TWI463031B - 聚對二甲苯或經取代之對二甲苯薄膜的沉積方法及裝置 - Google Patents

聚對二甲苯或經取代之對二甲苯薄膜的沉積方法及裝置 Download PDF

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Description

聚對二甲苯或經取代之對二甲苯薄膜的沉積方法及裝置
本發明係有關一種沉積一或多層聚對二甲苯或經取代之對二甲苯薄膜之裝置，其包括一加熱之蒸發器，以蒸發一固體或液體原材料，尤其是一聚合物，特別是一二聚物，蒸發器連接一載氣管路，以輸入一載氣，該載氣可將被蒸發之原材料，尤其是被蒸發之聚合物，特別是二聚物，攜帶至一連接在蒸發器後方可加熱之分解室，尤其是一熱解室，原材料在該熱解室中被分解成一單體；並包括一連接在熱解室後方之沉積室，其具有一進氣機構，以使被載氣攜帶的分解產物，尤其是單體，進入沉積室中；一基板座，其具一與進氣機構相對的可散熱承載面，以承載一欲塗佈聚合分解產物，尤其是單體，之基板；一排氣口，使得載氣及未被聚合之分解產物可以流出，其中進氣機構構成一氣體平面分佈器，其具一平行於承載面之可加熱氣體流出面以及複數個分佈在整個氣體流出面上的氣體流出孔。
本發明尚有關一種沉積一或多層聚合物材料薄膜之裝置，該聚合物材料尤其是對二甲苯或經取代之對二甲苯，一固體或液體原材料，尤其是一聚合物，特別是一二聚物，在一蒸發器中被蒸發，原材料，尤其是二聚物，被一載氣由蒸發器經一載氣管路攜帶至一分解室，尤其是一熱解室，而在其中被熱解，尤其是分解成單體，該分解產物，尤其是單體，被載氣由分解室攜帶至一沉積室中，該沉積室中有一基板放置在一基板座之承載面上，一進氣機構使氣流流入沉積室中，分解產物，尤其是單體，與載氣一起由構成進氣機構之氣體平面分佈器之一平行於承載面的氣體流出面上的氣體流出孔流出，而垂直流向基板表面，並在基板表面聚合成一層薄膜，載氣與未被聚合之分解產物，尤其是單體，可由反應室之一排氣口流出，其中承載面可散熱，與承載面相對的氣體流出面則被加熱，使得氣體流出面的表面溫度高於承載面的表面溫度。
US 6,709,715 B1、US 6,362,115 B1及US 5,958,510 A提出一種沉積對二甲苯之裝置，其原材料被一載氣攜帶至一分解室中，而在該處被分解，分解產物被輸送至一反應室之進氣機構，而經該進氣機構進入反應室中並聚合在一被散熱之基板上。進氣系統具有一設複數個孔的板，其平行於基板並在其整個面的上方。
US 4,945,856提出一種方法，其在一氣體產生器中使一固體原材料，尤其是二聚對二甲苯，轉變為氣態。該氣體經一氣體管路而被輸送至一熱解室中。該二聚物在其內部被分解成一單體。該單體經一氣體管路而被載氣攜帶至一反應室中。其首先進入一由管口構成的進氣機構，而凝結在放置於基板座承載面的基板上。反應室尚具有一排氣口，未聚合於基板上的單體可由該排氣口流出。排氣口連接一冷卻槽，使得載氣中的單體被冷凝。反應室中的壓力可被一真空幫浦調整，其連接在冷卻槽後方。
US 3,288,728使用對二甲苯共聚物，其可以是聚對二甲苯族之C-,N-,D-聚合物，其在室溫下為固態粉末狀或液態。
Korean J. Chem. Eng.,19(4),722-727(2002)「Characterization of Parylene Deposition Process for the Passivation of Organic Light Emmiting Diodes」提出具有聚對二甲苯及其衍生物薄膜之OLED。使不同的大面積基板在真空中塗佈聚對二甲苯亦為已知。例如使玻璃、金屬、紙張、塗料、塑膠、陶瓷、鐵氧體及矽由氣相凝結而塗佈一層無孔透明聚合物薄膜，以利用聚合物薄膜之疏水性、化學阻抗性及電絕緣性。
本發明之目的在於提供一種塗佈一層大面積厚度均勻之薄聚合物膜的方法。
