氣體導引離開保持容器83。氣體出口管85a以穿過保持容器83之頂面之方式而連接到保持容器83之頂面。並且，氣體出口管85a之一端具有一開口，其位於保持容器83之內頂部，而氣體出口管85a之另一端連接到設置在膜沉積腔室60內部之供應管82。氣體出口85b相當於在氣體出口管85a之底端所形成之開口。
供應管82(由石英所組成)穿過膜沉積腔室60之側壁，並以向上延伸之方式彎折。在膜沉積腔室60內部之供應管82之一端形成供應開口82a。供應管82透過供應開口82a而將黏合促進劑氣體從黏合促進劑供應部81供應到膜沉積腔室60之內部。供應開口82a最好設置在膜沉積腔室60中鄰近晶圓W(安裝於晶舟盒44上)之一部分中。藉此，來自供應開口82a之黏合促進劑氣體可以均勻地擴散於膜沉積腔室60內部。
驅氣氣體供給機構90包含驅氣氣體供應部91、以及驅氣氣體供應管92。驅氣氣體供應部91透過驅氣氣體供應管92而連接到膜沉積腔室60。驅氣氣體供應部91將驅氣氣體供應到膜沉積腔室60中。閥93設置在驅氣氣體供應管92之中央部分，用來使驅氣氣體供應部91連通到膜沉積腔室60內部、或切斷驅氣氣體供應部與膜沉積腔室60內部之連通。
排氣機構95包含排氣裝置96、以及排氣管97。排氣機構95透過排氣管97而用以從膜沉積腔室60之內部排出氣體。
舉例來說，控制部100包含處理部、儲存部、以及顯示部，其未顯示於圖4中。舉例來說，該處理部為包含中央處理單元(CPU)之電腦。該儲存部為可電腦讀取記錄媒體，舉例來說，其由硬碟所組成，該硬碟中記錄有用來使處理部執行各種製程之程式。舉例來說，該顯示部由電腦螢幕(顯示器)所組成。處理單元讀取記錄於儲存部中之程式，並根據程式而將控制訊號傳送到晶舟盒44a(基板支撐部)、加熱器62、冷卻機構65、供給機構70、黏合促進劑供給機構80、驅氣氣體供給機構90、以及排氣機構95之元件，藉此執行下述膜沉積製程。
如上所述，舉例來說，控制部100可以包含溫度感測器101、溫度控制器102、閘流器103、以及反向器104。
接著，說明使用上述膜沉積裝置10之實施例之膜沉積製程。圖7係流程圖，用來說明包含膜沉積製程之處理步驟，該膜沉積製程使用根據此實施例之膜沉積裝置10。
在開始膜沉積製程之後，晶圓W被搬運到膜沉積腔室60中(步驟S11，搬入步驟)。在圖1所說明之膜沉積裝置10之實施例中，在裝載區域40中，可以使用傳送機構47來將晶圓W裝載到晶舟盒44a中，並且可以使用晶舟盒輸送機構45c來將裝載晶圓W之晶舟盒44a放置在蓋體43上。接著，藉由升降機構46來使蓋體43(其上放置有晶舟盒44a)向上移動以插入膜沉積腔室60中，如此晶圓W被搬運到膜沉積腔室60中。
接著，降低膜沉積腔室60之內部壓力(步驟S12，減壓步驟)。藉由控制排氣裝置96之排氣能力或流量調節閥(未說明)，膜沉積腔室60透過排氣管97而排出之量會增加，其中該流量調節閥設置在排氣裝置96與排氣管97之間。舉例來說，膜沉積腔室60之內部壓力從預定壓力(例如：大氣壓力(760 Tor))降低到0.3Torr。
接著，將晶圓W之溫度增加到用以在晶圓W上沉積聚亞醯胺膜之預定溫度(膜沉積溫度)(步驟S13，復原步驟)。
在晶舟盒44a被搬運到膜沉積腔室60中之後，設置在膜沉積腔室60中之溫度感測器101之溫度接近室溫。因此，藉由將電力供應到加熱器62來使安裝在晶舟盒44a上之晶圓加熱到膜沉積溫度。
