TWI461842B - 壓印設備和圖案轉印方法 - Google Patents

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TWI461842B
TWI461842B TW099143476A TW99143476A TWI461842B TW I461842 B TWI461842 B TW I461842B TW 099143476 A TW099143476 A TW 099143476A TW 99143476 A TW99143476 A TW 99143476A TW I461842 B TWI461842 B TW I461842B
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures

Description

壓印設備和圖案轉印方法
本發明有關一壓印設備,及一使用該壓印設備之圖案轉印方法。
壓印技術使其可能轉印納米尺度微圖案,且正開始付諸實用當作一用於磁性記錄媒體及半導體裝置之大量生產的奈米微影技術。於該壓印技術中,一具有微圖案之模子被用作一原件,以在諸如矽晶圓或玻璃板之基板上藉由使用諸如電子束曝光設備之設備形成該微圖案。該微圖案係藉由以樹脂塗覆該基板(將樹脂分配在該基板上)、及硬化該樹脂所形成,同時該模子之圖案被壓抵靠著該基板,而使該樹脂被夾在它們之間。目前付諸實用之壓印技術係該熱循環方法及光硬化方法。該熱循環方法藉由將該樹脂加熱至一大於或等於該玻璃轉移溫度之溫度而增加熱塑性樹脂之流動性、壓按一模子抵靠著一基板而使具有高流動性的樹脂被夾在它們之間、及在冷卻之後由該模子釋放該樹脂來形成一圖案。該光硬化方法藉由壓按一模子抵靠著一基板而使一紫外線硬化樹脂被夾在它們之間、藉由於此狀態中以紫外線照射該樹脂來硬化該樹脂、及由該硬化之樹脂釋放該模子來形成一圖案。於該熱循環方法中,該轉移時間由於溫度控制而增加,且該尺寸準確性由於溫度變化而減少。然而,該光硬化方法沒有此等問題。因此,目前,該光硬化方法於納米尺度半導體裝置之大量生產中係有利的。
各種壓印設備已按照樹脂硬化方法及應用被提供。當作一用於大量生產半導體裝置與類似者等之設備,一使用步進快閃式壓印微影(SFIL)之設備係有效的。適合用於SFIL之壓印設備被揭示在日本專利第4185941號中。此壓印設備包括一基板架台、一樹脂塗覆機件、一壓印頭、一光線照射系統、及一用於偵測定位標記之機件。為施行用於對準一基板與一模子之測量,如上述之壓印設備採取一所謂之晶片間方法,其中當壓按該模子抵靠著該基板時,對於每一拍攝段同時光學地觀察形成在該基板及模子上之標記,且樹脂係藉由修正該位移量所硬化。
然而,於該晶片間方法中,該覆疊準確性由一拍攝段至另一拍攝段改變,故該產品性能必需被確認。這用於一後處理中之所有拍攝段,使得其需要測試該產品性能。對於每一拍攝段施行對準亦花費一段長時間,且減少該生產力。據此,該全對準方法係現在最時常使用者。於此方法中,數個典型拍攝段之標記被測量,且統計處理係基於該等測量施行,藉此使用該相同之指數模製所有拍攝段。既然該全對準方法藉由使用該相同之指數施行模製,一基板之所有拍攝段的品質能藉由在後處理中之一些拍攝段上進行取樣測試所決定。這增加該生產力。再者,於該全對準方法中,一基板係在一模子之下進給及基於測量結果壓按。因此,其係需要穩定地及正確地偵測該模子及一用於觀察該基板之偵測系統的相對位置。該準確性通常係藉由測量每一預定時間之基線數量所確保。
然而,於一壓印設備中,模子或基板之位置可改變,因為一力量係當壓按或釋放該模子時被施加。既然這改變藉由全對準所取得之資訊或基線數量,一拍攝段相對於該模子之圖案的位移增加。因此,在本發明中,如果超過可容許範圍之位移相對於一圖案發生在一拍攝段中,該位移被迅速地修正。
根據本發明的一態樣,提供有一壓印設備,用於藉由使用一基線數量及全對準製程之結果來對準一基板之拍攝段與一模子之圖案,及硬化一樹脂,而該基板之被對準的拍攝段係以該樹脂塗覆,同時該樹脂係與該模子之該圖案接觸,藉此連續地轉印該圖案至該基板之複數拍攝段上,該壓印設備包括:一範疇顯示器,其觀察該基板的每一拍攝段中所形成之標記及該模子上所形成之標記;及一控制器,其中該控制器藉由該範疇顯示器施行該觀察,基於該觀察結果偵測該拍攝段相對於該模子之位移量,且如果該所偵測之位移量落在可容許範圍之外,則執行重新測量該基線數量及重新執行該全對準製程之至少一種。
本發明之進一步特色將參考所附圖面由示範具體實施例之以下敘述變得明顯。
本發明之具體實施例將參考所附圖面被說明。
[第一具體實施例]
