KR101653031B1 - 태양 전지의 반사 방지막용 조성물, 태양 전지의 반사 방지막, 태양 전지의 반사 방지막의 제조 방법, 및 태양 전지 - Google Patents

태양 전지의 반사 방지막용 조성물, 태양 전지의 반사 방지막, 태양 전지의 반사 방지막의 제조 방법, 및 태양 전지 Download PDF

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Abstract

이 반사 방지막용 조성물은, 투광성 바인더를 함유하고, 투광성 바인더가, 폴리머형 바인더 및 논폴리머형 바인더 중, 어느 일방 또는 양방을 포함하고, 분산매를 제외한 성분의 합계 100 질량부에 대하여, 투광성 바인더의 함유량이 10∼90 질량부이고, 반사 방지막용 조성물을 경화시켜 형성되는 반사 방지막의 굴절률이 1.70∼1.90 이다. 이 반사 방지막은, 투광성 바인더를 함유하고, 투광성 바인더가, 폴리머형 바인더 및 논폴리머형 바인더 중, 어느 일방 또는 양방을 포함하고, 성분의 합계 100 질량부에 대하여, 투광성 바인더의 함유량이 10∼90 질량부이고, 굴절률이 1.70∼1.90 이다. 이 반사 방지막의 제조 방법은, 투명 도전막 상에, 상기 반사 방지막용 조성물을, 습식 도공법에 의해 도포하여 반사 방지 도막을 형성하고, 이어서, 반사 방지 도막을 경화시켜 반사 방지막을 형성한다.

Description

태양 전지의 반사 방지막용 조성물, 태양 전지의 반사 방지막, 태양 전지의 반사 방지막의 제조 방법, 및 태양 전지{COMPOSITION FOR ANTIREFLECTIVE FILM FOR SOLAR CELL, ANTIREFLECTIVE FILM FOR SOLAR CELL, METHOD FOR MANUFACTURING ANTIREFLECTIVE FILM FOR SOLAR CELL, AND SOLAR CELL}
본 발명은, 태양 전지의 반사 방지막용 조성물, 반사 방지막, 반사 방지막의 제조 방법, 및 태양 전지에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은, 단결정 실리콘형 태양 전지, 다결정 실리콘형 태양 전지, 실리콘 헤테로 접합 태양 전지, 또는 서브스트레이트형 태양 전지 등의 투명 도전막, 반사 방지막, 및 봉지 재료막을 갖는 태양 전지에 관한 것으로, 특히 이 태양 전지의 반사 방지막용 조성물, 반사 방지막, 및 반사 방지막의 제조 방법에 관한 것이다.
본원은, 2010 년 9 월 30 일에, 일본에 출원된 일본 특허출원 2010-223306호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
현재, 환경 보호의 입장에서, 클린 에너지의 연구 개발, 실용화가 진행되고 있고, 태양 전지는, 에너지원인 태양광이 무진장하고, 무공해인 점에서 주목받고 있다. 종래, 태양 전지로는, 단결정 실리콘이나 다결정 실리콘을 구비하는 벌크 태양 전지가 사용되어 왔다.
한편, 아모르퍼스 실리콘 등의 반도체를 구비하는 박막 반도체 태양 전지 (이하, 박막 태양 전지라고 한다) 는, 유리 또는 스테인리스 스틸 등의 저가의 기판 상에, 광전 변환층인 반도체층을 필요한 양만큼 형성함으로써 제조된다. 따라서, 박막 태양 전지는, 박형이며 경량인 것, 제조 비용이 저가인 것, 및 대면적화가 용이한 것 등의 이유에서, 앞으로의 태양 전지의 주류가 될 것으로 생각되고 있다.
태양 전지에 있어서의 막형성은, 일반적으로 스퍼터법, CVD 법 등의 진공 성막법에 의해 실시되고 있다. 그러나, 대형의 진공 성막 장치를 유지, 운전하기 위해서는, 많은 비용을 필요로 하기 때문에, 막형성을 습식 성막법에 의해 실시함으로써, 러닝 코스트의 대폭적인 개선이 기대된다.
여기서, 벌크 태양 전지, 박막 태양 전지의 어느 것에 있어서도, 발전 효율을 높게 하기 위해서는, 입사한 광을 손실 없이 광전 변환층 내에 유도하는 것이 중요하다. 이 때문에, 광전 변환층 표면에서의 반사광을 저감시킬 필요가 있다.
태양 전지에 있어서의 반사 방지막에 관한 기술은, 특허문헌 1, 2 에 개시되어 있다. 특허문헌 1 에는, 태양 전지의 불순물 확산 영역 상에 실리콘 산화물막을 형성하는 공정과, 실리콘 산화물막 상에 반사 방지막 재료를 포함하는 도료를 도포하여 반사 방지막을 형성하는 공정을 갖는 태양 전지의 제조 방법이 개시되어 있다. 특허문헌 2 에는, 규소 화합물을 함유하는 반사 방지막용 조성물과, 1.25 이하의 굴절률과 소정의 내습성을 갖는 반사 방지막 기판이 개시되어 있다. 특허문헌 2 에서는, 기판에 규소 화합물을 함유하는 조성물을 도포하고, 400 ℃ 이상, 450 ℃ 이하에서 소성하여 반사 방지막 기판이 형성되어 있다.
그러나, 특허문헌 1 의 제조 방법에서는, 굴절률이 1.40∼1.45 인 실리콘 산화물막 상에, 굴절률이 1.8∼2.3 인 반사 방지막을 형성하고 있다.
통상, 반사 방지막 상에는, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체 (EVA) 등으로 이루어지는 봉지 재료막이 형성된다. EVA 의 굴절률은 1.5∼1.6 이다. 이 때문에, 형성되는 막의 순서로 굴절률을 기재하면, 실리콘 산화물막 : (1.4∼1.45), 반사 방지막 : (1.8∼2.3), 봉지 재료막 : (1.5∼1.6) 이 된다. 이와 같이, 반사 방지막을 형성함으로써, 굴절률의 변화가 커지기 때문에, 입사하는 태양광의 반사량이 증가한다. 특히 실리콘 산화물막-반사 방지막 사이에서의 반사량이 증가하고, 태양 전지의 변환 효율이 저하되는 것으로 생각된다.
