CN102741754B - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明的基板处理装置，具备：搬送部，将带状的片材基板搬送于第一方向；复数个处理部，对片材基板中与第一方向交叉的第二方向的复数个区间分别进行处理；以及载台装置，系对应复数个处理部的各个而设置、用以支承片材基板。

Description

基板处理装置

技术领域

本发明系关于基板处理装置。

背景技术

作为构成显示器装置等显示装置的显示元件，例如有液晶显示元件、有机电致发光(有机EL)元件、用于电子纸的电泳元件等。目前，此等显示元件系以在基板表面形成被称为薄膜晶体管的开关元件(ThinFilmTransistor：TFT)后，于其上形成各自的显示元件的主动元件(Activedevice)渐为主流。

近年来，提出了一种在片状基板(例如薄膜构件等)上形成显示元件的技术。作为此种技术，例如有一种被称为卷对卷(rolltoroll)方式(以下，简记为“卷绕方式”)广为人知(例如，参照专利文献1)。卷绕方式，系将卷绕在基板供应侧的供应用滚筒的一片片状基板(例如，带状的薄膜构件)送出、并一边将送出的基板以基板回收侧的回收用滚筒加以卷绕来搬送基板。

而且，在基板送出至被卷绕为止的期间，例如一边使用复数个搬送滚筒等搬送基板、一边使用复数个处理装置来形成构成TFT的栅极、闸氧化膜、半导体膜、源-漏极电极等，在基板的被处理面上依序形成显示元件的构成要件。例如，在形成有机EL元件的情形时，系于基板上依序形成发发光层、阳极、阴极、电机电路等。近年来，由于大型显示元件的需求日益增加，因此产生了使用更大尺寸的基板的需要。

先行技术文献

[专利文献1]国际公开第2006／100868号

发明内容

然而，在基板搬送方向正交方向(基板的方向)的基板尺寸变大时，即有例如在搬送中于该宽度方向基板产生弯曲之虞。此种基板的弯曲，即有导致例如于基板被处理面形成的显示元件的各构成要件位置对准精度降低等的原因。

本发明的态样，其目的在提供一种不受基板尺寸限制而能高精度的进行对该基板被处理面的处理的基板处理装置。

用以解决课题的手段

本发明态样的基板处理装置，具备：搬送部，将带状的片材基板搬送于第一方向；复数个处理部，对该片材基板中、与该第一方向交叉的第二方向的复数个区间分别进行处理；以及载台装置，对应复数个该处理部的各个设置、用以支承该片材基板。

发明效果

根据本发明的态样，能不受基板尺寸的限制、于该基板上高精度的进行处理。

附图说明

图1系显示本实施形态的基板处理装置的构成的图。

图2系显示本实施形态的载台装置的构成的图。

图3系显示本实施形态的曝光装置及载台装置的构成的图。

图4系显示本实施形态的曝光装置及载台装置的构成的图。

图5系显示本实施形态的曝光装置及载台装置的构成的图。

图6系显示曝光装置的曝光动作的图。

图7系显示曝光装置及载台装置的对准动作的图。

图8系显示载台装置与片材基板间的对准动作的图。

图9系显示载台装置与曝光装置间的对准动作的图。

图10系显示本实施形态的基板处理装置的其他构成的图。

图11系显示本实施形态的基板处理装置的其他构成的图。

图12系显示本实施形态的基板处理装置的其他构成的图。

图13系显示本实施形态的基板处理装置的其他构成的图。

图14系显示本实施形态的基板处理装置的其他构成的图。

主要元件代表符号：

10处理装置

10A～10D曝光装置

11载台驱动部

30搬送装置

50对准装置

52调整机构

70本体部

70a下层部

70b柱状部

70c上层部

70d空间

71、72凹面滚筒

73、74吸附滚筒

73a～73e、74a～74e、Ra～Rc滚筒部分

75支承台

75a～75c支承面

75d露出部分

76、77槽部

CA检测摄影机

CL基板回收部

CONT控制部

DC检测摄影机

EA(EA1～EA42)投影区域

F1～F5曝光区域

Fa弯曲部分

FB片材基板

FFM基板基准标记

Fp被处理面

FPA基板处理装置

FST载台装置

IL照明光学系

M光罩

MFM光罩基准标记

MST光罩载台

PL(PL1～PL3)投影光学系

PR基板处理部

R滚筒装置

RR滚筒

RST滚筒载台

SFM载台基准标记

SU基板供应部

具体实施方式

以下，参照图式说明本发明的实施形态。

图1系显示实施形态的基板处理装置FPA的构成的图。

如图1所示，基板处理装置FPA具有：基板供应部SU，供应片材基板(例如带状的薄膜构件)FB；基板处理部PR，对片材基板FB的表面(被处理面)进行处理；基板回收部CL，回收片材基板FB；以及控制部CONT，控制此等各部。基板处理装置FPA例如系设置在工场等。

