TWI520352B - Connect the substrate - Google Patents

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TWI520352B TW100104320A TW100104320A TWI520352B TW I520352 B TWI520352 B TW I520352B TW 100104320 A TW100104320 A TW 100104320A TW 100104320 A TW100104320 A TW 100104320A TW I520352 B TWI520352 B TW I520352B
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Fumiyuki Tokura
Mitsutoshi Sugiya
Shigeru Suzuki
Takashi Tonbe
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Hamamatsu Photonics Kk
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Description

連接基板
本發明係關於一種用於放射線檢測器模組之連接基板。
專利文獻1中，記載有X射線檢測裝置中之X射線檢測元件搭載用之配線基板。該配線基板包含將複數個絕緣層積層而成之基體、形成於基體上表面之X射線檢測元件之安裝區域的複數個連接墊、以及形成於基體之外表面之複數個端子電極。又，該配線基板包含形成於基體內部以將複數個連接墊與複數個端子電極加以連接之複數條內部配線。複數條內部配線包含配置於安裝區域下方之複數條貫通導體。複數條貫通導體係跨複數個絕緣層相對於絕緣層之積層方向朝不同方向傾斜而形成，在該等所有貫通導體之向基體上表面之投影區域內含有安裝區域。該配線基板係藉由該複數條貫通導體屏蔽反射X射線。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2009-32936號公報
近年來，作為用於X射線檢查裝置等之放射線檢測器，包含具有排列成二維狀之複數個光電轉換區域之光電二極體陣列等之光電轉換裝置、以及配置於光電轉換裝置上之閃爍體的裝置已投入實際應用。此種放射線檢測器與先前 之使用有X射線感光膜者相比，無需顯影，且可即時確認圖像等方便性高，在資料之保存性、處理之容易度方面亦卓越。
此種放射線檢測器中，於多數情形時，光電轉換裝置係安裝於基板上。而且，必需放大自光電轉換裝置輸出之微小信號，故而使用內置有與複數個光電轉換區域對應之複數個積分電路等之複數個讀取電路的積體電路裝置。再者，複數個讀取電路係例如包含積分電路。為了裝置之小型化，該積體電路裝置宜安裝於基板之背面側。
然而，當在基板之一方之板面上安裝有光電轉換裝置，在另一方之板面上安裝有積體電路裝置時，會產生如下問題。亦即，入射至閃爍體之放射線之一部分未被閃爍體吸收而透過時，該放射線有可能透過基板而抵達至積體電路裝置。積體電路裝置之讀取電路中，含有例如運算放大器、電容器、或者開關用之MOS(Metal-oxide semiconductor，金屬氧化物半導體)電晶體等的容易受到放射線之影響的電路要素。故而，抵達至積體電路裝置之放射線有可能使該等電路要素發生異常。因此，期望藉由某些對策，保護讀取電路以防放射線。
再者，專利文獻1中所記載之裝置中，複數條貫通導體係跨複數個絕緣層朝不同方向傾斜而形成。而且，藉由將安裝區域配置成包含於該等貫通導體之向基板面之投影區域內，來屏蔽反射X射線。然而，於此種構成中，存在複數條貫通導體相互對向，貫通導體相互間之寄生電容增加 之問題。
本發明之目的在於提供一種可保護積體電路裝置之讀取電路以防放射線，且抑制寄生電容之增加之放射線檢測器模組用之連接基板。
本發明之一實施形態之連接基板係用以將光電轉換裝置搭載於一方之板面上，且將積體電路裝置搭載於另一方之板面上者，該光電轉換裝置係於排列成二維狀之複數個光電轉換區域接收來自將自特定方向入射之放射線轉換成光之閃爍體之光者，該積體電路裝置係藉由複數個讀取電路個別地讀取自光電轉換裝置之複數個光電轉換區域各自輸出之電信號者；該連接基板包含：(a)基材，其積層複數個介電體層而成；以及(b)金屬製之複數條貫通導體，其等貫通複數個介電體層之中相互鄰接之至少三個介電體層而設置，且成為電信號之路徑之一部分。該連接基板中，複數個放射線屏蔽膜係設置於至少三個介電體層中之兩個以上之層間部分。複數個放射線屏蔽膜係與複數條貫通導體各自形成為一體且相互隔開。而且，藉由將在一層間部分中與一條貫通導體形成為一體之放射線屏蔽膜投影至垂直於特定方向之虛擬平面而獲得之區域、與藉由將在另一層間部分中與另一貫通導體形成為一體之放射線屏蔽膜投影至虛擬平面而獲得之區域不相互重合。
又，本發明之另一實施形態之連接基板係用以將光電轉換裝置搭載於一方之板面上，且將積體電路裝置搭載於另 一方之板面上者，該光電轉換裝置係於排列成二維狀之複數個光電轉換區域接收來自將自特定方向入射之放射線轉換成光之閃爍體之光者，該積體電路裝置係藉由複數個讀取電路個別地讀取自光電轉換裝置之複數個光電轉換區域分別輸出之電信號者；該連接基板包含：(a)基材，其積層複數個介電體層積層而成；以及(b)金屬製之複數條貫通導體，其等貫通複數個介電體層之中相互鄰接之至少三個介電體層而設置，且成為電信號之路徑之一部分。該連接基板中，金屬製之複數個放射線屏蔽膜係設置於至少三個介電體層中之兩個以上之層間部分。複數個放射線屏蔽膜係與複數條貫通導體各自形成為一體且相互隔開。而且，藉由將在一層間部分中與一貫通導體形成為一體之放射線屏蔽膜投影至與一方之板面平行之虛擬平面而獲得之區域、與藉由將在另一層間部分中與另一貫通導體形成為一體之放射線屏蔽膜投影至虛擬平面而獲得之區域不相互重合。
上述連接基板上，設置有貫通至少三個介電體層之複數條貫通導體、以及與複數條貫通導體各自形成為一體之金屬製之複數個放射線屏蔽膜。而且，該等複數個放射線屏蔽膜係設置於至少三個介電體層中之兩個以上之層間部分。藉由此種構成，形成於連接基板之內部的複數個放射線屏蔽膜保護積體電路裝置之讀取電路以防放射線。
又，複數個放射線屏蔽膜係相互隔開，藉由將在一層間部分中與一條貫通導體形成為一體之放射線屏蔽膜投影至虛擬平面而獲得之區域、與藉由將在另一層間部分中與另 一貫通導體形成為一體之放射線屏蔽膜投影至虛擬平面而獲得之區域不相互重合。此處，所謂虛擬平面，係指垂直於放射線入射方向即特定方向的面，或者當放射線入射方向垂直於連接基板之板面時平行於連接基板之一方之板面的面。藉此，與一貫通導體及另一貫通導體分別形成為一體之各放射線屏蔽膜不相互對向，因此可降低一條貫通導體與另一貫通導體之間所產生之寄生電容。
如以上說明，藉由上述連接基板，可保護積體電路裝置之讀取電路以防放射線，且抑制寄生電容之增加。
又，上述連接基板中，亦可於複數個介電體層中之層間部分中、相對於至少3個介電體層位於一方之板面側的一個或兩個以上之層間部分，設置因光電轉換裝置之電極間距與複數條貫通導體之間距之不同而產生之層間配線。
