TWI509048B - 太陽能電池之防反射膜用組成物、太陽能電池之防反射膜、太陽能電池之防反射膜的製造方法、及太陽能電池 - Google Patents

太陽能電池之防反射膜用組成物、太陽能電池之防反射膜、太陽能電池之防反射膜的製造方法、及太陽能電池 Download PDF

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Description

太陽能電池之防反射膜用組成物、太陽能電池之防反射膜、太陽能電池之防反射膜的製造方法、及太陽能電池
本發明係有關一種太陽能電池之防反射膜用組成物、防反射膜、防反射膜的製造方法、及太陽能電池。更詳言之，本發明係有關一種單結晶矽型太陽能電池、多結晶矽型太陽能電池、矽雜接合太陽能電池、及基板(subtrate)型太陽能電池等之透明導電膜、防反射膜、及具有密封材料膜之太陽能電池，特別是有關太陽能電池之防反射膜用組成物、防反射膜、及防反射膜的製造方法。
本申請案係以2010年9月30日於日本提出申請的特願2010-223306號為基準，主張優先權，此處援用其內容。
現在，就保護環境而言，進行綠色能源之研究開發、實用化，太陽能電池由於能源之太陽光為無止盡且無公害，故倍受注目。以往，太陽能電池係使用具備單結晶矽或多結晶矽之大容量太陽能電池。
另外，具備非晶型矽等之半導體的薄膜半導體太陽能電池(以下稱為薄膜太陽能電池)，係藉由在玻璃或不銹鋼等低價的基板上僅形成必要量之光電變換層的半導體層予以製造。因此，薄膜太陽能電池，就薄型且輕量、製造成本低價，及容易大面積化等之理由，考慮作為今後太陽能電池之主流。
一般而言，太陽能電池之膜形成，係藉由CVD法等之真空成膜法進行。然而，為維持、運作大型的真空成膜裝置時，由於必須耗費很大的成本，期待藉由濕式成膜法進行膜形成，以大幅地改善運作成本。
此處，大容量太陽能電池、薄膜太陽能電池中任一種，為使發電效率高時，皆以沒有損害入射的光的方式導入光電變換層內，係為重要。因此，必須減低光電變換層表面之反射光。
有關太陽能電池之防反射膜的技術，於專利文獻1,2中揭示。於專利文獻1中揭示，具有在太陽能電池之雜質擴散區域上形成氧化矽膜之步驟，與在氧化矽膜上塗佈含有防反射膜材料之塗料以形成防反射膜之步驟的太陽能電池之製造方法。於專利文獻2中揭示，含矽化合物之防反射膜用組成物，與具有1.25以下之折射率與一定的耐濕性之防反射膜基板。專利文獻2係在基板上塗佈含有矽化合物之組成物，且在400℃以上、450℃以下燒成，形成防反射膜基板。
然而，專利文獻1之製造方法係在折射率為1.40～1.45之氧化矽膜上形成折射率為1.8～2.3之防反射膜。
通常，在防反射膜上形成由乙烯‧醋酸乙烯酯共聚物(EVA)等所形成的密封材料膜。EVA之折射率為1.5～1.6。因此，順序記載所形成膜之折射率時，由氧化物膜：(1.4～1.45)、防反射膜：(1.8～2.3)、密封材料膜：(1.5～1.6)形成。如此藉由防反射膜，由於折射率之變化變大，導致入射的太陽光之反射量增加。特別是在氧化矽膜-防反射膜間之反射量增加，太陽能電池之變換效率降低的問題。
另外，專利文獻2之防反射膜基板，為在基板上塗佈含有矽化合物之組成物，進行燒成予以形成時，故位於基板之太陽光入射面側。因此，沒有使用於大容量型太陽能電池、或太陽光沒有通過基板之基板型太陽能電池、矽雜接合太陽能電池。而且，為在400℃以上形成防反射膜時，於半導體層上形成防反射膜時，因加熱而導致半導體特性惡化。因此，不易在半導體層上形成防反射膜。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-179239號公報
[專利文獻2]日本特開2010-65174號公報
本發明係以提供大容量太陽能電池、或矽雜接合太陽能電池、或基板型薄膜太陽能電池等之太陽能電池中，可減低透明導電膜表面之反射光的防反射膜，以及提供以濕式塗佈法形成該防反射膜之組成物為目的。
本發明人等再三進行研究有關太陽能電池之變換效率的結果，發現藉由在透明導電膜與密封材料膜之間形成具有特定的折射率之防反射膜，可提高太陽能電池之變換效率。而且，開發在不需高價設備下，可以簡單且低成本之濕式塗佈法形成該防反射膜之防反射膜用組成物。
本發明一形態之太陽能電池的防反射膜用組成物、防反射膜、防反射膜之製造方法、及太陽能電池之要件，如下所述。
本發明一形態之太陽能電池之防反射膜用組成物，其特徵為含有透光性黏著劑，且前述透光性黏著劑含有聚合物型黏著劑及非聚合物型黏著劑中任何一者或兩者；相對於除分散媒外之成分的合計量100質量份而言，前述透光性黏著劑之含量為10～90質量份；將防反射膜用組成物硬化而形成的防反射膜之折射率為1.70～1.90。
本發明一形態之太陽能電池之防反射膜用組成物，其中前述聚合物型黏著劑係選自由丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸樹脂、聚胺基甲酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯、聚苯乙烯、聚縮醛、聚醯胺、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、纖維素及矽氧烷聚合物所成群之至少1種。
前述透光性黏著劑含有前述聚合物型黏著劑與選自由第1金屬皂、第1金屬錯合物、第1金屬烷氧化物及金屬烷氧化物之水解物所成群之至少1種。前述第1金屬皂、前述第1金屬錯合物；前述第1金屬烷氧化物及前述金屬烷氧化物之水解物中所含的金屬，係選自由鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬及錫所成群之至少1種。
前述非聚合型黏著劑係選自由第2金屬皂、第2金屬錯合物、第2金屬烷氧化物、烷氧基矽烷、鹵化矽烷類、2-烷氧基乙醇、β-二酮及乙酸烷酯等所成群之至少1種。
前述第2金屬皂、前述第2金屬錯合物及前述第2金屬烷氧化物中所含的金屬，係選自由鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻所成群之至少1種。
