KR20180114101A - 점착 시트 - Google Patents

점착 시트 Download PDF

Info

Publication number
KR20180114101A
KR20180114101A KR1020187025815A KR20187025815A KR20180114101A KR 20180114101 A KR20180114101 A KR 20180114101A KR 1020187025815 A KR1020187025815 A KR 1020187025815A KR 20187025815 A KR20187025815 A KR 20187025815A KR 20180114101 A KR20180114101 A KR 20180114101A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
additive
pressure
sensitive adhesive
adhesive film
film
Prior art date
Application number
KR1020187025815A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102578432B1 (ko
Inventor
마사노부 쿠츠미
야스노리 하야시
시게루 타나카
Original Assignee
덴카 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 덴카 주식회사 filed Critical 덴카 주식회사
Publication of KR20180114101A publication Critical patent/KR20180114101A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102578432B1 publication Critical patent/KR102578432B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • C09J2201/622—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

점착 시트에 있어서, 접착 필름X 중의 첨가제가 점착 테이프로 이행하는 것에 의해 접착 필름X의 특성변화를 억제할 수 있는 점착 시트를 제공한다.
본 발명에 의하면 접착 필름X와, 점착제층Y와, 기재 필름Z를 X, Y, Z의 순서대로 배치한 점착 시트로서, 상기 접착 필름X가 기체 수지와, 광중합 개시제, 열중합 개시제, 중합 금지제, 대전 방지제, 가교 촉진제, 노화방지제 및 연화제로부터 선택되는 기능 성분이며 분자량이 500이하인 제1첨가제(A)를 0.05~20질량% 함유하고, 상기 점착제층Y가 (메트)아크릴산 에스테르 공중합체(B) 100질량부와, 다관능 이소시아네이트 경화제(C) 0.5~10질량부와, 상기 접착 필름X 중의 제1첨가제(A)와 동일한 기능 성분이며 분자량이 500이하인 제2첨가제(D)를 함유하고, 제2첨가제(D)는 상기 점착제층Y 100질량% 중에 0.1~20질량%인 것을 특징으로 하는 점착 시트가 제공된다.

Description

점착 시트
본 발명은 점착 시트에 관한 것이다.
전자 부품의 제조 방법으로서, 웨이퍼나 절연물 기판 상에 복수의 회로 패턴을 형성하여 전자 부품 집합체로 한 후, 전자 부품 집합체를 가공하여 칩으로 하고 칩을 픽업하고, 칩의 저면에 접착제를 도포하고 칩을 접착제로 리드 프레임 등에 고정하여 칩을 수지 등으로 밀봉하여 전자 부품으로 하는 방법이 알려져 있다.
전자 부품 집합체를 가공하여 칩을 제조하는 방법으로서는, 전자 부품 집합체의 회로 패턴을 점착 테이프에 붙이고, 회로 패턴의 이면을 얇게 연마(백그라인드)하는 공정, 점착 테이프를 박리한 후, 회로 패턴면에 점착 테이프를 첩합하고, 나아가 링 프레임에 고정하고 나서 각각의 칩으로 절단 분리(다이싱)하고, 접착제를 이용하여 칩을 적층 고정하는 방법이 알려져 있다. 또한, 접착 필름과 점착 테이프를 적층한 다층 점착 시트를 사용하는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 1~2를 참조).
일본공개특허 2006-049509호 공보 일본공개특허 평 02-248064호 공보
접착 필름과 점착 테이프의 일체형 시트를 전자 부품의 제조에 채용함으로써, 백 그라인드나 다이싱 후의 접착제의 도포 공정을 생략할 수 있다. 접착 필름과 점착 테이프의 일체형 시트는 접착제를 사용하는 방법에 비해, 접착제 부분의 두께 제어나 접착제의 밀려나옴 억제가 우수하다. 접착 필름과 점착 테이프의 일체형 시트는 칩 사이즈 패키지, 스택 패키지(Stack package) 및 시스템 인 패키지(System in package) 나 TSV(Through Silicon Via) 등의 전자 부품의 제조에 이용되고 있다. 하지만, 접착 필름과 점착 테이프의 일체형 시트로 한 경우에는, 접착 필름 중의 첨가제가 점착 테이프로 이행할 가능성이 있기 때문에, 충분한 특성을 얻을 수 없는 것이 문제가 되고 있다. 또한, 접착 필름과 점착 테이프의 점착력이 낮아지면, 접착 필름과의 접착성이 나빠 작업 중에 박리되고, 점착력이 높으면 박리불량이 되는 경우가 있었다.
본 발명은 상기 사정에 비추어 실시된 것이며, 접착 필름X와, 점착제층Y와, 기재Z를 적층하여 이루어지는 점착 시트에 있어서, 접착 필름X 중의 첨가제가 점착제층Y로 이행하는 것에 의한 접착 필름X의 특성변화를 억제할 수 있는 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기의 과제를 해결하기 위해 이하의 수단을 채용한다.
(1) 접착 필름X와, 점착제층Y와, 기재 필름Z를 X, Y, Z의 순서대로 배치한 점착 시트로서,
상기 접착 필름X가 기체 수지와 광중합 개시제, 열중합 개시제, 중합 금지제, 대전 방지제, 가교 촉진제, 노화방지제 및 연화제로부터 선택되는 기능 성분이며, 분자량이 500이하인 제1첨가제(A)를 0.05~20질량% 함유하고,
상기 점착제층Y가 (메트)아크릴산 에스테르 공중합체(B) 100질량부와, 다관능 이소시아네이트 경화제(C) 0.5~10질량부와, 상기 접착 필름X 중의 제1첨가제(A)와 동일한 기능 성분이며 분자량이 500이하인 제2첨가제(D)를 함유하고,
제2첨가제(D)는 상기 점착제층Y 100질량% 중에 0.1~20질량%인 것을 특징으로 하는 점착 시트.
(2) (1)에 있어서, 상기 접착 필름X 중에서의 제1첨가제(A)의 농도에 대한 상기 점착제층Y 중에서의 제2첨가제(D)의 농도의 비는 0.02~4인 점착 시트.
(3) (1)에 있어서, 상기 농도의 비는 0.1~3.4인 점착 시트.
(4) (1)에 있어서, 상기 농도의 비는 0.5~1.5인 점착 시트.
(5) (1) 내지 (4)의 어느 한 항에 있어서,
제2첨가제(D)는 중합 금지제와 열중합 개시제로부터 선택되는 점착 시트.
