JPH0868704A - アクティブマトリクス型面圧入力パネル - Google Patents
アクティブマトリクス型面圧入力パネルInfo
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- JPH0868704A JPH0868704A JP5277619A JP27761993A JPH0868704A JP H0868704 A JPH0868704 A JP H0868704A JP 5277619 A JP5277619 A JP 5277619A JP 27761993 A JP27761993 A JP 27761993A JP H0868704 A JPH0868704 A JP H0868704A
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- conductive
- contact plate
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- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/045—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using resistive elements, e.g. a single continuous surface or two parallel surfaces put in contact
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/004—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring coordinates of points
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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- G01B7/28—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring contours or curvatures
- G01B7/287—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring contours or curvatures using a plurality of fixed, simultaneously operating transducers
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/34—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体回路と同程度の高い精細度で検出エリ
アを大きく取ることのできる安価なアクティブマトリク
ス型面圧入力パネルを提供すること。 【構成】 下面に導電膜2aを有する可撓性の圧力シー
ト2と、絶縁基板10上にマトリクス状に走査電極線3
0、40を配置するとともに該走査電極線30、40の
交点ごとに薄膜トランジスタ20と導電接触板50とを
形成した回路板3とを、圧力シート2の導電膜2aが回
路板3の導電接触板50と対接するように位置付けて積
層し、薄膜トランジスタ20のゲートとドレインをマト
リクス状走査電極線30、40の一方と他方にそれぞれ
接続し、ソースを導電接触板50に接続した。
アを大きく取ることのできる安価なアクティブマトリク
ス型面圧入力パネルを提供すること。 【構成】 下面に導電膜2aを有する可撓性の圧力シー
ト2と、絶縁基板10上にマトリクス状に走査電極線3
0、40を配置するとともに該走査電極線30、40の
交点ごとに薄膜トランジスタ20と導電接触板50とを
形成した回路板3とを、圧力シート2の導電膜2aが回
路板3の導電接触板50と対接するように位置付けて積
層し、薄膜トランジスタ20のゲートとドレインをマト
リクス状走査電極線30、40の一方と他方にそれぞれ
接続し、ソースを導電接触板50に接続した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタや薄
