CN111033771A - 电子部件搭载用基板、电子装置及电子模块 - Google Patents

电子部件搭载用基板、电子装置及电子模块 Download PDF

Info

Publication number
CN111033771A
CN111033771A CN201880054090.9A CN201880054090A CN111033771A CN 111033771 A CN111033771 A CN 111033771A CN 201880054090 A CN201880054090 A CN 201880054090A CN 111033771 A CN111033771 A CN 111033771A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductor
electronic component
insulating substrate
substrate
component mounting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201880054090.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111033771B (zh
Inventor
福园茂义
马场祐贵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of CN111033771A publication Critical patent/CN111033771A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111033771B publication Critical patent/CN111033771B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838Geometry or layout
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822Multilayer substrates
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4867Applying pastes or inks, e.g. screen printing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

电子部件搭载用基板具有:搭载电子部件的绝缘基板;在绝缘基板的内部位于厚度方向的过孔导体;以及位于绝缘基板的内部并与过孔导体连接,厚度从外缘部朝着内侧而逐渐增大的过孔焊盘导体,且该过孔焊盘导体包含在过孔导体的宽度方向上从过孔导体突出的突出部。

Description

电子部件搭载用基板、电子装置及电子模块
技术领域
本发明涉及电子部件搭载用基板、电子装置及电子模块。
背景技术
以往,公知在由陶瓷构成的绝缘基板的主面搭载电子部件的电子部件搭载用基板及电子装置。
在上述那样的电子部件搭载用基板中,绝缘基板在表面具有分别容纳并搭载电子部件的凹部,具有设置在凹部底面的导体层、用于在下表面连接模块用基板的导体层、以及设置在导体层间的过孔导体(例如,参照日本特开2015-159245号公报。)。
发明内容
本公开的电子部件搭载用基板具有:搭载电子部件的绝缘基板;在该绝缘基板的内部被设置在厚度方向的过孔导体;以及设置于所述绝缘基板的内部并与所述过孔导体连接,厚度从外缘部朝着内侧逐渐增大的过孔焊盘导体,该过孔焊盘导体包含在所述过孔导体的宽度方向上从所述过孔导体突出的突出部。
本公开的电子装置具有:上述结构的电子部件搭载用基板;以及被搭载于所述凹部的电子部件。
本公开的电子模块具有:具有连接焊盘的模块用基板;以及经由焊料而被连接到所述连接焊盘的上述记载的电子装置。
附图说明
图1的(a)是表示第一实施方式中的电子装置的俯视图,(b)是(a)的仰视图。
图2的(a)及(b)是图1示出的电子装置的内部俯视图。
图3的(a)是图1的(a)示出的电子装置的A-A线处的纵剖视图,(b)是B-B线处的纵剖视图。
图4是图3的(b)示出的电子装置的A部中的主要部位放大剖视图。
图5是表示使用了图1中的电子装置的安装至模块用基板的电子模块的纵剖视图。
图6是第一实施方式中的电子装置的其他例的主要部位放大剖视图。
图7的(a)是表示第二实施方式中的电子装置的俯视图,(b)是(a)的仰视图。
图8的(a)及(b)是图7示出的电子装置的内部俯视图。
图9的(a)是图7的(a)示出的电子装置的A-A线处的纵剖视图,(b)是B-B线处的纵剖视图。
图10是图9的(b)示出的电子装置的A部中的主要部位放大剖视图。
