TWI466226B - A placing mechanism, a plasma processing apparatus using the same, and a voltage applying method for the electrostatic chuck - Google Patents

A placing mechanism, a plasma processing apparatus using the same, and a voltage applying method for the electrostatic chuck Download PDF

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TWI466226B
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Toshihiro Tojo
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Description

載置台機構、使用彼之電漿處理裝置及對靜電吸盤之電壓施加方法
本發明，係有關於對於半導體基板或是液晶顯示裝置之玻璃基板等的被處理體而施加電漿處理之電漿處理裝置、在彼中所使用之載置台機構、以及對靜電吸盤之電壓施加方法。
一般而言，當製造半導體積體電路或是液晶顯示裝置的情況時，係成為在半導體基板或玻璃基板上而反覆施加成膜處理、蝕刻處理、改質處理、氧化擴散處理等。
而，在上述各種之處理中，例如在蝕刻處理等之中，係使用電漿處理裝置而進行處理(專利文獻1～3)。於此，針對先前技術之電漿處理裝置的其中一例，參考圖16來作說明。如圖16中所示一般，此電漿處理裝置，例如係具備有由鋁合金所成之處理容器2，此處理容器2內，係藉由未圖示之真空排氣系而成為可進行真空排氣。在此處理容器2之頂部處，作為將必要之氣體導入至此處理容器2內之氣體導入手段，而設置例如由鋁合金所成之噴淋頭部4，同時，在處理容器2之底部側，係被設置有載置台機構6。
此載置台機構6，主要係由：隔著例如由氧化鋁等之陶瓷材所成之絕緣材8而被作設置之例如由鋁合金所成的載置台10、和被設置在此之上面側處的靜電吸盤12所構成。而，係成為在上述靜電吸盤12上，作為被處理體而載置例如由玻璃基板或半導體基板所成之被處理體W，並能夠將此藉由靜電力來作吸著。
如此這般，上述噴淋頭部4與載置台10，係被作對向配置，並分別構成上部電極與下部電極，而成為平行平板型之電漿電極。具體而言，在上述載置台10處，係被連接有高頻線14，在此高頻線14處，係依序被介在設置有匹配電路16以及例如13.56MHz之高頻電源18，並成為藉由高頻電力而產生電漿。
又，在上述載置台10處，係經由檢測線而被設置有直流成分檢測電路22。此直流成分檢測電路22，係在上述檢測線20處，將高頻截斷用之線圈24、第1電阻26以及第2電阻28依序串聯連接而構成，並藉由上述高頻截斷用之線圈24與第1電阻26間之連接點，而將電容器30作分歧。而後，藉由以測定部32來對於上述第2電阻28之電壓下降作測定，而成為能夠對於電漿處理中之載置台10的直流成分作辨識。
而後，係成為藉由上述高頻截斷用之線圈24以及電容器30，而將從載置台10而來之高頻電力作截斷。又，此直流成分檢測電路22，係具備有用以在電漿處理結束並停止了高頻電力之施加時，而將被充電於吸盤電極34與載置台10處之電荷作放出的功能。
又，上述靜電吸盤12，例如係在由聚醯亞胺系樹脂或是陶瓷等所成之板狀的絕緣材之內部埋入吸盤電極34而構成之。而，從此吸盤電極34，係延伸有給電線36，在此給電線36處，係經由對於高頻電力之侵入作阻止的濾波部38而被連接有直流高壓電源40。
而，藉由將從此直流高壓電源40所產生了的高直流電壓施加於上述吸盤電極34處，而成為將此靜電吸盤12上之被處理體W藉由靜電力來作吸著。上述濾波部38，係在上述給電線36處，將高頻截斷用之線圈42以及電阻44依序串聯連接而構成，並藉由上述高頻截斷用之線圈42與電阻44間之連接點，而將電容器46作分歧。
而後，藉由上述高頻截斷用之線圈42，被施加在載置台10處之高頻電力之繞入至直流高壓電源40並侵入一事，係被作阻止。又，在此給電線36之濾波部38的下流側處，係被設置有用以將直流高壓電源40作ON、OFF之吸盤用開關部45。
在此種電漿處理裝置中，若是將被處理體載置於載置台10上，則係將上述吸盤用開關部45關閉，並從上述直流高壓電源40來對於靜電吸盤12之吸盤電極34施加高的直流電壓，在此吸盤電極34處，係充分地積蓄有電荷，並藉由靜電力來將被處理體W作安定的吸著。而後，若是吸著被進行，則成為藉由高頻電源18來施加高頻電力，同時，從噴淋頭部4來流動特定之氣體、例如蝕刻氣體，並經由上述高頻電力來產生電漿，而進行使用有電漿之蝕刻處理。
而後，當上述蝕刻處理結束時，係停止蝕刻氣體之供給，同時，將施加在載置台10處之高頻電力遮斷。進而，將上述吸盤用開關部45設為開，並將施加於靜電吸盤12之吸盤電極34處的高直流電壓遮斷，而後，經由直流成分檢測電路22，來將積蓄在吸盤電極34以及載置台10處之電荷作充分的放電，之後，將上述被處理體W取出。
[專利文獻1]日本特開平08-017808號公報
[專利文獻2]日本特開平08-031918號公報
[專利文獻3]日本特開2002-043402號公報
但是，在將被處理體作吸著時，直到在上述靜電吸盤12之吸盤電極34處積蓄電而使靜電力充分地上升並安定化為止的期間中，或是在結束電漿處理時，於停止了高頻電力之施加並將積蓄在靜電吸盤12處之電荷放出而安定化為止的期間中，雖然亦依存於吸盤電極34的表面積，然而係不可避免地會耗費秒單位程度的時間。此係因為，吸盤等價電路係具備有由於電阻26、28、44或是在吸盤電極34與載置台10之間所形成之電容成分所致的時間常數之故。
於此情況，當半導體基板之直徑尺寸係為6吋、8吋之較小的情況時，雖然不會特別產生問題，但是，若是直徑尺寸成為12吋(300mm)或是其以上的尺寸，則在被處理體之吸著時之直到在吸盤電極34處積蓄有充分之電荷為止的時間(電荷積蓄時間)，或是當電漿處理之結束時而將積蓄在吸盤電極34中之電荷充分地作放電為止的時間(電荷放出時間)中，係會耗費相當多的時間，因此，製品之生產性係變低，而有著使產率下降的問題。
特別是，當被處理體係為液晶顯示裝置之玻璃基板的情況時，此玻璃基板之大型化係為顯著，而亦存在有成為縱橫3m×3m之大型的玻璃基板，當此種大型之玻璃基板的情況時，上述之電荷積蓄時間或電荷放出時間係分別成為需要50～60秒左右，而有著無法避免大幅度的產率降低之問題。
本發明，係注目於以上之問題點，並為了有效地解決此問題而創造者。本發明之目的，係在於提供一種：能夠將當對吸盤電極施加直流電壓時以及將施加於吸盤電極處之直流電壓遮斷時的吸盤等價電路之時間常數縮小，其結果，能夠將對於吸盤電極之電荷的積蓄以及電荷的放出分別迅速地進行，而提升製品之生產性，並使產率提升之載置台機構、使用有此之電漿處理裝置、及對靜電吸盤之電壓施加方法。
申請項1之發明，係為一種載置台機構，係為被設置在成為可進行真空排氣之處理容器內，並將使用經由高頻電力所產生之電漿而被施加特定之電漿處理的被處理體作載置之載置台機構，其特徵為，具備有：載置台，係為用以載置前述被處理體，並由導電構件所成；和靜電吸盤，係被配置在前述載置台之上面，並為了將前述被處理體作吸著，而於內部被設置有吸盤電極；和直流高壓電源，係為了施加使靜電力產生之直流電壓，而經由給電線而連接於前述吸盤電極處；和吸盤用開關部，係被介在設置於前述給電線之途中，當將前述被處理體作吸著時，係被關閉；和直流成分檢測電路，係為了將在前述電漿處理時所施加在前述載置台處之直流成分檢測出來，而被連接於前述載置台處；和旁通線，係將前述直流成分檢測電路作旁通；和旁通用開關部，係被介在設置於前述旁通線之途中，並當將前述吸盤用開關部切換為閉狀態時以及切換為開狀態時，將前述直流檢測電路作旁通，而將前述載置台接地；和開關控制部，係對2個的前述開關部作控制。
如此這般，在載置台機構中，當將吸盤用開關部關閉並對於吸盤電極施加直流電壓時，係將使直流檢測電路作旁通並將載置台接地之旁通用開關部關閉，進而，當將吸盤用開關部開啟並將施加於吸盤電極之直流電壓遮斷時，亦係將使直流檢測電路作旁通並將載置台接地之旁通用開關部關閉，因此，係能夠將當對吸盤電極施加直流電壓時以及當將施加於吸盤電極處之直流電壓遮斷時之吸盤等價電路的時間常數縮小，其結果，係能夠將對於吸盤電極之電荷的積蓄以及電荷的放出分別迅速地來進行，而提升製品之生產性，並能夠將產率提升。
申請項2之發明，係在申請項1之發明中，具備有以下特徵：係具備有：濾波部，其係被介在設置於前述給電線之途中，並對於前述高頻電力侵入至前述直流高壓電源中一事作阻止。