前述非聚合物型黏著劑為矽或鈦之金屬烷氧化物。
尚含有透明氧化物微粒子，且相對於除分散媒外之成分的合計量100質量份而言，前述透明氧化物微粒子之含量為10～90質量份。
前述透明氧化物微粒子係選自由SiO2 、TiO2 、ZrO2 、氧化銦錫、ZnO、及氧化銻錫所成群之至少1種。
前述透明氧化物微粒子之平均粒徑為10～100nm之範圍內。
尚含有偶合劑，且前述偶合劑係選自由乙烯基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、含有乙醯基烷氧基之鋁偶合劑、具有二烷基焦磷酸基之鈦偶合劑、及具有二烷基磷酸基之鈦偶合劑所成群之至少1種。且相對於成分之合計量100質量份而言，前述偶合劑之含量為0.01～5質量份。
尚含有分散媒，且前述分散媒係選自由水、甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、丙酮、甲乙酮、環己酮、異佛爾酮、甲苯、二甲苯、己烷、環己烷、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、乙二醇、乙基賽璐蘇所成群之至少1種。相對於成分之合計量100質量份而言，前述分散媒之含量為80～99質量份。
尚含有水溶性纖維素衍生物，且前述水溶性纖維素衍生物係羥基丙基纖維素或羥基丙基甲基纖維素。相對於成分之合計量100質量份而言，前述水溶性纖維素衍生物之含量為0.2～5質量份。
本發明一形態之太陽能電池之防反射膜，其特徵為含有透光性黏著劑，且前述透光性黏著劑含有聚合物型黏著劑及非聚合物型黏著劑中任何一者或兩者；相對於成分之合計量100質量份而言，前述透光性黏著劑之含量為10～90質量份；且折射率為1.70～1.90。
本發明一形態之太陽能電池之防反射膜，其中厚度為0.01～0.5μm。
尚含有透明氧化物微粒子，且前述透明氧化物微粒子係選自由SiO2 、TiO2 、ZrO2 、氧化銦錫、ZnO、及氧化銻錫所成群之至少1種。相對成分的合計量100質量份而言，前述透明氧化物微粒子之含量為10～90質量份。
本發明一形態之太陽能電池之防反射膜的製造方法，其特徵為在基材上所形成的透明導電膜上藉由濕式塗佈法塗佈本發明一形態之防反射膜用組成物，形成防反射塗膜，然後，將前述防反射塗膜予以硬化，形成防反射膜。
本發明一形態之太陽能電池之防反射膜的製造方法，其中在130～250℃之溫度下使前述防反射塗膜燒成、硬化。
前述濕式塗佈法為噴霧塗佈法、分注塗佈法、旋轉塗佈法、刮刀塗佈法、隙縫塗佈法、噴墨塗佈法、塑模塗佈法、網版印刷法、平版印刷法或凹版印刷法。
本發明一形態之太陽能電池，其特徵為具備；基板、設置於前述基板上之光電變換層、設置於前述光電變換層上之透明導電膜或鈍化膜、設置於前述透明導電膜或前述鈍化膜上之防反射膜、與設置於前述防反射膜上之密封材料膜；前述防反射膜為本發明一形態之防反射膜；前述透明導電膜之折射率n1 、前述防反射膜之折射率n2 、及前述密封材料膜之折射率n3 滿足關係式n1 ＞n2 ＞n3 。
[發明之效果]
使用本發明一形態之防反射膜用組成物，形成防反射膜時，可使用濕式塗佈法，藉由低溫度燒成製得防反射膜。硬化所形成的防反射膜之折射率為1.70～1.90，該折射率為透明導電膜之折射率與密封材料膜之折射率的中間值。因此，將該防反射膜用組成物所形成的防反射膜使用於太陽能電池時，可抑制在防反射膜表面及透明導電膜表面上之光反射，且可提高太陽能電池光電變換效率。
將本發明一形態之防反射膜使用於太陽能電池時，可抑制在密封材料膜與防反射膜之界面的光反射、及在防反射膜與透明導電膜之界面的光反射，且可提高光電變換效率。因此，可簡單地製得發光效率經提高的薄膜太陽能電池。
而且，本發明一形態之防反射膜，係使用本發明一形態之防反射膜用組成物所形成。
藉由本發明一形態之防反射膜的製造方法，由於使用濕式塗佈法形成防反射膜時，不需使用高價的真空設備。而且，由於藉由低溫度燒成，可形成防反射膜，故不會使構成太陽能電池之光電變換層的半導體特性惡化的情形。因此，可形成單結晶矽型太陽能電池、多結晶矽型太陽能電池、矽雜接合太陽能電池、或基板型太陽能電池等之各種太陽能電池之防反射膜。而且，由於使用本發明一形態之防反射膜用組成物，可製得可抑制密封材料膜與防反射膜之界面的光反射，及防反射膜與透明導電膜之界面的光反射之防反射膜。
藉由本發明一形態之太陽能電池，設置本發明一形態之防反射膜。因此，可抑制密封材料膜與防反射膜之界面的光反射，及防反射膜與透明導電膜之界面的光反射，且可達成優異的發電效率。而且，如前所述，由於可藉由濕式塗佈法形成防反射膜，可以低成本製造太陽能電池。
[為實施發明之形態]
於下述中，以實施形態為基準具體地說明有關本發明。而且，表示成分含量之單位"%"，沒有特別限制時，係指"質量%"。
[防反射膜用組成物]
本實施形態之太陽能電池之防反射膜用組成物，含有透光性黏著劑。
透光性黏著劑係指波長550nm之光的透光率為80%以上之膜(厚度：1μm)之黏著劑。
透光性黏著劑含有聚合物型黏著劑及非聚合物型黏著劑中任何一者或兩者，聚合物型黏著劑及非聚合物型黏著劑，具有藉由加熱而硬化的性質。
相對於除分散媒外之防反射膜用組成物(除分散媒外之成分的合計量)100質量份而言，透光性黏著劑之含量，較佳者為10～90質量份，更佳者為30～80質量份。
透光性黏著劑之含量為10質量份以上時，對透明導電膜而言可得良好的黏著力。透光性黏著劑之含量為90質量份以下時，可形成膜厚不齊情形少的防反射膜。
聚合物型黏著劑，例如丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸樹脂、聚胺基甲酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯、聚苯乙烯、聚縮醛、聚醯胺、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、纖維素、及矽氧烷聚合物等。
透光性黏著劑以含有聚合型黏著劑、與選自由第1金屬皂、第1金屬錯合物、第1金屬烷氧化物及金屬烷氧化物之水解物所成群之至少1種較佳。第1金屬皂、第1金屬錯合物、第1金屬烷氧化物及金屬烷氧化物之水解物中所含的金屬，係選自由鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬及錫所成群之至少1種。