於如圖1所示該第一具體實施例之壓印設備中,支撐構件3支撐一具有圖案之模子2。該模子2被壓抵靠著一樹脂,基板1被塗以該樹脂,且模製係藉由硬化於此狀態中之樹脂所施行。該支撐構件3併入一範疇顯示器6,用於光學地觀察該模子2上所形成之標記4及該基板1的每一拍攝段中所形成之標記13。既然其係僅只需要能夠測量該等標記4及13間之相對位置關係,該範疇顯示器6可為一影像觀察範疇顯示器,包括一用於同時觀察該二種標記之內部成像光學系統;或一範疇顯示器,其偵測該二種標記之干擾信號或一藉由該協同效應所獲得之信號,諸如該二種標記之波紋。該範疇顯示器6不須能夠同時地觀察該二標記4及13。譬如,該範疇顯示器6可觀察該等標記4及13相對於一形成在該範疇顯示器6內側的參考位置(譬如,一標記或感測器表面)之位置,藉此測量該等標記4及13間之相對位置關係。當作一用於定位一基板架台7之參考的架台參考構件8被安裝在該基板架台上。一離軸對準範疇顯示器(下文被意指為OA範疇顯示器)9係形成在該模子2之圖案中心外側。該OA範疇顯示器9至該模子2之圖案表面的中心越接近,該基線數量越小,且該誤差分量越少。該基線數量係該OA範疇顯示器9的光軸及一軸線間之距離,該軸線通過該模子2之圖案表面的中心且垂直於該圖案表面。使用來自該範疇顯示器6之測量結果計算通過該模子2之圖案表面的中心且垂直於該圖案表面之軸線的位置。藉由處理用該OA範疇顯示器9在這些拍攝段中所形成之對準標記12上所施行之觀察的結果,一控制器C施行一決定該基板1之複數拍攝段的每一個之位置的全對準製程。於此具體實施例中,一對準標記係與該標記13不同之標記12,用於偵測一拍攝段相對於一圖案之位移。然而,該對準標記亦可為該標記13。基於在該等標記4及13上藉由該範疇顯示器6所施行之觀察的結果,該控制器C亦偵測一拍攝段相對於一圖案之位移量,決定該所偵測之位移量是否落在可容許範圍內,及執行一測量,以如果該位移量落在該可容許範圍之外則修正該位移。
該第一具體實施例之方法將在下面參考圖2所示之流程圖敘述。該控制器C驅動該基板架台7,該新的基板1係安裝在該基板架台上,在該離軸(OA)範疇顯示器9之下(2-1)。該OA範疇顯示器9光學地觀察數個典型拍攝段的基板上所形成之對準標記12。該控制器C施行一全對準製程,藉由該全對準製程,統計處理係基於在該等對準標記12上藉由該OA範疇顯示器9所施行之觀察的結果來施行,藉此按照該基板1上之布局決定每一拍攝段之位置(2-2)。
圖3之部件3A顯示每一拍攝段中所形成之標記的範例。劃線11被配置在一拍攝段之真正元件部份10的周邊中,且用於該OA範疇顯示器9之對準標記12及用於該範疇顯示器6的標記13係形成在該等劃線11上。雖然可同時於該等X及Y方向中測量之二維標記被假設為該標記12,一僅只可在一維方向中測量之標記可被使用。一僅只可在一維方向中測量之標記亦被假設為該標記13。然而,可在二維方向中測量之標記可被使用,且標記13之數目能夠在此案例中被減少。如在圖3之部件3B中所顯示,當複數拍攝段存在於一模子2中時,劃線係形成於該複數拍攝段之間,故該等標記12及13可被形成在這些劃線上。如果該真正元件部份10具有一自由空間,則該等標記可被形成在該自由空間中,代替該等劃線。
在該模子2之下基於該基線數量,該控制器C基於該全對準製程之結果移動已遭受位置修正之基板1(2-3)。如果該樹脂能對於在塗覆之後的僅只一段短時間維持該性能,該樹脂外層可當在該模子2之下驅動該基板1時被形成。該模子2被壓抵靠著在該模子2下方移動的基板1上所形成之樹脂塗層,且該樹脂當其被硬化時模製(2-6)。在此之前,該範疇顯示器6光學觀察該模子2上之標記4及該基板上之標記13,且該控制器C基於該等觀察結果偵測該拍攝段相對於一圖案之位移量(2-4)。此位移偵測可與該模子的壓按同時地被施行或緊接在該模子的壓按之前被施行。
當與該模子壓按同時地施行該位移偵測時,該位移偵測不會減少該生產力。然而,如果一不想要之偵測結果被獲得,其係難以恢復一已遭受該壓按操作之拍攝段,故在為該下一拍攝段施行該壓印操作之前,一修正操作係需要的。
當一充分時間已在壓按之後消逝時,該樹脂被填入該模子2中。為傳送用於硬化之曝光光線,該模子2通常係由諸如石英之透射材料所製成。因此如果該樹脂及模子2之折射率係接近的,該模子2上之標記不能被偵測。這能藉由在該模子2之標記4上沈積一具有不同折射率之材料或以一屏蔽該偵測光線之材料形成該等標記被避免。另一選擇係,該等標記能藉由緊接在壓按之後迅速地測量它們被偵測,而沒有樹脂被填入該模子2。
當緊接在壓按該模子之前偵測該位移時,獲得一不想要之測量結果的拍攝段可藉由施行該修正操作來補救。是否平行地施行該壓按操作及位移偵測操作可由該基板製程步驟等所決定。一簡單之位移、諸如一拍攝段及圖案間之移位能在該等X及Y方向之每一方向中藉由測量至少一部份被偵測。
基於來自該範疇顯示器6之觀察結果,該控制器C決定該拍攝段及圖案間之位移量是否落在一預設的可容許範圍內(2-5)。如果該控制器C決定該位移量落在該可容許範圍內,該製程推進至一模製步驟(2-6)。如果該壓按操作係使用該範疇顯示器6於步驟2-4中與該位移量偵測同時地施行,且該控制器C決定該位移量落在該可容許範圍內,該控制器C驅動該基板架台7,以施行用於該下一拍攝段之壓印操作。
如果該控制器C於步驟2-5中決定該位移量落在該可容許範圍之外,該控制器C由該偵測結果評估該位移之成因,且按照該成因施行一測量以應付一誤差(2-7)。假設譬如因為該模子2之位置或形狀已改變、該基板1之位置或形狀已改變、或該設備之內部穩定性已改變,該位移量落在該可容許範圍之外。如果對於該第二個及隨後之拍攝段的任一個所偵測之位移量落在該可容許範圍之外,該控制器C由該等偵測結果評估該位移量落在該可容許範圍之外的成因,且按照該成因施行一測量以應付一誤差。
圖3之部份3C至3G說明一拍攝段及圖案間之位移的範例。其係可能藉由觀察該等標記4及偵測該等標記4相對於該等標記13之相對位移量評估譬如移位、放大、及旋轉之哪一個係每一位移之成因。該評估之範例係如下。圖3的部份3C中所顯示之移位能藉由在該等個別觀察點偵測該等標記4已由該等標記13於一方向中移位被決定。圖3的部份3D中所顯示之放大位移能藉由在該等個別觀察點偵測該等標記4已由該真正元件部份之中心往外移位或移位朝向該真正元件部份之中心被決定。圖3的部份3E中所顯示之梯形變形係藉由偵測該等標記4已在圖3的部份3D中於不同方向中在該真正元件之上部及下部中或在該左側與右側上往外或朝內移位、或偵測該等標記4已在同一方向中移位但在該真正元件之上部及下部中或在該左側與右側上有不同位移量而被決定。圖3的部份3F中所顯示之扭轉位移係藉由偵測圖3的部份3C中所顯示之標記4已於不同方向中在該真正元件之上部及下部中或在該右側與左側上移位而被決定。圖3的部份3G中所顯示之旋轉係藉由偵測圖3的部份3F中所顯示之標記4已於不同方向中在該真正元件之上部及下部中或在該右側與左側上移位而被決定,藉此在該真正元件中畫出具有一給定點當作該中心之圓。該上述位移係該決定之範例,且該具體實施例不被限制於這些範例。
如果移位係如圖3的部份3C中所顯示地被偵測,譬如,一可能之成因係該模子2已由該支撐構件3移位、該基線數量已改變、該基板1已由該基板架台7移位等。因此,修正可被施行當作一措施,以藉由將當作一偏差之移位量加至該全對準製程之結果來應付一誤差。步驟2-4中所偵測之結果亦可被用作該偏差。當作應付一誤差之措施,其係亦可能重新測量該基線數量或重新執行該全對準製程。
當作應付一誤差之措施,重新測量該基線數量之方法將在下面被敘述。該壓印設備中之基線數量的測量之範例將在下面參考圖4所示之流程圖被說明。在該架台參考構件8上,標記14及一標記15(第三標記)係如圖5的部份5B中所顯示地形成,以便測量該OA範疇顯示器9的光軸及該範疇顯示器6的光軸間之距離。該等標記14係用於該範疇顯示器6之標記,且形成在對應於圖5的部份5A中所顯示的模子2上所形成之標記4的位置。該標記15係一用於該OA範疇顯示器9之標記。該控制器C在該OA範疇顯示器9下方驅動該架台參考構件8(4-1)。該OA範疇顯示器9觀察該架台參考構件8上所形成之標記15,並測量該標記15相對於該OA範疇顯示器9之內部參考標記(未示出)的相對位置,藉此計算該標記15及OA範疇顯示器9之相對位置(4-2)。另一選擇係,該OA範疇顯示器9及架台參考構件8之相對位置可基於該OA範疇顯示器9之感測器被測量。該OA範疇顯示器9將該OA範疇顯示器9及架台參考構件8之相對位置的資訊傳送至該控制器C(4-3)。然後,該控制器C驅動該基板架台7,以致該架台參考構件8之標記14被定位在該範疇顯示器6下方(4-4)。干涉儀、編碼器等精確地測量該等標記14之移動距離,亦即該基板架台7之驅動量,且將該測量之驅動量傳送至該控制器C(4-5)。該範疇顯示器6藉由同時或分開地觀察這些標記測量該模子2的標記4及該參考構件8的標記14之相對位置(4-6),並將該測量之相對位置的資訊傳送至該控制器C(4-7)。注意該等標記14及標記15間之位置關係可藉由該圖示準確性、及藉由預先測量該關係所假設。該範疇顯示器6及OA範疇顯示器9間之相對位置關係(基線數量)係藉由這些操作所計算(4-8)。該基線數量係基於該計算結果所修正,且該製程推進至一模製步驟(4-9)。據此,藉由基於該範疇顯示器6施行該全對準製程及餵入該基板達該基線數量,模子壓按可被施行,而沒有任何位移。
另一基線測量方法將在下面參考圖6被說明。該控制器C在該OA範疇顯示器9之下驅動該基板架台7,該新的基板1係安裝在該基板架台上(6-1)。該OA範疇顯示器9光學地觀察用於該OA範疇顯示器9之對準標記12,該等對準標記係形成在一些典型拍攝段之基板上。該控制器C藉由使用來自該OA範疇顯示器9之觀察結果施行該全對準製程,藉此對應於該基板1上之規劃施行位置修正(6-2)。同時,藉由相對於該OA範疇顯示器9之內部參考標記(未示出)測量該相對位置,該OA範疇顯示器9計算該對準標記12及OA範疇顯示器9之相對位置,並將該相對位置資訊傳送至該控制器C(6-3)。已藉由該全對準製程遭受該位置修正之基板1係在該模子2之下進給至定位第一拍攝段,同時一干涉儀、編碼器等基於該基線數量精確地正測量該基板1之位置(6-4)。該干涉儀、編碼器等將該基板架台7之驅動量傳送至該控制器C(6-5)。該範疇顯示器6光學地觀察該模子2之標記4及在該模子2之下進給的基板1上之標記13(6-6)。該範疇顯示器6計算該等標記13及範疇顯示器6之相對位置,並將該相對位置資訊傳送至該控制器C(6-7)。基於這些資訊片段,該控制器C計算該基線數量,及修正該基線數量(6-8)。這使其可能計算該OA範疇顯示器9及範疇顯示器6之相對位置、亦即該基線數量。修正通常係與該壓按操作分開地施行,且因此由生產力之觀點大致上係每一預定時間施行。然而,此方法能在短時期內藉由決定用於每一基板之第一拍攝段的基線數量施行修正,如於此順序中。一將在該基線的計算中被選擇之拍攝段可為一真正地藉由該全對準製程所選擇之測量拍攝段,或一未被選擇之拍攝段。當考慮每一拍攝段之偏差時,一選擇之測量拍攝段能被使用。注意該具體實施例不被限制於此順序,且其係亦可能藉由該相同之方法重新測量用於每一拍攝段或用於每數個拍攝段之基線數量,並修正該基線數量。
如果如圖3之部份3D、3E或3F中所顯示的放大位移、梯形變形、或扭轉位移已發生,該模子2之形狀或許已改變。因此,於此案例中,藉由使用一機件(模子修正機件)改變該形狀,該控制器C修正該模子2本身之形狀,該機件使該模子2於一平行於該圖案表面之方向中變形,當作一應付誤差之措施。圖7顯示一修正機件16之範例。該修正機件16包括黏著至該模子之側表面的黏著部份16a、及致動器16b,其將該黏著部份16a壓抵靠著該模子2或移動該黏著部份16a離開該模子2。該控制器C預先取得該等致動器16b之驅動量及該模子2的變形量間之關係,且基於此關係及一對應於該測量結果所需要之變形量驅動該等致動器16b。該控制器C能基於步驟2-5中所偵測的模子2之標記4及該基板1的標記13間之位移量計算變形之程度。代替之,該範疇顯示器6可同時地觀察該架台參考構件8上所形成之標記14及該模子2上所形成之標記4的複數標記之位置,譬如標記4-a及14-a、或標記4-b及14-b。該等標記14之配置係已習知的,因為僅只有一標記製造誤差,且藉由該製程,該等標記14具有一穩定之形狀,不像一拍攝段上所形成之標記13。據此,所有該等標記14可被精確地觀察。然而,如果該規劃改變,該標記配置改變。因此,如在圖5的部份5C中所顯示,少數標記14係形成在該架台參考構件8上。該模子2之標記14及標記4、譬如該標記4-a及標記14-i、該等標記4-b及14-i、及一標記4-c及標記14-j,係藉由驅動該基板架台7所觀察。這使其可能偵測所有該等標記4及所有該等標記14間之相對位置。因此,如果該控制器C偵測藉由該模子2之形狀所造成的位移,譬如放大位移、梯形變形、或扭轉位移,該控制器C能藉由操作該修正機件16修正該位移。
如果旋轉已發生,如在圖3的部份3G中所顯示,該模子2或許已相對於該支撐構件3旋轉,或該基板1或許已相對於該基板架台7旋轉。因此,於此案例中,該控制器C旋轉該基板架台7,以便修正該偵測之旋轉量,藉此匹配該等基板1及模子2之角度。然而,譬如,如果該模子2已旋轉超過該基板架台7之可旋轉量,其係亦可能允許一用於將該模子2附接至該支撐構件3及由該支撐構件3拆離該模子2之安裝機件5一次由該支撐構件3拆離該模子2,且在該模子2拆離之後重新附接。另一選擇係,該控制器C能相對於該基板架台7旋轉該支撐構件3,以致該基板1係相對於該模子2相對地旋轉。
當應付如上述之誤差的措施係完成時,該控制器C由一未模製之拍攝段重新開始該壓按操作(2-8)。
於該前述之具體實施例中,該控制器C藉由使用來自該OA範疇顯示器9之觀察結果施行該全對準製程。然而,如果高偵測準確性係藉由觀察該基板1上之標記13及該模子2上之標記4所獲得,該控制器C亦可藉由使用來自該範疇顯示器6之觀察結果施行該全對準製程。於此案例中,其係不需要測量該基線數量,因為該範疇顯示器6係被使用之唯一的範疇顯示器,且這增加該生產力。藉由使用上述之範疇顯示器6對於每一拍攝段或對於每數個拍攝段偵測該等標記4及13間之位移量,該全對準製程之結果的有效性能夠被即時地確認。如果該位移量落在該可容許範圍之外,藉由立即施行一措施以應付一誤差,有缺陷之產品亦能被減少。
[物件製造方法]
一製造當作物件的裝置(譬如,半導體積體電路裝置及液晶顯示器裝置)之方法包括藉由使用該上述壓印設備在基板(晶圓、玻璃板、或像薄膜之基板)上形成一圖案之步驟。此製造方法可另包括一蝕刻該基板之步驟,該圖案係形成在該基板上。注意當製造諸如被圖案之媒體(記錄媒體)或光學元件的另一物件時,代替該蝕刻步驟,該製造方法能包括處理該基板之另一步驟,該圖案係形成在該基板上。於該物件之性能、品質、生產力、及生產成本的至少一項中,此具體實施例之物件製造方法係優於該傳統方法。
雖然本發明已參考示範具體實施例被敘述,將了解本發明不被限制於所揭示之示範具體實施例。以下申請專利之範圍將被給與該最寬廣之解釋,以便涵括所有此等修改及同等結構與功能。
1...基板
2...模子
3...支撐構件
3A...部份
3B...部份
3C...部份
3D...部份
3E...部份
3F...部份
3G...部份
4...標記
4-a...標記
4-b...標記
4-c...標記
5...安裝機件
5A...部份
5B...部份
6...範疇顯示器
7...基板架台
8...架台參考構件
9...離軸對準範疇顯示器
10...元件部份
11...劃線
12...標記
13...標記
14...標記
14-a...標記
14-b...標記
14-i...標記
14-j...標記
15...標記
16...修正機件
16a...黏著部份
16b...致動器
C...控制器
圖1係一視圖,顯示一壓印設備;
圖2係一流程圖,顯示一壓印方法;
圖3係一視圖,顯示形成在一基板上之標記的範例;
圖4係一流程圖,顯示一基線數量之測量的範例;
圖5係一視圖,顯示一模子及架台參考構件上所形成之標記的範例;
圖6係一流程圖,顯示該基線數量之測量的另一範例;及
圖7係一用於使模子變形的機件之平面圖。

Claims (13)

  1. 一種壓印設備,用於藉由使用一基線數量及全對準製程之結果來對準一基板之拍攝段與一模子之圖案,及以一樹脂塗覆該基板之被對準的拍攝段,當該樹脂與該模子之該圖案接觸時硬化該樹脂,藉此連續地轉印該圖案至該基板之複數拍攝段上,該壓印設備包括:一範疇顯示器,其觀察該基板的每一拍攝段中所形成之標記及該模子上所形成之標記;及一控制器:該控制器藉由該範疇顯示器施行該觀察;該控制器基於該觀察結果偵測該拍攝段相對於該模子之位移量;當該所偵測之位移量落在可容許範圍之外時,執行重新測量該基線數量及重新執行該全對準製程之至少一種,且取決於該重新測量該基線數量的結果或該重新執行該全對準製程的結果,而將該模子的圖案轉印在該基板上的一位置處;和當所偵測之位移量落在該可容許範圍內時,取決於該基線數量及該全對準製程的結果,以將該模子的圖案轉印在該基板上的一位置處,而無重新測量該基線數量及重新執行該全對準製程。
  2. 如申請專利範圍第1項之壓印設備,其中該全對準製程係藉由使用與該範疇顯示器不同之第二範疇顯示器處理在該基板的每一拍攝段中形成之標記上所 施行的觀察之結果,來決定每一拍攝段之位置的製程,及該基線數量係一關於該第二範疇顯示器及該模子之相對位置的數量。
  3. 如申請專利範圍第1項之壓印設備,其中為該基板之每一拍攝段偵測該位移量。
  4. 如申請專利範圍第1項之壓印設備,另包括一使該模子變形之機件,其中如果該位移量係該拍攝段相對於該模子之移位,則該控制器執行重新執行該基線數量之測量、及重新執行該全對準製程的至少一種,且如果該位移量係該拍攝段相對於該模子之放大位移、扭轉位移、及梯形變形的至少一種,則該控制器操作該機件,以修正該所偵測之放大位移、扭轉位移、及梯形變形其中之一。
  5. 如申請專利範圍第1項之壓印設備,另包括:一基板架台,其固持該基板;一支撐構件,其支撐該模子;及一安裝機件,其將該模子附接至該支撐構件,並自該支撐構件拆離該模子,其中如果該位移係該拍攝段相對於該模子之移位,則該控制器執行重新執行該基線數量之測量、及重新執行該全對準製程的至少一種,且如果該位移係該拍攝段相對於該模子之旋轉,則該控制器執行關於該基板架台相對於該模子旋轉以修正該所偵 測之旋轉量、及造成該安裝機件由該支撐構件拆離該模子與此後將該模子重新附接至該支撐構件的其中之一。
  6. 一種壓印設備,用於藉由使用一基線數量及全對準製程之結果來對準一基板之拍攝段與一模子之圖案,及以一樹脂塗覆該基板之被對準的拍攝段,當該樹脂與該模子之該圖案接觸時硬化該樹脂,藉此連續地轉印該圖案至該基板之複數拍攝段上,該壓印設備包括:一範疇顯示器,其觀察該基板的每一拍攝段中所形成之標記及該模子上所形成之標記;及一控制器:該控制器藉由該範疇顯示器施行該觀察;該控制器基於該觀察結果偵測該拍攝段相對於該模子之位移量;當所偵測之位移量落在可容許範圍之外時,取決於將所偵測之位移量加至該全對準製程之結果所獲得的結果,將該模子之該圖案轉印在該基板上的一位置處;當所偵測之位移量落在該可容許範圍內時,取決於該全對準製程的結果,而將該模子的圖案轉印在該基板上的一位置處。
  7. 如申請專利範圍第6項之壓印設備,其中該全對準製程係藉由使用與該範疇顯示器不同之第二範疇顯示器處理在該基板的每一拍攝段中形成之標記上所施行的觀察之結果,來決定每一拍攝段之位置的製程,及該基線數量係一關於該第二範疇顯示器及該模子之相 對位置的數量。
  8. 如申請專利範圍第6項之壓印設備,其中為該基板之每一拍攝段偵測該位移量。
  9. 如申請專利範圍第8項之壓印設備,另包括一使該模子變形之機件,其中如果該位移係該拍攝段相對於該模子之移位,則該控制器執行重新執行該基線數量之測量、及重新執行該全對準製程的至少一種,且如果該位移係該拍攝段相對於該模子之放大位移、扭轉位移、及梯形變形的其中之一,則該控制器操作該機件,以修正該所偵測之放大位移、扭轉位移、及梯形變形的其中之一。
  10. 如申請專利範圍第8項之壓印設備,另包括:一基板架台,其固持該基板;一支撐構件,其支撐該模子;及一安裝機件,其將該模子附接至該支撐構件,並自該支撐構件拆離該模子,其中如果該位移係該拍攝段相對於該模子之移位,則該控制器執行重新執行該基線數量之測量、及重新執行該全對準製程的至少一種,且如果該位移係該拍攝段相對於該模子之旋轉,則該控制器執行關於該基板架台相對於該模子旋轉以修正該所偵測之旋轉量、及造成該安裝機件由該支撐構件拆離該模子與此後將該模子重新附接至該支撐構件的其中之一。
  11. 一種圖案轉印方法,以樹脂塗覆基板的複數拍攝段,當該樹脂與該圖案接觸時,藉由硬化該樹脂而將模子的圖案連續地轉印至基板的該複數拍攝段上,該方法包括:在該圖案被轉印至該基板的第一拍攝段上之前,測量一基線數量及執行一全對準製程;基於該全對準製程之結果,將在其上安裝該基板之架台移動至一位置,在此一範疇顯示器能觀察該基板的拍攝段中所形成之標記及該模子上所形成之標記;藉由觀察該拍攝段中所形成之該標記與該模子上所形成之該標記,偵測該基板之拍攝段相對於該模子的位移量;及決定該所偵測之位移量是否落在可容許範圍內,其中當該位移量落在該可容許範圍內時,取決於該基線數量及該全對準製程的結果,而將該模子的圖案轉印在該基板上的一位置處,而無重新測量該基線數量及重新執行該全對準製程,且當該所偵測之位移量落在該可容許範圍之外時,則重新測量該基線數量及重新執行該全對準製程的至少一種被執行,且取決於該重新測量該基線數量的結果或該重新執行全對準製程的結果,而將該模子的圖案轉印在該基板上的一位置處。
  12. 一種圖案轉印方法,以樹脂塗覆基板的複數拍攝段,當該樹脂與該圖案接觸時,藉由硬化該樹脂而將模子 的圖案連續地轉印至基板的該複數拍攝段上,該方法包括:在該圖案被轉印至該基板的第一拍攝段上之前,測量一基線數量及執行一全對準製程;基於該全對準製程之結果,將在其上安裝該基板之架台移動至一位置,在此一範疇顯示器能觀察該基板的拍攝段中所形成之標記及該模子上所形成之標記;藉由觀察該拍攝段中所形成之該標記與該模子上所形成之該標記,偵測該基板之拍攝段相對於該模子的位移量;及決定該所偵測之位移量是否落在可容許範圍內,其中當該位移量落在該可容許範圍內時,取決於該全對準製程的結果,而將該模子的圖案轉印在該基板上的一位置處,且當該所偵測之位移量落在該可容許範圍之外時,取決於將所偵測之位移量加至該全對準製程之結果所獲得的結果,將該模子之該圖案轉印在該基板上的一位置處。
  13. 一種製造裝置的方法,該方法包括:使用申請專利範圍第11或12項所定義的圖案轉印方法,將圖案形成在基板上;和處理其上形成有圖案的該基板,以製造該裝置。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5864929B2 (ja) * 2011-07-15 2016-02-17 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP6061524B2 (ja) * 2011-08-11 2017-01-18 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP6140966B2 (ja) 2011-10-14 2017-06-07 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP5686779B2 (ja) 2011-10-14 2015-03-18 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP6159072B2 (ja) * 2011-11-30 2017-07-05 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
US20140205702A1 (en) * 2013-01-24 2014-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Template, manufacturing method of the template, and position measuring method in the template
US20140209567A1 (en) * 2013-01-29 2014-07-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Template, manufacturing method of the template, and strain measuring method in the template
JP6120677B2 (ja) * 2013-05-27 2017-04-26 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP2016154241A (ja) * 2013-07-02 2016-08-25 キヤノン株式会社 パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法
JP5960198B2 (ja) * 2013-07-02 2016-08-02 キヤノン株式会社 パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法
JP6242099B2 (ja) * 2013-07-23 2017-12-06 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置およびデバイス製造方法
JP6401501B2 (ja) * 2014-06-02 2018-10-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP6457773B2 (ja) 2014-10-07 2019-01-23 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及び物品製造方法
KR102244758B1 (ko) 2014-10-27 2021-04-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
JP6549834B2 (ja) * 2014-11-14 2019-07-24 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法
JP2016134441A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP6114861B2 (ja) * 2015-06-22 2017-04-12 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
WO2016208160A1 (en) * 2015-06-22 2016-12-29 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article
JP6671160B2 (ja) 2015-11-30 2020-03-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、物品製造方法および位置合わせ方法
JP6909021B2 (ja) * 2017-03-07 2021-07-28 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置及び物品の製造方法
JP6381721B2 (ja) * 2017-03-30 2018-08-29 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及びデバイス製造方法
JP7116552B2 (ja) * 2018-02-13 2022-08-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、および、物品製造方法
JP7134717B2 (ja) * 2018-05-31 2022-09-12 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
JP7116605B2 (ja) * 2018-06-28 2022-08-10 キヤノン株式会社 インプリント材のパターンを形成するための方法、インプリント装置、インプリント装置の調整方法、および、物品製造方法
JP7383450B2 (ja) * 2019-10-23 2023-11-20 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060157444A1 (en) * 2004-12-09 2006-07-20 Takashi Nakamura Imprinting machine and device manufacturing method

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3569962B2 (ja) * 1994-06-17 2004-09-29 株式会社ニコン 位置合わせ装置及び位置合わせ方法、それを用いた露光装置及び露光方法
JPH09115819A (ja) 1995-10-13 1997-05-02 Nikon Corp アライメント方法及び装置
US6330052B1 (en) * 1997-06-13 2001-12-11 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and its control method, stage apparatus, and device manufacturing method
JP4109736B2 (ja) * 1997-11-14 2008-07-02 キヤノン株式会社 位置ずれ検出方法
JP2002043209A (ja) 2000-07-24 2002-02-08 Nec Corp 投影露光装置及び投影露光方法
KR20030040378A (ko) * 2000-08-01 2003-05-22 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 임프린트 리소그래피를 위한 투명한 템플릿과 기판사이의고정확성 갭 및 방향설정 감지 방법
JP2002334833A (ja) 2001-03-09 2002-11-22 Toshiba Corp 荷電ビーム露光装置及び露光方法
TW584901B (en) 2001-11-30 2004-04-21 Sony Corp Exposure method of using complementary dividing moldboard mask
US20050151947A1 (en) * 2002-07-31 2005-07-14 Nikon Corporation Position measuring method, position control method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US7027156B2 (en) * 2002-08-01 2006-04-11 Molecular Imprints, Inc. Scatterometry alignment for imprint lithography
JP4478424B2 (ja) * 2003-09-29 2010-06-09 キヤノン株式会社 微細加工装置およびデバイスの製造方法
JP4481698B2 (ja) 2004-03-29 2010-06-16 キヤノン株式会社 加工装置
JP4756984B2 (ja) 2005-10-07 2011-08-24 キヤノン株式会社 露光装置、露光装置の制御方法およびデバイスの製造方法
JP4827513B2 (ja) * 2005-12-09 2011-11-30 キヤノン株式会社 加工方法
US7450296B2 (en) * 2006-01-30 2008-11-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for patterning alignment marks on a transparent substrate
WO2007117524A2 (en) * 2006-04-03 2007-10-18 Molecular Imprints, Inc. Method of concurrently patterning a substrate having a plurality of fields and alignment marks
JP4185941B2 (ja) 2006-04-04 2008-11-26 キヤノン株式会社 ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
JP4958614B2 (ja) * 2006-04-18 2012-06-20 キヤノン株式会社 パターン転写装置、インプリント装置、パターン転写方法および位置合わせ装置
JP4848832B2 (ja) * 2006-05-09 2011-12-28 凸版印刷株式会社 ナノインプリント装置及びナノインプリント方法
JP2009004521A (ja) 2007-06-21 2009-01-08 Nikon Engineering Co Ltd 露光装置
EP2133746A3 (en) 2008-06-10 2013-06-12 Applied Materials Israel Ltd. Method and system for evaluating an object that has a repetitive pattern
US8628712B2 (en) * 2008-10-27 2014-01-14 Molecular Imprints, Inc. Misalignment management
JP2010283207A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Toshiba Corp パターン形成装置およびパターン形成方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060157444A1 (en) * 2004-12-09 2006-07-20 Takashi Nakamura Imprinting machine and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
TW201128302A (en) 2011-08-16
US9244342B2 (en) 2016-01-26
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US20110147970A1 (en) 2011-06-23
JP5809409B2 (ja) 2015-11-10
KR101353715B1 (ko) 2014-01-20
KR20110069730A (ko) 2011-06-23

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