TWI531846B - 平板顯示裝置和製造其之方法 - Google Patents
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Description
相關申請案
本申請案宣告2010年6月7日在韓國知識產權局呈遞的申請案，並且其正式授與序列為第10-2010-0053597號的優先權以及優點，並將其所揭露的內容併入此處以作參考。
本發明的實施例涉及一種平板顯示裝置和製造其的方法。
在一般情況下，在平板顯示裝置中，用來形成薄膜電晶體的主動層延伸到儲存電容器，因此其是作為儲存電容器的下電極。
在這種情況下，由於多晶矽的突起被用於形成主動層，靜電可能會在儲存電容器的上電極和下電極之間。此外，用於形成主動層的多晶矽具有低導電率，使得主動層的下電極的區域可能增加，以確保或獲得所需的電容。
本發明實施例提供了一種平板顯示裝置，藉由透過位於閘極電極同一水平的第一儲存電極、從共同電壓線延伸的第二儲存電極、從汲極電極延
伸的第三儲存電極將儲存電容器平行排列以具有增加的電容，以及一種製造平板顯示裝置的方法。
根據本發明的實施例的態樣，平板顯示裝置包括：複數個像素區，每個區設在閘極線、數據線和共同電壓線的交岔上；薄膜電晶體(TFT)，位於該閘極線和該數據線相互交叉的這個區域裡，該TFT包括閘極電極、源極電極和汲極電極；以及儲存電容，設在該共同電壓線和該汲極電極相互交叉的這個區域裡，該儲存電容包括第一、第二和第三儲存電極。
該第一儲存電極可位於與該閘極電極的同一水平，該第二儲存電極可從該共同電壓線延伸並且與該第一儲存電極部分重疊，該第三儲存電極可從該汲極電極延伸並且與該第一儲存電極與該第二儲存電極重疊。
該TFT進一步可包括：主動層位在基板上；絕緣層位於該主動層上；以及複數個層間調整層位於該閘極電極上，其中，該閘極電極位於該絕緣層上，其中，該源極電極與該數據線整合地形成並且該源極電極透過在該層間調整層和該絕緣層中的孔洞接觸該主動層，以及其中該第三儲存電極透過在該層間調整層和該絕緣層中的孔洞接觸該主動層。
該儲存電容可進一步包括：絕緣層位在該基板上；第一層間調整層位於該第一儲存電極上；以及第二層間調整層位於該第二儲存電極上，其中該第一儲存電極位於該絕緣層上，其中該第二儲存電極位於該第一層間調整層上並且從該共同電壓線延伸，以及其中該第三儲存電極位於該第二層間調整層上，透過在該第一層間調整層和該第二層間調整層接觸該第一儲存電極並且從汲極電極延伸。
該第二儲存電極包括複數個第二儲存電極。
該裝置進一步可包括：保護層位於該第三儲存電極上；以及像素電極位於該保護層上並且藉由穿透該保護層而接觸該第三儲存電極。
該裝置進一步可包括：第一接觸孔透過在該第二儲存電極不位之區域裡的該第一層間調節層和該第二層間調整層來暴露該第一儲存電極；以及第二接觸孔透過在該第一儲存電極或該第三儲存電極所在的區域裡的保護層來暴露該第三儲存電極。
該第一接觸孔和該第二接觸孔可相互重疊。
該第一層間調整層和該第二層間調整層可包括至少一者，其選自由氮化矽和氧化矽所組成的群組。
該第二層間調整層可包括具有比該第一層間調整層還高的介電常數的材料。
該第二層間調整層可包括氮化矽。
該第二儲存電極可包括金屬或銦錫氧化物(ITO)。
該平板顯示裝置可是液晶顯示裝置。
根據本發明的實施例的另一態樣，一種製造平板顯示裝置的方法包括：準備像素區域所定義的基板，該像素區域包括薄膜電晶體(TFT)區域和儲存電容器區域；形成在該基板的TFT區域上的主動層；形成在基板上在第一方向延伸的閘極線，位於在TFT區域中的閘極電極，以及在該儲存電容器區域的該第一儲存電極；在平行於該閘極線的方向上形成共同電壓線，其隨著該儲存電容區域中的第二儲存電極從該共同電壓線延伸；形成數據線和源極電極在第二方向以跨過該閘極線；以及形成汲極電極在該TFT區域，其隨著該儲存電容區域中的第三儲存電極從該汲極電壓延伸。
