CN103180484B - 真空处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种真空成膜装置，为便于运输等而将真空处理室和真空辅助室分开设置，易于在安装现场组装且可维护性好。相连设置有真空处理室（1）、向真空处理室传送片状基材的上游侧的真空辅助室（2）以及卷取回收片状基材的下游侧的真空辅助室（3），所述真空处理室（1）具有卷有长的片状基材（S）的一部分的滚筒（15）、配置在该滚筒的下方且从上游侧传送来片状基材的多个辊（16c）、以及处理单元（4）。上述真空处理室及真空辅助室构成为在设置于地面的架台上载置基板，将下面开口的箱体从其下面侧设置在该基板上。多个辊一体构成为辊单元，设置为在真空处理室内可在滚筒的下方空间内自由取放。

Description

真空处理装置

技术领域

本发明涉及一种真空处理装置，其传送长的片状基材使之通过真空处理室，在该真空处理室对片状基材施加规定处理。

背景技术

由于长条状树脂制成的片状基材有弹性，也有良好的加工性，所以一般公知的是在其表面形成规定的金属膜或氧化物膜等规定薄膜，或进行热处理来制成电子部件或光学部件。

以往，作为在真空中对这种片状基材进行规定处理的真空处理装置，已知的是具有真空处理室，所述真空处理室具有冷却滚筒和处理单元（溅射成膜用的阴极单元），所述冷却滚筒上卷绕着一部分长的片状基材，所述处理单元配置在该冷却滚筒的周围，在该真空处理室的上游侧和下游侧分别相连设置有真空辅助室，上游侧的真空辅助室收纳有卷绕着片状基材的送料辊，并且下游侧的真空辅助室收纳有卷料辊（例如参照专利文献1）。

在上述以往例中，在真空处理室的上部用隔板形成有分隔的空间，该空间内固定配置有导引片状基材的引导辊。因此，两真空辅助室通过其上部侧面的通孔与真空处理室相连设置。此处，根据片状基材的处理，为了在基材单面上形成多层膜，或者为了提高生产率，在冷却滚筒的周围彼此隔绝地设置多个处理单元。

在上述以往例中，用隔板分隔真空处理室设置多个冷却滚筒，在冷却滚筒的周围分别配置有多个处理单元。因此，会导致真空处理室乃至真空处理装置自身的大型化。另一方面，也可考虑增大冷却滚筒的直径以便能够配置多个处理单元，但即便如此也无法避免装置自身的大型化（例如在6m宽的片状基材上形成四层膜的装置中，装置高度达到大约5m）。

如果像这样将装置自身大型化，即便分开运输真空处理室和真空辅助室，其重量也会很重，很不方便。再有，由于装置自身的高度增加，就需要在离地面很高的位置联合真空辅助室，包括组装引导辊的操作在内，在安装现场进行组装操作也很困难。另外，上述以往例的装置中，为了不损害送料辊的装配操作或卷绕在卷料辊上的已处理的片状基材的回收操作的加工性，而设置为真空辅助室在上下方向上长的状态，以使送料辊和卷料辊距离地面的高度降低。但这样一来，随着真空处理室的大型化，真空辅助室也需要大型化。因此，为了对内部进行真空排气需要高性能的泵，这导致成本上升，再有，真空排气需要时间，这也不利于生产效率。

再有,在从送料辊开始经真空处理室到以卷料辊卷取的片状基材运动的时间里,会有例如因引导辊彼此的装配精度不足而起皱的问题,这种情况随着片状基材的宽度变宽而变得越发明显。因此，分开运输真空处理室和真空辅助室，在安装现场进行组装时，可制成易于维护的装置，例如可高精度组装设置在真空处理室或真空辅助室的各辊的相对位置，再有，组装后可通过在片状基材上实施规定处理来清洁被污染的表面等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：专利公开2002－30430号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

