TWI483336B

TWI483336B - Processing device

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Publication number: TWI483336B
Application number: TW099118379A
Authority: TW
Inventors: Hideki Komada
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2009-06-08
Filing date: 2010-06-07
Publication date: 2015-05-01
Also published as: JP5428556B2; JP2010283285A; KR20100131913A; CN101908469A; KR101234099B1; CN101908469B; TW201117312A

Description

處理裝置

本發明，係有關於對於例如在平面面板顯示器(以下，稱為FPD(Flat Panel Display))中所使用之玻璃基板等的被處理體而實行蝕刻處理等之處理裝置，特別是係有關於在該處理裝置內而搬送被處理體之技術。

在對於身為被處理體之基板而實行蝕刻等之處理的處理裝置中，係存在著具備有將基板搬送至裝置內之搬送機構者，此搬送機構之動作速度，係預先被作了設定。例如，係對於裝置1台所應處理之每小時的處理枚數(產率)作決定，並以能夠滿足該產率的方式來決定搬送機構之動作速度。

另外，在實行蝕刻處理等之真空處理的處理室係在真空搬送室處而被作了複數連接之所謂的被稱為多腔系統等之處理裝置中，係鄰接於前述之真空搬送室而被設置有實行大氣氛圍與真空氛圍之切換的裝載鎖定室。而，藉由透過此裝載鎖定室來將基板作搬入搬出，而將真空搬送室或者是處理室內恆常保持於真空狀態。真空搬送室內之搬送機構，係在真空搬送室內作移動，並進行對於各處理室之基板的搬入搬出以及對於裝載鎖定室之基板的搬入搬出。

在此種多腔系統中，為了將產率提升，使各處理室並不作休止地而持續進行處理一事，係為重要。為了達成此，係有必要在處理室結束處理之前，便成為能夠將未處理基板搬入至處理室內之狀態。當在處理室中之處理時間為短的情況等之時，為了順暢地進行對於處理室之未處理基板的供給，除了將裝載鎖定室之大氣氛圍與真空氛圍的切換加快之外，亦有必要將在真空搬送室內移動並進行對於各處理室之基板的搬入搬出以及對於裝載鎖定室之基板的搬入搬出之搬送機構的動作速度提升。

在處理室內之處理時間，係依存於所實施之處理的種類而有所相異。但是，搬送機構之動作速度，係以就算是當成為在預定作實施之處理中而處理時間為最短的處理之情況時，亦不會由於搬送機構之動作而造成產率之降低的方式，而被作設定。因此，當實際所實施之處理係為處理時間為長之處理的情況時，會成為在搬送機構之動作中產生等待時間。

另一方面，搬送機構之軸承或者是線性導引構件等之零件，係有必要定期地進行加注潤滑脂或者是零件交換等之維修。若是對於該些之構成搬送機構的零件之消耗上的觀點而作注目，則在搬送機構之動作速度與其之零件的消耗度之間，由於係有著若是動作速度越快則消耗度會成為越大之關係，因此，在動作速度為快之搬送機構中，係有必要以更短之週期來定期性地進行維修。

然而，在將長邊之長度會成為接近2公尺的FPD等之角形基板作搬送之大型的搬送機構等之中，此種維修係會成為需要耗費一整天之作業。因此，在多腔系統等之生產效率為高的處理裝置中，搬送機構之零件的消耗，係成為使裝置之生產效率降低的其中一個主要原因。

於此，在專利文獻1中，係記載有一種搬送機構，其係在進行對於晶圓之顯像液的塗布、顯像之塗布顯像裝置中，當在分散配置於裝置內之處理內容互為相異的處理單元之間而進行晶圓之搬送時，能夠因應於處理單元間之距離來使晶圓之搬送速度作改變。在此搬送機構中，藉由當搬送距離越短時則使晶圓搬送時之加速度以及減速度變得越小，而對於施加在馬達上之過大的扭矩變動作抑制，並防止振動之產生。然而，在專利文獻1中，係並未記載有關於使在同一之處理單元中所實行的處理之時間作改變的內容，又，亦並未對於搬送機構之零件的消耗之問題作注目。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平8-222618號公報：第0058段落、第0064段落、圖1

本發明，係為有鑑於此種問題而進行者，其目的，係在於對於搬送機構之零件的消耗作抑制，並提供一種相較於先前技術而維修間隔為長的處理裝置。

本發明之處理裝置，係具備有用以對於被處理體而進行處理之製程模組、和在被搬入至該製程模組中之前而將被處理體作載置之前段模組、以及用以在前述製程模組與前述前段模組之間而將被處理體作搬送之搬送機構，該處理裝置，其特徵為：係具備有控制部，其係在前述搬送機構之搬送動作中，當發生有一連串之搬送動作被暫時停止之前述搬送機構的等待時間時，而輸出使前述搬送機構之搬送速度減少的控制訊號。

前述處理裝置，係亦可更進而具備有以下之特徵。

(a)前述製程模組，係存在有複數，當依序將被處理體搬入至複數之製程模組中的情況時，對於最初之將被處理體作了搬入的製程模組，上述控制部對於在第2次以後之被處理體的搬入前所進行之針對前述前段模組的前述搬送機構之一連串的搬送動作，輸出使搬送速度減少之控制訊號。

(b)前述控制部，係根據在前述製程模組中之對於被處理體的處理時間，來決定前述搬送速度之減少比例。

(c)前述搬送速度，係為對於前述前段模組之被處理體的搬入、搬出速度。

(d)前述製程模組，係為用以進行真空處理之處理室，前述搬送機構，係被設置在與前述製程模組相連接之真空搬送室中，前述前段模組，係為被與前述真空搬送室相連接之裝載鎖定室。

若依據本發明，則當在於製程模組與前段模組之間而進行被處理體之搬送的搬送機構之一連串的動作中而發生有等待時間時，由於係使此搬送機構之搬送速度減少，因此，係不會使搬送機構作必要以上之過度的稼動，而能夠在相較於先前技術而更加緩和的條件下作使用。其結果，構成搬送機構之零件的損耗係被抑制，而能夠將零件之交換週期或者是處理裝置之維修週期延長，並能夠對於在零件之交換中所需要的成本或者是伴隨著維修所導致之裝置稼動率的降低作抑制。

作為本發明之實施形態的處理裝置之其中一例，一面參考圖1、圖2，一面針對對於身為被處理體之FPD用的玻璃基板(以下，稱作基板)而實行身為真空處理之蝕刻處理的多腔型之蝕刻處理裝置的構成例作說明。圖1，係為對於蝕刻裝置1之外觀構成作展示的立體圖，圖2，係為對於其之內部構成作展示之橫斷平面圖。

