JP2523754B2 - サブストレ―トをほぼ連続的に処理する装置 - Google Patents

サブストレ―トをほぼ連続的に処理する装置

Info

Publication number
JP2523754B2
JP2523754B2 JP1749288A JP1749288A JP2523754B2 JP 2523754 B2 JP2523754 B2 JP 2523754B2 JP 1749288 A JP1749288 A JP 1749288A JP 1749288 A JP1749288 A JP 1749288A JP 2523754 B2 JP2523754 B2 JP 2523754B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cassette
chambers
plane
acute angle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1749288A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63299136A (ja
Inventor
ペーター・マーラー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Original Assignee
Leybold AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold AG filed Critical Leybold AG
Publication of JPS63299136A publication Critical patent/JPS63299136A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2523754B2 publication Critical patent/JP2523754B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y10S414/138Wafers positioned vertically within cassette
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Warehouses Or Storage Devices (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、サブストレートをほぼ連続的に処理する装
置、殊にカセツト内に入れられて供給されたデイスク状
のサブストレートをコーチングする装置であつて、ロツ
クゲート室及び処理室の一連の室列を有しており、かつ
室中を通して少なくとも1つのサブストレートホルダを
搬送する搬送系を備えた処理装置を有しており、かつそ
のつど1つのサブストレートをカセツトからサブストレ
ートホルダへ積みかつ再びサブストレートホルダからカ
セツト内へ下ろすための装入ステーシヨンを有している
形式のものに関する。
処理方法には、コーチングプロセス及び(又は)被膜
層の構造及び(又は)サブストレートの特性に影響を与
えるための種々異なる処理方法が含まれる。これらの処
理方法にはコーチング法の他にさらに、エツチング法、
クリーニング法及びテンパリング法が含まれ、さらにま
た、所定の冷却法を含んだ層の反応後処理法が含まれ
る。
デイスク状のサブストレート(基体)は、CDプレー
ト、磁気プレート等の円板形のサブストレート、ウエー
フア等のほぼ円板形のプレート、さらに、他の多くの光
学的及び(又は)電子技術的目的で必要とされる方形又
は正方形のプレートであることができる。本発明の装置
はその外形が程度の差こそあれ円形であるプレート状の
サブストレートに対して特に有利に用いることができ
る。
ほぼ連続的な処理とは、サブストレートが間欠的に、
しかし最終製品としては連続的に装置内へロツクゲート
を介して装入されかつ装置から再びロツクゲートを介し
て出される処理である。一時的な停止は一般にロツクゲ
ート室及び(又は)個々の処理工程中における停止によ
つて規定される。
デイスク状のサブストレート例えばウエーフアを個々
のサブストレート間に間隔をあけて保持する保持手段を
備えているカセツト内に配置して供給することは公知で
ある。これらの保持手段は個々のサブストレートの主平
面若しくは中心平面を鉛直に立てた位置状態に保持す
る。しかし従来、サブストレートを1つずつカセツトか
ら取出してサブストレートホルダ内に装入することは、
サブストレートを主なる平面に対して垂直の方向で装置
中を搬送しようとする限り、困難であるとされた。即ち
このためにはサブストレートホルダは、サブストレート
が保持手段から落ちないようにするために固定又は係止
装置を有しなければならない。このため自動マニプレー
タの使用が実質的に著しく制限された。
本発明の課題は、はじめに述べた形式の装置を改良し
て、サブストレートをあらゆる方向から形状接続的に保
持することによつて固定する必要なしに、及び(又は)
サブストレートホルダから脱落する危険性なしに、サブ
ストレートが、循環するベルトに沿つた、簡単で確実に
作動する自動装入ステーシヨンにより、装置に供給さ
れ、かつ再び装置から搬出されるようにすることにあ
る。
この課題は本発明によれば、はじめに述べた形式の装
置において、 (イ) サブストレートホルダが、そのつど1つのデイ
スク状のサブストレートを専ら重力の作用のみによつて
1つの受容平面内に保持する突起を有しており、上記受
容平面が鉛直平面に対して鋭角をなして延びており、こ
の場合上記受容平面が処理装置に対して平行に延びてお
り、かつ、 (ロ) 装入ステーシヨンが、少なくとも1つのカセツ
トのための移動装置及びカセツトの移動範囲内に配置さ
れたマニプレータ装置を有しており、該マニプレータ装
置により、そのつど1つのサブストレートのカセツトか
らの取上げ若しくはカセツト内への挿入が鉛直方向で行
なわれ、かつ上記マニプレータ装置によりサブストレー
トが90度の旋回運動により、サブストレートホルダの受
容平面の位置にほぼ等しい傾斜位置へ移され、かつ該傾
斜位置においてサブストレートがマニプレータ装置によ
り上記突起上へ載置され若しくは該突起から離されるこ
とによつて、解決されている。
鉛直線に対する受容平面の鋭角はこの場合3乃至10
度、特に有利には5乃至7度である。
この角度は一方においては比較的小さい角度であるか
ら、サブストレートは少なくとも顕著には重力によつて
曲げられることがなく、他方において僅かに傾斜した位
置はサブストレートを専ら重力のみによつて確実に上記
突起上に保持し、かつサブストレートホルダを介して全
装置中を搬送するのに十分である。
この場合、処理工程の妨げになつたり、換言すればコ
ーチング工程においてコーチング物質を遮蔽したり、ま
た熱管理若しくはサブストレートとサブストレートホル
ダとの間の熱的平衡に不都合な影響を与えたりすること
がないように突起を形成することは極めて容易である。
困難な問題は、サブストレートがそのつどカセツト内
の極めて狭いスペースに配置されていてサブストレート
の処理されるべき表面が互いに重なり合つており、しか
もサブストレートは処理の目的で少なくとも一方の表
面、場合によつては両表面が妨げなく処理作用を受ける
ことができるように配置されていなければならないとい
う点にある。
本発明の装置の特に有利な一構成方向によれば、マニ
プレータ装置がアームを備えた回転昇降柱を有してお
り、該アームにサブストレートのためのグリツパ装置が
配置されており、かつ上記回転昇降柱の回転及び移動軸
が、カセツト内に支承されているサブストレートの平面
に対して平行な鉛直平面内にあり、かつこの平面内にお
いて回転及び移動軸が鉛直線に対して、受容平面と鉛直
線との間の鋭角にほぼ等しい鋭角をなして延びている。
この場合、鉛直線に対する回転及び移動軸の鋭角は2
乃至9度、有利には4乃至6度である。
特にスペース節減に役立つ、本発明の別の一構成形式
によれば、一連のロツクゲート室及び処理室がC字形に
配置されていて、処理室が互いに突合わされた室より成
る第1の整列した室列を形成しており、かつロツクゲー
ト室が上記の第1の室列に対して平行な第2の、整列し
た室列を形成しており、かつこの場合大気に向けられて
いるロツクゲート弁が互いに向かい合つていてかつ相互
間に装入のための距離を形成しており、かつ上記両室列
がそれらのそれぞれ隣接した端部でそれぞれ1つの横搬
送室により、互いに接続されており、かつこれらの横搬
送室内においてサブストレートホルダが移し装置によ
り、搬送方向に延びている鉛直平面に対する傾斜位置を
変えることなく、搬送系の第1の径路からこれに対して
平行の、搬送系の第2の径路へ移される。
この場合、処理装置の、搬送方向に対して平行に延び
ている外壁及び有効表面は、全体として、サブストレー
トホルダの受容平面の傾斜角度に等しい鋭角だけ傾けて
配置されているのが特に有利である。
処理装置の「有効表面」とは、グロークリーニング著
しくはエッチング用のプレート状電極及びコーチング用
のプレート状ターゲツトにおいてサブストレート表面に
対して面平行に延びている電極著しくはターゲツトの表
面を意味する。
次に図示の実施例につき本発明を説明する。
第1図は装置全体の構成を原理的に示すものである。
この装置は、ロツクゲート弁2、3を備えた入口ロツク
ゲート1及びサブストレート5を予熱するための加熱装
置4を有している。入口ロツクゲート1には横搬送室6
が続いており、この室内においてサブストレートは、図
示の矢印の方向で、搬送系の第1の径路7から第2の径
路8へ移される。さらに細部については第4図により後
に詳述する。横搬送室6の一方の端壁にはさらにエツチ
ング装置9があり、これは従来の形式でグロー放電装置
として構成されている。さらに別のロツクゲート弁10を
介して横搬送装置6には処理室11が接続しており、この
室の一方の端壁にはスパツタリングカソード12があり、
これによりサブストレート5に最初のコーチングが行な
われる。サブストレート5の後側にはさらに別の加熱装
置13があり、この加熱装置には温度センサ14が所属して
いる。
処理室11にはロツクゲート弁15を介してさらに別の処
理室16が続いており、この室の一方の端壁にはさらに別
のスパツタリングカソード17があり、これによりサブス
トレート5に同様の形式でコーチングが行なわれる。こ
のスパツタリングカソードに対向して、温度センサ19を
有する加熱装置18が配置されている。
処理室16はロツクゲート弁20を介してさらに別の横搬
送室21に接続しており、この室内においてサブストレー
トは図示の矢印方向で搬送系の径路8から再び搬送系の
径路7へ移される。横搬送室6、21は所謂高真空ロツク
ゲートの機能を有している。横搬送室21からはロツクゲ
ート弁22が出口ロツクゲート23側に設けられており、こ
のロツクゲート23の端部にはやはりロツクゲート弁24が
設けられている。両ロツクゲート弁2、24を介して装置
は大気に接続している。搬送系及び全ロツクゲート弁は
図示されていない従来の中央制御ユニツトにより強制制
御される。
図面から判るように、ロツクゲート室1及び23並びに
処理室11及び16はC字形に配置されており、この場合処