鉴于上述内容，本发明要解决的技术问题是提供一种易于在安装现场组装且易于维护的真空成膜装置，其将真空处理室和真空辅助室分别构成以便于运输等。

解决技术问题的手段

为了解决上述问题，本发明的特征在于：具有真空处理室、上游侧的真空辅助室以及下游侧的真空辅助室，所述真空处理室具有：滚筒，其卷起长的片状基材的一部分；多个辊，其配置在该滚筒的下方，将片状基材从上游侧导引向滚筒，并且将片状基材从该滚筒送到下游侧；以及至少一个处理单元，其设置在这些辊上方且在滚筒的周围；所述上游侧的真空辅助室具有：送料辊，设与滚筒的轴线方向正交的方向为相连设置方向，所述送料辊经连接管与真空处理室的上游侧相连设置，卷绕有片状基材；以及至少一个引导辊，其使从该送料辊送出的片状基材通过连接管内送到上述真空处理室；所述下游侧的真空辅助室具有：卷料辊，其经连接管与真空处理室的下游侧相连设置，卷取片状基材；以及至少一个辊，其将从上述真空处理室经连接管内送来的片状基材导引到卷料辊；上述真空处理室构成为将基板载置在设置于地面上的架台上，将下面开口的第一箱体从该下面侧设置在该基板上，在该第一箱体的所述轴线一侧面上形成开口部，可自由开合地装设有遮蔽该开口部的开关门，这些多个辊与在轴线方向上隔规定间隔配置的一对支撑体分别可转动地桥接构成为一体式的辊单元，所述真空处理室具有可使该辊单元在轴线方向上移动的第一引导装置，上述上游侧及下游侧的两个真空辅助室构成为将基板载置在设置于地面上的架台上，将下面开口的第二箱体及第三箱体从该下面侧分别设置在该基板上。

根据本发明，真空处理室及两个真空辅助室分别由架台、基板、第一、第二及第三的各箱体构成，由于将在真空处理室内导引片状基材传送的辊单元化，对第一箱体可从其开口部侧插设，所以可减少各构成部件的重量，有利于运输。再有，由于采用在真空处理室内从滚筒的下方空间插设辊单元，通过该辊单元传送片状基材的结构，所以通过设置多个处理单元即便真空处理室大型化也无需改变真空辅助室的尺寸。因此，不仅辊单元的设置变得容易，也可在架台上的低位置进行真空辅助室对真空处理室的相连设置操作或在真空辅助室内进行各辊的设置操作，组装作业性良好。而且，送料辊的装配操作和卷绕在卷料辊上的已处理的片状基材的回收操作等的可维护性也很好（即可在架台上的低位置进行操作）。此时，辊单元可以以在真空处理室以外的场所高精度组装好的状态，由第一引导装置导引而插设在真空处理室内的规定位置，由于只需以其为基准来调整安装在两真空辅助室内的各辊的相对位置，所以可精度良好地装设各辊的相对位置。再有，辊单元一旦定位在第一引导装置上，则只需打开第一箱体的开关门拉出辊单元，就可以进行表面清洁等，还能够提高可维护性。

再有，在本发明中，在是权利要求1所述的真空处理装置，且是所述处理单元具有靶的、溅射成膜用的阴极单元的装置中，优选在与所述第一箱体的一侧面相对的另一侧面上形成有与阴极单元的数量对应的多个通孔，通过该通孔将阴极单元插设在滚筒周围，各个阴极单元还具有支撑板，其在该阴极单元的插设方向后侧紧贴所述另一侧面设置并覆盖所述通孔，以及第二引导装置，其与设置在其前侧的支撑部件之间可转动桥接，以靶的溅镀面与滚筒相向的姿态将该支撑部件导引到滚筒周围。由此，易于替换作为消耗品的靶，能够提高可维护性。

另外，将多种靶配置在滚筒的周围时，为防止交叉污染，需要设置隔板来使阴极单元彼此隔绝。此时，预先在真空处理室内设置在滚筒的轴线方向上延伸的导引装置，如果通过该导引装置保持在隔板上的话，则在开关门处于打开的状态下可轻松地进行隔板的装卸，能够进一步提高可维护性。

再有，例如，在将片状基材加热到规定温度的状态下进行成膜处理后，如果用卷料辊卷取刚结束处理的片状基材，则可能会产生片状基材的处理面发生变质等问题。因此，设为在处理后的片状基材冷却到规定温度以下再以卷料辊卷取。此时，虽然可以考虑冷却引导辊或卷料辊的旋转轴而通过热交换来冷却片状基材的方式，但这样会使装置结构变得复杂。

因此，在本发明中，优选在所述下游侧的真空辅助室中设置冷却板，其在所述卷料辊的上游侧与片状基材相对，或者与所述辊相对。由此，通过设置冷却板在所述卷料辊的上游侧与片状基材相对，可使该冷却板的与片状基材的相对面起到吸热面的作用，可高效地冷却片状基材。而且，冷却板是例如保持在极低温（数十K）的低温板时，通过使该板吸附真空辅助室内的水分等，有助于保持真空辅助室的高真空度，例如可使用排气能力低、成本低的装置作为设置在真空辅助室的泵等，是有利的。另外，也可将冷却板与辊（引导辊）相对配置冷却该辊。

附图说明

图1是从正面侧示出本发明实施方式的真空处理装置结构的示意剖面图。

图2是分解图1所示真空处理装置并说明其结构的示意立体图。

图3是沿图1的III－III线示出真空处理室的内部结构的剖面图。

图4是沿图1的IV－IV线示出真空处理室的内部结构的剖面图。

图5是说明阴极单元组装到第一箱体的图。

具体实施方式

以下参照附图，以使用溅射成膜用的阴极单元作为处理单元并在片状基材S的单面上形成多层膜的情况为例，说明本实施方式的真空处理装置。可使用树脂材质等根据用途而各不相同的物质作为片状基材S。

参照图1至图4，SM是本实施方式的真空处理装置。真空处理装置SM，例如具有由低温泵等未图示的真空泵抽真空的中央真空处理室1，与该真空处理室1的上游侧（图1中为左侧）相连设置的、通过未图示的真空泵抽真空的真空辅助室2，以及与真空处理室1的下游侧（图1中为左侧）相连设置的、通过未图示的真空泵抽真空的另一真空辅助室3。在下面，将真空处理室1与两真空辅助室2、3相连设置的方向称为相连设置方向（图1中为左右方向），将与该相连设置方向正交的方向作为轴线方向来进行说明。

真空处理室1构成为在设置于地面上的架台11上载置作为平板的基板12，将下面开口的第一箱体13以其下面侧设置在基板12（参照图2）。在第一箱体13的轴线方向一侧面（图3中为下侧）设置开口部13a，在该开口部13a上可自由开合地装设有开关门14。在第一箱体13的相连设置方向的两侧面下方，在彼此相同的高度位置上开设有容许片状基材S通过的通孔13b。

在真空处理室1内距离基板12规定的高度位置上，设置有卷绕一部分片状基材S的冷却滚筒15。冷却滚筒15，其旋转轴沿轴线方向配置，隔着图示省略的轴承可转动地桥接在与第一箱体13的开口部13a相对的另一侧面13c和垂直悬挂在第一箱体13的顶板上的支撑部件15a之间。在下述内容中，以第一箱体13的轴线方向中开口部13a侧（图3中为下侧）为“前”，以朝向另一侧面13c的方向（图3中为上侧）为“后”来进行说明。

在真空处理室1内，辊单元16设置在冷却滚筒15的下方。辊单元16具有在轴线方向上隔着规定间隔配置的前后一对的支撑板16a、16b。支撑板16a、16b具有反凸形状，多个辊16c在相连设置方向上左右对称地可转动桥接在两支撑板16a、16b之间。此时，根据片状基材S的材质和宽度等，由引导辊或具有未图示的马达的驱动辊等适当构成沿冷却滚筒15延伸的辊16c。再有，在基板12上，将在轴线方向上分别延伸的一对导轨12a、12b相隔规定间隔设置在相连设置方向上。在支撑板16a、16b上，设置有分别在导轨12a、12b上滚动的第一辊161和分别在支撑板的凸状下面上滚动的第二辊162。而且，导轨12a、12b及各辊161、162构成本实施方式的第一引导装置。此处，在导轨12a、12b的后侧的规定位置上，设置有未图示的挡栓，从第一箱体13的开口部13a侧插入辊单元16，将第一辊161衔接在挡栓上，则辊单元16定位在轴线方向上。另一方面，通过用导轨21a、21b来调整在支撑板16a、16b上设置的第二辊162，而使其定位在相连设置方向。

在真空处理室1内，四个阴极单元4a～4d设置在冷却滚筒15的周围。阴极单元4a～4d是相同的结构，具有全长超过片状基材S的宽度的长方形的靶41。靶41是根据要在片状基材S上形成的薄膜的组成而以公知方法制成的部件。靶41以与包装板42联合的状态保持在台架43上。图中虽未特别示出，但台架43上内置有磁铁单元，在靶41的前方形成规定的磁场。