(6) (1) 내지 (5)의 어느 한 항에 있어서,
제2첨가제(D)는 열중합 개시제와 중합 금지제로부터 선택되는 적어도 1종의 기능 성분과, 광중합개시제, 대전 방지제, 가교 촉진제, 노화방지제 및 연화제로부터 선택되는 적어도 1종의 기능 성분을 함유하는 점착 시트.
(7) (5) 또는 (6)에 있어서,
상기 중합 금지제가 메틸 하이드로퀴논, t-부틸 하이드로퀴논, 4-메톡시 나프톨, 1,4-벤조퀴논, 메토퀴논, 디부틸히드록시톨루엔, N-니트로소페닐히드록시아민 알루미늄염, 1,4-나프토퀴논, 2,2,6,6-테트라메틸 피페리딘1-옥실, 4-tert·부틸카테콜, 디부틸 디티오카르밤산구리로부터 선택되는 1종 이상인 점착 시트.
(8) (5) 내지 (7)의 어느 한 항에 있어서,
상기 열중합 개시제가 벤조일 퍼옥사이드, 쿠멘 하이드로퍼옥사이드, 2,5-디메틸 헥산-2,5-디하이드로퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥신-3, 디-t-부틸퍼옥사이드, t-부틸 쿠밀 퍼옥사이드, α,α'-비스(t-부틸퍼옥시-m-이소프로필)벤젠, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, 디쿠밀퍼옥사이드, 디-t-부틸 퍼옥시이소프탈레이트, t-부틸퍼옥시 벤조에이트, 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)부탄, 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)옥탄, 2,5-디메틸-2,5-디(벤조일 퍼옥시)헥산, 디(트리메틸실릴)퍼옥사이드, 트리메틸실릴 트리페닐실릴퍼옥사이드로부터 선택되는 1종 이상인 점착 시트.
(9) (1) 내지 (8)의 어느 한 항에 있어서,
제2첨가제(D)는 제1첨가제(A)와 동일 물질인 점착 시트.
(10) (1) 내지 (9)의 어느 한 항에 있어서,
상기 접착 필름X는 열경화성 필름인 점착 시트.
(11) (1) 내지 (10)의 어느 한 항에 있어서,
상기 점착제층Y의 두께는 상기 접착 필름X에 대해 0.1~4배의 두께인 점착 시트.
(12) (a) (1) 내지 (11)의 어느 한 항에 기재된 점착 시트의 접착 필름X 측의 면에 실리콘 웨이퍼를 붙여 고정하고, 실리콘 웨이퍼 외주부를 따라 절단하는 공정과,
(b) 상기 실리콘 웨이퍼의 다른 한쪽의 면에 다이싱용 점착 테이프를 첩합하고, 다이싱용 점착 테이프를 링 프레임에 고정하는 공정과,
(c) 상기 점착 시트로부터 점착제층Y와 기재 필름Z로 구성되는 점착 테이프를 박리하는 공정과,
(d) 접착 필름X 부착 실리콘 웨이퍼를 다이싱하는 공정과,
(e) 상기 다이싱용 점착 테이프를 방사 모양으로 확대하여 칩 간격을 넓힌 후 접착 필름X가 부착되어 있는 칩을 박리하는 공정과,
(f) 복수의 칩을 적층하고 가열함으로써 복수의 칩을 서로 접착시키는 공정
으로 이루어지는 반도체 제품의 제조방법.
상기로부터 이루어지는 점착 시트에 있어서, 접착 필름X 중의 첨가제의 농도변화가 억제되기 때문에 접착 필름 X의 특성변화를 억제할 수 있다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다. 본 명세서에 있어서, 단량체 단위란 단량체에서 유래하는 구조 단위를 의미한다. 본 명세서의 부 및 %는 특히 기재가 없는 한 질량기준으로 한다. 본 명세서에서 (메트)아크릴로일기란 아크릴로일기 및 메타아크릴로일기의 총칭이다. (메트)아크릴산 등의 (메트)를 포함하는 화합물 등도 마찬가지로 명칭 중에 「메트」를 갖는 화합물과 「메트」를 가지지 않는 화합물의 총칭이다. 또한, 이하 설명 중에서 점착 테이프란 점착제층Y와 기재Z를 적층한 것으로 한다.
본 발명은 접착 필름X와, 점착제층Y와, 기재 필름Z를 X, Y, Z의 순서대로 배치한 점착 시트로서, 상기 접착 필름X가 기체 수지와, 광중합 개시제, 열중합 개시제, 중합 금지제, 대전 방지제, 가교 촉진제, 노화방지제 및 연화제로부터 선택되는 기능 성분이며, 분자량이 500이하인 제1첨가제(A)를 0.05~20질량% 함유하고, 상기 점착제층Y가 (메트)아크릴산 에스테르 공중합체(B) 100질량부와, 다관능 이소시아네이트 경화제(C) 0.5~10질량부와, 상기 접착 필름X 중의 제1첨가제(A)와 동일한 기능 성분이며 분자량이 500이하인 제2첨가제(D)를 함유하고, 제2첨가제(D)는 상기 점착제층Y 100질량% 중에 0.1~20질량%인 것을 특징으로 하는 점착 시트이다.
<접착 필름X>
본 발명의 접착 필름X는 기체 수지와 제1첨가제(A)를 함유한다. 접착 필름X는 기체 수지와 제1첨가제(A)를 함유하는 접착제 조성물 용액을 제작하고, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 위에 소정 두께로 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 이 도포막을 건조시킴으로써 제조할 수 있다.
(기체 수지)
기체 수지의 종류는 특별히 한정되지 않고 예를 들면 아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리설폰, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리아미드산, 실리콘 수지, 페놀 수지, 고무, 불소 고무 및 불소 수지의 단체 또는 이들의 혼합물이다.