該方法進一步可包括：形成第一層間調整層，其覆蓋該第一儲存電極；形成第二層間調整層，其覆蓋該第二儲存電極；以及形成第一接觸孔以
透過在該第二儲存電極不位於這個區域裡的該第一層間調節層和該第二層間調整層來暴露該第一儲存電極。
該方法進一步可包括：形成保護層，其覆蓋該第三儲存電極；以及形成第二接觸孔以透過在該第一儲存電極或該第三儲存電極所在的這個區域裡的保護層來暴露該第三儲存電極。
該第一接觸孔和該第二接觸孔可相互重疊。
該第一層間調整層和該第二層間調整層可包括至少一者，其選自由氮化矽和氧化矽所組成的群組。
該第二層間調整層可包括具有比該第一層間調整層還高的介電常數的材料。
該第二層間調整層可包括氮化矽。
該第二儲存電極可包括金屬或銦錫氧化物(ITO)。
該平板顯示裝置可是液晶顯示裝置。
100‧‧‧基板
101‧‧‧緩衝層
102‧‧‧絕緣層
103‧‧‧第一層間調整層
104‧‧‧第二層間調整層
105‧‧‧主動層
110‧‧‧閘極線
111‧‧‧閘極電極
111a‧‧‧通道區域
112‧‧‧第一儲存電極
120‧‧‧共同電壓線
121‧‧‧第二儲存電極
131‧‧‧汲極電極
131a‧‧‧汲極區域
132‧‧‧第三儲存電極
140‧‧‧數據線
141‧‧‧源極電極
141a‧‧‧源極區域
150‧‧‧保護層
200‧‧‧像素電極
CT1‧‧‧第一接觸孔(或第一接觸單元或開口)
CT2‧‧‧第二接觸孔(或第二接觸單元或開口)
TFT‧‧‧薄膜電晶體
STG‧‧‧儲存電容器
CTS‧‧‧源極電極接觸孔
CTD‧‧‧汲極電極接觸孔
本發明的上述及其他特點和態樣將藉由詳細地描述其示範性實施例及參照附圖將更加明顯：圖1是根據本發明的實施例來說明平板顯示裝置的平面圖；圖2是圖1中沿Ⅱ-Ⅱ’線截取的橫截面圖；圖3是根據本發明的實施例的圖1和2的平板顯示裝置的像素的電路圖；圖4到11是根據本發明的實施例來說明製造平板顯示器裝置的方法的橫截面圖；以及
圖12到14是根據本發明的實施例來說明平板顯示裝置的橫截面圖。
雖然示範性實施例能夠有各種修改和替代的形式，其中的實施例是藉由圖式中的示範的方式並且詳細地描述於此。然而它應該被理解成沒有任何意圖去限制所揭示的特殊形式的示範性實施例，但與此相反，示範性實施例是覆蓋所有落入本發明的範圍內的修改、等效和替代。在說明中，已知的技術和結構的詳細描述可以被省略，以免妨礙本發明的理解。
應理解的是，儘管此處用語第一、第二、第三等等都可用來形容各種元素，這些元素不應該被這些用語所限制。這些用語只是用來區分這個元素和另一個元素。
此處所使用的術語是僅用於描述特殊實施例的目的並且不是意圖限制示範性實施例。本文中，單數的形式也意圖包括複數的形式，除非文意另有清楚地指出。將進一步了解的是，本文所使用的用語“包括”和/或“包含”指定所述的特點、整數、步驟、操作、元素和/或組件的存在，但並不排除存在或增加一個或多個其他的特點、整數、步驟、操作、元素、組件和/或其群組。
在下文中，本發明的實施例將參照附圖來更充分地介紹。
圖1是根據本發明的實施例來說明平板顯示裝置的平面圖。
平板顯示裝置根據本發明實施例可能是一個有機發光顯示裝置或液晶顯示裝置。下文中，它會假設平板顯示裝置是液晶顯示裝置。
參考圖1，平板顯示裝置包括閘極線110、數據線140和共同電壓線120，其中閘極線110、數據線140和共同電壓線120相互交叉，並且定義像素區域。每個像素區域可包括薄膜電晶體(TFT)區域和儲存電容器(STG)區域。
在一個實施例中，TFT形成(或位於)閘極線110和數據線140相互交叉之處，其中包括閘極電極111、源極電極141和汲極電極131。共同電壓線120與閘極線110相隔且平行。STG位於(或形成於)共同電壓線120和延長的汲極電極131相互交叉之處，並包括第一儲存電極112、第二儲存電極121和第三儲存電極132。
