JP3250285B2 - 情報計測手段を備えた被処理基板 - Google Patents
情報計測手段を備えた被処理基板Info
- Publication number
- JP3250285B2 JP3250285B2 JP31736792A JP31736792A JP3250285B2 JP 3250285 B2 JP3250285 B2 JP 3250285B2 JP 31736792 A JP31736792 A JP 31736792A JP 31736792 A JP31736792 A JP 31736792A JP 3250285 B2 JP3250285 B2 JP 3250285B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- information
- substrate
- circuit
- processed
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハーを用い
た半導体製造プロセス、あるいはガラス基板を用いた液
晶パネル製造プロセスにおける、半導体ウエハーあるい
はガラス基板などの被処理基板の表面状態である温度、
圧力、生成膜厚等を計測する方法、並びに被処理基板の
周囲環境である温度、圧力等を計測する方法、更には、
半導体ウエハーあるいはガラス基板などの被処理基板に
関する。
た半導体製造プロセス、あるいはガラス基板を用いた液
晶パネル製造プロセスにおける、半導体ウエハーあるい
はガラス基板などの被処理基板の表面状態である温度、
圧力、生成膜厚等を計測する方法、並びに被処理基板の
周囲環境である温度、圧力等を計測する方法、更には、
半導体ウエハーあるいはガラス基板などの被処理基板に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハーを用いた半導体製造プロ
セス、あるいはガラス基板を用いた液晶パネル製造プロ
セスにおける、半導体ウェハーあるいはガラス基板であ
る被処理基板の、表面の状態または周囲環境を示す情報
として、温度、圧力、ガス種、生成膜厚、プラズマパラ
メータ等が考えられる。
セス、あるいはガラス基板を用いた液晶パネル製造プロ
セスにおける、半導体ウェハーあるいはガラス基板であ
る被処理基板の、表面の状態または周囲環境を示す情報
として、温度、圧力、ガス種、生成膜厚、プラズマパラ
メータ等が考えられる。
【０００３】従来、プロセスの一部を構成する真空チャ
ンバーを持つ装置内部においてこれらの情報を計測する
には、固定式のセンサーを用い、かつそれに接続した電
気ケーブルで真空チャンバー外へ信号を取り出す方法が
一般的である。
ンバーを持つ装置内部においてこれらの情報を計測する
には、固定式のセンサーを用い、かつそれに接続した電
気ケーブルで真空チャンバー外へ信号を取り出す方法が
一般的である。
【０００４】図５は従来の真空チャンバー内の情報計測
装置図である。
装置図である。
【０００５】真空チャンバー３１内のウエハー３２は、
固定されたウエハーホルダーあるいは移動可能なウエハ
ーホルダー３３上にセットされ、ウエハー３２にはウエ
ハー表面の情報である温度、処理速度（生成膜厚等）、
プラズマパラメ−タ（フロ−ティングポテンシャル）等
を計測するセンサー３０が取り付けられている。センサ
ー３０が検出する情報は、センサー３０に接続した電気
ケーブル３５を通して、真空チャンバー３１の外にある
センサー情報計測処理装置３４に伝えられ、計測結果を
得る。
固定されたウエハーホルダーあるいは移動可能なウエハ
ーホルダー３３上にセットされ、ウエハー３２にはウエ
ハー表面の情報である温度、処理速度（生成膜厚等）、
プラズマパラメ−タ（フロ−ティングポテンシャル）等
を計測するセンサー３０が取り付けられている。センサ
ー３０が検出する情報は、センサー３０に接続した電気
ケーブル３５を通して、真空チャンバー３１の外にある
センサー情報計測処理装置３４に伝えられ、計測結果を
得る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述の従来技術
では、計測対象とする被処理基板が動く構成の真空装置
においては内部の電気ケーブルの引き回しが難しいとい
う問題を有し、特にマルチチャンバー構成の真空装置で
は、真空バルブにより各真空室が密閉されるため事実上
計測は不可能であった。
では、計測対象とする被処理基板が動く構成の真空装置
においては内部の電気ケーブルの引き回しが難しいとい
う問題を有し、特にマルチチャンバー構成の真空装置で
は、真空バルブにより各真空室が密閉されるため事実上
計測は不可能であった。
【０００７】また、マルチチャンバー構成等の真空装置
内部の、被処理基板の通り道である装置内部の搬送通路
は通常、被処理基板が通過できる以外に空きスペースが
ほとんどなく、大きな情報計測装置を被処理基板にくっ
つけて配置するスペースはほとんどないという問題を有
する。
内部の、被処理基板の通り道である装置内部の搬送通路
は通常、被処理基板が通過できる以外に空きスペースが
ほとんどなく、大きな情報計測装置を被処理基板にくっ
つけて配置するスペースはほとんどないという問題を有
する。
【０００８】さらに、プロセスを構成する複数の真空装
