TWI497379B - 指示體檢測裝置及檢測感測器 - Google Patents

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Description

指示體檢測裝置及檢測感測器
本發明，例如係有關於被使用在觸控面板中之指示體檢測裝置。更詳細而言，係有關於一種：能夠將與在相對於藉由手指或者是靜電筆等之指示體而被進行了指示操作輸入之面(指示操作輸入時指示體所能夠作接觸之面，以下稱為指示輸入面)而相交叉的方向上之指示體的移動相對應的與前述指示輸入面所相距之離隔位置以及對於前述指示輸入面之推壓力檢測出來者。
於先前技術中，作為在觸控面板等之中所使用的使用者之手指或者是專用之筆等的指示體之檢測方式，例如，係提案有靜電耦合方式(靜電電容方式)、電阻膜方式、電磁感應方法等之各種的感測方式。
在靜電耦合方式之指示體檢測裝置中，係如圖59中所示一般，將複數個的上部電極Ex和複數個的下部電極Ey，在指示輸入面之例如X軸方向(橫方向)以及Y軸方向(縱方向)上作並排，而使該些相互正交並且僅空出有些微之空隙地來作配列。藉由此，在上部電極Ex與下部電極Ey之間的重疊部分處，係形成有特定之靜電容量Co。
在此圖59之靜電耦合方式的指示體檢測裝置中，使用者之手指等的指示體，若是與指示輸入面相近接或者是相接觸，則在其與該部分之上部電極Ex之間，係被形成有靜 電容量Cf，其結果，該部分之上部電極Ex與下部電極Ey之間的電荷之移動量係變化。在靜電耦合方式之指示體檢測裝置中，係藉由將此電荷之移動量的變化檢測出來，而特定出在指示輸入面內的藉由指示體所指示了的位置。
此種之靜電耦合方式的指示體檢測裝置，從先前技術起，便在例如專利文獻1~3等之中有所記載。在專利文獻1中，係記載著將使用有正交展頻碼的代碼分割多重化方式適用在多使用者觸控系統中之技術。在專利文獻2中，係記載著使用有擬似隨機訊號之座標輸入裝置。又，在專利文獻3中，係記載著在靜電電容型座標裝置中所被使用的靜電筆。
又，有關於使用有電阻膜方式之指示體檢測、特別是同時地檢測出複數之指示體輸入的技術，例如係在專利文獻4中有所揭示。參考圖60，針對在此專利文獻4中所揭示之使用有電阻膜方式的指示體檢測技術作說明。
亦即是，在專利文獻4之指示體檢測裝置中，係將與圖59之例相同的被形成有複數個的上部電極Ex之電極薄片1001、和第1電阻體層1002、和第2電阻體層1003、以及與圖59之例相同的被形成有複數個的下部電極Ey之電極薄片1004，在與x軸以及y軸相正交之z軸方向上作層積並作配列。
於此情況，如同在圖60(B)之圖60(A)的剖面圖中所示一般，在被形成於電極薄片1001處之上部電極Ex上，係被形成有第1電阻體層1002，上部電極Ex與第1電阻體層 1002係被作電性連接。又，在被形成於電極薄片1004處之下部電極Ey上，係被形成有第2電阻體層1003，下部電極Ey與第2電阻體層1003，係被作電性連接。而，在第1電阻體層1002與第2電阻體層1003之間，係成為形成有些許之空隙AG。
此例之指示體檢測裝置，若是藉由手指等之指示體，而使得指示輸入面(於圖中之例中，係為電極薄片1001)在Z軸方向上被作推壓，則電極薄片1001，係如同圖60(C)之剖面圖中所示一般，該推壓部分係作彈性位移，第1電阻體層1002與第2電阻體層1003係成為相互接觸。而，若是從指示體而來之對於指示輸入面的推壓力變得越大，則第1電阻體層1002與第2電阻體層1003之間的接觸面積係變得越大。
如此一來，在該推壓部分之上部電極Ex與下部電極Ey之間，係成為中介存在有與第1電阻體層1002和第2電阻體層1003之兩者間的接觸面積相對應之可變電阻。於此情況，此可變電阻，若是第1電阻體層1002與第2電阻體層1003之間的接觸面積變得越大，則會變得越小。另外，當如圖60(B)中所示一般而並未被指示體所推壓時，由於第1電阻體層1002與第2電阻體層1003之間係略成為非接觸狀態，因此，可變電阻係成為略無限大。
故而，在圖60(B)之狀態下，就算是從上部電極Ex與下部電極Ey之其中一方的電極來施加電壓，該訊號電流亦並不會傳導至另外一方之電極處。而，若是第1電阻體 層1002與第2電阻體層1003相接觸，則從其中一方之電極而來的訊號電流，係經由可變電阻而開始流動至另外一方之電極處。而後，若是隨著推壓力之變大，而使得第1電阻體層1002與第2電阻體層1003之間的接觸面積變大，則從其中一方之電極所流動至另外一方之電極處的訊號電流，係因應於該接觸面積而變大。
由以上，可以得知，在電阻膜方式之指示體檢測裝置中，係藉由將上部電極Ex與下部電極Ey之間的電阻值之變化檢測出來，而特定出藉由指示體所作了指示的位置，並且，藉由其之電阻值，而將推壓力檢測出來。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2003-22158號公報
〔專利文獻2〕日本特開平9-222947號公報
〔專利文獻3〕日本特開平10-161795號公報
〔專利文獻4〕美國申請公開2009/0256817 A1
在上述之靜電耦合方式的指示體檢測裝置中，雖然能夠檢測出指示體接近指示輸入面一事、或者是作接觸之位置、亦或是與指示輸入面所相距之指示體的離隔位置，但是，係有著無法將對於輸入面之推壓檢測出來的問題。
另一方面，在使用有電阻膜方式之指示體檢測裝置的 情況中，指示體之對於指示輸入面的接觸(觸碰)位置之檢測感度(初期指壓感度)係為低，並且，亦有著完全無法將與指示輸入面所相距之指示體的離隔位置檢測出來的問題。
本發明，係有鑑於上述之點，而以提供一種：能夠得到指示體之從指示輸入面所離隔或者是與指示輸入面所作了接觸的位置，並且能夠得到與在指示體對於指示輸入面作推壓的狀態下的推壓力相對應的檢測輸出之指示體檢測裝置一事，作為目的。
而，本發明，係亦將進而成為能夠藉由較為簡單的構成來實現上述之指示體檢測裝置一事，作為目的。
為了解決上述課題，本發明，係提供一種指示體檢測裝置，其特徵為，具備有：檢測感測器，其係具有被配置在第1方向上的第1之複數導體、和被配置在與前述第1方向相交叉之第2方向上的第2之複數導體、和被配置在前述第1之複數導體與前述第2之複數導體間，並具備有特定之電阻特性的感壓材；和訊號供給電路，係用以將特定之訊號供給至前述第1之複數導體處；和訊號檢測電路，係用以從前述第2之複數導體而進行訊號檢測，前述檢測感測器，當指示體為位置在前述檢測感測器之近旁的情況時、以及當指示體與前述檢測感測器作接觸時所施加的壓力為較特定之壓力更小的情況時，係將與前述第1之複數導體 與前述第2之複數導體之間的靜電容量之變化相對應的訊號，供給至前述訊號檢測電路處，當前述指示體對於前述檢測感測器而施加了超過前述特定之壓力的壓力的情況時，係將與由於從前述指示體而來之前述壓力的對於前述感壓材之施加所導致的前述第1之複數導體與前述第2之複數導體之間的電阻特性之變化相對應的訊號，供給至前述訊號檢測電路處，藉由此，而成為能夠將由前述指示體所致之指示位置以及壓力檢測出來。
若依據上述構成之本發明之指示體檢測裝置，則訊號檢測電路，係將與第1之複數導體和第2之複數導體之間的靜電容量之變化相對應的訊號檢測出來，並能夠根據該檢測輸出來將由指示體所致之對於檢測感測器的例如接觸以及該位置檢測出來。
又，訊號檢測電路，係將與第1之複數導體和第2之複數導體之間的電阻特性之變化相對應的訊號檢測出來，並能夠根據該檢測輸出來將由指示體所致之對於檢測感測器而施加有壓力的指示位置檢測出來，並且亦能夠將該壓力檢測出來。
亦即是，若依據本發明之指示體檢測裝置，則藉由所謂的「以訊號檢測電路，來將與第1之複數導體以及第2之複數導體之間的靜電容量之變化相對應的訊號、和與第1之複數導體以及第2之複數導體之間的電阻特性之變化相對應的訊號檢測出來」之較為簡單的構成，係能夠將由指示體所致之指示位置以及壓力檢測出來。
若依據本發明，則能夠藉由較為簡單的構成，而得到一種：指示體之對於指示輸入面的接觸位置之檢測感度為高，並且能夠得到在指示體對於指示輸入面作推壓的狀態下之推壓力相對應了的檢測輸出之指示體檢測裝置。
以下，針對本發明所致之指示體檢測裝置的實施形態，參考圖面而依下述順序作說明。
1、第1實施形態：基本構成例
2、第2實施形態：並不進行檢測模式的切換之例
3、第3實施形態：將2個的檢測模式作並行實行之例
4、第4實施形態：作為展頻碼而使用哈德瑪得碼的情況時之改良構成例
5、第5實施形態：將檢測不均作了除去之例
6、第6實施形態：放大電路之自動增益控制
7、第7實施形態：在大型感測部的情況時之例
8、第8實施形態：使用被作了調變後之展頻碼的構成例
9、第9實施形態：展頻碼之其他供給方法
10、第10實施形態：受訊導體之選擇方法
11、第11實施形態：感測部之其他構成例
〔第1實施形態：基本構成例〕
此實施形態之指示體檢測裝置，係並非只有檢測出指示體之與指示輸入面之間的接觸以及由指示體所致之指示輸入面的推壓，而是亦將在指示輸入面上之空間中的指示體之位置、指示體之在指示輸入面處的接觸位置以及推壓位置(指示體座標位置)檢測出來。於此例中，所謂在指示輸入面上之空間中的指示體之位置，係指並未與指示輸入面相接觸而位在與指示輸入面相離隔了的空間位置處之指示體的位置，在此例中，係根據從指示體所相對於指示輸入面而拉下垂線時的指示輸入面之座標位置、和指示體之與指示輸入面所相距之離隔距離，而特定出來。
另外，在本說明書中，係將指示體存在於與指示輸入面相離隔了的空間位置處的狀態，稱為懸浮狀態。而，在本說明書中，係將從指示體所對於指示輸入面而拉下了垂線的方向，設為Z軸方向，在指示輸入面上之座標位置，係為藉由相互正交之X軸方向以及Y軸方向之位置所訂定出來者。
又，作為指示體，在以下之說明中，主要係針對使用使用者之手指的情況來作說明，但是，亦可將前述之靜電筆等作為指示體來使用。
又，在以下所說明之實施形態，係為能夠將同時地存在於指示輸入面處之複數的指示體(例如複數根的手指)檢測出來之例。
進而，以下所說明之實施形態，係具備有以能夠將在指示輸入面上之指示體的位置檢測以高速來進行的方式而 作了費心設計的構成。
〈第1實施形態之指示體檢測裝置的全體構成例：圖1〉
圖1，係為對於此第1實施形態之指示體檢測裝置1之全體構成例作展示的區塊圖。此實施形態之指示體檢測裝置1，係藉由身為檢測感測器之例的感測部100、和送訊部200、和受訊部300、和對於送訊部200以及受訊部300的動作作控制之控制電路40所構成。以下，針對各部之構成作說明。
控制電路40，係為用以對於此實施形態之指示體檢測裝置1的各部進行控制之電路，例如係搭載有微電腦所構成者。此控制電路40，係如圖1中所示一般，被與送訊部200之後述的送訊訊號供給電路21、和送訊導體選擇電路22、以及時脈產生電路23作連接，並且，亦和受訊部300之後述的受訊導體選擇電路31、和放大電路32、以及位置檢測電路34作連接。
而，控制電路40，係如同後述一般，根據從時脈產生電路23所輸出之時脈訊號CLK，來適當地產生以及輸出開始訊號ST、送訊載入訊號Stload以及受訊載入訊號Srload，並對於上述各部之動作時序作控制。
〈感測部100之說明〉 〔感測部100之構成例：圖1-圖2〕
參考圖1以及圖2，針對感測部100作說明。另外，圖2 (A)，係為圖1之感測部100處的X軸方向剖面圖，圖2(B)，係為圖1之感測部100處的Y軸方向剖面圖。
感測部100，係具備有：被與送訊部200作連接之複數個的第1電極、和被與受訊部300作連接之複數個的第2電極，並且，係具備有後述之感壓材。在以下之說明中，第1電極，係稱為送訊導體，由複數之第1電極所成之一群，係稱為送訊導體群11。在此實施形態中，送訊導體群11，例如係由64個的送訊導體11Y1~11Y64所成。又，在此實施形態中，第2電極，係稱為受訊導體，由複數之第2電極所成之一群，係稱為受訊導體群12。受訊導體群12，例如係由128個的受訊導體12X1~12X128所成。
另外，在此說明書之送訊導體的說明中，當並不需要對於送訊導體群11中之64根的送訊導體11Y1~11Y64係身為何者一事作區別時，係總稱為送訊導體11Y。同樣的，在受訊導體的說明中，當並不需要對於受訊導體群12中之128根的受訊導體12X1~12X128係身為何者一事作區別時，係總稱為受訊導體12X。
送訊導體11Y，係為在指示輸入面100S之橫方向(X軸方向)上作延伸的直線狀(板狀)之導體。於此例中，送訊導體11Y，係在圖2中所示之下側基板16上，如圖1中所示一般，在感測部100之縱方向(Y軸方向)上，隔出有等間隔地而被作了64根的配列，藉由此，而形成送訊導體群11。
又，受訊導體12X，係為在指示輸入面100S之縱方向 (Y軸方向)上作延伸的直線狀(板狀)之導體。於此例中，受訊導體12X，係在圖2中所示之上側基板17之下側處，如圖1中所示一般，在感測部100之橫方向(X軸方向)上，隔出有等間隔地而被作了128根的配列，藉由此，而形成受訊導體群12。
上側基板17之上側面，係被設為藉由手指或者是靜電筆等之指示體而被進行有指示操作輸入之指示輸入面100S。
下側基板16與上側基板17之間，係於Z軸方向上而隔開有特定之距離。而，送訊導體11Y與受訊導體12X，亦係在Z軸方向上空出有特定之距離的間隔地而相互對向，並且，送訊導體11Y與受訊導體12X，係以使延伸方向相互正交的方式而被作配置。
由於係如同上述一般地而構成，因此，複數根的送訊導體11Y之各個、和複數根的受訊導體12X之各個，於此例中，係在於Z軸方向上而空出有特定距離之間隔的狀態下，而相互在正交的方向上作交叉。在本說明書中，係將送訊導體11Y與受訊導體12X之間的交點，稱為交叉點(crosspoint)。在指示輸入面100S處之交叉點的座標位置，係成為由指示體所致之指示輸入的檢測座標位置。
又，雖係對於將被形成為直線狀之送訊導體11Y與受訊導體12X以相正交之方式來作了配置的情況而作例示並作了說明，但是，送訊導體11Y以及受訊導體12X之形狀，係因應於實施形態而被適當作設定。又，亦可設為使送 訊導體11Y與受訊導體12X以正交以外之角度、例如使送訊導體11Y與受訊導體12X作傾斜交叉的構成。又，亦可將送訊導體11Y以及受訊導體12X之至少其中一方藉由形成為曲線狀或者是同心圓狀的導體來構成之。例如，係可將複數之送訊導體11Y形成為直徑互為相異之圓形狀，並將此作同心圓狀配置，同時，將複數之受訊導體12X藉由從前述同心圓之中心起而以輻射狀來作了延伸的直線形狀之複數導體來形成之，並將該複數之直線形狀的導體在周方向上以等角間隔來作配置。
又，在電性特性上，若是將受訊導體12X之寬幅設為較送訊導體11Y之寬幅更細，則為理想。此係因為，藉由使浮游電容減少，能夠將混入至受訊導體12X中之雜訊降低之故。
而，送訊導體11Y以及受訊導體12X之各別的配置間隔(節距)，例如，係以均使其成為3.2mm的方式來作形成。另外，送訊導體11Y以及受訊導體12X之根數以及節距，係並不被限定於此，而係因應於感測部100之尺寸或是所需要之檢測精確度等來適宜作設定。
下側基板16以及上側基板17，例如係使用由透明之合成樹脂等所成的薄片狀(薄膜狀)之基板。上側基板17，係藉由當被指示體所作了推壓時而能夠在推壓方向上作彈性位移的材料所構成。下側基板16，由於係並不需要作彈性位移，因此，係亦可藉由玻璃基板或者是銅箔圖案基板來構成。
送訊導體11Y以及受訊導體12X，例如，係藉由銀圖案或者是由ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)膜所成之透明電極膜或者是銅箔等所形成者。送訊導體群11以及受訊導體群12之電極圖案，例如，係可如同下述一般地而形成。首先，將藉由上述之材料等所形成了的電極膜，例如藉由濺鍍法、蒸鍍法、塗布法等而分別形成在基板16以及基板17上。接著，對於所形成了的電極膜進行蝕刻，並分別形成特定之電極圖案的送訊導體群11以及受訊導體群12。另外，當將送訊導體11Y以及受訊導體12X藉由銅箔來形成的情況時，除了銅箔蝕刻以外，例如亦可使用噴墨印表機，來將包含有銅粒子之墨水噴附至玻璃板等之上並形成特定之電極圖案。
而，感壓材，係設為由第1電阻體與第2電阻體所成之構成。亦即是，如圖2中所示一般，在下側基板16上之送訊導體11Y之上，係被層積形成有第1電阻體(以下，稱為送訊電阻體)13Y。又，在上側基板17之下側的受訊導體12X之上，係被層積形成有第2電阻體(以下，稱為受訊電阻體)14X。送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X，係在與指示輸入面100S相正交的方向上，相互分離有些許之空隙15地而被作設置。
於此例中，在送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X處，於隔著空隙15而相對向之面的各個面處，係如圖2中所示一般，被形成有極微小的凹凸。如後述一般，在送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X相接觸了的狀態下之送訊導體11Y 與受訊導體12X之間的電阻值，係成為與送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X之該被形成有凹凸的兩對向面間之接觸面積相對應的值。
另外，雖係省略圖示，但是，在感測部100之周緣部的下側基板16與上側基板17之間，係被設置有用以維持空隙15之間隔物構件。亦即是，下側基板16與上側基板17，係隔著此間隔物構件而被作接合。
送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X，係為了將由指示體所致之推壓位置(X-Y座標位置)的檢測感度以及推壓力之檢測感度提升，而與送訊導體11Y以及受訊導體12X之各個相對應地來作為由相分離了的複數個所成之送訊電阻體以及受訊電阻體而形成之。
亦即是，送訊電阻體13Y，係如圖2(B)中所示一般，將送訊導體11Y之各個作覆蓋，並且，相鄰接之送訊電阻體13Y彼此，係以藉由空隙15Y而被作分離並成為電性獨立之狀態的方式而被形成。藉由以將送訊導體11Y作覆蓋的方式來設置送訊電阻體13Y，送訊導體11Y與送訊電阻體13Y之各個，係被作電性連接。
同樣的，受訊電阻體14X，係如圖2(A)中所示一般，將受訊導體12X之各個作覆蓋，並且，相鄰接之受訊電阻體14X彼此，係以藉由空隙15X而被作分離並成為電性獨立之狀態的方式而被形成。藉由以將受訊導體12X作覆蓋的方式來設置受訊電阻體14X，受訊導體12X與受訊電阻體14X之各個，係被作電性連接。
另外，送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X，係亦可如圖60中所示一般，設為設置在基板16以及基板17之一面的全體處。但是，若是將送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X之雙方均設置在基板16以及基板17之一面的全體處，則由於在指示體的檢測時之解析度係會降低，因此，係以將送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X之其中一方如同上述之例一般地而設為相互分離了的複數之電阻體的構成為理想。
送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X，例如，係藉由ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)或者是ATO(銻摻雜氧化錫)等之透明電阻膜所構成。另外，當指示體檢測裝置1係被使用在不需要配置於顯示畫面之前面的用途中的情況時，則當然的，構成送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X之材料，係並不被限定於透明之電阻膜材料。
本發明之指示體檢測裝置，係為能夠與液晶面板等之顯示裝置作一體性構成者，但是，於該情況，感測部100，係為被重疊在液晶面板上而作設置者。
〔在感測部100處之指示體檢測的原理說明：圖3~圖10〕
在此實施形態中，係從送訊部200而對於感測部100之送訊導體11Y的各個，來供給後述之送訊訊號。此送訊訊號，係作為電壓訊號而被供給至送訊導體11Y處。此送訊訊號(電壓訊號)，係被供給至送訊導體11Y與受訊導體12X之間的靜電容量Co處。在該靜電容量Co處，係流動有 因應於指示體之有無而作變化的電流，此電流，係流動至受訊導體12X處。
又，如後述一般，當藉由指示體而對於指示輸入面100S施加有推壓力，而送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X為相接觸的狀態時，因應於前述推壓力，送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X之間的接觸面積係改變。而，藉由被供給至送訊導體11Y處之送訊訊號(電壓訊號)，與送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X之間的接觸面積相對應了的電流，係流動至受訊導體12X處。
流動至受訊導體12X處之電流，係作為受訊訊號而被供給至受訊部300處。受訊部300，係為構成訊號檢測電路者，並將作為電流訊號所受訊了的受訊訊號變換為電壓訊號，而如同後述一般地得到指示體檢測結果。另外，在以下所說明之原理說明中，為了簡單化，係想定將相同之送訊訊號依序地使送訊時序作偏移地來供給至64根的送訊導體11Y1~11Y64處的情況。
〈指示體之從與指示輸入面相分離的狀態起直到接觸為止的檢測：靜電耦合方式、圖3~圖5〉
於此情況，當在身為感測部100之上側基板17之表面的指示輸入面100S上並不存在有手指等之指示體時，藉由被供給至送訊導體11Y處之送訊訊號(電壓訊號)，在受訊導體12X與送訊導體11Y之間的交叉點處的靜電容量Co中，係流動有電流。該電流，係流動至受訊導體12X處， 並作為受訊訊號(電流訊號)而被供給至受訊部300處。此事，由於在指示輸入面100S之全部的交叉點處均係成為相同，因此，當在指示輸入面100S上並不存在有手指等之指示體時，係如圖4(A)中所示一般，從受訊導體12X1~12X128之全部而將相同準位(相同電流值)之受訊訊號供給至受訊部300處。
另外，圖4(A)，係為對於在與任意之1根的送訊導體11Y相交叉之128根的受訊導體12X1~12X128之間的128個的交叉點處所流動之電流、亦即是對於從各受訊導體12X1~12X128所得到之受訊訊號作展示者。當在指示輸入面100S上並不存在有手指等之指示體時，在其他之全部的送訊導體11Y與128根的受訊導體12X1~12X128之間的交叉點處，亦同樣的，係如圖4(A)中所示一般，從受訊導體12X所供給至受訊部300處之受訊訊號，係成為相同準位。
另一方面，如圖3中所示一般，若是在指示輸入面100S上，作為指示體18之例的手指，係被放置在與指示輸入面100S相離隔了的近接位置處、或者是被放置在與指示輸入面100S作接觸的位置處，而進行指示輸入，則在該指示輸入位置處，藉由指示體18與受訊導體12X之間的耦合，係產生靜電容量Cfa、Cfb。如此一來，在與由指示體18所致之指示輸入位置相對應的交叉點處，藉由送訊訊號(電壓訊號)而流動致敬電容量Co中之電流的一部份，係成為通過靜電容量Cfa、Cfb並消失。
亦即是，當指示體18存在於感測部100之指示輸入面 100S上的情況時，如圖3中所示一般，由該指示體18所致之指示輸入位置的送訊導體11Y，係成為並非僅與受訊導體12X相耦合，而亦經由指示體18來與接地作了靜電耦合的狀態。在此狀態下，如同圖3中以箭頭所示一般，因應於送訊訊號而從被與送訊導體11Y作連接的送訊電阻體13Y所發出之電力線，係並非僅是通過受訊電阻體14X並在受訊導體12X處收斂，其之一部分係亦會在指示體18處收斂。因此，因應於送訊訊號而流動至受訊導體12X處之電流的一部份，係透過指示體18而分流至接地處。其結果，如圖4(B)中所示一般，在由指示體18所致之指示輸入位置處的受訊導體12X中所流動之電流，係較當並不存在有指示體18時的值ref(將此作為基準值)而更為減少。
藉由將此較基準值ref而更為減少的電流變化檢測出來，而將從相對於指示輸入面100S而離隔了的位置起直到接觸位置為止的由指示體18所致之指示輸入面100S上的指示輸入位置檢測出來。而後，藉由將產生了此減少的電流變化之交叉點的位置檢測出來，而將從相對於指示輸入面100S而離隔了的位置起直到接觸位置為止的由指示體18所致之指示輸入位置檢測出來。針對由指示體18所致之指示輸入位置的檢測，係於後詳述。
如同上述一般，當指示體18為存在於從與指示輸入面100S之間相離隔了的懸浮狀態起直到與指示輸入面100S作接觸的狀態為止之間的位置處的情況時，於本實施形態中，係藉由靜電耦合方式來進行指示體之檢測。
在此靜電耦合狀態方式中，從受訊導體12X所得到的作為電流訊號之受訊訊號，係在受訊部300處而被變換為電壓訊號。圖5，係為對於在靜電耦合方式中之電流-電壓變換電路(以下，稱為I/V變換電路)之基本構成例作展示之圖。
亦即是，在靜電耦合方式中，對於從受訊導體12X而來之受訊訊號(電流訊號)所設置的I/V變換電路，係如圖5中所示一般，在演算放大器51之輸入輸出端之間連接檢測用電容器52，而構成之。另外，實際上，在檢測用電容器52處，係被並聯地連接有直流偏壓用之電阻53。
〈由指示體所致之對於指示輸入面的推壓力之檢測：電阻膜方式、圖6~圖8〉
在上述之指示體從與指示輸入面相離隔了的狀態起直到接觸為止之在指示輸入面處並未被施加有推壓力的狀態下，送訊電阻體13與受訊電阻體14，係為隔著空隙15而相離隔的狀態，而並不會有電流通過此些之送訊電阻體13與受訊電阻體14來作流動的情形。故而，當在指示輸入面100S處並未被施加有由指示體18所致之推壓力的狀態時，如圖7(A)中所示一般，電流係並不會通過送訊電阻體13與受訊電阻體14而流動，在受訊導體12X處所流動之電流，係成為一定(=基準值ref)。
如圖6中所示一般，若是藉由指示體18，而從相對於指示輸入面100S而作接觸的狀態起更進而施加推壓力，則 被施加了該推壓力之上側基板17的部位係作位移，該部位之受訊電阻體14X與送訊電阻體13Y之兩對向面，係成為相接觸之狀態。
如此一來，藉由被供給至送訊導體11Y處之送訊訊號(電壓訊號)，在被施加了推壓力之位置的受訊導體12X處，係成為透過藉由相接觸了的受訊電阻體14X與送訊電阻體13Y所形成了的可變電阻VR之電阻值，而流動有電流。亦即是，在被施加有推壓力之位置處，係從送訊導體11Y而對於受訊導體12X來流動與被施加了該推壓力之部位的受訊電阻體14X與送訊電阻體13Y之間的接觸部分之可變電阻VR的電阻值相對應了的電流(參考圖7(B))。
受訊電阻體14X與送訊電阻體13Y之間的接觸部分之可變電阻VR的電阻值，係隨著其接觸面積變得越大而成為越小，在可變電阻VR處所流動之電流，係隨著接觸面積越大而變得越大。如同前述一般，送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X相接觸之面，係被形成有極細微的凹凸，若是由指示體18所致之對於指示輸入面100S的推壓力變得越大，則前述凹凸間之空隙係消失，受訊電阻體14X與送訊電阻體13Y之間的接觸面積係變大。
故而，若是藉由指示體18而對於指示輸入面100S施加有推壓力，則在該被施加了推壓力之部位處，電流係開始通過前述可變電阻VR而從送訊導體11Y來流動至受訊導體12X處，該電流量，係因應於推壓力而變大。亦即是，當 並未被施加有推壓力時，由於送訊電阻體13與受訊電阻體14係並未接觸，因此，電流係不會通過可變電阻VR而流動，從受訊導體12X所得到之電流係成為基準值ref，但是，若是被施加有推壓力，而送訊電阻體13與受訊電阻體14係成為相接觸的狀態，則電流係通過前述可變電阻VR而流動，從受訊導體12X所得到之電流，係朝向較基準值ref而更為增加的方向來作變化。
藉由將此一較基準值ref而更增加之方向的電流變化檢測出來，而將經由指示體18所施加在指示輸入面100S上之推壓力檢測出來。而後，藉由將產生了此較基準值ref而更增加之方向的電流變化之交叉點的位置檢測出來，而將對於指示輸入面100S而藉由指示體18所施加了推壓力之指示輸入位置檢測出來。
如同上述一般，針對由指示體18所致之對於指示輸入面100S的伴隨有推壓力之指示輸入，係藉由電阻膜方式而進行指示體之檢測。
在此電阻膜方式中而從受訊導體12X所得到之電流，亦係與靜電耦合狀態方式的情況相同地，在受訊部300處而被變換為電壓。但是，在電阻膜方式的情況時，電流檢測用之元件，係並非為電容器，而是被設為電阻，此點，係與靜電耦合方式的情況為相異。
圖8，係為對於在電阻膜方式中之I/V變換電路的基本構成例作展示之圖。在電阻膜方式中，對於從受訊導體12X所供給至受訊部300處之受訊訊號(電流訊號)而設置 的I/V變換電路，係如圖8中所示一般，在演算放大器51之輸入輸出端之間連接檢測用電阻54，而構成之。
如同以上所說明一般，在此實施形態中，在感測部100處，係能夠進行靜電耦合方式之指示體檢測(亦包含懸浮檢測)、和電阻膜方式之指示體檢測(亦包含推壓檢測)。
控制電路40，係根據被供給至受訊部300處之受訊訊號(電流訊號)的變化，而判斷出要將藉由受訊部300所實行之指示體檢測處理以靜電耦合方式或者是電阻膜方式的何者來實行之。具體而言，控制電路40，係根據從受訊導體12X所供給至受訊部300處之受訊訊號，當在較基準值ref而更減少的方向上產生了電流變化時，控制為藉由受訊部300來以靜電耦合方式而進行指示體檢測，當在較基準值ref而增加的方向上產生了電流變化時，則係控制為藉由受訊部300來以電阻膜方式而進行指示體檢測。另外，亦可並非使用控制電路40，而是在受訊部300處，設置對於要以何者之指示體檢測方式來實行指示體之檢測一事作決定的判定手段，並對於將在受訊部300處之指示體檢測方式設為何種方式一事作控制。
另外，在本說明書之以下的說明中，係將由靜電耦合方式所進行之指示體檢測模式，稱作電容觸碰檢測模式，並將由電阻膜方式所進行之指示體檢測模式，稱為電阻觸碰檢測模式。
〈在此實施形態中所使用之I/V變換電路的構成例〉
在此實施形態中，I/V變換電路，係有必要設為能夠進行上述之靜電耦合方式與電阻膜方式的雙方之指示體檢測方式的構成。針對能夠進行靜電耦合方式與電阻膜方式之雙方的指示體檢測方式之I/V變換電路的構成例，於以下作說明。
〔第1構成例：圖9〕
於圖9中，對於在此實施形態中所使用之I/V變換電路的第1構成例作展示。在此I/V變換電路之第1構成例中，係藉由開關電路55來對於靜電耦合方式與電阻膜方式作切換。
亦即是，在此第1構成例中，於演算放大器51之輸入輸出端之間，係被設置有：可藉由從外部而來之切換控制訊號SW1來對於端子C與端子R作切換之開關電路55、和靜電耦合方式用檢測用電容器52、以及電阻膜方式用檢測用電阻54。