(제1첨가제(A))
제1첨가제(A)는 광중합 개시제, 열중합 개시제, 중합 금지제, 대전 방지제, 가교 촉진제, 노화방지제 및 연화제로부터 선택되는 기능 성분이며, 분자량이 500이하이다. 제1첨가제(A)는 접착 필름X에 원하는 특성을 부여하기 위해 첨가되는 것이다. 접착 필름X 중의 제1첨가제(A)의 농도는 0.05~20질량%이고 바람직하게는 0.5~15질량%이며 더 바람직하게는 1~10질량%이며, 보다 바람직하게는 3~7질량%이다. 접착 필름X 중의 제1첨가제(A)의 양이 너무 적으면 원하는 특성을 얻을 수 없는 경우가 있고, 너무 많으면 접착성이 저하되는 등의 문제가 생기는 경우가 있다. 또한, 제1첨가제(A)의 분자량을 500이하로 하고 있는 것은 이 분자량이 500을 넘는 경우에는 제1첨가제(A)가 점착제층Y로 이행하기 어렵기 때문에 접착 필름X 내에서의 제1첨가제(A)의 기능 성분의 농도변화가 일어나기 어려워 본 발명을 적용할 필요성이 낮기 때문이다. 제1첨가제(A)의 분자량의 하한은 특히 한정되지 않지만, 예를 들면 100이다. 제1첨가제(A)는 광중합 개시제, 열중합 개시제, 중합 금지제, 대전 방지제, 가교 촉진제, 노화방지제 및 연화제 중의 1개 기능 성분을 포함해도 되고 복수의 기능 성분을 포함해도 된다. 본 명세서에 있어서, 첨가제의 「기능 성분」이란 기능에 착안한 표현으로, 서로 다른 물질이어도 동일한 기능을 갖는 성분은 동일한 기능 성분이다. 예를 들면, 제1첨가제(A)가 열중합 개시제와 중합 금지제를 포함하는 경우에는 제1첨가제(A)는 2개 기능 성분을 함유한다. 한편, 제1첨가제(A)가 2개의 물질(예를 들면, 메틸 하이드로퀴논과 디부틸히드록시톨루엔)의 중합 금지제를 포함할 경우, 제1첨가제(A)는 1개의 기능 성분을 함유한다. 제1첨가제(A)가 복수의 기능 성분을 포함할 경우, 각 기능 성분의 농도가 상기 범위인 것이 바람직하다.
접착 필름X는 바람직하게는 열경화성 필름이며, 이 경우, 접착 필름X는 열중합 개시제와 중합 금지제 중의 적어도 하나를 호적하게 함유한다. 접착 필름X가 열중합 개시제를 함유함으로써 접착 필름X가 열경화되는 온도가 저하되고, 접착 필름X가 중합 금지제를 함유함으로써 접착 필름X가 열경화되는 온도가 상승한다. 때문에, 접착 필름X에 적량의 중합 개시제와 중합 금지제를 첨가함으로써 접착 필름X의 열경화성이 최적화된다. 또한, 접착 필름X 중에서의 열중합 개시제와 중합 금지제 중의 적어도 하나의 농도가 변화되면 접착 필름X의 열경화성이 최적인 상태에서 벗어나 버리기 때문에 접착 필름X가 열경화성 필름일 경우에는 열중합 개시제와 중합 금지제 중의 적어도 하나의 농도변화를 억제하는 것의 의의가 특히 크다.
광중합 개시제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인프로필에테르, 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-아세토페논, 2,2-디에톡시-2-아세토페논, 1,1-디클로로아세토페논, 2-메틸 안트라퀴논, 2-에틸 안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 1-클로로 안트라퀴논, 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤, 2-클로로 티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤, 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈, 벤질디페닐 설파이드, 테트라메틸티우람 모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 1,2-옥탄디온,1-[4-(페닐티오)페닐-,2-(O-벤조일옥심)] 등을 들 수 있다.
열중합 개시제는 특별히 한정되지 않고 예를 들면, 벤조일 퍼옥사이드, 쿠멘 하이드로퍼옥사이드, 2,5-디메틸 헥산-2,5-디하이드로퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥신-3, 디-t-부틸퍼옥사이드, t-부틸 쿠밀퍼옥사이드, α,α'-비스(t-부틸퍼옥시-m-이소프로필)벤젠, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, 디쿠밀퍼옥사이드, 디-t-부틸 퍼옥시이소프탈레이트, t-부틸퍼옥시 벤조에이트, 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)부탄, 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)옥탄, 2,5-디메틸-2,5-디(벤조일 퍼옥시)헥산, 디(트리메틸실릴)퍼옥사이드, 트리메틸실릴 트리페닐실릴퍼옥사이드 등을 들 수 있다.
중합 금지제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 메틸 하이드로퀴논, t-부틸 하이드로퀴논, 4-메톡시 나프톨, 1,4-벤조퀴논, 메토퀴논, 디부틸히드록시톨루엔, N-니트로소페닐히드록시아민 알루미늄염, 1,4-나프토퀴논, 2,2,6,6-테트라메틸 피페리딘1-옥실, 4-tert·부틸카테콜, 디부틸 디티오카르밤산구리 등을 들 수 있다.
대전 방지제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트 4급 염화물, 디에틸아미노에틸(메트)아크릴레이트 4급 염화물, 메틸에틸아미노에틸(메트)아크릴레이트 4급 염화물, p-디메틸아미노스티렌 4급 염화물, 및 p-디에틸아미노스티렌 4급 염화물 등을 들 수 있다.
가교 촉진제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 테트라메틸티우람 디설파이드, 테트라메틸티우람 모노설파이드, 디메틸디티오카르밤산아연, 2-메르캅토벤조티아졸, 디벤조티아질 디설파이드, N-시클로헥실-2-벤조티아졸릴 설펜아미드, 퍼옥소이황산 암모늄 등을 들 수 있다.
노화방지제는 특별히 한정되지 않고 예를 들면 N-페닐-1-나프틸 아민, 인산 2-에틸헥실 디페닐, 디페닐이소데실포스파이트, 아인산 트리페닐, 2-(2-히드록시-5-tert-옥틸 페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-메틸 페닐)벤조트리아졸 등을 들 수 있다.
연화제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 프탈산 비스(2-에틸헥실), 프탈산디이소노닐, 프탈산디이소데실, 프탈산디부틸, 아디핀산디옥틸, 아디핀산디이소노닐, 인산트리크레실, 아세틸구연산 트리부틸 등을 들 수 있다.
<점착제층Y>
본 발명의 점착제층Y는 (메트)아크릴산 에스테르 공중합체를 주성분으로 하는 것이며, 구체적으로는 (메트)아크릴산 에스테르 공중합체(B) 100질량부와, 다관능 이소시아네이트 경화제(C) 0.5~10질량부와 제2첨가제(D)를 0.1~20질량% 함유한다.
