TWI755664B - 靜電吸盤用之供電裝置及基板管理方法 - Google Patents

Abstract

提供一種：在將被處理基板設置於靜電吸盤之後，從將被處理基板作吸附來施行處理直到於處理後解除吸附來搬送被處理基板為止的一連串操作之期間，可掌握被處理基板之相對於靜電吸盤之狀態的靜電吸盤用之供電裝置。 本發明之靜電吸盤用之供電裝置(PS₁ )，係具備有：直流電源部(6a、6b)，係對靜電吸盤(Ec)的電極(3a、3b)施加直流電壓、和交流電源部(7)，係使通過靜電吸盤之靜電電容的交流電流流通。進一步具備有：切換手段(8a、8b)，係將為了以靜電吸盤來將被處理基板作吸附保持而從直流電源部對電極施加吸盤電壓的電路設為第1電路(C1)，並將用以將被處理基板除電的電路設為第2電路(C2)，而對第1電路與第2電路作切換，於第2電路設置有交流電源部、和測定交流電壓的電壓計(9)。

Description

靜電吸盤用之供電裝置及基板管理方法

本發明係關於靜電吸盤用之供電裝置及用以使用此供電裝置來管理對於靜電吸盤之基板的吸附、解除的基板管理方法。

在半導體製造工程中，為了得到所期望之裝置構造，係對於矽晶圓和玻璃基板等之被處理基板，實施以濺鍍法及電漿CVD法等所致之成膜處理、熱處理、離子注入處理和蝕刻處理等之各種的處理。在進行此些處理的處理裝置中，為了在真空氛圍中之真空腔內將被處理基板作定位保持，係具備有靜電吸盤。靜電吸盤，係具有例如金屬製的基台、和被安裝於其表面之例如PBN(Pyrolytic Boron Nitride)製的陶瓷板(吸盤板)，於此吸盤板，係埋設有一對的電極(所謂雙極型)。而後，為了對一對的電極間施加直流電壓(吸盤電壓)，係使用有供電裝置，藉由對兩電極間施加直流電壓而產生靜電力，藉由所產生的靜電力而使被處理基板被吸附保持於吸盤板表面(吸盤操作)。

在此，若反覆進行對於吸盤板之被處理基板的吸附與其之解除，則吸盤板表面會因被處理基板而被摩擦而逐漸磨耗。而，若吸盤板磨耗，則在對於吸盤板表面之被處理基板的吸附時和處理中會產生被處理基板之吸附不良，如此一來，係無法對於被處理基板施行正常的處理。因此，於供電裝置中，進一步具備有：交流電源部，係使通過吸盤板之靜電電容的交流電流流通、和測定器，係測定此時的電壓等，藉由監視測定器的測定值，而掌握吸附不良之產生等之被處理基板的狀態，此亦為一般所周知(例如，參照專利文獻1)。交流電源部，通常是構成為具備變壓器，使變壓器之二次側被中介設置於直流電源部之正(高電壓側)的輸出，且與為了將被處理基板作吸附而被施加於一對的電極間之直流電壓重疊地使交流電流流通。

另外，存在有在被設置於吸盤板之處理前的被處理基板已產生破裂或缺損的情況，又，存在有因某些原因而在基板之搬送時相對於靜電吸盤之吸盤板而被處理基板產生位置偏移的情況。除了上述之破裂、缺損、偏移以外，亦存在有當將被處理基板設置於吸盤板時而中介存在有異物的情況，在這樣的情況下也會產生吸附不良。又，在處理後之被處理基板為有所帶電的情況時，若是在被處理基板之除電為不充分時勉強使其從吸盤板脫離，則會有於被處理基板產生破裂或缺損、或是發生位置偏移的情形。因此，為了管理對於靜電吸盤之被處理基板的吸附、解除，係期望能夠掌握被處理基板的狀態。然而，於上述以往例中，係存在有只有在對一對的電極間施加直流電壓時能夠使交流電流流通來掌握被處理基板的狀態之問題。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本再公表WO2011/125292號公報

[發明所欲解決之課題]

本發明係鑑於以上之點而完成者，其係以提供一種：在將被處理基板設置於靜電吸盤之後，從將被處理基板作吸附來施行處理直到於處理後解除吸附來搬送被處理基板為止的一連串操作之期間，可掌握被處理基板之相對於靜電吸盤之狀態的靜電吸盤用之供電裝置及基板管理方法作為其之課題。 [用以解決課題之手段]

為了解決上述課題，對在真空腔內將被處理基板作吸附保持的靜電吸盤供電之本發明的靜電吸盤用之供電裝置，係具備有：直流電源部，係對被設置於靜電吸盤的電極施加直流電壓、和交流電源部，係使通過靜電吸盤的靜電電容之交流電流流通，並進一步具備有：切換手段，係將為了以靜電吸盤來將被處理基板作吸附保持而從直流電源部對電極施加吸盤電壓的電路設為第1電路，並將用以將被處理基板除電的電路設為第2電路，而對第1電路與第2電路作切換，於第2電路設置有交流電源部、和測定交流電流或是交流電壓的測定器。

若依據本發明，則在如同以處理裝置來對於被處理基板施行特定的(電漿)處理一般之情況，首先，在藉由切換手段來切換成第2電路的狀態下於靜電吸盤表面設置矽晶圓或玻璃基板等之被處理基板。接著，藉由交流電源部使通過吸盤板之靜電電容的交流電流流通，並以測定器測定此時之交流電流值或是交流電壓值。藉由此，若是於被處理基板產生破裂或缺損、或於被處理基板產生翹曲、或相對於靜電吸盤而被處理基板發生位置偏移、或進而當於靜電吸盤設置被處理基板時而中介存在有異物，則伴隨著因靜電吸盤與被處理基板之接觸面積的變化所導致之靜電電容的變化，測定值係會變化。若是將此測定值與預先實驗性地測定出的交流電流值或是交流電壓值相比較，則在吸附之前，可先掌握被設置於靜電吸盤之處理前的被處理基板之狀態，而可判斷是否能夠進行被處理基板之吸附。

接著，若藉由切換手段來切換成第1電路，則對電極施加吸盤電壓，藉由靜電力而使被處理基板被吸附保持(吸附)於靜電吸盤表面。於吸附後，藉由交流電源部使通過靜電吸盤之靜電電容的交流電流流通，並以測定器測定此時之交流電流值或是交流電壓值。之後，與上述同樣地，若是將此測定值與預先實驗性地測定出的交流電流值或是交流電壓值相比較，則可判斷被處理基板之對於靜電吸盤表面的吸附是否被正常地進行，或者是在對被處理基板施行特定的處理之期間，是否未產生被處理基板之破裂或缺損。

接著，若是特定的處理結束，則藉由切換手段來切換成第2電路，例如，電極被連接於接地電位，或者是，在雙極型之靜電吸盤的情況時係以使一對的電極成為同電位的方式來連接兩電極，而施行特定的處理，藉由此而使帶電的被處理基板被除電。此時，藉由交流電源部使通過靜電吸盤之靜電電容的交流電流流通，並以測定器測定此時之交流電流值或是交流電壓值。接著，例如，若是被處理基板從靜電吸盤局部性地浮起，則由於靜電電容會變化，因此與上述同樣地，若是將此被測定出的電流值與預先實驗性地測定出的交流電流值或是交流電壓值相比較，則可判斷被處理基板之除電是否充分，與此相對應地，例如，可藉由舉升銷將被處理基板從靜電吸盤舉起而將被處理基板完全地脫離。

若依據如此之本發明，則在將被處理基板設置於靜電吸盤之後，從將被處理基板作吸附來施行處理直到於處理後解除吸附來搬送被處理基板為止的一連串操作之期間，可掌握被處理基板的狀態而掌握被處理基板相對於靜電吸盤之狀態，不僅能夠在處理前及處理後管理對於靜電吸盤之被處理基板的吸附、解除，也能夠檢測有時會在處理中於被處理基板產生的破裂或缺損。在此，在作為靜電吸盤之吸盤板而使用例如矽橡膠製者的情況，係有必要將靜電吸附被處理基板時之吸盤電壓設定得較高(例如，4kV)。於此情況中，若如上述以往例般地，將交流電源部的變壓器之二次側中介設置於直流電源部之正(高電壓側)的輸出，則高絕緣耐壓之變壓器係為必要。由於這種變壓器是大型的，且無法安裝於電路基板，因此存在有使靜電吸盤用之供電裝置大型化的問題。相對於此，若是如本案發明般地，於第2電路(若換言之，則為直流電源之低電壓側)設置交流電源部，則無須高絕緣耐壓之變壓器，而在謀求裝置小型化方面是有利的。

於本發明中，當使通過靜電吸盤之靜電電容的交流電流流通，並測定此時之交流電流值或是交流電壓值時，為了不易受到雜訊影響，在電極是以一對的電極構成的情況，亦可採用前述直流電源部之正負的輸出，係經由前述切換手段來分別連接至各電極，於前述第2電路串聯設置有2個前述交流電源部，於兩交流電源部之間串聯設置有電阻，並於電阻並聯連接有作為前述測定器之電壓計的構成。

又，為了解決上述課題，使用上述靜電吸盤用之供電裝置，管理對於靜電吸盤之被處理基板的吸附、解除之本發明的基板管理方法，其特徵為，包含有：在藉由切換手段來切換成第2電路的狀態下於靜電吸盤表面設置被處理基板，藉由交流電源部使通過靜電吸盤之靜電電容的交流電流流通，並以測定器測定此時之交流電流或是交流電壓，當此測定值為特定範圍內時，允許對於電極之直流電壓的施加之工程、和藉由切換手段來切換成第1電路，從直流電源部對電極施加吸盤電壓來將被設置於靜電吸盤表面的被處理基板作吸附保持，於吸附後，藉由交流電源部使通過靜電吸盤之靜電電容的交流電流流通，並以測定器測定此時之交流電流或是交流電壓，而判斷此測定值是否處於特定範圍內之工程、以及藉由切換手段來切換成第2電路，將被處理基板除電，並且藉由交流電源部使通過靜電吸盤之靜電電容的交流電流流通，以測定器測定此時之交流電流或是交流電壓，當此測定值為特定範圍內時，允許從靜電吸盤之被處理基板的脫離之工程。

以下，參照附圖，對於將被處理基板設為矽晶圓(以下稱為「晶圓W」)，將靜電吸盤設為雙極型者，而用以對以該表面吸附晶圓W的靜電吸盤供電的本發明之靜電吸盤用之供電裝置及使用此供電裝置的基板管理方法之實施形態作說明。於以下內容中，係設為以第1圖所示之靜電吸盤的姿勢作為基準，來對於代表上、下之方向作說明。

參照第1圖，Ec，係為藉由本實施形態之供電裝置而被作供電的靜電吸盤。靜電吸盤Ec，係構成為，被配置於施行以濺鍍法及電漿CVD法等所致之成膜處理、熱處理、離子注入處理和蝕刻處理等之各種的處理之圖外的處理裝置之真空腔內，並在真空腔內將晶圓W作定位保持。另外，由於處理裝置本身係可利用周知之物，因此，在此係省略詳細的說明。

靜電吸盤Ec，係藉由金屬製之基台1、和被設置於基台1的上面之身為介電體的吸盤板2，而構成之。作為基台1，係可利用以具有與晶圓W相對應之輪廓的鋁製之筒體所構成者，並構成為，於其內部，係設置有將晶圓W加熱的加熱手段11，和使冷媒循環來將晶圓W冷卻的冷卻手段(未圖示)，而可於處理中，將晶圓W加熱或冷卻。另一方面，作為吸盤板2，係可利用PBN製、ALN製或矽橡膠製者，於其內部，係經由圖示省略之絕緣層來設置有一對的電極3a、3b。又，於靜電吸盤Ec之基台1與吸盤板2，係形成有複數個貫通上下方向的透孔4，於各透孔4，係分別插設有舉升銷5。舉升銷5，係構成為，藉由氣缸等之驅動手段51，來對於吸盤板2出沒自如地上下移動。而後，為了對兩電極3a、3b間施加直流電壓(吸盤用電壓)並且掌握被吸附於靜電吸盤Ec之吸盤板2的晶圓W之狀態，係使用有本實施形態之供電裝置PS₁ 。

供電裝置PS₁ ，係具備有：直流電源部6a、6b，係對一對的電極3a、3b間施加直流電壓(吸盤電壓)、和交流電源部7，係使通過吸盤板2之靜電電容的交流電流流通。又，供電裝置PS₁ ，係進一步具備有：切換手段8a、8b，係將為了以吸盤板2來將晶圓W作吸附保持而對直流電源部6a、6b與兩電極3a、3b之間施加直流電壓的電路設為第1電路C1，將為了在處理後將晶圓W除電而將兩電極3a、3b連接於接地電位的電路設為第2電路C2，而對第1電路C1與第2電路C2作切換。也就是說，於第1電路C1中，係如第1圖所示般地，其中一方之直流電源部6a之正(高電壓側)的輸出61，係經由其中一方之切換手段8a來被連接於其中一方之電極3b，另一方之電極3a，係經由另一方之切換手段8b來被連接於另一方之直流電源部6b之負(低電壓側)的輸出64，藉由此，而於兩電極3a、3b間，為了以吸盤板2來將晶圓W作吸附保持而施加直流電壓。而後，若兩切換手段8a、8b被切換，則其中一方之電極3b，係經由另一方之切換手段8a來被連接於其中一方之直流電源部6a之負的輸出62，並且另一方之電極3a，係經由另一方之切換手段8b來被連接於另一方之直流電源部6b之正的輸出63，而被連接於接地電位。

作為直流電源部6a、6b，係可因應於吸盤板2之種類，而利用於兩電極3a、3b間可施加0.1～4kV的直流電壓之周知之構成。另外，於本實施形態中，雖是以使用有2個直流電源部6a、6b者為例來作說明，但並不被限定於此，例如，亦可利用單一之周知之構成。交流電源部7，雖無特別圖示來作說明，但其係具備有產生特定頻率之交流電壓的電源、和變壓器，變壓器的二次側，係中介設置於第2電路C2之其中一方的直流電源部6a之負的輸出62與另一方之直流電源部6b之正的輸出63之間，並經由電阻R1來被連接於接地電位(0V)，並且與電阻R1並聯地連接有作為測定交流電壓之測定器的電壓計9。作為切換手段8a、8b，係可利用繼電器等之周知者。藉由此，即使是第1電路C1與第2電路C2之任一狀態，皆可使交流電流流通來以電壓計9測定此時之交流電壓。另外，直流電源部6a、6b、交流電源部7和切換手段8a、8b之作動，係成為藉由圖示省略之控制單元而被作統籌控制。以下，對於使用有第1圖所示之供電裝置PS₁ 的基板管理方法作說明。

在如同以圖外之處理裝置來對於晶圓W施行特定的(電漿)處理一般之情況，首先，在藉由切換手段8a、8b來切換成第2電路C2的狀態下，於靜電吸盤Ec表面設置晶圓W。於此情況中，將舉升銷5移動至從吸盤板2上面突出的位置處，在此狀態下，藉由圖外的搬送機器人來搬送晶圓W並交接給舉升銷5。接著，若是使舉升銷5移動至沒入吸盤板2內的位置處，則晶圓W會被設置於吸盤板2的上面。此時，藉由交流電源部7使通過吸盤板2之靜電電容的交流電流流通，並以電壓計9測定此時之電壓值。藉由此，若是於晶圓W產生破裂或缺損、或於晶圓W產生翹曲、或相對於吸盤板2而晶圓W發生位置偏移、或進而當於吸盤板2設置晶圓W時中介存在有異物，則伴隨著因吸盤板2與晶圓W之接觸面積的變化所導致之靜電電容的變化，測定出的交流電壓值係會變化。若是將此測定出的交流電壓值(測定值)與預先實驗性地測定出的交流電壓值相比較，則在吸附之前，可先掌握被設置於吸盤板2之處理前的晶圓W之狀態，而可判斷是否能夠進行晶圓W之吸附。

接著，在測定出的交流電壓值為特定範圍內的情況，係可允許對一對的電極3a、3b間施加直流電壓。於此情況中，藉由以切換手段8a、8b而被切換成第1電路C1，係對於兩電極3a、3b間施加直流電壓，藉由在兩電極3a、3b間產生的靜電力，晶圓W係被吸附保持(吸附)於吸盤板2的上面。於吸附後，藉由交流電源部7使通過吸盤板2之靜電電容的交流電流流通，並以電壓計9測定此時之交流電壓。與上述同樣地，若是將此測定出的交流電壓值與預先實驗性地測定出的交流電壓值相比較，亦即是，若是判斷所測定出的交流電壓值是否處於特定範圍內，則可判斷晶圓W之對於吸盤板2上面的吸附是否被正常地進行，或者是在對於晶圓W施行特定的處理之期間是否未產生晶圓W之破裂或缺損。

