TWI521550B - 用於製造電子裝置或元件的方法、異方性導電膜、以及其使用之微孔載體帶或載體環 - Google Patents

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TWI521550B
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章旺 蔡
曾金仁
張家璞
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Description

用於製造電子裝置或元件的方法、異方性導電膜、以及其使用之微孔載體帶或載體環
本發明係關於一種電子裝置及元件的製造方法,該電子裝置及元件例如異方性導電膜(ACF)。本發明係作為揭露於Liang等人之美國專利公開第2010/0101700號申請案中(本專利文獻下稱「Liang‘700」)的發明改良方案。
關於本發明之背景討論可使用上述參考文獻「Liang‘700」。「Liang‘700」揭露一種具有導電粒子之非隨機陣列的ACF之製造方法,係提供具備微孔之非隨機陣列的載體網狀物,且將導電粒子分佈至微孔中。較佳地,將粒子分佈至載體網狀物上,使得每一孔隙中具有一個粒子。將載體網狀物搬送至與黏著膠膜接觸,並在接觸後將粒子搬送至薄膜。
本發明一表現形式係一種電子裝置(例如ACF)的製造過程,其使用具有在一表面上形成的微孔陣列的連續皮帶(載體帶)或環部(載體環),作為用於導電粒子的載體網狀物。所使用之皮帶某種程度上類似已公開之「Liang‘700」所揭露之製作過程中的網狀物。
本發明另一表現形式係一種載體帶,其有益於在前述製造過程中製造裝置元件(例如ACF),尤其是薄膜(COF)上之晶片,或玻璃(COG)裝置上之晶片。
本發明另一表現形式係一種載體帶或網狀物,其中微 孔設置於非隨機但可修改的圖樣中,用以降低週期性缺陷的影響。
另一表現形式係一種載體帶,以及一種載體帶的製造方法,該載體帶包含一延伸橫越過載體帶的接縫線,較佳地該接縫線具有一傾斜角度。
專利文獻「Liang‘700」所述之整體內容於此引用合併提出。
第1圖係繪示依據本發明之一實施例的製造過程,係使用在其表面上具有微孔125陣列之連續載體帶或載體環190。如第2圖所示,載體帶190係包含接縫線188。載體帶係由鄰接網狀物之切割端表面所形成,且以此處所述之黏著劑牢固該等表面,其中該等表面已依一傾斜角度進行切割。接縫線較佳地具一傾斜角度,即,小於90度(於網狀物之縱向邊緣進行量測),在與ACF之垂直出料方向平行的電極(舉例而言,一裝置如微晶片中的電極)不接觸薄膜中足夠數量之導電粒子以完成一電路,用以將此情況的頻率最小化。
接縫線依序地斷開皮帶上之微孔陣列,以及ACF表面上之導電粒子陣列。如果接縫線與皮帶呈90度,即,與皮帶之垂直出料方向平行,則自皮帶搬送導電粒子所製成之ACF中的導電粒子陣列將不包含接縫線對應區域中的導電粒子。如果接縫線寬度可比得上或大於電極寬度,則若接縫線角度與皮帶縱向邊緣呈90度角時,至少一電極可不接 觸任何導電粒子。另一方面,傾斜之接縫線確保每一電極將接觸足夠的導電粒子,用以在ACF上完成一電路。
接縫線的期望角度將依靠裝配有ACF之裝置中的電極方向而定。在許多應用例中,該角度大約為30度至80度,尤其是大約為35度至65度,更尤其是大約為45度。接縫線的最佳角度在長期使用或長期老化後係依靠接縫間隙和所需最小數量粒子來維持導電率。在一典型的LCD中,在ACF網狀物的垂直出料方向上一般係使用具有50微米節距(電極間相隔約30微米)的20微米(寬度)乘以1000微米(長度)電極。在接合區域中,ACF的75度角接縫線覆蓋4個電極時,45度角接縫線則覆蓋24個電極。因為接縫線區域中不存在或存在有少數導電粒子,所以在此例中,75度角接縫在寬闊區域中顯著地缺乏粒子或連接不良將較45度角接縫更加被注意到。第8圖係顯示接合具ACF的50微米節距之電極200後的放大400倍之顯微照片,其中粒子和粒子間節距約8微米。對應區域188’之具有40微米之接縫間隙的60度角接縫線不容納有任何導電粒子。在此特定例中,橫越接縫線的粒子間之距離或間隙沿著電極進行量測為80微米,且相當於小於1000微米接縫線十分之一的長度。與有58~60個橫越接縫線接觸電極的粒子相比,不橫越接縫線接觸電極的粒子有64~66個。具所需最小數量粒子以上以建立電性接觸為佳,通常每一電極約有5~10個粒子。
微孔陣列可直接地形成於連續皮帶上或載體網狀物 170上所塗佈之孔隙形成層194上。載體網狀物170之合適材料包含但不限於:聚酯類,例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)和聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯、聚醯胺、聚丙烯酸酯、聚碸類、聚醚類、聚醯亞胺和液晶聚合物,以及其摻合物、複合物、層壓板或夾層薄膜。在一實施例中,載體網狀物為杜邦股份有限公司(DuPont)市售之VN300TM a Kapton®(芳香族聚醯亞胺)。合適之孔隙形成層194可包含但不限於:熱塑性材料、熱固性材料或其先質、正型或負型光阻,或無機材料。
為實現粒子搬送的高產率,在本發明之一實施例中,載體網狀物之表面可加工有釋放材料的薄膜層,用以降低微孔之載體網狀物190和黏著膠層120間的吸附性。釋放層可藉由塗佈、印刷、噴塗、氣相沉積、熱傳遞,或者在微孔形成步驟之前或之後進行離子聚合或交聯來進行加工。如「Liang‘700」所揭露,釋放層之合適材料包含但不限於:含氟聚合物或寡聚物、矽油、氟矽酮、聚烯烴、蠟、聚環氧乙烷、聚環氧丙烷、具有長鏈疏水性嵌段或分支之介面活性劑,或者其共聚物或摻合物。
