TWI540657B - 直立批次式薄膜形成設備 - Google Patents

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黑川昌毅
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Description

直立批次式薄膜形成設備
本發明主張2011年3月31日向日本申請局申請之日本申請案2011-078481為優先權母案，將其全部內容包含於此作為參考。
本發明係關於直立批次式薄膜形成設備。
直立批次式薄膜形成設備廣為人知為針對複數半導體晶圓共同進行薄膜形成處理的批次式薄膜形成設備(專利文獻1)。在直立批次式薄膜形成設備中，複數的半導體晶圓沿著高度方向堆疊在直立晶舟上，每一直立晶舟係被置於處理室中。
用以形成薄膜的薄膜形成氣體係自處理室的下側供應至處理室中並自處理室的上側排出。因此，當薄膜形成氣體自處理室的下側移動至處理至的上側時，會消耗薄膜形成氣體，故到達堆疊在直立晶舟之上級上之半導體晶圓的薄膜形成氣體量會降低。
這會導致堆疊在直立晶舟之上級上之半導體晶圓的薄膜形成量與堆疊在直立晶舟之下級上之半導體晶圓的薄膜形成量之間的不均勻。
為了避免薄膜形成量的此不均勻，藉著控制處理室中的加熱裝置以在處理室中設定爐內溫度梯度俾以試著提升堆疊在直立晶舟之上級上之半導體晶圓的薄膜形成，在此溫度梯度中處理室的下側處溫度較低而在處理室的上側處溫度較高。
如此，在直立批次薄膜形成設備中，無論何時進行薄膜形成，都應該要設定處理室中的溫度梯度。又，需要直到處理室的溫度穩定至一較佳的爐內溫度梯度所需的對應溫度穩定時間。
近來，隨著半導體積體電路裝置高度地整合，元件如電晶體或記憶體單元開始具有三維結構，在三維結構中元件從半導體晶圓的表面朝向上層設置。包含具有三維結構之元件的半導體積體電路設備亦可具有一沈積結構，在此沈積結構中具有重覆沈積的數十層氧化矽薄膜與數十層氮化矽薄膜。
例如，若在相同的爐管中重覆地連續進行具有不同薄膜形成溫度條件的兩或更多種化學氣相沈積(CVD)薄膜形成處理，需要重覆地進行用以控制加熱裝置的溫度設定操作以將爐內溫度梯度設定至每一CVD薄膜形成處理用的最佳爐內溫度梯度。又，半導體積體電路裝置之沈積結構中的每一層需要獲得直到爐內溫度梯度穩定下來所需的溫度穩定時間。因此，需要長時間來形成包含數十層氧化矽薄膜與數十層氮化矽薄膜的沈積結構。
(專利文獻1)日本特開平8-115883
本發明提供一種直立批次式薄膜形成設備，即便是在未設定處理室中的爐內溫度梯度時，此設備仍可避免堆疊在直立晶舟之上級上之半導體晶圓的薄膜形成量與堆疊在直立晶舟之下級上之半導體晶圓的薄膜形成量之間的不均勻。
根據本發明的一態樣，一種對複數處理目標共同進行薄膜形成處理的直立批次式薄膜形成設備，包含：處理室，容納沿著高度方向堆疊的複數處理目標並對該處理目標共同進行薄膜形成處理；加熱裝置，加熱容納在該處理室中的該複數處理目標；排放裝置，排空該處理室的內部；容納容器，容納該處理室；氣體供應機構，將處理中用的氣體供應至該容納容器中；及複數氣體導入孔，設置在該處理室的側壁中並使該處理室與該容納容器彼此交流，其中該處理中用的氣體係藉由該複數氣體導入孔以平行該複數處理目標之處理表面的平行流的方式供應至該處理室中，且在不設定該處理室中之爐內溫度梯度的方式針對該複數處理目標共同進行該薄膜形成處理。
根據本發明的另一態樣，一種對複數處理目標共同進行薄膜形成處理的直立批次式薄膜形成設備，包含：處理室，容納沿著高度方向堆疊的複數處理目標並對該複數處理目標共同進行薄膜形成處理；加熱裝置，加熱容納在該處理室中的該複數處理目標；容納容器，容納該處理室；阻障壁，將該容納容器的內部分隔為 氣體擴散室與氣體排放室；氣體供應機構，將處理中用的氣體供應至該處理擴散室中；複數氣體導入孔，設置在該處理室的側壁中並使該處理室與該氣體擴散室彼此交流；排放裝置，排空該氣體排放室的內部；及複數的氣體排放孔，設置在該處理室的側壁內並使該處理室與該氣體排放室彼此交流，其中該處理中用的氣體係藉由該複數氣體導入孔以平行該複數處理目標之處理表面的平行流的方式供應至該處理室中，且在不設定該處理室中之爐內溫度梯度的方式針對該複數處理目標共同進行該薄膜形成處理。