又，上述連接基板中，各放射線屏蔽膜亦可延伸於對應之各貫通導體之周圍。
根據本發明，可提供一種能夠保護積體電路裝置之讀取電路以防放射線，且抑制寄生電容之增加的放射線檢測器模組用之連接基板。
以下，一面參照隨附圖式，一面詳細說明本發明之連接基板之實施形態。再者，於圖式說明中對於相同要素標附相同符號，且省略重複說明。
圖1係表示包含一實施形態之連接基板的放射線檢測器 模組之構成的剖面圖。圖1所示之放射線檢測器模組10A包含閃爍體11、光電二極體陣列12、連接基板13及積體電路裝置14。
閃爍體11係用以將自特定方向入射之放射線R轉換成光之板狀構件。放射線R係例如X射線。閃爍體11被分割成排列成M列N行之複數個像素，配置於二維光電二極體陣列12之光入射面上。再者，N、M均為2以上之整數。閃爍體11對應於所入射之放射線R產生閃爍光並將放射線像轉換成光像，將該光像輸出至二維光電二極體陣列12。閃爍體11例如包含CsI。閃爍體11可設置成覆蓋二維光電二極體陣列12，或者可藉由蒸鍍而設置於二維光電二極體陣列12上。
二維光電二極體陣列12係本實施形態中之光電轉換裝置。二維光電二極體陣列12包含排列成M列N行之二維狀之作為複數個光電轉換區域之複數個光電二極體，將來自閃爍體11之光接收至複數個光電二極體。二維光電二極體陣列12在與光入射面為相反側之背面上具有用於所謂倒裝晶片安裝之導電性接合材料即複數個凸塊電極12a，該等複數個凸塊電極12a係在二維光電二極體陣列12之背面上排列成M列N行之二維狀。二維光電二極體陣列12之平面尺寸為例如20mm×35mm。
連接基板13係將二維光電二極體陣列12搭載於一方之板面13a上，將下述積體電路裝置14搭載於另一方之板面13b上。連接基板13由複數個介電體層積層而成，且含有用以 將二維光電二極體陣列12與積體電路裝置14電性連接之內部配線。又，在連接基板13之一方之板面13a上，將用以安裝二維光電二極體陣列12之複數個焊盤(land)狀配線排列成M列N行之二維狀，在另一方之板面13b上，將用以安裝積體電路裝置14之複數個焊盤狀配線排列成二維狀。
積體電路裝置14藉由個別地檢測自二維光電二極體陣列12之複數個光電二極體各自輸出之光電流之類的電信號，來讀取該等電信號。積體電路裝置14具有將二維光電二極體陣列12之對應於複數個光電二極體的複數個讀取電路一併封入一個晶片之構造。又，成為對該等複數個讀取電路之輸入端子之作為導電性接合材料之複數個凸塊電極14a，在與連接基板13對向之積體電路裝置14之面上排列成二維狀。
又，放射線檢測器模組10A進而包括用以將自積體電路裝置14輸出之電信號輸出至外部的可撓性印刷基板15。可撓性印刷基板15之一端電性連接於連接基板13之另一方之板面13b上。
又，放射線檢測器模組10A進而包括用以冷卻積體電路裝置14之散熱器16。散熱器16係連接於積體電路裝置14之與連接基板13對向之面的相反側之面，具有多個翼片向外側突出之形狀。
圖2係表示連接基板13及積體電路裝置14之內部構成的剖面圖。再者，該圖中圖示有二維光電二極體陣列12，但省略了閃爍體11及散熱器16之圖示。
如圖2所示，積體電路裝置14包含複數個單位電路區域14b及複數個電路區域14c。複數個單位電路區域14b中，作為複數個讀取電路，分別包含複數個前段放大器。該等複數個讀取電路係分別對應於二維光電二極體陣列12之複數個光電二極體者，分別自所對應之光電二極體接收光電流之類的電信號。再者，在電路區域14c中，設置後段放大器，作為用以進一步放大自單位電路區域14b之讀取電路所輸出之信號的放大電路。
此處，圖3之(a)係表示積體電路裝置14之構成例的圖。圖3之(a)係表示自放射線R之入射方向觀察之積體電路裝置14之各構成要素之配置。又，圖3之(b)係放大表示積體電路裝置14所含有之一個單位電路區域14b的圖。該積體電路裝置14具有例如9mm×11mm之類的大小。
如圖3之(a)所示，單位電路區域14b在積體電路裝置14之內部排列成J列K行之二維狀。再者，J及K為2以上之整數。各單位電路區域14b中，如圖3之(b)所示設置有輸入墊14e。於該輸入墊14e上，設置圖1所示之凸塊電極14a。又，該等單位電路區域14b係相互隔開，在一個單位電路區域14b與另一單位電路區域14b之間，不存在電晶體或電容器等之電路要素的區域朝列方向及行方向延伸。但是，在該區域，亦可存在用以將電路要素相互連接之金屬配線。一個單位電路區域14b之尺寸例如為列方向0.5mm，行方向0.5mm，相鄰之單位電路區域14b彼此之間隙之間隔例如為0.16mm。
電路區域14c係對應於單位電路區域14b之各行配置有K個。該等電路區域14c沿列方向並列配置，各輸入端分別與所對應之行之單位電路區域14b電性連接。
在單位電路區域14b中所含之作為讀取電路之前段放大器、及電路區域14c中所含之作為放大電路之後段放大器中，分別設置開關。繼而，可藉由使用單位電路區域14b之讀取電路之開關指定欲讀取之列，且可藉由使用電路區域14c之放大電路之開關指定欲讀取之行。
K個電路區域14c之輸出端與A/D(Analog to Digital，模擬至數位)轉換器14d電性連接。A/D轉換器14d將自各電路區域14c輸出之模擬信號轉換成數位信號。自A/D轉換器14d輸出之數位信號係經由沿積體電路裝置14之邊緣排列之複數個輸入輸出墊14f中之一個輸出至積體電路裝置14之外部。再者，另一輸入輸出墊14f係用於電源電壓輸入、接地電位等之基準電位之輸入、時脈輸入等。
圖4係表示各單位電路區域14b中所含之讀取電路之構成例的等效電路。該等效電路中，讀取電路140包括積分電路，包含運算放大器141、作為反饋電容之電容器142及重置開關143。運算放大器141之非反轉輸入端子連接於基準電壓Vref，運算放大器141之反轉輸入端子連接於圖1所示之二維光電二極體陣列12所包含之一個光電二極體12b之陽極。再者，光電二極體12b之陰極連接於基準電壓Vref，對光電二極體12b施加逆向偏壓。
電容器142係連接於運算放大器141之反轉輸入端子與輸 出端子之間。電容器142中，儲存自光電二極體12b輸出之光電流所產生之電荷。重置開關143係相對於電容器142並聯連接，重置電容器142中所儲存之電荷。重置開關143可藉由例如MOS電晶體而適當實現。
再次參照圖2，詳細說明連接基板13。本實施形態之連接基板13包含複數個介電體層130a~130f積層而成之基材130。圖2中，表示有六層介電體層130a~130f。基材130之介電體層130a~130f例如包含以氧化鋁之類的陶瓷材料為主原料的陶瓷基板。各介電體層130a~130f之厚度例如為100μm以上200μm以下。
又，連接基板13包含複數條貫通導體20。貫通導體20係貫通介電體層130a~130f之中相互鄰接之至少3個介電體層130c~130f而設置。例如，貫通導體20係貫通4個介電體層130c~130f而設置。複數條貫通導體20分別與二維光電二極體陣列12之複數個光電二極體的各個一一對應，成為自光電二極體輸出之光電流之路徑之一部分。貫通導體20包含例如鎢之類的金屬材料，藉由將金屬材料埋入於形成於介電體層130c~130f之貫通孔中而形成。再者，本實施形態中，相鄰之貫通導體20彼此之間距與積體電路裝置14之單位電路區域14b間之間距相等，各貫通導體20係位於所對應之單位電路區域14b之正上方。相鄰之貫通導體20彼此之間距例如為500μm。又，貫通導體20之直徑例如為100μm。
又，連接基板13包含設置於至少3層之介電體層 130c~130f中之兩個以上之層間部分的複數個放射線屏蔽膜群21~23。圖2中，複數個放射線屏蔽膜群21~23係設置於4層介電體層130c~130f中之3處層間部分。具體而言，放射線屏蔽膜群21係設置於介電體層130c及130d之層間部分，放射線屏蔽膜群22係設置於介電體層130d及130e之層間部分，放射線屏蔽膜群23係設置於介電體層130e及130f之層間部分。
放射線屏蔽膜群21~23分別包含與貫通導體20之條數對應的金屬製之複數個放射線屏蔽膜。亦即，放射線屏蔽膜群21包含與貫通導體20同等數量之放射線屏蔽膜21a，放射線屏蔽膜群22包含與貫通導體20同等數量之放射線屏蔽膜22a，放射線屏蔽膜群23包含與貫通導體20同等數量之放射線屏蔽膜23a。該等放射線屏蔽膜21a~23a與所對應之貫通導體20形成為一體，且延伸至該貫通導體20之周圍。
各放射線屏蔽膜群21~23中，放射線屏蔽膜彼此相互隔開。亦即，複數個放射線屏蔽膜21a在一層間部分中相互間隔而設置，複數個放射線屏蔽膜22a在另一層間部分中相互間隔而設置，複數個放射線屏蔽膜23a在進而另一層間部分上相互間隔而設置。藉此，貫通導體20彼此之電性分離得以實現。
放射線屏蔽膜21a之平面形狀例如為400μm見方之正方形。又，相鄰之放射線屏蔽膜21a彼此之間隔例如為100μm，放射線屏蔽膜21a之厚度例如為10μm。該等形狀尺寸對放射線屏蔽膜22a、23a而言亦同。作為放射線屏蔽膜 21a~23a之構成材料，較佳為例如鎢。放射線屏蔽膜21a~23a可藉由與在介電體層130c~130f之層間部分上形成所謂中間焊盤(via land)之方法同樣的方法而容易地形成。
又，連接基板13進而包含複數條層間配線24。層間配線24係因二維光電二極體陣列12之電極間距與複數條貫通導體20之間距的不同而產生之配線。層間配線24係設置於複數個介電體層130a~130f中之層間部分中相對於設有放射線屏蔽膜21a~23a之介電體層130c~130f位於一方之板面13a側之一個或兩個以上之層間部分。圖2中，層間配線24係設置於介電體層130a與介電體層130b之層間部分、以及介電體層130b與介電體層130c之層間部分。
此處，說明連接基板13之放射線屏蔽膜21a、22a及23a與積體電路裝置14之複數個單位電路區域14b之相對位置關係。為作該說明，導入用以投影放射線屏蔽膜及單位電路區域之虛擬平面的概念。虛擬平面係定義為與圖1所示之放射線R之入射方向即特定方向垂直之面。或者，於該入射方向大致垂直於連接基板13之板面13a、13b之情形時，虛擬平面亦可定義為與板面13a或13b平行之面。
圖5係表示將連接基板13之複數個放射線屏蔽膜21a~23a與積體電路裝置14之複數個單位電路區域14b投影至虛擬平面VP之情況。圖5中，PR1係表示藉由將複數個放射線屏蔽膜21a、22a及23a投影至虛擬平面VP而獲得之區域。又，PR2係表示藉由將複數個單位電路區域14b投影至虛擬平面VP而獲得之區域。又，PR3係表示藉由將複數條貫通 導體20投影至虛擬平面VP而獲得之區域。
如圖5所示，複數個區域PR1相互隔開，而不相互重合。該等區域PR1係對放射線屏蔽膜21a~23a而言共通之投影區域。亦即，在一層間部分中與一條貫通導體20形成為一體之放射線屏蔽膜21a之相關區域PR1、與在另一層間部分中與另一貫通導體20形成為一體之放射線屏蔽膜21b或21c之相關區域PR1不相互重合。又，在一層間部分中與一條貫通導體20形成為一體之放射線屏蔽膜21b之相關區域PR1、與在另一層間部分中與另一貫通導體20形成為一體之放射線屏蔽膜21c之相關區域PR1不相互重合。藉此，與一條貫通導體20形成為一體之放射線屏蔽膜21a~23a、和與另一貫通導體20形成為一體之放射線屏蔽膜21a~23a不相互對向，因此可降低複數條貫通導體20之間所產生之寄生電容。因此，可降低自二維光電二極體陣列12之複數個光電二極體所輸出之光電流之電信號上所重疊之雜訊。
又，在本實施形態之連接基板13中，由複數個放射線屏蔽膜21a~23a之各者保護所對應之各單位電路區域14b以防放射線。又，通過複數個放射線屏蔽膜21a~23a之間隙的放射線R可抵達至積體電路裝置14，但在其抵達部位並不存在單位電路區域14b，從而放射線R所引起之影響變得輕微。
如此，藉由本實施形態之連接基板13，可保護積體電路裝置14之讀取電路以防放射線，且抑制寄生電容之增加。
又，在本實施形態之連接基板13中，複數個放射線屏蔽 膜21a之各者與所對應之貫通導體20形成為一體。就複數個放射線屏蔽膜22a及23a而言亦同。如此，與貫通導體20形成為一體之放射線屏蔽膜21a~23a不會妨礙貫通導體20之配置，因此無需形成繞過放射線屏蔽材料之複雜配線。
又，如圖5所示，在本實施形態之連接基板13中，藉由將複數個放射線屏蔽膜21a~23a投影至虛擬平面VP而獲得之複數個區域PR1各者，分別包含藉由將複數個單位電路區域14b投影至虛擬平面VP而獲得之複數個區域PR2。換而言之，若自放射線R之入射方向或垂直於板面13a之方向觀察，則複數個單位電路區域14b被複數個放射線屏蔽膜21a完全覆蓋。關於複數個放射線屏蔽膜22a及複數個放射線屏蔽膜23a亦同。連接基板13之放射線屏蔽膜21a~23a亦可如上所述配置，藉此可更有效地保護積體電路裝置14之讀取電路以防放射線。
又，如上述實施形態般，放射線屏蔽膜21a~23a亦可延伸至所對應之貫通導體20之周圍。藉此，放射線屏蔽膜21a~23a分別可較佳地保護所對應之各單位電路區域14b以防放射線。
本發明之連接基板並不限定於上述實施形態，此外亦可進行各種變形。例如，於上述實施形態中，係將放射線屏蔽膜21a~23a設置於4個介電體層130c~130f中之3個層間部分，但藉由放射線屏蔽膜設置於至少3個介電體層中之兩個以上之層間部分，可獲得與上述實施形態同樣之效果。
產業上之可利用性
本發明可用作能夠保護積體電路裝置之讀取電路以防放射線，且抑制寄生電容之增加的放射線檢測器模組用之連接基板。
10A‧‧‧放射線檢測器模組
11‧‧‧閃爍體
12‧‧‧二維光電二極體陣列
12a‧‧‧凸塊電極
12b‧‧‧光電二極體
13‧‧‧連接基板
13a、13b‧‧‧板面
14‧‧‧積體電路裝置
14a‧‧‧凸塊電極
14b‧‧‧單位電路區域
14c‧‧‧電路區域
14d‧‧‧A/D轉換器
14e‧‧‧輸入墊
14f‧‧‧輸入輸出墊
15‧‧‧可撓性印刷基板
16‧‧‧散熱器
20‧‧‧貫通導體
21、22、23‧‧‧放射線屏蔽膜群
21a、22a、23a‧‧‧放射線屏蔽膜
24‧‧‧層間配線
130‧‧‧基材
130a~130f‧‧‧介電體層
140‧‧‧讀取電路
141‧‧‧運算放大器
142‧‧‧電容器
143‧‧‧重置開關
PR1~PR3‧‧‧區域
R‧‧‧放射線
VP‧‧‧虛擬平面
Vref‧‧‧基準電壓
圖1係表示包含一實施形態之連接基板的放射線檢測器模組之構成的剖面圖。
圖2係表示連接基板以及積體電路裝置之內部構成的剖面圖。
圖3a、b係表示自放射線之入射方向觀察之積體電路之各構成要素之配置。
圖4係表示讀取電路之構成例的等效電路圖。
圖5係表示將放射線屏蔽膜及單位電路區域投影至虛擬平面之情況的圖。
10A‧‧‧放射線檢測器模組
12‧‧‧二維光電二極體陣列
12a‧‧‧凸塊電極
13‧‧‧連接基板
13a、13b‧‧‧板面
14‧‧‧積體電路裝置
14a‧‧‧凸塊電極
14b‧‧‧單位電路區域
14c‧‧‧電路區域
20‧‧‧貫通導體
21、22、23‧‧‧放射線屏蔽膜群
21a、22a、23a‧‧‧放射線屏蔽膜
24‧‧‧層間配線
130‧‧‧基材
130a~130f‧‧‧介電體層

Claims (5)

  1. 一種連接基板，其係用以將光電轉換裝置搭載於一方之板面上，且將積體電路裝置搭載於另一方之板面上者，該光電轉換裝置係於排列成二維狀之複數個光電轉換區域接收來自將自特定方向入射之放射線轉換成光之閃爍體之光者，該積體電路裝置係藉由複數個讀取電路個別地讀取自上述光電轉換裝置之上述複數個光電轉換區域各自輸出之電信號者；該連接基板包含：基材，其積層複數個介電體層而成；及金屬製之複數條貫通導體，其等貫通上述複數個介電體層之中相互鄰接之至少三個上述介電體層而設置，且成為上述電信號之路徑之一部分；且與上述複數條貫通導體各自形成為一體且相互隔開之金屬製之複數個放射線屏蔽膜係設置於上述至少三個介電體層中之兩個以上之層間部分；將在一個上述層間部分中與一個上述貫通導體形成為一體之上述放射線屏蔽膜投影至垂直於上述特定方向之虛擬平面的區域、與在另一上述層間部分中與上述一個貫通導體不形成為一體之另一上述放射線屏蔽膜投影至上述虛擬平面的區域不相互重合。
  2. 一種連接基板，其係用以將光電轉換裝置搭載於一方之板面上，將積體電路裝置搭載於另一方之板面上者，該光電轉換裝置係於排列成二維狀之複數個光電轉換區域接收來自將自特定方向入射之放射線轉換成光之閃爍體 之光者，該積體電路裝置係藉由複數個讀取電路個別地讀取自上述光電轉換裝置之上述複數個光電轉換區域各自輸出之電信號者；該連接基板包含：基材，其積層複數個介電體層而成；及金屬製之複數條貫通導體，其等貫通上述複數個介電體層之中相互鄰接之至少三個上述介電體層而設置，且成為上述電信號之路徑之一部分；且與上述複數條貫通導體各自形成為一體且相互隔開之金屬製之複數個放射線屏蔽膜係設置於上述至少三個介電體層中之兩個以上之層間部分；將在一個上述層間部分中與一個上述貫通導體形成為一體之上述放射線屏蔽膜投影至與上述一方之板面平行之虛擬平面的區域、與在另一上述層間部分中與上述一個貫通導體不形成為一體之另一上述放射線屏蔽膜投影至上述虛擬平面的區域不相互重合。
  3. 如請求項1或2之連接基板，其中在上述複數個介電體層之層間部分之中、相對於上述至少三個介電體層位於上述一方之板面側之一個或兩個以上之上述層間部分，設置有因上述光電轉換裝置之電極間距與上述複數條貫通導體之間距之不同而產生之層間配線。
  4. 如請求項3之連接基板，其中各放射線屏蔽膜延伸於對應之各貫通導體之周圍。
  5. 如請求項1或2之連接基板，其中各放射線屏蔽膜延伸於對應之各貫通導體之周圍。
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