膜ダイオードなどを用いて指紋のような微細な面圧力分
布を検出するのに好適なアクティブマトリクス型面圧入
力パネルに関する。
膜ダイオードなどを用いて指紋のような微細な面圧力分
布を検出するのに好適なアクティブマトリクス型面圧入
力パネルに関する。
【0002】
【従来の技術】微細な面圧力分布の一例として指紋のパ
ターンを考えてみると、従来の指紋パターン検出用の面
圧入力パネルとしては、圧力に応じて導電度が変化する
導電性ゴムとマトリクス状の走査電極とを積層し、指を
パネルに押しあてたときの指紋の山と谷による押圧力の
差による導電度の変化をON/OFFの状態で検出する
ようにした装置や、この装置の導電性ゴムの代わりに抵
抗膜を用い、指紋の山が抵抗膜に接触する時の面積で抵
抗膜の抵抗値が変化することを利用した装置、あるいは
半導体製造技術を用いて半導体基板上に圧電薄膜を上面
電極と下面電極とで挟んで形成するとともにMOS型電
界効果トランジスタを形成した指紋センサ(特開平5ー
61966)などが提案されている。
ターンを考えてみると、従来の指紋パターン検出用の面
圧入力パネルとしては、圧力に応じて導電度が変化する
導電性ゴムとマトリクス状の走査電極とを積層し、指を
パネルに押しあてたときの指紋の山と谷による押圧力の
差による導電度の変化をON/OFFの状態で検出する
ようにした装置や、この装置の導電性ゴムの代わりに抵
抗膜を用い、指紋の山が抵抗膜に接触する時の面積で抵
抗膜の抵抗値が変化することを利用した装置、あるいは
半導体製造技術を用いて半導体基板上に圧電薄膜を上面
電極と下面電極とで挟んで形成するとともにMOS型電
界効果トランジスタを形成した指紋センサ(特開平5ー
61966)などが提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、指紋パ
ターンが微細なだけに導電性ゴムや抵抗膜を用いる装置
の場合は製造技術上あるいは検出回路上の問題があり、
半導体製造技術を用いた装置にあっては製造設備やシリ
コン基板などの材料が高価であり、歩留りが良くないた
めパネルがコスト高となり、大きな検出エリアが取れな
いという問題がある。
ターンが微細なだけに導電性ゴムや抵抗膜を用いる装置
の場合は製造技術上あるいは検出回路上の問題があり、
半導体製造技術を用いた装置にあっては製造設備やシリ
コン基板などの材料が高価であり、歩留りが良くないた
めパネルがコスト高となり、大きな検出エリアが取れな
いという問題がある。
【0004】ところが最近、テレビやワープロなどの画
像表示デバイスに液晶が広く用いられ、中でもアクティ
ブマトリクス型のTFT(薄膜トランジスタ)を用いて
液晶を駆動する形式のディスプレイが安価に製造できる
ようになり、その性能も安定している。
像表示デバイスに液晶が広く用いられ、中でもアクティ
ブマトリクス型のTFT(薄膜トランジスタ)を用いて
液晶を駆動する形式のディスプレイが安価に製造できる
ようになり、その性能も安定している。
【0005】そこで本発明者は、現在このように製造技
術がすでに確立していて、安価に製造できるアクティブ
マトリクス型液晶駆動用回路基板に着目し、本発明は半
導体回路と同程度の高い精細度で検出エリアを大きく取
ることのできる安価なアクティブマトリクス型面圧入力
パネルを提供することを目的とする。
術がすでに確立していて、安価に製造できるアクティブ
マトリクス型液晶駆動用回路基板に着目し、本発明は半
導体回路と同程度の高い精細度で検出エリアを大きく取
ることのできる安価なアクティブマトリクス型面圧入力
パネルを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の一態様によれば、下面に導電膜を有する
可撓性の圧力シートと、絶縁基板上にマトリクス状に走
査電極線を配置するとともに該走査電極線の交点ごとに
薄膜トランジスタと導電接触板とを形成した回路板と
を、前記圧力シートの導電膜が前記回路板の導電接触板
と対接するように位置付けて積層し、前記薄膜トランジ
スタのゲートとドレインを前記マトリクス状走査電極線
の一方と他方にそれぞれ接続し、ソースを前記導電接触
板に接続した。
