KR20160142363A - 진공 프로세싱 시스템 및 프로세싱 시스템을 탑재하기 위한 방법 - Google Patents

진공 프로세싱 시스템 및 프로세싱 시스템을 탑재하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

가요성 기판(260; 560)을 위한 진공 프로세싱 시스템(100)이 제공된다. 프로세싱 시스템은, 가요성 기판을 제공하기 위한 공급 롤, 및 가요성 기판(260; 560)을 저장하기 위한 테이크-업 롤 중 하나를 하우징하도록 적응된 제 1 챔버(110); 가요성 기판을 제공하기 위한 공급 롤, 및 가요성 기판(260; 560)을 저장하기 위한 테이크-업 롤 중 하나를 하우징하도록 적응된 제 2 챔버(120); 상기 제 1 챔버(110)와 상기 제 2 챔버(120; 220; 430; 520) 사이의 유지보수 구역(130); 및 가요성 기판 상에 재료를 증착하기 위한 제 1 프로세스 챔버(140)를 포함하며, 여기에서, 제 2 챔버(140)는 유지보수 구역(130)과 제 1 프로세스 챔버(110) 사이에 제공된다. 유지보수 구역(130)은 제 1 챔버(110)와 제 2 챔버(120) 중 적어도 하나에 대한 유지보수 액세스를 허용한다.

Description

진공 프로세싱 시스템 및 프로세싱 시스템을 탑재하기 위한 방법{VACUUM PROCESSING SYSTEM AND METHOD FOR MOUNTING A PROCESSING SYSTEM}
[0001] 본 발명의 실시예들은, 프로세싱 시스템, 프로세싱 시스템을 위한 어셈블리 세트, 및 프로세싱 시스템을 탑재하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들은 특히, 진공 증착 시스템들에 관한 것이고, 더 상세하게는, 롤-투-롤 증착 시스템들, 및 그러한 증착 시스템들을 탑재하기 위한 방법들에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들은 특히, 가요성 기판들을 프로세싱하기 위한 장치들에 관한 것이다.
[0002] 플라스틱 막들 또는 포일들과 같은 가요성 기판들의 프로세싱은, 패키징 산업, 반도체 산업들, 및 다른 산업들에서 수요가 많다. 프로세싱은, 금속, 특히 알루미늄, 반도체들, 및 유전체 재료들과 같은 원하는 재료를 이용한 가요성 기판의 코팅, 에칭, 및 원하는 애플리케이션들을 위해 기판에 대해 실시되는 다른 프로세싱 단계들로 구성될 수 있다. 이러한 태스크(task)를 수행하는 시스템들은 일반적으로, 기판을 운반하기 위해 프로세싱 시스템에 커플링된, 예컨대 원통형 롤러와 같은 프로세싱 드럼을 포함하며, 그러한 프로세싱 드럼 상에서, 기판의 적어도 일부가 프로세싱된다. 그에 의해, 롤-투-롤(R2R) 코팅 시스템들이 높은 처리량 시스템을 제공할 수 있다.
[0003] 전형적으로, 프로세스, 예컨대, 물리 기상 증착(PVD) 프로세스, 화학 기상 증착(CVD) 프로세스, 및 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 프로세스는, 가요성 기판들 상에 코팅될 수 있는 금속들의 얇은 층들을 증착하는데 활용될 수 있다. 그러나, 롤-투-롤 증착 시스템들이 또한, 디스플레이 산업 및 광전지(PV) 산업에서 수요가 크게 증가되는 것을 경험하고 있다. 예컨대, 터치 패널 엘리먼트들, 가요성 디스플레이들, 및 가요성 PV 모듈들의 사용은, 특히 낮은 제조 비용들로, 롤-투-롤 코터들에 적합한 층들을 증착하는 것에 대한 요구를 증가시킨다. 그러나, 그러한 디바이스들은 전형적으로, 수개의 층들을 갖고, 이들은 전형적으로, CVD 프로세스들, 그리고 특히, 또한 PECVD 프로세스들로 제조된다.
[0004] 하나 또는 그 초과의 프로세스 챔버(들)에서의 수개의 CVD, PECVD, 및/또는 PVD 소스들의 배열은 훌륭하고 효율적인 프로세스를 요구한다. 통상적으로, 후속하여, 복잡한 박막 층 구조들의 증착이 상이한 R2R 코터들에서 수행되고, 그러한 상이한 R2R 코터들 각각은 특수한 증착 기법의 요구들에 대해 설계된다. 그러나, 이러한 개념은 제조 장비에 대해 높은 소유 비용(CoO)을 초래한다.
[0005] 코팅된 기판으로 제조된 제품들의 예들은, 액정 디스플레이들(LCD)과 비교하여, OLED 디스플레이들의 더 빠른 응답 시간들, 더 큰 시야각들, 더 높은 콘트라스트, 더 가벼운 무게, 더 낮은 전력, 및 가요성 기판들에 대한 순종을 고려하여, 디스플레이 애플리케이션들에서 최근에 상당한 관심을 받고 있는 OLED 디스플레이들이다. OLED들에서 사용되는 유기 재료들에 부가하여, 다수의 폴리머 재료들이 또한, 작은 분자(small molecule), 가요성 유기 발광 다이오드(FPLED), 및 폴리머 발광 다이오드(PLED) 디스플레이들에 대해 개발된다. 이러한 유기 및 폴리머 재료들의 다수는, 기판들의 범위 상의 복잡한 다층 디바이스들의 제작에 대하여 가요성이고, 그에 따라, 다양한 투명 다색 디스플레이 애플리케이션들, 예컨대, 얇은 평판 디스플레이들(FPD), 전기 펌프 유기 레이저들, 및 유기 광학 증폭기들에 대해 이들을 이상적이게 만든다.
[0006] 수년에 걸쳐, 예컨대 디스플레이 디바이스들에서의 층들은 상이한 기능을 서빙하는 각각의 층을 갖는 다수의 층들로 발전하였다. 다수의 기판들 상에 다수의 층들을 증착하는 것은 다수의 프로세싱 챔버들을 요구할 수 있다. 따라서, 가요성 툴 플랫폼에서 기판들을 프로세싱하기 위한 효율적인 방법 및 장치에 대한 필요성이 본 기술분야에 존재한다.
[0007] 상기된 바를 고려하여, 본 발명의 목적은, 본 기술분야에서의 문제들 중 적어도 일부를 극복하는 진공 프로세싱 시스템을 탑재하기 위한 방법 및 진공 프로세싱 시스템을 제공하는 것이다.
[0008] 상기된 바를 고려하면, 독립 청구항들에 따른, 진공 프로세싱 시스템, 진공 프로세싱 시스템을 위한 어셈블리, 및 진공 증착 시스템을 탑재하기 위한 방법이 제공된다. 본 발명의 추가적인 양상들, 이점들, 및 특징들은, 종속 청구항들, 설명, 및 첨부 도면들로부터 명백하게 된다.
[0009] 일 실시예에 따르면, 가요성 기판을 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 진공 프로세싱 시스템은, 가요성 기판을 제공하기 위한 공급 롤, 및 가요성 기판을 저장하기 위한 테이크-업 롤(take-up roll) 중 하나를 하우징(housing)하도록 적응된 제 1 챔버; 및 가요성 기판을 제공하기 위한 공급 롤, 및 가요성 기판을 저장하기 위한 테이크-업 롤 중 하나를 하우징하도록 적응된 제 2 챔버를 포함한다. 프로세싱 시스템은, 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이의 유지보수 구역, 및 가요성 기판 상에 재료를 증착하기 위한 제 1 프로세스 챔버를 더 포함하고, 여기에서, 제 2 챔버는 유지보수 구역과 제 1 프로세스 챔버 사이에 제공된다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 유지보수 구역은 제 1 챔버와 제 2 챔버 중 적어도 하나에 대한 또는 적어도 하나의 유지보수 액세스(access)를 허용한다.
[0010] 다른 실시예에 따르면, 진공 프로세싱 시스템을 탑재하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 제 1 챔버, 제 2 챔버, 제 1 프로세스 챔버, 및 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이의 유지보수 구역을 갖는 프로세싱 시스템을 제공하는 단계; 및 프로세싱 시스템에 제 2 프로세스 챔버를 탑재하는 단계를 포함하며, 여기에서, 프로세싱 시스템의 제 1 챔버는 제 2 프로세스 챔버와 유지보수 구역 사이에 제공된다.
[0011] 실시예들은 또한, 개시되는 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이고, 각각의 설명되는 방법 단계를 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 이러한 방법 단계들은, 하드웨어 컴포넌트들, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터, 이들 둘의 임의의 조합, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 본 발명에 따른 실시예들은 또한, 설명되는 장치가 동작하는 방법들에 관한 것이다. 그러한 방법은 장치의 모든 각각의 기능을 수행하기 위한 방법 단계들을 포함한다.
[0012] 본 발명의 위에서 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략학 요약된 본 발명의 더 상세한 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 발명의 실시예들에 관한 것이고, 아래에서 설명된다.
도 1은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 2는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 3은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템의 개략적인 상면도를 도시한다.
도 4는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 5는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 6은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 7은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 8은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템을 탑재하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
[0013] 이제 본 발명의 다양한 실시예들이 상세히 참조되며, 그러한 실시예들의 하나 또는 그 초과의 예들은 도면들에서 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 발명의 설명으로서 제공되고, 본 발명의 제한으로서 의도되지 않는다. 추가로, 일 실시예의 부분으로서 설명되거나 또는 예시된 특징들은, 또한 추가적인 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들과 함께 또는 대해 사용될 수 있다. 설명이 그러한 변형들 및 변화들을 포함하도록 의도된다.
[0014] 도 1은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 프로세싱 시스템(100)을 도시한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 프로세싱 시스템은 가요성 기판에 대해 적응될 수 있고, 특히, 가요성 기판을 가이딩(guiding)하고 프로세싱하도록 적응될 수 있다. 프로세싱 시스템(100)은 공급 롤(121)을 하우징하기 위한 언와인딩(unwinding) 챔버(120)(또는 언와인딩 모듈)을 포함할 수 있다.
[0015] 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 공급 롤(121)에 의해 공급되는 기판은 언-와인딩 챔버 내에서 그리고 프로세스 챔버(140)로 가이딩된다. 프로세스 챔버(140)는 언-와인딩 챔버(120)에 가까이 배열될 수 있다. 도 1의 실시예에서 도시된 바와 같이, 코팅 드럼으로서 설계될 수 있는 프로세스 롤(142)이, 프로세스 챔버에서 수행되는 프로세스 동안에 기판을 가이딩하기 위해, 프로세스 챔버(140)에 배열된다.
[0016] 프로세스 롤(142)을 통과한 후에, 기판은 프로세스 챔버(140)에서 떠난다. 도 1에서 도시된 실시예에서, 기판은 프로세스 챔버(140)로부터 통로(150)(아래에서 상세히 설명될 바와 같이 터널로서 또한 설계될 수 있음)로 가이딩된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 통로(150)는 와인딩(winding) 챔버(110)(또는 와인딩 모듈)와 프로세스 챔버(140)를 연결시킨다. 와인딩 챔버(110)에서, 프로세싱된 기판이 테이크-업 롤(111) 상에 와인딩된다.
[0017] 유지보수 구역(130)이 와인딩 챔버(110)와 언-와인딩 챔버(120) 사이에 제공된다.
[0018] 본원에서 지칭되는 바와 같은 유지보수 구역은 프로세싱 시스템의 하나 또는 그 초과의 챔버들의 유지보수를 허용하는 구역으로서 이해되어야 한다. 몇몇 실시예들에서, 유지보수 구역은 프로세싱 시스템의 챔버들 중 하나 또는 그 초과에 존재하는 컴포넌트들의 모니터링, 제어, 유지, 세정, 또는 교환을 허용할 수 있다.
[0019] 추가로, "유지보수 구역"이라는 용어는 오퍼레이터에 의해 수행되는 유지보수를 허용하는 구역으로서 이해될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 유지보수 구역은 챔버의 또는 챔버에 대한 유지보수 액세스를 허용한다. 예컨대, 유지보수 구역은 언-와인딩 챔버 또는 와인딩 챔버에 액세스하는 것을 허용할 수 있다. 유지보수 액세스는, 시각적인 유지보수, 신호들을 제어하거나 또는 신호들을 수신하기 위한 전자 유닛들에 대한 액세스, 또는 물리적인 진입을 포함할 수 있다. 실시예들에 따르면, 유지보수 구역은 대기 조건들을 제공한다.
[0020] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 가요성 기판을 위한 진공 프로세싱 시스템이 설명되고, 그러한 진공 프로세싱 시스템의 예들이 논의되는 도면들에서 도시된다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 시스템은 진공 증착 시스템일 수 있다. 프로세싱 시스템은 제 1 챔버 및 제 2 챔버를 포함하고, 그러한 제 1 챔버 및 제 2 챔버 각각은, 가요성 기판을 제공하기 위한 공급 롤 및 프로세싱 후에 가요성 기판을 저장하기 위한 테이크-업 롤 중 하나를 하우징한다. 몇몇 실시예들에서, 제 1 챔버는 테이크-업 롤을 포함하고, 도 1에서의 와인딩 챔버(110)와 같은 와인딩 챔버로서 표시될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 제 2 챔버는 공급 롤을 포함할 수 있고, 도 1에서의 언와인딩 챔버(120)와 같은 언-와인딩 챔버로서 표시될 수 있다. 진공 프로세싱 시스템은 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에 유지보수 구역을 더 포함한다. 도 1에서, 유지보수 구역(130)은 언-와인딩 챔버(120)와 와인딩 챔버(110) 사이에 배열된다.
[0021] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템은 가요성 기판을 프로세싱하기 위한 제 1 프로세스 챔버를 포함한다. 도 1의 예에서 볼 수 있는 바와 같이, 제 2 챔버(120)는 제 1 프로세스 챔버(140)와 유지보수 구역(130) 사이에 제공된다. 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에 배열되어 있는 유지보수 구역은, 진공 프로세싱 시스템의 동작 전에, 예컨대, 후에, 또는 동안에, 제 1 챔버 및/또는 제 2 챔버의 유지보수 액세스 또는 제 1 챔버 및/또는 제 2 챔버에 대한 유지보수 액세스를 허용한다.
[0022] 이전에 언급된 바와 같이, 언-와인딩 챔버는 기판을 위한 공급 롤을 포함할 수 있다. 공급 롤은 프로세싱될 기판이 저장되는 롤로서 이해되어야 한다. 본원에서 설명되는 바와 같은 프로세싱 시스템의 와인딩 챔버는 테이크-업 롤을 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같은 테이크-업 롤은 프로세싱된 기판을 수용하도록, 예컨대, 증착 프로세스 후에 기판을 수용하도록 적응된 롤로서 이해될 수 있다.
[0023] 그러나, 본원에서 설명되는 실시예들이 제 1 챔버를 와인딩 챔버 또는 리-와인딩(re-winding) 챔버로서 지칭하고, 제 2 챔버를 언-와인딩 챔버로서 지칭하지만, 본원에서 지칭되는 바와 같은 제 1 챔버가 공급 스풀(spool)을 갖는 언-와인딩 챔버로서 사용될 수 있고, 제 2 챔버가 테이크-업 스풀을 갖는 리-와인딩 챔버로서 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
[0024] 본원에서 설명되는 바와 같은 프로세스 챔버는 프로세스가 발생하는 챔버로서 이해되어야 한다. 예컨대, 프로세스 챔버에서, 증착 프로세스가 기판 상에 재료를 증착하기 위해 발생할 수 있다. 그러나, 프로세스 챔버는 또한, 아래에서 상세히 설명될 바와 같은 대안적인 또는 부가적인 프로세스들에 대해 적응될 수 있다.