申請項3之發明，係在申請項2之發明中，具備有以下特徵：前述濾波部，係為由電阻元件所成、或是由電阻元件與電容元件所成。
申請項4之發明，係在申請項2之發明中，具備有以下特徵：前述濾波部，係為由感應元件所成、或是由感應元件與電容元件所成。
申請項5之發明，係在申請項1乃至4中之任一項所記載之發明中，具備有以下特徵：前述直流成分檢測電路，係經由檢測線而被連接於前述載置台處。
申請項6之發明，係在申請項1乃至5中之任一項所記載之發明中，具備有以下特徵：前述開關控制部，當將前述吸盤用開關部切換為閉狀態時，係以與此切換同時地、或是在此切換之前，而將前述旁通用開關部切換為閉狀態的方式，來進行控制。
申請項7之發明，係在申請項6所記載之發明中，具備有以下特徵：前述開關控制部，係以在將前述吸盤用開關部從開狀態而切換為閉狀態後，於經過了特定時間時，將前述旁通用開關部切換為開狀態的方式，來進行控制。
申請項8之發明，係在申請項1乃至7中之任一項所記載之發明中，具備有以下特徵：前述開關控制部，當將前述吸盤用開關部切換為開狀態時，係以與此切換同時地、或是在切換後而經過了特定之時間時，而將前述旁通用開關部切換為開狀態的方式，來進行控制。
申請項9之發明，係在申請項8所記載之發明中，具備有以下特徵：前述開關控制部，係以在將前述吸盤用開關部從閉狀態而切換為開狀態後，於經過了特定時間時，將前述旁通用開關部切換為開狀態的方式，來進行控制。
申請項10之發明，係為一種載置台機構，係為被設置在成為可進行真空排氣之處理容器內，並將使用經由高頻電力所產生之電漿而被施加特定之電漿處理的被處理體作載置之載置台機構，其特徵為，具備有：載置台，係為用以載置前述被處理體，並由導電構件所成；和靜電吸盤，係被配置在前述載置台之上面，並為了將前述被處理體作吸著，而於內部被設置有吸盤電極；和直流高壓電源，係為了施加使靜電力產生之直流電壓，而經由在途中設置有對於高頻電力之侵入作防止的濾波部之給電線，而與前述吸盤電極相連接；和吸盤用開關部，係被介在設置於前述給電線之途中，當將前述被處理體作吸著時，係被關閉；和直流成分檢測電路，係為了將在前述電漿處理時所施加在前述載置台處之直流成分檢測出來，而被連接於前述載置台處；和開關控制部，係對前述吸盤用開關部作控制，前述濾波部，係被設為並不包含有電阻元件地而藉由電容元件與介電元件所形成。
申請項11之發明，係在申請項1乃至10中之任一項所記載之發明中，具備有以下特徵：前述直流高壓電源，係被設為可進行切換並能夠施加複數種類之直流電壓，且該載置台機構係更進而具備有：電位監測部，係被設置在前述給電線之途中，並對於前述吸盤電極側之電位作監測；和電源控制部，係當前述吸盤用開關部被關閉時，將前述複數種類之直流電壓內的高電壓之第1直流電壓作施加，同時，當前述電位監測部之檢測值成為了特定之值時，切換為低電壓之第2直流電壓並作施加的方式，進行控制。
申請項12之發明，係在申請項11之發明中，具備有以下特徵：前述直流高壓電源，係被設為可進行切換並能夠施加複數種類之直流電壓，該載置台機構，係更進而具備有對前述直流高壓電源作控制之電源控制部，前述電源控制部，係以下述之方式來進行控制：若是前述吸盤用開關部被關閉，則最初係將前述複數種類之直流電壓內的高電壓之第1直流電壓作施加，並在經過了特定之時間時，切換為低電壓之第2直流電壓並作施加。
申請項13之發明，係在申請項1乃至10中之任一項之發明中，具備有以下特徵：所謂前述特定之時間，係為從對於前述吸盤電極而開始了前述第1直流電壓之施加後起直到前述吸盤電極之電位到達額定電壓為止的期間以下之長度。
申請項14之發明，係在申請項11乃至13中之任一項之發明中，具備有以下特徵：前述第1直流電壓，係被設定為較前述吸盤電極之額定電壓更高，前述第2直流電壓，係被設定為前述額定電壓。
申請項15之發明，係在申請項11乃至14中之任一項之發明中，具備有以下特徵：前述直流高壓電源，係以能夠輸出前述第1直流電壓與前述第2直流電壓的方式，而將輸出電壓設為可變。
申請項16之發明，係在申請項1乃至14中之任一項之發明中，具備有以下特徵：前述直流高壓電源，係具備有：輸出前述第1直流電壓之第1電源部、和輸出前述第2直流電壓之第2電源部。
申請項17之發明，係在申請項1乃至16中之任一項所記載之發明中，具備有以下特徵：前述被處理體，係為絕緣物。
申請項18之發明，係為一種電漿處理裝置，其係為對於被處理體而施加特定之電漿處理的電漿處理裝置，其特徵為，具備有：處理容器，係成為可進行真空排氣；和氣體導入手段，係將必要之氣體導入至前述處理容器內；和排氣手段，係將前述處理容器內作真空排氣；和如申請項1乃至17項中之任一項所記載之載置台機構，係用以在前述處理容器內而將前述被處理體作載置。
申請項19之發明，係在申請項18所記載之發明中，具備有以下特徵：前述氣體導入手段，係藉由噴淋頭部所成，並以藉由該噴淋頭部與前述載置台機構之載置台來形成平行平板型之上部電極與下部電極的方式，而被構成。
申請項20之發明，係在申請項19所記載之發明中，具備有以下特徵：在前述載置台處，係被連接有高頻電源。
申請項21之發明，係在申請項18乃至20中之任一項所記載之發明中，具備有以下特徵：在前述噴淋頭部處，係被連接有第2高頻電源。
申請項22之發明，係在申請項18乃至21中之任一項所記載之發明中，具備有以下特徵：前述被處理體，係為半導體基板或是絕緣物基板。
申請項23之發明，係為一種對靜電吸盤之電壓施加方法，其係為對於被設置在載置台處之靜電吸盤之電壓施加方法，該載置台，係被設置在成為可進行真空排氣之處理容器內，並將被施加電漿處理之被處理體作載置，同時，被設為可進行高頻電壓之施加，該電壓施加方法，其特徵為：對於前述靜電吸盤之吸盤電極，施加複數種類之直流電壓內的高電壓之第1直流電壓，同時，與前述第1直流電壓之施加同時地、或是在施加之前，而將前述載置台作接地，在從前述第1直流電壓之施加的開始起而經過了特定之時間時，切換為較前述第1直流電壓為更低電壓之第2直流電壓並作施加，在從切換至前述第2直流電壓起而經過了特定之時間時，將前述載置台之接地切斷，並在將前述載置台之接地切斷後，對前述載置台施加高頻電壓。
申請項24之發明，係在申請項23之發明中，具備有以下特徵：從前述第1直流電壓之施加的開始起之前述特定時間，係被預先制訂。
申請項25之發明，係在申請項23之發明中，具備有以下特徵：從前述第1直流電壓之施加的開始起之前述特定之時間，係為從對於前述吸盤電極而開始了前述第1直流電壓之施加後起直到前述吸盤電極之電位到達額定電壓為止的期間以下之長度。
申請項26之發明，係在申請項23乃至25中之任一項所記載之發明中，具備有以下特徵：從切換至前述第2直流電壓起之前述特定時間，係為直到前述載置台之電位成為安定為止的時間。
若藉由本發明之載置台機構、使用有此之電漿處理裝置、以及對靜電吸盤之電壓施加方法，則係能夠發揮下述一般之優秀的作用效果。
若藉由本發明，則在載置台機構中，當將吸盤用開關部關閉並對於吸盤電極施加直流電壓時，係將使直流成分檢測電路作旁通並將載置台接地之旁通用開關部關閉，進而，當將吸盤用開關部開啟並將施加於吸盤電極之直流電壓遮斷時，亦係將使直流成分檢測電路作旁通並將載置台接地之旁通用開關部關閉，因此，係能夠將當對吸盤電極施加直流電壓時以及當將施加於吸盤電極處之直流電壓遮斷時之吸盤等價電路的時間常數縮小，其結果，係能夠將對於吸盤電極之電荷的積蓄以及電荷的放出分別迅速地來進行，而提升製品之生產性，並能夠將產率提升。
以下，針對本發明之載置台機構、使用有此之電漿處理裝置、以及對靜電吸盤之電壓施加方法的合適之其中一種實施型態，根據所添附之圖面來作詳細敘述。
〈第1實施型態〉
圖1，係為展示使用有本發明之載置台機構的電漿處理裝置之第1實施型態的構成圖。於此，作為電漿處理，以對於玻璃基板而施加電漿蝕刻處理之情況作為例子來進行說明。
如圖1中所示一般，此電漿處理裝置50，例如係具備有由鋁合金所成之處理容器52，此處理容器52係被作接地。在此處理容器52之側壁處，係被形成有用以使被處理體W通過之開口54，在此開口54處，係被安裝有將此氣密地作開閉之閘閥56。
又，在處理容器52之底部的週邊處，係被設置有排氣口58，在此排氣口58處，係被設置有對處理容器52內進行真空排氣之排氣手段60。具體而言，此排氣手段60，係具備有被連結於上述排氣口58處之排氣管線62，在此排氣管線62處，係依序被介在設置有壓力調整閥64以及真空幫浦66，並成為能夠一面將處理容器52內作真空抽氣一面維持於特定之壓力。
又，在處理容器52之頂部處，作為將必要之氣體導入至此處理容器52內之氣體導入手段，而設置例如由鋁合金所成之噴淋頭部68。在此噴淋頭部68之上部處，係被設置有氣體入口70，在此氣體入口70處，係經由氣體管線72而被連接有氣體源74。而，在此氣體管線72之途中，係被介在設置有如同質量流控制器一般之流量控制器76，並成為一面對於流量作控制一面使必要之氣體(例如蝕刻氣體)作流動。