置ごとに計測した、被処理基板の表面状態または周囲環
境を示す計測情報には連続性がなく、その上ある真空装
置から別の真空装置に被処理基板を搬送していく間には
情報を計測することができないという問題を有する。
置ごとに計測した、被処理基板の表面状態または周囲環
境を示す計測情報には連続性がなく、その上ある真空装
置から別の真空装置に被処理基板を搬送していく間には
情報を計測することができないという問題を有する。
【０００９】そこで本発明はこのような問題点を解決す
るもので、その目的とするところはどのような構成の真
空装置であっても、被処理基板の表面状態または周囲環
境を示す情報を簡単に計測可能とし、さらにはプロセス
全般に渡って前記情報を連続的に計測できる方法を提供
するところにある。また、計測対象となる被処理基板の
形状を損なわないで計測できる方法を提供することで、
実際にプロセスで使用する被処理基板の持つ特性に近い
情報の計測をすることを目的とする。
るもので、その目的とするところはどのような構成の真
空装置であっても、被処理基板の表面状態または周囲環
境を示す情報を簡単に計測可能とし、さらにはプロセス
全般に渡って前記情報を連続的に計測できる方法を提供
するところにある。また、計測対象となる被処理基板の
形状を損なわないで計測できる方法を提供することで、
実際にプロセスで使用する被処理基板の持つ特性に近い
情報の計測をすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明における被処理基
板は、半導体ウエハーあるいはガラス基板などの被処理
基板であって、この被処理基板の、表面状態あるいは周
囲環境を計測するためのセンサーと、このセンサーから
得られる情報を処理する手段の一部あるいは全てが前記
被処理基板上に形成されたことを特徴とする。本発明に
おける被処理基板において、前記手段の一部あるいは全
てが、前記情報を蓄える記憶手段、または前記情報を無
線で送信する無線通信手段、または前記情報を表示する
表示手段のうちの少なくとも一つであることが好まし
い。
板は、半導体ウエハーあるいはガラス基板などの被処理
基板であって、この被処理基板の、表面状態あるいは周
囲環境を計測するためのセンサーと、このセンサーから
得られる情報を処理する手段の一部あるいは全てが前記
被処理基板上に形成されたことを特徴とする。本発明に
おける被処理基板において、前記手段の一部あるいは全
てが、前記情報を蓄える記憶手段、または前記情報を無
線で送信する無線通信手段、または前記情報を表示する
表示手段のうちの少なくとも一つであることが好まし
い。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【実施例】以下、本発明について図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
【００１４】図１（ａ）及び図１（ｂ）は本発明の一実
施例に係る、被処理基板の、表面状態あるいは周囲環境
を計測するための回路あるいは素子（以降、情報計測手
段と記す）を備えた被処理基板である。
施例に係る、被処理基板の、表面状態あるいは周囲環境
を計測するための回路あるいは素子（以降、情報計測手
段と記す）を備えた被処理基板である。
【００１５】図１（ａ）は、半導体ウェハー１上に半導
体製造プロセスによりセンサー２、素子３、及び配線等
の回路網４を形成している。半導体ウェハー１表面の状
態、あるいは半導体ウェハー１周囲の環境を示す情報の
計測手段は、センサー２、素子３、及び配線等の回路網
４で構成され、半導体ウェハー１上に形成された状態の
ままで使用される。センサー２は、例えば計測する情報
が温度である場合は、サーミスタ等が形成される。素子
３は、抵抗、コンデンサー、コイル、電池、あるいはこ
れらを組み合わせたＩＣ等を構成要素とし、おのおのの
素子間は配線等の回路網４とともに、センサー２で得ら
れる情報を処理する回路として形成されている。
体製造プロセスによりセンサー２、素子３、及び配線等
の回路網４を形成している。半導体ウェハー１表面の状
態、あるいは半導体ウェハー１周囲の環境を示す情報の
計測手段は、センサー２、素子３、及び配線等の回路網
４で構成され、半導体ウェハー１上に形成された状態の
ままで使用される。センサー２は、例えば計測する情報
が温度である場合は、サーミスタ等が形成される。素子
３は、抵抗、コンデンサー、コイル、電池、あるいはこ
れらを組み合わせたＩＣ等を構成要素とし、おのおのの
素子間は配線等の回路網４とともに、センサー２で得ら
れる情報を処理する回路として形成されている。
【００１６】この情報計測手段を備えた半導体ウェハー
は、予め別プロセスで形成し情報計測動作可能状態にあ
るものである。またこの情報計測手段を備えた半導体ウ
ェハーは、ダミーウェハーとして製造プロセスに流して
情報を連続的に収集し、実際の製造対象になる半導体ウ
ェハー製造の条件出し等に使用する。上記のように本半
導体ウェハーは、ダミーウェハーとして半導体ウェハー
と一体化された情報計測手段を有するため、真空装置と
いった製造プロセス内の単体装置内部での情報収集にと
どまらず、その後に続く半導体ウェハー搬送中であると
か、他の装置へ投入する待機中であるとか、複数装置間