理室11及び16は、互いに突合わされた室より成る第1の
整列した室列を形成し、ロツクゲート室1及び23は上記
第1の室列に対して平行な、第2の整列した室列を形成
しており、かつまた、大気側に向けられているロツクゲ
ート弁2及び24は互いに向き合っており、かつ装入のた
めの距離を相互間に形成しており、この距離については
後に詳述する。
図面からさらに判るように上記の両室列はそれらの隣
接し合う端部でそれぞれ1つの横搬送室6及び21によつ
て互いに接続されており、これらの横搬送室内において
サブストレートホルダは搬送系の第1の径路7からこれ
に対して平行な、搬送系の第2の径路8に移され次いで
その逆に移される。
移し装置については後に第4図により詳述する。
第1図にはさらに装入ステーシヨン25が図示されてお
り、このステーシヨンには2つのカセツト26、27があ
り、これらは図面では、それらの内部にある、平行な線
分で示すサブストレートによつてのみ示されている。装
入ステーシヨン25には図面には示されていない移動装置
が所属しており、これはやはり前記の中央制御ユニツト
によつて制御され、その結果1つのカセツトから取出さ
れたそのつど1つのサブストレートが同一のカセツトの
又は後続のカセツトの、精確に予め規定された個所へ移
される。
装入ステーシヨン25の範囲にはさらにマニプレータ装
置28があり、その詳細については後に第8図及び第9図
により説明する。マニプレータ装置には回転昇降柱29が
所属していて、これは90゜の角度αだけ旋回可能であ
る。マニプレータ装置28によりサブストレート5は個所
にカセツト26若しくは27から取出されてそれぞれ1つの
サブストレートホルダ30に装入され、該ホルダと一緒に
全装置中を図示の矢印の方向で搬送される。サブストレ
ートホルダ30は繰返し異なる位置で図示されている。こ
の種の装置は一般に複数のサブストレートホルダ30を備
えていて、それらのうちの少なくとも1つが装入ステー
シヨンの範囲にあり、他は装置中を周期的に搬送されて
いる。
第2図には第1図に示されているカセツト26及びサブ
ストレートホルダ30とマニプレータ装置28との協働状態
が図示されている。回転昇降装置29は2つの支承部31内
に回転可能にかつ高さ方向で移動可能に支承されてお
り、このことは位置32′へ移すことができるアーム32で
示されている。このアーム32の端部には、サブストレー
ト5を受取るための1つの真空吸着装置33若しくは33′
がある。
カセツト26は移動装置34上に配置されており、これに
は往復台ガイド35が所属しており、これによりカセツト
26は同平面に対して垂直に運動可能である。駆動は詳細
には示されていない搬送ローラを介して行なわれ、これ
らのローラの1つが軸36により駆動される。搬送ローラ
は往復台ガイド35によつて掴まれている。
第2図から判るように、回転昇降柱29は鉛直線に対し
て鋭角をなして延びており、それも該柱は、カセツト26
内に支承されているサブストレート5の平面に対して平
行である垂直の平面(第2図の図平面)内に位置してい
る。上記柱はしかしこの平面内において上記鉛直線に対
して、受容平面と鉛直線とのなす鋭角にほぼ等しい鋭角
をなして延びている(第8図)。
第2図には搬送系の第2の径路8の細部が略示されて
いる。さらに別の細部は第10図に示されている。
第3図は搬送系の第1の径路7を有する入口ロツクゲ
ート1の垂直断面図である。
第4図は、搬送系37の第1の径路7と第2の径路8と
が連絡している横搬送室6の垂直断面図である。この範
囲内において移し装置38は軸39に沿つて横方向に移動可
能なローラ支持体40を有しており、これは鎖線で示す位
置40′へ軸39に沿つて移動可能である。ローラ支持体40
には図面観察者の目線の方向で順次に位置している、詳
細には示されていない2対のローラが配置されており、
これらのうち少なくとも1つが軸41によつて駆動され
る。軸41は真空密に横搬送室6に接続された接続管部42
内にあり、かつ端部にマグネツトカツプリング43の管内
側の部分を支持しており、該カツプリング43の外側の部
分は接続管部42上で回転可能でありかつ管縦方向で移動
可能である。このような形式でマグネツトカツプリング
43はローラ支持体40若しくは40′の位置とは無関係に常
に連結した状態にある。第4図に示されているローラ支
持体の両方の位置40、40′は搬送系37の第1の径路7及
び第2の径路8の相応する定置のローラ対の位置に整列
している。
図面から判るように、サブストレートホルダ30はサブ
ストレート5と共に、第4図に示されている装置によ
り、搬送系の第1の径路7から第2の径路8へ横方向に
移される。
第5図は第1図に示されている処理室11の範囲の詳細
図である。スパツタリングカソード12には接地遮壁44が
所属している。このようなスパツタリングカソードの細
部はしかし公知であり、従つて詳細な説明は省略する。
さらに図面から判るように、搬送系37の第2の径路8の
定置のローラの1つが、サブストレートホルダ30の装置
中での送りを保証するために、駆動軸45を有している。
第6図及び第7図にはサブストレートホルダ30の上側
部分が示されており、第6図では断面図であり、第7図
では半部の正面図である。サブストレートは下側突起46
と上側突起47とを対で有しており、これらはサブストレ
ートホルダ30内の円形切欠き48の縁に配置されている。
サブストレートホルダ30は板状基部30aを有し、これ
は、鉛直線Sに対して上記の鋭角をなして延びており、
かつ第6図における搬送方向(第6図の図平面に対して
垂直の方向)で、移動可能である。板状基部30aはサブ
ストレート5の下側範囲に2つの上記の突起46を有して
おり、これらはサブストレート下縁を受けるためのそれ
ぞれ1つの溝46aを有している。サブストレートの上側
範囲には2つの突起47が配置されており、これらの端面
は、サブストレート5を板状基部30aから離して保持す
るようにサブストレートを支持するのに役立つ。このよ
うな支持形式により吸着装置33は板状基部30aとサブス
トレート5との間のスペース内へ入ることができる。円
形の切欠き48は、サブストレート5の後側が処理装置、
例えば熱源の作用を妨げなく受けることができるように
するために役立つ。
第8図は、第2図とは反対の方向からみたマニプレー
タ装置28の作業形式を示す略示図である。回転昇降柱29
は、アーム32が左側に示された位置にあるときに、吸着
装置33と一緒に、カセツト26内の2つのサブストレート
の間の中空スペース内へ導入され、この場合このサブス
トレートの主平面は精確に鉛直に延びている。回転昇降
柱29が鎖線で示されている位置29′へ上昇することによ
りサブストレート5′がカセツト26から取出される。回
転昇降柱29が角αの傾斜を有することに基き、サブスト
レート5若しくは5′はアーム32若しくは32′の90度の
回転により、回転昇降柱29の傾斜位置に相応する角度位
置に達する。この位置でサブストレート5若しくは5′
は先に述べたサブストレートホルダ30の突起上に下ろさ
れる。鉛直線Sに対する回転昇降柱29の角度位置はこの
場合、サブストレートが突起47の端面上を滑ることなく
突起46及び47上へ下ろされるようにするために、有利に
は1度だけ少ない角度に保持されている。
第9図は第8図の作業状態を上からみた平面図であつ
て、この場合第8図の図面観察者目線の方向は矢印49で
示されている。
第10図は装置の構成のさらに別の細部を示すものであ
る。
多くの場合、こゝで行なわれる処理工程は真空及び
(又は)保護ガス下において実施されるから、ロツクゲ
ート室、処理室等は所謂真空室によつて形成されてい
る。その搬送方向に対して平行に延びている外壁51、52
若しくは53、54並びに処理装置のはじめに述べた有効表
面55は全体として鋭角βだけ傾斜しており、該角度はサ
ブストレートホルダ30の受容平面の傾斜角度に等しい。
この受容平面の位置は突起46の溝46a及び突起47の、詳
細には示されていない端面によつて規定され、この場合
簡単にするためにはじめはサブストレート5の厚味は無
視される。この受容平面の位置は、従つて、第6図から
判るように、サブストレート5の位置に等しい。個々の
処理室はスリツト口56によつて互いに接続されており、
これらのスリツト口は少なくとも部分的に、第1図に示
されているロツクゲート弁によつて遮断可能になつてい
る。
各サブストレートホルダ30はその下側範囲に4つの互
いに平行にかつ水平に向けられた案内条片57を有してお
り、これらは、詳細には示されていない角柱状の走行面
を介して、対をなして配置されている搬送ローラ58及び
案内ローラ59に係合している。搬送ローラ58若しくは案
内ローラ59は定置の軸受スリーブ60若しくは61内に軸受
けされており、これらはフランジプレート62に不動に結
合されている。搬送ローラ58は軸63によつて駆動可能で
ある。
ローラ58、59並びに第10図の図面観察者の目線の方向
で該ローラの前と後とに位置しているさらに別のローラ
は搬送系の第2の径路8を規定している。搬送系の第1
の径路7は第10図には示されていないさらに別のローラ
対によつて規定され、これらは、殊に第1図においても
みられるように、鏡面対称に配置されている。全てのサ
ブストレートホルダ30がどのような形式で第1の径路7
のローラから第2の径路8のローラへ移されるかは既に
第4図及びその説明において述べた通りである。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の装置の一実施例を示すもので、第1図は
矢印で示されたサブストレート搬送径路を備えた全装置
の原理的構成を示す平面図、第2図は装入ステーシヨン
の範囲における装置の垂直断面図、第3図は加熱装置を
備えた第1の真空ロツクゲートの範囲における装置の垂
直断面図、第4図は搬送系の1つの径路から搬送系の別
の径路へサブストレートホルダを移すための横搬送室の
垂直断面図、第5図は加熱装置を有する1つの処理室の
垂直断面図、第6図は載置されたサブストレートを有す
るサブストレートホルダの上側部分の垂直断面の拡大
図、第7図は第6図の、しかしサブストレートなしのサ
ブストレートホルダ半部の前面図、第8図は所属のマニ
プレータ装置と協働するカセツトの垂直断面図、第9図
は所属のマニプレータ装置及び処理装置の入口ロツクゲ
ートと2つの異なつたカセツトとを示す平面図、第10図
は第1図のX−X線による入口ロツクゲート及び処理ス
テーシヨンの範囲のさらに別の細部を示す、第1図の装
置の垂直断面の拡大図である。 1……入口ロツクゲート、2,3……ロツクゲート弁、4
……加熱装置、5……サブストレート、6……横搬送
室、7……第1の径路、8……第2の径路、9……エツ
チング装置、10……ロツクゲート弁、11……処理室、12
……スパツタリングカソード、13……加熱装置、14……
温度センサ、15……ロツクゲート弁、16……処理室、17
……スパツタリングカソード、18……加熱装置、19……
温度センサ、20……ロツクゲート弁、21……横搬送装
置、22……ロツクゲート弁、23……出口ロツクゲート、
24……ロツクゲート弁、25……装入ステーシヨン、26,2
7……カセツト、28……マニプレータ装置、29……回転
昇降柱、30……サブストレートホルダ、30a……板状基
部、31……支承部、32……アーム、33,33′……真空吸
着装置、34……移動装置、35……往復台ガイド、36……
軸、37……搬送系、38……移し装置、39……軸、40……
ローラ支持体、41……軸、42……接続管部、43……マグ
ネツトカツプリング、44……接地遮壁、45……駆動軸、
46……下側の突起、47……上側の突起、48……切欠き、
51……外壁、52……外壁、53……外壁、54……外壁、55
……有効表面、56……スリツト口、57……案内条片、58
……搬送ローラ、59……案内ローラ、60……軸受スリー
ブ、61……軸受スリーブ、62……フランジプレート

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】サブストレートをほぼ連続的に処理する装
    置、殊にカセツト内に入れられて供給されたデイスク状
    のサブストレートをコーチングする装置であつて、ロツ
    クゲート室及び処理室の一連の室列を有しており、かつ
    室中を通して少なくとも1つのサブストレートホルダを
    搬送する搬送系を備えた処理装置を有しており、かつそ
    のつど1つのサブストレートをカセツトからサブストレ
    ートホルダへ積みかつ再びサブストレートホルダからカ
    セツト内へ下ろすための装入ステーシヨンを有している
    形式のものにおいて、 (イ) サブストレートホルダ(30)が、そのつど1つ
    のデイスク状のサブストレート(5)を専ら重力の作用
    のみによつて1つの受容平面内に保持する突起(46、4
    7)を有しており、上記受容平面が鉛直平面に対して鋭
    角をなして延びており、この場合上記受容平面が処理装
    置に対して平行に延びており、かつ、 (ロ) 装入ステーシヨン(25)が、少なくとも1つの
    カセツト(26、27)のための移動装置(34)及びカセツ
    ト(26、27)の移動範囲内に配置されたマニプレータ装
    置(28)を有しており、該マニプレータ装置により、そ
    のつど1つのサブストレート(5)のカセツト(26、2
    7)からの取上げ若しくはカセツト(26、27)内への挿
    入が鉛直方向で行なわれ、かつ上記マニプレータ装置に
    よりサブストレートが90度の旋回運動により、サブスト
    レートホルダ(30)の受容平面の位置にほぼ等しい傾斜
    位置へ移され、かつ該傾斜位置においてサブストレート
    (5)がマニプレータ装置により上記突起上へ載置され
    若しくは該突起から離される、 サブストレートをほぼ連続的に処理する装置。
  2. 【請求項2】鉛直線に対する受容平面の鋭角が3乃至10
    度、有利には5乃至7度である、請求項1記載の装置。
  3. 【請求項3】マニプレータ装置(28)がアーム(32)を
    備えた回転昇降柱(29)を有しており、該アームにサブ
    ストレート(5)のためのグリツパ装置(33)が配置さ
    れており、かつ上記回転昇降柱(29)の回転及び移動軸
    が、カセツト(26、27)内に支承されているサブストレ
    ート(5)の平面に対して平行な鉛直平面内にあり、か
    つこの平面内において回転及び移動軸が鉛直線に対し
    て、受容平面と鉛直線との間の鋭角にほぼ等しい鋭角を
    なして延びている、請求項1記載の装置。
  4. 【請求項4】鉛直線に対する回転昇降柱(29)の回転及
    び移動軸の鋭角が2乃至9度、有利には4乃至6度であ
    る、請求項3記載の装置。
  5. 【請求項5】グリツパ装置(33)が真空吸着装置であ
    る、請求項3記載の装置。
  6. 【請求項6】サブストレートホルダ(30)が板状基部
    (30a)を有しており、該基部が鉛直線(S)に対して
    上記鋭角をなして延びており、かつ基部自体に対して平
    行に搬送方向に移動可能であり、かつ基部(30a)がサ
    ブストレート(5)の下側範囲にサブストレートの下縁
    を受けるためのそれぞれ1つの溝(46a)を備えた2つ
    の突起(46)を、かつサブストレートの上側範囲に、サ
    ブストレート(5)を基部(30a)から離して保持すよ
    うにサブストレート(5)を支持するための端面を備え
    た2つの突起(47)を有している、請求項1記載の装
    置。
  7. 【請求項7】サブストレート(5)のグリツパ装置がサ
    ブストレートの後側の、サブストレート(5)と基部
    (30a)との間の中間スペース内へ導入可能である、請
    求項6記載の装置。
  8. 【請求項8】一連のロツクゲート室(1、23)及び処理
    室(11、16)がC字形に配置されていて、処理室(11、
    16)が互いに突合わされた室より成る第1の整列した室
    列を形成しており、かつロツクゲート室(1、23)が上
    記の第1の室列に対して平行な第2の、整列した室列を
    形成しており、かつこの場合大気に向けられているロツ
    クゲート弁(2、24)が互いに向かい合つていてかつ相
    互間に装入のための距離を形成しており、かつ上記両室
    列がそれらのそれぞれ隣接した端部でそれぞれ1つの横
    搬送室(6、21)により、互いに接続されており、かつ
    これらの横搬送室内においてサブストレートホルダ(3
    0)が移し装置(38)により、搬送方向に延びている鉛
    直平面に対する傾斜位置を変えることなく、搬送系の第
    1の径路(7)からこれに対して平行の、搬送系の第2
    の径路(8)へ移される、請求項1記載の装置。
  9. 【請求項9】処理装置の、搬送装置に対して平行に延び
    ている外壁(51、52;53、54)及び有効表面(55)が全
    体として鋭角βだけ傾斜して配置されており、該鉛角は
    サブストレートホルダ(30)の受容平面の傾斜角度に等
    しい、請求項1又は8記載の装置。
  10. 【請求項10】各サブストレートホルダ(30)がその下
    側範囲に互いに平行にかつ水平に延びている案内条片
    (57)を有しており、該案内条片が走行面を介して、対
    で配置されている搬送ローラ(58)及び案内ローラ(5
    9)に係合しており、かつ移し装置(38)が少なくとも
    2つのローラ対を備えた横方向に移動可能なローラ支持
    体(40)を有しており、該ローラ支持体(40)が、搬送
    系(37)の第1の径路(7)及び第2の径路(8)の定
    置のローラ対と整列する位置へ選択的に移される、請求
    項8記載の装置。
  11. 【請求項11】移動可能なローラ支持体(40)のローラ
    の少なくとも1つのローラが駆動軸(41)を有してお
    り、該駆動軸が、ローラ支持体(40)を横方向に移動さ
    せるための推力及びトルクを伝達する駆動装置(43)に
    連結されている、請求項10記載の装置。
  12. 【請求項12】駆動軸(41)がマグネツトカツプリング
    (43)の内側のエレメントを有していて、該エレメント
    が非磁性体より成る接続管部(42)内に配置されてお
    り、かつ該接続管部の外側に上記マグネツトカツプリン
    グ(43)の外側のエレメントが回転可能及び軸方向で移
    動可能に配置されている、請求項11記載の装置。
JP1749288A 1987-01-30 1988-01-29 サブストレ―トをほぼ連続的に処理する装置 Expired - Lifetime JP2523754B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3702775.1 1987-01-30
DE19873702775 DE3702775A1 (de) 1987-01-30 1987-01-30 Vorrichtung zum quasi-kontinuierlichen behandeln von substraten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63299136A JPS63299136A (ja) 1988-12-06
JP2523754B2 true JP2523754B2 (ja) 1996-08-14

Family

ID=6319867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1749288A Expired - Lifetime JP2523754B2 (ja) 1987-01-30 1988-01-29 サブストレ―トをほぼ連続的に処理する装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4892451A (ja)
EP (1) EP0277536B1 (ja)
JP (1) JP2523754B2 (ja)
AT (1) ATE62370T1 (ja)
DE (2) DE3702775A1 (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4981408A (en) * 1989-12-18 1991-01-01 Varian Associates, Inc. Dual track handling and processing system
EP0496006A1 (en) * 1991-01-19 1992-07-29 International Business Machines Corporation Wafer transfer apparatus
DE4125334C2 (de) * 1991-07-31 1999-08-19 Leybold Ag Vorrichtung für den Transport von Substraten
DE4127341C2 (de) * 1991-08-19 2000-03-09 Leybold Ag Vorrichtung zum selbsttätigen Gießen, Beschichten, Lackieren, Prüfen und Sortieren von Werkstücken
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
US5295777A (en) * 1992-12-23 1994-03-22 Materials Research Corporation Wafer transport module with rotatable and horizontally extendable wafer holder
JPH07321176A (ja) * 1994-05-20 1995-12-08 Hitachi Ltd 基板搬送方法
US5543022A (en) * 1995-01-17 1996-08-06 Hmt Technology Corporation Disc-handling apparatus
CH691680A5 (de) * 1996-10-15 2001-09-14 Unaxis Deutschland Gmbh Transportvorrichtung für Werkstücke in einer Vakuumanlage.
US7506746B2 (en) 2002-08-31 2009-03-24 Applied Materials, Inc. System for transporting substrate carriers
US7684895B2 (en) 2002-08-31 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Wafer loading station that automatically retracts from a moving conveyor in response to an unscheduled event
US7930061B2 (en) 2002-08-31 2011-04-19 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for loading and unloading substrate carriers on moving conveyors using feedback
US7258520B2 (en) 2002-08-31 2007-08-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for using substrate carrier movement to actuate substrate carrier door opening/closing
US7243003B2 (en) 2002-08-31 2007-07-10 Applied Materials, Inc. Substrate carrier handler that unloads substrate carriers directly from a moving conveyor
US6955197B2 (en) 2002-08-31 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Substrate carrier having door latching and substrate clamping mechanisms
US20040081546A1 (en) 2002-08-31 2004-04-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for supplying substrates to a processing tool
TWI341006B (en) * 2002-08-31 2011-04-21 Applied Materials Inc System and method for transporting substrate carriers
US7778721B2 (en) 2003-01-27 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Small lot size lithography bays
US7221993B2 (en) 2003-01-27 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods for transferring small lot size substrate carriers between processing tools
US7678198B2 (en) * 2004-08-12 2010-03-16 Cardinal Cg Company Vertical-offset coater
KR20060134363A (ko) * 2005-06-22 2006-12-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 경사형 캐리어 이송 장치
JP5504164B2 (ja) 2007-10-22 2014-05-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板キャリアを移送するための方法および装置
US8432603B2 (en) 2009-03-31 2013-04-30 View, Inc. Electrochromic devices
US20120077549A1 (en) 2010-09-24 2012-03-29 Peter Gibbons Sports Musicom Headset
US9070730B2 (en) * 2011-10-07 2015-06-30 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method and apparatus for removing a vertically-oriented substrate from a cassette
KR20200035328A (ko) 2011-12-12 2020-04-02 뷰, 인크. 박막 디바이스 및 제조
EP2650135A1 (en) * 2012-04-12 2013-10-16 KBA-NotaSys SA Intaglio printing plate coating apparatus
AT14912U1 (de) * 2015-05-06 2016-08-15 Plansee Se Anschlussstück für Rohrtarget
CN112278027A (zh) * 2020-10-15 2021-01-29 奇瑞汽车股份有限公司 一种汽车滑柱制动器总成的存取、转运装置及方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3765763A (en) * 1969-07-29 1973-10-16 Texas Instruments Inc Automatic slice processing
SE372917B (ja) * 1973-05-04 1975-01-20 C G R Ossbahr
US3853091A (en) * 1973-12-03 1974-12-10 Ibm Thin film coating apparatus
DE2422527A1 (de) * 1974-05-09 1975-11-20 Semikron Gleichrichterbau Vorrichtung zum gleichzeitigen, beiderseitigen beschichten mehrerer halbleiterscheiben mit einem schutzlack
DD121309A1 (ja) * 1975-03-04 1976-07-20
DD130606A1 (de) * 1977-03-23 1978-04-12 Johannes Marschner Verfahren und vorrichtung zur winkel-und lageausrichtung kreisscheibenfoermiger objekte
JPS5485679A (en) * 1977-12-20 1979-07-07 Canon Inc Wafer aligning unit
JPS5666036A (en) * 1979-11-05 1981-06-04 Canon Inc Wafer positioner
US4311427A (en) * 1979-12-21 1982-01-19 Varian Associates, Inc. Wafer transfer system
US4603897A (en) * 1983-05-20 1986-08-05 Poconics International, Inc. Vacuum pickup apparatus
US4500407A (en) * 1983-07-19 1985-02-19 Varian Associates, Inc. Disk or wafer handling and coating system
US4599026A (en) * 1985-02-26 1986-07-08 Amp Incorporated Apparatus for providing a continuous supply of workpieces
US4749465A (en) * 1985-05-09 1988-06-07 Seagate Technology In-line disk sputtering system
JPS62144255U (ja) * 1986-02-28 1987-09-11
JP2639459B2 (ja) * 1986-04-28 1997-08-13 バリアン・アソシエイツ・インコーポレイテッド モジューラ半導体ウェーハ移送及び処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE3862201D1 (de) 1991-05-08
DE3702775A1 (de) 1988-08-11
EP0277536B1 (de) 1991-04-03
ATE62370T1 (de) 1991-04-15
JPS63299136A (ja) 1988-12-06
US4892451A (en) 1990-01-09
EP0277536A1 (de) 1988-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2523754B2 (ja) サブストレ―トをほぼ連続的に処理する装置
KR102072872B1 (ko) 진공 처리용 시스템 아키텍처
US5404894A (en) Conveyor apparatus
JP4526151B2 (ja) 基板処理装置の基板移載装置
CN101399173B (zh) 热处理方法以及热处理装置
JP3909888B2 (ja) トレイ搬送式インライン成膜装置
TWI438858B (zh) 基底傳送設備、基底處理設備和使用所述設備的基底處理方法
TWI638758B (zh) 真空處理裝置
JPH09176857A (ja) ワークピースを表面処理するための真空装置
KR20190002726A (ko) 성막 장치
TWI697065B (zh) 真空處理裝置
KR101760667B1 (ko) 고생산성 박막증착이 가능한 원자층 증착 시스템
US4498832A (en) Workpiece accumulating and transporting apparatus
JP3965131B2 (ja) 基板処理装置
JP2003516622A (ja) 狭い据付面積のフロントエンドローダ運搬装置
JP6055229B2 (ja) 被処理体の搬送機構および真空処理装置
JP3380570B2 (ja) 搬送装置
JP4105420B2 (ja) ガラス熱処理システム
US11414748B2 (en) System with dual-motion substrate carriers
JPH0513379B2 (ja)
JP2522901B2 (ja) ウォ―キングビ―ム式搬送装置
JP3273694B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP7301016B2 (ja) 連続焼成炉
TWI701759B (zh) 真空處理裝置
JP3261437B2 (ja) ローラハース炉