TWI540218B - Sputtering target and its manufacturing method - Google Patents

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Description

濺鍍靶及其製造方法
本發明係關於一種用於形成半導體裝置之薄膜之濺鍍靶。尤其是關於一種用於形成半導體銅合金配線之具備自我擴散抑制功能之銅錳合金濺鍍靶。
先前以來，半導體元件之配線材料一直使用Al合金(比電阻：3.0μΩ．cm左右)，但伴隨著配線之微細化，電阻更低之銅配線(比電阻：2.0μΩ．cm左右)逐漸實用化。作為銅配線之形成製程，通常係於在配線或配線槽形成Ta或TaN等擴散阻礙層後，將銅濺鍍成膜。對於銅而言，通常係將純度為4 N(除去氣體成分)左右之電解銅作為粗金屬，藉由濕式或乾式之高純度化製程，製造5 N~6 N之高純度者，並將其作為濺鍍靶使用。
如上所述，作為半導體用配線，銅非常有效，但銅本身為非常具有活性之金屬，易於擴散，從而會發生通過半導體Si基板或其上之絕緣膜而污染Si基板或其周圍之問題。特別是隨著配線之微細化，僅形成先前之Ta或TaN擴散阻礙層並不夠充分，亦要求銅配線材其本身之改良。因此，迄今為止作為銅配線材提出有以下具備自我擴散抑制功能之銅合金：將錳(Mn)添加於銅(Cu)，Cu-Mn合金中之Mn與絕緣膜之氧反應，而以自我形成之方式形成阻礙層(例如專利文獻1)。
上述濺鍍靶通常係使用背板及接合材料等接合。而 且，於使用靶後，需要停止濺鍍裝置來更換使用完畢之靶，為了儘量縮短該停止時間(down time)來削減製造成本，要求將靶與背板一體成型，並增加靶本身之厚度。然而，此種一體成型之靶存在以下缺點：機械強度不足，於濺鍍過程中靶會產生翹曲等變形。
為了克服此種缺點，例如於專利文獻2中揭示有以下技術：於靶與背板係利用相同材料製作之一體結構型靶中對靶進行塑性加工來提高機械強度，藉此即便以高輸出進行濺鍍，亦不會產生靶之翹曲等。然而，若為了提高靶整體之機械強度而變更塑性加工條件，則會有靶本身之濺鍍特性發生變化而無法滿足所期望之產品性能的問題。
又，於專利文獻3記載有以下技術：向濺鍍靶之非濺蝕部照射雷射而形成凹部，使該凹部底面之硬度小於非濺蝕部表面之硬度，藉此阻止粗大顆粒(particle)之產生。 然而，該技術係藉由雷射照射將熔化部分軟化，使凹部底面之硬度小於非濺蝕部之表面，而非提高靶之強度來抑制濺鍍時之靶變形之技術。
專利文獻1：日本特開2006-73863號公報
專利文獻2：日本特開2002-121662號公報
專利文獻3：日本特開平9-209133號公報
本發明之課題在於：於背板一體型濺鍍靶中，藉由僅提高靶之凸緣部的機械強度而可抑制濺鍍過程中之靶的變形，進而可在不會改變先前之濺鍍特性下，藉此形成均勻 性(uniformity)優異之薄膜，從而提高微細化、高積體化不斷發展之半導體產品的產率或可靠性。
本發明之課題尤其在於提供一種銅錳合金濺鍍靶，適於形成具有自我擴散抑制功能且可有效地防止活性Cu擴散導致配線周圍污染之抗電遷移(EM)性、耐蝕性等優異的半導體用銅合金配線。
為了解決上述課題，本發明提供以下發明：
1)一種背板一體型濺鍍靶，凸緣部之維氏硬度Hv為90以上，且凸緣部之0.2%降伏應力為6.98×107 N/m2以上。
2)如上述1)之背板一體型濺鍍靶，其中，濺鍍靶與背板係利用Cu-Mn合金形成。
3)如上述2)之背板一體型濺鍍靶，其中，濺鍍面中之(111)取向率為50%以下。
4)一種背板一體型濺鍍靶之製造方法，於對靶材進行塑性加工後，進一步僅對凸緣部進行塑性加工。
5)如上述4)之背板一體型濺鍍靶之製造方法，其中，濺鍍靶與背板係利用Cu-Mn合金形成。
本發明之背板一體型濺鍍靶具有以下優異效果：可藉由僅提高靶之凸緣部的機械強度而抑制濺鍍過程中之靶的變形，進而可在不會改變先前之濺鍍特性下，藉此形成均勻性(uniformity)優異之薄膜，從而可提高微細化、高積體化不斷發展之半導體產品的產率或可靠性。
尤其是一種適於形成半導體用銅合金配線之高純度銅 錳合金濺鍍靶，具有自我擴散抑制功能，可有效地防止活性Cu擴散導致之配線周圍污染，具有抗電遷移(EM)性、耐蝕性等優異之效果。
於本發明中，背板一體型濺鍍靶意指將濺鍍靶與背板一體化且利用相同材料製造。在先前之濺鍍靶與背板為2部分之產品中，由於可藉由背板保持機械強度，故即便如本發明般機械強度不足，亦不會有濺鍍過程中靶產生變形(翹曲等)之問題。變形問題對於如本發明般將濺鍍靶與背板一體化且使其具有充分之厚度者而言較為顯著。