在此實施例中，加熱器62與冷卻機構65受到控制，如此晶圓W之溫度收斂到膜沉積溫度。舉例來說，供應到加熱器62之電力會受到控制，而送風機66之吹氣量(冷卻量)保持在固定狀態下(第一控制方法)。憑藉第一控制方法，在晶圓W之溫度即將到達膜沉積溫度之前，而送風機66之流量保持在固定狀態下，供應到加熱器62之電力會增加到某一值。接著，在晶圓W之溫度即將穩定於膜沉積溫度之前，供應到加熱器62之電力會降低到某一值。因此，晶圓W之溫度會收斂到預定溫度。於是，可以減少使晶圓W之溫度收斂到膜沉積溫度所需之時間，並且在晶圓W之溫度收斂到膜沉積溫度之後，可以穩定地控制晶圓W之溫度。
或者，藉由在晶圓W之溫度到達膜沉積溫度之前立即降低供應到加熱器62之電力，同時藉由增加送風機66之流量來快速地冷卻膜沉積腔室60，晶圓W之溫度可以收斂到膜沉積溫度(第二控制方法)。
圖8A與8B係圖表，用來說明加熱器62與冷卻機構65之控制方法之範例(第二控制方法)。圖8A係圖表，說明在根據本發明實施例使用冷卻機構65(第二控制方法)之情況下、以及在根據比較範例1未使用冷卻機構65之情況下，晶圓W之溫度對時間之關係之比較。並且，圖8B係圖表，說明根據本發明實施例加熱器62之加熱量與送風機66之冷卻量對時間之關係。
憑藉第二控制方法，在晶圓W之溫度即將到達膜沉積溫度之前，供應到加熱器62之電力(加熱量)會減少到0，而送風機66之流量(冷卻量)會增加。藉此，相較於比較範例1，晶圓W之溫度收斂到膜沉積溫度所需之時間會減少到時間T1(參考圖8A)。
並且，在根據本發明實施例之復原步驟中，使用黏合促進劑來處理晶圓W之表面。也就是說，除了使用加熱器62加熱晶圓 之外，使用黏合促進劑氣體處理晶圓W之表面，該黏合促進劑氣體藉由黏合促進劑供給機構80而供應到膜沉積腔室60中。
圖9A與9B係概略圖，說明在根據本發明實施例使用矽烷耦合劑作為黏合促進劑之情況下，晶圓W之表面上所產生之反應。圖10A-11係概略圖，說明在根據比較範例2使用矽烷耦合劑與水蒸氣之情況下，晶圓W之表面上所產生之反應。
最好使用具有包含烷氧基(RO-(R；烷基))之分子之有機矽烷作為矽烷耦合劑。舉例來說，圖9A與9B說明使用具有包含甲氧基(CH3O-)之分子之有機矽烷之範例。如圖9A中所說明，在使用具有氫氧基(-OH)末端表面之Si晶圓之範例中，甲醇(CH3OH)藉由矽烷耦合劑之甲氧基與晶圓表面之氫氧基之間之熱反應而產生。藉此，矽烷耦合劑黏合到晶圓表面。如圖9B中所說明，在使用具有氫(H)末端表面之Si晶圓之範例中，甲烷(CH4)藉由矽烷耦合劑之甲氧基與晶圓表面之氫原子之間之熱反應而產生。藉此，矽烷耦合劑黏合到晶圓表面。
另一方面，舉例來說，比較範例2使用具有包含烷氧基之分子之矽烷耦合劑與水蒸氣。如圖10A中所說明，水解作用發生在矽烷耦合劑之烷氧基與大氣中之水蒸氣之間。藉此，矽烷耦合劑之烷氧基變成氫氧基(-OH)。因此，在使用具有氫氧基(-OH)末端表面之Si晶圓作為晶圓W之情況下，脫水合成作用發生在矽烷耦合劑之烷氧基與晶圓表面之氫氧基之間。藉此，矽烷耦合劑黏合到晶圓表面。
或者，如圖11中所說明，矽烷耦合劑可以具有烷氧基，該烷氧基藉由與水蒸氣之水解作用而轉變成氫氧基，並且接著藉由聚合反應而寡聚合。當寡聚合之矽烷耦合劑靠近具有氫氧基(-OH)表面之Si晶圓時，矽烷耦合劑透過中間體(中間物)而進一步經歷熱脫水作用。藉此，矽烷耦合劑黏合到晶圓表面。因此，比較範例2存在因為聚合反應而產生微粒之風險。