如圖1、圖2中所示一般，在蝕刻裝置1中，係被設置有載體載置部2A、2B，而能夠將收容了多數之基板S的載體C1、C2從外部作搬送並作載置。在各載體載置部2A、2B處，例如係被設置有升降機構21，並能夠使載體C1、C2自由地作升降。在本例中，係成為在其中一側之載體C1處收容有未處理之基板S，並在另外一側之載體C2處而收容有完成處理之基板S。以下，將被設置有此些之載體載置部2A、2B的方向作為蝕刻裝置1之前方側來進行說明。

在載體載置部2A、2B之間，係被設置有用以在此些之載體C1、C2和後述之裝載鎖定室22a、22b之間而進行基板S之授受的第1搬送機構3。此第1搬送機構3，係被設置在支持台24上，並具備有在上下方向上而連續設置為2段的搬送臂31、32；和將此些之搬送臂31、32可自由進退且可自由旋轉地作支持之基台33。

在此些之載體載置部2A、2B或者是第1搬送機構3之深處側處，係從前方側起而依序被連接有上下重疊之2個的裝載鎖定室22a、22b以及真空搬送室23，在該真空搬送室23之深處側處，係被配置有身為本實施形態的基板處理室之3個的處理室4A~4C。裝載鎖定室22a、22b之各個，係分別能夠將內部氛圍在常壓氛圍以及真空氛圍之間作切換，並達成將在第1搬送機構3與真空搬送室23之間而被作搬送之基板S作暫時性的載置之功能。如圖2中所示一般，在裝載鎖定室22a、22b之各個的內部處，係被配設有將基板S作支持之緩衝架26、和對於基板S之載置位置作導引之定位器25。此裝載鎖定室22a、22b，係相當於本實施形態之前段模組。

真空搬送室23，係被保持在真空氛圍內，並為在裝載鎖定室22a、22b與各處理室4A~4C之間而將基板S作搬送之空間。在真空搬送室23內，係被設置有身為本實施形態之搬送機構的第2搬送機構5，並成為經由該第2搬送機構5來將基板S作搬送。關於第2搬送機構5之具體構成，係於後再述。

又，在從前述第1搬送機構3起而對於裝載鎖定室22a、22b內來將基板S作搬入搬出之開口部、裝載鎖定室22a、22b與真空搬送室23之間、真空搬送室23與各處理室4A~4C之間，係分別被中介設置有將該些作氣密密封並且構成為可作開閉之閘閥G1~G3。

處理室4A~4C，係為用以在其之內部而對於基板S來施加蝕刻處理之例如角筒形狀的處理容器。在本例中，處理室4A~4C，係構成為能夠對於例如一邊為1500mm左右，另外一邊為1800mm左右的大小之角形的基板S進行處理之例如橫斷平面之一邊為2.5m左右、另外一邊為2.2m左右之大小。處理室4A~4C，係相當於本實施形態之製程模組。

在各處理室4A~4C之內部，係以在上下而相對向之方式，而被設置有對於載置基板S之載置台與處理室4A~4C內而供給例如氯氣等之蝕刻氣體的氣體供給部。而，此些之載置台以及氣體供給部，係分別達成有用以在處理室4A~4C內而使電漿產生之下部電極以及上部電極的功能。而，藉由對於此些之載置台以及氣體供給部的例如載置台側而施加高頻電力，被供給至處理室4A~4C內之蝕刻氣體係被電漿化，並藉由所產生之活性種來實行基板S之蝕刻。另外，在圖1以及圖2中，為了圖示之方便，係將此些之載置台以及氣體供給部的記載作省略。

圖3，係為對於第2搬送機構5之外觀構成作展示的立體圖。在本例中，第2搬送機構5，係在上下方向上而將2個的搬送臂51、52作2段設置，而能夠使此些之搬送臂51、52獨立地來對於裝載鎖定室22a、22b或者是處理室4A~4C而進行基板S之搬入搬出。

2個的搬送臂51、52，係藉由使被支持於支持部53處之臂部512、522以及被支持於臂部512、522上之拾取部513、523作滑動，而構成為能夠自由伸縮，並且，藉由使支持部53作旋轉，而成為能夠自由旋轉，進而，藉由使將此支持部53全體作支持之支持板551作升降，而構成為能夠自由升降。而，各搬送臂51、52，係藉由對於使臂部512、522以及拾取部513、523作滑動之動作的速度作變更，而成為能夠對於搬送臂51、52作伸縮之速度(進退速度)作變更。

圖4，係為對於具備有以上所說明了的構成之蝕刻裝置1的電性構成作展示之區塊圖，如同該圖中所示一般，蝕刻裝置1，係具備有電腦，該電腦，係具備有控制部61與記憶體62。控制部61，係由CPU(Central Processing Unit)611和程式儲存部612所成，在程式儲存部612處，係被儲存有將相關於該蝕刻裝置1之作用(亦即是，從被載置於載體載置部2A上之載體C1來將基板S取出，並通過裝載鎖定室22a、22b、真空搬送室23來將該基板S搬入至處理室4A~4C中，且在實行了特定之蝕刻處理後，以與搬入時相反之路徑來將基板S作搬送並將處理後基板收容在載體C2中的一連串之動作)的控制之步驟(命令)群作了組入的程式。此程式，例如係以被儲存在硬碟、CD、光磁碟、記憶卡等之記憶媒體中，並從該些處而被安裝至電腦中。

於此，在實行上述之動作時，本實施形態之蝕刻裝置1，係成為能夠從被記憶在記憶體62內之複數種類的配方資料621中而選擇出與對於處理對象之基板S所實行的處理配方相對應的配方資料621。於此，從複數種類中所選擇出之配方資料621，例如係包含有因應於被蝕刻材料或者是蝕刻深度等之差異而使得身為在各處理室4A~4C內所被實行之處理時間的蝕刻處理之時間等互為相異的資料。因此，依存於所實行之處理配方，例如若是以最高速度來使第2搬送機構5動作，則就算是未處理之基板S成為能夠被搬入至處理室中的狀態，亦會有著由於在此處理室中之蝕刻處理並未結束而使得在第2搬送機構5之動作中發生有等待時間的情況。

因此，本實施形態之蝕刻裝置1的控制部61，例如係具備有對於在真空搬送室23內而將基板S作搬送之第2搬送機構5的動作速度(在本例之情況中，例如係為搬送臂51、52之進退速度)作決定之程式(臂速度決定程式613)，並對於在蝕刻處理中所需要之時間與在第2搬送機構5之特定的動作中所需要之最短時間(於本例之情況，例如係為被儲存在記憶體62中之最短時間資料622)作比較，並當會成為在第2搬送機構5之動作中發生等待時間的情況時，藉由從控制部61來輸出使搬送臂51、52之動作速度變慢(使搬送速度減少)的控制訊號，而成為能夠對於構成第2搬送機構5之零件的損耗作抑制。針對具備有此種功能之蝕刻裝置1的作用，於以下作說明。

