TWI520236B - Semiconductor substrate for processing board, semiconductor processing board, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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TWI520236B TW101119689A TW101119689A TWI520236B TW I520236 B TWI520236 B TW I520236B TW 101119689 A TW101119689 A TW 101119689A TW 101119689 A TW101119689 A TW 101119689A TW I520236 B TWI520236 B TW I520236B
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Description

半導體加工板片用基材膜片、半導體加工板片以及半導體裝置之製造方法
本發明關於半導體加工、用於切割及黏晶(die bonding)的半導體加工板片、用於該半導體加工板片之基材膜片、以及使用此等的半導體裝置之製造方法。
矽、砷化鎵等的半導體晶圓及各種封裝類(這些在下述統稱為「被切斷物」)以大直徑的狀態被製造，這些在被切割(dicing)為元件小片(以下稱為「晶片」)並分別被剝離(頂取(pick up))後，移至下一步驟的黏接(mounting)步驟。此時半導體晶圓等的被切斷物以事先貼著於黏接片的狀態，進行切割、洗淨、乾燥、擴張、頂取及黏接的各步驟。
習知以來，被切斷物從切割步驟到頂取步驟的步驟，使用在基材膜片上形成接著劑層的切割片作為半導體加工板片。具體地說，被切斷物藉由接著劑層固定於切割片的狀態進行切割，切割後的晶片從切割片的接著劑層被頂取。
另一方面，為了簡略頂取步驟及黏接步驟的過程，同時兼具切割性能及黏接晶片性能的半導體加工板片，也可使用切割．黏晶片(dicing/die bonding sheet)。使用此片時，被切斷物以藉由接著劑層固定於基材膜片的狀態進行切割，切割後的晶片從基材膜片的接著劑層被頂取。之後，晶片上的接著劑層用於將該晶片黏接(mounting)於基板等。此述之切割．黏晶片例如專利文獻1~3所揭示。
上述切割．黏晶片中，對於具有接著劑層的晶片的頂取， 要求基材膜片與接著劑層的剝離性良好。
【先行技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】特開平2-32181號公報
【專利文獻2】特開2006-156754號公報
【專利文獻3】特開2007-012670號公報
然而，習知的切割．黏晶片，特別是在長期保存的情形等，接著劑層與基材膜片經時密合，結果使得基材膜片與接著劑層的剝離性降低，無法良好地進行晶片的頂取。
特別是，近年來伴隨著半導體裝置的小型化、薄型化，搭載於該半導體裝置的半導體晶片也進展為薄型化，因此當如上述基材膜片與接著劑層的剝離性降低時，不但晶片的頂取困難，而且視情形會發生晶片破裂或缺損等的缺陷。
本發明為鑑於上述實際狀況所完成的發明，目的提供具有良好頂取性能且可抑制該頂取性能經時降低之半導體加工板片用的基材膜片及半導體加工板片。
為了達成上述目的，第1，本發明提供由單層或複數層的樹脂層所構成的半導體加工板片用基材膜片，其特徵在於，上述樹脂層的至少1層為由含有樹脂密度0.870~0.900g/cm3、融解峰的熱流量為2.5W/g以下之烯烴系樹脂10~70質量%的樹脂組合物所構成的樹脂層(A)(發明1)。
本發明之半導體加工板片，特別是可作為切割．黏晶片較佳使用，但是並不限於此。而且，本發明的半導體加工板片中，為了貼合片環(ring frame)也可具有其他基材及接著劑層。再者，本發明中所述「片」也包含「帶」(tape)的概念。
上述發明(發明1)所述之半導體加工板片用基材膜片，因具有上述樹脂組合物所形成的樹脂層(A)，而具有良好的頂取性能，且可抑制該頂取性能的經時降低。
上述發明(發明1)所述之半導體加工板片用基材膜片，較佳由上述樹脂層(A)及由構成上述樹脂層(A)的上述樹脂組合物以外的材料所構成的樹脂層(B)之兩層所構成(發明2)。
上述發明(發明1、2)中，較佳為上述烯烴系樹脂的融解熱量△H為85.0J/g以下(發明3)。
上述發明(發明1~3)中，較佳為構成上述樹脂層(A)的上述樹脂組合物係由上述烯烴系樹脂及上述烯烴系樹脂以外的烯烴系樹脂所構成(發明4)。
上述發明(發明1~4)中，較佳為上述樹脂層(A)的軟化溫度為90℃~120℃(發明5)。
上述發明(發明2~5)中，較佳為上述樹脂層(B)由乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物為主成分的樹脂組合物所構成(發明6)。
上述發明(發明6)中，較佳為上述樹脂層(B)的乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中之構成成分的(甲基)丙烯酸的含量為5~20質量%(發明7)。
上述發明(發明1~7)所述之半導體加工板片用基材膜片，較佳用於具有基材膜片與層積於上述基材膜片一表面的接著 劑層之半導體加工板片的上述基材膜片(發明8)。
上述發明(發明8)中，較佳為上述接著劑層由含有丙烯聚合物、環氧樹脂及硬化劑之接著劑組合物所構成(發明9)。
第2，本發明提供包含上述半導體加工板片用基材膜片(發明1~9)以及層積於上述半導體加工板片用基材膜片一表面的接著劑層之半導體加工板片(發明10)。