於本發明中，背板一體型濺鍍靶係將凸緣部中之維氏硬度Hv設定為90以上，且將0.2%降伏應力設定為6.98×107 N/m2以上。
若凸緣部之維氏硬度Hv未達90，或0.2%降伏應力未達6.98×107N/m2，則靶整體之機械強度會不夠充分，因而濺鍍過程中之靶會產生翹曲，使膜厚均勻性(uniformity)降低，故而不佳。
於本發明中，所謂凸緣部係指用於將背板一體型靶裝設於濺鍍裝置之接合部分，並不計劃對凸緣部本身進行濺鍍。
又，於本發明中，背板一體型濺鍍靶較佳為利用Cu-Mn合金形成。Cu-Mn合金適於形成半導體用銅合金配線，具有自我擴散抑制功能，可有效地防止活性Cu擴散導致之配線周圍污染，具有抗電遷移(EM)性、耐蝕性等優 異之效果。
於上述Cu-Mn合金中，較佳為將Mn含量設定為0.05 wt%以上且20 wt%以下。若Mn含量未達0.05 wt%，則自我擴散抑制功能減小；若Mn含量超過20 wt%，則電阻增大，作為半導體用銅合金配線之功能降低，故而不佳。進而較佳為Mn含量為0.5 wt%以上10 wt%以下。
又，於本發明中，由Cu-Mn合金構成之背板一體型濺鍍靶較佳為將濺鍍面中之(111)取向率設定為50%以下。於濺鍍面中，若(111)取向率超過50%，則無法獲得先前之濺鍍特性，需要重新調整濺鍍條件，故而不佳。
又，於本發明中，背板一體型濺鍍靶之製造例如係對熔解所得之金屬或合金進行鑄造來製作鑄錠，並以特定之鍛造比對該鑄錠進行鍛造，然後以特定之軋縮率進行壓延而獲得壓延板。
進而，對該壓延板之外周部(相當於凸緣部)進行鍛造(捶打、模鍛等)來提高機械強度。於製作本發明之靶之情形時，對該壓延板之外周部進行鍛造是重要的。可藉由變更鍛造方法或鍛造條件來適當調整外周部之機械強度。然而，若最終可調整至維氏硬度Hv為90以上且0.2%降伏應力為6.98×107N/m2以上之範圍，則無需特別對該鍛造步驟加以限制。
繼而，以特定之溫度及時間對其進行熱處理。然後，進行精加工，製造出背板一體型濺鍍靶。
實施例
接著，基於實施例說明本發明。以下所示之實施例僅是為了易於理解，而並非要以該等實施例來限制本發明。即，本發明當然包含基於本發明技術思想之變形及其他實施例。
(實施例1)
於實施例1中，對熔解鑄造而得之Cu-Mn合金(Mn1 wt%)鑄錠進行鍛造壓延來製作壓延板，並進一步對該壓延板之外周部(相當於凸緣部)進行鍛造。繼而，於對其進行熱處理後進行急冷而獲得靶材料。然後，藉由機械加工製造出直徑為540 mm且厚度為25 mm之背板一體型濺鍍靶。對該靶之物性進行評價，結果凸緣部之維氏硬度Hv為98，凸緣部之0.2%降伏應力為7.25×107 N/m2，濺鍍面之(111)取向率為47.2%。
(實施例2)
於實施例2中，對熔解鑄造而得之Cu-Mn合金(Mn1 wt%)鑄錠進行鍛造壓延來製作壓延板，並進一步對該壓延板之外周部(相當於凸緣部)進行鍛造。繼而，於對其進行熱處理後進行急冷而獲得靶材料。然後，藉由機械加工製造出直徑為540 mm且厚度為25 mm之背板一體型濺鍍靶。對該靶之物性進行評價，結果凸緣部之維氏硬度Hv為95，凸緣部之0.2%降伏應力為7.13×107 N/m2，濺鍍面之(111)取向率為48.0%。
(實施例3)
於實施例3中，對熔解鑄造而得之Cu-Mn合金(Mn1 wt%)鑄錠進行鍛造壓延來製作壓延板，並進一步對該壓延板之外周部(相當於凸緣部)進行鍛造。繼而，於對其進行熱處理後進行急冷而獲得靶材料。然後，藉由機械加工製造出直徑為540 mm且厚度為25 mm之背板一體型濺鍍靶。對該靶之物性進行評價，結果凸緣部之維氏硬度Hv為91，凸緣部之0.2%降伏應力為6.98×107 N/m2，濺鍍面之(111)取向率為48.9%。
(實施例4)
於實施例4中，對熔解鑄造而得之Cu-Mn合金(Mn1 wt%)鑄錠進行鍛造壓延來製作壓延板，並進一步對該壓延板之外周部(相當於凸緣部)進行鍛造。繼而，於對其進行熱處理後進行急冷而獲得靶材料。然後，藉由機械加工製造出直徑為850 mm且厚度為25 mm之背板一體型濺鍍靶。對該靶之物性進行評價，結果凸緣部之維氏硬度Hv為97，凸緣部之0.2%降伏應力為7.24×107N/m2，濺鍍面之(111)取向率為47.1%。
(實施例5)
於實施例5中，對熔解鑄造而得之Cu-Mn合金(Mn0.5 wt%)鑄錠進行鍛造壓延來製作壓延板，並進一步對該壓延板之外周部(相當於凸緣部)進行鍛造。繼而，於對其進行熱處理後進行急冷而獲得靶材料。然後，藉由機械加工製造出直徑為540 mm且厚度為25 mm之背板一體型濺鍍靶。對該靶之物性進行評價，結果凸緣部之維氏硬度Hv為96，凸緣部之0.2%降伏應力為7.31×107N/m2，濺鍍面之 (111)取向率為48.2%。