另一方面，憑藉本發明之上述實施例，因為矽烷耦合劑不會聚合，可以防止微粒之產生。
並且，因為在比較範例2中使用水蒸氣，餘留在膜沉積腔室內部之殘餘水蒸氣可能會造成PMDA之五元環之開環，如下面化學式1所說明。
如果PMDA之五元環為打開的，PMDA之特性會改變，並且膜沉積步驟中不會進行PMDA與ODA之反應。因此，不能沉積聚亞醯胺膜。另一方面，根據本發明實施例，因為未使用水蒸氣，膜沉積步驟中會進行PMDA與ODA之反應。因此，可以沉積聚亞醯胺膜。
憑藉使用具有氫氧基-末端表面之Si晶圓之比較範例2，必須藉由稀釋氫氟酸(DHF)清洗而使用氫原子來終止由Si所組成之晶圓W之表面，並且接著藉由氨-過氧化物(標準清洗，(SC)1)清洗而使用氫氧基終止晶圓W之表面，如圖12中所說明。因此，比較範例2需要執行終止晶圓表面之調整更多次(執行步驟更多次)。另一方面，憑藉本發明之實施例，可以使用具有氫氧基-末端表面之晶圓或具有氫-末端表面之晶圓兩者作為晶圓W。因此，本發明之實施例可以減少用於調整終止晶圓表面之步，驟之次數。
接著，說明根據比較範例3之膜沉積製程，其中使用表面處理裝置(其與膜沉積裝置分開設置)而以黏合促進劑氣體執行表面處理。
圖13係時間表，說明根據本發明實施例之膜沉積製程與根據比較範例3之膜沉積製程之間之比較。憑藉比較範例3，在執行搬入步驟(步驟S11)之前，必須藉由使用表面處理裝置等等(其與膜沉積裝置分開設置)而在晶圓W上執行表面處理步驟(步驟S10)。因此，可以縮短時間T2而執行此實施例之膜沉積製程(圖13之右側)，該時間T2相當於藉由比較範例3之表面處理裝置來執行表 面處理(圖13之左側)之時間之程度。因此，可以增加每單位時間膜沉積晶圓之數量。
接著，沉積聚亞醯胺膜(步驟S14，膜沉積步驟)。
預先藉由控制部100來決定第一流量F1、與第二流量F2，第一來源氣體(PMDA氣體)係以該第一流量F1流動到供應管73a，而第二來源氣體(ODA氣體)係以該第二流量F2流動到內供應管73b。使第一來源氣體在已決定之第一流量F1下從第一來源氣體供應部71a流動到供應管73a，並且使第二來源氣體在已決定之第二流量F2下從第二來源氣體供應部71b流動到內供應管73b，而晶圓W藉由旋轉機構49而旋轉。藉此，第一與第二來源氣體在預定混合比例下混合，並且供應到膜沉積腔室60中。PMDA與ODA在晶圓W之上表面上經歷聚合反應，如此聚亞醯胺膜沉積在晶圓W之上表面上。具體而言，舉例來說，第一流量F1可以為900 sccm，而第二流量F2可以為900 sccm。
在此之PMDA與ODA之聚合反應遵循下面化學式(2)。
在膜沉積步驟(步驟S14)中，因為從鄰近晶圓W之單一位置供應來源氣體，來源氣體較容易抵達晶圓W之周圍部，但是較難抵達晶圓W之中間部。因此，控制來源氣體之流量、膜沉積腔室60內部之壓力、以及晶圓W間之間隔，以使周圍部之膜沉積速率與中間部之膜沉積速率實質相同，如此在整個晶圓W之膜厚度可以為均勻的。
如果未使用黏合促進劑來處理晶圓W之整個表面，即使來源氣體抵達晶圓W之表面，膜沉積速率會不相同。根據此實施例， 可以藉由復原步驟(步驟S13)而使用黏合促進劑均勻地處理(塗佈)晶圓W之整個表面，該復原步驟(步驟S13)緊鄰於膜沉積步驟之前執行。因此，可以使晶圓W之整個表面各處之膜沉積速率為均勻的。因此，可以使晶圓W之整個表面各處之膜厚度為均勻的。
