CN102564631B - 物理量测量装置及物理量测量方法 - Google Patents

物理量测量装置及物理量测量方法 Download PDF

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Abstract

本发明确切地测量在温度变化的氛围中处理被处理体时的物理量。物理量测量装置(90)设置在玻璃基板G的表面。物理量测量装置(90)包含：测量电路(91)；温度传感器(92)，其电阻值根据玻璃基板G的温度变化而变化；第一布线(93)，其将测量电路(91)与温度传感器(92)连接；虚拟传感器(94)，其具有预先规定的电阻值，且电阻值相对于玻璃基板G的温度变化的变化量比温度传感器(92)的电阻值相对于玻璃基板G的温度变化的变化量小；及第二布线(95)，其将测量电路(91)与虚拟传感器(94)连接。第一布线(93)的电阻值相对于玻璃基板G的温度变化的变化量与第二布线(95)的电阻值相对于玻璃基板G的温度变化的变化量的比率为固定。

Description

物理量测量装置及物理量测量方法
技术领域
本发明涉及一种设置在被处理体的表面、且测量在温度变化的氛围中处理被处理体时的物理量的物理量测量装置，及使用该物理量测量装置的物理量测量方法。
背景技术
例如在平板显示器的制造过程中的光刻步骤中，进行在平板显示器用的玻璃基板上形成抗蚀膜的抗蚀剂涂布处理、使特定图案曝光在抗蚀膜上的曝光处理、使所曝光的抗蚀膜显影的显影处理、玻璃基板的热处理等各种处理。
所述抗蚀膜的特定图案是规定底层的被处理膜的图案形状，需要以严格的尺寸来形成。因此，需要确切地进行所述各处理，例如在热处理中需要严密地管理玻璃基板的温度或处理氛围的压力等。因此，要对这些温度或压力等物理量进行测量。
所述物理量的测量利用设置在例如玻璃基板上的测量装置来进行。具体来说，作为测量装置，例如将如热敏电阻等这样电阻值根据物理量的变化而变化的传感器、通过测定电阻值而测量物理量的测量电路、将传感器与测量电路连接的布线等设置在玻璃基板上(专利文献1)。
[背景技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开平6-163340号公报
发明内容
此处，在玻璃基板的光刻处理中，例如在多个搬送辊上对搬送中的玻璃基板进行特定处理。而且，例如当对玻璃基板进行热处理时，例如如图9所示多个搬送辊R上的玻璃基板G被搬送至热处理装置的腔室500内，在该腔室500内对搬送中的玻璃基板G进行热处理。此时，腔室500内的氛围T1的温度例如为130℃，腔室500外的氛围T2的温度变为例如室温23℃。
而且，例如为了测量玻璃基板G的温度，如所述专利文献1般，在玻璃基板G的表面设置测量装置510。测量装置510包含传感器511、测量电路512及布线513。布线513具有分别连接于例如传感器511的两端部的2条线的布线(未图示)。而且，布线513在例如玻璃基板G的搬送方向上延伸。
然而，在所述情况下，布线513的电阻值叠加于传感器511的电阻值，而无法在测量电路512中确切地测量玻璃基板G的温度。
而且，也考虑推定布线513的电阻值，从测量电路512中测定的电阻值中减去该布线513的电阻值而测定传感器511的电阻值，但难以推定布线513的电阻值。例如当玻璃基板G被搬送至腔室500内时，虽然玻璃基板G的前端部侧处于腔室500内，但玻璃基板G的末端部侧位于腔室500外。如此一来，在布线513中，前端部513a、中央部513b、末端部513c的温度各不相同。例如前端部513a升温至130℃，末端部513c为23℃，中央部513b成为23℃～130℃之间的温度，例如为80℃。而且，随着玻璃基板G被搬送，前端部513a、中央部513b、末端部513c的范围或温度发生变化，因此布线513的电阻值也发生变化。因此，推定布线513的电阻值变得困难。如此一来，即便从测量电路512中测定的电阻值中减去布线513的电阻值，也无法确切地测定传感器511的电阻值。所以，无法避免布线513的电阻值的叠加，而将玻璃基板G的温度测量成高于实际温度的温度，从而无法确切地测量。
而且，随着近年来的玻璃基板G的大型化，设置在该玻璃基板G上的布线513也变长，因此成为更难避免如此的布线513的电阻值的叠加的状况。
此外，存在例如利用未呈直线状延伸而蜿蜒的布线514来连接传感器511与测量电路512的情况。布线514具有分别连接于例如传感器511的两端部的2条线的布线(未图示)。在所述情况下，即便布线514具有与布线513相同的布线长度，由于这些布线514与布线513所配置的温度环境不同，所以布线514的电阻值与布线513的电阻值也不同。因此，难以推定布线514的电阻值，而难以避免布线514的电阻值的叠加。因此，无法确切地测量玻璃基板G的温度。
