JP2011226817A - 接続基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】集積回路デバイスの読出回路を放射線から保護し、且つ寄生容量の増加を抑制することが可能な放射線検出器モジュール用の接続基板を提供する。
【解決手段】接続基板１３は、複数の誘電体層１３０ａ〜１３０ｆが積層されて成る基材１３０と、互いに隣接する誘電体層１３０ｃ〜１３０ｆを貫通して設けられた複数の貫通導体２０とを備える。複数の貫通導体２０それぞれと一体に形成されると共に互いに離間された複数の放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａが、誘電体層１３０ｃ〜１３０ｆにおける二以上の層間部分に設けられている。一の層間部分において一の貫通導体２０と一体に形成された放射線遮蔽膜２１ａ（２１ｂ）を所定方向に垂直な仮想平面に投影した領域ＰＲ１と、他の層間部分において他の貫通導体２０と一体に形成された放射線遮蔽膜２２ｂ又は２２ｃ（２２ｃ）を仮想平面に投影した領域とは互いに重ならない。
【選択図】図２

Description

本発明は、放射線検出器モジュールに用いられる接続基板に関するものである。
特許文献１には、Ｘ線検出装置におけるＸ線検出素子搭載用の配線基板が記載されている。この配線基板は、複数の絶縁層が積層されてなる基体と、基体の上面のＸ線検出素子の実装領域に形成された複数の接続パッドと、基体の外面に形成された複数の端子電極とを備える。また、この配線基板は、複数の接続パッドと複数の端子電極とを接続するために基体の内部に形成された複数の内部配線を備える。複数の内部配線は、実装領域の下方に配置された複数の貫通導体を含む。複数の貫通導体は、複数の絶縁層にわたって絶縁層の積層方向に対して異なる方向に傾斜して形成されており、それら全ての貫通導体による基体の上面への投影領域に、実装領域が含まれている。この貫通導体によって反射Ｘ線を遮蔽する。
特開２００９−３２９３６号公報
近年、Ｘ線検査装置等に用いられる放射線検出器として、二次元状に配列された複数の光電変換領域を有する光電変換デバイス（例えばフォトダイオードアレイ）の上にシンチレータが配置されたものが実用化されている。このような放射線検出器は、従来のＸ線感光フィルムを用いたものと比べ、現像の必要がなく、またリアルタイムに画像を確認することができるなど利便性が高く、データの保存性や取扱いの容易性の面でも優位である。
このような放射線検出器において、多くの場合、光電変換デバイスは基板上に実装される。そして、光電変換デバイスから出力された微小信号を増幅する必要があるため、複数の光電変換領域に対応する複数の読出回路（例えば積分回路）を内蔵する集積回路デバイスが用いられる。この集積回路デバイスは、装置の小型化のため基板の裏側に実装されることが好ましい。
しかし、このように基板の一方の板面上に光電変換デバイスを実装し、他方の板面上に集積回路デバイスを実装した場合、次の問題が生じる。すなわち、シンチレータに入射する放射線の一部がシンチレータに吸収されずに透過した場合、この放射線が基板を透過して集積回路デバイスに到達するおそれがある。集積回路デバイスの読出回路には、例えばオペアンプやコンデンサ、或いはスイッチ用のＭＯＳトランジスタといった放射線の影響を受けやすい回路要素が含まれており、集積回路デバイスに到達した放射線によってこれらの回路要素に異常が発生する等の問題が生じる。したがって、何らかの方策により読出回路を放射線から保護することが望まれる。
なお、特許文献１に記載された装置では、複数の貫通導体が、複数の絶縁層にわたって異なる方向に傾斜して形成されており、これらの貫通導体の基板面への投影領域に含まれるように実装領域を配置することによって、反射Ｘ線を遮蔽している。しかし、このような構成では複数の貫通導体が互いに対向し、貫通導体相互間の寄生容量が増加してしまうという問題がある。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、集積回路デバイスの読出回路を放射線から保護し、且つ寄生容量の増加を抑制することが可能な放射線検出器モジュール用の接続基板を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するために、本発明による第１の接続基板は、所定方向から入射する放射線を光に変換するシンチレータからの光を二次元状に配列された複数の光電変換領域に受ける光電変換デバイスを一方の板面上に搭載し、光電変換デバイスの複数の光電変換領域それぞれから出力される電気信号を複数の読出回路により個別に読み出す集積回路デバイスを他方の板面上に搭載するための接続基板であって、（ａ）複数の誘電体層が積層されて成る基材と、（ｂ）複数の誘電体層のうち、互いに隣接する少なくとも三つの誘電体層を貫通して設けられ、電気信号の経路の一部となる金属製の複数の貫通導体とを備える。この第１の接続基板では、複数の貫通導体それぞれと一体に形成されると共に互いに離間された金属製の複数の放射線遮蔽膜が、少なくとも三つの誘電体層における二以上の層間部分に設けられている。そして、一の層間部分において一の貫通導体と一体に形成された放射線遮蔽膜を所定方向に垂直な仮想平面に投影した領域と、他の層間部分において他の貫通導体と一体に形成された放射線遮蔽膜を仮想平面に投影した領域とは互いに重ならない。
