TWI516994B - 多指觸控方法與相關裝置 - Google Patents

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TWI516994B
TWI516994B TW100108837A TW100108837A TWI516994B TW I516994 B TWI516994 B TW I516994B TW 100108837 A TW100108837 A TW 100108837A TW 100108837 A TW100108837 A TW 100108837A TW I516994 B TWI516994 B TW I516994B
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    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04104—Multi-touch detection in digitiser, i.e. details about the simultaneous detection of a plurality of touching locations, e.g. multiple fingers or pen and finger

Description

多指觸控方法與相關裝置
本發明是有關於一種多指觸控方法與相關裝置，且特別是有關於一種可以避免誤報多指觸控的多指觸控方法與相關裝置。
觸控技術能實現友善、直覺、方便易用的使用者介面，已成為現今最受歡迎的人機介面技術之一，尤其是能進行多指觸控辨識的觸控技術。觸控技術是以觸控面板感測觸控物(如使用者的手指)的觸控座標位置，據此得知使用者所欲進行的操控動作。要進一步實現多指觸控，首要之事便是判斷使用者的觸控係屬於單指觸控事件或多指觸控事件，然後才能正確地依據單指觸控事件與多指觸控事件所分別對應的處理規則分析出使用者欲進行的操控。
需要一種能正確辨識多指觸控的觸控技術。
為實現觸控技術，觸控面板中埋設有複數個感測電極，以提供複數個感應量(如電容變化量)；這些感應量分別對應不同的座標位置。在使用者觸控的位置附近，對應的感應量會較大；換句話說，在這些感應量中比對出峰值感應量後，峰值感應量所對應的座標位置就是使用者觸控的位置。若使用者以多指(多個觸控物)進行觸控，複 數個感應量中會對應地出現多個峰值。
因此，本發明係提出一種能降低多指觸控誤報的多指觸控方法與相關裝置。
本發明提出一種多指觸控方法，包括：相關於一感測面板，感測複數個分別對應不同座標位置的感應量，並在這些感應量中辨識出兩峰值感應量；提供一臨界值，比較兩峰值感應量間的各感應量是否低於臨界值以產生比較結果，並依據比較結果決定是否回報一多指觸控事件。舉例而言，若兩峰值感應量間的各感應量均未低於該臨界值，不回報多指觸控事件；若兩峰值感應量間的各感應量有一個低於臨界值，則回報多指觸控事件。
較佳地，可依據兩峰值感應量的對應座標位置差異及/或峰值感應量的大小決定臨界值。或者，可依據兩峰值感應量與相鄰的各感應量分別計算出兩個群組感應量，並據此決定臨界值的大小，使臨界值相關於兩峰值感應量間的座標位置差異及/或兩群組感應量的大小。在針對一峰值感應量計算其對應的群組感應量時，可依據峰值感應量與其相鄰各感應量間的變化情形(如斜率)將峰值感應量與適當數目個相鄰感應量群組為一，代表在一觸控物(一指)的觸控區域中所涵蓋的各感應量；而依據這些感應量計算出的群組感應量就可代表此觸控物在觸控面板上所引發的總感應量。
臨界值可相關於觸控面板的特性。例如，臨界值的大小可以和觸控面板的堆疊結構相關，亦可和感測電極的形狀與位置分佈相關。電容性觸控面板可以由覆鏡層(cover lens)、感測電極層、基底層與共同電極層等堆疊而成；其中，覆鏡層與基底層是不導電的，感測電極層與共同電極層則由導電材質形成，感測電極即分佈/形成於感測電極層中。各層的厚度、介電常數與各層間的間隔距離皆影響臨界值的大小。
較佳地，可以利用電磁模擬來提供紮實可信的臨界值。可依據堆疊架構與一個具有預設尺寸的預定觸控物(如以一導電圓柱模擬一手指)來計算(模擬)預定觸控物在堆疊架構上導致的感應量，以得到對應的預期感應量與預期感應量分佈；預期感應量分佈即預期感應量隨座標位置改變的情形。依據預定觸控物與其對應的預期感應量分佈，可推論兩個預定觸控物在各種距離下加成的感應量分佈。若兩觸控物的距離太過接近，感應量分佈中只會出現一個峰值；當兩觸控物間的距離變大，感應量分佈中才會解析出兩個峰值。因此，根據預定觸控物的預期感應量分佈，便可得到一觸控解析距離。
針對兩預定觸控物相距該觸控解析距離的情形，可依據感測電極的形狀、位置分佈以及預定觸控物的預期感應量分佈求算出各感測電極上感測到的感應量；在此種情形下，由於感應量分佈會解析出兩個峰值，故可得知兩峰值感應量間的谷值感應量，並據此決定對應的預期谷值感應量。也就是說，針對一個具有一定尺寸的預定觸控物，本發明可得到一對應的預期谷值感應量。依據相同的原理，本發明便可針對複數種尺寸不同的預定觸控物(例如半徑不同的導電圓柱)分別模擬對應的預期感應量、預期感應 量分佈，並求出對應的觸控解析距離與預期谷值感應量。
較佳地，可將觸控面板實際感測得到的兩峰值感應量(及/或群組感應量)與各預定觸控物的預期感應量(及/或感應量分佈)進行比對；由於預定觸控物的尺寸已知，若感測的峰值感應量/群組感應量符合某一預定觸控物的預期感應量/感應量分佈(如相互間的誤差小於一容許值)，代表實際觸控物的尺寸接近該相符預定觸控物的尺寸。依據相符預定觸控物所對應的預期谷值感應量，便可決定臨界值。
較佳地，可依據不同預定觸控物的尺寸與對應的預期谷值感應量進行曲線擬合(curve fitting)以提供一曲線；在估算出實際觸控物的尺寸後，便可依據此曲線計算出對應的預期谷值感應量，並據此來決定臨界值的大小。
曲線可簡化為一或多個區間，各區間對應一預期谷值感應量(或一臨界值)，也就是用查表方式來決定臨界值。例如，本發明可提供一或多個感應量區間，各感應量區間提供一對應的預期谷值感應量(或一對應的臨界值)；在由實際感測的感應值中取得峰值感應量/群組感應量後，可針對峰值感應量及/或群組感應量與各感應量區間進行比對，以比對出與峰值感應量/群組感應量相符的感應量區間，並依據相符感應量區間的對應預期谷值感應量(或對應臨界值)求得臨界值的大小。
本發明亦提供一多指觸控裝置，耦接一觸控面板，包括一峰值辨識模組、一臨界值模組、一比較模組與一回報模組，以配合一觸控面板實施觸控技術。觸控面板進行感 測並提供複數個感應量，峰值辨識模組則於感應量中辨識出兩峰值感應量。臨界值模組提供臨界值，比較模組則將兩峰值感應量間的各感應量與臨界值進行比較以產生一比較結果。回報模組依據比較模組的比較結果決定是否回報多指觸控事件。
為了對本發明有更佳的瞭解，下文以實施例並配合所附圖式，作詳細說明如下：
請參考第1圖，其所示意的是以一觸控面板10進行觸控的情形。觸控面板10可進行觸控感測，並為xy平面的各座標位置x(1)、x(2)、...、x(n)至x(N)分別提供感應量v(1)、v(2)、...、v(n)至v(N)。舉例而言，觸控面板10可以是電容性觸控面板，在與xy平面垂直的方向上由複數層的堆疊架構形成，此堆疊架構可以包括覆鏡層(cover lens)12a、感測電極層12b、基底層12c與共同電極層12d等等。由不導電介電材料形成的覆鏡層12a覆蓋於導電的感測電極層12b之上，不導電的一或多個基底層12c則堆疊於感測電極層12b之下，覆於共同電極層12d之上；共同電極層12d可以是一個沿xy平面延伸的導電平面。
在感測電極層12b形成有複數個感測電極，如感測電極14a、14b與14c等等。當觸控物(如使用者的手指)接近各感測電極時，會改變感測電極的等效電容；等效電容的改變量可被量測出來，各座標位置x(n)的對應電容感 應量v(n)即是依據各感測電極的等效電容改變量所得到的。舉例而言，在被觸控的座標位置附近，對應的感應量會變得比較大。
理想地，若在感應量v(1)至v(N)中比對出峰值感應量為v(n_max)後，峰值感應量v(n_max)對應的座標位置x(n_max)就對應使用者觸控的位置。若使用者以多指(多個觸控物)進行觸控，感應量v(1)至v(N)中會對應地出現多個峰值。然而，若感應量v(1)至v(N)中出現多個峰值，並不一定代表使用者進行了多指觸控。請參考第2圖，其所示意的就是單指觸控卻使感應量中出現多個峰值的一個例子。舉例而言，若觸控面板10上有濕氣或水珠累積，當使用者的手指由座標位置x(n_max1)移動至座標位置x(n_max2)而劃過水珠，水珠便會在觸控面板10上延伸。由於延伸的水珠同樣會引發感測電極的等效電容改變，故在觸控面板10所提供的各感應量v(1)至v(N)中便會出現兩個峰值感應量v(n_max1)與v(n_max2)，其值分別為dCmax1與dCmax2。若只憑藉峰值感應量的辨識來判斷多指觸控事件，第2圖中的單指觸控事件就會被誤報為多指觸控事件。
請參考第3圖與第4圖，當要在感應量v(1)至v(N)中辨識多指觸控時，於此實施例中，會在各感應量中辨識出兩峰值感應量v(n_max1)與v(n_max2)，再依據一臨界值L比較兩峰值感應量間的各感應量(如感應量v(n_max1+1)至v(n_max2-1))是否低於臨界值L，以依據比較的結果決定是否回報多指觸控事件。舉例而言，若兩 峰值感應量v(n_max1)與v(n_max2)間的各感應量均未低於臨界值L，則判定並非多指觸控，不回報多指觸控事件。反之，若兩峰值感應量v(n_max1)與v(n_max2)間的各感應量有一或多個低於臨界值L，則判定為多指觸控，並回報多指觸控事件。
舉例而言，在第3圖的例子A1中，峰值感應量v(n_max1)與v(n_max2)間的各感應量均高於臨界值L，可判定其並非多指觸控事件。相對地，在例子A2中，峰值感應量v(n_max1)與v(n_max2)間的各感應量有一個係低於臨界值L，可判定其係多指觸控事件。
同理，在第4圖的例子B1中，峰值感應量v(n_max1)與v(n_max2)間的各感應量均高於臨界值L，故可判定其並非多指觸控事件。相對地，在例子A2中，峰值感應量v(n_max1)與v(n_max2)間的各感應量中有多個已低於臨界值L，故可判定其係多指觸控事件。
第5圖係依據本發明一實施例的多指觸控辨識流程20，包括：
步驟22：在第1圖之觸控面板10提供的各感應量v(1)至v(N)中辨識出如第3或4圖之兩峰值感應量v(n_max1)與v(n_max2)。在辨識峰值感應量時，可依據斜率(即感應量隨座標位置改變的情形)及/或各感應量是否大於一峰值判斷位準等各種條件來判定峰值感應量的所在。
步驟24：提供臨界值L。稍後將進一步說明本發明提供臨界值L的原理。
步驟26：比較峰值感應量v(n_max1)與v(n_max2)間 的各感應量是否低於該臨界值，並依據比較結果判定是否為多指觸控，是否要回報多指觸控事件。
隨著各感應量的週期性更新，流程20可以週期重複進行，持續辨識在座標位置x(1)至x(N)間是否發生多指觸控。
於一具體實施例中，臨界值L可以相關於峰值感應量的大小以及對應座標位置的差異。也就是說，若峰值感應量v(n_max1)與v(n_max2)的值分別為dCmax1與dCmax2，且分別發生於座標位置x(n_max1)與x(n_max2)，則臨界值L為峰值dCmax1、dCmax2與座標位置差異D的函數，其中D=|x(n_max1)-x(n_max2)|。
於另一具體實施例中，亦可先為各峰值感應量計算一對應的群組感應量，再參考群組感應量(與其他因素，如差異D)以決定臨界值L的大小。舉例而言，若已辨識出一峰值感應量v(n_max)，則可依據其鄰近的各感應量v(n_max-n1)至v(n_max+n2)來計算一群組感應量。n1與n2可由峰值感應量v(n_max)附近的斜率變化情形來決定。由於一觸控物可能涵蓋到多個不同的座標位置而對應地反應至不同的感應量中，故可用群組感應量來代表觸控物所涵蓋到的總感應量。而在決定臨界值L時，便可參考各峰值感應量所對應的群組感應量。
第6圖顯示根據本發明的一實施例依據觸控面板10的特性與觸控的特徵來決定臨界值L的流程30，步驟如下：
步驟32：模擬單一觸控物在觸控面板的堆疊結構中所造成的感應量。依據觸控面板10的堆疊架構特性(例 如各層的厚度與介電常數)，可運用二維及/或三維的電磁模擬(例如有限元素法)來為一個具有預定尺寸的預定觸控物(例如以一直徑R的導電圓柱模擬一手指)計算其在感測電極層12b所引發的感應量分佈。經由計算，可得知：在感測電極層12b，感應量會在預定觸控物的正下方達到最大值，並向外開始衰減。舉例而言，可為感應量分佈訂出一範圍16a與16b，感應量會沿著範圍16a至範圍16b的方向由內朝外衰減；在範圍16a外感應量會低於最大值的30%，在範圍16b之外感應量則衰減至近於零的微小值。
步驟34：依據預定觸控物與其對應的感應量分佈(如範圍16b)，可推論兩個相同的預定觸控物在各種距離下加成的感應量分佈。若兩觸控物的距離太過接近，感應量分佈只會出現一個峰值；當兩觸控物間的距離加大而拉開彼此，感應量分佈中才會解析出兩個峰值。因此，根據預定觸控物的預期感應量分佈，可得到一觸控解析距離d，代表使感應量分佈出現雙峰值的最小距離。
步驟36：針對兩預定觸控物相距觸控解析距離d的情形，進一步依據各感測電極(以14a至14c代表)的形狀、位置分佈以及預定觸控物的預期感應量分佈求算出各感測電極上感測到的感應量，並求算出各座標位置x(1)至x(N)所對應的感應量v(1)至v(N)。在此種情形下，由於感應量v(1)至v(N)的感應量分佈會解析出兩個峰值與兩峰值感應量間的谷值感應量v(n_valley)，並據此決定對應的預期谷值感應量dCmin。也就是說，針對一個具有一預定尺寸(直徑R)的預定觸控物，可經由步驟32至36 得到一對應的預期谷值感應量dCmin。由步驟32至36可知，此預期谷值感應量dCmin代表兩個觸控物(兩指)在合理距離(即觸控解析距離)下應該呈現的合理谷值。在感應量v(1)至v(N)中，若兩峰值感應量之間的各感應量未低於此預期谷值感應量，即可準確地判斷其並非真正的多指觸控事件。由步驟32至36亦可瞭解，此預期谷值感應量會相關於觸控面板10的各種特性，包括堆疊結構中各層的厚度與介電常數，以及感測電極的幾何形狀與分佈情形。
步驟38：為因應各種尺寸的觸控物，可針對複數種尺寸不同的預定觸控物(例如直徑不同的導電圓柱)重複步驟32至36，分別模擬對應的預期感應量、預期感應量分佈，並求出對應的觸控解析距離與預期谷值感應量。舉例而言，直徑R(1)的圓柱觸控物對應的觸控解析距離為d(1)，預期谷值感應量為dCmin(1)；直徑R(k)的圓柱觸控物對應觸控解析距離d(k)與預期谷值感應量dCmin(k)，以此類推。將步驟32至36重複K次，可針對直徑R(1)至R(K)的各種觸控物分別得到K組數據。
步驟40：整合步驟38得到的各種數據。舉例而言，可針對預定觸控物的尺寸(直徑R(k))與預期谷值感應量dCmin(k)進行曲線擬合；得到擬合的曲線後，就可據以決定臨界值L。
請參考第7圖，其所示意的是對K組數據(R(k),dCmin(k))進行曲線擬合的情形。曲線FC1是依據二次多項式(quadratic polynomial)擬合所得的曲線， 曲線FC2是依據三次多項式(cubic polynomial)擬合所得的曲線，曲線FC0則是將K組數據擬合為一常數。
參照步驟40得到的曲線(如曲線FC0至FC2的其中之一)，就能在流程20(第5圖)的步驟24中依據峰值感應量v(n_max1)與v(n_max2)及/或對應的群組感應量來決定臨界值L。由峰值感應量/群組感應量可推知實際觸控物尺寸，代入第7圖的曲線，便可求出該尺寸對應的預期谷值感應量，以作為臨界值L。於此實施例中，由於預定觸控物的尺寸已知，若感測的峰值感應量/群組感應量或形狀符合或接近某尺寸預定觸控物的預期感應量/感應量分佈(如相互間的誤差小於一容許值)，代表實際觸控物的尺寸接近該預定觸控物的尺寸。依據相符預定觸控物所對應的預期谷值感應量，便可決定臨界值。
於一實施例中，也可將第7圖的數據組/曲線簡化為一或多個感應量區間，分別對應至預期谷值感應量(或臨界值L)，以利用查表方式來決定臨界值。舉例而言，第7圖中的應對關係LUT將感應量區間vr(1)至vr(3)分別對應至臨界值L(1)至L(3)。在由實際感測的感應值中取得峰值感應量/群組感應量後，可針對峰值感應量及/或群組感應量與各感應量區間vr(1)至vr(3)進行比對，以比對出與峰值感應量/群組感應量相符的感應量區間，進而查出該相符感應量區間對應的預期谷值感應量或臨界值。舉例而言，若峰值感應量及/或群組感應量落在感應量區間vr(2)，則可用感應量區間vr(2)對應的臨界值L(2)來作為步驟24的臨界值L。於另一實施例中，應對關係LUT可 以只有一個感應量區間，也就是將臨界值L設為一常數，類似曲線FC0。
第8圖顯示依據本發明一實施例的觸控裝置50，觸控裝置50可以是一觸控控制器。觸控裝置50中設有一峰值辨識模組52、一臨界值模組54、一比較模組56以及一回報模組58。峰值辨識模組52由觸控面板10接收感應量v(1)至v(N)，並於感應量中辨識出兩峰值感應量v(n_max1)與v(n_max2)。臨界值模組54可運用第7圖的原理提供臨界值L。比較模組56比較兩峰值感應量v(n_max1)與v(n_max2)間的各感應量是否低於臨界值L，使回報模組58可依據比較模組56的比較結果決定是否回報多指觸控事件。觸控裝置50可以實現於一微控制器(微處理器)中，以韌體、軟體或硬體方式實現各模組的功能。
總結來說，在進行多指觸控辨識時，本發明可依據觸控面板的特性與觸控的特徵(如峰值感應量/群組感應量/由觸控感應量得出的觸控物尺寸等等)而提供可信賴的臨界值L，並依據峰值感應量間的各感應量是否低於此臨界值L來辨識多指觸控事件。因此，本發明可降低多指觸控事件的誤認/誤報，提昇觸控的正確性並提昇觸控技術的防水性。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧觸控面板
12a‧‧‧覆鏡層
12b‧‧‧感測電極層
12c‧‧‧基底層
12d‧‧‧共同電極層
14a-14b‧‧‧感測電極
16a-16b‧‧‧範圍
20、30‧‧‧流程
22-26、32-40‧‧‧步驟
50‧‧‧觸控裝置
52‧‧‧峰值辨識模組
54‧‧‧臨界值模組
56‧‧‧比較模組
58‧‧‧回報模組
x(.)‧‧‧座標位置
v(.)‧‧‧感應量
dCmax1、dCmax2‧‧‧峰值感應量
L‧‧‧臨界值
A1、A2、B1、B2‧‧‧例子
D‧‧‧座標位置差異
R、R(.)‧‧‧直徑
d、d(.)‧‧‧觸控解析距離
dCmin、dCmin(.)‧‧‧預期谷值感應量
FC0-FC2‧‧‧曲線
vr(.)‧‧‧感應量區間
第1圖示意觸控面板及其提供的感應量。
第2圖示意一種易被誤認為多指觸控的單指觸控事件。
第3圖與第4圖係依據本發明一實施例而進行多指觸控辨識的示意圖。
第5圖係依據本發明一實施例的觸控流程。
第6圖係依據本發明一實施例的臨界值設定流程。
第7圖係依據本發明一實施例提供臨界值的示意圖。
第8圖係依據本發明一實施例的觸控裝置。
20‧‧‧流程
22-26‧‧‧步驟
v(.)‧‧‧感應量

Claims (18)

  1. 一種多指觸控方法，包含：感測相關於一觸控面板之複數個感應量；提供一臨界值；於該複數個感應量中辨識出兩峰值感應量；將該兩峰值感應量間的各感應量與該臨界值進行比較以產生一比較結果；以及依據該比較結果決定是否回報一多指觸控事件；其中，若該兩峰值感應量間的各感應量均未低於該臨界值，則不回報該多指觸控事件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的多指觸控方法，其中，若該兩峰值感應量間的各感應量有一個低於該臨界值，則回報該多指觸控事件。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的多指觸控方法，其中該些感應量係分別對應複數個座標位置。
  4. 如申請專利範圍第4項所述的多指觸控方法，更包含：依據該兩峰值感應量對應的座標位置的差異提供該臨界值。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的多指觸控方法，更包含： 依據該兩峰值感應量的大小提供該臨界值。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的多指觸控方法，更包含：依據該兩峰值感應量與相鄰的複數個感應量分別提供兩群組感應量；以及依據該兩群組感應量的大小提供該臨界值。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的多指觸控方法，其中該觸控面板包含複數個感測電極，而該方法更包含：依據該些感測電極的形狀與位置分佈提供該臨界值。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的多指觸控方法，其中該觸控面板具有一堆疊架構，而該方法更包含：依據該堆疊架構與一預定觸控物於該堆疊架構的感應量提供該臨界值。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的多指觸控方法，其中該觸控面板包含複數個感測電極，而該方法更包含：依據該預定觸控物於該堆疊架構的感應量提供一預期感應量分佈；依據該預期感應量分佈提供一觸控解析距離；以及依據該觸控解析距離、該預期感應量分佈以及該些感測電極的形狀與位置分佈提供該臨界值。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的多指觸控方法，其中該觸控面板具有一堆疊架構，並包含複數個感測電極，而該方法更包含：依據複數個預定觸控物各自於該堆疊架構的感應量分別提供複數個預期感應量分佈；依據各預期感應量分佈提供一對應的觸控解析距離；依據各預期感應量分佈、該對應的觸控解析距離以及該些感測感測電極的形狀與位置分佈提供一對應的預期谷值感應量；以及依據該些預期感應量分佈以及該些對應的預期谷值感應量提供該臨界值。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的多指觸控方法，其中，該些預定觸控物具有不同的尺寸。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的多指觸控方法，更包含：將該兩峰值感應量與該些預定觸控物各自於該觸控面板上導致的感應量進行比對；以及依據該比對結果以及各預定觸控物對應的該預期谷值感應量提供該臨界值。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的多指觸控方法， 更包含：依據各預定觸控物的尺寸與各預定觸控物對應的該預期谷值感應量進行曲線擬合(curve fitting)以提供一曲線；以及依據該曲線提供該臨界值。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的多指觸控方法，更包含：提供預設數目個感應量區間；為各感應量區間提供一對應的預期谷值感應量；依據該兩峰值感應量與相鄰的各感應量分別提供兩群組感應量；針對該兩群組感應量與該預設數目個感應量區間進行比對，以從該預設數目個感應量區間中比對出一相符感應量區間；以及依據該相符感應量區間所對應的該預期谷值感應量提供該臨界值。
  15. 一種多指觸控裝置，耦接於一觸控面板，包含：一峰值辨識模組，接收該觸控面板感測的複數個感應量，並於該些感應量中辨識出兩峰值感應量；一比較模組，將該兩峰值感應量間的各感應量與一臨界值進行比較以產生一比較結果；以及一回報模組，依據該比較結果決定是否回報一多指觸控事件；其中，若該比較模組比較出該兩峰值感應量間 的各感應量均未低於該臨界值，則該回報模組不回報該多指觸控事件。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的多指觸控裝置，其中，若該比較模組比較出該兩峰值感應量間的各感應量有一個低於該臨界值，則該回報模組回報該多指觸控事件。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的多指觸控裝置，更包含一臨界值模組以提供該臨界值。
  18. 如申請專利範圍第15項所述的多指觸控裝置，其中，該峰值辨識模組更可依據該兩峰值感應量與相鄰的複數個感應量分別提供兩群組感應量；該臨界值模組係可提供預設數目個感應量區間，並為各感應量區間提供一對應的預期谷值感應量；該臨界值模組更可對該兩群組感應量與該預設數目個感應量區間進行比對，以從該預設數目個感應量區間中比對出一相符感應量區間，並依據該相符感應量區間所對應的該預期谷值感應量提供該臨界值。
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