CN105098095B - 一种有机发光二极管器件及其制作方法、显示装置 - Google Patents
一种有机发光二极管器件及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105098095B CN105098095B CN201510446946.5A CN201510446946A CN105098095B CN 105098095 B CN105098095 B CN 105098095B CN 201510446946 A CN201510446946 A CN 201510446946A CN 105098095 B CN105098095 B CN 105098095B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- organic
- negative electrode
- emitting diode
- reflection layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 182
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 58
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 21
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 17
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 17
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229960002415 trichloroethylene Drugs 0.000 claims description 17
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 16
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 claims description 16
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 claims description 16
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- YAXXOCZAXKLLCV-UHFFFAOYSA-N 3-dodecyloxolane-2,5-dione Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1CC(=O)OC1=O YAXXOCZAXKLLCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Alkene ester Chemical class 0.000 description 2
- 229910000882 Ca alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGWOWDFNMKCVLG-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[Ti+4].[Ti+4] Chemical compound [O--].[O--].[Ti+4].[Ti+4] HGWOWDFNMKCVLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- USOPFYZPGZGBEB-UHFFFAOYSA-N calcium lithium Chemical compound [Li].[Ca] USOPFYZPGZGBEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KUCPUSUXIGWHFB-UHFFFAOYSA-N diphenyltin Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Sn]C1=CC=CC=C1 KUCPUSUXIGWHFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- WUALQPNAHOKFBR-UHFFFAOYSA-N lithium silver Chemical compound [Li].[Ag] WUALQPNAHOKFBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N Cumarin Natural products CC(C)=CCC1=C(O)C(C(=O)C(C)CC)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000679365 Homo sapiens Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Proteins 0.000 description 1