又，在上述噴淋頭部68之下面的氣體噴射面處，係被形成有複數之氣體噴出孔78，並成為將上述被供給了的氣體，朝向此下方之處理空間S來作供給。而，在此處理容器52內，係以與上述噴淋頭部68相對向的方式，而被設置有本發明之載置台機構80。
具體而言，此載置台機構80，主要係由：隔著例如由氧化鋁等之陶瓷材所成之絕緣材82而被設置在處理容器52之底部處的例如由鋁等之導電材料所成之載置台84、和被設置在此之上面側處的靜電吸盤86所構成。而，在此靜電吸盤86上，係作為被處理體而載置例如液晶顯示裝置用之玻璃基板W，並成為能夠藉由靜電力來將此玻璃基板W作吸著。於此，上述玻璃基板W之大小，例如係被設定為縱橫分別為3m×3m左右之大小，而成為非常大的尺寸。於此，作為上述導電材料，例如，除了鋁等之金屬以外，亦可使用不鏽鋼等之合金或是碳，以及此些之複合材料等。
如此這般，上述噴淋頭部68與載置台84，係被作對向配置，並分別構成上部電極與下部電極，而成為平行平板型之電漿電極。具體而言，在上述載置台84處，係被連接有高頻線88，在此高頻線88處，係依序被介在設置有匹配電路90以及例如13.56MHz之高頻電源92，並成為藉由高頻電力而產生電漿。
又，在上述載置台84處，係經由檢測線94而被設置有直流成分檢測電路96。另外，亦可將此檢測線94藉由被設置在上述高頻線88處之匹配電路90的下流側來作分歧並設置之。此直流成分檢測電路96，係在上述檢測線94處，將高頻截斷用之線圈98、第1電阻100以及第2電阻102依序串聯連接而構成，並藉由上述高頻截斷用之線圈98與第1電阻100間之連接點，而將電容器104作分歧，而將此另外一端作接地。而後，藉由以測定部106來對於上述第2電阻102之電壓下降作測定，而成為能夠對於電漿處理中之載置台84的直流成分作檢測並辨識出來。
而後，係成為藉由上述高頻截斷用之線圈98以及電容器104，而將從載置台84而來之高頻電力作截斷。又，此直流成分檢測電路96，係具備有用以在電漿處理結束並停止了高頻電力之施加時，而將被充電於吸盤電極86與載置台84處之電荷作放出的功能。
而，在上述檢測線94處，係被設置有成為將此檢測線94之上述直流成分檢測電路96之上流側與下流側作了連接的身為本發明之特徵的旁通線108。而，在此旁通線108之途中，係被設置有旁通用開關部110，在必要時，亦即是，當如後述一般地將施加至靜電吸盤86處之直流電壓作ON、OFF時，係將此旁通用開關部110關閉，並成為能夠將上述載置台84並不經由電阻或線圈地而直接作接地。此旁通用開關部110之開閉動作的控制，係成為藉由開關控制部112來進行。
又，上述靜電吸盤86，例如係在由聚醯亞胺系樹脂或是陶瓷等所成之板狀的絕緣材之內部埋入吸盤電極114而構成之。而，從此吸盤電極114，係延伸有給電線116，在此給電線116處，係經由對於高頻電力之侵入作阻止的濾波部118而被連接有直流高壓電源120。
而，藉由將從此直流高壓電源120所產生了的高直流電壓施加於上述吸盤電極114處，而成為將此靜電吸盤86上之玻璃基板W藉由靜電力來作吸著。此直流高壓電源120之輸出電壓，例如係為3kV左右，但是，係並不被限定於此。上述濾波部118，於此係藉由感應元件、亦即是藉由高頻截斷用之線圈122而被構成。
而後，藉由上述高頻截斷用之線圈112，被施加在載置台84處之高頻電力之繞入至直流高壓電源120並侵入一事，係被作阻止。
又，在此給電線116之濾波部118的下流側處，係被設置有用以將直流高壓電源120作ON、OFF之吸盤用開關部124。
此吸盤用開關部124之開閉動作的控制，係成為藉由上述開關控制部112來進行。又，此電漿處理裝置50之動作全體的控制，例如製程壓力之控制，供給氣體之供給開始、供給停止之控制，高頻電力之施加的控制，對於開關控制部12之各開關部的開閉動作之指示等，係藉由由電腦所成之裝置控制部126來進行。又，在此動作控制中所必要之電腦可讀取的電腦程式，係被記憶在記憶媒體128中。此記憶媒體128，係為藉由軟碟片、CD(Compact Disc)、CD-ROM、硬碟、快閃記憶體或是DVD等所成。另外，雖並未作圖示，但是，在上述載置台機構80處，係被設置有當將被處理體作搬入搬出時而對被處理體作接收的升降銷。
接著，針對使用如同上述一般所構成之電漿處理裝置50所進行的電漿蝕刻處理，參考圖2以及圖3來作說明。圖2，係為對於吸盤用開關部和旁通用開關部之切換的時序與吸盤電極之電位以及高頻電力之施加的時序間的關係作展示之時序圖，圖3係為展示在載置台機構之靜電吸盤處的對於直流電壓之吸盤等價電路的圖。
首先，若是針對全體性之流程作說明，則係將身為被處理體之玻璃基板W，經由被開啟了的閘閥56以及開口54而搬入至處理容器52內，並經由使未圖示之舉升銷作升降，來將此載置於載置台84上，再將處理容器52內密閉。
而後，若是玻璃基板W被載置於載置台84上，則係將上述吸盤用開關部124關閉，並從上述直流高壓電源120來對於靜電吸盤86之吸盤電極114施加高的直流電壓，在此吸盤電極114處，係充分地積蓄有電荷，並藉由靜電力來將玻璃基板W作安定的吸著。於此，當將上述吸盤用開關部124關閉時，旁通用開關部110亦在特定之期間中被設為閉狀態。而後，若是吸著被進行，則成為藉由高頻電源92來施加高頻電力，同時，從噴淋頭部68來流動特定之氣體、例如蝕刻氣體，並經由上述高頻電力來在處理空間S中產生電漿，而進行使用有電漿之蝕刻處理。
又，在電漿處理中，雖係藉由在處理空間S中所產生了的電漿之作用而使電位被產生，但是，經由此電位，在檢測線94中係流動有電流，而此電位，係通過直流成分檢測電路96之線圈98、第1電阻100以及第2電阻102，而流動至接地側。
而後，藉由以測定部106來對於當電流在上述第2電阻102中流動時所產生的電壓下降作測定，係成為檢測出載置台84之直流電壓。
又，此時，藉由上述線圈98以及電容器104之作用，被施加在載置台84處之高頻電力的繞入並流動至直流成分檢測電路96側一事，係被作阻止。
又，同樣的，藉由被設置在給電線116處之高頻截斷用之線圈122的作用，被施加在載置台84處之高頻電力的繞入並流動至直流高壓電源120處一事，係被作阻止。
而後，當上述蝕刻處理結束時，係停止蝕刻氣體之供給，同時，將施加在載置台84處之高頻電力遮斷。進而，將上述吸盤用開關部124設為開，並將施加於靜電吸盤86之吸盤電極114處的高直流電壓遮斷，而後，經由直流成分檢測電路96，來將積蓄在吸盤電極114以及載置台84處之電荷作充分的放電。於此，當將上述吸盤用開關部124設為開時，旁通用開關部110亦在特定之期間中被設為閉狀態。而，若是所積蓄了的電荷之放電結束，則係成為將上述玻璃基板W取出。
於此，在先前技術之電漿處理裝置中，當將圖16中所示之吸盤用開關部45關閉並對吸盤電極34施加高直流電壓時，在直到電荷被積蓄在吸盤電極34或載置台10處並產生充分的靜電力為止所需的時間(電荷積蓄時間)中，係需要長的時間，又，當為了結束電漿處理而將吸盤用開關部45開啟並將積蓄在吸盤電極34或是載置台10處之電荷作充分的放電為止所需的時間(電荷放電時間)，亦需要長的時間，但是，當本發明之電漿處理裝置50的情況時，係能夠將上述電荷積蓄時間或是電荷放電時間大幅地縮短。
亦即是，當將吸盤用開關部124從開狀態而切換至閉狀態時、以及從閉狀態而切換至開狀態時，係將被設置在旁通線108處之旁通用開關部110於特定之期間中而維持於閉狀態，並將載置台84並不經由包含有電阻成分之上述直流成分檢測電路96地而直接作接地，而將吸盤等價電路之電阻成分盡可能的縮小。具體而言，上述開關控制部112，當將上述吸盤用開關部124切換為閉狀態時，係以與此切換同時地、或是在此切換之前，而將前述旁通用開關部110切換為閉狀態的方式，來進行控制。
又，此開關控制部112，當將上述吸盤用開關部124切換為開狀態時，係以與此切換同時地、或是在此切換之前，而將上述旁通用開關部110切換為閉狀態的方式，來進行控制。其結果，吸盤等價電路之時間常數係變小，因此，係成為能夠使對於吸盤電極114或是載置台84之電荷的積蓄以及電荷的放電迅速地來進行。又，開關控制部112，係以在上述吸盤用開關部124之從開狀態而切換為閉狀態或是從閉狀態而切換為開狀態後，當經過了特定時間時，將旁通用開關部110從閉狀態而切換至開狀態的方式，來進行控制。
於此，參考圖2，對於吸盤用開關部124與旁通用開關部110之切換的時序和吸盤電極114之電位以及高頻電力之施加的時序間的關係作說明。如圖2中所示一般，當圖2(A)中所示之將吸盤用開關部124從開狀態來切換至閉狀態時、以及從閉狀態來切換至開狀態時，如圖2(B)中所示一般，係以橫跨此切換點的方式，而將旁通用開關部110維持在閉狀態，並使直流成分檢測電路96作旁通，藉由此，此時之吸盤等價電路的時間常數係變小。
