CN106164330A - 真空处理系统以及用于装配处理系统的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种用于柔性基板(260；560)的真空处理系统(100)。所述真空处理系统包括：第一腔室(110)，适用于容纳供应辊和收卷辊中的一者，所述供应辊用于提供柔性基板，所述收卷辊用于储存柔性基板(260；560)；第二腔室(120)，适用于容纳供应辊和收卷辊中的一者，所述供应辊用于提供柔性基板，所述收卷辊用于储存柔性基板(260；560)；维护区(130；330；430)，在所述第一腔室(110)与所述第二腔室(120；220；420；520)之间；以及第一工艺腔室(140)，用于在柔性基板上沉积材料，其中所述第二腔室(120)设在所述维护区(130)与所述第一工艺腔室(140)之间。所述维护区(130)允许对所述第一腔室(110)和所述第二腔室(120)中的至少一者的维护接取。

Description

真空处理系统以及用于装配处理系统的方法
技术领域
本发明的实施例关于一种处理系统、一种用于处理系统的组件组以及一种装配处理系统的方法。本发明的实施例特别关于真空沉积系统，并且更特别地关于卷对卷(roll-to-roll)沉积系统以及用以装配此类沉积系统的方法。本发明的实施例特别关于用于处理柔性基板的设备。
背景技术
处理柔性基板(诸如，塑料膜或箔)在封装产业、半导体产业和其他产业中具有高需求。对于所需的应用，处理可由以下步骤组成：以所需材料(诸如，金属，特别是铝、半导体和电介质材料)涂覆柔性基板、蚀刻以及在基板上执行的处理步骤。执行此任务的系统一般包括处理卷筒(drum)(例如，圆柱滚轴(roller))，所述处理卷筒耦接至处理系统，以用于传送基板，并且在所述处理卷筒上处理的基板的至少部分。卷对卷(roll-to-roll，R2R)涂覆系统由此可提供高产量系统。
通常，可利用工艺以沉积可涂覆到柔性基板上的材料的薄层，所述工艺例如，物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)工艺、化学气相沉积(chemical vapordeposition，CVD)工艺以及等离子体增强型化学气相沉积(plasma enhanced chemicalvapor deposition，PECVD)工艺。然而，卷对卷沉积系统也在显示器产业和光伏(photovoltaic，PV))产业中面临强劲的需求增长。例如，使用触控面板元件、柔性显示器和柔性PV模块导致对于特别是以低制造成本在卷对卷涂覆机中沉积合适层的增加的需求。然而，此类装置通常具有若干层，这些层通常以CVD工艺、特别是PECVD工艺来制造。
若干CVD、PECVD和/或PVD源在一个或多个工艺腔室中的布置需要卓越且高效的工艺。常见后续在不同的R2R涂覆机中执行对复杂的薄膜层结构的沉积，每一个R2R涂覆机针对特殊沉积技术的需求来设计。然而，这个概念导致制造装备的高持有成本(costs ofownership，CoO)。
由经涂覆的基板制成的产品的示例是OLED(有机发光二极管)显示器，相比液晶显示器(liquid crystal displays，LCD)，鉴于OLED显示器的更快的响应时间、更大的视角、更大的对比度、更轻的重量、较低的功率以及对柔性基板的顺应性(amenability)，OLED显示器最近在显示器应用中受到高度关注。除了在OLED中使用的有机材料之外，也为小分子柔性有机发光二极管(flexible organic light emitting diode，FOLED)和高分子发光二极管(polymer light emitting diode，PLED)开发了许多聚合物材料。这些有机和聚合物材料中的许多材料是柔性的以用于在一系列基板上制造复杂的多层器件，使得这些有机和聚合物材料对于各种透明多色显示器应用(诸如，薄平板显示器(flat panel displays，FPD)、电激发有机激光(electrically pumped organic laser)以及有机光放大器(organic optical amplifier)是理想的。
多年来，例如显示器件中的数层已经演进成每一层都提供不同功能的多层。将多个层沉积到基板上可能需要多个处理腔室。因此，本领域中对于用于在柔性工具平台中处理基板的高效方法和设备具有需求。
鉴于上述内容，本发明的目标在于，提供克服本领域中的问题中的至少一些问题的真空处理系统以及用于装配真空处理系统的方法。
发明内容
鉴于上述内容，提供根据独立权利要求的真空处理系统、用于真空处理系统的组件以及用于装配真空沉积系统的方法。从从属权利要求、说明书和所附附图显而易见本发明的进一步的方面、优点和特征。
根据一个实施例，提供一种用于柔性基板的真空处理系统。所述真空处理系统包括：第一腔室，适用于容纳供应辊和收卷辊中的一者，所述供应辊用于提供柔性基板，所述收卷辊用于储存柔性基板；以及第二腔室，适用于容纳供应辊和收卷辊中的一者，所述供应辊用于提供柔性基板，所述收卷辊用于储存柔性基板。所述处理系统进一步包括：维护区，在所述第一腔室与所述第二腔室之间；以及第一工艺腔室，用于在柔性基板上沉积材料，其中所述第二腔室设在所述维护区与所述第一工艺腔室之间。根据本文中所述的实施例，维护区允许至所述第一腔室和所述第二腔室中的至少一者的维护或对所述第一腔室和所述第二腔室中的至少一者的维护接取。
根据另一实施例，提供一种用于装配真空处理系统的方法。所述方法包括以下步骤：提供根据本文中所述的实施例的处理系统，所述处理系统具有第一腔室、一第二腔室、第一工艺腔室以及维护区，所述维护区是在第一腔室与第二腔室之间；以及将第二工艺腔室装配至所述处理系统，其中所述处理系统的第一腔室设在所述第二工艺腔室与所述维护区之间。
实施例也涉及用于执行所公开的方法的设备，并且包括用于执行每一个所述的方法步骤的设备部件。这些方法步骤可通过硬件部件、以合适的软件编程的计算机、或这两者的任何结合的方式或以任何其他方式来执行。此外，根据本发明的实施例也涉及操作所述设备的方法。所述方法包括用于执行设备的每一个功能的方法步骤。
附图说明
因此，为了可详细地理解本发明的上述特征，可通过参照实施例进行对上文简要概述的本发明的更具体的描述。附图关于本发明的实施例，并且在下文中描述：
图1示出根据本文中所述的实施例的真空沉积系统的示意性侧视图；
图2示出根据本文中所述的实施例的真空沉积系统的示意性剖面图；
图3示出根据本文中所述的实施例的真空沉积系统的俯视图；
图4示出根据本文中所述的实施例的真空沉积系统的示意性侧视图；
图5示出根据本文中所述的实施例的真空沉积系统的示意性剖面图；
图6示出根据本文中所述的实施例的真空沉积系统的示意性侧视图；
图7示出根据本文中所述的实施例的真空沉积系统的示意性侧视图；以及
图8示出根据本文中所述的实施例的用于装配真空沉积系统的方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细地参照本发明的各种实施例，在附图中阐释实施例的一个或多个示例。在下文对附图的描述中，相同的参考编号是意指相同的部件。一般来说，仅描述相对于个别实施例的区别。通过解释的方式提供每一个示例，并且每一个示例不旨在限制本发明。此外，阐释或描述为一个实施例的部分的特征可用于其他实施例或可与其他实施例结合，以便取得更进一步的实施例。说明书旨在包括此类修改和变型。
图1示出根据本文中所述的实施例的真空处理系统100。根据一些实施例，本文中所述的处理系统可适用于柔性基板，特别是用于引导或处理柔性基板。处理系统100可包括用于容纳供应辊(roll)121的退卷(unwinding)腔室120(或退卷模块)。
根据本文中所述的一些实施例，在退卷腔室中引导由供应辊121供应的基板，并且将所述基板引导至工艺腔室140。工艺腔室140可邻近退卷腔室120而布置。如图1的实施例中所示，可设计成涂覆卷筒的工艺辊142布置在工艺腔室140中，用于在工艺期间，在工艺腔室中引导基板。
在基板已经经过工艺辊142之后，基板离开工艺腔室140。在图1中所示的实施例中，将基板从工艺腔室140引导至通路150(如下文中详细地所解释，其也可设计成管道(tunnel))。根据一些实施例，通路150将工艺腔室140与绕卷(winding)腔室110(或绕卷模块)连接。在绕卷腔室110中，在收卷辊111上绕卷经处理的基板。
在绕卷腔室110与退卷腔室120之间提供维护区130。
本文中所指的维护区应理解为允许对处理系统的一个或多个腔室进行维护的区域。在一些实施例中，维护区可允许监测、控制、维护、清洁或替换存在于处理系统的一个或多个腔室中的部件。
此外，术语“维护区”可理解为允许由操作者执行维护的区域。根据本文中所述数个实施例，维护区允许对或至腔室的维护接取(access)。举例来说，维护区可允许接取退卷腔室或绕卷腔室。维护接取可包括视觉维护、对用于控制信号或接收信号的电子单元的访问、或实体入口。根据实施例，维护区是提供大气条件。
根据本文中所述的实施例，描述了用于柔性基板的真空处理系统，在所讨论的附图中示出真空处理系统的示例。根据本文中所述一些实施例，真空处理系统可以是真空沉积系统。处理系统包括第一腔室和第二腔室，第一腔室和第二腔室中的每一个都容纳供应辊和收卷辊中的一个，所述供应辊用于提供柔性基板，所述收卷辊用于在处理之后储存柔性基板。在一些实施例中，第一腔室包括收卷辊，并且可表示为绕卷腔室(诸如，图1中的绕卷腔室110)。根据一些实施例中，第二腔室可包括供应辊，并且可表示为退卷腔室(诸如，图1中的退卷腔室120)。真空处理系统进一步包括第一腔室与第二腔室之间的维护区。在图1中，维护区130布置在退卷腔室120与绕卷腔室110之间。