- 229910020451 K2SiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N Meomammein Natural products CCC(C)C(=O)C1=C(O)C(CC=C(C)C)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- 102100022578 Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Human genes 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- PPTSBERGOGHCHC-UHFFFAOYSA-N boron lithium Chemical compound [Li].[B] PPTSBERGOGHCHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- FBOFHVFMPNNIKN-UHFFFAOYSA-N dimethylquinoline Natural products C1=CC=C2N=C(C)C(C)=CC2=C1 FBOFHVFMPNNIKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical group [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004880 oxines Chemical class 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical class 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供了一种有机发光二极管器件及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,当有机功能层发出的光至少经阴极发出时,该有机发光二极管器件能够减轻因金属或者金属合金形成的阴极反射外界光线造成的显示亮度发生偏差的问题。有机发光二极管器件,包括:阴极、阳极以及有机功能层,阴极的材料为金属或金属合金,有机功能层发出的光至少经过阴极发出;还包括防反射层,防反射层位于阴极远离有机功能层的一侧;防反射层包括相对的第一表面和第二表面,第一表面与阴极接触,外界光线在第一表面产生的反射光与外界光线在第二表面产生的反射光可发生干涉相消。本发明适用有机发光二极管器件、以及包括该有机发光二极管器件的显示装置的制作。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光二极管器件及其制作方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)器件是一种有机薄膜电致发光器件,其具有制备工艺简单、成本低、易形成柔性结构、视角宽等优点;因此,利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
参考图1所示,OLED器件包括:阴极1、有机功能层2和阳极3,其中,阴极1一般采用金属或者金属合金形成。然而,金属或者金属合金对于外界光线的反射率较高,当有机功能层2发出的光经阴极1发出时,人眼获得的OLED器件的显示亮度为原本要显示的亮度与反射的外界光线的亮度之和,即OLED器件的显示亮度发生了偏差,从而影响了OLED器件的显示效果。
发明内容
本发明的实施例提供一种有机发光二极管器件及其制作方法、显示装置,当有机功能层发出的光至少经阴极发出时,该有机发光二极管器件能够减轻因金属或者金属合金形成的阴极反射外界光线造成的显示亮度发生偏差的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供了一种有机发光二极管器件,该有机发光二极管器件,包括:阴极、阳极以及位于所述阴极和所述阳极之间的有机功能层,所述阴极的材料为金属或金属合金,所述有机功能层发出的光至少经过所述阴极发出,还包括:防反射层,所述防反射层位于所述阴极远离所述有机功能层的一侧;所述防反射层包括相对的第一表面和第二表面,所述第一表面与所述阴极接触,外界光线在所述第一表面产生的反射光与所述外界光线在所述第二表面产生的反射光可发生干涉相消。
可选的,所述防反射层的材料为有机材料,且所述有机材料还掺入有散射颗粒。
可选的,所述散射颗粒为二氧化硅颗粒或二氧化钛颗粒。
可选的,所述散射颗粒的质量百分比范围为1%-5%。
可选的,所述散射颗粒的粒径范围为40nm-60nm。
可选的,所述有机材料主要由丙烯酸树脂、异丙醇、丙酮、三氯乙烯、聚乙酸乙烯酯和聚乙烯醇构成,其中,所述丙烯酸树脂的质量百分比范围为10%-40%,所述异丙醇的质量百分比范围为25%-29%、所述丙酮的质量百分比范围为5%-20%、所述三氯乙烯的质量百分比范围为5%-20%、所述聚乙酸乙烯酯的质量百分比范围为5%-20%、所述聚乙烯醇的质量百分比范围为5%-20%。
可选的,所述防反射层的透过率不低于50%。
可选的,所述防反射层的厚度范围为110nm-160nm。
本发明实施例提供了一种有机发光二极管器件,该有机发光二极管器件,包括:阴极、阳极以及位于阴极和阳极之间的有机功能层,阴极的材料为金属或金属合金,有机功能层发出的光至少经过阴极发出,有机发光二极管器件还包括:防反射层,防反射层位于阴极远离有机功能层的一侧;防反射层包括相对的第一表面和第二表面,第一表面与阴极接触,外界光线在第一表面产生的反射光与外界光线在第二表面产生的反射光可发生干涉相消。这样,当外界光线射入防反射层时,在防反射层的第一表面和第二表面均会发生反射,防反射层的第一表面反射的光线与防反射层的第二表面反射的光线会发生干涉相消,从而降低外界光线的反射对于有机功能层发出的光的影响,进而减轻因金属或者金属合金形成的阴极反射外界光线造成的显示亮度发生偏差的问题。
另一方面,提供了一种显示装置,该显示装置包括上述任一项所述的有机发光二极管器件。所述显示装置可以为OLED显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
再一方面,提供了一种有机发光二极管器件的制作方法,该方法包括:在衬底上形成阴极、阳极和有机功能层,其中,所述阴极的材料为金属或金属合金,所述有机功能层位于所述阴极和所述阳极之间,且所述有机功能层发出的光至少经过所述阴极发出;
