TWI470668B - Discharge lamp - Google Patents

Description

放電燈

本發明是關於一種具備：作為發光氣體含有碘的放電容器，及形成於放電容器的外表面的一對電極，放射藉由形成激勵碘分子所放射的紫外線的放電燈。

在液晶顯示器的製程中，使用著構成液晶像素之際，將單體混入在液晶，而在傾斜液晶分子的狀態下藉由聚合單體來固定液晶分子的傾斜方向的技術(PSA：Polymer Sustained Alignment)。依照針對PSA所揭示的專利文獻1，作為用以聚合單體的光源，考慮給予液晶的損傷較少、單體的感度、液晶用玻璃的穿透率等，對單體照射例如波長300～380nm的紫外線較佳(專利文獻1的段落0237)。

作為放射為了聚合單體所必須的波長300～380nm的紫外線的紫外線光源眾知有各式各樣者，惟在現狀針對於最適用於PSA用途的光源，為在不斷檢討的階段。例如，以水銀作為放電媒體而主要放射波長365nm的紫外線的水銀燈、以金屬鹵化物作為放電媒體的金屬鹵素燈等作為PSA用途的候補光源。然而，水銀燈在欲裝載複數水銀燈來構成紫外線照射裝置時，會有紫外線照射裝置大型化的問題，又，由於以水銀作為放電媒體，會有對環境的負荷較大的缺點。金屬鹵素燈是在與接通電力相比較所放射的紫外線的輸出較低等能量效率方面上有問題，又，由於以鹵素化金屬作為放電媒體，而不能忽略對環境的不良影響。

另一方面，眾知具備以互相對向配置的介質材料所成的一對壁部及被連接於一對壁部的端部的密封用壁部所構成的放電容器，在形成於放電容器的內部的放電空間內，填充稀有氣體、鹵素氣體、或此些的混合氣體，藉由經由上述壁部而施加交流電壓或脈衝電壓，俾將紫外線放射至放電容器外部的放電燈。此種放電燈是在欲裝載複數放電燈而構成紫外線照射裝置時，可將紫外線照射裝置作成較小型化，而且與接通電力相比較所放射的紫外線的輸出較高之故，因而能量效率優異，而且將氙氣、氪氣等稀有氣體使用作為放電媒體，因此對於環境之負荷較小的實用方面有很大優點之故，因而期盼作為PSA用的光源。

此種放電燈，是習知主要藉由對液晶基板等被處理物的表面照射真空紫外線，而作為用以進行被處理物的表面改質的光源來加以使用，惟在PSA用途上為了聚合單體所必須的波長300～380nm的波長區域的紫外線輸出不充分。

(先前技術文獻) (專利文獻)

專利文獻1：日本特開2003-149647號

本發明是為了解決上述問題而創作者，其目的是在於提供一種為了提供最適用於PSA用途的光源，有效率地放射為了聚合單體成為必須的波長300~380nm的波長區域的紫外線的放電燈。

本發明第1項發明，是一種放電燈，是具備：作為發光氣體含有碘的放電容器，及形成於放電容器的外表面的一對電極，藉由形成激勵碘分子來放射峰值波長342nm的紫外線的放電燈，其特徵為：在上述放電容器的內表面，形成有由含有二氧化矽粒子的微小粒子所成的紫外線反射層，在此紫外線反射層的表面，於碰到一對電極的放電路徑的位置形成有由氧化鋁或三氧化二釔或此些的混合物所構成之薄膜。

又，本發明的第2項發明，是在本發明的第1項發明中，在上述放電容器中，於對應於一方的電極的內表面形成有紫外線反射層，而在對應於另一方的電極的內表面未形成有紫外線反射層，在面對於形成在對應於上述一方的電極的位置的紫外線反射層的放電空間的表面形成有薄膜，為其特徵者。

又，本發明的第3項發明，是在本發明的第2項的發明中，上述薄膜的厚度是3μm以上，10μm以下，為其特徵者。

依照本發明第1項的發明的放電燈，藉由在紫外線反射層的表面，於碰到一對電極的放電路徑的位置形成薄膜，使構成紫外線反射層的二氧化矽粒子不會曝露在電漿，而與電漿所含有的碘原子、碘分子或碘離子不會起反應。所以，於構成紫外線反射層的二氧化矽粒子的表面不會有氧缺陷，而可抑制紫外線反射層的反射率降低。因此，可提供一種經過長時間有效率地放射波長300~380nm的波長域的紫外線的放電燈。

