TWI454855B - 微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

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Hans Butler
Erik Roelof Loopstra
Bernhard Geuppert
Nijhuis Marco Hendrikus Hermanus Oude
Rabe Rodolfo Guglielmi
Yim Bun Patrick Kwan
Dick Antonius Hendrikus Laro
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Asml Netherlands Bv
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Description

微影裝置及元件製造方法
本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造元件之方法。
微影被廣泛地認為製造積體電路(IC)以及其他元件及/或結構時之關鍵程序。微影裝置為在微影期間所使用之將所要圖案施加至基板上(諸如，施加至基板之目標部分上)的機器。在用微影裝置來製造IC期間，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)產生待形成於IC中之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(例如，抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。製造IC之不同層常常會需要用不同光罩而將不同圖案成像於不同層上。因此，必須在微影程序期間改變光罩。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
提供用於進行藉由將經圖案化輻射光束自圖案化元件投影至基板而將圖案成像至輻射敏感材料層上之最終階段的投影系統。投影系統包含能夠與輻射光束相互作用以便變更其屬性之各種器件(在下文被稱作「輻射調整器件」)。此等器件之總組態界定投影系統如何操作。
輻射調整器件中之一或多者可具備用於調整該器件之狀態(例如，其位置、形狀極/或定向)的致動器。舉例而言，投影系統器件可為反射的(例如，鏡面)或透射的(例如，透鏡)。
可提供用於量測給定輻射調整器件之狀態的感測器。舉例而言，感測器可量測輻射調整器件之位置、形狀及/或定向。用於輻射調整器件之致動器可經組態以藉由參考來自感測器之輸出(例如，藉由控制迴路)而操作。
可提供用於使某些輻射調整器件與微影裝置之某些其他器件機械地隔離的構件。舉例而言，機械隔離可抑制(縮減)振動傳播。舉例而言，機械隔離可使用於給定輻射調整器件之致動器與用於量測該器件之狀態的對應感測器隔離。
儘管存在此等機械隔離構件，但一些振動仍可傳播於藉由此等構件標稱地「隔離」的投影系統之器件之間，因此導致投影系統之效能縮減。舉例而言，在振動傳播於用於給定輻射調整器件之致動器與用於量測該器件之狀態的對應感測器之間的狀況下，可縮減感測器之效能(例如，影響疊對準確度)及/或使用感測器輸出之控制系統之效能(例如，由於穩定性縮減及/或設定點聚合時間較長而影響產出率)。
需要改良投影系統之器件之間的機械隔離。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上，該投影系統包含一第一器件及一第二器件；一第一振動隔離系統，其用於抑制在該第一器件與該第二器件之間的振動傳播，該第一振動隔離系統包含一回彈部分，該回彈部分包含分別經配置成串聯地起作用之一第一回彈部件、一第一內部質量塊(internal mass)及一第二回彈部件。
根據本發明之一替代態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上；一第一投影系統框架，其用於支撐該投影系統之一第一部分；一第二投影系統框架，其用於支撐該投影系統之一第二部分；一隔離框架，其用於支撐該第一投影系統框架及該第二投影系統框架中至少一者；一第一振動隔離系統，其經組態以經由該隔離框架而支撐該第一投影系統框架且抑制自該第一投影系統框架至該隔離框架之振動傳播。該第一振動隔離系統經組態以在一位置處與該隔離框架嚙合，相比於與含有該第一投影系統框架之質心之一平面的靠近程度，該位置較靠近含有該隔離框架之質心之一水平平面。
根據本發明之另一替代態樣，提供一種包含將一經圖案化輻射光束投影至一基板上之元件製造方法，該元件製造方法包含：提供具有一第一器件及一第二器件之一投影系統；及使用一第一振動隔離系統以抑制在該第一器件與該第二器件之間的振動傳播，該第一振動隔離系統包含一回彈部分，該回彈部分包含分別經配置成串聯地起作用之一第一回彈部件、一第一內部質量塊及一第二回彈部件。
根據本發明之又一替代態樣，提供一種包含使用一投影系統將一經圖案化輻射光束投影至一基板上之元件製造方法，該元件製造方法包含：使用一第一投影系統框架來支撐該投影系統之一第一部分；使用一第二投影系統框架來支撐該投影系統之一第二部分；使用一隔離框架來支撐該第一投影系統框架及該第二投影系統框架；使用一第一振動隔離系統經由該隔離框架而支撐該第一投影系統框架且抑制自該第一投影系統框架至該隔離框架之振動傳播。該第一振動隔離系統經組態以在一位置處與該隔離框架嚙合，相比於與含有該第一投影系統框架之質心之一平面的靠近程度，該位置較靠近含有該隔離框架之質心之一水平平面。
下文參看隨附圖式詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將係顯而易見的。
本發明之特徵及優點已自下文在結合圖式時所闡述之[實施方式]變得更顯而易見，在該等圖式中，相似元件符號始終識別對應器件。在該等圖式中，相似元件符號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之器件。一器件第一次出現時之圖式係藉由對應元件符號中之最左側數位指示。
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]進一步用以解釋本發明之原理，且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。
本說明書揭示併入本發明之特徵的一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明之實施例係藉由附加於此處之申請專利範圍界定。
所描述實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述實施例可能包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確地描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可藉由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可藉由機器(例如，計算元件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體元件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算元件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他元件引起。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化元件。支撐結構以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化元件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化元件」同義。
本文所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何元件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之元件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化元件可為透射或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸沒液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充在投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，在光罩與投影系統之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之零件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體零件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ-外部及σ-內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化元件(例如，光罩MA)上，且係藉由圖案化元件而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其在圖1中未被明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位光罩MA(例如，在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間)。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之零件的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之零件的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.　在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT與基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
在下文之論述中，參考笛卡兒(Cartesian)座標系統，其中當基板W被曝光時，Z軸對應於垂直於基板W之軸線，且X軸及Y軸界定垂直於Z軸之平面。圍繞X軸、Y軸及Z軸之旋轉分別被稱作Rx、Ry及Rz。
圖2為微影元件之部分的示意性側視圖。第一投影系統框架6及第二投影系統框架8係經由振動隔離系統16及18而藉由隔離框架4支撐。振動隔離系統16/18可具有彼此相同的結構，或不同結構。一般而言，每一振動隔離系統16/18將包含經組態以彈性地變形之至少一回彈部分，及耗散與該(該等)回彈部分之變形相關聯之能量的至少一阻尼部分。該(該等)阻尼部分可為「主動的(active)」，其具有一控制系統，該控制系統將該等框架中之一者的經量測位置量(例如，藉由加速計)變換成作用於該等框架中之一者上的力，以便相比於被動形式之阻尼改良阻尼效能。
在圖2所示之實施例中，振動隔離系統16及18被展示為單一單元，但其可包含複數個單元，例如，複數個回彈部分及/或複數個阻尼部分。圖8中展示且下文描述此配置之實例。
隔離框架4係藉由基座框架2支撐，基座框架2經組態成裝配至微影裝置之安裝位點的地板。可提供隔離框架-基座框架振動隔離系統17以使隔離框架4與起源於安裝位點之振動隔離及與原本可能會通過該位點而將振動傳輸至隔離框架4的微影裝置之其他器件隔離，且因此使裝配於隔離框架4上之所有器件與起源於安裝位點之振動隔離及與原本可能會通過該位點而將振動傳輸至隔離框架4的微影裝置之其他器件隔離。
第一投影系統框架6支撐用於調整為投影系統PS之零件之輻射調整器件10之狀態的致動器12。該調整可由(例如)改變輻射調整器件10之位置或定向組成。輻射調整器件10可為(例如)鏡面或透鏡。
第二投影系統框架8支撐用於量測輻射調整器件10之狀態的感測器14。舉例而言，在致動器12經組態以調整輻射調整器件10之位置時，感測器14可經組態以量測輻射調整器件10之位置。來自感測器14之輸出可用於一控制系統中，該控制系統用於控制輻射調整器件自第一狀態至第二狀態之切換。舉例而言，控制系統可使用回饋控制以控制輻射調整器件位置。當藉由致動器12將力施加至輻射調整器件10時，對應反作用力作用於第一投影系統框架6上。此等反作用力可造成在第一投影系統框架6內之振動傳播(特別是以投影系統框架6之自然內部諧振模式或接近投影系統框架6之自然內部諧振模式)。
離開第一投影系統框架6而進入隔離框架4之振動傳播受到振動隔離系統16抑制，但一些振動仍可傳遞通過。若此等振動亦通過振動隔離系統18而傳遞至第二投影系統框架8中，則其可干擾感測器14之效能。難以完全地防止此傳播，此係因為隔離框架4以及第一投影系統框架6及第二投影系統框架8之內部結構比簡單模型可允許之內部結構更複雜。結果，沒有可能完全地避免系統之不同零件之諧振模式之間的一些重疊(其可介導振動傳播)。
此傳播之結果為將存在對感測器14之輸出的兩個貢獻：1)來自輻射調整器件10之經改變狀態的貢獻；及2)來自傳輸通過第一投影系統框架6、隔離框架4及第二投影系統框架8的由輻射調整器件10之致動造成之振動的貢獻。第二貢獻造成感測器14之讀取之誤差，此情形可在依賴於感測器14之輸出的用於調整輻射調整器件10之控制系統中導致穩定性問題，及/或在輻射調整器件10之目標狀態與實際狀態之間導致偏差。因此，可不利地影響微影程序之輸出品質及產出率。
振動隔離系統16/18可經配置成使投影系統框架6/8特別有效地相對於與輻射調整器件10之致動相關聯的振動及/或原本將會最多地干擾用於進行致動程序之控制系統的振動隔離。通常，最顯著振動將具有相對低頻率，例如，在10 Hz至30 Hz之範圍內。此等頻率係藉由16及18中之回彈部件之硬度結合框架6及8之質量而判定。由使用低硬度引起之低頻率提供框架6至隔離框架4及自隔離框架4朝向框架8之振動的良好隔離。為了使用在一末端處連接至投影系統框架且在另一末端處連接至隔離框架4之單一連續回彈部件來提供防禦此等振動之隔離，有必要使用相對低硬度之回彈部件，其將傾向於具有對應低頻率內部諧振模式(通常小於1 kHz，例如，大約600 Hz)。因此，此回彈部件之內部諧振模式很可能相對接近於投影系統框架6/8中任一者或其兩者之顯著內部諧振模式，此情形將傾向於增加損害振動可自第一投影系統框架6傳播至第二投影系統框架8之程度。
圖3A及圖3B分別為藉由併入具有較高硬度之回彈部件來處理此問題的用於振動隔離系統16/18之回彈部分19的側視圖及側視剖視圖。該配置亦引入新諧振模式，其進一步有助於縮減在第一投影系統框架6與第二投影系統框架8之間的振動傳播。
根據此實例之回彈部分19包含第一回彈部件22、內部質量塊24及第二回彈部件26。在回彈部分19之上部極端及下部極端處提供連接部件20及21以用於至第一投影系統框架6或第二投影系統框架8及隔離框架4之各別連接。
下文參看圖11所論述的基於此原理之變化係在隔離框架被分裂成兩個經解耦單元時，該兩個經解耦單元中任一者或其兩者可在由以下三個單元組成之串聯配置中充當「內部質量塊」：1)作為第一「回彈部件」而作用於兩個經解耦隔離框架中之一者與投影系統框架之間的振動隔離系統之回彈部分；2)該經解耦隔離框架；及3)作為第二「回彈部件」而作用於該經解耦隔離框架與基座框架之間的振動隔離系統之回彈部分。
第一回彈部件22及第二回彈部件24在其經組態以在變形之後於某些限度內返回至平衡大小、形狀及旋轉狀態之意義上係回彈的。在操作中，第一回彈部件22及第二回彈部件24將實質上彈性地表現。當自平衡大小、形狀或旋轉狀態變形時，第一回彈部件22及第二回彈部件24將對造成變形之器件施加復原力或扭力，因此提供抗變形性。當部署於諸如圖2之配置的配置中時，第一回彈部件22及第二回彈部件24將在第一投影系統框架6及第二投影系統框架8以及隔離框架4係藉由其中之振動而變形時對此等組件施加復原力(或扭力)。
更具體言之，回彈部件22/26可經組態以在以下六個自 由度中之一或多者上提供防禦變形之回彈性(亦即，實質上可彈性地變形)：平行於X軸、Y軸或Z軸之壓縮/延伸，及圍繞X軸、Y軸或Z軸之旋轉(Rx、Ry、Rz)。
在所示配置中，回彈部件22/26係由呈具有實質上圓柱形形式之螺旋形物之形式的彈性材料形成。回彈部件22/26沿著縱向軸線為中空的。螺旋形物係在兩個可能指向中之一者上纏繞：在軸線上進行檢視時，可看到螺旋形物遠離檢視者在順時針或逆時針指向上成螺旋形。或者或另外，可使用提供所需回彈屬性之其他配置。
第一回彈部件22、內部質量塊24及第二回彈部件26經配置成串聯地起作用：第一回彈部件22在一末端處連接至該內部質量塊，該內部質量塊又連接至第二回彈部件26之一末端，且第一回彈部件22之變形造成針對低頻率的第二回彈部件26之對應變形(亦即，相同類型且在相同指向上之變形)。第一回彈部件22之另一末端連接至連接部件20且第二回彈部件26之另一末端連接至連接部件21。
串聯之兩個或兩個以上回彈部件22/26之使用會允許使用較硬回彈部件，同時提供相同總硬度。在兩個回彈部件22/26串聯之狀況下，使用硬度為原始硬度之兩倍的回彈部件來達成與單一回彈部件配置之硬度相同的總硬度。因此，個別回彈部件22/26之內部諧振之頻率移位得較高(例如，大於1kHz)，且損害振動可自第一投影系統框架6傳播至第二投影系統框架8之程度縮減。
相對於使用單一回彈部件之配置，圖3A及圖3B之回彈部分19亦引入與內部質量塊24之位移相關聯的新自然內部諧振模式。當部署於諸如圖2之配置的配置中時，新諧振具有改變微影系統之頻率回應以使得縮減自致動器12至感測器14之振動傳播的效應。本質上，在無內部質量塊24的情況下，界面點20上之任何振動將導致根據彈簧硬度而作用於界面點21上之力：F=c.x，其中F為力，c為彈簧硬度，且x為20之振動位移。藉由插入內部質量塊(如在圖3A及圖3B中)，引入藉由彈簧22及26之質量及組合硬度界定的外加諧振頻率。此外加諧振頻率處於約150 Hz。在低於此新諧振頻率的情況下，界面點20之振動位移將再次在界面點21上導致成比例的力。然而，在高於此外加諧振頻率的情況下，內部質量塊24自界面20及21有效地解耦，亦即，內部質量塊24之運動回應於界面點20之運動而相當大地縮減(隨著頻率而二次地縮減)。因為針對高於此外加頻率之頻率的質量塊24之振動運動比點20之振動運動小得多，所以由於點20之振動而導致的界面點21上之力變得比之前小得多。
第一回彈部件22及第二回彈部件26之硬度以及內部質量塊24之大小經選擇成使得組合之諧振頻率與建構中之其他臨界頻率隔開；在該等頻率對自框架6至框架8之傳輸之影響大(例如，大於10%)的意義上係臨界的。需要此隔開以避免疊合諧振之放大。外加頻率應與微影裝置之其他顯著內部模式(例如，隔離框架4之內部模式、第一投影系統框架6之內部模式及第二投影系統框架8之內部模式)相差至少20 Hz，理想地為50 Hz，更理想地為150 Hz。此外，為回彈部件及內部質量塊之硬度之結果的外加頻率應相當大地低於可引起問題的框架6/8中之最低頻率。舉例而言，若框架6/8之潛在有問題的第一模式諧振頻率為450 Hz，則內部質量塊可經選擇成使得發生外加150 Hz諧振頻率。在該狀況下，可獲得450 Hz諧振效應的外加9倍縮減。詳言之，若框架6之450 Hz振動將在框架8中導致達10%振動，則此振動將縮減至1.1%。若框架6及框架8兩者皆使用所描述之振動隔離器結構，則可獲得甚至81倍縮減。
回彈部分19之諧振頻率可包括涉及內部質量塊24沿著/圍繞X、Y及Z之位移及旋轉的模式。理想地，回彈部分19經組態成使得最顯著激發模式中每一者之諧振頻率類似，例如，在25 Hz之頻率範圍內(理想地在15 Hz之頻率範圍內)。理想地，所有激發模式之所有頻率經配置成與微影裝置之其他顯著內部模式(例如，隔離框架4之內部模式、第一投影系統框架6之內部模式及第二投影系統框架8之內部模式)相差至少20 Hz，理想地為50 Hz。
圖3A及圖3B所示之回彈部分19包含各自呈螺旋形物之形式的第一回彈部件22及第二回彈部件26。然而，或者或另外，可使用提供所需回彈屬性之其他配置。
圖4A及圖4B分別為用於振動隔離系統16/18之回彈部分19之替代實例的側視圖及側視剖視圖。回彈部分19類似於圖3A及圖3B所描繪之回彈部分，惟第一回彈部件22之螺旋形物係在與第二回彈部件26之螺旋形物相反的指向上纏繞除外。此配置避免施加至回彈部分19的平行於Z之力造成內部質量塊24圍繞Z之旋轉。藉由縮減來自此可能旋轉模式之貢獻，可縮減與回彈部件19之不同內部諧振模式相關聯的頻率展開，因此縮減在此等諧振模式與系統內之其他諧振模式之間的重疊的機會，該等其他諧振模式原本可能會貢獻於通過回彈部件19之振動傳播。
圖5A及圖5B分別為用於振動隔離系統16/18之回彈部分19之替代實例的俯視圖及側視剖視圖。回彈部分19類似於圖4A及圖4B所描繪之回彈部分，惟內部質量塊24具有向上延伸至第一回彈部件22中之內部部分28及向下延伸至第二回彈部件26中之內部部分30除外。視情況，內部部分28/30遍及為第一回彈部件22或第二回彈部件26之長度之至少25%(理想地為至少50%)的總距離(頂部至底部)縱向地延伸。內部質量塊24之內部部分28/30以使得其可相對於第一回彈部件22或第二回彈部件26之內壁縱向地移動、傾斜及/或旋轉(而不進行接觸)的方式而與第一回彈部件22或第二回彈部件26之內壁隔開。因此，內部部分28/30可適應回彈部分19之變形(至少針對保持於適當限度內之振幅)。儘管圖5A及圖5B之配置描繪具有延伸至第一回彈部件22及第二回彈部件26兩者中之內部部分28/30的內部質量塊24，但亦有可能將內部質量塊24配置成延伸至第一回彈部件22及第二回彈部件26中僅一者中。
提供延伸至第一回彈部件22及第二回彈部件26中任一者或其兩者中之內部部分28/30會允許使內部質量塊較重， 同時維持回彈部分19之緻密總尺寸。
在此實例中，當自上方進行檢視時，內部質量塊24圓形地對稱，如可在圖5A中最容易地看出。此配置再次輔助達成緻密總尺寸，同時有助於確保在X-Y平面內為各向同性的對變形之回應。然而，可根據需要而代替地或另外提供其他非圓形對稱配置(提供「各向異性」回應)。舉例而言，回彈部分19之形式(例如，內部質量塊24之形狀)可經調適以便非圓形地對稱。下文參看圖10A及圖10B描述一實例。
圖6A及圖6B分別為用於振動隔離系統16/18之回彈部分19之替代實例的俯視圖及側視剖視圖。回彈部分19類似於圖5A及圖5B所描繪之回彈部分，惟如下情形除外：除了延伸至第一回彈部件22及第二回彈部件26中之內部部分28/30以外，內部質量塊24亦包含徑向地在第一回彈部件22及第二回彈部件26外部且平行於第一回彈部件22及第二回彈部件26縱向地延伸之外部部分32及34。或者，內部質量塊之外部部分可經組態以僅延伸至第一回彈部件22或第二回彈部件26之外部及/或僅平行於第一回彈部件22或第二回彈部件26縱向地延伸。視情況，外部部分32/34遍及為第一回彈部件26之長度之至少25%(理想地為至少50%)的總距離(頂部至底部)縱向地延伸。
在所示實施例中，當在軸線上進行檢視時，外部部分32/34圓形地對稱；因此，其為實質上圓柱形形式(惟在進行至回彈部件22/26之連接的點處除外)。此形式有助於維 持緻密總尺寸，且有助於確保在X-Y平面內為各向同性的對變形之回應。然而，亦可提供較低或不同對稱性之配置。
更一般化地，將內部質量塊之一部分提供於回彈部件22/26外部會增加可被使用而無需回彈部件22/26之橫向尺寸之對應增加的內部質量塊之範圍，此情形有助於縮減成本(藉由縮減回彈部件22/26所需要之材料且提供用於更靈活地使用現有回彈部件22/26之基礎)。又，此情形提供創製在三個旋轉方向上具有特定慣性之內部質量塊以使得對應模式之內部諧振頻率彼此儘可能地接近的設計自由。
圖7A及圖7B分別為振動隔離系統16/18的俯視圖及側視剖視圖，振動隔離系統16/18包含圖6A及圖6B所示之類型之回彈部分19，連同阻尼部分40。阻尼部分40包含阻尼質量塊36，及經組態以將阻尼質量塊36附接至內部質量塊24之阻尼部件38。阻尼部件38經組態以吸收與內部質量塊24之移動相關聯的能量，且因此阻尼回彈部分19之振動。在所示實施例中，阻尼部分40圓形地對稱以確保緻密性及對變形之各向同性回應，但亦可在不脫離基礎概念的情況下使用其他組態。
在圖3A至圖7B所說明之實施例中，各種回彈部分19經配置成具有在X-Y平面內圓形地對稱的對變形之回應。然而，如上文所提及，可能需要提供以較不對稱之方式(亦即，各向異性地)回應之回彈部分19。舉例而言，此等回彈部分19之組合可用以縮減投影系統框架6/8之不同諧振 模式之間(例如，平行於X、Y及Z之振動及/或圍繞X、Y及/或Z之旋轉之間)的頻率展開。該組合亦可用以使特定諧振模式更有效地與隔離框架4隔離，且因此與其他投影系統框架隔離。
圖8為說明此原理的一個投影系統框架6/8及三個各向異性回彈部分19的示意性俯視圖。各向異性回彈部分19中每一者經組態成具有如下硬度：平行於第一軸線(藉由表示回彈部件19之矩形之長軸線示意性地說明)之硬度大於平行於第二軸線(藉由短軸線示意性地說明)之硬度。在此實例中，回彈部分19中每一者被定位朝向投影系統框架6/8之周邊(理想地，以便在一位置處作用於投影系統框架16/18上，相比於與投影系統框架6/8之質心的靠近程度，該位置較靠近投影系統框架6/8之橫向邊緣)。視情況，回彈部分19中之一或多者經組態以重疊於投影系統框架6/8之橫向邊緣。回彈部分19中每一者經定向成使得第一軸線被引導朝向投影系統框架6/8之質心(亦即，大體上向內)。視情況，第一軸線與將回彈部件19作用於投影系統框架6/8上所遍及之區域之中心接合至投影系統框架之質心的線成小於45度(理想地小於30度或小於10度)之角度。在實際微影機器中，框架6/8被連接至隔離框架4之部位之選擇由於該機器中許多組件之存在及光必須傳遞通過投影光學器件系統之事實而極有限。在框架6/8之給定質量下，選擇在X、Y及Z方向上回彈部件19之組合之相等總硬度會引起在此等方向上框架之相等諧振頻率(例如，介於10Hz與30 Hz之間)。然而，對於連接至框架6/8之三個部位之給定集合，在Rx、Ry及Rz方向上之慣性不同。為了在此等旋轉方向上產生幾乎相等之諧振頻率，可不同地選擇在X、Y及Z方向上個別回彈部件19之硬度(只要所有回彈部件合起來之總硬度在X、Y及Z方向上相同)。舉例而言，相對於Rz之慣性通常小於相對於Rx及Ry之慣性，因此，將有益的是將在相對於Rz之切線方向上回彈部件19之硬度配置成低於在其他方向上回彈部件19之硬度。
圖9A及圖9B為振動隔離系統16/18之雙串聯各向異性回彈部分19的側視圖及側視剖視圖。在此配置中，提供兩對回彈部件：第一回彈部件22及第二回彈部件26(左側)，以及第三回彈部件42及第四回彈部件44(右側)。然而，亦有可能提供與單一回彈部件串聯之一對並聯回彈部件(亦即，三個回彈部件配置)。第一回彈部件22及第二回彈部件26經組態以與附接於其之間的內部質量塊24串聯地起作用。類似地，第三回彈部件42及第四回彈部件44經組態以與附接於其之間的第二內部質量塊24串聯地起作用。在所示實例中，第一內部質量塊24及第二內部質量塊24整體地連接在一起以形成單一質量塊；然而，可代替地使用分離質量塊，其視情況彼此隔開，以便能夠獨立地移動或扭轉。串聯之第一回彈部件-內部質量塊-第二回彈部件(器件22-24-26)經配置成與串聯之第三回彈部件-第二內部質量塊-第二回彈部件(器件42-24-44)並聯地起作用。相比於相對於水平地垂直於頁面之平面起作用的變形，相對於在頁面之平面中水平地起作用的變形，所得回彈部件19之硬度較大。因此，此各向異性可用於縮減諸如圖8所示之組態的組態中投影系統框架6/8中任一者或其兩者之諧振頻率展開。
視情況，第一回彈部件22、第二回彈部件26、第三回彈部件42及第四回彈部件44包含呈螺旋形物之形式的彈性材料。另外視情況(如圖所示)，第一回彈部件22之螺旋形物係在與第二回彈部件26之螺旋形物相反的指向上纏繞，及/或第三回彈部件42之螺旋形物係在與第四回彈部件44之螺旋形物相反的指向上纏繞。此情形縮減平行於Z之力可造成圍繞Z之旋轉的程度，且縮減與回彈部件19之內部諧振相關聯的頻率展開。另外視情況(如圖所示)，第一回彈部件22之螺旋形物係在與第三回彈部件42(位階與第一回彈部件22之位階相同的回彈部件)之螺旋形物相反的指向上纏繞。此情形進一步改良圍繞Z軸之旋轉之抑制。另外，該配置提供在回彈部件之旋轉硬度上之另外各向異性，其中相對於關於圍繞垂直於頁面之水平軸線之旋轉的硬度，關於圍繞頁面內之水平軸線之旋轉的硬度增加(如所說明)。此另外各向異性提供用於在投影系統框架6/8係藉由此等回彈部件19之組合適當地支撐時縮減與投影系統框架6/8中任一者或其兩者之顯著諧振相關聯之頻率展開的較大範疇。
圖10A及圖10B為振動隔離系統16/18之另外各向異性回彈部分19的俯視圖及側視剖視圖。所描繪配置類似於圖9A及圖9B所示之配置，惟第一內部質量塊24及第二內部質量塊24(在此實例中，其經組態為單一內部單元)經組態以縱向地延伸於第一回彈部件22、第二回彈部件26、第三回彈部件42及第四回彈部件44內(內部部分28/30)且延伸至第一回彈部件22、第二回彈部件26、第三回彈部件42及第四回彈部件44之外部(外部部分32/34)除外。內部質量塊24之外部部分32/34經進一步配置成具有矩形形式，其中兩個串聯之回彈部件係與長軸線對準。所得配置允許使用廣泛範圍之內部質量塊，同時維持高度緻密外部尺寸(特別是平行於短軸線)。
用於縮減自第一投影系統框架6至第二投影系統框架8之振動傳播的替代或額外途徑係提供外加隔離階段。可達成此情形之一方式係藉由將隔離框架分裂成彼此隔離之兩個框架。此途徑可與所揭示之其他配置中任一者一起使用或代替所揭示之其他配置中任一者而使用，以進一步改良第一投影系統框架6與第二投影系統框架8之隔離。
圖11展示基於此概念之例示性實施例。根據此配置，第一投影系統框架6係藉由第一隔離框架4A支撐，且第二投影系統框架8係藉由第二隔離框架4B支撐。振動隔離系統16/18提供於第一隔離框架4A與第一投影系統框架6之間及第二隔離框架4B與第二投影系統框架8之間。第一隔離框架4A與第二隔離框架4B彼此未剛性地或整體地連接，且各自係藉由振動隔離系統17A/B而與基座框架2分離。因此，在振動隔離系統16/18之間不存在直接機械連接，此與單一隔離框架4提供此連接的圖2之配置中之情形形成對比。
圖11之配置實施使用由串聯之第一回彈部件-內部質量塊-第二回彈部件組成之振動隔離系統的概念。詳言之，可識別兩個此類振動隔離系統：1)振動隔離系統16之回彈部分、隔離框架4A(作為內部質量塊)及振動隔離系統17A之回彈部分的組合；及2)振動隔離系統18之回彈部分、隔離框架4B(作為內部質量塊)及振動隔離系統17B之回彈部分的組合。因此，在振動隔離系統16及18各自經形成為包含內部質量塊之狀況下，藉由抑制經由圖2之組態中之單一隔離框架4而在第一投影系統框架6與第二投影系統框架8之間的振動傳播的同一機構(上文詳細地描述)來縮減經由基座框架2而自第一投影系統框架6至第二投影系統8之振動傳播的抑制。詳言之，產生有助於使第一投影系統框架6及第二投影系統框架8自系統之其餘部分解耦的相同額外諧振模式。
除了自以此方式分裂隔離框架所獲得之益處以外，可藉由在第一投影系統框架6與第一隔離框架4A之間及/或在第二投影系統框架8與第二隔離框架4A之間使用基於相同原理之串聯配置(回彈部件-內部質量塊-回彈部件)來獲得振動傳播之進一步抑制。舉例而言，上文參看圖3A至圖10B所論述之實施例中任一者可用於此等位置中。
提供用於量測在第一隔離框架4A與第二隔離框架4B之間的分離度的感測器50。將來自感測器50之輸出饋送至控制系統46，控制系統46將控制信號輸出至提供於基座框架2上之隔離框架致動器52。致動器52藉由變化施加至第一隔離框架4A之力以便使在第一隔離框架4A與第二隔離框架4B之間的分離度保持於目標值之容限裕量內而回應於控制信號。或者或另外，第一投影系統框架6或第二投影系統框架8可具備用於量測在第一投影系統框架6與第二投影系統框架8之間的距離的感測器48，且控制系統46可經組態以使用此值來控制致動器52之操作以使在第一投影系統框架6與第二投影系統框架8之間的分離度保持於目標值之容限裕量內。
藉由以此方式分裂隔離框架而提供之外加隔離位準會縮減起源於第一投影系統框架6之振動可傳播通過第二投影系統框架8之程度。提供控制系統會確保在第一投影系統框架6與第二投影系統框架8之間的空間關係於可接受限度內保持恆定。因此，改良微影裝置之準確度及/或穩定性。
用於縮減自第一投影系統框架6至第二投影系統框架8之振動傳播的替代途徑係重新組態相對於第一投影系統框架6及/或第二投影系統框架8來配置隔離框架4之方式。可達成此情形之一方式係藉由向第一投影框架6及第二投影框架8提供第一振動隔離系統17A，同時向隔離框架4提供第二振動隔離系統17B。隔離框架4不再支撐第一投影框架6及第二投影框架8之組態之優點為：相比於習知佈局，可縮減隔離框架4之大小。此情形可能引起隔離框架4之內部頻率增加，其在(例如)載物台定位系統耦接至該隔離框架4時係有益的。
圖12展示基於此概念之例示性實施例。根據此配置，在基座框架2上經由第一振動隔離系統17A而支撐第一投影系統框架6及第二投影系統框架8。在基座框架2上經由第二振動隔離系統17B而支撐隔離框架4。第一投影系統框架6與第二投影系統框架8彼此未剛性地連接，但經由振動隔離系統16而連接。第一投影系統框架6經由回彈部件62而支撐反作用質量塊60。用於調整輻射調整器件10之狀態的致動器12係經由反作用質量塊60而連接至第一投影系統框架6，使得篩選可引起(例如)第一投影系統框架6之較小激發的高於某一頻率的致動器12之驅動力。作為一實例，可以使得藉由致動器12、反作用質量塊60及回彈部件62形成之動態系統篩選高於10 Hz之頻率的方式來調適回彈部件62之硬度。感測器14可經組態以量測輻射調整器件10相對於第二投影系統框架8之位置。提供用以量測在隔離框架4與第二投影系統框架8之間的位置的感測器64(例如，干涉計)，而控制器經組態以基於在隔離框架4與第二投影系統框架8之間的相對位置進行補償。
用於縮減自第一投影系統框架6至第二投影系統框架8之振動傳播的替代或額外途徑係重新組態隔離框架4連接至第一投影系統框架6及/或第二投影系統框架8之方式。一般而言，存在與在接近於投影系統框架之質心之高度處提供在隔離框架與投影系統框架之間的連接相關聯的優點。舉例而言，此途徑有助於最小化與投影系統框架之不同諧振模式相關聯的頻率展開。然而，在隔離框架之質心與連接點(在隔離框架與投影系統框架之間)之間的所得大分離度意謂：對於作用於投影系統框架與隔離框架之間的平行於X-Y平面之給定力分量，圍繞X-Y平面內之軸線而施加相對大扭力，此情形可引起大的力傳輸至藉由同一隔離框架支撐之其他投影系統框架。此效應可傾向於增加振動可傳播於一投影系統框架與另一投影系統框架之間的程度。
圖13A為此情形之示意性描繪。此處，投影系統框架6/8經組態以在相互作用點54處與支撐投影系統框架6/8之隔離框架4相互作用。舉例而言，可在相互作用點54處部署振動隔離系統。使相互作用點54相對於隔離框架4升高，以便處於或靠近投影系統框架6/8之質心之高度。
圖13B為一替代配置之示意性說明，在該替代配置中，使相互作用點54降低，因此縮減施加至隔離框架4之扭力之大小且縮減起源於投影系統框架6/8之振動通過隔離框架4而傳輸至其他投影系統框架(藉由同一隔離框架4支撐(例如，其中提供單一隔離框架)，或以圖11之方式藉由不同隔離框架支撐(其中不同投影系統框架係藉由相異隔離框架支撐))之程度。
理想地，在連接點54與含有投影系統框架6/8之質心的水平平面之間的分離度比在連接點54與含有隔離框架4之質心的水平平面之間的分離度大至少5倍。更理想地，分離度大10倍或大20倍。
代替上文所論述之實施例中任一者，或除了上文所論述之實施例中任一者以外，亦可使用構成圖13B之配置之基礎的概念。舉例而言，可在相互作用點54處部署用於振動隔離系統16/18之各種所揭示組態中任一者。可結合第一投影系統框架6及第二投影系統框架8中任一者或其兩者及/或結合其他框架來使用經降低之相互作用點54。在提供複數個隔離框架4A/4B(如在圖11所示之類型之配置中)時，可結合隔離框架4A/4B中任一者或其兩者來使用圖13B之途徑。
在一實施例中，提供經組態以經由一第二振動隔離系統而支撐第一投影系統框架之一第一隔離框架、經組態以經由一第三振動隔離系統而支撐第二投影系統框架之一第二隔離框架，及經組態以經由一第四振動隔離系統而支撐該第一隔離框架且經由一第五振動隔離系統而支撐該第二隔離框架之一基座框架。
在一實施例中，該第二振動隔離系統之一回彈部分包含第一回彈部件，該第一隔離框架包含第一內部質量塊，且該第四振動隔離系統包含第二回彈部件。
在一實施例中，該第二振動隔離系統及該第三振動隔離系統中至少一者包含第一振動隔離系統。
在一實施例中，該第四振動隔離系統及該第五振動隔離系統包含氣墊式避震器。
在一實施例中，微影裝置進一步包含用於量測在該第一隔離框架與該第二隔離框架之間的分離度的一感測器、用於將一力施加至該第一隔離框架及該第二隔離框架中之一者的一致動器，及經組態以使用該感測器及該致動器來控制該第一隔離框架與該第二隔離框架之相對分離度的一控制系統。
在一實施例中，該微影裝置進一步包含用於量測在該第一投影系統框架與該第二投影系統框架之間的分離度的一感測器、用於將一力施加至該第一隔離框架及該第二隔離框架中之一者的一致動器，及經組態以使用該感測器及該致動器來控制該第一投影系統框架與該第二投影系統框架之相對分離度的一控制系統。
在一實施例中，該微影裝置包含用於支撐該第一投影系統框架及該第二投影系統框架之一隔離框架、用於支撐該隔離框架之一基座框架(該基座框架經組態以便連接至該微影裝置之安裝位點)，及用於抑制在該隔離框架與該基座框架之間的振動傳播的一隔離框架-基座框架振動隔離系統。
在一實施例中，該第一振動隔離系統經組態以作用於該第一投影系統框架與該隔離框架之間。
在一實施例中，該第一振動隔離系統經組態以作用於該第二投影系統框架與該隔離框架之間。
在一實施例中，該第一調諧內部質量塊包含一內部部分，該內部部分縱向地延伸於該第一回彈部件之螺旋形物及該第二回彈部件之螺旋形物中至少一者內達該第一回彈部件之總長度之至少25%。
在一實施例中，該內部質量塊包含一外部部分，該外部部分徑向地延伸於該第一回彈部件及該第二回彈部件中至少一者之該螺旋形物外部。
根據一實施例，提供一種微影裝置，在該微影裝置中，各向異性回彈部分經定向成使得第一振動隔離系統提供相對於與接觸該第一振動隔離系統之投影系統框架之最低慣性相關聯之變形模式的一最低硬度。
根據一實施例，提供一種微影裝置，在該微影裝置中，複數個回彈部分中每一者具有相對於平行於一平面(平行於在使用時基板之平面)內之一第一軸線之變形的一硬度，該硬度高於相對於平行於一第二軸線(垂直於該第一軸線且在該同一平面內)之變形的硬度，且該複數個回彈部分中每一者經定向成使得該第一軸線與將該回彈部分作用於接觸該回彈部分之投影系統框架所遍及之區域之中心接合至接觸該回彈部分之該投影系統框架之該質心的一線成小於45度之一角度。
在一實施例中，第一振動隔離系統之回彈部分進一步包含一第二內部質量塊及一第四回彈部件，第三回彈部件、該第二內部質量塊與該第四回彈部件分別串聯地配置；且串聯之第一回彈部件、第一內部質量塊及第二回彈部件經配置成與串聯之第三回彈部件、第二內部質量塊及第四回彈部件並聯地起作用。
在一實施例中，該第一回彈部件之螺旋形物係在與該第二回彈部件之螺旋形物相反的指向上纏繞。
在一實施例中，該第一回彈部件係與該第三回彈部件橫向地對準，且該第二回彈部件係與該第四回彈部件橫向地對準。
在一實施例中，該第三回彈部件及該第四回彈部件各自係由呈一螺旋形物之形式的一彈性材料形成，且該第一回彈部件之該螺旋形物係在與該第三回彈部件之該螺旋形物相反的指向上纏繞，且該第二回彈部件之該螺旋形物係在與該第四回彈部件之該螺旋形物相反的指向上纏繞。
在一實施例中，該第一回彈部件、該第二回彈部件、該第三回彈部件及該第四回彈部件各自係由呈一螺旋形物之形式的一彈性材料形成，且該第一內部質量塊及該第二內部質量塊包含一外部部分，該外部部分徑向地位於該第一回彈部件、該第二回彈部件、該第三回彈部件及該第四回彈部件外部，且經組態以在平行於在使用時基板之平面的一平面中形成環繞該第一回彈部件、該第二回彈部件、該第三回彈部件及該第四回彈部件之一連續封閉迴路。
在一實施例中，該第一回彈部件及該第二回彈部件係沿著一第一軸線而對準，且該第三回彈部件及該第四回彈部件係沿著一第二軸線而對準，該第二軸線平行於該第一軸線且與該第一軸線橫向地隔開。
儘管本文中可特定參考微影裝置在製造IC中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化元件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內的波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，該電腦程式含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，該資料儲存媒體具有儲存於其中之此電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由本發明之發明人所預期的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及附加申請專利範圍。
上文已憑藉說明指定功能及其關係之實施之功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及該等功能之關係，便可界定替代邊界。
特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般性質，使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者之認識針對各種應用而易於修改及/或調適此等特定實施例，而無不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲係在所揭示實施例之等效物的意義及範圍內。應理解，本文之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解釋。
本發明之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及該等申請專利範圍之等效物進行界定。
2．．．基座框架
4．．．隔離框架
4A．．．第一隔離框架
4B．．．第二隔離框架
6．．．第一投影系統框架
8．．．第二投影系統框架
10．．．輻射調整器件
12．．．致動器
14．．．感測器
16．．．振動隔離系統
17．．．隔離框架-基座框架振動隔離系統
17A．．．第一振動隔離系統
17B．．．第二振動隔離系統
18．．．振動隔離系統
19．．．回彈部分/回彈部件
20．．．連接部件/界面點/界面
21．．．連接部件/界面點/界面
22．．．第一回彈部件/彈簧
24．．．第一內部質量塊/第二內部質量塊
26．．．第二回彈部件/彈簧
28．．．內部部分
30．．．內部部分
32．．．外部部分
34．．．外部部分
36．．．阻尼質量塊
38．．．阻尼部件
40．．．阻尼部分
42．．．第三回彈部件
44．．．第四回彈部件
46．．．控制系統
48．．．感測器
50．．．感測器
52．．．隔離框架致動器
54．．．相互作用點/連接點
60．．．反作用質量塊
62．．．回彈部件
64．．．感測器
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束遞送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化元件/光罩
MT．．．支撐結構/光罩台
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。
圖2描繪包含第一投影系統框架及第二投影系統框架、隔離框架以及基座框架之配置，其中振動隔離系統經組態以作用於第一投影系統框架及第二投影系統框架中每一者與隔離框架之間。
圖3A及圖3B分別以側視圖及側視剖視圖描繪包含串聯之第一回彈器件、內部質量塊及第二回彈器件的振動隔離系統之回彈部分。
圖4A及圖4B分別以側視圖及側視剖視圖描繪振動隔離系統之回彈部分，該回彈部分類似於圖3A及圖3B之回彈部分，惟第一回彈部件之螺旋形物係在與第二回彈部件之螺旋形物相反的指向上纏繞除外。
圖5A及圖5B分別以俯視圖及側視剖視圖描繪振動隔離系統之回彈部分，該回彈部分類似於圖3A及圖3B之回彈部分，惟內部質量塊包含縱向地延伸於第一回彈部件及第二回彈部件內之內部部分除外。
圖6A及圖6B分別以俯視圖及側視剖視圖描繪振動隔離系統之回彈部分，該回彈部分類似於圖5A及圖5B之回彈部分，惟內部質量塊另外包含延伸於第一回彈部件及第二回彈部件外部之外部部分除外。
圖7A及圖7B分別以俯視圖及側視剖視圖描繪振動隔離系統之回彈部分，該回彈部分類似於圖6A及圖6B之回彈部分，惟阻尼質量塊徑向地提供於內部質量塊之外部部分外部除外。
圖8描繪投影系統框架，其中三個各向異性回彈部分係圍繞投影系統框架之周邊而部署。
圖9A及圖9B分別以側視圖及側視剖視圖描繪各向異性回彈部分，各向異性回彈部分包含連接在一起以便並聯地起作用的兩個串聯之回彈部件-內部質量塊-回彈部件。
圖10A及圖10B分別以俯視圖及側視剖視圖描繪各向異性回彈部分，在各向異性回彈部分中，提供單一整體內部質量塊，其具有延伸於所有四個回彈部件內之內部部分及圍繞兩個串聯之回彈部件外部且在兩個串聯之回彈部件之間形成連續封閉迴路的外部部分。
圖11描繪一配置，該配置類似於圖2之配置，惟隔離框架分裂成兩個隔離框架且提供用於控制該兩個隔離框架之相對位置的控制系統除外。
圖12描繪一替代配置，其中第一投影框架及第二投影框架具備第一振動隔離系統，而隔離框架4具備第二振動隔離系統。
圖13A及圖13B說明在不同高度處投影系統框架至隔離框架之連接。
19．．．回彈部分/回彈部件
20．．．連接部件/界面點/界面
21．．．連接部件/界面點/界面
22．．．第一回彈部件/彈簧
24．．．第一內部質量塊/第二內部質量塊
26．．．第二回彈部件/彈簧

Claims (14)

  1. 一種微影裝置，其包含：一投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上，該投影系統包含一第一器件及一第二器件；一第一振動隔離系統，其用於抑制在該第一器件與該第二器件之間的振動傳播(propagation of vibration)，該第一振動隔離系統包含：一回彈(resilient)部分，其包含分別經配置成串聯地起作用之一第一回彈部件、一第一內部質量塊(mass)及一第二回彈部件；一第一投影系統框架，其用於支撐該投影系統之一第一部分，該第一器件連接至該投影系統之該第一部分；及；一第二投影系統框架，其用於支撐該投影系統之一第二部分，該第二器件連接至該投影系統之該第二部分，其中該第一振動隔離系統經組態以抑制在該第一投影系統框架與該第二投影系統框架之間的振動傳播。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該投影系統包含用於調整該經圖案化輻射光束之一屬性的一輻射調整器件，且該第一器件為用於調整該輻射調整器件之一狀態的一致動器。
  3. 如請求項2之微影裝置，其中該第二器件為用於量測輻射調整器件之一狀態的一感測器。
  4. 如請求項1至3中任一項之微影裝置，其中：該第一回彈部件之硬度、該第二回彈部件之硬度及該第一內部質量塊之質量經選擇成使得與該第一回彈部件、該第一內部質量塊及該第二回彈部件之組合相關聯的諧振之頻率比該第一投影系統框架之內部諧振之最低頻率小至少50Hz，該最低頻率引起該第二投影系統之一諧振之一振幅為該第一投影系統框架之該諧振之振幅的至少10%。
  5. 如請求項1至3中任一項之微影裝置，其中該第一回彈部件之該硬度、該第二回彈部件之該硬度及該第一內部質量塊之該質量經選擇成使得與該第一回彈部件、該第一內部質量塊及該第二回彈部件之該組合相關聯的該諧振之該頻率係在100Hz至200Hz之範圍內。
  6. 如請求項1至3中任一項之微影裝置，其中該第一回彈部件及該第二回彈部件各自係由呈一螺旋形物之形式的一彈性材料形成。
  7. 如請求項1至3中任一項之微影裝置，其中該第一振動隔離系統進一步包含經組態以吸收與該回彈部分之變形相關聯之能量的一阻尼部分，該阻尼部分包含經由一阻尼部件而附接至該第一內部質量塊之一阻尼質量塊。
  8. 如請求項1至3中任一項之微影裝置，其中該第一振動隔離系統包含複數個回彈部分，每一回彈部分經配置成具有一各向異性硬度且經定位以便縮減與接觸該第一振動系統之該投影系統框架之三個旋轉自由度或三個平移自 由度相關聯的諧振頻率展開。
  9. 如請求項1至3中任一項之微影裝置，其中：該第一振動隔離系統之該回彈部分進一步包含一第三回彈部件，該第三回彈部件經組態成與該第一回彈部件並聯地起作用。
  10. 如請求項1至3中任一項之微影裝置，其中該第一振動隔離系統進一步包含經組態以吸收與該回彈部分之變形相關聯之能量的一阻尼部分。
  11. 一種包含將一經圖案化輻射光束投影至一基板上之元件製造方法，其包含：提供具有一第一器件及一第二器件之一投影系統；使用一第一振動隔離系統以抑制在該第一器件與該第二器件之間的振動傳播，該第一振動隔離系統包含一回彈部分，該回彈部分包含分別經配置成串聯地起作用之一第一回彈部件、一第一內部質量塊及一第二回彈部件；使用一第一投影系統框架以支撐該投影系統之一第一部分，該第一器件連接至該投影系統之該第一部分；及使用一第二投影系統框架以支撐該投影系統之一第二部分，該第二器件連接至該投影系統之該第二部分，其中該第一振動隔離系統經組態以抑制在該第一投影系統框架與該第二投影系統框架之間的振動傳播。
  12. 一種微影裝置，其包含：一投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束投影 至一基板之一目標部分上；一第一投影系統框架，其用於支撐該投影系統之一第一部分；一第二投影系統框架，其用於支撐該投影系統之一第二部分；一隔離框架，其用於支撐該第一投影系統框架及該第二投影系統框架中至少一者；一第一振動隔離系統，其經組態以經由該隔離框架而支撐該第一投影系統框架且抑制自該第一投影系統框架至該隔離框架之振動傳播，其中：該第一振動隔離系統經組態以在一位置處與該隔離框架嚙合，相比於與含有該第一投影系統框架之質心之一平面的靠近程度，該位置較靠近含有該隔離框架之質心之一水平平面。
  13. 如請求項12之微影裝置，其中：在該第一振動隔離系統經組態以與該隔離框架嚙合之該位置與含有該第一投影系統之該質心之該平面之間的分離度比在該第一振動隔離系統經組態以與該隔離框架嚙合之該位置與含有該隔離框架之該質心之該平面之間的分離度大至少5倍。
  14. 一種包含使用一投影系統將一經圖案化輻射光束投影至一基板上之元件製造方法，其包含：使用一第一投影系統框架來支撐該投影系統之一第一部分； 使用一第二投影系統框架來支撐該投影系統之一第二部分；使用一隔離框架來支撐該第一投影系統框架及該第二投影系統框架；使用一第一振動隔離系統經由該隔離框架而支撐該第一投影系統框架且抑制自該第一投影系統框架至該隔離框架之振動傳播，其中：該第一振動隔離系統經組態以在一位置處與該隔離框架嚙合，相比於與含有該第一投影系統框架之質心之一平面的靠近程度，該位置較靠近含有該隔離框架之質心之一水平平面。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2005701A (en) * 2009-12-22 2011-06-23 Asml Netherlands Bv Active mount, lithographic apparatus comprising such active mount and method for tuning such active mount.
EP2469340B1 (en) 2010-12-21 2021-01-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10551751B2 (en) * 2012-04-26 2020-02-04 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus and device manufacturing method
CN103856735B (zh) * 2012-11-30 2017-01-25 光宝电子(广州)有限公司 影像投影方法以及微机电投影装置
US9958793B2 (en) 2013-07-02 2018-05-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, positioning system for use in a lithographic apparatus and method
WO2016091534A1 (en) 2014-12-09 2016-06-16 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for image analysis
US10607334B2 (en) * 2014-12-09 2020-03-31 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for image analysis
DE102015201870A1 (de) 2015-02-03 2016-08-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur Positionsmanipulation eines Elementes, insbesondere in einem optischen System
WO2016139012A1 (en) * 2015-03-03 2016-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102015211286A1 (de) * 2015-06-18 2016-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildungssystem und verfahren
CN108713165A (zh) * 2016-03-03 2018-10-26 Asml荷兰有限公司 振动隔离器、光刻设备和器件制造方法
DE102016204143A1 (de) * 2016-03-14 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Vorrichtung für eine Lithographieanlage sowie Lithographieanlage
WO2017199652A1 (ja) * 2016-05-16 2017-11-23 株式会社日立製作所 診断システム及び電子制御装置
US20200209757A1 (en) * 2016-07-22 2020-07-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic Apparatus, Lithographic Projection Apparatus and Device Manufacturing Method
JP6278427B1 (ja) * 2017-01-05 2018-02-14 レーザーテック株式会社 光学装置、及び除振方法
CN109388029A (zh) * 2017-08-10 2019-02-26 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种掩模台系统及光刻机
US10991544B2 (en) * 2019-05-29 2021-04-27 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, objective lens module, electrode device, and method of inspecting a specimen
US11828344B2 (en) 2019-08-05 2023-11-28 Asml Netherlands B.V. Support, vibration isolation system, lithographic apparatus, object measurement apparatus, device manufacturing method
US11512756B1 (en) * 2019-12-19 2022-11-29 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Manufacture methods relating to a subordinate oscillator array

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004092112A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Sekisui House Ltd 床振動減衰装置
EP1643543A1 (en) * 2003-07-09 2006-04-05 Nikon Corporation Linking unit, exposure apparatus and method for manufacturing device

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04347321A (ja) 1991-05-23 1992-12-02 Toyota Motor Corp 振動減衰装置
US5660255A (en) 1994-04-04 1997-08-26 Applied Power, Inc. Stiff actuator active vibration isolation system
KR100399812B1 (ko) * 1994-10-11 2003-12-01 가부시키가이샤 니콘 스테이지용진동방지장치
US5684566A (en) 1995-05-24 1997-11-04 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system and method employing a deformable mirror and diffractive optical elements
WO1999025011A1 (fr) 1997-11-12 1999-05-20 Nikon Corporation Appareil d'exposition par projection
JPH11154698A (ja) 1997-11-21 1999-06-08 Nikon Corp テーブル支持装置
JPH11230246A (ja) * 1998-02-18 1999-08-27 Tokkyo Kiki Kk アクティブ除振装置
US6378672B1 (en) 1998-10-13 2002-04-30 Canon Kabushiki Kaisha Active vibration isolation device and its control method
TW468090B (en) 1998-12-17 2001-12-11 Asm Lithography Bv Servo control method, and its application in a lithographic projection apparatus
EP1174769B1 (en) 2000-07-10 2006-12-13 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and lithographic device manufacturing method
AU2001288069A1 (en) 2000-09-29 2002-04-15 Showa Electric Wire And Cable Co., Ltd. Vibration control device
JP2002221249A (ja) * 2000-11-27 2002-08-09 Canon Inc 能動制振装置、その制御方法および能動制振装置を備えた露光装置
DE10062786A1 (de) 2000-12-15 2002-06-20 Zeiss Carl System zur Dämpfung von Schwingungen
JP3961311B2 (ja) 2001-01-19 2007-08-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法
DE10134387A1 (de) 2001-07-14 2003-01-23 Zeiss Carl Optisches System mit mehreren optischen Elementen
EP1321822A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3955837B2 (ja) 2002-07-11 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ機器およびデバイスの製造方法
US7084956B2 (en) 2003-06-13 2006-08-01 Asml Netherlands B.V Supporting device, lithographic apparatus, and device manufacturing method employing a supporting device, and a position control system arranged for use in a supporting device
CN101576717B (zh) * 2003-07-09 2013-03-27 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法
US7589911B2 (en) * 2003-09-18 2009-09-15 Canon Kabushiki Kaisha Technique for positioning optical system element
WO2005073592A1 (en) 2004-01-26 2005-08-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Actuator arrangement for active vibration isolation using a payload as an inertial reference mass
US7817243B2 (en) * 2004-04-12 2010-10-19 Asml Netherlands B.V. Vibration isolation system
JPWO2006022200A1 (ja) 2004-08-24 2008-05-08 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
JP2006147989A (ja) 2004-11-24 2006-06-08 Nikon Corp 計測装置、及び露光装置
US7180571B2 (en) 2004-12-08 2007-02-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and actuator
WO2006084657A1 (en) * 2005-02-11 2006-08-17 Carl Zeiss Smt Ag Vibration damping for photolithographic lens mount
KR101266566B1 (ko) * 2005-05-02 2013-05-22 가부시키가이샤 니콘 광학 요소 구동장치, 투영 광학계, 노광 장치, 및디바이스의 제조 방법
US7726452B2 (en) 2005-06-02 2010-06-01 Technical Manufacturing Corporation Systems and methods for active vibration damping
JP2007316132A (ja) 2006-05-23 2007-12-06 Canon Inc 反射装置
JP2008098311A (ja) * 2006-10-10 2008-04-24 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
DE102007020050A1 (de) * 2007-04-27 2008-10-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zur Schwingungstilgung
US8044373B2 (en) * 2007-06-14 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20090033895A1 (en) 2007-07-30 2009-02-05 Nikon Corporation Lithography apparatus with flexibly supported optical system
EP2045664B1 (en) 2007-10-04 2013-03-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, projection assembly and active damping
NL1036167A1 (nl) * 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
DE102008026077B4 (de) * 2008-05-30 2017-11-09 Integrated Dynamics Engineering Gmbh Lithographiesystem
DE102008030664A1 (de) * 2008-07-01 2010-01-21 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit Bestimmung von Abbildungsfehlern
US8441615B2 (en) 2008-09-04 2013-05-14 Nikon Corporation System for isolating an exposure apparatus
DE102008047562B4 (de) 2008-09-16 2012-11-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Dämpfung von Schwingungen in Projektionsbelichtungsanlagen für die Halbleiterlithographie
NL2003424A (en) * 2008-10-07 2010-04-08 Asml Netherlands Bv Projection assembly and lithographic apparartus.
NL2003772A (en) * 2008-12-11 2010-06-14 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method to compensate for the effect of disturbances on the projection system of a lithographic apparatus.
EP2202426A3 (en) 2008-12-23 2017-05-03 ASML Netherlands B.V. A method for damping an object, an active damping system, and a lithographic apparatus
DE102009005954B4 (de) * 2009-01-20 2010-10-21 Carl Zeiss Smt Ag Dämpfungsvorrichtung
DE102009009221A1 (de) * 2009-02-17 2010-08-26 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einem Aktuatorsystem
NL2004281A (en) 2009-03-19 2010-09-20 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2447777B1 (en) * 2010-10-27 2019-08-07 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus for transferring pattern from patterning device onto substrate, and damping method
EP2469340B1 (en) 2010-12-21 2021-01-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004092112A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Sekisui House Ltd 床振動減衰装置
EP1643543A1 (en) * 2003-07-09 2006-04-05 Nikon Corporation Linking unit, exposure apparatus and method for manufacturing device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130130099A (ko) 2013-12-02
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US20120154774A1 (en) 2012-06-21
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