在執行比較範例3之膜沉積製程之情況下(即藉由使用與膜沉積腔室60分開之表面處理裝置而以黏合促進劑氣體執行表面處理)，所沉積聚亞醯胺膜之膜厚度之均勻性(面內均勻性：1σ)為3.5%。另一方面，在執行根據此實施例之膜沉積製程之情況下(即在膜沉積腔室60內部使用黏合促進劑氣體執行表面處理)，所沉積聚亞醯胺膜之膜厚度之均勻性(面內均勻性：1σ)為2.1%。因此，使用此實施例，可以使晶圓W之膜厚度(面內厚度)為均勻的。
接著，停止來自第一來源氣體供應部71a之PMDA氣體之供應與來自第二來源氣體供應部71b之ODA氣體之供應，並且使用驅氣氣體來沖洗膜沉積腔室60之內部(步驟S15，，驅氣步驟)。
更具體而言，藉由關閉閥71c來停止來自第一來源氣體供應部71a之第一來源氣體之供應。並且，藉由關閉閥71d來停止來自第二來源氣體供應部71b之第二來源氣體之供應。並且，藉由控制驅氣氣體供給機構90與排氣機構95而以驅氣氣體取代膜沉積腔室60內部之來源氣體。
舉例來說，藉由控制排氣裝置96之排氣能力、或調整設置於排氣裝置96與排氣管97之間之流量調整閥(未說明)，可以增加膜沉積腔室60排空之量。藉此，舉例來說，可以將膜沉積腔室60內部之壓力減少到0.3 Torr。接著，舉例來說，打開閥93，並且將驅氣氣體從驅氣氣體供給機構90供應到膜沉積腔室60內部，直到膜沉積腔室60之內部壓力到達5.0Torr。藉此，可以使用驅氣氣體取代膜沉積腔室60內部之來源氣體。此外，在個別執行排氣機構95之減壓與從驅氣氣體供給機構90供應驅氣氣體一次之後，可以執行排氣機構95之減壓與驅氣氣體之供應更多次。藉此，可以使用驅氣氣體更確實地取代膜沉積腔室60內部之來源氣體。
根據本發明實施例，可以在驅氣步驟中藉由加熱器而熱處理 沉積在晶圓W上之聚亞醯胺膜。在膜沉積步驟之後執行熱處理，以亞醯胺化所沉積膜中未亞醯胺化之部分。因為聚亞醯胺具有高絕緣特性，可以藉由提高亞醯胺化比率(即在所沉積膜中之聚亞醯胺之比例)來改善所沉積聚亞醯胺膜之絕緣特性。
圖14A與14B係圖表，用來說明聚亞醯胺膜之亞醯胺化比率相對於膜沉積溫度與熱處理溫度之關係。圖14A說明聚亞醯胺膜之亞醯胺化比率相對於膜沉積溫度與熱處理溫度之關係。圖14B說明聚亞醯胺膜之亞醯胺化比率相對於熱處理溫度之關係。可以藉由在膜沉積步驟之後使用傅氏轉換紅外線光譜儀(FT-IR，Fourier Transform Infra-Red spectroscopy)方法分析聚亞醯胺膜而得到圖14A與14B之亞醯胺化比率。
如圖14A中所說明，在膜沉積溫度與熱處理溫度兩者皆少於200℃之情況下，亞醯胺化比率會降低。因此，膜沉積溫度與熱處理溫度最好為200℃以上。藉此，可以得到具有極好絕緣特性之聚亞醯胺膜。
如圖14B中所說明，在熱處理溫度為200℃到300℃之範圍的情況下，亞醯胺化比率隨著熱處理溫度之提高而增加。在熱處理溫度為300℃到350℃之範圍的情況下，由於在接近350℃之玻璃轉移溫度之影響，亞醯胺化比率幾乎不會改變。在熱處理溫度為350℃到380℃之範圍的情況下，亞醯胺化比率隨著熱處理溫度之提高而快速地增加。在熱處理溫度為380℃下，亞醯胺化比率到達約100%。因此，熱處理溫度最好為380℃以上(例如：400℃以上)。藉此，可以幾乎完全地亞醯胺化聚亞醯胺膜。如此，聚亞醯胺膜可以達到更好的絕緣特性。
表1說明在聚亞醯胺膜上執行熱處理之情況下，檢驗漏電流與亞醯胺化之結果，該聚亞醯胺膜沉積於200℃之膜沉積溫度下，其中分別執行該熱處理10分鐘、20分鐘、40分鐘、以及70分鐘。表1說明在施加1.0 MV/cm之電場時之漏電流。
如表1所說明，即便在熱處理時間從70分鐘減少到40分鐘、以及20分鐘的情況下，漏電流幾乎不會改變，並且維持在1.74 nA/cm2到1.80 nA/cm2之範圍內。然而，在熱處理時間為10分鐘的情況下，漏電流大幅度地增加到3.61 nA/cm2。因此，熱處理時間最好為20分鐘以上。藉此，可以減少漏電流，並且可以改善聚亞醯胺膜之絕緣特性。
並且，在驅氣步驟(步驟S15)中執行熱處理之情況下，最好使用加熱器62與冷卻機構65來控制晶圓溫度。
圖15A與15B係圖表，說明在使用冷卻機構之情況與未使用冷卻機構之情況間之比較，其中在將晶舟盒44a搬運到膜沉積腔室60中、以及將晶舟盒44a從膜沉積腔室60搬運出之期間藉由設置在膜沉積腔室60中之溫度感測器101來量測溫度。圖15A說明未使用冷卻機構65之情況。圖15B說明使用冷卻機構65之情況。
如圖15A中所說明，在未使用冷卻機構65並且目標溫度設定為200℃之情況下，藉由溫度感測器101所量測之溫度會相對目標溫度而變化±4.0℃。如圖15B中所說明，在使用冷卻機構65且目標溫度設定為200℃之情況下，藉由溫度感測器101所量測之溫度僅相對目標溫度而些微地變化±0.5℃。因此，即使在200℃之溫度範圍內，可以藉由使用加熱器62與冷卻機構65而高精度地控制溫度。
在假設上述比較範例3使用與膜沉積裝置分開之熱處理裝置來執行亞醯胺化之熱處理的情況下，必須在搬出步驟(圖13之步驟S17)之後，也就是執行一連串構成膜沉積製程之步驟之後，藉由熱處理裝置來執行亞醯胺化之熱處理(步驟S18)。可以在更短的時間內執行根據本發明實施例之膜沉積製程(圖13之右側)，該時間比比較範例3(圖13之左側)之時間更短，並且相當於藉由比較範 例3之熱處理裝置所執行之熱處理步驟之時間(T3)之程度。因此，每單位時間經歷膜沉積製程之晶圓之數量會增加。
接著，膜沉積腔室60之內部壓力回復到大氣壓力(步驟S16，壓力復原步驟)。藉由控制排氣裝置96之排氣能力、或設置在排氣裝置96與排氣管97之間之流量調節閥(未顯示)，膜沉積腔室60所排出之量會減少。膜沉積腔室60之內部壓力會從例如0.3 Torr回復到例如大氣壓力(760 Torr)。
只要在下述搬出步驟之前在膜沉積腔室60內部執行所沉積聚亞醯胺膜之熱處理，該熱處理可以在壓力復原步驟期間、或壓力復原步驟之後執行。
接著，從膜沉積腔室60搬出晶圓W(步驟S17，搬出步驟)。在圖1中所顯示之膜沉積裝置10之實例中，舉例來說，可以藉由升降機構46來使蓋體43(其上放置有晶舟盒44a)向下移動以從膜沉積腔室60內部搬運到裝載區域40。接著，藉由傳送機構47來將晶圓W從晶舟盒44a(放置在搬出之蓋體43上)運送到容器21。藉此，晶圓W被搬離膜沉積腔室60。之後，結束膜沉積製程。
在使數批陸續經歷膜沉積製程之情況下，藉由傳送機構47而在裝載區域40中執行將晶圓W從容器21傳送到晶舟盒44之進一步傳送，並且製程再次回到步驟S11，以使下一批經歷膜沉積製程。
[第一實施例之修改範例]
接著，參考圖16來說明根據第一實施例之修改範例之膜沉積裝置。
憑藉修改範例之膜沉積裝置，不像上述第一實施例之膜沉積裝置10，在使用黏合促進劑氣體處理基板之表面之後、但在基板上沉積聚亞醯胺膜之前，使用第一來源氣體來處理基板。應當注意，第一實施例之膜沉積裝置10之描述可以適用於修改範例之膜沉積裝置之描述。因此，省略修改範例之膜沉積裝置之詳細說明。
圖16係流程圖，說明藉由根據修改範例之膜沉積裝置所執行之膜沉積製程中所包含之步驟。
憑藉修改範例，在復原步驟(步驟S13)之後而膜沉積步驟(步驟S14)之前，藉由從第一來源氣體供應部71a供應第一來源氣體以使用第一來源氣體處理晶圓表面(步驟S13-2，第一來源氣體供應步驟)。
在加入第一來源氣體供應步驟之情況下，所沉積聚亞醯胺膜之膜厚度之均勻性(面內均勻性：1σ)在與第一實施例大致相同之處理條件下會從14.3%減少到2.1%。此現象被認為是由於PMDA與官能基之間之反應所引起PMDA黏合到晶圓之整個表面的結果，該官能基設置在其上黏合有矽烷耦合劑之Si晶圓表面之相反側上。因此，在膜沉積步驟中，聚亞醯胺膜可以均勻地沉積遍佈晶圓W之整個表面。
[第二實施例]
接著，參考圖17來說明根據本發明第二實施例之膜沉積裝置。
第二實施例之膜沉積裝置不同於第一實施例之膜沉積裝置10，因為第二實施例之膜沉積腔室60a未包含冷卻機構。因此，除了膜沉積腔室60a之外，第二實施例之膜沉積裝置與第一實施例之膜沉積裝置10具有相同元件/機構。如此，省略除了膜沉積腔室60a以外之元件/機構之詳細說明。在第二實施例之說明與圖示中，使用與第一實施例之參考符號相同之參考符號來表示相同之元件/機構，並且不進一步說明。
圖17係橫剖面圖，說明根據第二實施例之膜沉積腔室60a之結構。相同於第一實施例，舉例來說，膜沉積腔室60a可以為直立爐，其容納多個待處理基板(例如：薄盤狀之晶圓W)，並且在該待處理基板上執行預定製程(例如：CVD)。膜沉積腔室60a包含反應管61、加熱器62、供給機構70、黏合促進劑供給機構80、驅氣氣體供給機構90、以及排氣機構95。雖然反應管61、加熱器62、供給機構70、黏合促進劑供給機構80、驅氣氣體供給機構90、以及排氣機構95可以與第一實施例之上述元件具有相同之結構，膜沉積腔室60a中未包含冷卻機構。
相同於第一實施例，可以在第二實施例之膜沉積製程之復原 步驟中，藉由從黏合促進劑供給機構80供應黏合促進劑來執行表面處理。藉此，可以改善所沉積之聚亞醯胺膜之膜品質，並且可以增加每單位時間膜沉積晶圓之數量。
相同於第一實施例，可以在第二實施例之膜沉積製程之驅氣步驟中熱處理所沉積之聚亞醯胺膜。同樣地，可以改善所沉積之聚亞醯胺膜之膜品質，並且可以增加每單位時間膜沉積晶圓之數量。
並且，本發明並不受限於這些實施例，在不離開本發明之範疇內，可作各種變化與修改。
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧膜沉積裝置
20‧‧‧放置桌
21、22‧‧‧容器
23‧‧‧對準單元
30‧‧‧外殼
31‧‧‧底板
40‧‧‧裝載區域
41‧‧‧門機構
42‧‧‧檔門機構
43‧‧‧蓋體
44、44a、44b‧‧‧晶舟盒
45a、45b‧‧‧基台
45c‧‧‧晶舟盒輸送機構
46‧‧‧升降機構
47‧‧‧傳送機構
48‧‧‧熱絕緣管
49‧‧‧旋轉機構
50‧‧‧頂板
51‧‧‧底板
52‧‧‧支柱
53‧‧‧爪部
54‧‧‧輔助柱
57‧‧‧基台
58‧‧‧升降臂
59‧‧‧叉狀物
60、60a‧‧‧膜沉積腔室
61‧‧‧反應管
62‧‧‧加熱器
62a‧‧‧空間
63‧‧‧開口
65‧‧‧冷卻機構
66‧‧‧送風機
67‧‧‧鼓風管
68‧‧‧排氣管
69‧‧‧熱交換裝置
69a‧‧‧空氣過濾器
70‧‧‧供給機構
71‧‧‧來源氣體供應部
71a‧‧‧第一來源氣體供應部
71b‧‧‧第二來源氣體供應部
71c、71d‧‧‧閥
72‧‧‧噴射器
73a‧‧‧供應管
73b‧‧‧內供應管
74a‧‧‧第一蒸發器
74b‧‧‧第二蒸發器
75‧‧‧供應孔
76‧‧‧開口
77‧‧‧噴射加熱器
80‧‧‧黏合促進劑供給機構
81‧‧‧黏合促進劑供應部
81a‧‧‧閥
82‧‧‧供應管
82a‧‧‧供應開口
83‧‧‧保持容器
84‧‧‧氣體入口部
84a‧‧‧氣體入口管
84b‧‧‧氣體入口
85‧‧‧氣體出口部
85a‧‧‧氣體出口管
85b‧‧‧氣體出口
86‧‧‧加熱機構
87‧‧‧黏合促進劑載送氣體供應部
90‧‧‧驅氣氣體供給機構
91‧‧‧驅氣氣體供應部
92‧‧‧驅氣氣體供應管
93‧‧‧閥
95‧‧‧排氣機構
96‧‧‧排氣裝置
97‧‧‧排氣管
100‧‧‧控制部
101‧‧‧溫度感測器
102‧‧‧溫度控制器
103‧‧‧閘流器
104‧‧‧反向器
隨附之圖示，合併於說明書中並構成說明書之一部分，說明本發明之實施例，並且連同上面之一般說明與上面實施例之詳細說明，得以解釋本發明之原理，其中：圖1係根據本發明實施例之膜沉積裝置之概略縱向剖面圖；圖2係根據本發明實施例之裝載區域之概略斜視圖；圖3係根據本發明實施例之晶舟盒之斜視圖；圖4係根據本發明實施例之膜沉積腔室之結構之橫剖面圖；圖5係概略圖，說明根據本發明實施例之冷卻機構之結構；圖6係概略圖，說明根據本發明實施例之黏合促進劑供給機構之結構；圖7係流程圖，用來說明使用根據本發明實施例之膜沉積裝置之膜沉積製程之步驟；圖8A-8B係圖表，用來說明根據本發明實施例之加熱器與冷卻機構之控制方法；圖9A-9B係概略圖，說明在根據本發明實施例使用矽烷耦合劑作為黏合促進劑的情況下，晶圓之表面上之反應；圖10A-10B係概略圖，說明在使用矽烷耦合劑與水蒸氣的情況下，比較範例之晶圓表面上之反應； 圖11係概略圖，說明在使用矽烷耦合劑與水蒸氣的情況下，另一比較範例之晶圓表面上之反應；圖12係概略圖，說明在稀釋氫氟酸(DHF)之後使用氨-過氧化物(SC1)清理晶圓以及使用氫氧基終止晶圓之表面的情況下，晶圓之表面之狀態；圖13係時間圖，說明根據本發明實施例之膜沉積製程與比較範例之膜沉積製程間之比較；圖14A-14B係圖表，說明聚亞醯胺膜之亞醯胺化比率相對於膜沉積溫度與熱處理溫度之關係；圖15A與15B係圖表，說明在使用冷卻機構之情況與未使用冷卻機構之情況間之比較，其中在將晶舟盒運送到膜沉積腔室與將晶舟盒從膜沉積腔室運送出之期間，藉由設置在膜沉積腔室中之溫度感測器來量測溫度；圖16係流程圖，說明藉由根據本發明實施例之修改範例之膜沉積裝置所執行之膜沉積製程中所包含之步驟；以及圖17係橫剖面圖，說明根據本發明另一實施例之膜沉積腔室之結構。
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧膜沉積裝置
20‧‧‧放置桌
21、22‧‧‧容器
23‧‧‧對準單元
30‧‧‧外殼
31‧‧‧底板
40‧‧‧裝載區域
41‧‧‧門機構
42‧‧‧檔門機構
43‧‧‧蓋體
44、44a、44b‧‧‧晶舟盒
45a、45b‧‧‧基台
47‧‧‧傳送機構
48‧‧‧熱絕緣管
49‧‧‧旋轉機構
57‧‧‧基台
58‧‧‧升降臂
59‧‧‧叉狀物
60‧‧‧膜沉積腔室
61‧‧‧反應管
62‧‧‧加熱器
63‧‧‧開口
100‧‧‧控制部

Claims (7)

  1. 一種膜沉積裝置，包含：一膜沉積腔室，其中一基板被搬運到該膜沉積腔室中；一加熱機構，其加熱被搬運到該膜沉積腔室中之該基板；一黏合促進劑供給機構，其將黏合促進劑氣體供應到該膜沉積腔室中；以及一控制部，其控制該加熱機構與該黏合促進劑供給機構；其中當藉由將由二酸酐所組成之第一來源氣體與由二胺所組成之第二來源氣體供應到該膜沉積腔室中以在該基板上沉積聚亞醯胺膜時，該控制部係用以控制該黏合促進劑供給機構，俾藉由將該黏合促進劑氣體供應到該膜沉積腔室中，而以該黏合促進劑氣體處理該基板之表面，直到該基板被加熱到用以沉積該聚亞醯胺膜之預定溫度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之膜沉積裝置，其中該黏合促進劑供給機構包含一供應管，其設置在該膜沉積腔室內；其中該供應管包含一供應孔；其中該供應管透過該供應孔而用以將該黏合促進劑氣體供應到該膜沉積腔室中。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之膜沉積裝置，進一步包含：一基板支撐部，其用來將該基板支撐於該膜沉積腔室內部；其中該供應孔設置在藉由該基板支撐部所支撐之該基板附近。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之膜沉積裝置，進一步包含：一第一來源氣體供應部，其用來將該第一來源氣體供應到該膜沉積腔室中；其中該控制部用來控制該第一來源氣體供應部，如此在使用該黏合促進劑氣體處理該基板之表面之後而沉積該聚亞醯胺膜之前，將該第一來源氣體供應到該膜沉積腔室中，以使用該第一來 源氣體來處理該基板之表面。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之膜沉積裝置，進一步包含：一冷卻機構，其藉由將空氣傳送到該膜沉積腔室而用來冷卻該膜沉積腔室；其中在將該基板提升到該預定溫度的情況下，該控制部用來控制該加熱機構之加熱量、以及該冷卻機構之冷卻量。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之膜沉積裝置，其中該控制部用來控制該加熱機構，如此在該基板上沉積該聚亞醯胺膜之後，在該基板上執行熱處理。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之膜沉積裝置，進一步包含：一排氣機構，其用來排空在該膜沉積腔室內部之氣體；其中該控制部用來控制該加熱機構，如此在該基板上沉積該聚亞醯胺膜、排空該膜沉積腔室內部之該氣體、以及藉由從驅氣氣體供給機構供應驅氣氣體而使用該驅氣氣體來取代該膜沉積腔室內部之氣體之後，在該基板上執行該熱處理。
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