在所述衬底上形成防反射层,其中,所述防反射层位于所述阴极远离所述有机功能层的一侧;所述防反射层包括相对的第一表面和第二表面,所述第一表面与所述阴极接触,外界光线在所述第一表面产生的反射光与所述外界光线在所述第二表面产生的反射光可发生干涉相消。
可选的,所述在所述衬底上形成防反射层具体为:
以掺入有散射颗粒的有机材料为涂覆液,采用旋转涂覆法形成防反射层;其中,所述散射颗粒为二氧化硅颗粒或二氧化钛颗粒,所述有机材料主要由丙烯酸树脂、异丙醇、丙酮、三氯乙烯、聚乙酸乙烯酯和聚乙烯醇构成,其中,所述丙烯酸树脂的质量百分比范围为10%-40%,所述异丙醇的质量百分比范围为25%-29%、所述丙酮的质量百分比范围为5%-20%、所述三氯乙烯的质量百分比范围为5%-20%、所述聚乙酸乙烯酯的质量百分比范围为5%-20%、所述聚乙烯醇的质量百分比范围为5%-20%,所述二氧化硅颗粒或所述二氧化钛颗粒的质量百分比范围为1%-5%。
本发明的实施例提供了一种有机发光二极管器件的制作方法,通过该方法制作的有机发光二极管器件包括:阴极、阳极以及位于阴极和阳极之间的有机功能层,阴极的材料为金属或金属合金,有机功能层发出的光至少经过阴极发出;有机发光二极管器件还包括:防反射层,防反射层位于阴极远离有机功能层的一侧;防反射层包括相对的第一表面和第二表面,第一表面与阴极接触,外界光线在第一表面产生的反射光与外界光线在第二表面产生的反射光可发生干涉相消。这样,当外界光线射入防反射层时,在防反射层的第一表面和第二表面均会发生反射,防反射层的第一表面反射的光线与防反射层的第二表面反射的光线会发生干涉相消,从而降低外界光线的反射对于有机功能层发出的光的影响,进而减轻因金属或者金属合金形成的阴极反射外界光线造成的显示亮度发生偏差的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中提供的一种OLED发光器件的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种有机发光二极管器件的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的又一种有机发光二极管器件的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的另一种有机发光二极管器件的结构示意图;
图5a为外界光线垂直射入防反射层,防反射层的第一表面和第二表面发生反射的示意图;
图5b为图5a中防反射层的第一表面反射的光线和第二表面反射的光线的光波示意图;
图6为本发明实施例提供的一种有机发光二极管器件的制作方法的流程图。
附图标记:
1-阴极;2-有机功能层;21-发光层;22-电子传输层;23-电子注入层;24-空穴传输层;25-空穴注入层;3-阳极;4-防反射层;41-防反射层的第一表面;42-防反射层的第二表面;5-外界光线;51-防反射层的上表面反射的光线;52-防反射层的下表面反射的光线;9-反射层;10-衬底。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
实施例一
本发明实施例提供一种有机发光二极管器件,参考图2所示,该有机发光二极管器件包括:阴极1、阳极3以及位于阴极1和阳极3之间的有机功能层2,阴极1的材料为金属或金属合金,有机功能层2发出的光至少经过阴极1发出;该有机发光二极管器件还包括:防反射层4,防反射层4位于阴极1中远离有机功能层2的一侧;防反射层4包括相对的第一表面41和第二表面42,第一表面41与阴极1接触,外界光线在第一表面产生的反射光与外界光线在第二表面产生的反射光可发生干涉相消。
上述有机发光二极管器件中,本发明实施例对于阴极和阳极的相对位置关系不作限定,示例的,参考图2所示,阴极1可以是位于阳极3之上;当然,参考图3所示,阴极1还可以是位于阳极3之下。另外,防反射层位于阴极远离有机功能层的一侧,即防反射层可以是如图2所示位于阴极之上,还可以是如图3所示位于阴极之下。
上述有机发光二极管器件中,防反射层包括相对的第一表面和第二表面,第一表面可以是如图2所示的下表面,当然也可以是如图3所示的上表面;第二表面可以是如图2所示的上表面,当然也可以是如图3所示的下表面;这里不作具体限定,只要满足第一表面和第二表面相对且第一表面与阴极接触即可。
上述有机发光二极管器件中,有机功能层发出的光至少经过阴极发出指有机功能层发出的光可以仅经过阴极发出,这样可以形成单面发光器件;当然,有机功能层发出的光还可以是经过阴极和阳极发出,这样可以形成双面发光器件;本发明实施例对此不做限定。进一步需要说明的是,若有机功能层发出的光仅经过阴极发出,参考图4所示,在阳极3远离有机功能层2的一侧还可以设置反射层9,以防止有机功能层2发出的光从阳极3射出。
上述有机发光二极管器件中,本发明实施例对于防反射层的材料不作限定,示例的,防反射层的材料可以是无机材料,还可以是有机材料。另外,本发明实施例中仅详细介绍有机发光二极管器件中与发明点相关的结构,本领域技术人员能够根据公知常识以及现有技术获知,有机发光二极管器件的有机功能层可以仅包括发光层;当然为了提高发光效率,有机功能层还可以包括其他膜层,例如,参考图4所示,有机功能层2还可以包括电子传输层22、电子注入层23、空穴传输层24和空穴注入层25等,这里不作具体限定。
上述有机发光二极管器件中,本发明实施例对于阴极的材料不作限定,示例的,阴极的材料可以为镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、锂(Li)、钾(K)或钙(Ca)等金属,还可以是金属合金,例如:镁银合金(MgxAg(1-x))、锂铝合金(LixAl(1-x))、锂钙合金(LixCa(1-x))或锂银合金(LixAg(1-x))。另外,本发明实施例对于阳极的材料也不作限定,一般阳极的材料多为ITO(In2O3:SnO2,氧化铟锡),以利于空穴向有机功能层注入。