(實施例6)
於實施例6中，對熔解鑄造而得之Cu-Mn合金(Mn10 wt%)鑄錠進行鍛造壓延來製作壓延板，並進一步對該壓延板之外周部(相當於凸緣部)進行鍛造。繼而，於對其進行熱處理後進行急冷而獲得靶材料。然後，藉由機械加工製造出直徑為540 mm且厚度為25 mm之背板一體型濺鍍靶。對該靶之物性進行評價，結果凸緣部之維氏硬度Hv為96，凸緣部之0.2%降伏應力為7.21×107N/m2，濺鍍面之(111)取向率為47.9%。
(實施例7)
於實施例7中，對熔解鑄造而得之Cu-Mn合金(Mn15 wt%)鑄錠進行鍛造壓延來製作壓延板，並進一步對該壓延板之外周部(相當於凸緣部)進行鍛造。繼而，於對其進行熱處理後進行急冷而獲得靶材料。然後，藉由機械加工製造出直徑為540 mm且厚度為25 mm之背板一體型濺鍍靶。對該靶之物性進行評價，結果凸緣部之維氏硬度Hv為95，凸緣部之0.2%降伏應力為7.19×107 N/m2，濺鍍面之(111)取向率為48.3%。
(比較例1)
於比較例1中，對熔解鑄造而得之Cu-Mn合金(Mn1 wt%)鑄錠進行鍛造壓延來製作壓延板。繼而，於對其進行熱處理後進行急冷而獲得靶材料。然後，對其進行機械加工，形成直徑為540 mm且厚度為25 mm之背板一體型濺 鍍靶。對該靶之物性進行評價，結果凸緣部之維氏硬度Hv為63，凸緣部之0.2%降伏應力為4.72×107N/m2，濺鍍面之(111)取向率為55.3%。
(比較例2)
於比較例2中，對熔解鑄造而得之Cu-Mn合金(Mn1 wt%)鑄錠進行鍛造壓延來製作壓延板。繼而，於對其進行熱處理後進行急冷而獲得靶材料。然後，對其進行機械加工，形成直徑為540 mm且厚度為25 mm之背板一體型濺鍍靶。對該靶之物性進行評價，結果凸緣部之維氏硬度Hv為51，凸緣部之0.2%降伏應力為3.92×107N/m2，濺鍍面之(111)取向率為53.2%。
(比較例3)
於比較例3中，對熔解鑄造而得之Cu-Mn合金(Mn1 wt%)鑄錠進行鍛造壓延來製作壓延板。繼而，於對其進行熱處理後進行急冷而獲得靶材料。然後，對其進行機械加工，形成直徑為540 mm且厚度為25 mm之背板一體型濺鍍靶。對該靶之物性進行評價，結果凸緣部之維氏硬度Hv為48，凸緣部之0.2%降伏應力為3.58×107 N/m2，濺鍍面之(111)取向率為54.1%。
(比較例4)
於比較例4中，對熔解鑄造而得之Cu-Mn合金(Mn1 wt%)鑄錠進行鍛造壓延來製作壓延板。繼而，於對其進行熱處理後進行急冷而獲得靶材料。然後，對其進行機械加工，形成直徑為850 mm且厚度為25 mm之背板一體型濺 鍍靶。對該靶之物性進行評價，結果凸緣部之維氏硬度Hv為62，凸緣部之0.2%降伏應力為4.70×107 N/m2，濺鍍面之(111)取向率為55.5%。
繼而，將實施例1~3、5~7、比較例1~3之靶裝設於濺鍍裝置，以輸入功率40 kW、Ar氣壓55 Pa進行濺鍍，並測定濺鍍後之靶之翹曲量(表1)。如表1所示，實施例1~3、5~7之靶之翹曲量為0.02 mm~0.05 mm，獲得了變形較比較例1~3之翹曲量0.8 mm~1.3 mm小之靶。
又，測定所形成之薄膜的片電阻值，算出該膜厚均勻性(表1)。如表1所示，使用實施例1~3、5~7之靶形成之薄膜的膜厚均勻性為2.3%~2.8%，與使用比較例1~3之靶時的膜厚均勻性為5.6%~6.3%相比，膜厚均勻性(uniformity)表現良好之結果。
再者，於實施例4及比較例4中，由於靶徑大，無法裝設於濺鍍裝置，故無法對濺鍍後之靶的翹曲量及薄膜的膜厚均勻性進行評價。然而，實施例4及比較例4中之靶的凸緣部維氏硬度、0.2%降伏應力、濺鍍面之(111)取向率分別與其他實施例及比較例為相同程度，據此可推測其能獲得相同效果(濺鍍後之靶的翹曲量、膜厚均勻性)。
藉由實施例5~7確認了即便於使Mn含量在0.05~20 wt%之範圍內變化時，亦可獲得良好之靶之物性，並可獲得濺鍍後之靶的翹曲量及膜厚均勻性。
[產業上之可用性]
本發明提供一種背板一體型濺鍍靶，具有以下優異效果：可藉由僅提高靶之凸緣部的機械強度而抑制濺鍍過程中之靶變形，進而可在不會改變先前之濺鍍特性下，藉此形成均勻性(uniformity)優異之薄膜，故可提高微細化、高積體化不斷發展之半導體產品的產率或可靠性。
本發明之背板一體型濺鍍靶尤其具有自我擴散抑制功能，適於形成可有效防止活性Cu擴散導致之配線周圍污染且抗電遷移(EM)性、耐腐蝕性等優異之半導體用銅錳合金配線。