((메트)아크릴산 에스테르 공중합체(B))
(메트)아크릴산 에스테르 공중합체(B)로서는, 아크릴산, 메타크릴산 등의 카르복실기를 갖는 단량체 및 그들의 에스테르 모노머를 중합시킨 폴리머, 이들 모노머와 공중합 가능한 불포화 단량체(예를 들면, 아세트산 비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴)을 공중합시킨 코폴리머가 있다. 본 실시 형태의 점착 테이프에서는 점착제층을 구성하는 점착제는 경화제를 함유함으로써 점착력을 보다 정밀하게 조정할 수 있다. 그리고, (메트)아크릴산 에스테르 공중합체(B)를 구성하는 아크릴 모노머의 적어도 하나는 관능기 함유 단량체를 포함하는 것이 바람직하다. 이 관능기 함유 단량체는 (메트)아크릴산 에스테르 공중합체(B) 중에 0질량%이상 10질량%이하 배합되어 중합되어 있는 것이 바람직하다. 이 관능기 함유 단량체의 배합비가 0.01질량%이상이면 피착체에의 점착력이 충분히 강하여 배수의 발생이 억제되는 경향이 있고, 이 관능기 함유 단량체의 배합비가 10질량%이하이면 피착체에의 점착력이 너무 높지 않기 때문에 점착제 잔여물이 발생하는 것을 억제할 수 있는 경향이 있다.
이 아크릴 모노머로서는 예를 들면, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 트리데실(메트)아크릴레이트, 미리스틸(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴 단량체를 들 수 있다.
이 아크릴 모노머로서는, 특히 적어도 일부에 관능기를 함유하는 단량체를 갖는 것이 바람직하다. 이 관능기를 함유하는 단량체로서는, 히드록실기, 카르복실기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기, 메틸올기, 설폰산기, 설파민산기 또는 (아)인산 에스테르기와 같은 관능기의 1종 이상을 갖는 단량체를 들 수 있다. 그리고, 이 중에서도 특히 이들 관능기를 갖는 비닐 화합물이 좋고, 바람직하게는 히드록실기를 갖는 비닐 화합물이 좋다. 한편, 여기에서 말하는 비닐 화합물에는 후술하는 아크릴레이트가 포함되는 것으로 한다.
히드록실기를 갖는 관능기 함유 단량체로서는 예를 들면 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트 및 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트가 있다.
카르복실기를 갖는 단량체로서는 예를 들면 (메트)아크릴산, 크로톤산, 말레산, 무수 말레산, 이타콘산, 푸마르산, 아크릴아미드N-글리콜산 및 계피산 등을 들 수 있다.
에폭시기를 갖는 단량체로서는 예를 들면 알릴글리시딜에테르 및 (메트)아크릴산 글리시딜에테르 등을 들 수 있다.
아미드기를 갖는 단량체로서는 예를 들면 (메트)아크릴아미드 등을 들 수 있다.
아미노기를 갖는 단량체로서는 예를 들면 N,N-디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
메틸올기를 갖는 단량체로서는, 예를 들면 N-메틸올아크릴아미드 등을 들 수 있다.
아크릴 중합체에는 상기 이외의 비닐 단량체를 이용해도 되고, 예를 들면 에틸렌, 스티렌, 비닐 톨루엔, 아세트산 알릴, 프로피온산 비닐, 부티르산 비닐, 버사트산 비닐(Vinyl versatate), 비닐에틸에테르, 비닐프로필에테르, (메트)아크릴로니트릴, 비닐이소부틸에테르 등의 비닐 화합물 등을 들 수 있다.
(다관능 이소시아네이트 경화제(C))
다관능 이소시아네이트 경화제(C)는 이소시아네이트기를 2개 이상 갖는 점 이외에 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 방향족 폴리이소시아네이트, 지방족 폴리이소시아네이트, 지환족 폴리이소시아네이트 등을 들 수 있다.
방향족 폴리 이소시아네이트는 특별히 한정되지 않고 예를 들면 1,3-페닐렌 디이소시아네이트, 4,4’-디페닐 디이소시아네이트, 1,4-페닐렌 디이소시아네이트, 4,4’-디페닐메탄 디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트, 4,4’-톨루이딘 디이소시아네이트, 2,4,6-트리이소시아네이트톨루엔, 1,3,5-트리이소시아네이트벤젠, 디아니시딘 디이소시아네이트, 4,4’-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4’,4”-트리페닐메탄트리이소시아네이트, ω,ω’-디이소시아네이트-1,3-디메틸 벤젠, ω,ω’-디이소시아네이트-1,4-디메틸 벤젠, ω,ω’-디이소시아네이트-1,4-디에틸 벤젠, 1,4-테트라메틸 크실릴렌 디이소시아네이트 및 1,3-테트라메틸 크실릴렌 디이소시아네이트 등을 들 수 있다.
지방족 폴리 이소시아네이트는 특별히 한정되지 않고 예를 들면 트리메틸렌디이소시아네이트, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 펜타메틸렌디이소시아네이트, 1,2-프로필렌디이소시아네이트, 2,3-부틸렌디이소시아네이트, 1,3-부틸렌디이소시아네이트, 도데카메틸렌디이소시아네이트 및 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등을 들 수 있다.
지환족 폴리 이소시아네이트는 특히 한정되지 않고, 예를 들면 3-이소시아네이트메틸-3,5,5-트리메틸시클로헥실이소시아네이트, 1,3-시클로펜탄디이소시아네이트, 1,3-시클로헥산디이소시아네이트, 1,4-시클로헥산디이소시아네이트, 메틸-2,4-시클로헥산디이소시아네이트, 메틸-2,6-시클로헥산디이소시아네이트, 4,4'-메틸렌비스(시클로헥실이소시아네이트) 및 1,4-비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산 등을 들 수 있다.
폴리 이소시아네이트 중, 입수가 용이한 방향족 폴리 이소시아네이트인 1,3-페닐렌 디이소시아네이트, 4,4'-디페닐 디이소시아네이트, 1,4-페닐렌 디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄 디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트 및 4,4'-톨루이딘 디이소시아네이트를 호적하게 이용할 수 있다.
이 이소시아네이트 화합물은 2량체나 3량체이어도 되고 또는 이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 어덕트체이어도 된다.
다관능 이소시아네이트 경화제(C)의 배합비는 (메트)아크릴산 에스테르 공중합체(B) 100질량부에 대하여 0.5~10질량부이며, 2~8질량부가 바람직하고, 4~6질량부가 더 바람직하다. 다관능 이소시아네이트 경화제(C)가 적으면 점착력이 너무 강해지기 때문에 점착 테이프와 접착 필름X를 박리할 수 없는 경우가 있다. 다관능 이소시아네이트 경화제(C)가 많으면 점착력이 저하되어 작업 중에 접착 필름X가 박리되는 경우가 있다.
