TWI476231B - Composition, hardening and electronic devices - Google Patents

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TWI476231B TW099139039A TW99139039A TWI476231B TW I476231 B TWI476231 B TW I476231B TW 099139039 A TW099139039 A TW 099139039A TW 99139039 A TW99139039 A TW 99139039A TW I476231 B TWI476231 B TW I476231B
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Description

組成物、硬化物及電子裝置
本發明係關於一種組成物、由該組成物形成之硬化物、及具備該硬化物之電子裝置。
因水分而受到破壞之電子裝置，例如電容或有機EL元件等為了排除水分故有必要在密閉狀態下使用。然而，該種密閉型電子裝置僅使用封裝劑並無法完全阻止水分之入侵。因此，若非去除緩慢入侵到電子裝置內之水分而組裝，則電子裝置之功能會隨著時間經過而緩慢下降。
例如，代表性之密閉型電子裝置的有機EL元件隨著驅動期間之長期化，有因進入有機EL元件中之水分使亮度與發光效率等發光特性緩慢下降之問題。
至於保護該密閉型電子裝置免於自外部入侵之水分之手段，於特開2005-298598號公報或特表2008-518399號公報中，已檢討預先於裝置內放置有機金屬化合物或金屬烷氧化物等水分捕捉劑，將裝置內部維持在低濕度環境中之技術。
然而，使用該種有機金屬化合物或金屬烷氧化物等作為水分捕捉劑時，藉由與水反應而產生烷或醇等分解產物。該種分解產物若擴散至裝置內部，則吸收於構成裝置之電荷輸送層或有機發光層等有機材料中，而有引起存在於裝置內之空隙之體積膨脹之虞。結果，會有在裝置中產生針孔，而且使裝置變形而促進水分之入侵，縮短裝置壽命之情況。
再者，一般而言，有必要使水分捕捉劑溶解於溶劑中成為塗佈液，利用旋轉塗佈等塗佈方法使該塗佈液成膜，並藉由去除溶劑而成形。然而，以該方法成形時，會有溶劑殘留在膜中。該種情況下，與上述分解產物相同，膜中殘留之溶劑擴散至裝置內部，吸收於構成裝置之電荷輸送層或有機發光層等有機材料中，而會有引起存在於裝置內之空隙之體積膨脹之問題。結果，會有於裝置內產生針孔，而且使裝置變形而促進水分之入侵，造成裝置壽命縮短等問題產生之可能性。因此，期望開發出儘可能去除溶劑之水分捕捉劑。
又，該種水分捕捉劑在使用環境下(例如，有機EL照明等為80℃左右)會有因熱流動導致變形，與水反應而不透明化之情況。
另一方面，水分捕捉劑通常為形成於玻璃基板等之表面上者，故要求成膜性優異，同時要求玻璃密著性優異。
因此，本發明之該若干樣態為提供可解決上述課題，且可形成吸水性、熱流動性(耐熱性)優異，同時透明性、成膜性、及玻璃密著性均優之硬化物之水分捕捉用組成物、由該組成物形成之硬化物、及具備該硬化物之電子裝置。
本發明係為解決上述課題之至少一部份而完成者，且可以下述樣態或適用例而實現。
[適用例1]
本發明之該組成物之一樣態為含有以下述通式(1)表示之化合物(A)，及具有以下述通式(2)表示之構造之化合物(B)，
(R1 )n M　...(1)
(上述式(1)中，R1 為自經取代或未經取代之烷基、烯基、炔基、環式烷基、芳基、羧基及以R3 O-表示之基團所選擇之一種，複數存在之R1 為可相同或不同，但複數存在之R1 中至少一個為具有一個以上不飽和鍵之基團，R3 為自經取代或未經取代之烷基、烯基、炔基、環式烷基及芳基所選擇之一種，n為2~4之整數，且等於M之原子價，M為2~4價之原子)，
[化1]
(上述式(2)中，R2 為自氫原子、鹵素原子及有機基選擇之一種)。
[適用例2]
適用例1中，前述化合物(A)可具有碳-碳不飽和鍵。
[適用例3]
適用例1或適用例2中，前述通式(1)之前述M可為自鋁、硼、鎂、鈣、鈦、鋯及鋅選擇之至少一種。
[適用例4]
適用例1至適用例3之任一例中，前述化合物(B)可為具有以下述通式(3)表示之重複單位之聚矽氧烷，
[化2]
(上述式(3)中，R2 為自氫原子、鹵素原子及有機基所選擇之一種)。
[適用例5]
適用例1至適用例4之任一例中，前述化合物(A)可為以下述通式(4)表示之化合物，
[化3]
(上述式(4)中，R4 為二價有機基，R5 為氫原子或一價有機基，複數存在之R4 及R5 為可相同或不同)。
[適用例6]
適用例1至適用例5之任一例中，進而含有促進前述化合物(A)與前述化合物(B)之氫矽烷基化反應之觸媒(C)。
[適用例7]
適用例1至適用例6之任一例中，可進而含有選自下列之至少一種之安定化劑：苯并噻唑、參(2,4-二第三丁基苯基)亞磷酸酯、1-乙炔基-1-環己醇、馬來酸二乙酯、N-甲基吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮及N-乙烯基-ε-己內醯銨。
[適用例8]
適用例1至適用例7之任一例中所述之組成物為可使用於捕捉水分之用途中者。
[適用例9]
本發明之該硬化物之一樣態之特徵為使用適用例8所述之水分捕捉用組成物形成。
[適用例10]
本發明之該電子裝置之一樣態之特徵為具備適用例9所述之硬化物。
本發明之該組成物可形成吸濕性及耐熱性優異，同時透明性、成膜性及玻璃密著性亦優異之硬化物(塗佈膜或薄膜等)。該硬化物即使在例如超過80℃之使用環境下，仍不會因熱流動而變形。
再者，本發明之該組成物可採用不含溶劑之樣態。依據該樣態，硬化物中無溶劑殘留。因此，藉由將該硬化物搭載於電子裝置內，可防止硬化物中因殘留溶劑造成電子裝置之損害，例如，可防止因產生針孔或因裝置變形造成之水分入侵。
上述硬化物使用於有機EL元件等電子裝置中作為水分捕捉劑之用途，又透明性優異時，可使用於例如上面發光型有機EL元件中。
以下針對本發明之較佳實施形態加以詳細說明。又，本發明並不受限於下述之實施形態，且亦包含在不改變本發明主旨之範圍內實施之各種變形例。
1.　組成物
本實施形態之組成物含有以下述通式(1)表示之化合物(A)(以下亦簡稱為「(A)成分」)，及具有以下述通式(2)表示之構造之化合物(B)(以下亦簡稱為「(B)成分」)，
(R1 )n M　...(1)
(上述式(1)中，R1 為自經取代或未經取代之烷基、烯基、炔基、環式烷基、芳基、羧基及以R3 O-表示之基團所選擇之一種，複數存在之R1 為相同或不同，但複數存在之R1 中至少一個為具有一個以上不飽和鍵之基團，R3 為自經取代或未經取代之烷基、烯基、炔基、環式烷基及芳基所選擇之一種，n為2~4之整數，且等於M之原子價，M為2~4價之原子)，
[化4]
(上述式(2)中，R2 為自氫原子、鹵素原子及有機基選擇之一種)。
以下針對構成本實施形態之組成物之各成分加以說明。
1.1.　化合物(A)
本實施形態之該組成物含有以上述通式(1)表示之化合物(A)。(A)成分之功能之一列舉為使(A)成分中存在之R1 -M鍵與水分反應藉此捕捉水分。藉由使用該種(A)成分，可獲得吸濕性優異之硬化物。亦即，為了在捕捉水分之用途中使用由本實施形態之該組成物形成之硬化物，該硬化物中有必要實質存在R1 -M鍵。因此，即使在本實施形態之組成物中，仍有必要實質存在R1 -M鍵。
上述通式(1)中，R1 為自經取代或未經取代之烷基、烯基、炔基、環式烷基、芳基、羧基及以R3 O-表示之基團所選擇之一種，複數存在之R1 為可相同或不同，但複數存在之R1 中至少一個為具有一個以上不飽和鍵之基團。R1 較好為以R3 O-表示之基，R3 為自經取代或未經取代之烷基、烯基、炔基、環式烷基及芳基所選擇之一種。前述R1 、R3 可為直鏈狀亦可為環狀，亦可具有分支鏈。另外，前述R1 或R3 為烯基或炔基時，任一雙鍵、三鍵之位置及數目並無特別限制。又，R1 可考量成為目的之硬化物特性，自前述之基中適宜選擇。R1 為前述之基時，可提高(A)成分與後述(B)成分之相溶性。結果，即使靜置亦可抑制相分離，可製備貯藏安定性良好之組成物。
上述通式(1)中，由於n為2~4之整數，故R1 成為複數存在。此處，複數存在之R1 為可相同或不同，但複數存在之R1 之至少一個具有一個以上之不飽和鍵。不飽和鍵之位置及數目並無特別限制。藉由於R1 中具有一個以上之不飽和鍵，使(B)成分中存在之Si-H鍵裂開，可對R1 中存在之不飽和鍵進行加成反應(所謂的氫矽烷化反應)。藉由該反應，可使(A)成分與(B)成分鍵結而固定化。
又，複數存在之R1 更好全部具有不飽和鍵。全部R1 具有不飽和鍵時，使(A)成分與後述(B)成分鍵結而固定化時，可降低未與(B)成分反應而殘留之R1 量。其結果，可抑制源自R1 之烷或醇等之水解成分(R1 H)之產生。
R1 中存在之不飽和鍵較好為碳-碳不飽和鍵。若為碳-碳不飽和鍵，則可與Si-H鍵反應生成安定之Si-C鍵。結果，即使(A)成分水解時，由於Si-C鍵為安定，故可抑制源自R1 之烷或醇等之水解成分(R1 H)產生。
另外，前述碳-碳不飽和鍵更好為乙烯性不飽和鍵。乙烯性不飽和鍵由於與Si-H鍵之反應性高，故使(A)成分與後述(B)成分之反應容易進行。其結果，可降低未與(B)成分反應之殘留R1 量，進而可抑制源自R1 之烷或醇等之水解成分(R1 H)產生。
R1 之碳數較好為6~30，更好為10~20，最好為12~20。藉由使以上述通式(1)表示之化合物水解，而發生源自R1 之烷或醇等之水解成分(R1 H)。然而，R1 之碳數在前述範圍內時，該等水解成分之沸點變高，不易成為釋出氣體之成分，且容易與後述(B)成分形成均勻之混合物故而較佳。另外，R1 之碳數在前述範圍內時，由於產生之水解成分(R1 H)不具有作為硬化物之可塑劑之作用，故就不增大熱流動性方面而言較佳。又，水解成分之沸點在一大氣壓下較好為200℃以上，更好為250℃以上。若在200℃以上，則可例如抑制水解成分朝電子裝置內之擴散。
又，R1 為具有兩個以上不飽和鍵之基時，水解後仍可維持與(B)成分之反應產物之交聯構造，故更好。
上述烷基列舉為例如己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十六烷基、四甲基十六烷基、十八烷基等。
上述烯基列舉為辛烯基、癸烯基、十八碳烯基、烯丙基等。
上述炔基列舉為乙炔基、丙炔基、苯基乙炔基等。
上述環式烷基列舉為環己基等。
上述芳基列舉為苯基、苄基等。
上述通式(1)中，M為2~4價之原子。該原子舉例有IUPAC週期表中之第2族元素、第4族元素、第12族元素、第13族元素、第14族元素，具體而言舉例有Al、B、Mg、Zn、Ti、Zr、Si等。該等中，就吸濕性優異且藉由捕捉水分而分解後可不變色而維持透明性之觀點而言，較好為Al。
以上述通式(1)表示之化合物較好為以下述通式(4)表示之化合物。
[化5]
上述通式(4)中，R4 為二價有機基。至於二價有機基較好為經取代或未經取代之伸烷基、氧基伸烷基。R5 為氫原子或一價有機基。至於一價有機基，較好為由經取代或未經取代之烯基、炔基、環式烷基、芳基及羧基所選擇之一種。R4 及R5 可依成為目的之硬化物特性適當選擇。又，醚構造存在於以R4 或R5 所示之基中時，為了更提高(A)成分與後述(B)成分之相溶性，有可依據硬化物要求之特性，自由控制(A)成分與(B)成分之調配量之情況。另外，以上述通式(4)表示之化合物由於具有乙烯性不飽和鍵，故可容易與Si-H鍵反應。結果，可大幅降低(A)成分因水解造成之低分子量成分產生。
以上述通式(4)表示之化合物之具體例列舉為例如三(2,2-雙(烯丙氧基甲基)-1-丁氧基)鋁、三(2-(2-乙烯氧基乙氧基)乙氧基)鋁、三(2-十二碳烯氧基)鋁等。
上述三(2,2-雙(烯丙氧基甲基)-1-丁氧基)鋁及三(2-(2-乙烯氧基乙氧基)乙氧基)鋁為具有優異水分捕捉作用之新穎化合物，且分別具有以下式(5)及以下式(6)表示之構造。尤其是以下式(5)表示之三(2,2-雙(烯丙氧基甲基)-1-丁氧基)鋁具有藉由與水反應產生之醇之沸點在一大氣壓下為258℃，且在使用環境下產生不容易揮發之醇之特徵。而且，以下式(5)及下式(6)表示之化合物與任何後述化合物(B)之相溶性優異，可製造透明之組成物。
[化6]
[化7]
以下對以上述式(5)表示之化合物之製造方法加以說明。
以上述式(5)表示之化合物可藉由攪拌下將三異丁基鋁以逐次少量添加於2.8~3.5當量之三羥甲基丙烷二烯丙基醚中，且在0~150℃之適當溫度反應1小時至4小時而容易製造。隨後，依循常用方法進行後處理，獲得以上述式(5)表示之化合物。又，以上述式(5)表示之化合物之製造過程中，會有於產物中不可避免混入來自反應液之成分或混入副產物之情況，但只要是以上述式(5)表示之化合物作為主成分之產物，則可直接使用於本實施形態中。
以下對以上述式(6)表示之化合物之製造方法加以說明。
以上述式(6)表示之化合物可藉由將三異丙氧基鋁溶解於乾燥甲苯中，於其中添加3~4當量之2-(2-乙烯氧基乙氧基)乙醇，且在90℃反應特定時間而容易地製造。隨後，依循常用方法進行後處理，獲得以上述式(6)表示之化合物。又，以上述式(6)表示之化合物之製造過程中，會有於產物中不可避免混入來自反應液之成分或混入副產物之情況，但只要為以上述式(6)表示之化合物作為主成分之產物，則可直接使用於本實施形態中。
本實施形態之該組成物中之(A)成分含量，以組成物之總質量作為100質量%時，較好為10質量%以上90質量%以下，更好為50質量%以上80質量%以下。(A)成分之含量在上述範圍內時，可於硬化物中有效地展現捕捉水分之作用故較佳。另外，(A)成分之含量在前述範圍內時，可賦予組成物如後述之適當黏度，使形成硬化物時之成膜等作業性變良好。
1.2.　化合物(B)
本實施形態之該組成物含有具有以上述通式(2)表示之構造之化合物(B)。該化合物(B)可為具有以上述通式(2)表示之構造之聚合物，亦可為單體。
使本實施形態之該組成物硬化形成硬化物之步驟中，(A)成分與(B)成分共存時，可使(B)成分中存在之Si-H鍵裂開，與(A)成分中存在之不飽和鍵進行加成反應(所謂的氫矽烷化反應)。藉由該加成反應，可使(A)成分固定化於(B)成分而形成硬化物。形成該硬化物時，可防止因(A)成分吸濕而產生之水解產物之低分子量化。據此，可抑制水解產物之揮發。又，本說明書中所謂「低分子量」意指分子量至多300左右。
又，(B)成分為單體時，使本實施形態之該組成物硬化形成硬化物之步驟中，(B)成分本身進行聚合反應，同時使前述(A)成分與(B)成分進行共聚合反應，可使(A)成分固定化於(B)成分而形成硬化物。或者，(B)成分為二官能基以上之單體時，(B)成分本身即使不會引起聚合反應亦造成交聯，可使(A)成分與(B)成分相互鍵結形成硬化物。藉由形成該種硬化物，可防止因(A)成分吸濕產生之水解產物之低分子量化。據此，可抑制水解產物之揮發。
又，(B)成分更好為具有以下述通式(3)表示之構造之化合物。
[化8]
(上述式(3)中，R2 為自氫原子、鹵素原子及有機基選擇之一種)。
上述通式(2)及通式(3)中，R2 為自氫原子、鹵素原子及有機基選擇之一種。又，R2 可考慮成為目的之硬化物特性，自前述之基中適當選擇。R2 為前述之基時，可提高(A)成分與後述(B)成分之相溶性。結果，即使靜置亦可抑制相分離而可製備貯藏安定性良好之組成物。至於前述有機基列舉為例如經取代或未經取代之烷基、烯基、炔基、環式烷基或芳基，基中亦可含有鹵素原子、醚基。該等有機基可為直鏈狀亦可為環狀，且亦可具有支鏈。又，烯基或炔基中，任一雙鍵、三鍵之位置及數目並無特別限制。又，前述有機基較好為碳數1~30之有機基。R2 為碳數1~30之有機基時，會有可進一步提高(A)成分與(B)成分之相溶性，可製備貯藏安定性更良好之組成物之情況。
至於上述烷基列舉為例如己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十六烷基、四甲基十六烷基、十八烷基、3,3,3-三氟丙基等。
上述烯基列舉為乙烯基、辛烯基、十二碳烯基、十八碳烯基、烯丙基等。
上述炔基列舉為乙炔基、丙炔基、苯基乙炔基等。
上述環式烷基列舉為環己基等。
上述芳基列舉為苯基、苄基等。
(B)成分較好為具有以上述通式(2)表示之重複單位之聚合物。更好為具有以上述通式(3)表示之重複單位之聚矽氧烷。至於(B)成分，列舉為例如聚二氫矽氧烷、聚(甲基氫矽氧烷)、聚(乙基氫矽氧烷)、聚(苯基氫矽氧烷)、聚苯基(二甲基氫矽氧基)矽氧烷、聚[(甲基氫矽氧烷)(二甲基矽氧烷)]共聚物、聚[(甲基氫矽氧烷)(乙基甲基矽氧烷)]共聚物、聚[(甲基氫矽氧烷)(二乙基矽氧烷)]共聚物、聚[(甲基氫矽氧烷)(己基甲基矽氧烷)]共聚物、聚[(甲基氫矽氧烷)(辛基甲基矽氧烷)]共聚物、聚[(甲基氫矽氧烷)(十八烷基甲基矽氧烷)]共聚物、聚[(甲基氫矽氧烷)(苯基甲基矽氧烷)]共聚物、聚[(甲基氫矽氧烷)(二乙氧基矽氧烷)]共聚物、聚[(甲基氫矽氧烷)(二甲氧基矽氧烷)]共聚物、聚[(甲基氫矽氧烷)(3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷)]共聚物、聚[(二氫矽氧烷)(2-氟乙氧基甲基矽氧烷)]共聚物、聚[(二氫矽氧烷)((2-甲氧基乙氧基)甲基矽氧烷)]共聚物、聚[(二氫矽氧烷)(苯氧基甲基矽氧烷)]共聚物、聚[(二氫矽氧烷)(萘基甲基矽氧烷)]共聚物、聚[(二氫矽氧烷)(4-氯苯基甲基矽氧烷)]共聚物、聚[(二氫矽氧烷)((4-甲氧基苯基)二甲基矽氧烷)]共聚物等。
(B)成分為聚合物時之重量平均分子量較好為300~100,000，更好為1,000~50,000。又，本發明中所謂「重量平均分子量」係以GPC(凝膠滲透層析)測得之聚苯乙烯換算之重量平均分子量。(B)成分之重量平均分子量若在前述範圍內，則可防止因(A)成分吸濕產生之水解產物之低分子量化。據此，可抑制水解產物之揮發故而較佳。又，(B)成分之重量平均分子量在前述範圍內時，添加(B)成分可賦予組成物適度之黏性。據此，可改善本實施形態之該組成物之成膜等之作業性。
(B)成分不為聚合物時，作為(B)成分只要是具有以上述通式(2)表示之構造之化合物則無特別限制，列舉為例如二苯基第三丁基氫矽烷、三苄基矽烷等。
以下針對(B)成分之功能列舉說明。
第一，如前述，使本實施形態之該組成物硬化形成硬化物之步驟中，藉由使(A)成分與(B)成分反應，可使(A)成分固定化於(B)成分上形成硬化物。結果，該硬化物中因源自(A)成分之部位與水反應產生之水解產物不為揮發性高之低分子量的醇或烷等，而成為揮發性低之中分子量至高分子量的醇或烷等化合物。據此，可抑制因水解產物之揮發而朝電子裝置內之擴散。
第二，藉由使用(B)成分而使組成物無溶劑化。由於(B)成分可與(A)成分任意混合，故不需要使(A)成分溶解之溶劑。據此，可防止如前述之硬化物中因殘留溶劑造成之害處。
第三，(B)成分可抑制硬化物之熱流動性。如前述，使本實施形態之該組成物硬化形成硬化物之步驟中，藉由使(A)成分與(B)成分反應，可使(A)成分固定化於(B)成分而形成硬化物。該硬化物仍可維持前述(A)成分之吸濕能且抑制熱流動性。
第四，(B)成分由於可與(A)成分任意混合，故可提高使組成物硬化獲得之硬化物之透明性。
本實施形態之該組成物中之(B)成分含量，以組成物之總質量作為100質量%時，較好為10質量%以上90質量%以下，更好為20質量%以上50質量%以下。(B)成分之含量在上述範圍內時，可在不損及前述各功能之下形成良好之硬化物。
1.3.　觸媒(C)
本實施形態中之該組成物，為了促進(A)成分與(B)成分之氫矽烷化反應，亦可含有觸媒(C)(以下亦簡稱為「(C)成分」)。觸媒(C)較好為鉑錯合物或銠錯合物。鉑錯合物列舉為例如羰基環乙烯基甲基矽氧烷鉑錯合物、鉑-辛醛/辛醇錯合物、環乙烯基甲基矽氧烷鉑錯合物、羰基二乙烯基甲基鉑錯合物、二乙烯基四甲基二矽氧烷鉑錯合物等。銠錯合物列舉為例如參(二丁基硫醚)銠三氯化物等。
本實施形態之該組成物中之(C)成分含量，以組成物之總質量作為100質量%時，較好為0.0001質量%以上1質量%以下，更好為0.001質量%以上0.1質量%以下。(C)成分之含量在前述範圍內時，不僅可促進(A)成分與(B)成分之氫矽烷化反應，且就不損及使組成物硬化獲得之硬化物之吸濕性或透明性等基本性能之觀點而言較佳。
1.4.　含有比率(WA /WB )
本實施形態之該組成物中，前述(A)成分之含量(WA )與前述(B)成分之含量(WB )之含有比率(WA /WB )較好為0.18以上5以下，更好為1以上5以下，最好為1以上4以下。藉由使含有比率(WA /WB )在前述範圍內，可確保所得硬化物之足夠吸水容量，同時可具有優異之耐熱性及玻璃密著性。含有比率(WA /WB )未達0.18時，所得硬化物之吸水容量變小而無法充分發揮作為水分捕捉劑之功能，且會有成膜性、玻璃密著性方面變差之傾向。另一方面，含有比率(WA /WB )超過5時，所得硬化物之吸水容量充分，但會有耐熱性、成膜性、玻璃密著性之方面變差之傾向。
1.5.　其他添加劑
本實施形態之該組成物中，亦可進一步添加上述(A)成分以外之吸濕劑。(A)成分以外之吸濕劑只要是與(B)成分具有相溶性者即無特別限制。(A)成分以外之吸濕劑列舉為例如三己氧基鋁、三辛氧基鋁、三癸氧基鋁、三-十二烷氧基鋁、三-十八烷氧基鋁、三癸氧基硼烷、三-十二烷氧基硼烷、三-十八烷氧基硼烷、三癸基鋁、三-十二烷基鋁等。
本實施形態之該組成物亦可進一步添加上述(B)成分以外之聚合性化合物。上述(B)成分以外之聚合性化合物列舉為例如(甲基)丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸乙酯(EMA)、甲基丙烯酸丙酯(PMA)、甲基丙烯酸丁酯(BMA)、甲基丙烯酸乙基己酯(EHMA)、甲基丙烯酸三甲氧基矽烷基丙酯(TMSPMA)、甲基丙烯酸第三丁酯(t-BMA)、甲基丙烯酸氫化丁二烯酯(KURARAY股份有限公司製造，商品名「L1253」)、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸苄酯等具有丙烯基之聚合性化合物；三乙二醇二乙烯基醚等具有乙烯醚基之聚合性化合物；乙烯基環己烯單氧化物等具有乙烯基之聚合性化合物、氧雜環丁烷基、環氧乙烷基等具有環狀醚基之聚合性化合物等。該等聚合性化合物可單獨使用一種亦可兩種以上組合使用。
本實施形態之該組成物亦可添加安定化劑。藉由添加安定化劑，可抑制本實施形態之該組成物之凝膠化，使貯藏安定性變好。安定化劑列舉為例如硫化合物、磷化合物、烷化合物、馬來酸衍生物、含氮化合物等。具體而言列舉為苯并噻唑、參(2,4-二第三丁基苯基)磷酸酯、1-乙炔基-1-環己醇、馬來酸二乙酯、N-甲基吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、N-乙烯基-ε-己內醯胺(均可購自東京化成工業股份有限公司)等。該等安定化劑可單獨使用一種，亦可兩種以上混合使用。藉由使用該等安定化劑，可適當控制凝膠化時間，故可獲得貯藏安定性優異之組成物，且可製備良好之硬化物。
安定化劑之含量，以除去安定化劑之組成物總質量作為100質量份時，較好為0.01質量份以上5質量份以下，更好為0.05質量份以上2質量份以下，最好為0.05質量份以上1質量份以下。安定化劑之含量在前述範圍時，組成物之貯藏安定性變良好故可獲得在充分之常溫可使用時間，同時就不損及組成物之硬化性方面而言亦較佳。
又，本實施形態之該組成物亦可依據需要混合用以提高熱傳性之熱傳性填充劑。使用有本實施形態之該組成物之配置複數有機EL元件之有機EL照明裝置有產生因發熱而成為元件附近之溫度升高之原因，對於亮度或發光效率等發光特性帶來不良影響之缺點。然而，藉由混合熱傳性填料可提高放熱性，保護元件免於受水分影響同時保護元件免於因發熱造成之損害故而較佳。
熱傳性填料可使用無機粒子等習知填料。又，使用無機粒子作為熱傳性填料時，可提高使用本實施形態之組成物形成之硬化物之熱傳性，吸附因(A)成分吸濕而分解產生之成分(分解產物)，可捕捉該分解產物於硬化物之內部中。據此，可防止前述分解產物作為硬化物之可塑劑發揮作用。亦即，使用本實施形態之該組成物形成之硬化物即使在例如超過80℃之使用環境下，仍不會因熱流動而產生變形。再者無機粒子之其他功能列舉為改善使用本實施形態之該組成物形成之硬化物之機械強度，及提高該硬化物之吸濕能等。
本發明中，所謂「無機粒子」意指由在構造基本骨架中具有碳原子之有機化合物以外之化合物所形成之粒子，但包含由碳之同位素形成之粒子。
無機粒子之材質較好為金屬氧化物或金屬氮化物。金屬氧化物列舉為例如二氧化矽(包含矽凝膠)、蒙皂石、沸石、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鎂、散熱材料用所使用之各種玻璃粉末等。金屬氮化物列舉為例如氮化硼、氮化鋁、氮化矽等。又，不為金屬氧化物或金屬氮化物，亦可使用碳化矽、碳化硼、活性碳等作為無機粒子使用。該等中，就抑制熱流動性之觀點而言，較好為選自氧化鋁、二氧化矽、氮化硼、氮化鋁、氮化矽、氧化鎂、碳化矽、碳化硼及蒙皂石之至少一種粒子，另就導熱性優異之觀點而言，最好為氧化鋁及/或氮化硼之粒子。該等無機粒子可單獨使用一種，亦可兩種以上組合使用。
本實施形態中使用之二氧化矽粒子之製作方法並無特別限制，可使用過去習知之方法。例如，可依據特開2003-109921號公報及特開2006-80406號公報所述之二氧化矽粒子分散液之製造方法製作。又，過去習知之方法有自矽酸鹼性水溶液去除鹼製作二氧化矽粒子之方法。矽酸鹼性水溶液舉例有通常作為水玻璃而已知之矽酸鈉水溶液、矽酸銨水溶液、矽酸鋰水溶液、矽酸鉀水溶液等。又，矽酸銨列舉為由氫氧化銨、氫氧化四甲基銨所成之矽酸鹽。
本實施形態中使用之二氧化矽粒子較好為經疏水改質者。所謂「疏水改質」意指將二氧化矽粒子中存在之矽烷醇基(-SiOH)之氫原子置換成烷基等疏水基(-R)而成者。二氧化矽粒子表面上存在之矽烷醇基藉由與上述(A)成分反應而有降低由本實施形態之該組成物形成之硬化物之吸水能之傾向。因此，藉由使二氧化矽粒子表面上存在之矽烷醇基予以疏水改質，可抑制硬化物吸水能之降低。另外，藉由進行二氧化矽粒子之疏水改質，而改善混合時之二氧化矽粒子之分散性。
無機粒子之形狀並無特別限制，可為球狀亦可為橢圓球狀，亦可為多角體狀。另外，無機粒子可為多孔質粒子，亦可為內部空洞化之蕊‧殼粒子。
無機粒子之平均粒徑較好為5~5,000nm，更好為5~2,000nm，又更好為5~500nm，最好為5~100nm。平均粒徑在上述範圍內時，可防止使用本實施形態之該組成物形成之硬化物因熱流動造成之變形。尤其是平均粒徑在5~100nm時，就可形成透明性優異之硬化物之觀點而言為有利。平均粒徑在前述範圍內時，可容易地賦予組成物如後述之適當黏度，使形成硬化物時之作業性(塗佈性)等變良好。另外，平均粒徑在前述範圍內時，無機粒子成為具有捕捉分解產物所需之充分表面積，可抑制前述硬化物因熱流動造成之變形故而較佳。
又，無機粒子之平均粒徑較好由使用BET法測定之比表面積計算出者，但亦可利用不限定於該等之其他習知方法測定。
又，無機粒子之平均粒徑可藉由回收由本實施形態之該組成物形成之硬化物，切斷該硬化物，以電子顯微鏡觀察其剖面而測定。藉由以該方法測定，即使形成硬化物後亦可測定無機粒子之平均粒徑。
本實施形態之該組成物中之無機粒子之含量，以組成物之總質量作為100質量%時，就改善硬化物之導熱性之觀點而言，較好為0.1質量%以上80質量%以下，更好為20質量%以上60質量%以下。再者，就確保硬化物之透明性之觀點而言，較好為0.1質量%以上20質量%以下，更好為0.1質量%以上10質量%以下。又，若無機粒子之含量在0.1質量%以上，則可獲得不會因熱流動造成變形之硬化物。
1.6.　組成物之製造方法
本實施形態之該組成物可藉由混合(A)成分及(B)成分、視需要之(C)成分、其他添加劑而製造。混合該等成分之方法並無特別限制，可邊攪拌(B)成分(添加有視需要之(C)成分、其他添加劑者)邊以逐次少量添加(A)成分溶解，可獲得本實施形態之該組成物。
1.7.　組成物之物性及用途
本實施形態之該組成物在20℃之黏度較好為50~500,000 cP。藉由使黏度落在前述範圍內，可藉由ODF法或分配法對元件基板直接塗佈組成物，並使硬化。據此，可使本實施形態之該組成物預先製作成薄膜狀等成形物，而不需經過將其組裝於元件之步驟，故可簡化步驟。又，若於本實施形態之該組成物中添加光酸產生劑等而賦予感光性，則使微細圖形化成為可能。又，上述黏度為顯示藉由落針(Falling Needle)法測定之值。
本實施形態之該組成物由於可形成含有(A)成分之硬化物，故可使用於捕捉水分之用途中。本實施形態之該組成物可使用作為有機EL元件、有機TFT、有機太陽電池、有機CMOS感應器等之水分捕捉劑，尤其適用於有機EL元件之水分捕捉劑。
2.　硬化物
本發明中所謂「硬化物」意指使上述組成物成膜或成形成適合使用之形狀，接著藉由加熱或照光，使黏度或硬度上升至高於原本組成物者。
本實施形態之該硬化物可藉由例如將上述組成物塗佈於玻璃基板等基材上成膜後，經加熱或照光硬化而獲得。該硬化物含有具有R1 -M鍵之(A)成分。該R1 -M鍵藉由與水分反應而捕捉水分，可達到本發明之作用效果。因此，為了使該硬化物用於捕捉水分之用途中，該硬化物中實質上須存在R1 -M鍵。
塗佈方法列舉為使用旋轉塗佈器、輥塗佈器、噴佈塗佈器、佈膠器、噴墨裝置之方法等。
硬化時之溫度以例如40℃~250℃較佳，更好為50℃~150℃。尤其使用(C)成分時，藉由加熱至前述範圍之溫度可製作良好之硬化物。
所得硬化物之形狀並無特別限制，但例如具有薄膜形狀。該硬化物具有薄膜形狀時，其膜厚較好為例如5~100μm。
本實施形態之該硬化物中之(A)成分之含量，以硬化物之總質量作為100質量%時，較好為10質量%以上90質量%以下，更好為50質量%以上80質量%以下。(A)成分之含量在前述範圍內時，可充分展現捕捉水分之功能故而較佳。另外，(A)成分之含量在前述範圍內時，成膜性變良好，就賦予硬化物透明性之觀點而言較佳。
3.　電子裝置
本實施形態之該電子裝置為於電子裝置之內部具備上述硬化物。若為厭水分之電子裝置，則可於該電子裝置中搭載上述硬化物。以下，邊參照圖式邊說明代表性密閉型電子裝置的有機EL元件之一例。
圖1為模式性顯示第一實施形態之該有機EL元件100之剖面圖。如圖1所示，有機EL元件100係由有機EL層10、收納有機EL層且用以阻斷外氣之構造體20、及形成於構造體20內之捕捉劑層30所構成。
有機EL層10只要為由有機材料構成之有機發光材料層，且夾持於相互成對向之一對電極之間而成之構造即可，例如可成為陽極/電荷(電洞)輸送層/發光層/陰極等習知之構造。
捕捉劑層30為上述組成物之硬化物。捕捉劑層30係如圖1所示，與有機EL層10分開形成。
圖1中，構造體20係由基板22、封裝蓋24及接著劑26所構成。基板22列舉為玻璃基板等，封裝蓋24列舉為由玻璃構成之構造體等。又，構造體20之構造只要是可收納有機EL層10即可而無特別限制。
圖2為模式性顯示第二實施形態之該有機EL元件200之剖面圖。如圖2所示，有機EL元件200於使構造體20內形成之捕捉劑層30密著於有機EL層10中之方式形成之方面，與有機EL元件100不同。捕捉劑層30由於為揮發性成分之殘留或產生少之硬化物，故不會損及有機EL層10之顯示特性。又，捕捉劑層30可防止水分進入有機EL層10，同時可保護有機EL層10。
4.　實施例
以下列舉本發明之實施例加以說明，但本發明並不受該等實施例之任何限制。
4.1.　化合物(A)
4.1.1.　三(2,2-雙(烯丙氧基甲基)-1-丁氧基)鋁之合成於500mL之三頸燒瓶中饋入三羥甲基丙烷二烯丙基醚(DAISO股份有限公司製造，商品名「NEOALLYL T-20」)162.0g[756mmol]，手套箱中邊攪拌邊在逐次少量滴加三異丁基鋁50.0g[252.7mmol]。直接攪拌1小時後，在120℃下攪拌90分鐘。使溫度維持在120℃，邊以真空泵減壓邊餾除未反應之原料，冷卻至室溫，獲得三(2,2-雙(烯丙氧基甲基)-1-丁氧基)鋁(以下稱為「TMDE-3」)164.0g之無色透明油狀物。收率為定量。
圖3為所得TMDE-3之1 H-NMR光譜圖。1 H-NMR測定中，係使用甲苯-d8(峰值在δ2.1附近)做為內部標準物質。由圖3，顯示所得化合物具有以上述式(5)表示之化學構造。
另外，除將饋入量變更為三羥甲基丙烷二烯丙基醚162.0g[756mmol]、三異丁基鋁60.0g[303.2mmol]以外，餘如上述方法，獲得含有三(2,2-雙(烯丙氧基甲基)-1-丁氧基)鋁之混合物(以下稱為「TMDE-3B」)172.0g。使所得TMDE-3B與TMDE-3同樣測定1 H-NMR之結果，確定為含有具有以上述式(5)表示之化學構造之化合物之混合物。
接著，除將饋入量變更為三羥甲基丙烷二烯丙基醚194.4g[907mmol)、三異丁基鋁50.0g[252.7mmol]以外，餘與上述方法同樣，獲得含有三(2,2-雙(烯丙氧基甲基)-1-丁氧基)鋁之混合物(以下稱為「TMDE-3C」)194.0g。使所得TMDE-3C與TMDE-3同樣測定1 H-NMR之結果，確定為含有具有以上述式(5)表示之化學構造之化合物之混合物。
以下所示之實施例及比較例中使用如此獲得之三(2,2-雙(烯丙氧基甲基)-1-丁氧基)鋁(TMDE-3)及含有TMDE-3之混合物(TMDE-3B、TMDE-3C)作為(A)成分。
4.1.2.　三(2-(2-乙烯氧基乙氧基)乙氧基)鋁之合成
於200mL之三頸燒瓶中饋入三異丙氧基鋁15.0g[73.4mmol]及無水甲苯45mL，在乾燥氮氣氛圍下邊攪拌邊使三異丙氧基鋁溶解。接著，添加2-(2-乙烯氧基乙氧基)乙醇33.0mL[257mmol]，在90℃維持10分鐘後，直接在該溫度於13.3kPa下餾除反應產出之2-丙醇，於133Pa餾除未反應之2-(2-乙烯氧基乙氧基)乙醇。據此，獲得三(2-(2-乙烯氧基乙氧基)乙氧基)鋁(以下稱為「DEGV-3」)32g之無色透明油狀物。收率為定量。
圖4為所得DEGV-3之1 H-NMR光譜圖。1 H-NMR測定中，係使用甲苯-d8(峰值在δ2.1附近)做為內部標準物質。由圖4，顯示所得化合物具有以上述式(6)表示之化學構造。
以下所示之實施例中使用如此獲得之三(2-(2-乙烯氧基乙氧基)乙氧基)鋁(DEGV-3)作為(A)成分。
4.2.　化合物(B)
以下所示之實施例及比較例中，使用市售之下述化合物作為化合物(B)。
‧聚甲基氫矽氧烷(AZMAX股份有限公司製造，商品名「HMS-991」)
‧聚乙基氫矽氧烷(AZMAX股份有限公司製造，商品名「HES-992」)
‧聚苯基(二甲基氫矽氧基)矽氧烷(AZMAX股份有限公司製造，商品名「HDP-111」)
4.3.　觸媒(C)
以下所示之實施例及比較例中，使用市售之下述化合物做為觸媒(C)。
‧環乙烯基甲基矽氧烷鉑錯合物(AZMAX股份有限公司製造，商品名「SIP6832.0」、含有3質量%甲基乙烯基矽氧烷之產品)
‧羰基二乙烯基甲基鉑錯合物(AZMAX股份有限公司製造，商品名「SIP6832.0」，含有3質量%乙烯基環狀矽氧烷之產品)
4.4.　安定化劑
以下所示之實施例及比較例中，使用市售之下述化合物作為安定化劑。
‧苯并噻唑(東京化成工業股份有限公司製造)
‧參(2,4-二第三丁基苯基)磷酸酯(東京化成工業股份有限公司製造)
‧1-乙炔基-1-環己醇(東京化成工業股份有限公司製造)
‧馬來酸二乙酯(東京化成工業股份有限公司製造)
‧N-甲基吡咯烷酮(東京化成工業股份有限公司製造)
‧N-乙烯基-ε-己內醯胺(東京化成工業股份有限公司製造)
4.5.　其他添加劑
以下所示之實施例及比較例中，使用市售之下述化合物作為添加劑。
‧三-十二烷基鋁(CHEMTURA股份有限公司製造，商品名「TA0365」)
‧聚二甲基矽氧烷(AZMAX股份有限公司製造，商品名「DMS-T21」)
‧異丙氧化鋁(日本Sigma Aldrich股份有限公司製造)
4.6.　實施例及比較例
4.6.1.　薄膜之製作
如下述，製備實施例1~18及比較例1~5中之評價薄膜。
首先，在露點-60℃以下、氧5ppm以下之手套箱中，混合特定量之相當於化合物(A)之成分及相當於化合物(B)之成分，經充分攪拌成為均勻溶液。接著，添加特定量之安定化劑，進而攪拌至成均勻溶液為止。隨後，添加特定量之觸媒(C)，獲得表1或表2中所述之組成物A~V。
接著，將所得組成物塗佈於玻璃基板上，藉由在80℃或100℃之溫度加熱30分鐘或1小時或3小時而熱硬化形成薄膜。組成物A~V之組成示於表1及表2。
又，表1及表2中成分之簡寫分別表示下述成分。
‧「TMDE-3」：三(2,2-雙(烯丙氧基甲基)-1-丁氧基)鋁(於前述「4.1.1.」項中合成者)
‧「TMDE-3B」：含有三(2,2-雙(烯丙氧基甲基)-1-丁氧基)鋁之混合物(於前述「4.1.1.」項中合成者)
‧「TMDE-3C」：含有三(2,2-雙(烯丙氧基甲基)-1-丁氧基)鋁之混合物(於前述「4.1.1.」項中合成者)
‧「DEGV-3」：三(2-(2-乙烯氧基乙氧基)乙氧基)鋁(於前述「4.1.2.」項中合成者)
‧「TD-3」：三-十二烷基鋁
‧「(i-PrO)3Al」：異丙氧化鋁
‧「PMHS」：聚甲基氫矽氧烷
‧「PEHS」：聚乙基氫矽氧烷
‧「PPMHS」：聚苯基(二甲基氫矽氧基)矽氧烷
‧「PMS」：聚二甲基矽氧烷
‧「BT」：苯并噻唑
‧「TDBPP」：參(2,4-二第三丁基苯基)磷酸酯
‧「ECHO」：1-乙炔基-1-環己醇
‧「DEM」：馬來酸二乙酯
‧「NMP」：N-甲基吡咯烷酮
‧「VC」：N-乙烯基-ε-己內醯胺
4.6.2.　評價方法
針對上述「4.6.1薄膜之製作」中獲得之各薄膜，以下述方法評價吸濕性、透明性、成膜性、玻璃密著性及貯藏安定性(凝膠化時間)。又，熱流動性係以下述方法另外製作薄膜並評價。其結果合併示於表1及表2。
(1)吸濕性
在內徑3cm之玻璃皿中製作實施例、比較例之各薄膜厚度為0.6mm者，且在安裝有濕度計及溫度計之內容積800cm3 之乾燥器(desiccator)中，將預先製備之薄膜與玻璃皿一起放入，測定乾燥器內部之濕度與溫度之變化。由經測定獲得之相對濕度(Hr，%)、攝氏溫度(Tc，℃)之值，由下述式(7)求得絕對濕度(Ha，%)。接著，以自測定開始時之絕對濕度Ha(0h)與兩小時後之絕對濕度Ha(2h)之減少比例作為吸水率，由下述式(8)計算吸水率並評價。
Ha=4.0×10-3 [exp(6.4×10-2 ‧Tc)]Hr...(7)
吸水率(%)=100×(Ha(0h)-Ha(2h))/Ha(0h)...(8)
吸水率(%)以20%以上較佳，更好為30%以上，最好為40%以上。
(2)熱流動性(耐熱性)
首先，在樣品管中注入適量之組成物A~V任一種，在80℃加熱60分鐘，藉此於前述樣品管之底部製作膜厚2mm之薄膜。接著，使前述薄膜於大氣中充分吸濕後，接著封蓋密封，以使樣品管之底部朝上(成膜面朝上)之方式固定之狀態靜置於85℃之環境下。隨後觀察經過336小時之時點的薄膜狀態。又，熱流動性之評價基準係以未確認到薄膜變化時設為「○」，確認薄膜朝下方下垂變形時設為「×」。
(3)透明性
針對上述「4.6.1.薄膜之製作」獲得之薄膜，以目視未產生白濁者設為「○」，白濁者設為「×」。又，使用於要求透明性之上面射出型有機EL元件等之用途時，以透明性良好者較佳。
(4)成膜性
針對上述「4.6.1.薄膜之製作」中獲得之薄膜，以目視確認薄膜未出現龜裂及凹凸者設為「○」，確認薄膜有龜裂或凹凸時設為「×」。又，使用於有機EL等之用途時，以龜裂及凹凸之產生受到抑制者較佳。
(5)玻璃密著性
針對上述「4.6.1.薄膜之製作」中獲得之薄膜，於大氣中未自玻璃剝離者設為「○」，剝離者設為「×」。又，使用於要求對玻璃基板之密著性之顯示材料等之用途時，以玻璃密著性良好者較佳。
(6)貯藏安定性
組成物調製後，立即將所得組成物少量添加於透明玻璃容器中，並經密閉儲存。以自組成物添加於玻璃容器中至未確認到組成物流動性之時點所經歷之時間作為凝膠化時間予以評價。流動性之確認係將玻璃容器傾斜，以目視觀察此時之組成物狀態而進行。
4.6.3.　評價結果
由表1及表2之結果，可知依據實施例1~18之組成物形成之薄膜，由於任一組成物均含有化合物(A)及化合物(B)，故具有優異之吸濕性及耐熱性。又，依據實施例1~18之組成物，確認為可獲得透明性、成膜性、玻璃密著性均優異之薄膜。
又，相對於未添加安定化劑之實施例13在約15分鐘即凝膠化，添加安定化劑之實施例7~12經一週以上尚未凝膠化。結果，確認可藉由添加安定化劑而大幅提高貯藏安定性。
實施例2之組成物不僅添加TMDE-3亦添加吸濕劑之TD-3，但TD-3之添加並未對薄膜性能帶來影響。
實施例3之組成物之含有比率(WA /WB )為0.18。據此，吸水率成為30%而與實施例1或實施例2之組成物比較被認為有下降之傾向，但作為製品仍在良品之範圍。
實施例5係將化合物(B)變更為末端存在Si-H基之PPMHS。據此，對薄膜性能並未帶來影響。
實施例6中，將觸媒(C)變更為羰基二乙烯基甲基鉑錯合物。據此，對薄膜性能並未帶來影響。
實施例14及實施例15係使用含有TMDE-3之混合物作為化合物(A)。該等實施例獲得幾乎與實施例12相同之結果。藉由使用含有TMDE-3之混合物作為化合物(A)對於薄膜之性能未帶來影響。
實施例16及實施例17係使用DEGV-3替代TMDE-3。結果，相較於使用TMDE-3之情況雖然硬化時間拉長，但藉由使用DEGV-3作為化合物(A)對於薄膜之性能基並未造成影響。
相對於該等，比較例1為使用一般作為吸濕劑使用之氧化鈣(CaO)代替化合物(A)之例。該氧化鈣不溶解於化合物(B)中而呈分散之狀態。比較例1中，由於溶液未硬化無法成為薄膜狀，故無法進行吸水率之測定。
比較例2為使用一般作為吸濕劑使用之氧化鋇(BaO)代替化合物(A)之例。該氧化鋇不溶解於化合物(B)中而呈分散之狀態。比較例2中，與比較例1相同，由於溶液未硬化無法成為薄膜狀，故無法進行吸水率之測定。
比較例3為使用不具有Si-H基之PMS代替化合物(B)之例。比較例3中，不具有Si-H基之PMS無法與化合物(A)進行反應，無法使膜中成分之分子量增大，故無法抑制流動性。因此無法形成薄膜，亦無法進行吸水率之測定。針對透明性、成膜性、玻璃密著性亦同樣的無法進行評價。
比較例4為使用吸濕劑之TD-3代替化合物(A)之例。比較例4中，由於TD-3中之有機基不具有不飽和鍵，故無法與化合物(B)進行氫矽烷化反應。因此，硬化物中之成分之分子量不會增大而無法抑制流動性，確認到薄膜變形。而且，熱流動性之試驗中，由於產生低分子量之烷或醇亦確認到薄膜變形。針對吸水率、透明性、成膜性、玻璃密著性由於無法形成膜故無法進行評價。
比較例5為使用吸濕劑之(i-PrO)3Al代替化合物(A)之例。比較例5中，由於(i-PrO)3Al中之有機基不具有不飽和鍵，故無法與化合物(B)進行氫矽烷化反應。因此，硬化物中之成分分子量不會增大而無法抑制流動性，確認到薄膜變形。而且，熱流動性之試驗中，因產生低分子量之醇亦確認薄膜變形。針對吸水率、透明性、成膜性、玻璃密著性，由於無法形成膜故無法進行評價。
由以上結果，可知由含有化合物(A)及化合物(B)之組成物形成之薄膜之吸水率及耐熱性優異，同時透明性、成膜性玻璃密著性亦均優異。
本發明並不受限於上述實施形態者，可為各種之變形。例如，本發明包含實施形態中說明之構成與實質上相同之構成(例如，功能、方法及結果相同之構成，或者目的及效果相同之構成)。另外，本發明包含使實施形態中說明之非構成本質之部分經取代而成之構成。又，包含可達成與實施形態中說明之構成相同作用效果之構成或可達成相同目的之構成。另外，本發明包含將習知技術附加於實施形態中說明之構成的構成。
10．．．有機EL層
20．．．構造體
22．．．基板
24．．．封裝蓋
26．．．接著劑
30．．．捕捉劑層
100．．．有機EL元件
200．．．有機EL元件
圖1為模式性顯示第一實施形態之該有機EL元件之剖面圖。
圖2為模式性顯示第二實施形態之該有機EL元件之剖面圖。
圖3為三(2,2-雙(烯丙氧基甲基)-1-丁氧基)鋁之1 H-NMR光譜圖。
圖4為三(2-(2-乙烯氧基乙氧基)乙氧基)鋁之1 H-NMR光譜圖。

Claims (6)

  1. 一種捕捉水分用組成物，其含有以下述通式(5)表示之化合物(A)，及具有以下述通式(2)表示之構造之化合物(B)， (上述式(2)中，R2 為自氫原子、鹵素原子及有機基選擇之一種)。
  2. 如申請專利範圍第1項之捕捉水分用組成物，其中前述化合物(B)為具有以下述通式(3)表示之重複單位之聚矽氧烷， (上述式(3)中，R2 為自氫原子、鹵素原子及有機基所選擇之一種)。
  3. 如申請專利範圍第1項之捕捉水分用組成物，其進而含有促進前述化合物(A)與前述化合物(B)之氫矽 烷基化反應之觸媒(C)。
  4. 如申請專利範圍第1項之組成物，其進而含有選自下列之至少一種之安定化劑：苯并噻唑、參(2,4-二第三丁基苯基)亞磷酸酯、1-乙快基-1-環己醇、馬來酸二乙酯、N-甲基吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮及N-乙烯基-ε-己內醯銨。
  5. 一種硬化物，其係使用申請專利範圍第1至4項中任一項之捕捉水分用組成物而形成。
  6. 一種電子裝置，其具備有申請專利範圍第5項之硬化物。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6014971B2 (ja) * 2010-06-18 2016-10-26 東ソー株式会社 典型金属含有ポリシロキサン組成物、その製造方法、およびその用途
JP5605551B2 (ja) * 2010-06-22 2014-10-15 Ｊｓｒ株式会社 重合体、組成物、硬化体および電子デバイス
JP5569471B2 (ja) * 2011-05-26 2014-08-13 信越化学工業株式会社 剥離紙又は剥離フィルム用シリコーン組成物
JP6206079B2 (ja) * 2012-10-30 2017-10-04 東ソー株式会社 ポリメタロキサン組成物、その製造方法、及びその用途
JP2019509638A (ja) * 2016-03-31 2019-04-04 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 不動態化薄膜トランジスタコンポーネント
CN107565052B (zh) 2017-08-25 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及其制造方法、显示装置
JP6757306B2 (ja) * 2017-11-07 2020-09-16 双葉電子工業株式会社 乾燥剤、乾燥剤層、封止構造体及び有機ｅｌ素子
JPWO2023013443A1 (zh) * 2021-08-02 2023-02-09

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4780337A (en) * 1986-12-29 1988-10-25 Massachusetts Institute Of Technology Hybrid polymers derived from Si-H containing organosilicon polymers and unsaturated metal alkoxides
WO2006093702A2 (en) * 2005-03-02 2006-09-08 3M Innovative Properties Company Moisture-reactive composition and organic electroluminescent element having same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2784679B1 (fr) * 1998-10-06 2001-03-30 Rhodia Chimie Sa Silanes et polyorganosiloxanes a fonction(s) boronate
US6512037B1 (en) * 2001-06-06 2003-01-28 Dow Corning Corporation Silicone composition and cured silicone product
JP3804009B2 (ja) 2001-10-01 2006-08-02 触媒化成工業株式会社 研磨用シリカ粒子分散液、その製造方法および研磨材
JP5062648B2 (ja) 2004-04-08 2012-10-31 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌ素子用水分吸収剤
JP2006080406A (ja) 2004-09-13 2006-03-23 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 研磨用組成物
US20060087230A1 (en) 2004-10-22 2006-04-27 Eastman Kodak Company Desiccant film in top-emitting OLED
JP6014971B2 (ja) * 2010-06-18 2016-10-26 東ソー株式会社 典型金属含有ポリシロキサン組成物、その製造方法、およびその用途

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4780337A (en) * 1986-12-29 1988-10-25 Massachusetts Institute Of Technology Hybrid polymers derived from Si-H containing organosilicon polymers and unsaturated metal alkoxides
WO2006093702A2 (en) * 2005-03-02 2006-09-08 3M Innovative Properties Company Moisture-reactive composition and organic electroluminescent element having same

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Publication number Publication date
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