根據本發明的另一態樣，一種對複數處理目標共同進行薄膜形成處理的直立批次式薄膜形成設備，包含：處理室，容納沿著高度方向堆疊的複數處理目標並對該複數處理目標共同進行薄膜形成處理；加熱裝置，加熱容納在該處理室中的該複數處理目標；容納容器，容納該處理室；導管，設置在該容納容器與該處理室之間的空間的一部分中，定義該容納容器與該處理室之間的氣體排放室，並定義該容納容器中的氣體擴散室；氣體供應機構，將處理中用的氣體供應至該處理擴散室中；複數氣體供應孔，設置在該導管的側壁中；複數氣體導入孔，設置在該處理室的側壁中並使該處理室與該氣體擴散室藉著該複數氣體供應孔而彼此交流；排放裝置，排空該氣體排放室的內部；及複數的氣體排放孔，設置在該處理室的側壁中並使該處理室與該氣體排放室彼此交流。
下面將敘述本發明的額外目的與優點，從此些敘述可能會讓部分目的與優點顯得可輕易得知，藉由實施本發明亦可習得部分目的與優點。
藉由各種手段裝置與後續特別指出的組合可實現並獲得本發明的目的與優點。
現在將參考附圖來說明根據上述發現而成就的本發明一實施例。在下面的敘述中，實質上具有相同功能與配置的構件係以相 同的參考標號來代表，只有在必要時才會重覆其說明。
此後將參考附圖解釋本發明的例示性實施例來說明本發明。在圖示中類似的參考標號係代表類似的元件。
(第一實施例)
圖1為根據本發明一實施例之直立批次式薄膜形成設備100a的概略垂直剖面圖。圖2為沿著圖1之2-2線所取的水平剖面圖。
如圖1與2中所示，直立批次式薄膜形成設備100a包含底部開放之圓柱形處理室101及容納處理室101之底部開放之圓柱形容納容器102。處理室101與容納容器102例如係由石英所形成。圓柱形的歧管103係藉由密封構件104如O型環而連接至容納容器102的底部開口。歧管103係例如由不銹鋼所形成。本實施例之歧管103的上端部係藉由密封構件105如O型環而連接至處理室101的底部開口。歧管103支撐處理室及容納容器102的底部。又，介於歧管103與處理室101之間的連接部103a為處理室101的排放通道。
作為處理目標的複數如50至100片半導體晶圓(在本實施例中為複數矽晶圓A)自歧管103的下方被插入至至處理室101中同時受到直立晶舟106的支撐。直立晶舟106包含設置了支撐溝槽(未圖示)的複數支撐柱107。複數矽晶圓W係受到支撐溝槽的支撐。直立晶舟106係藉由石英所形成的熱容器109而置於平臺108上。
平臺108在可轉軸111上受到支撐並貫穿罩蓋110。罩蓋110係例如由不銹鋼所形成，開啟/關閉歧管103的下部開口。又，磁流體密封件112例如設置在被可轉軸111貫穿的罩蓋110的一部分中。因此，可轉軸111可以氣密方式密封處理室101的內部並可以可轉動的方式設備。
密封構件113如O形環被插入罩蓋110的外緣部與歧管103的下部開口之間以及罩蓋110的外緣與處理室101的開放下端之間。因此，處理室101之內部與外部空間之間的邊界以及容納容器102之內部與外部空間之間的邊界會受到氣密密封。可轉軸111係連接至升降機構(未圖示)如晶舟升降機所支撐的臂114的引領 端。因此，直立晶舟106與罩蓋110會一起升降而被分別插入處理室101與容納容器102中或分別自處理室101與容納容器102被抽出。
直立批次式薄膜形成設備100a包含氣體供應機構120，將處理中所用的氣體供應至容納容器102中。氣體供應機構120所供應的氣體可根據欲形成的薄膜類型而改變。例如，當直立批次式薄膜形成設備100a形成由沈積複數SiO2薄膜與複數SiBN薄膜所構成的一薄膜時，氣體供應機構120包含矽材氣體供應源121、含氧化劑之氣體的供應原122、含氮化劑之氣體的供應源123、含硼氣體供應源124與惰性氣體供應源125。矽材氣體可以是二氯矽烷(SiH2Cl2：DCS)或四乙氧基矽烷(Si(C2H5O)4：TEOS)，含氧化劑的氣體可以是氧氣(O2)，含氮化劑的氣體可以是氨氣(NH3)，含硼氣體可以是三氯化硼，惰性氣體可以是氮氣(N2)。惰性氣體可以用來作為例如吹淨氣體。
矽材氣體供應源121係藉由流量控制器126a與開/閉閥127a而連接至氣體導入接口128。氣體導入接口128貫穿歧管103的側壁俾以使氣體導入接口128的引領端能夠將氣體供應至容納容器102中。
類似地，含氧化劑之氣體的供應源122係藉由流量控制器126b與開/閉閥127b而連接至氣體導入接口128，含氮化劑之氣體的供應源123係藉由流量控制器126c與開/閉閥127c而連接至氣體導入接口128，含硼氣體的供應源124係藉由流量控制器126d與開/閉閥127d而連接至氣體導入接口128，惰性氣體的供應源125係藉由流量控制器126e與開/閉閥127e而連接至氣體導入接口128。