另外，为了抑制如所述般的布线513、514的电阻值的叠加，也考虑将该布线513、514分别设为4条线的布线。即，为了测定传感器511的电阻值，将具有相比于传感器511而为极高的电阻值的电压测定部连接于该传感器511。然后，使恒定电流流经传感器511，电压测定部测定传感器511的电阻值。然而，在所述情况下，玻璃基板G上的测量电路512的构成变得复杂，而且测量电路512中的开关的切换等控制变得复杂。此外，在高温环境下，电压测定部中的电阻值降低，因此无法确切地测定传感器511的电阻值。
本发明是鉴于所述方面而完成的，其目的在于确切地测量在温度变化的氛围中处理被处理体时的物理量。
为了达成所述目的，本发明是一种物理量测量装置，其特征在于：其设置在被处理体的表面，且测量在温度变化的氛围中处理被处理体时的物理量，且包含：物理量传感器，其电阻值根据所述物理量的变化而变化；虚拟传感器，其具有预先规定的电阻值，且电阻值相对于所述物理量的变化的变化量比所述物理量传感器的电阻值相对于所述物理量的变化的变化量小；第一布线，其将所述物理量传感器与测量电路连接；及第二布线，其将所述虚拟传感器与所述测量电路连接；所述第一布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量与所述第二布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量的比率为固定。
根据本发明，在测量电路中，测定包含物理量传感器的电阻值与第一布线的电阻值的第一电阻值。而且，在测量电路中，测定包含虚拟传感器的电阻值与第二布线的电阻值的第二电阻值。而且，从第二电阻值中减去虚拟传感器的电阻值，算出第二布线的电阻值。此时，虚拟传感器具有预先规定的电阻值，且电阻值相对于物理量的温度变化的变化量比物理量传感器的电阻值相对于物理量的温度变化的变化量小，因此可确切地算出第二布线的电阻值。而且，第一布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量与第二布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量的比率为固定，因此根据所述所算出的第二布线的电阻值，可算出第一布线的电阻值。然后，从测量电路中测定的第一电阻值中减去所述所算出的第一布线的电阻值，算出物理量传感器的电阻值。如此一来，根据该物理量传感器的电阻值，可确切地测量物理量。
所述第一布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量与所述第二布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量也可以相同。在所述情况下，所述第一布线的截面积与所述第二布线的截面积也可以相同，所述第一布线与所述第二布线也可以分别平行地配置。另外，在本发明中，就第一布线与第二布线的电阻值的变化量的“相同”的比率而言，除完全相同的值的比率以外，也包含稍有不同但在误差范围内的比率。同样地，就第一布线与第二布线的“相同”的截面积而言，除完全相同的截面积以外，也包含稍有不同但在误差范围内的截面积。
所述第一布线与所述第二布线至少在一边搬送被处理体一边进行热处理的搬送方向上延伸，在被处理体的搬送中，所述第一布线与所述第二布线也可以分别配置在相同的温度环境下。
所述热处理也可以是光刻处理中的热处理。
所述被处理体也可以是平板显示器用基板。
所述物理量是被处理体的温度，所述物理量传感器也可以是温度传感器。
根据其他观点的本发明是一种物理量测量装置，其特征在于：其设置在被处理体的表面，测量在被处理体的搬送方向上温度发生变化的氛围中一边搬送该被处理体一边进行处理时的物理量，且包含：物理量传感器，其电阻值根据所述物理量的变化而变化；虚拟传感器，其具有预先规定的电阻值，且电阻值相对于所述物理量的变化的变化量比所述物理量传感器的电阻值相对于所述物理量的变化的变化量小；第一布线，其将所述物理量传感器与测量电路连接；及第二布线，其将所述虚拟传感器与所述测量电路连接；所述第一布线的材质与所述第二布线的材质相同，所述第一布线的长度与所述第二布线的长度相同，所述第一布线的截面积与所述第二布线的截面积相同，所述第一布线与所述第二布线至少在被处理体的搬送方向上延伸，且分别平行地配置。
而且，根据其他观点的本发明是一种物理量测量方法，其特征在于：利用设置在被处理体的表面的物理量测量装置，来测量在温度变化的氛围中处理被处理体时的物理量，所述物理量测量装置包含：物理量传感器，其电阻值根据所述物理量的变化而变化；虚拟传感器，其具有预先规定的电阻值，且电阻值相对于所述物理量的变化的变化量比所述物理量传感器的电阻值相对于所述物理量的变化的变化量小；第一布线，其将所述物理量传感器与测量电路连接；及第二布线，其将所述虚拟传感器与所述测量电路连接；所述第一布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量与所述第二布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量的比率为固定，所述物理量测量方法是将所述第一布线与所述第二布线分别配置在所述氛围中，在所述测量电路中，测定包含所述物理量传感器的电阻值与所述第一布线的电阻值的第一电阻值，在所述测量电路中，测定包含所述虚拟传感器的电阻值与所述第二布线的电阻值的第二电阻值，从所述第二电阻值中减去所述虚拟传感器的电阻值，而算出所述第二布线的电阻值，根据所述第二布线的电阻值，算出所述第一布线的电阻值，从所述第一电阻值中减去所述第一布线的电阻值，而算出所述物理量传感器的电阻值，根据所述物理量传感器的电阻值测量所述物理量。
所述第一布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量与所述第二布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量也可以相同。在所述情况下，所述第一布线的截面积与所述第二布线的截面积也可以相同，所述第一布线与所述第二布线也可以平行地配置。
一边搬送被处理体一边进行热处理，所述氛围的温度在被处理体的搬送方向上发生变化，且所述第一布线与所述第二布线至少在被处理体的搬送方向上延伸，在被处理体的搬送中，所述第一布线与所述第二布线也可以分别处于相同的温度环境下。
所述热处理也可以是光刻处理中的热处理。
所述被处理体也可以是平板显示器用基板。
所述物理量是被处理体的温度，所述物理量传感器也可以是温度传感器。
[发明的效果]
根据本发明，可确切地测量在温度变化的氛围中处理被处理体时的物理量。
附图说明
图1是表示对设置着本实施方式的物理量测量装置的玻璃基板进行处理的涂布显影处理系统的构成的概要的俯视图。
图2是表示加热处理装置的构成的概要的纵剖面图。
图3是表示加热处理装置及物理量测量装置的构成的概要的横剖面图。
图4是表示测量玻璃基板的温度的方法中的各步骤的流程图。
图5是表示其他实施方式的物理量测量装置的构成的概要的俯视图。
图6是表示其他实施方式的物理量测量装置的构成的概要的俯视图。
图7(a)是测量本实施例中的玻璃基板的温度所得的图表，(b)是放大图7(a)的一部分所得的图表。
图8(a)是测量比较例中的玻璃基板的温度所得的图表，(b)是放大图8(a)的一部分所得的图表。
图9是表示现有的加热处理装置及测量装置的构成的概要的横剖面图。
[符号的说明]
1             涂布显影处理系统
22、26、32    加热处理装置
70            腔室
90            物理量测量装置
91            测量电路
92            温度传感器
93            第一布线
94            虚拟传感器
95            第二布线
100     控制部
A、B    搬送线
G       玻璃基板
R       搬送辊
T1      腔室内的氛围
T2      腔室外的氛围
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。图1是表示涂布显影处理系统1的构成的概要的俯视图，该涂布显影处理系统1对设置着本实施方式的物理量测量装置的作为被处理体的玻璃基板进行处理。另外，在本实施方式中，对物理量测量装置测定作为物理量的玻璃基板G的温度的情况进行说明。而且，玻璃基板G是平板显示器用的基板，具有例如俯视时为3000mm×3000mm的四边形状。
如图1所示，涂布显影处理系统1例如具有一体地连接着如下各部的构成：用于将多个玻璃基板G以卡匣为单位而相对于外部搬入搬出的卡匣台2，配置着在光刻步骤中单片式地实施特定处理的各种处理装置的处理台3，及与处理台3邻接设置且在处理台3与曝光装置4之间进行玻璃基板G的交接的接口台5的构成。
在卡匣台2中，设置着卡匣载置台10，该卡匣载置台10使多个卡匣C在X方向(图1中的上下方向)上载置自如地排成一列。在卡匣台2中，设置着在搬送路径11上可朝着X方向移动的基板搬送体12。基板搬送体12也可在收纳于卡匣C中的玻璃基板G的排列方向(Z方向：铅直方向)上自如移动，可对排列在X方向上的各卡匣C内的玻璃基板G选择性地进行存取。