於此情況，亦可與吸盤用開關部124之開閉的切換同時地來進行旁通用開關部110之朝向閉的切換，但是，在將吸盤用開關部124切換為閉之後，直到在吸盤電極114或是載置台84中充分地積蓄有電荷而靜電力安定為止之至少特定的時間T1中(參考圖2(C))，係維持上述旁通用開關部110之閉狀態。此特定之時間T1，雖然亦依存於吸盤電極114之面積，但是，通常係為數秒～十數秒。
又，在先前技術之裝置例中，隨著經由對於吸盤電極114之充電而使電荷積蓄，載置台84之電位係變動，若是在此狀態下而施加高頻電壓，則會有產生異常放電之虞，但是，在本實施型態中，由於直到施加高頻電壓之前一刻為止，旁通用開關部110係被關閉，而被作接地，因此，能夠將載置台84之電位安定化為接地電位，而，由於係在此狀態下而施加高頻電壓，因此，能夠對於異常放電之發生作抑制。
又，同樣的，在將吸盤用開關部124切換為開之後，直到在吸盤電極114或是載置台84中所積蓄之電荷被充分地放電為止之至少特定的時間T2中(參考圖2(C))，係維持上述旁通用開關部110之閉狀態。此特定之時間T2，雖然亦依存於吸盤電極114之面積，但是，通常係為數秒～十數秒。另外，如圖2(D)中所示一般，高頻電力，係在靜電力安定後再被施加至載置台84處。又，在電漿處理中，旁通用開關部110係被設為開狀態，直流成分檢測電路96係起作用，而載置台84之直流電壓係被作測定。
於此，參考圖3以及圖4，對上述吸盤用開關部124之開閉時(旁通用開關部110亦為閉狀態)的吸盤等價電路作說明。圖3，係為對於在載置台機構之靜電吸盤處的相對於直流電壓之吸盤等價電路作展示的圖，圖4係為對於吸盤電極之電位的變化作展示之圖。
如圖3中所示一般，係成為吸盤用開關部124之開閉時(旁通用開關部110亦為閉狀態)的直流高壓電源120之起電力E與電阻成分R以及電容成分C之間的串聯電路。於此，電阻成分R，由於直流成分檢測電路96係被作旁通，因此，實質上，係僅有被設置在給電線116處之高頻截斷用之線圈122的電阻成分，而為非常小。又，電容成分C，由於係經由吸盤電極114之面積與載置台84之上面的面積而被決定，而依存於裝置之大小，因此，若是決定了裝置之尺寸，則係成為一定。
圖4(A)，係展示將吸盤用開關部124由開而切換至閉時的狀態，圖4(B)，係展示將吸盤用開關部124由閉而切換至開時的狀態。另外，於圖4中，為了作參考，係將先前技術之電漿處理裝置的情況以虛線來作展示。
於此，吸盤電極114之電位e(t)，係藉由下述之數式而被賦予。
e(t)=E[1-e(-t/RC) ]
於此，e係代表自然對數(exp)，RC係代表時間常數，t係代表時間。
如上述一般，相較於先前技術之電漿處理裝置，由於電阻成分R係變為非常小，因此，時間常數”RC”係變得非常小。故而，如同圖4(A)以及圖4(B)中所示一般，在本發明之情況中，直到成為安定為止的過渡時間，係成為非常短。
在將吸盤電極之大小設為了縱橫3m×3m之大小並進行了模擬後，其結果，於先前技術之裝置的情況時，直到安定化為止的時間L1，係成為60秒左右，相對於此，在本發明之情況中，直到安定化為止的時間L2，係為10秒左右，而能夠確認到：係能夠將電荷積蓄時間以及電荷放電時間縮短。
另外，在圖16所示之先前技術的電漿處理裝置中，電阻成分，係成為第1電阻26、第2電阻28與電阻44以及各線圈24、42之電阻成分，相較於本發明之情況，係成為非常大的值。又，電容成分C，由於係將裝置尺寸設定為相同，因此，本發明之裝置與先前技術之裝置，係為相同之值。
如此這般，在本發明之載置台機構80中，當將吸盤用開關部124關閉並對於吸盤電極114施加直流電壓時，係將使直流成分檢測電路96作旁通並將載置台84接地之旁通用開關部110關閉，進而，當將吸盤用開關部124開啟並將施加於吸盤電極114之直流電壓遮斷時，亦係將使直流成分檢測電路96作旁通並將載置台84接地之旁通用開關部110關閉，因此，係能夠將當對吸盤電極114施加直流電壓時以及當將施加於吸盤電極114處之直流電壓遮斷時之吸盤等價電路的時間常數縮小，其結果，係能夠將對於吸盤電極114之電荷的積蓄以及電荷的放出分別迅速地來進行，而提升製品之生產性，並能夠將產率提升。
又，由於係將對於高頻電力之侵入至直流高壓電源120一事作阻止的濾波部118，僅藉由身為感應元件之高頻截斷用之線圈122來構成，因此，相較於先前技術之電漿處理裝置，係能夠將在吸盤等價電路處之電阻成分R(參考圖3)縮小並使時間常數更加變小，其結果，係使電荷積蓄時間以及電荷放電時間縮短，而能夠將產率更進一步的提升。
〈第2實施型態〉
接下來，針對本發明之載置台機構的第2實施型態作說明。圖5，係為展示本發明之載置台機構的第2實施形態之重要部位的構成圖。另外，針對與圖1以及圖16中所示之構成部分為相同之構成部分，係附加相同之參考符號，並省略其說明。
在先前之第1實施型態中，係藉由身為感應元件之高頻截斷用之線圈122來構成連接於直流高壓電源120處之濾波部118，並且，係藉由被介在設置有旁通用開關部110之旁通線108，來設為能夠在必要時而將直流成分檢測電路96作旁通，但是，係並不被限定於此，而亦可將上述之濾波部118，設為與圖16中所示之先前技術的裝置相同之構成。
亦即是，如圖5中所示一般，於此，係與圖16中所示之濾波部38同樣的，以將高頻截斷用之線圈42與電阻44作串聯連接，並藉由兩者之連接點來使電容器46分歧，而將此另外一端作接地的方式，來構成濾波部118。
此情況中之吸盤用開關部124以及旁通用開關部110之開閉操作，係與在圖2中所作了說明的情況為相同。在此第2實施型態之情況中，亦與先前之第1實施型態的情況相同，能夠將當對吸盤電極114施加直流電壓時以及將施加於吸盤電極114處之直流電壓遮斷時的吸盤等價電路之時間常數縮小，其結果，能夠將對於吸盤電極114之電荷的積蓄以及電荷的放出分別迅速地進行，而能夠提升製品之生產性，並使產率提升。
但是，相較於第1實施型態之情況，在此第2實施型態之情況中，由於增加了濾波部118之直流成分(電阻44)，故伴隨於此，時間常數亦變大，其結果，相較於第1實施型態，電荷積蓄時間或是電荷放電時間係稍為欠缺迅速性。
〈第3實施型態〉
接下來，針對本發明之載置台機構的第3實施型態作說明。圖6，係為展示本發明之載置台機構的第3實施形態之重要部位的構成圖。另外，針對與圖1、圖5以及圖16中所示之構成部分為相同之構成部分，係附加相同之參考符號，並省略其說明。
首先，在圖5所示之第2實施型態中，係將濾波部118設為與圖16所示之先前技術之裝置為相同的構成，但是，係並不被限定於此，代替上述濾波部118處之電阻44，亦可如圖6中所示一般而設置另外的高頻截斷用之線圈130。亦即是，於此情況中，濾波部118，係藉由身為感應元件之高頻截斷用之線圈42、130，以及身為電容元件之電容器46所構成。於此情況，藉由2個的高頻截斷用之線圈42、130，高頻係成為被截斷。
此情況中之吸盤用開關部124以及旁通用開關部110之開閉操作，係與在圖2中所作了說明的情況為相同。在此第3實施型態之情況中，亦與先前之第1以及第2實施型態的情況相同，能夠將當對吸盤電極114施加直流電壓時以及將施加於吸盤電極114處之直流電壓遮斷時的吸盤等價電路之時間常數縮小，其結果，能夠將對於吸盤電極114之電荷的積蓄以及電荷的放出分別迅速地進行，而能夠提升製品之生產性，並使產率提升。
但是，相較於第2實施型態之情況，在此第3實施型態之情況中，由於減少了濾波部118之身為電阻成分的電阻44，故伴隨於此，時間常數亦變小，其結果，相較於第2實施型態，係能夠使電荷積蓄時間或是電荷放電時間成為更短。
〈第4實施型態〉
接下來，針對本發明之載置台機構的第4實施型態作說明。圖7，係為展示本發明之載置台機構的第4實施形態之重要部位的構成圖。另外，針對與圖1、圖5、圖6以及圖16中所示之構成部分為相同之構成部分，係附加相同之參考符號，並省略其說明。
在先前之第3實施型態中，係藉由身為感應元件之高頻截斷用之線圈42、130以及身為電容元件之電容器46，來構成連接於直流高壓電源120處之濾波部118，並且，係藉由被介在設置有旁通用開關部110之旁通線108，來設為能夠在必要時而將直流成分檢測電路96作旁通，但是，係並不被限定於此，而亦可如圖7中所示一般，設為並不設置上述之旁通線108以及旁通用開關部110。
此情況中之吸盤用開關部124之開閉操作，係與在圖2中所作了說明的情況為相同，但是，圖2(B)中所示之旁通用開關部110，在此第4實施型態中係並未被使用。在此第4實施型態之情況中，亦與先前之第1實施型態的情況相同，能夠將當對吸盤電極114施加直流電壓時以及將施加於吸盤電極114處之直流電壓遮斷時的吸盤等價電路之時間常數縮小，其結果，能夠將對於吸盤電極114之電荷的積蓄以及電荷的放出分別迅速地進行，而能夠提升製品之生產性，並使產率提升。
但是，相較於第3實施型態之情況，在此第4實施型態之情況中，由於增加了直流成分檢測電路96之直流成分(電阻100、102)，故伴隨於此，時間常數亦變大，其結果，相較於第3實施型態，電荷積蓄時間或是電荷放電時間係成為稍為欠缺迅速性。然而，在此第4實施型態之情況中，亦同樣的，相較於圖16中所示之先前技術之裝置，藉由將在濾波部38處之電阻44替換為高頻截斷用之線圈130，由於電阻成分係減少，因此，其結果，係能夠將電荷積蓄時間或電荷放電時間縮短。
〈第5實施型態〉
接下來，針對本發明之載置台機構的第5實施型態作說明。圖8，係為展示本發明之載置台機構的第5實施形態之重要部位的構成圖。另外，針對與圖1中所示之構成部分為相同之構成部分，係附加相同之參考符號，並省略其說明。
在先前之第1～第4實施型態中，身為上部電極之噴淋頭部68，係為接地狀態，但是，係並不被限定於此，亦可設為對此噴淋頭部68而施加高頻電力。圖8，係作為代表，而使用圖1中所示之裝置，來對於將高頻電力施加於噴淋頭部68處之情況的構成作展示，但是，於此所說明之構成，係可適用在第1～第4實施型態之所有的實施型態中。亦即是，如圖8中所示一般，於此，身為氣體導入手段之噴淋頭部68，係隔著絕緣構件134而被安裝於處理容器52之頂面部處。
而，在此噴淋頭部68處，係被連接有高頻線136，在此高頻線136之途中，介在設置匹配電路138，並於另外一端側，連接高頻電源140。作為此高頻電源140之頻率，例如係可使用450kHz等。其結果，在此第5實施型態中，在身為上部電極之噴淋頭部68與身為下部電極之載置台84的雙方處，係成為能夠分別藉由各別之電源來施加高頻電力。
此情況中之吸盤用開關部124以及旁通用開關部110之開閉操作，係與在圖2中所作了說明的情況為相同。在此第5實施型態之情況中，亦與先前之第1實施型態的情況相同，能夠將當對吸盤電極114施加直流電壓時以及將施加於吸盤電極114處之直流電壓遮斷時的吸盤等價電路之時間常數縮小，其結果，能夠將對於吸盤電極114之電荷的積蓄以及電荷的放出分別迅速地進行，而能夠提升製品之生產性，並使產率提升。另外，在此第5實施型態中，亦可設為並不設置連接於載置台84處之高頻電源92(亦包含匹配電路90)而將其省略。
〈對於吸盤電極之電位變化的評價〉
於此，係針對從開始對於吸盤電極114之電壓施加後起直到吸盤電極114到達設定電壓為止的時間，而使吸盤電極之面積(載置台之面積)作變化並進行了模擬，因此，針對該模擬之評價結果作說明。
圖9，係為展示從對於吸盤電極之電壓施加開始起直到到達設定電壓為止的時間與載置台面積之間的關係之圖。於此，作為評價之對象，係舉出有：圖1中所示之第1實施型態(將濾波電阻變更為線圈+直流成分檢測電路之旁通)、圖5中所示之第2實施型態(直流成分檢測電路之旁通)、以及圖7中所示之第4實施型態(將濾波電阻變更為線圈)。又，作為比較例，亦針對圖16中所示之先前技術之裝置而作了評價。
圖9(A)，係展示直到到達設定電壓為止之到達時間，圖9(B)，係展示當以先前技術之裝置之到達時間為基準時，各到達時間之縮短比例。於此，係將載置台面積(≒吸盤電極面積)從0.2m2 ～8.7m2 而作了各種的變化。另外，對於吸盤電極114之施加電壓，係設定為3000V。
如圖9(A)中所示一般，若是以使載置台面積從0.2m2 而至8.7m2 地逐漸變大的方式來作設定，則直到到達設定電壓為止的到達時間，亦係逐漸的變長。此係因為，在吸盤電極與載置台之間所形成的電容成分係逐漸的變大之故。
於此，若是針對載置台面積係為相同之情況下的各實施型態作檢討，則例如當載置台面積為8.7m2 的情況時，到達時間係成為：第1實施型態為13.5sec、第2實施型態為29.5sec、第4實施型態為44.3sec、比較例則為58.3sec。故而，到達時間之縮短效果為良好的順序，係成為第1實施型態、第2實施型態、第4實施型態之順序，而能夠理解到，第1實施型態係最為優良。此點，對於載置台面積為0.2m2 ～8.7m2 之所有的情況，均為符合。
於此，如圖9(B)中所示一般，若是注目於以先前技術之裝置之到達時間作為基準的各到達時間之縮短比例，則係無關於載置台之面積，而在各實施型態之每一者中分別成為一定。亦即是，第1實施型態之縮短比例，係無關於載置台面積，而為23～25%，第2實施型態之縮短比例，係無關於載置台面積，而為51～53%，第4實施型態之縮短比例，係無關於載置台面積，而為76～78%。
故而，如上述一般，到達時間之縮短比例，由於係無關於載置台面積(≒吸盤電極面積)而為略一定，因此，若是載置台之面積越大的電漿處理裝置，則所縮短之時間亦成為越大。其結果，可以理解到，若是將本發明適用在對於縱橫為例如3m×3m程度之大小的大面積之玻璃基板進行電漿處理的電漿處理裝置中，則係能夠使上述到達時間之縮短效果成為非常大。
〈第6實施型態〉
接下來，針對本發明之載置台機構的第6實施型態作說明。圖10，係為展示本發明之載置台機構的第6實施形態之重要部位的構成圖。另外，針對與先前之實施型態相同之構成部分，係附加相同之參考符號，並省略其說明。
在先前之各實施型態中，直流高壓電源120之輸出電壓，例如係為3kV而為一定，但是，係並不被限定於此，而亦可設為能夠施加使切換輸出成為可能的複數種類之直流電壓。而後，係亦可設為：當將電荷積蓄在吸盤電極114中的情況時，最初係施加高電壓之直流電壓，並在一段時間後作切換，而施加通常之較低電壓的直流電壓，以將對於吸盤電極之電荷的積蓄(充電)迅速的來進行。
圖10，係展示此種第6實施型態之重要部位。如圖10中所示一般，在此第6實施型態中，直流高壓電源120，係被設為可切換而成為能夠輸出複數種類之直流電壓並作施加。於此，此直流高壓電源120，例如係使輸出電壓成為可變，並成為例如能夠在3kV～5kV之範圍內而輸出各種之電壓的直流電壓。具體而言，於此，係如同後述一般，使用身為吸盤電極114之通常施加時的額定電壓之3kV、和較此為更高之電壓的5kV。
又，在此第6實施型態中，係具備有：電位監測部150，其係存在於給電線116之途中的藉由電阻元件160所構成之濾波部118與吸盤用開關部124之間，並用以將吸盤電極114側之電位檢測出來；和電源控制部152，其係根據該電位監測部150之輸出值，來對上述直流高壓電源120作控制。
上述電位監測部150，係為藉由電阻元件等所形成，由於將吸盤電極114之電位直接性地檢測出來一事係為困難，因此，於此係介在設置於濾波部118與吸盤用開關部124之間的給電線116處。故而，在此電位監測部150處之檢測值，係無法避免的而會產生有在此下流側(吸盤電極114側)之濾波部118處的電壓下降量之誤差。另外，在實際之裝置中，雖然會成為需要大幅度的設計變更，但是，亦可將此電位監測部150設置在較濾波部118而更為下流側之給電線116的途中，於此情況，係能夠將濾波部118之電壓下降的誤差量消除。
又，上述電源控制部152，係當從上述開關控制部112而使吸盤用開關部124被關閉時，接收其之確認訊號，並當從上述電位監測部150所送來之檢測值成為特定之值時，成為從高電壓之第1直流電壓(例如5kV)而切換至低電壓之第2直流電壓(例如3kV)並作輸出。
接下來，針對上述第6實施型態之動作作說明。首先，在具體之動作說明之前，先針對圖10中之點P1處的電位之變化、亦即是當最初對吸盤電極114施加高電壓、並於其後而切換至低電壓時的上述電位監測部150之電位之變化作說明。圖11，係為對於將直流電壓施加於吸盤電極後之身為電位監測部的點P1之電位的變化作展示之圖表，圖11(A)，係以實線來表示當施加了3kV之一定的直流電壓的情況時之變化，圖11(B)，係以實線來展示當僅在最初之些許的期間中施加5kV之直流電壓，再於其後而切換至3kV並作施加的情況時之變化。於此，作為吸盤電極114之特性，其大小，係為縱橫3m×3m之大小，而額定電壓係為3kV。又，在圖11中，係將吸盤電極114之電位的經驗性之預測值藉由1點鍊線來作展示。
如圖11(A)中所示一般，當從最初起便對吸盤電極114而以3kV來施加了一定之直流電壓的情況時，隨著電荷之積蓄在吸盤電極114處，點P1之電位係依循於該電路之時間常數而逐漸上升，並耗費某種程度的時間而到達3kV並安定化。於此，直到到達與吸盤電極114之額定電壓相同的3kV為止，係需要15sec左右之時間。又，將施加電壓同樣設為3kV，當吸盤電極114之大小為縱橫2.2m×2.5m的情況時，係為9.8sec，當為縱橫2.0m×2.3m的情況時，係為8.0sec。
相對於此，如圖11(B)中所示一般，對於吸盤電極114，最初僅於特定之期間T4中來施加身為較吸盤電極114之額定電壓為更高之電壓的直流電壓(第1直流電壓)之5kV，不久後則施加身為低電壓之直流電壓(第2直流電壓)之3kV的情況時，點P1之電位，係較圖11(A)之情況而更為急遽的上升，而後，在切換之前一刻，成為例如4kV左右之峰值，在經過特定之期間T4後，藉由被切換至低電壓一事，點1之電位係在經過了峰值後逐漸的下降，而到達3kV並安定化。