Claims (5)

  1. 一種背板一體型濺鍍靶，係由Cu-Mn合金構成，該Cu-Mn合金係由Mn：0.05~20wt%，剩餘部分Cu構成，凸緣部之維氏硬度Hv為90以上，且凸緣部之0.2%降伏應力為6.98×107N/m2以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之背板一體型濺鍍靶，其中，濺鍍靶與背板係利用Cu-Mn合金形成。
  3. 如申請專利範圍第2項之背板一體型濺鍍靶，其中，濺鍍面中之(111)取向率為50%以下。
  4. 一種背板一體型濺鍍靶之製造方法，係製造申請專利範圍第1項之背板一體型濺鍍靶之方法，於對靶材進行塑性加工後，進一步僅對凸緣部進行塑性加工。
  5. 如申請專利範圍第4項之背板一體型濺鍍靶之製造方法，其中，濺鍍靶與背板係利用Cu-Mn合金形成。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4709378B2 (ja) * 1998-03-30 2011-06-22 オバン・エナジー・リミテッド 水不溶性物質のマイクロ粒子を製造するための組成物及び方法
US9773651B2 (en) 2012-01-12 2017-09-26 Jx Nippon Mining & Metals Corporation High-purity copper sputtering target
CN104066868B (zh) * 2012-01-23 2016-09-28 吉坤日矿日石金属株式会社 高纯度铜锰合金溅射靶
JP2014043643A (ja) * 2012-08-03 2014-03-13 Kobelco Kaken:Kk Ｃｕ合金薄膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
KR20170058459A (ko) * 2013-09-12 2017-05-26 제이엑스금속주식회사 배킹 플레이트 일체형의 금속제 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법
WO2016017432A1 (ja) 2014-07-31 2016-02-04 Jx日鉱日石金属株式会社 防食性の金属とＭｏ又はＭｏ合金を拡散接合したバッキングプレート、及び該バッキングプレートを備えたスパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体
JP6021861B2 (ja) * 2014-08-06 2016-11-09 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体
JP6202131B1 (ja) * 2016-04-12 2017-09-27 三菱マテリアル株式会社 銅合金製バッキングチューブ及び銅合金製バッキングチューブの製造方法
TWI663274B (zh) * 2017-03-30 2019-06-21 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 Sputtering target and manufacturing method thereof
US10760156B2 (en) * 2017-10-13 2020-09-01 Honeywell International Inc. Copper manganese sputtering target
US11035036B2 (en) 2018-02-01 2021-06-15 Honeywell International Inc. Method of forming copper alloy sputtering targets with refined shape and microstructure
WO2019225472A1 (ja) * 2018-05-21 2019-11-28 株式会社アルバック スパッタリングターゲット及びその製造方法
US11424111B2 (en) * 2020-06-25 2022-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Sputtering target assembly to prevent overetch of backing plate and methods of using the same
