JP2010283285A - 処理装置 - Google Patents

処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010283285A
JP2010283285A JP2009137500A JP2009137500A JP2010283285A JP 2010283285 A JP2010283285 A JP 2010283285A JP 2009137500 A JP2009137500 A JP 2009137500A JP 2009137500 A JP2009137500 A JP 2009137500A JP 2010283285 A JP2010283285 A JP 2010283285A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
substrate
time
chamber
speed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009137500A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5428556B2 (ja
JP2010283285A5 (ja
Inventor
Hideki Komada
秀樹 駒田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2009137500A priority Critical patent/JP5428556B2/ja
Priority to KR1020100031642A priority patent/KR101234099B1/ko
Priority to CN2010101887457A priority patent/CN101908469B/zh
Priority to TW099118379A priority patent/TWI483336B/zh
Publication of JP2010283285A publication Critical patent/JP2010283285A/ja
Publication of JP2010283285A5 publication Critical patent/JP2010283285A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5428556B2 publication Critical patent/JP5428556B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00Programme-control systems
    • G05B19/02Programme-control systems electric
    • G05B19/42Recording and playback systems, i.e. in which the programme is recorded from a cycle of operations, e.g. the cycle of operations being manually controlled, after which this record is played back on the same machine
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/39Robotics, robotics to robotics hand
    • G05B2219/39527Workpiece detector, sensor mounted in, near hand, gripper
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45031Manufacturing semiconductor wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】搬送機構の部品の消耗を抑え、従来に比べてメンテナンス間隔の長い処理装置を提供する。
【解決手段】プロセスモジュールは被処理体に対して処理を行い、前段モジュールにはこのプロセスモジュールに搬入される前の被処理体が載置される。搬送機構5は、プロセスモジュールと前記前段モジュールとの間で、被処理体を搬送し、制御部61は、一連の搬送動作が一時停止する前記搬送機構の待ち時間が発生するときに、前記搬送機構の搬送速度を減少させる制御信号を出力する。
【選択図】図4

Description

本発明は、例えばフラットパネルディスプレイ(以下、FPD(Flat Panel Display)という)に使用されるガラス基板などの被処理体に対してエッチング処理などを実行する処理装置に係り、特に当該処理装置内にて被処理体を搬送する技術に関する。
被処理体である基板にエッチングなどの処理を実行する処理装置には、装置内で基板を搬送する搬送機構を備えているものがあり、この搬送機構の動作速度は、予め設定されている。例えば、装置1台が処理すべき1時間当たりの処理枚数(スループット)を決め、これを満足するように搬送機構の動作速度は決められている。
ところでエッチング処理などの真空処理を実行する処理室が、真空搬送室に複数接続されたマルチチャンバシステムなどと呼ばれる処理装置には、大気雰囲気と真空雰囲気の切り替えを実行するロードロック室が、前記の真空搬送室に隣接して設けられている。そして、このロードロック室を介して基板を搬入出することにより、真空搬送室や処理室内を常時真空状態に保っている。真空搬送室内の搬送機構は、真空搬送室内を移動して、各処理室への基板の搬入出及び、ロードロック室への基板の搬入出を行う。
このようなマルチチャンバシステムにおいてスループットを上げるためには、各処理室が休止することなく、処理を続けることが重要である。そのためには、処理室が処理を終える前には、未処理基板を処理室へ搬入できる状態にする必要がある。処理室における処理時間が短い場合などは、処理室への未処理基板の供給を円滑に行うため、ロードロック室の大気雰囲気と真空雰囲気の切り替えを早くする以外に、真空搬送室内を移動して、各処理室への基板の搬入出及び、ロードロック室への基板の搬入出を行う搬送機構の動作速度を早くすることも必要である。
処理室における処理時間は、実施する処理の種類によって異なる。しかし、搬送機構の動作速度は、実施が予定される処理の中で、最も処理時間の短い処理のときでも、搬送機構の動作によりスループットが低下しないように設定される。そのため、実際に実施される処理が処理時間の長い処理であった場合には、搬送機構の動作に待ち時間が発生することになる。
他方、搬送機構のベアリングやリニアガイドなどの部品は、グリースアップを行ったり、部品交換をするなどのメンテナンスを定期的に行う必要がある。これら搬送機構を構成する部品の消耗といった観点に着目すると、搬送機構の動作速度とその部品の消耗度との間には、動作速度を速くする程、消耗度が大きくなる関係があるため、動作速度の速い搬送機構では、短い周期にて定期的にメンテナンスを行う必要がある。
しかしながら、長辺の長さが2m近くにもなるFPDなどの角型基板を搬送する大型の搬送機構などでは、こうしたメンテナンスは丸一日を要する作業となる。このためマルチチャンバシステムなどの生産効率の高い処理装置においては、搬送機構の部品の消耗が装置の生産効率を低下させる要因の一つとなっている。
ここで特許文献1には、ウエハへの現像液の塗布、現像を行う塗布、現像装置において、装置内に分散して配置された処理内容の異なる処理ユニット間でウエハを搬送するにあたり、処理ユニット間の距離に応じてウエハの搬送速度を変化させることが可能な搬送機構が記載されている。この搬送機構では、搬送距離が短くなるほどウエハ搬送時の加速度及び減速度を小さくすることにより、モータにかかる過大なトルク変動を抑えて振動の発生を防止している。しかしながら特許文献1には、同一の処理ユニット内で実行される処理の時間が変化するといった事情の記載はなく、また搬送機構の部品の消耗といった問題には着目されていない。
特開平8−222618号公報:0058段落、0064段落、図1
本発明はこのような事情に鑑みておりなされたものであり、その目的は、搬送機構の部品の消耗を抑え、従来に比べてメンテナンス間隔の長い処理装置を提供することにある。
本発明に係る処理装置は、被処理体に対して処理を行うためのプロセスモジュールと、
該プロセスモジュールに搬入される前の被処理体が載置される前段モジュールと、