参照图3～图5，各阴极单元4a～4d设置为可经圆形的通孔131配置在冷却滚筒15的周围，所述通孔131设置在与开口部13a相对的第一箱体13的另一侧面13c上。台架43上向轴线方向的外方向突出分别形成有轴44a、44b。轴线方向前侧的旋转轴44a由支撑部件45枢轴支撑（参照图3）。此时，在第一箱体13内侧的规定位置上，设置有在轴线方向上延伸的另一导轨132（参照图5）。在导轨132的两侧面上，跨轴线方向大致全长分别形成有导引槽132a，在导引槽132a上收纳有可自由转动的第一辊45a，所述第一辊45a设置在支撑部件45的上部。再有，在支撑部件45上，设置有两个第二辊45b，通过转动支撑部件45的下端侧部，在使第一辊45a沿导引槽132a转动时发挥防止相连设置方向的移位的作用。而且，这些部件构成本实施方式的第二引导装置。

轴线方向后侧的旋转轴44b分别枢轴支撑在支撑板46上，所述支撑板46是遮蔽第一箱体13的另一侧面13c的板材。如果使该支撑板46向轴线方向后侧（图4中为右侧）移动，则各阴极单元4a～4d被同时导引到第二引导装置并从第一箱体13被拉到轴线方向后侧（参照图4）。再有，旋转轴44b与设置在支撑板46上的马达47连接，通过马达47使旋转轴44b旋转可使靶41朝向上，可以在该状态下进行靶替换等的维护。维护结束后，使阴极单元4a～4d呈与冷却滚筒15相对的姿态（参照图5），使支撑板46移动到轴线方向前侧（图4中为左侧），如果该支撑体46与第一箱体13的另一侧面13c邻接，则阴极单元4a～4d分别定位配置在冷却滚筒15的周围。另外，在与支撑板46的另一侧面13c的邻接面上，设置有图示省略的真空膜，保持第一箱体13内的气密性。

在第一箱体13内，设置有隔板5a～5d，用于将配置有各阴极单元4a～4d的空间分别分隔开。如图5所示，在第一箱体13的顶板和侧面上，分别设置有在轴线方向上延伸的保持部件51、52，在该保持部件51、52上，跨其全长分别形成有两根收纳槽51a、52a，所述收纳槽51a、52a与隔板5a的板厚度相当。而且，在将开关门14打开的状态下，将第一隔板5a嵌装在收纳槽51a、52a内，向轴线方向后侧滑动直到与第一箱体13的另一侧面13c邻接。由此，阴极单元4b和第一箱体13的侧面由两块隔板5a隔开。

再有，在保持部件51的前端部上，形成有跨其全长的另一收纳槽51b，并且，在冷却滚筒15的支撑部件15a上，形成有向径方向的外方向在轴线方向延伸的保持部53，该保持部53上，形成有跨其全长的收纳槽53a，所述收纳槽53a与第二隔板5b的板厚度相当。而且，与上述一样，将第二隔板5b嵌装在两收纳槽51b、53a槽内，向轴线方向后侧滑动直到与第一箱体13的另一侧面13c邻接。由此，位于上下的阴极单元4b、4c彼此由两块隔板5b分隔。

在冷却滚筒15的上部且位于相连设置方向两侧的两个阴极单元4a、4b彼此由配置在支撑部件15a和顶板之间的隔板5c分隔，再有，在位于下部的阴极单元4c、4d的下方设置支撑部件15a，和在第一箱体13与侧面之间，以与上述相同的方法设置隔板5d，使该阴极单元4c、4d和辊单元16彼此分隔（参照图1）。进而，在支撑部件15a的前面，架设有与隔板5a～5d相通的隔离壁151，在将开关门14关闭时，隔离壁151的上面通过图示省略的密封部件与开关门14的壁面邻接。

另外，虽然未在图中特别说明，但在配置有以隔板5a～5d分隔的阴极单元4a～4d的空间中，设置有在溅射成膜时导入稀有气体或反应气体的气体导入装置，通过未图示的控制单元，可以以固定的气体流量导入上述各气体。而且，向上述空间内导入规定的气体，向靶41投入带负电位的规定电力，对靶41进行溅射，在片状基材S表面上持续形成规定的薄膜，所述片状基材S在冷却滚筒15的周围以固定的速度运动。

在上游侧的真空辅助室2中，将作为平板的基板22载置在设置于地面上的架台21上，将下面开口的第二箱体23从其下面侧设置在所述基板22上。在第二箱体23的相连设置方向一侧面（前侧面）上形成开口部23a，在该开口部23a上，可自由开合地装设有开关门24。再有，在第二箱体23的相连设置方向另一侧面上，开设有通孔23b以容许片状基材通过，围绕真空辅助室2和真空处理室1的两通孔13b、23b来设置连接管6使两者相连设置。

在第二箱体23上，设置有卷绕有片状基材S的送料辊25，以及将从送料辊25送出的片状基材S经连接管6内送到真空处理室的至少一个引导辊26。送料辊25可通过磁粉离合器等扭矩控制装置在施加一定的反张力的同时退绕片状基材S。另外，为在成膜处理之前加热片状基材S，也可设置加热器单元（未图示），以辐射热将片状基材S加热到规定温度。

另一方面，在下游侧的真空辅助室3中，将作为平板的基板32载置在设置于地面上的架台31上，将下面开口的第三箱体33从其下面侧设置在基板32上。在第三箱体33的相连设置方向一侧面（后侧面）上形成开口部33a，在该开口部33a上可自由开合地装设有开关门34。再有，在第三箱体33的相连设置方向的另一侧面上，开设有通孔33b以容许片状基材S通过，围绕真空辅助室3和真空处理室1的两通孔13b、33b来设置连接管6使两者相连设置。

在第三箱体33上，设置卷绕有片状基材S的送料辊35，以及将从上述真空处理室1经连接管6内送出的片状基材S导引到卷料辊35的两个引导辊36。此时，卷料辊35可以是力矩马达等以一定张力进行卷取的部件。再有，在引导辊36和卷料辊35之间设置有检测装置（未图示），以检测片状基材S的张力，通过未图示的控制单元，根据检测结果，控制送料辊25和卷料辊35的动作。

再有，例如在将片状基材S加热到规定温度的状态下进行成膜处理后，如果用卷料辊35卷绕刚处理完的片状基材S，则可能会发生片状基材S的处理面变质等问题。为此，使处理后的片状基材S冷却到规定温度以下再用卷料辊35卷取。此时，可以考虑冷却引导辊36或卷料辊35的旋转轴通过热交换来冷却片状基材S，但这会使装置变得复杂。

因此，在卷料辊35的上游侧，与片状基材S相向设置有作为冷却板的低温板7。低温板7例如具有封闭循环的氦制冷机等未图示的冷冻单元，用来自冷冻单元的制冷剂保持在极低温（例如数十K）的状态。此时，低温板7的与片状基材S的相对面设置得宽度大于片状基材S。由此，使低温板7的与片状基材S的相对面发挥吸热面的作用，可有效地冷却片状基材S。而且，通过使低温板7吸附真空辅助室3内的水分等，有助于保持真空辅助室3的高真空度，例如真空辅助室3内设置的泵可使用排气能力低、成本低的部件等，是有利的。另外，将低温板7与引导辊36相对配置，也可冷却该引导辊36。

接着，说明本实施方式的真空处理装置在设置场所的组装。真空处理装置SM分为真空处理室1用的第一箱体13及真空辅助室2、3用的第二箱体23及第三箱体33；用于这些设置中的架台11、21、31；基板12、22、32；以及辊单元16而运输到安装现场。在安装现场，首先将架台11、21、31并列设置，在其上面分别载置基板12、22、32。此时，调整架台11、21、31的高度，使基板12、22、32彼此的上面位于与地面大致平行的同一平面上。接着，将划出上游侧的真空辅助室2的第二箱体23和划出真空处理室1的第一箱体13设为其开口在下侧并隔着密封装置分别设置在基板12、22上的规定位置上，经连接管6将两者相连设置。由此，将第一及第二两箱体13、23定位在相连设置方向上。

如上所述，如第一及第二两箱体13、23设置在各基板12、22，则将送料辊25及引导辊26分别设置在上游侧的真空辅助室2的规定位置上，并且装设未图示的真空泵。另外，这些部件可以以预先安装在第二箱体23上的状态运输。另一方面，在真空处理室1中，在开关门14打开的状态下，将导轨12a、12b定位安装在基板12上的轴线方向上。此时，由于在设置基板12、22、32时进行高度方向的调整，所以在高度方向上不太会出现移位，但也可例如使间隔片隔在导轨12a、12b和基板12之间，微调相对真空辅助室2内的引导辊26的高度位置。

接着，沿轴线方向安装冷却滚筒15后，从第一箱体13的开口部13a侧，插入由导轨12a、12b导引的辊单元16，进行对真空辅助室2内的引导辊26的相连设置方向的定位。此时，在导轨12a、12b上预先设置挡栓，所述挡栓锁止设置在支撑板16b上的辊161。而且，在冷却滚筒15的支撑部件15b的下侧，设置支柱（未图示），当辊单元16在第一箱体13内前进后退时该支柱不发生干涉，支撑冷却滚筒15。另外，冷却滚筒15可以以预先安装在第一箱体13上的状态运输。将组装后的辊单元16拉出第一箱体13时，将另一导轨部材R安装在后述的基板上，使辊单元16被水平拉出（参照图3、4）。

接着，将划分下游侧的真空辅助室3的第三箱体33隔着密封装置使其开口在下侧设置在基板32上，经连接管6与真空处理室2相连设置。由此，两第一及第三箱体13、33定位在相连设置方向上。而且，卷料辊35及引导辊36分别设置在规定位置上。此时，相对于位于辊单元16的最下游的部件，调节位于上游侧的引导辊36的位置。再有，根据用途，在卷料辊35的上游侧与片状基材S相向设置作为冷却板的低温板7。

如上所述组装好真空处理装置SM后，在真空处理室1的架台11前后，安装用于维护的架台81a、81b，设置基板82a、82b。此时，在前侧的架台81a内预先组装配管或排气管P等（参照图2），所述配管具有向冷却滚筒15或垫板42供给冷却水用的流量计，所述排气管P与对真空处理室、真空辅助室进行粗抽的真空泵连接。组装操作更有效率。另外，根据需要，也可在真空辅助室2、3的架台21、31的前侧，设置架台91和基座板92。

再有，在后侧的基板82b上设置导轨821，用来导引支撑板46在第一箱体13内的前进后退，所述支撑板46用于支撑阴极单元4a～4d，支撑板46设置在该导轨821上。而且，如上所述，在将支撑部件45设置在导轨132上后，枢轴支撑并安装各阴极单元4a～4d。此时，旋转驱动马达47，阴极单元4a～4d可以以旋转轴44a、44b为中心旋转。由此，一使支撑板45沿导轨132后退，则各阴极单元4a～4d被从第一箱体13内拉出，使支撑板45沿导轨132前进，一旦该支撑板46与第一箱体13的另一侧面13c邻接，则阴极单元4a～4d定位配置在冷却滚筒15的周围（参照图4）。

最后，从送料辊25拉出的片状基材S绕着引导辊26，送到真空处理室1内，在该真空处理室1内依次绕上辊单元16的相连设置方向前侧的多个辊16c后，卷在冷却滚筒的周围。而且，依次绕过辊单元16的相连设置方向后侧的多个辊16c引导到下游侧的真空辅助室3，经引导辊36由卷料辊35卷起。而且，装设隔板5a～5d分别关闭开关门14、24、34，将真空处理室1及两真空辅助室2、3抽真空，成膜准备结束。

如上面说明的那样，采用本实施方式，由架台11、21、31，基板12、22、32，以及第一、第二及第三各箱体13、23、33分别构成真空处理室1及两真空辅助室2、3，在真空处理室1内将导引片状基材S的传送的辊单元化，由于可从其开口13a侧插入第一箱体13内，所以可减少各构成部件的重量，有利于运输。再有，在真空处理室1内将辊单元16可自由拉出地插设在冷却滚筒15的下方空间，由于采用了通过该辊单元16传送片状基材S的结构，所以通过设置多个处理单元，即便真空处理室1大型化也无需改变真空辅助室2、3的尺寸。由此，不仅是辊单元16的设置变得容易，而且也可进行在架台21、31上低位置处将真空辅助室2、3与真空处理室1相连设置，在真空辅助室2、3内设置各辊25、26、35、36的操作，在安装现场的组装操作效率很好。而且，送料辊25的装配操作或卷在卷料辊35上的已处理的片状基材S的回收操作等的可维护性也很高（即可在架台上的低位置处进行操作）。

此处，辊单元16可以以在真空处理室以外的场所高精度组装的状态由第一引导装置导引并插设在真空处理室1内的规定位置，由于以其为基准对设置在两真空辅助室2、3内的各辊26、36的相对位置进行调节即可，所以可精度良好地装配各辊的相对位置。再有，辊单元16一旦通过第一引导装置进行定位的话，则仅通过打开第一箱体13的开关门14拉出辊单元16，就可进行表面清洁等，可进一步提高可维护性。再有，也易于更换作为消耗品的靶41，可提高可维护性。

以上对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不受上述内容的限制。在本实施方式中，假设真空处理室为一个，但可准备多个相同结构的装置，插在真空处理室和下游侧的真空辅助室之间构成真空处理装置。再有，在上述实施方式中，以设置阴极单元作为处理单元的装置为例进行了说明，但并不仅限于此，也可采用气相沉淀用的蒸发源或采用CVD法的成膜源。

另外，在本实施方式中，以使用低温板9作为冷却板的装置为例进行了说明，但并不仅限于此，只要是能从片状基材S吸热使之冷却的装置即可。再有，使用冷却板的本发明的片状基材S的冷却方法并不仅适用于上述实施方式的真空处理装置，也可广泛适用于所有包含上述以往例那样的结构的其他卷取式真空处理装置中。

附图标记说明

SM…真空处理装置、1…真空处理室、2、3…真空辅助室（上游侧、下游侧）、11、21、31…架台、12、22、32…基板、13、23、33…第一、第二及第三箱体、12a、12b…导轨（引导装置）、13a…开口部、131…通孔、14…开关门、15…冷却滚筒（滚筒）、16…辊单元、16a、16b…支撑板、16c…辊（引导辊、驱动辊）、161、162…辊（第一引导装置）、41…靶、45…支撑部件、45a、45b…辊（第二引导装置）、132…导轨（第二引导装置）、7…低温板（冷却板）、S…片状基材

Claims (3)

1.一种真空处理装置，其特征在于：

具有：

真空处理室，其具有滚筒，所述滚筒卷有长的片状基材的一部分；多个辊，其配置在该滚筒的下方，将片状基材从上游侧导引向该滚筒，并且将所述片状基材从该滚筒送到下游侧；以及至少一个处理单元，其设置在这些辊的上方且在滚筒的周围；

上游侧的真空辅助室，其具有送料辊，设与滚筒的轴线方向正交的方向为相连设置方向，所述送料辊经连接管与真空处理室的上游侧相连设置，其上卷绕有片状基材；以及至少一个引导辊，其使从该送料辊送出的片状基材通过连接管内送到上述真空处理室内；

以及下游侧的真空辅助室，其具有卷料辊，所述卷料辊经连接管与真空处理室的下游侧相连设置，其卷取片状基材；以及至少一个辊，其将从上述真空处理室经连接管内送来的片状基材导引到卷料辊；

上述真空处理室构成为将基板载置在设置于地面的架台上，将下面开口的第一箱体从该下面侧设置在该基板上，在该第一箱体的所述轴线一侧面上形成开口部，可自由开合地装设有遮蔽该开口部的开关门，这些多个辊与在轴线方向上隔规定间隔配置的一对支撑体分别可转动地桥接构成为一体式的辊单元，所述真空处理室具有可使该辊单元在轴线方向上移动的第一引导装置；

上述上游侧及下游侧的两真空辅助室构成为将基板载置在设置于地面上的架台上，将下面开口的第二箱体及第三箱体从该下面侧设置在该基板上。

2.在根据权利要求1所述的真空处理装置，且所述处理单元是具有靶的、溅射成膜用的阴极单元的装置中，其特征在于：

在与所述第一箱体的一侧面相向的另一侧面上，形成与阴极单元数量对应的多个通孔，通过该通孔将阴极单元插设在滚筒周围；

各个阴极单元还具有：

支撑板，其在该阴极单元的插设方向后侧紧贴所述另一侧面设置并覆盖所述通孔；

第二引导装置，其与设置在其前侧的支撑部件之间可转动地桥接，以靶的溅镀面与滚筒相向的姿态将该支撑部件导引到滚筒周围。

3.根据权利要求1或2所述的真空处理装置，其特征在：

在所述下游侧的真空辅助室中设置冷却板，其在所述卷料辊的上游侧与片状基材相对。