WO2024014429A1 (ja) * 2022-07-11 2024-01-18 古河電気工業株式会社 放熱部品用銅合金材および放熱部品

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3725052A (en) * 1969-09-13 1973-04-03 Foundation Res Inst Electric A Non-magnetic resilient manganese-copper alloy having a substantially temperature-free elastic modulus
JPH09209133A (ja) 1996-01-30 1997-08-12 Mitsubishi Materials Corp マグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット
JP3896431B2 (ja) * 1996-10-08 2007-03-22 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 銅または銅合金の製造方法
JPH11236665A (ja) 1998-02-20 1999-08-31 Japan Energy Corp スパッタリングタ−ゲット用バッキングプレ−ト及びスパッタリングタ−ゲット／バッキングプレ−ト組立体
JPH11335826A (ja) * 1998-05-27 1999-12-07 Ryoka Matthey Kk Ａｌ合金製スパッタリングターゲット材の製造方法
JP2001064771A (ja) * 1999-08-27 2001-03-13 Kojundo Chem Lab Co Ltd スパッタリングターゲット
US6878250B1 (en) 1999-12-16 2005-04-12 Honeywell International Inc. Sputtering targets formed from cast materials
US20040072009A1 (en) 1999-12-16 2004-04-15 Segal Vladimir M. Copper sputtering targets and methods of forming copper sputtering targets
JP2002121662A (ja) 2000-04-07 2002-04-26 Kojundo Chem Lab Co Ltd 一体構造型スパッタリングターゲット
JP3791829B2 (ja) 2000-08-25 2006-06-28 株式会社日鉱マテリアルズ パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット
JP3973857B2 (ja) 2001-04-16 2007-09-12 日鉱金属株式会社 マンガン合金スパッタリングターゲットの製造方法
WO2006025347A1 (ja) * 2004-08-31 2006-03-09 National University Corporation Tohoku University 銅合金及び液晶表示装置
WO2003052161A1 (fr) 2001-12-19 2003-06-26 Nikko Materials Company, Limited Procede pour assembler une cible en substance magnetique avec une plaque dorsale, et cible en substance magnetique
US20040016635A1 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Ford Robert B. Monolithic sputtering target assembly
JP4794802B2 (ja) 2002-11-21 2011-10-19 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 銅合金スパッタリングターゲット及び半導体素子配線
JP4223511B2 (ja) 2003-03-17 2009-02-12 日鉱金属株式会社 銅合金スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに半導体素子配線
