JP5832205B2 - 表示システム - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一態様に係る表示装置の構成例を示すブロック図である。表示装置100は、画像の表示を行う画像表示部101と、光の透過率を変化させることができる複数のシャッターを有する遮光部102と、制御部103とを有する。
図7に、図1に示した画素105を複数有する、画素部104の具体的な回路図の一例を示す。
本実施の形態では、本発明の表示装置が有する画像表示部の、具体的な構成の一例について説明する。図8に、本実施の形態の画像表示部のブロック図を、一例として示す。なお、図8に示すブロック図では、画像表示部内の回路を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとして示しているが、実際の回路は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの回路が複数の機能に係わることもあり得る。
本実施の形態では、本発明の表示装置が有する画像表示部の、具体的な構成の一例について説明する。図9に、本実施の形態の画像表示部のブロック図を、一例として示す。なお、図9に示すブロック図では、画像表示部内の回路を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとして示しているが、実際の回路は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの回路が複数の機能に係わることもあり得る。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る表示装置の、画素が有するトランジスタと発光素子の断面構造について説明する。本実施の形態では、発光素子を駆動させるためのトランジスタがn型の場合における、画素の断面構造について、図10を用いて説明する。なお図10では、画素電極が陰極、共通電極が陽極の場合について説明するが、画素電極が陽極、共通電極が陰極であっても良い。
本実施の形態では、酸化物半導体膜を用いたトランジスタの構成について説明する。
101 画像表示部
102 遮光部
103 制御部
104 画素部
105 画素
106 スイッチング用トランジスタ
107 発光素子
108 駆動用トランジスタ
109 信号源
110 左目用シャッター
111 右目用シャッター
112 左目
113 右目
120 保持容量
500 画素部
510 走査線駆動回路
520 信号線駆動回路
521 シフトレジスタ
522 第1の記憶回路
523 第2の記憶回路
524 DA変換回路
600 画素部
610 走査線駆動回路
620 信号線駆動回路
621 シフトレジスタ
622 サンプリング回路
623 記憶回路
701 トランジスタ
702 ゲート電極
703 ゲート絶縁膜
704 酸化物半導体膜
705 導電膜
706 導電膜
707 絶縁膜
711 トランジスタ
712 ゲート電極
713 ゲート絶縁膜
714 酸化物半導体膜
715 導電膜
716 導電膜
717 絶縁膜
718 チャネル保護膜
721 トランジスタ
722 ゲート電極
723 ゲート絶縁膜
724 酸化物半導体膜
725 導電膜
726 導電膜
727 絶縁膜
731 トランジスタ
732 ゲート電極
733 ゲート絶縁膜
734 酸化物半導体膜
735 導電膜
736 導電膜
737 絶縁膜
741 トランジスタ
742 ゲート電極
743 ゲート絶縁膜
744 酸化物半導体膜
745 導電膜
746 導電膜
747 絶縁膜
5001 画像表示部用筐体
5002 表示部
5003 スピーカー部
5004 ゴーグル
5005 右目用シャッター
5006 左目用シャッター
5201 画像表示部用筐体
5202 表示部
5203 キーボード
5204 ポインティングデバイス
5206 ゴーグル
5207 右目用シャッター
5208 左目用シャッター
5401 画像表示部用筐体
5402 表示部
5403 読み込み部
5404 操作キー
5405 スピーカー部
5407 ゴーグル
5408 右目用シャッター
5409 左目用シャッター
6031 トランジスタ
6033 発光素子
6034 画素電極
6035 電界発光層
6036 共通電極
6037 絶縁膜
6038 隔壁
6041 トランジスタ
6043 発光素子
6044 画素電極
6045 電界発光層
6046 共通電極
6047 絶縁膜
6048 隔壁
6051 トランジスタ
6053 発光素子
6054 画素電極
6055 電界発光層
6056 共通電極
6057 絶縁膜
6058 隔壁
Claims (3)
- 複数の画素が設けられた画素部と、
第1のシャッター及び第2のシャッターを有するメガネからなる遮光部と、
共通電位を出力する信号源と、
前記画素部における画像信号の書き込み、右目用の画像の表示、及び左目用の画像の表示に同期するように、前記第1のシャッター及び前記第2のシャッターの透過率と、前記信号源から出力される前記共通電位の高さとを制御する制御部と、を有し、
前記複数の画素は、
前記画素への前記画像信号の書き込みを制御するスイッチング用トランジスタと、
画素電極と、
前記共通電位の与えられる共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に設けられた電界発光層を有する発光素子と、
前記画像信号に従って前記画素電極の電位を制御する駆動用トランジスタと、を有し、
前記スイッチング用トランジスタまたは前記駆動用トランジスタは、
活性層にIn−Ga−Zn系の酸化物半導体を含み、
ソース・ドレイン間の電圧が1Vから10Vにおいて、チャネル長10μmにした場合のチャネル幅あたりのオフ電流が100zA/μm以下であり、
前記酸化物半導体は、水素濃度が5×10 19 /cm 3 以下であり、
前記酸化物半導体は、キャリア密度が1×10 14 /cm 3 未満であり、
前記酸化物半導体のバンドギャップは、2eV以上であることを特徴とする表示システム。 - 請求項1において、
前記共通電極の電位を信号源によって、制御し、
書き込み期間中において、前記複数の画素の前記発光素子を全て消灯させ、
表示期間中において、前記複数の画素の前記発光素子を前記画像信号に従って点灯させることを特徴とする表示システム。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1のシャッター及び前記第2のシャッターは、液晶素子を用いていることを特徴とする表示システム。
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