而，在此開關電路55之端子C側和演算放大器51之輸出端之間，係被連接有靜電耦合方式用檢測用電容器52。另外，在檢測用電容器52處，係被連接有直流偏壓電阻53。又，在此開關電路55之端子R側和演算放大器51之輸出端之間，係被連接有電阻膜方式用檢測用電阻54。
在此第1構成例中，指示體檢測裝置1，係具備有電容觸碰檢測模式和電阻觸碰檢測模式之2個的指示體檢測模 式。而，切換控制訊號SW1，係在控制電路40或者是受訊部300處，根據前述之應以靜電耦合方式或者是電阻膜方式的何者之指示體檢測方式來實行指示體檢測處理一事之判定手段的判定結果，而被作產生，並供給至開關電路55處。亦即是，控制電路40或者是受訊部300，係根據從感測部100所輸入之電流訊號而產生切換控制訊號SW1。
而，在電容觸碰檢測模式中，開關電路55，係藉由此切換控制訊號SW1，而被切換至端子C側，在演算放大器51之輸入輸出端之間，係連接檢測用電容器52。
又，在電阻觸碰檢測模式中，開關電路55，係藉由切換控制訊號SW1，而被切換至端子R側，在演算放大器51之輸入輸出端之間，係連接檢測用電阻54。
另外，在圖9之例中，開關電路55，雖係被設置在演算放大器51之輸入端側處，但是，當然，係亦可設置在演算放大器51之輸出端側處。
〔第2構成例：圖10〕
此第2構成例，係為能夠共用在電容觸碰檢測模式和電阻觸碰檢測模式之2個的模式中之I/V變換電路的其中一例。亦即是，係為使與電容觸碰檢測模式和電阻觸碰檢測模式相對應之切換成為不必要的例子。
於圖10中，對於在此實施形態中所使用之I/V變換電路的第2構成例作展示。在此I/V變換電路之第2構成例中，係設為在演算放大器51之輸入輸出端之間，將靜電耦合 方式檢測用電容器52和電阻膜方式檢測用電阻54作了並聯連接之構成。
於此情況，如圖5中所示一般，在檢測用電容器52處，係被連接有直流偏壓用電阻53。故而。若是電阻膜方式之檢測用電阻54與檢測用電容器52之直流偏壓用電阻53係為相等之電阻值，則如同第1構成例一般之模式切換開關電路55係成為不必要。又，於此情況，當檢測用電阻54之電阻值R，在將檢測用電容器52之靜電容量設為C時，係滿足R≒1/j ω C的情況時，I/V變換電路，係可設為此第2構成例。
在此第2構成例中，電容觸碰檢測模式和電阻觸碰檢測模式之切換，基本上係成為不必要。另外，當設為檢測出是以何者之檢測模式而進行了指示體檢測一事，並將該模式檢測結果作輸出的情況時，係與第1構成例相同的，設為藉由控制電路40或者是受訊部300來判定出是以何種的檢測方式來進行指示體檢測，並將該判定結果作輸出。
〈用以檢測出指示體之指示輸入位置(交叉點位置)的構成部分之說明〉
在此實施形態中，於靜電耦合方式之指示體檢測的情況、和電阻膜方式之指示體檢側的情況中，關於指示體之 指示輸入位置的檢測之處理方法，係進行有完全相同之檢測處理動作。
若是在送訊導體11Y之各個和受訊導體12X之各個的全部之交叉點處，而實行靜電耦合方式之指示體檢測與電阻膜方式之指示體檢測，則係能夠進行有關於是在何者的交叉點處而被進行了由指示體所致之指示輸入一事的位置檢測。
於此情況，係設為將1個(1種)送訊訊號依序供給至全部的交叉點之送訊導體處，並且，在受訊部300處，針對從送訊訊號被供給至送訊導體處了的交叉點處之受訊導體而來的受訊訊號，而進行指示體檢測，藉由此，而能夠進行由指示體所致之指示輸入位置的檢測。但是，若是設為此種構成，則由於係成為對於多數之交叉點的每一者而實行指示體檢測，因此，直到得到對於指示輸入面100S之全部的交叉點之指示體檢測的結果為止，係會耗費長時間，在實用性上係並不理想。
另一方面，可以考慮到下述之構成：亦即是，準備與送訊導體11Y之根數相等的複數個之送訊訊號，並且，在受訊部300處，對於受訊導體12X之各個而設置I/V變換電路，來進行指示體檢測。於此情況，係對於全部的送訊導體11Y，而同時性地供給可藉由受訊部300來作辨別之互為相異的送訊訊號，並且，在受訊部300處，將從全部的受訊導體而來之受訊訊號，藉由各個的I/V變換電路而同時地變換為電壓訊號，來進行指示體檢測。在受訊部300處 ，藉由將從複數之I/V變換電路而來的受訊訊號同時作處理，由於係能夠得到關於指示輸入面100S之全部的交叉點之指示體檢測結果，因此，係能夠非常高速地得到處理結果。
但是，在設為此種構成的情況中，硬體構成係成為膨大，並使成本提高，又，亦會有指示體檢測裝置變得大型化的問題。
在此實施形態中，有鑑於此問題點，係以在對於不會使硬體規模變得膨大一事作了考慮的同時，亦能夠高速地得到指示體檢測結果的方式，來構成送訊部200以及受訊部300。
亦即是，在此實施形態中，送訊導體群11之複數根的送訊導體11Y，係被分割為分別由相同數量之複數根的送訊導體11Y所成之複數個的群組，並對於各群組，而分配有互為相異之送訊訊號。在以下之說明中，係將由複數根的送訊導體11Y所成之群組，稱為送訊區塊。作為相異之送訊訊號，如同後述一般，在此實施形態中，係使用碼互為相異之展頻碼。
在此實施形態中，係對於從在複數個的送訊區塊之各個中所包含之複數根的送訊導體11Y而選擇了的1根之送訊導體11Y，而將前述相異之送訊訊號同步地同時作供給。而，在各送訊區塊中，係反覆進行下述動作：亦即是，對於所選擇之1根的送訊導體作切換，並對於切換後的送訊導體11Y之各個，而將於每一送訊區塊中而互為相異之送 訊訊號同步地同時作供給之動作。若是結束了對於送訊區塊內之全部的送訊導體11Y之送訊訊號的供給，則係回到對於在該送訊區塊內而最初所選擇了的送訊導體11Y作選擇之狀態，並反覆進行以上之處理。
藉由此，在受訊導體12X之各個處，從複數個的送訊區塊而來的與相異之送訊訊號(電壓訊號)相對應了的電流，係成為以被作了多重化的狀態來流動。而後，如後述一般，受訊部300，係構成為能夠將從此受訊導體12X之各個而來的電流訊號之各個，與送訊訊號之送訊時序同步地而檢測出來。
亦即是，在此實施形態中，作為送訊訊號，由於係使用碼互為相異之展頻碼，因此，在受訊部300處，係設為將關連於該互為相異之展頻碼的各個之相關值，同時並列性地檢測出來。而後，根據該檢測出了的相關值，來檢測出在受訊導體12X處所流動之電流的變化，藉由此，而得到有關於是否藉由指示體而在指示輸入面100S之任一者的交叉點處被進行的指示輸入一事之檢測輸出。
控制電路40，係為了實現如同上述一般之送訊部200以及受訊部300處的動作，而與對於各送訊區塊內之複數根的送訊導體11Y之前述的切換時序同步地，來對於在受訊部300處之對於受訊導體12X的切換時序作控制。
藉由如同上述一般地來構成，若是將送訊區塊之數量設為N(N為2以上之整數)，則係成為能夠以相較於對所有的交叉點而依序作探索的情況時的N倍之速度(處理時 間為1/N)，來進行指示體檢測處理。
〔送訊部200之構成例：圖11-圖13〕
為了滿足上述之功能，此實施形態之送訊部200，係具備有送訊訊號供給電路21、和送訊導體選擇電路22、以及時脈產生電路23，而構成之。
在此實施形態中，如圖11中所示一般，64根的送訊導體11Y1~11Y64，例如係被分割為各由4根所成之16個的送訊區塊TB1~TB16。故而，送訊訊號供給電路21，係需要產生16個的相異之送訊訊號，在此例中，作為送訊訊號，係使用有16個的相異之展頻碼。
另外，作為相異之展頻碼，亦可使用將1個的展頻碼而各作了一碼片或者是複數碼片之量的相位偏移者。
特別是，在此例中，係配合於送訊區塊之數量，而考慮如圖12中所示一般之16行×16列的哈德瑪得行列，並將構成此哈德瑪得行列之各行(各列亦為相同)的16碼片之哈德瑪得碼，作為16個的展頻碼C1~C16來使用。此16個的哈德瑪得碼，係為相互具備有正交關係之碼列。
此例之送訊訊號供給電路21，係如圖11中所示一般，為由16個的展頻碼產生電路2101、2102、…、2116所成。展頻碼產生電路2101、2102、…、2116，係分別產生由相互正交之哈德瑪得碼所成的展頻碼C1、C2、…、C16。
在展頻碼產生電路2101、2102、…、2116處，係分別從時脈產生電路23而被輸入有時脈訊號CLK。另外，從時 脈產生電路23所輸出之時脈訊號CLK，係亦作為時脈訊號而被輸入至控制電路40中。
各展頻碼產生電路2101、2012、…、2116，係根據控制電路40之控制，而與從時脈產生電路23所供給而來之時脈訊號CLK同步地來在每一碼片處輸出展頻碼C1、C2、…、C16。於此例中，各展頻碼產生電路2101、2102、…、2116，係藉由分別在時脈訊號CLK之每一週期處，而產生展頻碼之1碼片的資料，來在時脈訊號CLK之16週期中，分別產生由16碼片PN1、PN2、…、PN16所成之展頻碼C1、C2、…、C16。亦即是，此展頻碼產生電路2101、2102、…、2116，係在時脈訊號CLK之每16週期中，而將由16碼片PN1、PN2、…、PN16所成之展頻碼C1、C2、…、C16分別週期性地反覆產生。
另外，在以下之說明中，為了方便，係將身為時脈訊號CLK之16週期之量的16碼片PN1、PN2、…、PN16，稱為展頻碼C1、C2、…、C16之一個週期。
展頻碼產生電路2101、2102、…、2116，係將產生了的展頻碼C1、C2、…、C16供給至送訊導體選擇電路22處。
另外，此送訊訊號供給電路21，係亦可設為下述之構成：亦即是，在由ROM等所成之非揮發性記憶體中，而將展頻碼C1、C2、…、C16之資料預先作保持，並藉由對於該非揮發性記憶體之讀出位址作控制，而將複數個的展頻碼C1、C2、…、C16作輸出。
送訊導體選擇電路22，係如圖11中所示一般，為由與16個的送訊區塊TB1~TB16之各個相互對應之16個的開關電路2201~2216所成。開關電路2201~2216之各個，係為1輸入4輸出之開關電路。在此些之開關電路2201~2216的各個處，係被輸入有從相對應之展頻碼產生電路2101~2116之各個而來的展頻碼C1、C2、…、C16。而，開關電路2201~2216之各個，係將構成所對應之送訊區塊TB1~TB16之4根的送訊導體11Y中之1根的送訊導體，選擇性地與前段之展頻碼產生電路2101~2116作連接，並供給展頻碼。
開關電路2201，係為與送訊區塊TB1相對應者，並作為將被輸入至該開關電路2201中之展頻碼C1作供給之送訊導體，而對於送訊區塊TB1之4根的送訊導體11Y1、11Y2、11Y3、11Y4一次一根地依序作切換。又，開關電路2202，係為與送訊區塊TB2相對應者，並作為將被輸入至該開關電路2202中之展頻碼C2作供給之送訊導體，而對於送訊區塊TB2之4根的送訊導體11Y5、11Y6、11Y7、11Y8一次一根地依序作切換。關於其他之開關電路2203~2216之各個，亦為相同，並作為將被輸入至其之各個處的展頻碼作供給之送訊導體，而將相對應的送訊區塊TB3~TB16之各個中的4根的送訊導體一次一根地依序作切換。
在此些之開關電路2201~2216處，係從控制電路40而被供給有切換控制訊號SW2。控制電路40，係根據時脈訊號CLK而產生此切換控制訊號SW2。控制電路40，係作為 將「身為展頻碼之1週期」的「時脈訊號CLK之16週期」作為1個週期之脈衝訊號，而產生切換控制訊號SW2。
開關電路2201~2216，係藉由此切換控制訊號SW2，而在時脈訊號CLK之每16週期中，對於供給展頻碼之送訊導體11Y作切換。亦即是，開關電路2201~2216，係藉由切換控制訊號SW2，而在結束了對於各個的選擇中之送訊導體11Y所進行的由16碼片所成之展頻碼的1週期之量的供給後，切換至下一個的送訊導體11Y。
於圖13中，展示此時之開關電路2201~2216的切換動作例。在此圖13之例中，藉由開關電路2201~2216，最初，16根的送訊導體11Y4、11Y8、…、11Y60、11Y64係被作選擇。而後，在藉由此開關電路2201~2216所選擇了的送訊導體11Y4、11Y8、…、11Y60、11Y64處，係被供給有展頻碼C1、C2、…、C15、C16之各個。
於此狀態下，若是經過了時脈訊號CLK之16週期，則展頻碼C1、C2、…、C15、C16之各個的1個週期，係被供給至了16根的送訊導體11Y4、11Y8、…、11Y60、11Y64處。而，於此時間點處，藉由切換控制訊號SW2，開關電路2201~2216之各個，係將作選擇的送訊導體11Y，於此例中係切換至索引號碼變小之相鄰的送訊導體處。
而後，當在各送訊區塊TB1~TB16內之最小索引標號的送訊導體11Y1、11Y5、…、11Y57以及11Y61係藉由開關電路2201~2216而被作了選擇，並進行了展頻碼C1~C16之供給後，係再度藉由開關電路2201~2216而對於各送訊 區塊內之最大索引標號的送訊導體11Y4、11Y8、…、11Y60以及11Y64作選擇。藉由在各送訊區塊內對於上述切換動作作反覆進行，係對於全部的送訊導體11Y而供給展頻碼C1~C16。
如同上述一般，在送訊部200處，於複數個的送訊區塊中，藉由同步地進行送訊導體11Y之切換，在每一送訊區塊處而互為相異之複數個的展頻碼，係同時地被供給至複數根之送訊導體11Y處。故而，將送訊訊號供給至感測部100之全部送訊導體處的時間，由於係可相較於將送訊訊號一次一根地供給至送訊導體處的情況時而縮短為1/N(N為送訊區塊數)的時間，因此，係能夠將對於感測部100之全部的送訊導體作供給的時間縮短。
而，相較於對於全部的送訊導體11Y而準備有互為相異之送訊訊號的情況，將送訊訊號供給至感測部100之全部送訊導體處的時間雖係會變慢，但是，被作為送訊訊號之複數的展頻碼，由於係可設為1/N(N為送訊區塊數)，因此，係能夠使電路規模成為較為小規模。
另外，開關電路2201~2216之切換動作的處理程序，係並不被限定於上述之例。例如，在各送訊區塊內的送訊導體11Y之切換，雖係設為在展頻碼之每一週期而進行，但是，亦可設為在展頻碼之每複數週期而進行。又，展頻碼，係亦可設為以將1碼片在時脈訊號CLK的每「送訊區塊內之送訊導體之數量個」之週期處來產生，並將在各送訊區塊內之送訊導體11Y的切換，設為在時脈訊號CLK之 每一週期處來進行。
〔受訊部300之構成例：圖14-圖22〕
受訊部300，係藉由將從受訊導體12X之各個所得到的受訊訊號(電流)作放大並進行檢測出前述之電流變化的訊號處理，來進行指示體之檢測。
於此，若是對於從各受訊導體12X所得到了的受訊訊號而依序進行上述之訊號處理，則直到其之結束為止，會耗費長時間。因此，係可考慮到：在各受訊導體12X處設置進行上述之訊號處理的專用之處理電路，並針對全部的受訊訊號而同時地進行訊號處理，以實現高速化。但是，如此一來，會造成電路規模或者是成本的問題，而並不現實。
因此，在此實施形態中，於受訊部300處，係藉由構成為在複數之受訊導體12X處而將處理電路作共用，來將電路規模設為小規模。亦即是，係將受訊導體群12之複數根的受訊導體12X，分割為分別由相同數量的複數根之受訊導體12X所成之複數個的群組，並設為對於各個的群組，而設置放大器以及I/V變換電路等。在以下之說明中，係將由複數根的受訊導體12X所成之群組，稱為檢測區塊。
於此例中，構成受訊導體群12的複數之受訊導體12X1~12X128，係如圖14中所示一般，被分割為各由8根所成之16個的檢測區塊DB1~DB16。而後，從被包含在16個的 檢測區塊DB1~DB16之各個中的8根之受訊導體12X，來依序切換選擇1根的受訊導體12X，並實行受訊部300之處理。藉由設為此種構成，相較於對於從全部的受訊導體12X而來之受訊訊號而一次一根地依序進行處理的情況，係成為能夠以1/檢測區塊數的處理時間來進行對於全部的受訊導體12X之處理，而處理速度係成為高速。
受訊部300，係如圖1中所示一般，具備有：受訊導體選擇電路31、和放大電路32、和A/D(Analog to Digital)變換電路33、和位置檢測電路34，而構成之。位置檢測電路34，係為構成根據從A/D變換電路33而來之輸出而得到指示體檢測輸出的檢測手段者。在此實施形態中，由於在送訊訊號中，係使用有碼互為相異之複數個的展頻碼，因此，位置檢測電路34，係由用以將此碼互為相異之複數個的展頻碼檢測出來之演算處理電路35、和將指示體檢測輸出作輸出之輸出電路36，而構成之。
針對演算處理電路35，係於後詳述。輸出電路36，係根據藉由演算處理電路35所檢測出了的相關值輸出，而得到與指示體之指示輸入位置以及懸浮狀態或者是推壓力相對應了的輸出，並作為指示體檢測裝置1之輸出訊號而作送出。
〔受訊導體選擇電路31之構成例：圖14、圖15〕
於此實施形態中，如同前述一般，構成受訊導體群12的複數之受訊導體12X1~12X128，係被分割為各由8根所 成之16個的檢測區塊DB1~DB16。
而，受訊導體選擇電路31，係如圖14中所示一般，為由與16個的送訊區塊DB1~DB16相互對應之16個的開關電路3101~3116所成。開關電路3101~3116之各個，係為8輸入1輸出之開關電路。在此些之開關電路3101~3116的各個處，係被輸入有從相對應之檢測區塊DB1~DB16的各個之8根的受訊導體12X而來之受訊訊號。而，開關電路3101~3116之各個，係對於所對應之檢測區塊DB1~DB16的各個之8根的受訊導體12X中之1根作選擇，並與後段之放大電路32的I/V變換電路3201~3216作連接，而供給受訊訊號。
具體而言，開關電路3101，係為與檢測區塊DB1相對應者，並對於該檢測區塊DB1之8根的受訊導體12X1、12X2、…、12X8一次一根地依序作切換。又，開關電路3102，係為與檢測區塊DB2相對應者，並對於該檢測區塊DB2之8根的受訊導體12X9、12X10、…、12X16一次一根地依序作切換。關於其他之開關電路3103~3116之各個，亦為相同，並對於相對應的檢測區塊DB3~DB16之各個中的8根的受訊導體一次一根地依序作切換。
在此些之開關電路3101~3116處，係從控制電路40而被供給有切換控制訊號SW3。控制電路40，係根據時脈訊號CLK而產生此切換控制訊號SW3。控制電路40，係作為將「時脈訊號CLK之16×4週期」(展頻碼之4週期)作為1個週期之脈衝訊號，而產生切換控制訊號SW3。
開關電路3101~3116，係藉由此切換控制訊號SW3，而在時脈訊號CLK之每16×4週期中，對於所選擇之受訊導體12X作切換。亦即是，開關電路3101~3116之各個，係在每對於全部之送訊導體11Y而供給完了16種的展頻碼時，將所對應之檢測區塊DB1~DB16的受訊導體，切換至下一個的受訊導體12X。
而後，從開關電路3101~3116之各個而來的輸出訊號S1~S16，係被供給至放大電路32處。
於圖15中，展示此時之開關電路3101~3116的切換動作例。於此圖15之例中，開關電路3101、3102、…、3116，最初，係對於16根的受訊導體12X1、12X9、…、12X121作選擇，並將在該些之受訊導體12X1、12X9、…、12X121處所得到的受訊訊號，作為輸出訊號S1、S2、…、S16而輸出至放大電路32處。
於此狀態下，若是經過了時脈訊號CLK之16×4週期，則展頻碼C1、C2、…、C15、C16之各個的1個週期，係被供給至了全部的送訊導體11Y處。而，於此時間點處，藉由切換控制訊號SW3，開關電路3101~3116之各個，係將作選擇的受訊導體12X，切換為對於索引號碼變大之相鄰的受訊導體作選擇之狀態。
而後，當在各檢測區塊DB1~DB16內之最大索引標號的受訊導體12X8、12X16、…、12X120以及12X128係藉由開關電路3101~3116而被作了選擇，並進行了展頻碼C1~C16之供給後，係再度藉由開關電路3101~3116而對於各 檢測區塊內之最小索引標號的受訊導體12X1、12X9、…、12X121作選擇。藉由在各檢測區塊內反覆進行上述切換動作，能夠得到從全部的受訊導體12X而來之受訊訊號。
如同上述一般，從受訊導體選擇電路31之開關電路3101~3116的各個所得到之從檢測區塊DB1~DB16內的各一根之受訊導體12X而來之受訊訊號(電流訊號)，係作為輸出訊號S1、S2、…、S16，而被輸出至放大電路32處。
另外，較理想，並未在開關電路3101~3116處而被作選擇的受訊導體12X，係被與任意之基準電位或者是接地作連接。如此這般，藉由將在開關電路3101~3116中而並未被選擇之受訊導體12X與任意之基準電位或者是接地相連接，由於係能夠避免並未被作選擇之受訊導體12X的雜訊，因此，係能夠將雜訊耐性提升。又，亦能夠將送訊訊號之繞入降低。進而，受訊導體12X之切換動作的處理程序，係並不被限定於上述之例。針對其之變形例，係於後詳述。
〔放大電路32之構成例：圖14〕
放大電路32，係由與檢測區塊DB1~DB16之各個相對應之16個的I/V變換電路3201、3202、…、3216所成。
在此實施形態中，作為I/V變換電路3201~3216之各個，係將使用有在如圖9中所示之電容觸碰檢測模式和電阻觸碰檢測模式中而將檢測用電容器52與檢測用電阻54藉由開關電路55來作切換之構成者，作為例子來作說明。另 外，在圖14中，雖係僅針對I/V變換電路3201，而對於其之內部電路作了展示，但是，其他的I/V變換電路3202~3216之各個的內部電路，亦係與I/V變換電路3201之內部電路完全相同，故省略其圖示。
從受訊導體選擇電路31而來之輸出訊號S1、S2、…、S16，係分別被供給至放大電路32之相對應之檢測區塊用的I/V變換電路3201、3202、…、3216之各個處。
各I/V變換電路3201~3216，係從構成受訊導體選擇電路31之開關電路3101~3116的各個，而將各檢測區塊DB1~DB16的輸出訊號(電流訊號)S1、S2、…、S16變換為電壓訊號，並作放大而作輸出。在此I/V變換電路3201~3216處而被變換為電壓訊號的輸出訊號S1、S2、…、S16，係被輸入至A/D變換電路33中。
此實施形態之指示體檢測裝置1，係具備有電容觸碰檢測模式和電阻觸碰檢測模式，控制電路40，係進行其之模式管理以及模式切換控制。
控制電路40，係如同後述一般，根據從受訊部300而來之資訊，而判斷出指示體是以電容觸碰檢測模式和電阻觸碰檢測模式之何者的檢測模式來進行檢測，並因應於該判定結果，而產生模式切換控制訊號SW1。而後，控制電路40，係將所產生了的模式切換控制訊號SW1，供給至各I/V變換電路3201~3216之開關電路55處，並進行模式切換。
〔A/D變換電路33之構成例：圖16〕
A/D變換電路33，係具備有與檢測區塊數相同數量、亦即是16個的A/D變換器3301~3316。在I/V變換電路3201~3216處而被變換為電壓訊號的輸出訊號S1、S2、…、S16，係被輸入至各A/D變換器3301、3302、…、3316處，並藉由時脈訊號CLK之時序而被作取樣。而後，A/D變換器3301、3302、…、3316之各個，係將取樣值之各個，變換為n位元(n為2以上之整數)、例如8位元之數位樣本資料，並作輸出。
從A/D變換電路33所輸出之輸出訊號S1、S2、…、S16的數位樣本資料，係被供給至位置檢測電路34之演算處理電路35處。故而，此數位樣本資料，係成為與分別被供給至感測部100之送訊導體11Y處的展頻碼之各碼片相對應了的訊號。但是，在得到輸出訊號S1、S2、…、S16之各個的各受訊導體12X處，由於係多重流動有藉由使16種之展頻碼同步地來同時供給至16根之送訊導體11Y處一事所得到的電流，因此，與展頻碼之各碼片相對應的輸出訊號S1、S2、…、S16之數位樣本資料，係成為將16種的展頻碼之各碼片的值作了合成(加算)者。
另外，A/D變換電路33，係並非僅存在有由16個的A/D變換器3301~3316所成的情況，就算是1個或者是16以外之複數個的A/D變換器，亦可作實施。
〔位置檢測電路34之構成例：圖16〕
位置檢測電路34，係為構成根據從A/D變換電路33所供給而來之數位樣本資料而進行指示體檢測的檢測手段者。此位置檢測電路34，由於在送訊訊號中，係使用有碼互為相異之複數個的展頻碼，因此，係由用以將此碼互為相異之複數個的展頻碼檢測出來之演算處理電路35、和將指示體檢測輸出作輸出之輸出電路36，而構成之。
針對演算處理電路35，係於後詳述。輸出電路36，係根據藉由演算處理電路35之相關值算出電路3501~3516所檢測出了的相關值，而得到與指示體之指示輸入位置以及懸浮狀態或者是推壓力相對應了的輸出，並作為指示體檢測裝置1之輸出訊號而作送出。
演算處理電路35，係由與檢測區塊數相同之數量、亦即是16個的相關值算出電路3501、3502、…、3516所成，輸出訊號S1、S2、…、S16的數位樣本資料，係被供給至相關值算出電路3501、3502、…、3516之各個處。
其之詳細內容雖係於後再述，但是，相關值算出電路3501、3502、…、3516，係分別具備有用以將與展頻碼之1週期相對應的輸出訊號S1、S2、…、S16之數位樣本資料作保持的橫移暫存器。而，輸出訊號S1、S2、…、S16之數位樣本資料，係與時脈訊號CLK同步地，而在相關值算出電路3501、3502、…、3516之各個的橫移暫存器中。各被保持有展頻碼之1週期。
而後，相關值算出電路3501、3502、…、3516，係對於被保持在此橫移暫存器中之輸出訊號S1、S2、…、S16的 數位樣本資料、和相關值演算用碼，進行相關演算，並將兩者之相關值輸出。
而後，藉由相關值算出電路3501、3502、…、3516之各個所算出的相關值，係被供給至輸出電路36處。
此輸出電路36，係由記憶電路36M和位置算出電路361所成。輸出電路36，係將藉由相關值算出電路3501、3502、…、3516之各個所算出的相關值，寫入至記憶電路36M中並暫時作保持。而後，被記憶在記憶電路36M中之相關值，係被供給至位置算出電路361處。位置算出電路361，係根據記憶電路36M之相關值資料來產生特定之輸出形式的輸出資料並作輸出。針對在輸出電路36處之處理以及輸出資料，係於後再述。
〈位置算出電路361之例〉
位置算出電路361，係將被記憶在記憶電路36M中之全部的相關值與基準值ref作比較，並將得到了與此基準值ref相異之相關值的交叉點檢測出來。
亦即是，位置算出電路361，若是檢測出得到了與基準值ref相異之相關值的交叉點，則係根據該相關值所被作記憶之記憶電路36M的位址位置，來檢測出所對應之交叉點的座標位置。如此這般，位置算出電路361，由於係能夠藉由對於各相關值與基準值ref作比較，來針對各交叉點而獨立地進行指示體檢測，因此，就算是在對於指示輸入面100S而同時地被進行有由複數之指示體所致之指示輸入 的情況時，亦能夠將該複數之指示體同時地檢測出來。例如，當藉由10根的手指而同時地對於指示輸入面100S作了觸碰的情況時，位置算出電路361係能夠將該10根的手指之全部的輸入指示位置檢測出來。
又，在例如使手指整根放平並以橫跨複數之交叉點的方式而與指示輸入面作了接觸的情況等時，於該些之複數的交叉點處，係得到代表檢測出指示體的相關值。故而，位置算出電路361，係能夠得到與手指之指示輸入狀態相對應了的指示體檢測結果。
另外，當得到了與基準值ref相異之相關值的交叉點係存在有複數，且此些係為相互鄰接的情況時，作為指示體檢測輸出，若是設為亦將該複數之交叉點所佔據的面積計算出來，則為理想。
又，位置算出電路361，係藉由在被記憶於記憶電路36M處的相關值中是否存在有超過基準值ref之相關值一事，來判定被記憶在此記憶電路36M中之相關值是由電容觸碰檢測模式所致的指示體之檢測結果或者是由電阻觸碰檢測模式所致的指示體之檢測結果，並將該判定結果，例如作為旗標而輸出。故而，若是被輸出了的旗標係代表電容觸碰檢測模式，則代表指示體係身為從指示輸入面100S而作了離隔的狀態或者是正作接觸的狀態。又，若是被輸出了的旗標係代表電阻觸碰檢測模式，則代表指示體係身為正對於指示輸入面100S而作推壓的狀態。
而，位置算出電路361，當被記憶在記憶電路36M中之 相關值係為基準值ref以下的情況時、亦即是當判定被記憶在記憶電路36M中之相關值係為由電容觸碰檢測模式所致的指示體之檢測結果時，於此實施形態中，係亦進行懸浮狀態之檢測。又，位置算出電路361，當被記憶在記憶電路36M中之相關值係為較基準值ref而更大的情況時、亦即是當判定被記憶在記憶電路36M中之相關值係為由電阻觸碰檢測模式所致的指示體之檢測結果時，係亦進行由指示體所致之推壓力的檢測。
〔送訊導體以及受訊導體之切換時序之例的說明：圖17〕
接著，參考圖17，對於送訊導體11Y之切換時序以及受訊導體12X之切換時序作說明。
如同前述一般，各由16碼片所成之16種的展頻碼C1~C16，係藉由時脈訊號CLK(參考圖17(B))之16週期而同步地被產生。送訊導體選擇電路22之開關電路2201~2216，係藉由從控制電路40而來之切換控制訊號SW2(參考圖17(C))，而在此時脈訊號CLK之每16週期處被作切換。
16個的展頻碼C1~C16，係藉由此開關電路2201~2216之切換，而同步並同時地被供給至16個的送訊區塊TB1~TB16之各個的各1根之送訊導體處。而，16個的展頻碼C1~C16，係在時脈訊號CLK的16×4週期中，而被供給至16個的送訊區塊TB1~TB16之各個內的4根之送訊導體11Y的全部處。亦即是，16種的展頻碼C1~C16，係在時脈訊 號CLK的16×4週期中，而對於感測部100之全部的送訊導體11Y而被作供給。
亦即是，16個的展頻碼C1~C16，係在從16個的檢測區塊DB1~DB16之各個的各1根之受訊導體而得到輸出訊號的時脈訊號CLK之16×4週期的期間中，而被供給至送訊導體11Y的全部處。而，在16個的檢測區塊DB1~DB16之各個處而被選擇的各1根之受訊導體，係在時脈訊號CLK之每16×4週期處而被作切換，藉由此，展頻碼C1~C16，係被供給至感測部100之全部的送訊導體11Y處。而，上述之動作係被反覆進行。
另一方面，在受訊導體選擇電路31處，開關電路3101~3116之各個，係藉由從控制電路40而來之切換控制訊號SW3(參考圖17(A))，而在時脈訊號CLK之每16×4週期處被作切換。如圖17(A)中所示一般，藉由此開關電路3101~3116之切換，於時脈訊號CLK之16×4週期的期間中，係從16個的檢測區塊DB1~DB16之各個的各1根之受訊導體，而得到受訊訊號。
在此展頻碼C1~C16被同步地同時作供給之時脈訊號CLK的16週期、亦即是展頻碼的1週期的期間中，從藉由受訊導體選擇電路31所選擇了的各受訊導體而來之16個的輸出訊號S1~S16，係分別藉由各A/D變換器3301~3316，而以時脈訊號CLK之時序來被作取樣，該取樣值，係被變換為數位樣本資料。而後，此數位樣本資料，係被並列地寫入至相關值算出電路3501~3516之各橫移暫存器中( 參考圖17(D))。
若依據如同上述一般之送訊導體11Y以及受訊導體12X的選擇切換控制，則係能夠將受訊導體12X之選擇切換控制次數減少，而能夠將會有被重疊在從受訊導體12X而來之輸出訊號處的可能性之切換時之雜訊減少。
〔相關值算出電路3501~3516之構成例：圖18-圖19〕
接下來，針對相關值算出電路3501~3516之構成例作說明。16個的相關值算出電路3501~3516，由於係具備有相同之構成，因此，於此，係針對進行輸出訊號S1之相關值演算處理的相關值算出電路3501的情況，參考圖18來對於其之構成例作說明。
相關值算出電路3501，係為用以根據控制電路40之控制，來將從A/D變換器3301所輸出之輸出訊號S1的數位樣本資料、和16個的展頻碼C1~C16，其兩者間之相關值計算出來的電路。此相關值算出電路3501，係如圖1中所示一般，被與A/D變換電路33和控制電路40以及輸出電路36作連接。
而，此相關值算出電路3501，係具備有：構成訊號延遲用之緩衝電路的橫移暫存器35a、和與展頻碼Ck(k=1、2、…、16)之數量相同數量(16個)的相關器35b1、35b2、35b3、…、35b16、和將相關值演算用碼Ck’(k=1、2、…、16)供給至此些之相關器35b1~35b16的各個處之相關值演算用碼產生電路35c1、35c2、35c3、…、35c15 、35c16、以及相關值記憶電路35d。
橫移暫存器35a，係為用以將從A/D變換電路3301所輸出之數位樣本資料暫時性地作保持，並將此被作了保持的資料同時地供給至各相關器35b1~35b16處之電路。
此橫移暫存器35a，係由與展頻碼Ck之碼長度(碼片數)相同數量(16個)的D-正反器電路35a1、35a2、35a3、…、35a15、35a16所構成。此D-正反器電路35a16、35a15、35a14、…、35a3、35a2、35a1，係為構成橫移暫存器35a之各段的資料閂鎖電路者，並依此順序而被從A/D變換電路33側作串聯連接而構成之。另外，D-正反器電路35a16、35a15、35a14、…、35a3、35a2、35a1的各個，於圖18中為了方便，係僅對於1個的D-正反器電路作展示，但是，實際上，係為由與從A/D變換器3301而來之數位樣本資料的位元數相同數量個所成。
而，此D-正反器電路35a16~35a1之各個的輸出端子，係被與相鄰接之下一段的D-正反器電路(例如，若是D-正反器電路35a16，則係為D-正反器電路35a15)、以及相關器35b1~35b16作連接。亦即是，從D-正反器電路35a1~35a16而來之輸出訊號，係被輸入至全部的相關器35b1~35b16中。
構成橫移暫存器35a之各段的D-正反器電路35a1~35a16之各個的輸出，係如同前述一般，為與展頻碼之各碼片的資料相對應之輸出訊號S1的數位樣本資料。以下，將由此16個的D-正反器電路35a1~35a16而來之16碼片的輸出 訊號，分別稱為輸出訊號PS1、PS2、PS3、…、PS15、PS16。
相關器35b1~35b16之各個，係為將輸出訊號S1與展頻碼Ck之相關值計算出來的電路。亦即是，各相關器35b1~35b16，係為將從構成橫移暫存器35a之各D-正反器電路35a1~35a16之各個所輸出的輸出訊號S1之數位樣本資料PS1~PS16，和從相關值演算用碼產生電路35c1~35c16之各個所輸入之相關值演算用碼C1’~C16’的各碼片之各個作乘算，而計算出輸出訊號S1與展頻碼Ck之相關值。
各相關值演算用碼產生電路35c1~35c16，係為用以將相關器35b1~35b16之各個所用以進行相關演算之相關值演算用碼C1’~C16’之各個，供給至各相關器35b1~35b16處之電路。各相關值演算用碼產生電路35c1~35c16，係分別被與相關器35b1~35b16中之相對應的相關器作連接。
相關值演算用碼C1’~C16’，係為與身為送訊訊號之展頻碼C1~C16相對應的碼，當使用有特殊之碼列、例如使用有哈德瑪得碼的情況時，係亦可利用從送訊訊號供給電路21而來之展頻碼C1~C16。於此情況，相關值演算用碼產生電路35c1~35c16，係被設為接收從送訊訊號供給電路21之展頻碼產生電路2101~2116的各個而來之展頻碼C1~C16的暫存器之構成。而，從展頻碼產生電路2101~2116的各個所輸出之展頻碼C1~C16，係在時脈訊號CLK之時序處，而作為相關值演算用碼C1’~C16’來被寫入至該暫存器之構成的相關值演算用碼產生電路35c1~35c16中。
另外，與展頻碼產生電路2101~2116之各個相同的，相關值演算用碼產生電路35c1~35c16，係亦可設為藉由ROM等所構成，並產生與展頻碼C1~C16相對應之相關值演算用碼C1’~C16’。
以下，將相關值演算用碼C1’~C16’之各個的16碼片之資料，稱為產生碼PN1’、PN2’、PN3’、…、PN15’、PN16’。
相關器35b1~35b16之各個，係在橫移暫存器35a處，於展頻碼之1週期份的數位樣本資料PS1~PS16被作了寫入的時序(參考後述之受訊載入訊號Srload)，而開始相關演算。
而後，相關器35b1，係將從D-正反器電路35a1~35a16之各個而來的輸出訊號PS1~PS16、和相關值演算用碼C1’之PN1’~PN16’，在相同之碼片而彼此作乘算並作合算，而算出相關值。同樣的，相關器35b2，係將從D-正反器35a1~35a16之各個而來的輸出訊號PS1~PS16、和相關值演算用碼C2’之PN1’~PN16’，在相同之碼片而彼此作乘算並作合算，而算出相關值。之後，相同的，16個的相關器35b1~35b16，係將輸出訊號S1之數位樣本資料PS1~PS16、和相關值演算用碼C1’~C16’之產生碼PN1’~PN16’，在相同之碼片而彼此作乘算並作合算，而算出相關值。而，相關器35b1~35b16，係將算出了的相關值輸出至相關值記憶電路35d處。
而後，若是在相關器35b1~35b16之各個處，而進行被 保持在橫移暫存器35a中之輸出訊號S1的數位樣本資料和相關值演算用碼C1’~C16’之間的相關演算，則當在得到輸出訊號S1之受訊導體上並不存在有指示體18的情況時，係得到一定之值的相關值，又，當在得到輸出訊號S1之受訊導體上存在有指示體的情況時，則係成為得到與此一定之值的相關值相異之值的相關值。
相關值記憶電路35d，係為用以將藉由在相關器35b1~35b16中之相關演算所得到的相關值作暫時性記憶之記憶部。此相關值記憶電路35d，係由與相關器35b1~35b16相同數量之複數的暫存器35d1~35d16所構成。
如圖11中所示一般，由於送訊區塊TB1~TB16之各個，係藉由各4根之送訊導體11Y所構成，而送訊區塊TB1~TB16之各1根的送訊導體11Y，係藉由開關電路2201~2216而被作切換，因此，64根的送訊導體群11，係藉由同步而同時地被供給有展頻碼C1~C16之16根的送訊導體11Y之4組所構成。
而後，如同在圖17中所說明一般，該4組之送訊導體11Y，係藉由開關電路2201~2216，而在展頻碼之每一週期中而被作切換。故而。在展頻碼之4個週期中，對於4組的送訊導體11Y之全部，係進行有展頻碼C1~C16之供給。
因此，若是針對從1個的受訊導體12X而來之受訊訊號而進行相關演算，則係得到關於分別由16根的送訊導體11Y所成且位置互為相異之4組的送訊導體11Y之4個的相關值。而，與此相對應，構成相關值記憶電路35d之16個 的暫存器35d1~35d16之各個，係具備有4個的區域。在此4個的區域中，係被記憶有針對位置互為相異之4組的各16根之送訊導體11Y所得到的相關值。
輸出電路36之位置算出電路361，係根據被記憶在記憶電路36M中之相關值，來進行指示體之位置檢測或者是推壓力之檢測、懸浮狀態之檢測等，並產生輸出資料而作輸出。
接下來，參考圖19之時序表，對在相關值算出電路3501~3516之各個處的資料處理作說明。
於此，圖19(A)，係為從時脈產生電路23而所產生的時脈訊號CLK之訊號波形。此時脈訊號CLK，其之1週期，係相當於展頻碼Ck之1碼片長度。
圖19(B)，係為對於感測部100之全交叉點的探索之開始時序作展示的開始訊號ST。控制電路40，係將此開始訊號ST，在與直到針對感測部100之全交叉點的指示體檢測結束為止的區間相當之週期中，與時脈訊號CLK同步地而反覆產生之。亦即是，在針對全交叉點之探索中所需要的時間，由於係相當於將「對於1個的送訊導體11Y而供給展頻碼所需要的時間(時脈訊號CLK之16週期)」和「構成各送訊區塊TB1~TB16之送訊導體的數量」以及「構成各檢測區塊DB1~DB16之受訊導體的數量」作乘算後的值，因此，控制電路40，係成為在時脈訊號CLK之每16×4×8週期處而反覆地產生開始訊號ST。
圖19(C)，係為從控制電路40而供給至送訊導體選 擇電路22以及受訊導體選擇電路31處之送訊載入訊號Stload的訊號波形。此送訊載入訊號Stload，係為將週期設定為展頻碼Ck之碼長度(展頻碼Ck之1週期=時脈訊號CLK之16週期)的脈衝訊號。控制電路40，係將最初之送訊載入訊號Stload，相較於開始訊號ST而更延遲了時脈訊號CLK之1個週期地來產生，之後，在展頻碼Ck之每一週期處而反覆地產生。
圖19(D)，係為從控制電路40而供給至相關值算出電路35處之受訊載入訊號Srload的訊號波形。此受訊載入訊號Srload，係為將週期設定為展頻碼Ck之碼長度(展頻碼Ck之1週期=時脈訊號CLK之16週期)的脈衝訊號。控制電路40，係成為將此受訊載入訊號Srload相較於送訊載入訊號Stload而更延遲了時脈訊號CLK之1個週期地來作輸出。
圖19(E)，係為從送訊訊號供給電路21而對於送訊導體11Y所送訊的展頻碼Ck之送訊輸出的時序表。
圖19(F)，係為在相關值算出電路3501~3516之各個的橫移暫存器35a中所被設定的16碼片之輸出訊號(PS1、PS2、…、PS16)的時序表。又，圖19(G)，係為與被設定在橫移暫存器35a中之輸出訊號作乘算並作合算的相關值演算用碼Ck’之產生碼(PN1’、PN2’、…、PN16’)。進而，圖19(G)，係為相關值算出電路3501~3516之各個的相關值輸出之時序表。
從時脈產生電路23所輸出之時脈訊號CLK(參考圖19 (A))若是被作輸入，則控制電路40係與此時脈訊號CLK同步地而產生開始訊號ST(參考圖19(B))，並供給至位置檢測電路34之輸出電路36處。
而後，控制電路40，係在較開始訊號ST而更延遲了時脈訊號CLK之1個週期的時序處，而產生送訊載入訊號Stload(參考圖19(C))，並與此送訊載入訊號Stload之產生時序同步地而產生展頻碼之每一週期的切換控制訊號SW2，並供給至送訊導體選擇電路22處。又，控制電路40，係與此送訊載入訊號Stload之產生時序同步地，而產生以開始訊號ST之產生時序作為基準的展頻碼之每4週期的切換控制訊號SW3，並供給至受訊導體選擇電路31處。
而後，控制電路40，係在送訊載入訊號Stload產生之1時脈週期後，產生受訊載入訊號Srload(參考圖19(D))，並供給至位置檢測電路34之演算處理電路35的相關值算出電路3501~3516之各個處。
相關值算出電路3501~3516，係根據受訊載入訊號Srload之時序，而實行前述之相關演算，並將相關值輸出至輸出電路36處。
輸出電路36之記憶電路36M，係將從各相關值算出電路3501~3516所輸出之相關值，根據從控制電路40而來之時脈訊號CLK以及受訊載入訊號Srload的時序，來記憶在記憶電路36M之預先所訂定了的位址處。所謂預先所訂定了的位址，係為對於各交叉點之每一者而訂定了的記憶電路36M上之位址。
送訊導體選擇電路22，係當送訊載入訊號Stload為HIGH準位，並且在時脈訊號CLK之上揚時序(圖19中之時間點t0)處，而開始對於16根的送訊導體11Y之16種的展頻碼C1~C16的供給。而後，送訊導體選擇電路22，係經由切換控制訊號SW2而使得開關電路2201~2216被作切換，藉由此，而對於供給展頻碼C1~C16之16根的送訊導體11Y作切換。於此，由切換控制訊號SW2所致的開關電路2201~2216之切換時間點，係為當送訊載入訊號Stload為HIGH準位，並且在時脈訊號CLK之上揚時序處(例如，圖19中之時間點t2以及時間點t4)。
在藉由送訊導體選擇電路22而被選擇了的各送訊導體11Y處，係於時脈訊號CLK之上揚時序處，而被供給有展頻碼C1~C16之第n碼片的碼。亦即是，在時間點t1處，各展頻碼C1~C16之第1碼片的碼，係被供給至送訊導體11Y處。之後，係以在時脈訊號CLK之每一時脈處而供給第2碼片、第3碼片、…的方式，來將展頻碼C1~C16之第n碼片的碼供給至送訊導體11Y處(參考圖19(E))。
而後，在下一個的送訊載入訊號Stload之HIGH準位的時序處、並且在時脈訊號CLK之第17次的上揚時序處，由於對於被選擇了的16根的送訊導體11Y之展頻碼C1~C16的供給係結束，因此，送訊導體選擇電路22，係於此時序處，而將所選擇之送訊導體11Y切換為下一個的切換導體11Y。之後，同樣的，送訊導體選擇電路22，係在送訊載入訊號Stload之上揚時序處，而對於送訊導體11Y作切換。
而後，送訊導體選擇電路22，若是被輸入有送訊載入訊號Stload之第4次的脈衝，則係回到最初階段，並反覆進行上述之切換動作。
另一方面，受訊導體選擇電路31，係當最初之送訊載入訊號Stload為HIGH準位，並且在時脈訊號CLK之上揚時序處，而對於最初所進行受訊之16根的受訊導體12X作選擇(圖14之狀態)。之後，受訊導體選擇電路31，係在每產生4次之送訊載入訊號Stload的脈衝時，而經由切換控制訊號SW3來對於開關電路3101~3116作切換，藉由此，而對於所選擇之16根的受訊導體12X作切換。
而，受訊導體選擇電路31，係當送訊載入訊號Stload之第33次的脈衝為高準位，並且在時脈訊號CLK之上揚的時序處，而回到最初之選擇切換狀態(圖4之狀態)，並反覆進行上述切換動作。
另外，為了對於由於受訊導體選擇電路31之開關電路3101~3116進行切換一事而產生之過渡現象所導致的雜訊產生作防止，係亦可將切換控制訊號SW3之切換週期設為時脈訊號CLK之16×4+m週期(m：自然數)，並設置1個時脈的餘裕期間。
通過受訊導體選擇電路31而從16根的受訊導體12X所得到之受訊訊號，係藉由放大電路32而使訊號準位被作放大，並在A/D變換電路33之A/D變換器3301~3316的各個處，於時脈訊號CLK之上揚的時序處，而被變換為數位樣本資料並被作輸出。
而，從A/D變換器3301~3316之各個所輸出的數位樣本資料，係被輸入至相對應之相關值算出電路3501~3516的各個中。此數位樣本資料，係如同前述一般，從相關值算出電路3501~3516之各個的橫移暫存器35a之初段的D-正反器電路35a16起而依序被輸入(參考圖19(F))。
而後，當受訊載入訊號Srload之脈衝為HIGH準位，並且在時脈訊號CLK之上揚時序處(於圖19中，係為時刻t3)，輸出訊號PS1~PS16(參考圖18)，係被設定至相關值算出電路3501~3516之各個的橫移暫存器35a處。故而，在此時序處，於相關器35b1~35b16處，係成為被供給有輸出訊號PS1~PS16之狀態。
另一方面，在相關值算出電路3501~3516之各個處，係同樣的，從當受訊載入訊號Srload之脈衝為HIGH準位，並且在時脈訊號CLK之上揚時序處(於圖19中，係為時刻t3)起，而從相關值演算用碼產生電路35c1~35c16來將16種類之相關值演算用碼C1’~C16’的各產生碼PN1’~PN16’(參考圖19(G))供給至相關器35b1~35b16處。
相關器35b1~35b16之各個，係當此受訊載入訊號Srload為HIGH準位，並且在時脈訊號CLK之脈衝的上揚時序處，而開始此相關值演算用碼C1’~C16’之各產生碼PN1’~PN16’與被設定在橫移暫存器35a中之輸出訊號PS1~PS16間的相關演算。
而後，相關值算出電路3501~3516之各個的相關器 35b1~35b16，係將各個的演算結果之相關值，暫時記憶在相關值記憶電路35d之暫存器35d1~35d16中(參考圖19(H))。
之後，被暫時記憶在相關值記憶電路35d之暫存器35d1~35d16中的相關值，係被記憶在輸出電路36之記憶電路36M中。
〔相關器35b1~35b16之構成例：圖20〕
接下來，參考圖20，針對相關器35b1~35b16之構成例作詳細說明。相關器35b1~35b16，係為具備有完全相同之構成者，圖20，係為對於身為其中之一的相關器35b1之情況來對於構成例作展示者。
相關器35b1，係如圖20中所示一般，由16個的乘算器35f1、35f2、…、35f16，和加算器35g所構成。在此實施形態中，將乘算器35f1~35f16設為了16個的原因，係為了求取出16碼片之展頻碼Ck的相關之故。故而，乘算器之數量，係因應於展頻碼Ck之碼片數而成為相異之設置數。
在各個的乘算器35f1~35f16處，係被供給有從橫移暫存器35a之各段而來的輸出訊號PS1~PS16、和相關值演算用碼Ck’之各產生碼PN1’~PN16’。此乘算器35f1~35f16之各個，係將相同之碼片位置彼此的訊號作乘算，並得到乘算訊號。在乘算器35f1~35f16處所算出之乘算訊號，係被供給至加算器35g處。加算器35g，係將從乘算器35f1~35f16所供給而來之乘算訊號作加算，並得到相關值。此相 關值，係被記憶在相關值記憶電路35d之暫存器35d1(參考圖18)中。另外，依存於所使用之碼，亦可在乘算器35f1~35f16處，使用加算器或者是減算器。
〔由控制電路40所致之檢測模式控制、和在輸出電路36處之位置檢測處理〕
如同前述一般，在記憶電路36M處，係被暫時記憶有感測部100之全交叉點的相關值，但是，控制電路40，係根據在此記憶電路36M中而被暫時作記憶的相關值，來決定要將檢測模式設為電容觸碰檢測模式或者是電阻觸碰檢測模式。而後，因應於所決定了的檢測模式，控制電路40，係對於I/V變換電路3201~3216之切換開關電路55作切換。
〈由控制電路40所進行之檢測模式切換：圖21~圖24〉
對於指示體18以「從並不存在於感測部100之指示輸入面100S處的狀態而成為離隔存在於指示輸入面100S處的狀態」→「與指示輸入面100S作接觸之狀態」→「對於指示輸入面100S作推壓之狀態」的順序而對於指示輸入面100S來使關係有所變化的情形作考慮。因此，在此實施形態中，控制電路40，於初期狀態下，係藉由切換控制訊號SW1，來將I/V變換電路3201~3216之切換開關電路55切換至檢測用電容器52側，並設為電容觸碰檢測模式。
如圖21(A)中所示一般，當指示體並不存在於感測 部100之指示輸入面100S上時，送訊導體11Y由於係僅與受訊導體12X作靜電耦合，因此，若是對於送訊導體11Y供給送訊訊號，則在各交叉點之受訊導體12X處，係流動相同之電流訊號。
故而，如同圖21(B)中所示一般，從演算處理電路35之相關值算出電路3501~3516的各個，係均得到一定之相關值(基準值ref)。另外，圖21(B)，係為對於相關值算出電路3501~3516之其中一個的相關值輸出作展示者。
之後，例如如圖22(A)中所示一般，當指示體18例如與被供給有展頻碼C3之送訊導體11Y9和受訊導體12X124之間的交叉點作了接觸時，如同前述一般，透過指示體18與受訊導體12X124之間的靜電容量，送訊訊號係作分流，從受訊導體12X124所得到之電流訊號係減少。
因此，從指示體18所正在作接觸之受訊導體12X124而來的電流訊號之訊號準位，係在被供給至送訊導體11Y9之展頻碼C3處而減少。亦即是，如圖22(B)中所示一般，與送訊導體11Y9和受訊導體12X124之間的交叉點相對應之相關值，係朝向較圖21中所示之指示體18並不存在於指示輸入面100S上時的相關值(基準值)ref而更加減少的方向作變化。
另一方面，在圖22(A)中所示之被供給有展頻碼C3的送訊導體11Y9與受訊導體12X124之間的交叉點處，若是藉由指示體18而被施加有推壓力，則在該交叉點處，送訊 電阻體13Y與受訊電阻體14X係作接觸，並開始流動有與其之接觸面積相對應的電流。其結果，從受訊導體12X124所得到的輸出訊號S16之電流訊號係增加。
因此，如圖22(C)中所示一般，從指示體18所正在作接觸之受訊導體12X124而來的電流訊號之訊號準位，係在被供給至送訊導體11Y9之展頻碼C3處而增加。亦即是，與送訊導體11Y9和受訊導體12X124之間的交叉點相對應之相關值，係朝向較前述基準值ref而更增加的方向作變化。
故而，位置算出電路361，係對於輸出電路36之記憶電路36M的全交叉點之相關值作參考，當存在有較基準值ref而更為減少的相關值之交叉點的情況時，控制電路40係維持為電容觸碰檢測模式。
而後，位置算出電路361係對於輸出電路36之記憶電路36M的全交叉點之相關值作參考，若是檢測出較基準值ref而更為增加之相關值，則控制電路40，係藉由切換控制訊號SW1，而將I/V變換電路3201~3216之切換開關電路55切換至檢測用電阻54側，並切換為電阻觸碰檢測模式。
故而，控制電路40，係能夠藉由在被記憶於記憶電路36M處之全部的相關值中是否存在有基準值ref以上者一事，來對於檢測模式作切換。
但是，基準值ref，係會有由於起因於指示體檢測裝置1之每一者的個體差異或者是環境因素(溫度等)所導致的偏差而有所變化的情況。
因此，在此實施形態中，係預先記憶有當指示體18並 不存在於感測部100之指示輸入面100S處時而藉由相關值算出電路3501~3516所得到的相關值(=ref)。以下，將此相關值稱為OFFSET值。
而，在將相關值記憶在記憶電路36M處時，係從藉由各個的相關值算出電路3501~3516所算出了的相關值來將此OFFSET值(=ref)作減算，並將所得到的值作為各交叉點之相關值來作記憶。
若是設為此種構成，則藉由電容觸碰檢測模式所得到之相關值，當指示體18並不存在於感測部100之指示輸入面100S處時，係全部成為0。而，當指示體18係存在於感測部100之指示輸入面100S上，並且係身為懸浮狀態或者是正在作接觸的情況時，該交叉點之相關值係成為負的值。又，若是藉由存在於感測部100之指示輸入面100S上的指示體18而對於指示輸入面100S施加有推壓力，則從構成該被施加有推壓力之交叉點的受訊導體12X所得到的相關值，係成為正的值。
而後，位置算出電路361，係對於被記憶在記憶電路36M中之相關值作參考，並檢測出在被記憶於此記憶電路36M處之相關值中，是否存在有展現正的值之相關值或者是展現負的值之相關值。控制電路40，當在電容觸碰檢測模式中，位置算出電路361檢測出了展現正的值之相關值時，係將檢測模式切換至電阻觸碰檢測模式。又，控制電路40，當在電阻觸碰檢測模式中，位置算出電路361並無法檢測出展現正的值之相關值時，係將檢測模式切換至電 容觸碰檢測模式。
於此，當位置算出電路361檢測出了展現正的值之相關值時而檢測模式係成為電阻觸碰檢測模式的情況時，以及當位置算出電路361檢測出了展現負的值之相關值時而檢測模式係成為電容觸碰檢測模式的情況時，控制電路40係維持為該檢測模式。
另外，當將在電阻觸碰檢測模式中所算出了的相關值寫入至記憶電路36M中時，前述之相當於基準值ref的值之減算，係並非一定需要進行。此係因為，在電阻觸碰檢測模式中所得到之相關值，相較於在電容觸碰檢測模式中所得到之相關值，係為非常大。因此，在電阻觸碰檢測模式中所算出之相關值，就算是並不進行減算處理，亦能夠將與被施加有推壓力之交叉點相對應的相關值檢測出來之故。
關於被記憶在記憶電路36M中之相關值是否成為正的值一事，係只要將臨限值設為0，並將相關值與臨限值作比較即可，但是，為了更加確實地作判定，與相關值作比較之臨限值，係以設為較0而更些許大之值為理想。此係為了成為不會與雜訊量等起反應之故。
圖23以及圖24，係為對於此實施形態之指示體檢測裝置1中的包含有檢測模式切換處理之全體的處理動作之流程作展示的流程圖。
由此圖23以及圖24所成之流程圖的處理，係藉由從控制電路40而來之開始訊號ST而開始。而，在每次產生開始 訊號ST時，係實行針對指示輸入面100S之全交叉點的1次之處理動作。
首先，若是在控制電路40輸出了開始訊號ST之後，於時脈訊號CLK之1個週期後所產生了的送訊載入訊號Stload被供給至送訊訊號供給電路21處，則送訊訊號供給電路21，係產生與送訊載入訊號Stload以及時脈訊號CLK作了同步的16種的展頻碼C1~C16，並且，開始供給至送訊導體選擇電路22處(步驟S101)。
接著，控制電路40，係作為檢測模式而選擇電容觸碰檢測模式，並藉由切換控制訊號SW1，來將I/V變換電路3201~3216之切換開關電路55切換至檢測用電容器52側(步驟S102)。
接著，控制電路40，係藉由根據時脈訊號CLK所產生了的切換控制訊號SW3，來對於受訊導體選擇電路31之開關電路3101~3116作切換控制，並從檢測區塊DB1~DB16之各個中而選擇1根的受訊導體12X(步驟S103)。
又，控制電路40，係藉由與送訊載入訊號Stload同步地產生了的切換控制訊號SW2，來對於送訊導體選擇電路22之開關電路2201~2216作切換控制，並從送訊區塊TB1~TB16之各個中而選擇1根的送訊導體11Y(步驟S104)。
藉由上述步驟，16種的展頻碼C1~C16，係同時地被同步供給至藉由送訊導體選擇電路22所選擇了的16根之送訊導體11Y處(步驟S105)。如此一來，從藉由受訊導體選擇電路31所選擇了的16根之受訊導體12X，係作為受訊 訊號而得到輸出訊號S1~S16。此輸出訊號S1~S16，係通過放大電路32以及A/D變換電路33而被供給至演算處理電路35之相關值算出電路3501~3516的各個處(步驟S106)。
接著，相關值算出電路3501~3516，係分別將數位樣本資料與相關值演算用碼C1’~C16’作相關演算，並將其結果所得到了的相關值，通過相關值記憶電路35d來寫入至輸出電路36之記憶電路36M中(步驟S107)。
控制電路40，係判定是否對於與所選擇了的受訊導體12一同構成交叉點之送訊導體11Y的全部而進行了展頻碼之供給(步驟S108)。在步驟S108中，當判定展頻碼之供給尚未結束時，係回到步驟S104，並反覆進行此步驟S104以後之處理。送訊區塊，由於係藉由4根的送訊導體12Y所構成，因此，被選擇的複數之送訊導體的組，係為4組。故而，在步驟S108中，係判定是否反覆進行了4次的步驟S104~步驟S107之處理。
而，在步驟S108中，當判定已結束了對於與藉由受訊導體選擇電路31所選擇了的受訊導體12X一同構成交叉點之送訊導體11Y的全部之展頻碼的供給時，係判定是否從受訊導體12X之全部而得到了輸出訊號(步驟S109)。在此步驟S109中，當判定尚未從受訊導體12X之全部而得到輸出訊號時，係回到步驟S103，並反覆進行此步驟S103以後之處理。檢測區塊，由於係藉由8根的受訊導體12X所構成，因此，被選擇的複數之受訊導體的組，係為8組。故 而，在步驟S109中，係判定是否反覆進行了8次的步驟S103~步驟S108之處理。
當在步驟S109中，而判定係對於送訊導體11Y之全部而進行了送訊訊號之供給，並且從受訊導體12X之全部而得到了輸出訊號時，係對於被記憶在記憶電路36M中之相關值作參考，並判定是否存在有基準值ref以上之相關值(圖24之步驟S111)。
在步驟S111中，當判定出在被記憶於記憶電路36M處的相關值中並不存在有基準值ref以上之相關值時，控制電路40，係判定此時之檢測模式是否為電容觸碰檢測模式(步驟S112)。而，在此步驟S112中，當判定出此時之檢測模式係為電容觸碰檢測模式時，控制電路40，係對於輸出電路36作控制，並進行指示體之位置檢測處理，而將該檢測結果輸出(步驟S113)。又，當在步驟S112中，而判定此時之檢測模式係並非為電容觸碰檢測模式時，則係回到步驟S102，控制電路40，係將切換控制訊號SW1供給至I/V變換電路3201~3216之各個的開關電路55處，並將各開關電路55切換至檢測用電容器52側，而切換為電容觸碰檢測模式。之後，控制電路40，係反覆進行此步驟S103以後之處理。
又，在步驟S111中，當判定出在被記憶於記憶電路36M處的相關值中係存在有基準值ref以上之相關值時，控制電路40，係判定此時之檢測模式是否為電阻觸碰檢測模式(步驟S114)。在此步驟S114中，當判定出此時之檢測 模式係為電阻觸碰檢測模式時，控制電路40，係對於輸出電路36作控制，並進行指示體之位置檢測處理，而將該檢測結果輸出(步驟S113)。又，當在步驟S114中，而判定此時之檢測模式係並非為電阻觸碰檢測模式時，則控制電路40，係將切換控制訊號SW1供給至I/V變換電路3201~3216之各個的開關電路55處，並將各開關電路55切換至檢測用電阻54側，而切換為電阻觸碰檢測模式(步驟S115)。之後，控制電路40，係使處理回到步驟S103，並反覆進行此步驟S103以後之處理。
〈懸浮檢測：圖25~圖27〉
參考圖25~圖27，對懸浮狀態之檢測手法作說明。懸浮之檢測，係可如同下述一般地來進行。如圖25(A)中所示一般，在電容觸碰檢測模式中，當指示體18正與感測部100之指示輸入面100S作接觸時，如圖25(B)中所示一般，接觸中心位置之交叉點的相關值，係成為最大的相關值PK，並且，位在該接觸中心位置之交叉點的周圍之較為狹窄的面積範圍中之交叉點，係呈現負極性之相關值。
另一方面，如圖26(A)中所示一般，在電容觸碰檢測模式中，當指示體18為從感測部100之指示輸入面100S而離隔時，如圖26(B)中所示一般，指示體18之正下方位置的交叉點之相關值，係成為最大的相關值PK，並且，位在該指示體18之正下方位置之交叉點的周圍之較為寬廣的面積範圍中之交叉點，係呈現負極性之相關值。
亦即是，圖25(B)以及圖26(B)，係成為對於將在指示輸入面100S上之指示體18的接觸中心位置或者是正下方位置的交叉點作為中心之週邊交叉點的相關值之準位變化作展示的曲線(以下，稱為相關值之準位曲線)400。
成為如同圖25以及圖26所示一般的原因，係可如同下述一般地來作說明。首先，如圖25(A)中所示一般，當指示體18正在與感測部100之指示輸入面100S作接觸的狀態下，如同前述一般，與被供給至送訊導體11Y處之送訊訊號(電壓訊號)相對應的電力線之中的較為多數係收斂於指示體18(例如手指)處。藉由此，在指示體18並不存在於受訊導體12X上時而於該受訊導體12X中所流動的電流中，收斂於該指示體18之電力線的量之電流，會透過指示體18而分流至接地。又，由於指示體18與受訊導體12X係作接觸，因此，作靜電耦合之受訊導體12X的範圍係為狹窄。其結果，如圖25(B)中所示一般，相關值之準位曲線400，其之作準位變化的寬幅(面積)係為狹窄，並成為得到有較大之峰值PK的曲線。
相對於此，如圖26(A)中所示一般，在指示體18從感測部100之指示輸入面100S而離隔的狀態(懸浮狀態)下，相較於指示體18作了接觸的情況，指示體18與受訊導體12X作靜電耦合之範圍係變廣，並且，與指示體18間之耦合度係變低，朝向該受訊導體12X而流動之電流中的通過指示體18而分流至接地的電流亦會變少。而，指示體18與受訊導體作靜電耦合之範圍，若是指示體18與指示輸入 面100S之間的離隔距離變得越大，則會變得越廣，其結果，在指示體18並不存在於受訊導體12X上時而朝向該受訊導體12X所流動的電流中，通過指示體18而分流至接地的電流，若是指示體18與指示輸入面100S之間的離隔距離越大，則會變得越少。