また、本発明による第２の接続基板は、放射線を光に変換するシンチレータからの光を二次元状に配列された複数の光電変換領域に受ける光電変換デバイスを一方の板面上に搭載し、光電変換デバイスの複数の光電変換領域それぞれから出力される電気信号を複数の読出回路により個別に読み出す集積回路デバイスを他方の板面上に搭載するための接続基板であって、（ａ）複数の誘電体層が積層されて成る基材と、（ｂ）複数の誘電体層のうち、互いに隣接する少なくとも三つの誘電体層を貫通して設けられ、電気信号の経路の一部となる金属製の複数の貫通導体とを備える。この第２の接続基板では、複数の貫通導体それぞれと一体に形成されると共に互いに離間された金属製の複数の放射線遮蔽膜が、少なくとも三つの誘電体層における二以上の層間部分に設けられている。そして、一の層間部分において一の貫通導体と一体に形成された放射線遮蔽膜を一方の板面に平行な仮想平面に投影した領域と、他の層間部分において他の貫通導体と一体に形成された放射線遮蔽膜を仮想平面に投影した領域とは互いに重ならない。
上述した第１及び第２の放射線検出器モジュールにおいて、接続基板には、少なくとも三つの誘電体層を貫通する複数の貫通導体、および複数の貫通導体のそれぞれと一体に形成された金属製の複数の放射線遮蔽膜が設けられている。そして、これら複数の放射線遮蔽膜は、少なくとも三つの誘電体層における二以上の層間部分に設けられている。このような構成により、接続基板の内部に形成された複数の放射線遮蔽膜が、集積回路デバイスの読出回路を放射線から保護する。
また、上記第１及び第２の放射線検出器モジュールにおいては、複数の放射線遮蔽膜が互いに離間されており、一の層間部分において一の貫通導体と一体に形成された放射線遮蔽膜を仮想平面に投影した領域と、他の層間部分において他の貫通導体と一体に形成された放射線遮蔽膜を仮想平面に投影した領域とは互いに重ならない。ここで、仮想平面とは、放射線入射方向（所定方向）に垂直な面、或いは、放射線入射方向が接続基板の板面に垂直である場合には、接続基板の一方の板面に平行な面である。これにより、一の貫通導体及び他の貫通導体のそれぞれと一体に形成された各放射線遮蔽膜が互いに対向しないので、一の貫通導体と他の貫通導体との間に生じる寄生容量を低減できる。
以上説明したように、上述した第１及び第２の放射線検出器モジュールによれば、集積回路デバイスの読出回路を放射線から保護し、且つ寄生容量の増加を抑制することができる。
また、上記第１及び第２の接続基板においては、複数の誘電体層における層間部分のうち、少なくとも三つの誘電体層に対して一方の板面側に位置する一又は二以上の層間部分に、光電変換デバイスの電極ピッチと複数の貫通導体のピッチとの相違に起因する層間配線が設けられてもよい。
また、上記第１及び第２の接続基板においては、各放射線遮蔽膜が、対応する各貫通導体の周囲に延在していることが好ましい。
本発明によれば、集積回路デバイスの読出回路を放射線から保護し、且つ寄生容量の増加を抑制することが可能な放射線検出器モジュール用の接続基板を提供できる。
本発明の一実施形態に係る接続基板を備える放射線検出器モジュールの構成を示す断面図である。 接続基板および集積回路デバイスの内部構成を示す断面図である。 （ａ）放射線の入射方向から見た集積回路の各構成要素の配置を示している。（ｂ）集積回路デバイスが有する一つの単位回路領域を拡大して示す図である。 読出回路の構成例を示す等価回路図である。 放射線遮蔽膜および単位回路領域を仮想平面に投影した様子を示す図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明による接続基板の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図１は、本発明の一実施形態に係る接続基板を備える放射線検出器モジュールの構成を示す断面図である。図１に示す放射線検出器モジュール１０Ａは、シンチレータ１１、フォトダイオードアレイ１２、接続基板１３、及び集積回路デバイス１４を備える。
シンチレータ１１は、所定方向から入射する放射線Ｒ（例えばＸ線）を光に変換するための板状の部材である。シンチレータ１１は、Ｍ行Ｎ列（Ｎ，Ｍは共に２以上の整数）に配列された複数の画素に分割されており、二次元フォトダイオードアレイ１２の光入射面上に配置されている。シンチレータ１１は、入射した放射線Ｒに応じてシンチレーション光を発生して放射線像を光像へと変換し、この光像を二次元フォトダイオードアレイ１２へ出力する。シンチレータ１１は、例えばＣｓＩによって構成される。シンチレータ１１は二次元フォトダイオードアレイ１２を覆うように設置されるか、或いは二次元フォトダイオードアレイ１２上に蒸着により設けられることができる。
二次元フォトダイオードアレイ１２は、本実施形態における光電変換デバイスである。二次元フォトダイオードアレイ１２は、Ｍ行Ｎ列といった二次元状に配列された複数のフォトダイオード（光電変換領域）を有し、シンチレータ１１からの光を複数のフォトダイオードに受ける。二次元フォトダイオードアレイ１２は、いわゆるフリップチップ実装のための複数のバンプ電極（導電性接合材）１２ａを光入射面とは反対側の裏面上に有しており、これら複数のバンプ電極１２ａは、二次元フォトダイオードアレイ１２の裏面上においてＭ行Ｎ列といった二次元状に配列されている。二次元フォトダイオードアレイ１２の平面寸法は、例えば２０ｍｍ×３５ｍｍである。