根据本文中所述的实施例，处理系统包括用于处理柔性基板的第一工艺腔室。如在图1的示例中可见，在维护区130与第一工艺腔室140之间提供第二腔室。将维护区布置在第一腔室与第二腔室之间允许例如在真空处理系统的操作之前、之后或期间对第一腔室和/或第二腔室或至第一腔室和/或第二腔室的接取。
如上文所提及，退卷腔室可包括用于基板的供应辊。供应辊应理解为将经处理的基板储存于其上的辊。如本文中所述的处理系统的绕卷腔室可包括收卷辊。如本文中所述的收卷辊可理解为适用于接收经处理的基板(例如，在沉积工艺之后，接收基板)的辊。
然而，虽然本文中所述的实施例将第一腔室称为绕卷腔室或再绕卷腔室，而将第二腔室称为退卷腔室，然而应理解的是，如本文中所称的第一腔室可用作具有供应卷轴(spool)的退卷腔室，而第二腔室可用作具有收卷卷轴的再绕卷腔室。
本文中所述的工艺腔室应当理解为工艺在其中进行的腔室。举例来说，在工艺腔室中，沉积工艺可进行，以便在基板上沉积材料。然而，如下文中将详细地所解释，工艺腔室也可适用于替代的或附加的工艺。
根据一些实施例，工艺腔室可容纳工艺部件。在一些实施例中，处理腔室可包括用于在基板上沉积材料、用于加热、冷却、预处理、清洁基板等的部件。在一些实施例中，工艺腔室可包括：用于在基板上沉积材料的沉积源；加热装置(例如，加热灯，例如，红外灯)；在工艺辊中的冷却通道；清洁装置；预处理装置诸如，例如通过等离子体预处理为将在稍后阶段执行的工艺准备好基板的装置；蚀刻装置，等等。根据一些实施例，可提供预处理等离子体源(例如，RF等离子体源)，以便利用等离子体来处理基板。例如，利用等离子体的预处理可对基板表面进行表面调整，以增强沉积在基板表面上的膜的膜黏附，或能以另一方式改善基板形态(morphology)，从而改善对基板的处理。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的更进一步的实施例，处理系统100可包括预热单元，以便在处理之前加热柔性基板。举例来说，可提供用于在处理基板之前加热基板的辐射加热器、电子束加热器(e-beam heater)或任何其他元件。
在将在工艺腔室中将执行沉积工艺的情况下，工艺腔室中的(多个)工艺部件可包括一个或多个沉积源。根据一些实施例，沉积源可以是用于CVD工艺、PVD工艺、PECVD工艺、微波等离子体工艺、或类似工艺的沉积源。
因此，工艺腔室可适用于CVD工艺、PVD工艺、PECVD工艺、微波等离子体工艺、溅射蒸镀或类似工艺。举例来说，工艺腔室可包括对于执行上文提及的工艺有用的进一步的部件，诸如，功率供应器、气体供应器、真空泵、等离子体生成系统，等等。此外，腔室可设计成使得例如通过选择适合用于腔室壁和附加的腔室部件(例如，分隔壁、覆盖件和支撑元件)的材料，通过选择适合用于等离子体工艺的腔室形状(诸如，避免或减少污染的形状)等方式而适用于等离子体工艺。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例，工艺腔室可包括等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)源。能以2MHz到90MHz的频率(例如，40.68MHz的频率)操作等离子体增强型沉积源，并且集成式阻抗传感器(integrated impedance sensor)可提供对相应的工艺参数(例如，气体分隔单元的狭缝的宽度和/或沉积源的电极距基板的距离)的实时的线上(in-line)工艺监测和控制。
在一些实施例中，沉积源可适用于在柔性基板上沉积薄膜。举例来说，等离子体沉积源可适用于且可用于在柔性基板上沉积薄膜，以便例如形成柔性TFT(薄膜晶体管)、触控屏幕装置部件或柔性PV模块。
根据一些实施例，第一工艺腔室和/或第二工艺腔室可适用于允许以上下颠倒的方向或水平方向将材料沉积在基板上。可将上下颠倒的沉积源提供给用作沉积系统的处理系统，使得避免基板上的粒子生成。特别是对于处理或涂覆卷筒应用，上下颠倒的沉积源可理解为布置在涂覆卷筒的旋转轴的高度处或布置在涂覆卷筒的旋转轴的下方的沉积源。在图2中，以参考编号143示出旋转轴。
根据一些实施例，工艺腔室140的外部形状可适用于沉积源的上下颠倒的布置。举例来说，工艺腔室140的外部形状可具有分段的形状，例如，将在处理期间可能布置在工艺腔室中每一个沉积的位置考虑在内的分段的形状。在一些实施例中，如图2中可见，腔室的外部形状可具有弯曲或类似多边形的形状。
根据一些实施例，工艺腔室可包括用于在工艺腔室中支撑或固持工艺部件的一个或多个支撑装置。在一些实施例中，支撑装置可适用于在预定的公差内将工艺部件固持在固定的位置中达预定的时间间隔。在一个示例中，处理腔室可包括用于支撑或固持上述工艺部件的支撑装置，上述工艺部件诸如，用于在基板上沉积材料的沉积源、加热装置(诸如，加热灯，例如，红外灯)、清洁装置和预处理装置(诸如，为将在稍后阶段执行的工艺准备好基板的装置)。在一些实施例中，支撑装置可包括夹钳装置(clamping device)、夹持装置(gripping device)、工作台(table)、固定件(fixture)、载体、紧固件、贴接装置、接合装备(adapter equipment)，等等。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的更进一步的实施例，沉积系统的工艺腔室可具有隔室或开孔，其中工艺部件(诸如沉积源或具有沉积源的沉积站可定位在相应的开孔或对应的隔室中，使得不同种类的沉积源在工艺腔室中被分开。
处理腔室可进一步包括配置成用于在处理期间支撑基板的工艺辊(如在图1中可见，经过工艺辊142)。工艺辊可在处理期间支撑基板和/或引导基板通过存在于工艺腔室中的工艺部件。在一个示例中，工艺辊可以是涂覆卷筒。涂覆卷筒可适用于引导柔性基板经过一个或多个工艺部件(诸如，沉积源)。根据一些实施例，涂覆卷筒可配置成被加热和/或冷却至约-20℃到400℃的温度。举例来说，处理卷筒可包括加热和/或冷却通道。
图2和图3示出根据本文中所述的一些实施例的处理系统100的更详细的视图。图2示出处理系统100的示意性剖面图，而图3示出处理系统100的示意性俯视图。如参照图1所述，沉积系统包括第一腔室110、第二腔室120、维护区130和工艺腔室140。
在图2中，可以看到基板160可从退卷腔室(或第二腔室)120中的供应辊165引导至工艺腔室140中的工艺辊142，并进一步通过通路150且引导至绕卷(或第一)腔室110中的收卷辊115。如前文所述，基板可以是柔性基板。
在此，值得注意的是，如本文中所述的实施例中所使用的柔性基板或辐材(web)典型地可表征为其是可弯曲的。术语“辐材(web)”可与术语“带(strip)”或术语“柔性基板”同义地使用。例如，如本文中的实施例中所述，辐材可以是箔或另一柔性基板(诸如，金属箔、辐材或玻璃基板)。
一般来说，根据可与本文中所述的其他实施例结合的不同实施例，处理系统中的单个部件(诸如，辊)和沉积源(例如，等离子体沉积源)可适用于柔性基板(诸如，辐材或箔)或玻璃基板。例如，辊可具有用于对柔性基板进行引导、退卷或绕卷的相应的表面和几何形状。
虽然图2仅示出引导辊166、收卷辊115、退卷辊165和工艺辊142，但是应理解的是，工艺系统100可更包括用于不同功能的进一步的辊、滚轴或滚轴装置。
如本文中所述的辊、滚轴或滚轴装置可理解为提供表面的装置，当基板存在于处理系统期间，基板(或基板的部分)可与此表面接触。如本文中所指的辊的至少部分可包括用于接触待处理或已处理的基板的圆柱状形状。在一些实施例中，滚轴装置可具有基本上的圆柱形状。基本上的圆柱形状可绕着直的纵轴而形成，或者可绕着弯曲的纵轴而形成。根据一些实施例，如本文中所述的滚轴装置可适用于与柔性基板接触。本文中所指的滚轴装置可以是：引导滚轴，适用于在基板经处理时(诸如，在沉积工艺期间)引导基板或在基板存在于处理系统中时引导基板；展延滚轴(spreader roller)，适用于为待涂覆的基板提供所定义的张力；偏转滚轴(deflecting roller)，适用于根据所定义的行进路径来偏转基板；处理滚轴，用于在处理期间支撑基板，处理滚轴诸如，涂覆滚轴或涂覆卷筒；调整滚轴；绕卷辊；退卷辊，等等。如本文中所述的滚轴装置可包括金属。在一个实施例中，滚轴装置的待与基板接触的表面可适用于待涂覆的相应基板。
在一些实施例中，在本文中所述的处理系统的腔室或管道之间引导柔性基板160的引导辊166也可配置成用于张力测量。根据本文中所述的实施的典型实现方式，在处理系统中提供至少一个张力测量滚轴。此外，在工艺辊142的两侧上的两个张力测量滚轴可允许在工艺辊的绕卷侧和退卷侧上进行张力测量。通常，张力测量滚轴配置成用于测量柔性基板的张力。可更好地控制基板传送，可控制在涂覆卷筒上的基板的压力，和/或可减少或避免对基板的损坏。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的更进一步的实施例，与柔性基板基板接触的系统中的用于绕卷和退卷柔性基板的滚轴、用于引导基板的滚轴、处理或涂覆卷筒以及其他辊或元件定位在和/或布置在沉积腔室中，使得仅柔性基板的背侧(即，在处理系统中未经处理(或将不处理)的侧)被接触。因此，当退卷、处理、再绕卷、张紧(tensioning)或引导基板时，没有基于滚轴的基板前表面接触。这减少了在经处理的基板表面上以及在待处理的基板表面上的污染。此外，减小了特别是在经处理的表面上的基板损坏的风险。