故而，如圖26(B)中所示一般，當指示體18係身為懸浮狀態時，相關值之準位曲線400，其之作準位變化的寬幅(面積)，係因應於指示體18與指示輸入面100S之間的離隔距離而變廣，峰值PK，係因應於指示體18與指示輸入面100S之間的離隔距離而變小。
由上述，可以得知，係可求取出相關值之準位曲線400的斜率θ和相關值之準位曲線的峰值PK之間的比，並根據此比來得到懸浮狀態之檢測輸出。於此情況，藉由將相關值之準位曲線400的斜率θ和相關值之準位曲線的峰值PK之間的比，和特定之臨限值作比較，能夠辨識出指示體18是否正與指示輸入面100S作接觸。而，當辨識出其係身為懸浮狀態時，係可根據該比之值，來辨識出指示體18與指示輸入面100S之間的離隔距離。
接下來，針對將相關值之準位曲線400的斜率θ和相關值之準位曲線的峰值PK之間的比求取出來的演算之具體例作說明。
指示體18，若是在如同圖26(A)一般之從指示輸入面100S而離隔了的狀態下，對於在某一時刻所得到的相關值之準位值作映射，則例如係成為如同圖27中所示一般之 分布。另外，在此圖27中，係展示藉由3×3之交叉點所得到了的相關值準位值，該相關值準位值，係被作了正規化，並且，為了方便，係設為正的值。
在此圖27所示之例中，在中央之交叉點處，係得到相關值準位之最大值「100」，在位置於其之左右上下的交叉點處，係得到相關值準位值「50」。又，在中央之交叉點的斜左上、斜右上、斜左下、斜右下的交叉點處，係得到相關值準位值「20」。故而，此相關值之準位曲線的峰值PK，係為「100」。
在相關值之準位曲線400處的斜率，係可藉由對於峰值PK、和與得到該峰值PK之交叉點相鄰接的其他交叉點處之相關值準位值，來求取出兩者之間的差，而得到之。例如，於此圖27之例的情況中，相關值之準位曲線400之峰值PK，由於係為中央格之「100」，因此，邊緣之斜率，係成為100-50=50。
故而，圖27之例的相關值之準位曲線400的斜率與峰值間的比，係成為(相關值之準位曲線的斜率)/(峰值PK)=50/100=0.5。於此，若是將身為懸浮狀態或者是接觸狀態一事之判定的臨限值，設為例如0.7，則在圖27所示之例中，位置算出電路361，係判定出指示體18係身為懸浮狀態。又，當相關值之準位曲線400的斜率與峰值PK間的比，例如為0.9的情況時，位置算出電路361，係判定指示體18為與感測部100之指示輸入面成為接觸狀態。
在上述之例中，係對於為了進行指示體18之懸浮狀態 與接觸狀態的判定而設置了1個的臨限值之情況來作了例示說明，但是，本發明，係並不被限定於此。例如，針對指示體18，除了用以進行懸浮狀態與接觸狀態之判定的臨限值以外，亦可更進而設定1個或者是複數個的用以判定懸浮狀態之程度(感測部100之指示輸入面100S與指示體之間的離隔距離)的臨限值。當然的，於此情況下之臨限值，係成為較用以進行懸浮狀態與接觸狀態之辨識的臨限值而更小之值。
另外，在上述之說明中，雖係針對根據相關值之準位曲線(相關值準位值之映射資料)來直接進行懸浮狀態之判定的情況而作了例示說明，但是，本發明係並不被限定於此。亦可對於相關值之準位曲線進行非線性處理，並根據非線性處理後之特性來對於懸浮狀態作判定。
例如，針對對於相關值之準位曲線，作為非線性處理而進行了對數變換之情況，來作例示說明。當並不進行非線性處理的情況時，藉由指示體18之與感測部100的指示輸入面作接觸所得到的相關值之準位，於指示體18與指示輸入面100S相接觸之部分處，係成為極端的大，而於指示體18從指示輸入面100S而作了離隔之處，係成為極端的小。故而，在想要亦包含有指示體18為從指示輸入面100S而僅些許地作了離隔之狀態地來進行辨識處理的情況時，亦由於相關值準位係在上述之2個的情況中而極端的相異，因此正確的進行辨識一事係為困難。
於此，若是對於相關值之準位曲線，而進行特定之訊 號變換處理、例如進行對數變換，則能夠使相關值為小之準位的部分變得顯著，並對於相關值準位為大的部分作抑制。亦即是，在對數變換後之相關值的準位曲線中，峰值部之形狀係寬闊化，其之最大值係被作抑制。於此情況，在指示體18之接觸狀態與非接觸狀態間的邊界附近之相關值的準位值的變化，係成為連續性，就算是當指示體18從指示輸入面100S而僅些許地浮起的狀態時，亦能夠容易地辨識出懸浮狀態，而能夠使辨識特性提升。
〈推壓力(指壓)的檢測〉
當位置算出電路361對於被記憶在記憶電路36M中之相關值作參考後，其結果為判定出係存在有相關值為基準值ref以上之交叉點時，該交叉點，係為從指示體18來透過指示輸入面100S而被施加有推壓力之部分。
而，如前述一般，在此實施形態之感測部100處，因應於推壓力，送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X之間的接觸面積係改變。亦即是，若是推壓力變得越大，則送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X之間的接觸面積係變得越大，而在送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X之間所形成的可變電阻之電阻值係變得越小。當然，若是推壓力成為了某種程度以上，則接觸面積係不會再改變，並成為存在有極限。
而，從受訊導體12X所得到之電流訊號的電流值，係因應於在送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X之間所形成的 可變電阻之電阻值而改變，若是推壓力變得越大，則從受訊導體12X所得到之電流訊號的電流值係變得越大。
故而，從被施加有推壓力之交叉點的受訊導體12X所得到之輸出訊號的數位樣本資料，係與直到到達極限為止的推壓力成正比，並成為大的數位值。故而，關於該數位樣本資料之相關值，亦係成為與推壓力相對應之正的值。
如同上述一般，位置算出電路361，若是從被記憶在記憶電路36M處的相關值中而檢測出了值為基準值ref以上的相關值，則係從其之位址位置，來判定出所對應之交叉點的座標位置，並且，將與該相關值之大小相對應的推壓力之檢測輸出作輸出。
另外，在上述實施形態中，係設為當將相關值寫入至記憶電路36M中時，從各個的相關值而將OFFSET值作減算。但是，本發明係並不被限定於此。例如，亦可設為在記憶電路36M中，將藉由相關值算出電路3501~3516之各個所算出了的相關值分別預先作記憶，並在藉由位置算出電路361而進行位置檢測時，再從各個的相關值而將OFFSET值作減算。於該情況，位置算出電路361，係成為進行前述之步驟S111的判定處理，並將該判定結果通知至控制電路40處。而後，位置算出電路361，係成為因應於控制電路40之控制指示來將指示體檢測結果之輸出資料作輸出。
另外，位置算出電路361之處理，係亦可設為藉由在控制電路40處所具備之微電腦來作為軟體處理而實行之。
如同上述一般，在此實施形態中，輸出電路36，係具 備有位置算出電路361，並將被寫入至記憶電路36M中之相關值，如同上述一般地而進行處理，以得到指示體之檢測結果。亦即是，係將與藉由指示體18所作了指示輸入的交叉點相對應之座標、被作了指示輸入之面積、懸浮狀態、推壓力、與檢測模式相對應之旗標、關於多數之指示體的指示體檢測結果等，藉由位置算出電路361來產生之，並作為輸出資料來輸出。
但是，此位置算出電路361之處理動作，係亦可設為在此實施形態之指示體檢測裝置1所被作連接的裝置(例如個人電腦等)處而實行之。於此情況，輸出電路36，係並不具備有位置算出電路361，並成為將記憶電路36M之記憶內容變換為例如位元映像資料(bitmap data)等，再作為輸出資料而輸出之。或者是，輸出電路36，係亦可設為將記憶電路36M之記憶內容直接作為輸出資料而輸出之。
在上述之第1實施形態中，係設為使控制電路40因應於被記憶在記憶電路36M中之相關值來對於電容觸碰檢測模式與電阻觸碰檢測模式作切換，但是，本發明係並不被限定於此。不用說，亦可設為例如藉由手動來對於電容觸碰檢測模式與電阻觸碰檢測模式作切換。
亦即是，亦可設為：對於控制電路40而連接例如滑動開關，並藉由該滑動開關，來以手動來對於電容觸碰檢測模式與電阻觸碰檢測模式作指定並作切換。此時，亦可設為能夠藉由滑動開關來選擇「自動模式切換」。於此情況，使用者，係能夠選擇如同上述之實施形態一般的自動模 式切換，並且，亦能夠因應於需要，而以僅對於電容觸碰檢測模式與電阻觸碰檢測模式之其中一者作選擇的方式來進行切換。
又，在上述實施形態中，雖係設為：沿著送訊導體11Y來形成送訊電阻體13Y，並沿著受訊導體12X來形成受訊電阻體14X，但是，亦可將送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X之各個，設為形成在與送訊導體11Y或者是受訊導體12X相同的方向上。又，亦可將送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X，在與送訊導體11Y和受訊導體12X之間的交叉點相對應之區域的每一者處，以設置為島狀的方式來作形成。進而，送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X，係亦可如同前述一般，以涵蓋下側基板16以及上側基板17之一面的全體的方式來形成之。
又，亦可設為：將送訊電阻體13Y或者是受訊電阻體14X之其中一方，沿著送訊導體11Y或者是受訊導體12X來形成，並將另外一方，以涵蓋下側基板16或者是上側基板17之一面全體的方式來形成之。又，亦可設為：將送訊電阻體13Y或者是受訊電阻體14X之其中一方，在與送訊導體11Y和受訊導體12X之間的交叉點相對應之區域的每一者處而設置為島狀，並將另外一方，以涵蓋下側基板16或者是上側基板17之一面全體的方式、亦或是以沿著送訊導體11Y或者是受訊導體12X的方式，來形成之。
在上述之第1實施形態的指示體檢測裝置中，控制電路40，係設為對於將檢測模式設為電容觸碰檢測模式或者 是設為電阻觸碰檢測模式一事作判定，並對放大電路32之I/V變換電路3201~3216的各個之開關電路55作切換。
但是，如同使用圖10而作了說明一般，若是電阻膜方式之檢測用電阻54與檢測用電容器52之直流偏壓用電阻53係為略相等之電感值，則在放大電路32之I/V變換電路中，模式切換開關電路55係成為不必要。
另外，在此第1實施形態中，雖係針對藉由將被記憶在記憶電路36M中之相關值和基準值ref作比較一事，來將檢測模式切換為電容觸碰檢測模式與電阻觸碰檢測模式之其中一者的情況，來作了例示說明，但是，本發明係並不被限定於此。例如，亦可設為在各I/V變換電路之每一者處，來將檢測模式切換為電阻觸碰檢測模式或者是電容觸碰檢測模式之其中一者。若是設為此種構成，則就算是在有複數之指示體存在於指示輸入面100S上，且一個的指示體係身為懸浮狀態或者是接觸狀態，而另一個的指示體係正對於指示輸入面而施加有推壓力的情況時，亦能夠適當地將該指示體檢測出來。
〔第2實施形態：並不進行檢測模式的切換之例，圖28~圖29〕
在上述之第1實施形態的指示體檢測裝置中，控制電路40，係設為對於將檢測模式設為電容觸碰檢測模式或者是設為電阻觸碰檢測模式一事作判定，並對放大電路32之I/V變換電路3201~3216的各個之開關電路55作切換。
但是，例如，若是指示體18被拿到感測部100之指示輸入面100S上並與指示輸入面100S作接觸且進而位移至對於指示輸入面100S作推壓之狀態之速度為快的情況時，若是在I/V變換電路3201~3216之每一者處而使控制電路40對於模式作切換，則會有無法與該位移速度作對應之虞。
因此，第2實施形態之指示體檢測裝置，係在上述之第1實施形態的構成中，於放大電路32處使用圖10之構成的I/V變換電路，並使得使用有開關電路之模式切換成為不必要。在以下所說明之第2實施形態中，除了放大電路32以外之構成，係與第1實施形態為相同，在與第1實施形態相同之部分處，係附加相同之號碼，並省略其詳細說明。關於後述之其他實施形態，亦為相同。
圖28，係為用以對於在此第2實施型態之情況中的放大電路32之構成例作說明之圖。
如同此圖28中所示一般，在此第2實施形態之指示體檢測裝置中，放大電路32，係由與檢測區塊DB1~DB16之各個相對應之16個的I/V變換電路3201’、3202’、…、3216’所成。此I/V變換電路3201’~3216’之各個，係如圖10中所示一般，為由在演算放大器51之輸入輸出端之間，將靜電耦合方式檢測用電容器52和電阻膜方式檢測用電阻54作了並聯連接之構成的I/V變換電路所成者。
I/V變換電路3201’~3216’，係並不存在有與檢測模式相對應之切換開關電路55。故而，在此第2實施形態中，控制電路40，係並不需要產生在第1實施形態的情況時 之對於I/V變換電路3201~3216的切換控制訊號SW1。因此，控制電路40，係成為不需要進行如同第1實施形態一般之「對於藉由相關值算出電路3501~3516所算出了的相關值作參考，並判定出應將檢測模式設為電容觸碰檢測模式或者是設為電阻觸碰檢測模式」之判定處理。而，其他之構成，係設為與第1實施形態相同之構成。
接著，參考圖29之流程圖，對於此第2實施形態之指示體檢測裝置中的全體之處理動作的流程之例子作說明。
此圖29之流程圖，係藉由從控制電路40而來之開始訊號ST而開始。而，在每次產生開始訊號ST時，係實行針對指示輸入面100S之全交叉點的1次之處理動作。
首先，若是在控制電路40輸出了開始訊號ST之後，於時脈訊號CLK之1個週期後所產生了的送訊載入訊號Stload被供給至送訊訊號供給電路21處，則送訊訊號供給電路21，係產生與送訊載入訊號Stload以及時脈訊號CLK作了同步的16種的展頻碼C1~C16，並且，開始對於送訊導體選擇電路22之供給(步驟S201)。
接著，控制電路40，係藉由根據送訊載入訊號Stload所產生了的切換控制訊號SW3，來對於受訊導體選擇電路31之開關電路3101~3116作切換控制，並從檢測區塊DB1~DB16之各個中而選擇1根的受訊導體12X(步驟S202)。
又，控制電路40，係藉由根據送訊載入訊號Stload所產生了的切換控制訊號SW2，來對於送訊導體選擇電路22之開關電路2201~2216作切換控制，並從送訊區塊TB1~ TB16之各個中而選擇1根的送訊導體11Y(步驟S203)。
藉由上述步驟，16種的展頻碼C1~C16，係同時地被同步供給至藉由送訊導體選擇電路22所選擇了的16根之送訊導體11Y處(步驟S204)。而後，受訊導體選擇電路31，係將從藉由此受訊導體選擇電路31所選擇了的16根之受訊導體12X而來的受訊訊號，作為輸出訊號S1~S16而得到之。此輸出訊號S1~S16，係通過放大電路32以及A/D變換電路33而被供給至演算處理電路35之相關值算出電路3501~3516的各個處(步驟S205)。
接著，在相關值算出電路3501~3516之各個處，係分別進行有數位樣本資料與相關值演算用碼C1’~C16’之間的相關演算，並將其結果所得到了的相關值，通過相關值記憶電路35d來寫入至輸出電路36之記憶電路36M中(步驟S206)。
控制電路40，係判定是否對於與所選擇了的受訊導體12X一同構成交叉點之送訊導體11Y的全部而進行了展頻碼Ck之供給(步驟S207)。在步驟S207中，當判定展頻碼之供給Ck尚未結束時，係回到步驟S203，並反覆進行此步驟S203以後之處理。被作選擇之複數的送訊導體之組，由於係為4組，因此，在步驟S207中，係判定是否反覆進行了4次的步驟S203~步驟S206之處理。
而，在步驟S207中，當判定已結束了對於與所選擇了的受訊導體12X一同構成交叉點之送訊導體11Y的全部之展頻碼的供給時，係判定是否從受訊導體12X之全部而得 到了輸出訊號(步驟S208)。當在步驟S208中，而判定係對於送訊導體11Y之全部而進行了送訊訊號之供給，並且並未從受訊導體12X之全部而得到了輸出訊號時，係回到步驟S202，並反覆進行此步驟S202以後之處理。被作選擇之複數的受訊導體之組，由於係為8組，因此，在步驟S208中，係判定是否反覆進行了8次的步驟S202~步驟S207之處理。
當在步驟S208中，而判定係對於送訊導體11Y之全部而進行了送訊訊號之供給，並且從受訊導體12X之全部而得到了輸出訊號時，控制電路40，係對於輸出電路36作控制，並進行指示體之位置檢測處理，而將該檢測結果輸出(步驟S209)。之後，控制電路40，係使處理回到步驟S202，並反覆進行此步驟S202以後之處理。
在此第2實施形態中，控制電路40，由於係並不需要對於檢測模式作管理以及切換控制，因此，電路構成係成為簡單。但是，如同前述一般，位置算出電路361，係能夠藉由被記憶在記憶電路36M中之相關值是否較基準值ref而更大一事，來判定係為藉由靜電耦合方式和電阻膜方式之何者的檢測方式所檢測出來的指示體，並將該判定結果反映在指示體檢測結果之輸出資料中，此事，係與第1實施形態相同。
又，在第1實施形態中之指示體檢測裝置，由於係對於檢測模式作切換控制，因此，係有著難以將指示體18之與指示輸入面100S間的接觸狀態或者是懸浮狀態以及由指 示體18所致的指示輸入面100S之推壓狀態同時性地檢測出來的情況。
相對於此，在第2實施形態中之指示體檢測裝置，針對指示輸入面100S上之指示體18，不論是靜電耦合方式或者是電阻膜方式之何者的檢測方式，均能夠同時地檢測出來。因此，第2實施形態之指示體檢測裝置，就算是在指示輸入面100S上之某一交叉點處而被進行有由指示體18之接觸所致的指示輸入，並且在其他的交叉點處而被進行有由指示體18所致之推壓輸入，亦能夠容易地將此同時地檢測出來。
〔第3實施形態〕
此第3實施形態，亦為用以對於當在I/V變換電路3201~3216之每一者處而使控制電路40對於模式作切換時會產生的無法與指示體18之位移速度作對應的問題作解決者。在此第3實施形態中，係設為將電容觸碰檢測模式和電阻觸碰檢測模式並行地來進行。
〈第1構成例：圖30-圖32〉
在此第3實施形態之第1構成例中，係藉由將電容觸碰檢測模式之指示體檢測處理和電阻觸碰檢測模式之指示體檢測處理以時間分割來進行，而成為將兩個檢測模式並行地來進行。在此第3實施形態之第1構成例中，與第1實施形態相同的，放大電路32之I/V變換電路3201~3216，係 設為圖9中所示之構成。而後，控制電路40，係具備有藉由切換控制訊號SW1來對於I/V變換電路3201~3216之各個的開關電路55作切換之構成。
位置檢測電路34，係如圖30中所示一般，藉由演算處理電路35和輸出電路360而構成之。而，在演算處理電路35和輸出電路360之間，係設置有模式切換電路37。又，在此第3實施形態中，係將輸出電路360之構成設為與第1實施形態之位置檢測電路34相異之構成。另外，其他之構成，係與第1實施形態相同。
如圖30中所示一般，此例之輸出電路360，除了具備有記憶電路36M以及位置算出電路361之外，更進而具備有：與記憶電路36M同樣的而成為具有與感測部100處之全部的交叉點相對應之記憶位址的構成之電容觸碰檢測模式用記憶體362以及電阻觸碰檢測模式用記憶體363、和合成處理電路364。
而，電容觸碰檢測模式用記憶體362以及電阻觸碰檢測模式用記憶體363之輸出端，係被與合成處理電路364之2個的輸入端作連接，又，合成處理電路364之輸出端，係被與記憶電路36M之輸入端作連接。
模式切換電路37，係由與檢測區塊DB1~DB16之各個相對應之16個的開關電路3701~3716所成。此些之開關電路3701~3716之各個的輸入端，係被與演算處理電路35之16個的相關值算出電路3501~3516之各個的輸出端作連接。
開關電路3701~3716之各個，係具備有C側端(輸出端)與R側端(輸出端)。而，開關電路3701~3716之各個的C側端，係被與電容觸碰檢測模式用記憶體之輸入端相連接。開關電路3701~3716之各個的R側端，係被與電阻觸碰檢測模式用記憶體363之輸入端相連接。而，開關電路3701~3716之各個，係藉由從控制電路40而來之切換控制訊號SW1，而與I/V變換電路3201~3216之各個的開關電路55處之切換同步地，來分別在電容觸碰檢測模式時被切換至C側輸出端，並在電阻觸碰檢測模式時被切換至R側輸出端。
在此第3實施形態之第1構成例中，由於係將電容觸碰檢測模式與電阻觸碰檢測模式以時間分割來作切換，因此，切換控制訊號SW1，係作為將此2個的檢測模式作切換之控制訊號而被作使用。控制電路40，於此例中，若是在電容觸碰檢測模式中而成為了結束對於感測部100的全部交叉點之指示體檢測的時間點，則係將檢測模式變更為電阻觸碰檢測模式。而，控制電路40，係將切換控制訊號SW1，供給至I/V變換電路3201~3216之開關電路55以及開關電路3701~3716處，並將該開關電路55以及開關電路3701~3716之各個切換至R側端。
又，控制電路40，若是在電阻觸碰檢測模式中而成為了結束對於感測部100的全部交叉點之指示體檢測的時間點，則係將檢測模式變更為電容觸碰檢測模式。而，控制電路40，係將切換控制訊號SW1，供給至I/V變換電路 3201~3216之開關電路55以及開關電路3701~3716處，並將該開關電路55以及開關電路3701~3716之各個切換至C側端。之後，控制電路40，係以在每一次的電容觸碰檢測模式或者是電阻觸碰檢測模式之其中一方的檢測模式中而成為了結束對於感測部100的全部交叉點之指示體檢測的時間點處，而切換為另外一方之檢測模式的方式，來進行控制。
而，如同上述一般，由於開關電路3701~3716係被切換至C側端，因此，在電容觸碰檢測模式時，藉由相關值算出電路3501~3516之各個所算出了的相關值，係被寫入至電容觸碰檢測模式用記憶體362中。
又，如同上述一般，由於開關電路3701~3716係被切換至R側端，因此，在電阻觸碰檢測模式時，藉由相關值算出電路3501~3516之各個所算出了的相關值，係被寫入至電阻觸碰檢測模式用記憶體363中。
而，合成處理電路364，係在每一次之電容觸碰檢測模式與電阻觸碰檢測模式之兩個檢測模式的組合結束時，亦即是，在開始訊號ST之每2個週期處，而將電容觸碰檢測模式用記憶體362之記憶內容與電阻觸碰檢測模式用記憶體363之記憶內容作合成。
合成處理電路364之合成處理，例如，係如同下述一般地而進行。亦即是，合成處理電路364，係對於電容觸碰檢測模式用記憶體362之記憶內容作參考，並尋找出成為較基準值ref而更小之相關值。而後，合成處理電路364 ，當檢測出較基準值ref而更小之相關值時，係將該相關值，寫入至記憶電路36M中之與電容觸碰檢測模式用記憶體362中之該相關值被寫入的位址相同之位址處。
又，合成處理電路364，係對於電阻觸碰檢測模式用記憶體363之記憶內容作參考，並尋找出成為基準值ref以上之相關值。而後，合成處理電路364，當檢測出基準值ref以上之相關值時，係將該相關值，寫入至記憶電路36M中之與電容觸碰檢測模式用記憶體362中之該相關值被寫入的位址相同之位址處。
而，合成處理電路364，在記憶電路36M之其他的位址處，係設為寫入代表「無指示體」的意思之相關值(=基準值ref)。另外，當在進行對於電容觸碰檢測模式用記憶體362以及電阻觸碰檢測模式用記憶體363之相關值的寫入時而從各個的相關值來將OFFSET值作減算的情況時，係成為基準值ref=0，此事，係與前述之實施形態相同。
控制電路40，若是結束了對於記憶電路36M之全部交叉點的相關值之寫入，則係將電容觸碰檢測模式用記憶體362以及電阻觸碰檢測模式用記憶體363之記憶內容預先作清除，以備於下一個的相關值之記憶。
而，在此第3實施形態之第1構成例中，位置算出電路361，係設為：在記憶電路36M之全部交叉點的記憶內容被作了抹寫的時間點、亦即是在開始訊號ST之每2個週期處，針對記憶電路36M之記憶內容，而進行與前述第1實施形態的情況時完全相同之處理，而產生輸出資料並作輸出。
參考圖31以及其之後續的圖32之流程圖，對於此第3實施形態之第1構成例中的全體之處理動作的流程之例作說明。
控制電路40，係從第1個的開始訊號ST之產生時間點起，而開始由此圖31以及圖32所成之流程圖的處理。而後，控制電路40，係一面在每一次之產生第2個的開始訊號ST時而對於檢測模式作切換，一面實行針對指示輸入面100S之全交叉點的1次之處理動作。並且，控制電路40，係以在每2個的開始訊號ST處而藉由輸出電路36來進行位置檢測處理並且將指示體檢測之輸出資料作輸出的方式來作控制
首先，若是在控制電路40輸出了開始訊號ST之後，於時脈訊號CLK之1個週期後所產生了的送訊載入訊號Stload被供給至送訊訊號供給電路21處，則送訊訊號供給電路21，係產生與送訊載入訊號Stload以及時脈訊號CLK作了同步的16種的展頻碼C1~C16，並且，開始對於送訊導體選擇電路22之供給(步驟S301)。
接著，控制電路40，係作為檢測模式而選擇電容觸碰檢測模式，並藉由切換控制訊號SW1，來將I/V變換電路3201~3216之切換開關電路55切換至檢測用電容器52側，並且，將開關電路3701~3716切換至C側端(步驟S302)。
接著，控制電路40，係藉由根據送訊載入訊號Stload所產生了的切換控制訊號SW3，來對於受訊導體選擇電路 31之開關電路3101~3116作切換控制，並從檢測區塊DB1~DB16之各個中而選擇1根的受訊導體12X(步驟S303)。
又，控制電路40，係藉由根據送訊載入訊號Stload所產生了的切換控制訊號SW2，來對於送訊導體選擇電路22之開關電路2201~2216作切換控制，並從送訊區塊TB1~TB16之各個中而選擇1根的送訊導體11Y(步驟S304)。
藉由上述步驟，16種的展頻碼C1~C16，係同時地被同步供給至藉由送訊導體選擇電路22所選擇了的16根之送訊導體11Y處(步驟S305)。而後，受訊導體選擇電路31，係將從藉由此受訊導體選擇電路31所選擇了的16根之受訊導體12X而來的受訊訊號，作為輸出訊號S1~S16而得到之。此輸出訊號S1~S16，係通過放大電路32以及A/D變換電路33而被供給至演算處理電路35之相關值算出電路3501~3516的各個處(步驟S306)。
接著，在相關值算出電路3501~3516之各個處，係進行有數位樣本資料與相關值演算用碼C1’~C16’之間的相關演算，並將其結果所得到了的相關值，通過相關值記憶電路35d來寫入至輸出電路36之電容觸碰檢測模式用記憶體362中(步驟S307)。
控制電路40，係判定是否對於與所選擇了的受訊導體12X一同構成交叉點之送訊導體11Y的全部而進行了展頻碼之供給(步驟S308)。在步驟S308中，當判定展頻碼之供給尚未結束時，係回到步驟S304，並反覆進行此步驟S304以後之處理。送訊區塊，由於係藉由4根的送訊導體 12Y所構成，因此，被選擇的複數之送訊導體的組，係為4組。故而，在步驟S308中，係判定是否反覆進行了4次的步驟S304~步驟S307之處理。
而，在步驟S308中，當判定已結束了對於與所選擇了的受訊導體12X一同構成交叉點之送訊導體11Y的全部之展頻碼的供給時，係判定是否從受訊導體12X之全部而得到了輸出訊號(步驟S309)。在此步驟S309中，當判定尚未從受訊導體12X之全部而得到輸出訊號時，係回到步驟S303，並反覆進行此步驟S303以後之處理。檢測區塊，由於係藉由8根的受訊導體12X所構成，因此，被選擇的複數之受訊導體的組，係為8組。故而，在步驟S309中，係判定是否反覆進行了8次的步驟S303~步驟S308之處理。
當在步驟S309中，而判定係對於送訊導體11Y之全部而進行了送訊訊號之供給，並且從受訊導體12X之全部而得到了輸出訊號時，控制電路40，係產生下一個的開始訊號ST，並將檢測模式切換為電阻觸碰檢測模式。亦即是，控制電路40，係藉由切換控制訊號SW1，來將I/V變換電路3201~3216之切換開關電路55切換至檢測用電阻54側，並且，將開關電路3701~3716切換至R側端(圖32的步驟S311)。
接著，控制電路40，係藉由根據送訊載入訊號Stload所產生了的切換控制訊號SW3，來對於受訊導體選擇電路31之開關電路3101~3116作切換控制，並從檢測區塊DB1~DB16之各個中而選擇1根的受訊導體12X(步驟S312)。
又，控制電路40，係藉由根據送訊載入訊號Stload所產生了的切換控制訊號SW2，來對於送訊導體選擇電路22之開關電路2201~2216作切換控制，並從送訊區塊TB1~TB16之各個中而選擇1根的送訊導體11Y(步驟S313)。
藉由上述步驟，16種的展頻碼C1~C16，係同時地被同步供給至藉由送訊導體選擇電路22所選擇了的16根之送訊導體11Y處(步驟S314)。而後，受訊導體選擇電路31，係將從藉由此受訊導體選擇電路31所選擇了的16根之受訊導體12X而來的受訊訊號，作為輸出訊號S1~S16而得到之。此輸出訊號S1~S16，係通過放大電路32以及A/D變換電路33而被供給至演算處理電路35之相關值算出電路3501~3516的各個處(步驟S315)。
接著，在相關值算出電路3501~3516之各個處，係進行有數位樣本資料與相關值演算用碼C1’~C16’之間的相關演算，並將其結果所得到了的相關值，通過相關值記憶電路35d來寫入至輸出電路36之電阻觸碰檢測模式用記憶體363中(步驟S316)。
控制電路40，係判定是否對於與所選擇了的受訊導體12X一同構成交叉點之送訊導體11Y的全部而進行了展頻碼之供給(步驟S317)。在步驟S317中，當判定展頻碼之供給尚未結束時，係回到步驟S313，並反覆進行此步驟S313以後之處理。被選擇的複數之送訊導體的組，由於係為4組，因此，在步驟S317中，係判定是否反覆進行了4次的步驟S313~步驟S316之處理。
而，在步驟S317中，當判定已結束了對於與所選擇了的受訊導體12X一同構成交叉點之送訊導體11Y的全部之展頻碼的供給時，係判定是否對於送訊導體11Y之全部而進行了送訊訊號之供給並且從受訊導體12X之全部而得到了輸出訊號(步驟S318)。在步驟S318中，當判定尚未對於送訊導體11Y之全部而進行了送訊訊號之供給並且從受訊導體12X之全部而得到了輸出訊號時，係回到步驟S312，並反覆進行此步驟S312以後之處理。被選擇的複數之受訊導體的組，由於係為8組，因此，在步驟S318中，係判定是否反覆進行了8次的步驟S312~步驟S317之處理。
當在步驟S318中，而判定係對於送訊導體11Y之全部而進行了送訊訊號之供給，並且從受訊導體12X之全部而得到了輸出訊號時，輸出電路36之合成處理電路364，係如同前述一般，對於電容觸碰檢測模式用記憶體362與電阻觸碰檢測模式用記憶體363之記憶內容作參考，並且作合成，而將該合成結果寫入至記憶電路36M中。而後，位置算出電路361，係針對記憶電路36M之記憶內容，而進行如同前述一般之位置檢測處理以及指示體檢測結果的輸出資料之產生處理，並將所產生了的輸出資料作輸出(步驟S319)。
控制電路40，在步驟S319之後，係回到步驟S302，並再度開始由電容觸碰檢測模式所致之指示體檢測。之後，控制電路40，係反覆進行上述之步驟S302以後之處理。
如此這般，在此第3實施形態之第1構成例中，係以開 始訊號ST之2週期的單位，來得到指示體檢測結果之輸出資料。
另外，在以上之第3實施形態的第1構成例中，係設為使用有電容觸碰檢測模式用記憶體362、電阻觸碰檢測模式用記憶體363以及記憶電路36M之3個的記憶體。但是，若是在記憶電路36M中，使用可進行覆寫(overwrite)之記憶體，並且設為下述一般之構成，則亦能夠將電容觸碰檢測模式用記憶體362和電阻觸碰檢測模式用記憶體363省略，並設為僅使用有1個的記憶體(亦即是記憶電路36M)之構成。
亦即是，位置檢測電路34，係在開始訊號ST之2週期單位的前半，而進行在電容觸碰檢測模式和電阻觸碰檢測模式之其中一方的檢測模式下之指示體檢測的相關值之算出，並將所算出了的相關值寫入至記憶電路36M中。
之後，位置檢測電路34，係在開始訊號ST之2週期單位的後半，進行在另外一方之檢測模式下的指示體檢測之相關值的算出。又，位置檢測電路34，係在進行所算出了的相關值之對於記憶電路36M的寫入時，將所算出了的相關值與基準值ref作比較參考，並根據該比較參考結果，來決定是否實行對於記憶電路36M之寫入。
亦即是，當想要新寫入之在另外一方的檢測模式下所算出了的相關值，係為與基準值ref相同之值時，則係並不將該相關值寫入至記憶電路36M中之相對應的位址處。又，當想要新寫入之在另外一方的檢測模式下所算出了的相 關值，係為與基準值ref相異之值時，則係對於已被寫入至記憶電路36M之相對應的位址處的相關值作參考，當該相關值係與基準值ref相等的情況時，則係藉由將想要新寫入之相關值作覆寫(overwrite)，來實行寫入。倘若，當該對應位址之相關值，係成為代表指示體的存在之與基準值ref相異之值時，則係將該已完成寫入的相關值保留，而並不進行想要新寫入之相關值的寫入。
如同上述一般，藉由對於2個的檢測模式之算出結果的對於記憶電路36M之寫入作控制，被設置在輸出電路36處之全交叉點之量的記憶體，係成為僅需要記憶電路36M之1個即可。
另外，在上述之構成例1中，雖係設為將電容觸碰檢測模式和電阻觸碰檢測模式在每一開始訊號ST處而作切換，但是，檢測模式之切換時序，係並不被限定於此。例如，亦可將時脈訊號CLK之1個週期的區間，2分割為電容觸碰檢測模式用與電阻觸碰檢測模式用，並設為在時脈訊號CLK之每1/2週期處，而將電容觸碰檢測模式與電阻觸碰檢測模式交互地作切換。另外，於此情況，受訊部300之電路，係構成為以上述之實施形態的2倍之時脈速率來動作。
又，亦可將同步且同時地將16種之展頻碼供給至複數之送訊導體處的期間，設為展頻碼之2個週期，並在其之前半的1個週期、和後半的1個週期處，而將電容觸碰檢測模式和電阻觸碰檢測模式交互地作切換。
〈第2構成例：圖33〉
第3實施形態之第2構成例，係將電容觸碰檢測模式之指示體檢測處理、和電阻觸碰檢測模式之指示體檢測處理，並非以時間分割來實行，而是恆常地並行作實行。
圖33，係為對於此第3實施形態之第2構成例的情況時之指示體檢測裝置的受訊部300之構成例作展示者。另外，其他之構成，係與第1實施形態相同。
如此圖33中所示一般，在此第2構成例中，於受訊部300處，係作為電容觸碰檢測模式用，而設置有放大電路32C、和A/D變換電路33C、和演算處理電路35C，又，係作為電阻觸碰檢測模式用，而設置有放大電路32R、和A/D變換電路33R、和演算處理電路35R。又，在位置檢測電路34處，係與第1構成例相同的而設置有輸出電路360。
在此第2構成例中之受訊導體選擇電路31’，係將在前述第1實施形態中使用圖14所作了說明的16個的開關電路，具備有電容觸碰檢測模式用和電阻觸碰檢測模式用的2組。亦即是，在受訊導體選擇電路31’中，開關電路3101C~3116C，係為電容觸碰檢測模式用，又，開關電路3101R~3116R，係為電阻觸碰檢測模式用。
而，開關電路3101C~3116C，係如同前述一般，將從相對應之檢測區塊DB1~DB16的受訊導體中所選擇的1根之受訊導體而來的輸出訊號(電流訊號)S1C~S16C作輸出。又，開關電路3101R~3116R，亦同樣的，將從相對應之檢 測區塊DB1~DB16的受訊導體中所選擇的1根之受訊導體而來的輸出訊號(電流訊號)S1R~S16R作輸出。但是，在開關電路3101C~3116C和開關電路3101R~3116R處，係以不會同時地對於相同之受訊導體作選擇的方式，而藉由從控制電路40而來之切換控制訊號而被作切換。
亦即是，例如，若是以對於檢測區塊DB1之1根的受訊導體作選擇之開關電路3101C和開關電路3101R的情況作為例子，則當開關電路3101C對於受訊導體12X1作選擇時，開關電路3101R，係對於偏移了1根的位置處之受訊導體12X2作選擇，接著，當開關電路3101C對於受訊導體12X2作選擇時，開關電路3101R，係對於偏移了1根的位置處之受訊導體12X3作選擇，…，以此方式，而對於開關電路3101C與開關電路3101R作切換。
放大電路32C以及放大電路32R之各個，係與前述之第1實施形態的放大電路32相同的，具備有將受訊導體選擇電路31’之輸出訊號(電流訊號)S1C~S16C以及S1R~S16R之各個作放大並且變換為電壓訊號之16個的I/V變換電路(省略圖示)。於此情況，放大電路32C之16個的I/V變換電路之各個，係設為圖5中所示之靜電耦合方式用的構成。又，放大電路32R之16個的I/V變換電路之各個，係設為圖8中所示之電阻膜方式用的構成。
而後，受訊導體選擇電路31’之輸出訊號S1C~S16C，係被輸入至放大電路32C之16個的I/V變換電路中，又，輸出訊號S1R~S16R，係被輸入至放大電路32R中。
A/D變換電路33C以及33R之各個，係與前述之第1以及第2實施形態中之A/D變換電路33相同的，具備有將放大電路32C以及32R之16個的I/V變換電路之輸出訊號變換為與時脈訊號CLK同步的數位樣本資料之16個的A/D變換器。
於此例中，放大電路32C之16個的I/V變換電路之輸出端，係分別被與A/D變換電路33C之16個的A/D變換器之各個的輸入端相連接。又，放大電路32R之16個的I/V變換電路之輸出端，係被與A/D變換電路33R之16個的A/D變換器之各個的輸入端相連接。
演算處理電路35C以及35R之各個，係與前述之第1以及第2實施形態中的演算處理電路35相同的，在輸入側處，具備有16個的相關值算出電路，該些相關值算出電路，係分別具備有與展頻碼之16碼片相對應的16段之橫移暫存器。
於此例中，A/D變換電路33C之16個的A/D變換器之各個的輸出端，係被與演算處理電路35C之16個的相關值算出電路之各個的輸入端相連接。又，A/D變換電路33R之16個的A/D變換器之各個的輸出端，係被與演算處理電路35R之16個的相關值算出電路之各個的輸入端相連接。
而後，演算處理電路35C之16個的相關值算出電路之各個的輸出，係被供給至電容觸碰檢測模式用記憶體362處，又，演算處理電路35R之16個的相關值算出電路之各 個的輸出，係被供給至電阻觸碰檢測模式用記憶體363處。
由於係如同上述一般地而構成，因此，受訊導體選擇電路31’之輸出訊號S1C~S16C的各個，係在放大電路32C之16個的I/V變換電路之各個處而被作放大，並被變換為電壓訊號。從此放大電路32C之16個的I/V變換電路之各個而來的輸出訊號，係在A/D變換電路33C所具備之16個的A/D變換器之各個處，被變換為數位樣本資料。
而後，從此A/D變換電路33C而來之數位樣本資料的各個，係被傳輸至演算處理電路35C之16個的相關值算出電路之各個所具備的橫移暫存器處並被作保持。
而，在演算處理電路35C之16個的相關值算出電路中，係如同前述一般，在各個的橫移暫存器處所被作保持之數位樣本資料、和16個的相關值演算用碼，係被作相關演算，所算出了的相關值，係被寫入至輸出電路360之電容觸碰檢測模式用記憶體362中。
如此這般，在電容觸碰檢測模式用記憶體362中，作為由靜電耦合方式所致之指示體的檢測結果，感測部100之全交叉點的相關值，係在開始訊號ST之1週期的期間中而被作寫入。
與此並行地，在電阻觸碰檢測模式用記憶體363中，亦同樣的，作為由電阻膜方式所致之指示體的檢測結果，感測部100之全交叉點的相關值，係在開始訊號ST之1週期的期間中而被作寫入。
亦即是，受訊導體選擇電路31之輸出訊號S1R~S16R的各個，係在放大電路32R之16個的I/V變換電路之各個處而被作放大，並被變換為電壓訊號。從此放大電路32R而來的輸出訊號，係在A/D變換電路33R所具備之16個的A/D變換器處，被變換為數位樣本資料。
而後，從此A/D變換電路33R而來之數位樣本資料，係分別被傳輸至演算處理電路35R之16個的相關值算出電路所分別具備的橫移暫存器處並被作保持。
而，在演算處理電路35R之16個的相關值算出電路中，係如同前述一般，對於在各個的橫移暫存器處所被作保持之數位樣本資料、和16個的相關值演算用碼，而進行相關演算，所算出了的相關值，係被寫入至輸出電路360之電阻觸碰檢測模式用記憶體363中。
如此這般，若是在電容觸碰檢測模式用記憶體362以及電阻觸碰檢測模式用記憶體363中，被寫入了與感測部100之全交叉點相對應的相關值，則合成處理電路364，係與前述之第3實施形態的第1構成例的情況相同地，而針對被記憶在電容觸碰檢測模式用記憶體362以及電阻觸碰檢測模式用記憶體363中之相關值進行合成處理。而後，合成處理電路364，係與前述之第3實施形態之第1構成例的情況相同地，將合成處理後之相關值寫入至記憶電路36M中。
如此這般，在記憶電路36M中，係於開始訊號ST之每1週期處，而被寫入有在電容觸碰檢測模式用記憶體362以 及電阻觸碰檢測模式用記憶體363中所被記憶之相關值的合成處理結果之相關值。
位置算出電路361，係因應於從控制電路40而來之控制訊號，而在開始訊號ST之每1週期處，根據被記憶在記憶電路36M中之相關值，來產生位置檢測處理以及指示體檢測之輸出資料並作輸出。
另外，在以上之第3實施形態的第2構成例中，亦係與第1構成例相同的，可設為下述一般之構成：亦即是，在記憶電路36M處，使用可作覆寫(overwrite)之記憶體，並且，藉由對於以電容觸碰檢測模式所算出之相關值和以電阻觸碰檢測模式所算出之相關值如同下述一般地進行合成處理，而成為能夠將電容觸碰檢測模式用記憶體362和電阻觸碰檢測模式用記憶體363作省略，並僅使用1個的與全交叉點相對應之記憶體(亦即是記憶電路36M)之構成。
亦即是，合成處理電路364，係在對於從演算處理電路35C而來之相關值的輸出與從演算處理電路35R而來之相關值的輸出作了合成處理後，再寫入至記憶電路36M中。
於此情況，合成處理電路364，係針對同一之交叉點，而對於從演算處理電路35C而來之以電容觸碰檢測模式所算出了的相關值、和從演算處理電路35R而來之以電阻觸碰檢測模式所算出了的相關值，此兩者間作比較參考，並根據該比較參考結果，來決定作寫入之相關值。
亦即是，在同一之交叉點處，當以電容觸碰檢測模式 所算出了的相關值和以電阻觸碰檢測模式所算出了的相關值均係成為與基準值ref相等之值時，則係作為該交叉點之相關值，而將基準值ref寫入至記憶電路36M中。
又，在同一之交叉點處，當像是以電容觸碰檢測模式所算出了的相關值係為基準值ref以下之值、或者是以電阻觸碰檢測模式所算出了的相關值係成為較基準值ref而更大之值一般之2個的相關值之其中一方係成為相較於基準值ref而在與各別的檢測模式相對應之方向上有所差異之值的情況時，則係將該相關值作為該交叉點之相關值來寫入至記憶電路36M中。
若依據此第3實施形態之第2構成例，則指示體檢測結果，係與第1實施形態相同的，在開始訊號ST之每1週期處而得到之。而且，係能夠進行在指示輸入面100S上之複數的相異之交叉點處的指示體之檢測，並能夠將身為接觸或是懸浮狀態的指示體和正對於交叉點作推壓之指示體同時地檢測出來。
〔第4實施形態：作為展頻碼而使用哈德瑪得碼的情況時之改良構成例〕
此第4實施形態，係為第1實施形態之指示體檢測裝置的改良例。
在第1實施形態之指示體檢測裝置中，係將從送訊部200而來之送訊訊號供給至送訊導體11Y處，並從和此送訊導體11Y作空間性交叉之受訊導體12X來得到與送訊訊號 (電壓訊號)相對應之受訊訊號(電流訊號)。而後，根據指示體並不存在於指示輸入面100S上時之受訊訊號的電流值和身為懸浮狀態或者是接觸狀態等之指示體存在於指示輸入面100S上時之受訊訊號的電流值係互為相異一事，來藉由檢測出該受訊訊號之電流變化而進行指示輸入面100S上之指示體的檢測。
於此情況，在電容觸碰檢測模式中而從受訊導體12X所得到的受訊訊號，由於係為低準位，因此，在放大電路32之I/V變換電路處，係需要採用充分大的增益(GAIN)，此事，係為重要。
另外，在上述之實施形態中，係將複數之送訊訊號同時地供給至複數之送訊導體處，並在受訊部300處而將與該複數之送訊訊號相對應的受訊訊號成分作分離並檢測出來，藉由此，而構成為能夠進行高速之指示體檢測。
而，在上述實施形態中，作為複數之送訊訊號，係設為使用展頻碼，特別是，作為展頻碼，係使用相互作正交且相互之分離度為高的哈德瑪得碼。例如，在上述實施形態中，係如同於圖34(A)中亦有所展示一般，產生16行×16列的哈德瑪得行列，並將此哈德瑪得行列之各行的哈德瑪得碼，作為16個的展頻碼C1~C16來使用。
而且，在上述實施形態中，係設為將16個的展頻碼C1~C16同步且同時地供給至16根的送訊導體11Y處。亦即是，在圖34(A)中，16個的展頻碼C1~C16，係將各碼片PN1、PN2、…、PN16之各個同步且同時地供給至16根的送 訊導體處。
故而，從與此16根的送訊導體11Y相交叉之1根的受訊導體12X，係作為受訊訊號，而得到有與將16個的展頻碼C1~C16之各碼片PN1、PN2、…、PN16之各個的資料作了加算者相當之訊號。亦即是，係成為在身為送訊訊號之展頻碼C1~C16的每1碼片處，而從受訊導體12X之各個來得到有與將圖34(A)之哈德瑪得行列的列方向之相同碼片位置的資料作了加算者相等之電流訊號。
此圖34(A)之例中的由16個的哈德瑪得碼所成之展頻碼C1~C16，最上方之行的展頻碼C1之16個的碼片，係全部成為「1」，但是，其他的展頻碼C2~C16之16個的碼片，係由8個的「1」與8個的「-1」所成。
而，圖34(A)之哈德瑪得行列，係為對稱行列，行方向之碼列和列方向之碼列，係為相同。故而，列方向之碼列，亦係為哈德瑪得碼，如同由圖34(A)而可得知一般，在16種的展頻碼C1~C16之最初的碼片PN1的時序處，從1根的受訊導體12X，係成為得到有與將16個的「1」作了加算者相當之電流訊號。又，在16個的展頻碼C1~C16之第2個以後的碼片PN2~PN16之各個的時序處，從1根的受訊導體12X，係得到有將8個的「1」與8個的「-1」作了加算之0準位的電流訊號。
放大電路32之I/V變換電路的放大增益，係有必要設定為在全部的碼片之時序處均不會飽和，並且能夠得到與應檢測出之電流訊號的準位相對應之輸出訊號。因此，作 為展頻碼C1~C16，當使用有圖34(A)之16碼片的哈德瑪得碼的情況時，放大電路32之I/V變換電路的放大增益，係有必要設定為就算是針對最初之碼片PN1的時序處之與將16個的「1」作了加算者相當之電流訊號亦不會成為飽和一般的較小之放大率。但是，若是設定為此種較小的放大率，則作為放大電路32之I/V變換電路的放大增益，在用以檢測出於靜電耦合方式中的低準位之電流變化一事上，係有著並不充分之虞。
因此，在此第4實施形態中，係對於在圖34(A)中所示的16行×16列之哈德瑪得行列中的16個的展頻碼C1~C16，而並不使用全部成為「1」之最初的1碼片PN1，並將由15碼片所成之16個的送訊訊號供給電路MC1~MC16(參考圖34(B))，作為從送訊訊號供給電路21所產生之展頻碼來作使用。
亦即是，此16個的展頻碼MC1~MC16，係如同由圖34(B)而可得知一般，為將圖34(A)之16碼片的展頻碼C1~C16之第2個以後的碼片PN2~PN16作為其之15碼片PN1~PN15者。故而，在此16個的展頻碼MC1~MC16之15碼片PN1~PN15之各碼片的時序處，係成為將8個的「1」與8個的「-1」供給至8根的送訊導體11Y處之狀態。因此，在與該8根的送訊導體相交叉之1根的受訊導體12X處，係成為得到將8個的「1」和8個的「-1」作了加算之0準位的電流訊號，而不會有如同16碼片的情況時一般之在前端之碼片的時序處而成為大準位之電流訊號的事態。
故而，在此第4實施形態之指示體檢測裝置中，係成為能夠將放大電路32 I/V變換電路的放大增益設定為更大。
另外，作為從送訊訊號供給電路21所產生之16個的展頻碼，當如同此例一般而使用在16×16之哈德瑪得行列中而並不使用與全部成為「1」的列相對應之前端的碼片之展頻碼MC1~MC16的情況時，係得知會發生如同下述一般的問題。以下，為了簡單化，以4×4的哈德瑪得行列為例來對於此問題作說明。另外，此問題，係發生在靜電耦合方式之指示體檢測中。
圖35以及圖36，係對於下述一般之情況作展示，亦即是，將把4×4之哈德瑪得行列的各行之哈德瑪得碼的全部均作為碼片來使用的展頻碼C1~C4，同步且同時地供給至4根的送訊導體11Y1~11Y4處，並獲得了從1根的受訊導體12X所得到之受訊訊號(電流訊號)與展頻碼C1~C4之各個間的相關值。
圖35，係對於指示體並不存在於指示輸入面100S上的情況作展示，圖36，係對於指示體18在送訊導體11Y2與受訊導體12X1之間的交叉點處而例如作了接觸的情況作展示。另外，在圖35以及圖36中，係與前述之例相配合，而將用以得到受訊訊號與展頻碼C1~C4之各個間的相關值之相關值演算用碼，記載為展頻碼C1’~C4’。
而，於以下之說明中，當在指示體18並不存在於指示輸入面100S上的狀態下而將展頻碼C1~C4施加於各送訊導 體11Y處時，係設為從與4根的送訊導體11Y1~11Y4之各個相交叉的受訊導體12X1而得到了與被供給至4根的送訊導體11Y1~11Y4處之送訊訊號相對應了的D1~D4之訊號準位。
而，在圖35以及圖36中，從受訊導體12X1所得到了的受訊訊號，係通過具備有由演算放大器51與檢測用電容器52所成之I/V變換電路的放大電路32，而被供給至A/D變換電路33處。而後，從受訊導體12X1所得到了的受訊訊號，係在A/D變換電路33處而被變換為數位樣本資料，並被設為與展頻碼C1~C4之4碼片相對應的輸出訊號PS1、PS2、PS3、PS4，而被保持在相關值算出電路之橫移暫存器35a中。
而後，與被保持在此橫移暫存器35a中之展頻碼的4碼片相對應之輸出訊號PS1~PS4、和相關值演算用碼C1’~C4’，係被供給至相關器35b處，並被進行相關演算。
首先，如圖35中所示一般，針對指示體18並不存在於指示輸入面100S上的狀態下之輸出訊號PS1、PS2、PS3、PS4之值和相關值作說明。
如同前述一般，展頻碼C1~C4之最初的碼片，由於係均為「1」，因此，輸出訊號PS1之值，係成為如同在圖35之左下所示一般之大的值。故而，如同於前亦有所敘述一般，作為展頻碼C1~C4，當使用有4碼片的哈德瑪得碼的情況時，放大電路32之I/V變換電路的放大增益，係有必要設定為就算是針對上述的最初之碼片PS1的時序處之與 將4個的「1」作了加算者相當之大的值的電流訊號亦不會成為飽和一般的較小之放大率。因此，若是如此這般地設定為較小的放大率，則作為放大電路32之I/V變換電路的放大增益，在用以檢測出於靜電耦合方式中的低準位之電流變化一事上，係有著並不充分之虞。另外，與第2碼片後相對應之輸出訊號PS2、PS3、PS4之值，係成為0。
而，被保持在橫移暫存器35a中之輸出訊號PS1~PS4和相關值演算用碼C1’~C4’之各個間的4個的相關值，由於輸出訊號PS1係為並非為0之值，因此，係如同在圖35之右下所示一般，全部成為特定之值。於此情況，若是假設送訊導體11Y1~11Y4與受訊導體12X1之間的交叉點之靜電耦合容量係全部為相等，則由於係成為D1=D2=D3=D4，因此，如同前述一般，當指示體18並不存在於指示輸入面100S上的狀態時之相關值，係成為全部為相等之值(前述之基準值ref)。
接下來，如圖36中所示一般，針對指示體18與送訊導體11Y2和受訊導體12X1之間的交叉點而例如作了接觸的狀態下之輸出訊號PS1、PS2、PS3、PS4之值和相關值作說明。
於此情況，由於指示體18係與送訊導體11Y2和受訊導體12X1之間的交叉點作接觸，因此，訊號準位D2係減少。故而，輸出訊號PS1、PS2、PS3、PS4之各個的值，係如同在圖36之左下所示一般，成為反映有該訊號準位D2之減少量者。
而，被保持在橫移暫存器35a中之輸出訊號PS1~PS4和相關值演算用碼C1’~C4’之各個間的4個的相關值，係成為如同在圖36之右下所示一般之值。亦即是，僅有關於與展頻碼C2相對應之相關值演算用碼C2’的相關值，係成為相較於基準值ref而更小了訊號準位D2之減少量，其他之3個的相關值，係成為基準值ref。
於此情況，在數位樣本資料PS1、PS3、PS4之各個處所出現的對於訊號準位D2之減少量作了反映的成分，由於係在與相關值演算用碼C1’、C3’、C4’之間的相關值之演算時而被相互抵消，因此，在相關值中係並不會出現，相關值係成為基準值ref。又，關於與展頻碼C2相對應之相關值演算用碼C2’的相關值，係成為相較於基準值ref而更小了正確地反映了訊號準位D2之減少量的量。
故而，如同前述一般，若是從算出了的相關值而將身為「當指示體18並不存在於指示輸入面100S上的狀態下之相關值」的基準值ref作減算，則僅有關於與展頻碼C2相對應之相關值演算用碼C2’的相關值，會成為與訊號準位D2之減少量正確地作了對應之負的值。
接著，為了對於當將4×4之哈德瑪得行列的各行之哈德瑪得碼的最初之1碼片作了使用的情況時之必須使放大電路32之I/V變換電路的放大增益變小的問題作解決，係只要如同前述一般而使用前述之並不利用最初的1碼片之展頻碼MC1~MC4即可。
參考圖37以及圖38，針對將並不使用4×4之哈德瑪得 行列的各行之哈德瑪得碼之最初的1碼片的展頻碼MC1~MC4同步且同時地供給至4根的送訊導體11Y1~11Y4處，並獲得了從1根的受訊導體12X1所得到之受訊訊號與展頻碼MC1~MC4之各個間的相關值的情況作說明。另外，在圖37以及圖38中，係與前述之例相配合，而將用以得到受訊訊號與展頻碼MC1~MC4之各個間的相關值之相關值演算用碼，記載為展頻碼MC1’~MC4’。
亦即是，圖37以及圖38，係為分別與圖35以及圖36之各個而相對應之圖，圖37，係對於指示體18並不存在於指示輸入面100S上的情況作展示，圖38，係對於指示體18在送訊導體11Y2與受訊導體12X1之間的交叉點處而例如作了接觸的情況作展示。
在此圖37以及圖38中，從受訊導體12X1所得到了的受訊訊號，係通過放大電路32而被供給至A/D變換電路33處，並被設為與展頻碼MC1~MC4之3碼片相對應的輸出訊號PS2、PS3、PS4，而被保持在相關值算出電路之橫移暫存器35a中。
而後，被保持在此橫移暫存器35a中之輸出訊號PS2~PS4、和相關值演算用碼MC1’~MC4’，係被供給至相關器35b處，並被進行相關演算。
首先，如圖37中所示一般，針對指示體18並不存在於指示輸入面100S上的狀態下之輸出訊號PS2、PS3、PS4之值和相關值作說明。
如同前述一般，與展頻碼MC1~MC4之各碼片相對應 之輸出訊號PS2、PS3、PS4之值，係成為0。而，被保持在橫移暫存器35a中之輸出訊號PS2~PS4和相關值演算用碼MC1’~MC4’之各個間的4個的相關值，亦係如同在圖37之右下所示一般，而全部成為0。亦即是，於此情況，相關值之基準值ref係成為0，而相關值亦成為0。
接下來，如圖38中所示一般，針對指示體18與送訊導體11Y2和受訊導體12X1之間的交叉點而例如作了接觸的狀態下之輸出訊號PS2、PS3、PS4之值和相關值作說明。
於此情況，由於指示體18係與送訊導體11Y2和受訊導體12X1之間的交叉點作接觸，因此，訊號準位D2係減少。故而，輸出訊號PS2、PS3、PS4之各個的值，係如同在圖38之左下所示一般，成為反映有該訊號準位D2之減少量者，而並不會成為0。
而，被保持在橫移暫存器35a中之輸出訊號PS2~PS4和相關值演算用碼C1’~C4’之各個間的4個的相關值，係成為如同在圖38之右下所示一般之值。亦即是，關於與展頻碼C2相對應之相關值演算用碼C2’的相關值，係成為相較於0而更變小了訊號準位D2之減少量，並且，其他之3個的相關值，係成為相較於0而更偏移了訊號準位D2之減少量(稱為OFFSET)者。
於此情況，4個的相關值之平均準位，係成為0。而，4個的相關值，係成為因應於指示體之接觸狀態或者是懸浮之狀態而以0作為平均值來作上下變動者。
因此，當將關於與指示體18所作接觸之原本的交叉點 相對應的展頻碼之相關值，作為基準準位ref=0而檢測出來的情況時，會產生下述之問題：亦即是，藉由靜電耦合方式所檢測出的在指示體所存在之交叉點處所所得到之負極性的相關值，係成為減少了前述OFFSET之量，而有著無法正確地進行指示體的檢測之虞。
為了解決此問題，若是藉由圖38之例來作說明，則只要將在輸出訊號PS2、PS3、PS4與相關值演算用碼C1’、C3’、C4’之間的相關值中所出現的OFFSET量，從所算出的相關值而檢去並作校正即可。此係因為，如此一來，由於係能夠將在指示體位置檢測中所使用的相關值ref，在將OFFSET量作了排除的狀態下而設為0，因此，係能夠將負的相關值正確地檢測出來之故。
在輸出訊號PS2、PS3、PS4與相關值演算用碼C1’、C3’、C4’之間的相關值中所出現的前述OFFSET量，若是在圖38之例中，則係為由於指示體18與送訊導體11Y2和受訊導體12X1之間的交叉點作接觸而減少了訊號準位D2所產生者。而，此OFFSET量，係能夠根據關於通過了並未藉由指示體18而被作接觸或者是指示輸入的其他之送訊導體11Y1、11Y3、11Y4的展頻碼之相關值，而正確地檢測出來。
但是，於此，應注意到，檢測出OFFSET量之送訊導體11Y，在指示輸入面100S處，當藉由指示體18而被進行了接觸等之指示輸入時，係為並未藉由該指示體18而被進行有接觸等之指示輸入的位置處之送訊導體11Y。故而，為了滿足此條件，係需要恆常將檢測出OFFSET量的送訊 導體11Y設為並未藉由指示體18而被進行有接觸等之指示輸入的狀態。
作為用以達成上述條件之其中一個方法，係只要將碼互為相異之複數個的展頻碼中之任意1個的展頻碼，設為從以不會檢測出由指示體18所進行之接觸等的指示輸入的方式而被施加有遮罩處理等之送訊導體11Y處來獲取即可。
然而，要對於送訊導體11Y而施加此種遮罩處理一事，係為困難。又，就算是能夠施加遮罩處理，感測部100之構造亦會成為複雜，而有著使成本變高之虞。
因此，在此第4實施形態中，係設為將碼互為相異之複數個的展頻碼中之任意的1個的展頻碼，並不供給至送訊導體11Y處地而直接供給至受訊導體12X之輸出訊號處。此係因為，若是設為此種構成，則該展頻碼，係能夠並不透過藉由指示體18而被進行了接觸等之指示輸入的交叉點地來施加於受訊導體12X之輸出訊號處，並能夠作為該展頻碼之相關值來將OFFSET量檢測出來之故。而，藉由以所檢測出的OFFSET量來對於在相關值算出電路處所算出了的相關值作校正，係成為能夠恆常地正確進行指示體之檢測。，
在圖39以及圖40中，針對在前述之第1實施形態的指示體檢測裝置中而適用了此第4實施形態之情況的重要部分之構成作展示。此第4實施形態之構成，係為將16種的展頻碼C1~C16中之展頻碼C1作為用以檢測出OFFSET量的 展頻碼來使用的情況之例。另外，在與第1實施形態相同的構成部分處，係附加相同的參考符號，並省略其之詳細說明。
圖39，係為用以對於在此第4實施型態之情況中的直到感測部100’、送訊部200’以及受訊部300’之放大電路32為止的部分之構成例作展示之圖。又，圖40，係為用以對於在此第4實施型態之情況中的位置檢測電路34’之構成例作展示之圖。其他之部分，係設為與第1實施形態相同之構成。
如圖39中所示一般，此第4實施形態之感測部100’，係並不具備有在第1實施形態之感測部100處的送訊區塊TB1之4根的送訊導體11Y1~11Y4。故而，第4實施形態之感測部100’，其送訊導體數係成為60根。另外，關於受訊導體群12，亦包含檢測區塊DB1~DB16之構成，在此第4實施形態中，係與第1實施形態相同。
而，於此第4實施形態中，由於係並不存在有送訊區塊TB1，因此，送訊導體選擇電路22’係並不具備有第1實施形態的情況時之送訊導體選擇電路22中的開關電路2201。
而，如圖39中所示一般，從送訊訊號供給電路21之展頻碼產生電路2102~2116而來的15種之展頻碼C2~C16的各個，係通過送訊導體選擇電路22’而同步地被同時供給至送訊區塊TB2~TB16之各個的各1根之送訊導體11Y處。
在此第4實施形態中，從送訊訊號供給電路21之展頻 碼產生電路2101而來的展頻碼C1，係分別透過電容器3801、3802、…、3816，而被加入至從受訊導體選擇電路31而來之輸出訊號S1~S16的各個之中，並被供給至放大電路32之I/V變換電路3201、3202、…、3216之各個處。
於此情況，電容器3801、3802、…、3816的容量，例如係被選定為在送訊導體11Y與受訊導體12X之間的交叉點處之靜電容量C0。亦即是，展頻碼C1，係通過與在指示體18並不存在之狀態下的交叉點相同之靜電容量C0，而被供給至放大電路之I/V變換電路3201、3202、…、3216之各個處。
故而，被輸入至放大電路32之I/V變換電路3201、3202、…、3216之各個處的輸出訊號S1~S16，係成為與將16個的展頻碼C1~C16之全部作了多重後之訊號相對應的訊號。
此輸出訊號S1~S16之各個，係與第1實施形態之情況相同地，在放大電路32之I/V變換電路3201、3202、…、3216之各個處而被變換為電壓訊號，並被作放大，之後，在A/D變換電路33之A/D變換器3301~3316處而被變換為數位樣本資料。
而，從A/D變換器3301~3316之各個所輸出的數位樣本資料，係如圖40中所示一般，被供給至位置檢測電路34之演算處理電路35的相對應之相關值算出電路3501~3516處。此相關值算出電路3501~3516，係分別為具備有與圖18中所示之第1實施形態的情況而完全相同之構成者 ，被作了輸入的數位樣本資料，係分別在橫移暫存器35a中，作為輸出訊號PS1~PS16而被作保持。
如同前述一般，各相關值算出電路3501~3516，係進行分別被保持在橫移暫存器35a中之輸出訊號PS1~PS16和16個的展頻碼C1~C16間之相關演算，並將算出了的相關值供給至輸出電路36’處。如同後述一般，在被保持於橫移暫存器35a中之輸出訊號PS1~PS16和16個的展頻碼C1~C16間之16個的相關值中，關於展頻碼C1之相關值，係成為代表OFFSET值者。
在此第4實施形態中，如圖40中所示一般，輸出電路36’，係具備有記憶電路36M’、和位置算出電路361、和OFFSET除去電路365，而構成之。
記憶電路36M’，係為將感測部100’之送訊導體數×受訊導體數=60×128個的交叉點之相關值作記憶的記憶電路。位置算出電路361，係為具備有與第1實施形態相同之構成者，在此第4實施形態中，係根據被記憶在此記憶電路36M’中之相關值，來將指示體之檢測結果作為輸出資料而產生之。
OFFSET除去電路365，係具備有用以接收從相關值算出電路3501~3516之各個的相關值記憶電路35d而來之輸出並進行OFFSET之除去的減算電路501~516。
而，OFFSET除去電路365之各減算電路501~516，係分別被與記憶電路36M’作連接，並將在各減算電路501~516處而將OFFSET值作了除去之相關值之各個，傳輸至記 憶電路36M’處。記憶電路36M’，係將此被傳輸而來之相關值作記憶。
又，OFFSET除去電路365，係被與控制電路40作連接。OFFSET除去電路365之各減算電路501~516的構成，由於係全部為相同，因此，在圖41中，作為減算電路501之情況而展示其之構成例。
減算電路501，係由15個的減算器50a2~50a16所構成。15個的減算器50a2~50a16之其中一方的輸入端，係分別被與相關值算出電路3501之相關值記憶電路35d的相對應之暫存器35d2~35d16之輸出端的各個相連接。
又，各減算器50a2~50a16之另外一方的輸入端，係分別被與相關值算出電路3501之相關值記憶電路35d的暫存器35d1之輸出端相連接。
而後，各減算器50a2~50a16，係對於從暫存器35d2~35d16而來之相關值，而減算掉從暫存器35d1而來之相關值(OFFSET值)。
與第1實施形態相同的，受訊導體選擇電路31，係在對於16個的檢測區塊DB之各個的1根之受訊導體12X作了選擇的狀態下，將15個的展頻碼C2~C16，在每一週期中，而供給至各15根之送訊導體11Y的4組處。而後，在於16個的檢測區塊DB1~DB16之各個處而各被選擇有1根之受訊導體12X的狀態下，在展頻碼之每4週期處，15種之展頻碼C2~C16，係被供給至全部的送訊導體11Y處。
故而，從受訊導體選擇電路31而來之16個的輸出訊號 S1~S16之各個，係成為將15個的展頻碼C2~C16之各碼片的成分作了加算一般之訊號。而，展頻碼C1，係通過電容器3801~3816之各個，而被加算至從此受訊導體選擇電路31而來之16個的輸出訊號S1~S16之各個處，藉由此，被輸入至放大電路32之各I/V變換電路3201、3202、…、3216處之輸出訊號S1~S16的各個，係成為將16個的展頻碼C1~C16之全部作了加算一般之訊號。
在前述展頻碼之4週期的最初之1週期處，15個的展頻碼C2~C16，係分別被供給至15根的送訊導體11Y8、11Y12、…、11Y60處。而後，對於從受訊導體選擇電路31而來之16個的輸出訊號S1~S16之各個，展頻碼C1，係通過電容器3801~3816之各個而被作加算。
此輸出訊號S1~S16之各個，係如同前述一般地透過放大電路32而被供給至A/D變換電路33處，並分別被變換為數位樣本資料，而被保持在相關值算出電路3501~3516之各個的橫移暫存器35d中。而後，在相關值算出電路3501~3516之各個處，輸出訊號S1~S16之各個的數位樣本資料和展頻碼C1~C16之各個間的相關值，係被計算出來。
於此情況，如同前述一般，展頻碼C1，由於係並未被供給至感測部100’之送訊導體11Y處，因此，關於該展頻碼C1之相關值，係成為針對被受訊導體選擇電路31所選擇了的受訊導體12X和15根的送訊導體11Y8、11Y12、…、11Y60之間的交叉點之各個的OFFSET值。
此OFFSET值，係從相關值算出電路3501~3516之各相關值記憶電路35d的暫存器35d1而獲得。亦即是，在相關值記憶電路35d之暫存器35d1中，係被保持有OFFSET值。而，從此暫存器35d1而來之OFFSET值，係被供給至OFFSET除去電路365處，並在各減算電路501~516處而被供給至減算器50a2~50a16之各個中。
而後，在OFFSET除去電路365之減算電路501~516的各個處，於各個的減算器50a2~50a16處，係對於從暫存器35d2~35d16而來之相關值，而減算掉從暫存器35d1而來之OFFSET值並作除去。而，從減算電路501~516之各個而來的將OFFSET值作了除去的相關值，係被供給至記憶電路36M’處並被作記憶。
針對藉由受訊導體選擇電路31而被作了選擇的受訊導體12X和其他的15根之送訊導體之組，亦係進行有與上述相同之處理動作。而後，若是結束了針對15根的送訊導體之4組的處理動作，則藉由受訊導體選擇電路31而被作選擇之受訊導體12X，係在檢測區塊DB1~DB16之各個處，被切換為另外之1根的受訊導體，並反覆進行上述之動作。
如同上述一般，在此第4實施形態中，由於係使用有並不對於在碼互為相異之複數個的哈德瑪得碼中而全部成為「1」之最初的一碼片作利用的展頻碼，因此，係能夠將放大電路32之放大增益增大。
並且，在此第4實施形態中，就算是使用有並不對於 在碼互為相異之複數個的哈德瑪得碼中而全部成為「1」之最初的一碼片作利用的展頻碼，亦能夠對於此種情況下之問題點作解決，並成為能夠與使用有哈德瑪得碼之全部的碼片之情況時相同的來將指示體正確地檢測出來。
〈校正用訊號之合成方法的其他例〉
另外，在上述之例中，係針對將從受訊導體12X而來之輸出訊號與相關值之OFFSET的校正用訊號，在輸入至A/D變換電路33中之前便作合成(亦即是，在類比訊號之階段來作合成)的情況而作了例示說明。如此這般，當將校正用訊號與從受訊導體12X而來之輸出訊號在類比訊號的階段來作合成的情況時，由於係僅藉由設置電容器3801~3816便能夠實現，因此，在能夠將電路構成簡潔化一事上，係為優良。
然而，此電容器3801~3816，係有必要設定為與在送訊導體11Y和受訊導體12X之間的交叉點處所形成之電容器同等程度的電容值。在此送訊導體11Y與受訊導體12X間之交叉點處所形成的電容器之容量，由於係成為例如約0.5pF左右之非常小的容量，因此，要安裝在實際的電路基板上一事，係為非常困難。又，在上述之例中，由於係將校正用訊號與從受訊導體12X而來之輸出訊號在類比訊號的階段處而作合成，因此，亦有著容易產生誤差的問題。
因此，在此校正用訊號之合成方法的其他例中，係設 為將校正用訊號與A/D變換電路33之輸出訊號(亦即是被變換成數位訊號後之受訊訊號)作合成。
圖42，係為對於設為將作為用以得到OFFSET值之校正用訊號的展頻碼加算至A/D變換電路33之輸出訊號處的情況之構成例作展示之圖。此圖42之例，亦係在用以得到OFFSET值之校正用訊號中，使用展頻碼C1。
於此例中，係在A/D變換電路33之輸出側處設置加算電路39。此加算電路39，係具備有將其中一方之輸入端與A/D變換電路33之A/D變換器3301~3316的各個之輸出端作了連接的加算器3901~3916。
而，從送訊訊號供給電路21之展頻碼產生電路2101而來的展頻碼C1，係經由電容器38而被供給至I/V變換電路3220處。於此情況，電容器38的容量，係被選定為在送訊導體11Y與受訊導體12X之間的交叉點處之靜電容量C0。又，I/V變換電路3220，係與放大電路32之各I/V變換電路3201~3216成為相同之構成。亦即是，展頻碼C1，係通過與在指示體18並不存在之狀態下的交叉點相同之靜電容量C0，而被供給至I/V變換電路3220處。
而後，與A/D變換電路33之A/D變換器3301~3316之各個相同的，I/V變換電路3220之輸出訊號，係藉由A/D變換器3320而被變換為與時脈訊號CLK作了同步的數位樣本資料。之後，從A/D變換器3320而來的數位樣本資料，係被供給至加算電路39之加算器3901~3916的各個處。
加算電路39之加算器3901~3916的各個，係將從A/D變換器3301~3316而來之數位樣本資料與從A/D變換器3320而來之數位樣本資料作加算。而後，加算電路39之加算器3901~3916的各個之加算輸出，係被供給至位置檢測電路34處。其他之構成，係與上述之第4實施形態的構成相同。
如同上述一般，在此校正用訊號之合成方法的其他例中，校正訊號與從受訊導體12X而來之輸出訊號，係以數位訊號而被作合成。故而，係能夠在為了供給校正用訊號所設置之電容器38中，例如使用8pF之電容器，並在A/D變換器3320中，將4位元之資料作位數減少，藉由此，係能夠以相較於藉由類比訊號來作合成之情況而更高的精確度來進行訊號合成。
另外，在上述之第4實施形態中，雖係針對作為校正用訊號而使用1個展頻碼的例子而作了說明，但是，本發明，係並不被限定於使用1個展頻碼的情況。例如，係亦可設為將2個以上的展頻碼作為校正用訊號來作供給。
以上，係針對將第4實施形態適用在第1實施形態中的情況而作了說明，但是，當然的，亦可將第4實施形態，適用在第2實施形態或者是第3實施形態中。
〔第5實施形態：檢測不均之除去：圖43~圖47〕
此第5實施形態，係為在上述之第1~第4實施形態中的送訊部200、200’以及受訊部300、300’之部分的變形例 。
如同前述一般，作為指示體18，係不僅可以使用使用者之手指，而亦可使用筆等。而，在此實施形態之指示體檢測裝置中，係成為亦能夠藉由電阻膜方式來進行由指示體18所致之推壓力的檢測。
另外，若藉由筆等之指示體18，則係如同圖43(A)、(B)中所示一般，而成為亦能夠對於在2根的受訊導體12Xm、12Xm+1之間的點進行指示輸入。但是，當如此這般而對於2根的受訊導體12Xm、12Xm+1之間的點而進行了指示輸入的情況時，因應於該指示輸入點之位於2根的受訊導體12Xm、12Xm+1之間的位置，從2根的受訊導體12Xm、12Xm+1之輸出訊號所算出的指示體之檢測輸出(相關值)係會有所改變。
亦即是，當筆之指示體18的指示輸入點，係如同圖43(A)一般，為接近於2根的受訊導體12Xm、12Xm+1中之受訊導體12Xm側的情況時，如圖43(C)中所示一般，從受訊導體12Xm之輸出訊號所得到的指示體檢測輸出(相關值)Im係為大，而從受訊導體12Xm+1之輸出訊號所得到的指示體檢測輸出(相關值)Im+1係變小。相對於此，當筆之指示體18的指示輸入點，係如同圖43(B)一般，為接近於2根的受訊導體12Xm、12Xm+1中之受訊導體12Xm+1側的情況時，如圖43(D)中所示一般，從受訊導體12Xm之輸出訊號所得到的指示體檢測輸出(相關值)Im係為小，而從受訊導體12Xm+1之輸出訊號所得到的指示體檢測輸出 (相關值)Im+1係變大。
因此，例如，當使筆的指示體18以一面對於指示輸入面100S作推壓一面描繪直線的方式來在沿著受訊導體之延伸方向的方向上來作了移動的情況時，如圖44中所示一般，因應於該指示體之檢測輸出而被檢測出來的線60，係有著會成為在粗細上產生有不均或者是成為有所晃動之線的問題。
圖43、圖44之說明，雖然係為藉由指示體18而對於2根的受訊導體之間的點位置作了指示輸入的情況，但是，就算是在藉由指示體18而對於2根的送訊導體之間的點位置作了指示輸入的情況時，亦會產生相同的問題。此第5實施形態，係為對於以上之問題作了解決的例子。
〈第1例〉
圖45，係為用以對於此第5實施型態之第1例的重要部分之基本概念作說明之圖。在此第5實施形態之第1例中，展頻碼Ck，係被同時地供給至2根的送訊導體11Yn、11Yn+1處。又，從2根的受訊導體12Xm、12Xm+1所得到的受訊訊號(電流訊號)，係設為分別通過I/V變換電路61、62而被供給至放大器63處，並藉由此放大器63而被作加算。
若是設為此種構成，則關於從放大器63所得到之訊號Smix的指示體檢測輸出(相關值)，係成為與將指示體檢測輸出(相關值)Im和指示體檢測輸出(相關值)Im+1作了加算者等價之指示體檢測輸出(相關值)。亦即是，當 筆之指示體18的指示輸入點，係如同圖43(A)一般，為接近於2根的受訊導體12Xm、12Xm+1中之受訊導體12Xm側的情況時，係得到如圖43(E)中所示一般的指示體檢測輸出(相關值)Imix。又，當筆之指示體18的指示輸入點，係如同圖43(B)一般，為接近於2根的受訊導體12Xm、12Xm+1中之受訊導體12Xm+1側的情況時，係得到如圖43(F)中所示一般的指示體檢測輸出(相關值)Imix。
故而，當使筆的指示體18以一面對於指示輸入面100S作推壓一面描繪直線的方式來作了移動的情況時，因應於該指示體檢測輸出而被檢測出來的線，係成為不會在粗細上產生有不均或者是成為有所晃動之線。
另外，在此第5實施形態之受訊部300中，受訊導體選擇電路31’之開關電路3101’~3116’之各個，係如圖46中所示一般，成為分別對於各2根的受訊導體作選擇一般之開關電路的構成。而後，開關電路3101’~3116'之各個，係對於各2根的受訊導體，一次偏移1根地來作選擇。亦即是，開關電路3101’~3116'之各個，在2根的受訊導體12Xm、12Xm+1之後，係選擇2根的受訊導體12Xm+1、12Xm+2，接著，係選擇2根的受訊導體12Xm+2、12Xm+3，如此這般地，而一次偏移1根地來作切換。
於此第5實施形態之情況，如同在圖46中以點線所包圍而作展示一般，針對在構成檢測區塊之受訊導體中的下標(suffix)為最大之受訊導體，係以進行其與相鄰之檢測區塊中而下標為最小的前端之受訊導體之間之加算的方 式，來構成開關電路3101’~3116'之各個。
又，雖係省略圖示，但是，針對送訊部200之送訊導體選擇電路22’，亦係將各個之將展頻碼Ck作供給之2根的送訊導體，一次一根地來作切換。亦即是，在2根的送訊導體11Yn、11Yn+1之後，係選擇2根的送訊導體11Yn+1、11Yn+2，接著，係選擇2根的送訊導體11Yn+2、11Yn+3，如此這般地，而一次偏移1根地來作切換。又，與上述之檢測區塊之情況相同的，在送訊區塊處，相鄰接者之送訊導體，係在2個的區塊處而共用地作使用。
〈第2例〉
圖47，係為用以對於此第5實施型態之第2例的重要部分之基本概念作說明之圖。在此第5實施形態之第2例中，展頻碼Ck，係被同時地供給至3根的送訊導體11Yn-1、11Yn、11Yn+1處。又，將從3根的受訊導體12Xm-1、12Xm、12Xm+1所得到的受訊訊號，分別通過I/V變換電路64、65、66而被供給至差動放大器67處，並設為藉由此差動放大器67而作合成。於此第2例之情況，中央之受訊導體12Xm係為注目受訊導體，從該注目受訊導體而來之受訊訊號，係被供給至差動放大器67之非反轉輸入端子處。而，從中央之受訊導體12Xm之兩鄰的受訊導體12Xm-1、12Xm+1所得到的受訊訊號，係被供給至差動放大器67之反轉輸入端子處。
在此第2例中，係可作為差動放大器67之輸出訊號， 而得到相對於從受訊導體所得之受訊訊號來將耐雜訊性作了提升的輸出訊號。而，係將被供給至差動放大器67之非反轉輸入端子處的從中央之受訊導體12Xm而來之受訊訊號，設為從兩鄰的受訊導體12Xm-1、12Xm+1所得到的受訊訊號之2倍，而特別能夠將耐雜訊性提升。
另外，在此第2例之情況中，亦同樣的，受訊部之受訊導體選擇電路，係設為將各3根的受訊導體一次偏移1根地來作選擇。又，在送訊部之送訊導體選擇電路處，亦係設為將3根的送訊導體一次偏移1根地來作選擇。而，在檢測區塊或者是送訊區塊之相鄰接的導體彼此間，係將受訊導體或送訊導體相重疊(overlap)地作使用一事，係與第1例為相同。
另外，此第5實施形態，係能夠適用在上述之所有的實施形態中。
〔第6實施形態：放大電路之自動增益控制〕
另外，第1實施形態之指示體檢測裝置1，為了能夠安定地進行相關演算，被變換為電性訊號之受訊訊號，係將其之訊號準位在放大器中而放大至特定之訊號準位，之後，再在A/D變換電路33中而被變換為數位樣本訊號並被輸入至相關值算出電路34中。
當雜訊為較受訊訊號更大的情況時，若是將混合存在有雜訊之受訊訊號的訊號準位均一地作放大，則會產生下述一般之問題：亦即是，雜訊亦會被放大，而A/D變換 器會被箝制(clip)，並成為無法將受訊訊號適當地檢測出來。
然而，若是不將受訊訊號之訊號準位作放大，則例如，當對於身為懸浮狀態之指示體作檢測時，受訊訊號之變化準位係變得極小，而產生無法將指示體18檢測出來之問題。第6實施形態，係為對於此問題而作了解決者，並在放大電路32之部分處具備有特徵。
以下，參考圖48以及圖49，對於此第6實施形態作說明。圖48，係為在此第6實施形態中之受訊部330的概略區塊構成圖，圖49，係為構成後述之增益值設定電路的絕對值檢波電路之電路構成圖。
若是將在此第6實施形態中所展示之受訊部330與第1實施形態中之受訊部300作比較，則其之相異點，係在於：代替放大電路32，而使用了具備有自動增益控制功能之放大電路510。其他之構成，係為與第1實施形態相同之構成，針對相同之構成，係附加相同之號碼，並省略其說明。另外，在圖48之放大電路510中，為了簡單化，係對於關於輸出訊號S1~S16中之1個的輸出訊號之內部電路作了展示。實際上，係為針對輸出訊號S1~S16之各個而設置有圖48之放大電路510的內部電路。
如圖48中所示一般，此例之放大電路510，係具備有I/V變換電路511、和增益調整電路512、和增益值設定電路513。I/V變換電路511，係為具備有與上述之I/V變換電路3201~3216相同之構成者，於此例中，此I/V變換電 路511之輸出端，係被與增益調整電路512之輸入端作連接。
增益調整電路512，係為用以將被輸入了的訊號之訊號準位適宜地放大或者是減少為特定之訊號準位的電路。此增益調整電路512，係根據從增益值設定電路513而來之控制訊號，而進行其之輸出訊號準位的控制。此時，在增益值設定電路513所處理之能量成分的訊號強度中，由於係並不僅是應檢測出之訊號(展頻碼)成分，而亦包含有雜訊等，因此，增益調整電路512，係成為根據訊號全體的能量成分之訊號強度來設定增益值。
此增益調整電路512之輸出訊號，係被供給至A/D變換電路33處並被變換為數位樣本資料。從此A/D變換電路33而來之數位樣本資料，係被供給至位置檢測電路34處，並且，在此例中，係亦被供給至增益值設定電路513處。
增益值設定電路513，係根據從A/D變換電路33而來之數位樣本資料而產生用以控制增益調整電路512之控制訊號，並將該控制訊號供給至增益調整電路512之控制訊號輸入端處。此增益值設定電路513，係具備有絕對值檢波電路514、和自動增益控制電路515。
絕對值檢波電路514，係將從A/D變換電路33而來之數位樣本資料的能量成分之訊號強度檢測出來。另外，在從A/D變換電路33所輸出之數位樣本資料中，由於並不僅是應檢測出之訊號(展頻碼)成分，而亦包含有雜訊等 之不必要的訊號成分，因此，在絕對值檢波電路514處，係檢測出包含有雜訊等之不必要的訊號成分之檢測訊號全體的能量成分之訊號強度。
自動增益控制電路515，係根據在絕對值檢波電路514中所檢測出之訊號強度，來產生對於增益調整電路512之增益作控制的控制訊號，並供給至增益調整電路512處。
絕對值檢波電路514，例如係具備有如同圖49中所示一般之構成例。亦即是，在圖48之例子中，絕對值檢波電路514，係具備有自乘乘算器5141、和被連接於此自乘乘算器5141之輸出端子處的積分器5142。
自乘乘算器5141，係對於A/D變換電路33之輸出訊號作自乘演算，並將演算後之自乘演算輸出訊號輸出至積分器5142處。積分器5142，係將從自乘乘算器5141而來之自乘演算輸出訊號作時間性積分，並將該積分輸出訊號作為絕對值檢波輸出而得之。而後，積分器5142，係將該積分輸出訊號供給至自動增益控制電路515處。
在此第6實施形態中，如同上述一般，係將並不僅是應檢測出之訊號(展頻碼)成分而亦包含有雜訊等之訊號的能量成分之訊號強度檢測出來，並根據該訊號強度，來對於增益調整電路512之增益值作控制，並以將其之輸出準位設為特定之準位的方式，來進行自動增益控制。故而，就算是當被輸入至增益調整電路512處的訊號中被重疊有雜訊等的情況時，亦能夠對於該輸入訊號而適當地進行自動增益控制。
另外，作為藉由絕對值檢波電路514來得到絕對值檢波輸出之手法，只要是能夠將包含有應檢測之訊號成分以及雜訊的訊號之準位檢測出來，則係可使用任意之方法。例如，除了上述之手法以外，亦可使用將絕對值檢波電路514之輸入訊號之準位的絕對值作積分之手法等。又，在絕對值檢波處理中，係亦可使用A/D變換後之數位訊號處理以及A/D變換前之類比訊號處理之任一者。
另外，此第6實施形態，係能夠適用在上述之所有的實施形態中。
〔第7實施形態：感測部之其他構成例：圖50~圖54〕
作為第7實施形態，針對感測部之其他構成例作說明。
〈感測部之變形例1〉
上述之實施形態的感測部100之感壓材，係如圖2中所示一般，為在與指示輸入面100S相正交之方向上，將送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X空出特定之空隙15而作了配設之構成，在隔著空隙15而相對向之送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X之面上，係如圖2中所示一般，被形成有極細微之凹凸。
然而，作為感測部100之感壓材的構成，係並非被限定於在送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X處而將被形成有極細微之凹凸的面設為相互對向之面的情況。
此感測部之變形例1，係為此種情況之其中一例。於圖50中，展示此變形例1之感測部500的重要部分。圖50(A)，係為此感測部500之X軸方向剖面圖，圖50(B)，係相同的而為Y軸方向剖面圖。另外，在與前述之實施形態相同的部分處，係附加相同之參考符號，並省略其說明。在後述之感測部的其他變形例中，亦為相同。
在圖50之例中，於送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X處，隔著空隙15而相互對向之面，係被設為鏡面狀，但是，與送訊導體11Y相接觸之送訊電阻體13Y的面、以及與受訊導體12X相接觸之受訊電阻體14X的面，係如圖50(A)、(B)中所示一般，被形成有極細微之凹凸。
在此圖50(A)、(B)中所示之例中，亦同樣的，當藉由手指等之指示體18而將指示輸入面100S作了壓下時，送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X之間的對向面係作接觸，並且，送訊導體11Y與送訊電阻體13Y之間的接觸面積、受訊導體12X與受訊電阻體14X之間的接觸面積，係因應於由指示體18所致之推壓力而變化。故而，在送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X相接觸了的狀態下之送訊導體11Y與受訊導體12X之間的電阻值，係成為與由指示體18所致之對於指示輸入面100S的推壓力相對應者，而能夠得到與上述之實施形態相同的作用效果。
又，作為感測部500之構成，亦可如同圖50(C)、(D)中所示一般，於送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X處，將被形成有極細微之凹凸的面設為相互對向之面，並且 ，亦設為與送訊導體11Y相接觸之送訊電阻體13Y的面以及與受訊導體12X相接觸之受訊電阻體14X的面。
在此圖50(C)、(D)所示之例中，亦係與圖50(A)、(B)中所示之例相同的，在送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X相接觸了的狀態下之送訊導體11Y與受訊導體12X之間的電阻值，係成為與由指示體18所致之對於指示輸入面100S的推壓力相對應者。故而，在此圖50(C)、(D)所示之例中，亦能夠得到與上述之實施形態相同之作用效果。
另外，在圖50中，雖係設為：沿著送訊導體11Y來形成送訊電阻體13Y，並沿著受訊導體12X來形成受訊電阻體14X，但是，亦可將送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X之各個，設為形成在與送訊導體11Y或者是受訊導體12X相同的方向上。又，亦可將送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X，在與送訊導體11Y和受訊導體12X之間的交叉點相對應之區域的每一者處，以設置為島狀的方式來作形成。進而，送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X，係亦可如同前述一般，設為涵蓋下側基板16以及上側基板17之一面全體地來形成之。
又，亦可設為：將送訊電阻體13Y或者是受訊電阻體14X之其中一方，沿著送訊導體11Y或者是受訊導體12X來形成，並將另外一方，以涵蓋下側基板16或者是上側基板17之一面全體的方式來形成之。又，亦可設為：將送訊電阻體13Y或者是受訊電阻體14X之其中一方，在與送訊導 體11Y和受訊導體12X之間的交叉點相對應之區域的每一者處而設置為島狀，並將另外一方，以涵蓋下側基板16或者是上側基板17之一面全體的方式、亦或是以沿著送訊導體11Y或者是受訊導體12X的方式，來形成之。
〈感測部之變形例2〉
在以上之實施形態的感測部中，感壓材，係設為由送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X所成者，但是，亦可作為由1個的電阻體所成者來構成之。圖51(A)、(B)，係為對於將感壓材藉由1個的電阻體來構成的第1例作展示者。圖51(A)，係為此變形例2之感測部600之X軸方向剖面圖，圖51(B)，係相同的而為Y軸方向剖面圖。
亦即是，如圖51(A)、(B)中所示一般，在下側基板16上之送訊導體11Y和上側基板17之下側的受訊導體12X之間的空間中，將矩形狀之電阻體19，對於各交叉點之各個而分別作設置。作為此電阻體19，係使用與上述之例的送訊電阻體13Y或者是受訊電阻體14X相同之物。
在此圖51(A)、(B)之例中，係在下側基板16上之送訊導體11Y之上，而配設電阻體19。於此例中，電阻體19，係如同圖示一般，以使被形成有極細微之凹凸的面之側成為送訊導體11Y側並使未被形成有極細微之凹凸的面之側成為受訊導體12X側的方式，而被作配設。而，於此情況，電阻體19與受訊導體12X之間，係被設為存在有些許之空隙的狀態。
另外，雖係省略圖示，但是，在感測部600之周緣部的下側基板16與上側基板17之間，係被設置有用以成為能夠維持在產生有圖示一般之空隙的狀態下來將電阻體19作配設之間隔物構件。亦即是，下側基板16與上側基板17，係隔著此間隔物構件而被作接合。
在此圖51(A)、(B)中所示之例中，當藉由指示體18而將指示輸入面100S作了推壓時，電阻體19與受訊導體12X係作接觸，並且，送訊導體11Y與電阻體19之間的接觸面積，係因應於由指示體18所致之推壓力而變化。故而，在電阻體19與受訊導體12X相接觸了的狀態下之送訊導體11Y與受訊導體12X之間的電阻值，係成為與由指示體18所致之對於指示輸入面100S的推壓力相對應者，而能夠得到與上述之實施形態相同的作用效果。
另外，電阻體19，係亦可如圖51(C)中所示一般，將與受訊導體12X相對向之面側，亦設為被形成有細微之凹凸的面。
另外，電阻體19，係亦可如圖51(D)中所示一般，將與受訊導體12X相對向之面側，設為被形成有細微之凹凸的面，並且，將與送訊導體11Y作接觸之面側，設為並未被形成有極細微之凹凸的面。於此情況，電阻體19，係可對於下側基板16以及此下側基板16上之送訊導體11Y來作層積而構成之。
另外，在圖51中，電阻體19，雖係設為與各交叉點位置相對應地而相互被分離了的矩形狀者，但是，於此例之 情況中，亦可設為在複數之送訊導體以及受訊導體處而成為共通地來設置在基板16以及基板17之一面的全體上。又，電阻體19，係亦可設為沿著送訊導體11Y或者是受訊導體12X之其中一者而形成之。
〈感測部之變形例3〉
上述之感測部的感壓材之例，係設為得到與電阻體與電阻體之間的接觸面積或者是電阻體與導電體之間的接觸面積相對應了的電阻值。作為被使用在感測部中之具備有特定之電阻特性的感壓材，係並不被限定於此。此感測部之變形例3，係為作為此種感壓材之其中一例而使用了可變電阻彈性體(例如可變電阻橡膠)的情況之例。
在此例中所使用之可變電阻彈性體，例如係如同在專利文獻5(日本特開平6-192485號公報)中所記載一般，為由在內部而將例如碳黑或者是金屬粉等之導電粒子以微小之間隔來均等地作了分散的多孔質橡膠所成的可變電阻橡膠。於圖52中，展示此可變電阻橡膠之電阻與荷重間的關係。當並未在此可變電阻橡膠處施加荷重時，由於導電粒子彼此係以微小的間隔而作分散，因此，如此圖52中所示一般，其之電阻值係成為非常大。
而，若是在可變電阻橡膠處施加有荷重，則可變電阻橡膠係作彈性偏移，導電粒子係成為鍊狀或者是塊狀，而該些係成為部分性地相互接觸，可變電阻橡膠，係成為具備有導電性者。並且，可變電阻橡膠，係如同圖52中所示 一般，具備有下述之特性：亦即是，若是荷重變得越大，則由於導電粒子變成鍊狀或者是塊狀之比例係變多，因此，其之電阻值係變小。
圖53(A)、(B)，係為對於此變形例3之感測部700的其中一例作展示者，並為將感壓材藉由1個的電阻體來構成的第2例作展示者。圖53(A)，係為此感測部700之X軸方向剖面圖，圖53(B)，係相同的而為Y軸方向剖面圖。
在此感測部700處，係將由可變電阻橡膠所成之感壓電阻構件，作為感壓材來使用。而，代替送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X，在與送訊導體11Y和受訊導體12X之間的交叉點之部分處，設置矩形狀之由可變電阻橡膠所成的感壓電阻構件130。
於此情況，在並未對於指示輸入面100S而施加有由指示體18所致之推壓荷重的狀態下，對於感壓電阻構件130，感壓電阻構件130係構成為位置在送訊導體11Y和受訊導體12X之間的交叉點處。
在被設為上述一般之構成的此感測部700中，若是藉由手指等之指示體18而對於指示輸入面100S施加了推壓荷重，則該被施加了推壓荷重之交叉點位置處的感壓電阻構件130係作彈性偏移，該感壓電阻構件130之電阻值係變小。
故而，於此感測部700處，在並未對於指示輸入面100S而施加有由指示體18所致之推壓荷重的狀態下，由於 感壓電阻構件130之電阻係為非常大，因此，係幾乎不會透過感壓電阻構件130而流動有電流。亦即是，在並未對於感測部700之指示輸入面100S而施加有由指示體18所致之推壓荷重的狀態下，感壓電阻構件130，係作為用以將送訊導體11Y和受訊導體12X之間作絕緣的絕緣材而起作用。
而後，若是藉由指示體18而對於指示輸入面100S施加了推壓荷重，則因應於該壓下荷重，由於感壓電阻構件130之電阻值係變小，因此，與壓下荷重相對應了的電流，係透過感壓電阻構件130而在送訊導體11Y與受訊導體12X之間流動。
藉由對於此電流作監視，與上述之實施形態相同的，在此變形例3中，亦成為能夠藉由電阻膜方式來進行指示體檢測。
另外，在圖53中，感壓電阻構件130，雖係設為與各交叉點位置相對應地而相互被分離了的矩形狀者，但是，於此例之情況中，亦可設為在複數之送訊導體11Y以及受訊導體12X處而成為共通地來設置在基板16以及基板17之一面的全體上。又，感壓電阻構件130，係亦可設為沿著送訊導體11Y或者是受訊導體12X之其中一者而形成之。
〈感測部之變形例4〉
上述之例的感測部，係全部為在下側基板16與上側基板17之2枚的基板間而具備有送訊導體、受訊導體、感壓 材之構成的情況。但是，亦可設為在1枚的基板上而形成送訊導體、受訊導體、感壓材之構成。此感測部之變形例4，係為僅使用1枚之基板的構成之感測部的例子。
根據圖54，針對此變形例4之感測部800的其中一例作說明。於此，圖54(A)，係為此感測部800之1個的交叉點部分處之X軸方向剖面圖，圖54(B)，係為此變形例4之感測部的立體圖。另外，於此圖54中，係將對於被形成在基板160之其中一方的面上之送訊導體、受訊導體以及感壓材作覆蓋並作保護的保護層以及保護薄片之記載作省略。
此感測部800，係如同圖54(A)中所示一般，由基板160、和複數之送訊導體11Y以及複數之受訊導體12X、和感壓電阻構件131、以及金屬層110所成。
此感測部800，係具備有在基板160之其中一方的面上而使送訊導體11Y與受訊導體12X實質性地作交叉之構造。於此例中，受訊導體12X，係與上述之實施形態相同的，為藉由在Y軸方向上延伸之線狀的導體所構成。但是，送訊導體11Y，係並未成為在X軸方向上而連續之線狀的導體，而是成為將如同在受訊導體12X之部分處而被作了切斷一般之送訊導體片11Ybt藉由金屬層110來作了連接一般之構造。亦即是，送訊導體11Y之各個，係被設為將在X軸方向上而並排為直線狀之送訊導體片11Ybt藉由金屬層110來作連接並成為1根的送訊導體之構成。
而，金屬層110以及送訊導體片11Ybt，係在基板160 上藉由印刷圖案等而被形成。又，受訊導體12X，係去除與金屬層110相重疊之部分地而對於基板160來作設置。而，在受訊導體12X與金屬層110之間的交叉部分處，係被設置有與變形例3之感測部700相同之由感壓電阻構件131所成的感壓材。
在此變形例4之感測部800中，基板160、送訊導體11Y、受訊導體12X，係可藉由與上述第1實施形態相同的材料而形成之。亦即是，與第1實施形態相同的，基板160，除了具備有透過性之週知的玻璃基板以外，係亦可使用由合成樹脂所形成的薄片狀(薄膜狀)基材。送訊導體11Y以及受訊導體12X，例如，係藉由由ITO膜所成之透明電極膜而形成之。
又，金屬層110，係可藉由具有高導電率之金屬材料、例如藉由Mo(鉬)等來形成之。金屬層110與送訊導體片之間的接觸面積，由於係為微小，因此，為了將此些之電阻縮小，係以在金屬層110中使用具有高導電率之金屬材料為理想。
於此變形例4之感測部800處，亦同樣的，在並未對於感測部之指示體輸入面而施加有由指示體所致之推壓荷重的狀態下，由於感壓電阻構件131之電阻係為非常大，因此，係幾乎不會透過感壓電阻構件130而流動有電流。亦即是，在並未對於感測部800之指示輸入面100S而施加有由指示體18所致之推壓荷重的狀態下，感壓電阻構件131，係作為用以將送訊導體11Y和受訊導體12X之間作絕緣 的絕緣材而起作用。
而後，若是藉由指示體18而對於指示輸入面100S施加了推壓荷重，則在被施加有該壓下荷重之交叉點處，因應於該推壓荷重，感壓電阻構件130之電阻值係變小。因此，與壓下荷重相對應了的電流，係以送訊導體11Y之送訊導體片11Ybt→金屬層110→感壓電阻構件131→受訊導體12X的方式而流動。
故而，在此變形例4之感測部800中，亦能夠得到與上述之變形例3的感測部700相同之作用效果。
在此變形例4之感測部800中，例如由玻璃基板所成之基板，係只要有1枚即可，而能夠將感測部之厚度更進一步地變薄。又，在此感測部800中，由於係能夠將送訊導體11Y以及受訊導體12X實質性地藉由1層來構成，因此，係能夠提供更為低價之感測部。
另外，在圖54之例中，雖係將送訊導體11Y設為由導體片與金屬層所成者，但是，係亦可將送訊導體11Y設為線狀之導體，並將受訊導體12X設為由導體片與金屬層所成者。
另外，在圖54中，感壓電阻構件131，雖係與各交叉點位置相對應地而設為相互分離了的矩形狀者，但是，感壓電阻構件131，係亦可設為沿著送訊導體11Y或者是受訊導體12X的其中一者來形成之。
〈感測部之變形例5〉
在採用了交叉點靜電耦合方式的指示體檢測裝置中，通常，當從對於指示體作操作之面側(亦即是上方)來對於感測部作了觀察的情況時，複數之受訊導體與送訊導體係相交叉，並有著存在有導體圖案之區域與不存在有導體圖案之區域。各導體，雖係藉由ITO膜等之透明電極膜而被形成，但是，存在有導體圖案之區域的光透過率，相較於不存在有導體圖案之區域，係會降低。其結果，在感測部上，係會產生光透過率之不均。依存於使用者，亦會有對於此光透過率之不均有所在意的情況。在此變形例5中，係對於用以消除此種在感測部上之光透過率的不均之構成作說明。
於圖55中，展示此變形例5之感測部900的概略構成。於此感測部900中，在不存在有送訊導體911以及受訊導體912的區域中，係設置例如由與導體相同之材料所成的第1透明電極膜913以及第2透明電極膜914。除此之外的構成，由於係成為與上述之感測部相同的構成，因此，係省略其說明。
於圖56(A)中，對於感測部900之送訊導體911以及第1透明電極膜913的構成作展示。於此變形例5中，係在與送訊導體911相同之面上，而於相互被配置在近旁之2個的送訊導體911之間來配置矩形狀的第1透明電極膜913。此第1透明電極膜913，係為了不會與送訊導體911相接觸，而具備有相較於送訊導體911間之尺寸而若干小的尺寸，其與送訊導體911之間，係隔著若干的空隙而相互離隔 。另一方面，第1透明電極膜913之送訊導體911的延伸方向之尺寸，係被設定為較於被相互配置在近旁之受訊導體912之間的尺寸上而加算上了1根的受訊導體912之導體寬幅後的尺寸而更若干小。而，第1透明電極膜913，係在相互位置在近旁之2根的受訊導體912之間，具備有一直延伸至了各個的受訊導體912之導體寬幅的略1/2的位置處為止的位置關係地，而被作配置。
又，於圖56(B)中，對於感測部900之受訊導體912以及第2透明電極膜914的構成作展示。第2透明電極膜914，係被配置在與受訊導體912所被配置之面相同的面上，關於其之尺寸，係可適用與對於第1透明電極膜913之尺寸作規定的情況時相同之途徑來決定之。亦即是，第2透明電極膜914，係為了不會與受訊導體912相接觸，而具備有相較於受訊導體912間之尺寸而若干小的尺寸，其與受訊導體912之間，係隔著若干的空隙而相互離隔。另一方面，關於第2透明電極膜914之在受訊導體912的長度方向上之尺寸，係被設定為將相互在近旁而被作配置之送訊導體911作部分性的覆蓋。
關於第1透明電極膜913以及第2透明電極膜914的尺寸以及配置，例如當從對於指示體作操作之面側(上方側)來觀察感測部900時，係成為使送訊導體911、受訊導體912、第1透明電極膜913、第2透明電極膜914的重疊關係，在維持電性絕緣的同時，亦能夠盡可能地成為均質的方式來作設定並作配置，而成為能夠對於感測部900全體來 將透過率之不均作抑制並保持均質的光學特性。
若是將感測部900之被形成在基板的各面上之導體以及透明電極膜分別如同圖56(A)以及(B)一般地來作配置，則當從上方來對於感測部900作觀察時，如圖55中所示一般，在存在有導體圖案之區域處，亦係被形成有由與導體相同之材料所成的第1透明電極膜913以及第2透明電極膜914。其結果，在感測部900上之透過率的不均係被作抑制。
另外，用以對於透過率之不均作抑制的第1透明電極膜913以及第2透明電極膜914的形狀，係並不被限定於矩形。只要在從上方而對於感測部900作觀察時，由送訊導體911以及受訊導體912所成之導體圖案與第1透明電極膜913以及第2透明電極膜914之間的重疊關係成為光學性均質即可，第1透明電極膜913以及第2透明電極膜914之形狀，係關連於由送訊導體911與受訊導體912所成之導體圖案的形狀而被適宜作決定。例如，在此變形例5之感測部900中，雖係對於將矩形狀之複數的透明電極膜沿著送訊導體911或是受訊導體912所延伸之方向而以特定間隔來作配置的情況而作了例示說明，但是，亦可將該複數之透明電極膜作為1枚的電極膜而形成之。
又，當將第1透明電極膜913以及第2透明電極膜914配置在送訊導體911間以及受訊導體912間時，在送訊導體911與第1透明電極膜之間、以及在受訊導體912與第2透明電極膜之間，係會產生容量耦合，相鄰接之送訊導體911 間以及相鄰接之受訊導體912間，係會產生通過該容量耦合而相互架橋的問題。為了將此問題減輕，若是在第1透明電極膜913處，形成與X軸方向相平行之複數個的細縫，並設為在相鄰接之送訊導體911之間而等價性地將複數個的電容器作串聯連接而存在，則為理想。又，若是在第2透明電極膜914處，形成與Y軸方向相平行之複數個的細縫，並設為在相鄰接之受訊導體912之間而等價性地將複數個的電容器作串聯連接而存在，則為理想。又，亦可在第1透明電極膜913以及第2透明電極膜914處，形成與X軸方向相平行之複數的細縫和與Y軸方向相平行之複數的細縫，並將第1透明電極膜913以及第2透明電極膜914分割為矩陣狀。
又，此變形例5之構成，係亦可對於上述之實施型態的感測部以及感測部之變形例1~6作適用。進而，例如，亦可另外準備在特定區域處而被形成有光透過率不均防止用之透明電極膜的基板，並將該基板追加設置於感測部處。又，如同上述一般，亦可採用薄膜狀之基材。
〈感測部之變形例6〉
上述之第1實施形態的感測部100之感壓材，係如圖2中所示一般，設為在與指示輸入面100S相正交之方向上，將送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X空出有特定之空隙15地來作配設之構成。此感測部之變形例6，被設置有空隙15之感壓材的構成，係與前述之例相異。參考圖57以及圖 58，針對此變形例6之感測部1000的構成例作說明。圖57(A)，係為此變形例6之感測部1000之X軸方向剖面圖，圖57(B)，係為感測部1000之Y軸方向剖面圖。
在此變形例6中，於空隙15處之被配設有送訊導體11Y的下側基板16之上，係被配設有凝膠狀之電阻體1001。而，在此凝膠狀之電阻體1001之上，係被配設有格子狀細縫構件1002。於此情況，格子狀細縫構件1002與受訊導體12X，係被設為在Z方向上而相離隔了特定之距離的狀態。
格子狀細縫構件1002，係如同圖58之立體圖中所示一般，具備著在Z方向上而具有高度h之矩形狀細縫1003。此矩形狀細縫1003，係對應於送訊導體11Y以及受訊導體12X之配列間隔地而被形成。而後，以使此矩形狀細縫1003之中心位置成為送訊導體11Y與受訊導體12X之間的交叉點之正下方的方式，來將格子狀細縫構件1002作配設。
在此變形例6之感測部1000中，將指示體18之與指示輸入面100S作接觸的位置檢測出來之處理動作，係與前述之例相同。
在此變形例6之感測部1000中，若是藉由指示體18而對於指示輸入面100S施加有推壓力，則被施加有該推壓力之指示輸入面100S的部分係撓折，藉由此，在該部位處，上側基板17係將格子狀細縫構件1002朝向凝膠狀之電阻體1001側作推壓偏移。
如此一來，在與被施加有推壓力之部分相對應的交叉 點處，凝膠狀之電阻體1001係以從矩形狀細縫構件1003而隆起的方式來作變化，並成為與該交叉點之受訊導體12X作接觸。而，凝膠狀之電阻體1001與受訊導體12X之間的接觸面積，係成為與藉由指示體18而對於指示輸入面100S所施加了的推壓力相對應者。
故而，在此變形例6之感測部1000中，亦能夠與第1實施形態的感測部100同樣的而進行指示體之檢測(亦包含推壓力之檢測)。
1‧‧‧指示體檢測裝置
11‧‧‧送訊導體群
11Y‧‧‧送訊導體
12‧‧‧受訊導體群
12X‧‧‧受訊導體
13Y‧‧‧送訊電阻體
14X‧‧‧受訊電阻體
200‧‧‧送訊部
21‧‧‧送訊訊號供給電路
22‧‧‧送訊導體選擇電路
23‧‧‧時脈產生電路
300‧‧‧受訊部
31‧‧‧受訊導體選擇電路
32‧‧‧放大電路
33‧‧‧A/D變換電路
34‧‧‧位置檢測電路
35‧‧‧演算處理電路
36‧‧‧位置檢測電路
40‧‧‧控制電路
〔圖1〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第1實施形態之全體構成例作展示的區塊圖。
〔圖2〕用以對於第1實施型態之指示體檢測裝置的感測部之構成作說明的圖。
〔圖3〕用以對於第1實施型態之指示體檢測裝置的感測部之構成作說明的圖。
〔圖4〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的由靜電耦合方式所進行之指示體檢測的動作原理作說明而使用的圖。
〔圖5〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的為了進行由靜電耦合方式所致之指示體檢測的重要部分電路作說明而使用的圖。
〔圖6〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的由電阻膜方式所進行之指示體檢測的動作原理作說明而 使用的圖。
〔圖7〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的由電阻膜方式所進行之指示體檢測的動作原理作說明而使用的圖。
〔圖8〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的為了進行由電阻膜方式所致之指示體檢測的重要部分電路作說明的圖。
〔圖9〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的為了進行由靜電耦合方式以及電阻膜方式之雙方所致之指示體檢測的重要部分電路作說明的圖。
〔圖10〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的為了進行由靜電耦合方式以及電阻膜方式之雙方所致之指示體檢測的重要部分電路之其他例作說明的圖。
〔圖11〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的送訊部作說明之圖。
〔圖12〕用以對於作為在第1實施型態之指示體檢測裝置中所使用的送訊訊號之例的展頻碼作說明之圖。
〔圖13〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的送訊部之動作作說明之圖。
〔圖14〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的受訊部之一部份作說明之圖。
〔圖15〕用以對於圖14之受訊部的一部份之動作作說明之圖。
〔圖16〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置 中的受訊部之剩餘的部份作說明之圖。
〔圖17〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的送訊部以及受訊部之動作作說明的時序表之圖。
〔圖18〕對於圖16之受訊部的一部份之詳細構成例作展示之區塊圖。
〔圖19〕用以對於圖18之受訊部的一部份之詳細構成例的動作作說明之時序表之圖。
〔圖20〕對於圖18之受訊部的一部份之詳細構成例作展示之區塊圖。
〔圖21〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的指示體檢測動作作說明所使用之圖。
〔圖22〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的指示體檢測動作作說明所使用之圖。
〔圖23〕對於用以對第1實施型態之指示體檢測裝置的動作例作說明之流程圖的一部份作展示之圖。
〔圖24〕對於用以對第1實施型態之指示體檢測裝置的動作例作說明之流程圖的一部份作展示之圖。
〔圖25〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的藉由靜電耦合方式所進行之指示體的懸浮狀態之檢測動作原理作說明而使用之圖。
〔圖26〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中的藉由靜電耦合方式所進行之指示體的懸浮狀態之檢測動作原理作說明而使用之圖。
〔圖27〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置 中的藉由靜電耦合方式所進行之指示體的懸浮狀態之檢測動作原理作說明而使用之圖。
〔圖28〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第2實施形態之重要部分的構成例作展示的區塊圖。
〔圖29〕對於用以對第2實施型態之指示體檢測裝置的動作例作說明之流程圖作展示之圖。
〔圖30〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第3實施形態之重要部分的構成例作展示的區塊圖。
〔圖31〕對於用以對第3實施型態之指示體檢測裝置的動作例作說明之流程圖的一部份作展示之圖。
〔圖32〕對於用以對第3實施型態之指示體檢測裝置的動作例作說明之流程圖的一部份作展示之圖。
〔圖33〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第3實施形態之其他例子的重要部分之構成例作展示的區塊圖。
〔圖34〕用以對於由本發明所致之指示體檢測裝置的第4實施型態作說明所使用之圖。
〔圖35〕用以對於由本發明所致之指示體檢測裝置的第4實施型態作說明所使用之圖。
〔圖36〕用以對於由本發明所致之指示體檢測裝置的第4實施型態作說明所使用之圖。
〔圖37〕用以對於由本發明所致之指示體檢測裝置的第4實施型態作說明所使用之圖。
〔圖38〕用以對於由本發明所致之指示體檢測裝置的第4實施型態作說明所使用之圖。
〔圖39〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第4實施形態之重要部分的構成例作展示的區塊圖。
〔圖40〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第4實施形態之其他的重要部分之構成例作展示的區塊圖。
〔圖41〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第4實施形態之其他的重要部分之構成例作展示的區塊圖。
〔圖42〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第4實施形態之重要部分的其他構成例作展示之區塊圖。
〔圖43〕用以對於由本發明所致之指示體檢測裝置的第5實施型態作說明所使用之圖。
〔圖44〕用以對於由本發明所致之指示體檢測裝置的第5實施型態作說明所使用之圖。
〔圖45〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第5實施形態之重要部分的構成例作展示的區塊圖。
〔圖46〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第5實施形態之重要部分的構成例作展示的區塊圖。
〔圖47〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第5實施形態之重要部分的其他構成例作展示之區塊圖。
〔圖48〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第6實施形態之重要部分的構成例作展示的區塊圖。
〔圖49〕對於圖48之重要部分的構成例之一部份的詳細構成例作展示之區塊圖。
〔圖50〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置的實施形態中之感測部的變形例1作說明的圖。
〔圖51〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置的實施形態中之感測部的變形例2作說明的圖。
〔圖52〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置的實施形態中之感測部的變形例3作說明所使用的圖。
〔圖53〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置的實施形態中之感測部的變形例3作說明的圖。
〔圖54〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置的實施形態中之感測部的變形例4作說明的圖。
〔圖55〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置的實施形態中之感測部的變形例5作說明的圖。
〔圖56〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置的實施形態中之感測部的變形例5作說明的圖。
〔圖57〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置的實施形態中之感測部的變形例6作說明的圖。
〔圖58〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置的實施形態中之感測部的變形例6作說明的圖。
〔圖59〕用以對於靜電耦合方式之指示體檢測裝置的感測部作說明之圖。
〔圖60〕用以對於電阻膜方式之指示體檢測裝置的感測部作說明之圖。
1‧‧‧指示體檢測裝置
11‧‧‧送訊導體群
11Y‧‧‧送訊導體
12‧‧‧受訊導體群
12X‧‧‧受訊導體
200‧‧‧送訊部
21‧‧‧送訊訊號供給電路
22‧‧‧送訊導體選擇電路
23‧‧‧時脈產生電路
300‧‧‧受訊部
31‧‧‧受訊導體選擇電路
32‧‧‧放大電路
33‧‧‧A/D變換電路
34‧‧‧位置檢測電路
35‧‧‧演算處理電路
36‧‧‧位置檢測電路
40‧‧‧控制電路
100‧‧‧感測部
100S‧‧‧指示輸入面
CLK‧‧‧時脈訊號

Claims (18)

  1. 一種指示體檢測裝置，其特徵為，具備有：檢測感測器，其係具有被配置在第1方向上的第1之複數導體、和被配置在與前述第1方向相交叉之第2方向上的第2之複數導體、和被配置在前述第1之複數導體與前述第2之複數導體間，並具備有特定之電阻特性的感壓材；和訊號供給電路，係用以將特定之訊號供給至前述第1之複數導體處；和訊號檢測電路，係用以檢測出從前述第2之複數導體所輸出之訊號，前述檢測感測器，當前述指示體為位置在近旁的情況時以及前述指示體作了接觸時所施加的壓力為較特定之壓力更小的情況時，係將與前述第1之複數導體和前述第2之複數導體之間的靜電容量之變化相對應的訊號，供給至前述訊號檢測電路處，當從前述指示體所施加之壓力為超過前述特定之壓力的情況時，係基於從前述指示體所施加之壓力，而將與前述第1之複數導體和前述第2之複數導體之間的電阻特性之變化相對應的訊號供給至前述訊號檢測電路處，前述訊號檢測電路，係將當前述指示體並未與前述檢測感測器相接近時的從前述第2之複數導體所輸出之訊號的訊號準位，作為基準準位，而成為能夠根據從前述第2之複數導體所輸出之訊號，來檢測出由前述指示體所致之指示位置，並且基於相對於前述基準準位之從前述第2之 複數導體所輸出之訊號的訊號準位之增減，來檢測出前述指示體之接觸狀態。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之指示體檢測裝置，其中，前述電阻特性，係依存於前述感壓材與前述第1之複數導體或者是前述第2之複數導體之間的卡合狀態而作變化。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之指示體檢測裝置，其中，前述感壓材，係至少具備有第1以及第2構件，對應於從前述指示體而來之前述壓力，前述第1或第2構件中之至少其中一方，係與前述第1之複數導體或者是前述第2之複數導體相卡合。
  4. 如申請專利範圍第2項所記載之指示體檢測裝置，其中，前述感壓材，係至少具備有第1以及第2構件，對應於從前述指示體而來之前述壓力，前述第1構件與第2構件係相卡合。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之指示體檢測裝置，其中，前述感壓材，係包含複數之導電粒子，藉由因應於從前述指示體而來之前述壓力的施加來使前述複數之導電粒子作結合，前述第1之複數導體與前述第2之複數導體之間的電阻特性係變化。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之指示體檢測裝置，其中，前述第1之複數導體的各個導體和前述第2之複數導體的各個導體，係被配置在略平板狀之基材的其中一方之面上，並且，前述感壓材，係至少被設置在前述第1之複 數導體和前述第2之複數導體的交點區域處，當並未被施加有從前述指示體而來之前述壓力的情況時，係作為用以將前述第1之複數導體和前述第2之複數導體之間作絕緣的絕緣材而作配置。
  7. 如申請專利範圍第1項所記載之指示體檢測裝置，其中，前述感壓材，係至少沿著前述第1之複數導體或者是前述第2之複數導體的其中一方而被形成。
  8. 如申請專利範圍第1項所記載之指示體檢測裝置，其中，前述檢測感測器，係具備有：具有透過性之略平板狀的基材、和具有透過性的前述感壓材，被配置在前述第1方向上之複數導體、被配置在前述第2方向上之複數導體、以及前述感壓材，係被設置在前述基材處，在經由被配置在前述第1方向上之複數導體和被配置在前述第2方向上之複數導體所形成的開口區域處，係配置有用以將光學特性作均質化的具有透過性之構件。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之指示體檢測裝置，其中，係將前述用以將光學特性均質化之具有透過性的構件，藉由與前述感壓材相同之材料來構成。
  10. 如申請專利範圍第1項所記載之指示體檢測裝置，其中，從前述訊號供給電路所供給至前述第1之複數導體處的前述特定之訊號，係作為電壓訊號而被作供給，從前述第2之複數導體，係作為電流變化而將訊號檢測出 來，前述訊號檢測電路，係具備有將前述電流變化變換為電壓之電流/電壓變換電路。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載之指示體檢測裝置，其中，前述電流/電壓變換電路，係具備有：第1檢測模式，係得到與前述第1之複數導體以及前述第2之複數導體之間的靜電容量之變化相對應的訊號：和第2檢測模式，係得到由於在前述檢測感測器處被施加有超過前述特定之壓力的壓力一事所導致的前述第1之複數導體以及前述第2之複數導體之間的電阻特性之變化相對應的訊號。
  12. 如申請專利範圍第11項所記載之指示體檢測裝置，其中，前述電流/電壓變換電路，係由電阻、和電容器、以及對於前述電阻和前述電容器選擇性地作切換之切換電路，而構成之，前述切換電路，在前述第1檢測模式時，係將前述檢測感測器與前述電容器作連接，在前述第2檢測模式時，係將前述檢測感測器與前述電阻作連接。
  13. 如申請專利範圍第1項所記載之指示體檢測裝置，其中，從前述訊號供給電路所供給至前述第1之複數導體的各個處之前述訊號，係為可作辨別之訊號。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載之指示體檢測裝置，其中，從前述訊號供給電路所供給至前述第1之複數導體處的訊號，係為相互具備有正交關係之碼。
  15. 如申請專利範圍第14項所記載之指示體檢測裝 置，其中，在從前述訊號供給電路所供給至前述第1之複數導體的各個處之前述碼中，將任意之1個碼作為用以進行在前述訊號檢測電路中之訊號的修正之校正訊號來使用。
  16. 如申請專利範圍第15項所記載之指示體檢測裝置，其中，從前述訊號供給電路所供給至前述第1之複數導體處的前述碼，係為哈德瑪得碼，當將前述被輸入了的前述複數之碼設為哈德瑪得行列時，將在前述哈德瑪得行列中而全部成為「1」之第n行的碼片，作為用以進行在前述訊號檢測電路中之訊號的修正之校正訊號來使用。
  17. 一種檢測感測器，係為用以因應於從外部所供給而來的特定之訊號而得到由指示體所進行之指示位置以及與壓力相對應的訊號之檢測感測器，其特徵為，係具備有：第1之複數導體，係被配置在第1方向上，並被供給有前述從外部而來的前述特定之訊號；和第2之複數導體，係被配置在與前述第1方向相交叉之第2方向上；和感壓材，係被配置在前述第1之複數導體與前述第2之複數導體間，並具備有特定之電阻特性，將當前述指示體並未作接近時的從前述第2之複數導體所輸出之訊號的訊號準位，作為基準準位，當前述指示 體為位置在近旁的情況時以及前述指示體作了接觸時所施加的壓力為較特定之壓力更小的情況時，與靜電容量之變化相對應的訊號準位為較前述基準準位而更低之訊號，係從前述第2之複數導體而被輸出，當從前述指示體而被施加了的壓力超過前述特定之壓力的情況時，與電阻特性之變化相對應的訊號準位為較前述基準準位而更高之訊號，係從前述第2之複數導體而被輸出。
  18. 一種指示體檢測裝置之指示體檢測方法，該指示體檢測裝置，係具備有：檢測感測器，其係具有被配置在第1方向上的第1之複數導體、和被配置在與前述第1方向相交叉之第2方向上的第2之複數導體、和被配置在前述第1之複數導體與前述第2之複數導體間，並具備有特定之電阻特性的感壓材；和訊號供給電路，係用以將特定之訊號供給至前述第1之複數導體處；和訊號檢測電路，係用以基於從前述第2之複數導體所輸出之訊號而進行指示體之檢測，該指示體檢測方法，其特徵為，係由下述之步驟所成：從前述訊號供給電路對於前述檢測感測器之前述第1之複數導體而供給前述特定之訊號之步驟；和使與從前述指示體所對於前述檢測感測器施加了的壓力相對應的訊號被從前述第2之複數導體而輸出並被供給至前述訊號檢測電路之步驟；和將當前述指示體並未作接近時的從前述第2之複數導 體所輸出之訊號的訊號準位，作為基準準位，並將被從前述第2之複數導體所輸出了的前述訊號之訊號準位與前述基準準位作比較之步驟；和基於從前述第2之複數導體所得到了的前述訊號之訊號準位之相對於前述基準準位之增減，來檢測出前述指示體之對於前述檢測感測器的接觸狀態之步驟。