依照本發明的第2項發明的放電燈，氧化鋁或三氧化二釔或此些的混合物，是對於如碘的腐蝕物具優異耐蝕性，且穿透紫外線的材料之故，因而可防止藉由薄膜構成紫外線反射層的二氧化矽粒子曝露於在電漿中成為活性的激勵碘原子、激勵碘分子或碘離子的情形。

依照本發明的第3項發明的放電燈，將未形成有紫外線反射層的部分作為紫外線出射部，就可將從電漿被放射至紫外線出射部以外的紫外線，與從電漿直接被放射至紫外線出射部的紫外線一起在紫外線反射層被反射而由紫外線出射部放射，就可以高效率放射紫外線。

依照本發明的第4項發明的放電燈，藉由將薄膜的厚度作成3μm以上，來防止產生紫外線反射膜未被覆蓋於薄膜的部分而有不均勻的情形。又，藉由將薄膜厚度作成10μm以下，就可使薄膜不會有剝離的情形。

第1圖是表示本發明的放電燈10的一例的構成的概略的說明用斷面圖。(a)是表示沿著放電容器20的長度方向的斷面的斷面圖，(b)是(a)的A-A’線的斷面圖。

此放電燈10是具備兩端被氣密地密封而於內部形成有放電空間S的斷面矩形狀的中空長狀的放電容器20。此放電容器20是由：上壁板21與對向於上壁板21的下壁板22，連結於上壁板21與下壁板22的一對側壁板23，及密封此些上壁板21、下壁板22與一對側壁板23所成的四方筒狀體的兩端的方式所設置的一對端壁板24所構成。放電容器20是藉由良好地穿透紫外線的二氧化矽玻璃，例如合成石英玻璃所形成。

在放電容器20的上壁板21的外表面具備有高電壓供應電極11，在下壁板22的外表面具備有接地電極12，此些電極11、12是配置成互相對向。此種電極11、12是成為網狀構造，形成光從網眼之間隙穿透。作為材質例如使用鋁、鎳、金等，例如藉由網版印刷、或是真空蒸鍍的手段所形成。又，各個電極11、12是被連接於適當的高頻電源(未圖示)。

於放電容器20的內部例如以10～160kPa的壓力封入有放電用氣體。作為放電用氣體是被封入有主要含有氪、氬的任一種類以上的稀有氣體與碘氣體的放電氣體。在此種構成的放電燈，藉由將例如1～120kHz的交流電壓或脈衝電壓供應於高電壓供應電極11與接地電極12之間，而在面對於放電空間S的內壁面，混雜發生著放電發生在放電空間的全體全面的狀態的擴散放電，及與上述擴散放電相比較具有空間上收縮的帶狀形狀的燈絲放電的雙方。

利用此種放電，被封入在放電容器的碘I的正離子I⁺ 及陰離子I^- ，是藉由與由碘以外的氬、氪中所選擇的一種類以上的原子或分子起反應如下式，而形成激勵碘分子I₂ ^* 。表示於以下的化學式的M，是碘、氪及氬的原子或分子。

[化學式1]

I⁺ +I^- +M→I₂ ^* +M

激勵碘分子I₂ ^* ，是藉由含於放電氣體的碘離子I⁺ 及I^- 與含於放電氣體的碘、氪及氬的原子或分子重複相撞而形成於放電空間，放射峰值波長為342nm的碘分子發光。

形成激勵碘分子成為基礎的碘離子，是被稱為利用準穩態激勵原子的能量使碘被電離的彭寧(Penning)效應的反應成為主要原因所生成。此彭寧效應是藉由氪及氬的準穩態激勵原子的能量比碘原子的電離能量稍高所發生。例舉做參考，準穩態激勵原子的能量是氪為10.5eV，氬為11.5、11.7eV，而碘原子的電離能量是10.4eV。因此，若將含有由氪、氬所選擇的一種類以上的稀有氣體與碘氣體的放電氣體封入於放電容器，則在放電空間中碘離子會生成較多，而形成有多數激勵碘分子，因而期待會提昇峰值波長342nm的碘分子發光的輸出者。

放電氣體是含有氪、氬以外的其他稀有氣體也可以，惟若與所謂氪或氬等稀有氣體的分壓相比較此些以外的稀有氣體的分壓變高，則會減弱上述的彭寧效應，因而必須注意其他稀有氣體的分壓的比率不會變過高的情形。例如，氪、氬以外的其他稀有氣體的分壓，是作成氪、氬的分壓的10%以下較佳。