を渡り歩く半導体ウェハーの連続的な情報の収集が可能
となる。
は、予め別プロセスで形成し情報計測動作可能状態にあ
るものである。またこの情報計測手段を備えた半導体ウ
ェハーは、ダミーウェハーとして製造プロセスに流して
情報を連続的に収集し、実際の製造対象になる半導体ウ
ェハー製造の条件出し等に使用する。上記のように本半
導体ウェハーは、ダミーウェハーとして半導体ウェハー
と一体化された情報計測手段を有するため、真空装置と
いった製造プロセス内の単体装置内部での情報収集にと
どまらず、その後に続く半導体ウェハー搬送中であると
か、他の装置へ投入する待機中であるとか、複数装置間
を渡り歩く半導体ウェハーの連続的な情報の収集が可能
となる。
【００１７】図１（ｂ）は、被処理基板９上にセンサー
５、情報計測処理回路（Ａ）６、及び配線等の回路網８
を接着剤等で張り付けている。被処理基板９表面の状
態、あるいは被処理基板９周囲の環境を示す情報の計測
手段は、センサー５、情報計測処理回路（Ａ）６、配線
等の回路網８、及び情報計測処理回路（Ａ）６らと電気
ケーブル９で接続される情報計測処理回路（Ｂ）７で構
成される。センサー２は、例えば計測する情報が温度で
ある場合は、サーミスタ等である。被処理基板９上の情
報計測処理回路（Ａ）６は、例えばチップ抵抗、チップ
コンデンサー、またはこれらを組み合わせたＩＣチップ
等を構成要素とした、被処理基板９の厚さに比較しても
厚みのない部品で構成されている。これらの情報計測処
理回路（Ａ）６は、図１（ｂ）にあるごとくいくつかの
ブロックに分散し配線などの回路網８で相互に接続され
て配置されていてもよいし、機能によっては一つに集約
されてもよい。その場合は配線等の回路網８は不必要で
ある。配線等の回路網８は、情報計測処理回路（Ａ）６
のそれぞれのブロックを接続する方法として、ケーブル
等を直接ハンダ付けする方法等がある。情報計測処理回
路（Ａ）及び配線等の回路網８と、半導体ウェハー５外
の情報計測処理回路（Ｂ）７は、センサー５で得られる
情報を処理する回路として構成されている。情報計測処
理回路（Ｂ）７は、半導体ウェハー５上の情報計測処理
回路（Ａ）６において、寸法等の物理的制約あるいは耐
熱性等の機能的制約等により、配置できない回路から構
成される。そのため、情報計測処理回路（Ａ）の機能に
より、情報計測処理回路（Ｂ）７は不必要になる可能性
がある。
５、情報計測処理回路（Ａ）６、及び配線等の回路網８
を接着剤等で張り付けている。被処理基板９表面の状
態、あるいは被処理基板９周囲の環境を示す情報の計測
手段は、センサー５、情報計測処理回路（Ａ）６、配線
等の回路網８、及び情報計測処理回路（Ａ）６らと電気
ケーブル９で接続される情報計測処理回路（Ｂ）７で構
成される。センサー２は、例えば計測する情報が温度で
ある場合は、サーミスタ等である。被処理基板９上の情
報計測処理回路（Ａ）６は、例えばチップ抵抗、チップ
コンデンサー、またはこれらを組み合わせたＩＣチップ
等を構成要素とした、被処理基板９の厚さに比較しても
厚みのない部品で構成されている。これらの情報計測処
理回路（Ａ）６は、図１（ｂ）にあるごとくいくつかの
ブロックに分散し配線などの回路網８で相互に接続され
て配置されていてもよいし、機能によっては一つに集約
されてもよい。その場合は配線等の回路網８は不必要で
ある。配線等の回路網８は、情報計測処理回路（Ａ）６
のそれぞれのブロックを接続する方法として、ケーブル
等を直接ハンダ付けする方法等がある。情報計測処理回
路（Ａ）及び配線等の回路網８と、半導体ウェハー５外
の情報計測処理回路（Ｂ）７は、センサー５で得られる
情報を処理する回路として構成されている。情報計測処
理回路（Ｂ）７は、半導体ウェハー５上の情報計測処理
回路（Ａ）６において、寸法等の物理的制約あるいは耐
熱性等の機能的制約等により、配置できない回路から構
成される。そのため、情報計測処理回路（Ａ）の機能に
より、情報計測処理回路（Ｂ）７は不必要になる可能性
がある。
【００１８】この情報計測手段を備えた被処理基板は、
ダミーの被処理基板として製造プロセスに流して情報を
収集し、実際の製造対象になる被処理基板製造の条件出
し等に使用する。上記のように本被処理基板はダミーの
被処理基板として被処理基板と一体化された情報計測手
段を有するため、真空装置といった製造プロセス内の単
体装置内部での情報収集にとどまらず、その後に続く被
処理基板搬送中であるとか、他の装置へ投入する待機中
であるとか、複数装置間を渡り歩く被処理基板の連続的
な情報の収集が可能となる。
ダミーの被処理基板として製造プロセスに流して情報を
収集し、実際の製造対象になる被処理基板製造の条件出
し等に使用する。上記のように本被処理基板はダミーの
被処理基板として被処理基板と一体化された情報計測手
段を有するため、真空装置といった製造プロセス内の単
体装置内部での情報収集にとどまらず、その後に続く被
処理基板搬送中であるとか、他の装置へ投入する待機中
であるとか、複数装置間を渡り歩く被処理基板の連続的
な情報の収集が可能となる。
【００１９】図１（ａ）及び（ｂ）においては、それぞ
れ混合した形態も考えられる。
れ混合した形態も考えられる。
【００２０】例えば図１（ａ）においては、情報計測手
段の全てを半導体ウェハー上に形成しないで、一部の回