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Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI516994B (zh) * 2011-03-15 2016-01-11 晨星半導體股份有限公司 多指觸控方法與相關裝置
JP2012198596A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Sony Corp 位置情報補正装置、位置情報補正方法、及びプログラム
US20120256871A1 (en) * 2011-04-08 2012-10-11 Kuei-Ching Wang Touch panel capable of decreasing response time and reducing interference
US20120317516A1 (en) * 2011-06-09 2012-12-13 Casio Computer Co., Ltd. Information processing device, information processing method, and recording medium
US20130018489A1 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 Grunthaner Martin Paul Combined force and proximity sensing
US8988384B2 (en) * 2011-09-23 2015-03-24 Apple Inc. Force sensor interface for touch controller
US9246486B2 (en) 2011-12-16 2016-01-26 Apple Inc. Electronic device with noise-cancelling force sensor
KR101349703B1 (ko) * 2012-01-09 2014-01-16 한국표준과학연구원 멀티터치와 단일힘을 감지하는 터치입력구조 및 그 제조방법
JP2013168033A (ja) * 2012-02-15 2013-08-29 Fujitsu Component Ltd タッチパネル及び位置検出方法
WO2013122006A1 (ja) 2012-02-15 2013-08-22 富士通コンポーネント株式会社 タッチパネル及び位置検出方法
JP2013175058A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Fujitsu Component Ltd タッチパネル及び位置検出方法
JP2013168032A (ja) * 2012-02-15 2013-08-29 Fujitsu Component Ltd タッチパネル及び位置検出方法
DE112013001251T5 (de) 2012-03-02 2014-11-27 Tokai Rubber Industries, Ltd. Hybridsensor
US9459738B2 (en) * 2012-03-06 2016-10-04 Apple Inc. Calibration for pressure effects on touch sensor panels
US9024909B2 (en) * 2012-04-02 2015-05-05 Nokia Corporation Sensing
JP6004563B2 (ja) 2012-04-19 2016-10-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US8982091B1 (en) * 2012-05-24 2015-03-17 Maxim Integrated Products, Inc. Hadamard matrix based projected mutual capacitance touch panel decoding
US9235280B1 (en) * 2012-05-24 2016-01-12 Qualcomm Technologies, Inc. Mutual capacitance large panel phase shift mitigation
JP6004427B2 (ja) * 2012-06-21 2016-10-05 株式会社ワコム 指示体操作検出装置
JP5851955B2 (ja) * 2012-07-26 2016-02-03 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント タッチ入力デバイス制御装置およびタッチ入力デバイス制御方法
US20140085247A1 (en) * 2012-09-21 2014-03-27 Apple Inc. Force Sensing Using Dual-Layer Cover Glass with Gel Adhesive and Capacitive Sensing
JP5607697B2 (ja) 2012-10-16 2014-10-15 日本写真印刷株式会社 タッチセンサ及び電子機器
WO2014113959A1 (en) * 2013-01-24 2014-07-31 Intel Corporation Integrated hardware and software for probe
US9088282B2 (en) * 2013-01-25 2015-07-21 Apple Inc. Proximity sensors with optical and electrical sensing capabilities
US9864463B2 (en) * 2013-03-05 2018-01-09 Atmel Corporation Touch panel deformation compensation
JP6079372B2 (ja) * 2013-03-28 2017-02-15 富士通株式会社 検出装置、検出方法および電子機器
JP5865287B2 (ja) 2013-03-29 2016-02-17 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器および電子機器の制御方法
US10061444B2 (en) * 2013-07-31 2018-08-28 Apple Inc. Self capacitance touch sensing
CN105103102B (zh) * 2013-08-16 2018-12-21 株式会社和冠 指示体检测装置以及指示体检测方法
CN105122193B (zh) 2013-08-16 2019-01-04 株式会社和冠 指示体检测传感器以及指示体检测装置
US20150084909A1 (en) * 2013-09-20 2015-03-26 Synaptics Incorporated Device and method for resistive force sensing and proximity sensing
US9619044B2 (en) * 2013-09-25 2017-04-11 Google Inc. Capacitive and resistive-pressure touch-sensitive touchpad
US11604106B2 (en) 2013-10-05 2023-03-14 Bertec Limited Force measurement assembly
US11054325B2 (en) 2013-10-05 2021-07-06 Bertec Limited Force measurement system
US11262258B2 (en) 2013-10-05 2022-03-01 Bertec Limited Force measurement system
US10527508B2 (en) * 2013-10-05 2020-01-07 Bertec Limited Force measurement system and a method of calibrating the same
US10765936B2 (en) 2013-10-05 2020-09-08 Bertec Limited Force measurement system
CN103777830B (zh) * 2014-01-08 2017-02-08 北京京东方光电科技有限公司 触摸屏和显示装置
WO2015119997A1 (en) * 2014-02-04 2015-08-13 Cirque Corporation Using dynamically scaled linear correction to improve finger tracking linearity on touch sensors
US9542056B2 (en) * 2014-05-20 2017-01-10 Uneo Incorporated Resistive force sensing circuit
JP2015230599A (ja) * 2014-06-05 2015-12-21 株式会社ジャパンディスプレイ センサ付き表示装置及びその駆動方法
US9804719B2 (en) * 2014-10-23 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
GB2533667B (en) 2014-12-23 2017-07-19 Cambridge Touch Tech Ltd Pressure-sensitive touch panel
EP3457263A1 (en) 2014-12-23 2019-03-20 Cambridge Touch Technologies, Ltd. Pressure-sensitive touch panel
JP6443669B2 (ja) * 2014-12-26 2018-12-26 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 抵抗膜式タッチパネル及び複合型タッチパネル並びにタッチパネルの駆動方法並びに表示装置
CN105807971B (zh) * 2014-12-31 2019-01-18 清华大学 静电传感器
US9798432B2 (en) * 2015-03-27 2017-10-24 Displax S.A. Capacitive touch sensor with polarity normalization
US9785275B2 (en) 2015-03-30 2017-10-10 Wacom Co., Ltd. Contact discrimination using a tilt angle of a touch-sensitive surface
EP3091422B1 (en) * 2015-05-08 2020-06-24 Nokia Technologies Oy Method, apparatus and computer program product for entering operational states based on an input type
JP6430331B2 (ja) * 2015-05-18 2018-11-28 アルプス電気株式会社 入力装置、入力装置の制御方法および入力装置の制御方法をコンピュータに実行させるプログラム
US9619094B2 (en) * 2015-06-23 2017-04-11 Microsoft Technology Licensing, Llc Multiple correlations in a touch sensor
KR102438051B1 (ko) * 2015-06-29 2022-08-30 가부시키가이샤 와코무 위치 검출 장치 및 그 위치 지시기
JP6477305B2 (ja) * 2015-07-03 2019-03-06 富士通株式会社 電子機器、及び、押圧検出プログラム
DE112016003753T5 (de) * 2015-08-18 2018-05-03 Alps Electric Co., Ltd. Kapazitive Eingabevorrichtung
US10444892B2 (en) * 2015-10-07 2019-10-15 Microchip Technology Incorporated Capacitance measurement device with reduced noise
WO2017068955A1 (ja) 2015-10-19 2017-04-27 富士フイルム株式会社 指示受付装置、情報処理装置、信号処理方法、及びプログラム
US9524775B1 (en) * 2015-10-20 2016-12-20 International Business Machines Corporation Correlation detector
JP6443989B2 (ja) * 2015-11-11 2018-12-26 アルプス電気株式会社 入力装置
JP6532105B2 (ja) * 2015-12-17 2019-06-19 株式会社ワコム タッチパネル、信号処理装置及びグランドカップリング方法
US10282046B2 (en) 2015-12-23 2019-05-07 Cambridge Touch Technologies Ltd. Pressure-sensitive touch panel
GB2544353B (en) 2015-12-23 2018-02-21 Cambridge Touch Tech Ltd Pressure-sensitive touch panel
US9958996B2 (en) 2016-01-29 2018-05-01 Displax S.A. Capacitive touch sensor
CN206848977U (zh) 2016-02-19 2018-01-05 苹果公司 一种电子设备以及用于电子设备的电容式力传感器
US10254857B2 (en) * 2016-03-06 2019-04-09 Microsoft Technology Licensing, Llc Soft touch detection of a stylus
WO2017165894A1 (en) * 2016-03-25 2017-09-28 Sensel Inc. System and method for detecting and characterizing force inputs on a surface
JP6728386B2 (ja) * 2016-03-31 2020-07-22 センセル インコーポレイテッドＳｅｎｓｅｌ，Ｉｎｃ． 人間コンピュータインタフェースシステム
US11460926B2 (en) 2016-03-31 2022-10-04 Sensel, Inc. Human-computer interface system
US10866642B2 (en) 2016-03-31 2020-12-15 Sensel Inc. System and method for detecting and responding to touch inputs with haptic feedback
US11422631B2 (en) 2016-03-31 2022-08-23 Sensel, Inc. Human-computer interface system
KR102482398B1 (ko) 2016-04-29 2022-12-27 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 장치 및 이를 포함하는 전자 기기
EP3458944A4 (en) * 2016-05-18 2020-03-11 Sensel Inc. METHOD FOR DETECTING AND CONFIRMING A TOUCH ENTRY
JP6595424B2 (ja) * 2016-08-26 2019-10-23 株式会社ジャパンディスプレイ 入力検出装置
US10613676B2 (en) 2016-11-04 2020-04-07 Microsoft Technology Licensing, Llc Non-uniform code constellations in electrostatic communication
US10275078B1 (en) * 2017-03-20 2019-04-30 Rockwell Collins, Inc. Split resistive touch sensor
JP2020522708A (ja) * 2017-06-06 2020-07-30 インターリンク エレクトロニクス，インコーポレイテッド マルチモーダルセンシングトランスデューサ
JP7052234B2 (ja) * 2017-07-10 2022-04-12 カシオ計算機株式会社 圧力検出装置および電子打楽器
GB2565305A (en) 2017-08-08 2019-02-13 Cambridge Touch Tech Ltd Device for processing signals from a pressure-sensing touch panel
US11093088B2 (en) 2017-08-08 2021-08-17 Cambridge Touch Technologies Ltd. Device for processing signals from a pressure-sensing touch panel
JP6375423B2 (ja) * 2017-08-29 2018-08-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US10635228B2 (en) * 2018-02-22 2020-04-28 Samsung Display Co., Ltd. System and method for mutual capacitance sensing
US11850078B1 (en) 2020-01-04 2023-12-26 Bertec Corporation Force measurement system
US11880506B2 (en) 2020-10-06 2024-01-23 Sensel, Inc. Haptic keyboard system
KR20220084786A (ko) * 2020-12-14 2022-06-21 주식회사 엘엑스세미콘 상호정전용량 터치센서를 위한 2레벨 코딩/디코딩 기반 터치센싱장치 및 터치센싱방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6597347B1 (en) * 1991-11-26 2003-07-22 Itu Research Inc. Methods and apparatus for providing touch-sensitive input in multiple degrees of freedom
US20070235231A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Tekscan, Inc. Control circuit for sensor array and related methods
TW200837618A (en) * 2007-01-03 2008-09-16 Apple Inc Multi-touch auto scanning
CN102016775A (zh) * 2008-04-30 2011-04-13 苹果公司 多点触摸传感器图案和叠层

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59211129A (ja) * 1983-05-16 1984-11-29 Fujitsu Ltd 指タツチ入力装置
GB2204131B (en) * 1987-04-28 1991-04-17 Ibm Graphics input tablet
JPH05143219A (ja) * 1991-11-19 1993-06-11 Fujitsu Ltd 透明入力パネル
JPH06192485A (ja) 1992-12-02 1994-07-12 Polytec Design:Kk 可変抵抗ゴム
JP3251489B2 (ja) 1996-02-16 2002-01-28 シャープ株式会社 座標入力装置
JPH10161795A (ja) 1996-12-03 1998-06-19 Mitsubishi Pencil Co Ltd 静電容量型座標入力パッド用入力ペン
JPH1156818A (ja) * 1997-08-22 1999-03-02 Res Dev Corp Of Japan 入力装置
US6498590B1 (en) 2001-05-24 2002-12-24 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Multi-user touch surface
JP4115198B2 (ja) * 2002-08-02 2008-07-09 株式会社日立製作所 タッチパネルを備えた表示装置
US7116844B2 (en) * 2002-08-09 2006-10-03 Celsys Co., Ltd. Method for generating vector data for a hand-drawn curve
US20050162402A1 (en) * 2004-01-27 2005-07-28 Watanachote Susornpol J. Methods of interacting with a computer using a finger(s) touch sensing input device with visual feedback
US7653883B2 (en) * 2004-07-30 2010-01-26 Apple Inc. Proximity detector in handheld device
US7595790B2 (en) * 2005-01-31 2009-09-29 Panasonic Corporation Pressure sensitive conductive sheet, method of manufacturing the same, and touch panel using the same
US20060244733A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Geaghan Bernard O Touch sensitive device and method using pre-touch information
US7868874B2 (en) * 2005-11-15 2011-01-11 Synaptics Incorporated Methods and systems for detecting a position-based attribute of an object using digital codes
US7538760B2 (en) * 2006-03-30 2009-05-26 Apple Inc. Force imaging input device and system
WO2008007372A2 (en) * 2006-07-12 2008-01-17 N-Trig Ltd. Hover and touch detection for a digitizer
CN101490642A (zh) * 2006-07-18 2009-07-22 Iee国际电子工程股份公司 输入设备
US8253696B2 (en) * 2006-10-23 2012-08-28 Patrick R. Antaki Flexible fingerprint sensor
JP4920396B2 (ja) * 2006-12-15 2012-04-18 三菱電機株式会社 タッチパネル制御装置
EP2026178A1 (en) * 2007-08-10 2009-02-18 IEE INTERNATIONAL ELECTRONICS & ENGINEERING S.A. Touchpad with strip-shaped input
GB2466605B (en) * 2007-09-26 2011-05-18 N trig ltd Method for identifying changes in signal frequencies emitted by a stylus interacting with a digitizer sensor
KR100933710B1 (ko) 2008-02-12 2009-12-24 한국표준과학연구원 촉각센서를 장착한 디스플레이 일체형 플렉시블 터치스크린 및 이의 인식 알고리즘 구현 방법
CN102007465B (zh) * 2008-02-28 2015-05-20 纽约大学 用于给处理器提供输入的方法和设备以及传感器垫
US9018030B2 (en) * 2008-03-20 2015-04-28 Symbol Technologies, Inc. Transparent force sensor and method of fabrication
TW200941320A (en) * 2008-03-25 2009-10-01 Elan Microelectronics Corp Equalized capacitive touchpad and touch positioning method
KR20100009020A (ko) 2008-07-17 2010-01-27 주식회사 케이티테크 저항막 방식 레이어와 정전용량 방식 레이어를 모두구비하는 터치 스크린을 이용하는 장치 및 방법
US9606663B2 (en) * 2008-09-10 2017-03-28 Apple Inc. Multiple stimulation phase determination
US9116569B2 (en) * 2008-11-26 2015-08-25 Blackberry Limited Touch-sensitive display method and apparatus
US8395590B2 (en) * 2008-12-17 2013-03-12 Apple Inc. Integrated contact switch and touch sensor elements
JP3150179U (ja) * 2009-02-18 2009-04-30 陞昶科技股▲ふん▼有限公司 マルチセンサタッチパッド
US8982051B2 (en) * 2009-03-30 2015-03-17 Microsoft Technology Licensing, Llc Detecting touch on a surface
US8599165B2 (en) * 2010-08-16 2013-12-03 Perceptive Pixel Inc. Force and true capacitive touch measurement techniques for capacitive touch sensors

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6597347B1 (en) * 1991-11-26 2003-07-22 Itu Research Inc. Methods and apparatus for providing touch-sensitive input in multiple degrees of freedom
US20070235231A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Tekscan, Inc. Control circuit for sensor array and related methods
TW200837618A (en) * 2007-01-03 2008-09-16 Apple Inc Multi-touch auto scanning
CN102016775A (zh) * 2008-04-30 2011-04-13 苹果公司 多点触摸传感器图案和叠层

Also Published As

Publication number Publication date
EP2372510A3 (en) 2014-10-01
US20110234508A1 (en) 2011-09-29
JP2011209785A (ja) 2011-10-20
IL209456A (en) 2016-08-31
CN102207787A (zh) 2011-10-05
KR101435243B1 (ko) 2014-08-28
KR20110109912A (ko) 2011-10-06
JP5429814B2 (ja) 2014-02-26
IL209456A0 (en) 2011-02-28
US8749501B2 (en) 2014-06-10
EP2372510A2 (en) 2011-10-05
CN102207787B (zh) 2016-08-24
TW201203063A (en) 2012-01-16

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