基板处理装置FPA，系从基板供应部SU送出片材基板FB后、至以基板回收部CL回收片材基板FB为止的期间，对片材基板FB的表面施以各种处理的卷对卷(rolltoroll)方式(以下，简记为“卷绕方式”)的装置。基板处理装置FPA可在片材基板FB上形成例如有机EL元件、液晶显示元件等显示元件(电子元件)的场合使用。当然，处理装置FPA亦能在形成此等元件以外的元件的场合使用。

在基板处理装置FPA作为处理对象的片材基板FB，可使用例如树脂薄膜及不锈钢等的箔(膜)。树脂薄膜可使用例如聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂、乙烯乙烯共聚物(Ethylenevinylcopolymer)树脂、聚氯乙烯树脂、纤维素树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂等材料。

片材基板FB的Y方向(短边方向)尺寸系形成为例如1m～2m程度、X方向(长边方向)尺寸系形成为例如10m以上。当然，此尺寸仅为一例，并不限于此例。例如片材基板FB的Y方向尺寸为1m以下或50cm以下、亦可为2m以上。本实施形态，即使是Y方向尺寸超过2m的片材基板FB，亦非常适合使用。又，片材基板FB的X方向尺寸亦可在10m以下。

片材基板FB系形成为例如具有可挠性。此处，所谓可挠性，系指例如对基板施以至少自重程度的既定力亦不会断裂或破裂、而能将该基板加以弯折的性质。此外，例如因上述既定力而弯曲的性质亦包含可挠性。又，上述可挠性会随着该基板材质、大小、厚度、或温度等的环境等而改变。再者，片材基板FB可使用一片带状的基板、亦可将复数个单位的基板加以连接而形成为带状的构成。

片材基板FB，即便承受较高温(例如200℃程度)的热其尺寸亦实质上无变化(热变形小)的热膨涨系数较小者较佳。例如可将无机填料混于树脂薄膜以降低热膨涨系数。作为无机填料，例如有氧化钛、氧化锌、氧化铝、氧化硅等。

基板供应部SU系将例如卷成辊状的片材基板FB送出供应至基板处理部PR。于基板供应部SU，设有用以例如卷绕片材基板FB的轴部及使该轴部旋转的旋转驱动源等。当然，亦可以取代及／或追加方式，于基板供应部SU设置例如用以覆盖卷成辊状状态的片材基板FB的覆盖部等。

基板回收部CL系将来自基板处理部PR的片材基板FB例如卷绕成辊状加以回收。于基板回收部CL，与基板供应部SU同样的，设有用以卷绕片材基板FB的轴部及使该轴部旋转的旋转驱动源、以及覆盖回收的片材基板FB的覆盖部等。亦可取代及／或追加方式，在基板处理部PR将片材基板FB例如切成平板(panel)状的场合等时，基板回收部CL亦可构成为例如将片材基板FB回收成重迭状态等与卷绕成辊状的状态不同的状态回收片材基板FB的构成。

基板处理部PR，将从基板供应部SU供应的片材基板FB搬送至基板回收部CL、并在搬送过程对片材基板FB的被处理面Fp进行处理。基板处理部PR具有例如处理装置10、搬送装置30及对准装置50等。

处理装置10具有用以对片材基板FB的被处理面Fp形成例如有机EL元件的各种装置。作为此种装置，例如有用以在被处理面Fp上形成间隔壁之间隔壁形成装置、用以形成用来驱动有机EL元件的电极的电极形成装置、以及用以形成发光层的发光层形成装置等。具体而言，有液滴涂布装置(例如喷墨型涂布装置、旋转涂布型涂布装置等)、蒸镀装置、溅镀装置等的成膜装置、及曝光装置、显影装置、表面改质装置、洗净装置等。此等的各装置，系适当的设在例如片材基板FB的搬送路径上。例如可将二个以上的处理装置沿搬送方向配置。

搬送装置30，具有在基板处理部PR内例如将片材基板FB朝基板回收部CL搬送的滚筒装置R。滚筒装置R沿着片材基板FB的搬送路径例如设有复数个。于复数个滚筒装置R中的至少一部分的滚筒装置R安装有驱动机构(未图示)。藉由此种滚筒装置R的旋转，片材基板FB被往X轴方向搬送。亦可构成为将复数个滚筒装置R中例如一部分滚筒装置R设置成能在与搬送方向正交的方向移动。此外，本实施形态，系有关于片材基板FB的搬送方向，在处理装置10的下流侧设有一对滚筒装置R。此一对滚筒装置R系与片材基板FB的表面及背面接触、并夹持片材基板FB的至少一部分。

对准装置50系检测设在片材基板FB两端部的对准标记(基板标记)，并根据该检测结果进行片材基板FB相对处理装置10的对准动作。对准装置50具有检测设于片材基板FB的对准标记的对准摄影机51、与根据该对准摄影机51的检测结果将片材基板FB微调整于例如X方向、Y方向、Z方向、θX方向、θY方向、θZ方向中至少一方向的调整机构52。

本实施形态，以作为对片材基板FB的被处理面进行处理的处理装置10，例如使用曝光装置10A及曝光装置10B的情形为例来进行说明。本实施形态中，于片材基板FB的表面(被处理面)侧的空间配置处理装置10(曝光装置10A及10B)，于片材基板FB的背面侧空间设有载台装置FST。本实施形态中，载台装置FST系支承片材基板FB的背面，以导引被曝光装置10A及10B处理的片材基板FB的被处理面。

图2系显示载台装置FST的构成的立体图。

如图2所示，载台装置FST具有本体部70、凹面滚筒71及72、吸附滚筒73及74、支承台75。本体部70具有固定在搬送装置30的基部(未图示)的矩形下层部70a、隔着间隔配置在下层部70a上面的一对柱状部70b、以及固定在柱状部70b上的上层部70c。而且，下层部70a上面与上层部70c与一对柱状部70b之间形成有空间70d。凹面滚筒71及72、吸附滚筒73及74、以及支承台75的各个系设在本体部70的上层部70c上。又，凹面滚筒71及72、吸附滚筒73及74、支承台75系于片材基板FB的搬送方向，以凹面滚筒71、吸附滚筒73、支承台75、吸附滚筒74、凹面滚筒72的顺序配置。亦即，支承台75系配置在吸附滚筒73与吸附滚筒74之间。

凹面滚筒71及72配置在上层部70c上的例如X方向两端部。凹面滚筒71及72被设置成例如能以Y轴为中心轴旋转于θY方向。凹面滚筒71及72系形成为例如其直径随着从Y方向的两端部往中央部渐小。藉由此种于旋转轴方向形成直径分布，片材基板FB的皱折不易形成。

支承台75配置在上层部70c上的例如X方向中央部。支承台75形成为例如从－Z方向观察呈矩形。此支承台75于片材基板FB的宽度方向(Y方向)被分割为例如三个支承面75a～75c。各支承面75a～75c，系例如形成为平坦、与例如XY平面平行。于此等三个支承面75a～75c支承片材基板FB。

支承面75a与支承面75b之间、支承面75b与支承面75c之间，分别为露出上层部70c的＋Z侧的面的状态。于上层部70c的该露出部分75d的各个，设有载台基准标记(基准标记)SFM。此二个载台基准标记SFM系配置成例如X方向的位置一致。

此外，图2中虽仅显示了二个载台基准标记SFM，但亦可于各支承面75a、75b、75c，亦即以在Y方向夹着各支承面的方式设置一对载台基准标记SFM。于此情形时，亦可将设在支承面75a与支承面75b之间的载台基准标记SFM作为支承面75a及支承面75b的共用标记，又，将设在支承面75b与支承面75c之间的载台基准标记SFM作为支承面75b及支承面75c的共用标记。

在以上层部70c与下层部70a与柱状部70b形成的空间70d，设有检测该载台基准标记SFM的检测摄影机DC。检测摄影机DC系设在于Z方向观察，例如分别与载台基准标记SFM重迭的位置。上层部70c中、至少设置载台基准标记SFM的部分的－Z侧，设有检测摄影机DC的检测光可通过的开口。各检测摄影机DC的检测结果被送至例如控制部CONT加以处理。

吸附滚筒73系配置在上层部70c上、支承台75与凹面滚筒71之间。吸附滚筒73及74、与凹面滚筒71及72同样的，系设置成例如能以Y轴为中心轴旋转。

吸附滚筒73及74，分别具有分割构造，于旋转轴方向(Y方向)被分割为复数个。本实施形态中，吸附滚筒73具有被分割为三个的滚筒部分73a～73c。同样的，吸附滚筒74具有被分割为三个的滚筒部分74a～74c。吸附滚筒73的滚筒部分73a～73c、以及吸附滚筒74的滚筒部分74a～74c系分别以可装拆的方式彼此连结，以各滚筒部分可更换的方式设置。

亦即，可将此等滚筒部分一个一个从上层部70c上拆下而安装其它的滚筒部分。因此，可更换为例如Y方向尺寸不同的滚筒部分、或更换为例如形状不同的滚筒部分、直径不同的滚筒部分等。此外，亦可更换吸附滚筒73或吸附滚筒74中的所有滚筒部分、亦可仅更换部分(此处为一个或二个)的滚筒部分。

本实施形态中，如图3所示，于吸附滚筒73中、例如配置在Y方向中央部的滚筒部分73c表面，于圆周方向形成有槽部76及77。槽部76系分别形成在滚筒部分73c的Y方向两端部。槽部77系在滚筒部分73c中的二个槽部76之间形成有复数条。

槽部76及槽部77分别形成于滚筒部分73c的一周。槽部76与槽部77的沟宽，系以不同尺寸形成。例如，槽部76的Y方向尺寸系形成为数mm以上、而槽部77的Y方向尺寸则形成为数μm程度。当片材基板FB的背面接触于滚筒部分73c的情形时，片材基板FB的一部分进入例如槽部76而形成弯曲部分Fa。藉由在片材基板FB的Y方向两端形成弯曲部分Fa，于该弯曲部分Fa之间的部分，片材基板FB被拉向槽部76侧。因此，弯曲部分Fa之间的部分、亦即位于槽部76间的片材基板FB的张力増加而提升了片材基板FB的平坦性，使片材基板FB与滚筒部分73c间的吸附性提升。此外，槽部77在滚筒部分73c以Y轴为中心旋转时，成为片材基板FB与滚筒部分73c间的空气的释放道。因此，片材基板FB与滚筒部分73c紧贴，不易分离。

图4系从搬送装置30的侧方(＋Y方向)观察时的处理装置10(曝光装置10A及曝光装置10B)及载台装置FST的构成的图。图5系从上方(＋Z方向)观察时的处理装置10及载台装置FST的构成的图。

如图4所示，曝光装置10A及曝光装置10B，分别具备保持具有既定图案的光罩M的光罩载台MST、以曝光用光EL照明光罩M的照明光学系IL、以及将被曝光用光EL照明的光罩M的既定照明区域内的图案的像投影至片材基板FB的被处理面的投影光学系PL。此投影光学系PL系透过两侧(或片材基板FB的单侧)远心的投影光学系PL，以既定投影倍率(例如等倍、1／4倍、1／5倍等)投影于片材基板FB的被处理面内的曝光区域。光罩载台MST、照明光学系IL及投影光学系PL的动作系以例如控制部CONT加以控制。

如图4所示，曝光装置10A及曝光装置10B，分别具备可保持具有既定图案的光罩M一边移动的光罩载台MST、以曝光用光EL照明光罩M的照明光学系IL、以及将被曝光用光EL照明的光罩M的图案的像投影至片材基板FB的投影光学系PL。光罩载台MST、照明光学系IL及投影光学系PL的动作以例如控制部CONT加以控制。照明光学系IL以均一照度分布的曝光用光EL照明光罩M上的既定照明区域。从照明光学系IL射出的曝光用光EL，系使用例如从水银灯射出的辉线(g线、h线、i线)等。光罩载台MST被设置成藉由载台驱动部11在未图示的光罩基座上面(与XY平面平行的面)于X方向以一定速度移动、且至少能移动于Y方向、Z方向、θz方向。

光罩载台MST的2维位置系以未图示的雷射干涉仪加以测量，根据此测量资讯由控制部CONT透过载台驱动部11控制光罩载台MST的位置及速度。投影光学系PL配置在照明光学系IL与支承台75之间、亦即配置在光罩载台MST的－Z侧。投影光学系PL被固定在例如未图示的固定构件。投影光学系PL系配置成将光罩M的图案的像投影至例如载台装置FST中的支承台75上的片材基板FB的被处理面。

曝光装置10A及10B，可一边将使用从照明光学系IL射出的曝光用光EL藉由投影光学系PL形成的光罩M的部分图案的像投影至片材基板FB上、一边使光罩载台MST与片材基板FB以投影倍率为速度比同步移动于X方向，使片材基板FB的被处理区域Fp中的曝光区域曝光。

本实施形态中，在对片材基板FB表面(被处理面)中、一个被处理区域Fp的光罩M的图案的曝光结束后、至进行其次被处理区域的曝光前，使光罩载台MST往－X方向移动。而且，再次使光罩载台MST与片材基板FB同步移动于X方向以进行其次被处理区域中的曝光区域的曝光。

以此方式反复进行相对连续搬送于X方向的片材基板FB使光罩M同步移动于X方向，并在一个被处理区域结束后使光罩M往－X方向移动的动作，能将光罩M的图案像曝光至片材基板FB的复数个被处理区域。

此外，如图5所示，曝光装置10A具有二个投影光学系PL1及PL2。曝光装置10A的二个投影光学系PL1及PL2，例如系于Y方向隔着间隔配置。曝光装置10A可将图案的像投影至片材基板FB的被处理面中、于宽度方向(Y方向)分离的二个投影区域EA1及投影区域EA2。此外，本实施形态中，此二个投影区域EA1及EA2的形状系形成为梯形。本实施形态，系以曝光装置10A使片材基板FB的被处理面中、于宽度方向除中央部(中央区间)以外的两端部(二个横区间)曝光。再者，投影光学系PL1及PL2系配置成X方向的位置对齐。因此，投影光学系PL1及PL2系沿Y方向配置。

另一方面，曝光装置10B具有一个投影光学系PL3。曝光装置10B的投影光学系PL3，系于Y方向配置在曝光装置10A的二个投影光学系PL1与投影光学系PL2之间的位置。因此，曝光装置10B的投影区域EA3系设在上述曝光装置10A的投影区域EA1与投影区域EA2之间。此外，本实施形态中，投影区域EA3系形成为梯形。又，本实施形态中，系以曝光装置10B使片材基板FB的被处理面中、于宽度方向的中央部曝光。

又，如图5所示，与曝光装置10A对应的载台装置FST中的吸附滚筒73及74的滚筒部分，系构成为对片材基板FB的被处理面中的投影区域EA1及投影区域EA2，使片材基板FB平坦。此构成，与图2所示的吸附滚筒73及74的滚筒部分的构成不同。

具体而言，吸附滚筒73与图3所示的滚筒部分73c同样的，具备形成有槽部76及77的滚筒部分73d及73e。而且，吸附滚筒73具备此二个滚筒部分73d及73e在Y方向彼此连结的状态。滚筒部分73d在将投影区域EA1于Y方向包夹的位置设有一对槽部76。又，滚筒部分73e在将投影区域EA2于Y方向包夹的位置设有一对槽部76。

同样的，吸附滚筒74与图3所示的滚筒部分73c同样的，具备形成有槽部76及77的滚筒部分74d及74e。而且，吸附滚筒74具备此二滚筒部分74d及74e于Y方向彼此连结的状态。滚筒部分74d在将投影区域EA1于Y方向包夹的位置设有一对槽部76。滚筒部分74e在将投影区域EA2于Y方向包夹的位置设有一对槽部76。此外，如图5所示，曝光装置10B对应的载台装置FST的构成由于与图2为相同构成，因此省略其说明。

载台基准标记(载台位置检测用基准标记、基准标记)SFM系分别与投影光学系PL1～PL3对向设置。例如，载台基准标记SFM系于片材基板FB的搬送方向设置在曝光装置10A及10B的投影光学系PL的照明区域的上流侧。又，如图4所示，于对应曝光装置10A的载台装置FST，设有检测片材基板FB中的投影区域EA1及EA2下流侧的曝光状态的检测摄影机12。检测摄影机12的检测结果被送至例如控制部CONT。

以上述方式构成的基板处理装置FPA，在控制部CONT的控制中，以卷绕方式制造有机EL元件、液晶显示元件等的显示元件(电子元件)。以下，说明使用上述构成的基板处理装置FPA制造显示元件的制程。

首先，将卷绕于滚筒的带状片材基板FB安装于基板供应部SU。控制部CONT以从此状态从基板供应部SU送出该片材基板FB的方式，使滚筒旋转。而且，将通过基板处理部PR的该片材基板FB卷绕于基板回收部CL的滚筒。藉由控制此基板供应部SU及基板回收部CL，可对基板处理部PR连续的搬送片材基板FB的被处理面Fp。

控制部CONT在片材基板FB从基板供应部SU被送出至以基板回收部CL加以卷绕的期间，以基板处理部PR的搬送装置30将片材基板FB在该基板处理部PR内适当的加以搬送、一边藉由处理装置10将显示元件的构成要件依序形成在片材基板FB上。

于此制程中，以曝光装置10A及10B进行处理的情形时，例如图6所示，投影光学系PL1的投影区域EA1的－Y侧端部(梯形形状的照明区域中的锥形部分中的一方)、与投影光学系PL3的投影区域EA3的＋Y侧端部(梯形形状的照明区域中的锥形部分中的另一方)重迭。此外，投影光学系PL2的投影区域EA2的＋Y侧端部(梯形形状的照明区域中的锥形部分中的一方)、与投影光学系PL3的投影区域EA3的－Y侧端部(梯形形状的照明区域中的锥形部分中的另一方)重迭。

藉由以上述方式构成的曝光装置10A及10B的使用，如图6所示，例如片材基板FB的被处理面系分割复数个被处理区域(复数个区间、曝光区域)F1～F5进行处理。此处，曝光区域F1系仅被投影至投影区域EA1的像所曝光的部分(区间)。曝光区域F2系被投影至投影区域EA1的像的一部分与被投影至投影区域EA3的像的一部分所曝光的部分(区间)。曝光区域F3系仅被投影至投影区域EA3的像所曝光的部分(区间)。曝光区域F4则系被投影至投影区域EA2的像的一部分与被投影至投影区域EA3的像的一部分所曝光的部分(区间)。曝光区域F5系仅被投影至投影区域EA2的像所曝光的部分(区间)。

如上所述，由于在各载台装置FST，以和各个投影区域对应的方式于吸附滚筒73及74形成有一对槽部76，因此例如在被槽部76所夹部分，在片材基板FB的平面度被高精度度维持的状态下进行曝光处理。因此，本实施形态中，无须于Y方向维持片材基板FB全体的平坦度，例如于片材基板FB的一部分形成高平坦度的部分，对该部分进行曝光并将曝光区域加以重迭。藉此，对片材基板FB的Y方向全体高精度的施以曝光处理。

其次，说明在曝光装置10A及曝光装置10B、与对应的各个载台装置FST、与片材基板FB之间进行对准的动作。

此动作中，首先在以曝光装置10A进行片材基板FB的曝光之前，进行载台装置FST与片材基板FB间的对准动作，其次，进行载台装置FST与曝光装置10A间的对准动作。此外，在使用曝光装置10A的曝光动作结束后、至以曝光装置10B进行片材基板FB的曝光前，进行载台装置FST与片材基板FB间的对准动作、并进行载台装置FST与曝光装置10B间的对准动作。以下，以曝光装置10B的情形为例，说明对准动作。

此外，本实施形态，可使对准装置50与载台装置FST的对准精度不同，以使用对准装置50进行片材基板FB对曝光装置10A的粗对准、使用载台装置FST进行对曝光装置10A或曝光装置10B的精对准。

本实施形态，以载台装置FST、片材基板FB及曝光装置10B间的对准动作为例进行说明。

图7系显示载台装置FST、片材基板FB及曝光装置10B间的位置关系的立体图。如图7所示，例如于片材基板FB预先形成基板基准标记(基板位置检测用基准标记、第1基准标记、基板标记)FFM。此基板基准标记FFM系于片材基板FB的宽度方向与例如载台装置FST的载台基准标记SFM之间隔对应形成。

又，设在曝光装置10B的光罩M的一对光罩基准标记(处理位置检测用基准标记、第2基准标记)MFM的像，透过投影光学系PL3投影至片材基板FB上。本实施形态中的一对基准标记，系在光罩M的Y方向端部、以光罩基准标记MFM的像的投影位置在例如载台装置FST的载台基准标记SFM的近旁的方式，形成该光罩基准标记MFM。

此外，亦可于曝光装置10A所使用的二个光罩M，在Y方向的端部、以光罩基准标记MFM的像的投影位置在例如载台装置FST的载台基准标记SFM的近旁的方式形成该光罩基准标记MFM。于此情形时，如前所述，在支承面75a的Y方向侧及支承面75c的－Y方向侧设置载台基准标记SFM即可。

图8系显示载台装置FST与片材基板FB间的对准动作的图。

如图8所示，片材基板FB于其表面(被处理面)中、具有例如形成显示元件的被处理区域Fpa。基板基准标记FFM系形成在片材基板FB中、例如从该被处理区域Fpa离开的区域Fpb。控制部CONT以例如曝光装置10B的曝光处理未进行的时序(例如曝光装置10A的曝光处理结束、至以曝光装置10B开始曝光处理前的期间)使检测摄影机DC作动，检测载台基准标记SFM与基板基准标记FFM。控制部CONT系根据该检测结果求出载台基准标记SFM与基板基准标记FFM间的偏移量及其方向(第一位置关系)。控制部CONT系根据载台基准标记SFM与基板基准标记FFM的第一位置关系，使片材基板FB往X方向或Y方向移动。于此情形时，亦可使用例如调整机构52来移动吸附滚筒73、74等，亦可使载台装置FST本身移动。

又，亦可以在片材基板FB背面中与载台基准标记SFM对应的部分形成例如基准标尺等，恒进行对准动作。于此情形时，由于能连续的检测片材基板FB的位置，因此亦能例如配合片材基板FB的搬送速度调整光罩M的位置及移动速度、或照明光学系IL的照度等。此外，亦能个别的调整曝光装置10A所具备的投影光学系PL1及投影光学系PL2、曝光装置10B所具备的投影光学系PL各个的成像特性。

例如，即使片材基板FB的搬送速度非固定的情形时，藉由调整光罩M的位置及移动速度、或照明光学系IL的照度、投影光学系的成像特性(像位置、像面形状)等，在不调整片材基板FB的搬送速度下，进行高精度的曝光。此外，作为检测片材基板FB的位置的构成，并不限于上述构成，亦可另行设置位置检测感测器等。

图9系显示载台装置FST与曝光装置10B间的对准动作的图。如图9所示，控制部CONT使检测摄影机DC作动，以检测载台基准标记SFM与光罩基准标记MFM。控制部CONT系根据该检测结果，求出载台基准标记SFM与基板基准标记FFM间的偏移量及其方向(第二位置关系)。控制部CONT根据载台基准标记SFM与光罩基准标记MFM的第二位置关系，例如使光罩载台MST移动于X方向或Y方向。

又，于曝光动作中重迭曝光区域F1～F5的情形时，例如在曝光装置10A进行曝光处理后，控制部CONT可藉由检测摄影机12检测片材基板FB上之中、投影区域EA1及EA2的下流侧的曝光状态，使用该检测结果使曝光装置10B进行曝光处理。于此情形时，将使用检测摄影机12的检测结果反映于对准结果后使光罩载台MST移动。

如以上所述，根据本实施形态，具备：搬送装置30，将片材基板FB搬送于X方向；复数个曝光装置10A及10B，对片材基板FB中被分割于与X方向交叉的Y方向的复数个被处理区域(曝光区域、复数个区间)F1～F5的各个个别进行处理；以及载台装置，该曝光装置10A及10B的各个对应设置用以支承片材基板FB，因此能在片材基板FB的搬送中片材基板FB不会弯向该Y方向下，高精度的对该片材基板FB上进行处理。

又，根据本实施形态，由于可在以曝光装置10A进行被处理区域的曝光处理后、以曝光装置10B进行被处理区域的曝光之前，进行载台装置FST与片材基板FB间的对准、以及载台装置FST与曝光装置10B间的对准，因此即使在曝光装置10A与曝光装置10B间的片材基板FB的搬送中，片材基板FB的搬送方向产生偏移、或往Y方向弯曲，亦能在降低该等的影响的状态下进行曝光处理。

本发明的技术范围不限于上述实施形态，在不脱离本发明要旨的范围内可加以适当变化。

上述实施形态，虽在载台装置FST中、具有于XY平面平行的平坦面的支承台75支承片材基板FB的构成，但不限于此。例如图10所示，作为对应曝光装置10A及10B的载台，亦可使用滚筒载台RST。此滚筒载台RST可一边搬送片材基板FB一边加以引导。

又，上述实施形态中系使用凹面滚筒71、72或吸附滚筒73、74等滚筒的情形时，亦可使该滚筒的部分直径变化。例如图11所示，在滚筒RR被分割为复数个滚筒部分Ra～Rc的情形时(具有复数个分割周面的情形)，亦可作成为各该滚筒部分Ra～Rc变形的构成。此外，亦可以滚筒RR整体越往中央部直径越大的方式变形的构成。

使滚筒RR或滚筒部分Ra～Rc变形的构成，例如可于滚筒表面(引导片材基板FB的引导面)使用例如可挠性构件以作成该滚筒表面可变形的构成。除此之外，藉由调整滚筒内部的例如热、油压、空压等以使滚筒表面变形。藉此，能使滚筒RR或滚筒部分Ra～Rc变形为所欲的形状。藉由此方式使滚筒RR及滚筒部分Ra～Rc变形，能拉开例如于片材基板FB的局部形成的皱折、或变更片材基板FB的引导速度，以调整该片材基板FB的行进方向及位置偏移。

又，亦可在将片材基板FB的背面支承于载台装置FST的支承面75a、75b、75c之前，于片材基板FB的搬送方向使吸附滚筒73及吸附滚筒74间之间隔彼此接近，以使片材基板FB松弛。使片材基板FB松弛，即能在片材基板FB无张力的状态下，将其支承于载台装置FST的支承面75a、75b、75c。此外，支承面75a、75b、75c亦可以吸附片材基板FB的背面的构成。

又，上述实施形态中，虽例如曝光装置10A具备二个投影光学系PL1及PL2的构成，但不限于此，亦可以是于于每个曝光装置具有一个投影光学系(1个投影区域EA)的构成。例如，图12中显示了曝光装置10A～10D分别各具有一个投影光学系PL，而此等投影光学系PL于Y方向错开配置的构成。图12中，配置成各投影光学系PL的投影区域EL4～EL7中、相邻的二个于Y方向端部彼此重迭。

又，例如图13所示，曝光装置10A、10B的投影区域EA11、12、21、22、与曝光装置10C、10D的投影区域EA31、32、41、42系重迭。如前所述，亦可以配置在片材基板FB的搬送方向上流侧的曝光装置的投影区域、与配置在下流侧的曝光装置的投影区域重迭的构成。

又，上述实施形态中，吸附滚筒73、74的槽部76虽系例如每个投影区域设置一对的构成，但不过限于此。可取代及／或以追加方式，例如图14所示，以夹着复数个投影区域EA的方式设置一对槽部76。

又，上述说明中，虽以复数个曝光装置的投影区域于X方向错开的态样为例作了说明，但不限于此。可取代及／或以追加方式，适用例如复数个曝光装置的投影区域于X方向对齐、亦即于Y方向排成一列的态样。

又，上述说明中，虽对应复数个曝光装置配置的所有载台装置FST设置第一检测机构及第二检测机构的构成，但不限于此。可取代及／或以追加方式，仅于部分载台装置FST设置第一检测机构及第二检测机构的构成。

又，上述说明中，虽系以处理装置10为曝光装置的例作了说明，但不限于此。处理装置10亦可以上述实施形态所列举的其他装置、例如间隔壁形成装置、电极形成装置、发光层形成装置。此外，本实施形态中，对准装置50系检测设在片材基板FB两端部的对准标记。亦可取代及／或以追加方式，使对准装置50检测基板基准标记FFM，或检测片材基板FB中与搬送方向平行的两边(基板FB的边缘)。亦可取代及／或以追加方式，将对准标记(基板标记)于每复数个被处理区域(复数个区间)设置、或与复数个区间中的一个或二个以上对应。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其特征在于，所述的基板处理装置具备：

搬送部，将具有可挠性的带状的片材基板搬送于长边方向；

处理部，以对该片材基板的被处理面中、沿与该长边方向交叉的宽度方向所分割成的复数个被处理区域的各个曝光既定的图案的方式，具备有在该片材基板的该宽度方向、或该长边方向隔着间隔配置的复数个投影区域；以及

载台装置，配置于该片材基板的背面侧，并且具备具有对应该处理部的该复数个投影区域的各个而分割成的复数个平坦的支承面的支承台、或对应该复数个投影区域的各个而配置于该长边方向的复数个滚筒载台，通过该支承台的复数个该支承面、或该复数个滚筒载台而支承该片材基板的背面。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述的基板处理装置进一步具备：

第一检测机构，用以检测在该片材基板的该长边方向及该宽度方向中至少一方的该载台装置与该片材基板之间的第一位置关系；以及

第一位置调整机构，根据该第一检测机构的检测结果调整该第一位置关系。

3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述的载台装置具有设在支承该片材基板的部分的基准标记；

该第一检测机构测量该基准标记与设在该片材基板的基板标记，根据测量结果检测该第一位置关系。

4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述的基板标记对应复数个被处理区域中的一个或二个以上。

5.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述的第一检测机构设于该载台装置。

6.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述的基板处理装置进一步具备：

第二检测机构，用以检测在该片材基板的该长边方向及该宽度方向中至少一方的该载台装置与该处理部的该复数个投影区域间的第二位置关系；以及

第二位置调整机构，根据该第二检测机构的检测结果调整该第二位置关系。

7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述的载台装置具有设在用以支承该片材基板的部分的第1基准标记；

该处理部对该复数个投影区域内的既定位置投影第2基准标记；

该第二检测机构设置于该载台装置的该支承台的分割的复数个该支承面之间，测量该第1基准标记与该第2基准标记，根据测量结果检测该第二位置关系。

8.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述的基板处理装置进一步具备：

处理状态检测机构，用以检测该片材基板的该被处理面中由该投影区域所曝光的该被处理区域的处理状态；以及

处理控制部，根据该处理状态检测机构的检测结果，控制对该片材基板的该处理部的该复数个投影区域的各个的曝光处理。

9.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述载台装置具备复数个滚筒，所述复数个滚筒的至少一部分具有槽部，此槽部形成为与该片材基板的背面中、该片材基板上的该被处理区域的该宽度方向中的端部的至少一方对向。

10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，形成在所述复数个滚筒的至少一部分的该槽部，形成为与该被处理区域的该宽度方向中的端部的两方对向。

11.如权利要求9或10所述的基板处理装置，其特征在于，所述复数个滚筒的至少一部分具有与该片材基板上的该复数个被处理区域的各个对应的分割构造。

12.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述载台装置具备复数个滚筒，所述复数个滚筒的至少一部分形成为径方向的大小可变形。

13.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述的基板处理装置进一步具备：

处理状态检测机构，用以检测该片材基板的该被处理面中由该投影区域所曝光的该被处理区域的处理状态；以及

处理控制部，根据该处理状态检测机构的检测结果，控制对该片材基板的该处理部的该复数个投影区域的各个的曝光处理。