接続基板１３は、二次元フォトダイオードアレイ１２を一方の板面１３ａ上に搭載し、後述する集積回路デバイス１４を他方の板面１３ｂ上に搭載する。接続基板１３は、複数の誘電体層が積層されて成り、二次元フォトダイオードアレイ１２と集積回路デバイス１４とを電気的に接続するための内部配線とを有する。また、接続基板１３の一方の板面１３ａには、二次元フォトダイオードアレイ１２を実装するための複数のランド状配線がＭ行Ｎ列といった二次元状に配列されており、他方の板面１３ｂには、集積回路デバイス１４を実装するための複数のランド状配線が二次元状に配列されている。
集積回路デバイス１４は、二次元フォトダイオードアレイ１２の複数のフォトダイオードそれぞれから出力される光電流といった電気信号を個別に検出する（読み出す）ための素子である。集積回路デバイス１４は、二次元フォトダイオードアレイ１２の複数のフォトダイオードに対応する複数の読出回路が、纏めて一つのチップに封入された構造を有する。また、これら複数の読出回路への入力端子となる複数のバンプ電極（導電性接合材）１４ａが、接続基板１３と対向する集積回路デバイス１４の面上において二次元状に配列されている。
また、放射線検出器モジュール１０Ａは、集積回路デバイス１４から出力された電気信号を外部へ出力するためのフレキシブルプリント基板１５を更に備える。フレキシブルプリント基板１５の一端は、接続基板１３の他方の板面１３ｂ上に電気的に接続される。
また、放射線検出器モジュール１０Ａは、集積回路デバイス１４を冷却するための放熱器（ヒートシンク）１６を更に備える。放熱器１６は、集積回路デバイス１４の接続基板１３と対向する面とは反対側の面と接しており、外側へ向けて多数のフィンが突出した形状をしている。
図２は、接続基板１３および集積回路デバイス１４の内部構成を示す断面図である。なお、同図には二次元フォトダイオードアレイ１２が図示されているが、シンチレータ１１及び放熱器１６は図示を省略されている。
図２に示すように、集積回路デバイス１４は、複数の単位回路領域１４ｂと、回路領域１４ｃとを有する。複数の単位回路領域１４ｂには、複数の読出回路（初段アンプ）がそれぞれ含まれている。これら複数の読出回路は、二次元フォトダイオードアレイ１２の複数のフォトダイオードにそれぞれ対応するものであり、それぞれ対応するフォトダイオードから光電流といった電気信号を受ける。なお、回路領域１４ｃには、単位回路領域１４ｂの読出回路から出力された信号を更に増幅するための増幅回路（後段アンプ）が設けられる。
ここで、図３（ａ）は、集積回路デバイス１４の構成例を示す図である。図３（ａ）は、放射線Ｒの入射方向から見た集積回路デバイス１４の各構成要素の配置を示している。また、図３（ｂ）は、集積回路デバイス１４が有する一つの単位回路領域１４ｂを拡大して示す図である。この集積回路デバイス１４は、例えば９ｍｍ×１１ｍｍといった大きさを有する。
図３（ａ）に示すように、単位回路領域１４ｂは、集積回路デバイス１４の内部においてＪ行Ｋ列（Ｊ，Ｋは２以上の整数）の二次元状に配列されている。各単位回路領域１４ｂには、図３（ｂ）に示すように入力パッド１４ｅが設けられている。この入力パッド１４ｅ上には、図１に示したバンプ電極１４ａが設けられる。また、これらの単位回路領域１４ｂは互いに離間されており、一の単位回路領域１４ｂと他の単位回路領域１４ｂとの間には、トランジスタやコンデンサ等の回路要素が存在しない領域が行方向および列方向に延びている。但し、この領域には、回路要素を相互に接続するための金属配線は存在してもよい。一つの単位回路領域１４ｂの寸法は、例えば行方向０．５ｍｍ、列方向０．５ｍｍであり、隣り合う単位回路領域１４ｂ同士の隙間の間隔は例えば０．１６ｍｍである。
回路領域１４ｃは、単位回路領域１４ｂの各列に対応してＫ個配置されている。これらの回路領域１４ｃは、行方向に並んで配置されており、各入力端はそれぞれ対応する列の単位回路領域１４ｂと電気的に接続されている。
単位回路領域１４ｂに含まれる読出回路（初段アンプ）、及び回路領域１４ｃに含まれる増幅回路（後段アンプ）には、個々にスイッチが設けられる。そして、単位回路領域１４ｂの読出回路のスイッチによって読み出す行の指定を、回路領域１４ｃの増幅回路のスイッチによって読み出す列の指定をそれぞれ行うことができる。
Ｋ個の回路領域１４ｃの出力端は、Ａ／Ｄ変換器１４ｄと電気的に接続されている。Ａ／Ｄ変換器１４ｄは、各回路領域１４ｃから出力されたアナログ信号をディジタル信号に変換する。Ａ／Ｄ変換器１４ｄから出力されたディジタル信号は、集積回路デバイス１４の縁に沿って配列された複数の入出力パッド１４ｆのうち一つを介して集積回路デバイス１４の外部へ出力される。なお、他の入出力パッド１４ｆは、電源電圧入力、基準電位（ＧＮＤ）入力、クロック入力等に使用される。
図４は、各単位回路領域１４ｂに含まれる読出回路の構成例を示す等価回路である。この等価回路において、読出回路１４０は積分回路を構成しており、オペアンプ１４１と、帰還容量としてのコンデンサ１４２と、リセットスイッチ１４３とを含む。オペアンプ１４１の非反転入力端子は基準電圧Ｖｒｅｆに接続されており、オペアンプ１４１の反転入力端子は、二次元フォトダイオードアレイ１２（図１を参照）が有する一つのフォトダイオード１２ｂのアノードに接続されている。なお、フォトダイオード１２ｂのカソードは基準電圧Ｖｒｅｆに接続され、フォトダイオード１２ｂには逆バイアスが印加される。
コンデンサ１４２は、オペアンプ１４１の反転入力端子と出力端子との間に接続される。コンデンサ１４２には、フォトダイオード１２ｂから出力された光電流による電荷が蓄積される。リセットスイッチ１４３は、コンデンサ１４２に対して並列に接続され、コンデンサ１４２に蓄積された電荷をリセットする。リセットスイッチ１４３は、例えばＭＯＳトランジスタによって好適に実現される。
再び図２を参照して、接続基板１３について詳細に説明する。本実施形態の接続基板１３は、複数（図２では六層）の誘電体層１３０ａ〜１３０ｆが積層されて成る基材１３０を有する。基材１３０の誘電体層１３０ａ〜１３０ｆは、例えば、アルミナといったセラミック材料を主原料とするセラミック基板からなる。各誘電体層１３０ａ〜１３０ｆの厚さは、例えば１００μｍ以上２００μｍ以下である。
また、接続基板１３は、複数の貫通導体２０を有する。貫通導体２０は、誘電体層１３０ａ〜１３０ｆのうち互いに隣接する少なくとも三つ（本実施形態では４つ）の誘電体層１３０ｃ〜１３０ｆを貫通して設けられている。複数の貫通導体２０それぞれは、二次元フォトダイオードアレイ１２の複数のフォトダイオードそれぞれと一対一で対応しており、フォトダイオードから出力された光電流の経路の一部となる。貫通導体２０は、例えばタングステンといった金属材料からなり、誘電体層１３０ｃ〜１３０ｆに形成された貫通孔に金属材料が埋め込まれることにより形成される。なお、本実施形態では、隣り合う貫通導体２０同士の中心間隔（ピッチ）が集積回路デバイス１４の単位回路領域１４ｂ間のピッチと等しくなっており、各貫通導体２０は、対応する単位回路領域１４ｂの直上に位置している。隣り合う貫通導体２０同士の中心間隔（ピッチ）は、例えば５００μｍである。また、貫通導体２０の直径は例えば１００μｍである。
また、接続基板１３は、少なくとも三層（図２では四層）の誘電体層１３０ｃ〜１３０ｆにおける二以上（図２では三箇所）の層間部分に設けられた複数の放射線遮蔽膜群２１〜２３を有する。具体的には、放射線遮蔽膜群２１は誘電体層１３０ｃ及び１３０ｄの層間部分に設けられており、放射線遮蔽膜群２２は誘電体層１３０ｄ及び１３０ｅの層間部分に設けられており、放射線遮蔽膜群２３は誘電体層１３０ｅ及び１３０ｆの層間部分に設けられている。
放射線遮蔽膜群２１〜２３のそれぞれは、貫通導体２０の本数に対応する金属製の複数の放射線遮蔽膜を含む。すなわち、放射線遮蔽膜群２１は貫通導体２０と同数の放射線遮蔽膜２１ａを含み、放射線遮蔽膜群２２は貫通導体２０と同数の放射線遮蔽膜２２ａを含み、放射線遮蔽膜群２３は貫通導体２０と同数の放射線遮蔽膜２３ａを含む。これら放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａは、対応する貫通導体２０と一体に形成されており、当該貫通導体２０の周囲に延在している。
各放射線遮蔽膜群２１〜２３において、放射線遮蔽膜同士は互いに離間されている。すなわち、複数の放射線遮蔽膜２１ａは一の層間部分において互いに間隔をあけて設けられており、複数の放射線遮蔽膜２２ａは別の層間部分において互いに間隔をあけて設けられており、複数の放射線遮蔽膜２３ａは更に別の層間部分において互いに間隔をあけて設けられている。これにより、貫通導体２０相互の電気的な分離が図られている。
放射線遮蔽膜２１ａの平面形状は、例えば４００μｍ四方の正方形である。また、隣り合う放射線遮蔽膜２１ａ同士の間隔（隙間）は例えば１００μｍであり、放射線遮蔽膜２１ａの厚さは例えば１０μｍである。これらの形状寸法は、放射線遮蔽膜２２ａ、２３ａについても同様である。放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａの構成材料としては、例えばタングステンが好適である。放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａは、誘電体層１３０ｃ〜１３０ｆの層間部分にいわゆるビアランドを形成する方法と同様の方法によって容易に形成可能である。
また、接続基板１３は、複数の層間配線２４を更に有する。層間配線２４は、二次元フォトダイオードアレイ１２の電極ピッチと複数の貫通導体２０のピッチとの相違に起因する配線である。層間配線２４は、複数の誘電体層１３０ａ〜１３０ｆにおける層間部分のうち、放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａが設けられた誘電体層１３０ｃ〜１３０ｆに対して一方の板面１３ａ側に位置する一又は二以上（図２では二つ）の層間部分に設けられている。
ここで、接続基板１３の放射線遮蔽膜２１ａ、２２ａ及び２３ａと、集積回路デバイス１４の複数の単位回路領域１４ｂとの相対的な位置関係について説明する。この説明の為に、放射線遮蔽膜及び単位回路領域を投影するための仮想平面の概念を導入する。仮想平面は、図１に示した放射線Ｒの入射方向（所定方向）に垂直な面として定義される。或いは、該入射方向が接続基板１３の板面１３ａ，１３ｂと略垂直である場合には、仮想平面は、板面１３ａ（又は１３ｂ）と平行な面として定義されてもよい。
図５は、接続基板１３の複数の放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａと、集積回路デバイス１４の複数の単位回路領域１４ｂとを仮想平面ＶＰに投影した様子を示す図である。図５において、ＰＲ１は、複数の放射線遮蔽膜２１ａ、２２ａ及び２３ａを仮想平面ＶＰに投影した領域を示している。また、ＰＲ２は、複数の単位回路領域１４ｂを仮想平面ＶＰに投影した領域を示している。また、ＰＲ３は、複数の貫通導体２０を仮想平面ＶＰに投影した領域を示している。
図５に示すように、複数の領域ＰＲ１は互いに離間されており、互いに重なっていない。これらの領域ＰＲ１は、放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａについて共通の投影領域である。つまり、一の層間部分において一の貫通導体２０と一体に形成された放射線遮蔽膜２１ａについての領域ＰＲ１と、他の層間部分において他の貫通導体２０と一体に形成された放射線遮蔽膜２１ｂ又は２１ｃについての領域ＰＲ１とは、互いに重ならない。また、一の層間部分において一の貫通導体２０と一体に形成された放射線遮蔽膜２１ｂについての領域ＰＲ１と、他の層間部分において他の貫通導体２０と一体に形成された放射線遮蔽膜２１ｃについての領域ＰＲ１とは、互いに重ならない。これにより、一の貫通導体２０と一体に形成された放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａと、他の貫通導体２０と一体に形成された放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａとが互いに対向しないので、複数の貫通導体２０の間に生じる寄生容量を低減できる。従って、二次元フォトダイオードアレイ１２の複数のフォトダイオードから出力された電気信号（光電流）に重畳されるノイズを低減できる。
また、本実施形態の接続基板１３においては、複数の放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａのそれぞれが、対応する各単位回路領域１４ｂを放射線から保護する。また、複数の放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａの隙間を通過した放射線Ｒは集積回路デバイス１４に達することができるが、その到達箇所には複数の単位回路領域１４ｂは存在せず、放射線Ｒによる影響は軽微となる。
このように、本実施形態の接続基板１３によれば、集積回路デバイス１４の読出回路を放射線から保護し、且つ寄生容量の増加を抑制することができる。
また、本実施形態の接続基板１３においては、複数の放射線遮蔽膜２１ａのそれぞれが、対応する貫通導体２０と一体に形成されている。複数の放射線遮蔽膜２２ａ及び２３ａについても同様である。このように、貫通導体２０と一体に形成される放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａは貫通導体２０の配置を妨げないので、放射線遮蔽材を迂回するような複雑な配線を形成する必要がない。
また、図５に示すように、本実施形態の接続基板１３においては、複数の放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａを仮想平面ＶＰに投影した複数の領域ＰＲ１それぞれが、複数の単位回路領域１４ｂを仮想平面ＶＰに投影した複数の領域ＰＲ２それぞれを含んでいる。換言すれば、放射線Ｒの入射方向から見て（または、板面１３ａに垂直な方向から見て）複数の単位回路領域１４ｂが複数の放射線遮蔽膜２１ａによって完全に覆われている。複数の放射線遮蔽膜２２ａ、及び複数の放射線遮蔽膜２３ａに関しても同様である。接続基板１３の放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａはこのように配置されることが好ましく、これによって集積回路デバイス１４の読出回路を放射線から更に効果的に保護できる。
また、上記実施形態のように、放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａは、対応する貫通導体２０の周囲に延在していることが好ましい。これにより、放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａのそれぞれが、対応する各単位回路領域１４ｂを放射線から好適に保護することができる。
本発明による接続基板は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態では、放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａが四つの誘電体層１３０ｃ〜１３０ｆにおける三つの層間部分に設けられているが、本発明の放射線遮蔽膜は、少なくとも三つの誘電体層における二以上の層間部分に設けられることにより、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。
１０Ａ…放射線検出器モジュール、１１…シンチレータ、１２…二次元フォトダイオードアレイ、１２ａ…バンプ電極、１２ｂ…フォトダイオード、１３…接続基板、１３ａ，１３ｂ…板面、１４…集積回路デバイス、１４ａ…バンプ電極、１４ｂ…単位回路領域、１４ｃ…回路領域、１４ｄ…Ａ／Ｄ変換器、１４ｅ…入力パッド、１４ｆ…入出力パッド、１５…フレキシブルプリント基板、１６…放熱器、２０…貫通導体、２１，２２，２３…放射線遮蔽膜群、２１ａ，２２ａ，２３ａ…放射線遮蔽膜、２４…層間配線、１３０…基材、１３０ａ〜１３０ｆ…誘電体層、１４０…読出回路、１４１…オペアンプ、１４２…コンデンサ、１４３…リセットスイッチ。

Claims (4)

  1. 所定方向から入射する放射線を光に変換するシンチレータからの光を二次元状に配列された複数の光電変換領域に受ける光電変換デバイスを一方の板面上に搭載し、前記光電変換デバイスの前記複数の光電変換領域それぞれから出力される電気信号を複数の読出回路により個別に読み出す集積回路デバイスを他方の板面上に搭載するための接続基板であって、
    複数の誘電体層が積層されて成る基材と、
    前記複数の誘電体層のうち、互いに隣接する少なくとも三つの前記誘電体層を貫通して設けられ、前記電気信号の経路の一部となる金属製の複数の貫通導体と
    を備え、
    前記複数の貫通導体それぞれと一体に形成されると共に互いに離間された金属製の複数の放射線遮蔽膜が、前記少なくとも三つの誘電体層における二以上の層間部分に設けられており、
    一の前記層間部分において一の前記貫通導体と一体に形成された前記放射線遮蔽膜を前記所定方向に垂直な仮想平面に投影した領域と、他の前記層間部分において他の前記貫通導体と一体に形成された前記放射線遮蔽膜を前記仮想平面に投影した領域とが互いに重ならないことを特徴とする、接続基板。
  2. 放射線を光に変換するシンチレータからの光を二次元状に配列された複数の光電変換領域に受ける光電変換デバイスを一方の板面上に搭載し、前記光電変換デバイスの前記複数の光電変換領域それぞれから出力される電気信号を複数の読出回路により個別に読み出す集積回路デバイスを他方の板面上に搭載するための接続基板であって、
    複数の誘電体層が積層されて成る基材と、
    前記複数の誘電体層のうち、互いに隣接する少なくとも三つの前記誘電体層を貫通して設けられ、前記電気信号の経路の一部となる金属製の複数の貫通導体と
    を備え、
    前記複数の貫通導体それぞれと一体に形成されると共に互いに離間された金属製の複数の放射線遮蔽膜が、前記少なくとも三つの誘電体層における二以上の層間部分に設けられており、
    一の前記層間部分において一の前記貫通導体と一体に形成された前記放射線遮蔽膜を前記一方の板面に平行な仮想平面に投影した領域と、他の前記層間部分において他の前記貫通導体と一体に形成された前記放射線遮蔽膜を前記仮想平面に投影した領域とが互いに重ならないことを特徴とする、接続基板。
  3. 前記複数の誘電体層における層間部分のうち、前記少なくとも三つの誘電体層に対して前記一方の板面側に位置する一又は二以上の前記層間部分に、前記光電変換デバイスの電極ピッチと前記複数の貫通導体のピッチとの相違に起因する層間配線が設けられていることを特徴とする、請求項１または２に記載の接続基板。
  4. 各放射線遮蔽膜が、対応する各貫通導体の周囲に延在していることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の接続基板。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012118073A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 General Electric Co <Ge> スルービアインターポーザを有する検出器アレイ
KR20150035461A (ko) * 2013-09-27 2015-04-06 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 웨이퍼 레벨 적층을 이용한 듀얼 페이싱 ｂｓｉ 이미지 센서들
JP2018205031A (ja) * 2017-05-31 2018-12-27 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器
JP2019027887A (ja) * 2017-07-28 2019-02-21 京セラ株式会社 検出素子搭載用基板、検出装置および検出モジュール
US11532524B2 (en) 2020-07-27 2022-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated circuit test method and structure thereof

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8242375B2 (en) * 2008-09-18 2012-08-14 United Technologies Corporation Conductive emissions protection
US9198293B2 (en) * 2013-01-16 2015-11-24 Intel Corporation Non-cylindrical conducting shapes in multilayer laminated substrate cores
US9526468B2 (en) * 2014-09-09 2016-12-27 General Electric Company Multiple frame acquisition for exposure control in X-ray medical imagers
CN105528598B (zh) * 2014-09-29 2019-03-29 上海箩箕技术有限公司 光学指纹传感器
DE102014221829B4 (de) * 2014-10-27 2018-02-22 Siemens Healthcare Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Sensorboards für ein Detektormodul und damit hergestelltes Detektormodul
CN107646091B (zh) * 2015-04-14 2019-11-15 模拟技术公司 用于辐射系统的探测器阵列
JP7080579B2 (ja) * 2016-12-02 2022-06-06 凸版印刷株式会社 電子部品製造方法
US10473798B2 (en) * 2017-06-16 2019-11-12 Varex Imaging Corporation Counting and integrating pixels, detectors, and methods
JP7048722B2 (ja) * 2018-03-27 2022-04-05 富士フイルム株式会社 放射線検出器及び放射線画像撮影装置
TW201945346A (zh) 2018-04-10 2019-12-01 德商拜耳廠股份有限公司 2,4,5-三取代的1,2,4-三唑酮之製備方法
JP7449264B2 (ja) * 2021-08-18 2024-03-13 株式会社東芝 放射線検出器
FR3131431B1 (fr) * 2021-12-28 2024-03-22 Trixell Détecteur photosensible matriciel et procédé de réalisation du détecteur photosensible
US11740367B2 (en) 2022-01-07 2023-08-29 Analogic Corporation Radiation detectors for scanning systems, and related scanning systems

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003014862A (ja) * 2001-07-02 2003-01-15 Canon Inc 放射線画像検出装置及び放射線遮蔽方法
JP2004071638A (ja) * 2002-08-01 2004-03-04 Canon Inc 放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム
JP2004536313A (ja) * 2001-07-18 2004-12-02 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 固体ｘ線放射検出器モジュールとそのモザイク構造、および撮像方法とそれを用いる撮像装置
JP2005539232A (ja) * 2002-09-18 2005-12-22 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 複数の検出器ユニットを有するｘ線検出器
JP2009032936A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Kyocera Corp Ｘ線検出素子搭載用配線基板およびｘ線検出装置
JP2009074964A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Kyocera Corp Ｘ線検出素子搭載用配線基板およびｘ線検出装置
JP2009212377A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Fujifilm Corp 撮像素子及び撮像素子の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4421209B2 (ja) * 2003-04-11 2010-02-24 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
JP2007515794A (ja) * 2003-12-22 2007-06-14 エックストゥーワイ アテニュエイターズ，エルエルシー 内部で遮蔽されたエネルギー調節器
JP4722104B2 (ja) * 2007-09-21 2011-07-13 京セラ株式会社 Ｘ線検出素子搭載用配線基板およびｘ線検出装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003014862A (ja) * 2001-07-02 2003-01-15 Canon Inc 放射線画像検出装置及び放射線遮蔽方法
JP2004536313A (ja) * 2001-07-18 2004-12-02 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 固体ｘ線放射検出器モジュールとそのモザイク構造、および撮像方法とそれを用いる撮像装置
JP2004071638A (ja) * 2002-08-01 2004-03-04 Canon Inc 放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム
JP2005539232A (ja) * 2002-09-18 2005-12-22 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 複数の検出器ユニットを有するｘ線検出器
JP2009032936A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Kyocera Corp Ｘ線検出素子搭載用配線基板およびｘ線検出装置
JP2009074964A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Kyocera Corp Ｘ線検出素子搭載用配線基板およびｘ線検出装置
JP2009212377A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Fujifilm Corp 撮像素子及び撮像素子の製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012118073A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 General Electric Co <Ge> スルービアインターポーザを有する検出器アレイ
KR20150035461A (ko) * 2013-09-27 2015-04-06 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 웨이퍼 레벨 적층을 이용한 듀얼 페이싱 ｂｓｉ 이미지 센서들
KR101649797B1 (ko) 2013-09-27 2016-08-19 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 웨이퍼 레벨 적층을 이용한 듀얼 페이싱 ｂｓｉ 이미지 센서들
US9711555B2 (en) 2013-09-27 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual facing BSI image sensors with wafer level stacking
US10453889B2 (en) 2013-09-27 2019-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual facing BSI image sensors with wafer level stacking
US11037978B2 (en) 2013-09-27 2021-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual facing BSI image sensors with wafer level stacking
US11894408B2 (en) 2013-09-27 2024-02-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual facing BSI image sensors with wafer level stacking
JP2018205031A (ja) * 2017-05-31 2018-12-27 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器
JP2019027887A (ja) * 2017-07-28 2019-02-21 京セラ株式会社 検出素子搭載用基板、検出装置および検出モジュール
JP7007127B2 (ja) 2017-07-28 2022-01-24 京セラ株式会社 検出素子搭載用基板、検出装置および検出モジュール
US11532524B2 (en) 2020-07-27 2022-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated circuit test method and structure thereof

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Publication number Publication date
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