前記プロセスモジュールと前記前段モジュールとの間で、被処理体を搬送するための搬送機構と、を有する処理装置であって、
前記搬送機構の搬送動作において、一連の搬送動作が一時停止する前記搬送機構の待ち時間が発生するときに、前記搬送機構の搬送速度を減少させる制御信号を出力する制御部を備えたことを特徴とする。
前記処理装置は、さらに以下の特徴を備えていてもよい。
(a)前記プロセスモジュールは複数あり、複数のプロセスモジュールに順次、被処理体を搬入する場合、最初に被処理体を搬入したプロセスモジュールに対して、2回目以降の被処理体の搬入直前に実施する前記前段モジュールについての前記搬送機構の一連の搬送動作に対して、前記制御部は搬送速度を減少させる制御信号を出力すること。
(b)前記制御部は、前記プロセスモジュールにおける被処理体への処理時間を元に、前記搬送速度の減少割合を決定すること。
(c)前記搬送速度は、前記前段モジュールに対する被処理体の搬入、搬出速度であること。
(d)前記プロセスモジュールは、真空処理を行うための処理室であり、前記搬送機構は、前記プロセスモジュールに接続された真空搬送室に設けられ、前記前段モジュールは、前記真空搬送室に接続されたロードロック室であること。
本発明によれば、プロセスモジュールと前段モジュールとの間の被処理体の搬送を行う搬送機構の一連の動作に待ち時間が発生するときに、この搬送機構の搬送速度を減少させるので、搬送機構を必要以上に過酷に稼動させず、従来よりも緩和な条件の下で使用することができる。この結果、搬送機構を構成する部品の損耗が抑えられて、部品の交換周期や処理装置のメンテナンス周期を長くし、部品の交換に要するコストやメンテナンスに伴う装置稼働率の低下を抑制することができる。
本発明の実施の形態に係るエッチング装置の外観構成を示す斜視図である。 前記エッチング装置の横断平面図である。 前記エッチング装置の真空搬送室内に設けられている第2の搬送機構の外観構成を示す斜視図である。 前記エッチング装置の電気的構成を示したブロックである。 前記エッチング装置にて実行される基板の搬送動作及び処理動作のタイミングを示す第1の説明図である。 前記タイミングを示す第2の説明図である。 前記タイミングを示す第3の説明図である。 前記第2の搬送機構によるロードロック室への基板の入れ替え動作の内容を示す説明図である。 第2の搬送機構に設けられている搬送アームの動作速度を調節する手法を示す説明図である。 搬送アームの動作速度を調節する手法を示す第2の説明図である。 前記搬送アームの動作速度を調節する動作の流れを示す流れ図である。 処理室が1台のエッチング装置における基板の搬送動作及び処理動作のタイミングを示す説明図である。 基板の搬送動作及び処理動作のタイミングの別の例を示す第1の説明図である。 前記別の例を示す第2の説明図である。 前記別の例を示す第3の説明図である。 処理室が1台のエッチング装置における基板の搬送動作及び処理動作のタイミングの別の例を示す説明図である。 他の例に係る処理装置を示す平面図である。
本発明の実施の形態に係る処理装置の一例として、被処理体であるFPD用のガラス基板(以下、基板という)に対して、真空処理であるエッチング処理を実行するマルチチャンバ型のエッチング処理装置の構成例について、図1、図2を参照しながら説明する。図1はエッチング装置1の外観構成を示す斜視図、図2はその内部構成を示す横断平面図である。
図1、図2に示すように、エッチング装置1にはキャリア載置部2A、2Bが設けられており、多数の基板Sを収容したキャリアC1、C2を外部から搬送して載置することができる。各キャリア載置部2A、2Bには例えば昇降機構21が設けられていて、キャリアC1、C2を自在に昇降することができる。本例では一方側のキャリアC1に未処理の基板Sが収容され、他方側のキャリアC2には処理済みの基板Sが収容されるようになっている。以下、これらキャリア載置部2A、2Bの設けられている方向をエッチング装置1の手前側として説明する。
キャリア載置部2A、2Bの間には、これらのキャリアC1、C2と、後述のロードロック室22a、22bとの間で基板Sの受け渡しを行うための第1の搬送機構3が設けられている。この第1の搬送機構3は支持台24上に設けられており、上下方向に2段に連設された搬送アーム31、32と、これらの搬送アーム32、33を進退自在、及び回転自在に支持する基台33と、を備えている。
これらキャリア載置部2A、2Bや第1の搬送機構3の奥手には、上下に重なった二つのロードロック室22a、22b、及び真空搬送室23が手前側からこの順に接続されていて、当該真空搬送室23の奥側には本実施の形態の基板処理室である3つの処理室4A〜4Cが配置されている。ロードロック室22a、22bの各々は、別々に内部雰囲気を常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切り替え可能であり、第1の搬送機構3と真空搬送室23との間を搬送される基板Sを一時的に載置する役割を果たしている。図2に示すようにロードロック室22a、22bの各々の内部には、基板Sを支持するバッファラック26と、基板Sの載置位置をガイドするポジショナー25とが配設されている。このロードロック室22a、22bは、本実施の形態の前段モジュールに相当している。
真空搬送室23は真空雰囲気内に保持され、ロードロック室22a、22bと各処理室4A〜4Cとの間で基板Sが搬送される空間である。真空搬送室23内には、本実施の形態の搬送機構である第2の搬送機構5が設けられており、当該第2の搬送機構5によって基板Sが搬送されるようになっている。第2の搬送機構5の具体的な構成については後述する。
また前記第1の搬送機構3からロードロック室22a、22b内へと基板Sが搬入出される開口部、ロードロック室22a、22bと真空搬送室23との間、真空搬送室23と各処理室4A〜4Cとの間には、これらを気密にシールし、かつ開閉可能に構成されたゲートバルブG1〜G3が各々介設されている。
処理室4A〜4Cは、その内部において基板Sに対してエッチング処理を施すための例えば角筒形状の処理容器である。本例において処理室4A〜4Cは、例えば一辺が1500mm、他辺が1800mm程度の大きさの角型の基板Sを処理可能なように、例えば横断平面の一辺が2.5m、他辺が2.2m程度の大きさに構成されている。処理室4A〜4Cは、本実施の形態のプロセスモジュールに相当する。
各処理室4A〜4Cの内部には、基板Sを載置する載置台と処理室4A〜4C内に例えば塩素ガスなどのエッチングガスを供給するガス供給部が、上下に対向するように設けられている。そして、これら載置台及びガス供給部は、処理室4A〜4C内にプラズマを発生させるための下部電極、並びに上部電極としての役割を各々果たしている。そして、これら載置台及びガス供給部の例えば載置台側に高周波電力を印加することにより、処理チャンバ4A〜4C内に供給されたエッチングガスをプラズマ化し、生成した活性種により基板Sのエッチングが実行される。なお図1、図2においては図示の便宜上、これら載置台及びガス供給部の記載は省略してある。
図3は第2の搬送機構5の外観構成を示す斜視図である。本例における第2の搬送機構5は、2つの搬送アーム51、52を上下方向に2段に設け、これらの搬送アーム51、52が独立してロードロック室22a、22b、または処理室4A〜4Cに対して基板Sの搬入出を行うことができる。
2つの搬送アーム51、52は、支持部53に支持されたアーム部512、522、及びアーム部512、522上に支持されたピック部513、523をスライドさせることにより伸縮自在に、支持部53を回転させることにより回転自在に、また、この支持部53全体を支持する支持板551を昇降させることにより昇降自在に構成されている。そして、各搬送アーム51、52はアーム部512、522、及びピック部513、523をスライドさせる動作のスピードを変更することにより、搬送アーム51、52が伸縮する速度(進退速度)を変更することができるようになっている。
図4は、以上に説明した構成を備えたエッチング装置1の電気的構成を示すブロック図であり、当該図に示すように、エッチング装置1は制御部61とメモリ62を有するコンピュータを備えている。制御部61はCPU(Central Processing Unit)611とプログラム格納部612からなり、プログラム格納部612には当該エッチング装置1の作用、即ち、キャリア載置部2Aに載置されたキャリアC1から基板Sを取り出し、ロードロック室22a、22b、真空搬送室23を通って当該基板Sを処理室4A〜4Cへ搬入し、所定のエッチング処理を実行した後、搬入時とは逆の経路で基板Sを搬送して、キャリアC2に処理後の基板を格納するまでの動作に係わる制御についてのステップ(命令)群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。
ここで上述の動作を実行するにあたって、本実施の形態に係るエッチング装置1は、メモリ62内に記憶された複数種類のレシピデータ621の中から、処理対象の基板Sに対して実行される処理レシピに対応するレシピデータ621を選択できるようになっている。ここで複数種類のなかから選択されるレシピデータ621は、例えば被エッチング材料やエッチング深さなどの違いに応じて、各処理室4A〜4C内で実行される処理時間であるエッチング処理の時間などが異なるデータが含まれている。このため実行される処理レシピによっては、例えば最高速度にて第2の搬送機構5を動作させると、未処理の基板Sが処理室に搬入できる状態となっても、この処理室でのエッチング処理が終了していないため、第2の搬送機構5の動作に待ち時間が発生する場合がある。
そこで本実施の形態に係るエッチング装置1の制御部61は、例えば真空搬送室23内で基板Sを搬送する第2の搬送機構5の動作速度(本例の場合には、例えば搬送アーム51、52の進退速度)を決定するプログラム(アーム速度決定プログラム613)を備えており、エッチング処理に要する時間と第2の搬送機構5の所定の動作に要する最短時間(本例の場合には、例えばメモリ62に格納された最短時間データ622)とを比較して、第2の搬送機構5の動作に待ち時間が発生することとなる場合には、制御部61から搬送アーム51、52の動作速度を遅くする(搬送速度を減少させる)制御信号を出力することにより、第2の搬送機構5を構成する部品の損耗を抑制することができるようになっている。このような機能を備えたエッチング装置1の作用について、以下に説明する。
まず本例のエッチング装置1に基板Sを搬入してから、エッチング処理を実行し、処理後の基板Sを搬出するまでの全体の動作について、簡単に説明しておく。基板Sの処理を開始するにあたり、例えばオペレータが不図示のインターフェース画面を介して、今回の処理で実行するレシピデータ621を選択すると、当該レシピデータ621がCPU611に読み込まれて処理時間等の処理条件が設定される。
そして、処理対象の基板Sを格納したキャリアC1がキャリア載置部2Aに載置されると、第1の搬送機構3の2枚の搬送アーム31、32を進退駆動させて、未処理の基板Sを収容した一方側のキャリアC1から例えば2枚の基板Sを同時にロードロック室22a、22bに搬入する。ロードロック室22a、22b内に搬入された基板Sは、バッファラック26により保持され、搬送アーム31、32が退避した後、ゲートバルブG1を閉じてロードロック室22a、22b内を排気し、内部を所定の真空度まで減圧する。真空引きを終えたら、ポジショナー25を動作させて基板Sの位置合わせを行う。
基板Sの位置合わせを終えたら、ロードロック室22a、22bと真空搬送室23との間のゲートバルブG2を開き、第2の搬送機構5の搬送アーム51、52にて2枚の基板Sを受け取って、真空雰囲気となっている真空搬送室23内に搬入してから、ゲートバルブG2を閉じる。未処理基板が搬出されたロードロック室22a、22bは、真空雰囲気を大気雰囲気に切り替え、第1の搬送機構3により新たな未処理基板を搬入した後、真空雰囲気に保持される。次いで、当該基板Sへのエッチング処理を実行する処理室4Aと真空搬送室23との間のゲートバルブG3を開いて、基板Sを処理室4A内に搬入しゲートバルブG3を閉じる。同様に、処理室4B内にも基板Sを搬入する。処理室4B内にも基板Sを搬入した後、ロードロック室22a、22bから未処理の基板2枚を搬出し、1枚を処理室4C内に搬入する。
処理室4A〜4C内の載置台に基板Sが載置されて、ゲートバルブG3が閉じられると、ガス供給部から処理ガスが供給されると共に、例えば下部電極である載置台側に高周波電力が供給され、載置台とガス供給部との間にプラズマが形成されて、基板Sに対するエッチング処理が実行される。
処理室4Aにてエッチング処理を終えたら、第2の搬送機構5により処理済みの基板Sを受け取る一方、未処理の次の基板Sを搬入する。その後、ゲートバルブG2を開いて、ロードロック室22aから未処理の新たな基板Sを受け取る一方、処理済の基板Sを搬入する。処理済の基板Sが搬入されたロードロック室22aは、真空雰囲気を大気雰囲気に切り替えた後、ゲートバルブG1を開く。第1の搬送機構3は、ロードロック室22aから処理済の基板Sを受け取る一方、未処理の基板Sを搬入する。処理済の基板Sは処理済み基板用のキャリアC2へと搬送され、当該基板Sに対する一連の動作を終える。
ここで本実施の形態に係るエッチング装置1は、上述の動作を連続的に実行することにより、複数枚の基板Sに対してエッチング処理を行うことができる。上述の説明においては、エッチング装置1の運転開始時の動作に着目して、基板Sを装置1内に搬入した後、エッチング処理を実行し、装置1から搬出するまでの動作を概観した。そこで次は、運転開始後、各処理室4A〜4Cに2回目以降の基板Sの搬送が行われ、これら処理室4A〜4Cにて連続的に基板Sの処理を実行する動作において、第2の搬送機構5を用いて、これら2回目以降の基板Sの搬入動作がどのように行われ、また処理レシピに応じて変化する処理時間に対応して、第2の搬送機構5の動作速度(例えば搬送アームの動作速度)がいかなる手法で変更されるかについて、詳細に説明する。
図5は処理室4A〜4Cにて実行される2回目以降の基板Sへのエッチング処理及び、これら処理室4A〜4Cとロードロック室22a、22bとの間での第2の搬送機構5による基板Sの搬送動作の実行タイミングを示すタイムチャートである。このタイムチャートは、基板Sの搬入出動作が定常状態となっている場合における各機器の稼動状態を示している。また同図では、説明の便宜上、図1、図2に符号4Aを付して示した処理室を第1の処理室4A、符号4Bを付したものを第2の処理室4B、符号4Cを付したものを第3の処理室4Cとして表示してある。
既述のように、本実施の形態に係るエッチング装置1は、選択された処理レシピに基づいて実行されるエッチング処理の時間と、第2の搬送機構5による基板Sの搬入出動作とを比較して、当該搬入出動作に待ち時間が発生する場合には、搬送アーム51、52の動作速度を遅くする機能を備えている。この機能に関し、図5は第2の搬送機構5を予め設定された速度、例えば最高速度で動作させ、各処理室4A〜4Cにおけるエッチング処理の時間が等しい場合のタイムチャートを示している。図5には、各処理室4A〜4Cについての動作を上下方向に3段に区分して表示してあり、各段においては、上段側のチャートに各処理室4A〜4Cに対する第2の搬送機構5の動作タイミングを示し、下段側のチャートにエッチング処理のタイミングを示している。また各チャートは、左手から右手へ向けて横方向に時間が進行するものとする。
各段の上段側のチャートに斜線でハッチしたカラムは、処理室4A〜4CのゲートバルブG3を開き、処理を終えた基板Sを例えば搬送アーム52で取り出して、これに替えて搬送アーム51に保持されている未処理の基板Sを処理室4A〜4C内に搬入し、ゲートバルブG3を閉じるまでの処理室4A〜4C側での基板Sの入れ替え動作を示しており、符号「PC1」は当該動作に要する時間を示している。また、同じく上段側チャートに縦線でハッチしたカラムは、例えば、第2の搬送機構5を回転させて搬送アーム51、52をロードロック室22aに対向させ、ロードロック室22aのゲートバルブG1を開いて搬送アーム51を進入させ、未処理の基板Sをバッファラック26から受け取った後、搬送アーム52に保持されている処理済の基板Sをロードロック室22a内のバッファラック26に受け渡し、第2の搬送機構5を再び回転させて処理室4A〜4C側に対向させるまでのロードロック室22a側での基板Sの入れ替え動作を示している。符号「LL1」はこの動作に要する時間を示しており、ロードロック室22b側での基板Sの入れ替え動作に要する時間も同じである。ロードロック室22a、22bに対する基板Sの入れ替え動作は、交互に行われる。一方、下段側のチャートの白抜き表示したカラムは、各処理チャンバ4A〜4Cにて実行されるエッチング処理を示し、符号「P1」はこの処理に要する時間を示している。
以下、図5のタイムチャートで表されるエッチング装置1の動作を説明する。まず、第1の処理室4Aについて上段側チャートに示すように、第2の搬送機構5が第1の処理室4Aでの基板Sの入れ替え動作を実行し、第1の処理室4Aへの未処理の基板Sの搬入を終えると、その下段に示すように第1の処理室4Aは当該基板Sに対してエッチング処理を開始する。このエッチング処理と並行して、第2の搬送機構5は第1の処理室4Aから取り出した基板Sをロードロック室22aに搬入し、未処理の基板Sを受け取るロードロック室22a側の入れ替え動作を実行する。
新たな基板Sを受け取ったら、第2の搬送機構5は2段目の上段側のチャートに示すように、第2の処理室4Bにて処理を終えた基板Sを取り出して、新たな基板Sを搬入する入れ替え動作を実行する。そして第2の処理室4Bは、搬入された基板Sについてのエッチング処理を実行し、第2の搬送機構5はこれと並行して、ロードロック室22b側での基板Sの入れ変え動作を実行する。
このようにして、第3の処理室4Cについても基板Sの入れ替え動作と、これに続くエッチング処理、及びロードロック室22a側の入れ替え動作を行う。そして、図5に示した例では、この第3の処理室4Cから受け取った基板Sについてのロードロック室22a側での基板Sの入れ替え動作が終了したタイミングと同じタイミングにて、第1の処理室4Aのエッチング処理が終了し、第2の搬送機構5は待ち時間を発生することなく、第1の処理室4Aについての次の基板Sの入れ替え動作を実行する。
このように、本実施の形態に係るエッチング装置1は、第1の処理室4A→第2の処理室4B→第3の処理室4C→第1の処理室4A→…と、予め定められた順番に基づいて順番に基板Sの搬入出を行う。そして各処理室4A〜4Cに基板Sが搬入されるとエッチング処理を実行し、これと並行してロードロック室22aとロードロック室22b側での基板Sの入れ替え動作を順次、交互に実行していく。
そして図5に示した例では、(1)第1の処理室4Aから取り出した基板Sのロードロック室22a側での入れ替え動作、(2)第2の処理室4Bでの基板Sの入れ替え動作、(3)第2の処理室4Bから取り出した基板Sのロードロック室22b側での入れ替え動作、(4)第3の処理室4Cでの基板Sの入れ替え動作、(5)第3の処理室4Cから取り出した基板Sのロードロック室22a側での入れ替え動作までの一連の動作に要する時間「PC1×2+LL1×3」と、これらの動作と並行して実行される第1の処理室4Aでのエッチング処理の時間「P1」とが等しくなっている。
ここで第1の処理室4Aに着目したとき、上述の(1)〜(5)までの一連の動作に要する時間は、当該第1の処理室4Aにて基板Sの処理が開始可能となってから(動作(1)の開始時点と一致している)、次の基板Sの搬入が開始可能となるまで(動作(5)の終了時点と一致している)の時間であることが分かる。そして既述のように、図5は第2の搬送機構5を最高速度で動作させた場合のタイムチャートを示しており、本例のように(1)〜(5)までの動作時間と第1の処理室4Aでの処理時間「P1」とが一致している場合には、処理を終えた基板Sは、待ち時間が発生することなく第1の処理室4Aから取り出される。
一方、(1)〜(5)までの動作に要する時間(エッチング処理と並行して実施される入れ替え動作の時間であるので、以下「並行動作時間」という)よりも、第1の処理室4Aでの処理時間「P1」の方が短い場合には、基板Sの入れ替え動作を開始することができないので、処理を終えた基板Sは、第2の搬送機構5が(5)の動作を終えるまで第1の処理室4A内で待機することになる。
以上に説明した並行動作時間((1)〜(5)の動作時間)とエッチング処理の時間との関係は、他の処理室4B、4Cにおいても同様の関係がある。従って各処理室4A〜4Cにて基板Sの処理が開始可能されてから、次の基板Sの搬入が開始可能となるまでに要する時間(並行動作時間に等しい)と、各処理室4A〜4Cでのエッチング処理の時間とを比較したとき、「並行動作時間≧エッチング処理時間」の関係があるときは、第2の搬送機構5の動作速度を上げるほどエッチング装置1のスループットが向上する。
従ってこの場合には、第2の搬送機構5を最高速度で動作させることが好ましく、本実施の形態に係るエッチング装置1の制御部61は、アーム速度決定プログラム613の命令に基づいて、エッチング処理時間と第2の搬送機構5を最高速度で動作させた場合の並行動作時間(以下、最短動作時間という)とを比較し、「最短動作時間≧エッチング処理時間」の関係にある場合には第2の搬送機構5を最高動作速度で動作させるようになっている。制御部61による当該判断シーケンスの詳細については後述する。
一方、選択される処理レシピによっては、「最短動作時間<エッチング処理時間」となる場合もある。図6は、エッチング処理に要する時間「P2」が、上記の最短動作時間「PC1×2+LL1×3」よりも長い場合のタイムチャートを示している。この場合には、第2の搬送機構5を最高速度で動作させたとしても、(5)のロードロック室22aの入れ替え動作を終えた時点において、まだ第1の処理室4Aのエッチング処理が終了していないので、当該処理室4Aで基板Sの入れ替え動作を開始することができず、第2の搬送機構5の一連の動作に待ち時間が発生してしまう。
このように第2の搬送機構5側で待ち時間が発生してしまう場合には、エッチング装置1全体での基板Sの連続処理のスピードを決めるのはエッチング処理速度であるため、第2の搬送機構5を最高速度で動作させても、待ち時間が長くなってしまうだけである。そこで本実施の形態に係るエッチング装置1は、並行動作((1)〜(5)の動作)の最短動作時間とエッチング処理時間とを比較し、「最短動作時間<エッチング処理時間」となる場合には、この条件で発生する第2の搬送機構5の待ち時間の長さに応じて、第2の搬送機構5の動作速度を遅くすることにより、第2の搬送機構5の部品の損耗を抑制している。
例えば図6に示したように、「最短動作時間(PC1×2+LL1×3)<エッチング処理時間(P2)」となるプロセスレシピが選択された結果、第3の処理室4Cから取り出された基板Sをロードロック室22aにて入れ替える動作((5)の動作)を終了してから、第1の処理室4Aに次の基板Sを搬入することが可能となるまでの間に、待ち時間が発生する場合の対応例を図7に示す。図7の例では、並行動作時間((1)〜(5)までの動作に要する時間)がエッチング処理時間と同じになるように、例えば(5)のロードロック室22aの入れ替え動作に係る第2の搬送機構5の動作速度を遅くして、この動作時間を「LL2(>LL1)」としている。言い替えると、図7の例では第1の処理室4Aへの2回目以降の基板Sの搬入直前に行うロードロック室22aについての第2の搬送機構5の動作速度を遅くしていることになる。
図7に示した例のように、図6のケースで発生した待ち時間分だけ(5)の動作に係る第2の搬送機構5の動作速度を遅くして、「並行動作時間(PC1×2+LL1×2+LL2)=エッチング処理時間(P2)」とすることで、第3の処理室4Cから取り出した基板Sをロードロック室22aに搬入した後、新たな基板Sを受け取ったら、待ち時間が発生することなく直ちに第1の処理室4Aに当該基板Sを搬入することができる。
上記の考え方を一般化してまとめておくと、互いに同一のプロセスを行うn個(nは2以上の整数)の処理室4(プロセスモジュール)が設けられている場合に、第2の搬送機構5は、処理室4から処理後の基板Sを搬出すると共に、ロードロック室22a、22b(前段モジュール)より搬送した基板Sを受け渡した後、この処理後の基板Sをロードロック室22a、22bへ搬入し、次いで新たな基板Sを受け取る動作を1番目の処理室4からn番目の処理室4に対して、順番に連続して1サイクルを実行するように制御され、搬送機構が予め設定した速度(例えば最高速度)で搬送して前記1サイクルを行うと、次の1サイクルの開始時に1番目の処理室4が処理中のために待ち時間が発生するときに、n番目の処理室4から処理済の基板Sを搬出した後の搬送動作を予め設定された速度よりも遅い速度で行うように、制御信号を出力しているということになる。
ここで(5)の動作に着目して第2の搬送機構5の動作速度を遅くしている理由は、(1)〜(4)までの動作に係る動作速度を遅くすると、各処理室4A〜4Cに基板Sが搬入されるタイミングが遅れる結果、第1の処理室4Aでエッチング処理を開始してから第3の処理室4Cでエッチング処理を終えるまでの1サイクル全体の処理時間が長くなって、エッチング装置1のスループットが低下してしまうからである。
また、図7の例では並行動作時間とエッチング処理時間とが一致する(待ち時間がなくなる)ように(5)の動作時間を調節したが、第2の搬送機構5の動作速度を遅くする程度はこれに限られない。例えば図6に示した動作時間「LL1」よりも長く、図7に示した動作時間「LL2」以下で待ち時間が短くなる動作時間の範囲内であれば、第2の搬送機構5の動作速度を遅くする効果を得ることができる。