根据一些实施例，绕涂覆卷筒的基板的接触角(wrapping angle)通常小于180°，更通常小于170°，甚至更通常小于150°。可在不接触经处理的基板表面(例如，具有沉积在其上的层的基板的表面)的情况下引导基板通过工艺腔室。
根据典型的实现方式，存在于工艺系统中的全部辊的接触角的总和可在180°与450°之间，例如，在180°与360°之间。在一些实施例中，例如，如果提供第二处理辊，则存在于沉积系统中的全部辊(除了供应辊和收卷辊)的接触角的总和可等于或小于540°。在一些实施例中，存在于沉积系统中的全部辊(除了供应辊和收卷辊)的接触角的总和可小于360°。根据一些实施例，如上文所解释，沉积系统的滚轴经布置以提供基板引导系统，所述基板引导系统仅在基板的背侧(即，非处理侧)接触基板。通常，特别是当期望低的总接触角(诸如，小于360°的接触角)时，引导滚轴的数量为2个或更多以及10个或更少。
如在图1的示例中可见，工艺腔室可包括倾斜凸缘145。在一些实施例中，工艺腔室被划分成至少两个部分，所述至少两个部分由倾斜凸缘145连接，并且在被组装时形成工艺腔室。通过倾斜凸缘145而连接至工艺腔室140的第二部分147的工艺腔室140的第一部分146可(至少部分地)容纳工艺部件，诸如，图2中可见的沉积源。根据一些实施例，工艺腔室140的第一部分146可适配为使得工艺部件(诸如，沉积源或工具)可在外部附接至第一部分。根据本文中所述的实施例的工艺腔室可提供可连接至通路150的第二部分，例如，通过与通路150连通，或通过甚至成为通路的部分(如图6中示出的实例)而可连接至通路150。根据一些实施例，工艺腔室140的第一部分146和第二部分147可以是通过凸缘为可连接的，所述凸缘是相对于竖直线倾斜。
工艺腔室140的倾斜凸缘可允许将工艺部件(诸如，沉积源141)布置在待处理的柔性基板160下方。因此，在沉积工艺在工艺腔室中执行的情况下，沉积可从基板下方而不是从基板上方进行。在一些实施例中，如在图2中通过沉积源141示例性地可见，可从水平方向对基板执行沉积。根据一些实施例，在涂覆卷筒的下半部分处提供沉积源。没有向下沉积(即，源取向在滚轮142的水平中心线或工艺卷筒的旋转中心上方用于根据本文中所述的实施例的沉积系统。换言之，在涂覆卷筒的旋转轴143的高度处或低于涂覆卷筒的旋转轴143的高度处提供沉积源的整个布置。在一些实施例中，在工艺卷筒的水平旋转轴的高度处或在低于工艺卷筒的水平旋转轴的高度处布置工艺腔室中的沉积源。可能污染基板和工艺的所生成的粒子是因重力而仍在沉积站中。可避免在基板上和/或在所沉积层内生成不期望的粒子。特别是对于处理卷筒或涂覆卷筒应用，上下颠倒的沉积源可理解为布置在涂覆卷筒的旋转轴的高度处或低于在涂覆卷筒的旋转轴的高度处的沉积源。此外，相比具有直分隔件的工艺腔室，多个工艺部件可以利用倾斜凸缘而布置在工艺腔室140内。
根据本文中所述的一些实施例，工艺腔室的倾斜凸缘可在工艺腔室中提供分隔壁，以便在工艺腔室中分隔工艺区域。举例来说，附图中所示的倾斜凸缘可指示工艺腔室内的真空密闭的分隔壁(vacuum tight separation wall)。在一个示例中，工艺腔室内的真空密闭分隔壁可提供用于使基板通过的闸(sluice)等。通过在工艺腔室内提供分隔壁，可减少污染的风险，当将工艺腔室的沉积在其中进行的区域与工艺腔室中仅在其中引导基板或后处理在其中进行的区域分隔时尤其如此。
根据实施例，处理系统100的一些腔室或全部腔室可适用于真空工艺。举例来说，处理系统可包括在处理系统的至少部分(诸如，绕卷腔室、工艺腔室和退卷腔室)中生成或维持真空的部件和装备。根据一些实施例，真空处理系统可包括用于至少在沉积系统的多个部分中生成或维持真空的真空泵、排气导管、真空密封件等。在一些实施例中，(多个)工艺腔室、绕卷腔室和退卷腔室中的每一者都可包括用于独立于其他腔室而在单各腔室中生成并维持真空的真空生成和真空维持装置。例如，每一个腔室都具有用于对相应的区域排气的其各自对应的真空泵或泵送站。
更进一步附加地或替代地，管道或通路适用于生成和/或维持在此管道或通路中的真空。然而，根据一些实施例，通路或管道可理解为工艺腔室的部分。例如，管道可能不通过闸而与工艺腔室分隔。因此，可例如将存在于工艺腔室中的一者或两者中的相同的真空提供给管道。在一个示例中，管道可提供由与工艺腔室的中的一个或两个相同的真空生成装置来生成并维持的真空条件。
在一个示例中，可例如通过打开通往维护区的门或窗来，出于维护目的而对退卷腔室和/或再绕卷腔室通风。
根据一些实施例，适用于在真空条件下操作的处理系统的腔室形成真空密闭的密封体(enclosure)，即，可排气至具有约0.2到10mbar的压力的真空，或甚至排气至约1*10-4到1*10-2mbar的压力的真空。特别针对在10-3mbar范围中的PVD工艺以及在mbar范围中的CVD工艺考虑不同的压力范围，所述PVD工艺与CVD工艺在不同的压力范畴中执行。此外，(多个)腔室可排气至具有1*10-6mbar或更低压力的背景真空。背景压力意味压力在没有任何气体的任何进入的情况下通过排空腔室而达到的压力。相比之下，根据本文中所述的实施例，在第一腔室110与第二腔室120之间提供的维护区处于大气(即，环境空气)条件下，使得操作者可使用维护接取。
在一些实施例中，管道或通路可适用于在真空状态和/或任选的受控的惰性气氛下操作。或者，管道或通路可在大气压或环境条件下操作。
在一些实施例中，当引导基板通过处理系统的腔室时，引导柔性基板通过将腔室分隔的壁中(例如，第二腔室120与工艺腔室140之间的壁中)的狭缝或开孔。在一个示例中，狭缝可适用于将基板从一个真空腔室引导至另一真空腔室。在其他实施例中，狭缝或开孔可包括密封元件，以便至少基本上分隔由狭缝连结的两个腔室的压力条件。举例来说，如果由狭缝或开孔连结的腔室提供不同的压力条件，则在壁中的狭缝或开孔设计成使得基本上在腔室中维持相应的压力。
根据本文中所述的实施例，在分隔壁122处提供用于将第二腔室或退卷腔室与工艺腔室分隔的至少一个气闸或负载锁定阀。一个或多个气闸可配置成使得柔性基板可通过这一个或多个气闸，并且可打开或关闭气闸以提供真空密封。根据典型的实施例，气闸包括用于引导基板(例如，用于重新引导基板移动10°或更大的角度)的滚轴。此外，提供可充气密封件，所述可充气密封件可抵压气闸的滚轴。通过对密封件充气而关闭气闸，并且第二腔室120和工艺腔室140以真空密闭方式彼此分隔。因此，例如当工艺腔室可维持在技术真空下时，可使第二腔室通风。
根据进一步的替代实现方式，也可提供气闸或负载锁定阀而不具有滚轴。可充气密封件可使基板抵压平坦的密封表面。此外，也可利用选择性地开启并关闭气闸的其他装置，其中当插入基板时可执行开启和关闭，即，具有敞开的基板路径和真空密封。用于在插入基板时关闭真空密封件的气闸允许特别容易地替换基板，因为来自新辊的基板可附接至来自先前辊的基板。
虽然相对于将柔性基板从第二腔室引导至工艺腔室来描述了缝隙、开孔或气阀，但是本文中所述的缝隙、开孔或气阀可也用于沉积系统的其他部分之间，诸如，在工艺腔室与通路之间，在通路与绕卷(或第一)腔室之间，和/或在工艺腔室与第一腔室之间。
根据一些实施例，真空处理系统100包括通路150。在一些实施例中，通路布置在退卷腔室120和/或再绕卷腔室110上方。在其他实施例中，通路可形成为位于退卷腔室120和/或再绕卷腔室110下方的管道。通道(或管道)可用于例如当在工艺腔室中处理了基板之后来引导柔性基板。根据一些实施例，可将柔性基板从工艺腔室引导通过通路而引导至第一腔室或绕卷腔室。根据一些实施例，通路或管道可适用于例如通过提供相应的密封件、泵、闸等而在真空条件下引导基板。在一些实施例中，在沉积系统操作期间，通路可处于大气压条件下。在大气压条件下操作通路可省去成本且不费力。根据一些实施例，可在通路中提供闸，诸如，在基板从工艺腔室进入通路的位置处提供一个闸，并且在基板离开通路而去往绕卷腔室的位置处提供一个闸。
在一些实施例中，提供而用于将基板从沉积系统的一个腔室引导至另一腔室的通路或管道可提供若干适配可能性。举例来说，通道或管道可配备有用于在管道中提供测量装置的适配装置(adaption device)。在一些示例中，通路或管道可适于包括：用于基板的温度传感器、压力传感器、张力传感器；视觉控制装置(visual control device)；基板控制装置，等等。
在一些实施例中，通路(或管道)、第一腔室和第二腔室包围维护区。在一个示例中，可在顶侧盖中、在顶侧盖旁提供通路，或通路可作为顶侧盖来提供，所述顶侧盖在维护区上方延伸。在另一示例中，如上文所述，可在底侧盖中、在底侧盖旁提供通路，或通路可作为底侧盖来提供，所述底侧盖在维护区下方延伸。
如上文所述，在图3中可见如图2中所见的沉积系统100的俯视图。于图3的示例中，操作者170正在通过维护区130来改变第一腔室110的收卷辊115，所述第一腔室110也表示成绕卷腔室。在不同的位置中以虚线示出收卷卷轴115。根据一些实施例，控制信号可通知操作者170关于改变在第一腔室110中的收卷辊的必要性。如在图3中可见，维护区130是提供对替换收卷辊115的良好的可接取性。