微孔可使用例如雷射蝕刻處理、浮凸壓印處理、沖壓處理、蝕刻處理和類似處理等製程在皮帶中形成。在一實施例中,使用UV準分子雷射蝕刻穿過光罩在聚亞醯胺網狀物上,以製造出相異的外形和尺寸圖樣。所製造出的微米圖樣和圖樣佈置之外形和尺寸係透過光罩設計而預先決定。接著微米圖樣可透過具備重覆執行步驟或掃瞄演算法 其中一者的投影蝕刻系統一起進行縫合。圖樣尺寸、外形和間隔的種類揭露於美國專利公開第2006/0280912號申請案以及「Liang‘700」中。固定之陣列圖樣可進行修改。在此例之圓形微孔中,圖樣可以「X-Y」作為表示,其中X代表孔隙直徑,Y則代表微米級之鄰接孔隙間邊緣至邊緣的距離。典型的微孔圖樣節距包含5-3、5-5、5-7和6-2圖樣。在某種程度上圖樣挑選將依靠每一電極上所需之粒子數量而定。為減少電極的最小接合空間,微孔圖樣可為交錯安排的。
第6圖係顯示光罩式雷射投影蝕刻系統的一例,該處雷射光束60通過光束成形光學元件62,用以平均射出之雷射強度。透過光罩64製造出期望之微孔圖樣佈置,用以產生具有期望尺寸和外形的複數雷射光束66。配合使用投影透鏡系統68,用以在網狀物中產生具有期望開口和深度的微孔,來調整光束強度或或光束脈衝數量。透鏡系統68可使用於光還原(optical reduction)。如以下討論,孔隙至孔隙之距離可以控制方式進行偏移或任意排列,如以下討論,用以降低接合過程中週期性線狀缺陷的影響。可挑選孔隙的尺寸,使得每一孔隙僅容納一個導電粒子。在一實施例中,導電粒子和微孔的直徑約為2至10微米,或橫越此例中之非圓形孔隙的孔隙。
依據本發明之一實施例,將微孔置於適當處,用以降低導電粒子圖樣中週期性/重覆性線狀缺陷的影響。在依據本發明之一實施例中,在微孔位置處進行受控制但可修改 的調整,用以避免這些缺陷。第7圖係依據本發明之一實施例概要性地繪示微孔圖樣的俯視圖。線AB代表X軸方向上的節距,線CD代表Y軸方向上的節距。在本發明之一實施例中,AB等於2*CD*sqrt 3,其中「sqrt 3」係指3的平方根。運用隨機亂數產生器,孔隙位置可在預先定義的變動程度內進行任意排列。孔隙至孔隙之距離的受控制之隨機變動此處稱為非恆定重覆節距(non-constant pitch repetition)。此一運算式為: 位置變動程度=[Norm.s.dist(rand()* 3.2,true)minus 0.5]*2* X%
其中Norm.s.dist為正常分佈函數,rand為隨機數字函數。相較於在-1到1之間作純隨機分佈,其係挑選正常分佈函數Norm.s.dist(rand())取代簡易隨機數字函數,使得該位置處的主要產生結果落於兩端點(例如,更多數據將接近1或-1其中一者)。Norm.s.dist(rand())函數係微軟之EXCEL試算表軟體所獨有的,但運用正常分佈函數和隨機數字產生器的概念應可應用於任何統計套裝軟體。依據本發明,X%係預定位置中的的變動程度。在一實施例中,X%可挑選自1至40%,較佳地約為3至20%,更佳地約為5至10%。運算式中的數值3.2代表標準正常分佈函數中的Σ 3.2(sigma)。X%係基於孔隙距離圖樣(例如,5-3、5-5等)來作挑選。2* X%(兩個鄰接孔隙的-1至1範圍內之變異因數)係指定方向上兩個孔隙間的最長可能距離,從而為兩個鄰接粒子間的最長可能距離。基於所使用之孔隙圖 樣,可計算出可能距離之中的導電粒子,因此可挑選出X%,使得距離與所需之導電粒子分佈相符。
施加流體粒子分佈過程和捕獲過程可影響導電粒子112之粒子沉澱物110,該處每一導電粒子被捕獲至單一微孔125中。可使用一些捕獲過程。舉例而言,如第5A圖至第5D圖中所示,可使用連續式滾壓之連續流體粒子分佈過程,用以僅捕獲一個導電粒子至每一微孔中。
第5A圖係繪示導電粒子112應用過程之前的微孔網狀物。粒子係自進料斗114施與至網狀物190表面之上。過剩粒子112A可如第5C圖中所示而被移除。塗佈粒子之網狀物190與具有膠黏表面的滾筒116接觸。該滾筒接觸並收集過剩粒子112A,而不捕獲微孔125內的粒子。滾筒116運送被移除的過剩粒子112A至抽吸裝置118,過剩粒子112A於該處藉由抽吸自滾筒116表面移除。
在一實施例中,微孔環部安置於具有懸臂滾筒的粒子填充塗料器上。舉例而言,異丙醇(IPA)中的3~6wt%之導電粒子分散液藉由機械攪拌和藉由執行流體過程進行混合,例如透過Cole Parmer公司市售之Masterflex蠕動泵浦的L/S 13蠕動管進行狹縫式塗佈。使用100%不飽和聚酯樹脂包繞之刮刷纏繞滾筒將導電粒子填充至微孔中。使用Shima American Co.公司市售之聚氨酯滾筒仔細地移除(在微孔外處的)過剩粒子,運用真空裝置回收導電粒子。回收粒子可被收集並重新循環至供應進料斗114,用於重新應用至網狀物190處。在一實施例中,可利用一個以上的執 行處110來確保每一微孔125中所捕獲的一個導電粒子112,從而最小化或降低不容納粒子的微孔數量。
所有微孔捕獲的粒子沉澱於黏著膠層上,用以建立導電圖樣,其中該粒子具備足夠數量之導電粒子,這並非必要的。雖然不詳盡,但依據「Liang‘700」中的其它實施例之描述,可施加其它過程,用於在微孔中捕獲粒子。然而,為避免尤其是在優良之節距應用例中所不樂見的短路狀況,每一微孔實質上不容納超過一個粒子,這是相當重要的。最佳微孔尺寸係依照所使用之粒子尺寸而定。
所捕獲之導電粒子112接著可自微孔陣列搬送至黏著膠層120上的預設位置。通常而言,這些被搬送的導電粒子間之距離必須大於展透閾值,該展透閾值為導電粒子開始連結或聚集處的密度閾值。一般而言,展透閾值係關於複數個導電粒子的微孔陣列結構之結構/圖樣函數。