需要说明的是,防反射层减少对于外界光线的反射是基于干涉相消的原理。具体的,参考图5a所示,当外界光线5垂直射入防反射层4时,在防反射层4的第一表面41和第二表面42均会发生反射,而防反射层4的第二表面42反射的光线52与防反射层4的第一表面41反射的光线51的路程差为2d,则防反射层4的第一表面41反射的光线51与防反射层4的第二表面42反射的光线52的光程差为2n*d。通过调整防反射层的厚度d以及折射率n可以满足:2n*d=(m*λ)/2,其中,λ为光线在真空中的波长,m为正奇数。根据光的干涉原理可知,参考图5b所示,防反射层4的第一表面41反射的光线51与防反射层4的第二表面42反射的光线52会发生干涉相消。这样,当外界光线射入防反射层时,防反射层可以减少对于外界光线的反射,进而降低外界光线的反射对于有机功能层发出的光的影响,从而减轻因金属或者金属合金形成的阴极反射外界光线造成的显示亮度发生偏差的问题。
这里需要说明的是,为了区分外界光线5、防反射层4的第一表面41反射的光线51与防反射层4的第二表面42反射的光线52,图5a中将上述三种光线单独绘示,以利于说明;但是实际中,外界光线5垂直射入防反射层时,防反射层4的第一表面41反射的光线51和防反射层4的第二表面42反射的光线52均会沿着外界光线5的相反路径射出,即图5a中三种光线应在同一直线上。图5b和图5a的情况类似,具体不再赘述。
可选的,上述防反射层的材料为有机材料,且该有机材料还可以掺入有散射颗粒。优选的,上述有机材料可以主要由丙烯酸树脂、异丙醇、丙酮、三氯乙烯、聚乙酸乙烯酯和聚乙烯醇构成。上述散射颗粒可以为二氧化硅颗粒或二氧化钛颗粒。防反射层中掺入有散射颗粒,例如二氧化硅颗粒或二氧化钛颗粒,那么,该有机发光二极管器件发出的光线经过散射颗粒会发生漫散射,这样,在增大光线射出后的角度的同时使得光线射出后分布得更加均匀,从而扩大了视角、降低了色偏的发生率,进而提高了显示效果。同时,上述防反射层主要由有机材料构成,而有机材料的制备比较简单,降低了工艺难度。
可选的,上述散射颗粒的质量百分比范围为1%-5%,示例的,散射颗粒的质量百分比可以为1%、2%、3%或5%。若散射颗粒为二氧化硅颗粒时,则二氧化硅纳米颗粒的质量百分比范围可以为1%-5%,示例的,二氧化硅纳米颗粒的质量百分比可以为1%、2%、3%或5%。二氧化钛纳米颗粒所占质量百分比的范围与二氧化硅纳米颗粒所占质量百分比的范围相同,这里不再赘述。
可选的,丙烯酸树脂的质量百分比范围可以为10%-40%,异丙醇的质量百分比范围可以为25%-29%、丙酮的质量百分比范围可以为5%-20%、三氯乙烯的质量百分比范围可以为5%-20%、聚乙酸乙烯酯的质量百分比范围可以为5%-20%、聚乙烯醇的质量百分比范围可以为5%-20%。
这里需要说明的是,丙烯酸树脂的质量百分比可以为10%、20%、30%或40%;异丙醇的质量百分比可以为25%、26%、27%或29%;丙酮的质量百分比可以为5%、10%、15%或20%;三氯乙烯的质量百分比可以为5%、10%、15%或20%;聚乙酸乙烯酯的质量百分比可以为5%、10%、15%或20%;聚乙烯醇的质量百分比可以为5%、10%、15%或20%。
可选的,上述防反射层中掺入的散射颗粒的粒径的范围为40nm-60nm,示例的,散射颗粒的粒径可以是40nm、45nm、50nm、55nm或60nm。若散射颗粒为二氧化硅颗粒或二氧化钛纳米颗粒,则二氧化硅纳米颗粒或二氧化钛纳米颗粒的粒径的范围为40nm-60nm,示例的,二氧化硅纳米颗粒或二氧化钛纳米颗粒的粒径可以是40nm、45nm、50nm、55nm或60nm。需要说明的是,二氧化硅纳米颗粒或二氧化钛纳米颗粒可以是实心的,也可以是中空的,本发明实施例对此不作限定。
可选的,防反射层的透过率不低于50%,这样防反射层对有机发光二极管器件发出的光线的影响较小,不会极大降低有机发光二极管器件的显示亮度。
可选的,防反射层的厚度范围为110nm-160nm,示例的,防反射层的厚度可以为110nm、120nm、130nm、140nm、150nm或160nm。
实施例二
本发明实施例提供一种显示装置,该显示装置包括实施例一中提供的任一项有机发光二极管器件。所述显示装置可以为OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
实施例三
本发明实施例提供一种有机发光二极管器件的制作方法,该方法包括:
S01、在衬底上形成阴极、阳极和有机功能层,其中,阴极的材料为金属或金属合金,有机功能层位于阴极和阳极之间,且有机功能层发出的光至少经过阴极发出。
需要说明的是,步骤S01中,可以是在衬底10上依次形成阴极1、有机功能层2和阳极3,以形成如图3所示的有机发光二极管器件;还可以是在衬底10上依次形成阳极3、有机功能层2和阴极1,以形成如图2所示的有机发光二极管器件;本发明实施例对此不作限定。
S02、在衬底上形成防反射层,其中,防反射层位于阴极远离有机功能层的一侧;防反射层包括相对的第一表面和第二表面,第一表面与阴极接触,外界光线在第一表面产生的反射光与外界光线在第二表面产生的反射光可发生干涉相消。
需要说明的是,本发明实施例对于防反射层的材料不作限定,示例的,防反射层的材料可以是无机材料,还可以是有机材料。
进一步需要说明的是,本发明实施例并没有限定步骤S01和步骤S02的先后顺序,若通过该方法形成的有机发光二极管器件如图3所示,则步骤S02在先、步骤S01在后,即在衬底上依次形成防反射层、阴极、有机功能层和阳极;若通过该方法形成的有机发光二极管器件如图2所示,则步骤S01在先、步骤S02在后,即在衬底上依次形成阳极、有机功能层、阴极和防反射层。