排氣接口129係連接至歧管103與處理室101間的連接部103a。排氣接口129係連接至包含真空泵等之排放裝置130。排放裝置130自處理室101的下側排空處理室101的內部，以排放處理中所用的氣體並將處理室101內的壓力改變為根據處理所需的處理壓力。
殼形的加熱裝置131係設置在容納容器102的外緣上。加熱裝置131藉由容納容器102的側壁與處理室101的側壁加熱處理室101的內部。因此，活化被供應至處理室101中的氣體，加熱被容納在處理室101中的處理目標(本實施例中的矽晶圓W)。
控制器150如微處理室(電腦)控制直立批次式薄膜形成設備100a的元件。使用者介面151係連接至控制器150，使用者介面151例如是讓操作者能輸入用以操控直立批次式薄膜形成設備100a之指令的鍵盤以及能視覺化顯示直立批次式薄膜形成設備100a之操作狀態的顯示器。
控制器150係連接至記憶單元152。記憶單元152儲存了根據控制器150之控制在直立批次式薄膜形成設備100a中執行各種處理用的控制程式或者根據處理條件指示直立批次式薄膜形成設備100a之每一元件執行一處理的程式即配方。例如，配方係儲存在記憶單元152的儲存媒體中。儲存媒體可以是硬碟或半導體記憶體，或是可攜式媒體如CDROM、DVD快閃記憶體。又，可經由例如專線從另一裝置適當地傳遞配方。若有需要，直立批次式薄膜形成設備100a可在控制器150的控制下藉著根據來自使用者介面151的指令等自記憶單元152請求配方並根據控制器150中的配方來進行處理，以進行期望的處理。
在根據本發明之直立批次式薄膜形成設備100a中，處理室101係容納於容納容器102中。處理中所用的氣體被供應至容納容器102中但不會被直接供應至處理室101中。複數的氣體導入孔101a係設置在處理室101的側壁中以使處理室101的內部與容納容器102的內部能彼此交流。處理中所用的氣體藉由複數氣體導入孔101a以平行複數處理目標(本實施例中的矽晶圓W)之處理表面的平行流方式供應至處理室101中。處理中所用的氣體從容納容器102的下側被供應至容納容器102中。然而，處理中所用的氣體會在容納容器102的內部中流動。因此，處理氣體會到達堆疊在直立晶舟106之上級上的矽晶圓W但卻不會接觸矽晶圓W。因此，可自直立晶舟106的下級至上級將具有均勻量與分量的處理中所 用的氣體供應至矽晶圓W。換言之，可避免欲供應至矽晶圓W之氣體的量與分量在容納在直立晶舟106中之不同矽晶圓W的位置處產生變異。
如此，根據本實施例之直立批次式薄膜形成設備100a，藉著避免欲供應至矽晶圓W之氣體的量與分量在容納在直立晶舟106中之不同矽晶圓W的位置處產生變異，即便未設定處理室101中的爐內溫度梯度，亦可避免堆疊在直立晶舟106之上級上之矽晶圓W的薄膜形成量與堆疊在直立晶舟106之下級上之矽晶圓W的薄膜形成量之間產生非均勻性。
此外，可藉由複數氣體導入孔101a以平行複數處理目標(本實施例中的矽晶圓W)之處理表面的平行流方式將處理中所用的氣體供應至處理室101中，俾以在不設定處理室101中之爐內溫度梯度的方式對複數矽晶圓W共同進行薄膜形成處理。因此，本發明具有薄膜形成處理係以高產量方式進行的優點。
藉著使用包含下列步驟的薄膜形成處理可有效地獲得此優點：(1)在複數矽晶圓W上形成第一薄膜；(2)在第一薄膜上形成與第一薄膜不同的第二薄膜；及(3)重覆地進行形成第一薄膜的步驟(1)與形成第二薄膜的步驟(2)以在複數矽晶圓W上形成由沈積複數第一薄膜與複數第二薄膜所構成的一薄膜。
第一薄膜可以是氧化矽薄膜(在本實施例中為SiO2薄膜)，第二薄膜可以是氮化矽薄膜(在本實施例中為SiBN薄膜)。
或者，第一薄膜可以是未摻雜的非晶矽薄膜，第二薄膜可以是摻雜有受體原子如硼(B)或施體原子如磷(P)或砷(As)的非晶矽薄膜。
又，當形成由沈積複數未摻雜非晶矽薄膜與複數摻雜非晶矽薄膜所構成的薄膜時，形成未摻雜非晶矽薄膜用的溫度可與形成摻雜非晶矽薄膜用的溫度相同，因為未摻雜非晶矽薄膜與摻雜非晶矽薄膜都是非晶薄膜，唯一的差別只在於非晶矽薄膜摻雜有受 體或施體原子。
當形成由沈積複數未摻雜非晶矽薄膜與複數摻雜非晶矽薄膜所構成的十至百層薄膜結構時，若形成未摻雜非晶矽薄膜用的溫度與形成摻雜非晶矽薄膜用的溫度相同，則毋需改變溫度，因此可以高產量的方式來進行薄膜形成處理。
當形成由沈積複數氧化矽薄膜如SiO2薄膜與複數氮化矽薄膜如SiBN薄膜所構成的十至百層薄膜結構時，若形成氮化矽薄膜用的溫度與形成氮化矽薄膜用的溫度相同，則亦可獲得上述優點。
此後將說明未設定爐內溫度梯度的實例。
圖3為加熱裝置131的垂直剖面圖。