[0025] 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세스 챔버는 프로세스 컴포넌트들을 하우징할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버는, 기판 상에 재료를 증착하기 위한, 기판을 가열, 냉각, 전-처리, 세정하기 위한, 및 이와 동일한 종류의 것을 위한 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버는, 기판 상에 재료를 증착하기 위한 증착 소스, 가열 디바이스(예컨대, 가열 램프, 예를 들어 적외선 램프), 프로세스 롤에서의 냉각 채널, 세정 디바이스들, 예컨대 플라즈마 전-처리에 의해, 추후의 스테이지에서 수행될 프로세스에 대해 기판을 준비하기 위한 디바이스들과 같은 전-처리 디바이스들, 에칭 디바이스들, 및 이와 동일한 종류의 것을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 플라즈마로 기판을 처리하기 위해, 전-처리 플라즈마 소스, 예컨대 RF 플라즈마 소스가 제공될 수 있다. 예컨대, 플라즈마를 이용한 전-처리는 기판 표면 상에 증착되는 막의 막 접착을 향상시키기위한 기판 표면의 표면 개질을 제공할 수 있거나, 또는 기판의 프로세싱을 개선하기 위해 다른 방식으로 기판 형태(substrate morphology)를 개선할 수 있다.
[0026] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템(100)은 프로세싱 전에 가요성 기판을 가열하기 위한 예열 유닛을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판의 프로세싱 전에 기판을 가열하기 위한, 복사 가열기, e-빔 가열기, 또는 임의의 다른 엘리먼트가 제공될 수 있다.
[0027] 프로세스 챔버에서 증착 프로세스가 수행될 것인 경우에, 프로세스 챔버에서의 프로세스 컴포넌트(들)는 하나 또는 그 초과의 증착 소스들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 증착 소스는, CVD 프로세스, PVD 프로세스, PECVD 프로세스, 마이크로파 플라즈마 프로세스, 또는 이와 동일한 종류의 것을 위한 증착 소스들일 수 있다.
[0028] 따라서, 프로세스 챔버는, CVD 프로세스, PVD 프로세스, PECVD 프로세스, 마이크로파 플라즈마 프로세스, 스퍼터 이베포레이터(sputter evaporator), 또는 이와 동일한 종류의 것에 대해 적응될 수 있다. 예컨대, 프로세스 챔버는, 전력 공급부, 가스 공급부, 진공 펌프, 플라즈마 생성 시스템, 및 이와 동일한 종류의 것과 같은, 위에서 지명된 프로세스들을 수행하는데 유용한 추가적인 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 추가로, 챔버는, 예컨대, 챔버 벽들 및 부가적인 챔버 컴포넌트들(예컨대, 분리 벽들, 커버들, 및 지지 엘리먼트들)에 대해 적합한 재료를 선택함으로써, 플라즈마 프로세스에 대해 적합한 챔버 형상(예컨대, 오염들을 감소시키거나 또는 방지하는 형상)을 선택함으로써, 그리고 이와 동일한 종류의 것에 의해, 플라즈마 프로세스에 대해 적합하게 되도록 설계될 수 있다.
[0029] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세스 챔버는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 소스를 포함할 수 있다. 플라즈마 강화 증착 소스들은 2 MHz 내지 90 MHz의 주파수, 예컨대 40.68 MHz의 주파수에서 동작될 수 있고, 통합된 임피던스 센서는, 예컨대, 기판으로부터의 증착 소스의 전극의 거리 및/또는 가스 분리 유닛의 슬릿의 폭과 같은 각각의 프로세스 파라미터들의 실시간 인-라인 프로세스 모니터링 및 제어를 제공할 수 있다.
[0030] 몇몇 실시예들에서, 증착 소스들은 가요성 기판 상에 박막을 증착하도록 적응될 수 있다. 예컨대, 플라즈마 증착 소스가, 예컨대, 가요성 TFT, 터치 스크린 디바이스 컴포넌트, 또는 가요성 PV 모듈을 형성하기 위해, 가요성 기판 상에 박막을 증착하도록 적응될 수 있고, 가요성 기판 상에 박막을 증착하기 위해 사용될 수 있다.
[0031] 몇몇 실시예들에 따르면, 제 1 프로세스 챔버 및/또는 제 2 프로세스 챔버는 상향식(bottom-up) 방향으로 또는 수평으로 기판 상의 재료의 증착을 허용하도록 적응될 수 있다. 증착 시스템으로서 사용되고 있는 프로세싱 시스템에는, 기판 상의 입자 생성이 방지되도록, 상향식 증착 소스들이 제공될 수 있다. 특히, 프로세싱 또는 코팅 드럼 애플리케이션들의 경우에, 상향식 증착 소스들은 코팅 드럼의 회전 축의 높이에 또는 그 아래에 배열되어 있는 증착 소스들로서 이해될 수 있다. 도 2에서, 회전 축은 참조 번호(143)로 도시된다.
[0032] 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세스 챔버(140)의 외측 형상은 증착 소스들의 상향식 배열에 대해 적응될 수 있다. 예컨대, 프로세스 챔버(140)의 외측 형상은, 프로세싱 동안에 프로세스 챔버에 가능하게 배열되는 각각의 증착 소스의 포지션을 고려하는 세그먼팅된(segmented) 형상과 같은 세그먼팅된 형상을 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 챔버의 외측 형상은, 도 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 휘어진 또는 다각형 형상을 가질 수 있다.
[0033] 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세스 챔버는 프로세스 챔버에서 프로세스 컴포넌트를 지지하거나 또는 홀딩(holding)하기 위한 하나 또는 그 초과의 지지 디바이스(들)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 지지 디바이스는, 미리 결정된 허용오차들 내에서 그리고 미리 결정된 시간 간격 동안, 고정된 포지션에 프로세스 컴포넌트를 홀딩하는데 적합할 수 있다. 일 예에서, 프로세스 챔버는, 기판 상에 재료를 증착하기 위한 증착 소스, 가열 디바이스(예컨대, 가열 램프, 예를 들어 적외선 램프), 세정 디바이스들, 및 추후의 스테이지에서 수행될 프로세스에 대해 기판을 준비하기 위한 디바이스와 같은 전-처리 디바이스들과 같은 위에서 설명된 프로세스 컴포넌트들을 지지하거나 또는 홀딩하기 위한 지지 디바이스를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 지지 디바이스는, 클램핑 디바이스, 그리핑(gripping) 디바이스, 테이블, 픽스처(fixture)들, 캐리어들, 파스너(fastener)들, 부착 디바이스들, 어댑터 장비, 및 이와 동일한 종류의 것을 포함할 수 있다.
[0034] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 증착 시스템의 프로세스 챔버는 컴파트먼트(compartment)들 또는 개구들을 가질 수 있고, 여기에서, 증착 소스들, 또는 증착 소스들을 갖는 증착 스테이션들과 같은 프로세스 컴포넌트들이, 프로세스 챔버 내에서 상이한 종류들의 증착 소스들이 분리되도록, 각각의 개구들 또는 각각의 컴파트먼트들에 포지셔닝될 수 있다.
[0035] 프로세스 챔버는 (도 1에서 프로세스 롤(142)에 의해 볼 수 있는 바와 같은) 프로세싱 동안에 기판을 지지하도록 구성된 프로세스 롤을 더 포함할 수 있다. 프로세스 롤은 프로세스 챔버에 존재하는 프로세스 컴포넌트들을 지나도록 프로세싱 동안에 기판을 가이딩할 수 있고 그리고/또는 지지할 수 있다. 일 예에서, 프로세스 롤은 코팅 드럼일 수 있다. 코팅 드럼은 증착 소스들과 같은 하나 또는 그 초과의 프로세스 컴포넌트들을 지나도록 가요성 기판을 가이딩하도록 적응될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 코팅 드럼은 약 -20 ℃ 내지 400 ℃의 온도들로 가열 및/또는 냉각되도록 구성될 수 있다. 예컨대, 프로세스 드럼은 가열 및/또는 냉각 채널들을 포함할 수 있다.
[0036] 도 2 및 도 3은, 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따른 프로세싱 시스템(100)의 더 상세한 도면을 도시한다. 도 2는 프로세싱 시스템(100)의 개략적인 횡단면도를 도시하는 반면에, 도 3은 프로세싱 시스템(100)의 개략적인 상면도를 도시한다. 도 1에 대하여 설명된 바와 같이, 증착 시스템은, 제 1 챔버(110), 제 2 챔버(120), 유지보수 구역(130), 및 프로세스 챔버(140)를 포함한다.
[0037] 도 2에서, 기판(160)이 언-와인딩 챔버(또는 제 2 챔버)(120)에서의 공급 롤(165)로부터, 프로세스 챔버(140)에서의 프로세스 롤(142)로, 더 나아가 통로(150)를 통해, 그리고 와인딩(또는 제 1) 챔버(110)에서의 테이크-업 롤(115)로 가이딩되고 있는 것을 볼 수 있다. 이전에 언급된 바와 같이, 기판은 가요성 기판일 수 있다.
[0038] 본원에서 설명되는 실시예들 내에서 사용되는 바와 같은 가요성 기판 또는 웨브는 전형적으로, 그러한 가요성 기판 또는 웨브(web)가 휘어질 수 있는 것을 특징으로 할 수 있다. "웨브"라는 용어는 "스트립"이라는 용어 또는 "가요성 기판"이라는 용어와 동의어로 사용될 수 있다. 예컨대, 본원에서 실시예들에서 설명되는 바와 같이, 웨브는 포일, 또는 금속 포일, 웨브, 또는 글래스 기판과 같은 다른 가요성 기판일 수 있다.
[0039] 일반적으로, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 롤들 및 증착 소스들, 예컨대 플라즈마 증착 소스들과 같은, 프로세싱 시스템에서의 단일 컴포넌트들은 가요성 기판, 예컨대 웨브 또는 포일, 또는 글래스 기판에 대해 적응될 수 있다. 예컨대, 롤들은 가요성 기판을 가이딩, 언-와인딩, 또는 와인딩하기 위한 각각의 표면들 및 기하형상들을 가질 수 있다.
[0040] 도 2가 가이딩 롤들(166), 와인딩 롤(115), 언-와인딩 롤(165), 및 프로세스 롤(142)만을 도시하지만, 프로세스 시스템(100)이 상이한 기능들을 위한 추가적인 롤들, 롤러들, 또는 롤러 디바이스들을 포함할 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
[0041] 본원에서 설명되는 바와 같은 롤, 롤러, 또는 롤러 디바이스는, 프로세싱 시스템에서의 기판의 존재 동안에, 기판(또는 기판의 일부)이 접촉하고 있을 수 있는 표면을 제공하는 디바이스로서 이해될 수 있다. 본원에서 지칭되는 바와 같은 롤의 적어도 일부는 프로세싱될 또는 이미 프로세싱된 기판과 접촉하기 위한 원형 형상을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 롤러 디바이스는 실질적으로 원통형인 형상을 가질 수 있다. 실질적으로 원통형인 형상은 직진하는 길이방향 축을 중심으로 형성될 수 있거나, 또는 휘어진 길이방향 축을 중심으로 형성될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 롤러 디바이스는 가요성 기판과 접촉하고 있도록 적응될 수 있다. 본원에서 지칭되는 바와 같은 롤러 디바이스는, 기판이 프로세싱 시스템에 존재하는 동안에 또는 기판이 프로세싱되는 동안에(예컨대, 증착 프로세스 동안에) 기판을 가이딩하도록 적응된 가이딩 롤러; 코팅될 기판에 대해 정의된 장력(tension)을 제공하도록 적응된 스프레더(spreader) 롤러; 정의된 이동 경로를 따라 기판을 편향(deflecting)시키기 위한 편향 롤러; 코팅 롤러 또는 코팅 드럼과 같은, 프로세싱 동안에 기판을 지지하기 위한 프로세싱 롤러; 조정 롤러, 와인딩 롤, 언와인딩 롤, 또는 이와 동일한 종류의 것일 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같은 롤러 디바이스는 금속을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 기판과 접촉하게 될 롤러 디바이스의 표면은 코팅될 각각의 기판에 대해 적응될 수 있다.
[0042] 몇몇 실시예들에서, 본원에서 설명되는 바와 같은 프로세싱 시스템의 터널들 또는 챔버들 사이에서 기판(160)을 가이딩하는 롤러들(166)이 또한, 장력 측정에 대해 구성될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들의 전형적인 구현들에 따르면, 적어도 하나의 장력 측정 롤러가 프로세싱 시스템에 제공된다. 또한, 프로세스 롤(142)의 양 측들 상의 2개의 장력 측정 롤러들이 프로세스 롤의 와인딩 측 및 언와인딩 측 상의 장력 측정을 허용할 수 있다. 전형적으로, 장력 측정 롤러는 가요성 기판의 장력을 측정하도록 구성된다. 기판 운반이 더 우수하게 제어될 수 있고, 코팅 드럼 상의 기판의 압력이 제어될 수 있고, 그리고/또는 기판에 대한 손상이 감소될 수 있거나 또는 방지될 수 있다.
[0043] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 가요성 기판을 와인딩 및 언와인딩하기 위한 롤러들, 기판을 가이딩하기 위한 롤러들, 프로세싱 또는 코팅 드럼, 및 가요성 기판과 접촉하고 있는, 프로세싱 시스템에서의 다른 롤들 또는 엘리먼트들은, 가요성 기판의 배면, 즉, 프로세싱 시스템에서 프로세싱되지 않는(또는 프로세싱되지 않을) 측만이 접촉되도록, 증착 챔버에서 포지셔닝 및/또는 배열된다. 따라서, 기판을 언-와인딩, 프로세싱, 리-와인딩, 신장, 또는 가이딩하는 경우에, 롤러 기반 기판 전방 표면 접촉이 존재하지 않는다. 이는, 프로세싱된 기판 표면, 뿐만 아니라, 프로세싱될 기판 표면 상의 오염을 감소시킨다. 또한, 특히 프로세싱된 표면 상의 기판 손상의 리스크가 감소된다.
[0044] 몇몇 실시예들에 따르면, 코팅 드럼 주위의 기판의 래핑 각도는, 전형적으로는 180°, 더 전형적으로는 170° 미만, 그리고 한층 더 전형적으로는 150° 미만일 수 있다. 기판은, 프로세싱된 기판 표면(예컨대, 표면 상에 증착된 층을 갖는 기판의 표면)과 접촉하지 않으면서, 프로세스 챔버를 통해 가이딩될 수 있다.
[0045] 전형적인 구현들에 따르면, 프로세스 시스템에 존재하는 모든 롤들의 래핑 각도들의 합은, 180° 내지 540°, 예컨대 180° 내지 360°일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 예컨대, 제 2 프로세스 롤이 제공되는 경우에, (공급 및 테이크-업 롤을 제외하고) 증착 시스템에 존재하고 있는 모든 롤들의 래핑 각도들의 합은, 540°와 동등할 수 있거나 또는 그 미만일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, (공급 및 테이크-업 롤을 제외하고) 증착 시스템에 존재하고 있는 모든 롤들의 래핑 각도들의 합은, 360° 미만일 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 위에서 설명된 바와 같이, 증착 시스템의 롤러들은, 기판의 배면, 즉, 프로세싱되지 않는 측 상에서만 기판과 접촉하는 기판 가이딩 시스템을 제공하도록 배열된다. 전형적으로, 가이딩 롤러들의 수는, 특히, 낮은 총 래핑 각도(예컨대, 360° 미만의 래핑 각도)가 요구되는 경우에, 10개 또는 그 미만, 및 2개 또는 그 초과이다.
