TWI451083B - Physical quantity measuring device and physical quantity measuring method - Google Patents
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Description
本發明係關於一種設置於被處理體之表面、且計測於溫度變化之氛圍中處理被處理體時之物理量之物理量計測裝置，及使用該物理量計測裝置之物理量計測方法。
例如於平板顯示器之製造製程中之光微影步驟中，進行於平板顯示器用之玻璃基板上形成抗蝕膜之阻劑塗佈處理、使特定圖案曝光於抗蝕膜上之曝光處理、使所曝光之抗蝕膜顯影之顯影處理、及玻璃基板之熱處理等各種處理。
上述抗蝕膜之特定圖案係規定底層之被處理膜之圖案形狀者，需要以嚴格之尺寸形成。因此，需要適當地進行上述各處理，例如於熱處理中需要嚴密地管理玻璃基板之溫度或處理氛圍之壓力等。因此，要對該些溫度或壓力等物理量進行計測。
上述物理量之計測係利用設置於例如玻璃基板上之計測裝置而進行。具體而言，作為計測裝置，例如將如熱敏電阻等電阻值根據物理量之變化而變化之感測器、通過測定電阻值而計測物理量之計測電路、將感測器與計測電路連接之配線等設置於玻璃基板上(專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利特開平6-163340號公報
此處，於玻璃基板之光微影處理中，例如於複數個搬送輥上對搬送中之玻璃基板進行特定處理。而且，例如當對玻璃基板進行熱處理時，例如如圖9所示複數個搬送輥R上之玻璃基板G被搬送至熱處理裝置之腔室500內，於該腔室500內對搬送中之玻璃基板G進行熱處理。此時，腔室500內之氛圍T1
之溫度例如為130℃，腔室500外之氛圍T2
之溫度變為例如室溫23℃。
而且，例如為了計測玻璃基板G之溫度，如上述專利文獻1般，於玻璃基板G之表面設置計測裝置510。計測裝置510包含感測器511、計測電路512及配線513。配線513具有分別連接於例如感測器511之兩端部之2條線之配線(未圖示)。而且，配線513於例如玻璃基板G之搬送方向上延伸。
然而，於上述情形時，配線513之電阻值疊加於感測器511之電阻值，而無法於計測電路512中適當地計測玻璃基板G之溫度。
而且，亦考慮推定配線513之電阻值，自計測電路512中測定之電阻值中減去該配線513之電阻值而測定感測器511之電阻值，但難以推定配線513之電阻值。例如當玻璃基板G被搬送至腔室500內時，雖然玻璃基板G之前端部側處於腔室500內，但玻璃基板G之末端部側位於腔室500外。如此一來，於配線513中，前端部513a、中央部513b、末端部513c之溫度各不相同。例如前端部513a升溫至130℃，末端部513c為23℃，中央部513b成為23℃~130℃之間之溫度，例如為80℃。而且，隨著玻璃基板G被搬送，前端部513a、中央部513b、末端部513c之範圍或溫度發生變化，因此配線513之電阻值亦發生變化。因此，推定配線513之電阻值變得困難。如此一來，即便自計測電路512中測定之電阻值中減去配線513之電阻值，亦無法適當地測定感測器511之電阻值。故，無法避免配線513之電阻值之疊加，而將玻璃基板G之溫度計測成高於實際溫度之溫度，從而無法適當地計測。
而且，隨著近年來之玻璃基板G之大型化，設置於該玻璃基板G上之配線513亦變長，因此成為更難避免如此之配線513之電阻值之疊加之狀況。
此外，存在例如利用未呈直線狀延伸而蜿蜒之配線514連接感測器511與計測電路512之情形。配線514具有分別連接於例如感測器511之兩端部之2條線之配線(未圖示)。於上述情形時，即便配線514具有與配線513相同之配線長度，由於該些配線514與配線513所配置之溫度環境不同，故配線514之電阻值與配線513之電阻值亦不同。因此，難以推定配線514之電阻值，而難以避免配線514之電阻值之疊加。因此，無法適當地計測玻璃基板G之溫度。
另外，為了抑制如上述般之配線513、514之電阻值之疊加，亦考慮將該配線513、514分別設為4條線之配線。即，為了測定感測器511之電阻值，將具有相比於感測器511而為極高之電阻值之電壓測定部連接於該感測器511。然後，使恆定電流流經感測器511，電壓測定部測定感測器511之電阻值。然而，於上述情形時，玻璃基板G上之計測電路512之構成變得複雜，而且計測電路512中之開關之切換等控制變得複雜。此外，於高溫環境下，電壓測定部中之電阻值降低，因此無法適當地測定感測器511之電阻值。
本發明係鑒於上述方面而完成者，其目的在於適當地計測於溫度變化之氛圍中處理被處理體時之物理量。
為了達成上述目的，本發明為一種物理量計測裝置，其特徵在於：其係設置於被處理體之表面，且計測於溫度變化之氛圍中處理被處理體時之物理量者，且包含：物理量感測器，其電阻值根據上述物理量之變化而變化；虛設感測器，其具有預先規定之電阻值，且電阻值相對於上述物理量之變化的變化量小於上述物理量感測器之電阻值相對於上述物理量之變化的變化量；第一配線，其將上述物理量感測器與計測電路連接；及第二配線，其將上述虛設感測器與上述計測電路連接；且上述第一配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量與上述第二配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量的比率為固定。
根據本發明，於計測電路中，測定包含物理量感測器之電阻值與第一配線之電阻值之第一電阻值。而且，於計測電路中，測定包含虛設感測器之電阻值與第二配線之電阻值之第二電阻值。而且，自第二電阻值中減去虛設感測器之電阻值，算出第二配線之電阻值。此時，虛設感測器具有預先規定之電阻值，且電阻值相對於物理量之溫度變化之變化量比物理量感測器之電阻值相對於物理量之溫度變化之變化量小，因此可適當地算出第二配線之電阻值。而且，第一配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量與第二配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量的比率為固定，因此根據上述所算出之第二配線之電阻值，可算出第一配線之電阻值。然後，自計測電路中測定之第一電阻值中減去上述所算出之第一配線之電阻值，算出物理量感測器之電阻值。如此一來，根據該物理量感測器之電阻值，可適當地計測物理量。
上述第一配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量與上述第二配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量亦可相同。於上述情形時，上述第一配線之剖面積與上述第二配線之剖面積亦可相同，上述第一配線與上述第二配線亦可分別平行地配置。另外，於本發明中，就第一配線與第二配線之電阻值之變化量之「相同」之比率而言，除完全相同之值之比率以外，亦包含稍有不同但於誤差範圍內之比率。同樣地，就第一配線與第二配線之「相同」之剖面積而言，除完全相同之剖面積以外，亦包含稍有不同但於誤差範圍內之剖面積。
上述第一配線與上述第二配線至少於一面搬送被處理體一面進行熱處理之搬送方向上延伸，於被處理體之搬送中，上述第一配線與上述第二配線亦可分別配置於相同之溫度環境下。
上述熱處理亦可為光微影處理中之熱處理。
上述被處理體亦可為平板顯示器用基板。
上述物理量為被處理體之溫度，上述物理量感測器亦可為溫度感測器。
根據其他觀點之本發明為一種物理量計測裝置，其特徵在於：其係設置於被處理體之表面，計測於被處理體之搬送方向上在溫度發生變化之氛圍中一面搬送該被處理體一面進行處理時之物理量者，且包含：物理量感測器，其電阻值根據上述物理量之變化而變化；虛設感測器，其具有預先規定之電阻值，且電阻值相對於上述物理量之變化的變化量小於上述物理量感測器之電阻值相對於上述物理量之變化的變化量；第一配線，其將上述物理量感測器與計測電路連接；及第二配線，其將上述虛設感測器與上述計測電路連接；且上述第一配線之材質與上述第二配線之材質相同，上述第一配線之長度與上述第二配線之長度相同，上述第一配線之剖面積與上述第二配線之剖面積相同，上述第一配線與上述第二配線至少於被處理體之搬送方向上延伸，且分別平行地配置。
而且，根據其他觀點之本發明為一種物理量計測方法，其特徵在於：其係使用設置於被處理體之表面之物理量計測裝置，計測於溫度變化之氛圍中處理被處理體時之物理量者，上述物理量計測裝置包含：物理量感測器，其電阻值根據上述物理量之變化而變化；虛設感測器，其具有預先規定之電阻值，且電阻值相對於上述物理量之變化的變化量小於上述物理量感測器之電阻值相對於上述物理量之變化的變化量；第一配線，其將上述物理量感測器與計測電路連接；及第二配線，其將上述虛設感測器與上述計測電路連接；且上述第一配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量與上述第二配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量的比率為固定；上述物理量計測方法係將上述第一配線與上述第二配線分別配置於上述氛圍中，於上述計測電路中，測定包含上述物理量感測器之電阻值與上述第一配線之電阻值之第一電阻值，於上述計測電路中，測定包含上述虛設感測器之電阻值與上述第二配線之電阻值之第二電阻值，自上述第二電阻值減去上述虛設感測器之電阻值，而算出上述第二配線之電阻值，根據上述第二配線之電阻值，算出上述第一配線之電阻值，自上述第一電阻值減去上述第一配線之電阻值，而算出上述物理量感測器之電阻值，根據上述物理量感測器之電阻值計測上述物理量。
上述第一配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量與上述第二配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量亦可相同。於上述情形時，上述第一配線之剖面積與上述第二配線之剖面積亦可相同，上述第一配線與上述第二配線亦可平行地配置。
一面搬送被處理體一面進行熱處理，上述氛圍之溫度於被處理體之搬送方向上發生變化，且上述第一配線與上述第二配線至少於被處理體之搬送方向上延伸，於被處理體之搬送中，上述第一配線與上述第二配線亦可分別處於相同之溫度環境下。
上述熱處理亦可為光微影處理中之熱處理。
上述被處理體亦可為平板顯示器用基板。
上述物理量為被處理體之溫度，上述物理量感測器亦可為溫度感測器。
根據本發明，可適當地計測於溫度變化之氛圍中處理被處理體時之物理量。
以下，對本發明之實施形態進行說明。圖1係表示塗佈顯影處理系統1之構成之概要之俯視圖，該塗佈顯影處理系統1對設置有本實施形態之物理量計測裝置之作為被處理體之玻璃基板進行處理。另外，於本實施形態中，對物理量計測裝置測定作為物理量之玻璃基板G之溫度之情形進行說明。而且，玻璃基板G為平板顯示器用之基板，具有例如俯視時為3000 mm×3000 mm之四邊形狀。
如圖1所示，塗佈顯影處理系統1例如具有一體地連接著如下各部之構成：用於將複數個玻璃基板G以卡匣為單位而相對於外部搬入搬出之卡匣台2，配置有於光微影步驟中單片式地實施特定處理之各種處理裝置之處理台3，及與處理台3鄰接設置且於處理台3與曝光裝置4之間進行玻璃基板G之交接之介面站5之構成。
於卡匣台2中，設置有卡匣載置台10，該卡匣載置台10使複數個卡匣C於X方向(圖1中之上下方向)上載置自如地排成一列。於卡匣台2中，設置有於搬送路徑11上可朝著X方向移動之基板搬送體12。基板搬送體12亦可於收納於卡匣C中之玻璃基板G之排列方向(Z方向：鉛直方向)上自如移動，可對排列於X方向上之各卡匣C內之玻璃基板G選擇性地進行存取。
基板搬送體12可於繞著Z軸之θ方向上旋轉，亦可相對於下述之處理台3側之準分子UV(ultraviolet，紫外線)照射裝置20或冷卻處理裝置33進行存取。
處理台3具備例如於Y方向(圖1之左右方向)上延伸之2列搬送線A、B。搬送線A配置於處理台3之正面側(X方向負方向側(圖1之下側))，搬送線B配置於處理台3之背面側(X方向正方向側(圖1之上方側))。
如圖2及圖3所示，於搬送線A上，於沿著搬送線A之方向上並排配置有搬送輥R。各搬送輥R以於與沿著搬送線A之方向成直角之方向上延伸之中心軸為旋轉軸而旋轉自如地構成。而且，於複數個搬送輥R中之至少一個搬送輥R中，設置有內置例如馬達等之驅動機構(未圖示)。而且，利用該些搬送輥R，可於水平方向上直線地搬送玻璃基板G。另外，圖2及圖3對下述加熱處理裝置22之周邊進行了圖示，上述複數個搬送輥R配置於圖1所示之裝置20~28間。而且，於搬送線B上，亦配置有上述構成之複數個搬送輥R。
如圖1所示，於搬送線A上，自卡匣台2側朝向介面站5側，依序將如下各部呈直線地配置成一列：例如去除玻璃基板G上之有機物之準分子UV照射裝置20，清洗玻璃基板G之洗滌清洗裝置21，對玻璃基板G進行加熱處理之作為熱處理裝置之加熱處理裝置22，對玻璃基板G進行冷卻處理之冷卻處理裝置23，對玻璃基板G塗佈抗蝕液之阻劑塗佈處理裝置24，減壓乾燥玻璃基板G之減壓乾燥裝置25，加熱處理裝置26，冷卻處理裝置27及使玻璃基板G暫時待機之外部平台28。
於搬送線B上，自介面站5側朝向卡匣台2側，依序將如下各部呈直線狀地配置成一列：例如對玻璃基板G進行顯影處理之顯影處理裝置30，進行玻璃基板G之脫色處理之i射線UV照射裝置31，加熱處理裝置32及冷卻處理裝置33。
於搬送線A之外部平台28與搬送線B之顯影處理裝置30之間，設置有進行該等之間之玻璃基板G之搬送之搬送體40。該搬送體40亦可將玻璃基板G對於下述之介面站5之延伸冷卻裝置60來搬送。
於介面站5中，設置有例如具有冷卻功能且進行玻璃基板G之交接之延伸冷卻裝置60、暫時收納玻璃基板G之緩存卡匣61、及外部裝置塊62。於外部裝置塊62中，設置有使生產管理用之編碼曝光於玻璃基板G上之刻號機及使玻璃基板G之周邊部曝光之周邊曝光裝置。於介面站5中，設置有可對於上述延伸冷卻裝置60、緩存卡匣61、外部裝置塊62及曝光裝置4來搬送玻璃基板G之基板搬送體63。
其次，對上述加熱處理裝置22、26、32之構成進行說明。如圖2及圖3所示，加熱處理裝置22具有腔室70。腔室70設置成覆蓋沿著搬送線A設置之複數個搬送輥R中之一部分搬送輥R。於腔室70之上游側之側面形成著玻璃基板G之搬入口71，於腔室70之下游側之側面形成著玻璃基板G之搬出口72。於搬入口71與搬出口72，分別設置有開閉閘門(未圖示)。
於腔室70之內部且搬送輥R之上方，配置有熱板80。於熱板80之內部，設置有例如通過供電而發熱之發熱器81，可將熱板80調解為特定之設定溫度。而且，熱板80於玻璃基板G之寬度方向上延伸，可自正面側來加熱正於搬送輥R上搬送之玻璃基板G。另外，於加熱處理裝置22中，連接著對內部氛圍進行排氣之排氣管(未圖示)。而且，於圖示之例子中，熱板80自正面側加熱玻璃基板G，但亦可自背面側加熱玻璃基板G。即，熱板既可配置於高度與搬送輥R相同之位置上，或者亦可配置於搬送輥R之下方。此外，還可通過於兩邊配置該些熱板，而自表面與背面兩側來加熱玻璃基板G。
腔室70內之氛圍T1
之溫度藉由熱板80而成為例如130℃。再者，腔室70外之氛圍T2
之溫度成為例如23℃。而且，於加熱處理裝置22中，於搬送輥R上一面搬送玻璃基板G，一面對該玻璃基板G進行加熱處理。因此，當玻璃基板G被搬送至腔室70時，玻璃基板G之周邊之氛圍之溫度於該玻璃基板G之搬送方向上發生變化。
另外，由於加熱處理裝置26、32之構成與上述加熱處理裝置22相同，故省略說明。
其次，對設置於玻璃基板G之表面且計測作為物理量之玻璃基板G之溫度之物理量計測裝置進行說明。如圖3所示，物理量計測裝置90包含具備例如處理器、記憶體、放大器、開關等之計測電路91。另外，利用計測電路91測定之電阻值等資料既可保存於該計測電路91內之記憶體中，亦可例如藉由無線而自計測電路91輸出至外部之電腦等。
物理量計測裝置90包含電阻值根據玻璃基板G之溫度變化而變化之作為物理量感測器之溫度感測器92。溫度感測器92例如使用測溫電阻元件(RTD：Resistance Temperature Detector，電阻測溫計)或熱敏電阻等。而溫度感測器92之電阻溫度係數(TCR：Temperature Coefficient of Resistance)例如為3850 ppm，例如130℃時之溫度感測器92之電阻值為1500 Ω。而且，溫度感測器92於玻璃基板G之溫度之測定點配置有複數個。計測電路91與溫度感測器92藉由第一配線93而連接。第一配線93具有例如分別連接於溫度感測器92之兩端部之2條線之配線(未圖示)。而且，第一配線93於例如玻璃基板G之搬送方向(沿著搬送線A之方向)上直線狀地延伸。此外，第一配線93例如使用銅線。於上述情形時，第一配線93之TCR例如為4330 ppm。
再者，於溫度感測器92之附近設置有虛設感測器94。虛設感測器94例如使用微電阻。而且，虛設感測器94具有預先規定之電阻值，例如1000 Ω。而且，虛設感測器94之電阻值相對於玻璃基板G之溫度變化之變化量小於溫度感測器92之電阻值相對於玻璃基板G之溫度變化之變化量。虛設感測器94更佳使用電阻值相對於玻璃基板G之溫度變化幾乎不變化、即TCR為0 ppm或極小之電阻器。計測電路91與虛設感測器94藉由第二配線95而連接。第二配線95具有例如分別連接於虛設感測器94之兩端部之2條線之配線(未圖示)。而且，第二配線95於例如玻璃基板G之搬送方向(沿著搬送線A之方向)上直線狀地延伸。此外，第二配線95例如使用銅線。於上述情形時，第二配線95之TCR例如為4330 ppm。另外，虛設感測器94之預先規定之電阻值並不限定於本實施形態之形態，可採用0 Ω以上之各值。
如上所述，第一配線93與第二配線95分別平行地配置，該等之長度相同。而且，第一配線93之剖面積與第二配線95之剖面積亦相同。此外，第一配線93之材質與第二配線95之材質亦相同。而且，第一配線93與第二配線95於玻璃基板G之搬送方向上配置於相同之溫度環境下。因此，第一配線93之第一配線電阻值RW1
相對於玻璃基板G之溫度變化之變化量與第二配線95之第二配線電阻值RW2
相對於玻璃基板G之溫度變化之變化量相同。即，不管玻璃基板G之溫度變化如何，第一配線電阻值RW1
與第二配線電阻值RW2
均相同。另外，就該些第一配線電阻值RW1
與第二配線電阻值RW2
之「相同」而言，除完全相同之值之電阻值以外，亦包含稍有不同但在誤差之範圍內之電阻值。
如圖1所示，於以上之塗佈顯影處理系統1中設置有控制部100。控制部100例如為電腦，其具有程式儲存部(未圖示)。於程式儲存部中儲存有執行塗佈顯影處理系統1中之基板處理之程式。而且，於程式儲存部中亦儲存有執行物理量計測裝置90中之物理量之計測之程式。另外，上述程式為記錄於例如電腦可讀取之硬碟(HD，Hard Disk)、軟碟(FD，Flexible Disk)、光碟(CD，Compact Disc)、磁光碟(MO，Magneto Optical)、記憶卡等電腦可讀取之記憶媒體H中，亦可自上述記憶媒體H安裝於控制部100中。
其次，對利用如上述般構成之塗佈顯影處理系統1進行之玻璃基板G之基板處理進行說明。
首先，卡匣台2之卡匣C內之複數個玻璃基板G由基板搬送體12依次搬送至處理台3之準分子UV照射裝置20。玻璃基板G沿著直線之搬送線A搬送，依序被搬送至準分子UV照射裝置20、洗滌清洗裝置21、加熱處理裝置22、冷卻處理裝置23、阻劑塗佈處理裝置24、減壓乾燥裝置25、加熱處理裝置26及冷卻處理裝置27，於各處理裝置中實施特定之處理。卻處理完成之玻璃基板G被搬送至外部平台28。然後，玻璃基板G由搬送體40搬送至介面站5，且由基板搬送體63搬送至曝光裝置4。
於曝光裝置4中完成曝光處理之玻璃基板G藉由基板搬送體63而送回至介面站5，並由搬送體40搬送至處理台3之顯影處理裝置30。玻璃基板G沿著直線之搬送線B而搬送，依序被搬送至顯影處理裝置30、i射線UV照射裝置31、加熱處理裝置32與冷卻處理裝置33，於各處理裝置中實施特定之處理。於冷卻處理裝置33中完成冷卻處理之玻璃基板G藉由基板搬送體12而送回至卡匣台2之卡匣C，從而一連串之光微影步驟結束。
其次，對於上述加熱處理裝置22、26、32中加熱處理玻璃基板G時，利用物理量計測裝置90計測玻璃基板G之溫度之方法進行說明。圖4係表示計測玻璃基板G之溫度之方法中之主要步驟之流程圖。另外，於本實施形態中，對例如圖3所示般玻璃基板G之前端部側處於腔室70內，而玻璃基板G之末端部側於腔室70外之情形進行說明。於上述情形時，於玻璃基板G之搬送方向上氛圍之溫度變化，該玻璃基板G之溫度亦於搬送方向上發生變化。
首先，於計測電路91中，測定包含溫度感測器92之電阻值RT
與第一配線93之第一配線電阻值RW1
之第一電阻值R1(圖4之步驟S1)。即，第一電阻值R1由下述式(1)表示。而且，於計測電路中，測定包含虛設感測器94之電阻值RD
與第二配線95之第二配線電阻值RW2
之第二電阻值R2(圖4之步驟S2)。即，第二電阻值R2由下述式(2)表示。
R1=RT
+RW1
....(1)
R2=RD
+RW2
....(2)
此處，虛設感測器94之電阻值RD
為預先規定之電阻值，TCR較小，且電阻值相對於玻璃基板G之溫度變化幾乎未發生變化。故，若根據上述(2)，自第二電阻值R2中減去虛設感測器94之電阻值RD
，則不管玻璃基板G之溫度變化如何均可適當地算出第二配線電阻值RW2
(圖4之步驟S3)。
而且，由於不管玻璃基板G之溫度變化如何，第一配線電阻值RW1
與第二配線電阻值RW2
均為相同之值，故可根據上述算出之第二配線電阻值RW2
算出第一配線電阻值RW1
(圖4之步驟S4)。然後，根據上述式(1)，自第一電阻值R1中減去第一配線電阻值RW1
，而算出溫度感測器92之電阻值RT
(圖4之步驟S5)。然後，可根據該溫度感測器之電阻值RT
，而適當地計測玻璃基板G之溫度(圖4之步驟S6)。
如上述般，根據本實施形態，通過使用虛設感測器94與第二配線95，可避免第一配線電阻值RW1
對於溫度感測器92之電阻值RT
之疊加。尤其即便於玻璃基板G大型化，而伴隨玻璃基板G之搬送之第一配線電阻值RW1
之變化量較大之情形時，亦可避免該第一配線電阻值RW1
之疊加。因此，可適當地測定溫度感測器92之電阻值RT
，從而可適當地計測玻璃基板G之溫度。
另外，虛設感測器94之TCR越小越好，只要至少電阻值RD
相對於玻璃基板G之溫度變化之變化量小於溫度感測器92之電阻值RT
相對於玻璃基板G之溫度變化之變化量，則於步驟S3中可比以前更適當地算出第二配線電阻值RW2
。
於以上之實施形態中，虛設感測器94針對每個溫度感測器92而設置，當例如複數個第一配線93之形狀及配置相同時，亦可針對複數個溫度感測器92中之每個而設置1個虛設感測器94。於上述情形時，由於各第一配線93之第一配線電阻值RW1
相同，故於步驟S4中可根據1根第二配線95之第二配線電阻值RW2
算出複數個第一配線電阻值RW1
。然後，於步驟S5中可適當地算出溫度感測器92之電阻值RT
，而可避免第一配線電阻值RW1
對於溫度感測器92之電阻值RT
之疊加。
而且，於以上之實施形態中，第一配線93與第二配線95分別沿著玻璃基板G之搬送方向呈直線狀地延伸，相對於玻璃基板G之溫度變化之第一配線電阻值RW1
與相對於玻璃基板G之溫度變化之第二配線電阻值RW2
為相同之值，但使該些配線電阻值RW1
、RW2
相同之構成並不限定於本實施形態。
例如圖5所示，第一配線93與第二配線95亦可各自蜿蜒，且分別平行地配置。即便於上述情形時，亦可使相對於玻璃基板G之溫度變化之第一配線電阻值RW1
與相對於玻璃基板G之溫度變化之第二配線電阻值RW2
為相同之值，而可避免第一配線電阻值RW1
對於溫度感測器92之電阻值RT
之疊加。
而且，例如圖6所示，第一配線93與第二配線95亦可各自蜿蜒，且線對稱地配置。即便於上述情形時，亦可使相對於玻璃基板G之溫度變化之第一配線電阻值RW1
與相對於玻璃基板G之溫度變化之第二配線電阻值RW2
為相同之值，而可避免第一配線電阻值RW1
對於溫度感測器92之電阻值RT
之疊加。
於以上之實施形態中，相對於玻璃基板G之溫度變化之第一配線電阻值RW1
與相對於玻璃基板G之溫度變化之第二配線電阻值RW2
為相同之值，但只要第一配線電阻值RW1
之變化量與第二配線電阻值RW2
之變化量之比率為固定即可。
例如當第一配線93之剖面積為第二配線95之剖面積之2倍時，第二配線電阻值RW2
之變化量相對於第一配線電阻值RW1
之變化量之比率為固定且為1/2。於上述情形時，若於步驟S3中算出第二配線電阻值RW2
，則於步驟S4中根據上述比率而算出第一配線電阻值RW1
。因此，可避免第一配線電阻值RW1
對於溫度感測器92之電阻值RT
之疊加。
而且，例如當第一配線93之配線長度為第二配線95之配線長度之2倍時，第二配線電阻值RW2
之變化量相對於第一配線電阻值RW1
之變化量之比率為固定且為1/2。即便於上述情形時，亦可與上述同樣地避免第一配線電阻值RW1
對於溫度感測器92之電阻值RT
之疊加。
於以上之實施形態中，於物理量計測裝置90中形成有作為物理量之玻璃基板G之溫度，但亦可利用該物理量計測裝置90計測其他物理量。即，代替使用溫度感測器92作為物理量感測器，亦可使用其他物理量感測器。
例如當使用熱流量計作為物理量感測器時，可於物理量計測裝置90中計測處理氛圍之氣體流量及流速。而且，當使用熱壓力計或電阻式壓力計作為物理量感測器時，可計測處理氛圍之壓力。而且，當使用電阻式應變計作為物理量感測器時，可計測玻璃基板G之應變。而且，當使用電阻式加速度計作為物理量感測器時，可計測正於搬送輥R上搬送之玻璃基板G之搖晃。
當使用如此般電阻值根據物理量之變化而變化之物理量感測器時，若如本發明般使用虛設感測器94與第二配線95，則可避免第一配線電阻值RW1
對於物理量感測器之電阻值之疊加。故，可適當地測定物理量感測器之電阻值，從而可適當地計測物理量。
於以上之實施形態中，對使用玻璃基板G作為被處理體之情形進行了說明，對於玻璃基板G以外之其他被處理體亦可應用本發明。亦可對例如半導體晶片或光罩用之標線片等其他被處理體應用本發明。尤其半導體晶片近年來大型化，設置於該半導體晶片上之第一配線93之配線長度亦變長。因此，避免第一配線電阻值RW1
之疊加變得更加困難。因而，對如此之大型之半導體晶片應用本發明較有用。此外，亦可對如此之成品基板以外之被處理體例如虛設基板等應用本發明。
而且，於以上之實施形態中，對於塗佈顯影處理系統1中對玻璃基板G進行光微影處理之情形進行了說明，但當進行其他處理時亦可應用本發明。例如於回流焊爐中對印刷基板進行處理時亦可應用本發明。
以上，參照附圖對本發明之較佳之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述例。本領域技術人員應明白可於申請專利範圍記載之思想範疇內，想到各種變更例或修正例，應理解為該些亦當然屬於本發明之技術範圍內。
以下，列舉比較例對當使用本發明之物理量計測裝置時，適當地計測物理量之效果進行說明。於本實施例與比較例中，將玻璃基板G搬送至圖2所示之加熱處理裝置22，計測該玻璃基板G之溫度。加熱處理裝置22之腔室70內之溫度設定為130℃。而且，被處理體之玻璃基板G具有俯視時為3000 mm×3000 mm之大小之四邊形狀。根據同時製造之液晶面板之獲取數量，玻璃基板G不僅大小改變，有時亦具有長方形狀。
於本實施例中，使用圖3所示之物理量計測裝置90。溫度感測器92使用RTD，於玻璃基板G上配置16件溫度感測器92。而且，虛設感測器94使用TCR為5 ppm之微電阻，且配置成與各溫度感測器92鄰接。第一配線93與第二配線95分別使用以PTFE(polytetra-fluoroethylene，聚四氟乙烯)被覆直徑為0.4 mm之銅線所得之線。而且，第一配線93與第二配線分別平行地配置。
然後，所有溫度感測器92進入至腔室70內後，進行上述步驟S1~S6，計測各溫度感測器92中之溫度。將其結果示於圖7。
圖7(a)之橫軸表示時間，縱軸表示各溫度感測器92中之溫度。圖7(b)係放大圖7(a)之一部分所得。參照圖7，所有溫度感測器92之溫度於129.95℃~130.05℃之範圍內，與玻璃基板G之實際溫度130℃之差異為±0.05℃。故，於本實施例中可適當地計測玻璃基板G之溫度。
另一方面，於比較例中，使用圖9所示之計測裝置510。感測器511使用RTD，於玻璃基板G上配置16件感測器511。配線513使用以PTFE被覆直徑為0.4 mm之銅線所得之線。
然後，所有感測器511進入至腔室500內後計測各感測器511中之溫度。將其結果示於圖8。
圖8(a)之橫軸表示時間，縱軸表示各感測器511中之溫度。圖8(b)係放大圖8(a)之一部分所得。參照圖8，所有感測器511之溫度於130℃~137℃之範圍內，與玻璃基板G之實際溫度130℃之差異為7℃。故，無法根據上述比較例適當地計測玻璃基板G之溫度。認為其原因在於：如上述般配線513之電阻值疊加於感測器511之電阻值。
據上可知：根據本發明，避免第一配線93之電阻值RW1
對於溫度感測器92之電阻值RT
之疊加，而可適當地計測玻璃基板G之溫度。
1．．．塗佈顯影處理系統
22、26、32．．．加熱處理裝置
70．．．腔室
90．．．物理量計測裝置
91．．．計測電路
92．．．溫度感測器
93．．．第一配線
94．．．虛設感測器
95．．．第二配線
100．．．控制部
A、B．．．搬送線
G．．．玻璃基板
R．．．搬送輥
T1
．．．腔室內之氛圍
T2
．．．腔室外之氛圍
圖1係表示對設置有本實施形態之物理量計測裝置之玻璃基板進行處理之塗佈顯影處理系統之構成之概要的俯視圖。
圖2係表示加熱處理裝置之構成之概要之縱剖面圖。
圖3係表示加熱處理裝置及物理量計測裝置之構成之概要之橫剖面圖。
圖4係表示計測玻璃基板之溫度之方法中之各步驟之流程圖。
圖5係表示其他實施形態之物理量計測裝置之構成之概要之俯視圖。
圖6係表示其他實施形態之物理量計測裝置之構成之概要之俯視圖。
圖7(a)係計測本實施例中之玻璃基板之溫度所得之圖表，(b)係放大圖7(a)之一部分所得之圖表。
圖8(a)係計測比較例中之玻璃基板之溫度所得之圖表，(b)係放大圖8(a)之一部分所得之圖表。
圖9係表示先前之加熱處理裝置及計測裝置之構成之概要之橫剖面圖。
22．．．加熱處理裝置
70．．．腔室
71．．．搬入口
90．．．物理量計測裝置
91．．．計測電路
92．．．溫度感測器
93．．．第一配線
94．．．虛設感測器
95．．．第二配線
A．．．搬送線
G．．．玻璃基板
R．．．搬送輥
T1
．．．腔室內之氛圍
T2
．．．腔室外之氛圍
Claims (13)
- 一種物理量計測裝置，其特徵在於：其係設置於被處理體之表面，且計測於溫度變化之氛圍中處理被處理體時之物理量者；且包含：物理量感測器，其電阻值根據上述物理量之變化而變化；虛設感測器，其具有預先規定之電阻值，且電阻值相對於上述物理量之變化的變化量小於上述物理量感測器之電阻值相對於上述物理量之變化的變化量；第一配線，其將上述物理量感測器與計測電路連接；及第二配線，其將上述虛設感測器與上述計測電路連接；其中上述第一配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量與上述第二配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量的比率為固定；上述第一配線與上述第二配線係至少於被處理體一面被搬送一面被進行熱處理之搬送方向上延伸；於被處理體之搬送中，上述第一配線與上述第二配線分別配置於相同之溫度環境下；上述物理量係被處理體之溫度、或上述氛圍之氣體流量及流速；且上述物理量感測器係計測被處理體之溫度的溫度感測器、或是計測氣體流量及流速的熱流量計。
- 如請求項1之物理量計測裝置，其中上述第一配線之電 阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量與上述第二配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量相同。
- 如請求項2之物理量計測裝置，其中上述第一配線之剖面積與上述第二配線之剖面積相同；上述第一配線與上述第二配線分別平行地配置。
- 如請求項1至3中任一項之物理量計測裝置，其中上述熱處理為光微影處理中之熱處理。
- 如請求項1至3中任一項之物理量計測裝置，其中上述被處理體為平板顯示器用基板。
- 如請求項4之物理量計測裝置，其中上述被處理體為平板顯示器用基板。
- 一種物理量計測裝置，其特徵在於：其係設置於被處理體之表面，且計測於被處理體之搬送方向上在溫度變化之氛圍中一面搬送該被處理體一面進行處理時之物理量者；且包含：物理量感測器，其電阻值根據上述物理量之變化而變化；虛設感測器，其具有預先規定之電阻值，且電阻值相對於上述物理量之變化的變化量小於上述物理量感測器之電阻值相對於上述物理量之變化的變化量；第一配線，其將上述物理量感測器與計測電路連接；及第二配線，其將上述虛設感測器與上述計測電路連接；其中上述第一配線之材質與上述第二配線之材質相同； 上述第一配線之長度與上述第二配線之長度相同；上述第一配線之剖面積與上述第二配線之剖面積相同；上述第一配線與上述第二配線至少於被處理體之搬送方向上延伸，且分別平行地配置；上述物理量係被處理體之溫度、或上述氛圍之氣體流量及流速；且上述物理量感測器係計測被處理體之溫度的溫度感測器、或是計測氣體流量及流速的熱流量計。
- 一種物理量計測方法，其特徵在於：其係使用設置於被處理體之表面之物理量計測裝置，計測於溫度變化之氛圍中處理被處理體時之物理量者；且上述物理量計測裝置包含：物理量感測器，其電阻值根據上述物理量之變化而變化；虛設感測器，其具有預先規定之電阻值，且電阻值相對於上述物理量之變化的變化量小於上述物理量感測器之電阻值相對於上述物理量之變化的變化量；第一配線，其將上述物理量感測器與計測電路連接；及第二配線，其將上述虛設感測器與上述計測電路連接；其中上述第一配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量與上述第二配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量的比率為固定； 上述氛圍之溫度於被處理體之搬送方向上變化，且上述第一配線與上述第二配線至少於被處理體之搬送方向上延伸；於被處理體之搬送中，上述第一配線與上述第二配線分別處於相同之溫度環境下；上述物理量係被處理體之溫度、或上述氛圍之氣體流量及流速；上述物理量感測器係計測被處理體之溫度的溫度感測器、或是計測氣體流量及流速的熱流量計；且將被處理體一面搬送一面進行熱處理；上述物理量計測方法係將上述第一配線與上述第二配線分別配置於上述氛圍中；於上述計測電路中，測定包含上述物理量感測器之電阻值與上述第一配線之電阻值之第一電阻值；於上述計測電路中，測定包含上述虛設感測器之電阻值與上述第二配線之電阻值之第二電阻值；自上述第二電阻值減去上述虛設感測器之電阻值，而算出上述第二配線之電阻值；根據上述第二配線之電阻值算出上述第一配線之電阻值；自上述第一電阻值減去上述第一配線之電阻值，而算出上述物理量感測器之電阻值；根據上述物理量感測器之電阻值計測上述物理量。
- 如請求項8之物理量計測方法，其中上述第一配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量與上述第二配線之電阻值相對於被處理體之溫度變化之變化量相同。
- 如請求項9之物理量計測方法，其中上述第一配線之剖面積與上述第二配線之剖面積相同；上述第一配線與上述第二配線分別平行地配置。
- 如請求項8至10中任一項之物理量計測方法，其中上述熱處理為光微影處理中之熱處理。
- 如請求項8至10中任一項之物理量計測方法，其中上述被處理體為平板顯示器用基板。
- 如請求項11之物理量計測方法，其中上述被處理體為平板顯示器用基板。
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