如圖3中所示，加熱裝置131包含複數加熱體131a至131e以加熱處理室101的內部每一區。在本實施例中，處理室101的內部被分成五個區，即底部區、底部-中間區、中間區、上部-中間區與上部區，而加熱體131a至131e分別加熱這五個區。
當未設定處理室101中的爐內溫度梯度時，可將各個加熱體131a至131e的溫度設定成相同。例如，當加熱中間區的加熱體131c的溫度被設定成760℃時，加熱底部區的加熱體131a、加熱底部-中間區的加熱體131b、加熱上部-中間區的加熱體131d與加熱上部區的加熱體131e每一者的溫度都會被設定成760℃。
此外，設定處理室101中的爐內溫度梯度。例如，若加熱中間區的加熱體131c的溫度被設定成760℃且爐內溫度梯度被設定成30℃，則加熱體131a、加熱體131b、加熱體131d與加熱體131e的溫度分別會被設定成744.5℃、749.2℃、771.5℃與774.5℃。
又，即便將加熱體131a至131e的溫度設定成相同，實際上在加熱體131a至131e之間還是有可能會產生溫度偏差△T。當處理室101的內部被分成如上述的五個區時，對應至底部區之加熱體131a與對應至上部區之加熱體131e間的溫度偏差△T的允許範圍係±5℃(｜△T｜5℃)。
類似地，當處理室101的內部被分成例如七個區時，對應至底部區之加熱體與對應至上部區之加熱體間的溫度偏差△T的允 許範圍係±7℃(｜△T｜7℃)。
換言之，對應至底部區之加熱體與對應至上部區之加熱體間的溫度偏差△T的允許範圍可為｜△T｜7℃更較佳地為｜△T｜5℃。
如此，根據本實施例的直立批次式薄膜形成設備100a，由於在不設定處理室101中之爐內溫度梯度的方式進行薄膜形成處理，毋需重覆用以控制加熱裝置131的溫度設定處理以設定處理室101中的爐內溫度梯度或獲得直到爐內溫度梯度穩定下來每一層所需的溫度穩定時間。
因此，例如當形成由重覆沈積兩或更多不同薄膜所構成之例如十至100層薄膜結構時，可改善產量。
因此，本實施例的直立批次式薄膜形成設備100a可有利地在一結構上進行薄膜形成處理，此結構中半導體積體電路裝置包含具有三維結構的元件。
(修改實例)
圖4為圖1之直立批次式薄膜形成設備100a之修改實例的概略水平橫剖面圖。
在本實施例的直立批次式薄膜形成設備100a中，處理中所用的氣體藉由平行複數處理目標如矽晶圓W之處理表面的平行流方式供應至處理室101中，且處理中所用的氣體係自處理室101的下側排放。換言之，處理中所用的氣體從其被供應的方向改變行進方向。例如，處理中所用的氣體沿著越過矽晶圓W之處理表面的方向如垂直方向流動，然後處理中所用的氣體自處理室101的下側被排放。
在處理室101中產生處理中所用的氣體沿著垂直方向流動的部分即排放通道。然而，若排放通道的傳導性小，則一般會認為處理中所用的氣體難以排放。
若難以排放處理中所用的氣體，則在例如矽晶圓W之處理表面的上側處收集處理中所用的氣體。因此，處理中所用的氣體的量與分量在矽晶圓W之處理表面的上側處會不均勻，藉此影響薄 膜形成量的橫向均勻度。
為了解決上述問題，可增加處理室101中氣體沿著垂直方向流動之排放通道的傳導性。為了增加排放通道的傳導性，如圖4中所示可增加氣體沿著垂直方向流動之排放通道132的直徑。為了增加排放通道132的直徑，必須要滿足關係式d1<d2，其中d1代表矽晶圓W之邊緣與在非排放通道132之空間中處理室101的內壁表面之間的距離，d2代表矽晶圓W之邊緣與排放通道132中處理室101的內壁表面之間的距離。
根據上述的修改實例，相較於圖2中所示的處理室101，本實例相對地增加了處理室101之排放通道132的傳導性，因此可較容易地排放處理中所用的氣體，藉此解決在處理目標如矽晶圓W之處理表面的上側處收集處理中所用的氣體所造成的問題。因此，處理中所用的氣體可以平行於矽晶圓W之處理表面之平行流的方式在例如矽晶圓W之處理表面的上側處流動，故更進一步地改善薄膜形成的橫向均勻性。
(第二實施例)
圖5為根據本發明另一實施例之直立批次式薄膜形成設備的概略垂直剖面圖。圖6為沿著圖5之6-6線所取的水平剖面圖。
如圖5與6中所示，根據本實施例的直立批次式薄膜形成設備100b與根據先前實施例之直立批次式薄膜形成設備100a的相異之處在於：(1)直立批次式薄膜形成設備100b，包含設置在容納容器102中並用以將容納容器102分隔成氣體擴散室102a與氣體排放室102b的阻障壁133，(2)複數氣體導入孔101b，設置在處理室101的內壁中，使得處理室101的內部與氣體擴散室102a能彼此交流，(3)複數氣體排放孔101c，設置在處理室101的內壁中，使得處理室101的內部與氣體排放室102b能彼此交流，(4)排放接口129，連接至氣體排放室102b；排放裝置130，排空氣體排放室102b的內部。根據本實施例的直立批次式薄膜形 成設備100b的其他特徵係與根據先前實施例之直立批次式薄膜形成設備100a的特徵相同，因此將省略其詳細說明。