由激勵碘分子所放射的峰值波長342nm的碘分子發光的輸出，是在PSA用途上為了聚合單體所必須的強度為不充分之故，因而為了有效率地利用藉由準分子放電所發生的紫外線，在面對於放電容器20的放電空間S的內表面，設有由粒子堆積體所成的紫外線反射層30。具體而言，在對應於上壁板21的內表面的高電壓供應電極11的領域，及距電極11、12所對應的領域遠離的上壁板21及下壁板22的內表面，以及側壁板23及端壁板24的內表面的領域，形成有紫外線反射層30。

另一方面，藉由在放電容器20的下壁板22的對應於接地電極12的內表面中未形成有紫外線反射層30來構成紫外線出射部。

紫外線反射層30是厚度為例如20～100μm，由二氧化矽粒子、及融點比二氧化矽還要高而穿透紫外線的微小粒子所構成。融點比二氧化矽還要高，而穿透紫外線的微小粒子是例如氧化鋁、氟化鋰、氟化鎂、氟化鈣、氟化鋇等。又，吸收紫外線的材質例如未將鈦或鋯，此些化合物採用作為微小粒子。但是，作為紫外線反射層30的不純物，有混入鈦或鋯的情形。

第2圖是用以說明本發明的放電燈10的紫外線反射層30的擴大斷面圖。

使用第2圖，說明藉由構成紫外線反射層30的微小粒子進行反射紫外線的構造。當紫外線入射於由穿透此種紫外線的微小粒子所構成的紫外線反射層30，則一部分是在微小粒子的表面反射，又一部分是折射而穿透粒子內部，而在其他表面再反射或折射。在複數微小粒子利用重複產生此種反射、折射，而紫外線是改變方向，成為朝著紫外線反射層30的外部進行。入射於紫外線反射層30的紫外線是利用對微小粒子的入射角度朝各式各樣的方向反射或折射之故，因而整體來觀看則紫外線是被擴散反射。

但是，當紫外線反射層30被剝離而堆積在紫外線出射部的內表面，則從放電燈所放射的光被遮蔽。在此，紫外線反射層30是線膨脹係數與構成放電容器20的二氧化矽破璃的數值相等的二氧化矽粒子為含有一半以上，例如二氧化矽粒子含有60～95%的方式所形成。線膨脹係數的數值相等或近似者，具有容易接著的性質之故，因而作成與放電容器20同質的二氧化矽粒子含有一定以上，俾提高與放電容器20的接著力。

又，二氧化矽粒子是藉由在放電燈10中所發生電漿之熱被熔融而粒界被消失，成為無法擴散反射紫外線而有降低反射率的情形。另一方面，融點比二氧化矽還要高的微小粒子是即使被曝露在依電漿所致的熱時也不會熔融。又，藉由將融點比二氧化矽還要高的微小粒子混入在紫外線反射層30，就可防止互相地鄰接的微小粒子彼此間被結合而使粒界消失的情形，並抑制降低紫外線反射層30的反射率。

含於紫外線反射層30的微小粒子，如下地被定義的粒子徑，為例如在0.01～20μm的範圍者，中心粒徑(個數基準的粒度分布的最大值，為在紫外線反射層30中，例如0.1～10μm者較佳，更佳是0.1～3μm者較佳。

在此所謂「粒子徑」，是指將對於紫外線反射層30的表面朝垂直方向切剖時的切剖面的厚度方向的大約中間位置作為觀察範圍，藉由掃描型電子顯微鏡(SEM)取得擴大投影像，而以一定方向的兩條平行線夾著該擴大投影像的任意粒子時的該平行線的間隔的弗雷特(Feret)直徑。

又，「中心粒徑」，是指將針對於如上述所得到的各粒子的粒子徑的最大值與最小值的粒子徑的範圍，例如以0.1μm的範圍分成複數區分，例如區分成的15區分，屬於各個區分的粒子個數(度數)成為最大的區分的中心值。

然而，如第3圖地若長時間使用僅設置1層紫外線反射層30的放電燈，則發明人等發現了考量為二氧化矽粒子熔融的影響而以以上的減少幅度會降低紫外線強度。發明人等檢討了此原因而如下地加以考慮。

眾知若在二氧化矽發生氧缺陷，則在短波長領域中寬廣吸收光線的情形。由於重複地發生在如第2圖所示的複數微小粒子的表面經折射而穿透粒子內部而被擴散反射的紫外線反射光，是每當穿透產生氧缺陷的二氧化矽粒子，使其一部分被吸收，作為結果推測紫外線反射層30的反射率會減少。氧缺陷是若二氧化矽粒子被曝露在放電電漿，則考量在電漿中成為活性的激勵碘原子、激勵碘分子或碘離子等，會與二氧化矽的鍵結(≡Si-O-Si≡)起反應，而使氧脫離，或鍵結被切斷，由此而在二氧化矽粒子的表面產生氧缺陷(≡Si、≡Si-O)。

又，長時間使用僅設置一層紫外線反射層30的放電燈之後，從放電容器內部被檢測出有五氧化二碘(I₂ O₅ )。此為考量到在二氧化矽的表面有激勵碘原子、激勵碘分子或碘離子等起反應，而使氧脫離，由此產生五氧化二碘(I₂ O₅ )者。

又，藉由以二氧化矽破璃所構成的放電容器20的表面也被曝露於放電而與碘起反應，也會減少放電容器的穿透率。但是，與碘之反應是被限定於放電容器20的內表面的極薄層，又，紫外線是若一次穿透放電容器20就被放射，而並不是如紫外線反射層30地穿透幾次之故，因而對紫外線的照度維持的影響較小。

因此，如第1圖所示，以構成紫外線反射層30的二氧化矽粒子不會與含於電漿的碘原子、碘分子或碘離子起反應的方式，在紫外線反射層30中被曝露於電漿的表面層積由氧化鋁(Al₂ O₃ )或是三氧化二釔(Y₂ O₃ )所成的薄層40。在紫外線反射層30中被曝露於電漿的表面，具體而言，是指面臨於被形成在對應於放電容器20的高電壓供應電極11的內表面的紫外線反射層30的放電空間的表面。

薄膜40是具有功能作為用以防止在放電空間的電漿中成為活性的激勵碘原子、激勵碘分子或碘離子曝露著構成紫外線反射層30的二氧化矽粒子的保護膜者，對於如碘的腐蝕物具優異耐蝕性，且為了在紫外線反射層30反射紫外線，必須利用穿透紫外線的材料來構成。作為兼備此種性質的材料，發明人等發現了氧化鋁(Al₂ O₃ )或是三氧化釔(Y₂ O₃ )較適當，而利用此材料來構成薄膜40。尤其是，氧化鋁(Al₂ O₃ )是紫外線的穿透率較高之處較優異。

使用於薄膜40的氧化鋁(Al₂ O₃ )或三氧化二釔(Y₂ O₃ )，是容易被附著於紫外線反射層30的表面，或是容易取得材料之故，因而使用粒子徑為例如在0.1～10μm的範圍內的微小粒子。構成薄膜40的微小粒子也穿透紫外線之故，因而利用在複數微小粒子中重複產生此種反射、折射，也可擴散反射紫外線。然而，在薄膜40期待紫外線反射層30作為防止被曝露於電漿的保護膜的功能之故，因而構成薄膜40的微小粒子被熔融而粒界消滅又減低反射功能者也可以。因此，氧化鋁(Al₂ O₃ )或三氧化二釔(Y₂ O₃ )是並不被限定於粒子形狀者，例如藉由溶膠、凍膠法所形成的緻密的薄膜來構成薄膜40也可以。

又，對應於另一方的電極的接地電極12的放電容器20的內表面是成為紫外線出射部，未形成有紫外線反射層30之故，因而不必形成薄膜40。

又，若以薄膜40形成於紫外線反射層30的表面的部分予以密封，則放電容器20容易破裂之故，因而在形成於放電容器20的側壁板23及端壁板24的內表面的紫外線反射層30的表面，未形成薄膜40。

接著，表示有關於本發明的放電燈的實施例。

使用於實施例的放電燈是由壁厚2mm的石英玻璃所成，以作成全長200mm、寬度42mm、高度14mm、放電間隙10mm的方式來構成放電容器，而於此放電容器的外表面具備全長150mm、寬度32mm的格子狀金屬所成的電極。在放電容器以120kPa封入有與含有1%碘的氪氣的混合氣體。於除了對應於放電容器的一方電極的內表面以外的位置形成紫外線反射層，而在面對於形在對應於高電壓供應電極11的內表面的紫外線反射層的放電空間的表面形成有薄膜。將紫外線反射層與薄膜的構成表示於表1。

(實施例1)

針對具有上述的規格的放電燈，準備了將紫外線反射層的厚度作為30μm，而將薄膜的厚度變更為3μm、5μm、10μm、15μm、20μm者。針對於各個薄膜的厚度製作了10個，進行確認有無薄膜的剝離。以目視確認了製作後的燈，將數mm左右的薄膜小片剝離而散布於燈內部的狀態設為有剝離。將測定結果表示於表2。

由表示於表2的結果，可知薄膜的厚度是若10μm以下則不會產生剝離。又，在實驗過程，在比3μm還要小的厚度中，可知產生紫外線反射膜未被覆蓋於薄膜的部分而成為容易產生不均勻的情形。藉此，可知薄膜的厚度是3μm以上、10μm以下較佳。

(實施例2)

針對使用於實施例1的放電燈，準備紫外線反射層的厚度作為30μm，而將薄膜的厚度作為3μm者作為本發明的放電燈。又，準備僅有未形成有薄膜而僅有紫外線反射層以厚度30μm形成於放電容器的內表面之處不相同者作為比較用的放電燈。

將本發明的放電燈與比較用的放電燈，分別測定1000小時點燈之後的紫外線強度的維持率。針對各個放電燈，在剛點燈之後的狀態與點燈1000小時後的狀態下，使用第4圖所示的裝置來測定紫外線強度。藉由比較剛點燈之後的紫外線強度與點燈1000小時之後的紫外線強度，進行算出紫外線強度的維持率(%)。

紫外線強度測定裝置是在鋁製容器(40)的內部的陶瓷製支撐台(41)上固定有測定對象的放電燈(10)。在對向於放電燈(10)的紫外線出射部的位置，位於距放電燈的表面5mm之處，固定有分光器的受光部(42)，而以氮置換鋁製容器內部雰圍氣。分光器受光器是利用未圖示的光纖被連接於分光器本體。在電極(11、12)間，施加輸入100W、頻率70Hz的交流高電壓，而在放電容器(20)的內部發生放電，使用由測定經過格子狀電極而被放射的紫外線的分光器的測定光譜進行積算320～350nm的照度的值，並比較紫外線強度。

將測定結果表示於表3。

由表3所示結果，藉由在碰到紫外線反射層的一對電極的放電路徑的位置的表面形成薄膜，可抑制降低紫外線反射層的反射率。又，即使點亮放電燈1000小時，確認也可大致維持點燈初期的紫外線強度。

10‧‧‧放電燈

11‧‧‧高電壓供應電極

12‧‧‧接地電極

20‧‧‧放電容器

30‧‧‧紫外線反射層

40‧‧‧薄膜

第1(a)圖及第1(b)圖是本發明的放電燈的說明用斷面圖。

第2圖是用以說明本發明的放電燈的紫外線反射層的擴大斷面圖。

第3圖是表示放電燈的比較例的說明用斷面圖。

第4圖是表示實施例的測定裝置的斷面圖。

10．．．放電燈

11．．．高電壓供應電極

12．．．接地電極

20．．．放電容器

21．．．上壁板

22．．．下壁板

23．．．側壁板

24．．．端壁板

30．．．紫外線反射層

40．．．薄膜

S．．．放電空間

Claims (3)

1. 一種放電燈，是具備：作為發光氣體含有碘的放電容器，及形成於放電容器的外表面的一對電極，藉由形成激勵碘分子來放射峰值波長342nm的紫外線的放電燈，其特徵為：在上述放電容器的內表面，形成有由含有二氧化矽粒子的微小粒子所成的紫外線反射層，在此紫外線反射層的表面，於碰到一對電極的放電路徑的位置形成有由氧化鋁或三氧化二釔或此些的混合物所構成之薄膜。
2. 如申請專利範圍第1項所述的放電燈，其中，在上述放電容器中，於對應於一方的電極的內表面形成有紫外線反射層，而在對應於另一方的電極的內表面未形成有紫外線反射層，在面對於形成在對應於上述一方的電極的位置的紫外線反射層的放電空間的表面形成有薄膜。
3. 如申請專利範圍第2項所述的放電燈，其中，上述薄膜的厚度是3μm以上、10μm以下。