本目的由申請專利範圍所述之本發明達成，其中各項申請專利範圍可為獨立或與其他項申請專利範圍組合。
首先設一由一氣體平面分佈器構成的進氣機構。該氣體平面分佈器使氣相沉積材料均勻分佈在基板上方。沉積之薄膜厚度可在次微米範圍。其均勻分佈在大於二分之一平方米的整個基板表面。故使用本發明方法及裝置可在製造場效應電晶體時沉積介電層作為閘極絕緣層。因此，可在一大面積預設圖案的基板上沉積出尤其厚度為200nm之閘極絕緣層。介電絕緣層的沉積可產生圖案。此處可在基板上覆蓋一光罩。本發明方法及裝置適用於所有的大面積塗佈，尤其是製造電子報。其使一撓性大面積，尤其是有鍍金圖案的基板塗佈一層聚合物。TFT技術亦可使用本發明方法及裝置。本發明使用之氣體平面分佈器具有一氣體流出面，其具一篩孔狀圖案，包含複數個平均分佈在氣體流出面的氣體流出孔，其可朝向基板噴出細小氣柱。氣體流出面的大小相當於與其有一距離之基板的大小。氣體流出面與基板座承載基板的承載面互相平行且各在一水平面上。氣體流出面與基板座承載基板的承載面之間的距離可適當選擇，使得由氣體流出孔流出氣體之氣體前緣一致地到達基板。氣體流出孔緊密相鄰，由其中流出的氣流連接成上述之一致氣體前緣。基板座工作溫度低於氣體平面分佈器工作溫度。氣體平面分佈器工作溫度在150℃至250℃之間。基板座工作溫度在-30℃至100℃之間。為避免氣體平面分佈器與基板座之間的熱傳輸，故使朝向基板座之氣體流出面具一極低之放射率。該放射率ε<0.04。其可由氣體平面分佈器表面的拋光或鍍金而達成。高度拋光的氣體平面分佈器對基板之塗佈表面具最低之輻射性。由於氣體流出面的表面溫度明顯高於承載面的表面溫度，故沉積室中氣體流出面與承載面之間產生一氣相，其具一溫度梯度。基板平貼在承載面上，故與基板座溫度連接。雖然進氣機構可加熱表面的輻射性為最低，但仍然會使基板表面增溫。由於基板下側與基板座承載面之間的導熱連接，該熱會被基板座排出。後者較佳被散熱。氣體平面分佈器可由鋁或高級鋼製成。載氣與單體所構成由氣體流出孔噴出的氣流到達基板表面。單體被吸附在表面上，被吸附的單體在該處聚合成長成為一薄膜。受氣體平面分佈器影響的溫度梯度影響或控制成長速率。由於該溫度梯度可達到高成長效率。氣體平面分佈器的使用使得大面積的塗佈可由150mm×150mm至1000mm×1000mm。該大小之基板可被均勻塗佈聚合物材料。單體氣相中未被使用於薄膜成長的分子經由一加熱排氣口而被排出反應室。一真空幫浦將加熱排氣口排出之50℃至250℃的廢氣輸送至一冷卻槽中，使得單體被冷凝。製程壓力在0.05mbar至0.5mbar之間。經由氣體平面分佈器的壓力損失小於0.5mbar。如此使得分解壓力(熱解壓力)低於1mbar。為使基板座達到理想的均勻表面溫度，而設有一控溫裝置，該控溫裝置由控溫液體通道構成，該通道使一液體通過，該液體的溫度在-30℃至100℃之間。較佳的是設兩條彼此平行方向相反的控溫液體通道。
氣體平面分佈器亦具有控溫元件。其亦可由通道構成，使一控溫液體通過。較佳的是將通道設在構成氣體平面分佈器氣體流出面的板中。設在氣體流出面中的通道可由小管體構成。該通道可通過小管體之間隙。除了使加熱液體通過通道之外，亦可使用電熱加熱螺管或加熱線。較佳的是使氣體流出面設此種電阻式加熱裝置。板的背面為一氣室，氣體由一輸入端分佈器進入該氣室中。該輸入端分佈器連接一加熱氣體管路，載氣與聚合物經該管路而被輸入進氣機構中。反應室壁同樣被加熱，其被維持在150℃至250℃的溫度之間。氣體流出面與基板表面或承載面之間的距離為10mm至50mm，該距離同樣可被調整。
基板可以是顯示器基板、矽晶圓、塑膠基板或紙基板。基板上可以上述裝置及方法沉積一層介電層。該基板可以是一介電基板，或一非介電基板，亦可以是一金屬或半導體。基板較佳預設有一圖案，例如可在該處設半導體電路及電晶體。基板下側平貼在基板座承載面上，該基板座可由一散熱體構成，其可由鋁或銅製成。基板座可固定式地設在反應室中，亦可對一中心垂直軸旋轉。本發明方法中之載氣可為氬、氮或氦，其可被一質流控制器調整，而經一可被一閥門關閉的輸入管路輸送至一蒸發器中。蒸發器中有一液態或固態之原材料，其為一聚對二甲苯二聚物。該二聚物在50℃至200℃的溫度下被蒸發，而被載氣經一可被閥門關閉的加熱氣體管路送入一熱解爐中。該處的壓力<1mbar溫度為350℃至700℃。二聚物在該處被熱解成一單體，其經一同樣被加熱之氣體管路輸送至一反應室的輸入端分佈器。載氣與被其攜帶之單體進入氣體平面分佈器背向氣體流出孔的氣室中。該反應氣體在低壓力損失之下由均勻分佈在氣體流出面上的氣體流出孔流出而到達基板表面。單體在該處被吸附及聚合成一介電層，其成長率可達2μm/s。二聚物停留在熱解爐中的時間及壓力梯度可被質流控制器或反應室中的壓力調整。平行於氣體平面分佈器的塗佈面較佳為大於二分之一平方米。蒸發器構成的材料源與反應室或冷卻槽之間的連接管路可被加熱至高於聚合溫度之溫度。後者亦適用主動加熱之氣體分佈器。該氣體分佈器被高度拋光或鍍金。平面式地將製程氣體輸送至基板的整個表面，配合其他設計及技術而達到一高效率。輸入反應室之單體只有一極小部分未聚合在基板上，而被排出至冷卻槽中。
本發明裝置及或方法特別適用於沉積聚對二甲苯或經取代之對二甲苯，例如為C-聚對二甲苯。蒸發材料之輸送利用一載氣，其例如為氮或氬或另一適當之惰性氣體。原材料之分解較佳使用熱解。亦可使原材料以其他方法，例如以電漿輔助分解。欲分解之原材料不需一定為一二聚體，原材料亦可以被級聯式分解成一單體或其他分解產物。特別是在塗佈物體上產生聚合鏈。
以下將依據附圖詳細說明本發明之一實施例。
使用一質流控制器10可調整一載氣，例如氦、氬或氮，之質流。載氣經由一可被一閥門12關閉的氣體管路11流入一蒸發器1中。
蒸發器1具有外殼或其他容器，以存放一液態或固態原材料，該原材料可為聚對二甲苯族，尤其是C-,N-,D-Polymer-Para-Xylylene。該粉末或液體被一未圖示出之加熱裝置加熱至材料源溫度50℃至200℃。材料源容器的體積與流經蒸發器之載氣之質流的比例可被適當選擇，使得氣相、固相或液相達到熱平衡。載氣氣流將被蒸發的原材料，尤其是二聚體，經一被加熱且同樣可被一閥門14關閉的氣體管路13而攜帶至一熱解室2中。
熱解室2可被一未圖示出之加熱裝置加熱至350℃至700℃。該處之總壓力低於1mbar時，二聚體被熱解成一單體。
同樣被加熱之氣體管路15與另一氣體管路17匯流，並將單體連同載氣一起輸送至一反應室中。藉由氣體管路17可將其他材料輸入反應室中。氣體管路17同樣被加熱，可使相同材料或其他材料與原材料混合。
上述氣體管路11、13、15、17之加熱可利用加熱套，其可被加熱螺管加熱。但亦可以將管路以及蒸發器1與熱解室2一起設在一被加熱的殼體中。該殼體可設在反應室上方或旁邊。
反應室8之壁8'可被加熱，其內部上方設有一進氣機構3，該進氣機構具有一輸入端分佈器9，其與氣體管路15連接。進氣機構3的主要組件為一氣體平面分佈元件，其構成一中心室。氣體由輸入端分佈器9進入該中心室中。氣體平面分佈室3的底部可設作矩形或圓形。本實施例(圖2)室3的底部為矩形，其邊長為700至800mm。構成氣體分佈室底部的板具有複數個通道19，一控溫液體可流經該通道，以將板的溫度保持在150℃至250℃之間。除了通道19之外亦可設加熱螺管等。重要的是設置複數個平均分布在平面上的氣體流出孔6。細小如毛細管狀的氣體流出孔6使載氣及被載氣攜帶的單體被噴入反應室8中。其壓差小於0.5mbar。
氣體分佈器3外表面構成一水平方向的氣體流出面3'。
基板座4之承載面4'平行於氣體流出面，該承載面4' 與氣體流出面3'之距離A約為10mm至50mm。圖3所示由基板座4上側構成之承載面4'的大小約與氣體流出面3'相同，後者甚至可略大。
基板座4由一散熱體構成，該散熱體由鋁或銅製成，並具複數個控溫通道18，一液體可流經該通道。其可由兩條迂迴狀彼此平行且流動方向相反的通道構成。故基板座4尤其是其與基板7接觸構成的承載面4'可被主動散熱。
基板7平放在承載面4'上。其可以是一介電基板，亦可以是一非介電基板，例如一顯示器、一矽晶圓或紙張。基板7平放在承載面4'上而與其達到面接觸，故基板7的熱可被傳導至基板座4。
反應室8底部設有兩個排氣口5，其經一未圖示出之加熱管路而與一未圖示出之冷卻槽連接。該例如保持在液態氮溫度之冷卻槽冷凝排出氣體中所含的聚對二甲苯。冷卻槽下游處設有一未圖示出之真空幫浦，其壓力可被調整而可設定反應室8內部的壓力。
反應室8中的製程壓力設定在0.05mbar至0.5mbar之間。基板溫度明顯低於反應室壁8'或氣體平面分佈器3之溫度，即150℃至250℃。為使基板被氣體平面分佈器3之熱輻射的加熱達到最低，氣體分佈器被高度拋光及/或鍍金。使得其放射率ε低於0.04。
由蓮蓬頭狀之氣體流出孔6流出的氣體到達基板7之表面7'，故單體被其吸附。被吸附之材料在該處被聚合成一薄膜，其成長率可達2μm/s。承載面4'表面溫度之均勻度為±0.5℃。
元件符號16顯示一裝卸口，其可真空密封，被設在反應室側壁上，以便可拿取基板7。
圖4及5所示實施例中，進氣機構3與四個聚對二甲苯室2連接，其前方各設有一蒸發器1。構成反應室之沉積室8位在一個略呈矩形體的反應器殼體24中。進氣機構3位在反應器殼體24矩形頂面下方，其幾乎佔據整個頂面內側，並具一分佈室，一由一管體所構成的輸入端分佈器9連接該分佈室。
管9開口前方設有一板體25，其使流入進氣機構3室內的反應氣體被分散。平行於反應器殼體24蓋板設有一孔板，其具複數個開孔6，而構成氣體流出面3'，該氣體流出面平行於反應器殼體24蓋板。開孔6平均分佈在氣體流出面3'上。
構成氣體流出面3'的板可為多層，其內部設有未圖示出之控溫元件。該控溫元件可以是加熱線。除了該種電阻式加熱裝置之外，構成氣體流出面3'的板亦可設有通道，而使一控溫液體通過。
控溫元件使用加熱線時，板為多層式。兩片彼此有一距離之板以小管體彼此連接，其中一板構成氣室之下壁，另一板則構成氣體流出面3'。小管體構成開孔6。上述電熱線則通過小管體間之縫隙。
氣體流出面3'下方之基板座4與其之距離為25mm至50mm。基板座4朝向氣體流出面3'之承載面4'上放置一基板7。基板被未示出的定位元件精確定位在承載面4'上。基板7上方設有一光罩20，其被適當之支架精確對基板7定位。基板座4被未圖示出的控溫元件設定溫度，使其溫度明顯低於進氣機構3之溫度。氣體流出面3'之溫度高於承載面4'之溫度較佳至少50℃且至少為100℃。承載面4'放置基板7，由進氣機構3傳遞至基板7的輻射熱可被傳導至基板座4。故可確保基板7之表面溫度只略高於承載面4'之表面溫度。
排氣口由大直徑的數個管體構成。該管體連接一管路26，其同樣具一大直徑，並與一幫浦22連接。
反應器殼體24垂直上方共設有四個聚對二甲苯室2，其被以垂直方向由上向下通過。每一聚對二甲苯室2皆被一加熱套16包覆，其提供熱解所需要的熱。
四個聚對二甲苯室2上方各設有一蒸發器1，其同樣經大直徑的管路13與聚對二甲苯室2連接。管路13各設有一閥門14。連接幫浦22的管路26設有一未圖示出的調整閥，其可調整反應室8中的壓力。故在反應器殼體24內部設有一未圖示出的壓力感測器。
元件符號23顯示一閘門，其可被開啟，以將基板放入/取出反應室，或將光罩20放入反應室。
圖4之蒸發器1中以虛線顯示出托盤，其內放置原材料，蒸發溫度約為110℃。蒸發器1流出一被質流控制器10控制約為500sccm的載氣氣流。被載氣攜帶的二聚體在熱解室2中被熱解。流動速度可被幫浦22調整，使得氣體在熱解室2中停留的時間為數毫秒，亦即約0.5至5ms。幫浦功率及整個裝置的流動阻力可被適當選擇，使得熱解室2中的總壓力約為1mbar。
四條管路15使分解產物被載氣輸送到輸入端分佈器9，其連接蓮蓬頭狀的進氣機構3。反應氣體在該處被均勻分散並經氣體流出孔6流入反應室8中。
氣體流出孔6的直徑及其數目可配合整個裝置的流動阻力及幫浦22功率，使得該處出現一壓力梯度，故反應室8中的壓力約為0.1mbar。反應室8中的壓力因此約為熱解室2之壓力的十分之一。
利用圖4中未圖示出的加熱套可加熱管路15及9，使其溫度保持高於被載氣攜帶之分解產物之聚合或凝結溫度。進氣機構3之氣體流出面3'可被加熱線加熱。朝向基板座4的氣體流出面3'可被鍍金或高度拋光。
流入反應室8中的反應氣體凝結在預設有一圖案之基板7的表面上。後者放置在基板座4的承載面4'上，並對一光罩20覆蓋，使得聚合只發生在基板7預定的表面上。
基板座4對聚合溫度冷卻。
圖4及5所示實施例未設有冷卻槽。未被使用的反應氣體可凝結在大直徑管體5、26的管壁上。該管體需經常清潔。
光罩的圖案約為50×50μm。成長出的薄膜厚度為10nm至2μm，成長率約為100nm/s。
進氣機構3構成氣體流出面3'的下壁較佳由兩塊板構成。圖6顯示內板27下側之一部分，其具有複數個穿孔6，其各與一流出錐形面6'連接。流出錐形面6'各設在一正方形凸起中。該凸起凸伸向下，並嵌入下板26的正方形凹口28中。下板30上壁設有溝槽，加熱螺管19設在其中。溝槽通過開口29之間。在組合狀態時加熱螺管19位在凸起25之間。
所有揭示特徵本身皆具有發明性質。本發明揭示之特徵完全包含於本案之申請專利範圍中。
1．．．蒸發器
2．．．熱解室
3．．．進氣機構
3'．．．氣體流出面
4．．．基板座
4'．．．承載面
5．．．排氣口
6．．．氣體流出孔
6'．．．流出錐形面
7．．．基板
7'．．．基板表面
8．．．反應室
8'．．．反應室壁
9．．．輸入端分佈器
10．．．質流控制器
11．．．氣體管路
12．．．閥門
13．．．氣體管路
14．．．閥門
15．．．氣體管路
16．．．加熱套
17．．．氣體管路
18．．．通道
19．．．加熱螺管
20．．．光罩
22．．．幫浦
23．．．閘門
24‧‧‧反應器殼體
25‧‧‧板
26‧‧‧下板，管路
27‧‧‧內板
28‧‧‧凹口
29‧‧‧開口
30‧‧‧下板
A‧‧‧距離
ε‧‧‧放射率
圖1係本發明塗佈裝置組件，尤其是反應室內部結構之示意圖。
圖2係氣體流出面之俯視圖。
圖3係基板座與其上方之基板之俯視圖。
圖4係另一實施例之示意圖。
圖5係圖4線V-V之截面圖。
圖6係從底部觀看之進氣機構3下壁內板之部分立體圖。
圖7係從底部觀看之進氣機構下壁下板30之部分圖。
圖8係進氣機構下壁氣體流出孔部分之截面圖。
1．．．蒸發器
2．．．熱解室
3．．．進氣機構
3'．．．氣體流出面
4．．．基板座
4'．．．承載面
5．．．排氣口
6．．．氣體流出孔
7．．．基板
7'．．．基板表面
8．．．反應室
8'．．．反應室壁
9．．．輸入端分佈器
10．．．質流控制器
11．．．氣體管路
12．．．閥門
13．．．氣體管路
14．．．閥門
15．．．氣體管路
17．．．氣體管路
18．．．通道
19．．．加熱螺管
23．．．閘門
A．．．距離

Claims (33)

  1. 一種沉積一或多層聚對二甲苯或經取代之對二甲苯薄膜之裝置，其包括一加熱之蒸發器(1)，以蒸發一聚合物形式之固體或液體原材料，蒸發器(1)連接一載氣管路(11)，以輸入一載氣，該載氣可將被蒸發之原材料，其為被蒸發之聚合物，攜帶至一連接在蒸發器(1)後方可加熱之分解室(2)，原材料在該熱解室中被分解成一單體；並包括一連接在熱解室(2)後方之沉積室(8)，其具有一進氣機構(3)，以使被載氣攜帶的分解產物進入沉積室中；一基板座(4)，其具一與進氣機構(3)相對的可散熱承載面(4')，以承載一欲塗佈聚合分解產物之基板(7)；一排氣口(5)，使得載氣及未被聚合之分解產物可以流出，其中進氣機構構成一氣體平面分佈器(3)，其具一平行於承載面(4')之可加熱氣體流出面(3')以及複數個分佈在整個氣體流出面(3')上的氣體流出孔(6)，其特徵在於，可主動加熱之氣體流出面(3')具有高度之光澤且放射率ε<0.04。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，氣體平面分佈器由高度拋光之金屬製成。
  3. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，氣體平面分佈器(3)具有一加熱裝置，而可被其加熱至150℃至250℃的溫度。
  4. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，基板座(4)具一控溫裝置，其可將基板座(4)，及承載面(4')的溫度降低至-30℃ 及/或提高至100℃。
  5. 如申請專利範圍第4項之裝置，其中，基板座(4)由一散熱塊構成，其設有散熱液體通道(18)，一控溫媒質通過該通道，其在-30℃至100℃之溫度範圍為液態。
  6. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，氣體平面分佈器(3)具有構成氣體流出面(3')的板，其設一控溫媒質通過通道(19)，控溫媒質在150℃至250℃之溫度範圍為液態，或設一電導體。
  7. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，承載面(4')與氣體流出面(3')的距離(A)在10mm至50mm之間。
  8. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，排氣口(5)後方連接一壓力可調整之真空幫浦，其可將反應室(8)內部的壓力設定在0.05至0.5mbar之間。
  9. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中，排氣口(5)與真空幫浦之間設有一冷卻槽，以冷凝未被聚合之單體。
  10. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，蒸發器(1)、熱解室(2)及反應室(8)之連接管路(13,15)及設在其上的閥門(14)及連接排氣口(5)之排氣管路皆可被加熱。
  11. 如申請專利範圍第6項之裝置，其中，反應室(8)的壁(8')可被一加熱裝置加熱至150℃至250℃之溫度。
  12. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，設有一可被閥門(12)關閉之質流控制器(10)以控制載氣的量。
  13. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，氣體流出面(3')對應於承載面(4')或基板，且在氣體流出面(3')與承載面(4')之間有一距離(A)。
  14. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，氣體流出面(3')或承載面(4')大於0.5m2 。
  15. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，設有多個熱解室(2)，其各具一蒸發器(1)，且位在構成反應室(8)之反應器殼體(24)垂直上方。
  16. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中，蒸發器(1)或熱解室(2)被垂直由上向下通過。
  17. 如申請專利範圍第16項之裝置，其中，熱解室(2)被加熱套(16)包覆。
  18. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，由管路直徑定義的氣體管路(13,15,23)的流動阻力及由氣體流出孔(6)直徑及數目定義的氣體平面分佈器(3)的流動阻力可被調整為使熱解室(2)中總壓力<1mbar且反應室(8)總壓力約為0.1mbar時，總氣流量至少可達2,000sccm。
  19. 一種沉積一或多層聚合物材料薄膜之方法，一由聚合物形成之固體或液體原材料在一蒸發器(1)中被蒸發，原材料被一載氣由蒸發器(1)經一載氣管路(13)攜帶至一分解室，其為一熱解室(2)，而在分解室(2)中被分解，該分解產物被載氣由分解室(2)攜帶至一沉積室(8)中，該沉積室中有 一基板(7)放置在一基板座(4)之承載面(4')上，一進氣機構(3)使氣流流入沉積室(8)中，分解產物與載氣一起由構成進氣機構(3)之氣體平面分佈器之一平行於承載面(4')的氣體流出面(3')上的氣體流出孔(6)流出，而垂直流向基板表面(7')，並在基板表面(7')聚合成一層薄膜，載氣與未被聚合之分解產物可由反應室(8)之一排氣口(5)流出，其中承載面(4')可散熱，與承載面(4')相對的氣體流出面(3')則被加熱，使得氣體流出面(3')的表面溫度高於承載面(4')的表面溫度，其特徵為，載氣被分佈在整個氣體流出面(3')上的氣體流出孔(6)噴出，而構成緊密相鄰之「氣柱」，該氣體流出面(3')具有高度之光澤且放射率ε<0.04，氣體流出孔連接一延伸在整個承載面(4')上方的垂直氣室，且基板平貼在承載面(4')上而與其導熱連接，藉此可使由主動加熱的氣體流出面(3')傳輸至基板(7)的熱被傳導至基板座(4)，且基板(7)表面任兩點測得溫度之差最大為10℃。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中，原材料在蒸發器(1)中以50℃至200℃之溫度被蒸發。
  21. 如申請專利範圍第19項之方法，其中，原材料在熱解室(2)中以350℃至700℃之溫度及<1mbar之壓力被分解成分解產物。
  22. 如申請專利範圍第19項之方法，其中，氣體平面分佈器(3)被其加熱至150℃至250℃的溫度範圍。
  23. 如申請專利範圍第22項之方法，其中，反應室(8)的壁(8')被加熱至150℃至250℃之溫度範圍。
  24. 如申請專利範圍第19項之方法，其中，基板座(4)的溫度可被控制在-30℃至100℃之溫度範圍。
  25. 如申請專利範圍第19項之方法，其中，承載面(4')及基板(7)任兩點的溫差為±0.5℃。
  26. 如申請專利範圍第19項之方法，其中，薄膜厚度為200nm至400nm。
  27. 如申請專利範圍第19項之方法，其中，反應室(8)的壓力在0.05mbar至0.5mbar之間。
  28. 如申請專利範圍第19項之方法，其中，成長率在100nm/s至2μm/s之間。
  29. 如申請專利範圍第19項之方法，其中，通過反應室之總氣流量至少為2,000sccm，且進氣機構(3)連接數個熱解室(2)，其為總氣流量之等分。
  30. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該聚合物為二聚物，該分解室(2)為熱解室，及該分解產物為單體。
  31. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中，該氣體平面分佈器係由鍍金金屬、鋁或高級鋼製成。
  32. 如申請專利範圍第19項之方法，其中，該薄膜包含對二甲苯或經取代之對二甲苯，該原材料為二聚物，該分解室為熱解室，及該分解產物為單體。
  33. 如申請專利範圍第19項之方法，其中，薄膜厚度為數μm。
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