在一替代例中,可使用非接觸之振動協助流體粒子分佈過程,用以完成導電粒子的執行和捕獲過程。該振動可藉由機械波源、電波源、磁性波源、音波源或超音波源來產生。為實現約高於90%的捕獲率,振動源頻率約可在1赫茲至1百萬赫茲間的範圍內,或約為100赫茲至100,000赫茲,或約為250赫茲至60,000赫茲。微孔直徑和粒子直徑間關聯的變動程度之寬度範圍可以此方式使其相符。
例如在流體之相關步驟後,利用一個或多個製程來移除過剩導電粒子,這是十分可取的。連續式滾壓之連續流體粒子分佈過程可包含清潔處理,用以自微孔陣列頂部移 除過剩導電粒子。清潔處理可為非接觸式之清潔處理、接觸式清潔處理,或非接觸式及接觸式清潔處理的有效組合。
粒子清潔處理的特定示範性之實施例係利用非接觸式清潔處理,其包含但不限於:一個或多個抽吸處理、送風處理,或噴塗溶劑處理。移除的過剩導電粒子可進行積聚,例如藉由抽吸裝置用以回收或重複利用。非接觸式抽吸處理可進一步地藉由施加清潔流體來進行協助,例如但不限於:噴塗溶劑或溶劑混合物,用以提高清潔效率。
本發明的特定其它示範性之實施例係利用接觸式清潔處理,用以自微孔陣列表面移除過剩導電粒子。接觸式清潔處理包含無縫毛氈、刮刷、刮刀、黏著材料,或膠黏滾筒的運用。當使用無縫毛氈時,亦可使用抽吸處理自無縫毛氈表面回收導電粒子,並重新清潔毛氈表面。在此毛氈/抽吸處理中,毛細作用力和抽吸作用力均可藉由所施加之抽吸力自無縫毛氈內部吸引出過剩導電粒子,用以移除並回收過剩粒子。此抽吸處理可進一步地藉由施加清潔流體、溶劑,或溶劑混合物來進行協助,用以提高清潔效率。
在流體填充步驟160之後,微孔中的導電粒子可搬送至基板130,其預先塗佈有未硬化之黏著膠層120,或在流程產線上已進行塗佈。微孔載體帶190藉由重覆填充和搬送粒子的步驟而重覆利用。
一種裝配第3A圖至第3F圖中繪示之皮帶或環部190的方法。網狀物300之端部301和302依適當/期望之接縫角度進行切割。網狀物300包含微孔125。在一實施例中, 切割表面藉由電暈放電而致動。網狀物300之端部301和302可安置於與使用真空平台或類似定位裝置的鄰接關係處中。端部301和302如第3A圖中所示般相鄰接。當接合口進行接合時,為了使得端部保持於適當處中,其可如第3B圖中所示般以膠帶305進行牢固。網狀物300之鄰接端部301和302的間隙306間填充有接合黏著劑308。當所挑選之接合切割端表面的接合黏著劑硬化或固化時,隨後其不黏附導電粒子並將粒子運送至網狀物表面上。合適之接合黏著劑包含但不限於:UV、水份、熱及室溫可硬化或固化之黏著劑,例如室溫可硫化之矽氧橡膠黏著劑、聚異氰酸酯黏著劑、UV硬化型黏著劑、環氧化合物及聚氨酯黏著劑、丙烯酸、多官能丙烯酸酯、多官能甲基丙烯酸酯、氰基丙烯酸酯、乙烯基醚、乙烯基酯、可硫化之熱塑性彈性體或不飽和橡膠。選擇性地,脫模劑(例如包含矽環氧化物或矽氧丙烯酸酯的氟或矽化合物)可混合至黏著劑成分中。在如第3C圖中所示之施加接合黏著劑308後,接合黏著劑308硬化為如第3D圖中所示之硬化黏著劑308’。網狀物300之背面310以塗佈料或黏著劑312(約1~50微米厚)進行加強,該塗佈料或黏著劑係可為與接合黏著劑相同類型的黏著劑。黏著劑312可選擇性地進一步以背膜(圖中未顯示)進行加強,該背膜例如為聚亞醯胺、聚醯胺、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碸類、多環烯烴,或相似者。UV硬化型黏著劑尤其為佳,因為其可迅速地硬化通過背膜。一旦背面層處之黏著劑硬 化,膠帶305可如第3F圖中所示般移除。此外,為了最小化接縫間隙的阻礙,在一實施例中,所黏附之接縫線可被磨至光滑,且在一實施例中,可藉由在顯微鏡下進行雷射蝕刻,而在接縫線區域中生成額外之微孔。很明顯地是,在硬化黏著劑308’和背面層處之黏著劑312之間,載體必須足夠堅固,以禁得起製造過程中皮帶內所產生的張力和壓力。第3圖中所繪示之方法可運用單一網狀物來執行,用以製造所述之環部,且該方法可運用兩個或更多網狀物來進行疊接網狀物,並製造較長之網狀物或具有較大直徑之環部。在後者的例子中,所疊接之網狀物可具有兩個或多個接縫線。
第4圖係繪示本發明之另一實施例,其中網狀物300藉由一對緣部膠帶330、340沿著網狀物300邊緣在接縫線320端部進行加強。這些緣部膠帶的加強部位可由任一種類材料所製成。一種特別有用之緣部加強材料係結構性黏著膠帶,例如鋁帶。
如第1圖所示,基板或離型薄膜130上具有黏著劑成分120。黏著劑成分可為環氧化合物之組成物。在一實施例中,其成分揭露於美國專利公開第2010/0317545、2010/0101700、2009/0181165號申請案,美國專利第7,923,488、4,740,657、6,042,894、6,352,775、6,632,532號,以及期刊J.Appl.Polymer Sci.,56,769(1995)和期刊J.Mater.Sci.,(2008)43,3072-3093中,其所述之整體內容於此引用合併提出。在一實施例中,黏著劑容納有核殼橡膠 粒子,例如以含量約0.5~10wt%的陶氏化學公司(Dow Chemical Company)之EXL2335作為韌化劑或相容劑之成分。
為實現自微孔環部搬送粒子至黏著膠層120的高產率,黏著膠層120之內聚力量應不小於黏著膠層和微孔陣列125之間的吸附力量,且黏著膠層和微孔陣列之間的吸附力量應小於黏著膠層和運送黏著膠層之基板130(離型襯墊)之間的吸附力量。黏著劑對微孔陣列薄膜或離型襯墊的吸附力量可藉由釋放塗層和微孔陣列薄膜的特性、黏著劑成分,以及包括電暈及離子處理的表面處理運用,或其混用合併用來控制。
在依據本發明之一實施例中,所塗佈之黏著劑可在接觸微孔載體帶之前進行預先調整或退火。預先調整之溫度通常高於黏著劑之熱變形或玻璃轉移溫度,並且低於該處黏著劑開始硬化的起始溫度。在一實施例中,黏著劑之玻璃轉移溫度約為20℃,且黏著劑之起始硬化溫度約為60℃。在這些條件下,約25至35℃的預先調整或退火溫度是有幫助的。
以下表格顯示在黏著劑和基板130間之釋放力或吸附性上的預先調整影響。此比較表使用四種塗佈成分。結果顯示如下。在所有例子中,強勁的釋放力係取決於預先調整。
在一實施例中,微孔載體帶190和黏著膠層120之間相對於皮帶190表面的剝離角度在略高於0度至135度的範圍內。在一些選定之實施例中,較佳地剝離角度在約30度至90度的範圍內。另外,粒子搬送過程中,令人滿意地黏著膠層之表面溫度在約0℃至90℃的範圍內。在特定選定之實施例中,較佳地黏著膠層之表面溫度在約15℃至60℃的範圍內。此外,令人滿意地將粒子搬送過程的壓力維持在約0.1MPa至100MPa的範圍內。再者,令人滿意地黏著膠層具有約0.01MPa至100MPa範圍內的楊氏模數。在一些實施例中,較佳地黏著膠層可具有約0.1MPa至10MPa範圍內的楊氏模數。為促進粒子之搬送,在粒子搬送步驟的過程中或之前,黏著劑可在位於或接近第1圖中的位置120A處,以熱進行軟化或以揮發性溶劑進行增塑。在粒子搬送過程之後,黏著劑可在第1圖中之位置120B處冷卻,或者揮發性溶劑在第1圖中之位置120B處被揮發。
黏著劑之(楊氏)模數或內聚力量對於成功進行搬送而言亦相當重要。黏著劑之該模數可藉由調整黏著劑中殘餘溶劑的含量,且/或藉由調整搬送溫度,來進行調整。其可應用至數個例子中,舉例而言,在搬送溫度超過約40℃時,可獲得令人滿意的模數。改變殘餘溶劑的成分和含量可影響搬送溫度的範圍區間,且在一些例子中可將搬送溫 度傳遞至室溫。
在一些例子中,使用在黏著劑厚度上具有模數梯度分佈的黏著膠層係有利的,該分佈係在離型襯墊側邊上具有較高之模數,而於黏著劑側邊上具有較低之模數。該模數梯度可藉由自導電粒子分佈過程中採用微量溶劑,或調整搬送過程中所採用之溫度梯度,或兩者均使用來達成。溫度梯度可藉由施加表面加熱源,或自離型襯墊使用散熱片,或兩者均使用來達成。表面加熱源可為但不限於:加熱捲筒、紅外線光源、空氧熱源或輻射源。合適的該等例示熱源之組合亦可為令人滿意地。
通常而言,黏著膠層120配置於基板130上,例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)和聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯、聚醯胺、聚丙烯酸酯、聚碸類、聚醚類、聚醯亞胺,和液晶聚合物薄膜。在搬送導電粒子之後,薄膜被縱向切開並捲繞成卷筒。接著基板之背面接觸黏著劑之頂部表面。在這種情況下,為了具有恰當的釋放,則必須滿足下列條件:在一導電粒子搬送過程之非限定實施例中,在黏著膠層和微孔陣列之間可運用差速剪切製程。藉由塗佈有黏著劑之離型襯墊和微孔陣列間的網狀物之速度差異,以實現差速剪切。離型襯墊之網狀物速度可稍微地大於或小於微孔陣列速度。
將導電粒子搬送至黏著膠層之後,粒子可部分地嵌入黏著膠層中。該等部分嵌入之導電粒子可提升ACF的接合 效果,使其具較高之吸附力量、減少空隙,和較低之接觸阻力。選擇性地,將導電粒子搬送至黏著膠層之後,黏著膠層可進一步地進行加工處理,用以在黏著膠層上增加模數梯度和黏度梯度,使得黏著劑表面側方向上的導電粒子擁有較高之模數和較高之黏度。較高之模數和較高之黏度可在ACF接合應用過程中幫助維持導電粒子處於其非隨機陣列位置。黏著膠層上之黏度梯度可藉由施加加熱處理來達到,其包含但不限於:表面熱輻射、紅外線輻射、紫外線輻射,或加熱捲筒之加熱處理。合適之該等加熱處理之組合亦可為有效的。
如「Liang‘700」中所揭露,第二基板140可選擇性地實施於黏著膠層的頂部側邊上,用於保護和提高黏著劑之釋放特性。黏著膠層130和第一基板或第二基板140之間的吸附力量必須小於黏著膠層之內聚力量。黏著膠層和第一基板之間的吸附力量必須大於黏著膠層和第二基板之間的吸附力量。黏著膠層和第一基板之間的吸附力量必須小於黏著膠層和所接合之基板之間的吸附力量,該接合之基板例如印刷電路板、軟性電路板、高分子薄膜、玻璃等,可在ACF接合應用之預先接合過程後釋放基板。
成品薄膜100可直接使用作為非隨機陣列ACF之概略圖,其中導電粒子112位於黏著膠膜120頂部,可不完全地由黏著劑所覆蓋。選擇性地,尤其是當粒子濃度為高時,黏著膠層的額外添加薄膜層可覆蓋塗佈至作為搬送粒子層者之上,用以提高非隨機陣列ACF薄膜的黏著性。不同於 作為黏著膠膜120的黏著劑可利用來作為覆蓋塗佈。
成品薄膜100可進一步地在具有基板140之層壓台180處進行層壓,該基板選擇性地預先塗佈有黏著劑,最終兩個基板130和140之間夾有非隨機陣列ACF 100。黏著劑120和兩個基板130、140之間的吸附力量應小於黏著劑之內聚力量。為促進兩個基板在接合過程中自黏著劑相繼剝離,較佳地吸附力量之其中一者實質上大於另一者。
上述之處理(過程)中所使用之黏著劑可為熱塑性、熱固性,或其先質。有益之黏著劑包含但不限於:壓敏性黏著劑、熱熔性黏著劑、熱或輻射硬化型黏著劑。黏著劑可包含例如:環氧化物、酚醛樹脂、胺-甲醛樹脂、聚氧代氮代苯并環己烷、聚氨基甲酸酯、氰酸酯、丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基聚合物、橡膠例如聚苯乙烯丁二烯共聚物(poly(styrene-eo-butadiene))和其嵌段共聚物、聚烯烴、聚酯、不飽和聚酯、乙烯基酯、環氧樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、聚己內酯、聚醚類,以及聚醯胺。環氧化物、氰酸酯和多官能丙烯酸酯尤其有益。可使用包含潛伏型硬化劑的催化劑或硬化劑,用以控制黏著劑之硬化動力。