WO2007119359A1

WO2007119359A1 - ウエハ状計測装置及びその製造方法

Info

Publication number: WO2007119359A1
Application number: PCT/JP2007/055084
Authority: WO
Inventors: Kenji Matsuda; Tomohide Minami; Yoshiki Yamanishi; Muneo Harada
Original assignee: Tokyo Electron Limited
Priority date: 2006-03-16
Filing date: 2007-03-14
Publication date: 2007-10-25
Also published as: US20090085031A1; JP4896963B2; TW200741934A; JPWO2007119359A1; TWI331785B

Abstract

　良好な測温性能を備える温度測定装置とその製造方法を提供する。温度測定装置（１０）は、半導体ウエハ（１２）の凹部（１２ｃ）の底面に設置された温度センサ（１１）を備える。半導体ウエハ（１２）と温度センサ（１１）とは、第１の接合層（１４）と第２の接合層（２４）とを介して接合される。第１の接合層（１４）と第２の接合層（２４）とは、同一の材料、具体的に熱伝導率の高い金属から形成され、更に面方向にほぼ均一な厚みを備えるように形成されている。このような第１の接合層（１４）と第２の接合層（２４）とによって、半導体ウエハ（１２）から温度センサ（１１）への熱伝導が良好に生ずる。従って、温度測定装置（１０）は良好な測温性能を備える。

Description

明細書

ウェハ状計測装置及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、ウェハプロセスの状態などを測定するためのウェハ状計測装置とその製造方法に関し、特に半導体ウェハの温度を測定する温度測定装置とその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 従来、半導体装置の製造プロセスにおいては、例えばレジスト液塗布後の乾燥のための加熱処理、露光後の加熱処理（ポストエスタポージャベーキング）、ウェハ表面に所定の薄膜を形成する際の CVD処理等、半導体ウェハ（以下、ウェハ）を加熱する処理が行われる。これらの熱処理の際、歩留まり向上のためには、ウェハの面内温度はなるべく均一にする必要がある。

[0003] 例えば、ポストェクスポージャーべ一キング等のベータ処理が行われるホットプレートユニットでは、処理時の温度が回路パターンの線幅に影響を与える等の理由から、ホットプレートの温度分布の均一性が要求されている。したがって、ホットプレートが所定の温度分布均一性を有している力否かを検証するため、従来測定用ダミーゥェハの数個の測定点に熱電対を埋設し、この測定用ダミーウェハをホットプレート上に載置し、ホットプレートの温度分布を測定している（例えば特許第 2984060号公報を参照)。

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0004] ところで、熱電対等の温度センサをウェハに接触するように設置して測定する場合、一般に温度センサとウェハとの間に温度センサを固定するための接着剤等力もなる接合層が形成される。しかし、この接合層の熱伝導率が低い、厚みにばらつきがある等、ウエノ、から温度センサへの熱伝導が良好に生じない要因があると、ウェハの各測定点の正確な測温が困難であるという問題が生ずる。結果として、ホットプレート等の温度分布が正確に測定できず、処理に悪影響が及ぶという問題がある。 [0005] そこで、ウエノ、から温度センサへ良好に熱伝導が生じ、良好な測温性能を備える温度測定装置とその製造方法が求められている。

[0006] 本発明は上記実情に鑑みてなされたものであって、ウエノ、から温度センサへの熱伝導が良好に生じ、良好な測温性能を備える温度測定装置とその製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0007] 上記目的を達成するため、本発明の観点に係るウェハ状計測装置は、

ウエノヽと、

前記ウェハ上に設置される基板と、

前記基板の一方の主面上に形成され、センサとして機能する機能層と、前記基板と前記ウェハとの間に、前記基板の設置される領域に対応して前記ゥェハ上に形成された第 1の接合層と、