[0046] 도 1의 예에서 볼 수 있는 바와 같이, 프로세스 챔버는 경사진 플랜지(145)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버는, 경사진 플랜지(145)에 의해 연결되고, 어셈블링되는 경우에 프로세스 챔버를 형성하는 적어도 2개의 부분들로 분할된다. 경사진 플랜지(145)에 의해 프로세스 챔버(140)의 제 2 부분(147)에 연결되어 있는 프로세스 챔버(140)의 제 1 부분(146)은, 도 2에서 볼 수 있는 증착 소스들과 같은 프로세스 컴포넌트들을 (적어도 부분적으로) 하우징할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세스 챔버(140)의 제 1 부분(146)은, 프로세스 컴포넌트들(예컨대, 증착 소스들 또는 툴들)이 제 1 부분에 외부적으로(externally) 부착될 수 있도록 적응될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 프로세스 챔버는, 예컨대, 통로(150)와 소통함으로써, 또는 (예컨대, 도 6에서 도시된 바와 같이) 심지어 통로의 일부가 됨으로써, 통로(150)에 연결가능한 제 2 부분을 제공할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세스 챔버(140)의 제 1 부분(146) 및 제 2 부분(147)은 수직에 대하여 경사진 플랜지에 의해 연결가능할 수 있다.
[0047] 프로세스 챔버(140)의 경사진 플랜지는 프로세싱될 기판(160) 아래에 증착 소스들(141)과 같은 프로세스 컴포넌트들을 배열하는 것을 허용할 수 있다. 따라서, 프로세스 챔버에서 증착 프로세스가 수행되는 경우에, 증착이 기판 위에서부터 발생하지 않고, 기판 아래에서부터 발생할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 도 2에서 증착 소스(141)에 의해 예시적으로 볼 수 있는 바와 같이, 증착은 기판에 대해 수평 방향으로부터 수행될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 증착 소스들은 코팅 드럼의 하부 절반에 제공된다. 프로세스 드럼의 회전 축 또는 롤러(142)의 수평 중심 라인 위로의 소스 배향에 의해 아래로 증착하지 않는 것이, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증착 시스템에 대해 사용된다. 즉, 증착 소스들의 전체 배열이 코팅 드럼의 중심 축(143)의 높이에, 또는 그 높이 아래에 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버에서의 증착 소스들은 프로세스 드럼의 수평 회전 축의 높이에 또는 그 아래에 배열된다. 프로세스 및 기판을 오염시킬 수 있는 생성되는 입자들은 중력으로 인해 증착 스테이션들에 남게 된다. 기판 상의 그리고/또는 증착된 층 내의 원하지 않는 입자들의 생성이 방지될 수 있다. 특히, 프로세싱 또는 코팅 드럼 애플리케이션들의 경우에, 상향식 증착 소스들은 코팅 드럼의 회전 축의 높이 또는 그 아래에 배열되어 있는 증착 소스들로서 이해될 수 있다. 또한, 복수의 프로세스 컴포넌트들이, 직진 파티션을 갖는 프로세스 챔버와 비교하여 경사진 플랜지를 갖는 프로세스 챔버(140) 내에 배열될 수 있다.
[0048] 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세스 챔버의 경사진 플랜지는, 프로세스 챔버에서의 프로세스 구역들을 분리시키기 위해, 프로세스 챔버 내에 분리 벽을 제공할 수 있다. 예컨대, 도면들에서 도시된 경사진 플랜지는 프로세스 챔버 내의 진공 밀봉(vacuum tight) 분리 벽을 표시할 수 있다. 일 예에서, 프로세스 챔버 내의 진공 밀봉 분리 벽은 기판의 통과를 위한 슬루스(sluice) 또는 이와 동일한 종류의 것을 제공할 수 있다. 프로세스 챔버 내에 분리 벽을 제공함으로써, 특히, 기판이 단지 가이딩되거나 또는 후-처리가 발생하는 프로세스 챔버에서의 구역으로부터, 증착이 발생하는 프로세스 챔버의 구역을 분리시키는 경우에, 오염의 리스크가 감소될 수 있다.
[0049] 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템(100)의 챔버들 중 일부 또는 모든 챔버들은 진공 프로세스에 대해 적응될 수 있다. 예컨대, 프로세싱 시스템은, 와인딩 챔버, 프로세스 챔버, 및 언-와인딩 챔버와 같은, 프로세싱 시스템의 적어도 일부에, 진공을 생성하거나 또는 유지하는 것을 허용하는 컴포넌트들 및 장비를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 증착 시스템은, 적어도 증착 시스템의 부분들에서 진공을 생성하거나 또는 유지하기 위해, 진공 펌프들, 진공배기 덕트들, 진공 밀봉들, 및 이와 동일한 종류의 것을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버(들), 와인딩 챔버, 및 언-와인딩 챔버 각각은, 다른 챔버들로부터 독립적으로 단일 챔버들에서 진공을 생성하고 유지하기 위한 진공 생성 및 진공 유지 디바이스들을 포함할 수 있다. 예컨대, 각각의 챔버는 각각의 영역의 진공배기를 위한 그러한 각각의 챔버의 개별적인 대응하는 진공 펌프 또는 펌핑 스테이션을 갖는다.
[0050] 또한 추가로, 부가적으로 또는 대안적으로, 터널 또는 통로가 터널 또는 통로의 내부에서 진공을 생성하고 그리고/또는 유지하도록 적응될 수 있다. 그러나, 몇몇 실시예들에 따르면, 통로 또는 터널은 프로세스 챔버의 일부인 것으로서 이해될 수 있다. 예컨대, 터널은 슬루스들에 의해 프로세스 챔버로부터 분리되지 않을 수 있다. 따라서, 터널에는, 예컨대, 프로세스 챔버들 중 하나 또는 양자 모두에 존재하는 것과 동일한 진공이 제공될 수 있다. 일 예에서, 터널은 하나 또는 양자 모두의 프로세스 챔버들과 동일한 진공 생성 수단에 의해 생성되고 유지되고 있는 진공 조건들을 제공할 수 있다.
[0051] 일 예에서, 언-와인딩 챔버 및/또는 리-와인딩 챔버는, 예컨대, 유지보수 구역에 대한 윈도우 또는 도어를 개방함으로써, 유지보수 목적들을 위해 벤팅될(vented) 수 있다.
[0052] 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 조건들 하에서 동작하도록 적응되어 있는 프로세싱 시스템의 챔버는 진공 밀봉 인클로저(enclosure)를 형성하고, 즉, 약 0.2 내지 10 mbar의 압력을 갖는 진공으로, 또는 심지어 1*10-4 내지 1*10-2 mbar의 압력을 갖는 진공으로 진공배기될 수 있다. 상이한 압력 체제들에서 실시되는, mbar - 범위에서의 CVD 및 10-3 mbar - 범위에서의 PVD 프로세스들에 대해 특정적으로, 상이한 압력 범위들이 고려될 것이다. 추가로, 챔버(들)는 1*10-6 mbar 또는 그 미만의 압력을 갖는 백그라운드 진공으로 진공배기될 수 있다. 백그라운드 압력은, 임의의 가스들의 임의의 유입구 없이 챔버의 진공배기에 의해 도달되는 압력을 의미한다. 이와 반대로, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 110과 120 사이에 제공되는 유지보수 구역은, 오퍼레이터가 유지보수 액세스를 사용할 수 있도록, 대기(즉, 주변 공기) 조건 하에 있다.
[0053] 몇몇 실시예들에서, 터널 또는 통로는 진공 조건들 및/또는 선택적인 제어되는 비활성 분위기 하에서 동작되도록 적응될 수 있다. 대안적으로, 터널 또는 통로는 대기 또는 주변 조건들 하에서 동작될 수 있다.
[0054] 몇몇 실시예들에서, 기판이 프로세싱 시스템의 챔버들을 통해 가이딩되는 경우에, 가요성 기판은, 챔버들을 분리시키는 벽, 예컨대, 프로세스 챔버(140)와 제 2 챔버(120) 사이의 벽에서의 개구 또는 슬릿을 통해 가이딩된다. 일 예에서, 슬릿은 하나의 진공 챔버로부터 다른 진공 챔버로 기판을 가이딩하도록 적응될 수 있다. 다른 실시예들에서, 슬릿 또는 개구는, 슬릿에 의해 링크된 2개의 챔버들의 압력 조건들을 적어도 실질적으로 분리시키기 위해, 밀봉 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 예컨대, 슬릿 또는 개구에 의해 링크되어 있는 챔버들이 상이한 압력 조건들을 제공하는 경우에, 벽에서의 슬릿 또는 개구는 챔버들에서의 각각의 압력을 실질적으로 유지하도록 설계된다.
[0055] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 프로세스 챔버로부터 제 2 챔버 또는 언-와인딩 챔버를 분리시키기 위한 적어도 하나의 갭 슬루스 또는 로드 락 밸브가 분리 벽(122)에 제공된다. 하나 또는 그 초과의 갭 슬루스들은, 가요성 기판이 그러한 하나 또는 그 초과의 갭 슬루스들을 통해 이동할 수 있도록 구성되고, 갭 슬루스는 진공 밀봉을 제공하기 위해 개방 및 폐쇄될 수 있다. 전형적인 실시예들에 따르면, 갭 슬루스는, 예컨대, 10° 또는 그 초과의 각도만큼 기판 이동을 재지향시키기 위해, 기판을 가이딩하기 위한 롤러를 포함한다. 추가로, 갭 슬루스의 롤러에 대하여 가압될 수 있는 팽창성(inflatable) 밀봉이 제공된다. 갭 슬루스는 밀봉을 팽창시킴으로써 폐쇄되고, 제 2 챔버(120) 및 프로세스 챔버(140)는 진공 밀봉 방식으로 서로 분리된다. 따라서, 예컨대, 제 2 챔버(120)는, 프로세스 챔버(140)가 기술적인 진공 하에서 유지될 수 있는 동안에, 벤팅될 수 있다.
[0056] 추가의 대안적인 구현에 따르면, 갭 슬루스 또는 로드 락 밸브는 또한, 롤러 없이 제공될 수 있다. 팽창성 밀봉이 평탄한 밀봉 표면에 대하여 기판을 가압할 수 있다. 또한, 갭 슬루스를 선택적으로 개방 및 폐쇄하기 위한 또한 다른 수단이 활용될 수 있고, 여기에서, 개방 및 폐쇄, 즉, 개방 기판 경로 및 진공 밀봉을 갖는 것은, 기판이 삽입되면서 실시될 수 있다. 기판이 삽입되면서 진공 밀봉을 폐쇄하기 위한 갭 슬루스는, 새로운 롤로부터의 기판이 이전의 롤로부터의 기판에 부착될 수 있기 때문에, 특히, 기판의 용이한 교환을 허용한다.
[0057] 갭들, 개구들, 또는 갭 슬루스들이 제 1 챔버로부터 프로세스 챔버로 가요성 기판을 가이딩하는 것에 대하여 설명되지만, 본원에서 설명되는 바와 같은 갭들, 개구들, 또는 갭 슬루스들은 또한, 증착 시스템의 다른 부분들 사이에서, 예컨대, 프로세스 챔버와 통로 사이에서, 통로와 와인딩(또는 제 1) 챔버 사이에서, 그리고/또는 프로세스 챔버와 제 1 챔버 사이에서 사용될 수 있다.
[0058] 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세스 시스템(100)은 통로(150)를 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 통로는 언-와인딩 챔버(120) 및/또는 리-와인딩 챔버(110) 위에 배열된다. 다른 실시예들에서, 통로는 언-와인딩 챔버(120) 및/또는 리-와인딩 챔버(110) 아래에 위치된 터널로서 형성될 수 있다. 통로(또는 터널)는, 예컨대, 프로세스 챔버에서 기판을 프로세싱한 후에, 가요성 기판을 가이딩하기 위해 사용될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 가요성 기판은 통로를 통해 프로세스 챔버로부터 제 1 챔버 또는 와인딩 챔버로 가이딩될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 통로 또는 터널은, 예컨대, 각각의 밀봉들, 펌프들, 슬루스들, 및 이와 동일한 종류의 것을 제공함으로써, 진공 조건들 하에서 기판을 가이딩하도록 적응될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 통로는 증착 시스템의 동작 동안에 대기 조건들 하에 있을 수 있다. 대기 조건들 하에서 통로를 동작시키는 것은 비용들 및 노력을 절감할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 기판이 프로세스 챔버로부터 통로에 진입하는 포지션에서의 하나의 슬루스, 및 기판이 와인딩 챔버로 통로에서 빠져나가는 하나의 슬루스와 같이, 통로에 슬루스들이 제공될 수 있다.
[0059] 몇몇 실시예들에서, 증착 시스템의 하나의 챔버로부터 다른 챔버로 기판을 가이딩하기 위해 제공되는 통로 또는 터널은 수개의 적응 가능성들을 제공할 수 있다. 예컨대, 통로 또는 터널에는 터널에 측정 디바이스들을 제공하기 위한 적응 디바이스들이 장비될 수 있다. 몇몇 예들에서, 통로 또는 터널은, 온도 센서들, 압력 센서들, 기판에 대한 장력 센서들, 시각적인 제어 디바이스들, 기판 제어 디바이스들, 및 이와 동일한 종류의 것을 포함하도록 적응될 수 있다.
[0060] 몇몇 실시예들에서, 통로(또는 터널), 제 1 챔버, 및 제 2 챔버는 유지보수 구역을 둘러싼다. 일 예에서, 통로는 유지보수 구역 위에서 연장되는 상단측 덮개에, 상단측 덮개에 의해, 또는 상단측 덮개로서 제공될 수 있다. 다른 예에서, 위에서 언급된 바와 같이, 통로는 유지보수 구역 아래에서 연장되는 바닥 측 터널에, 바닥 측 터널에 의해, 또는 바닥 측 터널로서 제공될 수 있다.
[0061] 위에서 언급된 바와 같이, 도 2에서 도시된 바와 같은 증착 시스템(100)의 상면도를 도 3에서 볼 수 있다. 도 3의 예에서, 오퍼레이터(170)는, 유지보수 구역(130)을 통해, 와인딩 챔버로서 또한 표시되는 제 1 챔버(110)의 테이크-업 롤(115)을 변경하고 있다. 테이크-업 스풀(115)이 상이한 포지션들에서 파선들로 도시된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 제어 신호가, 제 1 챔버(110)에서의 테이크-업 롤을 변경할 필요성에 관하여 오퍼레이터(170)에게 통보할 수 있다. 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 유지보수 구역(130)은 테이크-업 롤(115)을 교환하기 위한 우수한 접근성을 제공한다.
[0062] 일반적으로, 테이크-업 스풀을 변경하는 프로세스만이 설명되지만, 유지보수 구역은 또한, 코팅 프로세스들 사이의 기판 피드-인(feed-in) 및 피드-아웃(feed-out)에 대한 우수한 접근성을 제공한다. 따라서, 또한, 공급 롤(165)이 도 3에서 도시된 방식으로 교환될 수 있다.
[0063] 유지보수 구역은 오퍼레이터에 의해 수행되는 유지보수를 허용하는 구역으로서 이해될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 유지보수 구역은 챔버의 또는 챔버에 대한 유지보수 액세스를 허용한다. 예컨대, 유지보수 구역은 언-와인딩 챔버 또는 와인딩 챔버에 액세스하는 것을 허용할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 유지보수 구역은, 유지보수 구역이 액세스를 허가하는, 프로세싱 시스템의 챔버들 중 하나 또는 그 초과에 존재하는 컴포넌트들의 제어, 세정, 또는 교환을 허용할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 유지보수 구역은, 프로세싱 시스템의 챔버들에서의 프로세스에 영향을 미치기 위해, 스위치들, 버튼들, 제어 다이얼들, 모니터들, 액추에이터들, 모듈레이터들, 및 이와 동일한 종류의 것에 대한 액세스를 제공할 수 있다. 일 예에서, 유지보수 구역은 와인딩 또는 언-와인딩 프로세스를 종료시키기 위한 스위치를 가질 수 있다. 다른 또는 추가적인 실시예들에서, 유지보수 구역은, 온도, 압력, 습도, 및 이와 동일한 종류의 것과 같은, 제 1 및/또는 제 2 챔버에서의 환경 조건들을 제어하기 위한 제어 엘리먼트들을 가질 수 있다. 실시예들에 따르면, 유지보수 구역은 대기 조건들을 제공한다.
