JPS59211129A - 指タツチ入力装置 - Google Patents
指タツチ入力装置Info
- Publication number
- JPS59211129A JPS59211129A JP58085327A JP8532783A JPS59211129A JP S59211129 A JPS59211129 A JP S59211129A JP 58085327 A JP58085327 A JP 58085327A JP 8532783 A JP8532783 A JP 8532783A JP S59211129 A JPS59211129 A JP S59211129A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film
- finger touch
- input device
- transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は非晶質歪センサをマ） ＋１ツクス状に配列し
た透明な指タツチ人力装置の構成に関する。
た透明な指タツチ人力装置の構成に関する。
（ｂｌ 技術の背景
精製されたシリコン（以下略してＳりは代表的な半導体
材料であり、真性半導体としてまた適量の不純物を添７
１０した不純物半導体の形で各種のデバイスが作られて
いる。こ＼で一般の半導体デバイスは単結晶を用いたも
のであり優れた特性を示すがデバイスの大きさに制限が
ある。それでこの欠点を打開する方法として真空蒸着、
スパッタなどの薄膜形成技術を用いて大商槓化すること
が行われている。こ＼で水素化硅素（ｓ；ｔ−ｉ、 −
６名シラン）、弗化硅素（Ｓ’Ｆ４）などを減圧し高周
波でグロー放電してこれを分解して得られるＳｔ薄膜は
非晶質であり、この点からすると半導体材料としての特
性は劣る筈であるがダングリングボンドが水素（［（）
原子或は弗素（Ｆ）原子により飽和さされるため特性の
優れた半導体薄膜を得ることができる。本発明はこれら
の非晶質Ｓｉ薄膜を用いてなる歪センサの構成に関する
ものである。
材料であり、真性半導体としてまた適量の不純物を添７
１０した不純物半導体の形で各種のデバイスが作られて
いる。こ＼で一般の半導体デバイスは単結晶を用いたも
のであり優れた特性を示すがデバイスの大きさに制限が
ある。それでこの欠点を打開する方法として真空蒸着、
スパッタなどの薄膜形成技術を用いて大商槓化すること
が行われている。こ＼で水素化硅素（ｓ；ｔ−ｉ、 −
６名シラン）、弗化硅素（Ｓ’Ｆ４）などを減圧し高周
波でグロー放電してこれを分解して得られるＳｔ薄膜は
非晶質であり、この点からすると半導体材料としての特
性は劣る筈であるがダングリングボンドが水素（［（）
原子或は弗素（Ｆ）原子により飽和さされるため特性の
優れた半導体薄膜を得ることができる。本発明はこれら
の非晶質Ｓｉ薄膜を用いてなる歪センサの構成に関する
ものである。
（ｃｌ 従来技術と問題点
従来剤りを手入力は複数個の半導体ストレインゲージを
用いて位置の検出が行われてきた。第１図はか＼る指タ
ツチ人力装置の側面図（Ａ）と正面図（Ｂ）で、人力装
置の裏面には３個の半導体ストレインゲージ１が指タツ
千面２より等間隔に配置されている。そして使用法子し
ては指タ、千面２をＣＲ’ｌ’など表示装置の表示部３
に位置合わせし指タツ千面２に現オつれる文字或は図面
などを指で押圧するもので、抑圧により発生する歪は３
個の 。
用いて位置の検出が行われてきた。第１図はか＼る指タ
ツチ人力装置の側面図（Ａ）と正面図（Ｂ）で、人力装
置の裏面には３個の半導体ストレインゲージ１が指タツ
千面２より等間隔に配置されている。そして使用法子し
ては指タ、千面２をＣＲ’ｌ’など表示装置の表示部３
に位置合わせし指タツ千面２に現オつれる文字或は図面
などを指で押圧するもので、抑圧により発生する歪は３
個の 。
半導体ストレインゲージ１を用いて抵抗値変化として針
側され、その各々の寄与５＋から電算機処理□によりそ
の抑圧位置を検出している。然しこの方法は信号処理回
路が複雑で高価であると言う欠点がある。
側され、その各々の寄与５＋から電算機処理□によりそ
の抑圧位置を検出している。然しこの方法は信号処理回
路が複雑で高価であると言う欠点がある。
（ｄｌ 発明の目的
本発明の目的は対象物が大面積のものについても位置表
示が可能で且つ安価な指りｙ千人力装置を提供すること
を目的とする訂 ｔｅｌ 発明の構成 本発明の目的は透明フィルム上に透明導電膜からなるマ
トリックス状の駆豐寛極がその複数個の交点をそれぞれ
絶縁して配列してあり、直交する駆′動電極間にそれぞ
れ非晶質シリコン薄膜よりなる歪センサが形成されて配
列している指タツチ入力装置により達成することができ
る。
示が可能で且つ安価な指りｙ千人力装置を提供すること
を目的とする訂 ｔｅｌ 発明の構成 本発明の目的は透明フィルム上に透明導電膜からなるマ
トリックス状の駆豐寛極がその複数個の交点をそれぞれ
絶縁して配列してあり、直交する駆′動電極間にそれぞ
れ非晶質シリコン薄膜よりなる歪センサが形成されて配
列している指タツチ入力装置により達成することができ
る。
げ）発明の実施例
本発明は透明な絶縁フィルム上にＸＹのマトリックス状
電極を透明導電材料を用いて形成しこの交点に非晶質歪
センサを薄膜形成技術を用いて形成することにより大面
積化を図るものである。第２図は本発明に係る指タツチ
入力装置の構成を示すものでい」はＩＩＩ面図、（Ｂｌ
は正面図である。指タツチ入力装置は表示装置の表示向
に位置合わせして座標位置を示す用途が通例であり、そ
のためには基板４が透明であるこさが望ましく、更に指
が接触する除に発生する圧力変化が明瞭に埃われるこき
から比較的Ｊ９い透明なプラス千ツクフィルム（本実施
例の場合は厚さ１〔勧〕のボリエ千しンテレフタレート
フィルム、）ヲ１Ｑ用する。またマトリックス状に配タ
リしている複数個のＸ電極５さＸ電極６は酸化錫、（８
ｎ（Ｊ２〕と酸化インジウノ−（Ｉｎ２０ｇ ）との混
合物からなる透明導電膜で形成する。この際Ｘ電極５と
Ｘ電極６の交点７は絶縁されていることが必要でこの■
は、酸化硅飢５ｉＯｔｔ膜などを用いて行われろ。なお
それぞれのＸ電極５とＸ電極６との間に非晶質シリコン
薄膜を媒体とする歪センサが形成される。こ＼で非晶質
シリコン薄膜は褐色を呈しているが厚さが１〔μｍ〕程
度と薄いため透明！あり、また導電膜、絶縁膜も透明で
あるので本発明に係る指タツチ入力装置の指タツ千面８
は透明でありそのため、これを装着する表示装置の文字
９画像などの明瞭度を損うことはない。
電極を透明導電材料を用いて形成しこの交点に非晶質歪
センサを薄膜形成技術を用いて形成することにより大面
積化を図るものである。第２図は本発明に係る指タツチ
入力装置の構成を示すものでい」はＩＩＩ面図、（Ｂｌ
は正面図である。指タツチ入力装置は表示装置の表示向
に位置合わせして座標位置を示す用途が通例であり、そ
のためには基板４が透明であるこさが望ましく、更に指
が接触する除に発生する圧力変化が明瞭に埃われるこき
から比較的Ｊ９い透明なプラス千ツクフィルム（本実施
例の場合は厚さ１〔勧〕のボリエ千しンテレフタレート
フィルム、）ヲ１Ｑ用する。またマトリックス状に配タ
リしている複数個のＸ電極５さＸ電極６は酸化錫、（８
ｎ（Ｊ２〕と酸化インジウノ−（Ｉｎ２０ｇ ）との混
合物からなる透明導電膜で形成する。この際Ｘ電極５と
Ｘ電極６の交点７は絶縁されていることが必要でこの■
は、酸化硅飢５ｉＯｔｔ膜などを用いて行われろ。なお
それぞれのＸ電極５とＸ電極６との間に非晶質シリコン
薄膜を媒体とする歪センサが形成される。こ＼で非晶質
シリコン薄膜は褐色を呈しているが厚さが１〔μｍ〕程
度と薄いため透明！あり、また導電膜、絶縁膜も透明で
あるので本発明に係る指タツチ入力装置の指タツ千面８
は透明でありそのため、これを装着する表示装置の文字
９画像などの明瞭度を損うことはない。
第３図は第２図の部分拡大図、才た第４回はこの歪セン
サの構成図また第５図はプレーナ構造をとる歪センサの
構成図である。こ−で第３図により本発明に係る指タッ
チ入力装訝の宿成法を実施例について睨明すると高周波
スパッタなどを用いる薄膜形成技術とレジストとホトエ
ツチングを用いる４冥蝕刻技術とを用いて電極幅が１０
０〜２００〔μｍ〕のＸ電極５をボリエ千しンチ１／フ
タレートの 基板４ノ上にパターン形成し次にＸ電極６との欠点７は
ＳｔＯ，或はポリイミドなどの絶縁材料で層絶縁しまた
歪センサ形成位置には８ｉＨ，或はｓｉ Ｆ。
サの構成図また第５図はプレーナ構造をとる歪センサの
構成図である。こ−で第３図により本発明に係る指タッ
チ入力装訝の宿成法を実施例について睨明すると高周波
スパッタなどを用いる薄膜形成技術とレジストとホトエ
ツチングを用いる４冥蝕刻技術とを用いて電極幅が１０
０〜２００〔μｍ〕のＸ電極５をボリエ千しンチ１／フ
タレートの 基板４ノ上にパターン形成し次にＸ電極６との欠点７は
ＳｔＯ，或はポリイミドなどの絶縁材料で層絶縁しまた
歪センサ形成位置には８ｉＨ，或はｓｉ Ｆ。
をグロー放電により分解して得た非晶＊ｓｉ膜９からな
る歪センサ膜をパターン形成する。次にＸ電極６をパタ
ーン形成することにより指タッチ入非晶買Ｓｉ膜９をＸ
Ｙ電惨５．ｔｉからなる透明電極で挾んだもので、第４
図に示す実施例の場合、Ｘ電極５カ）ら突出してパター
ン形成されている下側電極５′とＸ電極６から突出して
パターン、形成されているｊ側電極６′とによるサンド
イツ千構造で形成されているが、第５図に示すように非
晶質シリコン膜９をＸ、Ｙ’［極から突出したｔ極５／
／、６＃で挾んだプレーナ構造で形成してもよい。本発
明に係る歪センサは非晶質ｓｉ膜の抵抗が圧力により変
ることをオリ用するものであり、非晶質Ｓｉ９およびＸ
Ｙｌ［、惚５．ｂが広い面積に柘って形成できることか
ら指タツ千面８を広く形成することがでさまた非晶質歪
センサからの信号はｘｙ＠極５，６により容易に検出で
きるので従来の検出装置と較べて癌かに低価格なタラ千
位置検出装置を実用化することができる。
る歪センサ膜をパターン形成する。次にＸ電極６をパタ
ーン形成することにより指タッチ入非晶買Ｓｉ膜９をＸ
Ｙ電惨５．ｔｉからなる透明電極で挾んだもので、第４
図に示す実施例の場合、Ｘ電極５カ）ら突出してパター
ン形成されている下側電極５′とＸ電極６から突出して
パターン、形成されているｊ側電極６′とによるサンド
イツ千構造で形成されているが、第５図に示すように非
晶質シリコン膜９をＸ、Ｙ’［極から突出したｔ極５／
／、６＃で挾んだプレーナ構造で形成してもよい。本発
明に係る歪センサは非晶質ｓｉ膜の抵抗が圧力により変
ることをオリ用するものであり、非晶質Ｓｉ９およびＸ
Ｙｌ［、惚５．ｂが広い面積に柘って形成できることか
ら指タツ千面８を広く形成することがでさまた非晶質歪
センサからの信号はｘｙ＠極５，６により容易に検出で
きるので従来の検出装置と較べて癌かに低価格なタラ千
位置検出装置を実用化することができる。
（ｇ 発明の効果
本発明の実施により大面積で且つ従来と較べて低価格の
指タツチ入力装置を実現することができ第１図は従来の
指タツチ入力装置で（Ａｌは側面図、（ｔ３＋け正面図
、第２図は本発明に係る指タツチ入力装置の構成シＩで
（ΔＪは側面図、（Ｂｌは正面図、第３図は第２図（Ｂ
ｌの部分拡大図、第４図は非晶質重センサの断面図また
第５図はプレーナ構造をとる歪センサの断面図である。
指タツチ入力装置を実現することができ第１図は従来の
指タツチ入力装置で（Ａｌは側面図、（ｔ３＋け正面図
、第２図は本発明に係る指タツチ入力装置の構成シＩで
（ΔＪは側面図、（Ｂｌは正面図、第３図は第２図（Ｂ
ｌの部分拡大図、第４図は非晶質重センサの断面図また
第５図はプレーナ構造をとる歪センサの断面図である。
図において、４図基板、５はＸ電極、６はＹ電極、７は
交点、８は指りツ千面、９は非晶質シリコン膜。
交点、８は指りツ千面、９は非晶質シリコン膜。
Claims (1)
- 透明フィルム上に透明４電膜からなるマドＩＩックス状
の駆動電極がその複数個の交点をそれぞれ絶縁して配列
してあり、直交する駆動電極間にそれぞれ非晶質シリコ
ン薄膜よりなる歪センサが形成され配列されてなること
を特徴とする指タツチ人力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58085327A JPS59211129A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 指タツチ入力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58085327A JPS59211129A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 指タツチ入力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59211129A true JPS59211129A (ja) | 1984-11-29 |
Family
ID=13855532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58085327A Pending JPS59211129A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 指タツチ入力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59211129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011209785A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Wacom Co Ltd | 指示体検出装置および検出センサ |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP58085327A patent/JPS59211129A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011209785A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Wacom Co Ltd | 指示体検出装置および検出センサ |
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