TWI492326B - Substrate processing device - Google Patents

Description

基板處理裝置

本發明係關於基板處理裝置。

作為構成顯示器裝置等顯示裝置之顯示元件，例如有液晶顯示元件、有機電機發光(有機EL)元件、用於電子紙之電泳元件等。目前，此等顯示元件係以在基板表面形成被稱為薄膜電晶體之開關元件(Thin Film Transistor：TFT)後，於其上形成各自之顯示元件的主動元件(Active device)漸為主流。

近年來，提出了一種在片狀基板(例如薄膜構件等)上形成顯示元件之技術。作為此種技術，例如有一種被稱為捲對捲(roll to roll)方式(以下，簡記為「捲繞方式」)者廣為人知(例如，參照專利文獻1)。捲繞方式，係將捲繞在基板供應側之供應用捲筒之一片片狀基板(例如，帶狀之薄膜構件)送出、並一邊將送出之基板以基板回收側之回收用捲筒加以捲繞來搬送基板。

在基板送出至被捲繞為止之期間，例如一邊使用複數個搬送滾筒等搬送基板、一邊使用複數個處理裝置來形成構成TFT之閘極、閘氧化膜、半導體膜、源-汲極等，在基板之被處理面上依序形成顯示元件之構成要件。例如，在形成有機EL元件之情形時，係於基板上依序形成發發光層、陽極、陰極、電機電路等。近年來，由於大型顯示元 件之要求日益增加，因此產生了使用更大尺寸之基板之需要。

先行技術文獻

[專利文獻1]國際公開第2006/100868號

然而，在與基板搬送方向正交方向(基板之方向)之基板尺寸變大時，即有例如在搬送中於該寬度方向基板產生彎曲之虞。此種基板之彎曲，即係導致例如於基板被處理面形成之顯示元件之各構成要件位置對準精度降低等的原因。

本發明之態樣，其目的在提供一種不受基板尺寸限制而能高精度的進行對該基板被處理面之處理的基板處理裝置。

本發明態樣之基板處理裝置，具備：用以將帶狀之片材基板搬送於第一方向的搬送部；對該片材基板中、與該第一方向交叉之第二方向之複數個區間分別進行處理的複數個處理部；以及對應複數個該處理部之各個設置、用以支承該片材基板的載台裝置。

根據本發明之態樣，能不受基板尺寸之限制、於該基板上高精度的進行處理。

以下，參照圖式說明本發明之實施形態。

圖1係顯示實施形態之基板處理裝置FPA之構成的圖。

如圖1所示，基板處理裝置FPA具有供應片材基板(例如帶狀之薄膜構件)FB之基板供應部SU、對片材基板FB之表面(被處理面)進行處理之基板處理部PR、回收片材基板FB之基板回收部CL、以及控制此等各部之控制部CONT。基板處理裝置FPA例如係設置在工場等。

基板處理裝置FPA，係在從基板供應部SU送出片材基板FB後、至以基板回收部CL回收片材基板FB為止之期間，對片材基板FB之表面施以各種處理之捲對捲(roll to roll)方式(以下，簡記為「捲繞方式」)之裝置。基板處理裝置FPA可在片材基板FB上形成例如有機EL元件、液晶顯示元件等顯示元件(電子元件)之場合使用。當然，處理裝置FPA亦能在形成此等元件以外之元件之場合使用。

在基板處理裝置FPA作為處理對象之片材基板FB，可使用例如樹脂薄膜及不鏽鋼等之箔(膜)。樹脂薄膜可使用例如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯乙烯共聚物(Ethylene vinyl copolymer)樹脂、聚氯乙烯樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯乙酯樹脂等材料。

片材基板FB之Y方向(短邊方向)尺寸係形成為例如1m~2m程度、X方向(長邊方向)尺寸則形成為例如10m以上。當然，此尺寸僅為一例，並不限於此例。例如片材基板FB 之Y方向尺寸為1m以下或50cm以下、亦可為2m以上。本實施形態，即使是Y方向尺寸超過2m之片材基板FB，亦非常適合使用。又，片材基板FB之X方向尺寸亦可在10m以下。

片材基板FB係形成為例如具有可撓性。此處，所謂可撓性，係指例如對基板施以至少自重程度之既定力亦不會斷裂或破裂、而能將該基板加以彎折之性質。此外，例如因上述既定力而彎折之性質亦包含於所指之可撓性。又，上述可撓性會隨著該基板材質、大小、厚度、以及温度等之環境等而改變。再者，片材基板FB可使用一片帶狀之基板、亦可使用將複數個單位之基板加以連接而形成為帶狀之構成。

片材基板FB，以承受較高温(例如200℃程度)之熱其尺寸亦實質上無變化(熱變形小)之熱膨漲係數較小者較佳。例如可將無機填料混於樹脂薄膜以降低熱膨漲係數。作為無機填料，例如有氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化矽等。