首先，針對從將基板S搬入至本例之蝕刻裝置1中起直到實行蝕刻處理並將處理後之基板S搬出為止的全體之動作作簡單說明。在開始基板S之處理時，例如若是作業員經由未圖示之介面畫面來對於在此次之處理中所實行的配方資料621作選擇，則該配方資料621係被讀入至CPU611中，而處理時間等之處理條件係被作設定。

而，若是收容有處理對象之基板S的載體C1被載置在載體載置部2A上，則係將第1搬送機構3之2枚的搬送臂31、32作進退驅動，並從收容了未處理之基板S的其中一側之載體C1來將例如2枚的基板S同時地搬入至裝載鎖定室22a、22b中。被搬入至裝載鎖定室22a、22b內之基板S，係藉由緩衝架26而被作保持，並在搬送臂31、32作了退避後，將閘閥G1關閉，並對於裝載鎖定室22a、22b內作排氣，而將內部減壓至特定之真空度。若是結束了真空抽氣，則使定位器25動作，並進行基板S之對位。

若是基板S之對位結束，則將裝載鎖定室22a、22b與真空搬送室23之間的閘閥G2開啟，並藉由第2搬送機構5之搬送臂51、52來接收2枚的基板S，而搬入至成為真空氛圍之真空搬送室23內，之後，將閘閥G2關閉。未處理基板被搬出後之裝載鎖定室22a、22b，係將真空氛圍切換為大氣氛圍，並藉由第1搬送機構3而將新的未處理基板搬入，之後，被保持為真空氛圍。接著，將實行對於該基板S之蝕刻處理的處理室4A與真空搬送室23之間的閘閥G3開啟，並將基板S搬入至處理室4A中，而將閘閥G3關閉。同樣的亦將基板S搬入至處理室4B中。在將基板S亦搬入了處理室4B內之後，從裝載鎖定室22a、22b而將2枚之未處理基板搬出，並將1枚搬入至處理室4C內。

若是基板S被載置在處理室4A~4C內之載置台上，而閘閥G3被關閉，則係從氣體供給部而供給處理氣體，並且，對於例如身為下部電極之載置台側供給高頻電力，而在載置台與氣體供給部之間形成電漿，並實行對於基板S之蝕刻處理。

若是在處理室4A中之蝕刻處理結束，則係藉由第2搬送機構5來接收完成處理之基板S，另一方面，將未處理之下一基板S搬入。之後，將閘閥G2開啟，並從裝載鎖定室22a來接收未處理之新的基板S，另一方面，將完成處理之基板S搬入。被搬入了完成處理之基板S的裝載鎖定室22a，係將真空氛圍切換為大氣氛圍，之後，將閘閥G1開啟。第1搬送機構3，係從裝載鎖定室22a來接收完成處理之基板S，另一方面，將未處理之基板S搬入。完成處理之基板S，係被搬送至完成處理基板用之載體C2處，而對於該基板S之一連串的動作係結束。

於此，本實施形態之蝕刻裝置1，係藉由將上述動作連續性地實行，而能夠對於複數枚之基板S進行蝕刻處理。在上述之說明中，係注目於蝕刻裝置1之運轉開始時的動作，並對於從在將基板S搬入了裝置1內之後起而實行蝕刻處理並從裝置1搬出為止的動作作了概略檢視。因此，接下來，對於在運轉開始後，於各處理室4A~4C中進行有第2次以後之基板S的搬送，並在此些之處理室4A~4C中而連續性地實行基板S之處理的動作中，係如何地使用第2之搬送機構5來進行此些之第2次以後的基板S之搬入動作，或者是藉由何種之手法來與因應於處理配方而改變的處理時間相對應地而對於第2搬送機構5之動作速度(例如搬送臂之動作速度)作變更一事，作詳細說明。

圖5，係為對於在處理室4A~4C中所實行之對第2次以後的基板S所進行之蝕刻處理、以及在此些之處理室4A~4C與裝載鎖定室22a、22b之間的由第2搬送機構5所致之基板S的搬送動作之實行時序作展示的時序圖。此時序圖，係對於當基板S之搬入搬出動作成為了定常狀態的情況下之各機器的稼動狀態作展示。又，在同圖中，為了方便說明，係將在圖1、圖2中附加有符號4A而作了展示的處理室，標示為第1處理室4A，並將附加有符號4B者標示為第2處理室4B，且將附加有符號4C者標示為第3處理室4C。

如同已述一般，本實施形態之蝕刻裝置1，係具備有下述之功能：亦即是，係對於根據所選擇了的處理配方而實行之蝕刻處理的時間和由第2搬送機構5所致之基板S的搬入搬出動作作比較，當在該搬入搬出動作中發生有等待時間的情況時，則使搬送臂51、52之動作速度變慢。關於此功能，圖5，係對於將第2搬送機構5以預先所設定了的速度(例如最高速度)來動作，並且在各處理室4A~4C中之蝕刻處理的時間為相等之情況下之時序圖作展示。於圖5中，係將關於各處理室4A~4C之動作，於上下方向上區分為3段來作表示，於各段中，在上段側之時序圖處展示對於各處理室4A~4C之第2搬送機構5的動作時序，並在下段側之時序圖處展示蝕刻處理之時序。又，各時序圖，係設為使時間在從左手邊起而朝向右手邊的橫方向上前進者。

在各段之上段側的表中而以斜線作了影線標示的格，係代表：從將處理室4A~4C之閘閥G3開啟，並將結束了處理之基板S例如藉由搬送臂52來取出，且替代於此而將被保持在搬送臂51上之未處理的基板S搬入至處理室4A~4C中，直到將閘閥G3關閉為止，在處理室4A~4C側所進行之基板S的交換動作，而符號「PC1」則係代表在該動作中所需要之時間。又，相同的，在上段側的表中而以縱線作了影線標示的格，例如係代表：從使第2搬送機構5旋轉並使搬送臂51、52與裝載鎖定室22a相對向，且將裝載鎖定室22a之閘閥G1開啟而使搬送臂51進入，並將未處理之基板S從緩衝架26作接收，之後將保持於搬送臂52之完成處理之基板S在裝載鎖定室22a內之緩衝架26上而作了遞交，之後再度使第2搬送機構5作旋轉並成為與處理室4A~4C側相對向為止，在裝載鎖定室22a側所進行之基板S的交換動作。符號「LL1」，係代表在此動作中所需要之時間，而，在裝載鎖定室22b側所進行之基板S的交換動作中所需要之時間，亦為相同。對於裝載鎖定室22a、22b之基板S的交換動作，係交互地被進行。另一方面，下段側之表中的作了留白標示的格，係代表在各處理室4A~4C中所實行之蝕刻處理，而符號「P1」係代表在此處理中所需要之時間。

以下，針對在圖5之時序表中所展示之蝕刻裝置1的動作作說明。首先，針對第1處理室4A，如同在上段側表中所示一般，第2搬送機構5，係實行在第1處理室4A處之基板S的交換動作，若是對於第1處理室4A之未處理基板S的搬入結束，則如同在其之下段處所示一般，第1處理室4A係對於該基板S而開始進行蝕刻處理。與此蝕刻處理並行地，第2搬送機構5，係實行將從第1處理室4A所取出了的基板S搬入至裝載鎖定室22a中並將未處理之基板S作接收之裝載鎖定室22a側的交換動作。