上述發明(發明10)中，較佳為上述接著劑層由含有丙烯聚合物、環氧樹脂及硬化劑之接著劑組合物所構成(發明11)。
上述發明(發明10、11)中，較佳為上述半導體加工板片用基材膜片中的上述樹脂層(A)與上述接著劑層相接(發明12)。
第3，本發明提供一種半導體加工板片，其係用於包含下述步驟之半導體裝置之製造方法：將具有基材膜片及層積於該基材膜片一表面的接著劑層之半導體加工板片，藉由上述接著劑層使上述半導體加工板片黏貼於半導體晶圓後，將上述半導體晶圓切割為半導體晶片之步驟；在上述半導體加工用基材膜片與上述接著劑層的交界面，使兩者剝離，形成帶有上述接著劑層的晶片之步驟；以及將上述帶有接著劑層的晶片藉由上述接著劑層黏接於具有迴路的基板之步驟，該基材膜片為上述之半導體加工板片用基材膜片(發明1~9)(發明13)。
第4，本發明提供一種半導體裝置之製造方法，包括：將上述之半導體加工板片(發明10~12)，藉由上述接著劑層黏貼於半導體晶圓後，將上述半導體晶圓切割為半導體晶片之步驟；在上述半導體加工板片用基材膜片與上述接著劑層的交界面，使兩者剝離，形成帶有上述接著劑層的晶片之步驟；將上 述帶有接著劑層的晶片藉由上述接著劑層黏接於具有迴路的基板之步驟(發明14)。
本發明所述之半導體加工板片用基材膜片及半導體加工板片具有良好的頂取性能，且可抑制該頂取性能的經時下降。
以下說明本發明之實施形態。
[第1實施形態]
第1圖為本發明第1實施形態之半導體加工板片的斷面圖一例。如第1圖所示，本實施形態所述之半導體加工板片1具有基材膜片2與層積於基材膜片2一表面(第1圖上表面)的接著劑層3。半導體加工板片1在使用前，為了保護接著劑層3，較佳在接著劑層3的露出面(第1圖的上表面)層積可剝離的剝離片。此半導體加工板片1可採用帶狀、水平層狀等的形狀。
本實施形態所述之基材膜片2由單層的樹脂層(A)所構成。此樹脂層(A)為由含有樹脂密度0.870~0.900g/cm3、融解峰的熱流量為2.5W/g以下之烯烴系樹脂(以下稱為「烯烴系樹脂D」)10~70質量%的樹脂組合物所構成。
此處，本說明書中所述樹脂密度係以JIS K7112為準測定所得的值。本說明書中所述融解峰的熱流量係由示差掃描熱量儀(DSC)(試驗例使用TA 1nstruments公司製，型號：Q2000)所得的值。本實施形態中，使用DSC將試料以20℃/min速度從 -40℃升溫至250℃，急速冷卻至-40℃，再以20℃/min速度升溫至250℃，在250℃維持5分鐘後，以20℃/min速度降溫至-40℃，獲得顯示融解峰的融解曲線，從所得的融解曲線計算融解峰的熱流量及後述的融解熱量△H。
使用由含有特定量的如上述規定之樹脂密度及融解峰的熱流量之烯烴系樹脂D的樹脂組合物所成形的樹脂層(A)所構成的基材膜片2者，半導體加工片1具有基材膜片2與接著劑層3之間的良好剝離性，亦即具有良好的頂取性能，且可抑制該頂取性能的經時降低。雖然對於得到此效果的理由不必清楚知道，但是推測是因為樹脂組合物中所含的特定密度及融解峰的熱流量之烯烴系樹脂D的結晶性。
本實施形態中烯烴系樹脂D的密度較佳如上述為0.870~0.900g/cm3，更佳為0.890~0.900g/cm3，再更佳為0.895~0.900g/cm3。烯烴系樹脂D的密度未滿0.870g/cm3時，含有烯烴系樹脂D的樹脂組合物中會產生折縫，因此在樹脂組合物成形時部分與料斗不吻合，使得成形後的膜片捲曲及膜片彼此間形成阻斷(blocking)等的障礙。另一方面，當烯烴系樹脂D的密度超過0.900g/cm3時，基材膜片2與接著劑層3的剝離性會經時降低，接著劑層3對基材膜片2的頂取力上升而無法落得上述的良好頂取性能及其繼續性的效果。
本實施形態中，烯烴系樹脂D的融解峰的熱流量如上述為2.5W/g以下，較佳為2.3W/g以下。當融解峰的熱流量超過2.5W/g，無法獲得良好的頂取性能。又本實施形態中烯烴系樹 脂D的融解峰的熱流量的下限較佳為1.0W/g。當融解峰的熱流量為1.0W/g以下時，樹脂層(A)的表面開始發黏，在樹脂組合物成形時或將成形的基材膜片2塗佈形成接著劑層用的塗佈液而形成接著劑層3時，操作性會顯著降低。
雖然對於得到此效果的理由不必清楚知道，但推測當融解峰的熱流量在2.5W/g以下，烯烴系樹脂D的分子量分布以某種程度變廣，而抑制樹脂層(A)的結晶化度，又推測低分子量成分移動至與接著劑層3之間，使得表現良好的頂取性能。
又本實施形態中烯烴系樹脂D的融解熱量△H較佳為85.0J/g以下，更佳為83.0J/g以下，再更佳為80.0J/g以下。烯烴系樹脂D的融解熱量△H超過85.0J/g無法獲得良好的頂取性能。又融解熱量△H的下限值依與密度的關係及各樹脂結構而定，但是理論上較佳為0。
烯烴系樹脂D較佳為，密度及融解峰的熱流量為上述範圍內之從烯烴單體中選擇1種或2種以上聚合的單獨聚合體或共聚物。烯烴單體例如碳數2~18的烯烴單體、碳數3~18的α-烯烴單體等。此述烯烴單體例如乙烯、丙烯、2-丁烯、辛烯的碳數2~8的烯烴單體；丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十八烯等的α-烯烴單體等。這些烯烴單體的單獨聚合體或共聚物之烯烴系樹脂D可單獨1種或混合2種以上使用。
上述烯烴系樹脂D較佳為乙烯單獨聚合物或共聚物，更佳為乙烯與α-烯烴單體之共聚物。α-烯烴單體如上所例示。上述烯烴系樹脂D中較佳為含有乙烯單體單位60~100質量%，更 佳含有70~99.5質量%之乙烯單獨聚合物或共聚物(以下稱為「聚乙烯」)。