TFT包括閘極電極111、源極電極141和汲極電極131，其中閘極電極111從排列在第一方向的閘極線110以第二方向延伸，源極電極141是排列在第二方向中的數據線140的一部分，並且汲極電極131藉由一間距(例如，預定的間隔)與源極電極141隔開。閘極電極111、源極電極141和汲極電極131位於主動層105上。源極電極141和汲極電極131藉由一間距(例如，預定的間隔)與閘極電極111隔開。然而，本發明的實施例不僅限於此並且源極電極141和汲極電極131可都部分重疊閘極電極111的頂端。當絕緣層位於主動層105上，閘極電極111位於絕緣層上並且複數個層間調整層位於閘極電極111上，源極電極接觸孔(或源極電極接觸開口)(CTS)和汲極電極接觸孔(或汲極電極接觸開口)(CTD)的可透過(或穿越)絕緣層和層間調整層。在源極電極141和汲極電極131可分別設在CTS和CTD中以在CTS和CTD的底部接觸主動層105。根據本發明的實施例，汲極電極131延伸到STG區域，其與TFT分離，並可能構成STG的第三儲存電極132。
在本發明的實施例中，STG與TFT分開的並且包括第一、第二和第三儲存電極112、121和132。STG的第一儲存電極112位於作為閘極電極111的同一水平。第二儲存電極121以共同電壓線120從第二儲存電極121延伸並與第一
儲存電極112部分重疊的這種方式來形成。第三儲存電極132以汲極電極131從第三個儲存電極132延伸並與第一儲存電極112和第二儲存電極121部分重疊的這種方式來形成。在這裡，第一、第二和第三儲存電極112、121和132都具有一區域(如預定的區域)，從而，他們的電容被確定。STG包括第一儲存電容器(圖3所示的STG1)，其包括第一儲存電極112、第二儲存電極121和插入在第一儲存電極112和第二儲存電極121之間的第一層間調整層103。此外，STG包括第二儲存電容(圖3所示的STG2)，其包括第二儲存電極121、第三儲存電極132以及插入在第二儲存電極121和第三儲存電極132之間的第二層間調整層104。因此，根據本發明的實施例的STG(或儲存電容)包括彼此平行排列的第一儲存電容器STG1和第二儲存電容STG2，並且STG的總電容是藉由將第一儲存電容器STG1的電容和第二儲存電容STG2的電容加在一起。
圖2是圖1中沿Ⅱ-Ⅱ’線截取的橫截面圖。為了方便描述的TFT和STG有別於對方
參考圖2，在本發明的實施例中，TFT包括位於基板100上的主動層105、位於主動層105上的絕緣層102、位於絕緣層102上的閘極電極111、位於閘極電極111上的第一層間調整層103以及位於第一層間調整層103上的第二層間調整層104。另外，源極電極141透過在第一和第二層間調整層103和104和絕緣層102中的源極電極接觸孔CTS來接觸主動層105，並且與作為單體的數據線140整合地形成，如圖1所示。此外，汲極電極131透過在第一和第二層間調整層103和104和絕緣層102中的汲極接觸孔CTD來接觸主動層105，並且其延伸到STG區域以形成第三儲存電極132，如圖1和圖2所示。
該STG包括位於基板100上的絕緣層102、位於絕緣層102上的第一儲存電極112、位於第一儲存電極112上的第一層間調整層103以及位於第一層間調整層103上的第二儲存電極121，並且以共同電壓線120從STG延伸的這樣方式
來形成。此外，STG包括位於第二儲存電極121上的第二層間調整層104。第三儲存電極132位於第二層間調整層104並且透過位於第一層間調整層103和第二層層間調整層104中的第一接觸孔(或第一接觸單元或開口)CT1接觸第一儲存電極112。如上所述，第三儲存電極132從TFT的汲極電極131延伸。