또한, 특허문헌 2 의 반사 방지막 기판은, 기판에 규소 화합물을 포함하는 조성물을 도포, 소성하여 형성되기 때문에, 기판의 태양광 입사면측에 위치한다. 이 때문에, 벌크형 태양 전지나, 태양광이 기판을 통과하지 않는 서브스트레이트형 태양 전지, 실리콘 헤테로 접합 태양 전지에는 사용할 수 없다. 또한, 400 ℃ 이상에서 반사 방지막을 형성하기 때문에, 반도체층 상에 반사 방지막을 형성하는 경우, 가열에 의해 반도체 특성이 열화된다. 이 때문에, 반도체층 상에 반사 방지막을 형성하는 것은 곤란하다.
일본 공개특허공보 2003-179239호 일본 공개특허공보 2010-65174호
본 발명은, 벌크 태양 전지나, 실리콘 헤테로 접합 태양 전지, 또는 서브스트레이트형 박막 태양 전지 등의 태양 전지에 있어서, 투명 도전막의 표면에서의 반사광을 저감시킬 수 있는 반사 방지막을 제공하는 것, 및 이 반사 방지막을 습식 도공법으로 형성할 수 있는 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 태양 전지의 변환 효율에 관해서 예의 연구를 실시한 결과, 투명 도전막과 봉지 재료막 사이에, 특정한 굴절률을 갖는 반사 방지막을 형성함으로써, 태양 전지의 변환 효율을 향상시킬 수 있는 것을 알아냈다. 또한, 이 반사 방지막을, 고가의 설비를 필요로 하지 않고, 간편하고 저비용의 습식 도공법으로 형성할 수 있는 반사 방지막용 조성물을 개발하였다.
본 발명의 일 양태에 관련된 태양 전지의 반사 방지막용 조성물, 반사 방지막, 반사 방지막의 제조 방법, 및 태양 전지의 요건을 이하에 나타낸다.
본 발명의 일 양태에 관련된 태양 전지의 반사 방지막용 조성물은, 투광성 바인더를 함유하고, 상기 투광성 바인더가, 폴리머형 바인더 및 논폴리머형 바인더 중, 어느 일방 또는 양방을 포함하고, 분산매를 제외한 성분의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 투광성 바인더의 함유량이 10∼90 질량부이고, 반사 방지막용 조성물을 경화시켜 형성되는 반사 방지막의 굴절률이 1.70∼1.90 이다.
본 발명의 일 양태에 관련된 태양 전지의 반사 방지막용 조성물에서는, 상기 폴리머형 바인더가, 아크릴 수지, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 알키드 수지, 폴리우레탄, 아크릴우레탄, 폴리스티렌, 폴리아세탈, 폴리아미드, 폴리비닐알코올, 폴리아세트산비닐, 셀룰로오스, 및 실록산 폴리머로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이어도 된다.
상기 투광성 바인더가, 상기 폴리머형 바인더와 함께, 제 1 금속 비누, 제 1 금속 착물, 제 1 금속 알콕시드, 및 금속 알콕시드의 가수분해체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함해도 된다. 상기 제 1 금속 비누, 상기 제 1 금속 착물, 상기 제 1 금속 알콕시드, 및 상기 금속 알콕시드의 가수분해체에 포함되는 금속은, 알루미늄, 실리콘, 티탄, 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈, 은, 구리, 아연, 몰리브덴, 및 주석으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 1 종이어도 된다.
상기 논폴리머형 바인더가, 제 2 금속 비누, 제 2 금속 착물, 제 2 금속 알콕시드, 알콕시실란, 할로실란류, 2-알콕시에탄올, β-디케톤, 및 알킬아세테이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이어도 된다.
상기 제 2 금속 비누, 상기 제 2 금속 착물, 및 상기 제 2 금속 알콕시드에 포함되는 금속은, 알루미늄, 실리콘, 티탄, 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈, 은, 구리, 아연, 몰리브덴, 주석, 인듐, 및 안티몬으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 1 종이어도 된다.
상기 논폴리머형 바인더가, 실리콘 또는 티탄의 금속 알콕시드이어도 된다.
투명 산화물 미립자를 추가로 함유하고, 분산매를 제외한 성분의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 투명 산화물 미립자의 함유량이 10∼90 질량부이어도 된다.
상기 투명 산화물 미립자가, SiO2, TiO2, ZrO2, 인듐주석 산화물, ZnO, 및 안티몬주석 산화물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이어도 된다.
상기 투명 산화물 미립자의 평균 입경은, 10∼100 ㎚ 의 범위 내이어도 된다.
커플링제를 추가로 함유하고, 상기 커플링제는, 비닐트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 아세토알콕시기를 함유하는 알루미늄 커플링제, 디알킬피로인산기를 갖는 티탄 커플링제, 및 디알킬인산기를 갖는 티탄 커플링제로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 1 종이어도 된다. 성분의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 커플링제의 함유량은, 0.01∼5 질량부이어도 된다.
분산매를 추가로 함유하고, 상기 분산매는, 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 부탄올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론, 톨루엔, 자일렌, 헥산, 시클로헥산, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, 에틸렌글리콜, 에틸셀로솔브로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이어도 된다. 성분의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 분산매의 함유량은 80∼99 질량부이어도 된다.
수용성 셀룰로오스 유도체를 추가로 함유하고, 상기 수용성 셀룰로오스 유도체는, 하이드록시프로필셀룰로오스, 또는 하이드록시프로필메틸셀룰로오스이어도 된다. 성분의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 수용성 셀룰로오스 유도체의 함유량은 0.2∼5 질량부이어도 된다.
본 발명의 일 양태에 관련된 태양 전지의 반사 방지막은, 투광성 바인더를 함유하고, 상기 투광성 바인더가, 폴리머형 바인더 및 논폴리머형 바인더 중, 어느 일방 또는 양방을 포함하고, 성분의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 투광성 바인더의 함유량이 10∼90 질량부이고, 굴절률이 1.70∼1.90 이다.
본 발명의 일 양태에 관련된 태양 전지의 반사 방지막에서는, 두께가 0.01∼0.5 ㎛ 이어도 된다.
투명 산화물 미립자를 추가로 함유하고, 상기 투명 산화물 미립자가, SiO2, TiO2, ZrO2, 인듐주석 산화물, ZnO, 및 안티몬주석 산화물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이어도 된다. 성분의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 투명 산화물 미립자의 함유량이 10∼90 질량부이어도 된다.
본 발명의 일 양태에 관련된 태양 전지의 반사 방지막의 제조 방법은, 기재에 형성된 투명 도전막 상에, 본 발명의 일 양태에 관련된 반사 방지막용 조성물을, 습식 도공법에 의해 도포하여 반사 방지 도막을 형성하고, 이어서, 상기 반사 방지 도막을 경화시켜 반사 방지막을 형성한다.
