JP2023548706A - X線放射の検出のためのモジュールアセンブリ - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 35
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 claims description 13
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 12
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 claims description 5
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14661—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers of the hybrid type
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/02—Arrangements for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
- A61B6/03—Computed tomography [CT]
- A61B6/032—Transmission computed tomography [CT]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14659—Direct radiation imagers structures
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- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
10 X線放射を検出するためのモジュールアセンブリ
20 X線検出器
30 X線源
100 X線センサ
110 ピクセル化された検出器領域
111 ピクセル
200 システムインパッケージ構造
201 入力/出力端子
210 第1のインターポーザ
220 第2のインターポーザ
230 集積回路
240 相互接続素子
250 モールドコンパウンド
260 受動回路素子
270 加熱素子
280 遮蔽層
290 接続素子
Claims (16)
- X線放射を検出するためのモジュールアセンブリであって、
-X線放射のフォトンを受け取り、受け取ったフォトンに応答して電気信号を提供するように構成された、X線センサ(100)と、
-電気信号を処理するためのシステムインパッケージ構造(200)であって、入力/出力端子(201)と、第1のインターポーザ(210)および第2のインターポーザ(220)と、集積回路(230)とを含み、前記第1のインターポーザ(210)および前記第2のインターポーザ(220)および前記集積回路(230)は前記システムインパッケージ構造(200)内の積層構成で配置される、システムインパッケージ構造(200)と、を備え、
-前記集積回路(230)は前記電気信号を評価するように構成され、
-前記第1のインターポーザ(210)は、前記X線センサ(100)と前記集積回路(230)との間に電気的な接続を提供するように構成され、
-前記第2のインターポーザ(220)は、前記集積回路(230)と前記入力/出力端子(201)との間に電気的な接続を提供するように構成される、モジュールアセンブリ。 - -前記第1のインターポーザ(210)は前記X線センサ(100)への電気的な接続を提供する第1の面と、前記第1の面とは反対側の第2の面とを有し、前記集積回路(230)は前記第1のインターポーザ(210)の前記第2の面に配置され、
-前記第2のインターポーザ(220)は第1の面と、前記第1の面とは反対側の第2の面とを有し、前記入力/出力端子(201)は前記第2のインターポーザ(220)の前記第2の面に配置され、
-前記第1および前記第2のインターポーザ(210、220)は、前記第2のインターポーザ(220)の前記第1の面が前記第1のインターポーザ(210)の前記第2の面に対向するように積層される、請求項1に記載のモジュールアセンブリ。 - -前記第1および第2のインターポーザ(210、220)は、互いに離間して配置され、
-前記システムインパッケージ構造(200)は、前記第1のインターポーザ(210)の前記第2の面と前記第2のインターポーザ(220)の前記第1の面との間に電気的な接続を提供するために、前記第1および第2のインターポーザ(210、220)の間に配置された少なくとも1つの相互接続素子(240)を含む、請求項2に記載のモジュールアセンブリ。 - -前記第1のインターポーザ(210)は、前記集積回路(230)を前記X線センサ(200)に電気的に結合するための第1の導電路(241)と、前記集積回路(230)を相互接続素子(240)に電気的に結合するための第2の導電路(242)とを備え、
-前記第2のインターポーザ(220)は、相互接続素子(240)を前記入力/出力端子(201)に電気的に結合するための第3の導電路(243)を備える、請求項1~3のいずれか一項に記載のモジュールアセンブリ。 - 前記相互接続素子(240)は、銅またははんだボールとして構成される、請求項3または4に記載のモジュールアセンブリ。
- 前記システムインパッケージ構造(200)は、前記第1および前記第2のインターポーザ(210、220)の間に配置されるモールドコンパウンド(250)を含む、請求項1~5のいずれか一項に記載のモジュールアセンブリ。
- 前記システムインパッケージ構造(200)は受動回路素子(260)を備え、前記受動回路素子(260)は、前記第1のインターポーザ(210)の第2の面または前記第2のインターポーザ(220)の第1の面に配置される、請求項2~6のいずれか一項に記載のモジュールアセンブリ。
- 前記システムインパッケージ構造(200)は温度調節のための加熱素子(270)を備え、前記加熱素子(270)は、前記第1のインターポーザの第1の面および第2の面のうちの少なくとも1つ、または前記第2のインターポーザの第1の面および第2の面のうちの少なくとも1つ、または前記第1または前記第2のインターポーザ(210、220)の内側に配置される、請求項1~7のいずれか一項に記載のモジュールアセンブリ。
- 前記加熱素子(270)は、前記システムインパッケージ構造(200)の断面図において、前記第1または第2のインターポーザ(210、220)の全領域にわたって延在するように配置される、請求項8に記載のモジュールアセンブリ。
- 前記加熱素子(270)は、前記システムインパッケージ構造(200)の断面図において、垂直に突出して配置された前記第1または第2のインターポーザ(210、220)のそれぞれの領域にわたって延在し、前記モジュールアセンブリ(10)の頂部から見て、前記集積回路(230)に対して横方向にオフセットするように配置される、請求項8に記載のモジュールアセンブリ。
- 前記加熱素子(270)は、前記入力/出力端子(201)に印加される信号によって外部制御されるか、または前記集積回路(230)によって内部制御されるように構成される、請求項8に記載のモジュールアセンブリ。
- -前記システムインパッケージ構造(200)は、第1の導電路(241)を第2の導電路(242)から遮蔽するための少なくとも1つの遮蔽層(280)を備え、
-前記遮蔽層(280)は、前記第1のインターポーザ(210)の内側または前記集積回路(230)の表面上に配置される、請求項4~11のいずれか一項に記載のモジュールアセンブリ。 - 前記X線センサ(100)は、直接または間接変換のために構成される、請求項1~12のいずれか一項に記載のモジュールアセンブリ。
- 請求項1~13のいずれか一項に記載のX線放射を検出するためのモジュールアセンブリを製造するための方法であって、