對環氧樹脂有益之硬化劑包含但不限於:氰胍(DICY)、己二酸二肼、2-甲基咪唑和其囊封產物,例如分散於液態雙酚中的「Novacure HX」(一種旭化成工業株式會社(Asahi Chemical Industry)製造之環氧化合物)、胺類例如乙二胺、二伸乙三胺、三伸乙基四胺(triethylene tetraamine)、三氟化硼之胺加合物、東信化學藥品 (Ajinomoto Co.,Inc)製造之「Amicure」、鋶鹽例如二氨基二苯砜、對羥基苯苄基甲基鋶六氟銻酸酯(p-hydroxyphenyl benzyl methyl sulphonium hexafluoroantimonate)。耦合劑包含但不限於:鈦酸酯、鋯酸鹽和矽烷耦合劑,例如亦可使用環氧丙三甲基矽氧烷(glycidoxypropyl trimethoxysilane)和3-氨丙基三甲氧基矽烷(3-aminopropyl trimethoxy-silane),用以提高ACF之耐久性。在環氧基之ACF效果中硬化劑和耦合劑之影響已於期刊J.Appl.Polym.Sci.,56,769(1995)(S.Asai等人之著作)中所揭露。該論文之整體內容於此引用合併提出。
本發明之一實施例的合適導電粒子為具有約小於標準偏差10%的精密粒子尺寸分佈,較佳地,約小於5%,更佳地約小於3%。粒子尺寸較佳地在約1μ至250μ的範圍內,更佳地在約2μ至50μ的範圍內,進一步更佳地在約2μ至6μ的範圍內。經由挑選微孔和導電粒子的尺寸,使得每一微孔具有有限空間,僅用以容納一個導電粒子。為促進粒子填充和搬送過程,如「Liang‘700」所示可利用具備傾斜壁的微孔,而該傾斜壁具有比底部寬闊的頂部開口。
導電粒子特別較佳地包含聚合之核心和金屬殼。有益之聚合核心包含但不限於:聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯、環氧樹脂、聚氨基甲酸酯、聚醯胺、酚類、聚二烯、聚烯烴、胺基塑膠例如三聚氰胺甲醛樹脂、尿素甲醛樹脂、苯胍胺甲醛和其寡聚物、共聚物、摻合物或複合物。如果使用混合式材料作為核心,較佳地核心中 可具有碳、二氧化矽、氧化鋁、氮化硼、二氧化鈦和黏土之奈米粒子或奈米管作為填充物。金屬殼的合適材料包含但不限於:金、鉑、銀、銅、鐵、鎳、錫、鋁、鎂和其合金。具有相互穿透之金屬殼的導電粒子對於最佳硬度、導電率和抗腐蝕性而言尤其有益,該金屬殼例如鎳/金、銀/金、或鎳/銀/金。具有剛性穿突(rigid spike)之粒子(例如鎳、碳、石墨)係有益於提升因穿透至腐蝕性薄膜(如果具備的話)中使得連接電極易受腐蝕的可靠性。
可透過下述例示來準備對本發明有益之精密分佈的聚合物粒子,例如美國專利第4,247,234、4,877,761、5,216,065號中所教示的種子乳液聚合,以及期刊Adv.,Colloid Interface Sci.,13,101(1980)、期刊J.Polym.Sci.,72,225(1985)和「聚合物膠體的未來發展方向(Future Directions in Polymer Colloids)」、El-Aasser和Fitch編輯、第355頁(1987)、馬蒂努斯.尼約夫出版社(Martinus Nijhoff Publisher)中所描述的奧格史泰溶脹粒子製程(Ugelstad swollen particle process)。在本發明之一較佳實施例中,使用直徑約5μ的單一分散之聚苯乙烯乳膠粒子作為可變形之彈性核心。粒子之第一次加工處理係在甲醇中溫和攪拌,用以移除過剩之介面活性劑,並用以在聚苯乙烯乳膠粒子上生成微孔表面。接著,在採用包含二氯化鈀PdCl2、氯化氫HCl和二氯化錫SnCl2的溶液中透過洗淨並以水過濾,使得加工處理過之粒子活化,用以移除Sn4+離子,接著浸入(例如表面科技公司、新澤西州特倫頓(Surface Technology Inc,Trenton,N.J)之)包含有鎳化合物和次磷酸鎳的約90℃無電電鍍鎳溶液中約30至50分鐘。鎳電鍍之厚度係由電鍍溶液濃度和電鍍條件(溫度和時間)所控制。
接著,塗佈有鎳之乳膠粒子安置於(例如美商樂思化學有限公司(Enthone Inc.)之)包含有四氯金酸(hydrogen tetraehloroaurate)和乙醇的約90℃金電鍍浸入溶液中約10至30分鐘,用以形成相互穿透總金屬(鎳+金)厚度約1μ的金/鎳殼。鍍金/鎳之乳膠粒子以水洗淨,並準備用於流體填充步驟。舉例而言,美國專利第6,906,427號(2005年)、美國專利第6,770,369號(2004年)、美國專利第5,882,802號(1999年)、美國專利第4,740,657號(1988年)、美國專利第20060054867號申請案,以及期刊Chem.Mater.,11,2389-2399(1999)中已教示有藉由無電電鍍且/或電鍍在粒子上塗佈導電殼的製程。
舉例而言,美國專利第6,274,508、6,281,038、6,555,408號、6,566,744,以及6,683,663號中已揭露有IC晶片或焊錫球之射流封裝於基板或顯示材料之網狀物的凹處或孔洞中。舉例而言,美國專利第6,672,921、6,751,008、6,784,953號、6,788,452,以及6,833,943號中已揭露有電泳或液晶液之頂層封裝和填充至浮凸之網狀物的微杯中。舉例而言,美國專利第5,437,754、5,820,450,以及5,219,462號中已揭露有藉由填充至浮凸之載體網狀物凹處中以具有精確間距的研磨物件之製備,以及包含複數個分佈於硬化型黏著 劑先質中之研磨粒子的研磨混合式拋光液。所有上述美國專利之整體內容於此引用合併提出。在上述之先前技術中,基板上的凹處、孔洞或微杯係藉由例如浮凸壓印、沖壓或蝕刻製程所形成。接著,各種材料為了各種應用填充至凹處或孔洞中,該等應用包含主動式矩陣薄膜電晶體(AM TFT)、球狀柵格陣列(BGA)、電泳和液晶顯示器。
