TWI444496B - Vacuum processing device - Google Patents

Description

真空處理裝置

本發明，係有關於將長條之薄片狀基材通過真空處理室來作搬送並在此真空處理室中而對於薄片狀基材施加特定之處理的真空處理裝置。

長條狀且為樹脂製之薄片狀基材，係具備有可撓性，且加工性亦為佳，因此，於其之表面上成膜特定之金屬膜或氧化物膜等之特定的薄膜或者是施加熱處理而製成電子零件或光學零件一事，係為一般所周知。

於先前技術中，作為對於此種薄片狀基材而在真空中施加特定之處理的真空處理裝置，係周知有下述構成者：亦即是，係具備有真空處理室，該真空處理室，係具備被捲繞有長條之薄片狀基材的一部分之冷卻捲筒、和被配置在此冷卻捲筒之周圍處的處理單元(濺鍍成膜用之陰極單元)，在此真空處理室之上游側以及下游側，分別連接設置真空輔助室，在上游側之真空輔助室中，收容捲繞有薄片狀基材之送出滾筒，並且，在下游側之真空輔助室中，收容捲取滾筒(例如，參考專利文獻1)。

在上述先前技術例中，係於真空處理室之上部，形成有以區隔板所區劃出之空間，在此空間中，係被固定配置有對於薄片狀基材作導引之導引滾輪。因此，兩真空輔助室，係以透過該上部側面之透孔來與真空處理室相通的方式，而被作連接設置。於此，依存於對薄片狀基材之處理，係會有為了在基材單面上形成多層膜或者是為了將生產性提高，而在冷卻捲筒之周圍設置被相互作隔絕的複數之處理單元的情況。

在上述先前技術例中，係將真空處理室藉由區隔板來作區劃並設置複數之冷卻捲筒，而在冷卻捲筒之周圍將複數之處理單元分別作配置。因此，係會導致真空處理室乃至真空處理裝置自身之大型化。另一方面，雖然亦可考慮以能夠配置複數之處理單元的方式來將冷卻捲筒之直徑增大的構成，但是，就算這樣，也無法避免裝置本身的大型化(例如，若為在6m寬幅之薄片狀基材上形成4層膜者，則裝置高度會到達約5m)。

如此這般，若是裝置本身大型化，則就算是分割成真空處理室和真空輔助室並作搬運，其之重量亦會變重，而造成不便。又，會由於裝置本身之高度變高一事，而導致產生需要在離地面而高的位置來將真空輔助室作連接，並造成包含導引滾輪之組裝作業的在設置現場處之組裝作業變得困難。另外，在上述先前技術例中，係為了不會對於送出滾輪之安裝作業或者是將被捲取在捲取滾輪上之完成處理的薄片狀基材之回收作業的作業性造成影響，而以使送出滾輪或捲取滾輪之距離地面的高度變低的方式，來將真空輔助室設為長邊為上下方向的形態，但是，如此一來，隨著真空處理室之大型化，真空輔助室亦會產生大型化的需要。因此，為了將內部作真空排氣，係成為需要高性能之幫浦，而導致成本提高，並且，在真空排氣中亦耗費時間，而生產性係為差。

另外，在薄片狀基材之從送出滾輪起來通過真空處理室而直到被捲取於捲取滾輪上為止的行走期間中，例如若是導引滾輪相互間之安裝精確度並不充分，則會導致產生皺摺的問題，此事，係會隨著薄片狀基材之寬幅的增廣而變得更加顯著。因此，當分割為真空處理室和真空輔助室並進行搬運，而在設置現場處進行組裝的情況時，係希望能夠將被設置在真空處理室或真空輔助室處之各滾輪的相對位置以良好精確度來做組裝，又，亦希望在組裝後，具備有能夠將由於對薄片狀基材施加特定之處理而被污染了的表面作洗淨等之良好維修性。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2002-30430號公報

本發明，係有鑑於上述之點，而以提供一種：以使搬運等成為便利的方式，來將真空處理室和真空輔助室作分開構成，而在設置現場處之組裝作業為容易且為修性為佳之真空成膜裝置一事，作為課題。