접착 필름X와 점착 테이프의 사이의 점착력을 조정하는 별도의 방법으로서, 점착제에 점착 부여 수지를 첨가하는 방법을 들 수 있다. 점착 부여 수지는 특별히 한정되지 않고 예를 들면 로진(rosin) 수지, 로진(rosin)에스테르 수지, 테르펜 수지, 테르펜페놀 수지, 페놀 수지, 크실렌 수지, 쿠마론 수지, 쿠마론인덴 수지(Cumarone Inden Resin), 스티렌 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지, 지방족 방향족 공중합 석유 수지, 지환족 탄화수소 수지 및 이들의 변성품, 유도체 및 수소첨가품 등을 들 수 있다.
점착 부여 수지의 배합량은 특별히 한정되지 않고 (메트)아크릴산 에스테르 중합체(A) 100질량부에 대하여 200질량부이하, 바람직하게는 30질량부이하로 하는 것이 바람직하다.
(제2첨가제(D))
제2첨가제(D)는 접착 필름X 중의 제1첨가제(A)와 동일한 기능 성분이다. 때문에, 예를 들면 제1첨가제(A)가 열중합 개시제일 경우, 제2첨가제(D)도 열중합 개시제이며, 제1첨가제(A)가 중합 금지제일 경우, 제2첨가제(D)도 중합 금지제이다. 제2첨가제(D)는 중합 금지제와 열중합 개시제로부터 선택되는 것이 바람직하다. 또한, 제2첨가제(D)는 열중합 개시제와 중합 금지제로부터 선택되는 적어도 1종의 기능 성분과, 광중합 개시제, 대전 방지제, 가교 촉진제, 노화방지제 및 연화제로부터 선택되는 적어도 1종의 기능 성분을 함유하는 것이 바람직하다. 제2첨가제(D)는 제1첨가제(A)에 포함되어 있지 않은 기능 성분을 함유해도 된다. 예를 들면, 제1첨가제(A)가 열중합 개시제뿐인 경우에 제2첨가제(D)가 열중합 개시제 및 중합 금지제를 함유해도 된다. 한편, 제2첨가제(D)에 포함되어 있지 않은 기능 성분을 제1첨가제(A)가 함유해도 된다. 예를 들면, 제1첨가제(A)가 열중합 개시제 및 중합 금지제를 함유하는 경우에 제2첨가제(D)가 열중합 개시제만을 포함해도 된다. 제1첨가제(A) 및 제2첨가제(D)가 각각 복수의 기능 성분을 함유할 경우 모든 기능 성분이 공통되어 있는 것이 바람직하다.
점착제층Y 중의 제2첨가제(D)의 농도는 0.1~20질량%이고 바람직하게는 0.5~17질량%이며 더 바람직하게는 1~10질량%이며 보다 바람직하게는 3~7질량%이다. 점착제층Y 중의 제2첨가제(D)는 접착 필름X 중의 제1첨가제(A)가 점착제층Y로 이행하여, 접착 필름X 중의 제1첨가제(A)의 농도가 저하되는 것을 억제하는 목적으로 첨가한다. 점착제층Y 중에 제2첨가제(D)가 포함되어 있으면, 제1첨가제(A)의 점착제층Y로의 이행과 제2첨가제(D)의 접착 필름X로의 이행이 동시에 일어나기 때문에, 제1첨가제(A)와 제2첨가제(D)의 기능 성분이 동일하면 접착 필름X 중에서의 제1첨가제(A)의 감소와 제2첨가제(D)의 증대가 서로 소거되어, 접착 필름X 중에서의 제1첨가제(A)의 기능 성분의 농도변화가 억제된다. 제2첨가제(D)의 농도가 너무 낮으면 제2첨가제(D)의 접착 필름X로의 이행이 너무 적어, 접착 필름X 중에서의 제1첨가제(A)의 기능 성분의 농도변화 억제의 효과를 얻기 어렵다. 한편, 제2첨가제(D)의 농도가 너무 높으면 제2첨가제(D)의 접착 필름X로의 이행이 너무 많아져서 접착 필름X 중에서의 제1첨가제(A)의 기능 성분의 농도가 높아져 버린다. 제2첨가제(D)가 복수의 기능 성분을 갖는 경우 각 기능 성분의 농도가 상기 범위이다.
접착 필름X 중의 기능 성분의 농도변화를 억제한다고 하는 관점에서는 접착 필름X 중의 제1첨가제(A)의 농도와 점착제층Y 중의 제2첨가제(D)의 농도가 가까울수록 바람직하고, 농도비(제2첨가제(D)/제1첨가제(A))는 예를 들면 0.02~4이고 바람직하게는 0.1~3.4이며 보다 바람직하게는 0.5~1.5이다. 제1첨가제(A)와 제2첨가제(D)가 각각 복수의 기능 성분을 함유할 경우, 각 기능 성분에 대한 농도비가 상기 범위 내인 것이 바람직하다.
또한, 제2첨가제(D)의 분자량을 500이하로 하고 있는 것은, 이 분자량이 500을 넘는 경우에는 제2첨가제(D)가 접착 필름X로 이행하기 어렵기 때문에, 점착제층Y 중에 제2첨가제(D)를 첨가함으로써 접착 필름X 중에서의 제1첨가제(A)의 기능 성분의 농도변화를 억제하는 효과를 얻기 어렵기 때문이다. 제2첨가제(D)의 분자량의 하한은 특별히 한정되지 않지만 예를 들면 100이다.
제2첨가제(D)는 제1첨가제(A)와 동일한 기능 성분이면 되고 동일의 물질일 필요는 없다. 따라서, 예를 들면 제1첨가제(A)가 제1물질(예: 메틸 하이드로퀴논)로 이루어지는 중합 금지제일 경우에, 제2첨가제(D)가 제2물질(디부틸히드록시톨루엔)로 이루어지는 중합 금지제이어도 된다. 이 경우, 제1물질이 접착 필름X로부터 점착제층Y로 이행함으로써 접착 필름X 중에서의 제1물질의 농도는 저하되지만 제2물질이 점착제층Y로부터 접착 필름X로 이행하기 때문에 접착 필름X 중에서의 중합 금지제의 농도의 변화가 억제된다. 다만, 접착 필름X와 점착제층Y의 사이에서의 이행의 용이함은 물질에 따라 다르기 때문에 접착 필름X 중에서의 제1첨가제(A)의 기능 성분의 농도변화를 보다 효과적으로 억제하기 위해, 제1첨가제(A)와 제2첨가제(D)는 동일 물질인 것이 바람직하다. 제1첨가제(A)와 제2첨가제(D)가 각각 복수의 물질을 포함하고 있는 경우에는, 모든 물질이 공통되어 있는 것이 바람직하다.