本发明的实施例提供了一种有机发光二极管器件的制作方法,通过该方法制作的有机发光二极管器件包括:阴极、阳极以及位于阴极和阳极之间的有机功能层,阴极的材料为金属或金属合金,有机功能层发出的光至少经过阴极发出;有机发光二极管器件还包括:防反射层,防反射层用于减少对于外界光线的反射,且位于阴极远离有机功能层的一侧;防反射层包括相对的第一表面和第二表面,第一表面与阴极接触,外界光线在第一表面产生的反射光与外界光线在第二表面产生的反射光可发生干涉相消。这样,当外界光线射入防反射层时,在防反射层的第一表面和第二表面均会发生反射,防反射层的第一表面反射的光线与防反射层的第二表面反射的光线会发生干涉相消,从而降低外界光线的反射对于有机功能层发出的光的影响,进而减轻因金属或者金属合金形成的阴极反射外界光线造成的显示亮度发生偏差的问题。
可选的,步骤S02、在衬底上形成防反射层具体为:
以掺入有散射颗粒的有机材料为涂覆液,采用旋转涂覆法形成防反射层。
优选的,上述有机材料可以主要由丙烯酸树脂、异丙醇、丙酮、三氯乙烯、聚乙酸乙烯酯和聚乙烯醇构成。上述散射颗粒可以为二氧化硅颗粒或二氧化钛颗粒。防反射层中掺入有散射颗粒,例如二氧化硅颗粒或二氧化钛颗粒,那么,该有机发光二极管器件发出的光线经过散射颗粒会发生漫散射,这样,在增大光线射出后的角度的同时使得光线射出后分布得更加均匀,从而扩大了视角、降低了色偏的发生率,进而提高了显示效果。同时,上述防反射层主要由有机材料构成,而有机材料的制备比较简单,降低了工艺难度。
可选的,上述散射颗粒的质量百分比范围为1%-5%,示例的,散射颗粒的质量百分比可以为1%、2%、3%或5%。若散射颗粒为二氧化硅颗粒时,则二氧化硅纳米颗粒的质量百分比范围可以为1%-5%,示例的,二氧化硅纳米颗粒的质量百分比可以为1%、2%、3%或5%。二氧化钛纳米颗粒所占质量百分比的范围与二氧化硅纳米颗粒所占质量百分比的范围相同,这里不再赘述。
可选的,丙烯酸树脂的质量百分比范围可以为10%-40%,异丙醇的质量百分比范围可以为25%-29%、丙酮的质量百分比范围可以为5%-20%、三氯乙烯的质量百分比范围可以为5%-20%、聚乙酸乙烯酯的质量百分比范围可以为5%-20%、聚乙烯醇的质量百分比范围可以为5%-20%。
这里需要说明的是,丙烯酸树脂的质量百分比可以为10%、20%、30%或40%;异丙醇的质量百分比可以为25%、26%、27%或29%;丙酮的质量百分比可以为5%、10%、15%或20%;三氯乙烯的质量百分比可以为5%、10%、15%或20%;聚乙酸乙烯酯的质量百分比可以为5%、10%、15%或20%;聚乙烯醇的质量百分比可以为5%、10%、15%或20%。
可选的,上述防反射层中掺入的散射颗粒的粒径的范围为40nm-60nm,示例的,散射颗粒的粒径可以是40nm、45nm、50nm、55nm或60nm。若散射颗粒为二氧化硅颗粒或二氧化钛纳米颗粒,则二氧化硅纳米颗粒或二氧化钛纳米颗粒的粒径的范围为40nm-60nm,示例的,二氧化硅纳米颗粒或二氧化钛纳米颗粒的粒径可以是40nm、45nm、50nm、55nm或60nm。需要说明的是,二氧化硅纳米颗粒或二氧化钛纳米颗粒可以是实心的,也可以是中空的,本发明实施例对此不作限定。
可选的,防反射层的透过率不低于50%,这样防反射层对有机发光二极管器件发出的光线的影响较小,不会极大降低有机发光二极管器件的显示亮度。
可选的,防反射层的厚度范围为110nm-160nm,示例的,防反射层的厚度可以为110nm、120nm、130nm、140nm、150nm或160nm。
下面以图4所示的有机发光二极管器件为例,详细说明本发明实施例提供的有机发光二极管器件的制作方法,参考图6所示,上述方法包括:
S601、在衬底10上形成反射层9。
具体的,反射层的材料可以是Ag、Al、Au、Cu或Mo等金属,反射层的厚度至少为80nm。
S602、在反射层9上形成阳极3。
具体的,阳极的材料可以是ITO(In2O3:SnO2,氧化铟锡)、IZO(In2O3:ZnO,氧化铟锌)、GITO(Ga0.08In0.28Sn0.64O3,镓铟锡氧化物)、ZITO(Zn0.64In0.88Sn0.66O3,锌铟锡氧化物)等,阳极的厚度至少为10nm。
S603、在阳极3上依次形成空穴注入层25、空穴传输层24、发光层21、电子传输层22和电子注入层23。
具体的,空穴注入层的材料可以是4,4',4"-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺(TNATA)、酞菁铜(CuPc)等;空穴传输层的材料可以是空穴迁移率高的材料,示例的,空穴传输层的材料可以是N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)、三苯基二胺衍生物(TPD)、TPTE、1,3,5-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯(TDAB)等。
发光层的材料通常包括红色、绿色、蓝色等发光材料,红色发光材料可以是(E)-4-二腈亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定乙烯基)吡喃(DCJTB)、Ir(piq)2(acac)、红荧烯(Rubrene)等;绿色发光材料可以是2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C-545T)、N,N'-二甲基喹吖啶酮;5,12-二氢-5,12-二甲基喹[2,3-b]吖啶-7,14-二酮(DMQA)、二苯锡(DPT)等;蓝色发光材料可以是9,10-二-2-萘蒽(ADN)、十二烷基琥珀酸酐(DSA)、三丁基膦(TBP)等。
电子传输层的材料可以是电子迁移率高的材料,示例的,电子传输层的材料可以是2-(4-联苯基)-5-苯基恶二唑(PBD)、2,5-二(1-萘基)-1,3,5-恶二唑(BND)、2,4,6-三苯氧基-1,3,5-三嗪(TRZ)等;