基板搬送体12可在绕着Z轴的θ方向上旋转，也可相对于下述的处理台3侧的准分子UV(ultraviolet，紫外线)照射装置20或冷却处理装置33进行存取。
处理台3具备例如在Y方向(图1的左右方向)上延伸的2列搬送线A、B。搬送线A配置在处理台3的正面侧(X方向负方向侧(图1的下侧))，搬送线B配置在处理台3的背面侧(X方向正方向侧(图1的上方侧))。
如图2及图3所示，在搬送线A上，在沿着搬送线A的方向上并排配置着搬送辊R。各搬送辊R以在与沿着搬送线A的方向成直角的方向上延伸的中心轴为旋转轴而旋转自如地构成。而且，在多个搬送辊R中的至少一个搬送辊R中，设置着内置例如电动机等的驱动机构(未图示)。而且，利用这些搬送辊R，可在水平方向上直线地搬送玻璃基板G。另外，图2及图3对下述加热处理装置22的周边进行了图示，所述多个搬送辊R配置在图1所示的装置20～28间。而且，在搬送线B上，也配置着所述构成的多个搬送辊R。
如图1所示，在搬送线A上，从卡匣台2侧朝向接口台5侧，依序将如下各部呈直线地配置成一列：例如去除玻璃基板G上的有机物的准分子UV照射装置20，清洗玻璃基板G的洗涤清洗装置21，对玻璃基板G进行加热处理的作为热处理装置的加热处理装置22，对玻璃基板G进行冷却处理的冷却处理装置23，对玻璃基板G涂布抗蚀液的抗蚀剂涂布处理装置24，减压干燥玻璃基板G的减压干燥装置25，加热处理装置26，冷却处理装置27及使玻璃基板G暂时待机的外部平台28。
在搬送线B上，从接口台5侧朝向卡匣台2侧，依序将如下各部呈直线状地配置成一列：例如对玻璃基板G进行显影处理的显影处理装置30，进行玻璃基板G的脱色处理的i射线UV照射装置31，加热处理装置32及冷却处理装置33。
在搬送线A的外部平台28与搬送线B的显影处理装置30之间，设置着进行它们之间的玻璃基板G的搬送的搬送体40。该搬送体40也可将玻璃基板G对于下述的接口台5的延伸(extension)冷却装置60来搬送。
在接口台5中，设置着例如具有冷却功能且进行玻璃基板G的交接的延伸冷却装置60、暂时收纳玻璃基板G的缓存卡匣61、及外部装置块62。在外部装置块62中，设置着使生产管理用的编码曝光在玻璃基板G上的刻号机(titler)及使玻璃基板G的周边部曝光的周边曝光装置。在接口台5中，设置着可对于所述延伸冷却装置60、缓存卡匣61、外部装置块62及曝光装置4来搬送玻璃基板G的基板搬送体63。
接下来，对所述加热处理装置22、26、32的构成进行说明。如图2及图3所示，加热处理装置22具有腔室70。腔室70设置成覆盖沿着搬送线A设置的多个搬送辊R中的一部分搬送辊R。在腔室70的上游侧的侧面形成着玻璃基板G的搬入口71，在腔室70的下游侧的侧面形成着玻璃基板G的搬出口72。在搬入口71与搬出口72，分别设置着开闭闸门(未图示)。
在腔室70的内部且搬送辊R的上方，配置着热板80。在热板80的内部，设置着例如通过供电而发热的发热器81，可将热板80调解为特定的设定温度。而且，热板80在玻璃基板G的宽度方向上延伸，可从正面侧来加热正在搬送辊R上搬送的玻璃基板G。另外，在加热处理装置22中，连接着对内部氛围进行排气的排气管(未图示)。而且，在图示的例子中，热板80从正面侧加热玻璃基板G，但也可以从背面侧加热玻璃基板G。即，热板既可配置在高度与搬送辊R相同的位置上，或者也可配置在搬送辊R的下方。此外，还可通过在两边配置这些热板，而从表面与背面两侧来加热玻璃基板G。
腔室70内的氛围T1的温度通过热板80而成为例如130℃。而且，腔室70外的氛围T2的温度成为例如23℃。而且，在加热处理装置22中，在搬送辊R上一边搬送玻璃基板G，一边对该玻璃基板G进行加热处理。因此，当玻璃基板G被搬送至腔室70时，玻璃基板G的周边的氛围的温度在该玻璃基板G的搬送方向上发生变化。
另外，由于加热处理装置26、32的构成与所述加热处理装置22相同，所以省略说明。
接下来，对设置在玻璃基板G的表面且测量作为物理量的玻璃基板G的温度的物理量测量装置进行说明。如图3所示，物理量测量装置90包含具备例如处理器、存储器、放大器、开关等的测量电路91。另外，利用测量电路91测定的电阻值等数据既可保存在该测量电路91内的存储器中，也可例如通过无线而从测量电路91输出至外部的电脑等。
物理量测量装置90包含电阻值根据玻璃基板G的温度变化而变化的作为物理量传感器的温度传感器92。就温度传感器92而言，例如使用测温电阻元件(RTD：ResistanceTemperature Detector，电阻测温计)或热敏电阻等。而且，温度传感器92的电阻温度系数(TCR：Temperature Coefficient of Resistance)例如为3850ppm，例如130℃时的温度传感器92的电阻值是1500Ω。而且，温度传感器92在玻璃基板G的温度的测定点配置着多个。测量电路91与温度传感器92通过第一布线93而连接。第一布线93具有例如分别连接于温度传感器92的两端部的2条线的布线(未图示)。而且，第一布线93在例如玻璃基板G的搬送方向(沿着搬送线A的方向)上呈直线状地延伸。此外，就第一布线93而言，例如使用铜线。在所述情况下，第一布线93的TCR例如为4330ppm。
而且，在温度传感器92的附近设置着虚拟传感器94。就虚拟传感器94而言，例如使用微电阻。而且，虚拟传感器94具有预先规定的电阻值，例如1000Ω。而且，虚拟传感器94的电阻值相对于玻璃基板G的温度变化的变化量比温度传感器92的电阻值相对于玻璃基板G的温度变化的变化量小。就虚拟传感器94而言，更优选使用电阻值相对于玻璃基板G的温度变化几乎未发生变化，即TCR为0ppm或极小的电阻器。测量电路91与虚拟传感器94通过第二布线95而连接。第二布线95具有例如分别连接于虚拟传感器94的两端部的2条线的布线(未图示)。而且，第二布线95在例如玻璃基板G的搬送方向(沿着搬送线A的方向)上呈直线状地延伸。此外，就第二布线95而言，例如使用铜线。在所述情况下，第二布线95的TCR例如为4330ppm。另外，虚拟传感器94中的预先规定的电阻值并不限定于本实施方式的形态，可采用0Ω以上的各值。
这样，第一布线93与第二布线95分别平行地配置，它们的长度相同。而且，第一布线93的截面积与第二布线95的截面积也相同。此外，第一布线93的材质与第二布线95的材质也相同。而且，第一布线93与第二布线95在玻璃基板G的搬送方向上配置在相同的温度环境下。因此，第一布线93的第一布线电阻值RW1相对于玻璃基板G的温度变化的变化量与第二布线95的第二布线电阻值RW2相对于玻璃基板G的温度变化的变化量相同。也就是，不管玻璃基板G的温度变化如何，第一布线电阻值RW1与第二布线电阻值RW2都相同。另外，就这些第一布线电阻值RW1与第二布线电阻值RW2的“相同”而言，除完全相同的值的电阻值以外，也包含稍有不同但在误差的范围内的电阻值。
如图1所示，在以上的涂布显影处理系统1中设置着控制部100。控制部100例如为电脑，其具有程序存储部(未图示)。在程序存储部中存储着执行涂布显影处理系统1中的基板处理的程序。而且，在程序存储部中也存储着执行物理量测量装置90中的物理量的测量的程序。另外，所述程序是记录在例如电脑可读的硬盘(HD，Hard Disk)、软盘(FD，Flexible Disk)、光盘(CD，Compact Disc)、磁光盘(MO，Magneto Optical)、内存卡等电脑可读的存储媒体H中，也可从所述存储媒体H安装在控制部100中。
接下来，对利用如所述般构成的涂布显影处理系统1进行的玻璃基板G的基板处理进行说明。
首先，卡匣台2的卡匣C内的多个玻璃基板G由基板搬送体12依次搬送至处理台3的准分子UV照射装置20。玻璃基板G沿着直线的搬送线A搬送，依序被搬送至准分子UV照射装置20、洗涤清洗装置21、加热处理装置22、冷却处理装置23、抗蚀剂涂布处理装置24、减压干燥装置25、加热处理装置26及冷却处理装置27，在各处理装置中实施特定的处理。已结束冷却处理的玻璃基板G被搬送至外部平台28。然后，玻璃基板G由搬送体40搬送至接口台5，且由基板搬送体63搬送至曝光装置4。
已在曝光装置4中结束曝光处理的玻璃基板G利用基板搬送体63而返回至接口台5，并由搬送体40搬送至处理台3的显影处理装置30。玻璃基板G沿着直线的搬送线B而搬送，依序被搬送至显影处理装置30、i射线UV照射装置31、加热处理装置32与冷却处理装置33，在各处理装置中实施特定的处理。已在冷却处理装置33中结束冷却处理的玻璃基板G利用基板搬送体12而返回至卡匣台2的卡匣C，从而一连串的光刻步骤结束。
接下来，对在所述加热处理装置22、26、32中加热处理玻璃基板G时，利用物理量测量装置90测量玻璃基板G的温度的方法进行说明。图4是表示测量玻璃基板G的温度的方法中的主要步骤的流程图。另外，在本实施方式中，对例如图3所示般玻璃基板G的前端部侧处于腔室70内，而玻璃基板G的末端部侧在腔室70外的情况进行说明。在所述情况下，在玻璃基板G的搬送方向上氛围的温度变化，该玻璃基板G的温度也在搬送方向上发生变化。
首先，在测量电路91中，测定包含温度传感器92的电阻值RT与第一布线93的第一布线电阻值RW1的第一电阻值R1(图4的步骤S1)。也就是，第一电阻值R1由下述式(1)表示。而且，在测量电路中，测定包含虚拟传感器94的电阻值RD与第二布线95的第二布线电阻值RW2的第二电阻值R2(图4的步骤S2)。也就是，第二电阻值R2由下述式(2)表示。
R1＝RT+RW1····(1)
R2＝RD+RW2····(2)
此处，虚拟传感器94的电阻值RD是预先规定的电阻值，TCR较小，且电阻值相对于玻璃基板G的温度变化几乎未发生变化。所以，若根据所述(2)，从第二电阻值R2中减去虚拟传感器94的电阻值RD，则不管玻璃基板G的温度变化如何都可确切地算出第二布线电阻值RW2(图4的步骤S3)。
而且，由于不管玻璃基板G的温度变化如何，第一布线电阻值RW1与第二布线电阻值RW2均为相同的值，所以可根据所述算出的第二布线电阻值RW2算出第一布线电阻值RW1(图4的步骤S4)。然后，根据所述式(1)，从第一电阻值R1中减去第一布线电阻值RW1，而算出温度传感器92的电阻值RT(图4的步骤S5)。然后，可根据该温度传感器的电阻值RT，而确切地测量玻璃基板G的温度(图4的步骤S6)。
如所述般，根据本实施方式，通过使用虚拟传感器94与第二布线95，可避免第一布线电阻值RW1对于温度传感器92的电阻值RT的叠加。尤其即便在玻璃基板G大型化，而伴随玻璃基板G的搬送的第一布线电阻值RW1的变化量较大的情况下，也可避免该第一布线电阻值RW1的叠加。因此，可确切地测定温度传感器92的电阻值RT，从而可确切地测量玻璃基板G的温度。
另外，虚拟传感器94的TCR越小越好，只要至少电阻值RD相对于玻璃基板G的温度变化的变化量比温度传感器92的电阻值RT相对于玻璃基板G的温度变化的变化量小，则在步骤S3中可比以前更确切地算出第二布线电阻值RW2。
在以上的实施方式中，虚拟传感器94针对每个温度传感器92而设置，当例如多个第一布线93的形状及配置相同时，也可针对多个温度传感器92中的每个而设置1个虚拟传感器94。在所述情况下，由于各第一布线93的第一布线电阻值RW1相同，所以在步骤S4中可根据1根第二布线95的第二布线电阻值RW2算出多个第一布线电阻值RW1。然后，在步骤S5中可确切地算出温度传感器92的电阻值RT，而可避免第一布线电阻值RW1对于温度传感器92的电阻值RT的叠加。
而且，在以上的实施方式中，第一布线93与第二布线95分别沿着玻璃基板G的搬送方向呈直线状地延伸，相对于玻璃基板G的温度变化的第一布线电阻值RW1与相对于玻璃基板G的温度变化的第二布线电阻值RW2是相同的值，但使这些布线电阻值RW1、RW2相同的构成并不限定于本实施方式。
例如图5所示，第一布线93与第二布线95也可各自蜿蜒，且分别平行地配置。即便在所述情况下，也可使相对于玻璃基板G的温度变化的第一布线电阻值RW1与相对于玻璃基板G的温度变化的第二布线电阻值RW2为相同的值，而可避免第一布线电阻值RW1对于温度传感器92的电阻值RT的叠加。
而且，例如图6所示，第一布线93与第二布线95也可各自蜿蜒，且线对称地配置。即便在所述情况下，也可使相对于玻璃基板G的温度变化的第一布线电阻值RW1与相对于玻璃基板G的温度变化的第二布线电阻值RW2为相同的值，而可避免第一布线电阻值RW1对于温度传感器92的电阻值RT的叠加。
在以上的实施方式中，相对于玻璃基板G的温度变化的第一布线电阻值RW1与相对于玻璃基板G的温度变化的第二布线电阻值RW2是相同的值，但只要第一布线电阻值RW1的变化量与第二布线电阻值RW2的变化量的比率为固定即可。
例如当第一布线93的截面积为第二布线95的截面积的2倍时，第二布线电阻值RW2的变化量相对于第一布线电阻值RW1的变化量的比率为固定且为1/2。在所述情况下，若在步骤S3中算出第二布线电阻值RW2，则在步骤S4中根据所述比率而算出第一布线电阻值RW1。因此，可避免第一布线电阻值RW1对于温度传感器92的电阻值RT的叠加。
而且，例如当第一布线93的布线长度为第二布线95的布线长度的2倍时，第二布线电阻值RW2的变化量相对于第一布线电阻值RW1的变化量的比率为固定且为1/2。即便在所述情况下，也可与所述同样地避免第一布线电阻值RW1对于温度传感器92的电阻值RT的叠加。
在以上的实施方式中，在物理量测量装置90中形成了作为物理量的玻璃基板G的温度，但也可利用该物理量测量装置90测量其他物理量。即，代替使用温度传感器92作为物理量传感器，也可使用其他物理量传感器。
例如当使用热流量计作为物理量传感器时，可在物理量测量装置90中测量处理氛围的气体流量及流速。而且，当使用热压力计或电阻式压力计作为物理量传感器时，可测量处理氛围的压力。而且，当使用电阻式应变计作为物理量传感器时，可测量玻璃基板G的应变。而且，当使用电阻式加速度计作为物理量传感器时，可测量正在搬送辊R上搬送的玻璃基板G的摇晃。
当使用如此般电阻值根据物理量的变化而变化的物理量传感器时，若如本发明那样使用虚拟传感器94与第二布线95，则可避免第一布线电阻值RW1对于物理量传感器的电阻值的叠加。所以，可确切地测定物理量传感器的电阻值，从而可确切地测量物理量。
在以上的实施方式中，对使用玻璃基板G作为被处理体的情况进行了说明，对于玻璃基板G以外的其他被处理体而言也可应用本发明。也可对例如半导体晶片或光罩用的标线片等其他被处理体应用本发明。尤其半导体晶片近年来大型化，设置在该半导体晶片上的第一布线93的布线长度也变长。因此，避免第一布线电阻值RW1的叠加变得更加困难。因而，对如此的大型的半导体晶片应用本发明较有用。此外，也可对如此的成品基板以外的被处理体例如虚拟基板等应用本发明。
而且，在以上的实施方式中，对在涂布显影处理系统1中对玻璃基板G进行光刻处理的情况进行了说明，但当进行其他处理时也可应用本发明。例如当在回流焊炉中对印刷基板进行处理时也可应用本发明。
以上，参照附图对本发明的较佳的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于所述例。本领域技术人员应明白可在权利要求范围记载的思想范畴内，想到各种变更例或修正例，应理解为这些也当然属于本发明的技术范围内。
[实施例]
以下，列举比较例对当使用本发明的物理量测量装置时，确切地测量物理量的效果进行说明。在本实施例与比较例中，将玻璃基板G搬送至图2所示的加热处理装置22，测量该玻璃基板G的温度。加热处理装置22的腔室70内的温度设定为130℃。而且，被处理体的玻璃基板G具有俯视时为3000mm×3000mm的大小的四边形状。根据同时制造的液晶面板的获取数量，玻璃基板G不仅大小改变，有时也具有长方形状。
在本实施例中，使用图3所示的物理量测量装置90。就温度传感器92而言，使用RTD，在玻璃基板G上配置16件温度传感器92。而且，就虚拟传感器94而言，使用TCR为5ppm的微电阻，且配置成与各温度传感器92邻接。就第一布线93与第二布线95而言，分别使用以PTFE(polytetra-fluoroethylene，聚四氟乙烯)被覆直径为0.4mm的铜线所得的线。而且，第一布线93与第二布线分别平行地配置。
然后，所有温度传感器92进入至腔室70内后，进行所述步骤S1～S6，测量各温度传感器92中的温度。将其结果示于图7。
图7(a)的横轴表示时间，纵轴表示各温度传感器92中的温度。图7(b)是放大图7(a)的一部分所得。参照图7，所有温度传感器92的温度在129.95℃～130.05℃的范围内，与玻璃基板G的实际温度130℃的差异为±0.05℃。所以，在本实施例中可确切地测量玻璃基板G的温度。
另一方面，在比较例中，使用图9所示的测量装置510。就传感器511而言，使用RTD，在玻璃基板G上配置16件传感器511。就布线513而言，使用以PTFE被覆直径为0.4mm的铜线所得的线。
然后，所有传感器511进入至腔室500内后测量各传感器511中的温度。将其结果示于图8。
图8(a)的横轴表示时间，纵轴表示各传感器511中的温度。图8(b)是放大图8(a)的一部分所得。参照图8，所有传感器511的温度在130℃～137℃的范围内，与玻璃基板G的实际温度130℃的差异为7℃。所以，无法根据所述比较例确切地测量玻璃基板G的温度。认为其原因在于：如所述那样布线513的电阻值叠加于传感器511的电阻值。
据上可知：根据本发明，避免第一布线93的电阻值RW1对于温度传感器92的电阻值RT的叠加，而可确切地测量玻璃基板G的温度。

Claims (13)

1.一种物理量测量装置，其特征在于：其设置在被处理体的表面，且测量在温度变化的氛围中处理被处理体时的物理量；且包含：
物理量传感器，其电阻值根据所述物理量的变化而变化；
虚拟传感器，其具有预先规定的电阻值，且电阻值相对于所述物理量的变化的变化量比所述物理量传感器的电阻值相对于所述物理量的变化的变化量小；
第一布线，其将所述物理量传感器与测量电路连接；及
第二布线，其将所述虚拟传感器与所述测量电路连接；
所述第一布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量与所述第二布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量的比率为固定；
所述第一布线与所述第二布线至少在一边搬送被处理体一边进行热处理的搬送方向上延伸；
在被处理体的搬送中，所述第一布线与所述第二布线分别配置在相同的温度环境下；
所述物理量是被处理体的温度，或是所述氛围的气体流量及流速；
所述物理量传感器是测定被处理体温度的温度传感器，或是测量气体流量及流速的热流量计。
2.根据权利要求1所述的物理量测量装置，其特征在于：
所述第一布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量与所述第二布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量相同。
3.根据权利要求2所述的物理量测量装置，其特征在于：
所述第一布线的截面积与所述第二布线的截面积相同；
所述第一布线与所述第二布线分别平行地配置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的物理量测量装置，其特征在于：
所述热处理是光刻处理中的热处理。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的物理量测量装置，其特征在于：
所述被处理体是平板显示器用基板。
6.根据权利要求4所述的物理量测量装置，其特征在于：
所述被处理体是平板显示器用基板。
7.一种物理量测量装置，其特征在于：其设置在被处理体的表面，且测量在被处理体的搬送方向上温度发生变化的氛围中一边搬送该被处理体一边进行处理时的物理量；且包含：
物理量传感器，其电阻值根据所述物理量的变化而变化；
虚拟传感器，其具有预先规定的电阻值，且电阻值相对于所述物理量的变化的变化量比所述物理量传感器的电阻值相对于所述物理量的变化的变化量小；
第一布线，其将所述物理量传感器与测量电路连接；及
第二布线，其将所述虚拟传感器与所述测量电路连接；
所述第一布线的材质与所述第二布线的材质相同；
所述第一布线的长度与所述第二布线的长度相同；
所述第一布线的截面积与所述第二布线的截面积相同；
所述第一布线与所述第二布线至少在被处理体的搬送方向上延伸，且分别平行地配置；
所述物理量是被处理体的温度，或是所述氛围的气体流量及流速；
所述物理量传感器是测定被处理体温度的温度传感器，或是测量气体流量及流速的热流量计。
8.一种物理量测量方法，其特征在于：其使用设置在被处理体的表面的物理量测量装置，来测量在温度变化的氛围中处理被处理体时的物理量；且
所述物理量测量装置包含：
物理量传感器，其电阻值根据所述物理量的变化而变化；
虚拟传感器，其具有预先规定的电阻值，且电阻值相对于所述物理量的变化的变化量比所述物理量传感器的电阻值相对于所述物理量的变化的变化量小；
第一布线，其将所述物理量传感器与测量电路连接；及
第二布线，其将所述虚拟传感器与所述测量电路连接；
所述第一布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量与所述第二布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量的比率为固定；
所述氛围的温度在被处理体的搬送方向上发生变化，且所述第一布线与所述第二布线至少在被处理体的搬送方向上延伸；
在被处理体的搬送中，所述第一布线与所述第二布线分别处于相同的温度环境下；
所述物理量是被处理体的温度，或是所述氛围的气体流量及流速；
所述物理量传感器是测定被处理体温度的温度传感器，或是测量气体流量及流速的热流量计；
一边搬送所述被处理体一边进行热处理；
所述物理量测量方法是
分别将所述第一布线与所述第二布线配置在所述氛围中；
在所述测量电路中，测定包含所述物理量传感器的电阻值与所述第一布线的电阻值的第一电阻值；
在所述测量电路中，测定包含所述虚拟传感器的电阻值与所述第二布线的电阻值的第二电阻值；
从所述第二电阻值中减去所述虚拟传感器的电阻值，而算出所述第二布线的电阻值；
根据所述第二布线的电阻值算出所述第一布线的电阻值；
从所述第一电阻值中减去所述第一布线的电阻值，而算出所述物理量传感器的电阻值；
根据所述物理量传感器的电阻值测量所述物理量。
9.根据权利要求8所述的物理量测量方法，其特征在于：
所述第一布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量与所述第二布线的电阻值相对于被处理体的温度变化的变化量相同。
10.根据权利要求9所述的物理量测量方法，其特征在于：
所述第一布线的截面积与所述第二布线的截面积相同；
所述第一布线与所述第二布线分别平行地配置。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的物理量测量方法，其特征在于：
所述热处理是光刻处理中的热处理。
12.根据权利要求8至10中任一项所述的物理量测量方法，其特征在于：
所述被处理体是平板显示器用基板。
13.根据权利要求11所述的物理量测量方法，其特征在于：
所述被处理体是平板显示器用基板。
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