본 발명의 일 양태에 관련된 태양 전지의 반사 방지막의 제조 방법에서는, 상기 반사 방지 도막을 130∼250 ℃ 의 온도에서 소성하여 경화시켜도 된다.
상기 습식 도공법이, 스프레이 코팅법, 디스펜서 코팅법, 스핀 코팅법, 나이프 코팅법, 슬릿 코팅법, 잉크젯 코팅법, 다이 코팅법, 스크린 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 또는 그라비아 인쇄법이어도 된다.
본 발명의 일 양태에 관련된 태양 전지는, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 광전 변환층과, 상기 광전 변환층 상에 형성된 투명 도전막 또는 패시베이션막과, 상기 투명 도전막 또는 상기 패시베이션막 상에 형성된 반사 방지막과, 상기 반사 방지막 상에 형성된 봉지 재료막을 구비하고, 상기 반사 방지막이, 본 발명의 일 양태에 관련된 반사 방지막이고, 상기 투명 도전막의 굴절률 (n1), 상기 반사 방지막의 굴절률 (n2), 및 상기 봉지 재료막의 굴절률 (n3) 은, 관계식 n1 > n2 > n3 을 만족한다.
본 발명의 일 양태에 관련된 반사 방지막용 조성물을 사용하여, 반사 방지막을 형성하는 경우, 습식 도공법을 적용할 수 있고, 저온도의 소성에 의해 반사 방지막이 얻어진다. 경화시켜 형성되는 반사 방지막의 굴절률은 1.70∼1.90 이고, 이 굴절률은, 투명 도전막의 굴절률과 봉지 재료막의 굴절률의 중간의 값이다. 이 때문에, 이 반사 방지막용 조성물을 사용하여 형성된 반사 방지막을 태양 전지에 적용한 경우, 반사 방지막의 표면 및 투명 도전막의 표면에서의 광의 반사를 억제할 수 있고, 태양 전지의 광전 변환 효율을 높일 수 있다.
본 발명의 일 양태에 관련된 반사 방지막을 태양 전지에 적용한 경우, 봉지 재료막과 반사 방지막의 계면에서의 광의 반사, 및 반사 방지막과 투명 도전막의 계면에서의 광의 반사를 억제할 수 있고, 광전 변환 효율을 높일 수 있다. 이 때문에, 발전 효율이 향상된 박막 태양 전지를 간단히 얻을 수 있다.
또, 본 발명의 일 양태에 관련된 반사 방지막은, 본 발명의 일 양태에 관련된 반사 방지막용 조성물을 사용하여 형성된다.
본 발명의 일 양태에 관련된 반사 방지막의 제조 방법에 의하면, 습식 도공법을 적용하여 반사 방지막을 형성하기 때문에, 고액의 진공 설비를 사용할 필요가 없다. 또한, 저온도의 소성에 의해, 반사 방지막을 형성할 수 있기 때문에, 태양 전지의 광전 변환층을 구성하는 반도체 특성을 열화시키는 경우가 없다. 따라서, 단결정 실리콘형 태양 전지, 다결정 실리콘형 태양 전지, 실리콘 헤테로 접합 태양 전지, 또는 서브스트레이트형 태양 전지 등의 각종 태양 전지의 반사 방지막을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 양태에 관련된 반사 방지막용 조성물을 사용하기 때문에, 봉지 재료막과 반사 방지막의 계면에서의 광의 반사, 및 반사 방지막과 투명 도전막의 계면에서의 광의 반사를 억제할 수 있는 반사 방지막이 얻어진다.
본 발명의 일 양태에 관련된 태양 전지에 의하면, 본 발명의 일 양태에 관련된 반사 방지막이 형성되어 있다. 이 때문에, 봉지 재료막과 반사 방지막의 계면에서의 광의 반사, 및 반사 방지막과 투명 도전막의 계면에서의 광의 반사를 억제할 수 있고, 우수한 발전 효율을 달성할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 습식 도공법에 의해 반사 방지막을 형성할 수 있기 때문에, 저비용으로 태양 전지를 제조할 수 있다.
도 1 은 본 실시형태에 관련된 반사 방지막을 구비하는 실리콘 헤테로 접합 태양 전지의 단면의 모식도의 일례이다.
이하, 본 발명을 실시형태에 기초하여 구체적으로 설명한다. 또, 성분의 함유량을 나타내는 단위 "%" 는, 특별히 나타내지 않은 한, "질량%" 를 의미한다.
[반사 방지막용 조성물]
본 실시형태의 태양 전지의 반사 방지막용 조성물은, 투광성 바인더를 함유한다.
투광성 바인더란, 파장 550 ㎚ 의 광의 투과율이 80 % 이상인 막 (두께 : 1 ㎛) 을 형성할 수 있는 바인더를 의미한다.
투광성 바인더는, 폴리머형 바인더 및 논폴리머형 바인더 중, 어느 일방 또는 양방을 포함하고, 폴리머형 바인더 및 논폴리머형 바인더는, 가열에 의해 경화되는 성질을 갖는다.
분산매를 제외한 반사 방지막용 조성물 (분산매를 제외한 성분의 합계) 100 질량부에 대하여, 투광성 바인더의 함유량은, 바람직하게는 10∼90 질량부이고, 보다 바람직하게는 30∼80 질량부이다.
투광성 바인더의 함유량이 10 질량부 이상이면, 투명 도전막에 대하여 양호한 접착력이 얻어진다. 투광성 바인더의 함유량이 90 질량부 이하이면, 막두께의 편차가 작은 반사 방지막을 형성할 수 있다.
폴리머형 바인더로는, 아크릴 수지, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 알키드 수지, 폴리우레탄, 아크릴우레탄, 폴리스티렌, 폴리아세탈, 폴리아미드, 폴리비닐알코올, 폴리아세트산비닐, 셀룰로오스, 및 실록산 폴리머 등을 들 수 있다.
투광성 바인더는, 폴리머형 바인더와 함께, 제 1 금속 비누, 제 1 금속 착물, 제 1 금속 알콕시드, 및 금속 알콕시드의 가수분해체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 것이 바람직하다. 제 1 금속 비누, 제 1 금속 착물, 제 1 금속 알콕시드, 및 금속 알콕시드의 가수분해체에 포함되는 금속은, 알루미늄, 실리콘, 티탄, 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈, 은, 구리, 아연, 몰리브덴, 및 주석 중 어느 1 종이다.