於此，若是對吸盤電極114之電位作注目，則可以得知，當點P1之電位為4kV左右時，吸盤電極114之電位係到達了身為額定電壓之3kV，此時，藉由切換至3kV之直流電壓，吸盤電極114之電位係能夠保持該狀態地而維持在3kV處。在此第6實施型態中，係使用上述般之特性而成為將吸盤電極114之電位的上升更迅速地進行。
接下來，針對使用有上述圖11中所示之特性的此第6實施型態之動作作說明。圖12，係為對於各開關部之切換的時序與電位監測部150之電位以及吸盤施加電壓之變化作展示的時序圖，圖13，係為用以對於在第6實施型態中之動作作說明的流程圖。
於圖12中，圖12(A)之吸盤用開關部124的開閉動作、旁通用開關部110的開閉動作、圖12(C)之吸盤電極114的電位、圖12(D)之高頻電力的施加狀況，係分別與圖2中所示之情況為相同。而，在圖12(E)中，係展示藉由電位監測部150所檢測出了的電位，圖12(F)，係展示藉由直流高壓電源120所輸出之吸盤施加電壓。
首先，開關控制部112，係經由將設置於旁通線108之途中的旁通用開關部110關閉，而將載置台84作接地(S1)。接著，開關控制部112，係經由將設置在給電線116之途中的吸盤用開關部124關閉，而藉由直流高壓電源120來對於吸盤電極114而開始第1直流電壓(亦即是身為高電壓之直流電壓的5kV)之施加(S2)。另外，亦可將步驟S1與S2同時進行。
從此時間點起，而成為進入至先前於圖11中所說明一般之狀態。亦即是，藉由5kV之施加，對於吸盤電極114係急速地進行有充電，而其之電位係成為急遽的上升。另外，開關控制部112，當將吸盤用開關部124作了關閉時，係將此事通知給電源控制部152，此事，係為了防止電源控制部152之誤動作而進行者。
接著，藉由設置在給電線116之途中的電位監測部150所檢測出來之電位，係被輸入至電源控制部152處，此電源控制部152，係判斷藉由上述電位監測部150所檢測出了的電位是否到達了預先所制訂之特定值、例如判斷是否到達了4kV，並進行待機，直到到達了4kV為止(S3之NO)。於此，若是到達了4kV(S3之YES)，則對直流高壓電源120作控制，並從第1直流電壓(5kV)而切換至較此為更低之電壓的第2直流電壓(3kV)並作施加(S4)。此3kV，係為吸盤電極114之額定電壓。此時之吸盤電極112的電位，係如同圖11中所說明一般而為額定電壓之3kV左右，故而，係能夠更加迅速地而充電至額定電壓。
又，於此，施加5kV之直流電壓的期間T4，係如同在圖11中亦有所說明一般，作為結果，係成為4sec左右。另外，不用說，此4sec之時間，係會隨著靜電吸盤86之大小或是第1直流電壓之大小等而改變。
如此這般，在切換至第2直流電壓後，係待機直到在載置台84處之電位成為安定為止的特定之時間T5、例如待機5～10sec左右之期間(S5之NO)，而若是進行了上述特定之時間T5的待機(S5之YES)，則接著經由將旁通用開關部110設為開狀態，來切斷載置台84之接地(S6)。上述特定之時間T5，係如同上述一般，為直到上述載置台84之電位成為安定為止所需要的時間。而後，接下來係成為對載置台84施加從高頻電源92而來之高頻電壓(S7)，並進行電漿處理。
如此這般，在此第6實施型態中，在將電荷積蓄於吸盤電極114處(充電)時，由於係設為：最初係施加高電壓之第1直流電壓(例如5kV)，不久後，施加較上述第1直流電壓為更低之電壓的第2直流電壓(例如3kV)，因此，能夠更迅速地進行對於吸盤電極114之充電。於圖12(C)中，係藉由1點鍊線，而展示圖2(C)之情況時的吸盤電極114之電位的變化，相較於圖2(C)之情況，係能夠縮短10sec左右的而更迅速地使對於吸盤電極114之充電結束。另外，此第6實施型態，除了並未設置有旁通線108之圖7的第4實施型態以外，係可適用在先前之第1～第3以及第5之所有的實施型態中。
〈第7實施型態〉
接下來，針對本發明之載置台構造的第7實施型態作說明。圖14，係為展示本發明之載置台構造的第7實施形態之重要部位的構成圖。另外，針對與先前之第6實施型態相同之構成部分，係附加相同之參考符號，並省略其說明。
在圖10所示之第6實施型態中，係在給電線116之途中設置電位監測部150，且電源控制部152係參考此檢測值而進行了所施加之直流電壓的切換，但是，係並不被限定於此，在此第7實施型態中，係在將上述吸盤用開關部124設為了閉狀態後，對時間作計測，並在經過了一定的時間時，對所施加之直流電壓作切換。
亦即是，如圖14中所示一般，於此，在給電線116處，係並不設置圖10中所設置之電位監測部150，代替此，係使電源控制部152具有計時功能(未圖示)，並成為將從開關部控制部112而接收到了將吸盤用開關部124作了關閉之通知的訊號時作為起點，來藉由上述計時功能而對經過時間作測定。而後，對於此計時功能處之計測時間係經過了特定之時間一事作回應，此電源控制部152，係成為對於直流高壓電源120而發出從第1直流電壓(5kV)而切換至第2直流電壓(3kV)並作輸出之指令。
於此，上述之用以進行切換之特定的時間，係為從開始對於吸盤電極114而施加第1直流電壓起直到此吸盤電極114之電位到達額定電壓為止的期間以下之長度，於此，如同由圖11中所示之圖表所求取出一般，上述特定的期間，例如係被設定為4sec。此4sec之時間，係亦可藉由將濾波部118以感應元件來構成一事，而更進一步的縮短，且此一時間，如同前述一般，係成為亦會隨著吸盤電極114之大小或是第1直流電壓之大小等而改變，又，上述特定的時間之設定，係成為可變。
此第7實施型態之動作，係僅有在圖13所示之第6實施型態的流程圖之步驟S3中，代替電位監測部150之檢測值的判斷，而進行有對於在將吸盤開關部124關閉後是否經過了特定的時間(例如4sec)一事作判斷之點上成為相異，其他之各步驟，係與圖13中所示之流程圖為相同。又，各開關部之切換的時序、或是各電壓之變化的態樣，亦係與圖13中所示之時序圖為相同。另外，此第7實施型態，除了並未設置有旁通線108之圖7的第4實施型態以外，係可適用在先前之第1～第3以及第5之所有的實施型態中。
另外，在圖10以及圖14所示之第6以及第7實施型態中，作為直流高壓電源120，雖係使用有能夠使輸出電壓作變化之可變電源，但是，代替此，係亦可如同圖15中所示之直流高壓電源之變形例一般，將輸出第1直流電壓(例如5kV)之第1電源部154A與輸出第2直流電壓(例如3kV)之第2電源部154B作並聯設置，並藉由以電源控制部所控制之開關部156，來對此些之2個的電源部154A、154B作切換，並使其進行輸出。於此，上述之5kV以及3kV，係僅分別單純為對其中一例作展示，不用說，本發明係並不被限定於此些之數值。
又，在上述圖10以及圖14所示之第6以及第7實施型態中，係為了使對於本發明之理解成為容易，而將開關控制部112與電源控制部152分開作設置，但是，不用說，亦可將此些作一體化並設置之。
另外，在以上之各實施型態中，作為電漿處理，雖以電漿蝕刻處理為例而作了說明，但是，在具備有靜電吸盤並經由高頻電力來產生電漿而進行電漿處理之所有的電漿處理裝置中，均可適用本發明。又，在以上之各實施型態中，於載置台84處，係並未設置加熱手段，但是，亦可在此載置台84處，作為加熱手段，而設置例如電阻加熱器，並將被處理體加熱至特定的溫度。
又，於此，作為被處理體，雖係以身為絕緣物之液晶顯示裝置用的玻璃基板為例而作了說明，但是，係並不被限定於此，而亦可對於陶瓷基板等之其他的絕緣物之基板、或者是半導體晶圓(半導體基板)來適用本發明。
46．．．電容器(電容元件)
50．．．電漿處理裝置
52．．．處理容器
60．．．排氣手段
68．．．噴淋頭部(氣體導入手段)
80．．．載置台機構
84．．．載置台
86．．．靜電吸盤
92．．．高頻電源
94．．．檢測線
96．．．直流成分檢測電路
98．．．高頻截斷用之線圈
100．．．第1電阻
102．．．第2電阻
108．．．旁通線
110．．．旁通用開關部
112．．．開關控制部
114．．．吸盤電極
116．．．給電線
118．．．濾波部
120．．．直流高壓電源
122．．．高頻截斷用之線圈(感應元件)
124．．．吸盤用開關部
126．．．裝置控制部
130．．．高頻截斷用之線圈(感應元件)
150．．．電位監測部
152．．．電源控制部
154A．．．第1電源部
154B．．．第2電源部
156．．．開關部
W．．．玻璃基板(被處理體)
[圖1]展示使用有本發明之載置台機構的電漿處理裝置之第1實施型態的構成圖。
[圖2]展示吸盤用開關部與旁通用開關部之切換的時序和吸盤電極之電位以及高頻電力之施加的時序間的關係作說明之時序圖。
[圖3]展示在載置台機構之靜電吸盤處的相對於直流電壓之吸盤等價電路的圖。
[圖4]展示吸盤電極之電位的變化之圖。
[圖5]展示本發明之載置台機構的第2實施形態之重要部位的構成圖。
[圖6]展示本發明之載置台機構的第3實施形態之重要部位的構成圖。
[圖7]展示本發明之載置台機構的第4實施形態之重要部位的構成圖。