本說明書中密度0.870g/cm3以上、未滿0.910g/cm3的聚乙烯稱為超低密度聚乙烯(VLDPE)。本實施形態中，該超低密度聚乙烯之中，較佳選擇密度0.870~0.900g/cm3者作為烯烴系樹脂D。以此超低密度聚乙烯作為滿足上述條件之烯烴系樹脂D，容易取得。
構成樹脂層(A)的樹脂組合物含有8~70質量%的上述烯烴系樹脂D，較佳含有10~65質量%，更佳含有10~50質量%。上述烯烴系樹脂D含量未滿8質量%時，無法獲得上述良好頂取性能及其持續性的效果。又當上述烯烴系樹脂D含量超過70質量%時，所得基材膜片2的彈性率下降。因此在進行二次加工等之時，會發生操作性相關的問題。再者，當上述烯烴系樹脂D含量超過70質量%時，烯烴系樹脂D的密度低，因此在重複捲曲的基材膜片2中發生阻斷(blocking)，在基材膜片2的表面產生痕跡，而且將基材膜片2或半導體加工片1從輥中捲出時等操作性恐怕變差。
樹脂層(A)如前所述含有烯烴系樹脂D8~70質量%，但是較佳含有烯烴系樹脂D以外的烯烴系樹脂(以下簡稱為「烯烴系樹脂E」)做為該烯烴系樹脂D以外的成分。
亦即，烯烴系樹脂E為不滿足樹脂密度0.870~0.900g/cm3及融解峰的熱流量為2.5W/g以下之一或二要件的樹脂。烯烴系樹脂E較佳例如乙烯(含有乙烯單體單位60~100質量%，特別是70~99.5質量%的乙烯單獨聚合物或共聚物)、丙烯-丁烯共聚物 等，較佳為密度0.910 g/cm3以上、未滿0.920 g/cm3者。乙烯共聚物較佳例如乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物等。這些之中，特別以密度0.915~0.918 g/cm3的聚乙烯(以下稱為「低密度聚乙烯」)較佳。此低密度聚乙烯等的烯烴系樹脂E具有與上述烯烴系樹脂D相溶性高的優點。
基材膜片2的厚度通常為20~500μm，較佳為30~200μm，更佳為40~150μm。
基材膜片2可以通常方法製造，例如將烯烴系樹脂D與烯烴系樹脂E混練，從此混練物中直接或一次造粒製造後，經押出等而製膜。混練時的溫度較佳為180~230℃。
構成基材膜片2的樹脂組合物(本實施形態中的樹脂層(A))的軟化溫度較佳為90~120℃，更佳為100~115℃。樹脂層(A)的軟化溫度90℃以上者，基材膜片2不易發生阻斷，可確保基材膜片2或半導體加工片1的良好操作性。又當樹脂層(A)的軟化溫度為120℃以上者，在切割後的擴張(expanding)步驟中，基材膜片2恐頸縮(necking)，恐無法均勻地擴張晶片的間隔。
此處，本說明書中所述的軟化溫度係由高化式流動評價裝置.(試驗例中使用島津製作所公司製，型號：CFT-100D)所得的值。具體地說，使用負重9.81N，穴形狀φ 2.0mm、長度5.0mm的噴嘴，測定升溫速度10℃/分時，一旦開始發生變化的溫度定為軟化溫度。
構成接著劑層3的材料為可兼具晶圓固定功能與噴嘴接著功能者，沒有特別限制，皆可使用。構成此述接著劑層3的材料可使用由熱塑性樹脂與低分子量熱硬化性接著成分所構成 者，或者使用由B階段(半硬化狀)的熱硬化型接著成分所構成者等。熱塑性樹脂例如丙烯聚合物、聚酯樹脂、氨酯樹脂、苯酚樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、乙烯(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醯亞胺等，其中，從黏著性及造膜性(片的加工性)觀點，以丙烯聚合物為佳。熱硬化性接著成分例如環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、酚系樹脂、矽氧系樹脂、氰酸酯系樹脂、雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂、丙烯化聚苯醚(熱硬化性PPE)、醛系樹脂、不飽和聚酯或這些的共聚物等，其中，從黏接性觀點，以環氧系樹脂為佳。構成接著劑層3的材料較佳為含有丙烯聚合物(a)、環氧系樹脂(b)及硬化劑(c)的材料。
丙烯聚合物(a)沒有特別限制，可使用習知的丙烯聚合物。丙烯聚合物(a)的重量平均分子量(Mw)較佳為1萬~200萬，更佳為10萬~150萬。丙烯聚合物(a)的Mw過低時，接著劑層3與基材膜片2的剝離性降低，造成晶片的頂取不良。當丙烯聚合物(a)的Mw過高時，接著劑層3無法順應被接著體的凹凸，成為無效等的發生要因。又本說明書中所述重量平均分子量(Mw)係經由凝膠滲透層析法(GPC)所測定的苯乙烯換算值。
丙烯聚合物(a)的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-60~70℃，更佳為-30~50℃。丙烯聚合物(a)的Tg過低時，接著劑層3與基材膜片2的剝離性降低，造成晶片的頂取不良。丙烯聚合物(a)的Tg過高時，則恐怕固定晶圓用的接著力不充分。
構成丙烯聚合物(a)的單體例如(甲基)丙烯酸酯單體或其 衍生物，更具體地例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等的碳數1~18烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸苯甲基酯、異冰片基(甲基)丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯(dicyclopentanyl(meth)acrylate)、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯(dicyclopentenyl(meth)acrylate)、二環戊烯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯(dicyclopentenyloxyethyl(meth)acrylate)、醯亞胺(甲基)丙烯酸酯(imide(meth)acrylate)等的具有環狀結構的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羥甲基酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙基酯等的含有羥基的(甲基)丙烯酸酯；丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯等。也可使用含有丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸等的含有羧基的不飽和單體。這些可單獨1種使用，也可併用2種以上。
構成丙烯聚合物(a)的單體，上述之中，從與環氧系樹脂(b)的相溶性觀點，較佳使用至少含有羥基的(甲基)丙烯酸酯。此情形時，丙烯聚合物(a)中，來自含羥基的(甲基)丙烯酸酯的構成單位較佳含有1~20質量%的範圍，更佳含有3~15質量%的範圍。丙烯聚合物(a)具體較佳為(甲基)丙烯酸烷基酯與含羥基(甲基)丙烯酸酯的共聚物。
又丙烯聚合物(a)在無損本發明目的之範圍下，也可與乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等單體共聚合。
環氧系樹脂(b)可使用習知的各種環氧樹脂。環氧樹脂例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯(phenylene)結構 型的環氧樹脂、酚醛型環氧樹脂、甲酚醛型環氧樹脂、二環戊二烯(DCPC)型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、雜環型環氧樹脂、二苯乙烯(stilbene)型環氧樹脂、縮合環芳香族烴變性的環氧樹脂、或者這些的鹵化物等的構造單位中含有2個以上官能基之環氧樹脂。這些環氧樹脂可單獨1種使用或併用2種以上。
環氧樹脂的環氧基當量沒有特別限定，較佳為150~1000(g/eq)。環氧基當量係基於JIS K7236：2008所測定的值。
環氧系樹脂(b)的含量，相對於丙烯聚合物(a)100質量部，較佳為1~1500質量部，更佳為3~1000質量部。環氧系樹脂(b)含量低於上述範圍者，恐無法得到充分的接著力，又當環氧系樹脂(b)高於上述範圍者，則造膜性低，恐難以形成接著劑層3。
硬化劑(c)的功能為，作為對環氧系樹脂(b)的硬化劑。硬化劑(c)例如分子中具有2個以上與環氧基反應之官能基的化合物，此述官能基例如酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸酐基等。這些之中，較佳為酚性羥基、胺基及酸酐基，更佳為酚性羥基及胺基。
硬化劑(c)的具體例為，酚醛型酚樹脂、二環戊二烯系酚樹脂、三酚甲烷型酚樹脂、芳烷基酚樹脂等的酚性熱硬化劑；DICY(雙氰胺)等的胺系熱硬化劑。硬化劑(c)可單獨1種使用，也可併用2種以上。
硬化劑(c)的含量，相對於環氧系樹脂(b)100質量部，較佳為0.1~500質量部，更佳為1~200質量部。硬化劑(c)的含量 低於上述範圍者，恐無法得到具有充分接著力的接著劑層3，又當硬化劑(c)高於上述範圍者，則接著劑層3的吸濕率增加，使得半導體封裝的信賴性降低。
構成接著劑層3的材料(接著劑組合物)除上述以外，可視需要含有硬化促進劑、偶合劑、交聯劑、能量線聚合性化合物、光起始劑、可塑劑、防帶電劑、防氧化劑、顏料、染料、無機填充劑等的各種添加劑。這些添加劑中可包含單獨1種，也可包含2種以上之組合。
硬化促進劑係為了調整接著劑組合物的硬化速度而使用。硬化促進劑較佳為可促進環氧基與酚性羥基或胺基等反應的化合物。此述化合物具體例如3級胺類、2-苯基-4,5-二(羥甲基)咪唑等的咪唑類、有機膦類、四苯基硼鹽等。
偶合劑具有使接著劑組合物對被接著體的接著性、密合性提升的功能。使用偶合劑可使接著劑組合物硬化所得的硬化物無損其耐熱性，而提升該硬化物的耐水性。偶合劑較佳為具有與上述丙烯聚合物(a)及環氧系樹脂(b)所具的官能基反應之基的化合物。此述偶合劑較佳為矽烷偶合劑。矽烷偶合劑沒有特別限制，可使用公知者。
交聯劑為用於調節接著劑層3的凝集力者。作為上述丙烯聚合物(a)的交聯劑沒有特別限制而可使用，例如有機多價異氰酸酯化合物、有機多價醯亞胺化合物等。
能量線聚合性化合物為受紫外線、電子線等的能量線照射時聚合硬化之化合物。能量線聚合性化合物經能量線照射而硬化，可提升接著劑層3與基材膜片2的剝離性，因而容易頂取。
能量線聚合性化合物較佳為丙烯酸酯系化合物，更佳為分子內具有至少1個聚合性雙鍵者。此述丙烯酸酯系化合物具體例如二環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯、三甲氧基丙烷三丙烯酸酯、季戊二烯基三丙烯酸酯、季戊二烯基四丙烯酸酯、二季戊二烯基單羥基五丙烯酸酯、二季戊二烯基六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己烷二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、寡酯丙烯酸酯、氨酯丙烯酸酯系寡聚物、環氧基變性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、衣康酸寡聚物等。