점착제층Y의 두께는 접착 필름X에 대하여 0.1~4배의 두께인 것이 바람직하고 0.5~3배가 보다 바람직하다. 접착 필름X에 대하여 점착제층Y의 두께가 얇은 경우 또는 두꺼운 경우, 접착 필름X 중에서의 제1첨가제(A)의 기능 성분의 농도변화의 억제가 불충분해질 경우가 있기 때문이다.
<기재 필름Z>
기재 필름Z는 각종 합성 수지제의 시트가 사용 가능하다. 기재 필름Z의 소재는 특별히 한정되지 않지만 폴리염화비닐, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-에틸 아크릴레이트 공중합체, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-아크릴산 공중합체 및 아이오노머 수지 등을 들 수 있다. 기재 필름에는 이 수지의 혼합물, 공중합체 및 다층 필름 등도 사용 가능하다.
기재 필름Z의 소재는 아이오노머 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 아이오노머 수지 중에서도, 에틸렌 단위, (메트)메타아크릴산 단위 및 (메트)아크릴산 알킬에스테르 단위를 갖는 공중합체를 Na+, K+, Zn2+ 등의 금속 이온으로 가교된 아이오노머 수지를 호적하게 사용할 수 있다.
기재 필름Z의 성형방법은 특별히 한정되지 않고 예를 들면 캘린더, T다이 압출, 인플레이션 및 캐스팅 등을 들 수 있다. 기재 필름의 두께는 30~300μm이 바람직하고 60~200μm이 보다 바람직하다.
기재 필름Z에는 접착 필름X의 박리 시에 있어서의 대전을 방지하기 위해 기재 필름Z의 단면 또는 양면에 대전 방지제를 도포하여 대전 방지 처리를 실시해도 된다.
<점착 시트>
점착제층Y와 기재 필름Z를 적층하여 이루어지는 점착 테이프의 점착제층Y측의 면에 접착 필름X를 붙여 점착 시트로 한다. 전자 부품의 제조에 사용하는 경우에는 접착 필름X와 점착 테이프의 사이의 점착력이 0.05~1.0N/20mm인 것이 바람직하다. 접착 필름X와 점착제 테이프의 사이의 점착력이 1.0N/20mm이하이면 박리 불량의 발생이 억제되고, 점착력이 0.05N/20mm이상이면 접착 필름X를 적절하게 유지할 수 있는 이점이 있기 때문이다. 이러한 점착력을 부여하기 위해 점착제층Y는 (메트)아크릴산 에스테르 공중합체(B) 100질량부와, 다관능 이소시아네이트 경화제(C) 0.5~10질량부를 함유하는 (메트)아크릴산 에스테르 공중합체를 주성분으로 하는 것이 바람직하다.
<전자 부품의 제조 방법>
본 실시 형태의 점착 시트를 사용한 전자 부품의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만 예를 들면 다음의 순서를 들 수 있다.
(1) 기재 필름Z 상에 점착제층Y가 형성된 점착 테이프를 작성한다.
(2) 점착 테이프의 점착제층Y측의 면에 접착 필름X를 첩합하여, 점착 시트를 작성한다.
(3) 점착 시트의 접착 필름X측의 면에 실리콘 웨이퍼를 붙여 고정하고, 웨이퍼 외주부를 따라 절단한다.
(4) 실리콘 웨이퍼의 다른 쪽의 면에 다이싱용 점착 테이프를 첩합하고, 다이싱용 점착 테이프를 링 프레임에 고정한다.
(5) 점착 시트로부터 점착 테이프를 박리한다. 이에 의해 접착 필름X가 실리콘 웨이퍼 상에 남은 상태로 된다.
(6) 접착 필름X부착 웨이퍼를 다이싱한다. 이 때에 접착 필름X도 다이싱된다.
(7) 다이싱용 점착 테이프를 방사 모양으로 확대하여 칩 간격을 넓힌 후 칩을 박리한다. 박리된 각 칩에는 다이싱된 접착 필름X가 부착되어 있다.
(8) 복수의 칩을 적층하고 가열함으로써 복수의 칩을 서로 접착시킨다.
실시예
<실시예 1>
실시예 1의 접착 필름X, 점착 테이프 및 점착 시트는 다음의 처방으로 작성했다.
(접착 필름X)
폴리프로필렌 글리콜형 에폭시 수지(토우토화성사(東都化成社)제, 형식: PG208GS)와 비스페놀A형 에폭시 수지(저팬에폭시레진제, 형식: EP828)를 35:65의 비율(질량비)로 혼합하고, 상기 에폭시 수지 100질량부에 대하여 페놀노볼락(Phenol novolac)계 경화제(메이와화성사(明和化成社)제, 형식: H-1)를 50질량부 및 제1첨가제(A)를 함유하는 접착제 조성물 용액을 제작하고, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 상에 소정 두께가 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 이 도포막을 건조시킴으로써 접착 필름X를 제조했다. 두께는 30μm이었다. 제1첨가제(A)는 접착 필름X 중에서의 농도가 5질량%이 되도록 접착제 조성물 용액에 첨가했다.
제1첨가제(A): 분자량 220의 디부틸히드록시톨루엔(중합 금지제), 시판품.
(점착 테이프)
점착 테이프의 점착제층을 구성하는 점착제는 (메트)아크릴산 에스테르 공중합체(B) 100질량부, 다관능 이소시아네이트 경화제(C) 5질량부, 제2첨가제(D)를 상기 점착제 중에 5질량% 함유한 점착제 용액을 PET 세퍼레이터 필름 위에 도포하여 건조 후의 두께가 30μm이 되도록 하고 기재 필름 100μm에 적층함으로써 점착 테이프를 얻었다.
(메트)아크릴산(acrylic acid) 에스테르 공중합체(B): 2-에틸헥실 아크릴레이트 95질량%, 2-히드록시에틸아크릴레이트 5질량%의 공중합체, 유리 전이점 -67.8℃, 합성품.
다관능 이소시아네이트 경화제 (C): 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트의 트리메틸올프로판 어덕트체, 시판품.