基板供應部SU係將例如捲成輥狀之片材基板FB送出供應至基板處理部PR。於基板供應部SU，設有用以例如捲繞片材基板FB之軸部及使該軸部旋轉之旋轉驅動源等。當然，亦可以取代及/或追加方式，於基板供應部SU設置例如用以覆蓋捲成輥狀狀態之片材基板FB的覆蓋部等。

基板回收部CL係將來自基板處理部PR之片材基板FB例如捲繞成輥狀加以回收。於基板回收部CL，與基板供應部SU同樣的，設有用以捲繞片材基板FB之軸部及使該軸 部旋轉之旋轉驅動源、以及覆蓋回收之片材基板FB的覆蓋部等。亦可取代及/或追加方式，在基板處理部PR將片材基板FB例如切成平板(panel)狀之場合等時，基板回收部CL亦可構成為例如將片材基板FB回收成重疊狀態等與捲繞成輥狀之狀態不同之狀態回收片材基板FB之構成。

基板處理部PR，將從基板供應部SU供應之片材基板FB搬送至基板回收部CL、並在搬送過程對片材基板FB之被處理面Fp進行處理。基板處理部PR具有例如處理裝置10、搬送裝置30及對準裝置50等。

處理裝置10具有用以對片材基板FB之被處理面Fp形成例如有機EL元件之各種裝置。作為此種裝置，例如有用以在被處理面Fp上形成間隔壁之間隔壁形成裝置、用以形成用來驅動有機EL元件之電極的電極形成裝置、以及用以形成發光層之發光層形成裝置等。具體而言，有液滴塗布裝置(例如噴墨型塗布裝置、旋轉塗布型塗布裝置等)、蒸鍍裝置、濺鍍裝置等之成膜裝置、及曝光裝置、顯影裝置、表面改質裝置、洗淨裝置等。此等之各裝置，係適當的設在例如片材基板FB之搬送路徑上。例如可將二個以上之處理裝置沿搬送方向配置。

搬送裝置30，具有在基板處理部PR內例如將片材基板FB朝基板回收部CL搬送之滾筒裝置R。滾筒裝置R沿著片材基板FB之搬送路徑例如設有複數個。於複數個滾筒裝置R中之至少一部分之滾筒裝置R安裝有驅動機構(未圖示)。藉由此種滾筒裝置R之旋轉，片材基板FB即被往X 軸方向搬送。亦可構成為將複數個滾筒裝置R中之例如一部分滾筒裝置R設置成能在與搬送方向正交之方向移動。此外，本實施形態，於片材基板FB之搬送方向，在處理裝置10之下流側設有一對滾筒裝置R。此一對滾筒裝置R係與片材基板FB之表面及背面接觸、並夾持片材基板FB之至少一部分。

對準裝置50係檢測設在片材基板FB兩端部之對準標記(基板標記)，並根據該檢測結果進行片材基板FB相對處理裝置10之對準動作。對準裝置50具有檢測設於片材基板FB之對準標記的對準攝影機51、與根據該對準攝影機51之檢測結果將片材基板FB微調整於例如X方向、Y方向、Z方向、θ X方向、θ Y方向、θ Z方向中至少一方向之調整機構52。

本實施形態，以作為對片材基板FB之被處理面進行處理之處理裝置10，例如使用曝光裝置10A及曝光裝置10B之情形為例來進行說明。本實施形態中，於片材基板FB之表面(被處理面)側之空間配置處理裝置10(曝光裝置10A及10B)，於片材基板FB之背面側空間設有載台裝置FST。本實施形態中，載台裝置FST係支承片材基板FB之背面，以導引被曝光裝置10A及10B處理之片材基板FB之被處理面。

圖2係顯示載台裝置FST之構成的立體圖。

如圖2所示，載台裝置FST具有本體部70、凹面滾筒71及72、吸附滾筒73及74、支承台75。本體部70具有 固定在搬送裝置30之基部(未圖示)之矩形下層部70a、隔著間隔配置在下層部70a上面之一對柱狀部70b、以及固定在柱狀部70b上之上層部70c。而下層部70a上面與上層部70c與一對柱狀部70b之間形成有空間70d。凹面滾筒71及72、吸附滾筒73及74以及支承台75之各個係設在本體部70之上層部70c上。又，凹面滾筒71及72、吸附滾筒73及74、支承台75係於片材基板FB之搬送方向，以凹面滾筒71、吸附滾筒73、支承台75、吸附滾筒74、凹面滾筒72之順序配置。亦即，支承台75係配置在吸附滾筒73與吸附滾筒74之間。

凹面滾筒71及72配置在上層部70c上之例如X方向兩端部。凹面滾筒71及72被設置成例如能以Y軸為中心軸旋轉於θ Y方向。凹面滾筒71及72係形成為例如其直徑隨著從Y方向之兩端部往中央部漸小。藉由此種於旋轉軸方向形成直徑分布，片材基板FB之皺摺不易形成。

支承台75配置在上層部70c上之例如X方向中央部。支承台75形成為例如從-Z方向觀察呈矩形。此支承台75於片材基板FB之寬度方向(Y方向)被分割為例如三個支承面75a~75c。各支承面75a~75c，係例如形成為平坦、與例如XY平面平行。於此等三個支承面75a~75c支承片材基板FB。

支承面75a與支承面75b之間、支承面75b與支承面75c之間，分別為露出上層部70c之+Z側之面的狀態。於上層部70c之該露出部分75d之各個，設有載台基準標記(基 準標記)SFM。此二個載台基準標記SFM係配置成例如X方向之位置一致。

又，圖2中雖僅顯示了二個載台基準標記SFM，但亦可於各支承面75a、75b、75c，亦即以在Y方向夾著各支承面之方式設置一對載台基準標記SFM。此場合，亦可將設在支承面75a與支承面75b之間之載台基準標記SFM作為支承面75a及支承面75b之共用標記、將設在支承面75b與支承面75c之間之載台基準標記SFM作為支承面75b及支承面75c之共用標記。

在以上層部70c與下層部70a與柱狀部70b形成之空間70d，設有檢測該載台基準標記SFM之檢測攝影機DC。檢測攝影機DC係設在於Z方向觀察，例如分別與載台基準標記SFM重疊之位置。上層部70c中、至少設置載台基準標記SFM之部分之-Z側，設有檢測攝影機DC之檢測光可通過之開口。各檢測攝影機DC之檢測結果被送至例如控制部CONT加以處理。

吸附滾筒73係配置在上層部70c上、支承台75與凹面滾筒71之間。吸附滾筒73及74與凹面滾筒71及72同樣的，係設置成例如能以Y軸為中心軸旋轉。

吸附滾筒73及74，分別具有分割構造，於旋轉軸方向(Y方向)被分割為複數個。本實施形態中，吸附滾筒73具有被分割為三個的滾筒部分73a~73c。同樣的，吸附滾筒74具有被分割為三個的滾筒部分74a~74c。吸附滾筒73之滾筒部分73a~73c、以及吸附滾筒74之滾筒部分74a~ 74c係分別以可裝拆之方式彼此連結，以各滾筒部分可更換之方式設置。

亦即，可將此等滾筒部分一個一個從上層部70c上拆下而換裝為另外的滾筒部分。因此，可更換為例如Y方向尺寸不同之滾筒部分、或更換為例如形狀不同之滾筒部分、直徑不同之滾筒部分等。此外，亦可更換吸附滾筒73或吸附滾筒74中之所有滾筒部分、亦可僅更換部分(此處為一個或二個)之滾筒部分。

本實施形態中，如圖3所示，於吸附滾筒73中、例如配置在Y方向中央部之滾筒部分73c表面，於圓周方向形成有溝部76及77。溝部76係分別形成在滾筒部分73c之Y方向兩端部。溝部77係在滾筒部分73c中之二個溝部76之間形成有複數條。

溝部76及溝部77分別形成於滾筒部分73c之一周。溝部76與溝部77之溝寬係以不同尺寸形成。例如，溝部76之Y方向尺寸係形成為數mm以上、而溝部77之Y方向尺寸則形成為數μm程度。當片材基板FB之背面接觸於滾筒部分73c之情形時，片材基板FB之一部分即進入例如溝部76而形成彎曲部分Fa。藉由在片材基板FB之Y方向兩端形成彎曲部分Fa，於該彎曲部分Fa之間之部分，片材基板FB即被拉向溝部76側。因此，彎曲部分Fa之間之部分、亦即位於溝部76間之片材基板FB之張力即增加而提升了片材基板FB之平坦性，使片材基板FB與滾筒部分73c間之吸附性提升。此外，溝部77在滾筒部分73c以Y軸為中 心旋轉時，成為片材基板FB與滾筒部分73c間之空氣的釋放道。因此，片材基板FB與滾筒部分73c緊貼，不易分離。

圖4係從搬送裝置30之側方(+Y方向)觀察時之處理裝置10(曝光裝置10A及曝光裝置10B)及載台裝置FST之構成的圖。圖5係從上方(+Z方向)觀察時之處理裝置10及載台裝置FST之構成的圖。

如圖4所示，曝光裝置10A及曝光裝置10B，分別具備可保持具有既定圖案之光罩M一邊移動的光罩載台MST、以曝光用光EL照明光罩M之照明光學系IL、以及將被曝光用光EL照明之光罩M之既定照明區域內之圖案之像投影至片材基板FB之被處理面的投影光學系PL。此投影光學系PL係透過兩側(或片材基板FB之單側)遠心之投影光學系PL，以既定投影倍率(例如等倍、1/4倍、1/5倍等)投影於片材基板FB之被處理面內之曝光區域。光罩載台MST、照明光學系IL及投影光學系PL之動作係以例如控制部CONT加以控制。

如圖4所示，曝光裝置10A及曝光裝置10B，分別具備可一邊保持具有既定圖案之光罩M，一邊移動的光罩載台MST、以曝光用光EL照明光罩M之照明光學系IL、以及將被曝光用光EL照明之光罩M之圖案之像投影至片材基板FB的投影光學系PL。光罩載台MST、照明光學系IL及投影光學系PL之動作係以例如控制部CONT加以控制。

照明光學系IL以均一照度分布之曝光用光EL照明光罩M上之既定照明區域。從照明光學系IL射出之曝光用光 EL，係使用例如從水銀燈射出之輝線(g線、h線、i線)等。光罩載台MST被設置成可藉由載台驅動部11在未圖示之光罩基座上面(與XY平面平行之面)於X方向以一定速度移動、且至少能移動於Y方向、Z方向、θ z方向。

光罩載台MST之2維位置係以未圖示之雷射干涉儀加以測量，根據此測量資訊由控制部CONT透過載台驅動部11控制光罩載台MST之位置及速度。投影光學系PL配置在照明光學系IL與支承台75之間、亦即配置在光罩載台MST之-Z側。投影光學系PL被固定在例如未圖示之固定構件。投影光學系PL係配置成將光罩M之圖案之像投影至例如載台裝置FST中之支承台75上之片材基板FB之被處理面。

曝光裝置10A及10B，可藉由一邊將使用從照明光學系IL射出之曝光用光EL藉投影光學系PL形成之光罩M之部分圖案之像投影至片材基板FB上、一邊使光罩載台MST與片材基板FB以投影倍率為速度比同步移動於X方向，而能使片材基板FB之被處理區域Fp中之曝光區域曝光。

本實施形態中，在對片材基板FB表面(被處理面)中之一個被處理區域Fp之光罩M之圖案之曝光結束後、至進行次一被處理區域之曝光前，使光罩載台MST往-X方向移動。並再次使光罩載台MST與片材基板FB同步移動於X方向以進行次一被處理區域中之曝光區域之曝光。

以此方式反覆進行相對連續搬送於X方向之片材基板 FB使光罩M同步移動於X方向，並在一個被處理區域結束後使光罩M往-X方向移動之動作，即能將光罩M之圖案像曝光至片材基板FB之複數個被處理區域。

此外，如圖5所示，曝光裝置10A具有二個投影光學系PL1及PL2。曝光裝置10A之二個投影光學系PL1及PL2，例如係於Y方向隔著間隔配置。曝光裝置10A可將圖案之像投影至片材基板FB之被處理面中、於寬度方向(Y方向)分離之二個投影區域EA1及投影區域EA2。又，本實施形態中，此二個投影區域EA1及EA2之形狀係形成為梯形。本實施形態，係以曝光裝置10A使片材基板FB之被處理面中、於寬度方向除中央部(中央區間)以外之兩端部(二個横區間)曝光。又，投影光學系PL1及PL2係配置成X方向之位置對齊。因此，投影光學系PL1及PL2係沿Y方向配置。

另一方面，曝光裝置10B具有一個投影光學系PL3。曝光裝置10B之投影光學系PL3，係於Y方向配置在曝光裝置10A之二個投影光學系PL1與投影光學系PL2之間之位置。因此，曝光裝置10B之投影區域EA3即係設在上述曝光裝置10A之投影區域EA1與投影區域EA2之間。又，本實施形態中，投影區域EA3係形成為梯形。本實施形態中，係以曝光裝置10B使片材基板FB之被處理面中、於寬度方向之中央部曝光。

又，如圖5所示，與曝光裝置10A對應之在載台裝置FST之吸附滾筒73及74之滾筒部分，係構成為對片材基板 FB之被處理面中之投影區域EA1及投影區域EA2，使片材基板FB平坦。此構成，與圖2所示之吸附滾筒73及74之滾筒部分之構成不同。

具體而言，吸附滾筒73與圖3所示之滾筒部分73c同樣的，具有形成有溝部76及77之滾筒部分73d及73e。吸附滾筒73具備之此二個滾筒部分73d及73e係在Y方向彼此連結之狀態。滾筒部分73d在將投影區域EA1於Y方向包夾之位置設有一對溝部76。又，滾筒部分73e則在將投影區域EA2於Y方向包夾之位置設有一對溝部76。

同樣的，吸附滾筒74與圖3所示之滾筒部分73c同樣的，具備形成有溝部76及77之滾筒部分74d及74e。吸附滾筒74具備之此二滾筒部分74d及74e係於Y方向彼此連結之狀態。滾筒部分74d在將投影區域EA1於Y方向包夾之位置設有一對溝部76。滾筒部分74e則在將投影區域EA2於Y方向包夾之位置設有一對溝部76。又，如圖5所示，與曝光裝置10B對應之載台裝置FST之構成由於與圖2為相同構成，因此省略其說明。

載台基準標記(載台位置檢測用基準標記、基準標記)SFM係分別與投影光學系PL1~PL3對向設置。例如，載台基準標記SFM係於片材基板FB之搬送方向設置在曝光裝置10A及10B之投影光學系PL之照明區域之上流側。又，如圖4所示，於對應曝光裝置10A之載台裝置FST，設有用以檢測片材基板FB中之投影區域EA1及EA2下流側之曝光狀態的檢測攝影機12。檢測攝影機12之檢測結果 被送至例如控制部CONT。

以上述方式構成之基板處理裝置FPA，在控制部CONT之控制下，以捲繞方式製造有機EL元件、液晶顯示元件等之顯示元件(電子元件)。以下，說明使用上述構成之基板處理裝置FPA製造顯示元件之製程。

首先，將捲繞於捲筒之帶狀片材基板FB安裝於基板供應部SU。控制部CONT使捲筒旋轉，以從此狀態從基板供應部SU送出該片材基板FB。並將通過基板處理部PR之該片材基板FB捲繞於基板回收部CL之捲筒。藉由控制此基板供應部SU及基板回收部CL，可對基板處理部PR連續的搬送片材基板FB之被處理面Fp。

控制部CONT在片材基板FB從基板供應部SU被送出至以基板回收部CL加以捲繞之期間，以基板處理部PR之搬送裝置30將片材基板FB在該基板處理部PR內適當的加以搬送、一邊藉由處理裝置10將顯示元件之構成要件依序形成在片材基板FB上。

於此製程中，以曝光裝置10A及10B進行處理之情形時，例如圖6所示，投影光學系PL1之投影區域EA1之-Y側端部(梯形形狀之照明區域中之錐形部分中之一方)、與投影光學系PL3之投影區域EA3之+Y側端部(梯形形狀之照明區域中之錐形部分中之另一方)重疊。此外，投影光學系PL2之投影區域EA2之+Y側端部(梯形形狀之照明區域中之錐形部分中之一方)、與投影光學系PL3之投影區域EA3之-Y側端部(梯形形狀之照明區域中之錐形部分中之 另一方)重疊。

藉由以上述方式構成之曝光裝置10A及10B之使用，如圖6所示，例如片材基板FB之被處理面即被分割為複數個被處理區域(複數個區間、曝光區域)F1~F5進行處理。此處，曝光區域F1係僅被投影至投影區域EA1之像所曝光之部分(區間)。曝光區域F2則係被投影至投影區域EA1之像之一部分與被投影至投影區域EA3之像之一部分所曝光之部分(區間)。曝光區域F3係僅被投影至投影區域EA3之像所曝光之部分(區間)。曝光區域F4則係被投影至投影區域EA2之像之一部分與被投影至投影區域EA3之像之一部分所曝光之部分(區間)。曝光區域F5係僅被投影至投影區域EA2之像所曝光之部分(區間)。

如上所述，由於在各載台裝置FST，以和各個投影區域對應之方式於吸附滾筒73及74形成有一對溝部76，因此例如在被溝部76所夾部分，能在片材基板FB之平面度被高精度度維持之狀態下進行曝光處理。因此，本實施形態中，無須於Y方向維持片材基板FB全體之平坦度，而係例如於片材基板FB之一部分形成高平坦度之部分，對該部分進行曝光並將曝光區域加以重疊。如此，即能對片材基板FB之Y方向全體高精度的施以曝光處理。

其次，說明在曝光裝置10A及曝光裝置10B、與對應之各個載台裝置FST、與片材基板FB之間進行對準之動作。

此動作，首先係在以曝光裝置10A進行片材基板FB之曝光之前，進行載台裝置FST與片材基板FB間之對準動 作，其次，進行載台裝置FST與曝光裝置10A間之對準動作。此外，在使用曝光裝置10A之曝光動作結束後、至以曝光裝置10B進行片材基板FB之曝光前，進行載台裝置FST與片材基板FB間之對準動作、並進行載台裝置FST與曝光裝置10B間之對準動作。以下，以曝光裝置10B之情形為例，說明對準動作。

又，本實施形態，可使對準裝置50與載台裝置FST之對準精度不同，以使用對準裝置50進行片材基板FB對曝光裝置10A之粗對準、使用載台裝置FST進行對曝光裝置10A或曝光裝置10B之精對準。

本實施形態，係以載台裝置FST、片材基板FB及曝光裝置10B間之對準動作為例進行說明。

圖7係顯示載台裝置FST、片材基板FB及曝光裝置10B間之位置關係的立體圖。如圖7所示，例如於片材基板FB預先形成基板基準標記(基板位置檢測用基準標記、第1基準標記、基板標記)FFM。此基板基準標記FFM係於片材基板FB之寬度方向與例如載台裝置FST之載台基準標記SFM之間隔對應形成。

又，設在曝光裝置10B之光罩M之一對光罩基準標記(處理位置檢測用基準標記、第2基準標記)MFM之像，透過投影光學系PL3投影至片材基板FB上。本實施形態中之一對基準標記，係在光罩M之Y方向端部、以光罩基準標記MFM之像之投影位置在例如載台裝置FST之載台基準標記SFM之近旁之方式，形成該光罩基準標記MFM。

又，亦可於曝光裝置10A所使用之二個光罩M，在Y方向之端部、以光罩基準標記MFM之像之投影位置在例如載台裝置FST之載台基準標記SFM之近旁之方式形成該光罩基準標記MFM。此場合，如前所述，在支承面75a之Y方向側及支承面75c之-Y方向側設置載台基準標記SFM即可。

圖8係顯示載台裝置FST與片材基板FB間之對準動作的圖。

如圖8所示，片材基板FB於其表面(被處理面)中、具有例如形成顯示元件之被處理區域Fpa。基板基準標記FFM係形成在片材基板FB中、例如從該被處理區域Fpa離開之區域Fpb。控制部CONT於例如曝光裝置10B之曝光處理未進行之時序(例如曝光裝置10A之曝光處理結束、至以曝光裝置10B開始曝光處理前之期間)使檢測攝影機DC作動，以檢測載台基準標記SFM與基板基準標記FFM。控制部CONT根據該檢測結果求出載台基準標記SFM與基板基準標記FFM間之偏移量及其方向(第一位置關係)。控制部CONT根據載台基準標記SFM與基板基準標記FFM之第一位置關係，使片材基板FB往X方向或Y方向移動。此場合，可使用例如調整機構52來移動吸附滾筒73、74等，以可使載台裝置FST本身移動。

又，亦可藉由在片材基板FB背面中之與載台基準標記SFM對應之部分形成例如基準標尺等，恆進行對準動作。此場合，由於能連續的檢測片材基板FB之位置，因此亦能 例如配合片材基板FB之搬送速度調整光罩M之位置及移動速度、或照明光學系IL之照度等。此外，亦能個別的調整曝光裝置10A所具備之投影光學系PL1及投影光學系PL2、曝光裝置10B所具備之投影光學系PL各個之成像特性。

例如，即使是在片材基板FB之搬送速度非固定之情形時，亦能藉由調整光罩M之位置及移動速度、或照明光學系IL之照度、投影光學系之成像特性(像位置、像面形狀)等，而在不調整片材基板FB之搬送速度之情形下，進行高精度之曝光。又，作為檢測片材基板FB之位置之構成，並不限於上述構成，亦可另行設置位置檢測感測器等。

圖9係顯示載台裝置FST與曝光裝置10B間之對準動作的圖。如圖9所示，控制部CONT使檢測攝影機DC作動，以檢測載台基準標記SFM與光罩基準標記MFM。控制部CONT根據該檢測結果，求出載台基準標記SFM與基板基準標記FFM間之偏移量及其方向(第二位置關係)。控制部CONT根據載台基準標記SFM與光罩基準標記MFM之第二位置關係，例如使光罩載台MST移動於X方向或Y方向。

又，於曝光動作中重疊曝光區域F1~F5之情形時，例如在曝光裝置10A進行曝光處理後，控制部CONT可藉由檢測攝影機12檢測片材基板FB上之中之投影區域EA1及EA2之下流側之曝光狀態，使用該檢測結果使曝光裝置10B進行曝光處理。此場合，可將使用檢測攝影機12之檢測結果反映於對準結果後來使光罩載台MST移動。

如以上所述，本實施形態，由於具備將片材基板FB搬送於X方向的搬送裝置30、對片材基板FB中被分割於與X方向交叉之Y方向之複數個被處理區域(曝光區域、複數個區間)F1~F5之各個個別進行處理的複數個曝光裝置10A及10B、以及與該曝光裝置10A及10B之各個對應設置用以支承片材基板FB的載台裝置，因此能在片材基板FB之搬送中片材基板FB不會彎向該Y方向之情形下，高精度的對該片材基板FB上進行處理。

又，根據本實施形態，由於可在以曝光裝置10A進行被處理區域之曝光處理後、以曝光裝置10B進行被處理區域之曝光之前，進行載台裝置FST與片材基板FB間之對準、以及載台裝置FST與曝光裝置10B間之對準，因此即使是在曝光裝置10A與曝光裝置10B間之片材基板FB之搬送中，片材基板FB之搬送方向產生偏移、或往Y方向彎曲，亦能在降低該等之影響的狀態下進行曝光處理。

本發明之技術範圍不限於上述實施形態，在不脫離本發明趣旨之範圍內可加以適當變化。

上述實施形態，雖係作成在載台裝置FST中、具有與XY平面平行之平坦面的支承台75支承片材基板FB之構成，但不限於此。例如圖10所示，作為對應曝光裝置10A及10B之載台，亦可使用滾筒載台RST。此滾筒載台RST可一邊搬送片材基板FB一邊加以引導。

又，上述實施形態中若係使用凹面滾筒71、72及吸附滾筒73、74等滾筒之情形時，亦可使該滾筒之部分直徑變 化。例如圖11所示，在滾筒RR係被分割為複數個滾筒部分Ra~Rc之情形時(具有複數個分割周面之情形)，可作成為就各該滾筒部分Ra~Rc變形之構成。此外，亦可以是滾筒RR整體越往中央部直徑越大之方式變形的構成。

使滾筒RR或滾筒部分Ra~Rc變形之構成，例如可於滾筒表面(引導片材基板FB之引導面)使用例如可撓性構件以作成該滾筒表面可變形之構成。除此之外，亦可藉由調整滾筒內部之例如熱、油壓、空壓等以使滾筒表面變形。如此，即能使滾筒RR或滾筒部分Ra~Rc變形為所欲之形狀。藉由此方式使滾筒RR及滾筒部分Ra~Rc變形，即能拉開例如於片材基板FB之局部形成之皺摺、或變更片材基板FB之引導速度，以調整該片材基板FB之行進方向及位置偏移。

又，亦可在將片材基板FB之背面支承於載台裝置FST之支承面75a、75b、75c之前，於片材基板FB之搬送方向使吸附滾筒73及吸附滾筒74間之間隔彼此接近，以使片材基板FB鬆弛。使片材基板FB鬆弛，即能在片材基板FB無張力之狀態下，將其支承於載台裝置FST之支承面75a、75b、75c。此外，支承面75a、75b、75c亦可以吸附片材基板FB之背面的構成。

又，上述實施形態中，雖係例如曝光裝置10A具備二個投影光學系PL1及PL2之構成，但不限於此，亦可以是於於一曝光裝置具有一個投影光學系(1個投影區域EA)之構成。例如，圖12中顯示了曝光裝置10A~10D分別各具 有一個投影光學系PL，而此等投影光學系PL於Y方向錯開配置之構成。圖12中，係配置成各投影光學系PL之投影區域EL4~EL7中、相鄰的二個於Y方向端部彼此重疊。

又，例如圖13所示，曝光裝置10A、10B之投影區域EA11、12、21、22與曝光裝置10C、10D之投影區域EA31、32、41、42係重疊。如前所述，亦可以是配置在片材基板FB之搬送方向上流側之曝光裝置之投影區域與配置在下流側之曝光裝置之投影區域重疊之構成。

又，上述實施形態中，吸附滾筒73、74之溝部76雖係例如一投影區域設置一對之構成，但不過限於此。可取代及/或以追加方式，例如圖14所示，以夾著複數個投影區域EA之方式設置一對溝部76。

又，上述說明中，雖係以複數個曝光裝置之投影區域於X方向錯開之態樣為例作了說明，但不限於此。可取代及/或以追加方式，適用例如複數個曝光裝置之投影區域於X方向對齊、亦即於Y方向排成一列之態樣。

又，上述說明中，雖係作成於對應複數個曝光裝置配置之所有載台裝置FST設置第一檢測機構及第二檢測機構之構成，但不限於此。可取代及/或以追加方式，作成僅於部分載台裝置FST設置第一檢測機構及第二檢測機構之構成。

又，上述說明中，雖係以處理裝置10為曝光裝置之例作了說明，但不限於此。處理裝置10亦可以是上述實施形態所列舉之其他裝置、例如間隔壁形成裝置、電極形成裝 置、發光層形成裝置。此外，本實施形態中，對準裝置50係檢測設在片材基板FB兩端部之對準標記。但可取代及/或以追加方式，使對準裝置50檢測基板基準標記FFM，或檢測片材基板FB中之與搬送方向平行之兩邊(基板FB之邊緣)。亦可取代及/或以追加方式，將對準標記(基板標記)於每複數個被處理區域(複數個區間)設置、或設置成與複數個區間中之一個或二個以上對應。

10‧‧‧處理裝置

10A~10D‧‧‧曝光裝置

11‧‧‧載台驅動部

30‧‧‧搬送裝置

50‧‧‧對準裝置

52‧‧‧調整機構

70‧‧‧載台裝置之本體部

70a‧‧‧矩形下層部

70b‧‧‧柱狀部

70c‧‧‧上層部

70d‧‧‧空間

71、72‧‧‧凹面滾筒

73、74‧‧‧吸附滾筒

73a~73e、74a~74e、Ra~Rc‧‧‧滾筒部分

75‧‧‧支承台

75a~75c‧‧‧支承面

75d‧‧‧露出部分

76、77‧‧‧溝部

CA‧‧‧檢測攝影機

CL‧‧‧基板回收部

CONT‧‧‧控制部

DC‧‧‧檢測攝影機

EA(EA1~EA42)‧‧‧投影區域

F1~F5‧‧‧曝光區域

Fa‧‧‧彎曲部分

FB‧‧‧片材基板

FFM‧‧‧基板基準標記

Fp‧‧‧被處理面

FPA‧‧‧基板處理裝置

FST‧‧‧載台裝置

IL‧‧‧照明光學系

M‧‧‧光罩

MFM‧‧‧光罩基準標記

MST‧‧‧光罩載台

PL(PL1~PL3)‧‧‧投影光學系

PR‧‧‧基板處理部

R‧‧‧滾筒裝置

RR‧‧‧滾筒

RST‧‧‧滾筒載台

SFM‧‧‧載台基準標記

SU‧‧‧基板供應部

圖1係顯示本實施形態之基板處理裝置之構成的圖。

圖2係顯示本實施形態之載台裝置之構成的圖。

圖3係顯示本實施形態之曝光裝置及載台裝置之構成的圖。

圖4係顯示本實施形態之曝光裝置及載台裝置之構成的圖。

圖5係顯示本實施形態之曝光裝置及載台裝置之構成的圖。

圖6係顯示曝光裝置之曝光動作的圖。

圖7係顯示曝光裝置及載台裝置之對準動作的圖。

圖8係顯示載台裝置與片材基板間之對準動作的圖。

圖9係顯示載台裝置與曝光裝置間之對準動作的圖。

圖10係顯示本實施形態之基板處理裝置之其他構成的圖。

圖11係顯示本實施形態之基板處理裝置之其他構成的 圖。

圖12係顯示本實施形態之基板處理裝置之其他構成的圖。

圖13係顯示本實施形態之基板處理裝置之其他構成的圖。

圖14係顯示本實施形態之基板處理裝置之其他構成的圖。

70‧‧‧載台裝置之本體部

70a‧‧‧矩形下層部

70b‧‧‧柱狀部

70c‧‧‧上層部

70d‧‧‧空間

71、72‧‧‧凹面滾筒

73、74‧‧‧吸附滾筒

73a~73c、74a~74c‧‧‧滾筒部分

75‧‧‧支承台

75a~75c‧‧‧支承面

75d‧‧‧露出部分

76‧‧‧溝部

DC‧‧‧檢測攝影機

FST‧‧‧載台裝置

SFM‧‧‧載台基準標記

Claims (18)

1. 一種基板處理裝置，具備：搬送部，用以將帶狀之片材基板搬送於第一方向；複數個處理部，係對該片材基板中、與該第一方向交叉之第二方向之複數個區間分別進行處理；以及載台裝置，係對應複數個該處理部之各個而設置，用以支承該片材基板。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，複數個該處理部中之至少一個係於該第一方向與其他處理部錯開配置。
3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，複數個該處理部中之至少二個係沿該第二方向配置。
4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，複數個該處理部中、對該第二方向兩端之該區間進行處理之二個該處理部係沿該第二方向配置。
5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其進一步具備：第一檢測機構，用以檢測在該第一方向及該第二方向中至少一方之該載台裝置與該片材基板之間之第一位置關係；以及第一位置調整機構，係根據該第一檢測機構之檢測結果調整該第一位置關係。
6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，該載台裝置具有設在支承該片材基板之部分之基準標記； 該第一檢測機構係測量該基準標記與設在該片材基板之基板標記，根據測量結果檢測該第一位置關係。
7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，該基板標記係對應複數個該區間中之一個或二個以上。
8. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，該第一檢測機構係設於該載台裝置。
9. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其進一步具備：第二檢測機構，用以檢測在該第一方向及該第二方向中至少一方之該載台裝置與複數個該處理部間之第二位置關係；以及第二位置調整機構，係根據該第二檢測機構之檢測結果調整該第二位置關係。
10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，該載台裝置具有設在用以支承該片材基板之部分之第1基準標記；複數個該處理部具有設在施以該處理之位置之第2基準標記；該第二檢測機構測量該第1基準標記與該第2基準標記，根據測量結果檢測該第二位置關係。
11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，該第二檢測機構係設於該載台裝置。
12. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其進一步具備： 處理狀態檢測機構，用以檢測該片材基板中進行了該處理之該區間之處理狀態；以及處理控制部，根據該處理狀態檢測機構之檢測結果，控制對該片材基板之複數個該處理部所進行之處理。
13. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該載台裝置進一步具備支承該片材基板背面之支承滾筒。
14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中，該支承滾筒具有溝部，此溝部與該片材基板之背面中、對應該區間之區域於該第二方向之端部之至少一方對向。
15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，該溝部與該區域於該第二方向之端部之兩方對向。
16. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中，該支承滾筒具有與複數個該區間對應之分割構造。
17. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中，該支承滾筒之至少一部分係形成為徑方向之大小可變形。
18. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，於複數個該處理部中之至少一個，使用使該片材基板之該區間曝光的曝光裝置。