最後，若在所測定出的交流電壓值為特定範圍內的狀態下結束處理，則藉由切換手段8a、8b被切換成第2電路C2，兩電極3a、3b係被連接於接地電位。藉由此，例如，藉由施行利用有電漿之處理而使帶電的晶圓W被除電。此時，藉由交流電源部7使通過吸盤板2之靜電電容的交流電流流通，並以電壓計9測定此時之交流電壓。接著，例如，若是晶圓W從吸盤板2的上面局部性地浮起，則由於靜電電容會變化，因此與上述同樣地，若是將此測定出的交流電壓值與預先實驗性地測定出的交流電壓值相比較，則在處理完畢之晶圓W搬出之前，可先掌握包含晶圓W是否已被充分除電在內之晶圓W的狀態。在測定出的交流電壓值為特定範圍內的情況，係可判斷為晶圓W被充分除電，並可允許從靜電吸盤Ec之晶圓W的脫離。於此情況中，舉升銷5係被移動至從吸盤板2上面突出的位置處，晶圓W會被從吸盤板2舉起而完全地脫離。

若依據上述實施形態，則在將晶圓W設置於吸盤板2之後，從將晶圓W作吸附來施行處理直到於處理後解除晶圓W之吸附來搬送為止的一連串操作之期間，可隨時掌握晶圓W的狀態，而不僅能夠於處理前及處理後管理對於吸盤板2之晶圓W的吸附、解除，也能夠檢測有時會在處理中於晶圓W產生的破裂或缺損。在此，在作為吸盤板2為例如矽橡膠製的情況，係有必要將靜電吸附晶圓W時之吸盤電壓設定得較高(例如，4kV)。於此情況中，在如上述以往例般地，將交流電源部的變壓器之二次側中介設置於直流電源部之正(高電壓側)的輸出之情況，高絕緣耐壓之變壓器係為必要，而這種變壓器是大型的，無法安裝於電路基板，而存在有使靜電吸盤用之供電裝置大型化的問題。相對於此，於上述實施形態中，係無須高絕緣耐壓之變壓器，而在謀求裝置小型化方面是有利的。

接著，為了確認本發明之效果，係使用第1圖所示之靜電吸盤Ec及該供電裝置PS₁來進行了以下的實驗。於本實驗中，係構成為，將被處理基板設為晶圓W，將吸盤板2設為矽橡膠製，並以特定的吸盤電壓(4kV)吸附晶圓W，之後，在真空腔內實施利用有電漿的處理。接著，將於晶圓W破裂或缺損、偏移、晶圓W之碎片等之異物未中介存在於吸盤板2與晶圓W之間的狀態設為試料1，將於無破裂或缺損之晶圓W與吸盤板2之間中介存在有異物的狀態設為試料2，依據上述基板管理方法，來針對試料1、2測定交流電壓之變化，並將其結果展示於第2圖。另外，於第2圖中，實線係為試料1，虛線係為試料2。

若依據此，則係得知了：若是在將試料1、2各別設置於吸盤板2上面之後，於電漿處理前各別測定交流電壓，則伴隨著靜電電容之差異，以試料1與試料2所測定出的交流電壓值係為相異。又，在電漿處理中和電漿處理後也同樣地，伴隨著靜電電容之差異，於試料1與試料2所測定出的交流電壓值係為相異。由以上的實驗，可確認到：在將晶圓W設置於吸盤板2之後，從將晶圓W作吸附來 施行處理直到於處理後解除吸附來搬送晶圓W為止的一連串操作之期間，可掌握晶圓W之狀態。

以上，雖係針對本發明之實施形態作了說明，但是，本發明，係並不被限定於上述形態，在不脫離本發明之技術思想的範圍內，係可適宜作變形。於上述實施形態中，係對將為了於處理後將晶圓W除電而將兩電極3a、3b連接於接地電位的電路設為第2電路C2來作了說明，但是，並不被限定於此，亦能夠以使一對的電極3a、3b成為同電位的方式來連接兩電極3a、3b而構成第2電路C2。又，在上述實施形態中，係對以具有單一的交流電源部7者為例來作了說明，但是，係並不被限定於此。於第3圖中，係展示出變形例之供電裝置PS₂。若針對與上述實施形態相同之構件、要素使用相同的符號來作說明，則供電裝置PS₂，係具備有相同形態的2個交流電源部70a、70b，兩交流電源部70a、70b，係於第2電路C2而被串聯設置於其中一方之直流電源部6a之負的輸出62與另一方之直流電源部6b之正的輸出63之間。並且，於各交流電源部70a、70b之間，係串聯連接有2個電阻R2、R2，電阻R2、R2間係被連接於接地電位(0V)，並且於此等電阻R2、R2並聯連接有電壓計9。若依據此，則在使通過靜電電容的交流電流流通，而以電壓計9測定交流電壓的情況時，可不易受到雜訊的影響，而為有利。

再者，在上述實施形態中，係以適用於所謂雙極型之靜電吸盤Ec者為例來作了說明，但是，係並不被限定於此，亦可將本發明適用於單極型者。於第4圖中，係展示出可供電給設置於吸盤板2的單一電極30之另一變形例之供電裝置PS₃ 。若針對與上述實施形態相同構件、要素使用相同的符號來作說明，則供電裝置PS₃ ，係具備有單一之直流電源部6，直流電源部6之正(高電壓側)的輸出610，係經由切換手段80而被連接於電極30。直流電源部之負的(低電壓側)的輸出620，也是經由切換手段80而被連接於電極30，並且連接有交流電源部700，經由電阻R3而被連接於接地電位(0V)，並於電阻R3並聯連接有電壓計等之測定器9。

PS₁ ,PS₂ ,PS₃ :靜電吸盤用之供電裝置 Ec:靜電吸盤 C1:第1電路 C2:第2電路 R1,R2,R3:電阻 W:晶圓(被處理基板) 3a,3b:電極 6,6a,6b:直流電源部 7,700:交流電源部 8a,8b:切換手段 9:電壓計(測定器)

[第1圖]係對於本發明之實施形態的靜電吸盤用之供電裝置的構成作示意性展示之圖。 [第2圖]係對於本發明之效果作確認的實驗結果之圖表。 [第3圖]係對於變形例的靜電吸盤用之供電裝置的構成作示意性展示之圖。 [第4圖]係對於另一變形例的靜電吸盤用之供電裝置的構成作示意性展示之圖。

PS₁ :靜電吸盤用之供電裝置

Ec:靜電吸盤

C1:第1電路

C2:第2電路

R1:電阻

W:晶圓(被處理基板)

1:基台

2:吸盤板

3a,3b:電極

4:透孔

5:舉升銷

6a,6b:直流電源部

7:交流電源部

8a,8b:切換手段

9:電壓計(測定器)

11:加熱手段

51:驅動手段

61,62,63,64:輸出

Claims (3)

1. 一種靜電吸盤用之供電裝置，其係對在真空腔內將被處理基板作吸附保持的靜電吸盤供電，其特徵為， 具備有：直流電源部，係對被設置於靜電吸盤的電極施加直流電壓、和交流電源部，係使通過靜電吸盤的靜電電容之交流電流流通， 並且，係更進而具備有：切換手段，係將為了以靜電吸盤來將被處理基板作吸附保持而從直流電源部對電極施加吸盤電壓的電路設為第1電路，並將用以將被處理基板除電的電路設為第2電路，而對第1電路與第2電路作切換， 於第2電路設置有交流電源部、和測定交流電流或是交流電壓的測定器。
2. 如請求項1所記載之靜電吸盤用之供電裝置，其中，前述電極係由一對的電極所構成， 前述直流電源部之正負的輸出，係經由前述切換手段來分別連接至各電極，於前述第2電路串聯設置有2個前述交流電源部，於兩交流電源部之間串聯設置有電阻，並於電阻並聯連接有作為前述測定器之電壓計。
3. 一種基板管理方法，其特徵為：係使用如請求項1或請求項2所記載之靜電吸盤用之供電裝置，管理對於靜電吸盤之被處理基板的吸附、解除，並包含有： 在藉由切換手段來切換成第2電路的狀態下於靜電吸盤表面設置被處理基板，藉由交流電源部使通過靜電吸盤之靜電電容的交流電流流通，並以測定器測定此時之交流電流或是交流電壓，當此測定值為特定範圍內時，允許對於電極之直流電壓的施加之工程、和 藉由切換手段來切換成第1電路，從直流電源部對電極施加吸盤電壓來將被設置於靜電吸盤表面的被處理基板作吸附保持，於吸附後，藉由交流電源部使通過靜電吸盤之靜電電容的交流電流流通，並以測定器測定此時之交流電流或是交流電壓，而判斷此測定值是否處於特定範圍內之工程、以及 藉由切換手段來切換成第2電路，將被處理基板除電，並且藉由交流電源部使通過靜電吸盤之靜電電容的交流電流流通，以測定器測定此時之交流電流或是交流電壓，當此測定值為特定範圍內時，允許從靜電吸盤之被處理基板的脫離之工程。

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