图11的(a)是第二实施方式中的电子装置的其他例的剖视图,(b)是(a)的A部中的主要部位放大剖视图。
图12是第三实施方式中的电子装置的主要部位放大剖视图。
具体实施方式
参照附图来说明本公开的几个例示性的实施方式。
(第一实施方式)
第一实施方式中的电子装置如图1~图5所示那样,包含电子部件搭载用基板1、和被搭载在电子部件搭载用基板1的凹部14的电子部件2。电子装置如图5所示那样,例如使用焊料5而被连接于构成电子模块的模块用基板4上。
第一实施方式中的电子部件搭载用基板1具有:搭载电子部件2的绝缘基板11;在绝缘基板11的内部,位于厚度方向的过孔导体12;以及位于绝缘基板11的内部,与过孔导体12连接且厚度从外缘部朝着内侧而逐渐增大,包含在过孔导体12的宽度方向上从过孔导体12突出的突出部13a的过孔焊盘导体13。绝缘基板11在一个主面具有搭载电子部件2的凹部14,导体层15位于凹部14的表面及内部。在图1~图4中,上方向指的是虚拟的z轴的正方向。需要说明的是,以下说明中的上下的区别是为了方便,实际上并未限定电子部件搭载用基板1等被使用之际的上下。
在图1所示的例子中,在平面透视中,以网格表示导体层15,以虚线表示与过孔导体12的侧面重叠的部分。再者,在图2所示的例子中,在平面透视中,网格来表示过孔导体焊盘13及导体层15,以虚线来表示与过孔导体12的侧面重叠的部分及与凹部14的内侧壁重叠的部分。
绝缘基板11具有一个主面(在图1~图4中为上表面)及与主面相对的另一主面(在图1~图4中为下表面)、和侧面。绝缘基板11由多个绝缘层11a构成,具有在主面开口且搭载电子部件2的凹部14。绝缘基板11在俯视情况下即从与主面垂直的方向观察时具有矩形的板状的形状。绝缘基板11作为用于支承电子部件2的支承体发挥功能,电子部件2经由焊料凸块、金凸块或者导电性树脂(各向异性导电树脂等)、树脂等的连接构件3而被粘接并固定在凹部14的底面的搭载部上。
绝缘基板11,例如能够使用氧化铝质烧结体(氧化铝陶瓷)、氮化铝质烧结体、氮化硅质烧结体、莫来石质烧结体或者玻璃陶瓷烧结体等的陶瓷。绝缘基板11,例如若是氧化铝质烧结体的情况下,则在氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)等的原料粉末中添加混合适当的有机粘合剂及溶剂等来制作泥浆物。通过采用以往公知的刮刀法或者砑光滚法等将该泥浆物成型为片状,从而制作陶瓷生片。接下来,对该陶瓷生片实施适当的冲孔加工,并且将陶瓷生片多张层叠来形成原始成型体,在高温(约1600℃)下对该原始成型体进行烧成,由此来制作绝缘基板11。
在图1及图2所示的例子中,凹部14位于绝缘基板11的主面。凹部14用于在底面搭载电子部件2。在图1所示的例子中,凹部14在俯视中是角部为圆弧状的矩形状,且位于绝缘基板11的中央部。在图1~图3所示的例子中,绝缘基板11由4层的绝缘层11a形成,凹部14位于一个主面侧的第1层及第2层的绝缘层11a。凹部14的底面与绝缘基板11的另一主面之间,由两层的绝缘层11a形成。图2的(a)所示的例子,是在平面透视中,凹部14的底面、即一个主面侧的第3层的绝缘层11a中的内部俯视图。图2的(b)所示的例子是,在平面透视中,凹部14的凹部14的底面与绝缘基板11的另一主面之间、即一个主面侧的第4层的绝缘层11a中的内部俯视图。
例如可以通过激光加工或者基于金属模的冲孔加工等,针对绝缘基板11用的陶瓷生片的几个,在各个陶瓷生片形成作为凹部14的贯通孔,并将该陶瓷生片层叠于未形成贯通孔的其他陶瓷生片,由此来形成凹部14。
过孔导体12、过孔焊盘导体13及导体层15位于绝缘基板11的表面及内部。过孔导体12、过孔焊盘导体13及导体层15用于将电子部件2与模块用基板4电连接。导体层15如图1~图3所示的例子那样,位于凹部14的底面及绝缘基板11的另一主面。过孔导体12位于绝缘基板11的内部的厚度方向(图1~图3中为z方向),端部被连接于导体层15。过孔焊盘导体13位于绝缘基板11的内部,且位于凹部14的底面侧的过孔导体12与绝缘基板11的另一主面侧的过孔导体12之间,过孔焊盘导体的上表面及下表面分别与过孔导体12连接。
过孔导体12如图1~图3所示的例子那样,在平面透视中,配置为与凹部14重叠。过孔导体12如图3及图4所示的例子那样,在绝缘基板11的厚度方向上分别位于凹部14的底面与绝缘基板11的另一主面之间的至少两个绝缘层11a。凹部14的底面侧的过孔导体12与绝缘基板11的另一主面侧的过孔导体12在平面透视的情况下是重叠的,即在纵剖视中从凹部14的底面到绝缘基板11的另一主面垂直于厚度方向地配置。
过孔焊盘导体13如图3及图4所示的例子那样,厚度从外缘部朝向中央部地逐渐增大,在过孔导体12的宽度方向上具有从过孔导体12延伸突出的突出部13a。过孔焊盘导体13的突出部13a如图1~图3所示的例子那样,在过孔导体12的宽度方向上,分别从被连接到过孔焊盘导体13的上表面侧的过孔导体12及被连接到下表面侧的过孔导体12延伸突出。需要说明的是,过孔导体12的宽度方向指的是在平面透视之际平面方向上的过孔导体12的宽度(直径)的任一方向。在过孔导体12的宽度方向上具有从过孔导体12延伸突出的突出部13a,表示的是在平面透视中过孔焊盘导体13的突出部13a比过孔导体12的侧面更向外侧地延伸突出。在图1~图3所示的例子中,过孔焊盘导体13遍及过孔导体12的侧面整周上地具有从过孔导体12延伸突出的突出部13a。
过孔导体12、过孔焊盘导体13及导体层15,例如是以钨(W)、钼(Mo)、锰(Mn)、银(Ag)或者铜(Cu)等为主成分的金属粉末金属化物质(metalize)。例如,如果是绝缘基板11由氧化铝质烧结体构成的情况,那么预先通过丝网印刷法将在W、Mo或者Mn等的高熔点金属粉末中添加混合适当的有机粘合剂及溶媒等而得的金属化物质糊膏以规定的图案印刷涂敷于绝缘基板11用的陶瓷生片,与绝缘基板11用的陶瓷生片同时进行烧成,由此覆盖形成于绝缘基板11的规定位置。过孔焊盘导体13及导体层15,例如通过丝网印刷法等的印刷手段在绝缘基板11用的陶瓷生片印刷涂敷过孔焊盘导体13及导体层15用的金属化物质糊膏,与绝缘基板11用的陶瓷生片一起进行烧成来形成。过孔导体12,例如,通过基于金属模或者冲压的冲孔加工或者激光加工等的加工方法在绝缘基板11用的陶瓷生片形成过孔导体12用的贯通孔,通过上述印刷手段在该贯通孔填充过孔导体12用的金属化物质糊膏,与绝缘基板11用的陶瓷生片一起进行烧成来形成。金属化物质糊膏通过在上述的金属粉末中添加适当的溶剂及粘合剂并混炼而调整为适度的粘度来制作。需要说明的是,为了提高与绝缘基板11的接合强度,当然也可以包含玻璃粉末、陶瓷粉末。
过孔焊盘导体13如图3及图4所示的例子那样,厚度从外缘部朝着内侧而逐渐增大。例如在将过孔焊盘导体13用的金属化物质糊膏印刷于陶瓷生片的表面之际,过孔焊盘导体13能够在被填充到绝缘基板11用的陶瓷生片所形成的过孔导体12用的贯通孔内的过孔导体12用的金属化物质糊膏上,形成为内侧的厚度相比于外缘部侧的厚度而有所增大。
在导体层15的从绝缘基板11露出的表面,通过电气镀覆法或者无电解镀覆法而覆盖金属镀层。金属镀层由镍、铜、金或者银等的耐腐蚀性及连接构件连接性优异的金属构成,例如依次覆盖厚度0.5~5μm程度的镍镀层与0.1~3μm程度的金镀层。由此,能有效地抑制导体层15腐蚀,并且可使导体层15与接合引线等的连接构件3的接合、以及导体层15与位于模块用基板4的连接用的连接焊盘41的接合牢固。
再有,金属镀层未被限于镍镀层/金镀层,当然也可以是包括镍镀层/钯镀层/金镀层等的其他金属镀层。
将电子部件2搭载于电子部件搭载用基板1的凹部14的底面,由此可制作电子装置。被搭载于电子部件搭载用基板1的电子部件2是IC芯片或者LSI芯片等的半导体元件、发光元件、水晶振子或者压电振子等的压电元件及各种传感器等。例如,在电子部件2为引线接合型的半导体元件的情况下,半导体元件通过低熔点钎焊材料或者导电性树脂等的接合构件,被固定到凹部14的底面后,经由接合引线等的连接构件3将半导体元件的电极与导体层15电连接而被搭载于电子部件搭载用基板1。由此,电子部件2被电连接于导体层15。还有,例如在电子部件2为倒装芯片型的半导体元件的情况下,半导体元件经由焊料凸块、金凸块或者导电性树脂(各向异性导电树脂等)等的连接构件3,将半导体元件的电极与导体层15进行电连接及机械连接而被搭载于电子部件搭载用基板1。另外,在电子部件搭载用基板1的凹部14的底面,既可以搭载多个电子部件2,也可以根据需要来搭载电阻元件或者电容元件等的小型的电子部件。此外,根据需要,使用树脂或者玻璃等构成的密封材料、或者通过树脂、玻璃、陶瓷或者金属等构成的盖体等来密封电子部件2。
本实施方式的电子装置的导体层15,例如图4所示那样,经由焊料5而被连接于模块用基板4的连接焊盘41,由此成为电子模块。电子装置例如图4所示那样,位于电子部件搭载用基板1的其他主面的导体层15被连接于模块用基板4的连接焊盘41。
本实施方式的电子部件搭载用基板1具有:搭载电子部件2的绝缘基板11;在绝缘基板11的内部,位于厚度方向的过孔导体12;位于绝缘基板11的内部,与过孔导体12连接,且厚度从外缘部朝着内侧逐渐增大,包含在过孔导体12的宽度方向上从过孔导体12突出的突出部13a的过孔焊盘导体13。根据上述结构,例如即便因操作时的外力而向包括电子部件搭载用基板1的电子装置施加平面方向的应力,且应力施加至过孔导体12,也会在厚度从外缘部朝着内侧逐渐增大的过孔焊盘导体13被分散,能够抑制在绝缘基板11与过孔导体12之间产生间隙,并抑制凹部14与绝缘基板11的下表面侧之间的气密性降低。
再有,如图4所示的例子那样,若突出部13a的端部尖细,则例如即便因操作时的外力而对包括电子部件搭载用基板1的电子装置施加平面方向的应力,且应力施加至过孔导体12,也不会在倾斜面从外缘部朝着内侧进一步增大的过孔焊盘导体13被分散,能够进一步抑制在绝缘基板11与过孔导体12之间产生间隙,抑制凹部14与绝缘基板11的下表面侧之间的气密性降低。需要说明的是,所谓尖细,表示的是在纵剖视中过孔焊盘导体13的厚度减小。
还有,遍及上表面侧及下表面侧所连接的过孔导体12的侧面整周上的宽度方向,若过孔焊盘导体13的突出部13a从过孔导体12突出,则遍及过孔导体12的侧面整周上的宽度方向地在过孔焊盘导体13被分散,能够抑制在绝缘基板11与过孔导体12之间产生间隙,抑制凹部14与绝缘基板11的下表面侧之间的气密性降低。
另外,如图3及图4所示的例子那样,在纵剖视下,若过孔焊盘导体13的中央部的厚度相比于外缘部的厚度有所增大,则例如即便因操作时的外力,对包括电子部件搭载用基板1的电子装置施加平面方向的应力,且应力施加到过孔导体12,也会在中央部的厚度相比于外缘部的厚度而增大的过孔焊盘导体13被分散,进而在绝缘基板11中的从过孔焊盘导体13的中央部相接到外缘部的部分被有效地分散,能够进一步抑制在绝缘基板11与过孔导体12之间产生间隙,抑制凹部14与绝缘基板11的下表面侧之间的气密性降低。
如图4所示那样,也可以夹着过孔焊盘导体13而配置过孔导体12的各个绝缘层11a的厚度H11、H12为一方的绝缘层11a的±10%以内(0.9H12≤H11≤1.1H12)。该情况下,由于在凹部14的底面侧与绝缘基板11的下表面侧施加于各个过孔导体12的应力容易被均衡地分散,故能够进一步抑制在绝缘基板11与凹部14的底面侧的过孔导体12及绝缘基板11的下表面侧的过孔导体12之间产生间隙,抑制凹部14与绝缘基板11的下表面侧之间的气密性降低。
此外,上述的情况(0.9H12≤H11≤1.1H12)下,若过孔焊盘导体13的最大厚度H2为夹着过孔焊盘导体13而配置过孔导体12的各个绝缘层11a的厚度H11、H12的厚度之差以上(H2≥|H11-H12|),则在凹部14的底面侧与绝缘基板11的下表面侧,厚度从外缘部朝着内侧逐渐增大地良好配置,在凹部14的底面侧与绝缘基板11的下表面侧施加于各个过孔导体12的应力容易被均衡地分散,因此能够进一步抑制在绝缘基板11与凹部14的底面侧的过孔导体12及绝缘基板11的下表面侧的过孔导体12之间产生间隙,抑制凹部14与绝缘基板11的下表面侧之间的气密性降低。
若过孔导体12的宽度方向上的一端部与突出部13a相接,则例如即便因操作时的外力而对包括电子部件搭载用基板1的电子装置施加平面方向的应力,且应力施加于过孔导体12且在绝缘基板11与过孔导体12之间容易产生间隙,在过孔导体12的宽度方向上的一端部与突出部13a相接的部分、及突出部13a、以及突出部13a与绝缘基板11相接的部分也能容易地保持气密性,能够抑制凹部14与绝缘基板11的下表面侧之间的气密性降低。
若过孔导体12的宽度方向上的两端部与突出部13a相接,则例如即便因操作时的外力而对包括电子部件搭载用基板1的电子装置施加平面方向的应力,且应力施加于过孔导体12且在绝缘基板11与过孔导体12的宽度方向上的两端部之间容易产生间隙,在过孔导体12的宽度方向上的两端部与突出部13a相接的部分、及突出部13a、以及突出部13a与绝缘基板11相接的部分也能更容易地保持气密性,能够抑制凹部14与绝缘基板11的下表面侧之间的气密性降低。进而,也可以在过孔导体12的宽度方向上的整周上连接外缘及突出部13a。
再者,如图6所示的例子那样,若过孔导体12与过孔焊盘导体13的接触面的倾斜度大于绝缘层11a与过孔焊盘导体13的接触面的倾斜度,则例如即便因操作时的外力而对包括电子部件搭载用基板1的电子装置施加平面方向的应力,且应力施加于过孔导体12,在过孔导体12与过孔焊盘导体13的接触面的倾斜度较大的过孔焊盘导体也能有效地被分散,能够有效地抑制在绝缘基板与过孔导体之间产生间隙,抑制凹部14与绝缘基板11的下表面侧之间的气密性降低。进而,在过孔导体12的宽度方向上的整个外缘,也可以过孔导体12与过孔焊盘导体13的接触面的倾斜度大于绝缘层11a与过孔焊盘导体13的接触面的倾斜度且连接突出部13a。
上述那样的过孔导体12与过孔焊盘导体13,例如能够以下那样地形成。在将过孔导体12用的金属化物质糊膏填充于绝缘基板11用的陶瓷生片所形成的过孔导体12用的贯通孔之际,能够在过孔导体12用的贯通孔的开口部中填充过孔导体12用的金属化物质糊膏,以使得在剖视下成为凹曲面状(相比于开口部的外缘部侧,开口部的中央部侧更凹陷的形状),在过孔导体12用的金属化物质糊膏上,将过孔焊盘导体13用的金属化物质糊膏填充于过孔导体12用的贯通孔内地在陶瓷生片的表面进行印刷,由此来形成。