為了解決上述課題，本發明，係為一種真空處理裝置，其特徵為，具備有：真空處理室，其係具備：被捲繞有長條之薄片狀基材的一部分之捲筒、和被配置在此捲筒之下方，而將薄片狀基材從上游側來朝向捲筒作導引，並且從該捲筒來將薄片狀基材朝向下游側作進送的複數之滾輪；和在此些之滾輪上方處，而被設置於捲筒之周圍處之至少1個的處理單元；和上游側之真空輔助室，其係具備：將與捲筒之軸線方向相正交的方向作為連續設置方向，並在真空處理室之上游側處經由連接管而被作連續設置，且被捲繞有薄片狀基材之送出滾輪、和將從此送出滾輪所送出之薄片狀基材通過連接管內而送至上述真空處理室處之至少1個的導引滾輪；和下游側真空輔助室，其係具備：在真空處理室之下游側處，經由連接管而被作連續設置，並將薄片狀基材作捲取之捲取滾輪、和將從上述真空處理室而通過連接管內所送來之薄片狀基材導引至捲取滾輪處之至少1個的滾輪，上述真空處理室，係為於被載置在設置於地面上之架台上的基底平板處，將使下面作了開口的第1箱體，從其之下面側來作設置，而區劃出來者，並在此第1箱體之前述軸線其中一側面處，形成有開口部，且可自由開閉地裝著有將此開口部作覆蓋之開閉扉，將前述複數之滾輪，分別軸架於在軸線方向上空出有特定間隔地而被作配置之一對的支持體上，來構成一體之滾輪單元，並具備有使此滾輪單元成為能夠在軸線方向上移動之第1導引手段，上述上游側以及下游側之兩真空輔助室，係為以於被載置在設置於地面上之架台上的基底平板處，將使下面作了開口的第2以及第3箱體，從其之下面側來分別作設置，而區劃出來的方式，所構成者。

若依據本發明，則由於係將真空處理室和兩真空輔助室，分別藉由架台和基底平板以及第1、第2、第3之各箱體來構成，並將在真空處理室內而對於薄片狀基材之搬送作導引的滾輪作了單元化，且設為能夠對於第1箱體而從其之開口部側來作插設，因此，係能夠將各個的構成零件之重量減少，對於搬運而言係為便利。又，由於係採用在真空處理室內而於捲筒之下方空間處將滾輪單元作插設，並藉由此滾輪單元來搬送薄片狀基材之構成，因此，就算是由於設置複數之處理單元而使得真空處理室大型化，亦並不需要對於真空輔助室之尺寸作變更。藉由此，不僅是滾輪單元之設置係變得容易，並且，亦能夠在架台上之較低的位置處來進行真空輔助室之對於真空處理室的連接設置作業，或者是進行在真空輔助室內之各滾輪的設置作業，在組裝作業性上係為良好。進而，在送出滾輪之安裝作業或者是對於被捲取在捲取滾輪上之完成處理的薄片狀基材之回收作業等的維修性上，亦為良好(亦即是，係能夠在架台上之較低的位置處而進行作業)。於此情況，滾輪單元，係能夠在真空處理室以外之場所而以高精確度來作組裝，並在此狀態下而藉由第1導引手段來作導引並插設於真空處理室內之特定位置處，之後，只要再以此作為基準來對於設置在兩真空輔助室處之各滾輪的相對位置做調整即可，因此，係能夠將各滾輪之相對位置以良好精確度來作組裝。又，滾輪單元，只要一旦藉由第1導引手段而作了定位，則僅需將第1箱體之開閉扉開啟並將滾輪單元拉出，便能夠進行表面之清淨等，而能夠將維修性提昇。

又，在本發明中，較理想，係於申請專利範圍第1項所記載之真空處理裝置中，具備有下述特徵：亦即是，在前述處理單元係身為具備有靶材之濺鍍成膜用的陰極單元者時，在與前述第1箱體之其中一側面相對向的另外一側面處，係被形成有與陰極單元之數量相對應了的複數之透孔，陰極單元係通過此透孔而被插設於捲筒周圍，陰極單元之各個，係被軸架在位於該陰極單元之插設方向後側並密著於前述另外一側面而將前述透孔作覆蓋之支持板和被設置在該支持板之前側處的支持構件之間，並且，係更進而具備有：第2導引手段，其係將此支持構件以使靶材之濺鍍面成為與捲筒相對向之姿勢來導引至捲筒周圍。若依據此構成，則身為消耗品之靶材的交換係成為容易，而能夠將維修性提昇。

另外，當將複數種之靶材配置在捲筒之周圍的情況時，為了防止交叉污染，係會成為需要設置將陰極單元相互作隔絕的區隔板。於此情況，若是預先在真空處理室內設置朝向捲筒之軸線方向而延伸的導引手段，並設為藉由此導引手段來保持區隔板，則係能夠在將開閉扉設為開的狀態下，而簡單地裝卸區隔板，並使維修性更進一步被提昇。

另外，例如，若是在將薄片狀基材加熱至特定溫度的狀態下而進行成膜處理，之後，將剛處理好的薄片狀基材藉由捲取滾輪來作捲取，則會有造成薄片狀基材之處理面產生變質等的問題之虞。因此，係成為先將處理後之薄片狀基材冷卻之特定溫度以下，再捲取於捲取滾輪上。於此情況，雖然亦可考慮採用將導引滾輪或捲取滾輪之旋轉軸作冷卻並藉由熱交換來冷卻薄片狀基材的方法，但是，如此一來，裝置構成係變得複雜。

因此，在本發明中，較理想，係設為下述之構成：亦即是，在前述下游側之真空輔助室處，係在前述捲取滾輪之上游側處，與薄片狀基材相對向地或者是與前述滾輪相對向地而被設置有冷卻面板。若依據此，則藉由在前述捲取滾輪之上游側處，與薄片狀基材相對向地而設置冷卻面板，該冷卻面板之與薄片狀基材相對向的面，係發揮作為吸熱面之功能，而能夠將薄片狀基材有效率地作冷卻。並且，當冷卻面板為例如可保持在極低溫(數十K)狀態之冷凍面板一般的情況時，係能夠藉由將真空輔助室內之水份等吸付在該面板上，而對於真空輔助室之高真空度保持一事有所助益，經由此，係成為例如能夠使用排氣能力為低且低成本者來做為設置在真空輔助室中之幫浦，於此點上，係為有利。另外，亦可將冷卻面板與滾輪(導引滾輪)做對向配置，並設為對該滾輪進行冷卻。

以下，參考圖面，針對作為處理單元而使用濺鍍成膜用之陰極單元並在薄片狀基材S之單面上形成多層膜的情況為例，來對於本實施形態之真空處理裝置作說明。作為薄片狀基材S，係可因應於用途而使用樹脂製等之各種物品。

參考圖1乃至圖4，SM，係為本實施形態之真空處理裝置。真空處理裝置SM，例如，係具備有藉由冷凍幫浦等之圖外的真空幫浦而被作了真空抽氣之中央的真空處理室1、和被連接設置於此真空處理室1之上游側(圖1中之左側)處並藉由圖外之真空幫浦而被作了真空抽氣之真空輔助室2、和被連接設置於真空處理室1之下游側(圖1中之右側)處並藉由圖外之真空幫浦而被作了真空抽氣之其他的真空輔助室3。以下，將真空處理室1以及兩真空輔助室2、3之連接設置方向，稱作連設方向(圖1中之左右方向)，並將與此連設方向相正交之方向稱作軸線方向，來進行說明。

真空處理室1，係於被載置在設置於地面上之架台11上的身為平板之基底平板12處，將使下面作了開口的第1箱體13，從其之下面側來作設置，而區劃出來(參考圖2)。在第1箱體13之軸線方向其中一側面(圖3中之下側)處，係被形成有開口部13a，在此開口部13a處，係可自由開閉地而被裝著有開閉扉14。在第1箱體13之連接方向的兩側面下方處，係分別在相同之高度位置處，而開口設置有容許薄片狀基材S之通過的透孔13b。

在真空處理室1內之從基底平板12起的特定高度位置處，係被設置有將薄片狀基材S之一部分作捲繞之冷卻捲筒15。冷卻捲筒15，係以使其之旋轉軸沿著軸線方向的方式而被作配置，並在與第1箱體13之開口部13a相對向的另外一側面13c和從第1箱體13之頂板而垂下設置的支持構件15a之間，中介存在有省略圖示之軸承，而被作軸架。以下，係將第1箱體13之軸線方向上的開口部13a側(圖3中之下側)稱作「前」，並將朝向另外一側面13c之方向(圖3中之上側)稱作「後」，來進行說明。

在真空處理室1內，係於冷卻捲筒15之下方處，設置有滾輪單元16。滾輪單元16，係具備有在軸線方向上而空出有特定間隔地被作配置之前後一對的支持板16a、16b。支持板16a、16b，係具備有逆凸形狀，在兩支持板16a、16b之間，係於連設方向上而左右對稱地軸架有複數之滾輪16c。於此情況，沿著冷卻捲筒15而延伸的滾輪16c，係因應於薄片狀基材S之材質或寬幅等，而由導引滾輪或具備有圖外之馬達的驅動滾輪等來適宜構成之。又，在基底平板12上，係在連設方向上空出有特定間隔地而被設置有分別朝向軸線方向而延伸之一對的軌道12a、12b。在支持板16a、16b處，係被設置有在軌道12a、12b上而分別作轉動之第1滾輪161、和在支持板之凸狀的下面處而分別轉動之第2滾輪162。而，軌道12a、12b以及各滾輪161、162，係構成本實施形態之第1導引手段。於此，在軌道12a、12b之後側的特定位置處，係被設置有圖外之擋止構件，若是將滾輪單元16從第1箱體13之開口部13a側來插入，並使第1滾輪161卡合於擋止構件處，則滾輪單元16係成為在軸線方向上而被作定位。另一方面，係藉由以軌道21a、21b來對於設置在支持板16a、16b處之第2滾輪162作規制，而在連設方向上被作定位。

在真空處理室1內，於冷卻捲筒15之周圍，設置有4個的陰極單元4a～4d。陰極單元4a～4d，係成為相同之構造，並具備著具有較薄片狀基材S之寬幅而更長的全長之長方形的靶材41。靶材41，係為因應於欲在薄片狀基材S上所形成之薄膜的組成而藉由周知之方法所形成者。靶材41，係以被接合在背板42處的狀態，而被保持在保持器43上。雖並未特別圖示說明，但是，在保持器43處，係內藏有在靶材41之前方而形成特定之磁場的磁石單元。

參考圖3～圖5，各陰極單元4a～4d，係成為能夠通過與開口部13a相對向之被形成在第1箱體13之另外一側面13c處的圓形之透孔131，來配置在冷卻捲筒15之周圍處。在支持器43處，係朝向軸線方向外方而突出地分別被形成有軸44a、44b。軸線方向前側之旋轉軸44a，係被軸支於支持構件45處(參考圖3)。於此情況，在第1箱體13內側之特定位置處，係被設置有朝向軸線方向延伸之其他的軌道132(參考圖5)。在軌道132之兩側面處，係涵蓋軸線方向略全長地而分別被形成有導引溝132a，在導引溝132a中，設置在支持構件45之上部處的第1滾輪45a，係可自由轉動地被作收容。又，在支持構件45處，係被設置有2個的第2滾輪45b，並成為當藉由使支持構件45之下端側部轉動而沿著導引溝132a來使第1滾輪45a作轉動時，發揮對於連設方向上之偏移作防止的功能。而，此些之零件，係構成本實施形態之第2導引手段。

軸線方向後側之旋轉軸44b，係分別被軸支於身為將第1箱體13之另外一側面13c做覆蓋之板材的支持板46處。若是使此支持板46朝向軸線方向後側(圖4中之右側)作移動，則各陰極單元4a～4d係同時地被第2導引手段所導引並被從第1箱體13而朝向軸線方向後側拉出(參考圖4)。又，旋轉軸44b，係被與設置在支持板46處之馬達47作連接，藉由馬達47，係能夠使旋轉軸44b旋轉並將靶材41之方向朝向上方，並能夠在此狀態下而進行靶材交換等之維修。在維修結束後，若是將陰極單元4a～4d設為與冷卻捲筒15相對向之姿勢(參考圖5)，並使支持板46朝向軸線方向前側(圖4中之左側)移動，而使該支持板46與第1箱體13之另外一側面13c作抵接，則陰極單元4a～4d係成為分別在冷卻捲筒15之周圍而被作定位配置。另外，在支持板46之與另外一側面13c間的抵接面處，係被設置有省略圖示之真空密封構件，第1箱體13內之氣密性係被作保持。

在第1箱體13內，係為了將配置各陰極單元4a～4d之空間分別區劃出來並作隔絕，而設置有區隔板5a～5d。如圖5中所示一般，在第1箱體13之頂板和側面處，係分別被設置有朝向軸線方向延伸之保持構件51、52，在此保持構件51、52處，係分別涵蓋其之全長地而被設置有與區隔板5a之板厚相當的2根之收容溝51a、52a。而後，在將開閉扉14作了開啟的狀態下，將第1區隔板5a嵌入至收容溝51a、52a內，並使其朝向軸線方向後側滑動，直到與第1箱體13之另外一側面13c相抵接為止。藉由此，陰極單元4b和第1箱體13之側面，係藉由2枚的區隔板5a而被作分隔。

又，在保持構件51之前端部處，係涵蓋其之全長地而被形成有另外之收容溝51b，並且，在冷卻捲筒15之支持構件15a處，係在徑方向外方處而被形成有朝向軸線方向延伸之保持部53，在此保持部53處，係涵蓋其之全長地而被形成有與第2區隔板5b之板厚相當的收容溝53a。而後，與上述相同的，將第2區隔板5b嵌入至兩收容溝51b、53a之溝內，並使其朝向軸線方向後側滑動，直到與第1箱體13之另外一側面13c相抵接為止。藉由此，分別位置於上下方之陰極單元4b、4c彼此，係藉由2枚的區隔板5b而被作分隔。

在冷卻捲筒15之上部而位置於連設方向兩側處之2個的陰極單元4a、4b，係藉由被配置在支持構件15a和頂板之間的區隔板5c而被相互分隔，又，在位置於下部之陰極單元4c、4d的下方處，係於支持構件15a和第1箱體13之側面之間，藉由與上述相同之方法而設置區隔板5d，並使該陰極單元4c、4d和滾輪單元16被相互作分隔(參考圖1)。進而，在支持構件15a之前面處，係被立起設置有通過區隔板5a～5d之區隔壁151，當將開閉扉14作了關閉時，區隔壁151之上面，係成為隔著省略圖示之密封構件而與開閉扉14之壁面作抵接。

另外，雖並未特別圖示並作說明，但是，在配置有藉由區隔板5a～5d而作了分隔的陰極單元4a～4d之空間中，係被設置有當進行濺鍍成膜時而將稀有氣體或反應氣體作導入之氣體導入手段，而能夠藉由圖外之控制單元來以一定之氣體流量而導入上述各氣體。而後，將特定之氣體導入至上述空間內，並對於靶材41而投入具有負電位之特定電力，來對於靶材41進行濺鍍，而能夠對於在冷卻捲筒15之周圍而以一定之速度行走的薄片狀基材S表面連續地成膜特定之薄膜。

上游側之真空輔助室2，係於被載置在設置於地面上之架台21上的身為平板之基底平板22處，將使下面作了開口的第2箱體23，從其之下面側來作設置，而區劃出來。在第2箱體23之連設方向其中一側面(前側面)處，係被形成有開口部23a，在此開口部23a處，係可自由開閉地而被裝著有開閉扉24。又，在第2箱體23之連設方向另外一側面處，係被開通設置有容許薄片狀基材之通過的透孔23b，以將真空輔助室2和真空處理室1間之兩透孔13b、23b作包圍的方式，而設置連接管6，來將兩者作連接設置。

在第2箱體23處，係設置有：被捲繞有薄片狀基材S之送出滾輪25、和將從送出滾輪25所送出之薄片狀基材S通過連接管6內而送至真空處理室處之至少1個的導引滾輪26。送出滾輪25，係能夠一面藉由鐵粉離合器等之轉矩控制手段來施加一定之後拉張力一面將薄片狀基材S送出。另外，亦可為了將薄片狀基材S在成膜處理之前先作加熱，而設置藉由輻射熱來將薄片狀基材S加熱至特定溫度之加熱單元(未圖示)。

另一方面，下游側之真空輔助室3，係於被載置在設置於地面上之架台31上的身為平板之基底平板32處，將使下面作了開口的第3箱體33，從其之下面側來作設置，而區劃出來。在第3箱體33之連設方向其中一側面(後側面)處，係被形成有開口部33a，在此開口部33a處，係可自由開閉地而被裝著有開閉扉34。又，在第3箱體33之連設方向另外一側面處，係被開通設置有容許薄片狀基材S之通過的透孔33b，以將真空輔助室3和真空處理室1間之兩透孔13b、33b作包圍的方式，而設置連接管6，來將兩者作連接設置。

在第3箱體33處，係設置有：被捲繞有薄片狀基材S之捲取滾輪35、和將從上述真空處理室1而通過連接管6內所送來之薄片狀基材S導引至捲取滾輪35處之2個的導引滾輪36。於此情況，捲取滾輪35，係為可藉由轉矩馬達等之一定的張力來進行捲取者。又，在導引滾輪36和捲取滾輪35之間，係被設置有將薄片狀基材S之張力檢測出來的檢測手段(未圖示)，並成為藉由圖外之控制單元，來因應於檢測結果而對於送出滾輪25和捲取滾輪35間之動作作控制。

另外，例如，若是在將薄片狀基材S加熱至特定溫度的狀態下而進行成膜處理，之後，將剛處理好的薄片狀基材S藉由捲取滾輪35來作捲取，則會有造成薄片狀基材S之處理面產生變質等的問題之虞。因此，係成為先將處理後之薄片狀基材S冷卻之特定溫度以下，再捲取於捲取滾輪35上。於此情況，雖然亦可考慮採用將導引滾輪36或捲取滾輪35之旋轉軸作冷卻並藉由熱交換來冷卻薄片狀基材S的方法，但是，如此一來，裝置構成係變得複雜。

因此，係在捲取滾輪35之上游側處，與薄片狀基材S相對向地而設置相當於冷卻面板之冷凍面板7。冷凍面板7，例如，係具備有閉循環之氦冷凍機等的圖外之冷凍單元，並成為藉由從冷凍單元而來之冷媒來保持為極低溫(例如，數十K)。於此情況，冷凍面板7之與薄片狀基材S相對向的面，其寬幅係被形成為較薄片狀基材S之寬幅而更廣。藉由此，冷凍面板7之與薄片狀基材S相對向的面，係發揮作為吸熱面之功用，而能夠有效率地冷卻薄片狀基材S。並且，藉由將真空輔助室3內之水份等吸付在冷凍面板7上，係對於真空輔助室3之高真空度保持一事有所助益，並成為例如能夠使用排氣能力為低且低成本者來做為設置在真空輔助室3中之幫浦，於此點上，係為有利。另外，亦可將冷凍面板7與導引滾輪36做對向配置，並設為對此導引滾輪36進行冷卻。

接下來，針對本實施形態之真空處理裝置的在設置場所處之組裝作說明。真空處理裝置SM，係被分成真空處理室1用之第1箱體13以及真空輔助室2、3用之第2和第3箱體23、33；和在此些之設置中所使用的架台11、21、31；和基底平板12、22、32；以及滾輪單元16，而被搬運至設置現場處。在設置現場，首先，係將架台11、21、31作並排設置，並在該些之上面分別載置基底平板12、22、32。此時，係以使基底平板12、22、32之相互的上面成為位置在與地面略平行之同一平面上的方式，來進行架台11、21、31之高度調整。接著，將區劃出上游側之真空輔助室2的第2箱體23和區劃出真空處理室1之第1箱體13，將其之開口設為下側地來隔著密封手段而分別設置在基底平板12、22上之特定位置處，並透過連接管6來將兩者作連接設置。藉由此，第1以及第2之兩箱體13、23係在連設方向上被作定位。

如同上述一般，若是在各基底平板12、22處設置第1以及第2之兩箱體13、23，則係在上游側之真空輔助室2處，而分別在特定位置處設置送出滾輪25以及導引滾輪26，並且將圖外之真空幫浦作裝著。另外，此些之零件，係亦能夠以預先被安裝在第2箱體23處的狀態來作搬運。另一方面，在真空處理室1中，係在將開閉扉14作了開啟的狀態下，而在基底平板12上將軌道12a、12b於軸線方向上作定位並進行安裝。此時，由於基底平板12、22、32係在設置時而進行有高度方向之調整，因此，在高度方向上係並不會產生太大的誤差，但是，亦可例如在軌道12a、12b和基底平板12之間，而使間隔物作中介存在，藉由此來調整相對於真空輔助室2內之導引滾輪26的高度位置。

接著，在將冷卻捲筒15沿著軸線方向而作了安裝後，從第1箱體13之開口部13a側起，藉由軌道12a、12b而作導引地來插入至滾輪單元16處，而進行相對於真空輔助室2內之導引滾輪26的連設方向上之定位。此時，在軌道12a、12b處，係預先設置有使被設置在支持板16b處之滾輪161作卡合的擋止構件。而後，在冷卻捲筒15之支持構件15b的下側處，以在使滾輪單元16於第1箱體13內作進退時而不會產生干涉的方式，來設置支柱(未圖示)，以支持冷卻捲筒15。另外，冷卻捲筒15，係亦能夠以預先被安裝在第1箱體13處的狀態來作搬運。當在組裝後而將滾輪單元16從第1箱體13來拉出時，係在後述之基底平板處安裝其他的軌道構件R，而成為能夠將滾輪單元16水平地拉出(參考圖3、4)。

接著，將區劃出下游側之真空輔助室3的第3箱體33，將其之開口設為下側地來隔著密封手段而設置在基底平板32上，並透過連接管6來與真空處理室2作連接設置。藉由此，第1以及第3之兩箱體13、33係在連設方向上而被作定位。而後，將捲取滾輪35以及導引滾輪36分別設置在特定位置處。此時，係相對於滾輪單元16之位置於最下游處者，來對於位置於上游側之導引滾輪36的位置作調節。又，因應於用途，而在捲取滾輪35之上游側處，與薄片狀基材S相對向地而設置相當於冷卻面板之冷凍面板7。

在如同上述一般而將真空處理裝置SM作了組裝後，於真空處理室1之架台11的前後處，係被組裝有維修用之架台81a、81b，並被設置有基底平板82a、82b。於此情況，在前側之架台81a內，若是將用以對於冷卻捲筒15或擋板42而供給冷卻水之具備有流量計的配管、或者是被與用以對於真空處理室、真空輔助室進行粗略抽氣之真空幫浦作連接的排氣管P等預先作了組裝(參考圖2)，則係能夠使組裝作業更有效率。另外，亦可因應於必要，而在真空輔助室2、3之架台21、31的前側處亦設置架台91和基底平板92。

又，在後側之基底平板82b處，係被設置有對於將陰極單元4a～4d作支持之支持板46的相對於第1箱體13之進退作導引的軌道821，在該軌道821上，係被設置有支持板46。而後，在將支持構件45如同上述一般地而設置在軌道132上之後，將各陰極單元4a～4d作軸支安裝。於此情況，將馬達47作旋轉驅動，陰極單元4a～4d係能夠以旋轉軸44a、44b為中心而作旋轉。藉由此，若是使支持板45沿著軌道132後退，則各陰極單元4a～4d係從第1箱體13內而被拉出，若是使支持板45沿著軌道132而前進，並使該支持板46與第1箱體13之另外一側面13c作抵接，則在冷卻捲筒15之周圍處，陰極單元4a～4d係被作定位配置(參考圖4)。

最後，將從送出滾輪25所拉出之薄片狀基材S，掛勾在導引滾輪26上，並送至真空處理室1處，再於此真空處理室1中而依序掛勾在滾輪單元16之連設方向前側的複數之滾輪16c上，之後，掛勾於冷卻捲筒之周圍。之後，依序掛勾於滾輪單元16之連設方向後側的複數之滾輪16c上，並導引至下游側之真空輔助室3處，再經由導引滾輪36而使其被捲取於捲取滾輪35上。之後，將區隔板5a～5d作裝著，並將開閉扉14、24、34分別關閉，再對於真空處理室1以及兩真空輔助室2、3進行真空抽氣，而結束成膜準備。

如同以上所說明一般，若依據本實施形態，則由於係將真空處理室1和兩真空輔助室2、3，分別藉由架台11、21、31和基底平板12、22、32以及第1、第2、第3之各箱體13、23、33來構成，並將在真空處理室1內而對於薄片狀基材S之搬送作導引的滾輪作了單元化，且設為能夠對於第1箱體13而從其之開口部側13a來作插設，因此，係能夠將各個的構成零件之重量減少，對於搬運而言係為便利。又，由於係採用在真空處理室1內而於冷卻捲筒15之下方空間處將滾輪單元16可自由拉出地作插設，並藉由此滾輪單元16來搬送薄片狀基材S之構成，因此，就算是由於設置複數之處理單元而使得真空處理室1大型化，亦並不需要對於真空輔助室2、3之尺寸作變更。藉由此，不僅能夠使滾輪單元16之設置成為容易，亦能夠在架台21、31上之較低的位置處來將真空輔助室2、3與真空處理室1作連接設置，並進行在真空輔助室2、3內而設置各滾輪25、26、35、36之作業，因此，在設置現場處之組裝作業性係為佳。並且，在送出滾輪25之安裝作業或者是對於被捲取在捲取滾輪35上之完成處理的薄片狀基材S之回收作業等的維修性上，亦為良好(亦即是，係能夠在架台上之較低的位置處而進行作業)。

於此，滾輪單元16，係能夠在真空處理室以外之場所而以高精確度來作組裝，並在此狀態下而藉由第1導引手段來作導引並插設於真空處理室1內之特定位置處，之後，只要再以此作為基準來對於設置在兩真空輔助室2、3處之各滾輪26、36的相對位置做調整即可，因此，係能夠將各滾輪之相對位置以良好精確度來作組裝。又，滾輪單元16，只要一旦藉由第1導引手段而作了定位，則僅需將第1箱體13之開閉扉14開啟並將滾輪單元16拉出，便能夠進行表面之清淨等，而能夠將維修性作更進一步的提昇。又，身為消耗品之靶材41的交換亦成為容易，而能夠將維修性提昇。

以上，雖係針對本發明之實施形態作了說明，但是，本發明係並不被限定於上述之實施形態。在本實施形態中，雖係將真空處理室設為1個，但是，亦可準備複數之具有相同構成之物，並使其中介存在於真空處理室和下游側之真空輔助室之間，來構成真空處理裝置。又，在上述實施形態中，作為處理單元，雖係以設置了陰極單元者為例來作了說明，但是，係並不被限定於此，亦可設為蒸鍍用之蒸發源或者是由CVD法所致之成膜源。

另外，在本實施形態中，雖係針對作為冷卻面板而使用了冷凍面板9者為例來作了說明，但是，只要是能夠從薄片狀基材S而吸熱並作冷卻者，則係並不被限定於此。又，使用有冷卻面板之本發明之薄片狀基材S之冷卻方法，係不僅能夠適用在上述實施形態之真空處理裝置中，亦可廣泛地適用在包含上述先前技術例一般之構造的其他捲取式之真空處理裝置全般中。

SM．．．真空處理裝置

1．．．真空處理室

2、3．．．真空輔助室(上游側、下游側)

11、21、31．．．架台

12、22、32．．．基底平板

13、23、33．．．第1、第2以及第3箱體

12a、12b．．．軌道(導引手段)

13a．．．開口部

131．．．透孔

14．．．開閉扉

15．．．冷卻捲筒(捲筒)

16．．．滾輪單元

16a、16b．．．支持板

16c．．．滾輪(導引滾輪、驅動滾輪)

161、162．．．滾輪(第1導引手段)

41．．．靶材

45．．．支持構件

45a、45b．．．滾輪(第2導引手段)

132．．．軌道(第2導引手段)

7．．．冷凍面板(冷卻面板)

S．．．薄片狀基材

[圖1]對於本發明之實施形態的真空處理裝置之構成作展示的從正面側所觀察之模式性剖面圖。

[圖2]將圖1之真空處理裝置分解並對於其之構成作說明的模式性立體圖。

[圖3]沿著圖1之III-III線而對於真空處理室之內部構造作展示的剖面圖。

[圖4]沿著圖1之IV-IV線而對於真空處理室之內部構造作展示的剖面圖。

[圖5]對陰極單元之對於第1箱體的安裝作說明之圖。

SM．．．真空處理裝置

1．．．真空處理室

2、3．．．真空輔助室(上游側、下游側)

4a、4b、4c、4d．．．陰極單元

5a、5b、5c、5d．．．區隔板

6．．．連接管

7．．．冷凍面板

11、21、31．．．架台

12、22、32．．．基底平板

13、23、33．．．第1、第2以及第3箱體

12a、12b．．．軌道(導引手段)

13a．．．開口部

13b．．．透孔

13c．．．另外一側面

131．．．透孔

15．．．冷卻捲筒(捲筒)

15a．．．支持構件

16．．．滾輪單元

16a．．．支持板

16c．．．滾輪(導引滾輪、驅動滾輪)

161、162．．．滾輪(第1導引手段)

23a．．．開口部

23b．．．透孔

24．．．開閉扉

25．．．送出滾輪

26．．．導引滾輪

33a．．．開口部

33b．．．透孔

34．．．開閉扉

35．．．捲取滾輪

36．．．滾輪

41．．．靶材

42、43．．．支持器

45．．．支持構件

132．．．軌道(第2導引手段)

151．．．區隔壁

S．．．薄片狀基材

Claims (3)

1. 一種真空處理裝置，其特徵為，具備有：真空處理室，其係具備：被捲繞有長條之薄片狀基材的一部分之捲筒、和被配置在此捲筒之下方，而將薄片狀基材從上游側來朝向捲筒作導引，並且從該捲筒來將薄片狀基材朝向下游側作進送的複數之滾輪、和在此些之滾輪上方處，而被設置於捲筒之周圍處之至少1個的處理單元；和上游側之真空輔助室，其係具備：將與捲筒之軸線方向相正交的方向作為連續設置方向，並在真空處理室之上游側處經由連接管而被作連續設置，且被捲繞有薄片狀基材之送出滾輪、和將從此送出滾輪所送出之薄片狀基材通過連接管內而送至上述真空處理室處之至少1個的導引滾輪；和下游側真空輔助室，其係具備：在真空處理室之下游側處，經由連接管而被作連續設置，並將薄片狀基材作捲取之捲取滾輪、和將從上述真空處理室而通過連接管內所送來之薄片狀基材導引至捲取滾輪處之至少1個的滾輪，上述真空處理室，係為於被載置在設置於地面上之架台上的基底平板處，將使下面作了開口的第1箱體，從其之下面側來作設置，而區劃出來者，並在此第1箱體之前述軸線其中一側面處，形成有開口部，且可自由開閉地裝著有將此開口部作覆蓋之開閉扉，將前述複數之滾輪，分別軸架於在軸線方向上空出有特定間隔地而被作配置之一對的支持體上，來構成一體之滾輪單元，並具備有使此滾輪單元成為能夠在軸線方向上移動之第1導引手段，上述上游側以及下游側之兩真空輔助室，係為以於被載置在設置於地面上之架台上的基底平板處，將使下面作了開口的第2以及第3箱體，從其之下面側來分別作設置，而區劃出來的方式，所構成者。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之真空處理裝置，其中，在前述處理單元係身為具備有靶材之濺鍍成膜用的陰極單元者時，在與前述第1箱體之其中一側面相對向的另外一側面處，係被形成有與陰極單元之數量相對應了的複數之透孔，陰極單元係通過此透孔而被插設於捲筒周圍，陰極單元之各個，係被軸架在位於該陰極單元之插設方向後側並密著於前述另外一側面而將前述透孔作覆蓋之支持板和被設置在該支持板之前側處的支持構件之間，並且，係更進而具備有：第2導引手段，係將此支持構件以使靶材之濺鍍面成為與捲筒相對向之姿勢來導引至捲筒周圍。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之真空處理裝置，其中，在前述下游側之真空輔助室處，係在前述捲取滾輪之上游側處，與薄片狀基材相對向地或者是與前述滾輪相對向地而被設置有冷卻面板。