前記第 1の接合層と対向する前記基板の他方の主面上に形成された第 2の接合層と、を備え、

前記第 1の接合層と前記第 2の接合層とは、同一の材料カゝら形成されることを特徴とする。

発明の効果

[0008] 本発明によれば、ウェハ上のセンサとウェハとを熱伝導率の高、材料を用いて接合することにより、良好な計測性能を備えるウェハ状計測装置及びその製造方法を提供することができる。

図面の簡単な説明

[0009] [図 1]本発明の実施の形態に係る温度測定装置を模式的に示す平面図である。

[図 2]図 1に示す温度測定装置の A— A線断面図である。

[図 3]本発明の実施の形態に係る温度測定装置に設置される温度センサを模式的に示す図である。

[図 4]図 3の温度センサが設置されるウェハの部分を模式的に示す図である。

[図 5A]本発明の実施の形態に係る温度センサの製造方法を示す図である。

[図 5B]本発明の実施の形態に係る温度センサの製造方法を示す図である。 [図 6A]本発明の実施の形態に係る温度測定装置の製造方法を示す図である。

[図 6B]本発明の実施の形態に係る温度測定装置の製造方法を示す図である。

[図 6C]本発明の実施の形態に係る温度測定装置の製造方法を示す図である。圆 7]4種類の基板に白金層を形成した場合の X線回折パターンを示す図である。符号の説明

10 温度測定装置

11 温度センサ

12 半導体ウェハ

14 第 1の接合層

15 保護膜

16 配線

17 ワイヤ

18 フラットケーブル

21 基板

22 白金層

23 端子

24 第 2の接合層

発明を実施するための最良の形態

[0011] 本発明の実施の形態に係る温度測定装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。

[0012] 本発明の実施の形態に係る温度測定装置 10を図 1〜図 4に示す。図 1は、温度測定装置 10を示す平面図である。図 2は、図 1に示す温度測定装置 10の A— A線断面図である。図 3 (a)は、温度測定装置 10を構成する温度センサ 11を示す平面図であり、図 3 (b)は、図 3 (a)の B— B線断面図である。図 4 (a)は温度センサ 11が設置される領域の半導体ウェハ 12を示す平面図であり、図 4 (b)は、図 4 (a)の C C線断面図である。

[0013] 本実施の形態に係る温度測定装置 10は図 1〜図 4に示すように、温度センサ 11と、半導体ウェハ 12と、第 1の接合層 14と、保護膜 15と、配線 16と、ワイヤ 17と、フラットケーブル 18と、から構成される。温度測定装置 10は、半導体ウェハ 12に形成され、ウェハの形状をなしている。

[0014] 本実施の形態の温度測定装置 10は、半導体装置の製造プロセスにおける、例えばレジスト液塗布後の乾燥のための加熱処理、露光後の加熱処理 (ポストエスタポージャベーキング）、ウェハ表面に所定の薄膜を形成する際の CVD処理等の熱処理で用いられる。具体的には、例えば、ポストェクスポージャーべ一キング等のベーク処理が行われるホットプレートユニットで、ホットプレートが所定の温度分布均一性を有して、る力否かを検証するため用いられる。

[0015] 温度センサ 11は、図 1〜図 3に示すように、基板 21と、白金層 22と、端子 23と、第 2 の接合層 24と、を備える。温度センサ 11は、白金の抵抗値が温度によって直線的に変化することを利用して温度を測定するいわゆる白金測温抵抗体である。温度センサ 11は、図 2に示すように、ワイヤ 17を介して 4本の配線 16と接続されている。このように四探針法を用いることによって配線 16の抵抗値の影響を除去することが可能となる。

[0016] なお、本実施の形態では基板 21上に白金層 22を形成したのちに、半導体ウェハ 1 2上に載置する構成を採っている。半導体ウェハの温度を測定する方法としては、白金測温抵抗体として機能する白金層 22を半導体ウェハ 12上に直に成膜する方法も考えられる。しかし、半導体ウェハごとにスパッタ、パターユングの工程を施す必要があり生産効率が悪ぐ更に製造コストが増加する問題がある。そこで、詳細に後述するように、本実施の形態ではウェハ上に複数の温度センサ 11を形成して切り出し、半導体ウェハ 12上に設置する構成を採っている。

