JP5762775B2 - 平板表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
Description
(Cst1+Cst2)/Cst=(Cst+Cst2)/Cst=1+(Cst2/Cst)
である。
101 バッファ層
102 絶縁層
103 第1層間調整層
104 第2層間調整層
105 活性層
110 ゲートライン
111 ゲート電極
111a チャンネル領域
112 第1ストレージ電極
120 共通電極ライン
121 第2ストレージ電極
131 ドレイン電極
131a ドレイン領域
132 第3ストレージ電極
140 データライン
141 ソース電極
141a ソース領域
CTS ソース電極コンタクトホール
CTD ドレイン電極コンタクトホール
CT1 第1コンタクト部
CT2 第2コンタクト部
150 保護層
Claims (18)
- 交互に交差して画素領域を定義するゲートライン、データライン及び共通電極ラインと、
前記ゲートライン及び前記データラインの交差部に形成され、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタと、
前記共通電極ライン及び延びた前記ドレイン電極の交差部に形成され、第1ストレージ電極、第2ストレージ電極及び第3ストレージ電極を備えるストレージキャパシタと、を備え、
前記薄膜トランジスタは、さらに
基板上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された絶縁層と、
前記ゲート電極上に形成された複数の層間調整層とを備え、
前記絶縁層上に前記ゲート電極を形成し、
前記ソース電極を前記データラインと一体に形成し、前記複数の層間調整層及び前記絶縁層を貫通して前記活性層と接触させ、
前記ドレイン電極を延ばして前記第3ストレージ電極を形成し、前記複数の層間調整層及び前記絶縁層を貫通して前記活性層と接触させ、
前記ストレージキャパシタは、さらに
前記基板上に形成された前記絶縁層を備え、
前記絶縁層上に前記第1ストレージ電極を形成し、
前記第1ストレージ電極上に、前記複数の層間調整層の内の第1層間調整層を形成し、
前記第1層間調整層上に、前記共通電極ラインを延ばして前記第2ストレージ電極を複数形成し、
前記複数の第2ストレージ電極上に、前記複数の層間調整の内の第2層間調整層を形成し、
前記第2層間調整層上に、前記第1層間調整層及び前記第2層間調整層を貫通して前記第1ストレージ電極と接触する前記第3ストレージ電極を形成し、
前記第1ストレージ電極は、前記ゲート電極と同一層に形成され、
前記第2ストレージ電極は、前記第1ストレージ電極と部分的にオーバーラップされ、
前記第3ストレージ電極は、前記第1ストレージ電極及び前記複数の第2ストレージ電極と部分的にオーバーラップされる平板表示装置。 - 前記第3ストレージ電極上に形成された保護層と、
前記保護層上に形成され、前記保護層を貫通して前記第3ストレージ電極と接触する画素電極と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。 - 前記複数の第2ストレージ電極が形成されていない位置に対応して、前記第1層間調整層及び前記第2層間調整層を貫通して形成された第1コンタクト部と、
前記第1ストレージ電極または第3ストレージ電極が形成された位置に対応して、前記保護層を貫通して形成された第2コンタクト部と、を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の平板表示装置。 - 前記第1コンタクト部と前記第2コンタクト部とは、オーバーラップされることを特徴とする請求項3に記載の平板表示装置。
- 前記第1層間調整層及び前記第2層間調整層は、
シリコン窒化物またはシリコン酸化物のうちいずれか一つ以上の物質で形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の平板表示装置。 - 前記第2層間調整層は、前記第1層間調整層より誘電率の高い物質で形成されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の平板表示装置。
- 前記第2層間調整層は、シリコン窒化物で形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の平板表示装置。
- 前記複数の第2ストレージ電極は、金属またはITOで形成されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の平板表示装置。
- 前記平板表示装置は、液晶表示装置であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の平板表示装置。
- 薄膜トランジスタ領域及びストレージキャパシタ領域を備える画素領域が定義された基板を準備する工程と、
前記基板上の薄膜トランジスタ領域に活性層を形成する工程と、
前記基板上に第1方向に過ぎるゲートライン、前記薄膜トランジスタ領域上のゲート電極、及び前記ストレージキャパシタ領域上の第1ストレージ電極を形成する工程と、
前記ゲートラインと平行した方向に共通電極ラインを形成し、前記共通電極ラインに延びて、前記ストレージキャパシタ領域上の第2ストレージ電極を共に形成する工程と、
前記ゲートラインと交差するように第2方向に過ぎるデータライン及びソース電極を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ領域にドレイン電極を形成し、前記ドレイン電極に延びて、前記ストレージキャパシタ領域上の第3ストレージ電極を共に形成する工程と、
前記第1ストレージ電極を形成した後、前記第1ストレージ電極を覆うように、第1層間調整層を形成する工程と、
前記第2ストレージ電極を複数形成した後、前記複数の第2ストレージ電極を覆うように、第2層間調整層を形成する工程と、
前記第1ストレージ電極は、前記ゲート電極と同一層に形成され、
前記共通電極ラインを延ばして形成した、前記複数の第2ストレージ電極は、前記第1ストレージ電極と部分的にオーバーラップされ、
前記ドレイン電極を延ばして形成した、前記第3ストレージ電極は、前記第1ストレージ電極及び前記複数の第2ストレージ電極と部分的にオーバーラップされる平板表示装置の製造方法。 - 前記複数の第2ストレージ電極が形成されていない位置に対応して、前記第1層間調整層及び前記第2層間調整層を貫通して、第1コンタクト部を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記第3ストレージ電極を覆うように、保護層を現成する工程をさらに含み、
前記第1ストレージ電極または前記第3ストレージ電極が形成された位置に対応して、前記保護層を貫通して第2コンタクト部を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の平板表示装置の製造方法。 - 前記第1コンタクト部と前記第2コンタクト部とは、オーバーラップされるように形成することを特徴とする請求項12に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記第1層間調整層及び前記第2層間調整層は、
シリコン窒化物またはシリコン酸化物のうちいずれか一つ以上の物質で形成されたことを特徴とする請求項10乃至13のいずれか一項に記載の平板表示装置の製造方法。 - 前記第2層間調整層は、前記第1層間調整層より誘電率の高い物質で形成されたことを特徴とする請求項10乃至14のいずれか一項に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記第2層間調整層は、シリコン窒化物で形成されたことを特徴とする請求項10乃至13のいずれか一項に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記複数の第2ストレージ電極は、金属またはITOで形成されたことを特徴とする請求項10乃至16のいずれか一項に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記平板表示装置は、液晶表示装置であることを特徴とする請求項10乃至17のいずれか一項に記載の平板表示装置の製造方法。
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