若是接收了新的基板S，則第2搬送機構5係如同第2段之上段側的表中所示一般，進行將在第2處理室4B中而結束了處理的基板S取出並將新的基板S搬入之交換動作。而後，第2處理室4B，係實行針對被搬入了的基板S之蝕刻處理，第2搬送機構5，係與此並行地而實行在裝載鎖定室22b側之基板S的交換動作。

如此這般，針對第3處理室4C，亦進行基板S之交換動作和接續於其之後的蝕刻處理以及裝載鎖定室22a側之交換動作。而，在圖5所示之例中，在與關於此從第3處理室4C所接收了的基板S之在裝載鎖定室22a側的交換動作結束了的時序相同之時序處，第1處理室4A之蝕刻處理係結束，第2搬送機構5，係並不會發生等待時間地而實行針對第1處理室4A之下一個的基板S之交換動作。

如此這般，本實施形態之蝕刻裝置1，係如同第1處理室4A→第2處理室4B→第3處理室4C→第1處理室4A→…一般地而根據預先所制訂了的順序來依序進行基板S之搬入搬出。而後，若是基板S被搬入至各處理室4A~4C中，則係實行蝕刻處理，並與此並行地而依序交互實行在裝載鎖定室22a與裝載鎖定室22b側之基板S的交換動作。

而，在圖5所示之例中，在(1)由第1處理室4A所取出之基板S的在裝載鎖定室22a側之交換動作、(2)在第2處理室4B處之基板S的交換動作、(3)由第2處理室4B所取出之基板S的在裝載鎖定室22b側之交換動作、(4)在第3處理室4C處之基板S的交換動作、(5)由第3處理室4C所取出之基板S的在裝載鎖定室22a側之交換動作的一連串之動作中所需要之時間「PC1×2+LL1×3」，和與此些之動作並行地而實行之在第1處理室4A處的蝕刻處理之時間「P1」，係成為相等。

於此，當對於第1處理室4A作注目時，可以得知，在上述之(1)~(5)之一連串的動作中所需要之時間，係為從在該第1處理室4A中而成為能夠開始基板S之處理起(與動作(1)之開使時間點相一致)直到成為能夠開始下一個的基板S之搬入為止(與動作(5)之結束時間點相一致)之時間。而，如同已述一般，圖5，係對於在使第2搬送機構5以最高速度來動作的情況時之時序表作展示，當如同本例一般之(1)~(5)之動作時間為和在第1處理室4A中之處理時間「P1」相一致的情況時，結束了處理之基板S，係並不會發生等待時間地而被從第1處理室4A取出。

另一方面，當相較於(1)~(5)之動作中所需要之時間(由於此係為與蝕刻處理並行地而實施之交換動作的時間，因此，以下，係稱為「並行動作時間」)，而在第1處理室4A中之處理時間「P1」為更短的情況時，由於係無法開始基板S之交換動作，因此，結束了處理之基板S，係成為在第1處理室4A內作待機，直到第2搬送機構5結束了(5)之動作為止。

以上所說明了的並行動作時間((1)~(5)之動作時間)和蝕刻處理時間之間的關係，在其他之處理室4B、4C中，亦係存在有同樣的關係。故而，當將從在各處理室4A~4C中而成為能夠開始基板S之處理起直到成為能夠開始下一個的基板S之搬入為止所需要的時間(與並行動作時間相等)，和在各處理室4A~4C中之蝕刻處理的時間作了比較時，當成為「並行動作時間≧蝕刻處理時間」之關係時，若是越將第2搬送機構5之動作速度提高，則蝕刻裝置1之產率係越提升。

故而，於此情況，係以使第2搬送機構5以最高速度來動作為理想，本實施形態之蝕刻裝置1的控制部61，係根據臂速度決定程式613之命令，而對於蝕刻處理時間與使第2搬送機構5以最高速度來動作的情況時之並行動作時間(以下，稱作最短動作時間)作比較，當成為「最短動作時間≧蝕刻處理時間」之關係的情況時，係成為使第2搬送機構5以最高動作速度來動作。關於由控制部61所進行之該判斷程序的詳細內容，係於後再述。

另一方面，依存於所選擇之處理配方，亦會有成為「最短動作時間<蝕刻處理時間」的情況。圖6，係對於在蝕刻處理中所需要之時間「P2」係成為較上述之最短動作時間「PC1×2+LL1×3」而更長的情況時之時序表作展示。於此情況時，就算是使第2搬送機構5以最高速度來動作，在(5)之裝載鎖定室22a的交換動作結束了的時間點處，第1處理室4A之蝕刻處理亦係仍未結束，因此，係無法在該處理室4A處而開始基板S之交換動作，在第2搬送機構5之一連串的動作中，係會發生等待時間。

當如此這般而在第2搬送機構5側處發生有等待時間的情況時，對於在蝕刻裝置1全體中之基板S的連續處理之速度作決定者，由於係為蝕刻處理速度，因此，就算是使第2搬送機構5以最高速度來動作，亦僅會使等待時間變長。因此，本實施形態之蝕刻裝置1，係對於並行動作((1)~(5)之動作)之最短動作時間與蝕刻處理時間作比較，當成為「最短動作時間<蝕刻處理時間」的情況時，係因應於在此條件下所發生之第2搬送機構5的等待時間之長度，來使第2搬送機構5之動作速度變慢，藉由此，來對於第2搬送機構5之零件的損耗作抑制。

例如，在圖7中，對於當如圖6中所示一般而選擇了會成為「最短動作時間「PC1×2+LL1×3」<蝕刻處理時間(P2)」之製程配方，而使得在結束了從第3處理室4C所取出之基板S的在裝載鎖定室22a處之交換動作((5)之動作)後起直到成為能夠將下一個基板S搬入至第1處理室4A中為止的期間中，發生有等待時間的情況時之對應例作展示。於圖7之例中，係以使並行動作時間((1)~(5)之動作中所需要之時間)與蝕刻處理時間成為相同的方式，來例如將與(5)之裝載鎖定室22a的交換動作相關之第2搬送機構5的動作速度變慢，而將此動作時間設為「LL2(>LL1)」。換言之，在圖7之例中，係成為在緊接於將第2次以後的基板S搬入至第1處理室4A的動作之前所進行之關於裝載鎖定室22a的第2搬送機構5之動作速度變慢。

如同圖7中所示之例一般，藉由將(5)之動作中的第2搬送機構5之動作速度減慢了在圖6之情況中所會產生的等待時間之量，並設為「並行動作時間(PC1×2+LL1×2+LL2)=蝕刻處理時間(P2)」，在將從第3處理室4C所取出之基板S搬入至了裝載鎖定室22a中之後，若是接收了新的基板S，則係並不會產生等待時間，而能夠立即將該基板S搬入至第1處理室4A中。