一般来说，虽然仅描述改变收卷绕卷轴的工艺，但是维护区是也提供在涂覆工艺之间的基板送入和送出的良好的可接取性。因此，也能以图3中示出的方式来替换供应辊165。
维护区可理解为允许由操作者执行维护的区域。根据本文中所述的实施例，维护区允许对腔室或至腔室的维护接取。举例来说，维护区可允许接取退卷腔室或绕卷腔室。在一些实施例中，维护区可允许控制、清洁或替换存在于处理系统的一个或多个腔室中的部件，维护区准许对所述一个或多个腔室的接取。在一些实施例中，维护区可提供对控制元件的访问，所述控制元件诸如，用于影响处理系统的腔室中的工艺的开关、按钮、控制表盘(control dial)、监视器、致动器、调制器等。在一个示例中，维护区可具有用于终止绕卷或退卷工艺的开关。在其他或进一步的实施例中，维护区可具有用于控制在第一和/或第二腔室中的环境条件(诸如，温度、压力、湿度等)的控制元件。根据实施例，维护区提供大气压条件。
在一些实施例中，在操作期间(例如，当将工艺腔室排气至10mbar或更低的压力时)，维护区允许至第一腔室和第二腔室中的至少一者或对第一腔室和第二腔室中的至少一者的维护接取。举例来说，在操作期间，能以供应(serving)或启动控制元件的形式、或以视觉控制的形式等来提供维护接取。然而，应理解的是，在处理系统的操作(即，处理动作)期间，不能执行通过移除、替换或提供供应辊或收卷辊的形式对供应辊或收卷辊进行的维护(即，为了其要使绕卷/退卷腔室中的一个或多个通风和/或打开的维护任务)。然而，当可通风和/或打开以进行维护接取的一个或多个工艺腔室被排气至例如10mbar或更低的压力时，允许用于通过移除、替换或提供供应辊或收卷辊形式进行的维护和/或用于清洁邻近维护区的真空腔室中的一个或多个的内部的维护接取的维护区仍处于大气压力。
根据一些实施例，当辐材或箔保持在一个或多个工艺腔室中时，可执行以移除、替换或提供供应辊或收卷辊形式进行的对供应辊和收卷辊的维护(即，为了其要使绕卷/退卷腔室中的一个或多个通风和/或打开的维护任务)。根据一些实施例，停止处理系统的处理动作，并且使辐材或箔传送滚轴不动。接着，可通过工艺腔室与绕卷/退卷腔室之间的真空密闭阀或气阀夹入辐材或箔，诸如，通过工艺腔室与绕卷/退卷腔室之间的可充气密封件来夹入辐材。在一些实施例中，当在夹在工艺腔室与绕卷/退卷腔室之间之后，在绕卷/退卷腔室中切割辐材。移除和/或替换供应辊和/或收卷辊。在退卷腔室中，可将由供应辊提供的新添加的辅材固定至辐材的切割段。在这种情况下，当一个或多个工艺腔室保持在真空下时，使绕卷腔室中的一个或多个通风和/或打开，并且当在处理系统的其他部分中保持真空时，在绕卷/退卷腔室中执行维护。
根据一些实施例，维护区130可适用于第一腔室、第二腔室和/或甚至第一和/或第二腔室上方的管道的典型维护步骤。举例来说，维护区130的尺寸可适配操作者170的尺寸。此外，可选择维护区130的尺寸使得操作者可从第一和第二腔室移除供应辊和/或收卷辊。根据一些实施例，维护区可具有大于1m的长度131(如图3中可见)。根据一些实施例，维护区可具有以下长度131：通常在约1m与约3m之间，更通常在约1.5m与约2.5m之间，甚至更通常，在约1.5m与约2m之间。此外，维护区可具有大于1.7m的高度132(如图2中可见)。根据一些实施例，维护区可具有以下高度132：通常在约1.7m与约3m之间，更通常在约2m与约3m之间，甚至更通常在约2m与约2.5m之间。此外，维护区130可具有依赖于基板宽度的深度133(如图3中可见)。在一些实施例中，维护区130的深度133可大于0.7m。根据一些实施例，维护区的深度133可以是：通常在约1.0m与约4.0m之间，更通常在约2m与约3.5m之间，甚至更通常在约2m与约3m之间。
如在维护区130中由收卷辊115-1以虚线所指示，维护区允许操作者170搬运从第一腔室110移除的收卷辊。根据一些实施例，维护区130的尺寸可以是出于维护目的对腔室的容易的接取与对沉积系统的空间可用性之间的权衡。在一些实施例中，如本文中所述的沉积系统中的引导滚轴系统(特别是引导滚轴的数量)适配于维护区的尺寸。
在一些实施例中，提供且配置维护区，使得第一腔室和/或第二腔室可分别从第一腔室的径向方向以及从第二腔室的径向方向接取。维护区允许分别从供应辊和收卷辊的径向方向接取第一腔室和/或第二腔室。在一实施例中，腔室的径向方向可对应于供应辊或收卷辊中的一者的径向方向。根据一些实施例，维护区允许分别从用于供应辊和收卷辊的绕卷轴的径向方向接取第一腔室和/或第二腔室。特别地，维护区可允许从相应的第一径向侧和相应的第二径向侧接取第一腔室(见例如图1中的110)(例如，具有供应辊的真空腔室)以及接取第二腔室(见例如图1中的120)(例如，具有收卷辊的真空腔室)。例如，可朝向收卷卷轴径向地移除供应辊，且反之亦然。
根据本文中所述的实施例，维护区允许维护接取。维护接取可包括视觉维护(诸如，视觉控制)、对用于控制信号或接收信号的电子单元的访问或实体入口。在一个示例中，可由门、窗或开孔提供维护接取，所述门、窗或开孔可由例如盖来关闭。根据一些实施例，可通过腔室壁(诸如，绕卷或退卷腔室的壁中的窗提供维护接取。
在一些实施例中，维护区可通过腔室壁中的窗来提供维护接取，如图2中示出为由两条水平线指示的检查窗134。可在例如当在收卷辊上绕卷基板或当从供应辊退卷基板时允许观察到基板的高度处布置在第一腔室的壁中示例性地示出的检查窗。根据一些实施例，检查窗可具有用于观察柔性基板的整个宽度的尺寸，诸如，通常在约1m与约3m之间的宽度，更通常在约1.2m与约2.5m之间的宽度，甚至更通常在约1.4m与约2.4m之间的宽度。根据更进一步的实施例，检查窗可具有用于看见整个观察绕卷和/或退卷工艺(例如，通过允许看见整个供应辊和/或整个收卷辊)的尺寸。在一些实施例中，维护区的检查窗可由若干检查端口组成，所述检查端口一起使操作者能够对腔室中的工艺具有印象。
根据一些实施例，维护区可例如以腔室壁中的门的形式来提供对第一和/或第二腔室的接取。一个或多个门可适用于到达第一和/或第二腔室中的部件，例如，适用于到达供应辊或收卷辊。在一些实施例中，门可包括腔室的检查窗。根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例，门可允许操作者进入第一和/或第二腔室。
在图3中，示出用于供应卷轴和收卷绕卷轴的装载和卸除系统的示意图。根据一些实施例，可为如本文中所述的沉积系统提供集成式装载和卸载系统。在一些实施例中，基板搬运系统可包括用于收卷辊115和/或供应辊的工作台180和移进/移出装置。在图3中示出的示例中，示出移出收卷卷轴115。举例来说，可由操作者将移进/移出装置插入到第一腔室110中，以便夹持待替换或移除的收卷辊。夹持收卷卷轴的移出装置可从第一腔室110收回，并且可从第一腔室110移除收卷辊115。在一个示例中，移出装置可包括夹持装置，所述夹持装置用于在收卷辊的两端处夹持此收卷辊，从而从辊支撑件移除此收卷辊，所述辊支撑件可例如是旋转轴。根据一些实施例，移进/移出装置可适用于使得可以在不接触绕卷在收卷辊上的基板的情况下从第一腔室移除收卷辊。
如图3中可见，当从第一腔室110移除收卷辊115时，收卷辊被装载在维护区130中的位置115-1中的基板搬运系统的工作台180上。工作台180可以是升举台，并且特别是中央升举台。操作者170可在维护区130内移动，以便移动工作台180并使收卷辊115-1在此工作台上。接着，可从维护区130移除工作台180，以便将收卷辊带出维护区130而带到位置115-2中。操作者170可因此以容易且不复杂的方式移动收卷辊。
根据一些实施例，基板搬运系统可包括工作台的替代物。举例来说，夹持工具可用于将收卷辊移出维护区。在进一步的实施例中，可由允许操作者搬运收卷辊的轴、支撑件等来运载收卷辊。根据一些实施例，可在使用在维护区130下方延伸的管道而不使用在维护区130上方延伸的通路150的情况下来使用升举台的替代物。
在一些实施例中，升举台可形成用于往返于沉积系统而装载并卸除基板的中央升举台。此台可包括用于将收卷辊或供应辊与基板保持在一起的基板支撑件。根据一些实施例，升举台至少在上方位置与下方位置之间是可移动的。可在升举台的下方位置处将布置在基板支撑件中或布置在基板支撑件上的收卷辊上的基板移出维护区。当将基板和升举台移出维护区(如收卷辊的位置115-2所示)时，可进一步由升降机(crane)(诸如，室内升降机(indoor crane)或高架升降机(overhead crane))将收卷辊和基板输送至运输载具，或者可例如借助于升降机(诸如，作为处理系统的部分的龙门升降机(gantry crane))将收卷辊和基板抬升至运输载具。
通过使用本文中所述的基板搬运系统，没有可移动的退卷器与再绕卷器(诸如，在处理期间存在于第一和第二腔室中的退卷和再绕卷装置)用于根据本文中所述的实施例的沉积系统中。可将用于移动和夹持辊的工具从维护区引入到第一和第二腔室中。根据进一步的实施例，例如在处理系统使用用于在处理系统内输送基板的管道的情况下，基板搬运系统可包括集成式门式升降机(portal crane)，用于抬升将从腔室移除的辊。
然而，根据本文中所述的实施例，通过使用按照在维护区上方具有通路的设计的处理系统，没有高架升降机用于从沉积系统移除基板，这为沉积系统的用户节省了成本和空间。因此，根据本文中所述的实施例的处理系统也可用于比本领域中已知的系统更小(或更低)的工厂建筑中。此外，通过不使用高架升降机，沉积系统对于环境没有高要求。
应理解的是，当将新的供应辊或收卷辊递送至腔室时，也能以逆序来执行如上文所述的从腔室移除辊的工艺。