丙烯酸酯系化合物的重量平均分子量通常為100~30000，較佳為約300~10000。
接著劑組合物含有能量線聚合性化合物時，能量線聚合性化合物的含量，相對於丙烯聚合物(a)100質量部，較佳為1~400質量部，更佳為3~300質量部，再更佳為10~200質量部。
光起始劑，在接著劑層3包含上述能量線聚合性化合物的情形中，經能量線的照射而聚合硬化，可減少聚合硬化時間及能量線照射量。光起始劑可使用習知者。
接著劑層3的厚度通常為3~100μm，較佳為約5~80μm。
上述的半導體加工板片1可依常法製造。例如，可調製含有構成接著劑層3的材料與視需要含有溶劑的塗佈劑，經輥塗佈機、刀塗佈機、輥刀塗佈機、氣刀塗佈機、模具塗佈機、棒塗佈機、凹版塗佈機、淋幕塗佈機等的塗佈機，塗佈於基材膜片2一表面，使其乾燥，形成接著劑層3而製造。或者，也可將上述塗佈劑塗佈於所欲的剝離片的剝離面而乾燥，形成接著劑層3後，於該接著劑層3壓合基材膜片2而製造。
上述的半導體加工板片1中，基材膜片2與接著劑層3之間具有良好的剝離性，亦即具有良好的頂取性能，且同時抑制該頂取性能的經時降低。
本實施形態所述之半導體加工板片1較佳作為切割步驟及黏晶步驟所使用的切割．黏晶片使用。
[第2實施形態]
第2圖為本發明第2實施形態之半導體加工板片10的斷面圖。
如第2圖所示，本實施形態所述之半導體加工板片10具有由2層樹脂層所構成的基材膜片20與層積於基材膜片20一表面(第2圖上表面)的接著劑層3。
本實施形態所述的基材板片20由位於連接接著劑層3側的樹脂層(A)與位於未連接接著劑層3側的樹脂層(B)所構成。樹脂層(A)由與上述第1實施形態所述半導體加工片1中的樹脂層(A)相同材料所構成。但是，本實施形態的樹脂層(A)的厚度較佳為10~120μm，更佳為20~100μm，再更佳為30~80μm。
本實施形態中的樹脂層(B)用於賦予基材板片20的擴張性能。亦即，由樹脂層(A)與樹脂層(B)所構成的基材板片20具有良好的頂取性能且擴張性也優良。
樹脂層(B)可由伸長性優良的樹脂所構成，沒有特別限定。此述的樹脂層可例如選自烯烴單體與丙烯系單體之1種或2種以上聚合的共聚物。
樹脂層(B)特別較佳由伸長性優良的以乙烯-(甲基)丙烯酸 共聚物為主成分的樹脂組合物所構成。乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中，特別是乙烯成分，賦予對樹脂層(B)良好伸長性．擴張性能。而且「乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物」可為乙烯-丙烯酸共聚物，也可為乙烯-甲基丙烯酸共聚物，也可為乙烯-丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物。
上述乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中作為構成成分的(甲基)丙烯酸含量，較佳為3~20質量%，更佳為4~15質量%，再更佳為5~12質量%。乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中的(甲基)丙烯酸含量未滿3質量%時，樹脂層(B)的結晶性提高，切割後的擴張時，基材板片20發生頸縮，晶片間隔恐難以均勻地擴張。另一方面，當(甲基)丙烯酸的含量超過20質量%時，樹脂層(B)本身發黏，在使用裝置進行切割之時，恐無法搬送半導體加工板片10。
乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中，衍生自丙烯酸及/或甲基丙烯酸的構成單位以外的部分，基本上是衍生自乙烯的構成單位，但是在無損本實施形態之半導體加工板片10的目的之範圍下，也可含有衍生自丙烯等的α-烯烴作為乙烯以外的烯烴單體，衍生自(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、乙烯基烷基酯等作為(甲基)丙烯酸以外的丙烯系單體之構成單位。來自這些其他單體的構成單位，在上述乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中，可含有未滿10質量%的比例。
對於乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物的共聚合形態沒有特別限制，可為無規、嵌段、接枝共聚物任一種。乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物的分子量，較佳為重量平均分子量(Mw)為10,000~1,000,000，更佳為50,000~500,000。
構成樹脂層(B)的樹脂組合物的主成分可為1種的乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，也可為混合2種以上的乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物者。
構成樹脂層(B)的樹脂組合物，除了上述乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物以外，在無損本實施形態之半導體加工板片10的目的之範圍內，也可含有乙烯-丙烯酸丁酯、乙烯-乙烯基乙縮醛(ethylene-vinyl acetal)、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物等。這些樹脂的含量，在該樹脂組合物中，較佳為30質量%以下，更佳為10質量%以下。
而且，樹脂層(B)不限於上述材料，也可由例如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯等的聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯等的乙烯共聚物；聚對苯二甲基乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯；聚氨酯；聚氯乙烯；聚醯胺等所構成。樹脂層(B)由此述材料構成時，可提高基材膜片2或半導體加工板片10的操作性。
樹脂層(B)的厚度較佳為40~120μm，更佳為50~100μm。樹脂層(B)的厚度較樹脂層(A)的厚度更厚者為佳。樹脂層(B)的厚度在上述範圍內者，可賦予基材膜片20良好的擴張性能。
基材膜片20可經共同押出等製膜樹脂層(A)及樹脂層(B)，同時層積而製造，也可在個別製膜樹脂層(A)及樹脂層(B)後以接著劑等層積此述樹脂層(A)及樹脂層(B)而製造。
本實施形態中基材膜片20的拉伸強度，較佳為100%以上，更佳為200%以上。拉伸強度為100%以上的基材膜片20在擴張步驟時不易破裂，使得切斷被切斷物所形成的晶片容易分離。
本實施形態中的基材膜片20的拉伸彈性率較佳為80~160MPa。拉伸彈性率未滿80MPa者，在半導體加工板片10貼附於晶圓，固定於片環(ring frame)時，基材膜片20因柔軟而發生鬆弛，成為搬送失誤的原因。另一方面，拉伸彈性率超過160MPa者，必須使擴張步驟時的荷重增加，因此從片環剝離半導體加工板片10本身等的問題恐會發生。
上述半導體加工板片10中，具有樹脂層(A)者，在基材板片20與接著劑層3之間具有良好的剝離性，即具有良好的頂取性能，且抑制該頂取性能的經時降低。又基材膜片20由上述樹脂層(A)及樹脂層(B)所構成者，使得本實施形態之半導體加工板片10成為具有良好擴張性者。
本實施形態之半導體加工板片10較佳作為切割步驟、擴散步驟及黏晶步驟所使用的切割．黏晶片使用。
以上說明的實施形態係為了容易理解本發明所作之記載，並非為了限定本發明之記載。因此，上述實施形態所揭示的各要素為包含本發明所屬之技術領域中所有的設計變更或均等物之旨趣。
例如，基材膜片2、20也可為3層以上的樹脂層所構成。此時，接觸接著劑層3的樹脂層由與樹脂層(A)相同的材料所構成。
[實施例]
以下藉由實施例等更具體說明本發明，但本發明範圍不限於此述實施例。
[實施例1]
將作為烯烴系樹脂D的超低密度聚乙烯(住友化學公司製，Excellen EUL731，密度：0.895g/cm3，溶解峰的熱流量：1.4W/g，融解熱量：69.5J/g)10質量部，以及作為烯烴系樹脂E的低密度聚乙烯(住友化學公司製，Sumikathene L705，密度：0.918g/cm3，溶解峰的熱流量：5.5W/g，融解熱量△H：126.0J/g)90質量部，經二軸混練機(東洋精機製作所公司製，Labo Plastomill)熔融混練，獲得用於樹脂層(A)的押出用原材料。
又，準備以乙烯-甲基丙烯酸共聚物為主成分之樹脂組合物(Du pont-Mitsui Polychemicals公司製，NUCREL N0903HC，甲基丙烯酸含量：9.0質量%)做為用於樹脂層(B)的押出用原材料。
之後，將用於樹脂層(A)的押出用原材料與用於樹脂層(B)的押出用原材料經小型T噴嘴押出機(東洋精機製作所公司製，Labo Plastomill)甲出成形，獲得由厚度40μm的樹脂層(A)與厚度60μm的樹脂層(B)所構成的2層構造的基材膜片。
另一方面，調配下述成分以調整接著劑層形成用的塗佈液。各成分的數值(質量%)顯示固形分換算的質量%，本說明書中，固形分表示溶劑以外的所有成分。
[丙烯聚合物(a)]
．以丙烯酸正丁酯為主體的丙烯系共聚物(日本合成化學工業公司製，製品名[Corponiel N2359-6]，Mw：約80萬，固形分濃度34質量%)：14質量%
[環氧系樹脂(b)]
．雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製，製品名「JER828」，環 氧基當量189g/eq)：18質量%
．DCPD型環氧樹脂(大日本油墨化學公司製，製品名「EPICLON HP-7200HH」，環氧基當量265~300g/eq，軟化點75~90℃)：55質量%
[硬化劑(c)]
．雙氰胺(旭電化公司製，製品名「ADEKA HARDENER 3636AS」)：1.6質量%
[硬化促進劑]
．2-苯基-4,5-二(羥甲基)咪唑(四國化成工業公司製，製品名「Curezol 2PHZ」)：1.5質量%
[矽烷偶合劑]
．γ-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基矽烷加成的矽酸鹽化合物(三菱化學公司製，製品名「MKC silicate MSEP2」)：0.5質量%
[能量線聚合性化合物]
．二環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯(日本化學公司製，製品名「Kayarad R684」)：9.1質量%
[光聚合起始劑]
．α-羥基環己基苯基酮(Ciba．Specialty．Chemicals公司製，製品名「Irgacure184」)：0.3質量%
將所得的接著劑層形成用的塗佈液，於上述樹脂層(A)的表面以形成乾燥後的膜厚度為20μm而塗佈，在100℃乾燥1分鐘，形成接著劑層，製作半導體加工板片。
[實施例2]
將實施例1中的樹脂層(A)的押出用原材料中的烯烴系樹 脂D的調配量改為30重量部，以及烯烴系樹脂E的調配量改為70質量部以外，其餘同實施例1製造半導體加工板片。
[實施例3]
將實施例1中的樹脂層(A)的押出用原材料中的烯烴系樹脂D的調配量改為50重量部，以及烯烴系樹脂E的調配量改為50質量部以外，其餘同實施例1製造半導體加工板片。
[實施例4]
將實施例3中的押出用原材料中的烯烴系樹脂D改為超低密度聚乙烯(住友化學公司製，Excellen VL-200，密度：0.900g/cm3，融解峰的熱流量：2.0W/g，融解熱量△H：79.1J/g)，其餘同實施例3製造半導體加工板片。
[實施例5]
將實施例2中的樹脂層(B)的押出用原材料中改為乙烯-甲基丙烯酸共聚物(Du pont-Mitsui Polychemicals公司製，NUCREL AN4225C，甲基丙烯酸含量：5.0質量%)，其餘同實施例2製造半導體加工板片。
[實施例6]
將實施例2中的樹脂層(B)的押出用原材料中改為乙烯-甲基丙烯酸共聚物(Du pont-Mitsui Polychemicals公司製，NUCREL N1207C，甲基丙烯酸含量：12.0質量%)，其餘同實施例2製造半導體加工板片。
[實施例7]
將實施例1中的樹脂層(A)的押出用原材料中的烯烴系樹脂D的調配量改為60重量部，以及烯烴系樹脂E的調配量改 為40質量部以外，其餘同實施例1製造半導體加工板片。
[實施例8]
除了實施例2中的樹脂層(B)的押出用原材料中改為乙烯-甲基丙烯酸共聚物(Du pont-Mitsui Polychemicals公司製，NUCREL AN4214C，甲基丙烯酸含量：4.0質量%)，其餘同實施例2製造半導體加工板片。
[實施例9]
將實施例2中的樹脂層(B)的押出用原材料中改為乙烯-甲基丙烯酸共聚物(Du pont-Mitsui Polychemicals公司製，NUCREL N1525，甲基丙烯酸含量：15.0質量%)，其餘同實施例2製造半導體加工板片。
[實施例10]
實施例2中，不押出樹脂層(B)，僅形成樹脂層(A)單層、厚度為100μm的基材膜片，之後在此基材膜片上同實施例1形成接著劑層，製造半導體加工板片。
[比較例1]
除了實施例1中的樹脂層(A)的押出用原材料中的烯烴系樹脂D的調配量改為0重量部，以及烯烴系樹脂E的調配量改為100質量部以外，其餘同實施例1製造半導體加工板片。
[比較例2]
除了實施例1中的樹脂層(A)的押出用原材料中的烯烴系樹脂D的調配量改為5重量部，以及烯烴系樹脂E的調配量改為95質量部以外，其餘同實施例1製造半導體加工板片。
[比較例3]
除了實施例2中的押出用原材料中的烯烴系樹脂D改為超低密度聚乙烯(東楚公司製，Lumitac 43-1，密度：0.905g/cm3，融解峰的熱流量：2.4W/g，融解熱量△H：88.9J/g)，其餘同實施例2製造半導體加工板片。
[比較例4]
除了實施例2中的烯烴系樹脂D使用超低密度聚乙烯(Prime Polymer公司製，Evolue SP90100，密度：0.890g/cm3，融解峰的熱流量：2.8W/g，融解熱量△H：87.8J/g)，其餘同實施例2製造半導體加工板片
[比較例5]
除了比較例1中的樹脂層(B)的押出用原材料改為乙烯-甲基丙烯酸共聚物(Du pont-Mitsui Polychemicals公司製，NUCREL N4214C，甲基丙烯酸含量：4.0質量%)，其餘同比較例1製造半導體加工板片。
[試驗例1](頂取性能的評估)
將實施例及比較例所製造的半導體加工板片裁切成25mm×250mm，製作成試驗片。將此試驗片貼合於#2000矽晶圓(200mm直徑，厚度350μm)的研磨切割面，經由2kg的橡膠輥來回1次，使兩者壓合。此狀態在23℃、50%RH條件下放置20分鐘以上後，使用萬能型拉伸試驗機(Orientec公司製，tensilon)，以300mm/min的速度進行180°的剝離，測定接著劑層與基材膜片之間的剝離力，此時的值為初期值：f1(mN/25mm)。
另一方面，將半導體加工板片在40℃條件下(40℃的 恆溫槽)加熱24小時後，返回至室溫，以上述相同方法測定接著劑層與基材膜片之間的剝離力，此時的值為促進後的值：f2(mN/25mm)。將此二數值導入下式，計算出剝離力的變化率：R(%)。頂取性能以R為50%以下者以○表示，R為超過50%、100%以下者以△表示，R為超過100%者以×表示。結果如表1所示。
R=(F2-f1)×100/f1
[試驗例2](軟化溫度的測定試驗)
對於實施例1所示經二軸混練機(東洋精機製作所公司製，Labo Plastomill)熔融混練的用於樹脂層(A)的押出用原材料，進行軟化溫度的測定。具體為，使用高化式流動測試儀(株式會社島津製作所公司製，型號：CFT-100D)，以使用穴形狀為φ 2.0mm、長5.0mm的噴嘴，樣品量4g，荷重9.81N，升溫速度10℃/分的條件，進行測定，一旦開始發生變化的溫度為軟化溫度。結果如表1所示。
[試驗例3](擴張性試驗)
將6吋晶圓貼合於實施例與比較例所製造的半導體加工板片的接著劑層後，將該半導體加工板片裝置於平面框架，經厚度20μm的金剛石板，將晶圓切成5mm正方的晶片。之後，使用擴張裝置(NEC machinary公司製，die bonder CSP-100VX)，以速度300mm/分拉下半導體加工板片10mm。以目視確認此時晶圓全體的擴張現象。結果，沒問題可擴張、晶片全部均勻排列的情形以○表示，可擴張但晶片的排列不均勻的情形以△表示，擴張時半導體加工板片破裂 的情形，以×表示。結果如表1所示。
[試驗例4](操作性評估)
將實施例與比較例所製造的基材膜片以3吋直徑、寬330mm的塑膠管捲取100m，製作評估樣品。此樣品在40℃氛圍氣下保管1週後，進行再度捲回時的狀態，以下列基準評估。結果如表1所示。
○：無阻力，可捲出。
△：可捲出，但是部分發生阻斷，在膜片表面留下痕跡。
×：部分或全體發生阻斷，無法捲出。
從表1可清楚知道，樹脂層(A)滿足本發明要件之實施例1~10的半導體加工板片，良好的頂取性能在促進後也能維持。又由滿足本發明要件之樹脂層(A)與樹脂層(B)所構成的實施例1~9的半導體加工板片，被確認除了頂取性外，擴張性也優良。而且，樹脂層(A)中的烯烴系樹脂D含量為10~50質量%，樹脂層(B)中的乙烯-甲基丙烯酸共聚物中的甲基丙烯酸含量為5.0~12.0質量%的實施例1~6的半導體加工板片，被確認除了頂取性外，操作性及擴張性全部皆特別地優良。
對此，樹脂層(A)未滿足本發明要件之比較例的半導體加工板片，不能得到促進後剝離力上升的良好頂取性能。
【產業利用性】
本發明所述之半導體加工板片用的基材膜片及半導體加工板片特別適合使用為切割．黏晶片。
1、10‧‧‧半導體加工板片
2、20‧‧‧基材膜片
3‧‧‧接著劑層
第1圖為本發明第1實施形態之半導體加工板片的斷面圖。
第2圖為本發明第2實施形態之半導體加工板片的斷面圖。
1‧‧‧半導體加工板片
2‧‧‧基材膜片
3‧‧‧接著劑層

Claims (14)

  1. 一種半導體加工板片用基材膜片，其係由單層或複數層的樹脂層所構成，其特徵在於，上述樹脂層的至少1層為由含有樹脂密度0.870~0.900g/cm3、融解峰的熱流量為2.5W/g以下之烯烴系樹脂10~70質量%的樹脂組合物所構成的樹脂層(A)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片用基材膜片，其特徵為，其係由上述樹脂層(A)及由構成上述樹脂層(A)的上述樹脂組合物以外的材料所構成的樹脂層(B)之兩層所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片用基材膜片，其特徵在於，上述烯烴系樹脂的融解熱量△H為85.0J/g以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片用基材膜片，其特徵在於，構成上述樹脂層(A)的上述樹脂組合物係由上述烯烴系樹脂及上述烯烴系樹脂以外的烯烴系樹脂所構成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片用基材膜片，其特徵在於，上述樹脂層(A)的軟化溫度為90℃~120℃。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之半導體加工板片用基材膜片，其特徵在於，上述樹脂層(B)由乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物為主成分的樹脂組合物所構成。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體加工板片用基材膜片，其特徵在於，上述樹脂層(B)的乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物中之構成成分的(甲基)丙烯酸的含量為5~20質量%。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片用基材 膜片，其特徵在於，其係用於具有基材膜片與層積於上述基材膜片一表面的接著劑層之半導體加工板片的上述基材膜片。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之半導體加工板片用基材膜片，其特徵在於，上述接著劑層由含有丙烯聚合物、環氧樹脂及硬化劑之接著劑組合物所構成。
  10. 一種半導體加工板片，包含如申請專利範圍第1~9項任一項所述之半導體加工板片用基材膜片以及層積於上述半導體加工板片用基材膜片一表面的接著劑層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之半導體加工板片，其特徵在於，上述接著劑層由含有丙烯聚合物、環氧樹脂及硬化劑之接著劑組合物所構成。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之半導體加工板片，其特徵在於，上述半導體加工板片用基材膜片中的上述樹脂層(A)與上述接著劑層相接。
  13. 一種半導體加工板片，其係用於包含下述步驟之半導體裝置之製造方法：將具有基材膜片及層積於該基材膜片一表面的接著劑層之半導體加工板片，藉由上述接著劑層使上述半導體加工板片黏貼於半導體晶圓後，將上述半導體晶圓切割為半導體晶片之步驟；在上述半導體加工用基材膜片與上述接著劑層的交界面，使兩者剝離，形成帶有上述接著劑層的晶片之步驟；以及將上述帶有接著劑層的晶片藉由上述接著劑層黏接於具有迴路的基板之步驟， 其中，上述基材膜片為如申請專利範圍第1~9項任一項所述之半導體加工板片用基材膜片。
  14. 一種半導體裝置之製造方法，包括：將如申請專利範圍第10項所述之半導體加工板片，藉由上述接著劑層黏貼於半導體晶圓後，將上述半導體晶圓切割為半導體晶片之步驟；在上述半導體加工板片用基材膜片與上述接著劑層的交界面，使兩者剝離，形成帶有上述接著劑層的晶片之步驟；將上述帶有接著劑層的晶片藉由上述接著劑層黏接於具有迴路的基板之步驟。
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