[0064] 몇몇 실시예들에서, 유지보수 구역은, 예컨대, 프로세스 챔버가 10 mbar 또는 그 미만의 압력으로 진공배기되는 동안에, 동작 동안 제 1 챔버 및 제 2 챔버 중 적어도 하나에 대한 또는 그러한 적어도 하나의 유지보수 액세스를 허용한다. 예컨대, 유지보수 액세스는, 제어 엘리먼트들을 서빙하거나(serving) 또는 활성화시키는 형태로, 또는 시각적인 제어의 형태로, 또는 이와 동일한 종류의 것으로, 동작 동안에 제공될 수 있다. 그러나, 공급 롤 또는 테이크-업 롤을 제거하거나, 교환하거나, 또는 제공하는 형태의 공급 롤 및 테이크-업 롤의 유지보수, 즉, 와인딩/언-와인딩 챔버들 중 하나 또는 그 초과가 벤팅되고 그리고/또는 개방되어야 하는 유지보수 태스크는, 프로세싱 시스템의 동작, 즉, 프로세싱 액션 동안에 수행될 수 없다. 그러나, 공급 롤 또는 테이크-업 롤을 제거하거나, 교환하거나, 또는 제공하는 형태의 공급 롤 및 테이크-업 롤의 유지보수, 및/또는 유지보수 구역에 인접한 진공 챔버들 중 하나 또는 그 초과의 내부의 세정을 위한 유지보수 액세스를 허용하는 유지보수 구역은, 또한, 유지보수 액세스를 위해 벤팅될 수 있고 그리고/또는 개방될 수 있는 하나 또는 그 초과의 프로세스 챔버들이, 예컨대, 10 mbar 또는 그 미만의 압력으로 진공배기되는 경우에, 대기압으로 유지된다.
[0065] 몇몇 실시예들에 따르면, 공급 롤 또는 테이크-업 롤을 제거하거나, 교환하거나, 또는 제공하는 형태의 공급 롤 및 테이크-업 롤의 유지보수, 즉, 와인딩 챔버들 중 하나 또는 그 초과가 벤팅되고 그리고/또는 개방되어야 하는 유지보수 태스크는, 하나 또는 그 초과의 프로세스 챔버들에 웨브 또는 포일이 남아있는 동안에 수행될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템의 프로세싱 액션이 중단되고, 웨브 또는 포일 운반 롤러들이 비활성화된다. 그 후에, 웨브 또는 포일은, 예컨대, 와인딩/언-와인딩 챔버와 프로세스 챔버 사이의 팽창성 밀봉에 의해 웨브를 클램핑함으로써, 와인딩/언-와인딩 챔버와 프로세스 챔버 사이에서 진공 밀봉 밸브들 또는 갭 슬루스들에 의해 클램핑될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 웨브는, 와인딩/언-와인딩 챔버와 프로세스 챔버 사이에서 클램핑된 후에, 와인딩/언-와인딩 챔버에서 커팅된다. 공급 롤 및/또는 테이크-업 롤이 제거되고 그리고/또는 교환된다. 공급 롤에 의해 제공되는 새롭게 부가된 웨브는 언-와인딩 챔버에서 웨브의 커팅된 단부에 고정될(예컨대, 접착 또는 글루잉될(glued)) 수 있다. 이러한 경우에, 하나 또는 그 초과의 프로세스 챔버들이 진공 하에서 유지되는 동안에, 와인딩 챔버들 중 하나 또는 그 초과는 벤팅되고 그리고/또는 개방되고, 유지보수는, 프로세싱 시스템의 다른 부분들에서 진공이 유지되는 동안에, 와인딩/언-와인딩 챔버에서 수행된다.
[0066] 몇몇 실시예들에 따르면, 유지보수 구역(130)은 제 1 챔버, 제 2 챔버, 및/또는 심지어 제 1 및/또는 제 2 챔버 위의 터널의 전형적인 유지보수 단계들에 대해 적응될 수 있다. 예컨대, 유지보수 구역(130)의 사이즈는 오퍼레이터(170)의 사이즈에 대해 적응될 수 있다. 추가로, 유지보수 구역(130)의 사이즈는, 오퍼레이터가 제 1 및 제 2 챔버로부터 공급 롤 및/또는 테이크-업 롤을 제거할 수 있도록 선택될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 유지보수 구역은 1 m 초과의 길이(131)(도 3에서 볼 수 있는 바와 같음)를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 유지보수 구역은, 전형적으로는 약 1 m 내지 약 3 m, 더 전형적으로는 약 1.5 m 내지 약 2.5 m, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 1.5 m 내지 약 2 m의 길이(131)를 가질 수 있다. 추가로, 유지보수 구역은, 1.7 m 초과의 높이(132)(도 2에서 볼 수 있는 바와 같음)를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 유지보수 구역은, 전형적으로는 약 1.7 m 내지 약 3 m, 더 전형적으로는 약 2 m 내지 약 3 m, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 2 m 내지 2.5 m의 높이(132)를 가질 수 있다. 추가로, 유지보수 구역(130)은 기판 폭에 따라 좌우되는 깊이(133)(도 3에서 볼 수 있는 바와 같음)를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 유지보수 구역(130)의 깊이(133)는 0.7 m 초과일 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 유지보수 구역의 깊이(133)는, 전형적으로는 약 1.0 m 내지 약 4.0 m, 더 전형적으로는 약 2 m 내지 약 3.5 m, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 2 m 내지 약 3 m일 수 있다.
[0067] 유지보수 구역(130)에서 파선들로 테이크-업 롤(115-1)에 의해 표시되는 바와 같이, 유지보수 구역은 어퍼레이터(170)가 제 1 챔버(110)로부터 제거된 테이크-업 롤을 핸들링(handle)하게 허용한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 유지보수 구역(130)의 사이즈는, 증착 시스템이 이용가능한 공간과 유지보수 목적들을 위한 챔버들에 대한 용이한 액세스 사이에서의 절충일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 본원에서 설명되는 바와 같은 증착 시스템에서의 가이딩 롤러 시스템, 및 특히, 가이딩 롤러들의 수가 유지보수 구역의 사이즈에 대해 적응된다.
[0068] 몇몇 실시예들에서, 유지보수 구역은, 각각, 제 1 챔버의 방사상 방향으로부터 그리고 제 2 챔버의 방사상 방향으로부터 제 1 챔버 및/또는 제 2 챔버가 액세스될 수 있도록 제공되고 구성된다. 유지보수 구역은, 각각, 공급 롤 및 테이크-업 롤의 방사상 방향으로부터 제 1 챔버 및/또는 제 2 챔버에 액세스하는 것을 허용한다. 일 실시예에서, 챔버의 방사상 방향은 공급 롤 또는 테이크-업 롤 중 하나의 방사상 방향에 대응할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 유지보수 구역은, 각각, 공급 롤 및 테이크-업 롤에 대한 와인딩 샤프트의 방사상 방향으로부터 제 1 챔버 및/또는 제 2 챔버에 액세스하는 것을 허용한다. 특히, 유지보수 구역은, 각각의 제 1 방사상 측 및 각각의 제 2 방사상 측으로부터, 예컨대 공급 롤을 갖는 진공 챔버와 같은 제 1 챔버(예컨대, 도 1에서의 110 참조)에 액세스하는 것, 및 예컨대 테이크-업 롤을 갖는 진공 챔버와 같은 제 2 챔버(예컨대, 도 1에서의 120 참조)에 액세스하는 것을 허용할 수 있고, 여기에서, 제 1 방사상 측 및 제 2 방사상 측은 서로를 향한다. 예컨대, 공급 롤은, 방사상으로 테이크-업 스풀을 향하여 제거될 수 있고, 반대의 경우도 마찬가지다.
[0069] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 유지보수 구역은 유지보수 액세스를 허용한다. 유지보수 액세스는, 시각적인 유지보수(예컨대, 시각적인 제어), 신호들을 제어하거나 또는 신호들을 수신하기 위한 전자 유닛들에 대한 액세스, 또는 물리적인 진입을 포함할 수 있다. 일 예에서, 유지보수 액세스는, 예컨대 덮개에 의해 폐쇄될 수 있는 개구, 윈도우, 또는 도어에 의해 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 유지보수 액세스는, 와인딩 또는 언-와인딩 챔버의 벽에서의 윈도우와 같이, 챔버 벽에 의해 제공될 수 있다.
[0070] 몇몇 실시예들에서, 유지보수 구역은 2개의 수평 라인들에 의해 표시된 검사 윈도우(134)로서 도 2에서 도시된 바와 같은, 챔버 벽에서의 윈도우를 통해 유지보수 액세스를 제공할 수 있다. 제 1 챔버(110)의 벽에서 예시적으로 도시되어 있는 검사 윈도우는, 예컨대, 공급 스풀로부터 언-와인딩되는 경우 또는 테이크-옵 스폴 상에 와인딩되는 경우에, 기판이 뷰잉되게 허용하는 높이로 배열될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 검사 윈도우는, 가요성 기판의 완전한 폭, 예컨대, 전형적으로는 약 1 m 내지 약 3 m, 더 전형적으로는 약 1.2 m 내지 약 2.5 m, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 1.4 m 내지 약 2.4 m의 폭을 뷰잉하기 위한 사이즈를 가질 수 있다. 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 검사 윈도우는, 예컨대, 완전한 공급 롤 및/또는 완전한 테이크-업 롤을 보는 것을 허용함으로써, 완전한 와인딩 및/또는 언-와인딩 프로세스를 뷰잉하기 위한 사이즈를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 유지보수 구역의 검사 윈도우는, 함께, 오퍼레이터로 하여금 챔버들에서의 프로세스들을 감상할 수 있게 하는 수개의 검사 포트들로 구성될 수 있다.
[0071] 몇몇 실시예들에 따르면, 유지보수 구역은, 예컨대, 챔버 벽에서의 도어의 형태로, 제 1 및/또는 제 2 챔버에 대한 액세스를 제공할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 도어들은, 제 1 및/또는 제 2 챔버에서의 컴포넌트들에 도달하도록, 예컨대, 공급 롤 또는 테이크-업 롤에 도달하도록 적응될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 도어는 챔버의 검사 윈도우를 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 도어는 오퍼레이터가 제 1 및/또는 제 2 챔버에 진입하게 허용할 수 있다.
[0072] 도 3에서, 공급 및 테이크-업 스풀을 위한 로딩(loading) 및 언-로딩(un-loading) 시스템의 개략적인 도면이 도시된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 통합된 로딩 및 언로딩 시스템이, 본원에서 설명되는 바와 같은 증착 시스템에 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판 핸들링 시스템은 테이블(180), 및 테이크-업 롤(115) 및/또는 공급 롤을 위한 이입/이출(move-in/out) 디바이스를 포함할 수 있다. 도 3에서 도시된 예에서, 테이크-업 스풀(115)의 이출이 도시된다. 예컨대, 이입/이출 디바이스는, 교환 또는 제거될 테이크-업 롤을 그리핑하기 위해, 오퍼레이터(170)에 의해 제 1 챔버(110) 내로 삽입될 수 있다. 테이크-업 스풀을 그리핑하는 이출 디바이스는 제 1 챔버(110)로부터 리트랙팅될(retracted) 수 있고, 제 1 챔버(110)로부터 테이크-업 롤(115)을 제거할 수 있다. 일 예에서, 이출 디바이스는, 예컨대 회전가능한 회전축일 수 있는 롤 지지부로부터 테이크-업 롤을 제거하기 위해, 테이크-업 롤의 양 단부들에서 테이크-업 롤을 그리핑하기 위한 그리핑 디바이스들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 이입/이출 디바이스는, 테이크-업 롤 상에서 와인딩되는 기판과 접촉하지 않으면서, 제 1 챔버로부터 테이크-업 롤이 제거될 수 있도록 적응될 수 있다.
[0073] 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 테이크-업 롤(115)이 제 1 챔버(110)로부터 제거되는 경우에, 유지보수 구역(130)에서이 포지션(115-1)에서, 테이크-업 롤이 기판 핸들링 시스템의 테이블(180) 상에 로딩된다. 테이블(180)은 리프팅 테이블, 그리고 특히, 중심 리프팅 테이블일 수 있다. 오퍼레이터(170)는 테이크-업 롤(11501)이 위에 있는 테이블(180)을 이동시키기 위해, 유지보수 구역(130) 내에서 이동할 수 있다. 그 후에, 테이블(180)은, 테이크-업 롤을 유지보수 구역(130) 밖으로 포지션(115-2)으로 가져오기 위해, 유지보수 구역(130)으로부터 제거될 수 있다. 따라서, 오퍼레이터(170)는 용이하고 복잡하지 않은 방식으로 테이크-업 롤을 이동시킬 수 있다.
[0074] 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 핸들링 시스템은 테이블에 대한 대안들을 포함할 수 있다. 예컨대, 그리핑 툴이 유지보수 구역 밖으로 테이크-업 롤을 이동시키기 위해 사용될 수 있다. 추가적인 실시예들에서, 테이크-업 롤은, 오퍼레이터가 테이크-업 롤을 핸들링하게 허용하는 샤프트, 지지부, 또는 이와 동일한 종류의 것에 의해 운반될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 리프팅 테이블에 대한 대안들은, 유지보수 구역(130) 위에서 연장되는 통로(150) 대신에, 유지보수 구역(130) 아래에서 연장되는 터널이 사용되는 경우에, 사용될 수 있다.
[0075] 몇몇 실시예들에서, 리프팅 테이블은, 증착 시스템으로 그리고 그로부터 기판을 로딩 및 언-로딩하기 위한 중심 리프팅 테이블을 형성할 수 있다. 테이블은 기판과 함께 공급 롤 또는 테이크-업 롤을 홀딩하기 위한 기판 지지부를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 리프팅 테이블은, 적어도, 상부 포지션과 하부 포지션 사이에서 이동가능할 수 있다. 기판 지지부에 또는 기판 지지부 상에 배열되어 있는 테이크-업 롤 상의 기판은 리프팅 테이블의 하부 포지션에서 유지보수 구역 밖으로 이동될 수 있다. 기판 및 리프팅 테이블이 유지보수 구역 밖으로 이동되는 경우(테이크-업 롤의 포지션(115-2)으로 표시된 바와 같음)에, 테이크-업 롤은 기판과 함께, 추가로, 예컨대, 프로세싱 시스템의 부분인, 갠트리 크레인 또는 이와 동일한 종류의 것과 같은 크레인에 의해, 운반 차량으로 리프팅될 수 있거나, 또는 인도어-크레인 또는 오버헤드 크레인과 가은 크레인에 의해 운반될 수 있다.
[0076] 본원에서 설명되는 바와 같은 기판 핸들링 시스템을 사용함으로써, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증착 시스템에서, 이동가능한 언- 및 리-와인더들(예컨대, 프로세싱 동안에 제 1 및 제 2 챔버 내에 존재하고 있는 언- 및 리-와인딩 디바이스들)이 사용되지 않는다. 롤들을 이동시키고 그리핑하기 위한 툴들이 유지보수 구역으로부터 제 1 및 제 2 챔버에 도입될 수 있다. 추가적인 실시예들에 따르면, 기판 핸들링 시스템은, 예컨대, 프로세싱 시스템이 프로세싱 시스템 내에서 기판을 운반하기 위해 터널을 사용하는 경우에, 챔버로부터 제거될 롤을 리프팅하기 위한 통합된 포털 크레인을 포함할 수 있다.
[0077] 그러나, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 유지보수 구역 위에 통로를 갖는 설계에서의 프로세싱 시스템을 사용함으로써, 증착 시스템으로부터 기판을 제거하기 위해 오버헤드 크레인이 사용되지 않고, 이는, 증착 시스템의 사용자를 위해 공간 및 비용을 절감한다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 프로세싱 시스템은 또한, 본 기술분야에 알려져 있는 시시트메들보다 더 작은(또는 더 낮은) 팩토리 빌딩들에서 사용될 수 있다. 또한, 증착 시스템은 오버헤드 크레인을 사용하지 않음으로써, 환경에 대한 높은 요구들을 하지 않는다.
[0078] 위에서 설명된 바와 같은, 챔버로부터 롤을 제거하는 프로세스가 또한, 새로운 공급 또는 테이크-업 롤을 챔버들에 전달하는 경우에, 역순으로 수행될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
[0079] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 프로세싱 시스템은, 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 용이하고 복잡하지 않은 방식으로, 프로세싱 시스템에서 컴포넌트들을 교환하는 것을 허용할 수 있다. 도 3의 우측 상에서, 프로세스 롤(142)을 갖는 프로세스 챔버(140)를 볼 수 있다. 도 3의 오퍼레이터(175)는 증착 소스들과 같은 프로세스 컴포넌트들(141)에 대한 액세스를 갖는다. 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 프로세스 컴포넌트들(141)은, 이들이 하나의 유닛 또는 그룹(예컨대, 경사진 플랜지에 대하여 위에서 설명된 바와 같이, 프로세스 챔버의 제 1 부분으로 형성된 그룹)으로서 액세스될 수 있도록, 함께 그룹핑될 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 단일 프로세스 컴포넌트들이 하나씩 액세스될 수 있다. 프로세스 컴포넌트들(141)은, 예컨대, 프로세스가 변경되어야 하는 경우에, 또는 프로세스 컴포넌트들이 닳거나 또는 소모된 경우에, 교환될 수 있다. 예컨대, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 프로세스 시스템은 기판 폭을 변경하기 위한 선택을 제공할 수 있다. 프로세스 컴포넌트들의 용이한 액세스 및 용이한 교환은, 상이한 프로세스 타입들 또는 상이한 기판들에 대해 프로세스 시스템을 효율적으로 사용하는데 유용할 수 있다.
[0080] 도 2 및 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 제 1 프로세스 챔버에는, 위에서 설명된 바와 같은 프로세스 컴포넌트들과 같은 프로세스 드럼을 중심으로 배열되어 있는 복수의 프로세스 컴포넌트들이 장비될 수 있다. 도 2에서 도시된 실시예는, 파선들에 의해 표시되어 있는 2개의 추가적인 증착 소스들을 갖는 증착 소스와 같은 하나의 프로세싱 컴포넌트(141)를 포함한다. 또한, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 예컨대 증착 소스들과 같은 2개 또는 그 초과의 프로세싱 컴포넌트들이 제공될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예컨대, 4개, 5개, 6개, 또는 한층 더 많은, 예컨대 8개, 10개, 또는 12개의 프로세싱 컴포넌트들, 예컨대 증착 소스들이 제공될 수 있다. 증착 소스들은 각각의 프로세싱 구역들에 제공될 수 있고, 프로세스 롤러(142)에 의해 지지되고 있는 기판이 각각의 영역들에서 프로세싱된다.
[0081] 또한, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 프로세싱 시스템에서, 상이한 종류들의 증착 기법들이 사용될 수 있다. 예컨대, 프로세스는, 화학 기상 증착(CVD) 프로세스, 물리 기상 증착(PVD) 프로세스, 마이크로파 플라즈마 프로세스, 및 이와 동일한 종류의 것을 포함할 수 있다.
[0082] 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템(100)은 간지(interleaf) 모듈을 포함할 수 있다. 예컨대, 언-와인딩 챔버(120)에는, 공급 롤(165) 상의 기판의 보호를 위해 제공되는 간지를 와인딩하기 위한 간지 모듈(167)이 장비될 수 있다. 간지 모듈은 간지 테이크-업 롤로 간지를 가이딩하기 위한 몇몇 가이딩 롤들을 포함할 수 있다. 부가적인 또는 대안적인 실시예들에서, 리-와인딩 챔버(110)는 간지 모듈(117)을 포함할 수 있다. 간지 모듈(117)은, 테이크-업 롤 상에서 프로세싱된 기판을 보호하기 위해, 프로세싱된 기판과 함께 테이크-업 롤(115) 상에 와인딩되는 간지를 제공할 수 있다. 또한, 간지 모듈(117)에는 테이크-업 롤(115)으로 간지를 가이딩하기 위한 가이딩 롤들이 장비될 수 있다.
[0083] 몇몇 실시예들에서, 제 1 챔버 및/또는 제 2 챔버에 조명 디바이스가 제공될 수 있다. 특히, 조명 디바이스는, 프로세싱될 기판 또는 프로세싱된 기판이, 프로세싱된 측 또는 프로세싱되지 않은 측(또는, 프로세싱될 측 또는 프로세싱되지 않을 측)과 같은 하나의 측으로부터 조명될 수 있도록, 제 1 및/또는 제 2 챔버에 배열될 수 있다. 예컨대, 조명 디바이스는, 유지보수 구역을 통해, 그리고 특히, 윈도우(134)와 같은, 챔버 벽에서의 윈도우에 의해 ― 위에서 설명된 바와 같이 ― 수행될 수 있는 기판의 검사 및 시각적인 제어를 용이하게 할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 조명 디바이스는 램프이다.
[0084] 도 4는 증착 시스템(100)의 실시예를 도시한다. 증착 시스템은, 리-와인딩 챔버로서 또한 표시될 수 있는 제 1 챔버(110), 언-와인딩 챔버로서 또한 표시될 수 있는 제 2 챔버(120), 및 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에 배열되어 있는 유지보수 구역(130)을 포함한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 제 1 챔버(110), 제 2 챔버(120), 및 유지보수 구역(130)은 도 1 내지 도 3에 대하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 추가로, 증착 시스템(100)은, 도 3에 대하여 위에서 설명된 바와 같은 기판 핸들링 시스템과 같은, 도 1 내지 도 3에 대하여 설명된 추가적인 피처들을 포함할 수 있다.
[0085] 도 4에서 볼 수 있는 바와 같이, 증착 시스템은 제 1 프로세스 챔버(140) 및 제 2 프로세스 챔버(240)를 포함한다. 제 1 프로세스 챔버(140)는 제 2 또는 언-와인딩 챔버에 가까이 배열될 수 있는 반면에, 제 2 프로세스 챔버(240)는 제 1 또는 언-와인딩 챔버(110)에 가까이 배열된다. 특히, 제 2 프로세스 챔버(180)는, 제 2 프로세스 챔버(180)와 유지보수 구역(130) 사이에 제 1 챔버(110)가 제공되도록 위치될 수 있다.
[0086] 도 4에서 그리고 아래의 도 5에서, 제 1 챔버가 와인딩 챔버인 것으로서 설명되고, 제 2 챔버가 언-와인딩 챔버인 것으로서 설명되지만, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증착 시스템은 그러한 배열에 대해 제한되지 않는다. 대안적인 실시예에서, 제 1 챔버는 언-와인딩 챔버일 수 있고, 제 2 챔버는 와인딩 챔버일 수 있다.
[0087] 몇몇 실시예들에 따르면, 제 1 프로세스 챔버(140) 및/또는 제 2 프로세스 챔버(240)에는, 가요성 기판 상에 재료를 증착하는 증착 프로세스를 위한 증착 소스들과 같은 프로세스 컴포넌트들이 장비될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 도 4의 프로세스 챔버들 중 적어도 하나는, 예컨대, 증착 소스(들)를 위한 하나 또는 그 초과의 지지 디바이스(들), 증착 소스들 그 자체, 및 이와 동일한 종류의 것을 제공함으로써, 도 1 내지 도 3에 대하여 설명된 프로세스 챔버와 같이 장비될 수 있다. 증착 시스템은 또한, 위에서 설명된 바와 같은 진공 시스템, 즉, 증착 시스템(100)의 단일 챔버들 또는 각각의 챔버가 진공배기되게 허용하고 압력이 유지되게 허용하는 진공 챔버를 포함할 수 있다.
[0088] 제 1 프로세스 챔버(140)의 경사진 플랜지(145) 및 제 2 프로세스 챔버(240)의 경사진 플랜지(245)는, 프로세스 챔버들 양자 모두에서의 상향식 증착, 즉, 탑재된 프로세스 챔버의 수평 중심 라인의 높이로부터 또는 그 아래에서 기판이 프로세싱되는 증착을 허용한다. 이는, 입자 오염에 대한 리스크를 감소시키고, 증착 프로세스를 더 안전하게 그리고 더 효율적이게 한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세스 챔버들 중 하나만에만 경사진 플랜지가 장비될 수 있다.
[0089] 경사진 플랜지(145)는 제 1 프로세스 챔버(140)를 2개의 부분들, 즉, 제 1 부분(146) 및 제 2 부분(147)으로 분리시킨다. 경사진 플랜지(245)는 제 2 프로세스 챔버(240)를 2개의 부분들, 즉, 제 1 부분(246) 및 제 2 부분(247)으로 분리시킨다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 제 1 프로세스 챔버(140)의 제 1 부분(146) 및/또는 제 2 챔버(240)의 제 1 부분(246)은, 예컨대, 프로세스 챔버(들)에 배열되어 있는 프로세스 컴포넌트들(예컨대, 증착 소스들)에 대한 용이한 액세스를 갖기 위해, 프로세스 챔버들의 제 2 부분들(147 및 247)로부터 제거될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버(들)의 제 1 부분(들)은 프로세스 컴포넌트들을 교환하기 위해 제거될 수 있다.
[0090] 몇몇 실시예들에 따르면, 제 1 및/또는 제 2 프로세스 챔버의 경사진 플랜지는, 프로세스 챔버에서의 전- 또는 후-처리 구역 또는 가이딩 구역으로부터, 프로세스 챔버에서의 프로세싱 구역을 분리시키는 분리 벽과 같은, 각각의 프로세스 챔버 내의 분리 벽을 제공하기 위해 사용될 수 있다.
[0091] 도 4에서 볼 수 있는 바와 같이, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 프로세싱 시스템은 모듈식 방식으로 프로세싱 시스템을 어셈블링할 가능성을 제공한다. 프로세싱 시스템은 수행될 프로세스의 특수한 요건들에 대해 적응될 수 있다. 예컨대, 도 1 내지 도 3에 대하여 위에서 설명된 바와 같이, 제 2 프로세스 챔버(240)가 부가적으로, 프로세싱 시스템(100)에 탑재될 수 있다. 더 많은 상이한 프로세스들이, 예컨대, 위에서 설명된 바와 같은 상이한 프로세스 컴포넌트들 사이에 분리 벽들을 제공함으로써 용이하게 될 수 있는, 프로세싱 시스템의 프로세스 챔버(들)에서의 프로세스 컴포넌트들을 변화시킴으로써, 또는 제 2 프로세스 챔버를 부가함으로써, 프로세싱 시스템 내에서 조합될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 프로세싱 시스템은 프로세싱 시스템을 배열하는 것에 대해 높은 유연성을 허용한다. 또한, 위에서 설명된 바와 같은 제 1 부분의 교환은 프로세싱 시스템의 높은 모듈성을 제공하기 위해 사용될 수 있다.
[0092] 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 초과의 증착 시스템이 모듈식 아키텍처에서 하나의 기판을 프로세싱하도록 배열될 수 있다. 예컨대, 도 5에서, 제 2 프로세스 롤(242)을 통과한 후에, 기판은, 통로 또는 터널에 의해, 추가적인 프로세스 챔버들을 갖는 추가적인 증착 시스템으로 가이딩될 수 있다.
[0093] 도 5는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증착 시스템(100)의 단면도를 도시한다. 일 실시예에서, 도 5에서 도시된 증착 시스템은 도 4에서 도시된 증착 시스템의 더 상세한 단면도이다. 도 5에서 도시된 실시예에서, 프로세싱될 기판(160)이 언-와인딩 또는 제 2 챔버(120)에서 언와인딩된다. 도시된 실시예에서, 가이딩 롤들(166)을 통해, 기판(160)은 증착 시스템(100)의 제 1 프로세스 챔버(140)로 가이딩된다. 제 1 프로세스 챔버(140)에서 기판(160)을 프로세싱하기 위해, 기판은 프로세싱 롤 또는 드럼(142)에 의해 가이딩될 수 있다. 프로세싱 드럼(142)은 회전가능할 수 있다. 제 1 프로세스 챔버(140)는, 기판이 프로세싱 드럼(142)에 의해 가이딩되면서, 가이딩되어 지나는 프로세스 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 예컨대, 프로세스 컴포넌트들은 증착 소스들(141)과 같은 위에서 설명된 바와 같은 프로세스 컴포넌트들일 수 있다. 도 5에서 도시된 실시예에서, 제 1 프로세스 챔버(140)에서 하나의 증착 소스(141)만이 도시되는 한편, 제 1 프로세스 챔버(140)의 다른 증착 소스들은 파선들로 도시된다.
[0094] 도 3에서 도시된 실시예에 대하여 설명된 바와 같이, 제 1 프로세스 챔버(140)에 배열되어 있는 증착 소스들 또는 증착 소스(141)는 프로세싱 드럼(142)의 중심 축(143)의 높이에 또는 그 아래에 배열될 수 있다. 기판에 대해 그렇게 배열된 소스들로부터의 증착은, 기판 위로부터 실시되지 않고, 기판 아래로부터 실시된다. 프로세싱 드럼의 중심 축의 높이에 또는 그 아래에 증착 소스들을 배열함으로써, 증착된 층들에서의 또는 기판 상에서의 입자 오염의 리스크가 감소된다. 제 1 프로세스 드럼(140)은, 증착 소스들의 각각의 배열을 용이하게 하도록 수직 방향에 대하여 (도 4에서 예시적으로 볼 수 있는 바와 같이) 경사진 플랜지(145)를 따라 어셈블링되는 2개 또는 그 초과의 부분들로 파티셔닝될 수 있다.
[0095] 기판을 프로세싱한 후에, 기판(160)은, 언-와인딩 챔버(120), 유지보수 구역(130), 및 와인딩 챔버(110) 위에 배열될 수 있는 통로(150)를 통해 가이딩된다. 몇몇 실시예들에서, 통로(150)는 상단 덮개의 부분일 수 있거나, 또는 제 1 및 제 2 챔버들 및 유지보수 구역 아래에서 터널로서 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 터널은, 증착 시스템(100)의 제 2 프로세스 챔버(180)로부터 제 1 프로세스 챔버(140)에서의 압력 조건들을 분리시키는 것이 가능할 수 있는 하나 또는 그 초과의 슬루스들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 슬루스들은, 언-와인딩 챔버와 제 1 프로세스 챔버 사이의, 제 1 프로세스 챔버와 통로 사이의, 통로와 제 2 프로세스 챔버 사이의, 그리고 제 2 프로세스 챔버와 와인딩 챔버 사이의 통로와 같은, 프로세스 시스템(100)에서의 하나의 챔버로부터 다른 챔버로의 각각의 통로에 제공된다.
[0096] 하나 또는 그 초과의 갭 슬루스들은 위에서 상세히 설명된 바와 같이 구성될 수 있고, 위에서 설명된 바와 같은 프로세스 시스템 내에서 사용될 수 있다.
[0097] 몇몇 실시예들에서, 제 1 프로세스 챔버와 제 2 프로세스 챔버 사이에 슬루스들이 제공되지 않고, 그에 따라, 이들은 공통 압력 조건을 공유한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 동일한 진공 조건들을 갖고, 따라서, 서로 대기적으로(atmospherically) 분리되지 않은 2개의 프로세스 챔버들이 또한, 하나의 프로세스 챔버로서 표시될 수 있다.