路を図１（ｂ）に示したように半導体ウェハー上に張り
付けて構成したり、半導体ウェハー外に配置して構成し
てもよい。
段の全てを半導体ウェハー上に形成しないで、一部の回
路を図１（ｂ）に示したように半導体ウェハー上に張り
付けて構成したり、半導体ウェハー外に配置して構成し
てもよい。
【００２１】また、例えば図１（ｂ）においては、図１
（ａ）に示したように情報計測手段の一部、例えばセン
サー５や配線等の回路網８を、被処理基板の別の製造プ
ロセスにより形成してもよい。
（ａ）に示したように情報計測手段の一部、例えばセン
サー５や配線等の回路網８を、被処理基板の別の製造プ
ロセスにより形成してもよい。
【００２２】図２は本発明の一実施例に係る、真空チャ
ンバー内における無線を使用した情報計測手段を備えた
被処理基板の配置図である。
ンバー内における無線を使用した情報計測手段を備えた
被処理基板の配置図である。
【００２３】真空チャンバー４４内の被処理基板４５
は、固定された被処理基板ホルダーあるいは移動可能な
被処理基板ホルダー４６上にセットされ、被処理基板４
５には被処理基板表面の情報である温度、処理速度（膜
厚等）、プラズマパラメ−タ（フロ−ティングポテンシ
ャル）等を計測するセンサー４３が取り付けられてい
る。センサー４３が検出する情報は、センサー４３に接
続されたセンサー情報処理回路及び送信回路４１により
無線情報に変換されて真空チャンバー４４の外に送られ
る。センサー４３あるいはセンサー情報処理回路及び送
信回路４１は、被処理基板４５上に形成された回路ある
いは張り付けた回路あるいはその両方であって、被処理
基板４５の厚さと同等以下の厚みの中にはいる。また、
真空チャンバー４４の外にある受信機及びセンサー情報
処理装置４２は、センサー情報処理回路及び送信回路４
１により送られてきた無線情報を受信し、受信した無線
情報からセンサー４３の検出した情報を得る。
は、固定された被処理基板ホルダーあるいは移動可能な
被処理基板ホルダー４６上にセットされ、被処理基板４
５には被処理基板表面の情報である温度、処理速度（膜
厚等）、プラズマパラメ−タ（フロ−ティングポテンシ
ャル）等を計測するセンサー４３が取り付けられてい
る。センサー４３が検出する情報は、センサー４３に接
続されたセンサー情報処理回路及び送信回路４１により
無線情報に変換されて真空チャンバー４４の外に送られ
る。センサー４３あるいはセンサー情報処理回路及び送
信回路４１は、被処理基板４５上に形成された回路ある
いは張り付けた回路あるいはその両方であって、被処理
基板４５の厚さと同等以下の厚みの中にはいる。また、
真空チャンバー４４の外にある受信機及びセンサー情報
処理装置４２は、センサー情報処理回路及び送信回路４
１により送られてきた無線情報を受信し、受信した無線
情報からセンサー４３の検出した情報を得る。
【００２４】センサー情報処理回路及び送信回路４１の
一部は、被処理基板４５外に配置してもよい。その場合
の被処理基板４５外部の取り付け位置は、被処理基板４
５が真空チャンバー４４内の定位置に固定されている場
合は、真空チャンバー４４内であればどこの位置でもよ
いが、被処理基板４５が真空チャンバー４４内を移動し
ていくインライン構成あるいはマルチチャンバー構成
や、被処理基板４５を回転運動させる構成では、被処理
基板４５に付随して移動するセンサー４３類との接続に
支障がないように、固定された被処理基板ホルダーある
いは移動可能な被処理基板ホルダー４６といった、被処
理基板４５との位置関係が変化しない一定距離範囲内に
保たれる場所に取り付けておけばよい。
一部は、被処理基板４５外に配置してもよい。その場合
の被処理基板４５外部の取り付け位置は、被処理基板４
５が真空チャンバー４４内の定位置に固定されている場
合は、真空チャンバー４４内であればどこの位置でもよ
いが、被処理基板４５が真空チャンバー４４内を移動し
ていくインライン構成あるいはマルチチャンバー構成
や、被処理基板４５を回転運動させる構成では、被処理
基板４５に付随して移動するセンサー４３類との接続に
支障がないように、固定された被処理基板ホルダーある
いは移動可能な被処理基板ホルダー４６といった、被処
理基板４５との位置関係が変化しない一定距離範囲内に
保たれる場所に取り付けておけばよい。
【００２５】被処理基板４５に取り付けるセンサー４３
は、被処理基板４５上の一カ所に限らず、数カ所に設置
することで、分布情報を得ることもできる。この場合は
計測情報の通信形態として、使用通信周波数の複数化あ
るいはＩＤコード（識別情報）使用による時系列データ
の送信といった方法をとる。
は、被処理基板４５上の一カ所に限らず、数カ所に設置
することで、分布情報を得ることもできる。この場合は
計測情報の通信形態として、使用通信周波数の複数化あ
るいはＩＤコード（識別情報）使用による時系列データ
の送信といった方法をとる。
【００２６】図２では、情報の計測処理手段として無線
通信手段を備えた方法を示したが、計測した情報を蓄え
るＩＣメモリー等からなる記憶手段、または計測した情
報を表示するＬＥＤ等からなる表示手段等を備えた方法
も考えられる。
通信手段を備えた方法を示したが、計測した情報を蓄え
るＩＣメモリー等からなる記憶手段、または計測した情
報を表示するＬＥＤ等からなる表示手段等を備えた方法
も考えられる。
【００２７】図３は本発明に係る、無線を使用した情報
計測手段の主要構成図例である。
計測手段の主要構成図例である。
【００２８】センサー回路１１から得られる情報は、変
調回路１２により送信回路１３が必要とする電気信号に
変換される。送信回路１３は変調回路１２から得られる
電気信号をもとに無線情報１９を生成し、送信アンテナ
１４から無線情報を送信する。受信回路１６は、受信ア
ンテナ１５を通して受信した無線情報１９を電気信号に
変換して、復調回路１７に送る。復調回路１７は、受信
回路１６からの電気信号をセンサー回路１１が得た計測
情報に変換して処理・表示手段１８に送る。処理・表示
手段１８は、センサー回路１１が得た計測情報に補正・
変換等を加え必要な情報を取り出し、計測結果の出力あ
るいは記憶あるいは他回路の制御を担当する。
調回路１２により送信回路１３が必要とする電気信号に
変換される。送信回路１３は変調回路１２から得られる
電気信号をもとに無線情報１９を生成し、送信アンテナ
１４から無線情報を送信する。受信回路１６は、受信ア
ンテナ１５を通して受信した無線情報１９を電気信号に
変換して、復調回路１７に送る。復調回路１７は、受信
回路１６からの電気信号をセンサー回路１１が得た計測
情報に変換して処理・表示手段１８に送る。処理・表示
手段１８は、センサー回路１１が得た計測情報に補正・
変換等を加え必要な情報を取り出し、計測結果の出力あ
るいは記憶あるいは他回路の制御を担当する。
【００２９】センサー回路１１で使用するセンサーは、
例えば温度をセンシングする場合は、サーミスタ・白金
測温抵抗体・熱電対等であり、処理速度（膜厚等）をセ
ンシングする場合は水晶振動子等である。
例えば温度をセンシングする場合は、サーミスタ・白金
測温抵抗体・熱電対等であり、処理速度（膜厚等）をセ
ンシングする場合は水晶振動子等である。
【００３０】図４は本発明に係る、温度計測送信回路図
例である。
例である。
【００３１】ＮＴＣサーミスタ２１は、計測温度が上昇
すると電気抵抗が減少する性質を有する温度センサーで
ある。このＮＴＣサーミスタ２１を抵抗分とし、コンデ
ンサ２２及びインバータ２４で発振回路が構成される。
この発振回路が図２のセンサー回路１１に相当する。抵
抗２３はＮＴＣサーミスタ２１の直線化補正（リニアラ
イズ）用抵抗である。発振回路の発振周波数は、ＮＴＣ
サーミスタ２１と抵抗２３の合成抵抗値Ｒとコンデンサ
２２の容量Ｃの積に反比例し、計測温度上昇に伴いＮＴ
Ｃサーミスタ２１の抵抗値が減少すると、発振回路の発
振周波数は高くなる。
すると電気抵抗が減少する性質を有する温度センサーで
ある。このＮＴＣサーミスタ２１を抵抗分とし、コンデ
ンサ２２及びインバータ２４で発振回路が構成される。
この発振回路が図２のセンサー回路１１に相当する。抵
抗２３はＮＴＣサーミスタ２１の直線化補正（リニアラ
イズ）用抵抗である。発振回路の発振周波数は、ＮＴＣ
サーミスタ２１と抵抗２３の合成抵抗値Ｒとコンデンサ
２２の容量Ｃの積に反比例し、計測温度上昇に伴いＮＴ
Ｃサーミスタ２１の抵抗値が減少すると、発振回路の発
振周波数は高くなる。
【００３２】発振回路の出力１０１は分周器２５に入力
され、キャリア信号１０２とバースト発生タイミング信
号１０３に変換される。バースト発生タイミング回路２
６は、バースト発生タイミング信号１０３により、キャ
リア信号１０２をＯＮ／ＯＦＦさせるタイミングを生成
して、バースト信号１０４を発生させる。従って、バー
スト信号１０４のバースト発生間隔時間は、バースト発
生タイミング信号１０３の周期時間の減少、すなわち計
測温度の上昇により短くなる。発振回路の出力１０１を
バースト信号１０４に変換するまでが、図２の変調回路
１２に相当する。
され、キャリア信号１０２とバースト発生タイミング信
号１０３に変換される。バースト発生タイミング回路２
６は、バースト発生タイミング信号１０３により、キャ
リア信号１０２をＯＮ／ＯＦＦさせるタイミングを生成
して、バースト信号１０４を発生させる。従って、バー
スト信号１０４のバースト発生間隔時間は、バースト発
生タイミング信号１０３の周期時間の減少、すなわち計
測温度の上昇により短くなる。発振回路の出力１０１を
バースト信号１０４に変換するまでが、図２の変調回路
１２に相当する。
【００３３】バースト信号１０４は、トランジスタ２９
を介して送信アンテナ２８に伝わり、無線電送される。
を介して送信アンテナ２８に伝わり、無線電送される。
【００３４】ＮＴＣサーミスタ２１周辺の回路は、温度
変化による計測誤差要因を多く含んでいるため、ＮＴＣ
サーミスタ２１等で構成される発振回路の他に、基準と
なる発振回路を構成し、ＮＴＣサーミスタ２１等で構成
される発振回路の補正に使用する形態が望ましい。
変化による計測誤差要因を多く含んでいるため、ＮＴＣ
サーミスタ２１等で構成される発振回路の他に、基準と
なる発振回路を構成し、ＮＴＣサーミスタ２１等で構成
される発振回路の補正に使用する形態が望ましい。
【００３５】図４の送信回路では、センサーの計測した
温度情報をバースト波の発生時間間隔の情報に変換（変
調）して送信する。そのため図４の送信回路に対応した
受信回路は、無線電送されてきた信号からバースト波の
発生時間間隔を検出し、温度情報に変換（復調）すると
いう、送信回路での変換の逆変換を行えばよい。
温度情報をバースト波の発生時間間隔の情報に変換（変
調）して送信する。そのため図４の送信回路に対応した
受信回路は、無線電送されてきた信号からバースト波の
発生時間間隔を検出し、温度情報に変換（復調）すると
いう、送信回路での変換の逆変換を行えばよい。
【００３６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、被処
理基板表面の状態、あるいは被処理基板周囲の環境を示
す情報の計測手段の、一部あるいは全てを、被処理基板
上の回路あるいは素子として形成するか、または情報計
測手段のセンサー部と、情報計測処理回路の一部あるい
は全てを、前記被処理基板上に配置することにより、ど
のような構成の真空装置であっても、被処理基板の表面
状態または周囲環境を示す情報を簡単に計測可能とし、
さらにはプロセス全般に渡って前記情報を連続的に計測
できる方法を提供できるという効果を有する。また、計
測対象となる被処理基板の形状を損なわないで計測でき
る方法を提供することで、実際にプロセスで使用する被
処理基板の持つ特性に近い情報の計測ができるという効
果を有する。
理基板表面の状態、あるいは被処理基板周囲の環境を示
す情報の計測手段の、一部あるいは全てを、被処理基板
上の回路あるいは素子として形成するか、または情報計
測手段のセンサー部と、情報計測処理回路の一部あるい
は全てを、前記被処理基板上に配置することにより、ど
のような構成の真空装置であっても、被処理基板の表面
状態または周囲環境を示す情報を簡単に計測可能とし、
さらにはプロセス全般に渡って前記情報を連続的に計測
できる方法を提供できるという効果を有する。また、計
測対象となる被処理基板の形状を損なわないで計測でき
る方法を提供することで、実際にプロセスで使用する被
処理基板の持つ特性に近い情報の計測ができるという効
果を有する。
【図１】（ａ） 本発明の一実施例に係る情報計測手段
を備えた半導体ウェハーを示す図である。 （ｂ） 本発明の一実施例に係る情報計測手段を備えた
被処理基板を示す図である。
を備えた半導体ウェハーを示す図である。 （ｂ） 本発明の一実施例に係る情報計測手段を備えた
被処理基板を示す図である。
【図２】本発明の一実施例に係る真空チャンバー内にお
ける無線を使用した情報計測手段を備えた被処理基板の
配置図である。
ける無線を使用した情報計測手段を備えた被処理基板の
配置図である。
【図３】本発明に係る無線を使用した情報計測手段の主
要構成図例である。
要構成図例である。
【図４】本発明に係る温度計測送信回路図例である。
【図５】従来の真空チャンバー内の情報計測装置図であ
る。
る。
１・・・半導体ウェハー ２、５、４３・・・センサー ３・・・素子 ４、８・・・配線等の回路網 ６・・・情報計測処理回路例（Ａ） ７・・・情報計測処理回路例（Ｂ） ９、４５・・・被処理基板 ４１・・・センサー情報処理回路及び送信回路 ４２・・・受信機及びセンサー情報処理装置 ４４・・・真空チャンバー ４６・・・固定された被処理基板ホルダーあるいは移動
可能な被処理基板ホルダー
可能な被処理基板ホルダー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/02 H01L 21/66 G01J 5/00
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウエハーあるいはガラス基板などの
被処理基板であって、この被処理基板の、表面状態ある
いは周囲環境を計測するためのセンサーと、このセンサ
ーから得られる情報を処理する手段の一部あるいは全て
が前記被処理基板上に形成されたことを特徴とする被処
理基板。 - 【請求項２】請求項１において、前記手段の一部あるい
は全てが、前記情報を蓄える記憶手段、または前記情報
を無線で送信する無線通信手段、または前記情報を表示
する表示手段のうちの少なくとも一つであることを特徴
とする被処理基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31736792A JP3250285B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 情報計測手段を備えた被処理基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31736792A JP3250285B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 情報計測手段を備えた被処理基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163340A JPH06163340A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3250285B2 true JP3250285B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=18087458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31736792A Expired - Lifetime JP3250285B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 情報計測手段を備えた被処理基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3250285B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674624B1 (ko) * | 1999-05-07 | 2007-01-25 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 센서기판, 기판처리방법 및 기판처리장치 |
| CA2308820A1 (en) * | 2000-05-15 | 2001-11-15 | The Governors Of The University Of Alberta | Wireless radio frequency technique design and method for testing of integrated circuits and wafers |
| US6691068B1 (en) * | 2000-08-22 | 2004-02-10 | Onwafer Technologies, Inc. | Methods and apparatus for obtaining data for process operation, optimization, monitoring, and control |
| US7289230B2 (en) | 2002-02-06 | 2007-10-30 | Cyberoptics Semiconductors, Inc. | Wireless substrate-like sensor |
| JP3916549B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2007-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プロセスモニタ及び半導体製造装置 |
| US7151366B2 (en) * | 2002-12-03 | 2006-12-19 | Sensarray Corporation | Integrated process condition sensing wafer and data analysis system |
| US7135852B2 (en) | 2002-12-03 | 2006-11-14 | Sensarray Corporation | Integrated process condition sensing wafer and data analysis system |
| DE10314150A1 (de) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Messanordnung zur Erfassung von Umgebungs- und Prozessbedingungen in einer Fertigungsumgebung für Halbleiterwafer |
| TWI405281B (zh) * | 2005-12-13 | 2013-08-11 | Sensarray Corp | 製程條件感應晶圓及資料分析系統 |
| JP2007178253A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定装置および温度測定方法 |
| JP4826305B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-11-30 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタ製造工程の温度測定方法 |
| JP5314664B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 物理量計測装置及び物理量計測方法 |
| US20200152494A1 (en) * | 2018-11-14 | 2020-05-14 | Cyberoptics Corporation | Wafer-like sensor |
| WO2020117201A1 (en) * | 2018-12-03 | 2020-06-11 | Lam Research Corporation | Pin-lifter test substrate |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP31736792A patent/JP3250285B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06163340A (ja) | 1994-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3250285B2 (ja) | 情報計測手段を備えた被処理基板 | |
| JP6920357B2 (ja) | 高温プロセスアプリケーションにおいて測定パラメータを取得するためのカプセル化された計装基板装置 | |
| US7360463B2 (en) | Process condition sensing wafer and data analysis system | |
| US7757574B2 (en) | Process condition sensing wafer and data analysis system | |
| US9719867B2 (en) | Method and system for measuring heat flux | |
| US20070170170A1 (en) | Temperature measuring device, thermal processor having temperature measurement function and temperature measurement method | |
| US8129682B2 (en) | On-chip calibration system and method for infrared sensor | |
| US3609728A (en) | Portable remote location measuring system utilizing pulse width modulation | |
| US20120041703A1 (en) | Temperature Measurement Correction Using Multiple Temperature Sensors | |
| US6767129B2 (en) | Microwave power sensor and method for manufacturing the same | |
| US11150140B2 (en) | Instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications | |
| EP3062077A1 (en) | Multi-sensor assembly | |
| EP0644409B1 (en) | A method of remotely measuring process data | |
| US20140360267A1 (en) | Thermal convection type linear accelerometer | |
| USH1744H (en) | Wireless remote sensing thermometer | |
| US4986670A (en) | Temperature measurement device | |
| US20190280725A1 (en) | Crystal free radio | |
| CN110926630A (zh) | 一种带柔性电路板的晶圆温度传感装置 | |
| CN102859637A (zh) | 等离子体处理参数的检测 | |
| US4677988A (en) | Method and apparatus for measuring microwave noise | |
| US3637985A (en) | Portable remote location measuring system | |
| JP2007171046A (ja) | ウェハ型温度センサとこれを用いた温度測定装置、温度測定機能を有する熱処理装置および温度測定方法 | |
| CN210322041U (zh) | 一种带柔性电路板的晶圆温度传感装置 | |
| US6675119B1 (en) | In-situ measurement method and apparatus in adverse environment | |
| TW201215859A (en) | Thermal transmitter and thermal detecting system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071116 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081116 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091116 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091116 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111116 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111116 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121116 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121116 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131116 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131116 Year of fee payment: 12 |