분산매를 제외한 반사 방지막용 조성물 (분산매를 제외한 성분의 합계) 100 질량부에 대하여, 제 1 금속 비누, 제 1 금속 착물, 제 1 금속 알콕시드, 및 금속 알콕시드의 가수분해체의 함유량의 합계는 1∼10 질량부인 것이 바람직하다. 제 1 금속 비누, 제 1 금속 착물, 제 1 금속 알콕시드, 및 금속 알콕시드의 가수분해체의 함유량을 조정함으로써, 경화 후의 반사 방지막의 굴절률을 용이하게 원하는 값으로 제어할 수 있다.
논폴리머형 바인더로는, 제 2 금속 비누, 제 2 금속 착물, 제 2 금속 알콕시드, 알콕시실란, 할로실란류, 2-알콕시에탄올, β-디케톤, 및 알킬아세테이트 등을 들 수 있고, 이들 화합물은, 단독으로 바인더로서 기능한다. 상기 할로실란류로는 트리클로로실란을 들 수 있다.
제 2 금속 비누, 제 2 금속 착물, 및 제 2 금속 알콕시드에 포함되는 금속은, 알루미늄, 실리콘, 티탄, 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈, 은, 구리, 아연, 몰리브덴, 주석, 인듐, 및 안티몬 중 어느 1 종인 것이 바람직하다. 특히, 논폴리머형 바인더로는, 실리콘 또는 티탄의 알콕시드가 보다 바람직하다. 실리콘 또는 티탄의 알콕시드로는, 예를 들어 테트라에톡시실란, 테트라메톡시실란, 부톡시실란을 들 수 있다.
본 실시형태의 반사 방지막용 조성물을 기재에 도포하고, 경화시킴으로써, 반사 방지막이 형성된다. 폴리머형 바인더 및 논폴리머형 바인더는, 가열에 의해 경화시키고, 높은 밀착성을 갖는 반사 방지막을 형성할 수 있다. 또한 투광성 바인더로서 사용하는 화합물을 상기한 화합물군에서 적절히 선택함으로써, 형성되는 반사 방지막의 굴절률이 1.70∼1.90 이 된다.
투광성 바인더가, 제 1 금속 알콕시드 또는 제 2 금속 알콕시드를 함유하는 경우, 반사 방지막용 조성물은, 금속 알콕시드의 경화 (가수분해 반응) 를 개시시키기 위한 수분과 함께, 촉매로서 산 또는 알칼리를 함유하는 것이 바람직하다. 산으로는, 염산, 질산, 인산 (H3PO4), 및 황산을 들 수 있다. 알칼리로는, 암모니아수, 및 수산화나트륨을 들 수 있다. 특히, 가열 경화 후에 휘발되기 쉽고 잔존하기 어려운 것, 할로겐이 잔류하지 않는 것, 내수성에 약한 P (인) 등이 잔존하지 않는 것, 및 경화 후의 밀착성이 우수한 것 등의 관점에서, 질산이 보다 바람직하다.
촉매로서 질산을 사용하는 경우, 제 1, 2 금속 알콕시드의 함유량의 합계 100 질량부에 대하여, 질산의 함유량은 1∼10 질량부가 바람직하다. 이 경우, 양호한 투광성 바인더의 경화 속도가 얻어지고, 또한 질산의 잔존량을 낮게 억제할 수 있다.
또, 후술하는 분산매로서, 물을 함유하는 경우, 분산매의 물이 금속 알콕시드의 경화 (가수분해 반응) 를 개시시키도록 기능한다.
또한, 반사 방지막용 조성물은, 투명 산화물 미립자를 포함하는 것이 바람직하다. 반사 방지막 중에 있어서, 투명 산화물 미립자에 의해, 투명 도전막으로부터의 복귀광을 투명 도전막측에 되돌리는 효과가 발생하고, 태양 전지의 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
투명 산화물 미립자의 굴절률은 1.4∼2.6 이 바람직하다. 투명 산화물 미립자가 높은 굴절률을 갖는 경우, 투명 산화물 미립자의 함유량을 조정함으로써, 경화 후의 반사 방지막의 굴절률을 용이하게 원하는 값으로 제어할 수 있다.
투명 산화물 미립자로는, SiO2, TiO2, ZrO2, ITO (Indium Tin Oxide : 인듐주석 산화물 (주석 도프 산화인듐)), ZnO, ATO (Antimony Tin Oxide : 안티몬주석 산화물 (안티몬 도프 산화주석)), AZO (Al 함유 ZnO) 등의 미분말을 들 수 있다. 이들 중, 굴절률의 관점에서 ITO 나 TiO2 가 바람직하다.
투명 산화물 미립자의 평균 입경은, 바람직하게는 10∼100 ㎚ 의 범위 내이고, 보다 바람직하게는 20∼60 ㎚ 의 범위 내이다. 이것에 의해, 투명 산화물 미립자는, 분산매 중에서 안정성을 유지할 수 있다. 여기서, 평균 입경은, 동적 광산란법으로 측정된다.
미리 투명 산화물 미립자를 분산매 중에 분산시키고, 이어서, 투명 산화물 미립자를 포함하는 분산매를 반사 방지막용 조성물의 다른 성분과 혼합하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 투명 산화물 미립자를 반사 방지막용 조성물 중에 균일하게 분산시킬 수 있다.
분산매를 제외한 반사 방지막용 조성물 (분산매를 제외한 성분의 합계) 100 질량부에 대하여, 투명 산화물 미립자의 함유량은, 바람직하게는 10∼90 질량부이고, 보다 바람직하게는 20∼70 질량부이다. 투명 산화물 미립자의 함유량이 10 질량부 이상이면, 투명 도전막으로부터의 복귀광을 투명 도전막측에 되돌리는 효과를 기대할 수 있다. 투명 산화물 미립자의 함유량이 90 질량부 이하이면, 충분한 강도를 갖는 반사 방지막이 얻어진다. 또한, 반사 방지막과, 투명 도전막이나 봉지 재료막 사이에 충분한 접착력이 얻어진다.
투광성 바인더는, 다른 성분에 따라, 커플링제를 함유하는 것이 바람직하다. 커플링제를 함유함으로써, 투명 도전막과 반사 방지막의 밀착성 (접착력), 및 반사 방지막과 봉지 재료막의 밀착성 (접착력) 을 향상시킬 수 있다. 또한, 투명 산화물 미립자를 함유하는 경우에는, 투명 산화물 미립자와 투광성 바인더의 결합을 강고하게 할 수 있다.
커플링제로는, 실란 커플링제, 알루미늄 커플링제, 및 티탄 커플링제 등을 들 수 있다.
실란 커플링제로는, 비닐트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 및 γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
알루미늄 커플링제로는, 이하의 화학식 (1) 로 나타내는 아세토알콕시기를 함유하는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112013021687664-pct00001
티탄 커플링제로는, 이하의 화학식 (2)∼(4) 로 나타내는 디알킬피로인산기를 갖는 화합물이나, 이하의 화학식 (5) 로 나타내는 디알킬인산기를 갖는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112013021687664-pct00002
[화학식 3]
Figure 112013021687664-pct00003
[화학식 4]
Figure 112013021687664-pct00004
[화학식 5]
Figure 112013021687664-pct00005
반사 방지막용 조성물 100 질량부에 대하여, 커플링제의 함유량은, 바람직하게는 0.01∼5 질량부이고, 보다 바람직하게는 0.1∼2 질량부이다. 커플링제의 함유량이 0.01 질량부 이상이면, 반사 방지막과, 투명 도전막이나 봉지 재료막의 접착력을 향상시킬 수 있다. 또한, 투명 산화물 미립자의 분산성을 현저히 향상시키는 효과가 얻어진다. 커플링제의 함유량이 5 질량부보다 많으면, 형성되는 반사 방지막의 막두께에 불균일이 발생하기 쉽다.
반사 방지막용 조성물은, 분산매를 함유하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 반사 방지막을 양호하게 형성할 수 있다. 분산매로는, 물 ; 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 부탄올 등의 알코올류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론 등의 케톤류 ; 톨루엔, 자일렌, 헥산, 시클로헥산 등의 탄화수소류 ; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드류 ; 디메틸술폭시드 등의 술폭시드류 ; 에틸렌글리콜 등의 글리콜류 ; 에틸셀로솔브 등의 글리콜에테르류 등을 들 수 있다.
반사 방지막용 조성물 100 질량부에 대하여, 분산매의 함유량은, 바람직하게는 80∼99 질량부이다. 이것에 의해, 반사 방지막을 양호하게 형성할 수 있다.
사용하는 성분에 따라, 반사 방지막용 조성물은, 수용성 셀룰로오스 유도체를 함유하는 것이 바람직하다. 수용성 셀룰로오스 유도체는 비이온성 계면 활성제인데, 다른 계면 활성제에 비해, 소량의 첨가라도 투명 산화물 미립자를 분산시키는 능력이 매우 높다. 또한, 수용성 셀룰로오스 유도체를 함유함으로써, 반사 방지막의 투명성도 향상된다.
수용성 셀룰로오스 유도체로는, 하이드록시프로필셀룰로오스, 하이드록시프로필메틸셀룰로오스 등을 들 수 있다.
반사 방지막용 조성물 100 질량부에 대하여, 수용성 셀룰로오스 유도체의 함유량은, 바람직하게는 0.2∼5 질량부이다.
상기 서술한 원하는 성분을, 통상적인 방법에 의해, 페인트 쉐이커, 볼밀, 샌드밀, 센트리밀, 3 본 롤 등에 의해 혼합함으로써, 투광성 바인더나 투명 산화물 미립자 등을 분산시킨다. 이것에 의해, 반사 방지막용 조성물을 제조할 수 있다. 또, 원하는 성분을, 통상의 교반법에 의해 교반, 혼합함으로써도, 반사 방지막용 조성물을 제조할 수 있다.
전술한 바와 같이, 반사 방지막용 조성물이 투명 산화물 미립자를 함유하는 경우, 이하의 반사 방지막용 조성물의 제조 방법을 적용하는 것이 바람직하다. 미리 투명 산화물 미립자를 분산매 중에 분산시킨다. 또한, 투명 산화물 미립자와 분산매를 제외한 다른 성분을 혼합한다. 그리고, 투명 산화물 미립자를 포함하는 분산매를 다른 성분의 혼합물과 혼합한다. 이것에 의해, 균질한 반사 방지막용 조성물이 얻어지기 쉽다.
[반사 방지막]
본 실시형태의 태양 전지의 반사 방지막은, 투광성 바인더를 함유하고, 반사 방지막 100 질량부에 대하여, 투광성 바인더의 함유량이 10∼90 질량부이다. 또한, 반사 방지막의 굴절률이 1.70∼1.90 이다.
본 실시형태의 반사 방지막은, 전술한 본 실시형태의 반사 방지막용 조성물을 경화시켜 형성된다. 이 때문에, 반사 방지막은, 반사 방지막용 조성물의 성분을 함유한다. 통상, 반사 방지막용 조성물을 기재에 도포하여 도막을 형성하고, 이어서 도막을 건조, 소성하여 경화시켜 반사 방지막을 제조한다. 이 때문에, 건조, 소성시에 산, 알칼리, 및 분산매가 증발 또는 분해, 제거된다. 이러한 반사 방지막에는, 산, 알칼리, 및 분산매 이외의 반사 방지막용 조성물의 성분이 포함된다. 반사 방지막용 조성물의 성분은, 전술한 바와 같다.
반사 방지막은, 투명 산화물 미립자를 추가로 함유하는 것이 바람직하다. 투명 산화물 미립자는, 전술한 바와 같이 SiO2, TiO2, ZrO2, 인듐주석 산화물, ZnO, 안티몬주석 산화물, 및 Al 함유 ZnO 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이다. 반사 방지막의 성분의 합계 100 질량부에 대하여, 투명 산화물 미립자의 함유량은 10∼90 질량부인 것이 바람직하다.
반사 방지막의 두께는, 바람직하게는 0.01∼0.5 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 0.02∼0.08 ㎛ 이다. 이것에 의해, 우수한 밀착성이 얻어진다. 반사 방지막의 두께가 0.01 ㎛ 미만 또는 0.5 ㎛ 를 초과하는 경우, 반사 방지 효과가 충분히 얻어지지 않는다.
태양 전지에서는, 도 1 에 나타낸 바와 같이, 광전 변환층 (Al 층 (20), 단결정 Si (n 형) 기판 (30), a-Si (i 형) 층 (31), 및 s-Si (p 형) 층 (32)) 상에, 투명 도전막 (40) 과, 반사 방지막 (10) 과, 봉지 재료막 (50) 이 이 순서로 형성되어 있다. 본 실시형태의 반사 방지막의 굴절률이 1.70∼1.90 이기 때문에, 본 실시형태의 반사 방지막을 태양 전지에 적용한 경우, 투명 도전막 (40) 의 굴절률 (n1), 반사 방지막 (10) 의 굴절률 (n2), 및 봉지 재료막 (50) 의 굴절률 (n3) 은, 관계식 n1 > n2 > n3 을 만족하게 된다. 이것에 의해, 반사 방지막 (10) 의 표면 및 투명 도전막 (40) 의 표면에서의 광의 반사를 억제할 수 있고, 태양 전지의 광전 변환 효율을 높일 수 있다.