再有,在过孔导体12及过孔焊盘导体13包含与绝缘基板11相同的陶瓷的情况下,当然也可以使过孔焊盘导体13所包含的陶瓷的含有率比过孔导体12所包含的陶瓷的含有率大。例如,当然也可以使过孔焊盘导体13所包含的陶瓷的含有率大到过孔导体12所包含的陶瓷的含有率的1.2倍~2倍程度。由此,减小与在俯视中面积比过孔焊盘导体13小的过孔导体12的电阻差,使得过孔导体12与过孔焊盘导体13的接触良好,过孔导体12与过孔焊盘导体13错开的状况得以抑制,能够抑制凹部14与绝缘基板11的下表面侧之间的气密性降低。
本实施方式的电子装置具有上述结构的电子部件搭载用基板1和被搭载在电子部件搭载用基板1的电子部件2,因此能够设为长期可靠性优异的电子装置。
本实施方式的电子模块具有:具有连接焊盘41的模块用基板4;以及经由焊料5而被连接到连接焊盘41的上述结构的电子装置,由此能够使得长期可靠性优异。
本实施方式中的电子部件搭载用基板1能够优选地使用于薄型且高输出的电子装置中。特别是,在过孔导体12的直径比过孔导体12的高度小的情况下,能够优选地使用。例如,在作为电子部件2而将LED等的发光元件搭载于凹部14的底面的情况下,能够使得凹部14的气密性良好,能够优选地用作为薄型且高亮度的发光装置用的电子部件搭载用基板1。
(第二实施方式)
接下来,参照图7~图10来说明第二实施方式的电子装置。
在第二实施方式的电子装置中,与上述实施方式的电子装置的不同之处在于,在一个过孔焊盘导体13的上表面侧及下表面侧分别连接多个过孔导体12。在图7~图10所示的例子中,在一个过孔焊盘导体13的上表面侧连接两个过孔导体12,在一个过孔焊盘导体13的下表面侧连接两个过孔导体12。
在图7所示的例子中,在平面透视中,以网格表示导体层15,以虚线表示与过孔导体12的侧面重叠的部分。再有,在图8所示的例子中,以网格表示过孔导体焊盘13及导体层15,以虚线表示与过孔导体12的侧面重叠的部分及与凹部14的内侧壁重叠的部分。
根据第二实施方式的电子部件搭载用基板1,和第一实施方式的电子部件搭载用基板1同样地,例如即便因操作时的外力而对包括电子部件搭载用基板1的电子装置施加平面方向的应力,且应力施加到每一个过孔导体12,也会在厚度从外缘部朝着内侧逐渐增大的过孔焊盘导体被分散,能够抑制在绝缘基板11与每一个过孔导体12之间产生间隙,抑制凹部14与绝缘基板11的下表面侧之间的气密性降低。
第二实施方式的电子部件搭载用基板1,在图10所示的例子中,使在纵剖视中多个过孔导体12间的过孔焊盘导体13的厚度相比于平面透视中与过孔导体12重叠的区域内的过孔焊盘导体13的厚度而有所减小。对于第二实施方式的电子部件搭载用基板1而言,与多个过孔导体12连接的过孔焊盘导体13包含在过孔导体12的宽度方向上从多个过孔导体12突出的突出部13a。过孔焊盘导体13的突出部13a,如图7~图10所示的例子那样,在过孔导体12的宽度方向上,从过孔焊盘导体13的上表面侧所连接的多个过孔导体12及下表面侧所连接的多个过孔导体12分别延伸突出。
需要说明的是,遍及上表面侧及下表面侧所连接的多个过孔导体12的侧面整周上的宽度方向,若过孔焊盘导体13的突出部13a从过孔导体12突出,则遍及过孔导体12的侧面整周上的宽度方向地在过孔焊盘导体13被分散,能够抑制在绝缘基板11与过孔导体12之间产生间隙,抑制凹部14与绝缘基板11的下表面侧之间的气密性降低。
再者,如图11所示的例子那样,当然也可以使剖视中多个过孔导体12间的过孔焊盘导体13的厚度相比于在平面透视中与过孔导体12重叠的区域内的过孔焊盘导体13的厚度有所增大。
第二实施方式的电子部件搭载用基板1能够使用与上述实施方式的电子部件搭载用基板1同样的制造方法来制作。
第二实施方式的电子部件搭载用基板1,和第一实施方式的电子部件搭载用基板1同样地,能够优选地使用于薄型且高输出的电子装置中。特别是,在过孔导体12的直径比过孔导体12的高度小的情况下,能够优选地使用。例如,在作为电子部件2而将LED等的发光元件搭载于凹部14的底面的情况下,能够使凹部14的气密性良好,能够优选地用作为薄型且高亮度的发光装置用的电子部件搭载用基板1。
(第三实施方式)
接下来,参照图12来说明第三实施方式的电子装置。
在第三实施方式的电子装置中,与上述实施方式的电子装置的不同之处在于,一个过孔焊盘导体13的上表面侧所连接的过孔导体12与一个过孔焊盘13的下表面侧所连接的过孔导体12的数量不同。在图12所示的例子中,在一个过孔焊盘导体13的上表面侧连接两个过孔导体12,在一个过孔焊盘导体13的下表面侧连接一个过孔导体12。
根据第三实施方式的电子部件搭载用基板1,和第一实施方式的电子部件搭载用基板1同样地,例如即便因操作时的外力而对包括电子部件搭载用基板1的电子装置施加平面方向的应力,且应力施加到过孔导体12,也会在厚度从外缘部朝着内侧逐渐增大的过孔焊盘导体13被分散,抑制在绝缘基板11与过孔导体12之间产生间隙,另外,因为夹着过孔焊盘导体13,凹部14的底面侧的过孔导体12与绝缘基板11的下表面侧的过孔导体12错开配置,以使得在平面透视下未重叠,所以施加于过孔焊盘导体13的应力在平面方向被分散,能够有效地抑制凹部14与绝缘基板11的下表面侧之间的气密性降低。
一个过孔焊盘13的下表面侧所分别连接的过孔导体12,如图12所示的例子那样,在纵剖视下,位于一个过孔焊盘导体13的上表面侧所连接的过孔导体12之间。一个过孔焊盘导体13的上表面侧所连接的过孔导体12和一个过孔焊盘13的下表面侧所分别连接的过孔导体12,在平面透视中配置为分别未重叠。
对于第三实施方式的电子部件搭载用基板1而言,多个过孔导体12所连接的过孔焊盘导体13,包含在过孔导体12的宽度方向上从多个过孔导体12突出的突出部13a。过孔焊盘导体13的突出部13a如图12所示的例子那样,在过孔导体12的宽度方向上,从过孔焊盘导体13的上表面侧所连接的多个过孔导体12及下表面侧所连接的过孔导体12分别延伸突出。
需要说明的是,遍及上表面侧及下表面侧所连接的多个过孔导体12的侧面整周上的宽度方向,若过孔焊盘导体13的突出部13a从过孔导体12突出,则遍及过孔导体12的侧面整周上的宽度方向地在过孔焊盘导体13被分散,能够抑制在绝缘基板11与过孔导体12之间产生间隙,抑制凹部14与绝缘基板11的下表面侧之间的气密性降低。
第三实施方式的电子部件搭载用基板1,能够使用与上述实施方式的电子部件搭载用基板1同样的制造方法来制作。
第三实施方式的电子部件搭载用基板1和第一实施方式的电子部件搭载用基板1同样地,能够优选地使用于薄型且高输出的电子装置中。特别是,在过孔导体12的直径比过孔导体12的高度小的情况下,能够优选地使用。例如,在作为电子部件2而将LED等的发光元件搭载于凹部14的底面的情况下,能够使凹部14的气密性良好,能够优选地用作为薄型且高亮度的发光装置用的电子部件搭载用基板1。
本公开未被限定于上述实施方式的例子,能够进行各种变更。例如,绝缘基板11当然也可以是在俯视中侧面或者角部具有切口部或者倒角部的矩形状。还有,也可以切口从绝缘基板11的侧面配置到其他主面,具有所谓的凹形结构(castellation)导体,即与导体层15连接且位于切口的内面的导体。
第一~第三实施方式的电子部件搭载用基板1,在剖视中,凹部14的内侧壁面相对于凹部14的底面垂直地配置,但凹部14的内侧壁面当然也可以是倾斜面,以使得对于凹部14的内侧壁面而言,凹部14的开口侧相比于凹部14的底面侧加宽。另外,当然也可以金属层位于凹部14的内侧壁面。例如,在作为电子部件2而使用发光元件的情况下,通过使反射率优异的金属层位于凹部14的内侧壁面,从而能够优选地用作为发光亮度优异的发光装置用的电子部件搭载用基板1。
此外,在第一~第三实施方式的电子部件搭载用基板1中,当然也可以将各个实施方式进行组合。例如,在第二实施方式的电子部件搭载用基板1或者第三实施方式的电子部件搭载用基板1中,如第一实施方式的电子部件搭载用基板1所示的例子那样,当然也可以使过孔导体12与过孔焊盘导体13的接触面的倾斜度比绝缘层11a与过孔焊盘导体13的接触面的倾斜度大。
再有,在第一~第三实施方式的电子部件搭载用基板1中,凹部14在俯视下呈大致矩形,但当然也可以是在俯视下呈圆形状等其他形状。
在上述实施方式中,表示绝缘基板11通过四层的绝缘层11a来构成的例子,但绝缘基板11当然也可以通过两层、三层或五层以上的绝缘层11a来构成。还有,凹部14当然也可以是在纵剖视下内侧壁面呈阶梯状的凹部14。
对于第一~第三实施方式的电子部件搭载用基板1而言,凹部14位于一个主面,但当然也可以是不具有凹部的、即具有平板状的绝缘基板11的电子部件搭载用基板1。该情况下,在电子部件搭载用基板1的一个主面粘贴框状体、具有框状部的盖体之际,能够使得绝缘基板11的一个主面与绝缘基板11的另一主面之间的气密性良好。
另外,电子部件搭载用基板1也可以通过多联基板的方式来制作。

Claims (7)

1.一种电子部件搭载用基板,其特征在于,具有:
绝缘基板,搭载电子部件;
过孔导体,在该绝缘基板的内部,位于厚度方向上;以及
过孔焊盘导体,位于所述绝缘基板的内部并与所述过孔导体连接,厚度从外缘部朝着内侧而逐渐增大,且包含在所述过孔导体的宽度方向上从所述过孔导体突出的突出部。
2.根据权利要求1所述的电子部件搭载用基板,其特征在于,
所述突出部的端部尖细。
3.根据权利要求1或2所述的电子部件搭载用基板,其特征在于,
所述过孔焊盘导体的中央部的厚度比外缘部的厚度大。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的电子部件搭载用基板,其特征在于,
所述过孔导体的宽度方向上的一端部与所述突出部相接。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的电子部件搭载用基板,其特征在于,
所述过孔导体的宽度方向上的两端部与所述突出部相接。
6.一种电子装置,其特征在于,具有:
权利要求1~5中任一项所述的电子部件搭载用基板;以及
电子部件,被搭载在该电子部件搭载用基板。
7.一种电子模块,其特征在于,具有:
模块用基板,具有连接焊盘;以及
经由焊料而被连接到所述连接焊盘所述外部电极的权利要求6所述的电子装置。
CN201880054090.9A 2017-08-29 2018-08-24 电子部件搭载用基板、电子装置及电子模块 Active CN111033771B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017164453 2017-08-29
JP2017-164453 2017-08-29
PCT/JP2018/031376 WO2019044706A1 (ja) 2017-08-29 2018-08-24 電子部品搭載用基板、電子装置および電子モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111033771A true CN111033771A (zh) 2020-04-17
CN111033771B CN111033771B (zh) 2023-10-20

Family

ID=65527339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880054090.9A Active CN111033771B (zh) 2017-08-29 2018-08-24 电子部件搭载用基板、电子装置及电子模块

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11004781B2 (zh)
EP (1) EP3678196B1 (zh)
JP (1) JP6933716B2 (zh)
CN (1) CN111033771B (zh)
WO (1) WO2019044706A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI811895B (zh) * 2020-12-25 2023-08-11 日商田中貴金屬工業股份有限公司 中介層基板及使用該中介層基板的裝置之製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003298240A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Sohwa Corporation 多層回路基板
JP2003332716A (ja) * 2002-03-04 2003-11-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板及び配線基板の製造方法
US20040256715A1 (en) * 2003-06-17 2004-12-23 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device and process of fabricating wiring board
US20050077083A1 (en) * 2003-10-09 2005-04-14 Mattix Dwight W. Telescoping blind via in three-layer core
JP2006191146A (ja) * 2006-03-20 2006-07-20 Kyocera Corp 多層配線基板の製造方法
CN101069457A (zh) * 2005-07-07 2007-11-07 揖斐电株式会社 多层印刷电路板
JP2014086679A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Kyocera Corp 薄膜配線板、多層配線基板およびプローブカード用基板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070236895A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-11 Bartley Gerald K Via resistor structure and method for trimming resistance value
JP6385075B2 (ja) * 2013-04-15 2018-09-05 キヤノン株式会社 プリント配線板、プリント回路板及び電子機器
JP2015159245A (ja) 2014-02-25 2015-09-03 京セラ株式会社 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置
KR20160110588A (ko) * 2015-03-09 2016-09-22 삼성전기주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003332716A (ja) * 2002-03-04 2003-11-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板及び配線基板の製造方法
JP2003298240A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Sohwa Corporation 多層回路基板
US20040256715A1 (en) * 2003-06-17 2004-12-23 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device and process of fabricating wiring board
US20050077083A1 (en) * 2003-10-09 2005-04-14 Mattix Dwight W. Telescoping blind via in three-layer core
CN101069457A (zh) * 2005-07-07 2007-11-07 揖斐电株式会社 多层印刷电路板
JP2006191146A (ja) * 2006-03-20 2006-07-20 Kyocera Corp 多層配線基板の製造方法
JP2014086679A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Kyocera Corp 薄膜配線板、多層配線基板およびプローブカード用基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI811895B (zh) * 2020-12-25 2023-08-11 日商田中貴金屬工業股份有限公司 中介層基板及使用該中介層基板的裝置之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019044706A1 (ja) 2019-03-07
JPWO2019044706A1 (ja) 2020-09-24
US11004781B2 (en) 2021-05-11
CN111033771B (zh) 2023-10-20
EP3678196A4 (en) 2021-05-19
US20210066180A1 (en) 2021-03-04
EP3678196A1 (en) 2020-07-08
EP3678196B1 (en) 2023-07-05
JP6933716B2 (ja) 2021-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110622300B (zh) 电子部件搭载用基板、电子装置以及电子模块
CN107785327B (zh) 电子部件搭载用基板、电子装置以及电子模块
US10699993B2 (en) Wiring board, electronic device, and electronic module
US10985098B2 (en) Electronic component mounting substrate, electronic device, and electronic module
JP2023071984A (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
CN111033771B (zh) 电子部件搭载用基板、电子装置及电子模块
JP6698301B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
US11784117B2 (en) Wiring board, electronic device, and electronic module
CN110291628B (zh) 布线基板、电子装置及电子模块
CN110326101B (zh) 布线基板、电子装置及电子模块
CN113228258A (zh) 布线基板、电子装置以及电子模块
CN107431047B (zh) 布线基板、电子装置以及电子模块
JP6737646B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
JP6595308B2 (ja) 電子部品搭載用基板、電子装置および電子モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant