TWI479550B - 基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體 - Google Patents

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TWI479550B
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Yosuke Kawabuchi
Norihiro Ito
Fumihiro Kamimura
Takashi Yabuta
Kazuki Kosai
Takashi Uno
Kenji Sekiguchi
Yasushi Fujii
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Description

基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體
本發明係關於一種基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體，以藉由處理液對基板施行液體處理。
自以往，製造半導體零件或平面顯示器等時，為以清洗劑或蝕刻劑等處理液對半導體晶圓或液晶基板等基板進行清洗處理或蝕刻處理，可使用基板液體處理裝置。
此基板液體處理裝置中，有時會因處理液帶電或可動部之摩擦等各種理由，導致在由基板液體處理裝置處理之基板或構成基板液體處理裝置之構件等上因靜電產生之電荷帶電。
又，於基板或構成構件電荷一旦帶電，電荷放電時即有在基板之電路形成面(電晶體或二極體等電子元件或連接此等者之配線等所形成的面)發生靜電破壞之虞。
因此有人研發下列者：在習知之基板液體處理裝置中，藉由導電性素材形成抵接基板周緣部以固持基板之吸盤，當在對基板進行液體處理時以吸盤固持基板之情形下，使帶電於基板之電荷自吸盤釋放(參照例如專利文獻1。)。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2004-356593號公報
然而本案發明人等藉由實驗發現，上述習知之基板液體處理裝置中，係使帶電於基板之電荷自固持基板之吸盤釋放，故雖可使帶電於基板表層之電荷朝基板外部部分放電，但無法連帶使帶電於基板內部之電荷朝基板外部良好地釋放，有當基板電路形成面在基板化學液處理時殘存之電荷放電之際基板電路形成面受到靜電破壞之虞。
在此，本發明之基板液體處理裝置係用以對基板施行液體處理，其特徵在於包含：基板固持機構，用以固持基板；第1處理液噴吐機構，朝向由基板固持機構固持之基板之電路形成面噴吐處理液；第2處理液噴吐機構，朝向由基板固持機構固持之基板中與電路形成面相反面之一面噴吐處理液；及控制機構，控制該基板固持機構以及第1及第2處理液噴吐機構；且該控制機構進行控制，俾執行下列程序：液體處理程序，作為處理液自該第1處理液噴吐機構朝基板之電路形成面噴吐用以對基板進行液體處理之基板處理化學液，以基板處理化學液處理基板之電路形成面；及電性中和處理程序，在該液體處理程序前，作為處理液自該第2處理液噴吐機構朝基板中與電路形成面相反面之一面噴吐用以使帶電於基板之電荷釋放之電性中和處理液，以電性中和處理液處理基板。
且該基板液體處理裝置中該控制機構進行控制，俾在該電性中和處理程序前進行令該基板固持機構旋轉並同時自該第1處理液噴吐機構及該第2處理液噴吐機構朝基板噴吐作為處理液之純水，於基板表面形成純水之液體膜之預備處理程序。
且該基板液體處理裝置中該純水之導電率低於該電性中和處理液。
且該基板液體處理裝置中該電性中和處理液相較於處理基板之電路形成面之該基板處理化學液導電率相同或高於該基板處理化學液。
且該基板液體處理裝置中該電性中和處理液係用以處理基板之電路形成面之該基板處理化學液。
且該基板液體處理裝置中在該液體處理程序後，使用以對基板進行潤洗處理之潤洗液與氣體混合而呈霧狀，自該第2處理液噴吐機構朝基板噴吐該潤洗液以作為處理液。
且該基板液體處理裝置中該基板固持機構內以導電性素材形成與基板接觸而固持該基板之基板固持體，且該基板固持機構電性接地。
且該基板液體處理裝置中該第1或/及第2處理液噴吐機構內以導電性素材形成噴吐處理液之處理液噴吐管，且該第1或/及第2處理液噴吐機構電性接地。
且該基板液體處理裝置中該基板固持機構內包含運送基板之基板運送機構，基板運送機構內設有與基板接觸而固持該基板之固持體，以導電性素材形成固持體且該固持體電性接地。
且本發明之基板液體處理方法進行以基板處理化學液對基板之電路形成面進行液體處理之液體處理程序，其特徵在於：在該液體處理程序前進行以電性中和處理液處理基板中與電路形成面相反面之一面，藉此使於基板帶電之電荷自基板中與電路形成面相反面之一面釋放之電性中和處理程序。
且該基板液體處理方法中在該電性中和處理程序前進行令基板旋轉並同時朝基板之電路形成面及基板中與電路形成面相反面之一面噴吐作為處理液之純水，於基板表面形成純水之液體膜之預備處理程序。
且該基板液體處理方法中該純水之導電率低於該電性中和處理液。
且該基板液體處理方法中該電性中和處理液相較於處理基板之電路形成面之該基板處理化學液導電率相同或高於該基板處理化學液。
且該基板液體處理方法中該電性中和處理液係用以處理基板之電路形成面之該基板處理化學液。
且該基板液體處理方法中在該液體處理程序後，使用以對基板進行潤洗處理之潤洗液與氣體混合而呈霧狀，自該第2處理液噴吐機構朝基板中與電路形成面相反面之一面噴吐該潤洗液以作為處理液。
且本發明之記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體中，該基板液體處理程式令基板液體處理裝置對基板進行液體處理，該基板液體處理裝置包含：基板固持機構，用以固持基板；第1處理液噴吐機構，朝向由基板固持機構固持之基板之電路形成面噴吐處理液；第2處理液噴吐機構，朝向由基板固持機構固持之基板中與電路形成面相反面之一面噴吐處理液；及控制機構，控制該基板固持機構以及第1及第2處理液噴吐機構；且該記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體之特徵在於該基板液體處理程式包含下列程序：液體處理程序，藉由該控制機構自該第1處理液噴吐機構朝基板之電路形成面噴吐用以對基板進行液體處理之基板處理化學液以作為處理液，以基板處理化學液處理基板之電路形成面；及電性中和處理程序，在該液體處理程序前，藉由該控制機構自該第2處理液噴吐機構朝基板中與電路形成面相反面之一面噴吐用以使於基板帶電之電荷釋放之電性中和處理液以作為處理液，以電性中和處理液處理基板。
且該記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體中在該電性中和處理程序前進行令基板旋轉並同時自該第1處理液噴吐機構及該第2處理液噴吐機構朝基板噴吐作為處理液之純水，於基板表面形成純水之液體膜之預備處理程序。
又，本發明中，在進行以基板處理化學液對基板之電路形成面進行液體處理之化學液處理程序前，進行以電性中和處理液處理基板中與電路形成面相反面之一面，藉此使於基板帶電之電荷自與電路形成面相反之一側釋放之電性中和處理程序，故可防止自基板放電導致電路形成面之靜電破壞發生。
於以下參照圖式並同時說明關於依本發明之基板液體處理裝置及用於此基板液體處理裝置之基板液體處理方法，與用以令基板液體處理裝置對基板進行液體處理之基板液體處理程式之具體構成。
如圖1所示，基板液體處理裝置1於前端部形成用來整合複數片(例如25片。)基板2(在此係半導體晶圓。)，以載具3將其送入並送出之基板送入送出台4，且於基板送入送出台4後部形成用來逐一運送由載具3收納之基板2之基板運送室5，於基板運送室5後部形成用來對基板2施行清洗或乾燥等各種處理之單片型基板處理室6。
基板送入送出台4可在4個載具3密接基板運送室5前壁7之狀態下以左右空出間隔之方式載置載具。
基板運送室5於內部收納有基板運送裝置8與基板傳遞台9，可使用基板運送裝置8在載置於基板送入送出台4之任一載具3與基板傳遞台9之間逐一運送基板2。
基板處理室6於中央部收納基板運送裝置10，於基板運送裝置10左側收納第1~第6基板處理部11~16並將其沿前後排成一列，且於基板運送裝置10右側收納第7~第12基板處理部17~22並將其沿前後排成一列。
又，基板處理室6使用基板運送裝置10在基板運送室5之基板傳遞台9與各基板處理部11~22之間逐一運送基板2，並使用各基板處理部11~22逐一處理基板2。
各基板處理部11~22構成相同，作為代表說明關於基板處理部11之構成即知，基板處理部11如圖2所示，包含：基板固持機構23，水平固持基板2；第1處理液噴吐機構24，朝向由基板固持機構23固持之基板2電路形成面(上表面)噴吐處理液；及第2處理液噴吐機構25，朝向由基板固持機構23固持之基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)噴吐處理液；且以控制機構26控制此等基板固持機構23與第1及第2處理液噴吐機構24、25。又，控制機構26控制基板運送裝置8、10等基板液體處理裝置1整體。
基板固持機構23於中空圓筒狀旋轉軸27上端部水平形成圓板狀平台28，並於平台28周緣部沿圓周方向以空出間隔之方式安裝接觸基板2周緣部並水平固持基板2之複數個基板固持體29，構成可旋轉之底板30。在此，底板30以包含碳纖維之導電性氟樹脂等導電性素材形成基板固持體29，並以導電性素材形成旋轉軸27或平台28，經由後述旋轉驅動機構33電性接地。
且基板固持機構23以上方形成開口之杯體32包圍底板30周圍，防止處理液飛散。
且基板固持機構23使底板30之旋轉軸27連動連結旋轉驅動機構33，藉由旋轉驅動機構33使底板30及由底板30固持之基板2旋轉。此旋轉驅動機構33由控制機構26進行旋轉控制。
第1處理液噴吐機構24於高於底板30(平台28)之上方配置第1處理液噴吐管34，第1處理液噴吐管34經由切換器37及流量控制器38連接供給純水之純水供給源35與供給清洗化學液之化學液供給源36，可自第1處理液噴吐管34朝基板2電路形成面(上表面)作為處理液恰以既定流量選擇性地噴吐純水或清洗化學液其中任一者。在此，切換器37或流量控制器38由控制機構26控制。且第1處理液噴吐機構24以包含碳纖維之導電性氟樹脂等導電性素材形成第1處理液噴吐管34，並連接接地線31以電性接地。
且第1處理液噴吐機構24使第1處理液噴吐管34連動連結移動機構39，藉由移動機構39第1處理液噴吐管34可自基板2中心部移動至周緣部，且第1處理液噴吐管34可退避至較基板2周緣部更外方。此移動機構39由控制機構26控制。
第2處理液噴吐機構25於低於底板30(平台28)之下方配置第2處理液噴吐管40，於第2處理液噴吐管40中央部形成液體流路41，並於第2處理液噴吐管40前端部(上端部)形成連通液體流路41之氣體流路42。液體流路41可經由切換器37’及流量控制器43連接純水供給源35’(亦可與純水供給源35相同。)與化學液供給源36’(亦可與化學液供給源36相同。)。氣體流路42可經由流量控制器45連接供給氮氣等非活性氣體之氣體供給源44。又，第2處理液噴吐機構25可自第2處理液噴吐管40之液體流路41朝基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)作為處理液恰以既定流量選擇性地噴吐純水或清洗化學液其中任一者，且可自第2處理液噴吐管40之液體流路41及氣體流路42朝基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)作為處理液恰以既定流量選擇性地噴吐混合純水或清洗化學液與氣體而呈霧狀者。在此，流量控制器43、45由控制機構26控制。
此第2處理液噴吐機構25可於基板固持機構23之底板30中央之中空部以空出間隔，可昇降之方式收納第2處理液噴吐管40，於第2處理液噴吐管40前端周緣部(上端周緣部)沿圓周方向以空出間隔之方式安裝複數個突起狀固持體46，並使第2處理液噴吐管40連動連結昇降機構47，藉由昇降機構47使第2處理液噴吐管40昇降。此昇降機構47由控制機構26進行昇降控制。
又，第2處理液噴吐機構25在自基板運送裝置10接收基板2時或傳遞基板2至基板運送裝置10時，以第2處理液噴吐管40上昇至高於基板固持機構23之上方的狀態藉由固持體46固持基板2下表面，以第2處理液噴吐管40下降之狀態藉由基板固持機構23之基板固持體29固持基板2周緣。又，在第2處理液噴吐管40下降之狀態下，固持體46前端部(上端部)自基板2下表面抽離。
因此，第2處理液噴吐機構25具有朝基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)噴吐處理液之功能，並亦具有作為在基板運送裝置10與基板固持機構23之間運送基板2之基板運送機構之功能。又，第2處理液噴吐機構25以包含碳纖維之導電性氟樹脂等導電性素材形成第2處理液噴吐管40及固持體46，並連接接地線31，電性接地。
又，上述基板液體處理裝置1中，作為由純水供給源35供給之純水，使用二氧化碳氣體或氨氣等溶解於超純水而使其導電率增大至大於超純水之純水，作為由化學液供給源36供給之清洗化學液，使用導電率更高於由純水供給源35供給之純水之藥劑。因此，上述基板液體處理裝置1中，相較於超純水由純水供給源35供給之純水更易於使帶電於基板2之電荷釋放，且相較於由純水供給源35供給之純水由化學液供給源36供給之清洗化學液更易於使帶電於基板2之電荷釋放。
基板液體處理裝置1如以上說明構成，按照記錄於可由控制機構26(電腦)讀取之記錄媒體48之基板液體處理程式藉由各基板處理部11~22處理基板2。又，記錄媒體48係可記錄基板液體處理程式等各種程式之媒體即可，可係ROM或RAM等半導體記憶體型記錄媒體亦可係硬碟或CD-ROM等碟型記錄媒體。
上述基板液體處理裝置1中，依基板液體處理程式並按照圖10所示之程序圖如以下說明進行基板2之液體處理(在此係清洗處理。)。
首先，基板液體處理程式如圖3所示，藉由控制機構26控制移動機構39，第1處理液噴吐管34退避至較基板2周緣部更外方，且藉由控制機構26控制昇降機構47，使作為基板運送機構之第2處理液噴吐管40上昇，自基板運送裝置10接收基板2，以固持體46支持基板2，其後，如圖4所示，藉由控制機構26控制昇降機構47，使作為基板運送機構之第2處理液噴吐管40下降，將基板傳遞至基板固持機構23之基板固持體29，以基板固持體29固持基板2(基板接收程序)。
其次，基板液體處理程式如圖5所示，藉由控制機構26控制旋轉驅動機構33，使基板固持機構23之底板30及由底板30之基板固持體29固持之基板2旋轉，並藉由控制機構26控制移動機構39，使第1處理液噴吐管34移動至基板2中央部上方，藉由控制機構26切換控制切換器37、37’至純水供給源側，控制流量控制器45為封閉狀態並對流量控制器38、43進行流量控制，自第1及第2處理液噴吐機構24、25之第1及第2處理液噴吐管34、40朝基板2之電路形成面(上表面)及其相反面(下表面)中央噴吐由純水供給源35、35’供給之純水(在此係使二氧化碳氣體溶解之純水)以作為處理液，於基板2之電路形成面(上表面)及其相反面(下表面)整體形成純水之液體膜(預備處理程序)。此時，純水之導電率大致不會對基板2之電路形成面造成靜電破壞，故基板2之電路形成面不會受到靜電破壞。
如此，進行預備處理，以自第1及第2處理液噴吐機構24、25朝基板2之電路形成面(上表面)及其相反面(下表面)噴吐純水，藉此使基板2之電荷釋放。
特別是在基板2之電路形成面(上表面)及其相反面(下表面)整體形成傳導率低於其後進行電路形成面處理時之化學液之純水液體膜，故可自基板2之電路形成面(上表面)及其相反面(下表面)整體均等釋放電荷，故可在其後化學液噴吐開始時以純水薄膜防止化學液直接噴吐至基板2，故可良好地釋放電荷。
且第1處理液噴吐機構24之第1處理液噴吐管34係以導電性素材形成且電性接地，故可防止由第1處理液噴吐管34噴吐之電性中和處理液本身之帶電，並可自基板2經由電性中和處理液朝第1處理液噴吐管34釋放電荷。
其次，基板液體處理程式如圖6所示，藉由控制機構26控制旋轉驅動機構33，使基板固持機構23之底板30及由底板30之基板固持體29固持之基板2維持旋轉，藉由控制機構26切換控制切換器37至純水供給源側，並直接切換控制切換器37’至化學液供給源側，控制流量控制器38、45為封閉狀態，並對流量控制器43進行流量控制，自第2處理液噴吐機構25之第2處理液噴吐管40朝基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)中央噴吐由化學液供給源36供給之清洗化學液以作為電性中和處理液，對基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)整體供給電性中和處理液(電性中和處理程序)。藉此，使殘存於基板2而帶電之電荷可經由自第2處理液噴吐機構25噴吐之清洗化學液，及基板固持體29、底板30、旋轉軸27而自基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)釋放。
如此進行電性中和處理，以在對基板2之電路形成面供給化學液前自第2處理液噴吐機構25朝基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)噴吐電性中和處理液，藉此釋放基板2之電荷。因此，可自基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)釋放大量電荷，在其後所實施之對基板2電路形成面之化學液供給時可防止基板2於電路形成面發生靜電破壞。此時，於基板2之電路形成面側，自第1處理液噴吐機構24供給其導電率大致不會對電路形成面造成靜電破壞之純水，更進一步使電荷釋放。
特別是藉由在基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)整體形成電性中和處理液之液體膜，可自基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)整體均等釋放電荷，可良好地使電荷釋放。
且自第2處理液噴吐機構25噴吐清洗化學液，故可對基板2進行電性中和處理同時清洗基板2下表面。
且基板固持機構23之基板固持體29係以導電性素材形成並電性接地，故可自基板2經由電性中和處理液朝基板固持體29釋放電荷，可順暢地釋放電荷。
且第2處理液噴吐機構25之第2處理液噴吐管40係以導電性素材形成並電性接地，故可防止由第2處理液噴吐管40噴吐之電性中和處理液本身之帶電，並可自基板2經由電性中和處理液朝第2處理液噴吐管40釋放電荷。
其次，基板液體處理程式如圖7所示，藉由控制機構26控制旋轉驅動機構33，使基板固持機構23之底板30及由底板30之基板固持體29固持之基板2維持旋轉，藉由控制機構26控制移動機構39，令第1處理液噴吐管34自基板2中央部朝周緣部來回移動，並藉由控制機構26切換控制切換器37’至化學液供給源側並直接切換控制切換器37至化學液供給源側，控制流量控制器45為封閉狀態並對流量控制器38、43進行流量控制，自第1處理液噴吐機構24之第1處理液噴吐管34朝基板2之電路形成面(上表面)中央噴吐由化學液供給源36、36’供給之清洗化學液以作為基板處理液，以基板處理液對基板2之電路形成面(上表面)進行液體處理(液體處理(清洗)程序)並自第2處理液噴吐管40朝基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)中央進行噴吐，亦以化學液處理基板下表面。
如此，基板液體處理裝置1中，在進行藉由液體處理程序以基板處理液對基板2之電路形成面(上表面)進行液體處理之液體處理程序前，藉由電性中和處理程序及預備處理程序使帶電於基板2之電荷釋放。
因此，基板液體處理裝置1中，藉由在液體處理程序前所進行之電性中和處理程序或預備處理程序，可使帶電於基板2之電荷在對電路形成面供給化學液時被釋放至在電路形成面大致不會發生靜電破壞，可防止於液體處理程序時在電路形成面(上表面)發生靜電破壞。
其後，基板液體處理程式如圖8所示，藉由控制機構26控制旋轉驅動機構33，基板固持機構23之底板30及由底板30之基板固持體29固持之基板2維持旋轉，藉由控制機構26切換控制切換器37、37’至純水供給源側，控制流量控制器45為封閉狀態並對流量控制器38、43進行流量控制，自第1處理液噴吐機構24之第1處理液噴吐管34朝基板2電路形成面(上表面)中央噴吐由純水供給源35供給之純水以作為潤洗液，以潤洗液對基板2之電路形成面(上表面)進行潤洗處理(潤洗處理程序前半(潤洗液體處理程序))並自第2處理液噴吐管40朝基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)中央進行噴吐，對基板2之下表面亦以潤洗液進行處理。
於此潤洗處理程序後半，基板液體處理程式如圖9所示，藉由控制機構26控制旋轉驅動機構33，基板固持機構23之底板30及由底板30之基板固持體29固持之基板2維持旋轉，藉由控制機構26切換控制切換器37、37’至純水供給源側，直接對流量控制器38、43、45進行流量控制，自第2處理液噴吐機構25之第2處理液噴吐管40朝基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)中央噴吐由純水供給源35供給之純水與由氣體供給源44供給之氣體經混合而呈霧狀者以作為潤洗液，使霧狀潤洗液充滿於基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)與基板固持機構23之底板30之間(潤洗處理程序後半(霧氣處理程序))並自第1處理液噴吐管34朝基板2之電路形成面中央噴吐潤洗液，對基板2之下表面亦以潤洗液進行處理。
藉此，霧狀潤洗液最後自第2處理液噴吐機構25充滿於基板2與電路形成面相反面之一面(下表面)與基板固持機構23之底板30之間，以進行使有可能殘存之基板2之電荷釋放之電性中和處理，並可以潤洗液使基板固持機構23之底板30濕潤，即使於底板30電荷帶電，亦可使該電荷經由霧狀潤洗液朝外部釋放。藉此，亦可針對其次處理之基板2防止來自底板30之帶電。
如此，基板液體處理裝置1中，依液體處理程序進行以基板處理液對基板2之電路形成面(上表面)進行液體處理之液體處理程序後，依潤洗處理程序進行以霧狀潤洗液對基板2進行潤洗處理之潤洗處理程序，依此潤洗處理程序進行以霧狀潤洗液使於基板2或係基板液體處理裝置1之構成構件之底板30帶電之電荷釋放之電性中和處理。
因此，基板液體處理裝置1中，對下一基板2進行液體處理時電荷不會帶電於基板液體處理裝置1之構成構件，可防止於下一基板2發生靜電破壞。
其後，基板液體處理程式藉由控制機構26控制流量控制器38、43、45為封閉狀態，停止自第1及第2處理液噴吐管34、40噴吐液狀及霧狀潤洗液，並藉由控制機構26控制旋轉驅動機構33，基板固持機構23之底板30及由底板30之基板固持體29固持之基板2高速旋轉，藉此甩掉附著於基板2之潤洗液以自基板2去除潤洗液，對基板2進行乾燥處理(乾燥處理程序)。
最後基板液體處理程式與圖3所示相同，藉由控制機構26控制移動機構39，第1處理液噴吐管34退避至較基板2周緣部更外方，並藉由控制機構26控制昇降機構47，作為基板運送機構之第2處理液噴吐管40上昇，自基板固持機構23傳遞基板2至基板運送裝置10(基板傳遞程序)。
如以上說明，上述基板液體處理裝置1中，在進行以基板處理液對基板2之電路形成面進行液體處理之液體處理程序前，以電性中和處理液處理基板2與電路形成面相反面之一面，藉此進行使帶電於基板2之電荷釋放之電性中和處理程序，故可防止因來自基板2之放電導致靜電破壞發生，可提升基板液體處理裝置1之產出。
又，作為電性中和處理液，使用相較於處理基板2之電路形成面之基板處理液(清洗化學液)導電率較高或相同者。作為電性中和處理液使用導電率高於或等同於基板處理液者時，可在以基板處理液進行處理前使電荷自基板2與電路形成面相反之一側良好地釋放，可防止基板處理時自電路形成面放電。且藉由進行以導電率低於電性中和處理液之純水於基板2表面形成薄膜之預備處理，電荷可和緩地自基板2釋放，且薄膜用作為保護膜，可防止基板處理液噴吐時基板處理液直接噴吐於基板2而產生放電。
1．．．基板液體處理裝置
2．．．基板
3．．．載具
4．．．基板送入送出台
5．．．基板運送室
6．．．基板處理室
7．．．前壁
8．．．基板運送裝置
9．．．基板傳遞台
10．．．基板運送裝置
11~22．．．第1~第12基板處理部
23．．．基板固持機構
24．．．第1處理液噴吐機構
25．．．第2處理液噴吐機構
26．．．控制機構
27．．．旋轉軸
28．．．平台
29．．．基板固持體
30．．．底板
31．．．接地線
32．．．杯體
33‧‧‧旋轉驅動機構
34‧‧‧第1處理液噴吐管
35、35’‧‧‧純水供給源
36、36’‧‧‧化學液供給源
37、37’‧‧‧切換器
38‧‧‧流量控制器
39‧‧‧移動機構
40‧‧‧第2處理液噴吐管
41‧‧‧液體流路
42‧‧‧氣體流路
43‧‧‧流量控制器
44‧‧‧氣體供給源
45‧‧‧流量控制器
46‧‧‧固持體
47‧‧‧昇降機構
48‧‧‧記錄媒體
圖1係顯示基板液體處理裝置之俯視圖。
圖2係顯示基板處理部之示意圖。
圖3係同動作說明圖(基板接收程序)。
圖4係同動作說明圖(基板接收程序)。
圖5係同動作說明圖(預備處理程序)。
圖6係同動作說明圖(電性中和處理程序)。
圖7係同動作說明圖(液體處理程序)。
圖8係同動作說明圖(潤洗液體處理程序)。
圖9係同動作說明圖(霧氣處理程序)。
圖10係顯示基板液體處理方法之程序圖。
2．．．基板
11．．．第1基板處理部
23．．．基板固持機構
24．．．第1處理液噴吐機構
25．．．第2處理液噴吐機構
26．．．控制機構
27．．．旋轉軸
28．．．平台
29．．．基板固持體
30．．．底板
31．．．接地線
32．．．杯體
33．．．旋轉驅動機構
34．．．第1處理液噴吐管
35、35’．．．純水供給源
36、36’．．．化學液供給源
37、37’．．．切換器
38．．．流量控制器
39．．．移動機構
40．．．第2處理液噴吐管
41．．．液體流路
42．．．氣體流路
43．．．流量控制器
44．．．氣體供給源
45．．．流量控制器
46．．．固持體
47．．．昇降機構
48．．．記錄媒體

Claims (17)

  1. 一種基板液體處理裝置，用以對基板施行液體處理，其特徵在於包含：基板固持機構，用以固持基板；第1處理液噴吐機構，朝向由基板固持機構固持之基板的電路形成面噴吐處理液；第2處理液噴吐機構，朝向由基板固持機構固持之基板中與電路形成面相反面之一面噴吐處理液；及控制機構，控制該基板固持機構以及第1與第2處理液噴吐機構；且該控制機構進行控制，俾執行下列程序：化學液處理程序，自該第1處理液噴吐機構朝基板之電路形成面噴吐出用以對基板進行液體處理之化學液以作為處理液，利用該化學液處理基板之電路形成面；潤洗程序，朝基板之電路形成面噴吐純水，利用純水處理基板之電路形成面；及電性中和處理程序，在該化學液處理程序前，自該第2處理液噴吐機構朝向基板中與電路形成面相反面之一面之基板中央，噴吐出用以使帶電於基板之電荷釋放之導電率大於純水之電性中和處理液以作為處理液，而在基板與電路形成面相反面之一面整體形成電性中和處理液之液體膜，藉此利用該電性中和處理液處理基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板液體處理裝置，其中，該控制機構進行控制，俾在該電性中和處理程序之前進行後述之預備處理程序：令該基板固持機構旋轉並同時自該第1處理液噴吐機構及該第2處理液噴吐機構朝向基板噴吐出作為處理液之純水，而在基板表面形成純水之液體膜。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板液體處理裝置，其中，該純水之導電率低於該電性中和處理液。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板液體處理裝置，其中，該電性中和處理液相較於用來處理基板之電路形成面的該化學液，其導電率相同或高於該化學液。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板液體處理裝置，其中，該電性中和處理液係用以處理基板之電路形成面之該化學液。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板液體處理裝置，其中，在該化學液處理程序後，使用用來對基板進行潤洗處理之潤洗液，與氣體混合而呈霧狀，自該第2處理液噴吐機構朝基板噴吐該潤洗液以作為處理液。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板液體處理裝置，其中，該基板固持機構係以導電性素材形成與基板接觸而固持該基板之基板固持體，且電性接地。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板液體處理裝置，其中，該第1或/及第2處理液噴吐機構係以導電性素材形成噴吐處理液之處理液噴吐管，並電性接地。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板液體處理裝置，其中，該基板固持機構包含運送基板之基板運送機構，該基板運送機構設有與基板接觸而固持該基板之固持體，以導電性素材形成固持體且該固持體電性接地。
  10. 一種基板液體處理方法，進行以化學液對基板之電路形成面進行液體處理的化學液處理程序，其特徵在於執行： 化學液處理程序，朝基板之電路形成面噴吐出該化學液，利用該化學液處理基板之電路形成面；潤洗程序，朝基板之電路形成面噴吐純水，利用純水處理基板之電路形成面；及電性中和處理程序，在該化學液處理程序前，向基板中與電路形成面相反面之一面之基板中央，噴吐導電率大於純水之電性中和處理液，而在基板與電路形成面相反面之一面整體形成電性中和處理液之液體膜，藉此使基板所帶電之電荷自基板中與電路形成面相反面之一面釋放。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板液體處理方法，其中，在該電性中和處理程序前進行後述之預備處理程序：令基板旋轉並同時朝基板之電路形成面及基板中與電路形成面相反面之一面噴吐作為處理液之純水，而於基板表面形成純水之液體膜。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板液體處理方法，其中，該純水之導電率低於該電性中和處理液。
  13. 如申請專利範圍第10至12項中任一項之基板液體處理方法，其中，該電性中和處理液相較於處理基板之電路形成面之該化學液，其導電率相同或高於該化學液。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板液體處理方法，其中，該電性中和處理液係用以處理基板之電路形成面之該化學液。
  15. 如申請專利範圍第10至12項中任一項之基板液體處理方法，其中，在該化學液處理程序後，使用以對基板進行潤洗處理之潤洗液與氣體混合而呈霧狀，自該第2處理液噴吐機構朝基板中與電路形成面相反面之一面噴吐該潤洗液以作為處理液。
  16. 一種記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體，該基板液體處理程式令一基板液體處理裝置對基板進行液體處理，該基板液體處理裝置包含：基板固持機構，用以固持基板；第1處理液噴吐機構，朝向由基板固持機構固持之基板之電路形成面噴吐處理液；第2處理液噴吐機構，朝向由基板固持機構固持之基板中與電路形成面相反面之一面噴吐處理液；及控制機構，控制該基板固持機構以及第1及第2處理液噴吐機構；且該記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體之特徵在於該基板液體處理程式包含下列程序：化學液處理程序，藉由該控制機構自該第1處理液噴吐機構朝基板之電路形成面噴吐用以對基板進行液體處理之化學液以作為處理液，以化學液處理基板之電路形成面；潤洗程序，朝基板之電路形成面噴吐純水，利用純水處理基板之電路形成面；及電性中和處理程序，在該化學液處理程序前，藉由該控制機構自該第2處理液噴吐機構朝基板中與電路形成面相反面之一面之基板中央，噴吐用以使基板所帶電之電荷釋放之導電率大於純水之電性中和處理液以作為處理液，而在基板與電路形成面相反面之一面整體形成電性中和處理液之液體膜，藉此利用電性中和處理液處理基板。
  17. 如申請專利範圍第16項之記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體，其中，在該電性中和處理程序前進行後述之預備處理程序：令基板旋轉並同時自該第1處理液噴吐機構及該第2處理液噴吐機構朝基板噴吐作為處理液之純水，於基板表面形成純水之液體膜。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6176898B2 (ja) * 2011-09-05 2017-08-09 キヤノン株式会社 Ｘ線タルボ干渉法による撮像に用いられる遮蔽格子の製造方法
KR101450965B1 (ko) 2011-09-29 2014-10-15 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5911689B2 (ja) 2011-09-29 2016-04-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5911690B2 (ja) * 2011-09-29 2016-04-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6032878B2 (ja) * 2011-09-29 2016-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2013222947A (ja) * 2012-04-19 2013-10-28 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法並びにフィルタ装置
JP6262430B2 (ja) * 2012-12-28 2018-01-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6262431B2 (ja) * 2012-12-28 2018-01-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
TWI546878B (zh) 2012-12-28 2016-08-21 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP2015082601A (ja) * 2013-10-23 2015-04-27 株式会社ディスコ 洗浄装置及び洗浄方法
JP6195788B2 (ja) * 2013-12-20 2017-09-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6483348B2 (ja) * 2014-03-28 2019-03-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6195803B2 (ja) * 2014-05-02 2017-09-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
US9460944B2 (en) * 2014-07-02 2016-10-04 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method of treating substrate
CN104409389B (zh) * 2014-11-07 2017-10-27 合肥京东方光电科技有限公司 一种机台
KR102358693B1 (ko) * 2015-01-06 2022-02-04 삼성전자주식회사 매엽식 웨이퍼 세정 설비
JP6541492B2 (ja) * 2015-07-29 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 液処理方法および液処理装置
US9943871B2 (en) * 2015-09-28 2018-04-17 Tokyo Electron Limited Processing liquid supply apparatus, operating method of processing liquid supply apparatus, and recording medium
JP6794730B2 (ja) * 2015-09-28 2020-12-02 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給装置の運用方法並びに記憶媒体
US11056358B2 (en) 2017-11-14 2021-07-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer cleaning apparatus and method
KR102310465B1 (ko) * 2019-08-20 2021-10-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7311075B1 (ja) 2022-03-30 2023-07-19 Ｊｆｅスチール株式会社 前処理液および絶縁被膜付き電磁鋼板の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5525261A (en) * 1994-10-18 1996-06-11 Henkel Corporation Anti-static composition and method of making the same
TW200731372A (en) * 2005-12-02 2007-08-16 Tokyo Electron Ltd Substrate cleaning method and apparatus and computer readable storage medium
TW200741808A (en) * 2006-03-15 2007-11-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW200741954A (en) * 2006-03-01 2007-11-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus and substrate handling method
TW200833425A (en) * 2006-12-15 2008-08-16 Dainippon Screen Mfg Two-fluid nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method
US7534302B2 (en) * 2006-12-07 2009-05-19 Electronics And Telecommunications Research Institute Method of cleaning flexible substrate

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5125484A (en) * 1974-08-27 1976-03-02 Showa Denko Kk Taidenboshiseijukiekitaisoseibutsu
JP3626610B2 (ja) * 1998-11-02 2005-03-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP4260970B2 (ja) * 1999-03-24 2009-04-30 島田理化工業株式会社 半導体ウェーハ洗浄装置
US6579382B2 (en) * 2000-02-17 2003-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Chemical liquid processing apparatus for processing a substrate and the method thereof
JP2001358109A (ja) * 2000-06-14 2001-12-26 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 枚葉式洗浄装置、及びウェハ洗浄方法。
JP2004303836A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP3924551B2 (ja) 2003-05-30 2007-06-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Ｓｏｉウェハ製造方法
JP4347765B2 (ja) * 2004-07-21 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2007184363A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板除電方法
JP2007227764A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理装置、基板表面処理方法および基板処理装置
JP4908879B2 (ja) * 2006-02-28 2012-04-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2008085136A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4928234B2 (ja) * 2006-11-20 2012-05-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2009200365A (ja) * 2008-02-23 2009-09-03 Sony Corp 基板の処理方法
US20100024847A1 (en) * 2008-08-01 2010-02-04 Breese Ronald G Semiconductor wafer cleaning with dilute acids

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5525261A (en) * 1994-10-18 1996-06-11 Henkel Corporation Anti-static composition and method of making the same
TW200731372A (en) * 2005-12-02 2007-08-16 Tokyo Electron Ltd Substrate cleaning method and apparatus and computer readable storage medium
TW200741954A (en) * 2006-03-01 2007-11-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus and substrate handling method
TW200741808A (en) * 2006-03-15 2007-11-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus and substrate processing method
US7534302B2 (en) * 2006-12-07 2009-05-19 Electronics And Telecommunications Research Institute Method of cleaning flexible substrate
TW200833425A (en) * 2006-12-15 2008-08-16 Dainippon Screen Mfg Two-fluid nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method

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