EP1715077A4 (en) 2003-12-25 2010-09-29 Nippon Mining Co ARRANGEMENT OF COPPER OR COPPER ALLOY STARGET AND COPPER ALLOY CARRIER PLATE
JP5068925B2 (ja) * 2004-09-03 2012-11-07 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット
CN101065511A (zh) 2004-11-17 2007-10-31 日矿金属株式会社 溅射靶、溅射靶－背衬板组装体以及成膜装置
JP4706246B2 (ja) * 2004-12-07 2011-06-22 大同特殊鋼株式会社 多元系ターゲット材及びその製造方法
JP4756458B2 (ja) * 2005-08-19 2011-08-24 三菱マテリアル株式会社 パーティクル発生の少ないＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲット
CN101473059B (zh) * 2006-10-03 2013-03-20 Jx日矿日石金属株式会社 Cu-Mn合金溅射靶及半导体布线
EP2119808B1 (en) 2007-02-09 2014-09-17 JX Nippon Mining & Metals Corporation Target formed of sintering-resistant material of high-melting point metal alloy, high-melting point metal silicide, high-melting point metal carbide, high-melting point metal nitride, or high-melting point metal boride, process for producing the target, assembly of the sputtering target-backing plate, and process for producing the same
US8702919B2 (en) 2007-08-13 2014-04-22 Honeywell International Inc. Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof
JP5420328B2 (ja) 2008-08-01 2014-02-19 三菱マテリアル株式会社 フラットパネルディスプレイ用配線膜形成用スパッタリングターゲット
JP4567091B1 (ja) * 2009-01-16 2010-10-20 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ｃｕ合金膜および表示装置
US8551267B2 (en) 2009-01-22 2013-10-08 Tosoh Smd, Inc. Monolithic aluminum alloy target and method of manufacturing
JP5681368B2 (ja) 2010-02-26 2015-03-04 株式会社神戸製鋼所 Ａｌ基合金スパッタリングターゲット
KR20140016996A (ko) 2011-09-14 2014-02-10 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 고순도 구리망간 합금 스퍼터링 타깃
KR20130121199A (ko) 2011-09-14 2013-11-05 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 고순도 구리망간 합금 스퍼터링 타깃
US9773651B2 (en) 2012-01-12 2017-09-26 Jx Nippon Mining & Metals Corporation High-purity copper sputtering target
CN104066868B (zh) 2012-01-23 2016-09-28 吉坤日矿日石金属株式会社 高纯度铜锰合金溅射靶
CN104781447B (zh) 2013-03-07 2017-10-24 吉坤日矿日石金属株式会社 铜合金溅射靶

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