[0017] 基板 21は、例えばシリコン単結晶基板力も構成され、基板 21の上面に白金層 22 が形成される。

[0018] 白金層 22は、図 3 (a)及び (b)に示すように、基板 21の上面に葛折り状に形成される。また、白金層 22の両端は、それぞれ 2力所に端子 23が設けられる。また、端子 23 は、ワイヤ 17によって半導体ウェハ 12上に形成された配線 16と電気的に接続される

[0019] 第 2の接合層 24は、熱伝導率の高い材料から構成され、例えば金、銅等の金属から構成される。本実施の形態では特に第 2の接合層 24として金を用いる。第 2の接合層 24は、図 2及び図 3 (b)に示すように基板 21の底面に形成される。第 2の接合層 2 4は、基板 21との密着性を良くするためクロム等力もなる第 2の密着層（図示せず)を介して基板 21の下面に形成される。なお、半導体ウェハ 12に形成される第 1の接合層 14と第 2の接合層 24とは同一の材料力も形成される。また、第 2の接合層 24は、詳細に後述するように第 1の接合層 14と圧接によって接合される。このように第 1の接合層 14と第 2の接合層 24とを同一の材料力も形成し、更に詳細に後述するように圧接によって接合することにより、第 2の接合層 24と第 1の接合層 14とは、面方向にほぼ均一な厚みを備えるように良好に接合されるため、半導体ウェハ 12から温度センサ 11への熱伝導がむらなく良好に生じる。

[0020] 半導体ウェハ 12は、シリコン層 12aと、 SiO層 12bと、力も構成される。半導体ゥェ

2

ハ 12上には図 1に示すように温度センサ 11が半導体ウェハ 12の中心領域と、周辺領域に均等に配置されており、温度センサ 11は図 2に示すように半導体ウェハ 12上に設けられた凹部 12c内に設置される。また、凹部 12cの深さは、温度センサ 11の高さとほぼ同一に形成され、具体的には 30 πι〜200 /ζ πι程度に形成される。従って、温度センサ 11の上面と半導体ウェハ 12の上面とは図 2に示すようにほぼ同一平面となる。また、図 4 (b)に示すように凹部 12cの底面、換言すれば温度センサ 11が設置される領域には、第 1の接合層 14が形成される。

[0021] なお、図 1に示す温度センサ 11の個数、配置は一例であって、 5個より多く配置することも少なく配置することも可能である。また、本実施の形態では半導体ウェハ 12 に設けた凹部 12c内に温度センサ 11を設置する構成を例に挙げて説明したが、半導体ウェハ 12に凹部 12cを設けずに、半導体ウェハ 12の上面に第 1の接合層 14を形成し、第 1の接合層 14上に温度センサ 11を設置しても良い。この場合、温度センサ 11は、半導体ウェハ 12の上面と比較し突出するように設置される。

[0022] 保護膜 15は、例えばセラミックス系保護材カも構成され、図 2に示すように半導体ゥェハ 12上に設けられた温度センサ 11と、ワイヤ 17と、半導体ウェハ 12上に設けられた配線 16を覆うように形成される。保護膜 15によって、温度センサ 11等は外部環境力保護され安定した動作が可能となる。 [0023] 配線 16は、導体材料から構成され、図 1に示すように半導体ウェハ 12上に形成される。また配線 16の一端はワイヤ 17を介して温度センサ 11の端子 23に接続され、他端はフラットケーブル 18に接続される。なお、上述したように温度センサ 11は四探針法で抵抗値を測定するために 4力所で接続するので、配線 16は 1つの温度センサ 11に対して 4本形成される力図 1では説明の便宜のため 4本の配線 16をまとめて 1 本の線で示している。温度センサ 11の白金層 22の抵抗値の変化は、白金層 22の端子 23からワイヤ 17、配線 16、フラットケーブル 18を経由して、外部に設置された計測部（図示せず）によって測定される。計測部は白金層 22の抵抗値力各温度センサ 11の設けられた領域の半導体ウェハ 12の温度を判別する。なお、ワイヤ 17は、ヮィャボンディングによって配線 16と端子 23を電気的に接続する。

[0024] このように、本実施の形態では、第 1の接合層 14と第 2の接合層 24として熱伝導率の高、同一の材料を用いることにより半導体ウェハ 12と温度センサ 11とを良好に接合させることができ、更に圧接によって接合させるため第 1の接合層 14と第 2の接合層 24とはほぼ均一な厚みを備える。従って、半導体ウェハ 12から温度センサ 11への熱伝導にむらが生じにくぐ良好な熱伝導が生ずる。従って、温度測定装置 10は良好な測温性能を備える。

[0025] 特に、第 1の接合層 14及び第 2の接合層 24を金で形成する場合、表面が酸化せず安定に保たれるので、強固に接合され、熱伝導度と電気伝導度を高く保つことができる。その結果、良好な温度センサ 11の特性を得ることができる。また、半導体ゥェノ、 12に凹部 12cを形成し、温度センサ 11をはめ込んで、半導体ウェハ 12の表面と温度センサ 11の高さを同じにする場合、実際のウェハで計測したのと同じ状態を模擬できるので、正確な計測ができる。

[0026] 次に、本発明の実施の形態に係る温度測定装置 10の製造方法について図を用いて説明する。図 5Aはウェハ Wに複数の温度センサ 11を形成した状態を示す断面図である。

[0027] 複数の温度センサ 11を形成することが可能な面積を備えるウェハ Wを用意する。

そして、ウェハ Wの下面に、ニッケル又はクロム力もなる第 2の密着層（図示せず）をスパッタ等によって形成する。続いて、第 2の密着層の上に、スパッタ、又はメツキによつて図 5Aに示すように熱伝導率の高い材料、例えば金力もなる第 2の接合層 24を形成する。

[0028] 次に、ウェハ W上にスパッタ、イオンミリング等によって葛折り状の白金層 22を形成する。また、白金層 22と同時に端子 23も形成する。続いて、ウェハ Wを予め定められたダイシングライン dに沿って切断し、図 5Bに示す温度センサ 11を複数個得る。

[0029] このように、同時に複数の温度センサ 11を形成するので、特性のそろった複数の温度センサ 11が得られる。そして、その特性のそろった複数の温度センサ 11をウェハ Wに接合するので、複数の温度センサ 11の特性が均一である温度測定装置 10が構成できる。特に、同一のプロセスで複数の温度センサ 11の第 2の接合層 24を形成するので、ダイシングによって切り出したのちの複数の温度センサ 11を半導体ウェハ 1 2に接合したときに、複数の温度センサ 11につ、て接合部の熱伝導特性が均一になる。また、温度センサ 11の高さもそろうので、より測定精度が向上する。

[0030] 図 6A乃至図 6Cは、本発明の実施の形態に係る温度測定装置 10の製造方法を示す図である。図 6Aは、ウェハ 12の加工を示す断面図である。半導体ウェハ 12の温度センサ 11が設置される領域に、温度センサ 11の厚みとほぼ同じ深さを備える凹部 12cを、フォトリソグラフィ、エッチング等によって形成する。また、スパッタ等によって半導体ウェハ 12上に図 1に示すような配線 16を形成する。

[0031] 続いて、凹部 12cの底面、つまり温度センサ 11が設置される面に、第 1の接合層 14 と半導体ウェハ 12との密着性を良好にするため、ニッケル又はクロム等力もなる第 1 の密着層（図示せず)を、メツキ、スパッタ等により形成する。続いて、第 1の密着層の上面に、スパッタ等により、熱伝導性の高い材料、例えば金力もなる第 1の接合層 14 を図 6Aに示すようにスパッタ等によって形成する。なお、第 1の接合層 14と第 2の接合層 24とは同一の材料を用いる。

[0032] 図 6Bは、半導体ウェハ 12に温度センサ 11を接合する様子を示す断面図である。

第 1の接合層 14上に第 2の接合層 24が接するように温度センサ 11を配置させた半導体ウェハ 12をプレス装置（図示せず)の下部プレート上に設置する。次に、プレス装置に設置されたヒータによって装置内の温度を上昇させ、第 1の接合層 14と第 2の接合層 24とを軟化させる。続いて、下部プレートに対向し且つ平行に設置された上部プレートによって温度センサ 11へ、半導体ウェハ 12に対して垂直且つ面方向にほぼ均一な圧力をカ卩える。圧力を加え、所定時間が経過した後、ヒータによる装置内の加熱を停止し、室温まで自然冷却させる。これにより、第 1の接合層 14と第 2の接合層 24とがほぼ均一な厚みを有するように接合される。なお、プレス装置内の温度、温度の上昇速度、下降速度、圧力、圧力を加える時間等は、第 1の接合層 14と第 2 の接合層 24の厚み、材料等により適宜変化させる。

[0033] 次に端子 23と、半導体ウェハ 12上に設けられた配線 16とをワイヤ 17によって電気的に接続する。さらに、配線 16とフラットケーブル 18とも電気的に接続する。続いて、温度センサ 11、配線 16、ワイヤ 17等を覆うようにポリイミド、酸化膜、窒化膜等力ゝらなる保護膜 15を形成する。

以上の工程から、図 6Cに示すように温度測定装置 10が形成される。

[0034] 上述したように、本実施の形態の温度測定装置 10の製造方法は、温度センサ 11 の基板 21の下面に熱伝導性の高い、例えば金力もなる第 2の接合層 24を、半導体ウェハ 12に形成された凹部 12cの底面に第 2の接合層 24と同じ材料で第 1の接合層 14を形成し、高温下で所定圧力で加圧した状態を維持することによって接合する。これにより、温度センサ 11と半導体ウェハ 12との接合面が密着して形成され、更に厚みがほぼ均一に形成されるため、温度センサ 11の白金層 22への熱伝導にむらが生ずることを抑制することができる。従って、白金層 22の応答性が向上し、温度測定装置 10は良好な測温性能を備える。

[0035] また、本実施の形態ではウェハ Wに複数の白金層 22及び第 2の接合層 24を形成し、切り出すことによって温度センサ 11を形成する。これにより、複数の温度センサを同時に形成することができるため、生産効率を向上させ、更に製造コストを削減することが可能となる。なぜなら、本実施の形態と異なる形態、例えば半導体ウェハ上に直接温度センサとして機能する白金層を成膜し温度測定装置を形成する場合、温度センサを形成するためには半導体ウェハ全体に白金のスパッタ、パターユング等の工程を施す必要がある。例えば本実施の形態のように温度センサ 11を半導体ウェハ 12上に 5個配置する場合であっても、半導体ウェハ全体に白金のスパッタ、パター- ング等の工程を施す必要がある。従って、本実施の形態のようにウェハ W上に複数の温度センサ 11を形成して切り出す方法と比較して、白金、レジスト等の材料が多く必要となり、生産効率が悪ぐコストが増加する問題があるからである。

[0036] さらに、本実施の形態では、温度センサ 11の基板 21を比較的薄く形成することによって、白金層 22への熱伝導が更に良好に生じ、白金層 22の応答性を更に上昇させることが可能である。

このように本実施の形態の製造方法によれば、良好な測温性能を備える温度測定装置を製造することができる。

[0037] 本発明は上述した実施の形態に限られず、様々な変形及び応用が可能である。例えば、上述した実施の形態では、基板 21としてシリコン基板を用いる場合を例に挙げて説明したが、基板 21としてサフアイャ基板を用いることも可能である。この場合サフアイャ基板は、白金層 22へ良好に熱伝導が生じ、白金層 22が半導体ウェハ 12の温度に正確に応答するように薄く形成されるのが好ましぐ例えば 30 m〜 200 mの厚みに形成される。

[0038] 図 7に A面、 C面、 R面のサファイア単結晶基板それぞれに白金層を成膜した場合と、シリコン基板 (SiZSi02)上に白金層を成膜した場合の X線回折パターンを示す。なお、図 7に示す X線回折パターンでは、白金層はパターユングされていない状態である。図 7から明らかなように、シリコン基板上に白金層を成膜した場合より、サファィァ基板上に形成した方が Pt (111)のピークが高く現れ、この面の配向性が高くなる。特に C面、 A面のサファイア基板上に白金層を形成した場合に Pt (111)のピークが高く出ており、 Pt (111)面に高い配向性を備えることが分かる。また、 C面と A面とでは、 C面の方がやや高い配向性を示すことも分かる。従って、基板 21として、 C面又は A面のサファイア単結晶基板を用いることによって、 (111)面に高、配向性を備える白金層 22を構成することができる。

[0039] 基板 21としてサファイア基板を用いることで、白金層 22の配向性が高くなり、抵抗温度係数 (TCR)が向上する。なお、シリコン基板上にスパッタによって白金層を形成した場合であってもパターユングした上で熱処理を施すことによって抵抗温度係数を上昇させることも可能である。しかし、熱処理によって Ptの凝集が生じ、パターンサイズが微細になると断線が生ずる場合がある。しかし、サファイア基板上に白金層を形成すること〖こよって白金層 22が（111)面に高、配向性を備え、抵抗温度係数 (TCR )が良好に上昇するため、パターユング後の熱処理を省略することができ、白金層のパターンサイズが微細である場合の Ptの凝集による断線を避けることができる。

[0040] このように、温度センサ 11を構成する基板 21として A面または C面の単結晶サファィァ基板を用いることによって白金層 22の配向性を高くすることが可能である。従つて、白金層 22の抵抗温度係数が上昇し、白金層 22の温度に対する応答性が向上し、温度測定装置 10は更に良好な測温性能を備える。

[0041] 本発明は、温度センサ 11以外の他のセンサを用いるウェハ状計測装置に適用できる。例えば、温度センサ 11に代えてフローセンサを基板で形成し、半導体ウェハ 12 に接合してもよい。その場合、フローセンサの基板を半導体ウェハ 12の凹部にはめ込んで、ほぼ表面を平らに形成すると、実際にプロセス加工されるウェハと形状が同じとみなせ、チャンバ内のフローがウェハを挿入した場合と同じになる。その結果、実際のウェハで計測したのと同じ状態を模擬できるので、正確な計測ができる。その他

、静電容量の変化を応用したセンサや、応力歪みなどを計測するセンサについても適用できる。本実施の形態は、半導体ウェハ 12を用いて説明したが、ウェハ状計測装置の主基材として半導体ウェハ 12に限らず、広くウェハ状の材料を用いることができる。シリコンウェハの他に、液晶装置の基板などを用いて、液晶装置の製造プロセスの計測に用いることができる。その場合、製造に用いるウェハと同じ形状にすることが望ましい。

[0042] 今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記の説明ではなくて特許請求の範囲によつて示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

[0043] 本出願は、 2006年 3月 16日に出願された、日本国特許出願 2006— 073052号に基づく。本明細書中に日本国特許出願 2006— 073052号の明細書、特許請求の範囲、図面全体を参照として取り込むものとする。

Claims

請求の範囲

[1] ウエノ、と、

前記ウェハ上に設置される基板と、

前記第 1の接合層と前記第 2の接合層とは、同一の材料カゝら形成されることを特徴とするウェハ状計測装置。

[2] 前記基板は、前記ウェハ上に形成された凹部の底面に設置され、

前記第 1の層は、前記ウェハの前記凹部の底面に形成されることを特徴とする請求項 1に記載のウェハ状計測装置。

[3] 前記ウェハ上に形成された前記凹部の深さと、前記基板の厚みとはほぼ同じに形成されることを特徴とする請求項 2に記載のウェハ状計測装置。

[4] 前記第 1の接合層と前記第 2の接合層とは、金又は銅カゝらなることを特徴とする請求項 1に記載のウェハ状計測装置。

[5] 前記基板は、シリコンウェハであることを特徴とする請求項 1に記載のウェハ状計測装置。

[6] 前記基板の一方の主面に形成される機能層は、測温抵抗体として機能する白金層であることを特徴とする請求項 1に記載のウェハ状計測装置。

[7] 前記基板は、 A面又は C面のサファイア単結晶基板であることを特徴とする請求項

6に記載のウェハ状計測装置。

[8] 前記第 1の接合層と前記ウェハとの間には第 1の密着層が形成されることを特徴とする請求項 1に記載のウェハ状計測装置。

[9] 前記第 2の接合層と前記基板との間には、第 2の密着層が形成されることを特徴とする請求項 1に記載のウェハ状計測装置。

[10] 前記ウェハ上に設置される基板は、複数の前記基板から構成されることを特徴とする請求項 1に記載のウェハ状計測装置。

[11] 前記複数の基板は、それぞれに形成される第 2の接合層が、該複数の基板について同一のプロセスで形成されたものであることを特徴とする請求項 10に記載のウェハ状計測装置。

[12] 基板の一方の主面上にセンサとして機能する機能層を形成する機能層形成工程とウェハ上の前記基板が設置される領域に対応し、第 1の接合層を形成する第 1の接合層形成工程と、

前記基板の他方の主面上に第 2の接合層を形成する第 2の接合層形成工程と、前記第 1の層と前記第 2の層とを接合させる接合工程と、を備え、

前記第 1の接合層形成工程と、前記第 2の接合層形成工程では、同一の材料を用

V、ることを特徴とするウェハ状計測装置の製造方法。

[13] 前記基板が設置される領域に対応する凹部を前記ウェハ上に形成する凹部形成工程を更に備え、

前記第 1の接合層形成工程では、前記ウェハに形成された前記凹部の底面に前記第 1の接合層を形成することを特徴とする請求項 12に記載のウェハ状計測装置の製造方法。

[14] 前記凹部形成工程では、前記凹部の深さと前記基板の厚みとをほぼ同じに形成することを特徴とする請求項 13に記載のウェハ状計測装置の製造方法。

[15] 前記第 1の接合層形成工程及び前記第 2の接合層形成工程では、金又は銅を用いて前記第 1の接合層及び前記第 2の接合層を形成することを特徴とする請求項 12 に記載のウェハ状計測装置の製造方法。

[16] 前記基板は、シリコンウェハを用いることを特徴とする請求項 12に記載のウェハ状計測装置の製造方法。

[17] 前記機能層形成工程は、前記基板の一方の主面上に測温抵抗体として機能する白金層を形成することを特徴とする請求項 12に記載のウェハ状計測装置の製造方法。

[18] 前記基板は、 A面又は C面のサファイア単結晶基板を用いることを特徴とする請求項 17に記載のウェハ状計測装置の製造方法。

[19] 前記第 1の接合層形成工程は、前記第 1の接合層と前記ウェハとの間に、第 1の密着層を形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項 12に記載のウェハ状計測装置の製造方法。

[20] 前記第 2の接合層形成工程は、更に前記第 2の接合層と前記基板との間に、第 2の密着層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項 12に記載のウェハ状計測装置の製造方法。

[21] 前記機能層形成工程は、複数の前記基板について同一のプロセスで前記機能層を形成し、

前記第 2の接合層形成工程は、前記複数の基板について同一のプロセスで前記第 2の接合層を形成し、

前記第 1の接合層形成工程は、前記ウェハ上の前記基板が設置される複数の領域に対応して、第 1の接合層を形成し、

前記接合工程は、前記複数の基板について前記第 1の接合層と前記第 2の接合層を接合する、

ことを特徴とする請求項 12に記載のウェハ状計測装置の製造方法。