KR100288244B1 - 압전형디지틀터치패널 - Google Patents

Abstract

외부 진동에 약하고, 해상도가 좋지 않은 압전형 디지틀 터치 패널의 특성을 개선하고자, 기판(2)상에 소정의 경계에 따라 구획된 패턴으로 하측 투명 도전막(6)을 증착 형성하고, 그위로 ZnO를 증착하여 투명 압전박막(4)을 적층한 다음, 다시 그 위에 상측 투명 도전막(16)을 적층 형성함으로써 이 상측 투명 도전막을 통해 가해지는 외부 압력으로 상기한 투명 압전박막(4)이 전위차 분극효과를 일으킴에 따라 발생하는 전압변화가 상기한 상 하측 투명 도전막(6)(16)을 통해 검출될 수 있게 하고, 이 검출신호를 통상의 컨트롤러에 입력하여 연산처리되게 함으로써 기판(2)상에서 외부의 압력으로 눌려진 패턴의 좌표를 인식할 수 있게 한 압전형 디지틀 터치 패널.

Description

압전형 디지틀 터지 패널

제1도는 본 발명에 관련된 터치 패널의 예를 개략적으로 나타낸 도면.

제2도는 제1도 터치 패널에 있어서 박막의 적층예를 설명하기 위한 공정도.

제3도는 본 발명의 주요부 투명 압전박막에 의한 압전효과를 나타내는 그래프.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

2:기판 4:투명 압전박막 6:하측 투명 도전막

12:전극 14:리이드 16:상측 투명 도전막

18:접지전극 20:접지리이드 22:보호층

본 발명은 터치 패널에 관한 것으로서, 더 상세하게는 압전효과에 의해 발생되는 전압변화를 검출하여 패턴의 눌려진 부위를 인식하게 구성된 압전형 디지틀 터치 패널에 관한 것이다.

터치 패널은 X축과 Y축의 교점상 좌표를 탐색할 수 있게 구성된 애널로그방식과, 임의의 경계로 구획된 패턴의 어느 곳이 눌려졌는가를 인식하는 디지틀방식이 있다.

애널로그방식은 액정표시소자 혹은 음극선곤의 화면상에 임의의 특정 캐릭터로 현출되게 하는 제품에 사용되고 있고, 디지틀방식은 메뉴타입의 간이 입력장치 또는 전자제품의 기능선택 등을 필답형으로 선택할 수 있게 하는 조작패널로서 활용되고 있다.

터치 패널의 종류는 좌표를 인식하는 수단에 따라 용량방식, 저항막방식, 음향방식, 광전방식, 그리고 압전방식으로 구분되고 있으며, 디지틀방식에는 용량방식과 저항막방식이 주로 사용되고 있다.

용량방식은 패널면에 손이나 도체를 접촉시켰을 때 인체가 지닌 전기용량이 더해져서 발생하는 접촉점에서의 전기용량 변화를 탐색하는 방식이고, 저항막방식은 사용자가 지저안 패턴상의 좌표에 대향 배치된 도전막이 접촉에 의해 스위칭-온됨으로써 터치된 영역을 인지하게 되는 방식이다.

상술한 용량방식과 저항막방식은 광투과율이 좋지 않거나 도전체가 접촉되어야만 이를 인지하게 되거나 내구성이 약한 단점이 있고, 특히 구조가 복잡하여 제조 원가가 비싸다.

한편, 미국특허 제4, 355,202호에 개시된 압전형 터치 패널은 패널의 네모서리에 압전소자를 배치하여 놓고, 패널면의 임의점이 접촉될 때 각 모서리에 배치된 압전소자로부터 발생하는 전압차를 연산하여 접촉부위의 좌표를 인식하게 하고 있다. 이 방식은 애널로그 터치 패널에 적용할 수 있는 것이고, 게다가 외부 진동에 쉽게 오작동하는 단점이 있어서 별로 실용화되지 않고 있다.

본 발명의 목적은 간단한 구조와 내구성, 높은 광투과율, 정확한 좌표인식, 빠른 응답성 등의 터치 패널이 갖추어야 할 제 조건을 두루 만족시킬 수 잇는 전혀 새로운 구조의 압전형 디지틀 터치 패널을 제공함에 있다.

상기의 목적에 따라, 본 발명은 기판상에 소정의 경계에 따라 구획된 패턴으로 하측 투명 도전막을 증착 형성하고, 그위로 ZnO를 증착하여 투명압전박막을 적층한 다음, 다시 그 위에 상측 투명 도전막을 적층 형성함으로써 이 상측 투명 도전막을 통해 가해지는 외부 압력으로 상기한 투명 압전박막이 전위차 분극효과를 일으킴에 따라 발생하는 전압변화가 상기한 상 하측 투명 도전막을 통해 검출될 수 있게 하고, 이 검출신호를 통상의 컨트롤러에 입력하여 연산처리되게 함으로서 기판상에서 외부의 압력으로 눌려진 패턴의 좌표를 인식할 수 있게 한 압전형 디지틀 터치 패널을 제안한다.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 따라 상세히 설명한다.

제1도는 본 발명에 관련된 터치 패널의 예를 개략적으로 나타낸 도면으로서, 1장의 유리로 된 기판(2)은 좌표 인식을 위한 투명 압전박막(4)을 상면에 보유하고 있다.

투명 압전박막(4)은 ZnO를 스퍼터링 증착하여 형성되는 것으로서, 결정학적으로 C축 방향에 잘 정렬된 두께 500 - 2000Å 정도의 투명박막이며, 그 물리적 특성은 광투과율 85% 이상, 통과파장 550nm, 비저항 10⁴- 10⁵Ωcm의 특성을 갖는다.

또한, 투명 압전박막(4)은 Zn-Al의 합금타게트를 사용하여 증착시킬 수도 있다. 이 경우에는 증착분위기를 유지하는 아르곤개스에 소량의 산소를 혼입하여서 Al과 Zn 성분이 산화되어 Al₂O₃및 ZnO가 되게 해야 한다.

또 다른 방법으로는 기판을 폴리에스테르나 폴리이미드로 하고, 성막시의 온도분위기를 낮추어서 행할 수도 있다.

상기와 같은 방법으로 형성되는 투명 압전박막(4)은 통상의 포토레지스트방식으로 마스크 식각되어서 소정의 경계로 구획된 패턴을 이루게 된다.

제2도는 상술한 투명 압전박막(4)의 형성과정을 나타내는 공정도이다.

먼저, 가)의 도시와 같이 기판(2)의 상면에는 하측 투명 도전막(6)이 증착된다.

하측 투명 도전막(6)은 실제에 있어서 ITO(indium tin oxide) 또는 AZO(Al₂O₃doped ZnO)이다.

ITO인 경우에는 SnO₂10중량%, In₂O₃80%이상, 나머지 불순물로 된 타아겟을 14 - 64Sccm의 알곤개스 분위기에서 기판온도 200 - 350℃로 하여 400 - 1000Å의 두께가 되도록 스퍼터링 증착하여 얻어지고, 이 박막의 비저항은 4.0 - 8.0 ×10^-3Ωcm이다.

AZO인 경우에는 Al₂O₃가 2-4중량%의 비율로 도핑된 ZnO를 500 - 1000Å의 두께로 스퍼터링 증착하되, 증착분위기는 40mTorr의 아르곤개스압력하에서 또한 기판온도는 300℃로 하여 얻어지며, 이 박막의 비저항은 10^-1- 10^-3Ωcm이다.

다음에 나)의 도시와 같이 상기한 하측 투명 도전막(6)의 상면에는 감광막(8)을 코오팅하고, 패턴용 마스크(10)를 통해 노광처리한 다음, 현상하면 노광된 부분만이 식각되어서 투명 도전막(6)의 일부가 다)의 도시와 같이 외부로 노출된다.

이것을 에칭액으로 식각처리하면 투명 도전막(6)은 라)의 도시와 같이 감광막(8)에 의해 피복된 부분만 남아 소정의 패턴으로 구획된다.

이렇게 처리된 투명 도전막(6)의 상면을 피복하고 있는 감광막(8)을 에칭한 다음, 마)의 도시와 같이 각 패턴마다 전극(12)을 형성하고 여기에 리이드선(14)을 연결 접속한다.

전극(12)은 실제에 있어서 은페이이스트를 스크린인쇄하고 열처리하는 방법으로 형성되는 것이고, 리이드선(14)은 납땜방식으로 접속 연결된다.

상기와 같이 하측 투명 도전막(6)의 형성을 종료하였으면, 바)의 도시와 같이 전체면에 걸쳐 투명 압전박막(4)을 증착하고, 또 그 위로 상측 투명 도전막(16)을 증착한다.

투명 압전박막(4)은 상술한 바 있드시, ZnO를 타아겟으로 하여 40mTorr의 알곤개스분위기에서 기판온도 300℃로 스퍼터링 증착하여 두께 500 - 1000Å으로 형성되는 박막으로서, 그 물리적 특성은 광투과율 85% 이상, 통과파장 550nm, 비저항 10⁴- 10⁶Ωcm이다.

얻어지는 투명 압전박막은(4)은 성막과정에서 원자배열에 따른 에너지방향성이 매우 강하게 되어 결정학적으로 C축 방향의 방향성을 갖고 잘 정렬된 형태로 되어서 외부 압력이 작용시에는 항상 상하방향으로 전위차분극을 일으키는 성질이 있다.

그리고 투명 압전박막(4)의 위로 증착되는 상측 도전막(16)은 실제에 있어서 ATO(antimony doped tin oxide)박막이며, 이것은 Sb2O3, 10중량%, SnO2 80중량%이상, 나머지는 불순물로 되는 타아겟을 14 - 64Sccm의 알곤개스 분위기에서 기판온도 200 - 350℃로 하여 300 - 700Å의 두께가 되도록 스퍼터링 증착하여 얻어지고, 비저항은 2.0 - 5.0 × 10^-4Ωcm이다.

이와 같이 상측 투명 도전막(16)의 형성이 끝나면, 그 위의 적당한 부위로 사)의 도시와 같이 접지전극(18)을 형성하고, 여기에 접지리이드(20)를 접속 연결한 다음, 보호층(22)을 코오팅하여 본 발명의 터치 패널은 완성된다.

접지전극(18)과 접지리이드(20)는 하측 투명 도전막(6)에서와 같이 은페이스트를 스크린 인쇄하고, 이를 열처리한 후 납땜 접속하는 방법으로 설치한다.

이렇게 얻어진 터치 패널은 제1도에 묘사한 바와 같이 별도의 커넥터(24)를 경유하여 컨트롤러(26)와 연결하여 사용한다.

상기한 투명 압전박막(4)과 커넥터(24) 사이의 접속은 납땜, 도전성 잉크 또는 볼 본딩이나 히트 시일 등의 방법이 적용될 수있다.

또한, 보호층(22)은 통상의 유기성 보호막으로서 졸(sol) 상태로 스프레이 코팅하거나 스핀코팅하고 UV처리해서 얻을 수 있으며, 필요치 않은 경우는 이 보호층(22)을 생략할 수 있다.

보호층(22)의 다른 코팅방법으로는 롤코팅법, 인쇄법 등도 적용될 수 있다.

보호층(22)은 터치 패널의 내구성을 연장하는데 도움이 되며, 적용되는 보호층(22)의 경도는 적어도 4 이상이 되어야 효과가 있다.

상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 터치 패널에서, 좌표의 탐색은 접촉에 의한 압력을 받게 되는 투명 압전박막(4)의 임의점에서 전위차가 발생함에 따라 행해지게 된다.

즉, 제1도에서 임의점(A)가 눌려졌다고 가정하면, 압전현상에 의해 임의점(A)의 전압이 높아지게 되고, 이 전압은 구획된 패턴별로 정해진 고유번지를 인식하기 위한 전기적 신호로 되어서 컨트롤러(26)로 입력되어 연산처리됨으로써 그 지점이 인식된다.

다시 말하면, 눌려진 투명 압전박막(4)의 임의점(A)에서는 제3도의 도시와 같이 압력의 세기에 비례하는 전압 Vo가 발생하여 일정시간후에 평형상태로 되돌아가는 특성을 보이므로 적정 전압치 Vth를 설정하여 놓고, 그 이상의 전압이 발생하였을 때에 접촉된 것으로 간주하여 작동되게 하면 외부 충격에도 오작동되지 않고 정확하게 좌표의 탐색을 행할 수 잇게 된다.

이상과 같이 본 발명은 상 하측 투명 도전막 사이에 투명 압전박막이 개재되게 함으로써 터치 패널의 임의점이 눌려졌을 때에 상기한 투명 압전박막의 전위차 분극효과에 의해 발생하는 전압변화가 컨트롤러에 입력되어서 패턴의 고유번지를 연산하여 인식되게 하는 것이므로 외부 진동에 전혀 영향을 받지 않을 뿐만 아니라 전압을 발생하는 임의점은 다른 패턴과 분명하게 구분되어 있어서 정확하게 동작되기 때문에 종래의 압전형 디지틀 터치 패널이 갖는 문제점을 근본적으로 해결하였을 뿐만 아니라, 구조가 대단히 간단하면서도 빠른 응답속도를 갖고 있다는 장점이 있다.

Claims (9)

1. 외부의 압력을 받는 임의점의 좌표를 인식하게 구성된 터치 패널에 있어서, 소정의 패턴상으로 구획 형성되는 하측 투명 도전막(6)과 상측 투명 도전막(16)의 사이로 투명 압전박막(4)이 적층된 1장의 기판(2)으로 이루어져서 상기한 투명 압전박막(4)의 전위차 분극효과에 의한 전압변화가 상기한 상 하측 투명 도전막(6)(16)을 통해 검출되도록 구성한 압전형 디지틀 터치 패널.
2. 제1항에 있어서, 투명 압전박막(4)은 ZnO를 타아겟으로 하여 40mTorr의 알곤개스분위기에서 기판온도 300℃로 스퍼터링 증착하여 형성됨을 특징으로 하는 압전형 디지틀 터치 패널.
3. 제2항에 있어서, 투명 압전박막(4)은 500 - 1000Å 정도의 두께를 갖고 있음을 특징으로 하는 압전형 디지틀 터치 패널.
4. 제1항에 있어서, 하측 투명 도전막(6)은 SnO₂, 10중량%, In₂O₃80% 이상, 나머지 불순물로 된 타아겟을 14 - 64Sccm의 알곤개스 분위기에서 기판온도 200 - 350℃로 하여 400 - 1000Å의 두께가 되도록 스퍼터링 증착하여 얻어지는 ITO박막임을 특징으로 하는 압전형 디지틀 터치 패널.
5. 제1항에 있어서, 하측 투명 도전막(6)은 Al₂O₃가 2-4중량%의 비율로 도핑된 ZnO를 500 - 1000Å의 두께로 스퍼터링 증착하되, 증착분위기는 40mTorr의 아르곤개스압력하에서 또한 기판온도는 300℃로 하여 얻어지는 AZO박막임을 특징으로 하는 압전형 디지틀 터치 패널.
6. 제4항 또는 제5항에 있어서 하측 투명 도전막(6)은 증착 형성후에 통상의 사진식각방법으로 소정의 패턴을 이루게 구획되어 있음을 특징으로 하는 압전형 디지틀 터치 패널.
7. 제1항에 있어서, 상측 도전막(16)은 Sb₂O₃, 10중량%, SnO₂80중량%이상, 나머지는 불순물로 되는 타아겟을 14 - 64Sccm의 알곤개스 분위기에서 기판온도 200 - 350℃로 하여 300 - 700Å의 두께가 되도록 스퍼터링 증착하여 얻어지는 ATO 박막임을 특징으로 하는 압전형 디지틀 터치 패널.
8. 제1항 또는 제7항에 있어서, 상측 투명 도전막(16)의 상면으로 보호층(22)이 추가로 코오팅됨을 특징으로 하는 압전형 디지틀 터치 패널.
9. 제8항에 있어서, 보호층(22)은 통상의 유기성 보호막으로서 졸상태로 스프레이 또는 스핀코팅하고 UV처리하여 형성됨을 특징으로 하는 압전형 디지틀 터치 패널.