[圖8]展示本發明之載置台機構的第5實施形態之重要部位的構成圖。
[圖9]展示從對於吸盤電極之電壓施加開始起直到到達設定電壓為止的時間與載置台面積之間的關係之圖。
[圖10]展示本發明之載置台機構的第6實施形態之重要部位的構成圖。
[圖11]對於將直流電壓施加至吸盤電極處後之身為電位監測部之點P1的電位之變化作展示的圖表。
[圖12]對於各開關部之切換的時序與電位監測部之電壓以及吸盤施加電壓之變化作展示的時序圖。
[圖13]用以說明第6實施型態中之動作的流程圖。
[圖14]展示本發明之載置台構造的第7實施形態之重要部位的構成圖。
[圖15]展示直流高壓電源之變形例的圖。
[圖16]展示先前技術之電漿處理裝置的其中一例之構成圖。
50．．．電漿處理裝置
52．．．處理容器
54．．．開口
56．．．閘閥
58．．．排氣口
60．．．排氣手段
62．．．排氣線
64．．．壓力調整閥
66．．．真空幫浦
68．．．噴淋頭部(氣體導入手段)
70．．．氣體入口
72．．．氣體管線
74．．．氣體源
76．．．流量控制器
78．．．氣體噴出孔
80．．．載置台機構
82．．．絕緣材
84．．．載置台
86．．．靜電吸盤
88．．．高頻線
90．．．匹配電路
92．．．高頻電源
94．．．檢測線
96．．．直流成分檢測電路
98．．．高頻截斷用之線圈
100．．．第1電阻
102．．．第2電阻
104．．．電容器
106．．．測定部
108．．．旁通線
110．．．旁通用開關部
112．．．開關控制部
114．．．吸盤電極
116．．．給電線
118．．．濾波部
120．．．直流高壓電源
122．．．高頻截斷用之線圈(感應元件)
124．．．吸盤用開關部
126．．．裝置控制部
128．．．記憶媒體
S．．．處理空間
W．．．玻璃基板(被處理體)

Claims (26)

  1. 一種載置台機構，係為被設置在成為可進行真空排氣之處理容器內，並將使用經由高頻電力所產生之電漿而被施加特定之電漿處理的被處理體作載置之載置台機構，其特徵為，具備有：載置台，係為用以載置前述被處理體，並由導電構件所成；和靜電吸盤，係被配置在前述載置台之上面，並為了將前述被處理體作吸著，而於內部被設置有吸盤電極；和直流高壓電源，係為了施加使靜電力產生之直流電壓，而經由給電線來連接於前述吸盤電極處；和吸盤用開關部，係被介在設置於前述給電線之途中，當將前述被處理體作吸著時，係被關閉；和直流成分檢測電路，係為了將在前述電漿處理時所施加在前述載置台處之直流成分檢測出來，而被連接於前述載置台處；和旁通線，係將前述直流成分檢測電路作旁通；和旁通用開關部，係被介在設置於前述旁通線之途中，並當將前述吸盤用開關部切換為閉狀態時以及切換為開狀態時，為了減少吸盤等價電路的時間常數而將前述直流成分檢測電路作旁通，而將前述載置台接地；和開關控制部，係對2個的前述開關部作控制。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之載置台機構，其中，係具備有： 濾波部，其係被介在設置於前述給電線之途中，並對於前述高頻電力侵入至前述直流高壓電源中一事作阻止。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之載置台機構，其中，前述濾波部，係為由電阻元件所成、或是由電阻元件與電容元件所成。
  4. 如申請專利範圍第2項所記載之載置台機構，其中，前述濾波部，係為由感應元件所成、或是由感應元件與電容元件所成。
  5. 如申請專利範圍第1項乃至第4項中之任一項所記載之載置台機構，其中，前述直流成分檢測電路，係經由檢測線而被連接於前述載置台處。
  6. 如申請專利範圍第1項乃至第4項中之任一項所記載之載置台機構，其中，前述開關控制部，當將前述吸盤用開關部切換為閉狀態時，係以與此切換同時地、或是在此切換之前，而將前述旁通用開關部切換為閉狀態的方式，來進行控制。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之載置台機構，其中，前述開關控制部，係以在將前述吸盤用開關部從開狀態而切換為閉狀態後，於經過了特定時間時，將前述旁通用開關部切換為開狀態的方式，來進行控制。
  8. 如申請專利範圍第1項乃至第4項中之任一項所記載之載置台機構，其中，前述開關控制部，當將前述吸盤用開關部切換為開狀態時，係以與此切換同時地、或是在此切換之前，而將前述旁通用開關部切換為閉狀態的方 式，來進行控制。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之載置台機構，其中，前述開關控制部，係以在將前述吸盤用開關部從閉狀態而切換為開狀態後，於經過了特定時間時，將前述旁通用開關部切換為開狀態的方式，來進行控制。
  10. 一種載置台機構，係為被設置在成為可進行真空排氣之處理容器內，並將使用經由高頻電力所產生之電漿而被施加特定之電漿處理的被處理體作載置之載置台機構，其特徵為，具備有：載置台，係為用以載置前述被處理體，並由導電構件所成；和靜電吸盤，係被配置在前述載置台之上面，並為了將前述被處理體作吸著，而於內部被設置有吸盤電極；和直流高壓電源，係為了施加使靜電力產生之直流電壓，而經由在途中設置有對於高頻電力之侵入作防止的濾波部之給電線，來連接於前述吸盤電極處；和吸盤用開關部，係被介在設置於前述給電線之途中，當將前述被處理體作吸著時，係被關閉；和直流成分檢測電路，係為了將在前述電漿處理時所施加在前述載置台處之直流成分檢測出來，而被連接於前述載置台處；和開關控制部，係對前述吸盤用開關部作控制，前述濾波部，係為了減少吸盤等價電路的時間常數而被設為並不包含有電阻元件地而藉由電容元件與介電元件 所形成。
  11. 如申請專利範圍第1項或第10項所記載之載置台機構，其中，前述直流高壓電源，係被設為可進行切換並能夠施加複數種類之直流電壓，且該載置台機構係更進而具備有：電位監測部，係被設置在前述給電線之途中，並對於前述吸盤電極側之電位作監測；和電源控制部，係以當前述吸盤用開關部被關閉時，將前述複數種類之直流電壓內的高電壓之第1直流電壓作施加，同時，當前述電位監測部之檢測值成為了特定之值時，切換為低電壓之第2直流電壓並作施加的方式，進行控制。
  12. 如申請專利範圍第1項或第10項所記載之載置台機構，其中，前述直流高壓電源，係被設為可進行切換並能夠施加複數種類之直流電壓，該載置台機構，係更進而具備有對前述直流高壓電源作控制之電源控制部，前述電源控制部，係以下述之方式來進行控制：若是前述吸盤用開關部被關閉，則最初係將前述複數種類之直流電壓內的高電壓之第1直流電壓作施加，並在經過了特定之時間時，切換為低電壓之第2直流電壓並作施加。
  13. 如申請專利範圍第12項所記載之載置台機構，其中，前述特定之時間，係為從對於前述吸盤電極而開始了前述第1直流電壓之施加後起直到前述吸盤電極之電位到達額定電壓為止的期間以下之長度。
  14. 如申請專利範圍第11項所記載之載置台機構，其中，前述第1直流電壓，係被設定為較前述吸盤電極之額定電壓更高，前述第2直流電壓，係被設定為前述額定電壓。
  15. 如申請專利範圍第11項所記載之載置台機構，其中，前述直流高壓電源，係以能夠輸出前述第1直流電壓與前述第2直流電壓的方式，而將輸出電壓設為可變。
  16. 如申請專利範圍第11項所記載之載置台機構，其中，前述直流高壓電源，係具備有：輸出前述第1直流電壓之第1電源部、和輸出前述第2直流電壓之第2電源部。
  17. 如申請專利範圍第1項或第10項所記載之載置台機構，其中，前述被處理體，係為絕緣物。
  18. 一種電漿處理裝置，係為對於被處理體而施加特定之電漿處理的電漿處理裝置，其特徵為，具備有：處理容器，係成為可進行真空排氣；和氣體導入手段，係將必要之氣體導入至前述處理容器內；和排氣手段，係將前述處理容器內作真空排氣；和如申請專利範圍第1項或第10項所記載之載置台機 構，係用以在前述處理容器內而將前述被處理體作載置。
  19. 如申請專利範圍第18項所記載之電漿處理裝置，其中，前述氣體導入手段，係藉由噴淋頭部所成，並以藉由該噴淋頭部與前述載置台機構之載置台來形成平行平板型之上部電極與下部電極的方式，而被構成。
  20. 如申請專利範圍第19項所記載之電漿處理裝置，其中，在前述載置台處，係被連接有高頻電源。
  21. 如申請專利範圍第18項所記載之電漿處理裝置，其中，在前述噴淋頭部處，係被連接有第2高頻電源。
  22. 如申請專利範圍第18項所記載之電漿處理系統，其中，前述被處理體，係為半導體基板或是絕緣物基板。
  23. 一種對靜電吸盤之電壓施加方法，係為對於被設置在載置台處之靜電吸盤之電壓施加方法，該載置台，係被設置在成為可進行真空排氣之處理容器內，並將被施加電漿處理之被處理體作載置，同時，被設為可進行高頻電壓之施加，該電壓施加方法，其特徵為：對於前述靜電吸盤之吸盤電極，施加複數種類之直流電壓內的高電壓之第1直流電壓，同時，與前述第1直流電壓之施加同時地、或是在施加之前，為了減少吸盤等價電路的時間常數而使檢測出前述載置台之直流成分的直流成分檢測電路作旁通而將前述載置台作接地，在從前述第1直流電壓之施加的開始起而經過了特定之時間時，切換為較前述第1直流電壓為更低電壓之第2 直流電壓並作施加，在從切換至前述第2直流電壓起而經過了特定之時間時，將前述載置台之接地切斷，並在將前述載置台之接地切斷後，對前述載置台施加高頻電壓。
  24. 如申請專利範圍第23項所記載之對靜電吸盤之電壓施加方法，其中，從前述第1直流電壓之施加的開始起之前述特定時間，係被預先制訂。
  25. 如申請專利範圍第23項所記載之對靜電吸盤之電壓施加方法，其中，從前述第1直流電壓之施加的開始起之前述特定之時間，係為從對於前述吸盤電極而開始了前述第1直流電壓之施加後起直到前述吸盤電極之電位到達額定電壓為止的期間以下之長度。
  26. 如申請專利範圍第23項乃至第25項中之任一項所記載之對靜電吸盤之電壓施加方法，其中，從切換至前述第2直流電壓起之前述特定時間，係為直到前述載置台之電位成為安定為止的時間。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5486383B2 (ja) * 2010-04-13 2014-05-07 富士フイルム株式会社 ドライエッチング方法及び装置
CN101925246B (zh) * 2010-08-13 2012-05-09 华中科技大学 一种人体可直接触摸的低温等离子体的产生方法
CN102545816B (zh) * 2010-12-17 2015-02-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于静电吸盘的多通道射频滤波器
JP5923245B2 (ja) * 2011-03-30 2016-05-24 東京エレクトロン株式会社 基板除去方法及び記憶媒体
CN103050364B (zh) * 2013-01-05 2016-04-06 中微半导体设备(上海)有限公司 用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路
JP6224958B2 (ja) * 2013-02-20 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN104715988B (zh) * 2013-12-17 2017-05-24 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及其基片直流偏置电压测量方法
JP6357436B2 (ja) 2014-07-25 2018-07-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP6609664B2 (ja) * 2014-07-25 2019-11-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
CN104362116B (zh) * 2014-11-04 2017-06-27 合肥京东方光电科技有限公司 一种气悬浮式下部电极及干法刻蚀装置
JP6496579B2 (ja) * 2015-03-17 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
WO2017100136A1 (en) * 2015-12-07 2017-06-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for clamping and declamping substrates using electrostatic chucks
KR101842124B1 (ko) * 2016-05-27 2018-03-27 세메스 주식회사 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102229983B1 (ko) * 2017-11-03 2021-03-19 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치
JP7020311B2 (ja) * 2018-06-14 2022-02-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR20210076154A (ko) 2018-11-09 2021-06-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 프로세싱 챔버를 위한 라디오 주파수 필터 시스템
KR102410815B1 (ko) * 2018-12-12 2022-06-21 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치
JP7169920B2 (ja) * 2019-03-26 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 静電吸着装置及び除電方法
JP2020177785A (ja) * 2019-04-17 2020-10-29 日本電産株式会社 プラズマ処理装置
JP7325294B2 (ja) * 2019-10-17 2023-08-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TWI755664B (zh) * 2019-12-19 2022-02-21 日商日本真空技術服務股份有限公司 靜電吸盤用之供電裝置及基板管理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091408A (ja) * 1998-09-16 2000-03-31 Hitachi Ltd 静電吸着装置およびそれを用いたウエハ処理装置
JP2008047564A (ja) * 2006-08-10 2008-02-28 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置、静電チャックの診断方法及び記憶媒体

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3306677B2 (ja) * 1993-05-12 2002-07-24 東京エレクトロン株式会社 自己バイアス測定方法及び装置並びに静電吸着装置
JP3733448B2 (ja) * 1994-04-27 2006-01-11 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理方法および装置並びに基板脱離方法及び印加電圧の制御装置
US5584974A (en) * 1995-10-20 1996-12-17 Eni Arc control and switching element protection for pulsed dc cathode sputtering power supply
JPH1197516A (ja) * 1997-09-24 1999-04-09 Hitachi Ltd 真空処理装置
KR100476845B1 (ko) * 1999-04-06 2005-03-17 동경 엘렉트론 주식회사 전극, 적재대, 플라즈마 처리 장치 및 전극과 적재대의제조 방법
JP2002203837A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理方法および装置並びに半導体装置の製造方法
JP2006040993A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Nikon Corp 静電チャック

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091408A (ja) * 1998-09-16 2000-03-31 Hitachi Ltd 静電吸着装置およびそれを用いたウエハ処理装置
JP2008047564A (ja) * 2006-08-10 2008-02-28 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置、静電チャックの診断方法及び記憶媒体

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