若是對於上述之想法作一般化並作總結，則當設置有相互進行相同之製程之n個(n係為2以上之整數)的處理室4(製程模組)的情況時，第2搬送機構5，係從處理室4而將處理後之基板S搬出，並且對於藉由裝載鎖定室22a、22b(前段模組)所搬送了的基板S作了遞交後，將此處理後之基板S搬入至裝載鎖定室22a、22b中，接著，將對於新的基板S作接收之動作，以對於從第1個的處理室4起直到第n個的處理室4來依序連續地實行1個循環的方式而作控制，而，當若是搬送機構以預先所設定了的速度(例如最高速度)來作搬送並進行前述1個循環，則在下一次的1個循環的開始時，會由於第1個的處理室4成為處理中並產生有等待時間的情況時，係成為以將從第n個的處理室4而將完成處理之基板S作了搬出後之搬送動作設為以較預先所設定了的速度而更慢之速度來進行的方式，而輸出控制訊號。

於此，對於(5)之動作作注目並將第2搬送機構5之動作速度減慢的理由，係在於：若是將(1)~(4)之動作中的動作速度減慢，則由於在各處理室4A~4C中之基板S被搬入的時序係會延遲，因此，其結果，從在第1處理室4A中而開始蝕刻處理起直到在第3處理室4C中而結束蝕刻處理為止的1個循環之全體的處理時間係會變長，而使得蝕刻裝置1之產率降低之故。

又，在圖7之例中，雖係以使並行動作時間與蝕刻處理時間成為一致(成為無等待時間)的方式，來對於(5)之動作時間作了調節，但是，將第2搬送機構5之動作速度減慢的程度，係並不僅被限定於此。例如，只要是在較圖6中所示之動作時間「LL1」更長並且為圖7中所示之動作時間「LL2」以下一般的會使等待時間變短之動作時間的範圍內，便能夠得到將第2搬送機構5之動作速度變慢所致之效果。

接著，針對當選擇了如圖6中所示一般之會成為「最短動作時間(PC1×2+LL1×3)<蝕刻處理時間(P2)」之處理配方的情況時，對於(5)之動作的第2搬送機構5之動作速度作調節的手法作說明。圖8，係對於在裝載鎖定室22a側處之基板S的交換動作之內容作展示。於此，如同已述一般，由於除了對於裝載鎖定室22a、22b所進行之基板S的交換動作係為被交互進行之外，處理室4A~4C亦係存在有3台，因此，亦會有(5)之動作係為在處理室與裝載鎖定室22b之間而被進行的情況，但是，為了方便說明，在以下之說明中，係著眼於裝載鎖定室22a並作說明。故而，以下之使用圖8~圖10所進行的說明，針對對於裝載鎖定室22b所進行之搬送動作，亦會成立。

若依據圖8，則從處理室4A~4C之任一者而接收了完成處理之基板S的第2搬送機構5，係使支持部53作旋轉並使搬送臂51、52與裝載鎖定室22a相對向，另一方面，在裝載鎖定室22a側，係將閘閥G2開啟，並作待機(動作M1，所需時間A秒)。接著，使並未持有基板S之搬送臂51作伸展，並使其進入至裝載鎖定室22a內(動作M2，所需時間B秒)，並從緩衝架26而接收未處理之基板S(動作M3，所需時間C秒)，再使此搬送臂51退縮，而將基板S搬出(動作M4，所需時間B秒)。

而後，使第2搬送機構5作上下移動，並將正保持有完成處理之基板S的搬送臂52移動至裝載鎖定室22a之開口部的高度位置處(動作M5，所需時間D秒)，並在使此搬送臂52伸展而使其進入至裝載鎖定室22a內之後(動作M6，所需時間B秒)，將完成處理之基板S載置至緩衝架26上(動作M7，所需時間C秒)。之後，在使搬送臂52退縮並使其從裝載鎖定室22a而退出後(動作M8，所需時間B秒)，為了使搬送臂51、52與接下來而將基板S作搬入之處理室4A~4C相對向，而使支持部53作旋轉，並且，將閘閥G2關閉，而結束該交換動作(動作M9，所需時間A秒)。

於此，在圖8中所示之各伸縮動作(M2、M4、M6、M8)的所需時間「B」，係代表當使搬送臂51、52以最高速度來動作的情況時之所需時間。

於此，在圖8所示之基板S的交換動作中，在各搬送臂51、52之伸展動作(M2、M6)、退縮動作(M4、M8)中所需要的時間，係成為一定之B秒。因此，在本實施形態之蝕刻裝置1中，係藉由將在此些之伸縮動作中的搬送臂51、52之伸縮速度變慢，例如將此些之M2、M4、M6、M8的動作時間設為「B’秒(>B秒)」，而將(5)之動作時間設為「LL2」。

於此，為了將搬送臂51、52之伸縮動作變慢，並使圖6中所示之(5)的動作時間「LL1」成為圖7中所示之動作時間「LL2」，係只要將相當於圖6中所示之等待時間的時間，均分到上述之伸縮動作(M2、M4、M6、M8)中即可。此等待時間，係為從圖6中所示之在各處理室4A~4C中的蝕刻處理時間「P2」而減去了(1)~(5)為止之最短動作時間「PC1×2+LL1×3」後的時間。故而，均分至各伸縮動作處之等待時間，係為「P2-(PC1×2+LL1×3)」，在使搬送臂51、52以最高速度來動作時之所需時間「B」處而加算上了將上述等待時間除以4後所得之結果後而得到的值「B’=B+{P2-(PC1×2+LL1×3)}/4」，係成為為了消除等待時間所需要的新的所需時間。

接著，參考圖9、圖10，針對將在搬送臂51、52之各伸縮時間中所需要的所需時間從B而變更為B’的手法之其中一例作說明。圖9，係對於搬送臂51、52之伸展動作(M2、M6)之例作展示，圖10，係對於退縮動作(M4、M8)作展示。各圖之橫軸，係展示在伸縮動作中所需要的所需時間(秒)，縱軸係代表動作速度(m/秒)。又，縱軸，係將從第2搬送機構5側起而對於裝載鎖定室22a側作伸展之速度標示為正值，並將從裝載鎖定室22a側起而對於第2搬送機構5側作退縮之速度標示為負值。

例如，在圖9所示之伸展動作中，為了將使搬送臂51、52從第2搬送機構5上之待機位置起而伸展至裝載鎖定室22a內之基板S的授受位置處為止的伸展動作中所需要之時間從「B」秒而變更為「B’」秒，係只要將搬送臂51、52之動作速度從「b」(m/秒)變更為「b’」(m/秒)(b>b’)即可。

此時，當搬送臂51、52之加速度(相對於單位時間之動作速度的斜率)係為「a(m/秒² )」而為一定的情況時，在動作速度為「b、b’」的情況下之搬送臂51、52的移動距離，係分別藉由在圖9中以實線以及虛線所展示之梯形的面積來作代表。故而，只要以使當將所需時間變更為「B’」的情況時之梯形的面積成為與動作速度「b」、所需時間「B」的情況時之梯形的面積成為相等的方式，來求取出新的動作速度「b’」即可。而後，若是將在上述之「B’」之計算式中而加算在各伸縮動作中的時間設為「ΔB={P2-(PC1×2+LL×3)}/4」」，則在「b’=b×{B/(B+ΔB)}」的情況時，2個的梯形之面積係成為相等。

而，藉由將在根據此種想法所決定之搬送臂51、52的動作速度「b’」下所得到之加速時間「T1」計算出來，並僅在時間「T1」中而以加速度「a」來將搬送臂51、52加速並成為速度「b’」，再維持此速度地而作時間「B’-2×T1」的定速運動，而後以加速度「-a」來作時間「T1」之減速，能夠在動作開始起之「B’」秒後，使搬送臂51、52停止在基板S之授受位置處。

又，當退縮動作的情況時，係只要如同圖10中所示一般，將加速方向設為伸展動作的情況時之反轉方向，並使搬送臂51、52動作即可。

如同以上所說明一般，本實施形態之蝕刻裝置1，係成為能夠因應於藉由所選擇了的處理配方而實行之蝕刻的處理時間，來對於第2搬送機構5之動作速度作變更。圖11，係對於在此動作速度之變更中，根據臂速度決定程式613所實行之動作的流程作展示。當在蝕刻裝置1中而開始基板S之處理時(start)，若是在此次之處理中所實行之配方資料621被作了選擇(步驟S1)，則係將被選擇了的配方資料621之資料中所記憶的蝕刻之處理時間與(1)~(5)之並行動作中所需要之最短動作時間作比較(步驟S2)。比較之結果，當成為「最短動作時間≧蝕刻處理時間」的情況時(步驟S3：YES)，係將搬送臂51、52之動作速度設定為最高速度(步驟S4)，並結束動作速度之變更作業(END)。

另一方面，當成為「最短動作時間<蝕刻處理時間」的情況時，係從處理時間與最短動作時間之間的差，來計算出在(5)之動作中的搬送臂51、52之新的動作時間「B’」(步驟S5)。而後，因應於所計算出之動作時間，而對於在上述動作中之搬送臂51、52的動作速度作設定(步驟S6)，並結束動作速度之變更作業(END)。

於此，在使用有圖5~圖11之以上的說明中，雖係針對將預先所設定了的速度設為例如第2搬送機構之最高速度的情況而作了說明，但是，就算是在此預先所設定了的速度為較最高速度更慢的情況時，同樣的想法亦係成立。例如，當在蝕刻裝置1之運轉開始時而作業員將動作速度設定在直到最高速度為止的範圍內的情況等之時，此一速度係成為預先所設定了的速度。於此情況，係藉由將在圖5~圖11之說明中所使用了的最短動作時間置換為與該所設定了的動作速度相對應之動作時間，而能夠實行與至此為止的說明中相同之動作。

若依據本實施形態之蝕刻裝置1，則係可得到下述之效果。當若是在身為製程模組之處理室4A~4C與身為前段模組之裝載鎖定室22a或者是裝載鎖定室22b之間而將基板S之搬送動作以預先所設定了的速度來實施，則在第2搬送機構5之一連串的動作中會產生有等待時間時，由於係使此第2搬送機構5之動作速度變慢(使搬送速度減少)，因此，係不會使搬送臂51、52作必要以上之過度的稼動，而能夠在相較於先前技術而更加緩和的條件下作使用。其結果，構成搬送臂51之零件的損耗係被抑制，而能夠將零件之交換週期或者是蝕刻裝置1之維修週期延長，並能夠對於在零件之交換中所需要的成本或者是伴隨著維修所導致之裝置稼動率的降低作抑制。

以上，在使用圖1~圖11所說明了的形態中，雖係對於具備有2個的裝載鎖定室之多腔型的蝕刻裝置1之例子而作了展示，但是，能夠適用本發明之處理裝置，係並不被限定於多腔系統，例如，亦可適用在經由真空搬送室23而將1個的裝載鎖定室22與1個的處理室4A作了連接的單腔型之蝕刻裝置1中。圖12(a)，係為對於在處理室4A處之1個循環的動作時間中所實行的裝載鎖定室22側處之基板S的交換動作(最短動作時間「LL1」)、處理室4A側處之基板S的交換動作(最短動作時間「PC1」)、在處理室4A處之蝕刻處理(處理時間「P1」)之間的關係作了展示的時序表。在此些之圖中，亦同樣的，藉由斜線所作了影線標示之格，係代表處理室4A側之交換動作，以縱線而作了影線標示之格，係代表裝載鎖定室22側之交換動作，留白之格，係代表蝕刻處理。若依據本圖，則當「LL1≧P1」之關係成立的情況時，由於基板S之交換動作係決定動作時間，因此，係以使第2搬送機構5以最高速度來動作為理想。

相對於此，當因應於所實行之處理，而使蝕刻處理之時間變長，而在其與新的處理時間「P2」之關係中成立有「LL1<P2」之關係的情況時，動作時間係藉由蝕刻處理之時間而被決定，若是使第2搬送機構5以最高速度來動作，則會產生等待時間(圖12(b))。因此，在此情況中，係如圖12(c)中所示一般，藉由在不會使裝載鎖定室22側處之基板S的交換動作時間「LL2」成為較蝕刻處理之時間而更長的範圍內，而將第2搬送機構5之動作速度變慢，能夠將等待時間消除或者是變短，並能夠對於構成第2搬送機構5之零件的損耗作抑制。

以上，在圖7或是圖12之時序表所示之例中，係對於當實行裝載鎖定室22側處之基板S的交換動作時，裝載鎖定室22係已結束了從大氣氛圍而切換至真空氛圍的動作，而裝載鎖定室22之動作並不會對於由第2搬送機構5所致之基板S的交換動作造成妨礙的情況，而作了展示。然而，在將完成處理之基板S搬入至裝載鎖定室22中之後，係有必要實行下述之各動作：亦即是，將真空氛圍切換為大氣氛圍之動作、和於第1搬送機構3側處所進行之將完成處理之基板S搬出至載體C2側處並將未處理之新的基板S作搬入之交換動作、以及若是將新的基板S作了搬入則將裝載鎖定室22內作真空抽氣並切換為真空氛圍之動作。此些之動作，係在實行處理室4A~4C之交換動作的期間中，而被並行地進行。例如，當僅具備有1個的裝載鎖定室22之多腔系統的情況時，係亦會有無法立即開始裝載鎖定室22之交換動作的情況。以下，使用圖13~圖15，針對就算是在此種情況下亦能夠將本發明作適用一事，簡單地作說明。

圖13，係為對於在具備有1個的裝載鎖定室22與3個的處理室4A~4C之蝕刻裝置1中，裝載鎖定室22側之真空抽氣等的動作會對於該裝載鎖定室22處之基板S的交換動作造成影響的情況時之時序表作展示。時序表之構成，雖係與已述之圖5等相同，但是，最上段之以灰階來作了影線標示的格，係代表裝載鎖定室22側之在大氣側處的基板S之交換動作或者是其後的真空抽氣等之動作，符號「L1」係代表在該動作中所需要之時間。於此例中，係成為「L1>PC1(處理室4A~4C側之基板S的交換時間)」若是裝載鎖定室22側之動作尚未結束，則係無法開始該裝載鎖定室22之從真空搬送室23側而來的基板S之交換動作(以縱線而作了影線標示之格)。在本例中，第2搬送機構5，係亦設為以預先所設定了的速度(例如最高速度)來動作者。

故而，在圖13之例中，與蝕刻動作並行地而被實施之動作，係除了處理室4A~4C側之基板S的交換動作和裝載鎖定室22側之交換動作之外，亦需要對於直到裝載鎖定室22自身之動作結束並成為能夠開始裝載鎖定室22側之交換動作為止的等待時間作考慮。例如，若是對於第1處理室4A作注目，則此些之時間，係成為下述時間之合計：亦即是，針對第1處理室4A之直到裝載鎖定室22之動作結束並開始基板S之交換動作為止的等待時間「L1-PC1」、和由第2搬送機構5所致之裝載鎖定室22側的交換時間「LL1」、和第2、第3處理室4B、4C之交換動作「PC1×2」、和直到裝載鎖定室22之動作結束為止的等待時間「(L1-PC1)×2」、以及裝載鎖定室22側之交換時間「LL1×2」。若是對此作整理，則並行動作時間係以「(L1-PC1)+L1×2+LL1×3」而作表示，於本例中，此並行動作時間，係與蝕刻處理時間「P1」相等。

此時，若是如圖14中所示一般，蝕刻處理之時間係成為「P2(>P1)」，則在從第3處理室4C所取出了的基板S之裝載鎖定室22側的交換動作結束起直到對於第1處理室4A之下一個基板S的交換動作開始為止的期間中，係會產生新的等待時間。在此種情況中，係如圖15中所示一般，藉由將在第3處理室4C處之相關於裝載鎖定室22的交換動作之動作時間設為「LL2(>LL1)」，來將第2搬送機構5之動作速度變慢，而能夠對於構成第2搬送機構5之零件的損耗作抑制。於此情況，係以成為「新的並行動作時間((L1-PC1)+L1×2+LL1×2+LL2)=蝕刻處理時間(P2)」的方式，來例如將搬送臂51、52之伸縮速度等變慢，而將等待時間消除或者是使其變短的方式，來決定LL2。而，當欲將等待時間消除的情況時，例如，係可藉由將圖8中所示之M2、M4、M6、M8的動作時間設為「B’=B+[P2-{(L1-PC1)+L1×2+LL1×3}]/4」，來進行動作時間之調整。又，亦可例如以將在各處理室4A~4C與裝載鎖定室22之間的第2搬送機構5之旋轉動作(圖8之M1)的速度降低的方式，來進行動作時間之調整。

圖16(a)~圖16(c)，係為對於在單腔型之蝕刻裝置1中的裝載鎖定室22之動作會對於基板S之搬入造成影響的情況之例作展示。在此些之圖中，亦同樣的，藉由斜線所作了影線標示之格，係代表處理室4A側之交換動作，以縱線而作了影線標示之格，係代表裝載鎖定室22側之交換動作，留白之格，係代表蝕刻處理，以灰階而作了影線標示之格，係代表裝載鎖定室22之真空抽氣等的動作。若依據圖16(a)，則裝載鎖定室22自身之動作時間，係較處理室4A側之交換時間更長，若是此一動作尚未結束，則無法開始該裝載鎖定室22側之基板S的交換動作。而，若依據圖16(a)，則雖係成為「(L1-PC1)+LL1=P1」，但是，當「(L1-PC1)+LL1≧P1」之關係成立的情況時，由於基板S之交換動作係決定動作時間，因此，係以使第2搬送機構5以最高速度來動作為理想。

相對於此，當蝕刻處理之時間變長，而在其與新的處理時間「P2」之關係中成立有「(L1-PC1)+LL1<P2」之關係的情況時，動作時間係藉由蝕刻處理之時間而被決定，若是使第2搬送機構5以最高速度來動作，則會產生等待時間(圖16(b))。因此，在此情況中，係藉由在不會使以「(L1-PC1)+LL2」所計算出之時間成為較蝕刻處理之時間而更長的範圍內，而決定新的在裝載鎖定室22側之基板S的交換動作時間「LL2」，並將第2搬送機構5之動作速度變慢，而能夠對於構成第2搬送機構5之零件的損耗作抑制。

在以上所說明了的各例中，係對於藉由將搬送臂51、52之伸縮速度變慢來對於在裝載鎖定室22側處之基板S的交換時間作調節之手法，而作了例示，但是，使第2搬送機構5之動作速度變慢的手法，係並不被限定於此例。例如，亦能夠設為藉由將相關於在真空搬送室23中之使第2搬送機構5作旋轉的動作(圖8之M1、M9)或者是第2搬送機構5之升降動作(圖8之M5)等的速度變慢，來對於上述之交換時間作調節。

又，在本例中，雖係針對藉由處理室4A~4C來實行基板S之蝕刻處理的例子而作了展示，但是，在此些之處理室4A~4C內所實行之處理的種類，係並不被限定於此，例如，亦可進行灰化處理或者是CVD(Chemical Vapor Deposition)等之成膜處理。又，在多腔系統中，處理室4A之個數，係並不被限定於3個，亦可為2個或者是4個以上，又，被處理體，係亦可為半導體晶圓等。

又，在例如將2個的第1、第2處理室4A、4B構成為進行蝕刻處理之處理室，並將剩餘之1個的第3處理室4C構成為進行灰化處理之處理室，而以裝載鎖定室22→第1、第2處理室4A、4B(蝕刻處理)→第3處理室4C(灰化處理)→裝載鎖定室22的順序來將基板S作搬送之處理裝置中，當在從第1、第2處理室4A、4B而朝向第3處理室4C之基板S的搬送中而產生有等待時間的情況時，而將第2搬送機構5之動作速度變慢的情況，亦係包含於本發明之技術範圍內。於此情況，例如進行蝕刻處理之第1、第2處理室4A、4B，係相當於前段模組，進行灰化處理之第3處理室4C，係相當於製程模組。

除此之外，在上述實施形態之蝕刻裝置1中，雖係如同圖11中所示一般，在蝕刻裝置1之運轉開始時，係進行有對於被記憶在配方資料621中之蝕刻的處理時間和在(1)~(5)之並行動作中所需要之最短動作時間作比較，並對於在(5)之動作中的動作速度預先作變更的判斷，但是，此種判斷，係並不被限定於在蝕刻裝置1之運轉開始時而預先進行的情況，而亦可一面實行搬送動作一面進行之。例如，亦可設為：第2搬送機構5，係正根據圖8中所示之動作的流程而實行(5)之動作，並當在裝載鎖定室22a、22b內而結束了將基板S作載置之動作(圖8之M7)的時間點處，對於接著將基板S作搬送之處理室4A~4C的處理之進行狀況作確認，並當成為會產生等待時間的情況時，以使此等待時間消失或者是變短的方式，來將接收基板S之搬送臂52的退縮動作(同M8)、支持部53之旋轉動作(同M9)的動作變慢。

又，亦可設為隨時地且自動地進行關於處理時間與搬送時間之間之關係的演算處理，並將搬送機構5之動作速度變更為最適當之速度。若是列舉出具體的例子，則例如在利用有電漿之蝕刻處理中，係存在有下述一般之被稱作結束點控制的手法，亦即是，係藉由監視器等來對於電漿作監視，並例如檢測出電漿之發光狀態，而在此發光狀態作改變之時序(結束點)處而使蝕刻處理結束，藉由此，而就算是在膜厚等有所變化的情況時，亦能夠得到均一之蝕刻結果。於此情況中，由於與基板S之搬送時間等作比較之蝕刻處理的時間，係恆常會有變動的可能性，因此，例如係亦可設為：將前一個的批次(在1個的載體C1內所儲存之例如20枚的基板S)之平均的處理時間，暫時設定為下一個的批次之處理時間，並當相對於此暫時所設定了的處理時間而產生有搬送機構5之等待時間時，使該搬送機構5之搬送速度減少。

又，在圖1~圖3中所作了展示的蝕刻裝置1之第2搬送機構5，雖然係具備有複數之搬送臂、例如具備有2個的搬送臂52、53，但是，針對僅具備有1個的搬送臂之搬送機構，亦可將本發明作適用。例如，在圖17中所示之處理裝置10，係在搬入用、搬出用之2個的載體C1、C2之間，而以直線狀來配置有第1處理室4A(例如進行對於基板S之膜的塗布處理)和第2處理室4B(例如進行被作了塗布之膜的加熱處理)，並成為藉由被配置在此些之各載體C1、C2和處理室4A、4B間之3台的搬送機構5A~5C，來在箭頭的方向上而將基板S作搬送之構成。

於此情況，搬送機構5B係對於第1處理室4A而僅進行基板S之搬出動作，並對於第2處理室4B而僅進行基板S之搬入動作。故而，並不會產生如同如同圖1中所示之蝕刻裝置1一般之使第2搬送機構5從裝載鎖定室22a、22b來將未處理之基板S搬出並將完成處理之基板S搬入的所謂基板S之交換動作，搬送機構5B，係能夠藉由1個的搬送臂來將基板S作搬送。

此時，就算是在從第1處理室4A(相當於前段模組)所對於第2處理室4B(相當於製程模組)之基板S的搬送動作中產生有等待時間的情況時，亦能夠藉由使由搬送機構5B所致之基板S的搬送動作變慢(使搬送速度減少)，而抑制零件之損耗，並將維修週期延長。

S．．．基板

1．．．蝕刻裝置

2A、2B．．．載體載置部

21．．．升降機構

22、22、22a、22b．．．裝載鎖定室

23．．．真空搬送室

3．．．第1搬送機構

4A~4C．．．處理室

5．．．第2搬送機構

51、52．．．搬送臂

61．．．控制部

613．．．臂速度決定程式

[圖1]對於本發明之實施形態的蝕刻裝置之外觀構成作展示的立體圖。

[圖2]前述蝕刻裝置之橫斷平面圖。

[圖3]對於被設置在前述蝕刻裝置之真空搬送室內的第2搬送機構之外觀構成作展示的立體圖。

[圖4]對於前述蝕刻裝置之電性構成作展示的區塊圖。

[圖5]對於在前述蝕刻裝置中所實行的基板之搬送動作以及處理動作的時序作展示之第1說明圖。

[圖6]對於前述時序作展示之第2說明圖。

[圖7]對於前述時序作展示之第3說明圖。

[圖8]對於由前述第2之搬送機構所進行的對於裝載鎖定室之基板的交換動作之內容作展示的說明圖。

[圖9]對於對被設置在第2之搬送機構處的搬送臂之動作速度作調節的手法作展示之說明圖。

[圖10]對於對搬送臂之動作速度作調節的手法作展示之第2說明圖。

[圖11]對於對前述搬送臂之動作速度作調節的動作之流程作展示的流程圖。

[圖12]對於處理室為1台之蝕刻裝置中的基板之搬送動作以及處理動作的時序作展示之說明圖。

[圖13]基板之搬送動作以及處理動作的時序之其他例子作展示之第1說明圖。

[圖14]對於前述其他例子作展示之第2說明圖。

[圖15]對於前述其他例子作展示之第3說明圖。

[圖16]對於處理室為1台之蝕刻裝置中的基板之搬送動作以及處理動作的時序之其他例子作展示之說明圖。

[圖17]對於其他例子之處理裝置作展示的平面圖。

1．．．蝕刻裝置

5．．．第2搬送機構

61．．．控制部

62．．．記憶體

63．．．臂控制器

611．．．CPU

612．．．程式儲存部

613．．．臂速度決定程式

621．．．配方資料

622．．．裝載鎖定室交換最短時間資料

Claims

一種處理裝置，具備：用以對於被處理體進行處理之製程模組；載置被搬入至該製程模組之前的被處理體之前段模組；以及用以在前述製程模組與前述前段模組之間搬送被處理體之搬送機構，該處理裝置之特徵為：具備有控制部，其係在前述搬送機構之搬送動作中，當發生有一連串之搬送動作被暫時停止之前述搬送機構的等待時間時，輸出藉由延長搬送臂之伸長及退縮之動作時間而使前述搬送機構之搬送速度減少的控制訊號，前述製程模組存在有複數，在依序將被處理體從上述前段模組搬入至複數之製程模組中的一循環中，上述控制部係對將前述被處理體從最後搬入有被處理體之製程模組搬入至前述前段模組的前述搬送機構之搬送動作，輸出使搬送速度減少之控制訊號。
如申請專利範圍第1項所記載之處理裝置，其中，前述控制部，係根據在前述製程模組中對被處理體的處理時間，來決定前述搬送速度之減少比例。
如申請專利範圍第1項所記載之處理裝置，其中，前述搬送速度為對前述前段模組進行之被處理體的搬入、搬出速度。
如申請專利範圍第1項所記載之處理裝置，其中，前述製程模組為用以進行真空處理之處理室，前述搬送機構係被設置在與前述製程模組相連接之真空搬送室中，前述前段模組為被與前述真空搬送室相連接之裝載鎖定室。