电子注入层的材料可以是氟化锂(LiF)、氧化锂(Li2O)、氧化锂硼(LiBO2)、硅酸钾(K2SiO3)、碳酸铯(Cs2CO3)及碱金属醋酸盐类CH3COOM,其中M可以是Li、Na、K、Rb、Cs中的一种。
S604、在电子注入层23上形成阴极1。
具体的,阴极的材料可以是Mg、Ag、Al、Li、K、Ca等金属,还可以是金属合金,示例的,阴极的材料还可以是镁银合金(MgxAg(1-x))、锂铝合金(LixAl(1-x))、锂钙合金(LixCa(1-x))或锂银合金(LixAg(1-x))。
S605、采用旋转涂覆法在阴极1上形成防反射层4。
具体的,涂覆溶液可以由丙烯酸树脂30%、异丙醇29%、丙酮10%、三氯乙烯10%、聚乙酸乙烯酯10%、聚乙烯醇10%、二氧化硅纳米颗粒1%构成,其中,中空二氧化硅纳米颗粒的平均粒径为60nm。
或者,涂覆溶液还可以由丙烯酸树脂30%、异丙醇27%、丙酮10%、三氯乙烯10%、聚乙酸乙烯酯10%、聚乙烯醇10%、二氧化硅纳米颗粒3%构成,其中,中空二氧化硅纳米颗粒的平均粒径为50nm。
或者,涂覆溶液还可以由丙烯酸树脂30%、异丙醇25%、丙酮10%、三氯乙烯10%、聚乙酸乙烯酯10%、聚乙烯醇10%、二氧化硅纳米颗粒5%构成,其中,中空二氧化硅纳米颗粒的平均粒径为40nm。
将上述涂覆溶液通过旋转涂覆法设置在阴极1之上,以形成防反射层4,该反射层的厚度范围为110nm-160nm,示例的,防反射层的厚度可以为110nm、120nm、130nm、140nm、150nm或160nm。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种有机发光二极管器件,包括:阴极、阳极以及位于所述阴极和所述阳极之间的有机功能层,所述阴极的材料为金属或金属合金,所述有机功能层发出的光至少经过所述阴极发出,其特征在于,还包括:防反射层,所述防反射层位于所述阴极远离所述有机功能层的一侧;所述防反射层包括相对的第一表面和第二表面,所述第一表面与所述阴极接触,外界光线在所述第一表面产生的反射光与所述外界光线在所述第二表面产生的反射光可发生干涉相消;
所述防反射层的材料为有机材料,且所述有机材料还掺入有散射颗粒;
所述有机材料主要由丙烯酸树脂、异丙醇、丙酮、三氯乙烯、聚乙酸乙烯酯和聚乙烯醇构成,其中,所述丙烯酸树脂的质量百分比范围为10%-40%,所述异丙醇的质量百分比范围为25%-29%、所述丙酮的质量百分比范围为5%-20%、所述三氯乙烯的质量百分比范围为5%-20%、所述聚乙酸乙烯酯的质量百分比范围为5%-20%、所述聚乙烯醇的质量百分比范围为5%-20%;
所述阳极的材料为ITO。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述散射颗粒为二氧化硅颗粒或二氧化钛颗粒。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述散射颗粒的质量百分比范围为1%-5%。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述散射颗粒的粒径范围为40nm-60nm。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述防反射层的透过率不低于50%。
6.根据权利要求1-5任一项所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述防反射层的厚度范围为110nm-160nm。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的有机发光二极管器件。
8.一种有机发光二极管器件的制作方法,包括:在衬底上形成阴极、阳极和有机功能层,其中,所述阴极的材料为金属或金属合金,所述有机功能层位于所述阴极和所述阳极之间,且所述有机功能层发出的光至少经过所述阴极发出;其特征在于,所述方法还包括:
在所述衬底上形成防反射层,其中,所述防反射层位于所述阴极远离所述有机功能层的一侧;所述防反射层包括相对的第一表面和第二表面,所述第一表面与所述阴极接触,外界光线在所述第一表面产生的反射光与所述外界光线在所述第二表面产生的反射光可发生干涉相消;
所述在所述衬底上形成防反射层具体为:
以掺入有散射颗粒的有机材料为涂覆液,采用旋转涂覆法形成防反射层;其中,所述散射颗粒为二氧化硅颗粒或二氧化钛颗粒,所述有机材料主要由丙烯酸树脂、异丙醇、丙酮、三氯乙烯、聚乙酸乙烯酯和聚乙烯醇构成,其中,所述丙烯酸树脂的质量百分比范围为10%-40%,所述异丙醇的质量百分比范围为25%-29%、所述丙酮的质量百分比范围为5%-20%、所述三氯乙烯的质量百分比范围为5%-20%、所述聚乙酸乙烯酯的质量百分比范围为5%-20%、所述聚乙烯醇的质量百分比范围为5%-20%,所述二氧化硅颗粒或所述二氧化钛颗粒的质量百分比范围为1%-5%;
所述阳极的材料为ITO。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510446946.5A CN105098095B (zh) | 2015-07-27 | 2015-07-27 | 一种有机发光二极管器件及其制作方法、显示装置 |
US15/133,806 US9735395B2 (en) | 2015-07-27 | 2016-04-20 | Organic light emitting diode device, manufacturing method thereof and display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510446946.5A CN105098095B (zh) | 2015-07-27 | 2015-07-27 | 一种有机发光二极管器件及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105098095A CN105098095A (zh) | 2015-11-25 |
CN105098095B true CN105098095B (zh) | 2017-05-31 |
Family
ID=54578086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510446946.5A Active CN105098095B (zh) | 2015-07-27 | 2015-07-27 | 一种有机发光二极管器件及其制作方法、显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9735395B2 (zh) |
CN (1) | CN105098095B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11362310B2 (en) * | 2017-11-20 | 2022-06-14 | The Regents Of The University Of Michigan | Organic light-emitting devices using a low refractive index dielectric |
CN108807479A (zh) | 2018-06-08 | 2018-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
JP7234514B2 (ja) * | 2018-06-13 | 2023-03-08 | Agc株式会社 | 光学積層体 |
CN110335955B (zh) * | 2019-04-24 | 2022-02-01 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板和显示装置 |
WO2021097722A1 (zh) * | 2019-11-20 | 2021-05-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板和显示装置 |
CN111477762A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-31 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示面板及其制备方法、电致发光显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1753593A (zh) * | 2004-09-24 | 2006-03-29 | 财团法人工业技术研究院 | 一种上发光有机发光元件 |
CN101957461A (zh) * | 2003-12-26 | 2011-01-26 | 富士胶片株式会社 | 抗反射薄膜、偏振片及其制备方法、液晶显示元件、液晶显示装置和图象显示装置 |
CN104183766A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 柔性倒置有机电致发光装置及制备方法、显示屏及其终端 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2352390A1 (en) * | 2001-07-04 | 2003-01-04 | Luxell Technologies Inc. | Contrast enhancement apparatus |
DE10252903A1 (de) | 2002-11-12 | 2004-05-19 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Organische elektrolumineszente Lichtquelle mit Antireflexionsschicht |
TW589923B (en) * | 2003-04-10 | 2004-06-01 | Toppoly Optoelectronics Corp | Organic light emitted display having anti-reflective and inert cathode |
US7245074B2 (en) * | 2003-07-24 | 2007-07-17 | General Electric Company | Organic electroluminescent devices having improved light extraction |
GB2447637B (en) * | 2004-08-04 | 2009-11-18 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic Electroluminescent Device |
JP2006244712A (ja) | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US20060232195A1 (en) * | 2005-04-14 | 2006-10-19 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
JP2008047340A (ja) | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8081368B2 (en) * | 2007-03-29 | 2011-12-20 | Bose Corporation | Selective absorbing |
CN103081112B (zh) * | 2010-09-30 | 2016-08-17 | 三菱综合材料株式会社 | 太阳能电池的防反射膜用组合物、太阳能电池的防反射膜、太阳能电池的防反射膜的制造方法及太阳能电池 |
CN103765588B (zh) * | 2011-06-06 | 2016-08-24 | 佛罗里达大学研究基金会有限公司 | 集成ir上转换器件和cmos图像传感器的红外成像器件 |
US9853220B2 (en) * | 2011-09-12 | 2017-12-26 | Nitto Denko Corporation | Efficient organic light-emitting diodes and fabrication of the same |
KR20190092492A (ko) * | 2011-10-13 | 2019-08-07 | 캄브리오스 필름 솔루션스 코포레이션 | 금속 나노와이어들을 통합한 전극을 갖는 광전기 디바이스들 |
KR20140032819A (ko) * | 2012-09-07 | 2014-03-17 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 다이오드용 반사 방지 필름과 이를 포함한 편광판 |
TWI495175B (zh) | 2012-11-16 | 2015-08-01 | Au Optronics Corp | 有機電致發光元件 |
-
2015
- 2015-07-27 CN CN201510446946.5A patent/CN105098095B/zh active Active
-
2016
- 2016-04-20 US US15/133,806 patent/US9735395B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101957461A (zh) * | 2003-12-26 | 2011-01-26 | 富士胶片株式会社 | 抗反射薄膜、偏振片及其制备方法、液晶显示元件、液晶显示装置和图象显示装置 |
CN1753593A (zh) * | 2004-09-24 | 2006-03-29 | 财团法人工业技术研究院 | 一种上发光有机发光元件 |
CN104183766A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 柔性倒置有机电致发光装置及制备方法、显示屏及其终端 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9735395B2 (en) | 2017-08-15 |
CN105098095A (zh) | 2015-11-25 |
US20170033318A1 (en) | 2017-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105098095B (zh) | 一种有机发光二极管器件及其制作方法、显示装置 | |
JP6220870B2 (ja) | 有機発光ダイオード(oled)素子用積層体、その製造方法、及びこれを備える有機発光ダイオード(oled)素子 | |
CN100463210C (zh) | 采用低电阻阴极的有机电致发光显示装置 | |
JP6345244B2 (ja) | 有機電子装置 | |
KR101727668B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
TWI625879B (zh) | 有機發光二極體裝置 | |
KR20110120850A (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
CN107112434B (zh) | 有机发光二极管 | |
CN103579520B (zh) | 有机发光二极管显示器件 | |
WO2020232965A1 (zh) | Oled显示面板及显示装置 | |
CN108598279B (zh) | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 | |
CN110277505A (zh) | 具有混合覆盖层的有机电致发光器件 | |
CN104465995A (zh) | 有机电致发光装置及其制备方法 | |
JP2004014360A (ja) | 有機el発光素子 | |
KR102430339B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
CN208173629U (zh) | 电极及有机电致发光装置 | |
CN111668282A (zh) | Oled显示面板及显示装置 | |
CN105206648A (zh) | 一种oled器件及其制备方法 | |
CN111293227B (zh) | 显示面板 | |
CN105590944A (zh) | Oled柔性显示器件 | |
CN107425140A (zh) | 一种oled器件结构 | |
CN208256731U (zh) | 顶发光有机电致发光装置 | |
TWI659555B (zh) | 具高光耦合功能透明電極之有機發光二極體 | |
TW201112859A (en) | System for displaying images | |
CN205752261U (zh) | 一种微腔oled器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |