TWI471921B - 化合物半導體裝置之製造方法及洗淨劑 - Google Patents

化合物半導體裝置之製造方法及洗淨劑 Download PDF

Info

Publication number
TWI471921B
TWI471921B TW101105212A TW101105212A TWI471921B TW I471921 B TWI471921 B TW I471921B TW 101105212 A TW101105212 A TW 101105212A TW 101105212 A TW101105212 A TW 101105212A TW I471921 B TWI471921 B TW I471921B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
detergent
compound semiconductor
semiconductor device
organic solvent
solvent
Prior art date
Application number
TW101105212A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201241896A (en
Inventor
Junichi Kon
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of TW201241896A publication Critical patent/TW201241896A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI471921B publication Critical patent/TWI471921B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
    • H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
    • H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
    • C11D2111/22—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

化合物半導體裝置之製造方法及洗淨劑
在此所討論之實施形態係關於化合物半導體裝置之製造方法及洗淨劑。
近年來，一直積極發展一種電子裝置(化合物半導體裝置)，其中在基板上依序沉積形成GaN(氮化鎵)層及AlGaN(氮化鋁鎵)層且將GaN層用作為電子渡越層(electron transit layer)。此種化合物半導體裝置的一個例子，可舉出的有以GaN為基礎之HEMT(High Electron Mobility Transistor：高電子遷移率電晶體)。在以GaN為基礎之HEMT(簡稱為GaN基HEMT)中，利用到在AlGaN與GaN間的異質接面(heterojunction interface)產生之高濃度的二維電子氣(two-dimensional electron gas(2DEG))。
GaN的能帶間隙(band gap)為3.4 eV，大於矽的能帶間隙(1.1 eV)及GaAs的能帶間隙(1.4 eV)。亦即，GaN具有高崩潰電場強度(breakdown field strength)。此外，GaN還具有高電子飽和速度(saturation electron velocity)。因此，GaN為一種非常有希望用於能夠高電壓操作且產生高輸出的化合物半導體裝置(例如電源供應器用的半導體裝置)之材料。所以，預期使用GaN基化合物半導體裝置之化合物半導體裝置能作為高效能開關元件、電動車等所用的高崩潰電壓功率裝置。
就GaN基HEMT而言，閘極電極的材料與源極電極及汲 極電極的材料並不相同。因此，閘極電極係以與源極電極及汲極電極不同的製程來形成。閘極電極、源極電極、及汲極電極係以例如掀離(lift-off)法來形成。亦即，在電極之形成上，係進行阻劑圖案(resist pattern)之形成、電極材料之形成、及阻劑圖案之去除。另一方面，在GaN基HEMT之製造上，則可在化合物半導體層之將設置閘極電極、源極電極、及汲極電極的區域形成凹部或開口部。此時，係使用阻劑圖案而對化合物半導體層進行蝕刻，以形成凹部或開口部，然後將阻劑去除掉。另外，形成源極電極及汲極電極之後，可用鈍化膜(passivation film)來覆蓋源極電極及汲極電極，然後在形成閘極電極之前，可使用阻劑圖案而對鈍化膜進行乾蝕刻。在此情況，要在乾蝕刻後將阻劑去除掉。
在這些方法中，雖然將阻劑去除掉，但阻劑的殘留物仍然可能殘存著。另外，在鈍化膜的乾蝕刻後，也可能殘存有蝕刻殘留物。在這方面，即使使用有機材料來清洗也不足以將該等殘留物充分去除掉。這是因為在阻劑圖案的形成中進行的顯影後的後烘烤(post baking)期間及在乾蝕刻期間產生的變化(alteration)效果所致。
另一方面，當藉由使用例如硫酸與過氧化氫水溶液的混合液之酸洗(acid treatment)來去除殘留物時，酸洗時曝露在外的電極會受損。舉例來說，在形成源極電極及汲極電極之後才形成閘極電極用的凹部之情況，源極電極及汲極電極就會在形成凹部的期間曝露在外。因此，使用上 述的混合液，源極電極及汲極電極就會受損。或者，即便電極並未受損，化合物半導體層的露出表面也可能因而氧化、或表面變粗糙等，使得其特性可能因而改變。
在有上述的殘留物存在之情況，就會發生漏電流增大、由於電荷陷住而造成之閾值電壓變動等情形，使得良率顯著降低。
以下為參考文獻。
(文獻1)日本特開2003-167360號公報(文獻2)日本特開2007-128038號公報
根據本發明實施形態的一個態樣，係為一種化合物半導體裝置之製造方法，此製造方法包含：形成化合物半導體層疊結構(compound semiconductor laminated structure)；將上述化合物半導體層疊結構的一部份去除掉，以形成凹入部(concave portion)；以及使用洗淨劑將該凹入部的內部洗淨，其中，上述洗淨劑含有與殘存在上述凹入部內的殘留物相容之基礎樹脂(base resin)、以及溶劑。
以下，參照圖式來具體說明本發明的實施形態。
(第一實施形態)
首先說明第一實施形態。第1A至1C圖係依步驟順序顯示根據第一實施形態之化合物半導體裝置的製造方法之剖面圖。
在第一實施形態中，首先係如第1A圖所示，形成包含化合物半導體層2及在化合物半導體層2上的化合物半導體層3之層疊體(laminate)1。層疊體1為化合物半導體層疊結構的一個例子。化合物半導體層2及3為諸如GaN層、AlGaN層、及AlN層之氮化物半導體層(nitride semiconductor layer)。
接著，如第1B圖所示，將層疊體1的一部份去除掉來形成凹部4。此凹部4為凹入部的一個例子。形成凹部4的方法並沒有特別的限制，可為例如使用阻劑圖案作為蝕刻遮罩之乾蝕刻。形成凹部4之後，可能會有殘留物5殘存在凹部4中。殘留物5為例如阻劑圖案的殘留物和化合物半導體層3的殘留物。就此而言，在第1B圖中，凹部4係形成為到達化合物半導體層2的表面。然而，凹部4亦可深入到化合物半導體層2的內部，或凹部4可形成為並未到達化合物半導體層2的表面。亦即，凹部4的深度可大於或小於化合物半導體層3的厚度。
然後，如第1C圖所示，使用洗淨劑來將凹部4的內部洗淨。本實施形態中使用的洗淨劑含有與殘留物5相容之基礎樹脂、以及溶劑。因此，可將殘留物5去除掉。
作為基礎樹脂者，可使用例如聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)、聚乙烯縮醛(polyvinyl acetal)、聚乙酸乙烯酯(polyvinyl acetate)、聚乙烯吡咯啶酮(polyvinyl pyrrolidone)、聚丙烯酸(polyacrylic acid)、聚氧化乙烯(polyethylene oxide)、含有酚式羥基之樹脂(phenolic hydroxyl group-containing resin)、含有羧基之樹脂(carboxylic group-containing resin)、以及環氧樹脂。亦可使用上列樹脂的共聚物或混合物。
洗淨劑中的基礎樹脂的含量並沒有特別的限制，但較佳為0.1至50重量百分比之間。若基礎樹脂的含量低於0.1重量百分比，則與殘留物5相容的成分顯得不足，可能無法將殘留物5充分去除掉。另一方面，若基礎樹脂的含量高於50重量百分比，則洗淨劑的黏性會變得太高而使得洗淨劑難以潤濕層疊體1的表面及難以在層疊體1的表面擴展。因此，基礎樹脂的含量較佳在0.1至50重量百分比之間。
作為溶劑者，較佳為使用水。然而，亦可使用諸如醇類有機溶劑(alcohol based organic solvent)、鏈酯類有機溶劑(chain ester based organic solvent)、環酯類有機溶劑(cyclic ester based organic solvent)、酮類有機溶劑(ketone based organic solvent)、鏈醚類有機溶劑(chain ether based organic solvent)、環醚類有機溶劑(cyclic ether based organic solvent)、及胺類有機溶劑(amine based organic solvent)之類的有機溶劑。醇類有機溶劑的例子包含異丙醇。鏈酯類有機溶劑的例子包含乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、丙二醇甲醚(PGME)、及丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)。環酯類有機溶劑之較佳例包含內酯類有機溶劑(lactone based organic solvent)，其中尤以γ-丁內酯為佳。酮類有機溶劑的例子包含丙酮、 環己酮、及庚酮。鏈醚類有機溶劑的例子包含乙二醇二甲醚(ethylene glycol dimethyl ether)。作為環醚類有機溶劑者，可舉出的例子有四氫呋喃及二烷(dioxane)。作為胺類有機溶劑者，可舉出的例子有N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAC)、及胺基醇(amino alcohol)。
根據第一實施形態，不用進行酸洗就可將殘留物5充分去除掉。因此，能夠以高良率製造具有希望的特性之化合物半導體裝置。
在此，說明使用洗淨劑來將凹部4的內部洗淨之方法的一個例子。惟洗淨的方法並不限於此例。第2圖係顯示洗淨方法的一個例子之流程圖。
首先，將洗淨劑塗佈在設有凹部4之層疊體1的表面上(步驟S1)。接著，對洗淨劑進行加熱，使基礎樹脂與殘留物5相互溶解在一起，以及使洗淨劑中的溶劑揮發掉(步驟S2)。結果，就形成一層表面處理膜。然後，使用預定的液體將表面處理膜予以溶解並去除掉(步驟S3)。
塗佈洗淨劑之處理的例子包含浸漬處理、旋轉塗佈處理、及噴灑塗佈處理。加熱溫度並沒有特別的限制，但較佳設定在50℃至250℃之間。若溫度低於50℃，就可能難以使基礎樹脂與殘留物5相互溶解在一起。另一方面，若溫度高於250℃，洗淨劑的成分就可能分解。因此，較佳為將加熱溫度設定在50℃至250℃之間。另外，用來去除表面處理膜之液體的例子包含與洗淨劑中含有的溶劑相同 之溶劑。
此外，洗淨劑中，除了基礎樹脂及溶劑之外，較佳還含有還原劑(reducing agent)。這是因為層疊體1的表面可能在被洗淨之前或在清洗期間就氧化了的緣故。
關於還原劑，可使用例如有機酸，例如羧酸及醛。羧酸的例子包含草酸及甲酸。洗淨劑中的還原劑的含量並沒有特別的限制，但較佳設定在0.1至40重量百分比之間。若還原劑的含量低於0.1重量百分比，便可能無法獲得足夠的還原效果。另一方面，若還原劑的含量高於40重量百分比，便可能變得難以溶解在溶劑中。因此，還原劑的含量最好設定在0.1至40重量百分比之間。
洗淨劑中，除了基礎樹脂及溶劑之外，還可含有交聯劑(cross-linking agent)。藉由交聯劑之作用使殘留物5與基礎樹脂之間發生交聯作用，就可更容易地將殘留物5去除掉。
交聯劑的例子包含三聚氰胺及其衍生物、脲(urea)及其衍生物、及uril及其衍生物。三聚氰胺的例子包含烷氧甲基三聚氰胺(alkoxymethyl melamine)。脲的例子包含尿素、烷氧基亞甲脲(alkoxy methylene urea)、N-烷氧基亞甲脲、伸乙脲(ethylene urea)、及伸乙脲羧酸(ethylene urea carboxylic acid)。uril的例子包含苯胍胺(benzoguanamine)及甘脲(glycoluril)。洗淨劑中的交聯劑的含量並沒有特別的限制，可依據基礎樹脂的種類、含量等而適當地決定。
洗淨劑中，除了基礎樹脂及溶劑之外，還可含有界面活性劑(surfactant)。界面活性劑用來改善例如基礎樹脂與殘留物5之間的親和性(compatibility)。
關於界面活性劑，可使用例如非離子界面活性劑、陽離子界面活性劑、陰離子界面活性劑、及兩性界面活性劑。洗淨劑中可含有上列界面活性劑中之一種或可含有至少兩種。上列界面活性劑中，非離子界面活性劑因不含有金屬離子故較佳。
非離子界面活性劑的例子包含醇類界面活性劑、乙二胺類界面活性劑(ethylenediamine based surfactant)、及二級醇乙氧基化物類界面活性劑(secondary alcohol ethoxylate based surfactant)。醇類界面活性劑為例如烷氧基化物類界面活性劑(alkoxylate based surfactant)、脂肪酸酯類界面活性劑(fatty acid ester based surfactant)、醯胺類界面活性劑(amide based surfactant)、及天然醇類界面活性劑(natural alcohol based surfactant)。此等界面活性劑的具體例包含聚氧乙烯-聚氧丙烯縮合物類界面活性劑(polyoxyethylene-polyoxypropylene condensate based surfactant)、聚氧烯基烷基醚類界面活性劑(polyoxyalkylene alkyl ether based surfactant)、聚氧乙烯基烷基醚類界面活性劑(polyoxyethylene alkyl ether based surfactant)、聚氧乙烯衍生物類界面活性劑(polyoxyethylene derivative based surfactant)、山梨醇酐脂肪酸酯類界 面活性劑(sorbitan fatty acid ester based surfactant)、脂肪酸甘油酯類界面活性劑(glycerin fatty acid ester based surfactant)、一級醇乙氧基化物類界面活性劑(primary alcohol ethoxylate based surfactant)、酚乙氧基化物類界面活性劑(phenol ethoxylate based surfactant)、及乙炔二醇類界面活性劑(acetylenediol based surfactant)。此外，還有壬基酚乙氧基化物類界面活性劑(nonylphenol ethoxylate based surfactant)、辛基酚乙氧基化物類界面活性劑(octylphenol ethoxylate based surfactant)、月桂醇乙氧基化物類界面活性劑(lauryl alcohol ethoxylate based surfactant)、及油醇乙氧基化物類界面活性劑(oleyl alcohol ethoxylate based surfactant)。
陽離子界面活性劑的例子包含烷基陽離子界面活性劑(alkyl cationic surfactant)、胺類四級陽離子界面活性劑(amide type quaternary cationic surfactant)、及酯類四級陽離子界面活性劑(ester type quaternary cationic surfactant)。
兩性界面活性劑的例子包含氧化胺類界面活性劑(amine oxide based surfactant)及甜菜鹼類界面活性劑(betaine based surfactant)。
洗淨劑中的界面活性劑的含量並沒有特別的限制，但較佳設定在50 ppm以下。若界面活性劑的含量大於50 ppm，基礎樹脂及交聯劑便可能會穿透界面，基礎樹脂及交 聯劑就可能殘留在半導體裝置中。若有基礎樹脂及交聯劑殘留，就可能發生短路、漏電等而可能使得特性變差。因此，界面活性劑的含量較佳在50 ppm以下。
殘留物5之去除成效及受處理表面的還原程度可藉由調整基礎樹脂、溶劑、還原劑、及界面活性劑的種類及比率來視需要地加以控制。
(第二實施形態)
接著，說明第二實施形態。第3A至3J圖係依步驟順序顯示根據第二實施形態之GaN基HEMT(化合物半導體裝置)的製造方法之剖面圖。
在第二實施形態中，首先係如第3A圖所示，在基板11上形成無摻雜i-GaN層12、無摻雜i-AlGaN層13、n型n-AlGaN層14、及n型n-GaN層15。i-GaN層12、i-AlGaN層13、n-AlGaN層14、及n-GaN層15之形成係以例如金屬有機氣相磊晶(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy：MOVPE)法之晶體成長法(crystal growth method)來進行。在本例中，可藉由選擇原料氣體來連續地形成上述的這些層。關於鋁(Al)及鎵(Ga)的原料，可分別使用例如三甲基鋁(trimethyl aluminum：TMA)及三甲基鎵(trimethyl gallium：TMG)。關於氮(N)的原料，可使用例如氨(NH3 )。關於用作為n-AlGaN層14及n型n-GaN層15中含有的雜質之矽(Si)的原料，可使用例如矽烷(SiH4 )。
i-GaN層12的厚度為例如約3μm，且i-GaN層12用作為電子渡越層(electron transit layer)。i-AlGaN層 13的厚度為例如約5 nm，且i-AlGaN層13用作為間隔層(spacer layer)。n-AlGaN層14的厚度為例如約30 nm，且n-AlGaN層14用作為電子供給層(electron supply layer)。n-GaN層15的厚度為例如約10 nm，且n-GaN層15用作為罩蓋層(cap layer)。i-AlGaN層13及n-AlGaN層14的Al成分比率係為例如約0.2。n-AlGaN層14及n-GaN層15係摻雜有例如約5×1018 cm-3 之作為n型雜質的Si。
接著，如第3B圖所示，在n-GaN層15上形成阻劑圖案(resist pattern)21，此阻劑圖案21具有使將設置源極電極的區域露出之開口部及使將設置汲極電極的區域露出之開口部。
然後，如第3C圖所示，使用阻劑圖案21作為蝕刻遮罩對n-GaN層15進行乾蝕刻，以形成源極電極用的開口部15s及汲極電極用的開口部15d。此開口部15s,15d為凹入部的例子。乾蝕刻中，係使用例如氯基氣體作為蝕刻氣體。而且，如第3C圖所示，藉由灰化(ashing)等方式將阻劑圖案21予以去除掉。
關於開口部15s,15d的深度，可形成到仍留有n-GaN層15的一部份，或形成到將n-AlGaN層14的一部份也去除到。亦即，開口部15s,15d的深度並不一定要與n-GaN層15的厚度一致。
然後，使用與第一實施形態中所用者相同的洗淨劑來清洗開口部15s,15d的內部。如此，就可將開口部15s,15d的內部予以充分洗淨。
再來，如第3D圖所示，在n-GaN層15上形成阻劑圖案22，此阻劑圖案22具有使將設置源極電極的區域露出之開口部及使將設置汲極電極的區域露出之開口部。
接著，使用阻劑圖案22作為薄膜形成遮罩來形成導電膜，然後將黏附在阻劑圖案22上的導電膜連同阻劑圖案22一起去除掉。結果，就如第3E圖所示，形成源極電極16s及汲極電極16d。如上所述，在本實施形態中，源極電極16s及汲極電極16d係以掀離(lift-off)法來形成。關於導電膜之形成，係例如先形成具有約20 nm的厚度之鉭(Ta)膜，然後再在鉭膜上形成具有約200 nm的厚度之鋁膜。鉭膜及鋁膜可用例如蒸發法(evaporation method)來形成。然後，在400至1000℃(例如550℃)之氮氣環境中進行熱處理，來建立歐姆接觸(ohmic contact)。
然後，使用與第一實施形態中所用者相同的洗淨劑來清洗n-GaN層15的表面。如此，就可將n-GaN層15的表面充分洗淨。關於此處理，亦可予以省略。
然後，如第3F圖所示，在n-GaN層15、源極電極16s、及汲極電極16d上形成阻劑圖案23，此阻劑圖案23具有使將設置閘極電極的區域露出之開口部。
然後，如第3G圖所示，使用阻劑圖案23作為蝕刻遮罩對n-GaN層15及n-AlGaN層14進行乾蝕刻，以形成閘極電極用的凹部17。此凹部17為凹入部的例子。乾蝕刻中，係使用例如氯基氣體作為蝕刻氣體。而且，如第3G圖所示，藉由灰化等方式將阻劑圖案23予以去除掉。
關於凹部17的深度，可形成到仍留有n-GaN層15的一部份，或形成到使得凹部17的底部與n-AlGaN層14的表面齊平。亦即，凹部17的深度並不一定要形成得比n-GaN層15的厚度大。
然後，使用與第一實施形態中所用者相同的洗淨劑來清洗凹部17的內部。如此，就可將凹部17的內部充分洗淨。
再來，如第3H圖所示，在整個面上形成絕緣膜18。絕緣膜18的材料，較佳為矽、鋁、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、或鎢(W)的氧化物、氮化物、或氮氧化物。舉例來說，絕緣膜18係為氧化鋁(alumina)膜。絕緣膜18的厚度並沒有特別的限制，可設定在2 nm至200 nm之間(例如10 nm)。形成絕緣膜18的方法也沒有特別的限制，但較佳為原子層沉積(Atomic Layer Deposition：ALD)法、化學氣相沉積(CVD)法、或濺鍍法。
然後，使用與第一實施形態中所用者相同的洗淨劑來清洗絕緣膜18的表面。如此，就可將絕緣膜18的表面充分洗淨。
再來，如第3I圖所示，在絕緣膜18上形成阻劑圖案24，此阻劑圖案24具有使將設置閘極電極的區域露出之開口部。
接著，使用阻劑圖案24作為薄膜形成遮罩來形成導電膜，然後將黏附在阻劑圖案24上的導電膜連同阻劑圖案24一起去除掉。結果，就如第3J圖所示，形成閘極電極 16g。如上所述，在本實施形態中，閘極電極16g係以掀離法來形成。關於導電膜之形成，係例如先形成具有約30 nm的厚度之鎳(Ni)膜，然後再在鎳膜上形成具有約400 nm的厚度之金(Au)膜。鎳膜及金膜可用例如蒸發法來形成。以如上所述之方法，就可製成GaN基HEMT。
本發明之發明人實際使用根據第二實施形態之方法來製造GaN基HEMT，得到96%之良率。另一方面，使用相同的方法但省略其中的各個使用上述的洗淨劑之清洗步驟來製造GaN基HEMT，則良率只有72%。
(第三實施形態)
接下來，說明第三實施形態。第4A至4F圖係依步驟順序顯示根據第三實施形態之GaN基HEMT(化合物半導體裝置)的製造方法之剖面圖。
在第三實施形態中，首先係如第4A圖所示，以與第二實施形態一樣的方式進行一直到形成阻劑圖案21之處理。接著，如第4B圖所示，以與第二實施形態一樣的方式形成源極電極用的開口部15s及汲極電極用的開口部15d以及藉由灰化等方式將阻劑圖案21予以去除掉。
然後，使用與第一實施形態中所用者相同的洗淨劑來清洗開口部15s及開口部15d的內部。如此，就可將開口部15s及開口部15d的內部充分洗淨。
再來，如第4C圖所示，以與第二實施形態一樣的方式在n-GaN層15上形成阻劑圖案22。然後，如第4D圖所示，以與第二實施形態一樣的方式形成源極電極16s及汲極電 極16d，以及進行熱處理來建立歐姆接觸。
然後，使用與第一實施形態中所用者相同的洗淨劑來清洗n-GaN層15的表面。如此，就可將n-GaN層15的表面充分洗淨。
然後，如第4E圖所示，在整個表面上形成絕緣膜28。此處，係形成與第二實施形態中的絕緣膜18相同的絕緣膜來作為絕緣膜28。
然後，使用與第一實施形態中所用者相同的洗淨劑來清洗絕緣膜28的表面。如此，就可將絕緣膜28的表面充分洗淨。
再來，如第4F圖所示，以與第二實施形態一樣的方式，採用掀離法在絕緣膜28上形成閘極電極16g。以如上所述之方法，就可製成GaN基HEMT。
本發明之發明人實際使用根據第三實施形態之方法來製造GaN基HEMT，得到97%之良率。另一方面，使用相同的方法但省略其中的各個使用上述的洗淨劑之清洗步驟來製造GaN基HEMT，則良率只有75%。
在第二實施形態及第三實施形態中，可在形成阻劑圖案21之前形成元件隔離區(element isolation region)。舉例來說，可使用在與該元件隔離區的設置區域對應之區域具有開口部之阻劑圖案進行乾蝕刻來形成該元件隔離區。此時，可使用例如氯基氣體來作為蝕刻氣體。然後，在將阻劑圖案去除掉之後，較佳進行使用上述的洗淨劑之清洗。或者，亦可不用乾蝕刻而改用氬(Ar)離子之離子植 入等來形成元件隔離區。
再者，還可在基板11上安裝電阻器、電容器等，來製造單石微波積體電路(Monolithic Microwave Integrated Circuit：MMIC)。
上述的各GaN基HEMT可用作為例如高輸出放大器。第5圖係顯示高輸出放大器的外觀的一個例子之圖。在本例中，係在封裝件(package)的表面上配置連接至源極電極之源極端子81s。而且，從封裝件的側面突伸出連接至閘極電極之閘極端子81g及連接至汲極電極之汲極端子81d。
根據各實施形態之GaN基HEMT亦可用於例如電源供應裝置中。第6A圖係顯示功率因素修正(Power Factor Correction：PFC)電路之圖。第6B圖係顯示包含有第6A圖所示的PFC電路之伺服器電源供應器(電源供應裝置)之圖。
如第6A圖所示，PFC電路90中配置有連接至交流電源供應器(AC)之二極體橋(diode bridge)91，且電容器92連接至該二極體橋91。電容器92的一個端子係連接至抗流線圈(choke coil)93的一個端子，抗流線圈93的另一個端子係連接至開關元件94的一個端子且連接至二極體96的陽極。該開關元件94對應於上述的實施形態中之HEMT，且其一個端子對應於HEMT之汲極電極。開關元件94的另一個端子對應於HEMT之源極電極。二極體96的陰極連接至電容器95的一個端子。電容器92的另一個端子、開關元件94的另一個端子、及電容器95的另一個端子係 接地。作為輸出之直流電流(DC)係從電容器95的兩個端子之間取出。
如第6B圖所示，PFC電路90係用來併入至伺服器電源供應器100等當中。
PFC電路90亦可用來構成與該伺服器電源供應器100相似且能夠高速動作之電源供應裝置。另外，與開關元件94相似之開關元件可用於交換式電源供應器(switching power supply)或電子裝置中。各半導體裝置也可用作為全橋式電源供應電路(full-bridge power supply circuit)，例如伺服器電源供應電路中的元件。
在各實施形態中，作為基板者，可使用碳化矽(SiC)基板、藍寶石基板、矽基鈑、GaN基板、GaAs基板等。基板可為導電基板、半絕緣基板、及絕緣基板之任一種。
閘極電極、源極電極、及汲極電極的結構並不限於上述實施形態中所述者。例如，可將各電極形成為單層結構。電極的形成方法也不限於掀離法。源極電極及汲極電極形成後的熱處理亦可加以省略，只要能夠得到歐姆特性即可。亦可對閘極電極進行熱處理。
各層的厚度、材料等並不限於上述實施形態中所述者。
接著，說明本發明的發明人進行的實驗。在此實驗中，首先係製備第7圖中所示之各種洗淨劑。
第7圖中之“PVA”代表聚乙烯醇，“PVP”代表聚乙烯吡咯啶酮，“PHS”代表聚羥基苯乙烯(polyhydroxystyrene)。“uril”代表四甲氧甲基甘脲 (tetramethoxymethyl glycoluril)，“urea”代表N,N’-二甲氧甲基二甲氧伸乙脲(N,N’-dimethoxymethyldimethoxyethylene urea)，“melamine”代表六甲氧甲基三聚氰胺(hexamethoxymethyl melamine)，“EL”代表乳酸乙酯(ethyl lactate)，“IPA”代表異丙醇(isopropyl alcohol)。成分“TN-80”為醇乙氧基化物類界面活性劑(alcohol ethoxylate based surfactant)(非離子界面活性劑)，而 成分“PC-8”為多核界面活性劑(polynuclear surfactant)(非離子界面活性劑)。 “TN-80”及“PC-8”皆為ADEKA公司製造的界面活性劑。
然後，以MOVPE法在矽基板上沉積形成具有3μm厚度之i-GaN電子渡越層、具有5 nm厚度之i-AlGaN間隔層、具有30 nm厚度及5×1018 cm-3 摻雜濃度之n-AlGaN電子供給層、及具有10 nm厚度及5×1018 cm-3 摻雜濃度之n-GaN罩蓋層。然後，以旋塗法在n-GaN罩蓋層的表面塗佈酚醛清漆阻劑(novolak resist)。再進行曝光及顯影來形成開口部。然後，以使用氯基氣體之乾蝕刻將阻劑及n-GaN罩蓋層去除掉。
接著，將第7圖中記載的界面活性劑塗佈到n-AlGaN電子供給層的表面，然後以第8圖中記載的溫度進行2分鐘的加熱來形成表面處理膜。然後，在實施例1至14中使用水來將表面處理膜去除掉、或在實施例15中使用64.7重量百分比之乳酸乙酯與35.3重量百分比之異丙醇的混 合溶液來將表面處理膜去除掉。表面處理膜之去除時間都設定為1分鐘。
分別以X射線光電子能譜儀(XPS)量測n-AlGaN電子供給層的表面的粒子數目及氧濃度比率(oxygen concentration ratio)。為了比較，對於並未進行洗淨之情況(比較例)的粒子數目及氧濃度比率也進行了量測。結果顯示於第8圖中。
如第8圖所示，實施例1至15中的粒子數目比比較例中的粒子數目少。而且，在多數的例子中，氧濃度比率都有減小。
以上所述的所有實例及條件都是為了想要幫助讀者瞭解本發明及本發明的發明人在現有技術之外提出的概念之教育目的而列舉者，不應將之解釋成本發明只限於這些特定的實例及條件，說明書中之此等實例的組成也與顯示本發明之優劣無關。本發明之實施形態已詳細說明如上，惟應瞭解的是除了所述者之外，還可在未脫離本發明的精神及範圍的情況下做各種改變、取代及替換。
1‧‧‧層疊體
2、3‧‧‧化合物半導體層
4‧‧‧凹部
5‧‧‧殘留物
11‧‧‧基板
12‧‧‧i-GaN層
13‧‧‧i-AlGaN層
14‧‧‧n型n-AlGaN層
15‧‧‧n型n-GaN層
15d‧‧‧開口部
15s‧‧‧開口部
16d‧‧‧汲極電極
16g‧‧‧閘極電極
16s‧‧‧源極電極
17‧‧‧凹部
18、28‧‧‧絕緣膜
21、22、23、24‧‧‧阻劑圖案
81d‧‧‧汲極端子
81g‧‧‧閘極端子
81s‧‧‧源極端子
90‧‧‧PFC電路
91‧‧‧二極體橋
92‧‧‧電容器
93‧‧‧抗流線圈
94‧‧‧開關元件
95‧‧‧電容器
96‧‧‧二極體
100‧‧‧伺服器電源供應器
第1A圖至第1C圖係依步驟順序顯示根據第一實施形態之化合物半導體裝置的製造方法之剖面圖。
第2圖係顯示洗淨方法的一個例子之流程圖。
第3A圖至第3J圖係依步驟順序顯示根據第二實施形態之GaN基HEMT的製造方法之剖面圖。
第4A圖至第4F圖係依步驟順序顯示根據第三實施形 態之GaN基HEMT的製造方法之剖面圖。
第5圖係顯示高輸出放大器的外觀的一個例子之圖。
第6A圖及第6B圖係顯示電源供應裝置之圖。
第7圖顯示實驗所用的各種洗淨劑。
第8圖顯示n-AlGaN電子供給層的表面的粒子數目及氧濃度比率。
1‧‧‧層疊體
2、3‧‧‧化合物半導體層
4‧‧‧凹部
5‧‧‧殘留物

Claims (17)

  1. 一種化合物半導體裝置之製造方法，包括：形成化合物半導體層疊結構；將該化合物半導體層疊結構的一部份去除掉，以形成凹入部；以及使用洗淨劑將該凹入部的內部洗淨，其中，該洗淨劑含有與殘存在該凹入部內的殘留物相容之基礎樹脂、以及溶劑，該洗淨步驟包括：塗佈該洗淨劑；透過加熱使該洗淨劑中的溶劑蒸發而形成薄膜；以及去除該薄膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之化合物半導體裝置之製造方法，其中，該基礎樹脂包括從聚乙烯醇、聚乙烯縮醛、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯吡咯啶酮、聚丙烯酸、聚環氧乙烷、含有酚式羥基之樹脂、含有羧基之樹脂、以及環氧樹脂中選出之至少一種。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之化合物半導體裝置之製造方法，其中，該基礎樹脂相對於該洗淨劑之比例在0.1重量百分比至50重量百分比之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之化合物半導體裝置之製造方法，其中，該溶劑包括從由水、醇類有機溶劑、鏈酯類有機溶劑、環酯類有機溶劑、酮類有機溶劑、鏈醚 類有機溶劑、環醚類有機溶劑、及胺類有機溶劑所組成之群組中選出之至少一種。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之化合物半導體裝置之製造方法，其中，該洗淨劑包括還原劑。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之化合物半導體裝置之製造方法，其中，該洗淨劑包括交聯劑。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之化合物半導體裝置之製造方法，其中，該洗淨劑包括界面活性劑。
  8. 一種化合物半導體裝置之製造方法，包括：在基板上方形成電子渡越層；在該電子渡越層上方形成電子供給層；在至少該電子供給層中形成閘極電極用的凹部；以及使用洗淨劑將該凹部的內部洗淨，其中，該洗淨劑含有與殘存在該凹入部內的殘留物相容之基礎樹脂、以及溶劑，該洗淨步驟包括：塗佈該洗淨劑；透過加熱使洗淨劑中的溶劑蒸發而形成薄膜；以及去除該薄膜。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之化合物半導體裝置之製造方法，其中，該基礎樹脂包括從聚乙烯醇、聚乙烯縮醛、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯吡咯啶酮、聚丙烯酸、聚環氧乙烷、含有酚式羥基之樹脂、含有羧基之樹脂、以及 環氧樹脂中選出之至少一種。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之化合物半導體裝置之製造方法，其中，該基礎樹脂相對於該洗淨劑之比例在0.1重量百分比至50重量百分比之間。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之化合物半導體裝置之製造方法，其中，該溶劑包括從由水、醇類有機溶劑、鏈酯類有機溶劑、環酯類有機溶劑、酮類有機溶劑、鏈醚類有機溶劑、環醚類有機溶劑、及胺類有機溶劑所組成之群組中選出之至少一種。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之化合物半導體裝置之製造方法，其中，該洗淨劑包括還原劑。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之化合物半導體裝置之製造方法，其中，該洗淨劑包括交聯劑。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之化合物半導體裝置之製造方法，其中，該洗淨劑包括界面活性劑。
  15. 一種洗淨劑，用來洗淨化合物半導體層，包括：溶劑；與由於該化合物半導體層之加工而產生之殘留物相容之基礎樹脂；以及溶解在該溶劑中以使該化合物半導體層的表面還原之還原劑；其中，該基礎樹脂相對於該洗淨劑之比例在0.1重量百分比至50重量百分比之間。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之洗淨劑，其中，該基礎 樹脂包括選自由聚乙烯醇、聚乙烯縮醛、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯吡咯啶酮、聚丙烯酸、聚環氧乙烷、含有酚式羥基之樹脂、含有羧基之樹脂、以及環氧樹脂所構成之群組之至少一種。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之洗淨劑，其中，該還原劑係為有機酸。
TW101105212A 2011-02-18 2012-02-17 化合物半導體裝置之製造方法及洗淨劑 TWI471921B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011033240A JP5817139B2 (ja) 2011-02-18 2011-02-18 化合物半導体装置の製造方法及び洗浄剤

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201241896A TW201241896A (en) 2012-10-16
TWI471921B true TWI471921B (zh) 2015-02-01

Family

ID=46653078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101105212A TWI471921B (zh) 2011-02-18 2012-02-17 化合物半導體裝置之製造方法及洗淨劑

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8940622B2 (zh)
JP (1) JP5817139B2 (zh)
CN (1) CN102646587B (zh)
TW (1) TWI471921B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6054343B2 (ja) * 2012-08-07 2016-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
JP5586734B2 (ja) * 2012-08-07 2014-09-10 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
JP5543633B2 (ja) 2012-11-26 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
JP5677603B2 (ja) * 2012-11-26 2015-02-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
JP6140576B2 (ja) * 2013-08-27 2017-05-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体
JP5977720B2 (ja) * 2013-08-27 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体
JP5977727B2 (ja) * 2013-11-13 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体
JP6308910B2 (ja) 2013-11-13 2018-04-11 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体
JP6371488B2 (ja) * 2013-11-13 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体
JP6371253B2 (ja) * 2014-07-31 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
KR20180059442A (ko) * 2015-09-30 2018-06-04 제이에스알 가부시끼가이샤 반도체 기판 세정용 막 형성 조성물 및 반도체 기판의 세정 방법
US9991354B2 (en) * 2016-05-16 2018-06-05 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Metal nitride alloy contact for semiconductor
JP6279037B2 (ja) * 2016-08-30 2018-02-14 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄システム
JP6899220B2 (ja) * 2017-01-11 2021-07-07 株式会社ダイセル レジスト除去用組成物
JP6811737B2 (ja) * 2018-03-13 2021-01-13 株式会社東芝 半導体装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200903605A (en) * 2007-05-18 2009-01-16 Mitsubishi Chem Corp Substrate cleaning solution for semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TW200933728A (en) * 2007-12-04 2009-08-01 Mitsubishi Chem Corp Method for washing substrate for semiconductor device and washing solution
TW201005816A (en) * 2008-07-18 2010-02-01 Sumitomo Electric Industries Method for manufacturing III-V compound semiconductor substrate, method for manufacturing epitaxial wafer, III-V compound semiconductor substrate, and epitaxial wafer

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01135574A (ja) * 1987-11-24 1989-05-29 Osaka Shinku Kogyo Kk 蒸着薄膜形成用基板の清浄方法
JPH0774137A (ja) * 1993-07-05 1995-03-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面のパーティクル除去方法及びその装置
JP3441836B2 (ja) * 1995-03-29 2003-09-02 日東電工株式会社 精密電子部品の異物除去用粘着テ―プ
JPH09326380A (ja) * 1996-06-06 1997-12-16 Toagosei Co Ltd 基材表面上のパーティクルの除去方法
JPH10282637A (ja) * 1997-04-09 1998-10-23 Fujitsu Ltd レチクルの異物除去方法及び装置
JPH11101970A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Advanced Display Inc 基板洗浄方法
JP3193335B2 (ja) * 1997-12-12 2001-07-30 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
US6949495B2 (en) * 2000-09-01 2005-09-27 Tokuyama Corporation Cleaning solution for removing residue
JP3787085B2 (ja) 2001-12-04 2006-06-21 関東化学株式会社 フォトレジスト残渣除去液組成物
JP2003313594A (ja) * 2002-04-22 2003-11-06 Nec Corp 洗浄液および半導体装置の製造方法
WO2005066325A2 (en) * 2003-12-31 2005-07-21 Ekc Technology, Inc. Cleaner compositions containing free radical quenchers
JP2006201332A (ja) * 2005-01-19 2006-08-03 Nippon Zeon Co Ltd リフトオフ用レジスト除去剤組成物
TWI339780B (en) 2005-07-28 2011-04-01 Rohm & Haas Elect Mat Stripper
US8226775B2 (en) 2007-12-14 2012-07-24 Lam Research Corporation Methods for particle removal by single-phase and two-phase media
JP2010050347A (ja) 2008-08-22 2010-03-04 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US8444768B2 (en) 2009-03-27 2013-05-21 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
JP2010272728A (ja) 2009-05-22 2010-12-02 Furukawa Electric Co Ltd:The ＧａＮ系半導体素子およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200903605A (en) * 2007-05-18 2009-01-16 Mitsubishi Chem Corp Substrate cleaning solution for semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TW200933728A (en) * 2007-12-04 2009-08-01 Mitsubishi Chem Corp Method for washing substrate for semiconductor device and washing solution
TW201005816A (en) * 2008-07-18 2010-02-01 Sumitomo Electric Industries Method for manufacturing III-V compound semiconductor substrate, method for manufacturing epitaxial wafer, III-V compound semiconductor substrate, and epitaxial wafer

Also Published As

Publication number Publication date
CN102646587B (zh) 2015-01-07
CN102646587A (zh) 2012-08-22
US20120214294A1 (en) 2012-08-23
JP2012174775A (ja) 2012-09-10
TW201241896A (en) 2012-10-16
JP5817139B2 (ja) 2015-11-18
US8940622B2 (en) 2015-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI471921B (zh) 化合物半導體裝置之製造方法及洗淨劑
TWI470793B (zh) 半導體裝置及其製造方法，以及電源供應器
JP5728922B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9685345B2 (en) Semiconductor devices with integrated Schottky diodes and methods of fabrication
JP5990976B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TWI450342B (zh) 化合物半導體裝置及其製造方法
TWI496283B (zh) 化合物半導體裝置及其製造方法
JP5685918B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN103035703B (zh) 化合物半导体器件及其制造方法
KR101955195B1 (ko) 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP5685917B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8598571B2 (en) Method of manufacturing a compound semiconductor device with compound semiconductor lamination structure
JP5712583B2 (ja) 化合物半導体装置及びその製造方法
JP2006286951A (ja) 半導体装置の製造方法
KR101078143B1 (ko) 복합 패시베이션 유전막을 갖는 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5161759B2 (ja) 化合物半導体装置の製造方法
TW201250897A (en) Cleaning apparatus for semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same
JP2009010211A (ja) ヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法
US11257918B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the device
CN112968059A (zh) 一种新型增强型GaN HEMT器件结构
JP2006059956A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2012178458A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体基板の洗浄方法
JP2014056887A (ja) キャパシタの製造方法
JP4314320B2 (ja) 化合物半導体装置の製造方法
Lin et al. Enhancement-mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs with low threshold voltage hysteresis using damage-free neutral beam etched gate recess