次に、図6に示すように「最短動作時間(PC1×2+LL1×3)<エッチング処理時間(P2)」となる処理レシピが選択された場合に、(5)の動作に係る第2の搬送機構5の動作速度を調節する手法について説明する。図8はロードロック室22a側での基板Sの入れ替え動作の内容を示している。ここで既述のようにロードロック室22a、22bに対する基板Sの入れ替え動作は交互に行われる一方、処理室4A〜4Cは3台あるので(5)の動作はロードロック室22bとの間で行われる場合もあるが、便宜上、以下の説明ではロードロック室22aに着目して説明をする。従って、以下の図8〜図10を用いて行う説明は、ロードロック室22bに対する搬送動作についても成立する。
図8によれば、処理室4A〜4Cのいずれかで処理済の基板Sを受け取った第2の搬送機構5は、支持部53を回転させ搬送アーム51、52をロードロック室22aに対向させる一方、ロードロック室22a側ではゲートバルブG2を開いて待機する(動作M1、所要時間A秒)。次いで基板Sを持っていない搬送アーム51を伸張してロードロック室22a内に進入させ(動作M2、所要時間B秒)、未処理の基板Sをバッファラック26から受け取り(動作M3、所要時間C秒)、この搬送アーム51を退縮させて基板Sを搬出する(動作M4、所要時間B秒)。
そして第2の搬送機構5を上下動させて処理済の基板Sを保持している搬送アーム52をロードロック室22aの開口部の高さ位置まで移動させ(動作M5、所要時間D秒)、この搬送アーム52を伸張してロードロック室22a内に進入させた後(動作M6、所要時間B秒)、処理済の基板Sをバッファラック26へと載置する(動作M7、所要時間C秒)。そして搬送アーム52を退縮させてロードロック室22aから退出させた後(動作M8、所要時間B秒)、次に基板Sを搬入する処理室4A〜4Cに搬送アーム51、52を対向させるため支持部53を回転させると共にゲートバルブG2を閉じて当該入れ替え動作を終える(動作M9、所要時間A秒)。
ここで図8に示した各伸縮動作(M2、M4、M6、M8)の所要時間「B」は、搬送アーム51、52を最高速度で動作させた場合の所要時間を示している。
ここで図8に示した基板Sの入れ替え動作では、各搬送アーム51、52の伸張動作(M2、M6)、退縮動作(M4、M8)に要する時間はB秒で一定となっている。そこで本実施の形態に係るエッチング装置1では、これら伸縮動作における搬送アーム51、52の伸縮速度を遅くして、例えばこれらM2、M4、M6、M8の動作時間を「B’秒(>B秒)」とすることにより(5)の動作時間を「LL2」としている。
ここで搬送アーム51、52の伸縮動作を遅くして、図6に示した(5)の動作時間「LL1」を図7に示した動作時間「LL2」とするためには、図6に示した待ち時間に相当する時間を上記の伸縮動作(M2、M4、M6、M8)に割り振ればよい。この待ち時間は、図6に示した各処理チャンバ4A〜4Cでのエッチング処理時間「P2」から(1)〜(5)までの最短動作時間「PC1×2+LL1×3」を差し引いた時間である。従って、各伸縮動作に割り振られる待ち時間は「P2−(PC1×2+LL1×3)」であり、搬送アーム51、52を最高速度で動作させた際の所要時間「B」に上記待ち時間を4分割した値を加算した値「B’=B+{P2−(PC1×2+LL1×3)}/4」が待ち時間をなくすための新たな所要時間となる。
次に、搬送アーム51、52の各伸縮動作に要する所要時間を「B→B’」に変更する手法の一例について図9、図10を参照しながら説明する。図9は搬送アーム51、52の伸張動作(M2、M6)の例を示し、図10は退縮動作(M4、M8)を示している。各図の横軸は伸縮動作に要する所要時間[秒]、縦軸は動作速度[m/秒]を示している。また縦軸は第2の搬送機構5側からロードロック室22a側へと伸張する速度を正の値、ロードロック室22a側から第2の搬送機構5側へと退縮する速度を負の値で示してある。
例えば図9に示した伸張動作において、搬送アーム51、52を第2の搬送機構5上の待機位置からロードロック室22a内の基板Sの受け渡し位置まで伸ばす動作に要する時間を「B→B’[秒]」に変更するためには、搬送アーム51、52の動作速度を「b→b’[m/秒](b>b’)」に変更すればよい。
このとき搬送アーム51、52の加速度(単位時間に対する動作速度の傾き)が「a[m/秒]」で一定の場合には、動作速度が「b、b’」の場合における搬送アーム51、52の移動距離は各々図9に実線及び破線で示した台形の面積で表される。従って所要時間を「B’」に変更した場合における台形の面積が動作速度「b」、所要時間「B」の台形の面積と同じになるように新たな動作速度「b’」を求めればよい。そして、上述の「B’」の算出式において各伸縮動作に加算される時間を「ΔB={P2−(PC1×2+LL1×3)}/4」とおくと、「b’=b×{B/(B+ΔB)}」の場合に2つの台形の面積が等しくなる。
そして、このような考え方に基づいて決定された搬送アーム51、52の動作速度「b’」が得られる加速時間「T1」を算出し、加速度「a」で時間「T1」だけ搬送アーム51、52を加速して速度「b’」とし、このまま時間「B’−2×T1」だけ定速運動させた後、加速度「−a」で時間「T1」だけ減速することにより、動作開始から「B’」秒後に搬送アーム51、52を基板Sの受け渡し位置で停止させることができる。
また退縮動作の場合には、図10に示すように、伸張動作の場合とは加速方向を反転させて搬送アーム51、52を動作させるとよい。
以上に説明したように本実施の形態に係るエッチング装置1は、選択された処理レシピで実行されるエッチングの処理時間に応じて、第2の搬送機構5の動作速度を変更することができるようになっている。図11は、この動作速度の変更にあたり、アーム速度決定プログラム613に基づいて実行される動作の流れを示している。エッチング装置1にて基板Sの処理を開始するにあたり(スタート)、今回の処理で実行するレシピデータ621が選択されると(ステップS1)、選択されたレシピデータ621データに記憶されているエッチングの処理時間と、(1)〜(5)までの並行動作に要する最短動作時間とを比較する(ステップS2)。比較の結果、「最短動作時間≧エッチング処理時間」である場合には(図S3;YES)、搬送アーム51、52の動作速度を最高速度に設定して(ステップS4)動作速度の変更作業を終える(エンド)。
一方、「最短動作時間<エッチング処理時間」である場合には、処理時間と最短動作時間との差から(5)の動作における搬送アーム51、52の新たな動作時間「B’」を計算する(ステップS5)。そして、計算した動作時間に応じて上記動作における搬送アーム51、52の動作速度を設定し(ステップS6)動作速度の変更作業を終える(エンド)。
ここで図5〜図11を用いた以上の説明においては、予め設定されている速度が、例えば第2の搬送機構の最高速度である場合について説明したが、この予め設定されている速度が最高速度よりも遅い場合であっても、同様の考え方が成り立つ。例えばエッチング装置1の運転開始時に、オペレータが最高速度までの範囲内で動作速度を設定する場合などには、これが予め設定された速度となる。この場合には、図5〜図11の説明で用いた最短動作時間を当該設定された動作速度に対応した動作時間に置き換えることにより、これまでの説明と同様の動作を実行できる。
本実施の形態に係るエッチング装置1によれば以下の効果がある。プロセスモジュールである処理室4A〜4Cと前段モジュールであるロードロック室22a、またはロードロック室22bとの間の基板Sの搬送動作を予め設定された速度で実施すると、第2の搬送機構5の一連の動作に待ち時間が発生するときに、この第2の搬送機構5の動作速度を遅くする(搬送速度を減少させる)ので、搬送アーム51、52を必要以上に過酷に稼動させず、従来よりも緩和な条件の下で使用することができる。この結果、搬送アーム51を構成する部品の損耗が抑えられて、部品の交換周期やエッチング装置1のメンテナンス周期を長くし、部品の交換に要するコストやメンテナンスに伴う装置稼働率の低下を抑制することができる。
以上、図1〜図11を用いて説明した形態では、2つのロードロック室を有するマルチチャンバ型のエッチング装置1の例を示したが、本発明を適用可能な処理装置はマルチチャンバシステムに限定されず、例えば1つのロードロック室22に真空搬送室23を介して1つの処理室4Aが接続されたシングルチャンバ型のエッチング装置1でもよい。図12(a)は処理室4Aにおける1サイクルのタクトタイム中に実行されるロードロック室22側での基板Sの入れ替え動作(最短動作時間「LL1」)、処理室4A側での基板Sの入れ替え動作(最短動作時間「PC1」)、処理室4Aでのエッチング処理(処理時間「P1」)の関係を示したタイムチャートである。これらの図においても斜線でハッチしたカラムは処理室4A側の入れ替え動作、縦線でハッチしたカラムはロードロック室22側の入れ替え動作、白抜きのカラムはエッチング処理を示している。本図によれば「LL1≧P1」の関係が成り立つ場合には、基板Sの入れ替え動作がタクトタイムを決定するので、第2の搬送機構5は最高速度で動作させることが好ましい。
これに対して、実行する処理に応じてエッチング処理の時間が長くなり、新たな処理時間「P2」との関係で「LL1<P2」の関係が成り立つ場合には、タクトタイムはエッチング処理の時間で決定され、第2の搬送機構5を最高速度で動作させると待ち時間が発生してしまう(図12(b))。そこでこの場合には、図12(c)に示すように、ロードロック室22側での基板Sの入れ替え動作時間「LL2」がエッチング処理の時間よりも長くならない範囲で、第2の搬送機構5の動作速度を遅くすることにより、待ち時間をなくすか短くして第2の搬送機構5を構成する部品の損耗を抑えることができる。
以上、図7や図12のタイムチャートに示した例は、ロードロック室22側での基板Sの入れ替え動作を実行する際に、ロードロック室22は大気雰囲気から真空雰囲気への切り替えを完了しており、ロードロック室22の動作が第2の搬送機構5による基板Sの入れ替え動作の妨げにならない場合を示している。しかしながらロードロック室22に処理済の基板Sが搬入された後は、真空雰囲気を大気雰囲気に切り替える動作、処理済の基板SをキャリアC2側に搬出して未処理の新たな基板Sを搬入する第1の搬送機構3側の入れ替え動作、新たな基板Sが搬入されたらロードロック室22内を真空引きして真空雰囲気に切り替える動作の各動作を実行する必要がる。これらの動作は、処理室4A〜4Cの入れ替え動作を実行している期間中に並行して行われる。例えば、1つのロードロック室22しか具備しないマルチチャンバシステムの場合には、ロードロック室22の入れ替え動作を直ちに開始することができない場合もある。以下、図13〜図15を用いてこのような場合にも本発明が適用可能であることを簡単に説明する。
図13は1つのロードロック室22と3個の処理チャンバ4A〜4Cを備えたエッチング装置1において、ロードロック室22側の真空引き等の動作が、当該ロードロック室22での基板Sの入れ替え動作に影響を及ぼす場合のタイムチャートを示している。タイムチャートの構成は既述の図5等と同様であるが、最上段のグレースケールでハッチしたカラムはロードロック室22側の大気側での基板Sの入れ替えやその後の真空引きなどの動作を示しており、符号「L1」は当該動作に要する時間を示している。この例では「L1>PC1(処理チャンバ4A〜4C側の基板Sの入れ替え時間)」となっており、ロードロック室22側の動作が終了しなければ当該ロードロック室22の真空搬送室23側からの基板Sの入れ替え動作(縦線でハッチしたカラム)が開始できない。本例においても第2の搬送機構5は予め設定された速度、例えば最高速度で動作するものとする。
従って図13の例ではエッチング動作と並行して実施される動作は、処理室4A〜4C側の基板Sの入れ替え動作、ロードロック室22側の入れ替え動作に加え、ロードロック室22自体の動作が完了して、ロードロック室22側の入れ替え動作が開始可能となるまでの待ちを考慮しなければならない。例えば第1の処理室4Aに着目すると、これらの時間は第1の処理室4Aについてロードロック室22の動作を終えて基板Sの入れ替え動作を開始するまでの待ち時間「L1−PC1」、第2の搬送機構5によるロードロック室22側の入れ替え時間「LL1」、第2、第3の処理室4B、4Cの入れ替え動作「PC1×2」、ロードロック室22の動作完了までの待ち時間「(L1−PC1)×2」、ロードロック室22側の入れ替え時間「LL1×2」の合計となる。これを整理すると、並行動作時間は「(L1−PC1)+L1×2+LL1×3」で表され、本例ではこの並行動作時間がエッチング処理時間「P1」に等しい。
このとき、図14に示すようにエッチング処理の時間が「P2(>P1)」となると、第3の処理室4Cから取り出した基板Sのロードロック室22側の入れ替え動作を終えてから、第1の処理室4Aへの次の基板Sの入れ替え動作を開始するまでの期間に新たな待ち時間が発生する。このような場合において、図15に示すように第3の処理室4Cにおけるロードロック室22の入れ替え動作に係る動作時間を「LL2(>LL1)」とすることにより第2の搬送機構5の動作速度を遅くして、第2の搬送機構5を構成する部品の損耗を抑えることができる。この場合には、「新たな並行動作時間((L1−PC1)+L1×2+LL1×2+LL2)=エッチング処理時間(P2)」となるように例えば搬送アーム51、52の伸縮速度などを遅くして待ち時間をなくすか、待ち時間が短くなるようにLL2が決定される。そして待ち時間をなくす場合には、例えば図8に示したM2、M4、M6、M8の動作時間を「B’=B+[P2−{((L1−PC1)+L1×2+LL1×3)}]/4」とすることにより動作時間の調整を行うことができる。
また、各処理室4A〜4Cとロードロック室22との間の第2の搬送機構5の回転動作(図8のM1)の速度を下げるような動作時間の調整も行うことができる。
図16(a)〜図16(c)は、シングルチャンバ型のエッチング装置1において、ロードロック室22の動作が基板Sの搬入に影響を及ぼす場合の例を示している。これらの図においても斜線でハッチしたカラムは処理室4Aの入れ替え動作、縦線でハッチしたカラムはロードロック室22側の入れ替え動作、白抜きのカラムはエッチング処理を示し、グレースケールでハッチしたカラムはロードロック室22の真空引きなどの動作を示している。図16(a)によればロードロック室22自体の動作時間が処理室4A側の入れ替え時間よりも長く、この動作を完了しなければ当該ロードロック室22側の基板Sの入れ替え動作を開始できない。そして、図16(a)では「(L1−PC1)+LL1=P1」となっているが、「(L1−PC1)+LL1≧P1」の関係が成り立つ場合には、基板Sの入れ替え動作がタクトタイムを決定するので、第2の搬送機構5は最高速度で動作させることが好ましい。
これに対して、エッチング処理の時間が長くなり新たな処理時間「P2」との関係で「(L1−PC1)+LL1<P2」の関係が成り立つ場合には、タクトタイムはエッチング処理の時間で決定され、第2の搬送機構5を最高速度で動作させると待ち時間が発生してしまう(図16(b))。そこで、この場合には「(L1−PC1)+LL2」で計算される時間がエッチング処理の時間よりも長くならない範囲でロードロック室22側での基板Sの入れ替え動作時間「LL2」を新たに決定し、第2の搬送機構5の動作速度を遅くすることにより、第2の搬送機構5を構成する部品の損耗を抑えることができる。
以上に説明した各例では、搬送アーム51、52の伸縮速度を遅くすることにより、ロードロック室22側での基板Sの入れ替え時間を調節する手法を例示したが、第2の搬送機構5の動作速度を遅くする手法はこの例に限られない。例えば真空搬送室23で第2の搬送機構5を回転させる動作(図8のM1、M9)や第2の搬送機構5の昇降動作(図8のM5)などに係る速度を遅くすることにより、上記の入れ替え時間を調節するようにしてもよい。
また本例では処理室4A〜4Cにより基板Sのエッチング処理を実行する例を示したが、これらの処理室4A〜4C内で実行される処理の種類はこれに限定されるものではなく、例えばアッシング処理やCVD(Chemical Vapor Deposition)などの成膜処理を行ってもよい。またマルチチャンバシステムにおいて、処理室4Aの個数は3個の例に限られず、2個や4個以上であってもよく、被処理体は半導体ウエハなどでもよい。
また例えば2個の第1、第2の処理室4A、4Bをエッチング処理を行う処理室として構成し、残りの1つの第3の処理室4Cをアッシング処理を行う処理室として、ロードロック室22→第1、第2の処理室4A、4B(エッチング処理)→第3の処理室4C(アッシング処理)→ロードロック室22の順に基板Sを搬送する処理装置において、第1、第2の処理室4A、4Bから第3の処理室4Cへの基板Sの搬送に際して待ち時間が発生する場合に、第2の搬送機構5の動作速度を遅くする場合も本発明の技術的範囲に含まれている。この場合には例えばエッチング処理を行う1、第2の処理室4A、4Bが前段モジュールに相当し、アッシング処理を行う第3の処理室がプロセスモジュールに相当する。
このほか、上述の実施の形態に係るエッチング装置1では、図11に示すように装置11の運転開始時にレシピデータ621に記憶されているエッチングの処理時間と、(1)〜(5)までの並行動作に要する最短動作時間とを比較して(5)の動作における動作速度を予め変更する判断を行っているが、このような判断はエッチング装置11の運転開始時に予め行う場合に限定されず、搬送動作を実行しながら行ってもよい。例えば第2の搬送機構5が、図8に示した動作の流れに基づいて(5)の動作を実行しており、ロードロック室22a、22b内に基板Sを載置する動作(図8のM7)を終えた時点にて、次に基板Sを搬送する処理室4A〜4Cの処理の進行状況を確認し、待ち時間が発生することになる場合にはこの待ち時間がなくなるか短くなるように、基板Sを受け取った搬送アーム52の退縮動作(同M8)、支持部53の回転動作(同M9)の動作を遅くしてもよい。
また、随時、自動的に処理時間と搬送時間との関係について演算処理を行い、搬送機構5の動作速度を最適な速度に変更するようにしてもよい。具体的な例を挙げると、例えばプラズマを利用したエッチング処理について、プラズマをモニターなどで監視し、例えばプラズマの発光状態の変化を検知して、この発光状態が変化するタイミング(エンドポイント)にてエッチング処理を終了させることにより、膜厚などが変化した場合でも均一なエッチング結果を得ることのできるエンドポイント制御などと呼ばれる手法がある。この場合には、基板Sの搬送時間などと比較されるエッチング処理の時間が常に変動する可能性があるので、例えば一つ前のロット(一つキャリアC1内に格納された例えば20枚の基板S)の平均的な処理時間を次のロットの処理時間と仮設定して、この仮設定された処理時間に対して搬送機構5の待ち時間が発生するときに、当該搬送機構5の搬送速度を減少させてもよい。
また図1〜図3に示したエッチング装置1の第2の搬送機構5は、複数、例えば2つの搬送アーム52、53を備えているが、搬送アームを1つだけ備える搬送機構についても本発明は適用できる。例えば図17に示す処理装置10は、搬入用、搬出用の2つのキャリアC1、C2の間に第1の処理室4A(例えば基板Sへの膜の塗布処理が行われる)、第2の処理室4B(例えば塗布された膜の加熱処理が行われる)が直線状に配置されており、これら各キャリアC1、C2、処理室4A、4Bの間に配置された3台の搬送機構5A〜5Cにて矢印の方向に基板Sを搬送する構成となっている。
この場合には、搬送機構5Bは第1の処理室4Aに対しては基板Sの搬出動作のみを行い、第2の処理室4Bに対しては基板Sの搬入動作のみを行う。従って図1に示したエッチング装置1のように、第2の搬送機構5がロードロック室22a、22bから未処理の基板Sを搬出し、処理済の基板Sを搬入するといった基板Sの入れ替え動作が発生せず、搬送機構5Bは1つの搬送アームにて基板Sを搬送することができる。
このとき第1の処理室4A(前段モジュールに相当する)から第2の処理室4B(プロセスモジュールに相当する)への基板Sの搬送動作に待ち時間が発生する場合にも搬送機構5Bによる基板Sの搬送動作を遅くする(搬送速度を減少させる)ことにより部品の損耗を抑え、メンテナンス周期を長くすることができる。
S 基板
1 エッチング装置
2A、2B キャリア載置部
21 昇降機構
22、22a、22b
ロードロック室
23 真空搬送室
3 第1の搬送機構
4A〜4C 処理室
5 第2の搬送機構
51、52 搬送アーム
61 制御部
613 アーム速度決定プログラム

Claims (5)

  1. 被処理体に対して処理を行うためのプロセスモジュールと、
    該プロセスモジュールに搬入される前の被処理体が載置される前段モジュールと、
    前記プロセスモジュールと前記前段モジュールとの間で、被処理体を搬送するための搬送機構と、を有する処理装置であって、
    前記搬送機構の搬送動作において、一連の搬送動作が一時停止する前記搬送機構の待ち時間が発生するときに、前記搬送機構の搬送速度を減少させる制御信号を出力する制御部を備えたことを特徴とする処理装置。
  2. 前記プロセスモジュールは複数あり、複数のプロセスモジュールに順次、被処理体を搬入する場合、最初に被処理体を搬入したプロセスモジュールに対して、2回目以降の被処理体の搬入直前に行う前記前段モジュールについての前記搬送機構の一連の搬送動作に対して、前記制御部は搬送速度を減少させる制御信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
  3. 前記制御部は、前記プロセスモジュールにおける被処理体への処理時間を元に、前記搬送速度の減少割合を決定することを特徴とする請求項1または2に記載の処理装置。
  4. 前記搬送速度は、前記前段モジュールに対する被処理体の搬入、搬出速度であることを特徴とする請求項1から3に記載の処理装置。
  5. 前記プロセスモジュールは、真空処理を行うための処理室であり、前記搬送機構は、前記プロセスモジュールに接続された真空搬送室に設けられ、前記前段モジュールは、前記真空搬送室に接続されたロードロック室であることを特徴とする請求項1から4に記載の処理装置。
JP2009137500A 2009-06-08 2009-06-08 処理装置 Expired - Fee Related JP5428556B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009137500A JP5428556B2 (ja) 2009-06-08 2009-06-08 処理装置
KR1020100031642A KR101234099B1 (ko) 2009-06-08 2010-04-07 처리 장치
CN2010101887457A CN101908469B (zh) 2009-06-08 2010-05-28 处理装置
TW099118379A TWI483336B (zh) 2009-06-08 2010-06-07 Processing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009137500A JP5428556B2 (ja) 2009-06-08 2009-06-08 処理装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010283285A true JP2010283285A (ja) 2010-12-16
JP2010283285A5 JP2010283285A5 (ja) 2012-05-24
JP5428556B2 JP5428556B2 (ja) 2014-02-26

Family

ID=43263892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009137500A Expired - Fee Related JP5428556B2 (ja) 2009-06-08 2009-06-08 処理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5428556B2 (ja)
KR (1) KR101234099B1 (ja)
CN (1) CN101908469B (ja)
TW (1) TWI483336B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150012207A (ko) 2013-07-24 2015-02-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR101842121B1 (ko) 2016-08-03 2018-03-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이의 구동 속도 제어 방법
CN115020173A (zh) * 2022-08-10 2022-09-06 江苏邑文微电子科技有限公司 电感耦合等离子体刻蚀系统及其刻蚀控制方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11130255A (ja) * 1997-10-24 1999-05-18 Sharp Corp 基板搬送移載装置
JP2000031237A (ja) * 1998-07-09 2000-01-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003007587A (ja) * 2001-06-20 2003-01-10 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3362487B2 (ja) * 1993-11-18 2003-01-07 株式会社ニコン 基板搬送装置および露光装置、ならびに露光方法
JP3485990B2 (ja) * 1995-02-09 2004-01-13 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び搬送装置
JP3811204B2 (ja) 1995-10-27 2006-08-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置の制御方法
JPH10284574A (ja) * 1997-03-31 1998-10-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2007194481A (ja) 2006-01-20 2007-08-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4790451B2 (ja) * 2006-03-08 2011-10-12 住友精密工業株式会社 基板処理装置
JP4313824B2 (ja) * 2007-03-23 2009-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板移載装置及び基板移載方法並びに記憶媒体
JP2009049200A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11130255A (ja) * 1997-10-24 1999-05-18 Sharp Corp 基板搬送移載装置
JP2000031237A (ja) * 1998-07-09 2000-01-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003007587A (ja) * 2001-06-20 2003-01-10 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150012207A (ko) 2013-07-24 2015-02-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP2015026650A (ja) * 2013-07-24 2015-02-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
TWI576939B (zh) * 2013-07-24 2017-04-01 東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
US10395957B2 (en) 2013-07-24 2019-08-27 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
KR101842121B1 (ko) 2016-08-03 2018-03-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이의 구동 속도 제어 방법
CN115020173A (zh) * 2022-08-10 2022-09-06 江苏邑文微电子科技有限公司 电感耦合等离子体刻蚀系统及其刻蚀控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5428556B2 (ja) 2014-02-26
KR20100131913A (ko) 2010-12-16
CN101908469A (zh) 2010-12-08
TWI483336B (zh) 2015-05-01
KR101234099B1 (ko) 2013-02-19
CN101908469B (zh) 2013-07-24
TW201117312A (en) 2011-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4464993B2 (ja) 基板の処理システム
JP6089082B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
JP4908304B2 (ja) 基板の処理方法、基板の処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2012004536A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007095831A (ja) 基板処理装置および基板搬送方法
JP2009062604A (ja) 真空処理システムおよび基板搬送方法
JP2008034746A (ja) 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
JP2019062194A (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および、プログラム
JP6049394B2 (ja) 基板処理システム及び基板の搬送制御方法
US20220170160A1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
JP2019169509A (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP5428556B2 (ja) 処理装置
JP2010045190A (ja) 加熱システム、塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体
KR20140034318A (ko) 피처리체의 냉각 방법, 냉각 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
JP5730322B2 (ja) 蒸着装置及び蒸着方法
JP2021019142A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
KR102384558B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
JP2006190968A (ja) 半導体素子製造装置
TWI763945B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及電腦程式產品
JP6680895B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6795675B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP2010225957A (ja) 基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法
JP2008251967A (ja) 基板処理装置及びその処理室内の状態安定化方法
JP2005333076A (ja) ロードロック装置、処理システム及びその使用方法
JP2007053203A (ja) 基板処理装置および基板搬送方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120403

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120403

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130322

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130409

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131105

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131118

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees