JP7007127B2 - 検出素子搭載用基板、検出装置および検出モジュール - Google Patents
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Description
素子および前記電子素子を電気的に接続しておらず、平面透視で隣接している前記ビアに対して径が小さい小径ビアを含んでいる。
本発明の第1の実施形態における検出装置は、図1~図4に示すように、検出素子搭載用基板1と、検出素子搭載用基板1の第1主面11aに搭載された検出素子2と、検出素子搭載用基板1の第2主面11bに搭載された電子素子3とを含んでいる。検出装置は、例えば、検出モジュールを構成するモジュール基板上にはんだを用いて接続される。
重なる部分を点線にて示している。
る。なお、絶縁基板11との接合強度を高めるために、ガラス粉末、セラミック粉末を含んでいても構わない。
るものである。ビア15は、タングステンまたはモリブデンを主原料とした材料が好適に使用され、上述の配線導体14の貫通導体14aと同様の方法により形成される。ビア15は、図1~図3に示す例では、絶縁基板11を構成する複数に積層された絶縁層11cのうち、絶縁基板11の厚み方向の中央に設けられた絶縁層11cに設けられている。ビア15は、平面視において、円形状を有している。第1の実施形態の素子搭載用基板1において、ビア15は円柱状である。検出素子搭載用基板1は、絶縁基板11の内部に複数のビア15を有しており、複数のビア15は群15Gを成している。群15Gが格子状である格子部を有している。ここで、群15Gが格子部を有しているとは、図2に示す例のように、複数のビア15の群15Gが、格子状に配列されていることを示している。なお、図2に示す例においては、複数のビア15の群15Gは、平面透視において、配線導体14の貫通導体14aを囲むように、格子状に配列されている。この場合、配線導体14の貫通導体14aとビア15との間隔は、平面透視において、近傍に配置された隣接するビア15同士の間隔よりも大きく、複数のビア15は、隣接する配線導体14の貫通導体17同士の中央部に沿って配置されている。
厚さのビア15を2つの絶縁層11cにそれぞれ形成しておき、これらの絶縁層11cを絶縁基板11の厚み方向に積み重ねることにより、200μmの厚さとなるビア15を形成しても構わ
ない。この場合、ビア15が設けられる1つの絶縁層11cの厚みを小さくすることで、検出素子搭載用基板1の製作時において、1つの絶縁層11cの厚みを大きくする場合と比較して、隣接するビア15間にクラックの発生を生じにくくすることができ、同一の絶縁層11cにおけるビア15間同士の間隔を小さくすることができるので、絶縁基板11内に複数のビア15を格子状に密集して設けることができ、検出装置の作動時に電子素子3等の熱が検出素子搭載用基板1に伝わり、絶縁層11cとビア15との熱膨張差による応力が発生しようとしても、複数のビア15による群15Gが有する格子部で応力が分散されて、検出素子搭載用基板1に歪みが生じることを抑制することができ、X線を良好に検出することができる。な
お、ビア15が設けられる1つの絶縁層11cの厚みは、ビア15の径以下とすることが好ましい。また、それぞれの群15Gにおける効果を効率よくするため、それぞれの絶縁層11cの厚みが同じ大きさとなる、すなわち均等に設けることが好ましい。また、絶縁基板11の最外周側に配置されたビア15と絶縁基板11との間の間隔は、絶縁基板11の側面側に応力が加えられた際に、複数のビア15による群15Gの応力分散のバランスが崩れることを抑制するため、隣接するビア15間の間隔よりも大きくなるように配置されていることが好ましい。より好ましくは、絶縁基板11の最外周側に配置されたビア15と絶縁基板11との間の間隔は、隣接するビア15間の間隔の2倍以上である。
ニッケルめっき層と0.1~3μm程度の金めっき層とが順次被着される。これによって、
配線導体14が腐食することを効果的に抑制できるとともに、配線導体14と接続部材4との
接合、ならびに配線導体14とモジュール基板に形成された接続用の接続パッドとの接合を強固にできる。
次に、本発明の第2の実施形態による検出装置について、図5および図6を参照しつつ説明する。
次に、本発明の第3の実施形態による検出装置について、図8および図9を参照しつつ説明する。上記した実施形態の検出装置と異なる点は、複数のビア15を挟むように、金属層16が設けられている点である。金属層16は、図9に示す例のように、ビア15と接するように、絶縁層11c間に設けられている。
次に、本発明の第3の実施形態による検出装置について、図10を参照しつつ説明する。上記した実施形態の検出装置と異なる点は、ビア15の側面が傾斜している点である。
3のビア15eの側面と重なる部分を点線にて示している。
ア15は、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートに金型またはパンチングによる打ち抜き加工またはレーザー加工等の加工方法によってビア15用の貫通孔を形成する際に、第1主面11a側の径が第1主面11a側の径よりも大きくなるようにビア15用の貫通孔を形成し、この貫通孔にビア15用のメタライズペーストを充填しておくことによって形成することができる。
11・・・・絶縁基板
11a・・・第1主面
11b・・・第2主面
12・・・・第1搭載部
13・・・・第2搭載部
14・・・・配線導体
14a・・・貫通導体
15・・・・ビア
15a・・・小径ビア
15b・・・他のビア
15c・・・第1のビア
15d・・・第2のビア
15e・・・第3のビア
15G・・・(複数のビアの)群
2・・・・検出素子
3・・・・電子素子
4・・・・接続部材
Claims (4)
- 第1主面と、該第1主面にX線を検出する検出素子を搭載する第1搭載部と、前記第1主面に相対する第2主面と、該第2主面に電子素子を搭載する第2搭載部と、内部に設けられた配線導体と、群を成した複数のビアを含み、平面視で矩形状の絶縁基板を有しており、前記配線導体は、前記検出素子および前記電子素子を電気的に接続し、
前記複数のビアは、前記絶縁基板の厚み方向で前記絶縁基板の絶縁体を介して互いに離れて配置されて且つ互いに電気的に接続されていないとともに、前記検出素子および前記電子素子を電気的に接続しておらず、平面透視で隣接している前記ビアに対して径が小さい小径ビアを含んでいることを特徴とする検出素子搭載用基板。 - 前記複数のビアは、前記第2主面側に位置しており、側面が傾斜した傾斜面を有し、該傾斜面が前記第2主面側に向いている側面傾斜ビアを含んでいることを特徴とする請求項1に記載の検出素子搭載用基板。
- 請求項1または請求項2に記載の検出素子搭載用基板と、
前記第1搭載部に搭載された検出素子と、
前記第2搭載部に搭載された電子素子とを有することを特徴とする検出装置。 - 接続パッドを有するモジュール基板と、
前記接続パッドにはんだを介して接続された請求項3に記載の検出装置とを有することを特徴とする検出モジュール。
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JP2017146788A JP7007127B2 (ja) | 2017-07-28 | 2017-07-28 | 検出素子搭載用基板、検出装置および検出モジュール |
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002237681A (ja) | 1997-02-03 | 2002-08-23 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法 |
JP2009032936A (ja) | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Kyocera Corp | X線検出素子搭載用配線基板およびx線検出装置 |
JP2009074964A (ja) | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Kyocera Corp | X線検出素子搭載用配線基板およびx線検出装置 |
WO2011129133A1 (ja) | 2010-04-15 | 2011-10-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 接続基板 |
JP2015106568A (ja) | 2013-11-28 | 2015-06-08 | 京セラ株式会社 | 配線基板および光モジュール |
US20150312501A1 (en) | 2014-04-29 | 2015-10-29 | Fermi Research Alliance, Llc | Wafer-scale pixelated detector system |
JP2016081961A (ja) | 2014-10-10 | 2016-05-16 | イビデン株式会社 | 多層配線板及びその製造方法 |
WO2016166970A1 (ja) | 2015-04-13 | 2016-10-20 | 大日本印刷株式会社 | ガス増幅を用いた放射線検出器、ガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法、及びガス増幅を用いた放射線検出器による放射線検出方法 |
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002237681A (ja) | 1997-02-03 | 2002-08-23 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法 |
JP2009032936A (ja) | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Kyocera Corp | X線検出素子搭載用配線基板およびx線検出装置 |
JP2009074964A (ja) | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Kyocera Corp | X線検出素子搭載用配線基板およびx線検出装置 |
WO2011129133A1 (ja) | 2010-04-15 | 2011-10-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 接続基板 |
JP2011226817A (ja) | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 接続基板 |
US20130032389A1 (en) | 2010-04-15 | 2013-02-07 | Fumiyuki Tokura | Connection substrate |
JP2015106568A (ja) | 2013-11-28 | 2015-06-08 | 京セラ株式会社 | 配線基板および光モジュール |
US20150312501A1 (en) | 2014-04-29 | 2015-10-29 | Fermi Research Alliance, Llc | Wafer-scale pixelated detector system |
JP2016081961A (ja) | 2014-10-10 | 2016-05-16 | イビデン株式会社 | 多層配線板及びその製造方法 |
WO2016166970A1 (ja) | 2015-04-13 | 2016-10-20 | 大日本印刷株式会社 | ガス増幅を用いた放射線検出器、ガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法、及びガス増幅を用いた放射線検出器による放射線検出方法 |
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