[반사 방지막의 제조 방법]
본 실시형태의 반사 방지막의 제조 방법은, 기재에 형성된 투명 도전막 상에, 본 실시형태의 반사 방지막용 조성물을, 습식 도공법에 의해 도포하여 반사 방지 도막을 형성하는 도포 공정과, 반사 방지 도막을 경화시켜 반사 방지막을 형성하는 경화 공정을 갖는다.
도포 공정에서는, 경화 후의 반사 방지막이 원하는 두께를 갖도록, 도포 조건을 조정하여, 반사 방지 도막을 형성한다. 경화 후의 반사 방지막의 두께는, 바람직하게는 0.01∼0.5 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 0.02∼0.08 ㎛ 이다.
투명 도전막 상에 반사 방지막용 조성물을 도포하고, 이어서 도막을 건조시켜 반사 방지 도막을 형성한다. 건조 온도는 20∼120 ℃ 이고, 바람직하게는 25∼60 ℃ 이다. 건조 시간은 1∼30 분간이고, 바람직하게는 2∼10 분간이다.
상기 기재는, 기판과, 기판 상에 형성된 적어도 광전 변환층을 구비한다. 기판으로는, 유리 기판, 세라믹스 기판, 고분자 재료 기판, 또는 실리콘 기판, 또는 유리 기판, 세라믹스 기판, 고분자 재료 기판, 및 실리콘 기판으로 이루어지는 군에서 선택되는 2 종류 이상의 적층체를 들 수 있다. 실리콘 기판은, 단결정형 실리콘 기판이어도 다결정형 실리콘 기판이어도 된다. 고분자 재료 기판으로는, 폴리이미드나 PET (폴리에틸렌테레프탈레이트) 등의 유기 폴리머로 이루어지는 기판을 들 수 있다.
상기 습식 도공법은, 스프레이 코팅법, 디스펜서 코팅법, 스핀 코팅법, 나이프 코팅법, 슬릿 코팅법, 잉크젯 코팅법, 스크린 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 또는 다이 코팅법 중 어느 것이 바람직한데, 이것에 한정되는 것이 아니라, 모든 방법을 적용할 수 있다.
스프레이 코팅법에서는, 반사 방지막용 조성물을 압축 에어에 의해 안개상으로 하여 기재에 도포하거나, 또는 반사 방지막용 조성물 자체를 가압하여 안개상으로 하여 기재에 도포한다.
디스펜서 코팅법에서는, 예를 들어 반사 방지막용 조성물을 주사기에 넣고, 이 주사기의 피스톤을 누름으로써 주사기 선단의 미세 노즐로부터 반사 방지막용 조성물을 토출시켜 기재에 도포한다.
스핀 코팅법에서는, 회전하고 있는 기재 상에 반사 방지막용 조성물을 적하하고, 이 적하한 반사 방지막용 조성물을, 그 원심력에 의해 기재 주연으로 넓혀 기재에 도포한다.
나이프 코팅법에서는, 나이프의 선단과 소정의 간극을 둔 기재를 수평 방향으로 이동 가능하게 형성하고, 이 나이프보다 상류측의 기재 상에 반사 방지막용 조성물을 공급하여, 기재를 하류측을 향하여 수평 이동시켜 기재에 도포한다.
슬릿 코팅법에서는, 반사 방지막용 조성물을 좁은 슬릿으로부터 유출시켜 기재 상에 도포한다.
잉크젯 코팅법에서는, 시판되는 잉크젯 프린터의 잉크 카트리지에 반사 방지막용 조성물을 충전하고, 기재 상에 잉크젯 인쇄한다.
스크린 인쇄법에서는, 패턴 지시재로서 비단을 사용하고, 그 위에 만들어진 판화상 (版畵像) 을 통해 반사 방지막용 조성물을 기재에 전이시킨다.
오프셋 인쇄법에서는, 판에 붙인 반사 방지막용 조성물을, 직접 기재에 부착시키지 않고, 판으로부터 한 번 고무 시트에 전사시키고, 고무 시트로부터 다시 기재에 전이시킨다. 오프셋 인쇄법은, 반사 방지막용 조성물의 발수성을 이용한 인쇄 방법이다.
다이 코팅법에서는, 다이 내에 공급된 반사 방지막용 조성물을, 매니폴드로 분배시켜 슬릿으로부터 박막 상에 압출하고, 주행하는 기재의 표면에 도공한다. 다이 코팅법에는, 슬롯 코트 방식이나 슬라이드 코트 방식, 커튼 코트 방식이 있다.
이어서, 반사 방지 도막을 갖는 기재를, 대기 중 또는 질소나 아르곤 등의 불활성 가스 분위기 중에서 소성하고, 반사 방지 도막을 경화시킨다. 이것에 의해, 반사 방지막을 형성한다. 소성 온도는, 바람직하게는 130∼250 ℃ 이고, 보다 바람직하게는 180∼220 ℃ 이고, 가장 바람직하게는 180∼200 ℃ 이다. 소성 시간은 5∼60 분간이고, 바람직하게는 15∼40 분간이다.
반사 방지 도막의 소성 온도가 130 ℃ 미만인 경우, 반사 방지막의 경화 부족 등의 문제가 발생한다. 소성 온도가 250 ℃ 를 초과하는 경우, 저온 프로세스라는 생산 상의 메리트를 살릴 수 없다. 즉, 제조 비용이 증대되고, 생산성이 저하된다. 또한, 특히 아모르퍼스 실리콘, 미결정 실리콘, 또는 이들을 사용한 하이브리드형 실리콘 태양 전지는, 비교적 열에 약하고, 소성 공정에 의해 변환 효율이 저하된다.
반사 방지 도막의 소성 시간이 5 분간 미만인 경우, 바인더의 소성이 충분하지 않은 등의 문제가 발생한다. 소성 시간이 60 분간을 초과하면, 필요 이상으로 제조 비용이 증대되어 생산성이 저하된다. 또한, 태양 전지 셀의 변환 효율이 저하된다.
이상에 의해, 본 실시형태의 반사 방지막을 형성할 수 있다. 이와 같이, 본 실시형태의 제조 방법에서는, 습식 도공법이 적용되기 때문에, 진공 증착법이나 스퍼터법 등의 진공 프로세스를 가능한 한 배제할 수 있다. 따라서, 보다 저가로 반사 방지막을 제조할 수 있다.