在根據本實施例之直立批次式薄膜形成設備100b中，由於處理室101被容納於容納容器102中，故處理中所用的氣體被供應至設置在容納容器102中的氣體擴散室102a中但不會被直接供應至處理室101中。因此，即便自氣體擴散室102a的下側供應處理中所用的氣體，處理中所用的氣體會到達堆疊在直立晶舟106之上級上的矽晶圓W卻不會接觸矽晶圓W。
又，處理中所用的氣體可藉由設置在處理室101之側壁中的複數氣體導入孔101b以平行複數處理目標如矽晶圓W之處理表面的平行流方式供應至處理室101中。
因此，根據本實施例可獲得如前述實施例的相同優點。
又，根據本實施例之直立批次式薄膜形成設備100b，被供應至處理室101中的氣體係藉由設置在處理室101之側壁中的氣體排放孔101c而排放至氣體排放室102b。因此，與處理目標接觸及反應的氣體可以平行於處理目標之處理表面的平行流的方式排放。換言之，由於在處理中所用的氣體可以平行於處理目標之處理表面的平行流的方式供應及排放，因此可使直立晶舟106的上級之處理目標接觸處理中所用之氣體的時間與下級之處理目標接觸處理中所用之氣體的時間均勻。
如此，根據本實施例，無論矽晶圓W係位於直立晶舟106的何處，都可使處理中所用的氣體接觸矽晶圓W的時間均勻，因而可進一步地避免堆疊在直立晶舟106之上級上之矽晶圓W的薄膜形成量與堆疊在直立晶舟106之下級上之矽晶圓W的薄膜形成量之間的非均勻性。
(第三實施例)
圖7為根據本發明另一實施例之直立批次式薄膜形成設備100c的概略垂直剖面圖。圖8為沿著圖7之8-8線所取的水平剖面圖。
如圖7與8中所示，根據本實施例的直立批次式薄膜形成設 備100c與根據第二實施例之直立批次式薄膜形成設備100b的相異之處在於：直立批次式薄膜形成設備100c包含用以在容納容器102中定義氣體擴散室102a的導管134而非包含用以將容納容器102分隔成氣體擴散室102a與氣體排放室102b的阻障壁133。直立批次式薄膜形成設備100c的其他特徵係與根據第二實施例之直立批次式薄膜形成設備100b的特徵相同，因此省略其詳細說明。
複數氣體供應孔134a係設置在導管134的側壁中對應設置在處理室101中的氣體導入孔101b。導管134係以可拆卸的方式固定至容納容器102但未固定至處理室101。例如，藉著在導管134與處理室101之間插入窄間隙(空隙135)使導管134面對處理室101。藉由在導管134與處理室101間提供空隙135，導管134與處理室101不會相互接觸，藉此避免粒子的產生。又，若空隙135的傳導係小於設置在處理室101之側壁中之氣體導入孔101b的傳導，則可避免從導管134之氣體供應孔134a所供應的氣體經由空隙135滲漏。
又，導管134係設置在處理室101與容納容器102間的空間的一部分中而非設置在處理室101與容納容器102間的整個空間中。因此，氣體排放室102b可以被定義在處理室101與容納容器102間的空間中未設置導管134的部分中。當處理室101與容納容器102的水平剖面呈現圓環時，導管134的水平剖面可具有半環形而非完整的環形。在本實施例中，導管134係設置在圓柱形容納容器102被分成一半之處的部分即直徑部上，因此導管134具有半環形且半環形的直徑約等於容納容器102的半徑r。
如此，藉著提供具有半環形且直徑約等於容納容器102之半徑r的導管134，可將氣體擴散室102a的容量維持在大位準。藉由維持氣體擴散室102a的大容量，即便因處理中所用的氣體所產生的沈積物黏著在氣體擴散室102a的內壁，也很難改變氣體擴散室102a的傳導。
例如，可考慮通用的氣體噴嘴。由於氣體噴嘴具有小直徑，因此當黏著在氣體噴嘴之內壁的沈積物量增加時，氣體噴嘴的傳 導會逐漸下降。因此，即便藉著使用流量控制器高度精準地控制處理中所用之氣體的流量，實際上排出的氣體量還是會隨著時間改變。
藉由維持氣體擴散室102a的大容量並大量降低因沈積物黏著所造成的傳導變異，可避免氣體排放量隨著時間變化。
又，因為在第一實施例中處理中所用的氣體被供應至處理室101與容納容器102間的大容量空間中，而在第二實施例中阻障壁133所分隔的氣體擴散室102a的容量和第三實施例之氣體擴散室102a的容量一樣大，因此在第一與第二實施例中可獲得上述優點。