제2첨가제(D): 분자량 220의 디부틸히드록시톨루엔(중합 금지제), 시판품.
기재 필름Z: 에틸렌-메타크릴산-메타크릴산 알킬 에스테르 공중합체의 Zn염을 주체, MFR값 1.5g/10분(JIS K7210, 210℃), 융점 96℃, DUPONT-MITSUI POLYCHEMICALS CO., LTD제, 시판품.
(점착 시트)
접착 필름X를 점착 테이프의 점착제층Y측의 면에 라미네이트하여 점착 시트를 얻었다.
<실시예 2~17 및 비교예 1~6>
제1첨가제(A)의 종류 및 농도, 다관능 이소시아네이트 경화제(C)의 배합량 및 제2첨가제(D)의 종류 및 농도를 표 1~표 2에 나타낸 바와 같이 변경한 이외에는 실시예1과 같은 방법에 의해 실시예 2~17 및 비교예 1~6의 점착 시트를 얻었다.
<점착 테이프의 평가 방법>
(농도변화 억제도)
접착 필름X에 점착 테이프를 2kg 롤러의 1왕복으로 압착하고 첩합하여 점착 시트를 형성한 후, 45±2℃ 오븐에서 24시간 방치했다. 상온으로 되돌리고 접착 필름X와 점착 테이프를 박리한 후, 점착 테이프 중의 제2첨가제(D)의 기능 성분의 농도변화를 GC-MS로 다음의 방법으로 측정했다. 이행 억제도는 이하의 기준으로 평가했다.
A: 농도변화가 10%미만
B: 농도변화가 10%이상 25%미만
C: 농도변화가 25%이상 50%미만
D: 농도변화가 50%이상 75%미만
E: 농도변화가 75%이상
· 측정 방법
(1) 점착 테이프를 20ml 바이알병에 채취하고 질소 가스로 치환, 봉입한다.
(2) 175℃×10분 가열하고, 기상부를 GC-MS로 측정한다.
(3) 접착 필름X의 첩합 전후의 첨가제량을 비교하여, 농도변화를 산출한다.
장치명: CombI-PAL-Agilent 6890GC-5973N MS 시스템
칼럼: Hp-5MS 30m×0.25mm×0.25μm
칼럼 온도: 40℃(5분 유지) → 10℃/분 → 150℃ → 20℃/분 → 280℃(12.5분 유지)
인젝션 온도: 250℃
검출기 온도: 280℃
유량: 1ml/분
스플릿: 1/50
정유량: 7.5psi. (40℃)
(박리성)
점착 시트를 실리콘 웨이퍼 위에 첩합하고, 2kg 롤러의 1왕복으로 압착하여, 압착 24시간 후에 점착 테이프와 접착 필름X의 계면의 점착력을 인장시험기로 하기의 방법으로 측정했다. 박리성은 이하의 기준으로 평가했다.
◎: 점착력이 0.2N/20mm이상 0.7N/20mm미만
○: 점착력이 0.05N/20mm이상 0.2N/20mm미만, 또는 0.7N/20mm이상 1.0N/20mm미만
×: 점착력이 0.05N/20mm미만, 또는 1.0N/20mm이상
· 측정 방법
박리방법: 180° 필
인장속도: 300mm/분
각각의 실시예 1~17, 비교예 1~6의 배합과 평가 결과를 표 1~표 2에 정리한다.
Figure pct00001
Figure pct00002
표 1~표 2의 결과로부터, 모든 실시예의 점착 시트는 점착 테이프 중의 첨가제의 농도변화가 작고, 박리성도 양호한 것을 알았다. 한편, 비교예 1의 점착 시트는 제1첨가제(A)와 제2첨가제(D)의 기능 성분이 서로 다르기 때문에 점착 테이프 중의 제2첨가제(D)의 기능 성분의 농도변화가 커졌다. 비교예 2~3의 점착 시트는 제2첨가제(D)의 농도가 너무 낮거나 또는 너무 높기 때문에, 점착 테이프 중의 제2첨가제(D)의 기능 성분의 농도변화가 커졌다. 비교예 4의 점착 시트는 제2첨가제(D)의 분자량이 너무 크기 때문에 점착 테이프 중의 제2첨가제(D)의 기능 성분의 농도변화가 커졌다. 비교예 5~6의 점착 시트는 다관능 이소시아네이트 경화제(C)의 배합량이 너무 적거나 또는 너무 많기 때문에, 박리성이 나빴다.
이상과 같이 상기의 점착 시트는, 점착 테이프 중의 첨가제의 농도변화가 작기 때문에 접착 필름X 중의 첨가제의 농도변화가 적고 박리성이 뛰어나다. 때문에, 상기의 점착 시트는 복수의 칩을 적층 고정하는 전자 부품의 제조 방법에 호적하게 사용할 수 있다.

Claims (12)

  1. 접착 필름X와, 점착제층Y와, 기재 필름Z를 X, Y, Z의 순서대로 배치한 점착 시트로서,
    상기 접착 필름X가 기체 수지와, 광중합 개시제, 열중합 개시제, 중합 금지제, 대전 방지제, 가교 촉진제, 노화방지제 및 연화제로부터 선택되는 기능 성분이며 분자량이 500이하인 제1첨가제(A)를 0.05~20질량% 함유하고,
    상기 점착제층Y가 (메트)아크릴산 에스테르 공중합체(B) 100질량부와, 다관능 이소시아네이트 경화제(C) 0.5~10질량부와, 상기 접착 필름X 중의 제1첨가제(A)와 동일한 기능 성분이며 분자량이 500이하인 제2첨가제(D)를 함유하고,
    제2첨가제(D)는 상기 점착제층Y 100질량% 중에 0.1~20질량%인 것을 특징으로 하는 점착 시트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착 필름X 중에서의 제1첨가제(A)의 농도에 대한, 상기 점착제층Y 중에서의 제2첨가제(D)의 농도의 비는 0.02~4인 점착 시트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 농도의 비는 0.1~3.4인 점착 시트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 농도의 비는 0.5~1.5인 점착 시트.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    제2첨가제(D)는 중합 금지제와 열중합 개시제로부터 선택되는 점착 시트.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    제2첨가제(D)는 열중합 개시제와 중합 금지제로부터 선택되는 적어도 1종의 기능 성분과, 광중합 개시제, 대전 방지제, 가교 촉진제, 노화방지제 및 연화제로부터 선택되는 적어도 1종의 기능 성분을 함유하는 점착 시트.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 중합 금지제가 메틸 하이드로퀴논, t-부틸 하이드로퀴논, 4-메톡시 나프톨, 1,4-벤조퀴논, 메토퀴논, 디부틸히드록시톨루엔, N-니트로소페닐히드록시아민 알루미늄염, 1,4-나프토퀴논, 2,2,6,6-테트라메틸 피페리딘1-옥실, 4-tert·부틸카테콜, 디부틸 디티오카르밤산구리로부터 선택되는 1종 이상인 점착 시트.