保護層150位於TFT和STG最上層表面，並且像素電極200可位於保護層150上。在這裡，第二接觸孔(或第二接觸單元或開口)CT2可藉由穿越(或透過)位在第三儲存電極132中的保護層150來形成，並且像素電極200的部分可透過第二接觸孔CT2接觸第三儲存電極132。
參考圖1和2，第一接觸孔CT1可以藉由穿越(或透過)在對應於第二儲存電極121所不在之處的部分的位置的第一和第二層間調整層103和104來可形成。再者，第二接觸孔CT2可藉由穿越(或透過)保護層150來形成以對應於第三儲存電極132或第一儲存電極112所在之處的部份。根據本發明的實施例，參考第一和第二接觸孔CT1和CT2的位置，第一和第二接觸孔CT1和CT2的位置和第二儲存電極121的排列與數目將參照圖12到14之後更多詳細地介紹。
圖3是根據本發明的實施例的圖1和2的平板顯示裝置的像素的電路圖。
包含於平板顯示裝置中的每個像素包括薄膜電晶體(TFT)、儲存電容(STG)以及液晶電容器(Clc)。TFT的閘極終端111電耦合到閘極線GL110並且接收閘極信號。TFT的源極終端141電耦合到數據線DL 140並且接收數據信號。該汲極終端131耦合到STG的一個終端和Clc的一個終端。Clc的另一終端耦合到彩色濾光共同電極電壓CF_Vcom並且STG的其他終端耦合到共同電壓線Vcom 120。根據本發明的實施例的STG包括彼此平行排列的儲存電容器STG1和第二儲存電容STG2。更具體而言，第一儲存電容器STG1包括第一儲存電極112和第二儲存電極121，而第二儲存電容器STG2包括第二儲存電極121和第三儲存
電極132。因此，根據本發明的實施例的儲存電容器可以比基於平行結構具有同樣面積和結構的典型電容器具有更大的電容量。
根據本發明的實施例的STG的電容中的增加現在是被計算的，在與只包括插入在第一儲存電極112和第二儲存電極121之間的第一層間調整層103的電容器(以下簡稱為典型的電容器)比較。在這裡，第一層間調整層103的介電常數和厚度分別是ε 1和d1，並且第二層間調整層104的介電常數和厚度分別是ε 2和d2。
典型的電容器的電容Cst藉由公式1所示。
其中S典型的電容器的面積。
根據本發明的實施例的第一STG STG1的電容Cst1也是藉由公式1所代表，由於第一STG STG1只包括插入於第一儲存電極112和第二儲存電極121之間的第一層間調整層103。
根據本發明的實施例的第二STG STG2的電容Cst2也是藉由下方公式2所代表，由於第二STG STG2只包括插入於第二儲存電極121和第三儲存電極132之間的第二層間調整層104。
因此，根據本發明的實施例的STG的電容對典型的電容器的電容的比是(Cst1+Cst2)/Cst=(Cst+Cst2)/Cst=1+(Cst2/Cst)。
實驗，當第一層間調整層103由具有約400Å/400Å的厚度的氧化矽/氮化矽(SiO2/SiNx)所形成，並且第二層間調整層104由具有約6000Å厚度的SiNx所形成，Cst2/Cst約為0.18。也就是說，根據本發明的實施例的STG具有比具有相同面積的典型的電容器的電容還高約18%的電容量。換句話說，如果本發明的STG被設計成具有與典型的電容器相同的電容量，STG可能具有典型的電容器的約84%的大小(基於1/1.18=0.84)。因此，如果在整個像素中的典型的電容器佔據的面積是約12%，並且根據實施例的STG被用於取代典型的電容器，則像素的孔徑比率將增加約2%。
圖4到11是根據本發明的實施例來說明製造平板顯示器裝置的方法的橫截面圖。
參考圖4，複數個像素區域可能被定義在基板100上。為了方便描述，像素區域包括TFT所在的TFT區域和STG所在的STG區域。正如圖4所示，阻隔層和/或緩衝層101可能位於基板100上，用以防止雜質離子的擴散以及水分或空氣滲透以及平坦化表面。
參考圖5，TFT的主動層105位於具有半導體材料的緩衝層101上並且絕緣層102(例如，圖6)定位以覆蓋主動層105。主動層105可由如非晶矽或多晶矽的無機半導體材料或有機半導體材料所形成，並可包括源極區域141a、汲極區域131a以及插入到源極區域141a和汲極區域131a之間的通道區域111a。根據本發明的實施例，主動層105沒有延伸到STG區域，只設在TFT區域。
參考圖6，閘極電極111位於絕緣層102上，在TFT區域中。由作為閘極電極111的相同材料所形成的第一儲存電極112位於STG區域處的絕緣層102上。閘極電極111從閘極線110延伸並且閘極線110位於在第一方向上延伸的基板100上，如圖1所示。
參考圖7，第一層間調整層103覆蓋閘極電極111和第一儲存電極112。然後，第二儲存電極121位於第一層間調整層103上，在STG區域中。在這裡，第二儲存電極121部分重疊(或重疊一部份)第一儲存電極112。參考圖1，第二儲存電極121並不包括整個第一儲存電極112，而是，改為不設在第一接觸孔CT1將位於的地方。第二儲存電極121從共同電壓線120延伸，並且共同電壓線120也設置以平行於閘極線110，如圖1所示。根據本發明的實施例，第二儲存電極121可由金屬或銦錫氧化物(ITO)所形成。如果第二儲存電極121是由一種金屬所形成，其導電性是巨大的，因此應用至共同電壓線120的共同電極信號可以防止被推遲。如果第二儲存電極121由ITO所形成，其中的孔徑率增加並且可能是優良的。
參考圖8，第二層間調整層104進一步覆蓋第二儲存電極121。在TFT區域中，源極電極接觸孔(CTS)和汲極電極接觸孔(CTD)形成(或通過)在第一層間調整層103、第二層間調整層104以及絕緣層102。在STG區域中，第一接觸孔CT1位於第一層間調整層103和第二層間調整層104，以對應第二儲存電極121不位於的部分(或位置)。如圖8所示，第一接觸孔CT1位於第二儲存電極121的右側。然而，本發明的實施例是不限於此，第一接觸孔CT1可能位於左側，這將在後面介紹。
絕緣層102、第一層間調整層103和第二層間調整層104每個可以都是絕緣體，每個可具有單層或多層結構，並且可以由有機材料、無機材料或有機/無機組成物所形成。
根據本發明的實施例，第一層間調整層103和第二層間調整層104可包括至少一個選自由氮化矽(SiNx)和氧化矽(SiOx)所組成的群組。特別是，第二層間調整層104可由具有比第一層間調整層103較高的介電常數的材料所形
成。因此，第一層間調整層103可由氧化矽(SiOx)所形成的和第二層間調整層104可由具有比氧化矽(SiOx)還高的介電常數的氮化矽(SiNx)所形成。
參考圖9，源極電極141和汲極電極131位於在TFT區域。在本發明的實施例中，源極電極141是數據線140的一部分。因此，數據線140是位在在第二方向延伸並穿越在第一方向延伸的閘極線110的基板100上。另外，根據本發明的實施例，汲極電極131延伸到STG區域，以便形成第三儲存電極132。參考圖9，源極電極141和汲極電極131分別透過CTS和CTD接觸主動層105。此外，第三儲存電極132透過第一接觸孔CT1接觸第一儲存電極112。
參考圖10，保護層150覆蓋源極電極141、汲極電極131和第三儲存電極132。此外，第二接觸孔CT2位於保護層150，以對應第三儲存電極132或第一儲存電極112的部分(或位置)。特別是，第二接觸孔CT2可能位於對應到第二儲存電極121所在的部分(或位置)，其可能增加像素的孔徑率。
參考圖11，像素電極200設置以覆蓋保護層150。像素電極200可由具有高功函數的ITO所形成，如銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)。然而，用於形成像素電極200的材料不限於上面的例子，並且像素電極200可由包括導電粒子的導電有機材料或導電膏所形成，其中導電粒子如銀、鎂、銅。如果使用導電膏以形成像素電極200，像素電極200可能藉由油墨印刷的方法來印刷，然後可以被塑化以準備電極。
圖12到14是根據本發明的實施例來說明平板顯示裝置的橫截面圖。
參考圖12，在本發明的實施例中，不像圖11的第一接觸孔CT1和第二接觸孔CT2不相互重疊，第一接觸孔CT1和第二接觸孔CT2可能相互重疊。
參考圖13，在本發明的實施例中，第一接觸孔CT1配置在第二儲存電極121的左邊，而第一接觸孔CT1配置在圖11中的第二個儲存電極121的右邊。第一接觸孔CT1設置以對應第二儲存電極121不位於的部分。
參考圖14，在本發明的實施例中，第二儲存電極121被分割，並且第一接觸孔CT1配置在被分割的第二儲存電極121之間。在這種情況下，至少有兩個第二儲存電極121可以被形成和並且在一平面圖中，孔可設在第二儲存電極121的中心。
因此，第一和第二接觸孔CT1和CT2的位置和儲存電極的排列、數量和形式可能不僅限於上述的描述，並且其可在本發明的範疇之內藉由該領域中通常技藝者所調整而改變。
根據本發明的實施例，儲存電容是平行地排列，因此其電容增加。此外，當保持相同的電容時，如果使用根據本發明實施例的儲存電容器而不是典型的電容器，則尺寸減小從而孔徑率增加。
雖然本發明已參照其中的示範性實施例來特定地顯示和描述，這將是被該領域中通常技藝者理解成在形式上的各種變化和細節可被執行於其中而未偏離在所附的申請專利範圍與其等效物中所定義的本發明精神和範疇。
100‧‧‧基板
101‧‧‧緩衝層
102‧‧‧絕緣層
103‧‧‧第一層間調整層
104‧‧‧第二層間調整層
105‧‧‧主動層
111‧‧‧閘極電極
112‧‧‧第一儲存電極
121‧‧‧第二儲存電極
131‧‧‧汲極電極
132‧‧‧第三儲存電極
141‧‧‧源極電極
150‧‧‧保護層
200‧‧‧像素電極
CT1‧‧‧第一接觸孔(或第一接觸單元或開口)
CT2‧‧‧第二接觸孔(或第二接觸單元或開口)
TFT‧‧‧薄膜電晶體
STG‧‧‧儲存電容器
CTS‧‧‧源極電極接觸孔
CTD‧‧‧汲極電極接觸孔
Claims (20)
- 一種平板顯示裝置，包括：複數個像素區，每個區設在閘極線、數據線和共同電壓線的交岔上；薄膜電晶體(TFT)，位於該閘極線和該數據線相互交叉的這個區域裡，該TFT包括閘極電極、源極電極和汲極電極；以及儲存電容，設在該共同電壓線和該汲極電極相互交叉的這個區域裡，該儲存電容包括第一、第二和第三儲存電極，其中，該第一儲存電極位於與該閘極電極的同一水平，該第二儲存電極從該共同電壓線延伸並且與該第一儲存電極部分重疊，該第三儲存電極從該汲極電極延伸並且與該第一儲存電極與該第二儲存電極重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其進一步包含基板，且其中該TFT進一步包括：主動層，位在該基板上；絕緣層，位於該主動層上；以及複數個層間調整層，位於該閘極電極上，其中，該閘極電極位於該絕緣層上，其中，該源極電極與該數據線整合地形成並且該源極電極透過在該些層間調整層和該絕緣層中的孔洞接觸該主動層，以及其中該第三儲存電極透過在該些層間調整層和該絕緣層中的孔洞接觸該主動層。
- 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其進一步包含基板，且其中該儲存電容進一步包括：絕緣層，位在該基板上；第一層間調整層，位於該第一儲存電極上；以及第二層間調整層，位於該第二儲存電極上，其中該第一儲存電極位於該絕緣層上，其中該第二儲存電極位於該第一層間調整層上並且從該共同電壓線延伸，以及其中該第三儲存電極位於該第二層間調整層上，透過在該第一層間調整層和該第二層間調整層接觸該第一儲存電極並且從汲極電極延伸。
- 如申請專利範圍第3項所述之裝置，其中該第二儲存電極包括複數個第二儲存電極。
- 如申請專利範圍第3項所述之裝置，進一步包括：保護層位於該第三儲存電極上；以及像素電極位於該保護層上並且藉由穿透該保護層而接觸該第三儲存電極。
- 如申請專利範圍第5項所述之裝置，進一步包括：第一接觸孔，透過在該第二儲存電極不位於之區域裡的該第一層間調節層和該第二層間調整層來暴露該第一儲存電極；以及第二接觸孔，透過在該第一儲存電極或該第三儲存電極所在之區域裡的保護層來暴露該第三儲存電極。
- 如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中該第一接觸孔和該第二接觸孔相互重疊。
- 如申請專利範圍第3項所述之裝置，其中該第一層間調整層和該第二層間調整層包括至少一者，其選自由氮化矽和氧化矽所組成的群組。
- 如申請專利範圍第3項所述之裝置，其中該第二層間調整層包括具有比該第一層間調整層還高的介電常數的材料。
- 如申請專利範圍第3項所述之裝置，其中該第二層間調整層包括氮化矽。
- 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該第二儲存電極包括金屬或銦錫氧化物(ITO)。
- 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該平板顯示裝置是液晶顯示裝置。
- 一種製造平板顯示裝置的方法，該方法包括：準備基板，其上定義像素區域，該像素區域包括薄膜電晶體(TFT)區域和儲存電容器區域；形成在該基板的TFT區域上的主動層；形成在基板上在第一方向延伸的閘極線，位於在TFT區域中的閘極電極，以及在該儲存電容器區域的該第一儲存電極；形成第一層間調整層，其覆蓋該第一儲存電極；在平行於該閘極線的方向上形成共同電壓線，其隨著該儲存電容區域中的第二儲存電極從該共同電壓線延伸；形成第二層間調整層，其覆蓋該第二儲存電極； 形成第一接觸孔以透過在該第二儲存電極不位於之區域裡的該第一層間調節層和該第二層間調整層來暴露該第一儲存電極；形成數據線和源極電極在第二方向以與該閘極線交叉；以及形成汲極電極在該TFT區域，其隨著該儲存電容區域中的第三儲存電極從該汲極電壓延伸。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，進一步包括：形成保護層，其覆蓋該第三儲存電極；以及形成第二接觸孔以透過在該第一儲存電極或該第三儲存電極所在的區域裡的保護層來暴露該第三儲存電極。
- 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該第一接觸孔和該第二接觸孔相互重疊。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該第一層間調整層和該第二層間調整層包括至少一者，其選自由氮化矽和氧化矽所組成的群組。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該第二層間調整層包括具有比該第一層間調整層還高的介電常數的材料。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該第二層間調整層包括氮化矽。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該第二儲存電極包括金屬或銦錫氧化物(ITO)。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該平板顯示裝置是液晶顯示裝置。
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