又，根據本實施例之直立批次式薄膜形成設備100c，導管134係以可拆卸的方式固定至容納容器102而非固定至處理室101。因此，相較於第二實施例，本實施例具有易維護的優點。
例如，若阻障壁133係固定至處理室，當直立批次式薄膜形成設備100b欲接受維護而遭拆解時，由於例如阻障壁133固定至處理室101的部分係位於對於操作者而言較狹窄的狹窄空間的內部，因此需要時間將阻障層133自處理室101分離。
根據本實施例，由於導管134並未固定至處理室101，因此只要藉著分離處理室與容納容器102便可以分離處理室101與導管134。又，若處理室101與容納容器102分離，則在容納容器102的內部會形成一個足以容納操作者的空間，藉此輕易地使導管134與容納容器102分離。
根據本實施例之直立批次式薄膜形成設備100c，可獲得與第一實施例及第二實施例相同的優點。又，相較於第二實施例，第三實施例具有易維護的優點。
在上述說明中，參考了多個實施例來說明本發明。然而本發明並不限於此，可以各種方式來修改本發明。
例如，在上述實施例中說明了一種直立批次式薄膜形成設備，其能夠形成由重覆沈積複數SiO2薄膜與複數SiBN薄膜或沈積複數未摻雜非晶矽薄膜與複數摻雜非晶矽薄膜形所構成的薄膜。然而，本發明並不限於此，只要能達到形成薄膜的目的，可 沈積任何薄膜。又，可以各種方式來沈積SiO2薄膜、SiBN薄膜、未摻雜非晶矽薄膜與摻雜非晶矽薄膜以形成一沈積薄膜。
此外，本發明中所用的基板並不限於半導體晶圓如矽晶圓，可使用任何其他基板如LCD玻璃基板。
根據本發明，即便在不設定處理室中之爐內溫度梯度時，直立批次式薄膜形成設備仍可以避免堆疊在直立晶舟之上級上之半導體晶圓的薄膜形成量與堆疊在直立晶舟之下級上之半導體晶圓的薄膜形成量之間產生非均勻性。
雖然尤其參考本發明例示性實施例來顯示與說明本發明，但熟知此項技術者應瞭解，在不脫離由隨附之申請專利範圍所定義的發明精神與範疇的情況下，可對本發明進行各種形式上與細節上的變化。
d1‧‧‧距離
d2‧‧‧距離
r‧‧‧半徑
W‧‧‧矽晶圓
100a‧‧‧直立批次式薄膜形成設備
100b‧‧‧直立批次式薄膜形成設備
100c‧‧‧直立批次式薄膜形成設備
101‧‧‧處理室
101a‧‧‧氣體導入孔
101b‧‧‧氣體導入孔
101c‧‧‧氣體排放孔
102‧‧‧容納容器
102a‧‧‧氣體擴散室
102b‧‧‧氣體排放室
103‧‧‧歧管
103a‧‧‧連接部
104‧‧‧密封構件
106‧‧‧晶舟
107‧‧‧支撐柱
108‧‧‧平臺
109‧‧‧熱容器
110‧‧‧罩蓋
111‧‧‧可轉軸
112‧‧‧磁流體密封件
113‧‧‧密封構件
114‧‧‧臂
120‧‧‧氣體供應機構
121‧‧‧矽材氣體供應源
122‧‧‧含氧化劑之氣體的供應原
123‧‧‧含氮化劑之氣體的供應源
124‧‧‧含硼氣體供應源
125‧‧‧惰性氣體供應源
126a‧‧‧流量控制器
126b‧‧‧流量控制器
126c‧‧‧流量控制器
126d‧‧‧流量控制器
126e‧‧‧流量控制器
127a‧‧‧開/閉閥
127b‧‧‧開/閉閥
127c‧‧‧開/閉閥
127d‧‧‧開/閉閥
127e‧‧‧開/閉閥
128‧‧‧氣體導入接口
129‧‧‧排氣接口
130‧‧‧排放裝置
131‧‧‧加熱裝置
131a-131e‧‧‧加熱體
133‧‧‧阻障壁
134‧‧‧導管
134a‧‧‧氣體供應孔
135‧‧‧空隙
150‧‧‧控制器
151‧‧‧使用者介面
152‧‧‧記憶單元
被包含在說明書中並構成說明書之一部分的附圖說明了本發明的實施例，附圖、上面的一般說明及下面的實施例細節共同解釋了本發明的原理。
圖1為根據本發明一實施例之直立批次式薄膜形成設備的概略垂直剖面圖。
圖2為沿著圖1之2-2線所取的水平剖面圖。
圖3為加熱裝置的垂直剖面圖。
圖4為圖1之直立批次式薄膜形成設備之修改實例的概略水平橫剖面圖。
圖5為根據本發明另一實施例之直立批次式薄膜形成設備的概略垂直剖面圖。
圖6為沿著圖5之6-6線所取的水平剖面圖。
圖7為根據本發明另一實施例之直立批次式薄膜形成設備的概略垂直剖面圖。
圖8為沿著圖7之8-8線所取的水平剖面圖。
101‧‧‧處理室
101a‧‧‧氣體導入孔
102‧‧‧容納容器
103‧‧‧歧管
103a‧‧‧連接部
104‧‧‧密封構件
106‧‧‧晶舟
107‧‧‧支撐柱
108‧‧‧平臺
109‧‧‧熱容器
110‧‧‧罩蓋
111‧‧‧可轉軸