本發明係透過以下的非限制性實施例繪示詳細細節。
實施例1
以杜邦股份有限公司(DuPont)市售之Kapton聚亞醯胺薄膜VN300為基礎的微孔薄膜(PIMC)以碳化鎢刀片切割預設之傾斜角度。兩個PIMC切割側壁以速度3英吋/分鐘、電暈與基板距離1/4英吋,和功率40W的條件進行電暈加工處理。在兩個側壁塗佈Gelest公司的1%聚亞醯胺吸附促進劑(胺苯基三甲氧矽烷混合異構體、aminophenyl trimethoxysilane mixed isomera)溶液,並且在空氣中乾燥至少15分鐘。PIMC的兩個端部置於具有微孔朝上之光盒頂部上。光盒具有平滑且半透明的表面,用以提供良好的視覺對齊效果。將兩個端部一起置於真空狀態下,用以形成環部,並且盡可能減少(選擇性地在顯微鏡下)接縫線的間隙。一條膠帶(例如型號Ideal 9190之膠帶)安置於接縫線之孔隙側邊上。將填充材料(例如康道寧公司Dow Corning型號SE9187L之矽酮密封劑)自非孔隙側邊塗佈至接縫間隙。讓間隙填充材料硬化,且對非孔隙側邊的整個接縫區域進行電暈加工處理。將12.5μ之PET(聚乙烯對 苯二甲酸酯)薄膜上包含有7.5μ之DAP公司之DAP Weldwood接觸膠合劑(多氯化橡膠黏著劑)的背膜塗佈到非孔隙側邊上,用以加強接縫線。讓微孔側邊上的膠帶剝離,且準備將已縫合之PIMC環部用於架置到如第1圖中所示之示意圖內的粒子填充和搬送臺上。
實施例2
除了重覆實施例1步驟之外,背膜替代為樂泰公司(Locktite)之瞬間膠(instant mixing epoxy)(初固期5分鐘)塗層。觀測顯示,即使環部受到600~1000公克/英吋的拉伸張力,所產生之樣本仍具備強而有力的抗拉強度,且接縫線之間隙沒有變化。
實施例3
除了重覆實施例1步驟之外,填充材料改為含有98 wt%環氧化合物功能性釋放塗層UV9300和2 wt%陽離子光起始劑UV9390C(兩者均為邁圖專用化學品公司、哥倫布、俄亥俄州(Momentive,Columbus.OH)之產品)的UV硬化型成分。填充材料使用Dymax公司型號為BlueWave® 200 UV的聚光燈進行硬化過程。
實施例4
重覆實施例3步驟,且在如第4圖所顯示之接縫線端部處,使用3M公司型號425之鋁箔膠帶膠帶(2.8密耳之鋁背層和1.8密耳之丙烯酸黏著劑)塗佈至縫合環部的每一邊緣。觀測顯示,即使環部受到500~1000公克/英吋的拉伸張力,所產生之樣本仍具備強而有力的抗拉強度,且接 縫線之間隙沒有變化。
實施例5
以杜邦股份有限公司(DuPont)市售之Kapton聚亞醯胺薄膜VN300為基礎的PIMC薄膜以碳化鎢刀片在60度角處進行切割。微孔環部藉由與微孔網狀物之兩個切割端鄰接,且以含有98 wt%環氧化合物功能性釋放塗層UV9300和2 wt%陽離子光起始劑UV9390C的UV硬化型成分填充間隙而製成。填充材料使用Dymax公司型號為BlueWave® 200 UV的聚光燈進行硬化過程。將日東電工股份有限公司(Nitto Denko K.K)之1密耳之聚亞醯胺膠帶P-221 AMB在非孔隙側邊上進行層壓,用以覆蓋接縫線之整個區域,且縫合環部之兩個邊緣進一步地以3M公司型號425之鋁箔膠帶膠帶進行加強。第9圖係環部中填充有UV硬化型成分的寬度3μ之45度角接縫線的照片例示圖。接著,微孔環部架置在如第1圖中所示之示意圖的粒子填充和搬送臺之上。
精密尺寸分佈的5%導電粒子分佈於95%異丙醇(IPA)中,運用狹縫式塗佈施與至微孔環部之上。運用100%不飽和聚酯樹脂包繞之刮刷纏繞滾筒將粒子填充至微孔中。使用橡膠滾筒將(在微孔外的)過剩粒子仔細地移除。所挑選之微孔尺寸實質上每一微孔僅能捕獲一個導電粒子。在此例中,所使用之直徑3.2μ的鎳/金粒子係日本化學工業股份有限公司(Nippon Chemical K.K)所生產,而微孔直徑為5μ。
實施例6
除了重覆實施例5之外,填充材料之UV硬化型成分改為99 wt% UV681(美國永固工業、波茲鎮、賓夕法尼亞洲所生產、Permabond,Pottstown,PA)和1 wt% Ebecryl 350(氰特工業、伍德蘭公園、新澤西州所生產、Cytec,Woodland Park,NJ),且聚亞醯胺背膜加強膠帶改為預先塗佈有約0.5密耳之UV硬化型丙烯酸酯3922(樂泰公司、西湖、俄亥俄州所生產、Loctite,Westlake,OH)的0.5密耳之PET基板。填充材料和背膜加強部分均使用BlueWave® 200 UV的聚光燈進行硬化過程。觀測顯示,即使環部受到500~1000公克/英吋的拉伸張力,所產生之樣本仍具備強而有力的抗拉強度,且接縫線之間隙沒有變化。在粒子搬送過程後,接縫線之平均間隙約為16μ,且整個接縫區域中觀測到並無導電粒子聚結。
實施例7
一種異方性導電膠膜,其包含:一離型襯墊,具有可在熱且/或壓力應用處理下移除的釋放塗層;一非導電膠層,厚度9至18μ,可在熱且/或壓力應用處理下進行軟化;以及一導電粒子層,位於非導電膠層之頂部上,係在固定陣列圖樣PIMC載體環帶上運送導電粒子層進行層壓所形成。非導電膠容納有透過在管道中混合製程一起進行混合的樹脂和固化劑。非導電膠層在管道中電暈加工處理之離型襯墊上以5至10fpm的速度由狹縫式塗料器進行塗佈。在對導電粒子進行層壓之前,依照塗佈速度將黏著劑所塗 佈之薄膜在20至55℃中進行預熱,用以移除殘餘溶劑。在層壓步驟之後,導電粒子嵌入非導電膠層中,並形成有異方性導電膠膜,接著依照塗佈速度,在約75至80℃的溫度時將薄膜通過乾燥箱,用以移除溶劑。將異方性導電膜和離型襯墊共同捲繞,用以形成儲存和裝運捲筒。第10圖係準備有寬度約17μ之45度角接縫線的ACF之照片例示圖。第11A圖係接合有具有3μ之45度角接縫線之ACF的電子裝置的照片例示圖,該處接縫線在接合後幾乎看不見。第11B圖係接合有具有50μ之60度角接縫線之ACF的電子裝置的照片例示圖,該處接縫線在接合後幾乎看不見。
實施例8
使用如實施例7中所描述的方法,將非導電膠塗料塗佈至離型襯墊之上。使用狹縫式塗料器進行塗佈,接著對藉由將金粒子預先施與至聚亞醯胺雷射剝離薄膜上而形成的固定陣列圖樣進行預先乾燥和層壓。將金粒子搬送穿過層壓處之後,形成有異方性導電膠膜,接著在箱中進行乾燥,用以移除溶劑,且薄膜被縱向切開並捲繞。
實施例9
重覆實施例7之步驟,並藉由壓力滾筒對塗佈於連續網狀物上的黏著劑進行層壓。塗佈有黏著劑之網狀物比微孔網狀物稍微地寬一些,但微孔網狀物和塗佈有黏著劑之網狀物在層壓步驟前係為對齊的。舉例而言,如果塗佈有黏著劑之網狀物比微孔網狀物寬1/4英吋,則兩個網狀物之 間的網狀物邊緣差異將小於1/8英吋。由於層壓滾筒的寬度應大於微孔區域的寬度,但小於載體薄膜減去加強部分的兩側邊,所以對4.5英吋寬之聚亞醯胺載體薄膜上的3.0英吋微孔使用3.5英吋寬之層壓滾筒,其中該載體薄膜在每一非孔隙側邊上具有3/8英吋寬之鋁箔膠帶。在搬送過程之前,層壓滾筒和微孔網狀物上的網狀物速度、層壓壓力、溫度,以及黏著劑塗佈料之含量可立即地進行調整,用以達到超過99%的搬送效率,或者幾乎所有填充之導電粒子都被搬送至黏著劑塗佈料,以形成ACF捲筒。在此例中,搬送過程挑選以下條件:網狀物速度7英呎/分鐘、層壓壓力50 psi、室溫,黏著劑塗佈料之殘餘溶劑含量1.5%。
以上已透過參照具體實施例詳述了本發明的細節,顯而易見地是,其各種變化和修改皆為可能,且不背離下述申請專利範圍的精神和範疇。
60‧‧‧雷射光束
62‧‧‧光束成形光學元件
64‧‧‧光罩
66‧‧‧複數雷射光束
68‧‧‧投影透鏡系統
100‧‧‧成品薄膜
110‧‧‧粒子沉澱物(執行處)
112‧‧‧導電粒子
112A‧‧‧過剩粒子
114‧‧‧進料斗
116‧‧‧滾筒
118‧‧‧抽吸裝置
120‧‧‧黏著膠膜
120A‧‧‧位置
120B‧‧‧位置
125‧‧‧微孔
130、140‧‧‧基板
160‧‧‧流體填充步驟
170‧‧‧載體網狀物
180‧‧‧層壓台
188‧‧‧接縫線
188’‧‧‧對應區域
190‧‧‧載體環(載體帶)
194‧‧‧孔隙形成層
200‧‧‧電極
300‧‧‧網狀物
301、302‧‧‧端部
305‧‧‧膠帶
306‧‧‧間隙
308‧‧‧接合黏著劑
308;‧‧‧硬化黏著劑
310‧‧‧背面
312‧‧‧黏著劑
320‧‧‧接縫線
330、340‧‧‧緣部膠帶
第1圖係依據本發明之一實施例的製造過程之示意圖。
第2圖係依據本發明之一實施例的載體環或載體帶之透視圖。
第3A圖至第3F圖係繪示依據本發明之一實施例之載體環或載體帶的相接及接縫方法。
第4圖係繪示一實施例中接縫線端部加強有結構性黏著膠帶。
第5A圖至第5D圖係在每一微孔中具有一粒子的導電粒子應用例之示意圖。
第6圖係本發明之一實施例中用來在載體網狀物中形成微孔所使用的雷射投影系統之示意圖。
第7圖係依據本發明之一實施例之具有稍微地偏移或任意排列之微孔的載體網狀物之俯視圖,係用以減少雲紋圖樣和週期性製造缺陷。
第8圖係顯示關於一系列電極之導電粒子分佈的電子裝置之示意圖。
第9圖係依據本發明之一實施例之填充有UV硬化型黏著劑的寬度3μ之45度角接縫線,以及載體帶中微孔的照片例示圖。
第10圖係依據本發明之另一實施例之具有寬度約17μ之45度角接縫線之ACF的照片例示圖。
第11A圖係接合有具有3μ之45度角接縫線之ACF的電子裝置之照片例示圖,該處接縫線在接合後幾乎看不見。
第11B圖係接合有具有50μ之60度角接縫線之ACF的電子裝置之照片例示圖,該處接縫線在接合後幾乎看不見。
100‧‧‧成品薄膜
110‧‧‧粒子沉澱物(執行處)
112‧‧‧導電粒子
120‧‧‧黏著膠膜
120A‧‧‧位置
120B‧‧‧位置
125‧‧‧微孔
130、140‧‧‧基板
160‧‧‧流體填充步驟
170‧‧‧載體網狀物
180‧‧‧層壓台
190‧‧‧載體環(載體帶)
194‧‧‧孔隙形成層

Claims (34)

  1. 一種用於製造電子裝置或元件的方法,其包含:將複數個導電粒子分佈至形成於一連續載體帶之表面上的一微孔陣列中;轉動該載體帶以運送該等導電粒子,同時將一黏著膠層之表面搬送至與轉動之該載體帶之表面接觸;將該等導電粒子自該載體帶上之該微孔搬送至該黏著膠層中對應該載體帶上之該微孔陣列的該黏著膠層中之預設位置;以及將該黏著膠層自該載體帶之表面分離;其中該載體帶為包含有一接縫線的封閉環部,該接縫線自該載體帶之一邊緣橫越該載體帶到達一相對邊緣。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中將複數個導電粒子分佈至該微孔陣列中的步驟包含各別地將導電粒子捕獲至單一微孔中。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該接縫線與該載體帶之該邊緣呈一傾斜角度。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法,其中該傾斜角度係約30度至80度。
  5. 如申請專利範圍第3項之方法,其中該接縫線具有寬度約小於100μ的一間隙。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法,其中該間隙填充有不黏附至該等導電粒子的一填充成分。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法,其中該接縫線之該間隙填充有一黏著劑,或可藉由溶劑揮發、室溫硫化硅橡膠(RTV)、UV、熱、水份或其組合硬化或固化的一塗佈料。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法,其中該硬化型之黏著劑或該塗佈料可選自以下群組:矽氧樹脂、聚異氰酸酯、聚氨基甲酸酯、環氧樹脂、丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基醚、乙烯基酯、可硫化之熱塑性彈性體,以及不飽和橡膠。
  9. 如申請專利範圍第6項之方法,其中被填充之該接縫線進一步進行雷射剝離,用以在該填充材料上形成微孔。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法,其中形成該載體帶的一網狀物材料可選自下列群組:聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯、聚醯胺、聚丙烯酸酯、聚碸類、聚醚類、聚醯亞胺和液晶聚合物,以及其共聚物、摻合物、複合物、積層板或夾層薄膜。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該微孔間的一距離係根據包含一隨機數字產生函數的一運算式而改變。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法,其中該運算式更包含一正常分佈函數。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法,其中該微孔間的該距 離係在約1至40%間改變。
  14. 如申請專利範圍第13項之方法,其中該運算式係:位置變動程度=[Norm.s.dist(rand( )* 3.2,true)minus 0.5]*2* X%,其中X係約1~40%。
  15. 如申請專利範圍第1項之方法,在該黏著膠層之表面接觸到運送該等導電粒子的轉動之該載體帶之表面前,更包含一對黏著膠層進行退火的額外步驟。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法,其中該黏著膠層包含一聚合物,且該退火步驟包含將該黏著膠層加熱至大於該黏著劑軟化或熱變形溫度的一溫度,但低於該黏著劑開始硬化的起始溫度。
  17. 一種用於製造電子裝置或元件的方法,其包含:形成一微孔之非隨機陣列;利用一載體帶將導電粒子安置到該微孔中,該載體帶為包含有一接縫線,該接縫線自該載體帶之一邊緣橫越該載體帶到達一相對邊緣,其中將複數個導電粒子安置到該微孔陣列的步驟,係包含:利用粒子分佈過程,將每一個該導電粒子捕獲至單一微孔隙中;其中該微孔間的該距離係根據包含一隨機數字產生函數的一運算式所控制。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法,其中該運算式更包含一正常分佈函數。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法,其中該微孔間的該距 離係在約1至40%間改變。
  20. 一種異方性導電膜(ACF),其包含:複數個導電粒子,配置於預設之非隨機粒子位置中,作為在一黏著膠層中或一黏著膠層上的一非隨機陣列;其中該異方性導電膜包含實質上沒有該導電粒子的一區域,該區域對應橫越過該異方性導電膜的一傾斜線。
  21. 如申請專利範圍第20項之異方性導電膜,其中該等導電粒子部分地埋入該黏著膠層中。
  22. 如申請專利範圍第20項之異方性導電膜,其中該傾斜線係呈約30至80度角。
  23. 如申請專利範圍第20項之異方性導電膜,其中該傾斜線之寬度小於約100μ。
  24. 如申請專利範圍第20項之異方性導電膜,其中該黏著劑包含丙烯酸、環氧樹脂或苯氧基樹脂。
  25. 一種用於製造電子裝置或元件的方法,用以形成在一表面上具有微孔的一載體帶,其包含:切割在表面上具有該微孔之非隨機陣列的至少一網狀物,用以形成至少兩個切割表面;鄰接該切割表面;以及將一填充成分或黏著劑塗佈至鄰接之該切割表面,用以形成一接縫線,其中該接縫線自該載體帶之一邊緣橫越該載體帶到達一相對邊緣。
  26. 如申請專利範圍第25項之方法,其中該方法包含在該 接縫線之區域中形成額外之微孔的額外步驟。
  27. 如申請專利範圍第26項之方法,更包含另一額外步驟,係將一黏著劑或塗佈料塗佈至相對於具有微孔之表面的該網狀物之表面。
  28. 如申請專利範圍第25項之方法,其中將硬化或固化之填充成分或黏著劑塗佈至不黏附導電粒子的該切割端表面。
  29. 如申請專利範圍第28項之方法,其中該填充成分或黏著劑係可選自下列群組的可硬化或可固化之黏著劑或塗佈料:丙烯酸、矽氧樹脂、聚異氰酸酯、聚氨基甲酸酯、環氧樹脂、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基醚、乙烯基酯、可硫化之熱塑性彈性體,以及不飽和橡膠。
  30. 如申請專利範圍第25項之方法,其中該方法包含在塗佈該黏著劑前,對該切割端表面進行電暈處理的一步驟。
  31. 如申請專利範圍第25項之方法,其中該接縫線進一步地在該接縫線之兩端部以結構性膠帶進行加強。
  32. 一種微孔載體帶或載體環,係以如申請專利範圍第25項之方法來製備。
  33. 一種用於製造一電子裝置或元件的載體帶或載體環,其包含:一微孔陣列,位於一連續之載體帶或載體環之一主要表面上;以及 一接縫線,自該載體帶或載體環之一邊緣橫越過另一邊緣。
  34. 如申請專利範圍第33項之載體帶或載體環,其中該接縫線係橫越過該載體帶或載體環的一傾斜線。
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