[0098] 통로(150)를 통과한 이후에, 기판(160)은 (예를 들어, 가이딩 롤러(들)(166)에 의해) 제 2 프로세스 챔버(240)로 가이딩된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 제 2 프로세스 챔버(240)는 제 1 프로세스 챔버(140), 또는 위에서 도 1 내지 3에 대하여 설명된 프로세스 챔버로서 설계될 수 있다. 예컨대, 제 2 프로세스 챔버는 증착 소스들과 같은 하나 또는 그 초과의 프로세스 컴포넌트들(241) 및 프로세스 드럼(242)을 포함할 수 있다. 일 예에서, 제 2 챔버(240)의 증착 소스들(241)은 프로세싱 드럼(242)의 중심 라인 또는 회전 축(243)의 높이에 또는 그 아래에 배열될 수 있다. 기판은 프로세싱 드럼(242)에 의해 프로세스 컴포넌트들(241)을 지나도록 가이딩될 수 있다. 제 2 프로세스 챔버(240) 내의 프로세스 컴포넌트들(241)이 증착 소스들인 경우에, 증착된 재료의 하나 또는 그 초과의 부가적인 층(들)이 기판(160) 상에 코팅될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 제 2 프로세스 챔버는 기판 상에 제1 프로세스 챔버에서 증착된 층에 대한 부가적 또는 보충적 컴포넌트를 제공한다.
[0099] 프로세싱 시스템은 다양한 프로세스들 및 증발 또는 스퍼터링과 같은 PVD 프로세스들, 또는 PECVD 프로세스와 같은 CVD 프로세스들에 대한 공통 플랫폼을 형성하며, 이는 기판이 프로세싱 시스템을 통해 이동되는 동안 결합될 수 있다. 특히, 상이한 PECVD 프로세스들이 결합될 수 있고, 예를 들어, TFT 또는 가요성 TFT 제조를 위해, 더욱 구체적으로는 극도로 높은 배리어들에 대해 이용될 수 있다.
[0100] 제 2 프로세스 챔버(240)에서 프로세싱되는 동안, 기판(160)은 프로세싱 동안에 프로세스 드럼(242)에 의하여 가이딩될 수 있다. 제 2 프로세스 챔버(240)에서 기판(160)을 프로세싱한 후, 기판은 제 1, 또는 와인딩 챔버(110)로 가이딩될 수 있고, 프로세싱된 기판은 프로세싱된 기판을 저장하기 위하여 테이크-업 롤(115) 상에 와인딩된다. 위에서 상세히 설명된 바와 같이, 제 1 챔버(110) 및/또는 제 2 챔버(120)는 제 1 및/또는 제 2 챔버의 유지보수를 위해 유지보수 구역(130)을 통해 액세스될 수 있다.
[0101] 몇몇 실시예들에 따르면, 2개의 프로세스 챔버들을 갖는 증착 시스템의 래핑 각도는 540° 미만일 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 2개의 프로세스 챔버들을 갖는 증착 시스템의 롤들(가이딩 롤러들을 포함하나, 공급 롤 및 테이크-업 롤을 포함하지 않음)은 프로세싱된 기판 표면이 롤러들에 의해 접촉되지 않도록 배열될 수 있다.
[00102] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에 설명된 바와 같은 증착 시스템은 모듈러 설계를 가질 수 있다. 예컨대, 도 1 내지 3의 증착 시스템은 제 2 프로세스 챔버가 예를 들어 제 1 챔버에 인접하게 연결될 수 있도록 적응될 수 있다. 예컨대, 증착 시스템(200)은 추가 챔버들을 증착 시스템(200)에 연결함으로써 증착 시스템을 확장시키는 것을 허용하는 플랜지들 또는 연결 베이스들을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 챔버(110), 또는 리-와인딩 챔버는 제 1 챔버 또는 와인딩 챔버에 인접하게 제 2 프로세스 챔버를 탑재하기 위하여 연결부들 등을 포함할 수 있다. 그러한 방식으로, 도 1 내지 3에 도시된 프로세싱 시스템(100)은 도 4 및 5에 도시된 증착 시스템(200)으로 쉽게 변형될 수 있다. 증착 시스템의 동작 범위를 연장시키기 위해 추가 챔버들이 제공될 수 있다. 다른 한편으로, 모듈러 시스템은 (프로세싱 시스템(100)과 같은) 베이스 형상에 있어서 감소된 사이즈를 갖는 것을 허용하며, 이는 사용자의 니즈 및 요건들, 예를 들어, 공장의 공간 요건들에 적합하다.
[00103] 본원에 설명된 바와 같은 증착 시스템은 따라서 높은 가요성을 위한 옵션 “단일 드럼 (SD)”(도 1 내지 3에 설명된 실시예들) 및 “더블 드럼 (DD)”(도 4 내지 5에 설명된 실시예들)을 갖는 모듈러 메인프레임 설계를 제공받을 수 있다. 모듈러 설계는 또한 소스들의 개수에 있어서의 융통성을 또한 제공한다. 예컨대, 복수의 상향식 증착 소스들이 제공되어, 오염 리스크를 감소시킬 수 있다. 증착 소스들 및 심지어 프로세스 챔버들은 애플리케이션 타입 및 층 스택과 같은 프로세스 파라미터들에 따라 사용 또는 제공될 수 있다.
[00104] 현재의 시스템들에 대한 SD 설계로부터 DD 설계까지의 업그레이드 확률 또는 업그레이드 설정은 본원에 설명된 실시예들에 따른 프로세싱 시스템을 사용할 때 제공될 수 있다. 예컨대, 업그레이드 설정은 위에서 설명된 바와 같은 챔버들의 배열을 허용하여 설치될 수 있다. 예컨대, 어셈블리 오퍼레이터는 제 2 프로세스 챔버를 현재의 시스템에 탑재하기 위한 각각의 연결부들 및 컴포넌트들을 제공함으로써, 현재의 시스템들을 DD 설계에 적응시킬 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, (특히, 모듈들이 상단측 덮개로 어셈블리되는 경우) 제 1 프로세스 챔버에 대한 제 2 프로세스 챔버 얼라인먼트(alignment)가 가능하다.
[00105] 몇몇 실시예들에서, 증착 시스템의 설계는 각각의 애플리케이션에 따라 제 2 프로세스 챔버를 스위치 온 및 스위치 오프시키도록 적응될 수 있다. 예컨대, 제 1 프로세스 챔버를 통과한 기판은 제 2 프로세스 챔버로 가이딩되거나, 또는 선택적으로, 원하는 프로세스에 따라, 와인딩 챔버로 가이딩될 수 있다. 일 예에서, 제어 유닛은 기판을 원하는 챔버로 지향시키기 위해 각각의 가이딩 롤러들을 활성화시킬 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 기판의 대안적인 진로(way), 예컨대, 제 1 프로세스 직후에 기판이 리-와인딩 챔버로 가이딩될 때의 제 2 프로세스 챔버로의 진로는 폐쇄될 수 있다.
[00106] 따라서, 다양한 증착 소스들에 대한 공간 및 가요성을 갖는 본원에 설명된 시스템들은, 단일의 증착 장치, 예를 들어 R2R 코터(coater) 내의 수 개의 CVD, PECVD 및/또는 PVD 프로세스들의 모듈러 결합을 허용한다. 모듈러 개념(매우 우수한 가스 분리를 요구하는 것들을 포함하는 증착 소스들의 모든 종류들이 본원에 설명된 실시예들에 따른 증착 시스템에서 사용될 수 있음)은 상이한 증착 기술들 또는 프로세스 파라미터들의 복잡한 결합들을 적용하여 증착되어야 하는 복합 층 스택들의 증착을 위한 비용이 낮추도록 돕는다.
[00107] 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템은 증착 시스템의 파라미터들을 제어하기 위한 제어 유닛을 포함할 수 있다. 제어 유닛은 프로세싱 시스템의 챔버들 외부에 제공되는 제어 인터페이스 또는 제어기일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제어 유닛은 프로세싱 시스템의 단일의 챔버들 내의 센서들에 연결되지만, 증착 소스들, 공급 롤, 테이크-업 롤 등에 또한 연결될 수 있다. 제어 유닛은 프로세싱 시스템에서 원하는 측정치들을 계산가능할 수 있다. 예컨대, 제어 유닛은 예를 들어, 유지보수 구역을 통해, 공급 롤 또는 테이크-업 롤의 변화가 수행될 때를 표시할 수 있다. 제어 유닛은 또한 증착 시스템의 컴포넌트의 고장의 경우에 경보를 생성가능할 수 있다.
[00108] 도 6은 진공 프로세싱 시스템(300)의 실시예를 도시한다. 진공 프로세싱 시스템(300)은 공급 롤 및 테이크-업 롤 중 하나를 하우징하도록 각각 적응된 제 1 챔버(310) 및 제 2 챔버(320)를 포함한다. 일 실시예에서, 제 1 챔버(310)는 프로세싱된 기판을 수용하고 저장하기 위한 테이크-업 롤(315)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 제 2 챔버(320)는 프로세싱될 기판을 전달하고 공급하기 위한 공급 롤(365)을 포함할 수 있다. 제 1 챔버(310)와 제 2 챔버(320) 사이에 유지보수 구역(330)이 제공된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 유지보수 구역은, 특히 제 1 및/또는 제 2 챔버에 대한 유지보수 액세스를 제공하는, 위에서 상세히 설명된 바와 같은 유지보수 구역일 수 있다.
[00109] 제 1 프로세스 챔버(340)는 도 6에 도시된 실시예에서 제 2 챔버(320)에 인접하게 제공된다. 프로세스 챔버(340)는 위에서 설명된 바와 같은 프로세스 장비를 포함할 수 있으며, - 예컨대 - 진공 증착 프로세스에 대해 적응될 수 있다. 제 2 프로세스 챔버(350)는 도 6에 도시된 실시예에서 제 1 챔버(310)에 인접하게 도시된다. 도 6에 도시된 실시예에서 보여지는 바와 같이, 예컨대 위에서 상세히 설명된 바와 같이, 제 1 프로세스 챔버(340)는 2개의 챔버 부분들(346 및 347)로부터 프로세스 챔버(340)를 어셈블링하는 것을 허용할 수 있는 경사진 플랜지(345)를 포함한다. 또한, 제 2 프로세스 챔버(350)는 2개의 챔버 부분들로부터 제 2 프로세스 챔버(350)를 형성하는 것을 허용하는 경사진 플랜지(355)를 포함할 수 있다. 프로세스 챔버(들)의 제 1 및 제 2 부분(들)은 예컨대 도 1에 대하여 설명된 바와 같은 프로세스 챔버의 제 1 및 제 2 부분일 수 있다.
[00110] 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱될 기판은 예를 들어, 위에서 설명된 바와 같은 하나 또는 그 초과의 갭 슬루스들을 사용함으로써 제 2 챔버(320)로 제 1 프로세스 챔버(340)로 가이딩될 수 있다. 기판은 그 후 제 1 프로세스 챔버(340)에서 프로세싱되고, 제 1 프로세싱 드럼(342)을 지나도록 가이딩된다. 예컨대, 제 1 프로세스 챔버를 통과하면서, 하나 또는 그 초과의 층들이 기판 상에 증착될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 그리고 위에서 상세히 언급되는 바와 같이, 제 1 프로세스 챔버는 기판의 전-처리 또는 후-처리를 위한 장비를 또한 포함할 수 있다.
[00111] 몇몇 실시예들에서, 기판은 추가로 제 2 프로세스 챔버(350)로 운반될 수 있다. 본원에 설명된 몇몇 실시예들에 따라, 제 1 프로세스 챔버(340) 및 제 2 프로세스 챔버(350)는 예를 들어, 슬루스, 록(lock), 로드 록 밸브, 등에 의해 서로 분리되어, 하나의 프로세스 챔버로부터 다른 프로세스 챔버까지 기판이 통과해 지나가도록 허용한다. 도 6에서, 제 1 프로세스 챔버(340) 및 제 2 프로세스 챔버(350) 사이에 갭 슬루스(360)가 보여질 수 있다.
[00112] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에 설명된 바와 같은 진공 프로세싱 시스템의 프로세스 챔버(들)은 프로세스 챔버로부터, 와인딩 챔버, 또는 추가 프로세스 챔버와 같은 인접한 챔버로의 기판에 대한 통로를 제공하도록 형성될 수 있다. 도 6의 예에서 볼 수 있는 바와 같이, 프로세스 챔버들(340 및 350)은 특히, 제 1 및 제 2 챔버가 실질적으로 직사각형 형상을 가질 수 있으면서, 진공 프로세싱 시스템의 기판에 대한 통로를 제공하기 위한 아암형(arm-like) 연장부(348, 358)를 제공한다. 본원에 설명된 몇몇 실시예들에 따르면, 이에 따라 프로세스 챔버(들) 및 그 연장부(들)에 의해 통로가 제공된다. 다른 실시예들에서, 단 하나의 프로세스 챔버에만 통로에 대한 연장부가 구비될 수 있다. 본원에 설명된 몇몇 실시예들에 따르면, 이에 따라 제 1 (진공) 챔버 및 제 2 (진공) 챔버 위에서 통로가 제공된다.
[00113] 도 6의 실시예로, 프로세싱 시스템의 모듈러리티(modularity)의 이점이 여전히 실현될 수 있으면서, 동시에 위에서 설명된 실시예들에서와 같이 손쉬운 유지보수 액세스가 제공된다. 추가로, 본원에 설명된 실시예들에 따른 프로세싱 시스템은 사용된 기판 폭에 관하여 큰 융통성을 제공한다.
[00114] 도 7은 진공 프로세싱 시스템(400)의 추가 실시예를 도시한다. 진공 프로세싱 시스템(400)은 공급 롤 및 테이크-업 롤 중 하나를 하우징하도록 각각 적응되는 제 1 챔버(410) 및 제 2 챔버(420)를 포함한다. 일 실시예에서, 제 1 챔버(410)는 프로세싱된 기판을 수용하고 저장하기 위한 테이크-업 롤(415)을 포함하며, 제 2 챔버(420)는 기판을 공급하기 위한 공급 롤(425)을 포함한다. 도 7에 도시된 실시예에서, 진공 프로세싱 시스템은 제 1 프로세스 챔버(440) 및 제 2 프로세스 챔버(450)를 더 포함한다. 유지보수 구역(430), 예를 들어 상기 실시예에서 설명된 바와 같은 유지보수 구역이 제 1 챔버(410)와 제 2 챔버(420) 사이에 제공된다.
[00115] 프로세싱될 기판은 제 2 챔버(420)로부터 제 1 프로세스 챔버(440)로 가이딩될 수 있다. 예컨대 증착 프로세스일 수 있는 프로세스가 프로세스 챔버에서 수행된 이후, 기판은 진공 프로세싱 시스템에서 추가로 가이딩될 수 있다. 예컨대, 기판은 와인딩 챔버(예컨대, 와인딩 챔버(410))로 또는 제 2 프로세스 챔버(450)로 가이딩될 수 있다. 도 7에 도시된 실시예에서, 제 1 프로세스 챔버(440)에서 프로세싱된 기판은 통로로 가이딩될 수 있고, 통로는 제 2 챔버(420) 및 제 1 챔버(410)의 2개의 아암형 연장부들(421 및 411)에 의하여 형성된다. 기판은 따라서 제 1 프로세스 챔버(440)로부터 다시 제 2 챔버(420), 특히 진공 프로세싱 시스템의 통로를 부분적으로 형성하는 제 2 챔버의 부분으로 가이딩될 수 있다. 상기 실시예들에서 설명되는 바와 같이 설계될 수 있는 슬루스 또는 로드 록 밸브(460)를 통해, 기판은 또한 진공 프로세싱 시스템의 통로를 부분적으로 형성하는, 제 1 챔버(410)의 아암형 연장부(411)로 또한 운반될 수 있다. 따라서, 몇몇 실시예들에서 진공 프로세싱 시스템 내의 기판의 운반을 위한 통로가 제 1 챔버 및 제 2 챔버의 2개의 연장부들로부터 탑재될 수 있다. 제 1 챔버 및 제 2 챔버가 함께 기판을 위한 통로를 형성하나, 제 1 챔버 및 제 2 챔버는 서로의, 그리고 특히 기판의 오염을 방지하기 위해 분리된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 제 1 및 제 2 챔버 중 단 하나만이 아암형 연장부를 제공함으로써 프로세싱 시스템의 통로를 제공할 수 있다.
[00116] 몇몇 실시예들에 따르면, 제 1 챔버 및 제 2 챔버는 도 7에 도시된 실시예에서 실질적으로 L자형, 특히 L자형을 갖는 것으로 설명될 수 있으며, 이는 아암형 연장부들(411 및 421)에서 함께 맞춰진다. 본원에 설명된 몇몇 실시예들에 따라서, 통로는 이에 따라 와인딩 및 언-와인딩 챔버들(즉, 제 1 및 제 2 챔버들)에 의하여 제공된다. 또한 도 7의 실시예는 모듈러 진공 프로세싱 시스템을 제공하며, 이는 사용된 기판 폭에 관하여 우수한 융통성 및 유지보수 구역에 의한 제 1 및 제 2 챔버의 손쉬운 액세스의 이점을 제공한다. 하나 또는 그 초과의 프로세스 챔버(들) 또는 와인딩 및 언-와인딩 챔버과 같은, 프로세싱 시스템(400)의 단일 부분들은 복잡한 방식으로 전체 프로세싱 시스템을 재배열할 필요 없이, 원하는 프로세스에 따라 진공 프로세싱 시스템에 대해 제거 또는 부가될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 진공 챔버들을 갖는 가요성 기판에 대한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 프로세싱 시스템은 하나 또는 그 초과의 진공 챔버들 내에 가요성 기판을 제공하기 위해 공급 롤에 대한 공급 롤 지지부; 및 하나 또는 그 초과의 진공 챔버들 내에 가요성 기판을 저장하기 위해 테이크-업 롤에 대한 테이크-업 롤 지지부를 포함한다. 추가로, 진공 프로세싱 시스템은 공급 롤 지지부와 테이크-업 롤 지지부 사이에 유지보수 구역을 포함한다. 진공 프로세싱 시스템은 기판을 프로세싱하기 위한, 특히 가요성 기판 상에 재료를 증착하기 위한 제 1 프로세스 챔버를 더 포함한다. 공급 롤 지지부 및 테이크-업 롤 지지부 중 하나가 유지보수 구역과 제 1 프로세스 챔버 사이에 제공된다. 유지보수 구역은 공급 롤 지지부 및 테이크-업 롤 지지부 중 적어도 하나에 대한 유지보수 액세스를 허용한다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 시스템은 프로세싱 시스템의 동작을 위해 이웃 진공 챔버들이 진공배기될 때조차 대기압 하에서 유지되는 유지보수 구역을 제공하도록 구성된다.
[00117] 몇몇 실시예들에 따르면, 유지보수 구역은 위에서 설명된 바와 같은 유지보수 구역일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 공급 롤 지지부와 테이크-업 롤 지지부 사이에 있는 유지보수 구역은, 유지보수 구역이 공급 롤 지지부와 테이크-업 롤 지지부 사이의 공간에 있는 것으로서 이해될 수 있다. 공급 롤 지지부와 테이크-업 롤 지지부 사이의 공간은 공급 롤 지지부와 테이크-업 롤 지지부 사이의 공간 사이의 체적, 특히 공급 롤 지지부 및 테이크-업 롤 지지부의 폭에 실질적으로 대응하는 깊이(예컨대, 약 0.7 m 내지 약 4 m의 깊이), 전형적으로 약 1 m 내지 약 3m 또는 4 m의 길이, 및 1.7 m 초과의 높이를 갖는 체적으로서 정의될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 공급 롤 지지부와 테이크-업 롤 지지부 사이에 있는 유지보수 구역은, 유지보수 구역이 예컨대 도 3에서 길이 방향(131)으로 보여지는 바와 같이 프로세싱 시스템의 길이 방향을 따라 이어지는 라인과 같은, 공급 롤 지지부로부터 테이크-업 롤 지지부로 이어지는 가상 라인을 따라서 배열될 수 있는 것으로 이해될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 유지보수 구역의 중심점은 공급 롤 지지부의 기하형상적 중심점으로부터 테이크-업 롤 지지부의 기하형상적 중심점까지 이어지는 라인에 배열될 수 있다. 특히, 롤을 지지하기 위한 2개 디바이스들과 같은 둘 이상의 부분을 포함하는 롤 지지부는, 롤 지지부의 상이한 부분들 사이에 중심점을 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 시스템의 하나 또는 그 초과의 진공 챔버들은 특히, 공급 롤 지지부(또는 테이크-업 롤 지지부)를 제공하기 위한 제 1 챔버 및 테이크-업 롤 지지부(또는, 제 1 챔버의 배열에 따라, 공급 롤 지지부)를 제공하기 위한 제 2 챔버를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 진공 챔버들은 공급 롤 및 테이크-업 롤에 대한 지지부들 뿐만 아니라, 공급 롤 및 테이크-업 롤 자체도 포함한다. 또한, 공급 롤 지지부 및 테이크-업 롤 지지부에 대한 유지보수 액세스는 공급 롤 및 테이크-업 롤의 유지보수 액세스를 포함할 수 있다.
[00118] 본원에 설명된 실시예들에 따른 롤 지지부들 사이에 유지보수 구역을 갖는 프로세싱 시스템은 본원에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있거나, 또는 다른 실시예들에 대하여 위에서 설명된 피쳐들과 함께 제공될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 예컨대, 롤 지지부들 사이에 유지보수 구역을 갖는 프로세싱 시스템의 챔버들은 위에서 설명된 바와 같은 진공 조건들 하에서 동작하도록 적응될 수 있고, 위에서 설명된 바와 같은 그러한 프로세스들에 대하여 요구되는 장비를 포함하는 프로세스 챔버가 상이한 프로세스들에 대해 구비될 수 있고, 제 2 프로세스 챔버가 프로세싱 시스템에 제공될 수 있고, 유지보수 구역은 위에서 참조된 것과 같이 소정 사이즈를 가질 수 있고, 나머지도 이와 유사한 방식으로 구성된다.
[00119] 몇몇 실시예들에 따르면,가요성 기판을 프로세싱하기 위하여 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 프로세싱 시스템은 가요성 기판을 제공하기 위한 공급 롤을 지지하기 위한 공급 롤 지지부 및 가요성 기판을 저장하기 위한 테이크-업 롤을 지지하기 위한 테이크-업 롤 지지부 중 하나를 하우징하도록 적응된 제 1 챔버를 포함한다. 일 실시예에서, 제 1 챔버는 롤 지지부에 배열되는 공급 롤 또는 테이크-업 롤을 포함한다. 프로세싱 시스템은 가요성 기판을 제공하기 위한 공급 롤을 지지하기 위한 공급 롤 지지부 및 가요성 기판을 저장하기 위한 테이크-업 롤을 지지하기 위한 테이크-업 롤 지지부 중 하나를 하우징하도록 적응된 제 2 챔버를 더 포함한다. 일 실시예에서, 제 2 챔버는 각각의 롤 지지부에 배열되는 공급 롤 또는 테이크-업 롤을 포함한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 공급 롤 및 테이크-업 롤은 각각 방사상 방향 및 길이 방향을 포함한다. 프로세싱 시스템은 유지보수 구역을 더 포함하며, 이 유지보수 구역은 서로를 향해 방사상의 방향으로, 특히 유지보수 구역 내로, 각각 제1 및 제2 챔버로부터, 공급 롤 지지부로부터 공급롤을 그리고 테이크-업 롤 지지부로부터 테이크-업 롤을 제거하는 것을 허용한다. 프로세싱 시스템은 예를 들어, 가요성 기판 상에 재료를 증착함으로써, 기판을 프로세싱하기 위한 제 1 프로세스 챔버를 더 포함한다. 특히, 프로세스 챔버는 제 1 챔버 및 제 2 챔버 중 하나에 인접하게 배열될 수 있다. 추가로, 몇몇 실시예들에 따르면, 제 2 챔버는 유지보수 구역과 제 1 프로세스 챔버 사이에 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 유지보수 구역은 예를 들어, 각각 서로를 향해 방사상의 방향으로, 제 1 챔버 및 제 2 챔버로부터 공급 롤 및 테이크-업 롤을 제거함으로써, 제 1 챔버 및 제 2 챔버 중 적어도 하나의 또는 상기 적어도 하나에 대한 유지보수 액세스를 허용할 수 있다.
[00120] 다시 도 1을 참고하여, 화살표들(112 및 113)은 공급 롤(121) 및 테이크-업 롤(111)이 각각 배열된 유지보수 구역(130)의 도움으로 서로를 향해 제거될 수 있는 방사상의 방향을 표시한다. 도 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 화살표들(112 및 113)은 공급 롤(121) 및 테이크-업 롤(111)의 방사상의 방향으로 지향된다. 더 나은 이해를 위해, 바로 도 3을 참고하여, 여기서 공급 롤(165) 및 테이크-업 롤(115)의 길이 방향은 프로세싱 시스템의 깊이(133)의 방향으로 이어지는 반면, 방사상의 방향은 실질적으로 프로세싱 시스템의 길이(131)의 방향으로 이어져, 공급 롤 및 테이크-업 롤이 실질적으로 원통형 형상을 갖는다는 것을 유념하라. 특히, 제 1 및 제 2 챔버로부터 서로를 향해 제거되도록 이동되는 공급 롤 및 테이크-업 롤의 방사상의 방향은 프로세싱 시스템이 서있는 바닥에, 또는 각각 제 1 및 제 2 챔버의 챔버 바닥부에 실질적으로 평행하게 이어질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 공급 롤 및/또는 테이크-업 롤은 공급 롤 또는 테이크-업 롤의 와인딩 샤프트의 방사상의 방향으로 공급 롤 및/또는 테이크-업 롤을 이동시킴으로써, 각각 제 1 챔버 및 제 2 챔버로부터 제거될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 테이크-업 롤 및 공급 롤은 서로를 향해 방사상의 방향으로 유지보수 구역 내로 각각 제 1 및 제 2 챔버로부터 이동될 수 있으며, 특히 공급 롤 및 테이크-업 롤 양자 모두는 프로세싱 시스템의 동일한 유지보수 구역 내로 이동될 수 있다.
[00121] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 사용되는 바와 같은 용어 "서로를 향해"는 공급 롤 및 테이크-업 롤이 각각 제 1 챔버 및 제 2 챔버로부터 제거될 때 서로에 대한 방향으로 이동되는 것을 의미할 수 있다. 공급 롤 및 테이크-업 롤은 서로를 향해 이동되는 것으로 설명되나, 이것은 반드시 공급 롤 및 테이크-업 롤이 동시에 제거되는 것을 의미하는 것은 아님이 이해되어야 한다. 그보다는, 공급 롤은 제 1 챔버로부터의 테이크-업 롤의 제거와 독립적으로 제 2 챔버로부터 제거될 수 있고, 그 반대도 또한 가능하다. 특히, 공급 롤은 몇몇 실시예들에서 도 1에 도시된 바와 같은 벽(114)과 같은 제 1 챔버의 벽을 향해 제 2 챔버로부터 제거가능한 것으로 또한 설명될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 테이크-업 롤은 벽(122)과 같은 제 2 챔버의 벽을 향해 제 1 챔버로부터 제거될 수 있다. 특히, 벽들(114 및 122)은 프로세싱 시스템이 서 있는 바닥 또는 프로세싱 시스템의 바닥부에 실질적으로 직각일 수 있다.
[00122] 서로를 향해 공급 롤 및 테이크-업 롤을 제거하도록 적응되는 위에서 설명된 프로세싱 시스템의 엘리먼트들은 본원에 설명된 다양한 실시예들에서 설명되는 엘리먼트들과 같이 설계되고 적응될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예컨대, 프로세스 챔버는 위에서 상세히 설명된 바와 같은 프로세스 챔버일 수 있고, 프로세싱 시스템은 제 2 프로세스 챔버를 제공할 수 있고, 챔버들은 위에서 설명된 바와 같은 진공 조건들에서 동작하도록 적응될 수 있고, 유지보수 구역은 위에서 상세히 논의된 것과 같은 크기를 가지 수 있으며, 나머지도 유사하게 구성될 수 있다. 그들이 서로 배제하지 않는 한, 프로세싱 시스템의 챔버들의 피쳐들은 따라서 본원에 설명된 프로세싱 시스템의 다른 피쳐들과 결합될 수 있다.
[00123] 본원에 설명된 몇몇 실시예들에 따라, 본원에 설명된 바와 같은 프로세싱 시스템은 실질적으로 수직으로 분리된 제 1 및 제 2 챔버들을 가질 수 있다. 예컨대, 도 7은 제 1 챔버 및 제 2 챔버를 슬루스(460)에 의하여 실질적으로 수직으로 분리되는 것으로 도시한다. 그러나 또 다른 실시예들은 예를 들어, 유지보수 구역에 의해 실질적으로 수직으로 분리되는 제 1 챔버 및 제 2 챔버를 제공하는 것으로 설명될 수 있다.
[00124] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 각각 공급 롤 및 테이크-업 롤 중 하나를 하우징하도록 적응된 제 1 L-형상 챔버(410) 및 제 2 L-형상 챔버(420)(도 7 참조)가 또한, 하나의 U-형상 챔버로서 제공될 수 있다. 유지보수 구역(430), 예컨대, 위의 실시예들에서 설명된 바와 같은 유지보수 구역이 U-형상 챔버의 각각의 부분들 사이에 제공된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 진공 챔버들을 갖는 가요성 기판을 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 프로세싱 시스템은, 하나 또는 그 초과의 진공 챔버들에서 가요성 기판을 제공하기 위한 공급 롤을 위한 공급 롤 지지부; 및 하나 또는 그 초과의 진공 챔버들에서 가요성 기판을 저장하기 위한 테이크-업 롤을 위한 테이크-업 롤 지지부를 포함한다. 추가로, 진공 프로세싱 시스템은, 공급 롤 지지부와 테이크-업 롤 지지부 사이에 유지보수 구역을 포함한다. 진공 프로세싱 시스템은, 기판을 프로세싱하기 위한, 특히, 가요성 기판 상에 재료를 증착하기 위한 제 1 프로세스 챔버를 더 포함한다. 공급 롤 지지부와 테이크-업 롤 지지부 중 하나가 유지보수 구역과 제 1 프로세스 챔버 사이에 제공된다. 유지보수 구역은 공급 롤 지지부와 테이크-업 롤 지지부 중 적어도 하나에 대한 유지보수 액세스를 허용한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 시스템은, 심지어, 이웃하는 진공 챔버들이 프로세싱 시스템의 동작 동안 진공배기되는 경우에도, 대기압 하에서 유지되는 유지보수 구역을 제공하도록 구성된다. 또한 추가의 부가적인 또는 대안적인 구현들에 따르면, 유지보수 구역은, 각각의 제 1 방사상 측 및 각각의 제 2 방사상 측으로부터, 예컨대 공급 롤을 갖는 진공 챔버와 같은 제 1 챔버(320)에 대응하는 U-형상 챔버의 제 1 부분에 액세스하는 것, 및 예컨대 테이크-업 롤을 갖는 진공 챔버와 같은 제 2 챔버(310)에 대응하는 U-형상 챔버의 제 2 부분에 액세스하는 것을 허용할 수 있으며, 여기에서, 제 1 방사상 측 및 제 2 방사상 측은 서로를 향한다. 예컨대, 공급 롤이 방사상으로 테이크-업 스풀을 향하여 제거될 수 있고, 반대의 경우도 마찬가지다.
[00125] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 프로세싱 시스템은, 다양한 코팅 폭들에 대해 스케일링 가능할 수 있다. 예컨대, 챔버들은 수개의 기판 폭들에 대한 사이즈로 적응될 수 있다. 일 예에서, 프로세싱 시스템은, 전형적으로는 1 m 초과, 더 전형적으로는 1.5 m 초과, 그리고 한층 더 전형적으로는 2 m 초과의 기판 폭에 대해 적응된다. 일 실시예에서, 본원에서 설명되는 바와 같은 증착 시스템은, 전형적으로는 약 1 m 내지 약 3 m, 더 전형적으로는 약 1.2 m 내지 약 2.5 m, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 1.4 m 내지 약 2.4 m의 기판 폭(도 3 및 도 5에서 투영 평면에서의 연장임)에 대해 적응될 수 있다.
[00126] 또한, 테이크-업 롤들 또는 공급부를 위한 연결들과 같은 챔버들에 존재하는 컴포넌트들은 상이한 기판 폭들에 대해 적응될 수 있다. 위의 설명으로부터 알 수 있는 바와 같이, 기판 액세스는, 유지보수 구역으로부터의 언- 및 리-와인딩 사이의 우수한 접근성으로 인해, 기판 폭과 독립적이다. 또한, 와인딩 시스템들(예컨대, 공급 및 테이크-업 롤들에 대한 연결들)이 증착 시스템의 각각의 챔버들에서 고정적으로 설치되기 때문에, 높은 정확도가 획득될 수 있다. 유지보수 구역으로부터의 와인딩 및 언-와인딩 챔버에 대한 액세스를 이용하여, 와인딩 시스템이, 기판을 교환하기 위해, 챔버에서 제거되고 재-위치될 필요가 없다. 오히려, 교환 프로세스 동안에 챔버에서 유지되는 와인딩 시스템들로부터 기판만이 제거된다.
[00127] 도 8은 진공 프로세싱 시스템을 탑재하기 위한 방법(600)의 흐름도를 도시한다. 방법은, 블록(610)에서, 도 1 내지 도 3에서 설명된 바와 같은 프로세싱 시스템을 제공하는 단계를 포함한다. 블록(620)에서, 방법(600)은 프로세싱 시스템에 제 2 프로세스 챔버를 탑재하는 단계를 포함한다. 위의 설명에서 볼 수 있는 바와 같이, 제 2 프로세스 챔버는, 제 1 챔버 또는 와인딩 챔버가 유지보수 구역과 제 2 프로세스 챔버 사이에 배열되도록 탑재될 수 있다. 제 2 프로세스 챔버는 또한, 제 1 챔버에 가까이 탑재되는 것으로서 설명될 수 있다.
[00128] 몇몇 실시예들에 따르면, 제 2 프로세스 챔버는 프로세싱 시스템에 탑재될 수 있고, 슬루스들은 제 2 프로세스 챔버와 제 1 또는 와인딩 챔버 사이에 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템을 탑재하기 위한 방법은, 제 1 프로세스 챔버와 제 2 프로세스 챔버를 통로에 의해 연결시키는 단계를 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 통로는, 유지보수 구역 위에서 연장되는 상단측 덮개, 및 유지보수 구역 아랭서 연장되는 바닥 측 터널에 의해 제공된다.
[00129] 터널 또는 통로는 또한, 제 1 프로세스 챔버와 와인딩 챔버 사이에서, 또는 제 1 프로세스 챔버와 제 2 프로세스 챔버 사이에서 연장될 수 있다. 따라서, 제 2 프로세스 챔버를 탑재하는 경우에, 통로는, 예컨대, 제 2 프로세스 챔버에 도달하도록 통로를 적응시킴으로써, 또는 각각의 슬루스들을 제공함으로써, 적응될 수 있다.
[00130] 몇몇 실시예들에서, 프로세싱 시스템의 별개의 챔버들은 그들 고유의 진공 생성 및 유지 시스템들을 갖는다. 제 2 프로세스 챔버를 탑재하는 경우에, 예컨대 리-와인딩 챔버에 대한 제 2 프로세스 챔버의 연결들은 진공 밀봉될 수 있다.
[00131] 몇몇 실시예들에 따르면, 제 2 프로세스 챔버는 경사진 플랜지(예컨대, 수직 방향에 대하여 경사진)에 의해 연결가능한 2개 또는 그 초과의 부분들을 포함할 수 있다. 따라서, 제 2 프로세스 챔버는, 증착 소스들 또는 이와 동일한 종류의 것과 같은 프로세스 컴포넌트들을 ― 적어도 부분적으로 ― 하우징하도록 적응된 제 1 부분, 및 통로 또는 터널에 연결될 제 2 부분으로 분할될 수 있다. 경사진 플랜지는, 예컨대, 상향식 증착, 즉, 탑재된 프로세스 챔버의 수평 중심 라인 아래로부터 기판이 프로세싱되는 증착을 허용한다. 이는, 입자 오염에 대한 리스크를 감소시키고, 증착 프로세스를 더 안전하고 더 효율적이게 만든다.
[00132] 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 시스템에 대한 어셈블리 세트가 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 진공 프로세싱 시스템에 대한 어셈블리 세트는 진공 증착 시스템에 대한 어셈블리 세트일 수 있다. 어셈블리 세트는, 가요성 기판을 제공하기 위한 공급 롤, 및 가요성 기판을 저장하기 위한 테이크-업 롤 중 하나를 하우징하도록 적응된 제 1 챔버; 가요성 기판을 제공하기 위한 공급 롤, 및 가요성 기판을 저장하기 위한 테이크-업 롤 중 하나를 하우징하도록 적응된 제 2 챔버; 가요성 기판 상에 재료를 증착하기 위한 제 1 프로세스 챔버 ― 제 1 프로세스 챔버는 제 2 챔버에 구조적으로 연결가능하도록 적응됨 ―; 및 제 1 챔버와 제 1 프로세스 챔버를 연결시키도록 적응된 통로를 포함하며, 여기에서, 통로는 제 1 및 제 2 챔버 위에서 연장되는 상단측 덮개, 또는 제 1 및 제 2 챔버 아래에서 연장되는 바닥 측 터널에 의해 제공된다. 통로, 제 1 챔버, 및 제 2 챔버는, 어셈블링된 상태에서, 통로, 제 1 챔버, 및 제 2 챔버 사이에 유지보수 구역을 정의하도록 적응되고, 유지보수 구역은 제 1 챔버 및 제 2 챔버에 대한 액세스를 허용한다. 추가로, 제 2 챔버는 유지보수 구역과 제 1 프로세스 챔버 사이에 포지셔닝되도록 적응된다.
[00133] 몇몇 실시예들에서, 챔버들은 각각의 위치들에서 각각의 연결 가능성들을 제공함으로써 함께 어셈블링되도록 적응될 수 있다. 예컨대, 언-와인딩 챔버는, 제 1 프로세스 챔버에 대한 슬루스를 가질 수 있고, 그러한 2개의 챔버들을 분리시키는 벽은 그러한 슬루스를 수용하도록 적응된다. 다른 예에서, 제 1 프로세스 챔버는, 기판이 프로세스 챔버로부터 통로 또는 터널로 가이딩될 수 있도록, 통로의 방향에서 배출구를 가질 수 있다.
[00134] 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템에 대한 어셈블리 세트는, 제 1 챔버와 제 2 챔버 중 하나로부터 기판을 제공하고 제거하기 위한 로딩/언로딩 시스템을 더 포함할 수 있으며; 그리고/또는 제 1 챔버, 제 2 챔버, 및 제 1 프로세스 챔버는 진공 프로세스에 대해 적응되고, 개별적으로 진공배기 가능(evacuable)하고; 그리고/또는 제 1 챔버 및 제 2 챔버는, 유지보수 구역을 통해, 제 1 및/또는 제 2 챔버에 대한 액세스, 제 1 챔버 및/또는 제 2 챔버를 제어하기 위한 제어 선택, 제어 엘리먼트, 및 제 1 챔버 및/또는 제 2 챔버의 검사 중 적어도 하나를 제공하도록 적응되고; 그리고/또는 제 1 프로세스 챔버의 제 1 부분은 하나 또는 그 초과의 증착 소스들을 하우징하도록 적응되고, 제 1 프로세스 챔버의 제 2 부분은 프로세스 드럼을 하우징하기 위한 것이고, 여기에서, 제 1 부분 및 제 2 부분은 수직 방향에 대하여 경사진 라인을 따라 연결되도록 적응된다.
[00135] 몇몇 실시예들에서, 증착 시스템에 대한 어셈블리 세트는 도 1 내지 도 5에 대하여 위에서 설명된 바와 같은 프로세싱 시스템에 대한 어셈블리 세트이다. 어셈블리 세트의 단일 컴포넌트들이 도 1 내지 도 5에 대하여 설명된 바와 같은 컴포넌트들일 수 있고, 특히, 위에서 설명된 바와 같은 증착 시스템의 단일 컴포넌트들의 동일한 특징들을 제공할 수 있다.
[00136] 추가로, 위에서 설명된 바와 같은 프로세싱 시스템의 사용은 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 제공된다.
[00137] 전술한 바가 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 발명의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 가요성 기판(160)을 위한 진공 프로세싱 시스템(100; 200; 400)으로서,
    상기 가요성 기판을 제공하기 위한 공급 롤, 및 상기 가요성 기판(160)을 저장하기 위한 테이크-업 롤(take-up roll) 중 하나를 하우징(housing)하도록 적응된 제 1 챔버(110; 310; 410);
    상기 가요성 기판을 제공하기 위한 공급 롤, 및 상기 가요성 기판(160)을 저장하기 위한 테이크-업 롤 중 하나를 하우징하도록 적응된 제 2 챔버(120; 320; 420);
    상기 제 1 챔버(110; 310; 410)와 상기 제 2 챔버(120; 320; 420) 사이의 유지보수(maintenance) 구역(130; 330; 430);
    상기 가요성 기판 상에 재료를 증착하기 위한 제 1 프로세스 챔버(140; 340; 440)
    를 포함하며,
    상기 제 2 챔버(120; 320; 420)는 상기 유지보수 구역(130; 330; 430)과 상기 제 1 프로세스 챔버(110; 310; 410) 사이에 제공되고,
    상기 유지보수 구역(130; 330; 430)은 상기 제 1 챔버(110; 310; 410)와 상기 제 2 챔버(120; 320; 420) 중 적어도 하나에 대한 또는 적어도 하나의 유지보수 액세스(access)를 허용하는,
    진공 프로세싱 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세싱 시스템(100; 200; 400)은, 상기 유지보수 구역(130; 330; 430)을 통해, 상기 제 1 챔버 및/또는 상기 제 2 챔버(120; 320; 420)에 대한 액세스, 상기 제 1 챔버(110; 310; 410) 및/또는 상기 제 2 챔버(120; 320; 420)를 제어하기 위한 제어 선택, 제어 엘리먼트, 및 상기 제 1 챔버(110; 310; 410) 및/또는 상기 제 2 챔버(120; 3220; 420)의 검사 중 적어도 하나를 제공하도록 적응되는,
    진공 프로세싱 시스템.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유지보수 구역(130; 330; 430)은, 상기 제 1 챔버(110; 310; 410)와 상기 제 2 챔버(120; 320; 420) 중 적어도 하나가, 각각, 상기 제 1 챔버(110; 310; 410)의 방사상 방향으로부터, 그리고 상기 제 2 챔버(120; 320; 420)의 방사상 방향으로부터 액세스될 수 있도록 제공되는,
    진공 프로세싱 시스템.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세싱 시스템(100; 200; 400)은, 상기 제 1 챔버(110; 310; 410)와 상기 제 2 챔버(120; 320; 420) 중 적어도 하나로부터 상기 기판을 제공하고 제거하기 위한 로딩(loading)/언로딩(unloading) 시스템을 더 포함하는,
    진공 프로세싱 시스템.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제 2 프로세스 챔버(240; 350; 450)를 더 포함하며,
    상기 제 2 프로세스 챔버는, 특히, 상기 제 1 챔버(110; 310; 410)가 상기 유지보수 구역(130; 330; 430)과 상기 제 2 프로세스 챔버(240; 350; 450) 사이에 제공되도록 위치되는,
    진공 프로세싱 시스템.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나 항에 있어서,
    상기 제 1 프로세스 챔버(140; 340; 440), 상기 제 2 프로세스 챔버(240; 350; 450), 상기 제 1 챔버(110; 310; 410), 및 상기 제 2 챔버(120; 320; 420)는 별개의 챔버들인,
    진공 프로세싱 시스템.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 프로세스 챔버(140; 340; 440), 상기 제 2 프로세스 챔버(240; 350; 450), 상기 제 1 챔버(110; 310; 410), 및 상기 제 2 챔버(120; 320; 420)는, 진공 프로세스에 대해 적응되고, 개별적으로 진공배기 가능한(evacuable),
    진공 프로세싱 시스템.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 프로세스 챔버(140; 340; 440)를 상기 제 1 챔버(110; 310; 410) 또는 상기 제 2 프로세스 챔버(240; 350; 450)에 연결시키는 통로(150)를 더 포함하며,
    상기 통로(150)는, 특히, 상기 유지보수 구역(130; 330; 430) 위에 또는 아래에 제공되고, 특히, 상기 통로, 상기 제 1 챔버(110; 310; 410), 및 상기 제 2 챔버(120; 320; 420)는 상기 유지보수 구역(130; 330; 430)을 둘러싸는,
    진공 프로세싱 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 통로(150)는, 상기 유지보수 구역 위에서 연장되는 상단측 덮개, 또는 상기 유지보수 구역(130; 330; 430) 아래에서 연장되는 바닥 측 터널에 의해 제공되는,
    진공 프로세싱 시스템.
  10. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 챔버(410) 및 상기 제 2 챔버(420)의 연장부들(411; 421)에 의해 형성되는 통로를 더 포함하는,
    진공 프로세싱 시스템.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 프로세스 챔버(140; 340; 440)와 상기 제 2 프로세스 챔버(240; 350; 450) 중 적어도 하나는, 하나 또는 그 초과의 증착 소스(들)(141) 및 회전 축(143)을 갖는 프로세스 드럼을 포함하고, 상기 증착 소스는, 각각의 프로세스 챔버의 수평 중심 라인의 높이에 또는 그 아래에, 특히, 상기 프로세스 드럼의 회전 축(143)의 높이에 또는 그 아래에 배열되는,
    진공 프로세싱 시스템.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 프로세스 챔버(140; 340; 440)와 상기 제 2 프로세스 챔버(240; 350; 450) 중 적어도 하나는, 하나 또는 그 초과의 증착 소스들을 제공하는 제 1 부분(146; 346), 및 상기 진공 프로세싱 시스템의 통로(150)와의 소통을 허용하는 제 2 부분(147; 347)을 포함하고, 상기 제 1 부분(146; 346) 및 상기 제 2 부분(147; 347)은 수직 방향에 대하여 경사진 라인을 따라 연결되는,
    진공 프로세싱 시스템.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 프로세스 챔버(140; 340; 440)와 상기 제 2 프로세스 챔버(240; 350; 450) 중 적어도 하나는 프로세스 드럼을 포함하고, 상기 프로세스 드럼을 중심으로 하는 상기 기판의 래핑 각도(wrapping angle)는, 프로세싱 동안에, 180° 미만인,
    진공 프로세싱 시스템.
  14. 진공 프로세싱 시스템(100; 200; 400)을 탑재하기 위한 방법으로서,
    제 1 항 내지 제 4 항 및 제 6 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 프로세싱 시스템(100; 200; 400)을 제공하는 단계; 및
    상기 프로세싱 시스템에 제 2 프로세스 챔버(240; 350; 450)를 탑재하는 단계
    를 포함하며,
    상기 프로세싱 시스템의 제 1 챔버(110; 310; 410)는 상기 제 2 프로세스 챔버(240; 350; 450)와 상기 유지보수 구역(130; 330; 430) 사이에 제공되는,
    진공 프로세싱 시스템을 탑재하기 위한 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 프로세스 챔버(140; 340; 440)와 상기 제 2 프로세스 챔버(240; 350; 450)를 통로(150)에 의해 연결시키는 단계를 더 포함하며,
    상기 통로(150)는, 특히, 상기 유지보수 구역(130; 330; 430) 위에서 연장되는 상단측 덮개, 또는 상기 유지보수 구역(130; 330; 430) 아래에서 연장되는 바닥 측 터널에 의해 제공되는,
    진공 프로세싱 시스템을 탑재하기 위한 방법.
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