[태양 전지]
도 1 은, 본 실시형태의 실리콘 헤테로 접합 태양 전지의 단면의 모식도의 일례를 나타낸다. 실리콘 헤테로 접합 태양 전지는, Al 층 (20), 기판으로서의 단결정 (n 형) (30), a-Si (i 형) 층 (31), s-Si (p 형) 층 (32), 투명 도전막 (40), 반사 방지막 (10), 및 봉지 재료막 (50) 을 이 순서로 구비하고 있다. 투명 도전막 (40) 상에 Ag 배선 (60) 이 형성되어 있다. 봉지 재료막 (50) 측으로부터 태양광이 입사하게 되어 있다.
반사 방지막 (10) 은, 전술한 본 실시형태의 반사 방지막이다. 투명 도전막 (40) 의 굴절률 (n1), 반사 방지막 (10) 의 굴절률 (n2), 및 봉지 재료막 (50) 의 굴절률 (n3) 은, 관계식 n1 > n2 > n3 을 만족한다. 이것에 의해, s-Si (p 형) 층 (32) 과 봉지 재료막 (50) 이 직접 적층되어 있는 경우와 비교하여, s-Si (p 형) 층 (32)-봉지 재료막 (50) 사이에서의 입사광의 반사를 현저히 억제할 수 있고, 태양 전지의 발전 효율을 향상시킬 수 있다.
보다 상세하게는, 투명 도전막 (40) 은, 일반적으로 ITO 또는 ZnO 로 이루어지고, 그 굴절률 (n1) 은 통상 1.8∼2.5 이다. 봉지 재료막 (50) 은, 일반적으로 EVA (Etylene Vinyl Acetate) 로 이루어지고, 그 굴절률 (n3) 은 통상 1.5∼1.6 이다. 형성되는 투명 도전막 (40) 의 굴절률 (n1) 및 봉지 재료막 (50) 의 굴절률 (n3) 에 따라, 관계식 n1 > n2 > n3 을 만족하도록, 반사 방지막 (10) 의 굴절률 (n2) 은 조정된다. 특히, 반사 방지막 (10) 의 굴절률 (n2) 은, n2=(n1×n3)1/2 를 만족하는 것이 바람직하다.
또, 투명 도전막 (40) 대신에, 패시베이션막을 구비해도 된다. 패시베이션막은, 일반적으로 SiO2 또는 SiN 으로 이루어진다.
이하, 각종 태양 전지의 경우에 관해서 기재한다. 굴절률로서, 대표적인 값을 나타내고 있는데, 관계식 n1 > n2 > n3 을 만족하면 된다.
단결정 실리콘형 태양 전지 또는 다결정 실리콘형 태양 전지의 경우, 태양광의 입사측으로부터, 굴절률 : 1.5∼1.6 의 EVA 등의 봉지 재료막, 반사 방지막, 및 굴절률 : 1.8∼2.5 의 SiN 등의 Si 표면의 패시베이션막이 위치한다. 이 때문에, 반사 방지막의 굴절률은 1.7 정도가 바람직하다.
실리콘 헤테로 접합 태양 전지의 경우, 태양광의 입사측으로부터, 굴절률 : 1.5∼1.6 의 EVA 등의 봉지 재료막, 반사 방지막, 및 굴절률 : 2.0 의 투명 도전막이 위치한다. 이 때문에, 반사 방지막의 굴절률은 1.8 정도가 바람직하다.
서브스트레이트형 박막 태양 전지의 경우, 태양광의 입사측으로부터, 굴절률 : 1.5∼1.6 의 EVA 등의 봉지 재료막, 반사 방지막, 및 굴절률 : 2.0 의 투명 도전막이 위치한다. 이 때문에, 반사 방지막의 굴절률은 1.8 정도가 바람직하다.
또한, 2 층 이상의 반사 방지막이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 반사 방지막의 굴절률이, 투명 도전막으로부터 봉지 재료막을 향하여 서서히 낮아지도록 반사 방지막을 형성하는 것이 바람직하다.
실시예
이하에, 실시예에 의해, 본 실시형태를 상세하게 설명하는데, 본 실시형태는 이들에 한정되는 것은 아니다.
먼저, 바인더로서 사용하는 SiO2 결합제를 이하의 방법에 의해 제조하였다. 11.0 g 의 HCl (농도 12 ㏖/ℓ) 을 25 g 의 순수에 용해하여 HCl 수용액을 제조하였다. 500 ㎤ 의 유리제의 4 구 플라스크를 사용하고, 140 g 의 테트라에톡시실란과, 240 g 의 에틸알코올을 혼합하였다. 이 혼합물을 교반하면서, 상기 HCl 수용액을 한 번에 첨가하였다. 그 후, 80 ℃ 에서 6 시간 반응시킴으로써 SiO2 결합제를 제조하였다. 이 SiO2 결합제는, 실리콘의 알콕시드의 중합체이고, 논폴리머형 바인더이다.
표 1, 표 2 에 나타내는 조성 (수치는, 질량부를 나타낸다) 을 갖는 혼합물을 제조하였다. 혼합물 60 g 과, 직경 0.3 ㎜ 의 지르코니아 비드 (미크로하이카, 쇼와 쉘 석유 제조) 100 g 을, 100 ㎤ 의 유리병에 넣었다. 페인트 쉐이커를 사용하여 유리병을 6 시간, 반복 회전 운동시키고, 혼합물 중의 투명 도전 입자 (투명 산화물 미립자) 를 바인더에 분산시켰다. 이상에 의해 반사 방지막 조성물 1∼10 을 제조하였다.
표 1, 표 2 의 커플링제의 항목에 기재된 티탄 (1), (2), (3), (4), 및 (5) 는, 각각 전술한 화학식 (1), (2), (3), (4), 및 (5) 의 티탄 커플링제인 것을 나타낸다.
Figure 112013021687664-pct00006
Figure 112013021687664-pct00007
반사 방지막 조성물 1∼10 을 두께 1 ㎜ 의 알칼리 유리 상에 도포하여 도막을 제조하였다. 이어서, 표 3 에 기재된 조건에서 도막을 대기 중에서 소성하여 반사 방지막을 제조하였다. 외가시분광 광도계로 파장 600 ㎚ 에서의 반사 방지막의 투과율을 측정하였다. 그 때, 기판의 투과율을 백 그라운드로서 제외시켰다. 또한, 반사 방지막의 굴절률을 엘립소미터로 측정하였다. 얻어진 결과를 표 3 에 나타낸다.
Figure 112013021687664-pct00008
표 3 으로부터 명확한 바와 같이, 실시예 1∼8 의 반사 방지막은, 모두 굴절률이 1.74∼1.90 이고, 원하는 범위 내였다. 이 때문에, 실시예 1∼8 의 반사 방지막을 각종 태양 전지에 적용한 경우, 투명 도전막의 굴절률 (n1), 반사 방지막의 굴절률 (n2), 및 봉지 재료막의 굴절률 (n3) 은, 관계식 n1 > n2 > n3 을 만족할 수 있다. 또한, 투과율은 82∼94 % 이고, 양호한 결과였다.
이것에 대하여, 비교예 1 의 반사 방지막에서는, 굴절률이 낮고, 또한 투과율이 78 % 로 낮았다. 또한, 비교예 2 의 반사 방지막에서도 투과율이 75 % 로 낮았다.
산업상 이용가능성
본 실시형태의 반사막용 조성물을 습식 도공법에 의해 투명 도전막 상에 도포하고, 도막을 소성함으로써, 반사 방지막을 형성할 수 있다. 얻어지는 반사 방지막을 태양 전지에 적용한 경우, 봉지 재료막과 반사 방지막의 계면에서의 광의 반사, 및 반사 방지막과 투명 도전막의 계면에서의 광의 반사를 억제할 수 있다. 이 때문에, 광전 변환 효율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 실시형태의 반사막용 조성물은, 각종 태양 전지의 제조 공정에 바람직하게 적용할 수 있다.
10 : 반사 방지막
20 : Al 층
30 : 단결정 (n 형)
31 : a-Si (i 형)
32 : s-Si (p 형)
40 : 투명 도전막
50 : 봉지 재료막
60 : Ag 배선

Claims (19)

  1. 투광성 바인더 및 투명 산화물 미립자를 함유하고,
    상기 투광성 바인더가, 2-n-부톡시에탄올, 3-이소프로필-2,4-펜탄디온, 2,4-펜탄디온, 2-n-프로폭시에탄올, 2,2-디메틸-3,5-헥산디온, 이소프로필아세테이트, 2-헥실옥시에탄올, 및 n-프로필아세테이트로 이루어지는 군에서 선택되는 논폴리머형 바인더이고,
    분산매를 제외한 성분의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 투광성 바인더의 함유량이 10~90 질량부이고,
    분산매를 제외한 성분의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 투명 산화물 미립자의 함유량이 10~90 질량부이고,
    반사 방지막용 조성물을 경화시켜 형성되는 두께 10~300 ㎚ 의 반사 방지막의 굴절률이 1.70~1.90 이며, 또한 투과율이 85~96 % 인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 반사 방지막용 조성물.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 산화물 미립자가, TiO2, ZrO2, 인듐주석 산화물, ZnO, 안티몬주석 산화물, 및 Al 함유 ZnO 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, 태양 전지의 반사 방지막용 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 산화물 미립자의 평균 입경은 10∼100 ㎚ 의 범위 내인, 태양 전지의 반사 방지막용 조성물.
  10. 제 1 항에 있어서,
    커플링제를 추가로 함유하고,
    상기 커플링제는, 비닐트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 아세토알콕시기를 함유하는 알루미늄 커플링제, 디알킬피로인산기를 갖는 티탄 커플링제, 및 디알킬인산기를 갖는 티탄 커플링제로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 1 종이고,
    성분의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 커플링제의 함유량은 0.01∼5 질량부인, 태양 전지의 반사 방지막용 조성물.
  11. 제 1 항에 있어서,
    분산매를 추가로 함유하고,
    상기 분산매는, 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 부탄올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론, 톨루엔, 자일렌, 헥산, 시클로헥산, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, 에틸렌글리콜, 에틸셀로솔브로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이고,
    성분의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 분산매의 함유량은 80∼99 질량부인, 태양 전지의 반사 방지막용 조성물.
  12. 제 1 항에 있어서,
    수용성 셀룰로오스 유도체를 추가로 함유하고,
    상기 수용성 셀룰로오스 유도체는, 하이드록시프로필셀룰로오스, 또는 하이드록시프로필메틸셀룰로오스이고,
    성분의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 수용성 셀룰로오스 유도체의 함유량은 0.2∼5 질량부인, 태양 전지의 반사 방지막용 조성물.
  13. 투광성 바인더 및 투명 산화물 미립자를 함유하고,
    상기 투광성 바인더가, 2-n-부톡시에탄올, 3-이소프로필-2,4-펜탄디온, 2,4-펜탄디온, 2-n-프로폭시에탄올, 2,2-디메틸-3,5-헥산디온, 이소프로필아세테이트, 2-헥실옥시에탄올, 및 n-프로필아세테이트로 이루어지는 군에서 선택되는 논폴리머형 바인더이고,
    성분의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 투광성 바인더의 함유량이 10~90 질량부이고,
    성분의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 투명 산화물 미립자의 함유량이 10~90 질량부이고,
    두께 10~300 ㎚ 이고, 굴절률이 1.70~1.90 이며, 또한 투과율이 85~96 % 인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 반사 방지막.
  14. 삭제
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 투명 산화물 미립자가, TiO2, ZrO2, 인듐주석 산화물, ZnO, 안티몬주석 산화물, 및 Al 함유 ZnO 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, 태양 전지의 반사 방지막.
  16. 기재에 형성된 투명 도전막 상에, 제 1 항에 기재된 반사 방지막용 조성물을, 습식 도공법에 의해 도포하여 반사 방지 도막을 형성하고,
    이어서, 상기 반사 방지 도막을 경화시켜, 두께 10~300 ㎚ 이고, 굴절률이 1.70~1.90 이며, 또한 투과율이 85~96 % 인 반사 방지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 반사 방지막의 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 반사 방지 도막을 130∼250 ℃ 의 온도에서 소성하여 경화시키는, 태양 전지의 반사 방지막의 제조 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 습식 도공법이, 스프레이 코팅법, 디스펜서 코팅법, 스핀 코팅법, 나이프 코팅법, 슬릿 코팅법, 잉크젯 코팅법, 다이 코팅법, 스크린 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 또는 그라비아 인쇄법인, 태양 전지의 반사 방지막의 제조 방법.
  19. 기판과,
    상기 기판 상에 형성된 광전 변환층과,
    상기 광전 변환층 상에 형성된 투명 도전막 또는 패시베이션막과,
    상기 투명 도전막 또는 상기 패시베이션막 상에 형성된 반사 방지막과,
    상기 반사 방지막 상에 형성된 봉지 재료막을 구비하고,
    상기 반사 방지막이, 제 13 항 또는 제 15 항에 기재된 반사 방지막이고,
    상기 투명 도전막의 굴절률 (n1), 상기 반사 방지막의 굴절률 (n2), 및 상기 봉지 재료막의 굴절률 (n3) 은, 관계식 n1 > n2 > n3 을 만족하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
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