相對於除分散媒外之防反射膜用組成物(除分散媒外之成分的合計)100質量份而言，第1金屬皂、第1金屬錯合物、第1金屬烷氧化物及金屬烷氧化物之水解物的含量之合計量，以1～10質量份較佳。藉由調整第1金屬皂、第1金屬錯合物、第1金屬烷氧化物及金屬烷氧化物之水解物的含量，可容易地控制硬化後之防反射膜之折射率為企求之值。
非聚合型黏著劑係選自由第2金屬皂、第2金屬錯合物、第2金屬烷氧化物、烷氧基矽烷、鹵化矽烷類、2-烷氧基乙醇、β-二酮及乙酸烷酯等所成群之至少1種，此等化合物，單獨時具有作為黏著劑之機能。前述鹵化矽烷類，例如三氯矽烷。
第2金屬皂、第2金屬錯合物及第2金屬烷氧化物中所含的金屬，以由鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻所成群之至少1種較佳。特別是非聚合性型黏著劑，以矽或鈦之烷氧化物更佳。矽或鈦之烷氧化物例如四乙氧基矽烷、四甲氧基矽烷、丁氧基矽烷。
藉由在基材上塗佈本實施形態之防反射膜用組成物且予以硬化，形成防反射膜。聚合物型黏著劑及非聚合物型黏著劑，可藉由加熱而硬化，形成具有高的密接性之防反射膜。而且，藉由更為適當地選自上述化合物群作為透光性黏著劑使用的化合物，所形成的防反射膜之折射率為1.70～1.90。
透光性黏著劑含有第1金屬烷氧化物或第2金屬烷氧化物時，防反射膜用組成物以含有為開始金屬烷氧化物硬化(水解反應)時之水份及作為觸媒之酸或鹼較佳。酸例如鹽酸、硝酸、磷酸(H3 PO4 )及硫酸。鹼例如銨水、及氫氧化鈉。特別是就於加熱硬化後容易揮發且不易殘存、不會殘留鹵素、不會殘留耐水性弱的P(磷)等、及硬化後之密接性優異等而言，以硝酸更佳。
使用硝酸作為觸媒時，相對於第1,2之金屬烷氧化物的含量之合計量為100質量份而言，硝酸之含量為1～10質量份較佳。此時，可得良好的透光性黏著劑之硬化速度，且可抑制硝酸之殘存量。
而且，作為下述之分散媒中含有水時，分散媒之水具有使金屬烷氧化物開始硬化(水解反應)之機能。
另外，防反射膜用組成物以含有透明氧化物微粒子較佳。於防反射膜中，藉由透明氧化物微粒子，產生來自透明導電膜之返回光返回透明導電膜側之效果，可提高太陽能電池之變換效率。
透明氧化物微粒子之折射率，以1.4～2.6較佳。透明氧化物微粒子具有高的折射率時，藉由調整透明氧化物微粒子之含量，可容易地控制硬化後防反射膜之折射率為企求之值。
透明氧化物微粒子，例如SiO2 、TiO2 、ZrO2 、ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫(銻摻雜氧化銦))、ZnO、ATO(Antimony Tin Oxide：氧化銻錫(銻摻雜氧化錫))、AZO(含Al之ZnO)等之微粉末。於此等之中，就折射率而言以ITO或TiO2 較佳。
透明氧化物微粒子之平均粒徑，較佳者為10～100nm之範圍內，更佳者為20～60nm之範圍。藉此，透明氧化物微粒子可在分散媒中保持安定性。此處，平均粒徑係以動態光散射法進行測定。
以預先在分散媒中分散透明氧化物微粒子，然後，混合含有透明氧化物微粒子之分散媒與防反射膜用組成物之其他成分較佳。藉此，可在防反射膜用組成物中均勻地分散透明氧化物微粒子。
相對於除分散媒外之防反射膜用組成物(除分散媒外之成分的合計)100質量份而言，透明氧化物微粒子之含量，較佳者為10～90質量份，更佳者為20～70質量份。透明氧化物微粒子之含量為10質量份以上時，可期待自透明導電膜返回的光返回至透明導電膜側之效果。透明氧化物微粒子之含量為90質量份以下時，可得具有充分強度之防反射膜。而且，在防反射膜、透明導電膜或密封材料膜之間，可得充分的黏著力。
透光性黏著劑，視其他成份而定，以含有偶合劑較佳。藉由含有偶合劑，可提高透明導電膜與防反射膜之密接性(黏著力)及防反射膜與密封材料膜之密接性(黏著力)。而且，含有透明氧化物微粒子時，可堅固透明氧化物微粒子與透光性黏著劑之結合。
偶合劑例如矽烷偶合劑、鋁偶合劑、及鈦偶合劑等。
矽烷偶合劑例如乙烯基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、及γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等。
鋁偶合劑例如以下述化學式(1)所示之含有乙醯基烷氧基的化合物。
【化1】
鈦偶合劑例如以下述化學式(2)～(4)所示之具有二烷基焦磷酸基的化合物、或以下述化學式(5)所示之具有二烷基磷酸基之化合物。
【化2】
【化3】
【化4】
【化5】
(C8 H17 )4 Ti[P(OC13 H27 )2 OH]　…(5)
相對於防反射膜用組成物100質量份而言，偶合劑之含量以0.01～5質量份較佳，更佳者為0.1～2質量分。偶合劑之含量為0.01質量份以上時，可提高防反射膜與透明導電膜或密封材料膜之黏著力。而且，可得顯著提高透明氧化物微粒子之分散性的效果。偶合劑之含量多於5質量份時，在所形成的防反射膜之膜厚上容易產生斑點。
防反射膜用組成物，以含有分散媒較佳。藉此，可良好地形成防反射膜。分散媒例如水；甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇等之醇類；丙酮、甲乙酮、環己酮、異佛爾酮等之酮類；甲苯、二甲苯、己烷、環己烷等之烴類；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等之醯胺類；二甲基亞碸等之亞碸類；乙二醇等之乙二醇類；乙基賽璐蘇等之乙二醇醚類等。
相對於防反射膜用組成物100質量份而言，分散媒之含量以80～99質量份。藉此，可良好地形成防反射膜。
視使用的成份而定，防反射膜用組成物以含有水溶性纖維素衍生物較佳。水溶性纖維素衍生物為非離子性界面活性劑，與其他的界面活性劑相比時，即使少量添加，分散透明氧化物微粒子之能力極高。而且，藉由含有水溶性纖維素衍生物，亦可提高防反射膜之透明性。
水溶性纖維素衍生物，例如羥基丙基纖維素、羥基丙基甲基纖維素等。
相對於防反射膜用組成物100質量份而言，水溶性纖維素衍生物之含量以0.2～5質量份較佳。
使上述企求的成份藉由常法、以顏料混合機、球磨、砂磨、離心磨、三條輥等予以混合，分散透光性黏著劑或透明氧化物微粒子等。藉此，可製造防反射膜用組成物。而且，使企求的成份藉由一般的攪拌法進行攪拌、混合，亦可製造防反射膜用組成物。
如前所述，防反射膜用組成物含有透明氧化物微粒子時，以使用下述之防反射膜用組成物之製造方法較佳。預先在分散媒中分散透明氧化物微粒子。而且，混合透明氧化物微粒子與除分散媒外之其他成份。然後，混合含有透明氧化物微粒子之分散媒與其他成份的混合物。藉此，容易製得均質的防反射膜用組成物。
[防反射膜]
本實施形態之太陽能電池的防反射膜，含有透光性黏著劑，且相對於防反射膜100質量份而言，透光性黏著劑之含量為10～90質量份。而且，防反射膜之折射率為1.70～1.90。
本實施形態之防反射膜，係使前述的本實施形態的防反射膜用組成物予以硬化、形成。因此，防反射膜具有防反射膜用組成物之成份。通常，在基板上塗佈防反射膜用組成物，形成塗膜，然後，使塗膜乾燥、燒成且硬化，製作防反射膜。因此，於乾燥、燒成時，使酸、鹼、及分散媒予以蒸發或分解、除去。該防反射膜中包含酸、鹼及除分散媒以外之防反射膜用組成物的成份。防反射膜用組成物之成份，如前所述。
防反射膜以尚含有透明氧化物微粒子較佳。透明氧化物微粒子，如前所述選自由SiO2 、TiO2 、ZrO2 、氧化銦錫、ZnO、氧化銻錫及含Al之ZnO所成群之至少1種。相對於防反射膜之成份的合計量100質量份而言，以透明氧化物微粒子之含量為10～90質量份較佳。
防反射膜之厚度，較佳者為0.01～0.5μm，更佳者為0.02～0.08μm。藉此，可得優異的密接性。防反射膜之厚度未達0.01μm或超過0.5μm時，無法充分得到防止反射的效果。
太陽能電池，如第1圖所示在光電變換層(Al層20、單結晶Si(n型)基板30、a-Si(i型)層31及s-Si(p型)層32)上順序設置透明導電膜40、防反射膜10與密封材料膜50。由於本實施形態之防反射膜之折射率為1.70～1.90，在太陽能電池中使用本實施形態之防反射膜時，透明導電膜40之折射率n1 、防反射膜10之折射率n2 、及密封材料膜50之折射率n3 ，係滿足關係式n1 ＞n2 ＞n3 。藉此，可抑制防反射膜10之表面及透明導電膜40之表面上光之反射，且可提高太陽能電池之光電變換效率。
[防反射膜之製造方法]
本實施形態之防反射膜的製造方法，係具有在基材上所形成的透明導電膜上藉由濕式塗佈法塗佈本實施形態之防反射膜用組成物，形成防反射塗膜之塗佈步驟，與將防反射塗膜予以硬化，形成防反射膜之硬化步驟。
塗佈步驟係以使硬化後的防反射膜具有企求厚度之方式，調整塗佈條件，形成防反射塗膜。硬化後之防反射膜的厚度，較佳者為0.01～0.5μm，更佳者為0.02～0.08μm。
在透明導電膜上塗佈防反射膜用組成物，然後，使塗膜乾燥，形成防反射塗膜。乾燥溫度為20～120℃，較佳者為25～60℃。乾燥時間為1～30分鐘，較佳者為2～10分鐘。
上述基材，係具備基板與在基板上至少設置的光電變換層。基板例如玻璃基板、陶瓷基板、高分子材料基板、或矽基板、或選自由玻璃基板、陶瓷基板、高分子材料基板及矽基板所成群之2種以上的積層物。矽基板可為單結晶型矽基板，亦可為多結晶型矽基板。高分子材料基板，例如聚醯亞胺或PET(聚對苯二甲酸乙二酯)等之有機聚合物所形成的基板。
上述濕式塗佈法以噴霧塗佈法、分注塗佈法、旋轉塗佈法、刮刀塗佈法、隙縫塗佈法、噴墨塗佈法、網版印刷法、平版印刷法或塑模塗佈法中任一種較佳，惟不受此等所限制，可使用任何方法。
噴霧塗佈法係使防反射膜用組成物藉由壓縮空氣形成霧狀，塗佈於基材上，或使防反射膜用組成物本身加壓成霧狀，塗佈於基材上。
分注塗佈法例如藉由在注射器中加入防反射膜用組成物，押出該注射器之活塞，自注射器前端之微細噴嘴吐出防反射膜用組成物，塗佈於基材上。
旋轉塗佈法係在回轉的基材上滴下防反射膜用組成物，將該滴下的防反射膜用組成物藉由其離心力，擴散於基材周邊，塗佈於基材上。
刮刀塗佈法係以刀之前端與具有一定隙縫的基材以可朝水平方向移動的方式設置，自該刀將防反射膜用組成物供應給上流側之基材，使基材朝下流側水平移動，塗佈於基材上。
隙縫塗佈法係使防反射膜用組成物自狹窄的隙縫流出，塗佈於基材上。
噴墨塗佈法係將防反射膜用組成物填充於市售的噴墨印表機之墨匣，且噴墨印刷於基材上。
網版印刷法係使用紗作為圖型指示材，通過於其上所製作的版畫像，使防反射膜用組成物移轉於基材上。
平版印刷法係在沒有使附著於版上之防反射膜用組成物直接附著於基材上，自版一次轉印於橡膠片上，自橡膠片改轉移於基材上。平版印刷法係利用防反射膜用組成物之防水性之印刷方法。
塑模塗佈法，係使供應給塑模內之防反射膜用組成物以分岐管予以分配，自隙縫押出於薄膜上，塗佈於行走的基材表面上。塑模塗佈法有裂口塗佈方式或滑行塗佈方式、簾幕塗佈方式。
然後，使具有防反射塗膜之基材在大氣中或氮氣或氬氣等之惰性氣體環境中進行燒成，使防反射塗膜硬化。藉此，形成防反射膜。燒成溫度以130～250℃較佳，更佳者為180～220℃，最佳者為180～200℃。燒成時間為5～60分鐘，較佳者為5～40分鐘。
防反射塗膜之燒成溫度未達130℃時，會產生防反射膜之硬化不足等之缺點。燒成溫度超過250℃時，不會產生就低溫程序之生產上的優點。換言之，會有製造成本增加且生產性降低的缺點。另外，特別是使用非晶型矽、微結晶矽、或此等之混合型矽太陽能電池，會有對熱而言較弱，藉由燒成步驟而降低變換效率的缺點。
防反射塗膜之燒成時間未達5分鐘時，會產生黏著劑之燒成不充分等的缺點。燒成時間超過60分鐘時，會有製造成本增大為必要以上且生產性降低的缺點。而且，太陽能電池之變換效率降低。
藉由上述，可形成本實施形態之防反射膜。本實施形態之製造方法，由於使用濕式塗佈法，儘可能可排除真空蒸鍍法或濺射法等之真空步驟。因此，可更為低價地製造防反射膜。
[太陽電池]
第1圖係表示本實施形態之矽雜接合太陽能電池之截面典型圖例。矽雜接合太陽能電池，係順序具備Al層20、作為基板之單結晶(n型)基板30、a-Si(i型)層31、s-Si(p型)層32、透明導電膜40、防反射膜10與密封材料膜50。在透明導電膜40上形成Ag配線60。形成自密封材料膜50側入射太陽光。
防反射膜10係前述本實施形態之防反射膜。透明導電膜40之折射率n1 、防反射膜10之折射率n2 、及密封材料膜50之折射率n3 ，係滿足關係式n1 ＞n2 ＞n3 。藉此，與直接積層s-Si(p型)層32與密封材料膜50時相比，可顯著抑制s-Si(p型)層32-密封材料膜50間之入射光反射，且提高太陽能電池之發電效率。
更詳言之，一般而言透明導電膜40係由ITO或ZnO所形成，其折射率n1 通常為1.8～2.5。一般而言，密封材料膜50係由EVA(Ethylene Vinyl Acetate)所形成，其折射率n3 通常為1.5～1.6。所設置的透明導電膜40之折射率n1 及密封材料膜50之折射率n3 而定，以滿足關係式n1 ＞n2 ＞n3 下方式，調整防反射膜10之折射率n2 。特別是防反射膜10之折射率n2 ，以滿足n2 =(n1 ×n3 )1/2 較佳。
而且，亦可具備鈍化膜以取代透明導電膜40。一般而言，鈍化膜由SiO2 與SiN所形成。
於下述中，記載有關各種太陽能電池。折射率係表示典型之值，滿足關係式n1 ＞n2 ＞n3 即可。
為單結晶矽型太陽能電池或多結晶矽型太陽能電池時，自太陽光之入射側以折射率：1.5～1.6之EVA等的密封材料膜、防反射膜、及折射率：1.8～2.5之SiN等之Si表面的鈍化膜設置。因此，防反射膜之折射率，以約1.7較佳。
為矽雜接合太陽能電池時，自太陽光之入射側以折射率：1.5～1.6之EVA等的密封材料膜、防反射膜、及折射率：2.0之透明導電膜設置。因此，防反射膜之折射率，以約1.8較佳。
為基板型薄膜太陽能電池時，自太陽光之入射側以折射率：1.5～1.6之EVA等的密封材料膜、防反射膜、及折射率：2.0之透明導電膜設置。因此，防反射膜之折射率，以約1.8較佳。
另外，以設置有2層以上之防反射膜較佳。此時，防反射膜之折射率以自透明導電膜朝向密封材料膜慢慢降低的方式，形成防反射膜較佳。
於下述中，藉由實施例詳細地說明本實施形態，惟本實施形態不受此等所限制。
[實施例]
首先，作為黏著劑使用的SiO2 結合劑藉由下述方法製造。將11.0g之HCl(濃度12mol/l)溶解於25g之純水，製作HCl水溶液。使用500cm3 之玻璃製4口燒瓶，混合140g之四乙氧基矽烷與240g之乙二醇。攪拌該混合物，且一次加入前述HCl水溶液。然後，在80℃下進行反應6小時，製造SiO2 結合劑。該SiO2 結合劑係矽之烷氧基的聚合物，為非聚合型黏著劑。
製作具有表1、表2所示組成(數值係表示質量份)之混合物。將混合物60g、直徑0.3mm之鋯珠(微雲母、昭和Shell石油製)100g加入100cm3 之玻璃瓶中。使用顏料混合機使玻璃瓶反復回轉運動玻璃瓶6小時，以黏著劑分散混合物中之透明導電粒子(透明氧化物微粒子)。藉由上述製作防反射膜組成物1～10。
表1、表2之偶合劑的項目中記載的鈦(1)、(2)、(3)、(4)、及(5)，係各表示前述化學式(1)、(2)、(3)、(4)、及(5)之鈦偶合劑。
在厚度1mm之鹼玻璃上塗佈防反射膜組成物1～10，製作塗膜。然後，以表3記載的條件，使塗膜在大氣中進行燒成，製作防反射膜。以外可見分光光度計，測定波長600nm之防反射膜的透過率。此時，將基板之透過率除以基底。此外，以橢圓測定器測定防反射膜之折射率。所得的結果如表3所示。
由表3可知，實施例1～8之防反射膜，折射率全部為1.74～1.90，在企求的範圍內。因此，在各種太陽能電池中使用實施例1～8之防反射膜時，透明導電膜之折射率n1 、防反射膜之折射率n2 、及密封材料膜之折射率n3 ，係滿足關係式n1 ＞n2 ＞n3 。而且，透過率為82～94%，可得良好的結果。
對此而言，比較例1之防反射膜，其折射率低，且透過率為78%之低值。此外，比較例2之防反射膜的透過率亦為75%之低值。
[產業上之利用價值]
藉由使本實施形態之防反射膜用組成物藉由濕式塗佈法塗佈於透明導電膜上，且予以燒成，可形成防反射膜。在太陽能電池中使用所得的防反射膜時，可抑制密封材料膜與防反射膜之界面之光反射，及抑制防反射膜與透明導電膜之界面的光反射。因此，可提高光電變換效率。所以，本實施形態之防反射膜用組成物，適合使用於各種太陽能電池之製造步驟。
10．．．防反射膜
20．．．Al層
30．．．單結晶(n型)
31．．．a-Si(i型)
32．．．s-Si(p型)
40．．．透明導電膜
50．．．密封材料膜
60．．．Ag配線
[第1圖]係具備本實施形態之防反射膜的矽雜接合太陽能電池之截面的典型圖例。

Claims (14)

  1. 一種太陽能電池之防反射膜用組成物，其特徵為含有透光性黏著劑，且前述透光性黏著劑係為由選自2-正丁氧基乙醇、3-異丙基-2,4-戊二酮、2,4-戊二酮、2-正丙氧基乙醇、2,2-二甲基-3,5-己二酮、異丙基乙酸酯、2-己基氧乙醇、及正丙基乙酸酯之一種以上所構成之非聚合物型黏著劑；相對於除分散媒外之成分的合計量100質量份而言，前述透光性黏著劑之含量為10~90質量份；將防反射膜用組成物硬化而形成的防反射膜之折射率為1.70~1.90。
  2. 如申請專利範圍第1項之太陽能電池之防反射膜用組成物，其中尚含有透明氧化物微粒子，且相對於除分散媒外之成分的合計量100質量份而言，前述透明氧化物微粒子之含量為10~90質量份。
  3. 如申請專利範圍第2項之太陽能電池之防反射膜用組成物，其中前述透明氧化物微粒子係選自由SiO2 、TiO2 、ZrO2 、氧化銦錫、ZnO、氧化銻錫及含Al之ZnO所成群之至少1種。
  4. 如申請專利範圍第2項之太陽能電池之防反射膜用組成物，其中前述透明氧化物微粒子之平均粒徑為10~100nm之範圍內。
  5. 如申請專利範圍第1項之太陽能電池之防反射膜用組成物，其中尚含有偶合劑，且 前述偶合劑係選自由乙烯基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、含有乙醯基烷氧基之鋁偶合劑、具有二烷基焦磷酸基之鈦偶合劑、及具有二烷基磷酸基之鈦偶合劑所成群之至少1種；且相對於成分之合計量100質量份而言，前述偶合劑之含量為0.01~5質量份。
  6. 如申請專利範圍第1項之太陽能電池之防反射膜用組成物，其中尚含有分散媒，且前述分散媒係選自由水、甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、丙酮、甲乙酮、環己酮、異佛爾酮、甲苯、二甲苯、己烷、環己烷、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、乙二醇、乙基賽璐蘇所成群之至少1種；相對於成分之合計量100質量份而言，前述分散媒之含量為80~99質量份。
  7. 如申請專利範圍第1項之太陽能電池之防反射膜用組成物，其中尚含有水溶性纖維素衍生物，且前述水溶性纖維素衍生物係羥基丙基纖維素或羥基丙基甲基纖維素；相對於成分之合計量100質量份而言，前述水溶性纖維素衍生物之含量為0.2~5質量份。
  8. 一種太陽能電池之防反射膜，其特徵為含有透光性黏著劑，且前述透光性黏著劑為由選自2-正丁氧基乙醇、3-異丙 基-2,4-戊二酮、2,4-戊二酮、2-正丙氧基乙醇、2,2-二甲基-3,5-己二酮、異丙基乙酸酯、2-己基氧乙醇、正丙基乙酸酯之一種以上所構成之非聚合物型黏著劑；相對於成分之合計量100質量份而言，前述透光性黏著劑之含量為10~90質量份；且折射率為1.70~1.90。
  9. 如申請專利範圍第8項之太陽能電池之防反射膜，其中厚度為0.01~0.5μm。
  10. 如申請專利範圍第8項之太陽能電池之防反射膜，其中尚含有透明氧化物微粒子，且前述透明氧化物微粒子係選自由SiO2 、TiO2 、ZrO2 、氧化銦錫、ZnO、氧化銻錫及含Al之ZnO所成群之至少1種；相對成分的合計量100質量份而言，前述透明氧化物微粒子之含量為10~90質量份。
  11. 一種太陽能電池之防反射膜的製造方法，其特徵為在基材上所形成的透明導電膜上藉由濕式塗佈法塗佈如申請專利範圍第1項之防反射膜用組成物，形成防反射塗膜，然後，將前述防反射塗膜予以硬化，形成防反射膜。
  12. 如申請專利範圍第11項之太陽能電池之防反射膜的製造方法，其中在130~250℃之溫度下使前述防反射塗膜燒成、硬化。
  13. 如申請專利範圍第11項之太陽能電池之防反射 膜的製造方法，其中前述濕式塗佈法為噴霧塗佈法、分注塗佈法、旋轉塗佈法、刮刀塗佈法、隙縫塗佈法、噴墨塗佈法、塑模塗佈法、網版印刷法、平版印刷法或凹版印刷法。
  14. 一種太陽能電池，其特徵為具備；基板、設置於前述基板上之光電變換層、設置於前述光電變換層上之透明導電膜或鈍化膜、設置於前述透明導電膜或前述鈍化膜上之防反射膜、與設置於前述防反射膜上之密封材料膜；前述防反射膜為如申請專利範圍第8項之防反射膜；前述透明導電膜之折射率n1 、前述防反射膜之折射率n2 、及前述密封材料膜之折射率n3 滿足關係式n1 >n2 >n3 。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8274039B2 (en) 2008-11-13 2012-09-25 Zena Technologies, Inc. Vertical waveguides with various functionality on integrated circuits
US9000353B2 (en) 2010-06-22 2015-04-07 President And Fellows Of Harvard College Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires
US8546742B2 (en) 2009-06-04 2013-10-01 Zena Technologies, Inc. Array of nanowires in a single cavity with anti-reflective coating on substrate
US8229255B2 (en) 2008-09-04 2012-07-24 Zena Technologies, Inc. Optical waveguides in image sensors
US8735797B2 (en) 2009-12-08 2014-05-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
US8299472B2 (en) 2009-12-08 2012-10-30 Young-June Yu Active pixel sensor with nanowire structured photodetectors
US8748799B2 (en) 2010-12-14 2014-06-10 Zena Technologies, Inc. Full color single pixel including doublet or quadruplet si nanowires for image sensors
US9343490B2 (en) 2013-08-09 2016-05-17 Zena Technologies, Inc. Nanowire structured color filter arrays and fabrication method of the same
US9299866B2 (en) 2010-12-30 2016-03-29 Zena Technologies, Inc. Nanowire array based solar energy harvesting device
US8866065B2 (en) 2010-12-13 2014-10-21 Zena Technologies, Inc. Nanowire arrays comprising fluorescent nanowires
US9082673B2 (en) 2009-10-05 2015-07-14 Zena Technologies, Inc. Passivated upstanding nanostructures and methods of making the same
US9478685B2 (en) 2014-06-23 2016-10-25 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same
US20130112256A1 (en) * 2011-11-03 2013-05-09 Young-June Yu Vertical pillar structured photovoltaic devices with wavelength-selective mirrors
US9515218B2 (en) 2008-09-04 2016-12-06 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured photovoltaic devices with mirrors and optical claddings
US9406709B2 (en) 2010-06-22 2016-08-02 President And Fellows Of Harvard College Methods for fabricating and using nanowires
CN104471719A (zh) * 2012-07-19 2015-03-25 日立化成株式会社 钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板及其制造方法、以及太阳能电池元件及其制造方法
JP2014090153A (ja) * 2012-10-05 2014-05-15 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 表面被覆膜の形成方法及び表面被覆膜を有する太陽電池
KR20150010524A (ko) * 2013-07-19 2015-01-28 삼성에스디아이 주식회사 반사방지 코팅막, 상기 반사방지 코팅막을 포함하는 태양전지, 및 상기 태양전지용 반사방지 코팅막의 강도를 예측하는 방법
CN104681657B (zh) * 2013-11-29 2018-01-30 深圳富泰宏精密工业有限公司 太阳能电池的制造方法及制得的太阳能电池
CN104356906A (zh) * 2014-11-14 2015-02-18 无锡中洁能源技术有限公司 一种太阳能镜面上使用的水性反光涂料的制备方法
US20160163901A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-09 Benjamin Ian Hsia Laser stop layer for foil-based metallization of solar cells
US20170025589A1 (en) * 2015-07-22 2017-01-26 Epistar Corporation Light emitting structure and method for manufacturing the same
CN105098095B (zh) * 2015-07-27 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管器件及其制作方法、显示装置
CN106206759B (zh) * 2016-08-31 2019-04-16 天津蓝天太阳科技有限公司 一种太阳电池高透过率减反射膜的制备方法
KR102247520B1 (ko) * 2019-09-25 2021-05-03 주식회사 호진플라텍 슁글드 태양전지 모듈용 앤드 리본, 그 제조 방법 및 이에 사용되는 프레스 금형
CN113964228B (zh) * 2021-02-08 2023-09-26 长沙壹纳光电材料有限公司 一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用
CN117965044A (zh) * 2024-03-29 2024-05-03 中稀华宝(苏州)新材料科技有限公司 一种光伏超亲水增透自洁纳米涂层

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1809764A (zh) * 2003-06-18 2006-07-26 旭化成株式会社 抗反射膜
JP2007286554A (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Kaneka Corp 反射防止膜、反射防止基材、及び当該反射防止基材が設けられた光電変換装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5824951B2 (ja) * 1974-10-09 1983-05-24 ソニー株式会社 コウガクソウチ
JPH0755468B2 (ja) * 1989-09-20 1995-06-14 株式会社川上製作所 積層物の裁断装置
JP3104597B2 (ja) 1995-11-21 2000-10-30 住友電装株式会社 端子圧着機
JP3849907B2 (ja) * 1999-12-24 2006-11-22 株式会社三井ハイテック 太陽電池およびその製造方法
JP2001320067A (ja) * 2000-03-02 2001-11-16 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光電変換装置
JP2003179239A (ja) 2001-12-10 2003-06-27 Sharp Corp 太陽電池の製造方法およびその方法により製造される太陽電池
CA2493176C (en) * 2002-07-25 2008-09-02 Amcol International Corporation Viscous compositions containing hydrophobic liquids
KR101209049B1 (ko) * 2004-12-24 2012-12-07 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 감광성 수지 및 상기 감광성 수지로 이루어진 패턴을 포함하는 박막 표시판 및 그 제조 방법
JP2007057372A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Fujifilm Corp 表面フィルムの耐擦傷性能評価方法および表面フィルム
US7955531B1 (en) * 2006-04-26 2011-06-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Patterned light extraction sheet and method of making same
JP4928274B2 (ja) * 2007-01-10 2012-05-09 帝人デュポンフィルム株式会社 反射防止導電性フィルム
DE112008000551T5 (de) * 2007-02-28 2010-01-07 Hitachi Chemical Co., Ltd. PV Modul und ein Verfahren zum Herstellen des PV Moduls
JP5235315B2 (ja) * 2007-03-05 2013-07-10 株式会社カネカ 透明電極付き基板の製造方法
JP5538695B2 (ja) * 2007-09-12 2014-07-02 三菱マテリアル株式会社 スーパーストレート型薄膜太陽電池用の複合膜
CN101803037B (zh) * 2007-09-12 2013-01-02 三菱综合材料株式会社 超直型太阳能电池用复合膜及其制造方法、以及亚直型太阳能电池用复合膜及其制造方法
JP4766571B2 (ja) * 2007-11-22 2011-09-07 日東電工株式会社 水性感圧接着剤組成物とその利用
WO2009108306A1 (en) * 2008-02-26 2009-09-03 Cambrios Technologies Corporation Method and composition for screen printing of conductive features
JP4433068B2 (ja) * 2008-03-19 2010-03-17 セイコーエプソン株式会社 希土類ボンド磁石の製造方法および希土類ボンド磁石
JP2009244382A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Sharp Corp 機能性フィルム及び表示装置
JP2009267324A (ja) * 2008-04-01 2009-11-12 Hitachi Chem Co Ltd 波長変換型ライトトラッピングフィルム及びこれを用いた太陽電池モジュール
JP5515499B2 (ja) * 2008-08-08 2014-06-11 三菱マテリアル株式会社 サブストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法
JP2010087479A (ja) * 2008-08-08 2010-04-15 Mitsubishi Materials Corp サブストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法
US20110139228A1 (en) * 2008-08-27 2011-06-16 Mitsubishi Materials Corporation Transparent electroconductive film for solar cell, composition for transparent electroconductive film and multi-junction solar cell
WO2010023920A1 (ja) * 2008-08-27 2010-03-04 三菱マテリアル株式会社 太陽電池用透明導電膜及びその透明導電膜用組成物、多接合型太陽電池
JP5640310B2 (ja) 2008-09-12 2014-12-17 三菱化学株式会社 組成物、反射防止膜基板、並びに、太陽電池システム
US20100071751A1 (en) * 2008-09-22 2010-03-25 Electronics And Telecommunications Research Institute Photo-induced metal-insulator-transition material complex for solar cell, solar cell and solar cell module comprising the same
US20110297225A1 (en) * 2009-03-26 2011-12-08 Pvnext Corporation Photovoltaic cell structure
KR20120089427A (ko) * 2009-06-05 2012-08-10 다우 코닝 코포레이션 개별 구성요소의 광학 특성을 조율함으로써 광전지 모듈을 제조하는 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1809764A (zh) * 2003-06-18 2006-07-26 旭化成株式会社 抗反射膜
JP2007286554A (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Kaneka Corp 反射防止膜、反射防止基材、及び当該反射防止基材が設けられた光電変換装置

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