112‧‧‧磁流體密封件
113‧‧‧密封構件
114‧‧‧臂
120‧‧‧氣體供應機構
121‧‧‧矽材氣體供應源
122‧‧‧含氧化劑之氣體的供應原
123‧‧‧含氮化劑之氣體的供應源
124‧‧‧含硼氣體供應源
125‧‧‧惰性氣體供應源
126a‧‧‧流量控制器
126b‧‧‧流量控制器
126c‧‧‧流量控制器
126d‧‧‧流量控制器
126e‧‧‧流量控制器
127a‧‧‧開/閉閥
127b‧‧‧開/閉閥
127c‧‧‧開/閉閥
127d‧‧‧開/閉閥
127e‧‧‧開/閉閥
128‧‧‧氣體導入接口
129‧‧‧排氣接口
130‧‧‧排放裝置
131‧‧‧加熱裝置
150‧‧‧控制器
151‧‧‧使用者介面
152‧‧‧記憶單元

Claims (11)

  1. 一種直立批次式薄膜形成設備，其對複數處理目標共同進行薄膜形成處理，該直立批次式薄膜形成設備包含：處理室，容納沿著高度方向堆疊的該複數處理目標並對該複數處理目標共同進行薄膜形成處理；加熱裝置，加熱容納在該處理室中的該複數處理目標；排放裝置，排空該處理室的內部；容納容器，容納該處理室；氣體供應機構，將處理中用的氣體供應至該容納容器中；及複數氣體導入孔，設置在該處理室的側壁中並使該處理室與該容納容器彼此交流，其中該處理中用的氣體係藉由該複數氣體導入孔以對於該複數處理目標之處理表面的平行流的方式供應至該處理室中，且在不設定該處理室中之爐內溫度梯度的方式針對該複數處理目標共同進行該薄膜形成處理，且該處理室包含排放通道，該處理中用的氣體在該排放通道中沿著垂直方向流動，且關係式d1<d2被滿足，其中d1代表該處理目標之邊緣與非排放通道之空間中該處理室的內壁表面之間的距離，d2代表該處理目標之邊緣與該排放通道中該處理室的內壁表面之間的距離。
  2. 如申請專利範圍第1項之直立批次式薄膜形成設備，其中該加熱裝置包含用以加熱該處理室之該內部之每一區的複數加熱體，其中當針對該複數處理目標共同進行該薄膜形成處理時，將該複數加熱體的溫度設定成相同。
  3. 如申請專利範圍第2項之直立批次式薄膜形成設備，其中該複數加熱體之間的溫度偏差△T的範圍為｜△T｜7℃。
  4. 如申請專利範圍第1項之直立批次式薄膜形成設備，其中 欲針對該複數處理目標共同進行的該薄膜形成處理包含下列步驟：步驟(1)，在該處理目標上形成第一薄膜；步驟(2)，在該第一薄膜上形成與該第一薄膜不同的第二薄膜；及重覆地進行形成該第一薄膜的步驟(1)與形成該第二薄膜的步驟(2)以在該複數處理目標上形成沈積複數該第一薄膜與複數該第二薄膜的一薄膜。
  5. 如申請專利範圍第4項之直立批次式薄膜形成設備，其中該複數處理目標為半導體晶圓，該第一與第二薄膜的一者為氧化矽薄膜或未摻雜之非晶矽薄膜而另一者為氮化矽薄膜或摻雜之非晶矽薄膜。
  6. 如申請專利範圍第4項之直立批次式薄膜形成設備，其中形成該第一薄膜的溫度與形成該第二薄膜的溫度相同。
  7. 一種直立批次式薄膜形成設備，其對複數處理目標共同進行薄膜形成處理，該直立批次式薄膜形成設備包含：處理室，容納沿著高度方向堆疊的該複數處理目標並對該複數處理目標共同進行薄膜形成處理；加熱裝置，加熱容納在該處理室中的該複數處理目標；容納容器，容納該處理室；導管，設置在該容納容器與該處理室之間的空間的一部分中，定義該容納容器與該處理室之間的該空間中的氣體排放室，並定義該容納容器中的氣體擴散室；氣體供應機構，將處理中用的氣體供應至該處理擴散室中；複數氣體供應孔，設置在該導管的側壁中；複數氣體導入孔，設置在該處理室的側壁中並使該處理室與該氣體擴散室藉著該複數氣體供應孔而彼此交流； 排放裝置，排空該氣體排放室的內部；及複數的氣體排放孔，設置在該處理室的側壁中並使該處理室與該氣體排放室彼此交流。
  8. 如申請專利範圍第7項之直立批次式薄膜形成設備，其中該導管係以可拆卸的方式固定至該容納容器而非固定至該處理室。
  9. 如申請專利範圍第8項之直立批次式薄膜形成設備，其中藉著在該導管與該處理室之間插入一空隙而使該導管面對該處理室。
  10. 如申請專利範圍第9項之直立批次式薄膜形成設備，其中該空隙的傳導係小於該複數氣體導入孔的傳導。
  11. 如申請專利範圍第7項之直立批次式薄膜形成設備，其中該處理中用的氣體係藉由該複數氣體導入孔以對於該複數處理目標之處理表面之平行流的方式供應至該處理室中，且在不設定該處理室中之爐內溫度梯度的方式針對該複數處理目標共同進行該薄膜形成處理。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103866294B (zh) * 2014-04-03 2017-01-11 江西沃格光电股份有限公司 镀膜充气装置
CN106467980B (zh) * 2015-08-21 2019-01-29 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种大型垂直式hvpe反应室的装配辅助装置
JP6843087B2 (ja) 2018-03-12 2021-03-17 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
KR102477770B1 (ko) * 2018-05-08 2022-12-14 삼성전자주식회사 막 형성 장치, 막 형성 방법 및 막 형성 장치를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
CN114369813B (zh) * 2020-10-15 2023-05-26 长鑫存储技术有限公司 扩散炉
CN114606476A (zh) * 2020-12-03 2022-06-10 长鑫存储技术有限公司 薄膜的炉管沉积方法
KR20220143222A (ko) 2021-04-15 2022-10-25 삼성전자주식회사 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0189732U (zh) * 1987-12-07 1989-06-13
JPH05347257A (ja) * 1992-06-15 1993-12-27 Nec Yamaguchi Ltd 減圧気相成長装置
JPH065533A (ja) * 1992-06-18 1994-01-14 Nippon Steel Corp 熱処理炉
JPH06196428A (ja) * 1992-12-24 1994-07-15 Sanyo Electric Co Ltd 半導体基板の処理装置
JPH0758030A (ja) * 1993-08-18 1995-03-03 Toshiba Corp 半導体製造装置
JPH08115883A (ja) * 1994-10-12 1996-05-07 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
JP2000174007A (ja) * 1998-12-07 2000-06-23 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
EP1187188A4 (en) * 2000-02-18 2004-05-26 Tokyo Electron Ltd PROCESS FOR TREATING A WAFER
JP2001274107A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Nec Kyushu Ltd 拡散炉
JP4706260B2 (ja) * 2004-02-25 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体
KR100745130B1 (ko) * 2006-02-09 2007-08-01 삼성전자주식회사 박막 증착 장치 및 방법
US20090004405A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Applied Materials, Inc. Thermal Batch Reactor with Removable Susceptors
JP5198299B2 (ja) * 2008-04-01 2013-05-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
JP5284182B2 (ja) * 2008-07-23 2013-09-11 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5658463B2 (ja) * 2009-02-27 2015-01-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

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