CN108713165A

CN108713165A - 振动隔离器、光刻设备和器件制造方法

Info

Publication number: CN108713165A
Application number: CN201780014623.6A
Authority: CN
Inventors: H·巴特勒; C·A·L·德胡恩; F·M·雅各布斯; P·卡甘; J·P·斯塔雷维尔德; M·W·J·E·维杰克曼斯
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2016-03-03
Filing date: 2017-02-03
Publication date: 2018-10-26
Also published as: US10816910B2; JP2019514033A; WO2017148650A1; JP6697568B2; NL2018296A; US20190049852A1

Abstract

本发明涉及一种振动隔离器(VI)，其包括：基座(10)；耦合到振动敏感物体的耦合元件(20)；去耦质量(30)；布置在基座(10)与去耦质量(30)之间的第一振动隔离器部分(31)；以及布置在去耦质量(30)与耦合元件(20)之间的第二振动隔离器部分(40)，并且其中第一振动隔离器部分和第二振动隔离器部分中的至少一个包括气动隔离器。

Description

振动隔离器、光刻设备和器件制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年3月3日提交的EP申请16158497.4的优先权，该申请通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明涉及振动隔离器、光刻设备和用于制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。例如，光刻设备可以用于制造集成电路(IC)。在这种情况下，可以使用图案化装置(可选地称为掩模或掩模版)来生成要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的部分)上。图案的转移通常经由到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上的成像来进行。通常，单个衬底将包含连续地图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描仪，在步进器中，通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分，在扫描仪中，通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案同时在与该方向平行或反平行的方向上扫描衬底来照射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装置转移到衬底。

为了确保图案被适当地投射到目标部分上，重要的是确保目标部分相对于图案化辐射束准确地被定位。因此，花费了相当大的努力来确保图案化辐射束的位置不会由于振动而移位。因此，光刻设备的不同部件可以通过包括气动隔离器的一个或多个振动隔离器来被支撑。随着准确度要求变得更加严格，这种振动隔离器然而可能不足以减小振动对光刻设备的诸如套刻等性能的影响，这是由于例如气动隔离器中的隔离饱和限制了最大可实现的隔离。

发明内容

期望改善包括气动隔离器的振动隔离器的振动隔离。为了实现这一点，根据本发明的实施例，提供了一种振动隔离器，其包括：

基座；

耦合元件，被耦合到振动敏感物体；

去耦质量；

第一振动隔离器部分，被布置在所述基座与所述去耦质量之间；以及

第二振动隔离器部分，被布置在所述去耦质量与所述耦合元件之间，

并且其中所述第一振动隔离器部分和所述第二振动隔离器部分中的至少一个振动隔离器部分包括气动隔离器。

在本发明的另一实施例中，提供了一种光刻设备，其包括：

振动敏感物体；

支撑所述振动敏感物体的振动隔离器，包括：

基座；

耦合元件，被耦合到振动敏感物体；

去耦质量；

根据本发明的实施例，提供了一种器件制造方法，其包括使用根据本发明的光刻设备来将图案化辐射束投射到衬底上。

附图说明

现在将通过仅示例的方式参考所附示意图描述本发明的实施例，附图中的相应的附图标记表示相应的部件，并且在附图中：

-图1描绘了根据本发明的第一实施例的光刻设备；

-图2描绘了根据本发明的第二实施例的光刻设备；

-图3示意性地示出了根据本发明的一个实施例的振动隔离器；

-图4示意性地示出了根据本发明的另一个实施例的振动隔离器；以及

-图5描绘了与现有技术的振动隔离器相比的根据本发明的振动隔离器的振动隔离性能。

具体实施方式

图1示意性地描绘了根据本发明的一个实施例的光刻设备。该设备包括被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射或任何其他合适的辐射)的照射系统(照射器)IL、被构造为支撑图案化装置(例如，掩模)MA并且连接到定位装置PM的掩模支撑结构(例如，掩模台)MT，定位装置PM被配置为根据某些参数准确地定位图案化装置。该设备还包括被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到定位装置PW的衬底台(例如，晶片台)WT或“衬底支撑件”，定位装置PW被配置为根据某些参数准确地定位衬底。该设备进一步包括被配置为通过图案化装置MA将被赋予辐射束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上的投影系统(例如，折射投影透镜系统)PS。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学部件、或其任何组合，用于引导、成形或控制辐射。

掩模支撑结构支撑(即，承受)图案化装置的重量。它以取决于图案化装置的取向、光刻设备的设计和其他条件(诸如例如，图案化装置是否被保持在真空环境中)的方式来保持图案化装置。掩模支撑结构可以使用机械、真空、静电或其他夹紧技术来保持图案化装置。掩模支撑结构可以是例如框架或工作台，其可以根据需要是固定的或可移动的。掩模支撑结构可以确保图案化装置例如相对于投影系统处于期望的位置。本文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用可以被认为与更通用的术语“图案化装置”同义。

本文中使用的术语“图案化装置”应当广义地解释为指代可以用于在其截面中向辐射束赋予图案以便在衬底的目标部分中创建图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不完全对应于衬底的目标部分中的期望图案，例如，在图案包括相移特征或所谓的辅助特征的情况下。通常，被赋予辐射束的图案将对应于在目标部分中创建的器件(诸如集成电路)中的特定功能层。

图案化装置可以是透射的或反射的。图案化装置的示例包括掩模、可编程镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二进制、交替相移和衰减相移等掩模类型、以及各种混合掩模类型。可编程镜阵列的一个示例采用小反射镜的矩阵排列，每个小反射镜可以单独倾斜，以便在不同方向上反射入射辐射束。倾斜的反射镜在辐射束中赋予图案，该辐射束由反射镜矩阵反射。

本文中使用的术语“投影系统”应当广义地解释为包括任何类型的投影系统，包括折射、反射、反射折射、磁、电磁和静电光学系统、或其任何组合，以适合于使用的曝光辐射，或者适合于其他因素，诸如浸没液体的使用或真空的使用。本文中对术语“投影透镜”的任何使用可以被认为与更通用的术语“投影系统”同义。

如这里描绘，该设备是透射型的(例如，采用透射掩模)。可替代地，该设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程镜阵列，或者采用反射掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双台)或更多个衬底台或“衬底支撑件”(和/或两个或更多个掩模台或“掩模支撑件”)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行使用附加的台子或支撑件，或者可以在一个或多个台子或支撑件上进行预备步骤，同时使用一个或多个其他台子或支撑件进行曝光。

光刻设备也可以是如下类型：其中至少一部分衬底可以被具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖以便填充投影系统与衬底之间的空间。浸入液体也可以应用于光刻设备中的其他空间，例如，在掩模与投影系统之间的空间。浸入技术可以用于增加投影系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸入”并不表示诸如衬底等结构必须浸没在液体中，而是仅表示液体在曝光期间位于投影系统与衬底之间。

参考图1，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。源和光刻设备可以是单独的实体，例如当源是准分子激光器时。在这种情况下，源不被认为形成光刻设备的一部分，并且辐射束借助于包括例如合适的定向镜和/或扩束器的光束传输系统BD从源SO传递到照射器IL。在其他情况下，源可以是光刻设备的组成部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL以及光束传输系统BD(如果需要)可以称为辐射系统。

照射器IL可以包括被配置为调节辐射束的角强度分布的调节器AD。通常，可以调节照射器的光瞳面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照射器IL可以包括各种其他部件，诸如积分器IN和聚光器CO。照射器可以用于调节辐射束，以在其截面中具有期望的均匀性和强度分布。

辐射束B入射在被保持在掩模支撑结构(例如，掩模台MT)上的图案化装置(例如，掩模MA)上，并且由图案化装置图案化。在穿过掩模MA之后，辐射束B穿过投影系统PS，投影系统PS将光束聚焦到衬底W的目标部分C上。根据本发明，借助于台组件SA，衬底W可以相对于投影系统PS被移位，台组件SA包括：被构造为保持衬底W的衬底台WT；被配置为相对于投影系统PS移位衬底台WT的定位装置PW。

借助于定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉测量装置、线性编码器或电容性传感器)，衬底台WT可以准确地移动，例如以便在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C。类似地，定位装置PM和另一位置传感器(其在图1中未明确描绘)可以用于关于辐射束B的路径来准确地定位掩模MA，例如，在从掩模库中进行机械取回之后，或者在扫描过程中。通常，掩模台MT的移动可以借助于可以形成定位装置PM的一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)来实现。类似地，衬底台WT或“衬底支撑件”的移动可以使用在本发明的一个实施例中形成定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现。在步进器的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅连接到短行程致动器，或者可以是固定的。可以使用掩模对准标记M₁、M₂和衬底对准标记P₁、P₂来将掩模MA和衬底W对准。尽管如图所示的衬底对准标记占据专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中(这些被称为划线对准标记)。类似地，在掩模MA上设置有多于一个管芯的情况下，掩模对准标记可以位于管芯之间。

所描绘的设备可以以下模式中的至少一种来使用：

1.在步进模式中，掩模台MT或“掩模支撑件”和衬底台WT或“衬底支撑件”基本保持静止，而被赋予辐射束的整个图案被一次投射到目标部分上C(即，单次静态曝光)。然后衬底台WT或“衬底支撑件”在X方向和/或Y方向上移位，使得不同的目标部分C可以被曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制在单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式中，掩模台MT或“掩模支撑件”和衬底台WT或“衬底支撑件”被同时扫描，同时将被赋予辐射束的图案被投射到目标部分C上(即，单次动态曝光)。衬底台WT或“衬底支撑件”相对于掩模台MT或“掩模支撑件”的速度和方向可以通过投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来被确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制在单次动态曝光中目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度决定目标部分的高度(在扫描方向上)。

3.在另一种模式中，掩模台MT或“掩模支撑件”基本保持固定以保持可编程图案化装置，并且衬底台WT或“衬底支撑件”被移动或扫描，同时被赋予辐射束的图案被投射到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在衬底台WT或“衬底支撑件”的每次移动之后或者在扫描期间在连续的辐射脉冲之间根据需要更新可编程图案化装置。这种操作模式可以容易地应用于利用诸如上述类型的可编程镜阵列的可编程图案化装置的无掩模光刻。

也可以采用上述使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变体。

根据本发明，光刻设备进一步包括基础框架BF，台组件SA和投影系统PS安装到基础框架BF上。在如图所示的实施例中，投影系统PS安装到所谓的计量框架MF，计量框架MF可以通过诸如空气支架等振动隔离器安装到基础框架BF。在如图所示的实施例中，基础框架BF通过基础框架支撑件BFS安装到底座PD。作为替代方案，基础框架BF也可以安装到底层或工厂地板上。

在光刻设备中，衬底台WT相对于投影系统PS移位，以便将图案投射到衬底W上的每个目标部分C上。由于上述位移，台组件SA可能在支撑台组件SA的基础框架BF上施加力和/或扭矩。在没有采取措施的情况下，所得到的振动可以朝向投影系统PS传播。因此，投影系统PS经由振动隔离器安装到基础框架BF。

图2示意性地示出了根据本发明的第二实施例的光刻设备的可能布局。图2示意性地示出了包括照射系统IL和投影系统PS的EUV型光刻设备的截面图，投影系统PS包括被配置为将图案化辐射束PR重定向到安装在衬底台WT上的衬底W上的多个镜子MS。在如图所示的布置中，衬底台WT形成双台组件SA的一部分，该双台组件SA包括可以通过定位装置PW(例如，平面电机组件或线性电机组件)移位的两个衬底台WT。在如图所示的布置中，照射系统IL将经调节的辐射束PC投射到图案化装置MA(在这种情况下为反射图案化装置)上以生成图案化辐射束PR。图案化装置MA安装到第二台组件SA2上，第二台组件SA2例如包括用于保持图案化装置MA的载物台和用于定位图案化装置MA的定位装置。台组件可以例如包括反作用力可以被施加的平衡质量BM。如图所示的布置进一步包括振动隔离的框架，例如，计量框架MF，该框架上可以安装位置测量装置或在曝光之前表征衬底的测量装置，诸如包括用于确定衬底W'的高度图的水平传感器LS和用于确定衬底W'上的对准标记的位置的对准传感器AS的测量装置。在如图所示的布置中，台组件、照射系统IL、计量框架和投影系统PS全部(直接地或经由振动隔离器VI)安装到共同的基础框架BF，基础框架BF形成包围台组件、照射系统IL、计量框架和投影系统PS的真空室VC的底部。在如图所示的布置中，基础框架BF经由相对较硬的支撑件SP安装到底座PD，底座PD安装在底层GF上。

关于图1和图2提到或示出的振动隔离器(VI)中的一个或多个是根据本发明的振动隔离器，其包括：

基座；

耦合元件，耦合到振动敏感物体；

去耦质量；

第一振动隔离器部分，布置在基座与去耦质量之间；以及

第二振动隔离器部分，布置在去耦质量与所述耦合元件之间，

并且其中第一振动隔离器部分和第二振动隔离器部分中的至少一个振动隔离器部分包括气动隔离器。

图3和图4描绘了根据本发明的这种振动隔离器的可能实施例，并且将在下面阐明。

图3示意性地示出了根据本发明的包括基座10的振动隔离器VI，基座10例如可以安装到图1和图2所示的基础框架BF或者是其一部分。

振动隔离器进一步包括耦合元件20，耦合元件20耦合到振动敏感物体，例如图1和图2的计量框架MF或者保持照射系统IL或投影系统PS的框架部分之一。

在基座10与耦合元件20之间设置有去耦质量30，去耦质量30经由第一振动隔离器部分连接到基座并且经由第二振动隔离器部分40连接到耦合元件20。

第一振动隔离器部分由具有底部32的圆筒31形成，去耦质量30被容纳在底部32中以用作圆筒31中的活塞。去耦质量30能够在Z方向上并且可能围绕Z方向的旋转方向(即，所谓的Rz方向)上在圆筒31内自由移动，并且通过在通过空气供应33在底部32与去耦质量30之间提供的压缩空气来从圆筒31的底部32被支撑，空气供应33可以包括空气罐和/或空气压缩机(未示出)。

在去耦质量30与圆筒31之间也提供压缩空气，从而形成在X方向、Y方向、Rx方向和Ry方向上提供刚度的空气轴承，其中Rx方向和Ry方向对应于分别围绕X方向和Y方向的旋转。

因此，第一振动隔离器部分在基座10与去耦质量30之间提供具有第一静态弹簧刚度k1的空气弹簧。

第二振动隔离器部分在这个实施例中是具有类似弹簧的行为的机械元件，例如，螺旋弹簧、片簧或具有类似特征的任何结构元件，例如，主动受控装置。

因此，第二振动隔离器部分在去耦质量30与耦合元件20之间提供具有第二静态弹簧刚度k2的弹簧。

与包括提供类似于第一振动隔离器部分的空气弹簧的单个振动隔离器部分的振动隔离器相比，由于振动隔离器部分中的声共振引起的隔离饱和以更高的频率发生，从而改善了振动隔离器VI的振动隔离性能。

此外，去耦质量将在与第一静态弹簧刚度和第二静态弹簧刚度之和相对应的频率去耦，导致在去耦频率之后的传递率的更陡峭的斜率，这也对振动隔离性能具有积极影响。

尽管未示出，但是对于本领域技术人员很清楚的是，在图3的实施例中，第一振动隔离器部分和第二振动隔离器部分的空间顺序也可以反过来，这表示第一振动隔离器部分作为气动隔离器而可以设置在去耦质量30与耦合元件20之间，并且第二振动隔离器部分40可以设置在去耦质量30与基座10之间。

去耦质量30是自由可移动以允许质量以与第一静态弹簧刚度和第二静态弹簧刚度相对应的频率去耦并且因此主要连接到第一振动隔离器部分和第二振动隔离器部分的结构元件。因此，去耦质量不直接支持光刻设备的其他部件，并且其他部件也未配置为对去耦质量施加显著的直接力。如果是这种情况，则去耦质量的去耦功能将丢失。

如这个实施例中所示，去耦质量可以是气动隔离器的一部分。在图3的实施例中，去耦质量是活塞部分，但是在替代实施例中，去耦质量也可以实施为气动隔离器的圆筒部分。

即使当去耦质量不是气动隔离器的一部分时，基座或耦合元件也可以包括腔室，去耦质量可移位地布置在该腔室中。

在一个实施例中，平面图中的去耦质量的外部尺寸小于基座和/或耦合元件的外部尺寸。

图4示意性地描绘了根据本发明的振动隔离器VI的另一实施例，其中振动隔离器和第一振动隔离器部分的构造类似于图3的振动隔离器VI的实施例。两个实施例之间的主要不同在于第二振动隔离器部分的配置。

在图4的实施例中，第二振动隔离器部分也是气动隔离器，其在这种配置中集成到去耦质量30中。去耦质量30形成具有底部30b的圆筒部分30a以容纳耦合元件20。耦合元件20能够在Z方向上以及还可能在围绕Z方向的旋转方向(即，所谓的Rz方向)上在圆筒部分30a内自由移动。耦合元件20通过在通过空气供应43在底部30b与耦合元件20之间提供的压缩空气来从圆筒部分30a的底部30b被支撑，空气供应43可以包括空气罐和/或空气压缩机(未示出)。

在耦合元件20与圆筒部分30a之间也提供压缩空气，从而形成在X方向、Y方向、Rx方向和Ry方向上提供刚度的空气轴承，其中Rx方向和Ry方向对应于分别围绕X方向和Y方向的旋转。

因此，第二振动隔离器部分在去耦质量30与耦合元件20之间提供具有第二静态弹簧刚度k2的空气弹簧。

与包括提供类似于第一振动隔离器部分的空气弹簧的单个振动隔离器部分的振动隔离器相比，由于第一振动隔离器部分和第二振动隔离器部分中的声共振导致的隔离饱和以更高的频率发生，从而改善了振动隔离器VI的振动隔离性能。

对于图3和图4的两个实施例，第一静态弹簧刚度和第二静态弹簧刚度不一定必须相同，但特别是在第一振动隔离部分和第二振动隔离部分包括气动隔离器的情况下，可能优选的是，出于例如简单的原因而将第一静态弹簧刚度和第二静态弹簧刚度选择为相等。

尽管图4的实施例中的空气供应43已经被设置为与去耦质量30成一体，但是还设想空气供应从去耦质量30外部提供。然而，优选的是，在使用两个气动隔离器的情况下，两个隔离器之间的串扰被最小化，更优选地完全被阻止。在一个实施例中，可以通过向气动隔离器提供单独的空气供应来最小化串扰。

尽管看起来在图3和图4所示的气动隔离器中，空气能够逸出并且应当一直被补充，但是也可以使用密封的气动隔离器来防止空气损失。当振动隔离器位于真空环境中或接近真空环境时，这也是优选的。

图5提供了与以下数值示例相对应的传递率图，而没有示出隔离饱和度。

在产生图5的传递率图的数值示例中，假定第一静态弹簧刚度和第二静态弹簧刚度等于k，使得该振动隔离器对应于具有静态弹簧刚度为k/2的单个振动隔离器部分的现有技术的振动隔离器。通过使用去耦质量，去耦质量将以由刚度为2k的两个平行弹簧确定的频率去耦。考虑到0.3Hz的原始去耦频率和1000kg的悬置质量，刚度k可以通过以下计算来确定，其中m1是悬置质量，并且ω1是以弧度为单位的原始去耦频率，并且f1是以Hz为单位的原始去耦频率：

去耦质量的重量将确定去耦质量的去耦频率。如果选择3Hz的去耦频率，则可以通过以下计算确定去耦质量的重量，其中m2是去耦质量的重量，ω2是以弧度为单位的去耦频率，并且f2是以Hz为单位的去耦频率：

因此，当选择第一静态弹簧刚度k1和第二静态弹簧刚度k2相等时，需要40kg的去耦质量用于在图5中由箭头A1指示的3Hz处的额外去耦，这将导致从3Hz开始的-4斜率。

应当注意，在该数值示例中，去耦质量的重量远低于悬置质量的重量。这也是优选的，因为大的去耦质量可能不是非常实用并且占用大量空间，更不用说为光刻设备的总重量增加了很多重量。

去耦质量优选地是仅由第一振动隔离器部分和第二振动隔离器部分悬置的质量。第一振动隔离器部分和第二振动隔离器部分优选地包括单个振动隔离器或弹簧，使得没有平行弹簧或隔离器连接到去耦质量。振动隔离器可以包括主动受控部件，例如以保持去耦质量的漂移在限度内或提供类似弹簧的行为。

在一个实施例中，去耦质量仅连接到第一振动隔离器部分和第二振动隔离器部分，使得去耦质量的外部尺寸小于基座和/或耦合元件的外部尺寸。去耦质量的外部尺寸例如是至多1米，优选地至多0.5米。振动隔离器优选地被容纳在壳体内，该壳体仅容纳振动隔离器和去耦质量。

尽管在本文中可以具体参考光刻设备在IC制造中的使用，但是应当理解，本文中描述的光刻设备可以具有其他应用，诸如集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测模式、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。技术人员将理解，在这样的替代应用的上下文中，本文中的术语“晶片”或“管芯”的任何使用可以被视为分别与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中提到的衬底可以在曝光之前或之后在例如轨道(通常向衬底施加抗蚀剂层并且显影曝光的抗蚀剂的工具)、计量工具和/或检查工具中被处理。在适用的情况下，本文中的公开内容可以应用于这样的和其他的衬底处理工具。此外，衬底可以被处理一次以上，例如以便创建多层IC，使得本文中使用的术语衬底也可以指代已经包含多个经处理的层的衬底。

尽管以上可以已经在光学光刻的上下文中对本发明的实施例的使用进行了具体参考，但是应当理解，本发明可以用于其他应用，例如压印光刻，并且在上下文允许的情况下，不是仅限于光学光刻。在压印光刻中，图案化装置中的形貌限定在衬底上创建的图案。图案化装置的形貌可以被压入被提供给衬底的抗蚀剂层中，然后通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来固化抗蚀剂。在抗蚀剂固化后，将图案化装置移出抗蚀剂，在其中留下图案。

本文中使用的术语“辐射”和“光束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，波长为或约为365、248、193、157或126nm)和极紫外(EUV)辐射(例如，波长在5至20nm的范围内)以及粒子束，诸如离子束或电子束。

在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以指代各种类型的光学部件中的任何一个或组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电光学部件。

尽管上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以用不同于所描述的方式来实施。例如，本发明可以采用包含描述上述方法的一个或多个机器可读指令序列的计算机程序或者其中存储有这样的计算机程序的数据存储介质(例如，半导体存储器，磁盘或光盘)的形式。

以上描述旨在说明而非限制。因此，对于本领域技术人员很清楚的是，在不脱离下面陈述的权利要求的范围的情况下，可以对所描述的本发明进行修改。

Claims

1.一种振动隔离器，包括：

基座；

耦合元件，被耦合到振动敏感物体；

去耦质量；

2.根据权利要求1所述的振动隔离器，其中所述去耦质量仅由所述第一振动隔离器部分和所述第二振动隔离器部分悬置。

3.根据权利要求1所述的振动隔离器，其中所述第一振动隔离器部分和所述第二振动隔离器部分两者包括气动隔离器。

4.根据权利要求3所述的振动隔离器，其中所述第一振动隔离器部分的气动隔离器与所述第二振动隔离器部分的气动隔离器之间的串扰被最小化，优选地被阻止。

5.根据权利要求1所述的振动隔离器，其中所述第一振动隔离器部分的静态刚度基本上等于所述第二振动隔离器部分的静态刚度。

6.根据权利要求1所述的振动隔离器，其中所述气动隔离器是密封的气动隔离器。

7.根据权利要求1所述的振动隔离器，其中所述基座或所述耦合元件包括腔室，所述去耦质量可移位地布置在所述腔室中。

8.根据权利要求1所述的振动隔离器，其中所述去耦质量是所述气动隔离器的活塞部分或圆筒部分。

9.一种光刻设备，包括：

振动敏感物体；

振动隔离器，支撑所述振动敏感物体，并且包括：

基座；

耦合元件，被耦合到所述振动敏感物体；

去耦质量；

10.根据权利要求9所述的光刻设备，其中所述振动敏感物体是以下之一：

照射系统，被配置为调节辐射束；

投影系统，被配置为将图案化辐射束投射到衬底的目标部分上；

台组件，包括被构造为保持所述衬底的衬底台；或者

基础框架，支撑所述照射系统、所述投影系统和/或所述台组件。

11.根据权利要求9所述的光刻设备，其中所述第一振动隔离器部分和所述第二振动隔离器部分两者包括气动隔离器。

12.根据权利要求11所述的光刻设备，其中所述第一振动隔离器部分的气动隔离器与所述第二振动隔离器部分的气动隔离器之间的串扰被最小化，优选地被阻止。

13.根据权利要求9所述的光刻设备，其中所述第一振动隔离器部分的静态刚度基本上等于所述第二振动隔离器部分的静态刚度。

14.根据权利要求9所述的光刻设备，其中所述气动隔离器是密封的气动隔离器。

15.一种器件制造方法，包括使用根据权利要求9所述的光刻设备来将图案化辐射束投射到衬底上。