-パネルレベルプロセスを用いてパネルアセンブリ(2)を構築することであって、前記パネルアセンブリは前記第1のインターポーザ(210)を形成するための第1のパネル(P1)と、前記第2のインターポーザ(220)を形成するための第2のパネル(P2)と、前記第1のパネル(P1)の表面に取り付けられた複数の集積回路(230)とを含む、構築することと、
-パネルアセンブリ(2)を単一化して、前記システムインパッケージ構造(200)の個々のものを提供することと、
-各X線センサ(100)を前記システムインパッケージ構造(200)の個々のもの上に配置することと、を含む、方法。 - X線検出器であって、
-複数の請求項1~13のいずれか一項に記載のX線放射を検出するためのモジュールアセンブリ(10)を備え、
-前記モジュールアセンブリ(10)の各X線センサ(100)は、前記X線放射をそれぞれ受信するための複数のピクセル(111)を含むピクセル化された検出器領域(110)を備え、
-前記複数のモジュールアセンブリ(10)は、前記X線センサ(100)のそれぞれのピクセル化された検出器領域(110)がそれらの間に間隙を形成することなく互いに当接するように並べて配置される、X線検出器。 - 医学的診断のための装置であって、
-請求項15に記載の前記X線検出器(20)を備え、
-前記装置(1)は、コンピュータ断層撮影スキャナ用のX線装置として構成される、装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102020130002 | 2020-11-13 | ||
DE102020130002.6 | 2020-11-13 | ||
PCT/EP2021/081324 WO2022101313A1 (en) | 2020-11-13 | 2021-11-11 | Module assembly for detection of x-ray radiation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023548706A true JP2023548706A (ja) | 2023-11-20 |
JP7500876B2 JP7500876B2 (ja) | 2024-06-17 |
Family
ID=78770591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023527425A Active JP7500876B2 (ja) | 2020-11-13 | 2021-11-11 | X線放射の検出のためのモジュールアセンブリ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230411434A1 (ja) |
JP (1) | JP7500876B2 (ja) |
KR (1) | KR20230093501A (ja) |
CN (1) | CN116250085A (ja) |
DE (1) | DE112021005396T5 (ja) |
WO (1) | WO2022101313A1 (ja) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4237966B2 (ja) * | 2002-03-08 | 2009-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検出器 |
JP4364514B2 (ja) | 2003-01-08 | 2009-11-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 配線基板、及びそれを用いた放射線検出器 |
WO2005065333A2 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-21 | Dxray, Inc. | Pixelated cadmium zinc telluride based photon counting mode detector |
US7504637B2 (en) | 2006-07-11 | 2009-03-17 | Aeroflex Colorado Springs Inc. | Two component photodiode detector |
US8659148B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-02-25 | General Electric Company | Tileable sensor array |
US10007008B2 (en) | 2013-07-26 | 2018-06-26 | Analogic Corporation | Detector unit for detector array of radiation imaging modality |
DE102016221481B4 (de) | 2016-11-02 | 2021-09-16 | Siemens Healthcare Gmbh | Strahlungsdetektor mit einer Zwischenschicht |
JP2018078274A (ja) | 2016-11-10 | 2018-05-17 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | イメージセンサー装置及びそれを含むイメージセンサーモジュール |
DE102017217327B4 (de) | 2017-09-28 | 2021-04-22 | Siemens Healthcare Gmbh | Röntgendetektor aufweisend ein Trägerelement mit Schutzelement entlang der Seitenflächen |
DE102018219577A1 (de) | 2018-11-15 | 2020-05-20 | Siemens Healthcare Gmbh | Röntgendetektor aufweisend eine Stapelanordnung |
-
2021
- 2021-11-11 KR KR1020237017902A patent/KR20230093501A/ko unknown
- 2021-11-11 WO PCT/EP2021/081324 patent/WO2022101313A1/en active Application Filing
- 2021-11-11 JP JP2023527425A patent/JP7500876B2/ja active Active
- 2021-11-11 US US18/251,745 patent/US20230411434A1/en active Pending
- 2021-11-11 CN CN202180065339.8A patent/CN116250085A/zh active Pending
- 2021-11-11 DE DE112021005396.5T patent/DE112021005396T5/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7500876B2 (ja) | 2024-06-17 |
US20230411434A1 (en) | 2023-12-21 |
DE112021005396T5 (de) | 2023-09-07 |
WO2022101313A1 (en) | 2022-05-19 |
CN116250085A (zh) | 2023-06-09 |
KR20230093501A (ko) | 2023-06-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230508 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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