根据一些实施例，如本文中所述的处理系统可允许以容易且不复杂的方式(如图3中可见)来替换处理系统中的部件。在图3的右侧，可以看见具有处理辊142的工艺腔室140。图3的操作者175具有对工艺部件141(诸如，对沉积源)的接取。根据一些实施例，一个或多个工艺部件141可聚集在一起，使得这一个或多个工艺部件141可作为一个单元或一个组(例如，入上文中参照倾斜凸缘所解释，以工艺腔室的第一部分形成的组)来接取。根据其他实施例，可逐个接取单个的工艺腔室。例如在工艺部件磨损或消耗的情况下，或如果工艺应当改变，则替换工艺部件141。举例来说，根据本文中所述的实施例的工艺系统可提供改变基板宽度的选项。对工艺部件的容易的接取和容易的替换对于高效地使用用于不同工艺类型或不同基板的工艺系统可以是非常有用的。
如图2和图3中可见，第一工艺腔室可配备绕工艺卷筒而布置的多个工艺部件(诸如，如上文所述的工艺部件)。在图2中描绘的实施例包括一个处理部件(诸如，沉积源141)以及以虚线指示的两个进一步的沉积源。然而，可理解的是，根据可与本文中所述的其他实施例结合的更进一步的实施例，可提供两个或更多个处理部件(例如，沉积源)。例如，可提供四个、五个、六个、或甚至更多个(诸如，8个、10个或12个)处理部件(例如，沉积源)。可在相应的处理区域中提供沉积源，并且在相应的区域中处理由工艺滚轴142支撑的基板。
此外，不同种类的沉积技术可用于根据本文中所述的实施例的处理系统中。举例来说，工艺可包括化学气相沉积(CVD)工艺、物理气相沉积(PVD)工艺、微波等离子体工艺，等等。
根据一些实施例，处理系统100可包括隔层(interleaf)模块。举例来说，退卷腔室120可配备隔层模块167，用于绕卷隔层，提供所述隔层以用于保护供应辊165上的基板。隔层模块可包括用于将隔层引导至隔层收卷辊的一些引导辊。在附加或替代的实施例中，再绕卷腔室110可包括隔层模块117。隔层模块117可提供隔层，所述隔层是与经处理的基板一起绕卷在收卷辊115上，用于保护在收卷辊上的经处理的基板。此外，隔层模块117可配备用于将隔层引导至收卷辊115的引导辊。
在一些实施例中，可在第一腔室和/或第二腔室中提供照明装置。特别地，照明装置可布置在第一和/或第二腔室中，使得可从一侧(诸如，经处理的侧或未处理的侧(或者待处理的侧或将不处理的侧))照射待处理的基板或经处理的基板。举例来说，照明装置可有利于对基板的检测和视觉控制，这可以(如上所述)通过维护区来执行，特别是通过在腔室壁中的窗(诸如，窗134)来执行。在一些实施例中，照明装置是灯。
图4示出沉积系统100的实施例。沉积系统包括第一腔室110、第二腔室120和维护区130，所述第一腔室110可也表示成再绕卷腔室，所述第二腔室120可也表示成退卷腔室，并且所述维护区布置在第一腔室与第二腔室之间。根据一些实施例，第一腔室110、第二腔室120和维护区130可以是如上文中参照图1至图3所描述的那些。此外，沉积系统100可包括上文中参照图1至图3所描述的进一步的特征，诸如，上文中参照图3所描述的基板搬运系统。
如图4中可见，沉积系统包括第一工艺腔室140和第二工艺腔室240。第一工艺腔室140可布置成相邻于第二或退卷腔室，而第二工艺腔室240布置成相邻于第一腔室110或退卷腔室。特别地，第二处理腔室240可定位成使得第一腔室110设在维护区130与第二工艺腔室240之间。
虽然在图4中以及下文中的图5，将第一腔室描述为绕卷腔室，而将第二腔室描述为退卷腔室，但是根据本文中所述的实施例的沉积系统不限于此布置。在替代实施例中，第一腔室可以是退卷腔室，而第二腔室可以是绕卷腔室。
根据一些实施例，第一工艺腔室140和/或第二工艺腔室240可配备工艺部件，诸如，用于在柔性基板上沉积材料的沉积工艺的沉积源。在一些实施例中，例如通过提供用于(多个)沉积源的一个或多个支撑装置、沉积源自身等，图4中的工艺腔室中的至少一个可配备成参照图1至图3描述的工艺腔室。沉积系统也可包括如上所述的真空系统，即，允许沉积系统100的每一个腔室或单个腔室被排气且允许维持压力的真空系统。
第一工艺腔室140的倾斜凸缘145和第二工艺腔室240的倾斜凸缘245允许在这两个处理腔室中进行上下颠倒的沉积，即，从所装配的工艺腔室的水平中心线的高度处或低于所述水平中心线的高度来处理基板的沉积。这减少粒子污染的风险，并且使沉积工艺更安全且更高效。根据一些实施例，工艺腔室中的仅一个可配备倾斜凸缘。
倾斜凸缘145将第一工艺腔室140分隔成两个部分(第一部分146和第二部分147)。倾斜凸缘245将第二工艺腔室240分隔成两个部分(第一部分246和第二部分247)。根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例，可从工艺腔室的第二部分147和247移除第一工艺腔室140的第一部分146和/或第二工艺腔室240的第一部分246，例如为了具有对布置在(多个)工艺腔室中的工艺部件(例如，沉积源)的容易的接取。在一些实施例中，可去除(多个)工艺腔室的(多个)第一部分一来替换工艺部件。
根据一些实施例，第一和/或第二工艺腔室的倾斜凸缘可用于在相应的工艺腔室中提供分隔壁，诸如，将工艺腔室中的处理区域与工艺腔室中的引导区域或预处理或后处理区域分隔开的分隔壁。
如图4中可见，根据本文中所述的实施例的处理系统提供以模块化方式组装处理系统的可能性。处理系统可适用于待执行工艺的特殊要求。举例来说，第二处理腔室240可附加地装配至如上文中参照图1至图3所述的处理系统100。可例如通过增加第二工艺腔室，或通过改变处理系统的(多个)工艺腔室中的工艺部件，更多不同的工艺可组合在处理系统内，这可通过如上文所述在不同的工艺部件之间提供分隔壁来促进。根据本文中所述的实施例的处理系统允许布置处理系统的高度灵活性。此外，如上文所述的替换第一部分可用于提供处理系统的高度模块化。
根据一些实施例，多于一个的沉积系统可布置在模块化架构中以处理一个基板。举例来说，在基板已经通过图5中的第二工艺辊242之后，可由通路或管道将基板引导至具有进一步的工艺腔室的进一步的沉积系统。
图5示出根据本文中所述的实施例的沉积系统200的剖面图。在一个实施例中，图5中示出的沉积系统是图4中示出的沉积系统的更详细的剖面视图。在图5中示出的实施例中，在退卷或第二腔室120中退卷待处理的基板160。在所示实施例中，经由引导辊166，基板160被引导至沉积系统100的第一工艺腔室140。为了在第一工艺腔室140中处理基板160，可由处理辊或卷筒142引导基板。处理卷筒142可以是可旋转的。第一工艺腔室140可包括工艺部件，当由处理卷筒142引导基板时，基板被引导经过所述工艺部件。举例来说，工艺部件可以是如上所述的工艺部件，诸如，沉积源141。在图5中所示的实施例中，在第一工艺腔室140中仅示出一个沉积源141，而第一工艺腔室140的其他沉积源以虚线示出。
如参照图3中示出的实施例所解释，可在处理卷筒142的中心轴143的高度处或低于处理卷筒142的中心轴143处布置设在第一工艺腔室140中的沉积源141或多个沉积源。来自源的沉积如此布置，使得从基板下方而非从基板上方作用于基板。通过将沉积源布置在处理卷筒的中心轴的高度或低于处理卷筒的中心轴处，可减小在基板上或在所沉积的层中的粒子污染的风险。第一工艺卷筒140可相对于竖直方向被分割在沿倾斜凸缘(如图4中示例性地可见)而组装的两个或更多个部分中，从而促进沉积源的相应布置。
在处理了基板之后，通过通路150来引导基板160，所述通路150可布置在退卷腔室120、维护区130和绕卷腔室110上方。在一些实施例中，通路150可以是顶盖的部分，或可以作为维护区与第一和第二腔室下方的管道来提供。根据一些实施例，管道可包括一个或多个闸，所述一个或多个闸可能能够将沉积系统100的第一工艺腔室140中的压力条件与沉积系统100的第二工艺腔室180分隔开。在一些实施例中，多个闸设在工艺系统100中从一个腔室到另一腔室的每一个通行路(passage)处，诸如，设在退卷腔室到第一工艺腔室之间的通行路处，设在第一工艺腔室与通路之间的通行路处，设在通路与第二工艺腔室之间的通行路处，以及设在第二工艺腔室与绕卷腔室之间的通行路处。
一个或多个气闸能以上文详述的方式配置，并且可在如上文所述的工艺系统中。
在一些实施例中，在第一工艺腔室与第二工艺腔室之间没有提供闸，使得第一工艺腔室和第二工艺腔室共享共同的压力条件。根据一些实施例，具有相同真空条件且因此彼此不在大气压力方面被分隔的两个工艺腔室可也表示成一个工艺腔室。
在已经通过了通路150之后，(例如，通过(多个)引导滚轴166)将基板160引导至第二工艺腔室240。根据一些实施例，第二工艺腔室240可设计为第一工艺腔室140或上文中参照图1至图3所述的工艺腔室。举例来说，第二工艺腔室可包括工艺卷筒242以及一个或多个工艺部件241(诸如，沉积源)。在一个示例中，可在处理卷筒242的中心线或旋转轴243的高度处或在低于处理卷筒242的中心线或旋转轴243处布置第二腔室240的沉积源241。可由处理卷筒242引导基板通过工艺部件241。在第二工艺腔室240中的工艺部件241是沉积源的情况下，可在基板160上涂覆所沉积材料的一个或多个附加层。根据一些实施例，第二工艺腔室提供附加或互补的部件，用于在第一工艺腔室中沉积在基板上的层。