めに、本発明の一態様によれば、下面に導電膜を有する
可撓性の圧力シートと、絶縁基板上にマトリクス状に走
査電極線を配置するとともに該走査電極線の交点ごとに
薄膜トランジスタと導電接触板とを形成した回路板と
を、前記圧力シートの導電膜が前記回路板の導電接触板
と対接するように位置付けて積層し、前記薄膜トランジ
スタのゲートとドレインを前記マトリクス状走査電極線
の一方と他方にそれぞれ接続し、ソースを前記導電接触
板に接続した。
【0007】本発明のもう一つの態様によれば、下面に
導電膜を有する可撓性の圧力シートと、絶縁基板上にマ
トリクス状に走査電極線を配置するとともに該走査電極
線の交点ごとに薄膜ダイオードと1対の導電接触板とを
形成した回路板とを、前記圧力シートの導電膜が前記回
路板の導電接触板対と対接するように位置付けて積層
し、前記薄膜ダイオードを前記マトリクス状走査電極線
の一方と前記導電接触板対の一方との間に接続し、導電
接触板対の他方を他方の走査電極線に接続した。
導電膜を有する可撓性の圧力シートと、絶縁基板上にマ
トリクス状に走査電極線を配置するとともに該走査電極
線の交点ごとに薄膜ダイオードと1対の導電接触板とを
形成した回路板とを、前記圧力シートの導電膜が前記回
路板の導電接触板対と対接するように位置付けて積層
し、前記薄膜ダイオードを前記マトリクス状走査電極線
の一方と前記導電接触板対の一方との間に接続し、導電
接触板対の他方を他方の走査電極線に接続した。
【0008】
【作用】本発明は以上の構成によって、圧力シートに掛
かる面圧力分布に応じて圧力シートの撓み具合が異なる
ので、大きく撓んだ部位の導電膜は対接した導電接触板
と電気的に接触して薄膜トランジスタまたは薄膜ダイオ
ードを導通させるが、撓みの小さい部位は導通させな
い。その結果、撓みの大きい部位の薄膜トランジスタま
たは薄膜ダイオードに電流が流れ、その部位に対応する
検出点の電位が変化するため、この検出点の電位を取り
込めば圧力シートの各部位に掛かる圧力の面分布が検出
できる。
かる面圧力分布に応じて圧力シートの撓み具合が異なる
ので、大きく撓んだ部位の導電膜は対接した導電接触板
と電気的に接触して薄膜トランジスタまたは薄膜ダイオ
ードを導通させるが、撓みの小さい部位は導通させな
い。その結果、撓みの大きい部位の薄膜トランジスタま
たは薄膜ダイオードに電流が流れ、その部位に対応する
検出点の電位が変化するため、この検出点の電位を取り
込めば圧力シートの各部位に掛かる圧力の面分布が検出
できる。
【0009】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。
【0010】図1は本発明による面圧入力パネルの分解
斜視図である。
斜視図である。
【0011】面圧入力パネル1は、PET(ポリエチレ
ンテレフタレート)などの絶縁フィルムの裏面に導電膜
2aを蒸着した圧力シート2を、ガラスまたはセラミッ
クなどの絶縁基板10上にアモルファスシリコン膜を形
成し公知のホトリソグラフィ技術で多数のTFT(薄膜
トランジスタ)20、ドレイン線30、ゲート線40を
形成し、さらに蒸着によりたとえばITO(インジウム
・すず酸化物)の導電接触板50を形成した回路板3の
上に重ねて構成したものである。ドレイン線30とゲー
ト線40はマトリクス状に配置されており、後述するよ
うに走査信号が印加されて走査電極線として機能する。
指紋パターンの検出の場合には、ドレイン線30の間隔
およびゲート線40の間隔は50〜60μm程度となる
ので、回路板3上には、各TFTのドレインがドレイン
線30に、ゲートがゲート線40に、そしてソースが導
電接触板50に接続された単位検出素子が多数形成され
ている。ドレイン線30およびゲート線40は絶縁基板
10の側縁のAおよびBに集められ、図示しないコネク
タにより外部回路と接続される。
ンテレフタレート)などの絶縁フィルムの裏面に導電膜
2aを蒸着した圧力シート2を、ガラスまたはセラミッ
クなどの絶縁基板10上にアモルファスシリコン膜を形
成し公知のホトリソグラフィ技術で多数のTFT(薄膜
トランジスタ)20、ドレイン線30、ゲート線40を
形成し、さらに蒸着によりたとえばITO(インジウム
・すず酸化物)の導電接触板50を形成した回路板3の
上に重ねて構成したものである。ドレイン線30とゲー
ト線40はマトリクス状に配置されており、後述するよ
うに走査信号が印加されて走査電極線として機能する。
指紋パターンの検出の場合には、ドレイン線30の間隔
およびゲート線40の間隔は50〜60μm程度となる
ので、回路板3上には、各TFTのドレインがドレイン
線30に、ゲートがゲート線40に、そしてソースが導
電接触板50に接続された単位検出素子が多数形成され
ている。ドレイン線30およびゲート線40は絶縁基板
10の側縁のAおよびBに集められ、図示しないコネク
タにより外部回路と接続される。
【0012】図2は図1に示した面圧入力パネル1の回
路板3上に形成される単位検出素子を拡大して示す。図
1と同じ参照数字は同じ構成部分を示している。
路板3上に形成される単位検出素子を拡大して示す。図
1と同じ参照数字は同じ構成部分を示している。
【0013】単位検出素子のTFT20は、ドレイン端
子Dがドレイン線30の一部30aに接続され、ソース
端子Sが導電接触板50に接続され、ゲート端子Gがゲ
ート線40の一部40aに接続されている。ドレイン線
30とゲート線40との交差部はマスクと蒸着により形
成されたたとえばSiO2 膜のような絶縁スペーサ11
によって絶縁されている。図3に示したように、ドレイ
ン線30はたとえばポリイミドやSiO2 などの絶縁膜
12で被覆されている。ゲート線40およびTFT20
も同様である。
子Dがドレイン線30の一部30aに接続され、ソース
端子Sが導電接触板50に接続され、ゲート端子Gがゲ
ート線40の一部40aに接続されている。ドレイン線
30とゲート線40との交差部はマスクと蒸着により形
成されたたとえばSiO2 膜のような絶縁スペーサ11
によって絶縁されている。図3に示したように、ドレイ
ン線30はたとえばポリイミドやSiO2 などの絶縁膜
12で被覆されている。ゲート線40およびTFT20
も同様である。
【0014】図4は本発明の面圧入力パネルを用いて指
紋パターンを検出する回路の一例である。
紋パターンを検出する回路の一例である。
【0015】面圧入力パネル1の圧力シート2の導電膜
2aは抵抗15を介して接地されている。面圧入力パネ
ル1のドレイン線30は抵抗Rを介してX方向レジスタ
60に接続されており、ゲート線40はY方向レジスタ
70に接続されている。すべてのドレイン線30は検出
器16に接続されており、検出器16はドレイン線30
の検出点D1 、D2 、D3 、・・・の電位を取り込み、
この電位に基づいて指紋パターンを検出する。
2aは抵抗15を介して接地されている。面圧入力パネ
ル1のドレイン線30は抵抗Rを介してX方向レジスタ
60に接続されており、ゲート線40はY方向レジスタ
70に接続されている。すべてのドレイン線30は検出
器16に接続されており、検出器16はドレイン線30
の検出点D1 、D2 、D3 、・・・の電位を取り込み、
この電位に基づいて指紋パターンを検出する。
【0016】さて、このように構成された面圧入力パネ
ル1に図示したように指Fを乗せて軽く押すと、圧力シ
ート2は全体が押し下げられるが、細かく観察すると、
指紋の山の部分と谷の部分とでは押圧力が異なるため
に、山の部分の真下またはそのごく近傍に位置する単位
検出素子の導電接触板50は圧力シート2の裏面の導電
膜2aと電気的に接触する。ところが指紋の谷の部分の
真下またはその近傍に位置する単位検出素子の導電接触
板50は導電膜2aとは電気的に接触しない。
ル1に図示したように指Fを乗せて軽く押すと、圧力シ
ート2は全体が押し下げられるが、細かく観察すると、
指紋の山の部分と谷の部分とでは押圧力が異なるため
に、山の部分の真下またはそのごく近傍に位置する単位
検出素子の導電接触板50は圧力シート2の裏面の導電
膜2aと電気的に接触する。ところが指紋の谷の部分の
真下またはその近傍に位置する単位検出素子の導電接触
板50は導電膜2aとは電気的に接触しない。
【0017】図4に示した検出回路において、Y方向レ
ジスタ70からは所定のタイミングでゲート線40に順
次走査信号が切り替えて出力される。いまあるゲート線
40にある電位(「H」レベル)が印加されている間に
X方向レジスタ60から所定のタイミングでドレイン線
30に順次走査信号が切り替えて印加されると、電位が
印加されたゲート線40と走査信号が印加されたドレイ
ン線30とが交差する近傍に位置する単位検出素子の導
電接触板50が指紋パターンの山の部分で押された部位
で圧力シート2の導電膜2aと電気的に接触し、その単
位検出素子のTFT20のソース端子Sが導電接触板5
0、導電膜2a、抵抗15を介して接地されるので導通
し、ドレイン電流が流れて抵抗Rによる電圧降下が生ず
る。検出器16は検出点D1 、D2 、D3 、・・・の電
位を取り込む。X方向レジスタ60およびY方向レジス
タ70からの走査信号を順次切り替えることによって面
圧入力パネル1のすべての単位検出素子からの信号が時
系列的に検出器16に取り込まれるので、信号処理によ
って指紋パターンが検出できる。この信号処理による指
紋パターンの検出については本発明の要旨ではないので
ここでは説明しない。
ジスタ70からは所定のタイミングでゲート線40に順
次走査信号が切り替えて出力される。いまあるゲート線
40にある電位(「H」レベル)が印加されている間に
X方向レジスタ60から所定のタイミングでドレイン線
30に順次走査信号が切り替えて印加されると、電位が
印加されたゲート線40と走査信号が印加されたドレイ
ン線30とが交差する近傍に位置する単位検出素子の導
電接触板50が指紋パターンの山の部分で押された部位
で圧力シート2の導電膜2aと電気的に接触し、その単
位検出素子のTFT20のソース端子Sが導電接触板5
0、導電膜2a、抵抗15を介して接地されるので導通
し、ドレイン電流が流れて抵抗Rによる電圧降下が生ず
る。検出器16は検出点D1 、D2 、D3 、・・・の電
位を取り込む。X方向レジスタ60およびY方向レジス
タ70からの走査信号を順次切り替えることによって面
圧入力パネル1のすべての単位検出素子からの信号が時
系列的に検出器16に取り込まれるので、信号処理によ
って指紋パターンが検出できる。この信号処理による指
紋パターンの検出については本発明の要旨ではないので
ここでは説明しない。
【0018】図5および図6は本発明の他の実施例を示
す。
す。
【0019】この実施例は、図7に示した圧力シートを
用い、回路板に形成される単位検出素子には、TFTに
代えて1個の薄膜ダイオードと、1個の導電接触板に代
えて1対の導電接触板を設けたものである。
用い、回路板に形成される単位検出素子には、TFTに
代えて1個の薄膜ダイオードと、1個の導電接触板に代
えて1対の導電接触板を設けたものである。
【0020】圧力シート2はPETなどの絶縁フィルム
の裏面に導電膜2bを後述する導電接触板対50a、5
0bの真上にくるような位置及び間隔で蒸着したもので
ある。
の裏面に導電膜2bを後述する導電接触板対50a、5
0bの真上にくるような位置及び間隔で蒸着したもので
ある。
【0021】図5は回路板に形成される単位検出素子を
示し、図6は1個の単位検出素子を拡大して示す。
示し、図6は1個の単位検出素子を拡大して示す。
【0022】図5に示したように、単位検出素子は1個
の薄膜ダイオード25と1対の導電接触板50a、50
bとを図1の実施例と同様な方法で絶縁基板上に形成し
たものである。回路板上には走査電極線としてのXライ
ン電極線とYライン電極線とがマトリクス状に形成され
ており、薄膜ダイオード25のアノード端子は図6に示
すようにXライン電極線35の一部35aに接続され、
カソード端子は一方の導電接触板50aに接続される。
一対の導電接触板50aおよび50bはわずかな間隙を
隔てて設けられており、両者は電気的に絶縁されてい
る。他方の導電接触板50bはYライン電極線45の一
部45aに接続されている。その他の構成および本実施
例のパネルを用いて指紋パターンを検出する場合の検出
回路および回路接続は図1の実施例と同じである。たと
えばXライン電極線35は図4に示したようなX方向レ
ジスタ60に接続され、Yライン電極線45も同様にY
方向レジスタ70に接続されている。
の薄膜ダイオード25と1対の導電接触板50a、50
bとを図1の実施例と同様な方法で絶縁基板上に形成し
たものである。回路板上には走査電極線としてのXライ
ン電極線とYライン電極線とがマトリクス状に形成され
ており、薄膜ダイオード25のアノード端子は図6に示
すようにXライン電極線35の一部35aに接続され、
カソード端子は一方の導電接触板50aに接続される。
一対の導電接触板50aおよび50bはわずかな間隙を
隔てて設けられており、両者は電気的に絶縁されてい
る。他方の導電接触板50bはYライン電極線45の一
部45aに接続されている。その他の構成および本実施
例のパネルを用いて指紋パターンを検出する場合の検出
回路および回路接続は図1の実施例と同じである。たと
えばXライン電極線35は図4に示したようなX方向レ
ジスタ60に接続され、Yライン電極線45も同様にY
方向レジスタ70に接続されている。
【0023】指紋パターンの検出に当っては、指紋の山
の部分の真下またはその近傍に位置する単位検出素子の
1対の導電接触板50aおよび50bが圧力シートの導
電膜により電気的に接触するので薄膜ダイオード25が
順方向に導通し、図示しないX方向レジスタから電流が
流れて検出器に取り込まれる電位が変化する。指紋の谷
の部分については電位の変化がない。この指紋検出の方
法は上記実施例と同じであるので説明を省略する。
の部分の真下またはその近傍に位置する単位検出素子の
1対の導電接触板50aおよび50bが圧力シートの導
電膜により電気的に接触するので薄膜ダイオード25が
順方向に導通し、図示しないX方向レジスタから電流が
流れて検出器に取り込まれる電位が変化する。指紋の谷
の部分については電位の変化がない。この指紋検出の方
法は上記実施例と同じであるので説明を省略する。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アクティブマトリクス型液晶駆動用回路基板について確
立している製造技術を利用するので指紋のような微細な
面圧力分布を検出する装置を安価に歩留りよく製造する
ことができ、しかも検出エリアが大きく取れる。検出エ
リアの大きさも自由に変えられる。
アクティブマトリクス型液晶駆動用回路基板について確
立している製造技術を利用するので指紋のような微細な
面圧力分布を検出する装置を安価に歩留りよく製造する
ことができ、しかも検出エリアが大きく取れる。検出エ
リアの大きさも自由に変えられる。
【図1】本発明による面圧入力パネルの一実施例の一部
分解斜視図である。
分解斜視図である。
【図2】図1に示した面圧入力パネルの単位検出素子の
拡大図である。
拡大図である。
【図3】図2のA−A断面図である。
【図4】本発明による面圧入力パネルを用いた指紋検出
回路のブロック図である。
回路のブロック図である。
【図5】本発明による面圧入力パネルの他の実施例の回
路板上の単位検出素子の配置を示す。
路板上の単位検出素子の配置を示す。
【図6】図5に示した単位検出素子の拡大図である。
【図7】図5に示した他の実施例に用いる圧力シートの
斜視図である。
斜視図である。
1 面圧入力パネル 2 圧力シート 2a 導電膜 3 回路板 10 絶縁基板 20 薄膜トランジスタ 30 ドレイン線 40 ゲ−ト線 50 導電接触板 60 X方向レジスタ 70 Y方向レジスタ
Claims (2)
- 【請求項1】 下面に導電膜を有する可撓性の圧力シー
トと、 絶縁基板上にマトリクス状に走査電極線を配置するとと
もに該走査電極線の交点ごとに薄膜トランジスタと導電
接触板とを形成した回路板とを、前記圧力シートの導電
膜が前記回路板の導電接触板と対接するように位置付け
て積層し、前記薄膜トランジスタのゲートとドレインを
前記マトリクス状走査電極線の一方と他方にそれぞれ接
続し、ソースを前記導電接触板に接続したことを特徴と
するアクティブマトリクス型面圧入力パネル。 - 【請求項2】 下面に導電膜を有する可撓性の圧力シー
トと、 絶縁基板上にマトリクス状に走査電極線を配置するとと
もに該走査電極線の交点ごとに薄膜ダイオードと1対の
導電接触板とを形成した回路板とを、前記圧力シートの
導電膜が前記回路板の導電接触板対と対接するように位
置付けて積層し、前記薄膜ダイオードを前記マトリクス
状走査電極線の一方と前記導電接触板対の一方との間に
接続し、導電接触板対の他方を他方の走査電極線に接続
したことを特徴とするアクティブマトリクス型面圧入力
パネル。
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