TWI549474B

TWI549474B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI549474B
Application number: TW100131476A
Authority: TW
Inventors: 小山潤
Original assignee: 半導體能源研究所股份有限公司
Priority date: 2010-09-13
Filing date: 2011-09-01
Publication date: 2016-09-11
Also published as: KR101952235B1; US9462260B2; JP5832205B2; JP2012083724A; TW201228355A; US20120062561A1; KR20120028225A

Description

顯示裝置

本發明之一實施例有關顯示三維影像的顯示裝置。

針對三維顯示裝置之市場正漸增地成長。顯示三維影像可以以顯示裝置，而藉由人造地產生其中會在當觀視者以雙眼觀看立體顯示的目標時所產生之雙眼視網膜影像間的差異(雙眼視差)，而予以獲得。其中已發展出各式各樣的驅動方法之使用該雙眼視差的三維顯示裝置正逐漸商業化。目前，使用像框依序法之液晶顯示裝置係市場中的主流裝置。

像框依序法係藉由交變地顯示左眼影像及右眼影像於螢幕上且透過光閘眼鏡而顯示該等影像至觀視者，所使用之為顯示三維影像至觀視者眼睛的驅動方法。換言之，當顯示裝置顯示左眼影像時，該眼鏡增加左眼光閘的透射比，且透射此影像至觀視者的左眼。對照地，當顯示裝置顯示右眼影像時，則該眼鏡增加右眼光閘的透射比，且透射此影像至觀視者的右眼。因此，觀視者透過左眼來觀看左眼影像且透過右眼來觀看右眼影像，而藉以觀看三維影像。

專利文獻1揭示像框依序之液晶顯示裝置。

[參考文件] [專利文獻]

[專利文獻1]　日本公開專利申請案第2009-031523號

上述像框依序之液晶顯示裝置在其中影像信號被供應至像素部之週期(寫入週期)期間，會顯示混合之左眼影像及右眼影像於像素部之上。若該眼鏡之右眼或左眼光閘在寫入週期期間透射光時，則其中左眼影像進入右眼或右眼影像進入左眼之所謂串音的現象會發生，而使觀視者無法觀看到三維影像。為避免串音，在寫入週期期間致使該眼鏡的右眼光閘及左眼光閘成為遮光狀態係有效的。

然而，針對液晶，從當改變所施加之電壓時起到當使分子之配向的改變整合時止之回應時間通常約係十多毫秒，且當液晶顯示裝置係驅動於60Hz的像框頻率時，則一像框週期約係16.6毫秒(ms)。此意指的是，寫入週期占有一像框週期的大部分。因此，若使右眼光閘及左眼光閘二者在寫入週期之期間成為遮光狀態以避免串音時，則會縮短眼鏡要通過來自像素部之光所花費的時間，而使所顯示之影像變暗。即使當所顯示之影像的亮度係藉由增加背光的光亮度而確保時，亦將增加功率消耗。

鑑於上述問題，本發明一實施例之目的在於提供能以低功率消耗而顯示明亮影像的三維顯示裝置。

發明人認為寫入週期可藉由使用諸如有機發光二極體(OLED)之具有比液晶元件更高的回應速度之發光元件，而加以縮短。然而，單純地透過發光元件來取代液晶元件將易於使串音發生。

該眼鏡的光閘係諸如液晶元件之元件，其透射比可藉由電流或電壓的供應而予以控制。理想上，使用例如，常態黑之液晶元件的該等光閘會在未施加電壓之期間顯現0%的透射比。然而，實際地，根據光之波長，該透射比並不會完全地變成0%，且少許的光有時候會通過該等光閘。因此，在其中左眼影像及右眼影像係在像素部之上混合的寫入週期之期間，其中左眼影像進入右眼或右眼影像進入左眼之些微的串音會發生，而使觀視者無法看到三維影像。

在使用液晶元件於顯示裝置的像素部之情況中，於寫入期間所通過該等光閘之少許的光可藉由關閉背光而防止到達觀視者的眼睛。然而，因為發光元件係其中藉由影像信號的供應而控制光亮度之元件，所以在使用發光元件於顯示裝置的像素部之情況中，左眼影像及右眼影像會在寫入週期混合於像素部之上。因此，使用發光元件將比使用液晶元件更易於使串音發生。

進一步地，在使用液晶元件於該眼鏡的光閘之情況中，因為液晶元件的回應速度低，所以從當所施加的電壓改變時起到當使透射比的改變整合時止之時間會變長。因此，為了要避免串音，在寫入週期之期間，使該眼鏡的該等光閘成為遮光狀態且防止左眼影像及右眼影像在像素部上混合係重要的。

在使用發光元件的情況中，供應被使用以顯示黑色影像而使發光元件關閉之影像信號至像素部可防止左眼影像及右眼影像在像素部上混合。然而，在使用此驅動方法的情況中，從當完成供應影像信號至像素部內之所有像素，而該等影像信號係使用以顯示黑色影像時起，到當起動下一個左眼或右眼影像之供應時止，必須要切換左眼光閘與右眼光閘之間的透射比。此外，用於所使用以顯示黑色影像之影像信號的寫入週期具有與用於正常影像信號的寫入週期相同的長度。因此，集中注意於使用上述驅動方法之情況中的給定像素上，在用以切換光閘透射比所需之上述週期及用以供應所使用以顯示黑色影像之影像信號的週期二者之期間，發光元件係關閉。此將降低其中在一像框週期中之發光元件開啟之期間的週期之比例，亦即，降低在一像框週期中的顯示週期之比例的責務比，而不易達成本發明一實施例之目的，亦即，能以低功率消耗來顯示明亮影像的顯示裝置之目的。

有鑑於此，在本發明之一實施例中，包含於發光元件中之共同電極的電位係藉由信號源所控制。具體而言，該共同電極係開關於用以供應影像信號的寫入週期與用以顯示影像的顯示週期之間。注意的是，發光元件意指其中電位係藉由影像信號所控制的像素電極、其中可藉由電場的施加而產生電發光之電發光材料的電發光層、及共同電極之堆疊。因此，如上述地，藉由使用信號源而開關共同電極電位可驅使所有像素中之發光元件在寫入週期期間成為關閉，且允許所有像素中之發光元件在顯示週期期間開啟以回應於影像信號。

上述系統排除習知方式要關閉發光元件，亦即，要供應所使用以顯示黑色影像的影像信號至像素之需。換言之，在所有像素中之發光元件可藉由來自影像信號之不同類型的信號而同時關閉。因而，發光元件可在用以供應影像信號之週期期間保持關閉。

具體而言，依據本發明一實施例之顯示裝置包含：影像顯示部，包括像素部，該像素部係設置有複數個像素；遮光部，包括第一光閘及第二光閘；信號源，輸出共同電位；以及控制器，控制第一光閘及第二光閘的透射比和自該信號源所輸出之共同電位的位準，以使該等透射比及該位準成為與在該像素部中所執行之影像信號的供應、右眼影像的顯示、或左眼影像的顯示同步。該複數個像素各自包含：開關電晶體，控制對像素之影像信號的供應；發光元件，包括像素電極、供應有共同電位之共同電極、及設置於像素電極與共同電極之間的電發光層；以及驅動電晶體，依據影像信號而控制像素電極的電位。

在本發明之一實施例中，發光元件的使用可降低一像框週期中之寫入週期的比例。進一步地，藉由使用信號源而控制發光元件中所包含之共同電極的電位，可驅使像素部內之所有發光元件在用以供應右眼或左眼影像信號的週期期間，成為關閉。此外，透射比可在寫入週期之期間切換於左眼光閘與右眼光閘之間。因而，可使一像框週期中之顯示週期比例的責務週期高於習知顯示裝置中的責務週期，而無串音。因此，可獲得能以低功率消耗而顯示明亮影像的顯示裝置。

在下文中，將參照附圖來詳細敘述本發明的實施例。熟習於本項技藝之該等人士將立即理解的是，本發明之模式及細節可以以各式各樣的方式來加以修正，而不會背離本發明之精神和範疇。因此，本發明不應被解讀為受限於下文之該等實施例的說明。

(實施例1)

第1圖係方塊圖，描繪依據本發明一實施例之顯示裝置的結構性實例。顯示裝置100包含顯示影像之影像顯示部101，可改變光透射比且包含複數個光閘之遮光部102，以及控制器103。

影像顯示部101具有複數個像素105於像素部104中。該等像素105各自包含：開關電晶體106，控制對像素105之影像信號的輸入；發光元件107，包括像素電極、共同電極、及位於像素電極與共同電極之間的電發光層；以及驅動電晶體108，依據影像信號而控制發光元件107中所包含之像素電極的電位。

此外，影像顯示部101包含信號源109。自信號源109所輸出之脈波信號係供應至像素部104。影像顯示部101在第1圖中包含信號源109；然而，信號源109可自影像顯示部101獨立而被設置於顯示裝置100中。

發光元件107的實例包含其中光亮度係藉由電流或電壓所控制的元件。例如，可使用OLED或其類似物做為發光元件107。OLED至少包含電發光層，陽極，及陰極。陽極及陰極的其中一者用作像素電極，以及另一者用作共同電極。電發光層係設置於陽極與陰極之間，且具有單層或多層的結構。該等層可包含無機化合物。在電發光層中的發光包含其中在從單態受激狀態返回至基態中所獲得的光發射(螢光)，以及其中在從三重態受激狀態返回至基態中所獲得的光發射(磷光)。

在發光元件107中之像素電極的電位係藉由所輸入至像素105之影像信號而予以控制。發光元件107的光亮度係根據像素電極與共同電極之間的電位差而定。在像素部104中所包含之複數個像素105的每一者中，發光元件107的光亮度係依據影像信號而調整，以致使影像顯示於像素部104之上。藉由交變地供應具有左眼影像之資料的影像信號及具有右眼影像之資料的影像信號至像素部104，可交變地顯示左眼影像(L影像)及右眼影像(R影像)於像素部104之上。

第1圖描繪其中遮光部102包含二光閘：左眼光閘110及右眼光閘111的情況。藉由改變左眼光閘110的透射比，可控制所進入至觀視者之左眼的光量。藉由改變右眼光閘111的透射比，可控制所進入至觀視者之右眼的光量。

光閘可使用諸如液晶元件之其中透射比可藉由電流或電壓所控制的元件。左眼光閘110及右眼光閘111可各自具有隔離的液晶面板。選擇性地，它們可分享一液晶面板。在後者之情況中，包含於該液晶面板中之用作左眼光閘110的區域及用作右眼光閘111的區域之透射比係分離地控制。

注意的是，在此說明書中，面板意指其中形成諸如液晶元件及發光元件之顯示元件於上的基板。該面板的實例包含具有其中包含IC於上之基板的模組，而該IC包括控制器。

控制器103使其中顯示影像於像素部104上的時間，其中改變遮光部102中所包含的複數個光閘之透射比的時間，及其中改變來自信號源109所輸出的信號之電位的時間成為彼此互相同步。

具體而言，在其中顯示L影像於像素部104上之期間的顯示週期期間，控制器103使像素部104的操作成為與遮光部102的操作同步，以便使左眼光閘110的透射比變高，且使右眼光閘111的透射比變低(理想地，0%)。對照地，在其中顯示R影像於像素部104上之期間的顯示週期期間，控制器103使像素部104的操作成為與遮光部102的操作同步，以便使左眼光閘110的透射比變低(理想地，0%)，且使右眼光閘111的透射比變高。此外，在其中供應L影像或R影像的影像信號至像素部104之期間的寫入週期期間，控制器103使像素部104的操作成為與遮光部102的操作同步，以便使左眼光閘110及右眼光閘111的透射比變低(理想地，0%)。

特別地，控制部103使像素部104的操作成為與信號源109的操作同步，以致使自信號源109所輸出之信號的位準切換於顯示週期與寫入週期之間。更明確地，雖然驅動電晶體108係在顯示週期之期間導通，但信號源109控制共同電極的電位，使得可將高到使發光元件107發射出光的順向偏壓施加在像素電極與共同電極之間。此外，雖然驅動電晶體108係在寫入週期之期間導通，但信號源109控制共同電極的電位，使得可將低到使發光元件107不發射出光的順向偏壓、零偏壓、或逆向偏壓施加在像素電極與共同電極之間。

低到使發光元件107不發射出光的順向偏壓之值可由該發光元件107的臨限電壓所決定。

如上述地，透過該控制器103，可使像素部104的操作成為與遮光部102的操作同步，以致可交變地執行其中L影像進入至觀視者之左眼的操作以及其中R影像進入至觀視者之右眼的操作。上述系統允許該觀視者觀看到由L影像及R影像所組成之三維影像。此外，如上述地，透過該控制器103，可使像素部104的操作成為與信號源109的操作同步，以致可防止L影像及R影像的混合影像在寫入週期之期間顯示於像素部104之上，而可藉以可靠地阻止影像達到觀視者的眼睛。

其次，將敘述包含於像素105中之開關電晶體106、發光元件107、與驅動電晶體108之間的連接。

注意的是，在此說明書中，〝連接〞之用語意指電性連接，且對應於其中可供應或傳送電流、電壓、或電位的狀態。因此，連接狀態並非一直意指直接連接狀態，而是包含透過諸如佈線、導電膜、電阻器、二極體、或電晶體之元件使得電流、電壓、或電位可被供應或傳送的間接連接狀態。

此外，即使當不同組件彼此互相連接於電路圖之中時，實際上，亦具有諸如其中一部分之佈線用作電極的情況之其中一導電膜具有複數個組件之功能的情況。而且，〝連接〞之用語意指其中一導電膜具有複數個組件的功能。

包含於電晶體中之源極電極及汲極電極的名稱可根據電晶體的導電類型或所施加至該等電極之電位的位準，而彼此互換。通常，在n通道電晶體中，其中施加較低電位的電極稱為源極電極，以及其中施加較高電位的電極稱為汲極電極。在下文中，源極電極及汲極電極的其中一者將稱為第一端子，以及另一者將稱為第二端子。

開關電晶體106具有其中施加影像信號之電位的第一端子，以及連接至驅動電晶體108之閘極電極的第二端子。驅動電晶體108具有其中施加電源供應電壓的第一端子，以及連接至發光元件107的第二端子。發光元件107包含像素電極，共同電極，及位於像素電極與共同電極之間的電發光層。具體而言，驅動電晶體108的第二端子係連接至發光元件107的像素電極。發光元件107的共同電極係供應以來自信號源109的共同電位。

在寫入週期之期間，電源供應電位與共同電位係約略相同或具有差異。該差異被視為可致使低到發光元件107無法發射出光而被施加在發光元件107的像素電極與共同電極之間的順向偏壓，或逆向偏壓，雖然驅動電晶體108係導通。在顯示週期之期間，電源供應電位與共同電位具有差異。該差異被視為可致使高到發光元件107可發射出光而被施加在發光元件107的像素電極與共同電極之間的順向偏壓，且同時驅動電晶體108係導通。

注意的是，開關電晶體106及驅動電晶體108各自地係n通道電晶體或p通道電晶體。

第1圖描繪其中像素105並不包含儲存電容器的情況。然而，用以保持影像信號之電位的儲存電容器可連接至驅動電晶體108的閘極電極。

開關電晶體106及驅動電晶體108各自具有諸如氧化物半導體之寬能隙半導體，或諸如非晶、微晶、多晶、或單晶矽或鍺之半導體的主動層。

氧化物半導體具有比矽更寬的能隙及更低的本徵載子密度。因此，與具有諸如普通的矽或鍺之半導體於主動層中的電晶體相較地，使用氧化物半導體於主動層中的電晶體可具有極低的截止狀態電流。

注意的是，藉由降低諸如水分或氫之用作電子施體(施體)的雜質及降低氧缺乏所獲得之高度純化的氧化物半導體(純化的氧化物半導體)係本徵(i型)半導體或實質本徵的半導體。因而，包含氧化物半導體的電晶體具有極低的截止狀態電流。具體而言，藉由二次離子質譜儀(SIMS)所測量之高度純化氧化物半導體中的氫濃度係5×10¹⁹/cm³或更低，較佳地係5×10¹⁸/cm³或更低，更佳地係5×10¹⁷/cm³或更低，仍更佳地係1×10¹⁶/cm³或更低。此外，可藉由霍爾(Hall)效應測量法所測量之該氧化物半導體的載子密度係低於1×10¹⁴/cm³，較佳地係低於1×10¹²/cm³，更佳地係1×10¹¹/cm³。進一步地，該氧化物半導體的能隙係2eV或更大，較佳地係2.5eV或更大，更佳地係3eV或更大。透過氧化物半導體膜的使用，而該氧化物半導體膜係藉由充分減少諸如水分或氫之雜質的濃度及藉由充分降低氧缺乏來予以高度純化，則可減低電晶體的截止狀態電流。

此處，將敘述氧化物半導體膜中之氫濃度的分析。在該半導體膜中之氫的濃度係由SIMS所測量。已知的是，原則上，在取樣之表面的附近或在使用不同材料所形成的堆疊膜間之介面的附近，並不容易藉由SIMS而獲得精確的資料。因此，在其中於厚度方向中之膜中的氫濃度分佈係藉由SIMS所分析的情況中，係使用其中值並未大大地改變及其中實質相同的值可獲得之膜的區域中之平均值做為氫濃度。此外，在其中膜的厚度變小的情況中，由於彼此互相鄰接之膜的氫濃度之影響，於某些情況中，並不能發現到其中可獲得實質相同的值之區域。在該情況中，係使用該膜的區域中之氫濃度的最大值或最小值做為該膜的氫濃度。進一步地，在其中具有最大值之山形峰值或具有小值之谷形峰值並不存在於膜的區域中之情況中，係使用轉折點之值做為氫濃度。

具體而言，各式各樣的實驗可證明包含高度純化之氧化物半導體膜做為主動層的電晶體之低截止狀態電流。例如，即使當元件具有1×10⁶微米(μm)的通道寬度及10微米(μm)的通道長度時，截止狀態電流亦可低於或等於半導體參數分析儀的測量極限，亦即，在1至10伏特(V)之源極電極與汲極電極間的電壓(汲極電極)時，低於或等於1×10^-13安培(A)。在該情況中，可觀察到的是，對應於藉由以電晶體的通道寬度而除截止狀態電流所獲得的值之截止狀態電流密度係低於或等於100zA/μm。此外，電容器及電晶體係彼此互相連接，且截止狀態電流密度係使用其中流至電容器或自電容器流出之電荷係由電晶體所控制的電路，而予以測量。在該測量中，高度純化的氧化物半導體膜係使用於電晶體中的通道形成區，且電晶體的截止狀態電流密度係由每單位小時之電容器的電荷數量之改變所測量。因而，可觀察到的是，在其中電晶體的源極電極與汲極電極之間的電壓係3伏特的情況中，係獲得每微米數十個10^-24安培(yA/μm)之更低的截止狀態電流密度。因此，包含高度純化氧化物半導體膜做為主動層之電晶體的截止狀態電流密度可根據源極電極與汲極電極間的電壓而係100yA/μm或更低，較佳地係10yA/μm或更低，更佳地係1yA/μm或更低。因而，包含高度純化氧化物半導體膜做為主動層之電晶體具有比包含結晶矽之電晶體更低的截止狀態電流。

做為該氧化物半導體，例如，可使用氧化銦；氧化錫；氧化鋅；諸如In-Zn為主氧化物，Sn-Zn為主氧化物，Al-Zn為主氧化物，Zn-Mg為主氧化物，Sn-Mg為主氧化物，In-Mg為主氧化物，或In-Ga為主氧化物之二元金屬氧化物；諸如In-Ga-Zn為主氧化物(亦稱為IGZO)，In-Al-Zn為主氧化物，In-Sn-Zn為主氧化物，Sn-Ga-Zn為主氧化物，Al-Ga-Zn為主氧化物，Sn-Al-Zn為主氧化物，In-Hf-Zn為主氧化物，In-La-Zn為主氧化物，In-Ce-Zn為主氧化物，In-Pr-Zn為主氧化物，In-Nd-Zn為主氧化物，In-Sm-Zn為主氧化物，In-Eu-Zn為主氧化物，In-Gd-Zn為主氧化物，In-Tb-Zn為主氧化物，In-Dy-Zn為主氧化物，In-Ho-Zn為主氧化物，In-Er-Zn為主氧化物，In-Tm-Zn為主氧化物，In-Yb-Zn為主氧化物，或In-Lu-Zn為主氧化物之三元金屬氧化物；或諸如In-Sn-Ga-Zn為主氧化物，In-Hf-Ga-Zn為主氧化物，In-Al-Ga-Zn為主氧化物，In-Sn-Al-Zn為主氧化物，In-Sn-Hf-Zn為主氧化物，或In-Hf-Al-Zn為主氧化物之四元金屬氧化物。該氧化物半導體可包含矽。

注意的是，例如，In-Ga-Zn為主氧化物意指包含In、Ga、及Zn之氧化物，且在In、Ga、及Zn的比例上並無限制。此外，In-Ga-Zn-O為主氧化物可包含除了In、Ga、及Zn之外的金屬元素。當不具有電場時，該In-Ga-Zn-O為主氧化物具有足夠高的電阻，且可使截止狀態電流充分地降低。進一步地，透過高的場效應遷移率，該In-Ga-Zn-O為主氧化物係適用於顯示裝置中所使用的半導體材料。

選擇性地，可使用藉由InMO₃(ZnO)_m(m>0)之化學式所表示的材料做為氧化物半導體。在此，M表示選自Ga、Al、Mn、或Co之一或更多個金屬元素。例如，M可係Ga、Ga及Al、Ga及Fe、Ga及Ni、Ga及Mn、Ga及Co、或其類似物。做為氧化物半導體，可使用藉由In₂SnO₅(ZnO)_n(n>0，其中n係整數)所表示的材料。注意的是，上述之組成係衍生自晶體結構，且僅係實例。

注意的是，在此說明書中，除非另有指明，否則，在n通道電晶體的情況中，截止狀態電流係當汲極電極的電位高於源極電極的電位或閘極電極的電位，且同時，當參考電位係源極電極的電位時，閘極電極的電位係0伏特或更低時之流動於源極電極與汲極電極之間的電流。選擇性地，在此說明書中，於p通道電晶體的情況中，截止狀態電流係當汲極電極的電位低於源極的電位或閘極電極的電位，且同時，當參考電位係源極電極的電位時，閘極電極的電位係0伏特或更高時之流動於源極電極與汲極電極之間的電流。

使用氧化物半導體於開關電晶體106中的主動層，可降低電晶體的截止狀態電流。開關電晶體106之截止狀態電流的降低可導致洩漏自驅動電晶體108的閘極電極之電荷數量的降低。因而，即使當用以保持影像信號之電位的儲存電容器被減少尺寸或排除時，亦可達成影像信號之電位的保持。因此，在其中光係自發光元件107之像素電極側而提取的情況中，可增加孔徑比且可增強光提取效率。

做為其中能隙係比矽的能隙更寬且其中本徵載子密度係比矽的本徵載子密度更低之半導體材料的實例，可使用諸如碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)之化合物半導體以及氧化物半導體。與諸如碳化矽或氮化鎵之化合物半導體不一樣地，氧化物半導體具有高的大量生產率之優點，因為氧化物半導體可藉由濺鍍或濕處理而形成。進一步地，與碳化矽或氧化鎵不一樣地，氧化物半導體甚至可在室溫時被沈積；因而，在玻璃基板上的沈積或在使用矽之積體電路上的沈積係可能的。因此，透過氧化物半導體，大量生產率會比碳化矽、氮化鎵、或其類似物的情況中之大量生產率更高。在其中晶體氧化物半導體係為了要增進電晶體的性能(例如，場效應遷移率)而欲獲得的情況中，該晶體氧化物半導體可藉由250至800℃之熱處理而易於被獲得。

氧化物半導體具有比非晶矽更高的遷移率，且因此，可施加至第六代(或更新一代)之大尺寸基板，而與多晶矽或微晶矽不一樣。

注意的是，開關電晶體106操作於線性區之中，且因而，用作開關元件。因此，開關電晶體106無需一定要以單一個而被使用：像素105可使用複數個開關電晶體106，而該等開關電晶體106係彼此互相並聯地或串聯地連接。

注意的是，在此說明書中，例如，其中電晶體係串聯連接的狀態意指其中第一電晶體的第一端子及第二端子之僅其中一者係連接至第二電晶體的第一端子及第二端子之僅其中一者的狀態。進一步地，其中電晶體係並聯連接的狀態意指其中第一電晶體的第一端子係連接至第二電晶體的第一端子且第一電晶體的第二端子係連接至第二電晶體的第二端子的狀態。

開關電晶體106及驅動電晶體108各自包含至少一閘極電極，位於主動層之一側。選擇性地，它們可各自包含閘極電極對，而主動層介於其間。此外，該開關電晶體106及驅動電晶體108各自係單一閘極電晶體，而包含單一閘極電極及單一通道形成區，或多重閘極電晶體，而包含彼此互相電性連接之複數個閘極電極且因而，包含複數個通道形成區。

接著，將參照第2A及2B圖來敘述像素105的操作。第2A及2B圖的電路圖係以開關之形式而顯示用作開關元件的開關電晶體106。

第2A圖概略地顯示當供應影像信號時所執行之像素105的操作。在影像信號的供應期間，於像素105中，開關電晶體106係導通。因而，如點線之箭頭所示地，影像信號的電位係經由開關電晶體106而施加至驅動電晶體108的閘極電極。在驅動電晶體108的源極電極與汲極電極間之電阻係根據源極電極的電位與閘極電極的電位(閘極電壓)間之差異，而使用源極電極的電位做為參考電位所決定。

在影像信號的供應期間，與電源供應電位約略相同的電位或在與電源供應電位的位準不同之位準處的共同電位係自信號源109而供應至發光元件107的共同電極。具體而言，當上述之共同電位係稱為第一共同電位時，則在電源供應電位與第一共同電位之間的差異係視為可致使低到發光元件107無法發射出光而被施加在發光元件107的像素電極與共同電極之間的順向偏壓，或逆向偏壓，雖然驅動電晶體108係導通。因此，例如，在其中像素電極係陽極且共同電極係陰極的情況中，該第一共同電位係稍為低於電源供應電位、相同於電源供應電位、或高於電源供應電位。對照地，例如，在其中像素電極係陰極且共同電極係陽極的情況中，該第一共同電位係稍為高於電源供應電位、相同於電源供應電位、或低於電源供應電位。

因而，發光元件107係在影像信號的供應期間關閉，而不管影像信號的電位。當完成影像信號的供應時，則開關電晶體106被關閉。

其次，影像顯示係依據所供應之影像信號而執行。第2B圖概略地顯示在顯示週期期間之像素105的操作。在當顯示影像時之期間，於像素105中，開關電晶體106係關閉。因為開關電晶體106係關閉，所以可保持已供應至驅動電晶體108的閘極電極之影像信號的電位。

在當顯示影像時之期間，於與電源供應電位的位準不同之位準處的共同電位係自信號源109而供應至發光元件107的共同電極。具體而言，當上述之共同電位係稱為第二共同電位時，則在電源供應電位與第二共同電位之間的差異係視為可致使高到發光元件107可發射出光而被施加在發光元件107的像素電極與共同電極之間的順向偏壓，且同時，驅動電晶體108係導通。因此，例如，在其中像素電極係陽極且共同電極係陰極的情況中，該第二共同電位係低於電源供應電位。對照地，例如，在其中像素電極係陰極且共同電極係陽極的情況中，該第二共同電位係高於電源供應電位。

因而，如點線之箭頭所示地，電流係供應至發光元件107。所供應至發光元件107之電流的值係藉由驅動電晶體108之源極電極與汲極電極間的電阻所決定。發光元件107的光亮度係由上述之電流的值所決定。此意指的是，發光元件107的光亮度係藉由影像信號的電位所決定。

該供應操作係逐列地執行於像素上。像素之列意指具有開關電晶體106之像素的組群，而該等開關電晶體106的閘極電極係彼此互相連接。要逐列地供應影像信號至像素部104內的所有像素105所需之週期對應於寫入週期。顯示操作係同時執行於所有像素之上。

接著，將敘述依據本發明一實施例的顯示裝置中之用以使包含於像素顯示部101中之像素部104的操作與包含於遮光部102中之左眼光閘110及右眼光閘111成為彼此互相同步的方法。

第3圖係時序圖，其描繪像素部104中之發光元件107的操作、共同電位、以及左眼光閘110及右眼光閘111的操作。注意的是，第3圖顯示其中像素電極係陽極以及共同電極係陰極之情況中的共同電位。

當用以供應R影像之影像信號的週期(R寫入週期)起動時，對像素105之影像信號的供應係逐列地執行於像素部104中。在R寫入週期之期間，共同電位係第一共同電位，亦即，高位準電位，以致使所有像素105中的發光元件107關閉。

進一步地，在R寫入週期之期間，左眼光閘110及右眼光閘111的透射比減少，而使左眼光閘110及右眼光閘111成為遮光狀態。

然後，起動用以顯示R影像的週期(R顯示週期)。在該R顯示週期之期間，共同電位係第二共同電位，亦即，低位準電位。因此，發光元件107係依據已供應至像素105之R影像的影像信號而開啟。因而，執行R影像顯示(R顯示)。

在R顯示週期之期間，係使右眼光閘111的透射比變高，而使右眼光閘111成為透光狀態。另一方面，左眼光閘110的透射比保持低之原狀，以致使左眼光閘110係在遮光狀態中。因此，來自像素部104的光通過右眼光閘111，以致使所顯示在像素部104上之R影像被選擇性地傳送至觀視者的右眼。

第6A圖顯示影像顯示部101中的像素部104、遮光部102、以及觀視者的左眼112及右眼113之間的位置關係。左眼光閘110係存在於來自像素部104且至觀視者的左眼112之光的路徑中。右眼光閘111係存在於來自像素部104且進行至觀視者的右眼113之光的路徑中。

第6A圖顯示R顯示週期期間之顯示裝置的狀態。在第6A圖中，右眼光閘111係在透光狀態中，而左眼光閘110係在遮光狀態中。因此，如點線所示地，來自像素部104的光並不通過左眼光閘110，但會通過右眼光閘111且進入至右眼113。因而，觀視者以右眼113而觀察到像素部104上所顯示之R影像。

當用以供應L影像之影像信號的週期(L寫入週期)起動時，對像素105之影像信號的供應係逐列地執行於像素部104中。在L寫入週期之期間，共同電位係第一共同電位，亦即，高位準電位，以致使所有像素105中的發光元件107關閉。

進一步地，在L寫入週期之期間，左眼光閘110及右眼光閘111的透射比減少，而使左眼光閘110及右眼光閘111成為遮光狀態。

第6B圖顯示L寫入週期期間之顯示裝置的狀態。在第6B圖中，左眼光閘110及右眼光閘111係在遮光狀態中。因此，來自像素部104且進行至觀視者的左眼112及右眼113之光的路徑係受到左眼光閘110及右眼光閘111所阻隔。進一步地，在L寫入週期之期間，在像素部104中之所有發光元件係關閉。因此，即使左眼光閘110及右眼光閘111的透射比並非完全地0%，L影像及R影像的混合影像亦不會進入至觀視者的左眼112及右眼113。

然後，起動用以顯示L影像的週期(L顯示週期)。在該L顯示週期之期間，共同電位係第二共同電位，亦即，低位準電位。因此，發光元件107係依據已供應至像素105之L影像的影像信號而開啟。因而，執行L影像顯示(L顯示)。

在L顯示週期之期間，係使左眼光閘110的透射比變高，而使左眼光閘110成為透光狀態。另一方面，右眼光閘111的透射比保持低之原狀，以致使右眼光閘111係在遮光狀態中。因此，來自像素部104的光通過左眼光閘110，以致使所顯示在像素部104上之L影像被選擇性地傳送至觀視者的左眼。

第6C圖顯示L顯示週期期間之顯示裝置的狀態。在第6C圖中，左眼光閘110係在透光狀態中以及右眼光閘111係在遮光狀態中。因此，如點線所示地，來自像素部104的光並不通過右眼光閘111，但會通過左眼光閘110且進入至左眼112。因而，觀視者以左眼112而觀察到像素部104上所顯示之L影像。

注意的是，在顯示週期期間之發光元件的光亮度係藉由影像信號的電位所控制。針對此理由，雖然第3圖描繪其中發光元件係在R顯示週期及L顯示週期之期間開啟的狀態，但某些發光元件或所有的發光元件可根據影像信號而在R顯示週期及L顯示週期之期間關閉。

上述系統允許觀視者觀察到由L影像及R影像所組成之三維影像。

注意的是，用以顯示L影像及R影像之週期，亦即，由R寫入週期、R顯示週期、L寫入週期、及L顯示週期所組成的週期對應於一像框週期。針對此理由，例如，當像素部係驅動於60Hz之像框頻率時，則一像框週期約係16.6毫秒(ms)。此外，當由R寫入週期及R顯示週期所組成之週期，或由L寫入週期及L顯示週期所組成之週期對應於子像框週期時，則該子像框週期約係8.3毫秒。

接著，將參照液晶顯示裝置的操作實例來做成液晶顯示裝置與依據本發明一實施例的顯示裝置之間的比較。第4圖係描繪液晶顯示裝置的像素部中之液晶元件的操作，背光的操作，以及左眼光閘及右眼光閘的操作之時序圖。

在液晶顯示裝置中，當用以供應R影像之影像信號的週期(R寫入週期)先起動時，則對像素之影像信號的供應係逐列地執行於像素部中。然後，液晶元件的透射比係依據已供應至該等像素之R影像的影像信號而控制。然而，在R寫入週期之期間，背光係關閉，以致使R影像不被顯示。

進一步地，在R寫入週期之期間，左眼光閘及右眼光閘的透射比減少，而使左眼光閘及右眼光閘成為遮光狀態。

然後，用以顯示R影像的週期(R顯示週期)起動。在R顯示週期之期間，背光係開啟。液晶元件的透射比係依據R影像的影像信號而控制。因為背光係開啟，所以顯示R影像於像素部之上。

在R顯示週期之期間，係使右眼光閘的透射比變高，而使右眼光閘成為透光狀態。另一方面，左眼光閘的透射比保持低之原狀，以致使左眼光閘係在遮光狀態中。因此，來自像素部的光通過右眼光閘，以致使所顯示在像素部上之R影像被選擇性地傳送至觀視者的右眼。

當用以供應L影像之影像信號的週期(L寫入週期)隨後起動時，則對像素之影像信號的供應係逐列地執行於像素部中。然後，液晶元件的透射比係依據已供應至該等像素之L影像的影像信號而控制。然而，在L寫入週期之期間，背光係關閉，以致使L影像不被顯示。

進一步地，在L寫入週期之期間，左眼光閘及右眼光閘的透射比減少，而使左眼光閘及右眼光閘成為遮光狀態。

然後，用以顯示L影像的週期(L顯示週期)起動。在L顯示週期之期間，背光係開啟。液晶元件的透射比係依據L影像的影像信號而控制。因為背光係開啟，所以顯示L影像於像素部之上。

在L顯示週期之期間，係使左眼光閘的透射比變高，而使左眼光閘成為透光狀態。另一方面，右眼光閘的透射比保持低之原狀，以致使右眼光閘係在遮光狀態中。因此，來自像素部的光通過左眼光閘，以致使所顯示在像素部上之L影像被選擇性地傳送至觀視者的左眼。

上述系統允許觀視者觀察到由L影像及R影像所組成的三維影像。

而且，在上述液晶顯示裝置的情況中，用以顯示L影像及R影像之週期，亦即，由R寫入週期、R顯示週期、L寫入週期、及L顯示週期所組成的週期對應於一像框週期。針對此理由，例如，當像素部係驅動於60Hz之像框頻率時，則一像框週期約係16.6毫秒。此外，當由R寫入週期及R顯示週期所組成之週期，或由L寫入週期及L顯示週期所組成之週期對應於子像框週期時，則該子像框週期約係8.3毫秒。

在液晶顯示裝置的情況中，因為包含於像素中之液晶元件具有比發光元件更低的回應速度，所以必須確保R寫入週期及L寫入週期比用於第3圖中所示之顯示裝置的R寫入週期及L寫入週期更長。因此，依據本發明一實施例之顯示裝置使用比液晶顯示裝置更長的R顯示週期及更長的L顯示週期(假定該等顯示裝置所使用之子像框週期具有相同的長度)，且因而，產生更高的責務週期。因此，可說的是，依據本發明一實施例之顯示裝置可以以低功率消耗而顯示明亮的影像。

接著，將參照用於比較所使用的顯示裝置之操作實例來做成依據本發明一實施例的顯示裝置與用於比較所使用的顯示裝置之間的比較。用於比較所使用的顯示裝置係與依據本發明一實施例的顯示裝置相似，其中使用發光元件於像素中，但與依據本發明一實施例的顯示裝置不同的是，其中使用電位固定之共同電極。

第5圖係時序圖，其描繪用於比較所使用的顯示裝置之像素部中的發光元件之操作，以及在左眼光閘及右眼光閘的操作。

在用於比較所使用之顯示裝置的情況中，當用以供應R影像的影像信號之週期(R寫入週期)起動時，對像素之影像信號的供應係逐列地執行於像素部之中。然後，發光元件係依據已供應至像素之R影像的影像信號而開啟。因而，R影像顯示(R顯示)係執行於像素部之中。換言之，影像顯示係與對像素之影像信號的供應同時地執行。因此，可說的是，R寫入週期係包含於R顯示週期之中。第5圖描繪其中R寫入週期與R顯示週期具有相同長度的情況。

接著，在用於比較所使用之顯示裝置的情況中，用以供應其中使發光元件關閉而使用以顯示黑色影像之影像信號的週期(B寫入週期)起動。當B寫入週期起動時，則對像素之所使用以顯示黑色影像的影像信號之供應係逐列地執行於像素部中。然後，發光元件係依據已供應至像素之黑色影像的影像信號而關閉。

在R寫入週期及B寫入週期之期間，係使右眼光閘的透射比變高，而使右眼光閘成為透光狀態。另一方面，左眼光閘的透射比減少，以致使左眼光閘成為遮光狀態。因而，來自像素部的光通過右眼光閘，以致使所顯示於像素部上之R影像被選擇性地傳送至觀視者的右眼。

在其中於像素部內之所有像素中的發光元件均係關閉之期間的光截止週期係設置在B寫入週期之後，以防止R影像及L影像的混合影像顯示於像素部之上。在光截止週期之期間，左眼光閘及右眼光閘的透射比減少，而使左眼光閘及右眼光閘成為遮光狀態。

當用以供應L影像的影像信號之週期(L寫入週期)接著起動時，對像素之影像信號的供應係逐列地執行於像素部之中。然後，發光元件係依據已供應至像素之L影像的影像信號而開啟。因而，L影像顯示(L顯示)係執行於像素部之中。換言之，影像顯示係與對像素之影像信號的供應同時地執行。因此，可說的是，L寫入週期係包含於L顯示週期之中。第5圖描繪其中L寫入週期與L顯示週期重疊的情況。

接著，B寫入週期再起動。當B寫入週期起動時，則對像素之所使用以顯示黑色影像的影像信號之供應係逐列地執行於像素部中。然後，發光元件係依據已供應至像素之黑色影像的影像信號而關閉。

在L寫入週期及B寫入週期之期間，係使左眼光閘的透射比變高，而使左眼光閘成為透光狀態。另一方面，右眼光閘的透射比減少，以致使右眼光閘成為遮光狀態。因而，來自像素部的光通過左眼光閘，以致使所顯示於像素部上之L影像被選擇性地傳送至觀視者的左眼。

注意的是，如上述地，在顯示週期期間之發光元件的光亮度係藉由影像信號的電位所控制。針對此理由，雖然第5圖描繪其中發光元件係在R顯示週期及L顯示週期，亦即，在R寫入週期及L寫入週期之期間開啟的狀態，但某些發光元件或所有的發光元件可根據影像信號而在R顯示週期及L顯示週期之期間關閉。

在用於比較所使用之顯示裝置的情況中，用以顯示L影像及R影像之週期，亦即，由R寫入週期、B寫入週期、光截止週期、L寫入週期、B寫入週期、及光截止週期所組成的週期對應於一像框週期。針對此理由，例如，當像素部係驅動於60Hz之像框頻率時，則一像框週期約係16.6毫秒(ms)。此外，當由R寫入週期及R顯示週期所組成之週期，或由L寫入週期及L顯示週期所組成之週期對應於子像框週期時，則該子像框週期約係8.3毫秒。

進一步地，在用於比較所使用之顯示裝置的情況中，如在依據本發明一實施例之顯示裝置的情況中，係使用發光元件做為顯示元件，以致使R寫入週期及L寫入週期需要約略相同長度的時間。然而，在用於比較所使用之顯示裝置的情況中，於位在B寫入週期與隨後的L寫入週期之間的光截止週期期間，必須切換透射比於左眼光閘與右眼光閘之間。光閘使用諸如液晶元件之其中透射比可藉由電流或電壓的供應而加以控制之元件；因而，將耗費時間在該等光閘之間切換透射比。因此，當集中注意於用於比較所使用之顯示裝置的情況中之給定像素時，則在用以切換光閘透射比所需的光截止週期及用以供應要顯示黑色影像所使用之影像信號的週期二者之期間，發光元件係關閉。此將降低其中發光元件在一像框週期中開啟之期間的週期比例，亦即，在一像框週期中之顯示週期比例的責務週期，而不容易獲得本發明一實施例之目的，亦即，能以低功率消耗而顯示明亮影像的顯示裝置之目的。

在另一方面，於依據本發明一實施例之顯示裝置的情況中，信號源109控制共同電位之位準，以致並不需要針對發光元件107將被關閉而供應要顯示黑色影像所使用之影像信號。換言之，在所有像素中之發光元件可藉由與影像信號不同類型的信號而同時關閉。因而，所有發光元件107可在R寫入週期及L寫入週期之期間同時關閉。進一步地，在上述寫入週期之期間，已接受影像信號之供應的像素105與其他像素105同時存在於像素部104中。換言之，若共同電位固定時，則L影像及R影像的混合影像會顯示於像素部104之上。然而，在本發明之一實施例中，藉由在上述寫入週期之期間關閉發光元件107，可防止L影像及R影像的混合影像顯示於像素部104之上。

此外，在本發明之一實施例中，可在上述寫入週期期間將透射比切換於左眼光閘與右眼光閘之間。因而，可使一像框週期中之顯示週期比例的責務週期高於用於比較所使用之顯示裝置中的責務週期，而無串音。因而，可獲得能以低功率消耗而顯示明亮影像的顯示裝置。

在本發明之一實施例中，因為L影像及R影像的混合影像並未在寫入週期之期間顯示於像素部104上，所以可防止其中左眼影像進入至右眼或右眼影像進入至左眼的串音。

進一步地，在上述寫入週期之期間，關閉發光元件107將導致影像顯示部101之功率消耗的降低，且就整體而言，將導致顯示裝置100之功率消耗的降低。

(實施例2)

第7圖係包含複數個第1圖中所示之像素105的像素部104之具體電路圖的實例。

如第7圖中所示，像素部104包含信號線S1至Sx、掃描線G1至Gy、以及電源供應線V1至Vx。像素105包含信號線S1至Sx的任一者，掃描線G1至Gy的任一者，以及電源供應線V1至Vx的任一者。

在該等像素105的每一者中，開關電晶體106具有連接至掃描線Gj(j係在1與y之間)的閘極電極。開關電晶體106具有連接至信號線Si(i係在1與x之間)的第一端子，而該信號線Si係以影像信號而供應，以及連接至驅動電晶體108之閘極電極的第二端子。驅動電晶體108具有連接至電源供應線Vi的第一端子，而該電源供應線Vi係以電源供應電位而供應，以及連接至發光元件107之像素電極的第二端子。發光元件107的共同電極係以來自信號源109的共同電位而供應。

第7圖描繪其中像素105包含儲存電容器120的情況。該儲存電容器120係連接至驅動電晶體108的閘極電極。該儲存電容器120保持驅動電晶體108之閘極電極的電位。特別地，包含於儲存電容器120中之電極對的其中一者係連接至驅動電晶體108的閘極電極，且另一者係連接至供應有固定電位之節點，例如，電源供應線Vi。

第7圖描繪其中開關電晶體106及驅動電晶體108係n通道電晶體的情況；然而，該等電晶體的每一者可係n通道電晶體或p通道電晶體。

接著，將敘述第7圖中所示之像素部104的驅動方法。

首先，在寫入週期之期間，順序地選擇掃描線G1至Gy。當選擇例如，掃描線Gj時，則其中閘極電極係連接至掃描線Gj的開關電晶體106導通。因為該等開關電晶體106導通，所以已輸入至信號線S1至Sx之影像信號的電位被供應至對應之驅動電晶體108的閘極電極。在完成掃描線Gj的選擇之後，對應的開關電晶體106關閉，以致使影像信號的電位保持於該等驅動電晶體108的閘極電極。

注意的是，在寫入週期之期間，第一共同電位係自信號源109而供應至發光元件107的共同電極。因此，發光元件107係與影像信號之電位的位準無關係而關閉。

隨後，寫入週期完成且顯示週期起動，以致使發光元件107的共同電極被以來自信號源109的第二共同電位所供應。然後，若驅動電晶體108係依據影像信號的電位而導通時，則該等發光元件107被供應以電流，且然後，開啟。流過發光元件107之電流的值主要係由驅動電晶體108的汲極電流所決定。因此，發光元件107的光亮度係藉由影像信號的電位而決定。對照地，若驅動電晶體108係依據影像信號的電位而關閉時，則對該等發光元件107之電流的供應不被執行，以致使該等發光元件107關閉。

影像可藉由上述操作而顯示。

此實施例可以與上一實施例結合而實施。

(實施例3)

在此實施例中，將敘述依據本發明一實施例之顯示裝置中所包含的影像顯示部之具體組態的實例。第8圖係做為實例之此實施例中的影像顯示部之方塊圖。注意的是，在第8圖之方塊圖中，影像顯示部中之電路係藉由其功能而予以分類，且獨立的區塊被描繪出。然而，並不容易完全地藉由其功能而分類實際之電路，且在某些情況中，一電路具有複數個功能。

第8圖中所示的影像顯示圖包含：像素部500，具有複數個像素；掃描線驅動器電路510，用以逐列地選擇像素；以及信號線驅動器電路520，用以對所選擇的列中之像素控制影像信號的輸入。

信號線驅動器電路520包含移位暫存器521、第一記憶體電路522、第二記憶體電路523、及DA轉換器電路524。時脈信號S-CLK及起動脈波信號S-SP係輸入至移位暫存器521。該移位暫存器521產生時序信號以回應於時脈信號S-CLK及起動脈波信號S-SP，且輸出該等時序信號至第一記憶體電路522，而該等時序信號係順序移位之脈波。時序信號之脈波出現的順序可予以切換，而回應於掃描方向切換信號。

當輸入時序信號至第一記憶體電路522時，影像信號係順序地施加至第一記憶體電路522且保持於第一記憶體電路522中，以回應於該時序信號。該等影像信號可順序地施加至第一記憶體電路522中所包含之複數個記憶體電路。選擇性地，可執行所謂畫分驅動法，其中在第一記憶體電路522之中所包含的複數個記憶體電路係畫分成為若干組群，且影像信號係並聯地輸入至每一個組群。

直至對第一記憶體電路522中的所有記憶體電路完成影像信號之施加為止的時間係稱為列週期。實際上，在某些情況中，將其中添加水平返馳時隔至該列週期時之週期表示為列週期。

當一列週期完成時，所保持於第一記憶體電路522中之該等影像信號係同時施加至第二記憶體電路523且保持，以回應於所輸入至第二記憶體電路523之閂鎖信號S-LS的脈波。在下一個列週期之影像信號係順序地施加至已完成傳送影像信號至第二記憶體電路523的第一記憶體電路522，以再回應於來自移位暫存器521之時序信號。在此第二次的一列週期之期間，所施加至第二記憶體電路523且保持於該第二記憶體電路523中之該等影像信號係輸入至DA轉換器電路524。

DA轉換器電路524轉換輸入之數位影像信號成為類比影像信號，且透過信號線而輸入該類比影像信號至像素部500中所包含的每一個像素。

注意的是，信號線驅動器電路520可使用其中能輸出順序移位之脈波信號的另外電路，以取代移位暫存器521。

注意的是，雖然像素部500係在第8圖中直接連接成DA轉換器電路524的次級，但本發明之一實施例並未受限於此組態。在來自DA轉換器電路524所輸出之影像信號上執行信號處理的電路可設置於像素部500的前一級。執行信號處理之電路的實例包含緩衝器及位準移位器。

接著，將敘述掃描線驅動器電路510的操作。掃描線驅動器電路510產生選擇信號，且輸入該選擇信號至複數個掃描線，以逐列地選擇像素，而該選擇信號係順序移位之脈波。當像素係藉由選擇信號所選擇時，其中閘極係連接至掃描線的其中一者之開關電晶體導通，且影像信號被輸入至像素。

注意的是，雖然像素部500、掃描線驅動器電路510、及信號線驅動器電路520可設置於同一基板上，但該等之任一者可設置於不同的基板之上。

此實施例可以與上述該等實施例的任一者結合而實施。

(實施例4)

在此實施例中，將敘述依據本發明一實施例之顯示裝置中所包含的影像顯示部之特別組態的實例。第9圖係做為實例之此實施例中的影像顯示部之方塊圖。注意的是，在第9圖之方塊圖中，影像顯示部中之電路係藉由其功能而予以分類，且獨立的區塊被描繪出。然而，並不容易完全藉由其功能而分類實際之電路，且在某些情況中，一電路具有複數個功能。

第9圖中所示之依據本發明一實施例的顯示裝置包含：像素部600，具有複數個像素；掃描線驅動器電路610，用以逐列地選擇像素；以及信號線驅動器電路620，用以在選擇的列中對像素控制影像信號的輸入。

信號線驅動器電路620至少包含移位暫存器621、取樣電路622、及可儲存類比信號的記憶體電路623。時脈信號S-CLK及起動脈波信號S-SP係輸入至移位暫存器621。該移位暫存器621依據該時脈信號S-CLK及該起動脈波信號S-SP而產生其中脈波可順序移位之時序信號，且輸入該時序信號至取樣電路622。該取樣電路622依據輸入之時序信號，而針對一列週期，以對所輸入至信號線驅動器電路620的影像信號取樣。當將用於一列週期之所有影像信號取樣時，則依據閂鎖信號S-LS而同時輸出所取樣之影像信號且予以儲存至記憶體電路623。所儲存於記憶體電路623中之該等影像信號係透過信號線而輸入至像素部600。

注意的是，在此實施例中，係敘述其中用於一列週期之所有影像係取樣於取樣電路622中，且然後，所取樣之影像信號係同時輸入至次一級的記憶體電路623之實例；然而，本發明之一實施例並未受限於此。在該取樣電路622中，每次當取樣對應於各自像素的影像信號時，可將所取樣的影像信號輸入至次一級的記憶體電路623，而無需等待完成一列週期。

此外，影像信號可在完成另一像素的視頻信號取樣之後，一次針對一像素而串聯地取樣，或在一列中之像素可予以畫分成為若干組群，且影像信號可相對於一組群中所對應之各自像素而同時取樣。

注意的是，在第9圖中，雖然像素部600係在次一級而直接連接至記憶體電路623，但本發明之一實施例並未受限於此。其中處理來自記憶體電路623所輸出之類比影像信號的電路可設置於像素部600的前一級。執行信號處理之電路的實例包含可成形波形的緩衝器。

然後，當影像信號係自記憶體電路623而輸入至像素部600時，取樣電路622可再同時取樣對應於下一個列週期的影像信號。

接著，將敍述掃描線驅動器電路610的操作。掃描線驅動器電路610產生選擇信號，且輸入該選擇信號至複數個掃描線，以逐列地選擇像素，而該選擇信號係順序移位之脈波。當像素係藉由選擇信號所選擇時，其中閘極係連接至掃描線的其中一者之開關電晶體導通，且影像信號被輸入至該像素。

注意的是，雖然像素部600、掃描線驅動器電路610、及信號線驅動器電路620可設置於同一基板上，但該等之任一者可設置於不同的基板之上。

此實施例可以與上述該等實施例的任一者適當地結合而實施。

(實施例5)

在此實施例中，將敍述依據本發明一實施例之顯示裝置中所包含的像素之電晶體及發光元件的橫剖面結構。在此實施例中，將參照第10A至10C圖來敘述其中用以驅動發光元件之電晶體係n通道電晶體的情況中之像素的橫剖面結構。注意的是，雖然第10A至10C圖顯示其中像素電極係陰極且共同電極係陽極的情況，但該像素電極亦可係陽極，且該共同電極亦可係陰極。

在其中電晶體6031係n通道電晶體，且來自發光元件6033所發射出的光係自像素電極6034側而提取之情況中的像素之橫剖面視圖係描繪於第10A圖中。電晶體6031係覆蓋以絕緣膜6037，且具有開口之斜層6038係形成於該絕緣膜6037之上。在該斜層6038的開口中，像素電極6034係部分地暴露出，且像素電極6034、電發光層6035、及共同電極6036係順序地堆疊於該開口中。

該像素電極6034係由透光之材料所形成，或形成為透光之厚度，且可由具有低功函數之金屬、合金、導電化合物、其混合物、或類似物的材料所形成。具體而言，可使用諸如Li或Cs之鹼金屬，諸如Mg、Ca、或Sr之鹼土金屬，包含該等金屬之合金(例如，Mg：Ag、Al：Li、或Mg：In)，該等材料之化合物(例如，氟化鈣或氮化鈣)，或諸如Yb或Er之稀土金屬。進一步地，在其中設置電子注入層的情況中，亦可使用諸如鋁層之另外的導電膜。然後，該像素電極6034係形成為透光之厚度(較佳地，約5奈米至30奈米)。再者，像素電極6034的片電阻可藉由形成透光氧化物導電材料之透光導電層，以便與上述之具有透光厚度之導電膜接觸且在該膜的上面或下面，而予以抑制。選擇性地，像素電極6034可僅由諸如銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅(ZnO)、銦鋅氧化物(IZO)、或鎵摻雜的氧化銦(GZO)之另一透光氧化物材料的導電膜所形成。再者，亦可使用其中氧化鋅(ZnO)係以2%至20%而混合於包含ITO及氧化矽的銦錫氧化物(下文中將稱為ITSO)中，或於包含氧化矽的氧化銦中之混合物。而且，亦可使用石墨烯或其類似物於像素電極6034。在使用透光氧化物導電材料的情況中，設置電子注入層於電發光層6035中係較佳的。

共同電極6036係由反射或屏蔽光之材料所形成，且形成為反射或屏蔽光之厚度，以及可由適合使用做為陽極之材料所形成。例如，包含氮化鈦、氮化鋯、鈦、鎢、鎳、鉑、鉻、銀、鋁、及其類似物之其中一者或更多種的單層膜，氧化鈦膜及包含鋁做為主要成分之膜的堆疊層，氮化鈦膜、包含鋁做為主要成分之膜、及氮化鈦膜的三層結構，或其類似物可使用於共同電極6036。

電發光層6035係使用單層或複數個層而形成。當電發光層6035係以複數個層而形成，可視載子傳輸性質而將該等層分類成為電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、及其類似物。在其中電發光層6035包含除了發光層外之電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、及電子注入層的其中至少一者之情況中，電子注入層、電子傳輸層、發光層、電洞傳輸層、及電洞注入層係以此順序而依序堆疊於像素電極6034之上。注意的是，在每一層之間的邊界無需一定要純淨，且可具有其中邊界係不純淨的情況，因為用以形成每一層之材料係彼此互相混合。每一層可以以有機材料或無機材料而形成。做為有機材料，可使用高分子化合物、中分子化合物、及低分子化合物之任一者。注意的是，中分子權重材料對應於其中結構性單位的重複數目(聚合之程度)約係2至20的低分子。在電洞注入層與電洞傳輸層之間的區別通常並不明顯，而就電洞傳輸性質(電洞遷移率)係特別重要之特徵的觀念來說，其係相同的。為便利之緣故，與陽極接觸的層係稱作電洞注入層，且與該電洞注入層接觸的層則稱作電洞傳輸層。對於電子傳輸層及電子注入層而言，此亦係相同的；與陰極接觸的層係稱作電子注入層，且與該電子注入層接觸的層則稱作電子傳輸層。在某些情況中，發光層亦作用成為電子傳輸層，且因此，也稱作發光電子傳輸層。

在第10A圖中所示之像素的情況中，來自發光元件6033所發射出的光可如空心箭頭所示地自像素電極6034而提取。

其次，在其中電晶體6041係n通道電晶體，且來自發光元件6034所發射出的光係自共同電極6046側而提取之情況中的像素之橫剖面視圖係描繪於第10B圖中。電晶體6041係覆蓋以絕緣膜6047，且具有開口之斜層6048係形成於絕緣膜6047之上。在該斜層6048的開口中，像素電極6044係部分地暴露出，且像素電極6044、電發光層6045、及共同電極6046係順序地堆疊於該開口中。

該像素電極6044係由反射或屏蔽光之材料所形成，且形成為反射或屏蔽光之厚度，以及可由具有低功函數之金屬、合金、導電化合物，其混合物、或類似物的材料所形成。具體而言，可使用諸如Li或Cs之鹼金屬，諸如Mg、Ca、或Sr之鹼土金屬，包含該等金屬之合金(例如，Mg：Ag，Al：Li，或Mg：In)，該等材料之化合物(例如，氟化鈣或氮化鈣)，或諸如Yb或Er之稀土金屬。進一步地，在其中設置電子注入層的情況中，亦可使用諸如鋁層之另外的導電膜。

共同電極6046係由透光之材料所形成，或形成為透光之厚度，以及可由適合使用做為陽極之材料所形成。例如，可使用諸如銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅(ZnO)、銦鋅氧化物(IZO)、或鎵摻雜的氧化銦(GZO)之另外的透光氧化物導電材料於該共同電極6046。進一步地，亦可使用其中氧化鋅(ZnO)係以2%至20%而混合於ITSO中或於包含氧化矽的氧化銦中之混合物於共同電極6046。而且，亦可使用石墨烯或其類似物於該共同電極6046。再者，包含氮化鈦、氮化鋯、鈦、鎢、鎳、鉑、鉻、銀、鋁、及其類似物之其中一者或更多者的單層膜，氮化鈦膜及包含鋁做為主要成分之膜的堆疊層，氮化鈦膜、包含鋁做為主要成分之膜、及氮化鈦膜的三層結構，或其類似物可使用於共同電極6046。然而，在使用除了透光氧化物導電材料外之材料的情況中，該共同電極6046係形成為透光的厚度(較佳地，約5奈米至30奈米)。

電發光層6045可以以與第10A圖之電發光層6035相似的方式而形成。

在第10B圖中所示之像素的情況中，來自發光元件6043所發射出的光可如空心箭頭所示地自共同電極6046而提取。

其次，在其中電晶體6051係n通道電晶體，且來自發光元件6053所發射出的光係自像素電極6054側及共同電極6056側而提取之情況中的像素之橫剖面視圖係描繪於第10C圖中。電晶體6051係覆蓋以絕緣膜6057，且具有開口之斜層6058係形成於絕緣膜6057之上。在該斜層6058的開口中，像素電極6054係部分地暴露出，且像素電極6054、電發光層6055、及共同電極6056係順序地堆疊於該開口中。

像素電極6054可以以與第10A圖之像素電極6034的方式相似的方式而形成。共同電極6056可以以與第10B圖之共同電極6046相似的方式而形成。電發光層6055可以以與第10A圖中之電發光層6035相似的方式而形成。

在第10C圖中所示之像素的情況中，來自發光元件6053所發射出的光可如空心箭頭所示地自像素電極6054側及共同電極6056側而提取。

(實施例6)

在此實施例中，將敘述使用氧化物半導體膜之電晶體的結構。

第11A圖中所示之電晶體701係具有通道蝕刻結構之底部閘極電晶體。

電晶體701包含：形成於絕緣表面上之閘極電極702，在閘極電極702上之閘極絕緣膜703，在閘極絕緣膜703上且與閘極電極702重疊之氧化物半導體膜704，以及形成於氧化物半導體膜704上之導電膜705及導電膜706。該電晶體701可進一步包含形成於氧化物半導體膜704以及導電膜705及導電膜706上之絕緣膜707。

注意的是，在第11A圖中所示之電晶體701可進一步包含背面閘極電極，其係在絕緣膜707之上，且其存在於與氧化物半導體膜704重疊的部分之中。

第11B圖中所示之電晶體711係通道保護型底部閘極電晶體。

電晶體711包含：形成於絕緣表面上之閘極電極712，在閘極電極712上之閘極絕緣膜713，在閘極絕緣膜713上且與閘極電極712重疊之氧化物半導體膜714，形成於氧化物半導體膜714上之通道保護膜718，以及形成於氧化物半導體膜714上之導電膜715及導電膜716。該電晶體711可進一步包含形成於通道保護膜718、導電膜715、及導電膜716上之絕緣膜717。

在第11B圖中所示之電晶體711可進一步包含背面閘極電極，形成於與氧化物半導體膜714重疊的部分之絕緣膜717上。

通道保護膜718可防止用作通道形成區之氧化物半導體膜714在隨後的步驟之中遭受損壞(例如，由於蝕刻中之電漿或蝕刻劑所導致之厚度的降低)。因而，可增進電晶體711的可靠度。

第11C圖中所示之電晶體721係底部接觸型底部閘極電晶體。

電晶體721包含：閘極電極722，在絕緣表面上；閘極絕緣膜723，在閘極電極722上；導電膜725及導電膜726，在閘極絕緣膜723上；以及氧化物半導體膜724，其係與閘極絕緣膜723重疊及與閘極電極722重疊，且其係形成於導電膜725及導電膜726之上。該電晶體721可進一步包含形成於導電膜725、導電膜726、及氧化物半導體膜724上之絕緣膜727。

在第11C圖中所示之電晶體721可進一步包含背面閘極電極，形成於與氧化物半導體膜724重疊的部分中之絕緣膜727上。

第11D圖中所示之電晶體731係頂部接觸型頂部閘極電晶體。

電晶體731包含：氧化物半導體膜734，在絕緣表面上；導電膜735及導電膜736，在氧化物半導體膜734上；閘極絕緣膜733，在氧化物半導體膜734、導電膜735、及導電膜736之上；閘極電極732，其係與閘極絕緣膜733重疊及與氧化物半導體膜734重疊。該電晶體731可進一步包含絕緣膜737，在閘極電極732之上。

第11E圖中所示之電晶體741係底部接觸型頂部閘極電晶體。

電晶體741包含形成於絕緣表面上之導電膜745及導電膜746，形成於導電膜745及導電膜746上之氧化物半導體膜744，形成於氧化物半導體膜744、導電膜745、及導電膜746上之閘極絕緣膜743，以及在閘極絕緣膜743上且與氧化物半導體膜744重疊之閘極電極742。該電晶體741可進一步包含絕緣膜747，形成於閘極電極742之上。

在第11A至11E圖中所示的情況中，將成為導電膜705及706、導電膜715及716、導電膜725及726、導電膜735及736、以及導電膜745及746的導電膜可係以下材料之任一者的膜：選自鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬、或鎢之元素；包含該等元素之任一者的合金；包含組合之上述元素的合金；及其類似物。諸如鉻、鉭、鈦、鉬、或鎢之耐火金屬的膜可堆疊於鋁、銅、或其類似物之金屬膜的上面或下面。較佳地，鋁或銅係與耐火金屬材料結合，以便避免熱阻問題及銹蝕問題。做為該耐火金屬材料，可使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、釹、鈧、釔、或其類似物。

藉由濺鍍法或其類似方法所形成的氧化物半導體膜會在某些情況中包含大量的水分或氫(包括氫氧基)，成為雜質。水分或氫易於形成施體能階，且因而，用作氧化物半導體中之雜質。因此，在第11A至11E圖中所示的情況中，為了要降低氧化物半導體膜704、714、724、734、及744(在下文中，將各自地簡稱為氧化物半導體膜)中之諸如水分或氫的雜質，較佳地，該等氧化物半導體膜係在降低壓力之氛圍、諸如氮或稀有氣體之惰性氣體氛圍、氧氣體氛圍、或超乾燥空氣氛圍(在其中測量係使用光腔衰盪雷射光譜儀(CRDS)系統之露點計而執行的情況中，水分數量係小於或等於20ppm(藉由轉換成為露點之-55℃)，較佳地小於或等於1ppm，更佳地小於或等於10ppb)中接受熱處理。

透過在氧化物半導體膜上的熱處理，可排除該氧化物半導體膜中之水分或氫。具體而言，可將熱處理執行於高於或等於250℃且低於或等於750℃，較佳地，高於或等於400℃且低於基板之應變點的溫度。例如，可將熱處理執行於500℃，比大約3分鐘更長或等於大約3分鐘且比6分鐘更短或等於6分鐘之週期。對於該熱處理，RTA方法可在短週期的時間中致能將被執行之脫水或脫氫；因此，甚至可將該處理執行於高於玻璃基板之應變點的溫度處。

熱處理設備並未受限於電爐，且可具有用以藉由來自諸如電阻加熱元件之熱傳導或熱輻射而加熱物件的裝置。例如，可使用諸如GRTA(氣體快速熱退火)設備或LRTA(燈快速熱退火)設備之RTA(快速熱退火)設備。LRTA設備係用以藉由來自諸如鹵素燈、金屬鹵化物燈、氙弧燈、碳弧燈、高壓鈉燈、或高壓水銀燈之燈所發射出的光(電磁波)之輻射，而加熱物件的設備。GRTA設備係使用高溫氣體以供熱處理之用的設備。做為高溫氣體，係使用並不會由於熱處理而與物件反應之惰性氣體，例如，氮或諸如氬之稀有氣體。

在熱處理中，較佳的是，水分、氫、及其類似物應不包含於氮或諸如氦、氖、或氬之稀有氣體中。選擇性地，所引入至熱處理設備內之氮或諸如氦、氖、或氬之稀有氣體的純度係較佳地大於或等於6N(99.9999%)，進一步較佳地大於或等於7N(99.99999%)(亦即，雜質濃度係較佳地小於或等於1ppm，更佳地小於或等於0.1ppm)。

注意的是，已被指出地，氧化物半導體並不靈敏於雜質，所以當在膜中包含大量的金屬雜質時，並不具有問題，且因此，亦可使用其中包含諸如鈉之大量鹼金屬且並不昂貴的鈉鈣玻璃(Kamiya，Nomura，及Hosono，〝非晶氧化物半導體之載子傳輸性質及電子結構：目前狀態〞，KOTAI BUTSURI(固態物理)，2009年，第44冊，第621至633頁)。然而，該論述並不妥當。鹼金屬並非氧化物半導體之構成元素，且因此，係雜質。在其中鹼土金屬並非氧化物半導體之構成元素的情況中，該鹼土金屬亦係雜質。尤其，在鹼金屬中，當與氧化物半導體膜接觸之絕緣膜係氧化物時，Na會變成Na⁺，且Na會擴散至絕緣層之內。此外，在氧化物半導體膜中，Na會切斷或進入氧化物半導體的構成元素之金屬與氧間之鍵。因而，例如，諸如對由於臨限電壓在負方向中的偏移所導致之電晶體的常態導通狀態改變，或遷移率降低之電晶體特徵的劣化會產生。此外，特徵的變化會發生。由於雜質之電晶體特徵的劣化及特徵的變化會明顯地出現在當氧化物半導體膜中之氫濃度係非常地低時。因此，在其中氧化物半導體膜中之氫濃度係等於或小於5×10¹⁹cm^-3，尤其，等於或小於5×10¹⁸cm^-3的情況中，盡量降低上述雜質的濃度係較佳的。具體而言，較佳的是，藉由二次離子質譜儀之Na濃度的測量值應小於或等於5×10¹⁶/cm³，更佳地應小於或等於1×10¹⁶/cm³，仍更佳地應小於或等於1×10¹⁵/cm³。以相似之方式，較佳的是，Li濃度的測量值應小於或等於5×10¹⁵/cm³，更佳地應小於或等於1×10¹⁵/cm³。以相似之方式，較佳的是，K濃度的測量值應小於或等於5×10¹⁵/cm³，更佳地應小於或等於1×10¹⁵/cm³。

降低氧化物半導體膜中之氫濃度而使該等氧化物半導體膜高度純化，可獲得氧化物半導體膜的穩定性。此外，在低於或等於玻璃躍遷溫度的溫度處之熱處理可形成具有寬的能隙之氧化物半導體膜，其中由於氫缺陷所產生之載子的密度會變低。因此，電晶體可使用大尺寸之基板來加以製造，而藉以增加生產率。此外，藉由使用其中氫濃度降低且純度增進之氧化物半導體膜，可製造出具有高的耐壓和極小的截止狀態電流之電晶體。該熱處理可在沈積氧化物半導體膜之後的任何時間予以執行。

包含氧之無機材料(氧化矽、氧化氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮氧化鋁、或其類似物)可使用於諸如閘極絕緣膜703、絕緣膜707、閘極絕緣膜713、閘極絕緣膜723、絕緣膜727、閘極絕緣膜733、及閘極絕緣膜743之與氧化物半導體膜704接觸的絕緣膜。藉由使用包含氧之無機材料於絕緣膜，即使當氧缺乏係由於用以降低水分或氫之熱處理而產生於氧化物半導體膜之中時，氧亦可自絕緣膜而供應至氧化物半導體膜以降低其中用作施體之氧缺乏，以致可獲得其中滿足化學計量組成比的結構。因而，可將通道形成區製成為接近於i型，以及可降低電晶體701、711、721、731、及741之由於氧缺乏的電性特徵之變化，而改善該等電性特徵。

諸如閘極絕緣膜703、絕緣膜707、閘極絕緣膜713、閘極絕緣膜723、絕緣膜727、閘極絕緣膜733、及閘極絕緣膜743之與氧化物半導體膜704接觸的絕緣膜可使用包含屬於族13之元素和氧的絕緣材料而形成。因為許多氧化物半導體包含週期表之族13元素，所以族13元素十分適合於氧化物半導體。因此，藉由使用該絕緣材料於與氧化物半導體膜接觸之絕緣膜，可將與氧化物半導體膜之介面的狀態保持良好。

包含族13元素的絕緣材料表示包含週期表之一或更多個族13元素的絕緣材料。做為包含族13元素的絕緣材料，係給定氧化鎵、氧化鋁、氧化鋁鎵、氧化錠鋁、及其類似物。在此，氧化鋁鎵意指其中鋁的數量係在原子百分比之中比鎵的數量更大之材料，以及氧化鎵鋁意指其中鎵的數量係在原子百分比之中比鋁的數量更大或相等於鋁的數量之材料。

例如，在形成與包含鎵的氧化物半導體膜接觸之絕緣膜的材料中，可使用包含氧化鎵的材料於絕緣膜，使得可將氧化物半導體膜與絕緣膜之間的介面特徵保持良好。例如，透過其中氧化物半導體膜與包含氧化鎵的絕緣膜接觸之結構，可抑制氧化物半導體膜與絕緣膜間之介面中的氫之堆積。與上述相似的功效亦可在其中使用與氧化物半導體之構成元素相同的族中之元素於絕緣膜中的情況中而獲得。例如，藉由使用包含氧化鋁之材料而形成該絕緣膜係有效的。因為氧化鋁係極不透水的，所以就水進入至氧化物半導體膜內之防止而言，使用包含氧化鋁之材料亦係較佳的。

此實施例可以與上述實施例結合而實施。

[實例1]

本發明之一實施例可提供三維顯示裝置以低功率來顯示明亮影像，而無串音。因此，使用此顯示裝置之電子裝置具有低的功率消耗，且能顯示清晰的三維影像。

具體而言，依據本發明一實施例之顯示裝置可施加至影像顯示裝置、膝上型電腦、或設置有記錄媒體之影像再生裝置(典型地，可再生諸如DVD(數位多功能碟片)之記錄媒體的內容，且具有顯示器以供顯示所再生的影像之用的裝置)。進一步地，可給定行動電話、攜帶式遊戲機、個人數位助理、電子書閱讀器、及其類似物。第12A至12C圖描繪該等電子裝置的具體實例。

第12A圖描繪影像顯示裝置，包含：影像顯示部外殼5001，用作影像顯示部之顯示部5002、揚聲器5003、及用作遮光部之眼鏡5004。該眼鏡5004包含右眼光閘5005及左眼光閘5006。注意的是，可將控制右眼光閘5005及左眼光閘5006之透射比而使它們與顯示部5002上之右眼影像及左眼影像的顯示同步之控制器設置於眼鏡5004、或影像顯示部外殼5001中。使用依據本發明一實施例之顯示裝置的影像顯示裝置可具有低的功率消耗，且能顯示清晰的三維影像。

影像顯示裝置包含任何資訊影像顯示裝置，諸如用於個人電腦、TV廣播接收、廣告、或其類似者之該等資訊影像顯示裝置。

第12B圖描繪膝上型個人電腦，包含：影像顯示部外殼5201，用作影像顯示部之顯示部5202、鍵盤5203、指標裝置5204、及用作遮光部之眼鏡5206。該眼鏡5206包含右眼光閘5207及左眼光閘5208。注意的是，可將控制右眼光閘5207及左眼光閘5208之透射比而使它們與顯示部5202上之右眼影像及左眼影像的顯示同步之控制器設置於眼鏡5206、或影像顯示部外殼5201中。使用依據本發明一實施例之顯示裝置的膝上型個人電腦可具有低的功率消耗，且能顯示清晰的三維影像。

第12C圖係具有記錄媒體之行動影像再生裝置(特別地，DVD播放器)，包含：影像顯示部外殼5401，用作影像顯示部之顯示區5402、記錄媒體(諸如DVD)讀取器5403、控制鍵5404、揚聲器5405、及用作遮光部之眼鏡5407。該眼鏡5407包含右眼光閘5408及左眼光閘5409。具有記錄媒體之影像再生裝置包含家庭遊戲機。注意的是，可將控制右眼光閘5408及左眼光閘5409之透射比而使它們與顯示區5402上之右眼影像及左眼影像的顯示同步之控制器設置於眼鏡5407、或影像顯示部外殼5401中。使用依據本發明一實施例之顯示裝置的影像再生裝置可具有低的功率消耗，且能顯示清晰的三維影像。

如上述，本發明可廣泛地施加至，且使用於寬廣種類之領域中的電子裝置。

此實施例可與上述該等實施例之任一者適當地結合而實施。

此申請案係根據2010年9月13日在日本專利局所申請之日本專利申請案序號2010-203894，該申請案的全部內容係結合於本文以供參考。

100．．．顯示裝置

101．．．影像顯示部

102．．．遮光部

103．．．控制部

104，500，600．．．像素部

105．．．像素

106．．．開關電晶體

107，6033，6043，6053．．．發光元件

108．．．驅動電晶體

109．．．信號源

110，5006，5208，5409．．．左眼光閘

111，5005，5207，5408．．．右眼光閘

112．．．左眼

113．．．右眼

120．．．儲存電容器

510，610．．．掃描線驅動電路

520，620．．．信號線驅動電路

521，621．．．移位暫存器

522．．．第一記憶體電路

523．．．第二記憶體電路

524．．．DA轉換器電路

622．．．取樣電路

623．．．記憶體電路

6031，6041，6051，701，711，721，731，741．．．電晶體

6034，6044，6054．．．像素電極

6035，6045，6055．．．電發光層

6036，3046，6056．．．共同電極

6037，6047，6057，717，727，737，747，707．．．絕緣膜

6038，6048，6058．．．斜層

702，712，722，732，742．．．閘極電極

703，713，723，733．．．閘極絕緣膜

704，714，724，734，744．．．氧化物半導體膜

705，706，715，716，725，726，735，736，745，746．．．導電膜

718．．．通道保護膜

5001，5201，5401．．．影像顯示部外殼

5002，5202．．．顯示部

5003，5405．．．揚聲器

5004，5206，5407．．．眼鏡

5203．．．鍵盤

5204．．．指標裝置

5402．．．顯示區

5403．．．記錄媒體讀取器

5404．．．控制鍵

第1圖係顯示顯示裝置之結構的方塊圖；

第2A及2B圖係像素的電路圖；

第3圖係顯示裝置之操作的時序圖；

第4圖係液晶顯示裝置之操作的時序圖；

第5圖係比較用的顯示裝置之操作的時序圖；

第6A至6C圖係各自顯示像素部，遮光部，與觀視者之左眼及右眼之間的位置關係；

第7圖係像素部之特定電路圖的實例；

第8圖係影像顯示部的方塊圖；

第9圖係影像顯示部的方塊圖；

第10A至10C圖係顯示像素之橫剖面結構的圖式；

第11A至11E圖係顯示電晶體之橫剖面結構的圖式；以及

第12A至12C圖係電子裝置的圖式。

100．．．顯示裝置

101．．．影像顯示部

102．．．遮光部

103．．．控制部

104．．．像素部

105．．．像素

106．．．開關電晶體

107．．．發光元件

108．．．驅動電晶體

109．．．信號源

110．．．左眼光閘

111．．．右眼光閘

Claims

一種顯示裝置，包含：像素部，包含複數個像素，該複數個像素各自包含：發光元件，包含：像素電極；共同電極，係供應以共同電位；及電發光層，在該像素電極與該共同電極之間；以及驅動電晶體，控制該像素電極的電位；遮光部，包含第一光閘及第二光閘；信號源，係組構以輸出該共同電位；以及控制器，係組構以控制該第一光閘及該第二光閘的透射比，和自該信號源所輸出之該共同電位的位準，其中該等透射比及該位準係組構以與在該像素部中所執行之對該像素部之影像信號的供應、右眼之影像的顯示、及左眼之影像的顯示同步，以使該第一光閘及該第二光閘在遮光狀態中，且該共同電位變成不允許該發光元件在對該像素部之該影像信號的該供應期間發光的電位。
如申請專利範圍第1項之顯示裝置，進一步包含控制該影像信號的該供應之開關電晶體。
一種顯示裝置，包含：像素部，包含複數個像素，該複數個像素各自包含：發光元件，包含：像素電極；及共同電極，係供應以共同電位；以及驅動電晶體，包含：閘極電極；第一端子，係供應以電源供應電位；及第二端子，係電性連接至該像素電極；遮光部，包含第一光閘及第二光閘；信號源，係組構以輸出該共同電位；以及控制器，係組構以控制該第一光閘及該第二光閘的透射比，和自該信號源所輸出之該共同電位的位準，其中該等透射比及該位準係組構以與在該像素部中所執行之對該像素部之影像信號的供應、右眼之影像的顯示、及左眼之影像的顯示同步，以使該第一光閘及該第二光閘在遮光狀態中，且該共同電位變成不允許該發光元件在對該像素部之該影像信號的該供應期間發光的電位。
如申請專利範圍第3項之顯示裝置，進一步包含：開關電晶體，該開關電晶體包含：第一端子，係供應以該影像信號；以及第二端子，係電性連接至該驅動電晶體之該閘極電極。
如申請專利範圍第1或3項之顯示裝置，其中該驅動電晶體具有氧化物半導體之主動層。
如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中該氧化物半導體係In-Ga-Zn為主的氧化物半導體。
如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中在該主動層中之氫濃度係5×10¹⁹/cm³或更少。
如申請專利範圍第2或4項之顯示裝置，其中該開關電晶體及該驅動電晶體的其中一者具有氧化物半導體之主動層。
一種顯示裝置，包含：影像顯示區，該影像顯示區包含：像素，包含第一電晶體、第二電晶體、像素電極、共同電極、和電發光層；及信號源，係電性連接至該共同電極，其中該第一電晶體的第一端子係電性連接至該第二電晶體的閘極電極，其中該第二電晶體的第一端子係電性連接至該像素電極，其中該電發光層係設置於該像素電極與該共同電極之間，且其中該信號源係組構以供應電位至該共同電極；遮光部，包含第一光閘及第二光閘；以及控制器，係組構以控制該第一光閘及該第二光閘的透射比，和自該信號源所輸出之該電位的位準，以使該第一光閘及該第二光閘在遮光狀態中，且該電位變成不允許該電發光層在對該像素之影像信號的供應期間發光的電位。
如申請專利範圍第1、3及9項中任一項之顯示裝置，其中該第一光閘及該第二光閘使用液晶元件。
如申請專利範圍第9項之顯示裝置，其中該第一電晶體及該第二電晶體的其中一者具有氧化物半導體之主動層。
如申請專利範圍第11項之顯示裝置，其中該氧化物半導體係In-Ga-Zn為主的氧化物半導體。
如申請專利範圍第11項之顯示裝置，其中在該主動層中之氫濃度係5×10¹⁹/cm³或更少。
如申請專利範圍第9項之顯示裝置，其中該控制器係包含於該遮光部之中。