处理系统形成用于各种工艺和PVD工艺(诸如，蒸镀或溅射)或CVD工艺(诸如，PECVD工艺)的通用平台，当移动基板通过所述处理系统时可组合所述工艺。特别地，可组合不同的PECVD工艺且例如用于TFT或柔性TFT制造，更特别地，用于超高阻挡层(ultra highbarriers)。
当在第二工艺腔室240中处理基板160时，在处理期间，可由工艺卷筒242引导基板160。当在第二工艺腔室240中处理了基板160之后，基板可引导至第一或绕卷腔室110，其中在收卷辊110上绕卷经处理的基板以储存经处理的基板。如上文中详述，可通过维护区130来接取第一腔室110和/或第二腔室120，以便维护第一和/或第二腔室。
根据一些实施例，具有两个工艺腔室的沉积系统的接触角可小于540°。如上文所解释，根据本文中所述的实施例，在根据本文中所述的实施例的具有两个工艺腔室工的沉积系统中的辊(包括引导辊，但不包括供应辊和收卷辊)可布置成使得经处理的基板表面不由滚轴触碰。
根据一些实施例，如本文中所述的沉积系统可具有可模块化设计。举例来说，图1至图3的沉积系统可适配成使得第二工艺腔室可被连接，例如，邻接于第一腔室。举例来说，沉积系统200可提供凸缘或连接底座，从而允许通过将进一步的腔室连接至沉积系统200来扩展沉积系统。在一个实施例中，第一腔室110或再绕卷腔室可包括连接件等，用于将第二工艺腔室装配至相邻于第一腔室或绕卷腔室。以这种方式，图1至图3中示出的处理系统100可容易地转换成图4和图5中示出的沉积系统200。可提供进一步的腔室以扩展沉积系统的操作范围。另一方面，模块化系统允许在底座形状(诸如，处理系统100)的减小的尺寸，这符合用户的需求和要求，例如，工厂中的空间要求。
因此，可将具有选项“单卷筒(single drum,SD)”(在图1至图3中所述的实施例)和“双卷筒(double drum,DD)”(在图4至图5中所述的实施例)的模块化主框架设计提供给如本文中所述的沉积系统，以获得高度灵活性。模块化设计也提供在源的数量上的弹性。举例来说，可提供多个上下颠倒的沉积源，从而减小污染风险。可取决于工艺参数(诸如，应用类型和层堆叠)来使用或提供沉积源或甚至工艺腔室。
当使用根据本文中所述的处理系统时，也可为现有系统提供从SD设计到DD设计的升级可能性或升级组。举例来说，可安装升级组，从而允许如上文所述来布置腔室。举例来说，组件操作者可通过提供用于将第二工艺腔室装配至现有系统的相应的连接件和部件来使现有系统适配于DD设计。根据一些实施例，(特别是如果利用顶侧盖来组装模块)第二工艺腔室对于第一工艺腔室的对准是可能的。
在一些实施例中，沉积系统的设计可适用于取决于相应的应用而开启或关闭第二工艺腔室。举例来说，取决于所需的工艺，已经通过第一工艺腔室的基板可被引导至第二工艺腔室，或任选地被引导至绕卷腔室。在一个示例中，控制单元可启动相应的引导滚轴，用于将基板引向所需的腔室。根据一些实施例，当将要将基板引导至重绕卷腔室时，可关闭基板的替代路途(诸如，至第二工艺腔室的路途)。
因此，本所所述具有用于各种沉积源的灵活性和空间的系统允许若干CVD、PECVD和/或PVD工艺在单个沉积设备(例如，R2R涂覆机)中的模块化组合，单一沉积设备例如是R2R涂覆机。模块化概念(其中，可在根据本文中所述的实施例的沉积系统中使用各种种类的沉积源(包括要求非常好的气体分隔的那些沉积源))有助于降低沉积复杂的层堆叠的成本，所述复杂的层堆叠必须采用不同的沉积技术或繁琐的工艺参数的组合来沉积。
根据一些实施例，处理系统可包括用于控制沉积系统中的参数的控制单元。控制单元可以是设在处理系统的腔室外部的控制器或控制接口。在一些实施例中，控制单元连接至在处理系统的单个腔室中的传感器，并且也可连接至沉积源、供应辊、收卷辊等。控制单元可能能够计算处理系统中所需的测量值。举例来说，当将例如经由维护区来改变供应辊或收卷辊时，控制单元可进行指示。在处理系统中的部件失效的情况下，控制单元可能也可发出警报。
图6示出真空处理系统300的实施例。真空处理系统300包括第一腔室310和第二腔室320，它们各自都适用于容纳供应辊和收卷辊中的一者。在一个实施例中，第一腔室310可包括用于接收并储存经处理基板的收卷辊315。根据一些实施例，第二腔室320可包括用于递送并供应待处理的基板的供应辊365。在第一腔室310与第二腔室320之间提供维护区330。根据一些实施例，维护区可以是上文详述的维护区，从而特别提供对第一和/或第二腔室的维护接取。
在图6中所示的实施例中，邻接于第二腔室320来提供第一工艺腔室340。工艺腔室340可包括如上文所述的工艺装备，并且可(例如)适用于真空沉积工艺。在图6的实施例中，第二工艺腔室350示出为邻接于第一腔室310。如在图6中所示的实施例中可见，第一工艺腔室340包括倾斜凸缘345，所述倾斜凸缘345可允许由两个腔室部分346和347来组装工艺腔室340，例如上文中所详述。此外，第二工艺腔室350可包括倾斜凸缘355，从而允许由两个腔室部分形成第二工艺腔室350。(多个)工艺腔室的(多个)第一和第二部分可以是例如参照图1所述的工艺腔室的第一和第二部分。
根据一些实施例，可例如通过使用如上文所述的一个或多个间隙闸来将待处理的基板从第二腔室320引导至第一工艺腔室340。接着，在第一工艺腔室340中处理基板，并且引导经过第一处理卷筒342。举例来说，当基板通过第一工艺腔室时，可在基板上沉积一个或多个层。根据一些实施例，并且如上文中详细地所指，第一工艺腔室也可包括用于预处理或后处理基板的装备。
在一些实施例中，基板可进一步输送至第二工艺腔室350。根据本文中所述的一些实施例，第一工艺腔室340和第二工艺腔室350例如通过闸、锁、负载锁定阀等彼此分隔，从而允许基板从一个工艺腔室通过而至另一个工艺腔室。在图6中，可在第一工艺腔室340与第二工艺腔室350之间看到间隙闸360。
根据一些实施例，如本文中所述的真空处理系统的(多个)工艺腔室可形成为使得提供基板从工艺腔室到相邻腔室的通路，所述相邻腔室诸如，绕卷腔室或进一步的工艺腔室。在图6的示例中可见，工艺腔室340和350提供臂状延伸件348、358，用于特别是在第一和第二腔室可基本上具有矩形形状时，提供基板在真空处理系统中的通路。根据本文中所述的一些实施例，因此由(多个)工艺腔室和(多个)工艺腔室的(多个)延伸件提供通路。在其他实施例中，仅一个处理腔室可配备用于通路的延伸件。根据本文中所述的一些实施例，因此在第一(真空)腔室和第二(真空)腔室上方提供通路。
利用图6的实施例，仍可实现处理系统的模块化的好处，且同时实现如上文中所述提供容易的维护接取。此外，根据本文中所述的实施例的处理系统提供相对于所使用的基板厚度的高度灵活性。
图7示出真空处理系统400的进一步的实施例。真空处理系统400包括第一腔室410和第二腔室420，它们各自适用于容纳供应辊和收卷辊中的一者。在一个实施例中，第一腔室410包括用于接收和储存经处理基板的收卷辊415，而第二腔室420包括用于供应基板的供应辊425。在图7中所示的实施例中，真空处理系统进一步包括第一工艺腔室440和第二工艺腔室450。在第一腔室410与第二腔室420之间提供维护区430(例如，在上文的实施例中所述的维护区)。
待处理的基板可从第二腔室420引导至第一处理腔室440。当已在工艺腔室中执行了工艺(其可以例如是沉积工艺)之后，可在真空处理系统中进一步引导基板。举例来说，基板可引导至绕卷腔室(诸如，绕卷腔室410)或引导至第二工艺腔室450。在图7中所示的实施例中，在第一工艺腔室440中处理的基板可引导至通路，所述通路由第二腔室420和第一腔室410的两个臂状延伸件421和411形成。因此，可将基板从第一工艺腔室440往回引导到第二腔室420，特别引导到第二腔室的部分地形成真空处理系统的通路的部分。通过可如上文的实施例中所述而设计的闸或负载锁定阀460，基板可进一步输送至第一腔室410的臂状延伸件411，所述臂状延伸件411也部分地形成真空处理系统的通路。因此，在一些实施例中，可从第一和第二腔室的两个延伸件装配用于在真空处理系统内输送基板的通路。虽然第一腔室和第二腔室是一起形成用于基板的通路，但是第一腔室和第二腔室被分隔，以便避免彼此污染，特别是避免基板污染。根据一些实施例，第一和第二腔室中的仅一者可通过提供臂状延伸件来提供处理系统的通路。
根据一些实施例，第一腔室和第二腔室可描述为具有图7中所示的实施例中的基本上的L形，特别是在臂状延伸件411和421处配合在一起的L形。根据本文中所述的一些实施例，因此由绕卷和退卷腔室(即，第一和第二腔室)提供通路。此外，图7的实施例提供模块化真空处理系统，此模块化真空处理系统提供以下益处：通过维护区对第一和第二腔室的容易的接取；以及相对于所使用的基板宽度的高度灵活性。能以相同的方式(或至少以类似的方式)设计处理系统400的多个单个的部件(诸如，一个或多个工艺腔室或绕卷和退卷腔室)，并且可取决于所需的工艺来去除多个单个的部件或将多个单个的部件添加至真空处理系统，且不必以复杂的方式重新布置整个处理系统。根据一些实施例，提供具有一个或多个真空腔室的用于柔性基板的真空处理系统。处理系统包括：用于供应辊的供应辊支撑件，所述供应辊用于在一个或多个真空腔室中提供柔性基板；以及用于收卷辊的收卷辊支撑件，所述收卷辊用于在一个或多个真空腔室中储存柔性基板。此外，真空处理系统包括供应辊支撑件与收卷辊支撑件之间的维护区。真空处理系统进一步包括第一工艺腔室，用于处理基板，特别是用于在柔性基板上沉积材料。在维护区与第一工艺腔室之间提供供应辊支撑件和收卷辊支撑件中的一者。维护区允许对供应辊支撑件和收卷辊支撑件中的至少一者的维护接取。根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例，真空处理系统经配置以提供维护区，所述维护区甚至当相邻的真空腔室为了处理系统的操作被排气时也处于大气压力下。
根据一些实施例，维护区可以是如上文所述的维护区。在一些实施例中，在供应辊支撑件与收卷辊支撑件之间的维护区可理解为在供应辊支撑件与收卷辊支撑件之间的空间中的维护区。供应辊支撑件与收卷辊支撑件之间的空间是可定义为供应辊支撑件与收卷辊支撑件之间的容积，特别是此容积具有基本上对应于供应辊支撑件和收卷辊支撑件的宽度的深度(诸如，约0.7m与约4m之间的深度)，通常在约1m与约3m或4m之间的长度，以及大于1.7m的高度。根据一些实施例，在供应辊支撑件与收卷辊支撑件之间的维护区可理解为：维护区可沿从供应辊支撑件行进至收卷辊支撑件的虚拟线(诸如，沿处理系统的长度方向行进的线，例如，图3中可见的长度方向131)来布置。在一些实施例中，可在从供应辊支撑件的几何中心行进至收卷辊支撑件的几何中心的线上布置维护区的中心点。特别地，包括多于一个部分(诸如，用于支撑辊的两个装置)的辊支撑件可具有在辊支撑件的不同部分之间的中心点，多于一个部分例如是两个用于支撑一辊的装置。根据一些实施例，真空处理系统的一个或多个真空腔室可特别包括第一腔室和第二腔室，所述第一腔室用于提供供应辊支撑件(或收卷辊支撑件)，所述第二腔室用于提供收卷辊支撑件(或取决于第一腔室的布置，提供供应辊支撑件)。在一些实施例中，这一个或多个真空腔室不但包括用于供应辊和收卷辊的支撑件，也包括供应辊和收卷辊本身。此外，至供应辊支撑件和收卷辊支撑件的维护接取可包括对供应辊和收卷辊的维护接取。
应理解的是，根据本文中所述的实施例的在辊支撑件之间具有维护区的处理系统可与本文中所述的其他实施例结合，或者可被提供上文中参照其他实施例而描述的特征。例如，在辊支撑件之间具有维护区的处理系统的腔室可如上文所述适用于在真空条件下操作；工艺腔室可经配备而用于不同的工艺，包括用于如上文所述的此类工艺的所需装备；可在处理系统中提供第二工艺腔室，维护区可具有上文提及的尺寸，等等。
根据一些实施例，提供用于处理柔性基板的真空处理系统。所述处理系统包括第一腔室，所述第一腔室适用于容纳供应辊支撑件和收卷辊支撑件中的一者，所述供应辊支撑件用于支撑供应辊，所述收卷辊支撑件用以支撑收卷辊，所述供应辊用于提供柔性基板，所述收卷辊用于储存柔性基板。在一个实施例中，第一腔室包括布置在辊支撑件处的供应辊或收卷辊。处理系统进一步包括第二腔室，所述第二腔室适用于容纳供应辊支撑件和收卷辊支撑件中的一者，所述供应辊支撑件用于支撑供应辊，所述收卷辊支撑件用于支撑收卷辊，所述供应辊用于提供柔性基板，所述收卷辊用于储存柔性基板。在一个实施例中，第二腔室包括布置在相应的辊支撑件处的供应辊或收卷辊。根据一些实施例，供应辊和收卷辊各自都包括径向方向和纵向方向。所述处理系统进一步包括维护区，所述维护区允许在径向方向上、朝向彼此地分别从第一和第二腔室从供应辊支撑件移除供应辊，特别是将供应辊移除到维护区中，并且从收卷辊支撑件移除收卷辊，特别是将收卷辊移除到维护区中。所述处理系统进一步包括第一工艺腔室，用于例如通过在柔性基板上沉积材料来处理基板。特别地，工艺腔室可布置成相邻于第一腔室和第二腔室中的一者。此外，根据一些实施例，第二腔室可设在维护区与第一工艺腔室之间。在一些实施例中，例如是通过在径向方向上朝向彼此分别从第一腔室和第二腔室移除供应辊和收卷辊，维护区可允许至第一腔室和第二腔室中的至少一者的维护接取，或对第一腔室和第二腔室中的至少一者的维护接取。
往回参照图1，箭头112和113指示径向方向，在所述径向方向上，可借助于相应地布置的维护区130，朝向彼此来移除供应辊121和收卷辊111。如图1中可见，箭头112和113指向在供应辊121和收卷辊111的径向方向上。为了更好地理解，简要地参照图3，留意供应辊和收卷辊系具有基本上圆柱状形状，其中供应辊165和收卷辊115的纵向方向在处理系统的深度133方向上行进，而径向方向基本上在处理系统的长度131方向上行进。特别地，供应辊和收卷辊的径向方向(在所述径向方向上移动供应辊和收卷辊以便从第一和第二腔室、朝向彼此来移除供应辊和收卷辊)可基本上平行于处理系统所处的地板，或可基本上分别平行于第一和第二腔室的腔室底部。在一些实施例中，通过在供应辊或收卷辊的卷轴的径向方向上移动供应辊和/或收卷辊，可分别将供应辊和/或收卷辊可从第一腔室和第二腔室移除。根据一些实施例，可在径向方向上分别将收卷辊和供应辊从第一腔室和第二腔室朝向彼此移动至维护区中，特别是可将供应辊和收卷辊两者移动至处理系统的相同的维护区中。
根据一些实施例，如本文中所使用的术语“朝向彼此(towards each other)”可意味着，当分别将供应辊和收卷辊从第一腔室和第二腔室移除时，是在去往彼此的方向上移动供应辊和收卷辊。应理解的是，虽然供应辊和收卷辊描述为朝向彼此移动，但是这不一定意味着同时移除供应辊和收卷辊。相反，可独立于从第一腔室移除收卷辊而从第二腔室移除供应辊，反之亦然。具体来说，在一些实施例中，供应辊可也描述为从第二腔室朝向第一腔室的壁(诸如，图1中可见的壁114)是可移除的。根据一些实施例，收卷辊可从第一腔室朝向第二腔室的壁(诸如，壁122)移除。具体来说，壁114和122可基本上垂直于处理系统的底部或处理系统所处的地板。
应理解的是，适用于朝向彼此移除供应辊和收卷辊的上述处理系统的元件可设计成且适配为本文中所述的各种实施例中所述的元件。举例来说，工艺腔室可以是如上文所详述的工艺腔室，处理系统可提供第二工艺腔室，腔室可适用于在如上所述的真空条件下操作，维护区可具有如上所详述的尺寸，等等。因此，只要彼此不排斥，处理系统的腔室的这些特征可与本文中所述的处理系统的其他特征组合。
根据本文中所述一些实施例，如本文中所述的处理系统可具有基本上竖直地分隔的第一和第二腔室。举例来说，图7将第一腔室和第二腔室示出为由闸460基本上竖直地分隔。但是其他实施例也可描述为提供由例如维护区基本上竖直地分隔的第一腔室和第二腔室。
根据可与本文中所述的其他实施例结合的更进一步的实施例，各自都适用于容纳供应辊和收卷辊中的一者的第一L形腔室410和第二L形腔室420(见图7)可也可作为一个U形腔室来提供。在U形腔室的相应的部分之间提供维护区430(利如，如上文的实施例中所述的维护区)。根据一些实施例，提供用于柔性基板的具有一个或多个真空腔室的真空处理系统。处理系统包括供应辊支撑件和收卷辊支撑件，所述供应辊支撑件用于供应辊，所述供应辊用于在一个或多个真空腔室中提供柔性基板，所述收卷辊支撑件用于收卷辊，所述收卷辊用于在一个或多个真空腔室中储存柔性基板。此外，真空处理系统包括供应辊支撑件与收卷辊支撑件之间的维护区。真空处理系统进一步包括用于处理基板、特别是用于在柔性基板上沉积材料的第一工艺腔室。在维护区与第一工艺腔室之间提供供应辊支撑件和收卷辊支撑件中的一者。维护区允许至供应辊支撑件与收卷辊支撑件中的至少一者的维护接取。根据可与本文中所述的其他实施例结合的一些实施例，真空处理系统配置成提供维护区，所述维护区甚至在相邻的真空腔室为了处理系统的操作而排气时仍处于大气压力下。根据更进一步附加的或替代的实现方式，维护区可允许从相应的第一径向侧和第二径向侧来接取对应于第一腔室310(例如，具有供应辊的真空腔室)的U形腔室的第一部分，并且接取对应于第二腔室320(例如，具有收卷辊的真空腔室)的U形腔室的第二部分，其中第一径向侧和第二径向侧面对彼此。例如，可径向地朝向卷绕卷轴移除供应辊，且反之亦然。
根据本文中所述的实施例的处理系统对于各种涂覆宽度是可缩放的。举例来说，这些腔室可适用于若干基板宽度的尺寸。在一个示例中，处理系统适用于以下基板宽度：通常大于1m，更通常大于1.5m，甚至更通常大于2m。在一个实施例中，如本文中所述的沉积系统可适用于以下基板宽度(所述基板宽度为在图3和图5的投影平面中的延伸)：通常在约1m与约3m之间，更通常在约1.2m与约2.5m之间，甚至更通常在约1.4m与约2.4m之间。
此外，腔室中的部件(诸如，用于供应辊或收卷辊的连接件)可适用于不同的基板宽度。如上文的描述中可见，由于从维护区而在退卷与再绕卷之间的良好的可接取性，基板接取独立于基板宽度。另外，由于绕卷系统(诸如，用于供应辊和收卷辊的连接件)固定地安装在沉积系统的相应腔室中，可取得高准确性。在具有从维护区对绕卷和退卷腔室的接取的情况下，不必为了替换基板而移除绕卷系统，也不必在腔室中重新定位绕卷系统。相反，仅从绕卷系统中移除基板，所述绕卷系统在交换工艺期间保持在腔室中。
图8示出用于装配真空处理系统的方法600的流程图。所述方法包括以下步骤：在框610中，提供如图1至图3中所描述的处理系统。在框620中，所述方法600包括以下步骤：将第二工艺腔室装配至所述处理系统。如以上描述中可见，第二工艺腔室可装配为使得第一腔室(或绕卷腔室)布置在维护区与第二工艺腔室之间。第二工艺腔室可也描述为装配成相邻于第一腔室。
根据一些实施例，第二工艺腔室可装配至处理系统，并且可在第二工艺腔室与第一或绕卷腔室之间提供闸。根据一些实施例，用于装配处理系统的方法进一步包括以下步骤：通过通路连接第一工艺腔室和第二工艺腔室。在一些实施例中，由在维护区上方延伸的顶侧盖或在维护区下延伸方的底侧管道提供此通路。
管道或通路可也于第一工艺腔室与绕卷腔室之间、或者在第一工艺腔室与第二处工艺腔室之间延伸。因此，当装配第二工艺腔室时，可例如通过提供相应的闸、或通过使通路适配成到达第二工艺腔室来适配所述通路。
在一些实施例中，处理系统的分离的腔室具有它们自身的真空生成和维持系统。当装配第二工艺腔室时，第二工艺腔室(诸如，对再绕卷腔室的连接)可以是真空密封的。
根据一些实施例，第二工艺腔室可包括通过倾斜凸缘(相对于竖直方向倾斜)可连接的两个或更多个部分。因此，第二工艺腔室可划分为第一部分和第二部分，所述第一部分适用于(至少部分地)容纳工艺部件(诸如，沉积源等)，所述第二部分用于连接至通路或管道。倾斜凸缘允许例如是上下颠倒的沉积，即，从所装配的工艺腔室的水平中心线下方来处理基板。这减小粒子污染的风险，并且使沉积工艺更安全且更高效。
根据本文中所述的一些实施例，提供用于真空处理系统的组件组。在一些实施例中，用于真空处理系统的组件组可以是用于真空沉积系统的组件组。所述组件组包括第一腔室、第二腔室、第一工艺腔室和通路，第所述一腔室适用于容纳供应辊和收卷辊中的一者，所述供应辊用于提供柔性基板，所述收卷辊用于储存柔性基板，所述第二腔室适用于容纳供应辊和收卷辊中的一者，所述供应辊用于提供柔性基板，所述收卷辊用于储存柔性基板，所述第一工艺腔室用于在柔性基板上沉积材料，其中所述第一工艺腔室设配成在结构上是可连接至第二腔室的，并且所述通道是适用于将所述第一工艺腔室与所述第一腔室连接，其中所述通路由在在所述第一和第二腔室上方延伸的顶侧盖或在所述第一和第二腔室下方延伸的底侧管道提供。通路、第一腔室和第二腔室适用于以组合的状态在所述通道、第一腔室和第二腔室之间限定维护区，所述维护区允许对第一腔室和第二腔室的接取。此外，第二腔室适配成定位在维护区与第一工艺腔室之间。
在一些实施例中，腔室可适用于通过在相应的位置处提供相应的连接可能性而被组装在一起。举例来说，退卷腔室可具有至第一处理腔室的闸，并且分隔这两个腔室的壁适用于容纳此闸。在另一示例中，第一处理腔室可在通路的方向上具有出口，使得基板可从工艺腔室被引导至通路或管道。
根据一些实施例，用于处理系统的组件组可进一步包括：用于从第一腔室和第二腔室中的一者提供和移除基板的装载/卸载系统；和/或第一腔室、第二腔室和第一工艺腔室适用于真空工艺，并且是分别地可排气的；和/或第一腔室和第二腔室适用于经由维护区来提供以下至少一者：对第一和/或第二腔室的接取、用于控制第一腔室和/或第二腔室的控制选项、控制元件以及对第一腔室和/或第二腔室的检查；和/或适用于容纳一个或多个沉积源的第一工艺腔室的第一部分，以及用于容纳工艺卷筒的第一工艺腔室的第二部分，其中第一部分和第二部分适用于沿相对于竖直方向倾斜的线被连接。
在一些实施例中，用于沉积系统的组件组是用于上文中参照图1至图5所述的处理系统的组件组。组件组的单个部件可以是如参照图1至图5所述的元件，并且可特别提供与上述相同的沉积系统的单个部件的特征。
此外，根据本文中所述的实施例提供如上文所述的处理系统的用途。
虽然上述内容针对本发明的实施例，但是可设计本发明的其他和进一步的实施例而不背离本发明的基本范围，并且本发明的范围由所附权利要求书来确定。

Claims (15)

1.一种用于柔性基板(160)的真空处理系统(100；200；400)，所述处理系统包括：
第一腔室(110；310；410)，适用于容纳供应辊和收卷辊中的一者，所述供应辊用于提供所述柔性基板，所述收卷辊用于储存所述柔性基板(160)；
第二腔室(120；320；420)，适用于容纳供应辊和收卷辊中的一者，所述供应辊用于提供所述柔性基板，所述收卷辊用于储存所述柔性基板(160)；
维护区(130；330；430)，在所述第一腔室(110；310；410)与所述第二腔室(120；320；420)之间；
第一工艺腔室(140；340；440)，用于在所述柔性基板上沉积材料，其中所述第二腔室(120；320；420)设在所述维护区(130；330；430)与所述第一工艺腔室(110；310；410)之间；
其中所述维护区(130；330；430)允许至所述第一腔室(110；310；410)和所述第二腔室(120；320；420)中的至少一者或对所述第一腔室(110；310；410)和所述第二腔室(120；320；420)中的至少一者的维护接取。
2.如权利要求1所述的处理系统，其中所述处理系统(100；200；400)适用于经由所述维护区(130；330；430)来提供以下至少一者：对所述第一腔室和/或所述第二腔室(120；320；420)的接取；用于控制所述第一腔室(110；310；410)和/或所述第二腔室(120；320；420)的控制选项；控制元件；以及对所述第一腔室(110；310；410)和/或所述第二腔室(120；3220；420)的检查。
3.如权利要求1至2中的任一项所述的处理系统，其中提供所述维护区(130；330；430)，使得可分别从所述第一腔室(110；310；410)的径向方向以及从所述第二腔室(120；320；420)的径向方向接取所述第一腔室(110；310；410)和所述第二腔室(120；320；420)中的至少一者。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的处理系统，其中所述处理系统(100；200；400)进一步包括装载/卸载系统，用于从所述第一腔室(110；310；410)和所述第二腔室(120；320；420)中的至少一者提供所述基板以及移除所述基板。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的处理系统，进一步包括第二工艺腔室(240；350；450)，其中所述第二工艺腔室特别定位成使得所述第一腔室(110；310；410)设在所述维护区(130；330；430)与所述第二工艺腔室(240；350；450)之间。
6.如权利要求1至5中的任一项所述的处理系统，其中所述第一工艺腔室(140；340；440)、所述第二工艺腔室(240；350；450)、所述第一腔室(110；310；410)和所述第二腔室(120；320；420)是分隔的腔室。
7.如权利要求1至6中的任一项所述的处理系统，其中所述第一工艺腔室(140；340；440)、所述第二工艺腔室(240；350；450)、所述第一腔室(110；310；410)和所述第二腔室(120；320；420)适用于真空工艺，并且是分别地可排气的。
8.如权利要求1至7中的任一项所述的处理系统，进一步包括通路(150)，所述通路将所述第一工艺腔室(140；340；440)连接至所述第一腔室(110；310；410)或连接至所述第二工艺腔室(240；350；450)，其中所述通路(150)特别是设在所述维护区(130；330；430)上方或下方，其中特别地，所述通路、所述第一腔室(110；310；410)和所述第二腔室(120；320；420)围绕所述维护区(130；330；430)。
9.如权利要求8所述的处理系统，其中所述通道(150)由在所述维护区(130；330；430)上方的顶侧盖或在所述维护区(130；330；430)下方的底侧管道提供。
10.如权利要求1至7中的任一项所述的处理系统，进一步包括通路，所述通路由所述第一腔室(410)和所述第二腔室(420)的多个延伸件(411；421)形成。
11.如权利要求1至10中的任一项所述的处理系统，其中所述第一工艺腔室(140；340；440)和所述第二处理腔室(240；350；450)中的至少一者包括工艺卷筒，所述工艺卷筒具有旋转轴(143以及一个或多个沉积源(141)，所述沉积源布置在相应工艺腔室的水平中心线的高度处或低于对应工艺腔室的水平中心线处，特别是布置在所述工艺卷筒的所述旋转轴(143)的高度处或低于所述工艺卷筒的所述旋转轴(143)处。
12.如权利要求1至11中的任一项所述的处理系统，其中所述第一工艺腔室(140；340；440)和所述第二工艺腔室(240；350；450)中的至少一者包括第一部分(146；346)和第二部分(147；347)，所述第一部分提供一个或多个沉积源，所述第二部分允许与所述真空处理系统的通路(150)的连通，其中所述第一部分(146；346)与所述第二部分(147；347)沿相对于竖直方向倾斜的线被连接。
13.如权利要求1至12中的任一项所述的处理系统，其中所述第一工艺腔室(140；340；440)和所述第二工艺腔室(240；350；450)中的至少一者包括工艺卷筒，并且其中在处理期间，所述基板绕所述工艺卷筒的接触角小于180°。
14.一种用于装配真空处理系统(100；200；400)的方法，所述包括以下步骤：
提供如权利要求1至4、6至12中的任一项所述的处理系统(100；200；400)；
将第二工艺腔室(240；350；450)装配至所述处理系统，其中所述处理系统的所述第一腔室(110；310；410)设在所述第二工艺腔室(240；350；450)与所述维护区(130；330；430)之间。
15.如权利要求14所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：通过通路(150)将所述第一工艺腔室(140；340；440)与所述第二工艺腔室(240；350；450)连接，其中所述通路(150)特别是由在所述维护区(130；330；430)上方延伸的顶侧盖或在所述维护区(130；330；430)下方延伸的底侧管道提供。
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