  8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열중합 개시제가 벤조일 퍼옥사이드, 쿠멘 하이드로퍼옥사이드, 2,5-디메틸 헥산-2,5-디하이드로퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥신-3, 디-t-부틸퍼옥사이드, t-부틸 쿠밀 퍼옥사이드, α,α'-비스(t-부틸퍼옥시-m-이소프로필)벤젠, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, 디쿠밀퍼옥사이드, 디-t-부틸 퍼옥시이소프탈레이트, t-부틸퍼옥시 벤조에이트, 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)부탄, 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)옥탄, 2,5-디메틸-2,5-디(벤조일 퍼옥시)헥산, 디(트리메틸실릴)퍼옥사이드, 트리메틸실릴 트리페닐실릴퍼옥사이드로부터 선택되는 1종 이상인 점착 시트.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    제2첨가제(D)는 제1첨가제(A)와 동일 물질인 점착 시트.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착 필름X는 열경화성 필름인 점착 시트.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착제층Y의 두께는 상기 접착 필름X에 대해 0.1~4배의 두께인 점착 시트.
  12. (a) 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트의 접착 필름X측의 면에 실리콘 웨이퍼를 붙여 고정하고, 실리콘 웨이퍼 외주부를 따라 절단하는 공정과,
    (b) 상기 실리콘 웨이퍼의 다른 한쪽의 면에 다이싱용 점착 테이프를 첩합하고, 다이싱용 점착 테이프를 링 프레임에 고정하는 공정과,
    (c) 상기 점착 시트로부터 점착제층Y와 기재 필름Z로 구성되는 점착 테이프를 박리하는 공정과,
    (d) 접착 필름X 부착 실리콘 웨이퍼를 다이싱하는 공정과,
    (e) 상기 다이싱용 점착 테이프를 방사 모양으로 확대하여 칩 간격을 넓힌 후, 접착 필름X가 부착되어 있는 칩을 박리하는 공정과,
    (f) 복수의 칩을 적층하고 가열함으로써 복수의 칩을 서로 접착시키는 공정
    으로 이루어지는 반도체 제품의 제조방법.
KR1020187025815A 2016-02-10 2017-01-17 점착 시트 KR102578432B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-023825 2016-02-10
JP2016023825 2016-02-10
PCT/JP2017/001419 WO2017138310A1 (ja) 2016-02-10 2017-01-17 粘着シート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180114101A true KR20180114101A (ko) 2018-10-17
KR102578432B1 KR102578432B1 (ko) 2023-09-13

Family

ID=59562959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187025815A KR102578432B1 (ko) 2016-02-10 2017-01-17 점착 시트

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6867958B2 (ko)
KR (1) KR102578432B1 (ko)
TW (1) TWI718236B (ko)
WO (1) WO2017138310A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109679509B (zh) * 2018-12-25 2021-03-30 烟台德邦科技股份有限公司 一种单组份uv引发快速固化的丙烯酸酯结构胶及其制备方法
CN116836633A (zh) * 2022-03-25 2023-10-03 上海海优威新材料股份有限公司 用于光伏组件的粘接膜及其制备方法、胶膜、复合体

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02248064A (ja) 1989-03-20 1990-10-03 Nitto Denko Corp 半導体チップ固着キャリヤの製造方法及びウエハ固定部材
JP2006049509A (ja) 2004-08-03 2006-02-16 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2011213922A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2013165128A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Lintec Corp 半導体ウエハ加工用シート
KR20150130245A (ko) * 2014-05-13 2015-11-23 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4851613B2 (ja) * 2009-12-22 2012-01-11 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
JP6231254B2 (ja) * 2010-11-30 2017-11-15 日東電工株式会社 表面保護シート
JP5997506B2 (ja) * 2012-05-31 2016-09-28 リンテック株式会社 ダイシング・ダイボンディングシート
JP6264917B2 (ja) * 2014-02-06 2018-01-24 日立化成株式会社 ダイシングテープ

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02248064A (ja) 1989-03-20 1990-10-03 Nitto Denko Corp 半導体チップ固着キャリヤの製造方法及びウエハ固定部材
JP2006049509A (ja) 2004-08-03 2006-02-16 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2011213922A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2013165128A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Lintec Corp 半導体ウエハ加工用シート
KR20150130245A (ko) * 2014-05-13 2015-11-23 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017138310A1 (ja) 2017-08-17
KR102578432B1 (ko) 2023-09-13
TWI718236B (zh) 2021-02-11
JP6867958B2 (ja) 2021-05-12
TW201732005A (zh) 2017-09-16
JPWO2017138310A1 (ja) 2019-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9761476B2 (en) Dicing film and dicing die-bonding film
JP6662833B2 (ja) 粘着剤組成物及び粘着シート
EP2490251B1 (en) Die attach film
KR20120099238A (ko) 점착시트 및 전자부품
KR20150018782A (ko) 접착성 수지층이 부착된 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5580631B2 (ja) 硬化性組成物、ダイシング−ダイボンディングテープ、接続構造体及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
JP6833083B2 (ja) フィルム状接着剤、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP6719476B2 (ja) 粘着シート
KR102255547B1 (ko) 접착제 조성물, 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101908390B1 (ko) 반도체 가공시트용 기재필름, 반도체 가공시트 및 반도체 장치의 제조방법
TWI758445B (zh) 膜狀接著劑複合片以及半導體裝置的製造方法
TWI740819B (zh) 膜狀接著劑複合片及半導體裝置的製造方法
JP4518535B2 (ja) ダイシング用粘着シート用粘着剤、ダイシング用粘着シート、半導体素子の製造方法、半導体素子
JPWO2015016352A6 (ja) 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
TWI566282B (zh) Cut the adhesive sheet
KR20180114101A (ko) 점착 시트
JP2011233632A (ja) 粘着シート及び電子部品の製造方法
KR20180048658A (ko) 점착 시트
KR20230138861A (ko) 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20230138863A (ko) 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20180048676A (ko) 점착 시트

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant