TWI442357B - 顯示裝置及電子設備 - Google Patents

Description

顯示裝置及電子設備

本發明係關於具有包括電極層的顯示元件的顯示裝置。

導電性聚合物因其優越的加工性，在電氣、電子工業的各種裝置中作為導電性材料或光學材料被廣泛利用。現正在開發能夠付諸實用的新的導電性聚合物材料，以進一步提高導電性聚合物的導電性或加工性。

例如，在導電性聚合物中添加有作為摻雜劑的鹼金屬或鹵素等，以提高導電性(例如，參照專利文件1)。

專利文件1：日本專利申請公開2003－346575號公報

然而，當將上述那樣的導電性聚合物作為顯示裝置等的電極層而使用時，存在有在顯示裝置中不能獲得高可靠性的問題。

因此，本發明的目的在於即使是圖像品質及可靠性更高的顯示裝置，或具有大屏面的大型顯示裝置，也以低成本且高生產率地提供。

本發明的顯示裝置將包括導電性聚合物的電極層使用於設置在顯示裝置中的包括顯示層的顯示元件所使用的一 對電極層中的至少一方，並且在包括導電性聚合物的電極層和顯示層之間設置無機絕緣膜。

無機絕緣膜用作阻擋從包括導電性聚合物的電極層擴散的離子性雜質的障壁膜(也稱為鈍化膜)，它遮擋離子性雜質從電極層移動到顯示層而防止污染顯示層。離子性雜質是包括導電性聚合物的電極層所包含的元素或化合物離子化，而成為具有可動性的離子。

具有可動性的離子性雜質在顯示裝置內移動，並且使設置在電極層上的顯示層所包括的液晶材料(或者發光材料)等劣化，而導致顯示不良。因此，若這些成為污染源的離子性雜質大量出現，就會使顯示裝置的特性劣化，而導致可靠性的降低。因此，在本發明中由無機絕緣膜遮擋上述離子性雜質從包括導電性聚合物的電極層擴散到顯示層，來防止顯示層的劣化。

無機絕緣膜設置在顯示層和包括導電性聚合物的電極層之間即可，為了獲得更高的阻擋效果，最好與包括導電性聚合物的電極層接觸地設置無機絕緣膜。無機絕緣膜既可以設置為覆蓋包括導電性聚合物的電極層整個面，又可以選擇性地設置在與顯示層接觸的區域中。

作為無機絕緣膜，可以使用透光性的氮化膜(例如氮化矽膜、氮氧化矽膜等)，其膜厚度設定為在能夠發揮阻擋效果的膜厚度以上且不妨礙對顯示層施加電壓的膜厚度以下的範圍內即可，例如等於或大於5nm且等於或小於500nm的膜厚度是最好的。另外，當藉由乾處理(濺射法 、氣相澱積法、PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相澱積)法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相澱積)法等例如低壓CVD法(LPCVD法)、或電漿CVD法等)形成無機絕緣膜時，無機絕緣膜成為緻密的膜且可以提高阻擋功能。

作為無機絕緣膜可以使用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽等，可以採用單層結構，或兩個層、三個層等疊層結構。注意，在本說明書中，氧氮化矽的氧的含量比氮的含量多，也可以稱為含有氮的氧化矽。與此相同，氮氧化矽的氮的含量比氧的含量多，也可以稱為含有氧的氮化矽。

另外，作為無機絕緣膜的其他材料，可以由選自如下材料形成，即氮化鋁、氧的含量比氮的含量多的氧氮化鋁、氮的含量比氧的含量多的氮氧化鋁、氧化鋁、類金剛石碳(DLC)、含有氮的碳、其他包括無機絕緣性材料的物質。

作為導電性聚合物，可以使用所謂π電子共軛導電性聚合物。例如，可以舉出：聚苯胺及其衍生物；聚吡咯及其衍生物；聚噻吩及其衍生物；上述的兩種以上的共聚物等。

作為共軛導電聚合物的具體實例，可以舉出聚吡咯、聚(3－甲基吡咯)、聚(3－丁基吡咯)、聚(3－辛基吡咯)、聚(3－癸基吡咯)、聚(3，4－二甲基吡咯)、聚(3，4－二丁基吡咯)、聚(3－羥基吡咯)、聚(3－甲基－4－ 羥基吡咯)、聚(3－甲氧基吡咯)、聚(3－乙氧基吡咯)、聚(3－辛氧基吡咯)、聚(3－羧基吡咯)、聚(3－甲基－4－羧基吡咯)、聚(N－甲基吡咯)、聚噻吩、聚(3－甲基噻吩)、聚(3－丁基噻吩)、聚(3－辛基噻吩)、聚(3－癸基噻吩)、聚(3－十二烷基噻吩)、聚(3－甲氧基噻吩)、聚(3－乙氧基噻吩)、聚(3－辛氧基噻吩)、聚(3－羧基噻吩)、聚(3－甲基－4－羧基噻吩)、聚(3，4－乙烯二氧基噻吩)、聚苯胺、聚(2－甲基苯胺)、聚(2－辛基苯胺)、聚(2－異丁基苯胺)、聚(3－異丁基苯胺)、聚(2－氨基苯磺酸)、聚(3－氨基苯磺酸)、等等。

包括導電性聚合物的電極層可以包含有機樹脂或摻雜劑。藉由添加有機樹脂調整膜的形狀或膜強度等的膜特性，以獲得使膜的形狀良好的效果。另一方面，藉由添加摻雜劑調整導電率，而獲得提高導電性的效果。

作為對包括導電性聚合物的電極層添加的有機樹脂，只要是與導電性聚合物相溶或能夠混合且分散的樹脂，無論是熱固化性樹脂、熱可塑性樹脂、或光固化性樹脂都可以。例如，可以舉出聚酯類樹脂如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、或聚萘二甲酸乙二醇酯等、聚醯亞胺類樹脂如聚醯亞胺或聚醯胺－醯亞胺、聚醯胺樹脂如聚醯胺6、聚醯胺6，6、聚醯胺12、或聚醯胺11等、氟類樹脂如聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯、聚四氟乙烯、乙烯－四氟乙烯共聚物、或聚氯三氟乙烯等、乙烯樹脂如聚乙烯醇、聚乙烯基乙醚、聚乙烯醇縮丁醛、聚醋酸乙烯酯 、或聚氯乙稀等、環氧樹脂、二甲苯樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、聚氨酯類樹脂、聚脲類樹脂、蜜胺樹脂、酚醛類樹脂、聚醚、丙烯酸類樹脂、或這些樹脂的共聚物等。

對包括導電性聚合物的電極層添加的摻雜物，尤其是作為受體摻雜物，可以使用鹵素之類、路易士酸、無機酸、有機酸、過渡金屬鹵素化合物、有機氰化合物、非離子性表面活性劑等。

作為鹵素之類，可以舉出碘(I₂ )、溴(Br₂ )、氯(Cl₂ )、氯化碘(ICl)、三氯化碘(ICl₃ )、溴化碘(IBr)、氟化碘(IF)等。作為路易士酸，可以舉出五氟化磷、五氟化砷、五氟化銻、三氟化硼、三氯化硼、三溴化硼等。作為有機酸，可以舉出有機羧酸、有機磺酸、酚等。作為有機羧酸，可以舉出醋酸、安息香酸、鄰苯二甲酸等，作為有機磺酸，可以舉出p－甲苯磺酸、萘磺酸、烷基萘磺酸、蒽醌磺酸、十二烷基苯磺酸等。作為過渡金屬鹵素化合物，可以舉出氯化鐵(FeCl₃ )、氯化鉬(MoCl₅ )、氯化鎢(WCl₅ )、氯化錫(SnCl₄ )、氟化鉬(MoF₅ )、氧基氯化鐵(FeOCl)、氟化釕(RuF₅ )、溴化鉭(TaBr₅ )、碘化錫(SnI₄ )等。作為有機氰化合物，可以使用共軛鍵包含兩個以上的氰基的化合物。例如，可以舉出四氰基乙烯、四氰基乙烯氧化物、四氰基苯、四氰基對醌二甲烷、四氰基氮雜萘(tetracyanoazanaphthalene)等。

另外，在對包括導電性聚合物的電極層添加的摻雜劑中，尤其是作為受體摻雜物，可以使用鹼金屬、鹼土金屬 、叔胺化合物(四乙基胺、四丁基胺)等。作為鹼金屬，可以舉出鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、銫(Cs)、銣(Rb)等。作為鹼土金屬，可以舉出鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)等。

另外，上述鹼金屬、鹼土金屬、鹵素等的元素、以及無機酸等當離子化且從包括導電性聚合物的電極層移動到顯示裝置內時會成為離子性雜質，然而在本發明中作為包括導電性聚合物的電極層的障壁膜設置無機絕緣膜，因此可以防止離子性雜質移動或擴散到顯示層。

再者，也可以減少(濃度最好為1000ppm以下)包括導電性聚合物的電極層所包含的會成為離子性雜質的元素或化合物。藉由使用包括由於精煉等使離子性雜質得到減少的導電性聚合物的導電性組成物，可以減少包括導電性聚合物的電極層所包含的離子雜質的濃度(最好為1000ppm以下)。

離子性雜質是由於離子化或解離作用而容易成為離子並且容易移動的雜質。因此，若是陽離子可以舉出離子化能量小(如6eV以下)的元素。作為上述的離子化能量小的元素，可以舉出鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、銫(Cs)、銣(Rb)、鍶(Sr)、鋇(Ba)等。

若離子性雜質是陰離子，離子性雜質可以是無機酸所包括的陰離子例如鹵素離子等。例如，當酸解離常數Ka的負的常用對數pKa值為4以下時，容易解離而成為離子。注意，在本說明書中，酸解離常數Ka的負的常用對數 pKa值是在25℃的無限稀釋溶液中的值。作為如上所述的陰離子，可以舉出氟(F^－ )氯(Cl^－ )、溴(Br^－ )、碘(I^－ )、SO₄ ^2－ 、HSO₄ ^－ 、ClO₄ ^－ 、NO₃ ^－ 等。

另外，若離子的尺寸是小的離子(例如，構成離子的原子個數為6以下)，則容易具有可動性，並且容易移動到顯示層內而成為離子性雜質。

另外，根據本發明的使用於顯示元件的電極層在薄膜中的薄層電阻最好為10000Ω/平方以下，在550nm的波長時的透光率最好為70%以上。另外，電極層所包括的導電性聚合物的電阻率最好為0.1Ω．cm以下。

在本說明書中，根據設置的基板，使用於顯示元件的一對電極層有時被稱為像素電極層和相對電極層。另外，有時將使用於顯示元件的一對電極層中的一方稱為第一電極層，另一方稱為第二電極層。將根據本發明的包括導電性聚合物的電極層用作如上所述的使用於顯示元件的一對電極層的至少一方即可，當然也可以用作一對電極層的雙方。當使用包括導電性聚合物的電極層時，在該電極層和顯示層之間設置無機絕緣膜作為障壁膜。因此，在本說明書中，像素電極層、相對電極層、第一電極層、以及第二電極層表示使用於顯示元件的電極層。

在本發明中，藉由濕處理使包括導電性聚合物的導電性組成物薄膜化來製造包括導電性聚合物的電極層。在包括導電性聚合物的電極層中，除了導電性聚合物之外，還可以包括有機樹脂或摻雜劑等，在此情況下，在包括作為 材料的導電性聚合物的導電性組成物中混合有機樹脂或摻雜劑等。在本說明書中，導電性組成物是指形成電極層的材料，導電性組成物至少包括導電性聚合物，根據情況有時包括有機樹脂、摻雜劑等。在製造電極層時使用將導電性組成物溶解在溶劑中的液狀的組成物，並且藉由濕處理形成薄膜，來形成電極層。

可以如上所述那樣將包括導電性聚合物的導電組成物溶解在溶劑中作為液狀的組成物，並且藉由濕處理形成薄膜。在濕處理中藉由將薄膜的形成材料溶解在溶劑中，使其液狀的組成物附著在被形成區域，然後去除溶劑而進行固化，來形成薄膜。在本說明書中，進行固化是指使其失去流動性且維持一定的形狀的狀態。

作為濕處理，可以使用如下方法：旋塗法、輥塗法、噴出法、澆注法、浸漬法、液滴噴出(噴射)法(噴墨法)、分配器方法、各種印刷法(絲網(孔板)印刷、膠(平板)印刷、凸版印刷、凹版印刷等由所希望的圖案形成的方法)。注意，只要是使用液狀的組成物的方法，就不局限於上述，可以使用本發明中的液狀的組成物。

與氣相澱積法或濺射法等乾處理相比，濕處理因為材料不飛散到處理室內，所以材料的利用效率高。另外，濕處理可以在大氣壓下進行，因此可以減少真空裝置等需要的設備。進而，因為處理基板不受真空處理室的尺寸的限制，可以應對基板的大型化，不但是低成本而且還提高了生產率。因為其中的加熱處理只需要去除組成物中的溶劑 左右的溫度，即是所謂的低溫加工。因此，能夠使用在高溫的加熱處理中會發生分解或變質的基板、材料。

另外，因為使用具有流動性的液狀的組成物作為導電性組成物，所以容易混合材料。例如藉由對組成物添加有機樹脂或摻雜劑，可以提高導電性或加工性。而且，具有流動性的液狀的組成物對於被形成區域的覆蓋性也良好。

因為能夠將組成物噴出為所希望的圖案的液滴噴出法或能夠將組成物轉印或繪製成所希望的圖案的印刷法等可以選擇性地形成薄膜，所以可以進一步防止材料的浪費而有效地利用材料，因此製造成本降低。進而，由於不需要光石印方法所需要的薄膜的形狀處理，因此有簡化處理而提高生產率的效果。

在應用本發明中的包括導電性聚合物的導電性組成物製造的電極層中設置有遮擋污染設置在顯示層的液晶材料等的離子性雜質的無機絕緣膜，有防止顯示層的劣化的效果。由此，藉由使用這種電極層可以製造可靠性高的顯示裝置。

再者，由於可以藉由濕處理製造顯示元件的電極層，材料的利用效率高且可以減少大型的真空裝置等的高價的設備，因此能夠實現低成本化和高生產率化。由此，藉由利用本發明，可以低成本且高生產率地獲得可靠性高的顯示裝置及電子設備。

本發明的顯示裝置的一個方式是：具有包括一對電極層及顯示層的顯示元件，一對電極層中的至少一方包括導 電性聚合物，在包括導電性聚合物的電極層和顯示層之間具有無機絕緣膜。

本發明的顯示裝置的一個方式是：具有包括一對電極層及顯示層的顯示元件，一對電極層包括導電性聚合物，在包括導電性聚合物的一對電極層和顯示層之間分別具有無機絕緣膜。

在上述結構中，當作為顯示元件使用液晶元件時，顯示層成為液晶層，且在無機絕緣膜和液晶層之間具有用作對準膜的絕緣層的結構。

在本發明中顯示裝置是指具有顯示元件的裝置，顯示裝置包括在基板上形成有多個包括顯示元件的像素和驅動這些像素的週邊驅動電路的顯示面板。而且，也可以包括撓性印刷電路(FPC)、印刷線路板(PWB)、IC、電阻元件、電容元件、感應器、電晶體等。也可以包括光學片如偏振片或相位差板。而且，也可以包括背光燈(其可以包括導光板、稜鏡片、擴散片、反射片和光源(如LED或冷陰極管))。

本發明的結構對液晶顯示元件等顯示元件的由於離子性雜質導致的顯示層的特性劣化非常有效，因此可以最好地使用。除此之外，還可以適用於由電性作用使對比度變化的顯示媒體如電致發光(EL)元件、電子墨等。注意，作為使用液晶元件的顯示裝置有液晶顯示器、透過型液晶顯示器、半透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器，作為使用電子墨的顯示裝置有電子紙。

在本發明中的藉由使用包括導電性聚合物的導電性組成物製造並使用於顯示元件的電極層中設置有遮擋污染設置在顯示層的液晶材料等的離子性雜質的無機絕緣膜，有防止顯示層的劣化的效果。由此，藉由使用這種電極層可以製造可靠性高的顯示裝置。

另外，由於可以藉由濕處理製造顯示元件的電極層，所以材料的利用效率高且可以減少大型的真空裝置等的高價的設備，因此能夠實現低成本化和高生產率化。由此，藉由利用本發明，可以低成本且高生產率地獲得高功能且高可靠性的顯示裝置及電子設備。

下面，將參照附圖說明本發明的實施方式。但是，本發明可以藉由多種不同的方式來實施，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細內容在不脫離本發明的宗旨及其範圍下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在本實施方式所記載的內容中。另外，在用於說明實施方式的所有附圖中，使用相同符號來表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重複說明。

實施方式1

在本實施方式中，對以能夠賦予更高圖像品質和更高可靠性且以低成本且高生產率製造為目的的顯示裝置的一 個實例進行說明。更具體而言，對被動矩陣型的顯示裝置的結構進行說明。

圖1A和1B示出使用本發明的被動矩陣型的液晶顯示裝置，圖1A表示反射型液晶顯示裝置，圖1B表示透過型液晶顯示裝置。圖1A和1B中，基板1700和基板1710彼此相對且夾有液晶層1703。在圖1A中，基板1700上設置有使用於顯示元件1713的也被稱為像素電極層的電極層1701a、1701b、1701c、無機絕緣膜1716、用作對準膜的絕緣層1712、用作顏色濾光片的著色層1706a、1706b、1706c、遮光層1720、絕緣層1721、偏振片1714，基板1710上設置有用作對準膜的絕緣層1704、使用於顯示元件的也被稱為相對電極層的電極層1705。在圖1B中，基板1700上設置有使用於顯示元件1713的也被稱為像素電極層的電極層1701a、1701b、1701c、無機絕緣膜1716、用作對準膜的絕緣層1712、用作顏色濾光片的著色層1706a、1706b、1706c、遮光層1720、絕緣層1721、偏振片1714a，基板1710上設置有用作對準膜的絕緣層1704、使用於顯示元件的也被稱為相對電極層的電極層1715、偏振片1714b。

圖1A是作為電極層1701a、1701b、1701c使用包括導電性聚合物的電極層的實例，在該包括導電性聚合物的電極層1701a、1701b、1701c上設置無機絕緣膜1716作為障壁膜。藉由在包括導電性聚合物的電極層1701a、1701b、1701c和作為顯示層的液晶層1703之間設置無機 絕緣膜1716，可以防止離子性雜質擴散到液晶層1703。

當使光透過電極層而發射到顯示裝置之外時，對使用於顯示元件電極層使用對於該光具有透光性的材料。例如在採用透過型液晶顯示裝置或雙面發射型發光顯示裝置的情況下，其一對電極層的雙方都使用具有透光性的材料。根據本發明的包括導電性聚合物的電極層對於可見光具有透光性，因此一對電極層的雙方都可以使用根據本發明的包括導電性聚合物的電極層。另外，也可以僅一方的電極層使用根據本發明的包括導電性聚合物的電極層，而另一方使用其他具有透光性的導電性材料。

作為其他具有透光性的導電性材料，可以使用如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、添加有氧化矽的銦錫氧化物(ITSO)、包括氧化鎢的銦錫氧化物、包括氧化鎢的銦鋅氧化物、包括氧化鈦的銦氧化物、包括氧化鈦的銦錫氧化物等。

在採用反射型液晶顯示裝置或單面發射型發光顯示裝置的情況下，對一對電極層中不透過光的一方使用對於光具有反射型的電極層即可。另外，也可以不使顯示元件的電極層具有反射性，而另外設置其他具有反射性的膜。

作為具有反射性的導電性材料，可以使用如下材料：選自鈦(Ti)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銦(In)、鉭(Ta)、鋁(Al)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋰(Li)、或鉬(Mo)中的元素；以上述元素為主 要成分的合金材料或化合物材料如氮化鈦、TiSi_X N_Y 、WSi_X 、氮化鎢、WSi_X N_Y 、NbN等。

使用上述導電性材料且藉由如下方法可以形成成為電極層的薄膜：濺射法、澱積法、PVD法、CVD法、旋塗法、輥塗法、噴出法、澆注法、浸漬法、液滴噴出(噴射)法(噴墨法)、分配器方法、印刷法等。

圖1A是反射型液晶顯示裝置，因此電極層1705需要具有反射性。在此情況下，使用藉由使用上述具有反射性的導電性材料形成的導電膜，或者利用該導電膜和包括導電性聚合物的電極層的疊層結構即可。

另外，如圖1B所示對使用於顯示元件的一對電極層1701a、1701b、1701c、以及電極層1715的雙方都可以使用包括導電性聚合物的電極層，在這些包括導電性聚合物的電極層的電極層1701a、1701b、1701c和液晶層1703之間設置有無機絕緣膜1716，以及在電極層1715和液晶層1703之間設置有無機絕緣膜1717，來防止離子性雜質擴散到液晶層。圖1B表示透過型液晶顯示裝置，因此一對電極層1701a、1701b、1701c、以及電極層1715使用包括具有透光性的導電性聚合物的電極層，並且使用偏振片1714a、1714b。

具有可動性的離子性雜質在顯示裝置內移動，並且使設置在電極層上的液晶材料等劣化，而導致顯示不良。因此，若這些成為污染源的離子性雜質大量出現，則會使顯示裝置的特性劣化，而導致可靠性的降低。因此，在本發 明中由無機絕緣膜遮擋上述離子性雜質從包括導電性聚合物的電極層擴散到顯示層，來防止顯示層的劣化。

無機絕緣膜設置在顯示層和包括導電性聚合物的電極層之間即可，為了獲得更高的阻擋效果，最好與包括導電性聚合物的電極層接觸地設置無機絕緣膜。無機絕緣膜既可以設置為覆蓋包括導電性聚合物的電極層整個面，又可以選擇性地設置在與顯示層接觸的區域中。

作為無機絕緣膜，可以使用透光性的氮化膜等，其膜厚度設定為在能夠發揮阻擋效果的膜厚度以上且不妨礙對顯示層施加電壓的膜厚度以下的範圍內即可，例如等於或大於5nm且等於或小於500nm的膜厚度是最好的。另外，當藉由乾處理(濺射法、氣相澱積法、PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相澱積)法、低壓CVD法(LPCVD法)、或電漿CVD法等的CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相澱積)法等)形成無機絕緣膜時，可以形成為緻密的膜而提高阻擋功能。

作為無機絕緣膜可以使用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽等，可以採用單層結構，或兩個層、三個層等疊層結構。注意，在本說明書中，氧氮化矽的氧的含量比氮的含量多，也可以稱為含有氮的氧化矽。與此相同，氮氧化矽的氮的含量比氧的含量多，也可以稱為含有氧的氮化矽。

另外，作為無機絕緣膜的其他材料，可以由選自如下的材料形成，即氮化鋁、氧的含量比氮的含量多的氧氮化 鋁、氮的含量比氧的含量多的氮氧化鋁、氧化鋁、類金剛石碳(DLC)、含有氮的碳、其他包括無機絕緣性材料的物質。

作為導電性聚合物，可以使用所謂π電子共軛導電性聚合物。例如，可以舉出：聚苯胺及其衍生物；聚吡咯及其衍生物；聚噻吩及其衍生物；上述的兩種以上的共聚物等。

作為共軛導電聚合物的具體實例，可以舉出聚吡咯、聚(3－甲基吡咯)、聚(3－丁基吡咯)、聚(3－辛基吡咯)、聚(3－癸基吡咯)、聚(3，4－二甲基吡咯)、聚(3，4－二丁基吡咯)、聚(3－羥基吡咯)、聚(3－甲基－4－羥基吡咯)、聚(3－甲氧基吡咯)、聚(3－乙氧基吡咯)、聚(3－辛氧基吡咯)、聚(3－羧基吡咯)、聚(3－甲基－4－羧基吡咯)、聚(N－甲基吡咯)、聚噻吩、聚(3－甲基噻吩)、聚(3－丁基噻吩)、聚(3－辛基噻吩)、聚(3－癸基噻吩)、聚(3－十二烷基噻吩)、聚(3－甲氧基噻吩)、聚(3－乙氧基噻吩)、聚(3－辛氧基噻吩)、聚(3－羧基噻吩)、聚(3－甲基－4－羧基噻吩)、聚(3，4－乙烯二氧基噻吩)、聚苯胺、聚(2－甲基苯胺)、聚(2－辛基苯胺)、聚(2－異丁基苯胺)、聚(3－異丁基苯胺)、聚(2－氨基苯磺酸)、聚(3－氨基苯磺酸)、等等。

包括導電性聚合物的電極層可以包含有機樹脂或摻雜劑。藉由添加有機樹脂調整膜的形狀或膜強度等的膜特性，以獲得使製造形狀良好的膜的效果。另一方面，藉由添 加摻雜劑調整導電率，而獲得提高導電性的效果。

作為對包括導電性聚合物的電極層添加的有機樹脂，只要是與導電性聚合物相溶或能夠混合且分散的樹脂，無論是熱固化性樹脂、熱可塑性樹脂、或光固化性樹脂都可以。例如，可以舉出聚酯類樹脂如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、或聚萘二甲酸乙二醇酯等、聚醯亞胺類樹脂如聚醯亞胺或聚醯胺－醯亞胺、聚醯胺樹脂如聚醯胺6、聚醯胺6，6、聚醯胺12、或聚醯胺11等、氟類樹脂如聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯、聚四氟乙烯、乙烯－四氟乙烯共聚物、或聚氯三氟乙烯等、乙烯樹脂如聚乙烯醇、聚乙烯基乙醚、聚乙烯醇縮丁醛、聚醋酸乙烯酯、或聚氯乙稀等、環氧樹脂、二甲苯樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、聚氨酯類樹脂、聚脲類樹脂、蜜胺樹脂、酚醛類樹脂、聚醚、丙烯酸類樹脂、或這些樹脂的共聚物等。

對包括導電性聚合物的電極層添加的摻雜物，尤其是作為受體摻雜物，可以使用鹵素之類、路易士酸、無機酸、有機酸、過渡金屬鹵素化合物、有機氰化合物、非離子性表面活性劑等。

作為鹵素之類，可以舉出碘(I₂ )、溴(Br₂ )、氯(Cl₂ )、氯化碘(ICl)、三氯化碘(ICl₃ )、溴化碘(IBr)、氟化碘(IF)等。作為路易士酸，可以舉出五氟化磷、五氟化砷、五氟化銻、三氟化硼、三氯化硼、三溴化硼等。作為有機酸，可以舉出有機羧酸、有機磺酸、酚等。作為有機羧酸，可以舉出醋酸、安息香酸、鄰苯二甲酸等 ，作為有機磺酸，可以舉出p－甲苯磺酸、萘磺酸、烷基萘磺酸、蒽醌磺酸、十二烷基苯磺酸等。作為過渡金屬鹵素化合物，可以舉出氯化鐵(FeCl₃ )、氯化鉬(MoCl₅ )、氯化鎢(WCl₅ )、氯化錫(SnCl₄ )、氟化鉬(MoF₅ )、氧基氯化鐵(FeOCl)、氟化釕(RuF₅ )、溴化鉭(TaBr₅ )、碘化錫(SnI₄ )等。作為有機氰化合物，可以使用共軛鍵包含兩個以上的氰基的化合物。例如，可以舉出四氰基乙烯、四氰基乙烯氧化物、四氰基苯、四氰基醌二甲烷、四氰基氮雜萘(tetracyanoazanaphthalene)等。

另外，在對包括導電性聚合物的電極層的摻雜劑中，尤其是作為受體摻雜物，可以使用鹼金屬、鹼土金屬、叔胺化合物(四乙基銨、四丁基銨)等。作為鹼金屬，可以舉出鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、銫(Cs)、銣(Rb)等。作為鹼土金屬，可以舉出鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)等。

另外，上述鹼金屬、鹼土金屬、鹵素等的元素、以及無機酸等當離子化且從包括導電性聚合物的電極層移動到顯示裝置內時會成為離子性雜質，然而在本發明中作為包括導電性聚合物的電極層的障壁膜設置無機絕緣膜，因此可以防止離子性雜質移動或擴散到顯示層。

再者，也可以減少(濃度最好為1000ppm以下)包括導電性聚合物的電極層所包含的會成為離子性雜質的元素或化合物。藉由使用包括由於精煉等使離子性雜質得到減少的導電性聚合物的導電性組成物，可以減少包括導電性 聚合物的電極層所包含的離子雜質的濃度(最好為1000ppm以下)。

離子性雜質是由於離子化或解離作用而容易成為離子並且容易移動的雜質。因此，若離子性雜質是陽離子，離子性雜質可以是離子化能量小(如6eV以下)的元素。作為上述的離子化能量小的元素，可以舉出鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、銫(Cs)、銣(Rb)、鍶(Sr)、鋇(Ba)等。

若離子性雜質是陰離子，離子性雜質可以是無機酸所包括的陰離子如鹵素離子等。例如，當酸解離常數Ka的負的常用對數pKa值為4以下時，容易解離而成為離子。注意，在本說明書中，酸解離常數Ka的負的常用對數pKa值是在25℃的無限稀釋溶液中的值。作為如上所述的陰離子，可以舉出氟(F^－ )氯(Cl^－ )、溴(Br^－ )、碘(I^－ )、SO₄ ^2－ 、HSO₄ ^－ 、ClO₄ ^－ 、NO₃ ^－ 等。

另外，若是離子的尺寸小的離子(例如，構成離子的原子個數為6以下)，則容易具有可動性，並且容易移動到顯示層內而成為離子性雜質。

另外，根據本發明的使用於顯示元件的電極層在薄膜中的薄層電阻最好為10000Ω/平方以下，在550nm的波長時的透光率最好為70%以上。另外，電極層所包括的導電性聚合物的電阻率最好為0.1Ω．cm以下。

在本發明中，藉由濕處理使包括導電性聚合物的導電性組成物薄膜化來製造包括導電性聚合物的電極層。在包 括導電性聚合物的電極層中，除了導電性聚合物之外，還可以包括有機樹脂或摻雜劑等，在此情況下，在包括作為材料的導電性聚合物的導電性組成物中混合有機樹脂或摻雜劑等。在本說明書中，導電性組成物是形成電極層的材料，其至少包括導電性聚合物，根據情況有時包括有機樹脂、摻雜劑等。在製造電極層時使用將導電性組成物溶解在溶劑中的液狀的組成物，並且藉由濕處理形成薄膜，來形成電極層。

另外，也可以藉由精煉法從用來形成使用於本實施方式的顯示元件的電極層的導電型組成物中精煉出離子性雜質，這樣獲得的包括導電性聚合物的電極層的離子性雜質得到減少。作為精煉法可以使用各種精煉法，根據導電性組成物所包括的導電性聚合物或有機樹脂等的材質適當地選擇即可。例如，作為精煉法，可以利用再沉澱法、鹽析法、柱色譜法(也稱為柱法)等。尤其是柱色譜法是最好的，柱色譜法可以將填料裝入到筒狀的容器，並將溶解在溶劑中的反應混合物倒入該容器中，而利用根據化合物與填料的親和性以及分子的大小不同的性質，可以進行雜質的分離。作為柱色譜法，可以利用離子交換色譜法、矽膠色譜法、凝膠滲透色譜(GPC：Gel Permeation Chromatography)法、高效液相色譜(HPLC：High Performance Liquid Chromatography)法等。在離子交換色譜法中，離子交換樹脂被用作固定相，而利用對於離子交換體的靜電吸附力的差異使電離成離子的物質彼此分離 。

可以如上所述那樣將包括導電性聚合物的導電組成物溶解在溶劑中作為液狀的組成物，並且藉由濕處理形成薄膜。溶劑的乾燥既可以藉由熱處理又可以在減壓下進行。另外，在有機樹脂為熱固化性的情況下，進行進一步的加熱處理，在有機樹脂為光固化性的情況下，進行光照射處理即可。

作為濕處理，可以使用如下方法：旋塗法、輥塗法、噴出法、澆注法、浸漬法、液滴噴出(噴射)法(噴墨法)、分配器方法、各種印刷法(絲網(孔板)印刷、膠(平板)印刷、凸版印刷、凹版印刷等由所希望的圖案形成的方法)。另外，還可以使用壓印技術、以及可以以nm級轉印立體結構物的奈米壓印技術。壓印技術、奈米壓印技術是不使用光刻技術就可以形成細微的立體結構物的技術。注意，只要是使用液狀的組成物的方法，不局限於上述，可以使用本發明中的液狀的組成物。

可以將導電性組成物溶解在水或有機溶劑(醇系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、烴系溶劑、芳香系溶劑)中，而使其成為液狀的組成物。

作為溶解導電性組成物的溶劑，沒有特別的限定而使用溶解上述所示的導電性聚合物及有機樹脂等的聚合物樹脂化合物的溶劑即可，可以將導電性組成物溶解在單獨溶劑或混合溶劑，例如水、甲醇、乙醇、乙二醇、碳酸丙烯酯(propylene carbonate)、N－甲基吡咯烷酮、二甲基甲 醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、甲苯等。

與氣相澱積法或濺射法等乾處理相比，濕處理因為材料不飛散到處理室內，所以材料的利用效率高。另外，濕處理可以在大氣壓下進行，因此可以減少真空裝置等需要的設備。進而，因為處理基板不受真空處理室的尺寸的限制，可以應對基板的大型化，所以不但可以實現低成本而且可以提高生產率。因為加熱處理只需要去除組成物中的溶劑左右的溫度，即是所謂的低溫加工。因此，能夠使用在高溫的加熱處理中會發生分解或變質的基板、材料。

另外，因為使用具有流動性的液狀的組成物作為導電性組成物，所以容易混合材料。例如藉由對組成物添加有機樹脂或摻雜劑，可以提高導電性或加工性。而且，具有流動性的液狀的組成物對於被形成區域的覆蓋性也良好。

因為能夠將組成物噴出為所希望的圖案的液滴噴出法或能夠將組成物轉印或繪製成所希望的圖案的印刷法等可以選擇性地形成薄膜，所以可以進一步防止材料的浪費而有效地利用材料，因此製造成本降低。進而，由於不需要藉由光石印方法的薄膜的形狀處理，因此有簡化處理而提高生產率的效果。

在應用本實施方式中的包括導電性聚合物的導電性組成物製造的電極層中設置有遮擋污染設置在顯示層的液晶材料等的離子性雜質的無機絕緣膜，有防止顯示層的劣化的效果。由此，藉由使用這種電極層以及無機絕緣膜可以 製造性能及可靠性高的顯示裝置。

再者，因為可以藉由濕處理製造顯示元件的電極層，材料的利用效率高且可以減少大型的真空裝置等的高價的設備，因此能夠實現低成本化和高生產率化。由此，藉由利用本發明，可以低成本且高生產率地獲得可靠性高的顯示裝置及電子設備。

作為濕處理的實例，使用圖3說明液滴噴出單元。液滴噴出單元是具有噴出液滴的單元的裝置的總稱，液滴噴出單元例如具有組成物的作為噴出口的噴嘴、具有一個或多個噴嘴的噴頭等。

圖3示出用於液滴噴出法的液滴噴出裝置的一個方式。液滴噴出單元1403的各個噴頭1405、噴頭1412連接到控制裝置1407，由計算機1410控制控制裝置1407，而可以描述預先設計好的圖案。例如利用成像裝置1404、圖像處理裝置1409、計算機1410識別形成在基板1400上的標記1411，來確定基準點而決定描述的位置。或者，也可以以基板1400的邊緣為基準確定基準點。

作為成像裝置1404，可以使用利用電荷耦合元件(CCD)或互補金屬氧化物半導體(CMOS)的圖像感測器等。不言而喻，要形成在基板1400上的圖案的資訊儲存在儲存媒體1408中，基於該資訊將控制信號傳送到控制裝置1407，來分別控制液滴噴出單元1403的各個噴頭1405、噴頭1412。噴出的材料藉由管道由材料供給源1413、材料供給源1414分別供給給噴頭1405、噴頭1412 。

噴頭1405內部的結構如虛線所示具有充填液態材料的空間和作為噴出口的噴嘴。雖然未圖示，噴頭1412也具有與噴頭1405同樣的內部結構。在將噴頭1405和噴頭1412的噴嘴設置為互相不同的尺寸的情況下，可以以不同的寬度同時描畫不同的材料。一個噴頭可以分別噴出多種材料等來進行描畫，在較大區域上描畫的情況下，為了提高生產率可以從多個噴嘴同時噴出相同的材料進行描畫。在作為被處理物使用大型基板的情況下，噴頭1405、噴頭1412和載有被處理物的載物台可以沿箭頭方向相對地掃描，並且也可以自由地設定描畫的區域，例如也可以在一個基板上描畫多個相同的圖案。

另外，噴出組成物的步驟也可以在減壓下進行。也可以當噴出時對基板進行加熱。在噴出組成物之後，進行乾燥和焙燒的一或二種步驟。乾燥和焙燒的步驟雖然都是加熱處理步驟，但是其目的、溫度和時間不同，例如乾燥在100℃進行3分鐘，而焙燒在200至550℃進行15至60分鐘。乾燥步驟和焙燒步驟在常壓或減壓下，藉由照射雷射、瞬間熱退火、加熱爐等來進行。另外，進行該加熱處理的時機、加熱處理次數沒有特別的限定。進行良好的乾燥和焙燒步驟的溫度及時間等的條件依賴於基板的材料的特性及組成物的性質。

作為基板1700和1710，可以使用玻璃基板或石英基板等。另外，也可以使用撓性基板。撓性基板指的是能夠 彎曲的基板，例如可以舉出由聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚碸等構成的塑膠基板、聚合物材料彈性體等，該聚合物材料彈性體在高溫下被塑煉化而能夠如塑膠那樣成型加工且在常溫下呈現諸如橡膠之類的彈性體性質。另外，可以使用薄膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯、聚氟化乙烯、氯化乙烯等構成)、無機氣相澱積薄膜。

本發明的結構對由於離子性雜質導致顯示層的特性劣化的液晶顯示元件等的顯示元件非常有效，因此最好使用本發明的結構。然而本發明不局限於此，本發明還可以使用於由電性作用而使對比度變化的顯示媒體如電致發光(EL)元件(以包含無機化合物或包含無機化合物及有機化合物的電場發光層為顯示層)、電子墨(電子紙)等。

在本實施方式中的藉由使用包括導電性聚合物的導電性組成物製造並使用於顯示元件的電極層中設置有遮擋污染設置在顯示層的液晶材料等的離子性雜質的無機絕緣膜，有防止顯示層的劣化的效果。由此，藉由使用這種電極層及無機絕緣膜可以製造性能及可靠性高的顯示裝置。

另外，由於可以藉由濕處理製造顯示元件的電極層，所以材料的利用效率高且可以減少大型的真空裝置等的高價的設備，因此能夠實現低成本化和高生產率。由此，藉由利用本發明，可以以低成本且高生產率地獲得性能及可靠性高的顯示裝置及電子設備。

實施方式2

在本實施方式中對以可以賦予更高圖像品質和更高可靠性且以低成本且高生產率製造為目的的顯示裝置的一個實例進行說明。在本實施方式中，對具有與上述實施方式1不同的結構的顯示裝置進行說明。更具體而言，對有源矩陣型的顯示裝置的結構進行說明。

圖2表示使用本發明的有源矩陣型的液晶顯示裝置。在圖2中，基板550和基板568彼此相對且夾有液晶層562。該基板550設置有多閘結構的電晶體551、使用於顯示元件的電極層560、無機絕緣膜557a、用作對準膜的絕緣層561、偏振器(也稱為偏振片)556a，上述基板568設置有用作對準膜的絕緣層563、使用於顯示元件的電極層564、無機絕緣膜557b、用作顏色濾光片的著色層565、遮光層570、絕緣層571、隔離物572、偏振器(也稱為偏振片)556b。

圖2表示透過型液晶顯示裝置，將包括透光性的導電性聚合物的電極層用作電極層560、電極層564。在電極層560和用作對準膜之絕緣層561之間設置有無機絕緣膜557a，以及在電極層564和用作對準膜之絕緣層563之間設置有無機絕緣膜557b。無機絕緣膜557a和無機絕緣膜557b用作防止離子性雜質從電極層564擴散的障壁膜。

電晶體551示出多閘型的通道蝕刻型反交錯電晶體的實例。在圖2中，電晶體551包括閘極電極層552a、552b、閘極絕緣層558、半導體層554、具有一導電型的半導體層553a、553b、553c、用作源電極層或汲電極層的佈線 層555a、555b、555c。

另外，在圖2中示出在基板568的外側(可見一側)設置有偏振器556b，並且在內側按順序設置著色層565、使用於顯示元件的電極層564的顯示裝置的實例，然而偏振器556b也可以設置在基板568的內側。另外，偏振器和著色層的疊層結構不局限於圖2所示的結構，可以根據偏振器及著色層的材料或製造處理條件適當地進行設定即可。

作為利用本發明的顯示裝置的實例圖5表示有源矩陣型的電子紙。儘管圖5表示了有源矩陣型，但本發明也可以利用於被動矩陣型的電子紙。

圖5的電子紙是利用旋轉球(twist ball)顯示方式的顯示裝置的實例。旋轉球顯示方式是藉由如下方法來進行顯示的方式：將分別塗成白色和黑色的球形粒子配置在使用於顯示元件的電極層的第一電極層及第二電極層之間，在第一電極層及第二電極層產生電位差而控制上述球形粒子的方向。

電晶體581是非共面型薄膜電晶體，包括閘電極層582、閘極絕緣層584、佈線層585a、佈線層585b、以及半導體層586。另外，佈線層585b藉由形成在絕緣層598的開口與第一電極層587a接觸並電連接。在第一電極層587a、587b和第二電極層588之間設置有球形粒子589，該球形粒子589具有黑色區域590a及白色區域590b且其周圍包括充滿了液體的空洞594，並且在球形粒子589的 周圍填充有樹脂等填料595(參照圖5)。

在圖5中將包括透光性的導電性聚合物的電極層用作第一電極層587a、587b。在第一電極層587a、587b上設置有無機絕緣膜599，該無機絕緣膜599用作防止離子性雜質從第一電極層587a、587b擴散的障壁膜。

此外，還可以使用電泳元件而代替旋轉球。使用直徑為10μm至200μm的微膠囊，該微膠囊中封入有透明液體和帶正電的白色微粒和帶負電的黑色微粒。對於設置在第一電極層和第二電極層之間的微膠囊，當由第一電極層和第二電極層施加電場時，白色微粒和黑色微粒移動到相反方向，從而可以顯示白色或黑色。應用這種原理的顯示元件就是電泳顯示元件，通常被稱為電子紙。電泳顯示元件具有比液晶顯示元件高的反射率，因而不需要輔助光。此外，耗電量低，並且在昏暗的地方也能夠辨別顯示部。另外，即使不給顯示部供應電源，也能夠保持顯示過一次的圖像，因此，即使使具有顯示功能的半導體裝置(也簡單地稱為顯示裝置，或者具備顯示裝置的半導體裝置)遠離電子波源，也能夠保存顯示過的圖像。

利用本發明的本實施方式的包括導電性聚合物的電極層及用作障壁膜的無機絕緣膜使用與實施方式1相同的材料和處理製造即可，可以適用實施方式1。

具有可動性的離子性雜質在顯示裝置內移動，並且使設置在電極層上的液晶材料等劣化，而導致顯示不良。因此，若這些成為污染源的離子性雜質大量出現，則會使顯 示裝置的特性劣化，而導致可靠性的降低。因此，在本發明中由無機絕緣膜遮擋上述離子性雜質從包括導電性聚合物的電極層擴散到顯示層，來防止顯示層的劣化。

無機絕緣膜設置在顯示層和包括導電性聚合物的電極層之間即可，為了獲得更高的阻擋效果，最好與包括導電性聚合物的電極層接觸地設置無機絕緣膜。無機絕緣膜既可以設置為覆蓋包括導電性聚合物的電極層整個面，又可以選擇性地設置在與顯示層接觸的區域中。

作為無機絕緣膜，可以使用透光性的氮化膜等，其膜厚度設定為在能夠發揮阻擋效果的膜厚度以上且不妨礙對顯示層施加電壓的膜厚度以下的範圍內即可，例如等於或大於5nm且等於或小於500nm的膜厚度是最好的。另外，當藉由乾處理(濺射法、氣相澱積法、PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相澱積)法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相澱積)法等如低壓CVD法(LPCVD法)、或電漿CVD法等)形成無機絕緣膜時，無機絕緣膜成為緻密的膜且可以提高阻擋功能。

作為無機絕緣膜可以使用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽等，可以採用單層結構，或兩個層、三個層等疊層結構。注意，在本說明書中，氧氮化矽的氧的含量比氮的含量多，也可以稱為含有氮的氧化矽。與此相同，氮氧化矽的氮的含量比氧的含量多，也可以稱為含有氧的氮化矽。

另外，作為無機絕緣膜的其他材料，可以由選自氮化 鋁、氧的含量比氮的含量多的氧氮化鋁、氮的含量比氧的含量多的氮氧化鋁、氧化鋁、類金剛石碳(DLC)、氮含碳、其他包括無機絕緣性材料的物質的材料形成。

作為導電性聚合物，可以使用所謂π電子共軛導電性聚合物。例如，可以舉出：聚苯胺及其衍生物；聚吡咯及其衍生物；聚噻吩及其衍生物；上述的兩種以上的共聚物等。

包括導電性聚合物的電極層也可以包含有機樹脂或摻雜劑。藉由添加有機樹脂調整膜的形狀或膜強度等的膜特性，以獲得使製造形狀良好的膜的效果。另一方面，藉由添加摻雜劑調整導電率，而獲得提高導電性的效果。

對包括導電性聚合物的電極層添加的摻雜物，尤其是作為受體摻雜物，可以使用鹵素之類、路易士酸、無機酸、有機酸、過渡金屬鹵素化合物、有機氰化合物、非離子性表面活性劑等。

另外，上述鹼金屬、鹼土金屬、鹵素等的元素、以及無機酸等當離子化且從包括導電性聚合物的電極層移動到顯示裝置內時會成為離子性雜質，然而在本發明中作為包括導電性聚合物的電極層的障壁膜設置無機絕緣膜，因此可以防止離子性雜質移動或擴散到顯示層。

再者，也可以減少(濃度最好為1000ppm以下)包括導電性聚合物的電極層所包含的會成為離子性雜質的元素或化合物。藉由使用包括由於精煉等使離子性雜質得到減少的導電性聚合物的導電性組成物，可以減少包括導電性 聚合物的電極層所包含的離子雜質的濃度(最好為1000ppm以下)。

另外，根據本發明的使用於顯示元件的電極層在薄膜中的薄層電阻最好為10000Ω/平方以下，在550nm的波長時的透光率最好為70%以上。另外，電極層所包括的導電性聚合物的電阻率最好為0.1Ω．cm以下。

可以如上所述那樣將包括導電性聚合物的導電組成物溶解在溶劑中作為液狀的組成物，並且藉由濕處理形成薄膜。溶劑的乾燥既可以藉由熱處理又可以在減壓下進行。另外，在有機樹脂為熱固化性的情況下，進行進一步的加熱處理，在有機樹脂為光固化性的情況下，進行光照射處理即可。

使導電性組成物溶解在水或有機溶劑(醇系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、烴系溶劑、芳香系溶劑)中，而成為液狀的組成物。作為溶解導電性組成物的溶劑，沒有特別的限定而使用上述所示的溶解導電性聚合物及有機樹脂等的聚合物樹脂化合物的溶劑即可。

與氣相澱積法或濺射法等乾處理相比，濕處理因為材料不飛散到處理室內，所以材料的利用效率高。另外，濕處理可以在大氣壓下進行，因此可以減少真空裝置等需要的設備。進而，因為處理基板不受真空處理室的尺寸的限制，可以應對基板的大型化，所以可以實現低成本而且可以提高生產率。因為加熱處理只需要去除組成物中的溶劑左右的溫度，即是所謂的低溫加工。因此，能夠使用在高 溫的加熱處理中會發生分解或變質的基板、材料。

因為能夠將組成物噴出為所希望的圖案的液滴噴出法或能夠將組成物轉印或繪製成所希望的圖案的印刷法等可以選擇性地形成薄膜，所以可以進一步防止材料的浪費且可以有效地利用材料，因此製造成本降低。而且，由於不需要使用光石印方法的薄膜的形狀處理，因此有簡化處理而提高生產率的效果。

作為用於形成半導體層的材料可以使用如下材料：使用以矽烷或鍺烷為代表的半導體材料氣體並採用氣相生長法或濺射法來製造的非晶半導體；利用光能或熱能來使非晶半導體晶化的多晶半導體、或半晶(也稱為微結晶或微晶。下文中也稱為“SAS”)半導體等。另外，也可以使用有機半導體材料。

作為非晶半導體可以代表性地舉出氫化非晶矽，作為晶體半導體可以代表性地舉出多晶矽等。多晶矽包括以在800℃以上的處理溫度下形成的多晶矽為主要材料的所謂高溫多晶矽；以在600℃以下的處理溫度下形成的多晶矽為主要材料的所謂低溫多晶矽；以及使用促進晶化的元素等而使非晶矽結晶的多晶矽等。當然，還可以採用如上所述的半晶半導體、或者在半導體膜的一部分中含有晶相的半導體。另外，作為半導體層既可以使用單晶半導體，又可以使用在單晶基板或具有絕緣表面的基板上設置有單晶半導體層的SOI基板。

當將晶體半導體膜用作半導體層時，該晶體半導體膜 的製作方法可以使用各種各樣的方法如雷射晶化法、熱晶化法、或者利用鎳等促進晶化的元素的熱晶化法等。

也可以在這樣獲得的半導體層中摻雜微量的雜質元素(硼或磷)，以控制薄膜電晶體的閾值電壓。

藉由使用電漿CVD法或濺射法等形成閘極絕緣層。作為閘極絕緣層，由以氮化矽、氧化矽、氧氮化矽或氮氧化矽為代表的矽的氧化物材料或氮化物材料等材料形成即可，並且可以是疊層或單層。

閘電極層、源電極層或汲電極層、及佈線層可以在藉由濺射法、PVD法、CVD法、氣相沉積法等形成導電膜之後，將該導電膜蝕刻成所希望的形狀來形成。另外，導電層可以藉由液滴噴出法、印刷法、分配器法或電鍍法等選擇性地形成在預定的位置上。而且，還可以使用回流法、鑲嵌法。作為源電極層或汲電極層的材料，可以使用金屬等導電性材料而形成具體如Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Cr、Nd、Ta、Cd、Zn、Fe、Ti、Zr、Ba、Si、或Ge等；其合金；或其金屬氮化物。此外，也可以採用這些材料的疊層結構。

可以用如下材料形成絕緣層571、598：氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧氮化鋁、以及其他無機絕緣材料；丙烯酸、甲基丙烯酸、以及其衍生物；聚醯亞胺、芳香族聚醯胺、聚苯並咪唑等的耐熱性聚合物；矽氧烷樹脂。此外，也可以使用聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛等的乙烯樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、酚醛清漆樹脂、丙 烯樹脂、三聚氰胺樹脂、氨酯樹脂等的樹脂材料。此外，還可以使用苯並環丁烯、氟化亞芳基醚、聚醯亞胺等的有機材料；含有水溶性均聚物和水溶性共聚物的組合物材料等。作為製造方法，可以使用電漿CVD法或熱CVD法等氣相成長法或濺射法。另外，也可以使用液滴噴出法或印刷法(絲網印刷法或膠印刷等形成圖案的方法)。還可以使用藉由塗布法獲得的膜或SOG膜等。

薄膜電晶體的結構不局限於本實施方式，而可以具有形成有一個通道形成區域的單閘極結構、形成有兩個通道形成區域的雙閘極結構或形成有三個通道形成區域的三閘極結構。另外，在週邊驅動電路區域的薄膜電晶體也可以為單閘極結構、雙閘極結構或三閘極結構。

本實施方式所示的薄膜電晶體的製造方法也可以使用頂閘型(例如共面型和交錯型)、底閘型(例如反共面型)、兩閘型、或其他結構。上述兩閘型中間夾閘極絕緣膜在通道區域的上方和下方配置有兩個閘電極層。

在本實施方式中的藉由使用包括導電性聚合物的導電性組成物製造並使用於顯示元件的電極層中設置有遮擋污染設置在顯示層的液晶材料等的離子性雜質的無機絕緣膜，有防止顯示層的劣化的效果。由此，藉由使用這種電極層及無機絕緣膜可以製造性能及可靠性高的顯示裝置。

另外，由於可以藉由濕處理製造顯示元件的電極層，材料的利用效率高且可以減少大型的真空裝置等的高價的設備，因此能夠實現低成本化和高生產率化。由此，藉由 利用本發明的本實施方式，可以以以低成本且高生產率地獲得高功能且高可靠性的顯示裝置及電子設備。

本實施方式可以與上述實施方式1自由地組合。

實施方式3

在本實施方式中對以可以賦予更高圖像品質和更高可靠性且以低成本且高生產率製造為目的的顯示裝置的一個實例進行說明。詳細來說，對作為顯示元件使用液晶顯示元件的液晶顯示裝置進行說明。

圖4A是本發明的一種方式的液晶顯示裝置的俯視圖，圖4B是沿圖4A的C－D的截面圖。

如圖4A所示，使用密封劑692將像素區域606、作為掃描線驅動電路的驅動電路區域608a、作為掃描線驅動電路的驅動電路區域608b，密封在基板600和相對基板695之間，並且在基板600上設置有由驅動器IC形成的作為信號線驅動電路的驅動電路區域607。在像素區域606中設置有電晶體622及電容元件623，並且在驅動電路區域608b中設置有具有電晶體620及電晶體621的驅動電路。作為基板600可以使用與上述實施方式相同的絕緣基板。此外，通常擔心由合成樹脂形成的基板與其他基板相比其耐熱溫度低，但是也可以藉由在使用耐熱性高的基板的製造步驟之後進行轉置來採用。

在像素區域606中，中間夾基底膜604a、基底膜604b在基板上設置有成為開關元件的電晶體622。在本實 施方式中，作為電晶體622使用多閘型薄膜電晶體(TFT)，該電晶體622包括具有用作源區域及汲區域的雜質區域的半導體層、閘極絕緣層、具有兩層的疊層結構的閘電極層、源電極層及汲電極層，並且其中源電極層或汲電極層與半導體層的雜質區域以及用於顯示元件的也被稱為像素電極層的電極層接觸地電連接。

半導體層中的雜質區域藉由控制其濃度，可以成為高濃度雜質區域及低濃度雜質區域。將如此具有低濃度雜質區域的薄膜電晶體稱作具有LDD(Lightly doped drain；輕摻雜汲)結構。此外，低濃度雜質區域可以與閘電極重疊地形成，將這種薄膜電晶體稱作具有GOLD(Gate Overlapped LDD；閘極重疊輕摻雜汲)結構。此外，薄膜電晶體的極性藉由將磷(P)等用於雜質區域來成為n型。當要使薄膜電晶體的極性成為p型時，添加硼(B)等即可。然後，形成覆蓋閘電極等的絕緣膜611及絕緣膜612。藉由使用混入於絕緣膜611(以及絕緣膜612)中的氫元素，可以使晶體半導體膜的懸空鍵終結。

為了進一步提高平整性，也可以形成絕緣膜615、絕緣膜616作為層間絕緣膜。作為絕緣膜615、絕緣膜616可以使用有機材料、無機材料或它們的疊層結構。例如，可以由選自氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化鋁、氧氮化鋁、氮含量比氧含量高的氮氧化鋁、氧化鋁、類金剛石碳(DLC)、聚矽氮烷、含氮碳(CN)、PSG(磷矽玻璃)、BPSG(硼磷矽玻璃)、礬土、含有其他無機絕緣材料 的物質中的材料形成。另外，也可以使用有機絕緣材料。有機材料可以是光敏性或非光敏性的，可以使用聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、抗蝕劑、苯並環丁烯、矽氧烷樹脂等。此外，矽氧烷樹脂相當於含有Si-O-Si鍵的樹脂。矽氧烷由矽(Si)和氧(O)的鍵構成骨架結構。作為取代基，使用至少包含氫的有機基(例如烷基、芳基)。作為取代基，也可以使用氟基。或者，作為取代基，也可以使用至少包含氫的有機基和氟基。

另外，藉由使用晶體半導體膜，可以在相同基板上集成地形成像素區域和驅動電路區域。在此情況下，同時形成像素區域中的電晶體和驅動電路區域608b中的電晶體。用於驅動電路區域608b的電晶體構成CMOS電路。構成CMOS電路的薄膜電晶體為GOLD結構，然而也可以使用如電晶體622那樣的LDD結構。

接著，以覆蓋使用於顯示元件的電極層630及絕緣膜616的方式形成用作障壁膜的無機絕緣層617a，並且藉由印刷法或液滴噴出法，在無機絕緣膜617a上形成稱作對準膜的絕緣層631。另外，如果使用絲網印刷法或膠版印刷法，則可以選擇性地形成絕緣層631。然後，進行摩擦處理。如果採用液晶方式例如為VA方式，則有時不進行該摩擦處理。用作對準膜的絕緣層633也是與絕緣層631同樣的。接著，藉由液滴噴出法，將密封劑692形成在形成有像素的區域的周邊區域。

然後，中間夾隔離物637將設置有用作對準膜的絕緣 層633、無機絕緣膜617b、使用於顯示元件的也稱作相對電極層的電極層634、用作顏色濾光片的著色層635、以及偏振器(也稱作偏振片)641b的相對基板695和作為TFT基板的基板600貼在一起，並且在其空隙中設置液晶層632。由於本實施方式的液晶顯示裝置是透過型，所以在與基板600的具有元件的表面相反側還提供偏振器(偏振片)641a。偏振器和著色層的疊層結構不局限於圖4A和4B，根據偏振器及著色層的材料或製造處理條件適當地設定即可。偏振器可以由粘合層設置在基板上。在密封劑中也可以混入有填充劑，並且還可以在相對基板695上形成有遮罩膜(黑矩陣)等。另外，在液晶顯示裝置為全彩色顯示的情況下，由呈現紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)的材料形成顏色濾光片等即可，而在液晶顯示裝置為單色顯示的情況下，去掉著色層或者由呈現至少一種顏色的材料形成即可。另外，也可以在顯示裝置的可見一側設置具有反射阻擋功能的反射障壁膜。

另外，當在背光燈中配置RGB的發光二極體(LED)等，並且採用藉由時間分割進行彩色顯示的場序制方式(field sequential method)時，有時不設置顏色濾光片。因為黑矩陣減少由電晶體或CMOS電路的佈線引起的外光的反射，所以最好與電晶體或CMOS電路重疊地設置。另外，也可以與電容元件重疊地形成黑矩陣。這是因為可以防止構成電容元件的金屬膜引起的反射的緣故。

作為形成液晶層的方法，可以採用分配器方式(滴落 方式)或者注入法，該注入法是在將具有元件的基板600和相對基板695貼在一起後，利用毛細現象注入液晶的方法。當處理難以應用注入法的大型基板時，最好適用滴落法。

間隔物也可以藉由散佈幾μ m的粒子來設置，但在本實施方式中採用了在基板的整個表面上形成樹脂膜後，將它蝕刻加工來形成的方法。在使用旋塗器塗敷這種隔離物的材料後，藉由曝光和顯影處理將它形成為預定的圖形。而且，藉由用潔淨烘箱等以150℃至200℃加熱它並使它固化。這樣製造的間隔物可以根據曝光和顯影處理的條件而具有不同形狀，但是，間隔物的形狀最好為頂部平整的柱狀，這樣當與相對一側的基板貼在一起時，可以確保作為液晶顯示裝置的機械強度。間隔物的形狀可以為圓錐、角錐等而沒有特別的限制。

接著，在與像素區域電連接的端子電極層678上，中間夾著各向異性導電體層696設置作為連接用佈線基板的FPC694。FPC694具有傳達來自外部的信號或電位的功能。藉由上述步驟，可以製造具有顯示功能的液晶顯示裝置。

也可以在偏振片和液晶層之間具有相位差板的狀態下進行層疊。

圖4A和4B表示透過型液晶顯示裝置，將包括透光性的導電性聚合物的電極層用作電極層630、電極層634。在電極層630和用作對準膜的絕緣層631之間設置有無機 絕緣膜617a，在電極層634和用作對準膜的絕緣層633之間設置有無機絕緣膜617b，無機絕緣膜617a和無機絕緣膜617b作為防止離子性雜質從電極層630、電極層634擴散到對準膜或液晶層的障壁膜發揮功能。

利用本發明的本實施方式的包括導電性聚合物的電極層及用作障壁膜的無機絕緣膜使用與本實施方式相同的材料和處理製造即可，可以適用實施方式1。

使用圖4A和4B所示的顯示裝置，可以製造液晶顯示模組。圖6A和6B示出使用藉由利用本發明而製造的TFT基板2600構成顯示裝置(液晶顯示模組)的實例。

圖6A示出了液晶顯示模組的一個例子，其中TFT基板2600和相對基板2601被密封劑2602固定，且在它們之間設置有包括TFT等的像素部2603、包括液晶層的顯示元件2604、著色層2605、偏振片2606，以形成顯示區域。為了執行彩色顯示，著色層2605是必須的。在RGB方式的情況下，給各像素提供對應於紅、綠、藍各種顏色的著色層。TFT基板2600和相對基板2601的外側設置有偏振片2606、偏振片2607、以及擴散板2613。光源由冷陰極管2610和反射板2611構成。電路基板2612藉由撓性線路板2609與TFT基板2600的佈線電路部2608連接，並且組合有諸如控制電路和電源電路等外部電路。另外，也可以在偏振片和液晶層之間具有相位差板的狀態下層疊它們。

液晶顯示模組可以採用TN(扭曲向列相)模式、IPS(平 面內轉換)模式、FFS(邊緣場轉換)模式、MVA(多疇垂直對準)模式、PVA(垂直對準構型)模式、ASM(軸對稱排列微單元)模式、OCB(光補償雙折射)模式、FLC(鐵電性液晶)模式、AFLC(反鐵電性液晶)模式等。

圖6B示出了一個例子，其中將OCB模式應用於圖6A的液晶顯示模組，並成為FS－LCD(Field sequential－LCD；場序液晶顯示器)。FS－LCD在一幀期間內分別執行紅色、綠色、以及藍色發光，藉由時間分割合成圖像，而能夠執行彩色顯示。而且，用發光二極體或冷陰極管等來執行各種發光，因而不需要顏色濾光片。因此，由於不需要排列提供三原色的顏色濾光片來限定各種顏色的顯示區域，所以哪個區域都可以執行三種顏色的顯示。另一方面，由於在一幀期間內執行三種顏色的發光，所以要求液晶高速回應。當將用FS方式的FLC模式及OCB模式應用於本發明的顯示裝置時，可以完成高功能且高圖像品質的顯示裝置或液晶電視裝置。

OCB模式的液晶層具有所謂的π單元結構。在π單元結構中，液晶分子被取向成其預傾角相對於有源矩陣基板和相對基板之間的中心面對稱。當對基板之間未施加電壓時，π單元結構中的取向是傾斜取向，且當施加電壓時轉變成彎曲取向。該彎曲取向為白色顯示。而且，若進一步施加電壓，彎曲取向的液晶分子取向為垂直於兩個基板，並且處於不透過光的狀態。另外，藉由使用OCB模式，可以實現比常規的TN模式高大約10倍的回應速度。

另外，作為一種對應於FS方式的模式，還可以採用HV(Half V)－FLC和SS(Surface Stabilized)－FLC等，這些模式採用能夠高速工作的鐵電性液晶(FLC)。OCB模式可以使用粘度比較低的向列相液晶，而HV－FLC或SS－FLC可以使用具有鐵電相的近晶相液晶。

另外，藉由使液晶顯示模組的單元間隙變窄，來可以使液晶顯示模組的高速光學回應速度高速化。或者，藉由降低液晶材料的粘度，也可以實現高速化。另外，藉由使用只在一瞬間提高(或降低)外加電壓的過驅動(overdrive)方法，能夠進一步實現高速化。

圖6B的液晶顯示模組是透射型液晶顯示模組，其中設置有紅色光源2910a、綠色光源2910b、以及藍色光源2910c作為光源。為了控制紅色光源2910a、綠色光源2910b、以及藍色光源2910c的接通(ON)或關斷(OFF)，光源設置有控制部2912。各種顏色的發光被控制部2912控制，光入射液晶，並藉由時間分割合成圖像，從而執行彩色顯示。

在本實施方式中的藉由使用包括導電性聚合物的導電性組成物製造並使用於顯示元件的電極層中設置有遮擋污染設置在顯示層的液晶材料等的離子性雜質的無機絕緣膜，有防止顯示層的劣化的效果。由此，藉由使用這種電極層及無機絕緣膜可以製造性能及可靠性高的顯示裝置。

另外，由於可以藉由濕處理製造使用於顯示元件的電極層，材料的利用效率高且可以減少大型的真空裝置等的 高價的設備，因此能夠實現低成本化和高生產率化。由此，藉由利用本發明，可以低成本且高生產率地獲得性能及可靠性高的顯示裝置及電子設備。

本實施方式可以與上述實施方式1、或者實施方式2自由地組合。

實施方式4

藉由使用根據本發明製造的顯示裝置，可以完成電視裝置(也簡單地稱作電視機、或電視接收機)。圖10為示出了電視裝置的主要結構的方塊圖。

圖8A是示出根據本發明的顯示面板的結構的俯視圖，其中在具有絕緣表面的基板2700上形成有以矩陣狀排列像素2702的像素部2701、掃描線輸入端子2703、信號線輸入端子2704。像素數量可以根據各種標準來設定，若是XGA且使用RGB的全彩色顯示，則像素數量是1024×768×3(RGB)，若是UXGA且使用RGB的全彩色顯示，則像素數量是1600×1200×3(RGB)，若對應於全規格高清晰圖像品質且使用RGB的全彩色顯示，則像素數量是1920×1080×3(RGB)即可。

像素2702是通過從掃描線輸入端子2703延伸的掃描線和從信號線輸入端子2704延伸的信號線交叉，以矩陣狀排列的。像素部2701中的每一個像素具有開關元件和連接於該開關元件的使用於顯示元件的電極層。開關元件的典型實例是TFT。藉由將TFT的閘電極層側連接到掃描 線並將TFT的源極或汲極側連接到信號線，能夠利用從外部輸入的信號獨立地控制每一個像素。

圖8A示出了用外部驅動電路控制輸入到掃描線及信號線的信號的一種顯示面板的結構。如圖9A所示，也可以藉由COG(玻璃上晶片安裝)方式將驅動器IC2751安裝在基板2700上。此外，作為其他安裝方式，也可以使用圖9B所示的TAB(帶式自動接合)方式。驅動器IC既可以是形成在單晶半導體基板上的驅動器IC，又可以是在玻璃基板上由TFT形成電路的驅動器IC。在圖9A和9B中，驅動器IC2751與FPC(Flexible Printed Circuit，撓性印刷電路)2750連接。

此外，當由具有結晶性的半導體形成設置在像素中的TFT時，如圖8B所示，也可以在基板3700上形成掃描線驅動電路3702。在圖8B中，像素部3701與圖8A同樣地由連接到信號線輸入端子3704的外部驅動電路來控制。在設置在像素中的TFT由遷移度高的多晶(微晶)半導體或單晶半導體等形成的情況下，如圖8C所示，也可以在基板4700上集成地形成像素部4701、掃描線驅動電路4702和信號線驅動電路4704。

作為圖10中的顯示面板，可以舉出如下情況：如圖8A所示的結構那樣只形成像素部901，並且掃描線驅動電路903和信號線驅動電路902藉由如圖9B所示的TAB方式安裝或藉由如圖9A所示的COG方式安裝；如圖8B所示，形成TFT，來在基板上形成像素部901和掃描線驅動 電路903，並且另外安裝作為驅動器IC的信號線驅動電路902；如圖8C所示，將像素部901、信號線驅動電路902和掃描線驅動電路903集成地形成在基板上；等等。但是，可以採用任一方式。

在圖10中，作為其他外部電路的結構，在圖像信號的輸入側包括放大調諧器904所接收的信號中的圖像信號的圖像信號放大電路905、將從圖像信號放大電路905輸出的信號轉換為與紅、綠和藍每種顏色對應的顏色信號的圖像信號處理電路906、以及將其圖像信號轉換成驅動器IC的輸入規格的控制電路907等。控制電路907將信號分別輸出到掃描線側和信號線側。在進行數位驅動的情況下，也可以具有如下結構，即在信號線側設置信號分割電路908並且將輸入數位信號分成m個來提供。

調諧器904所接收的信號中的聲音信號被傳送到聲音信號放大電路909，並且聲音信號放大電路909的輸出通過聲音信號處理電路910提供到揚聲器913。控制電路911從輸入部912接收接收站(接收頻率)和音量的控制資訊，並且將信號傳送到調諧器904或聲音信號處理電路910。

如圖11A和11B所示，將這種顯示模組嵌入在框體中，從而可以完成電視裝置。藉由使用液晶顯示模組作為顯示模組，可以製造液晶電視裝置。在圖11A中，由顯示模組形成主屏2003，並且作為其他輔助設備設置有揚聲器部2009和操作開關等。這樣，根據本發明可以完成電視裝置 。

在框體2001中組合有顯示用面板2002，並且可以由接收器2005接收普通的電視廣播，而且，可以藉由數據機2004連接到採用有線或無線方式的通訊網路，來進行單方向(從發送者到接收者)或雙方向(在發送者和接收者之間或在接收者之間)的資訊通信。可以使用安裝在框體中的開關或另外提供的遙控器2006來操作電視裝置，並且還可以在該遙控器中也設置有用於顯示輸出資訊的顯示部2007。

另外，除了主屏2003之外，電視裝置也可以包括由第二顯示用面板形成的子屏2008來顯示頻道或音量等。在這種結構中，可以使用本發明的液晶顯示用面板形成主屏2003及子屏2008。藉由使用本發明，甚至當使用這種大尺寸基板並且使用大量的TFT和電子部件時，也可以形成可靠性高的顯示裝置。

圖11B示出了具有例如為20英寸至80英寸的大型顯示部的電視裝置，其包括框體2010、顯示部2011、作為操作部的遙控器2012、以及揚聲器部2013等。將本發明應用於顯示部2011的製造中。圖11B的電視裝置是掛壁式的，所以不需要大的設置空間。可以藉由濕處理形成本發明中的使用於顯示元件的電極層，因此即使如圖11A和11B所示的具有大型顯示部的電視裝置，也能夠以低成本且高生產率率地製造。

當然，本發明不局限於電視裝置，並且可以應用於各 種各樣的用途，如個人計算機的監視器、大面積的顯示媒體如火車站或機場等中的資訊顯示板或者街頭的廣告顯示板等。

本實施方式可以與上述實施方式1至3適當地組合。

實施方式5

作為根據本發明的電子設備，可以舉出電視裝置(簡單地稱作電視，或者電視接收機)、如數位相機和數位攝像機等的影像拍攝裝置、可攜式電話機(簡單地稱作行動電話機、手機)、PDA等的可攜式資訊終端、可攜式遊戲機、用於計算機的監視器、計算機、汽車音響等的聲音再現裝置、以及家用遊戲機等的具備記錄媒體的圖像再現裝置等。另外，本發明可以適用於諸如彈珠機、自動賭博機、彈珠台、大型遊戲機之類的具有顯示裝置的所有遊戲機。對於其具體例子，參照圖7A至7F來說明。

圖7A所示的可攜式資訊終端設備，包括主體9201、顯示部9202等。對於顯示部9202可以應用本發明的顯示裝置。其結果是，可以提供能夠顯示圖像品質高的圖像的高功能且高可靠性的可攜式資訊終端設備。

圖7B所示的數位攝像機，包括顯示部9701、顯示部9702等。對於顯示部9701可以應用本發明的顯示裝置。其結果是，可以提供能夠顯示圖像品質高的圖像的高功能且高可靠性的數位攝像機。

圖7C所示的可攜式電話機，包括主體9101、顯示部 9102等。對於顯示部9102可以應用本發明的顯示裝置。其結果是，可以提供能夠顯示圖像品質高的圖像的高功能且高可靠性的可攜式電話機。

圖7D所示的可攜式電視裝置，包括主體9301、顯示部9302等。對於顯示部9302可以應用本發明的顯示裝置。其結果是，可以提供能夠顯示高圖像品質的圖像的高性能且高可靠性的可攜式電視裝置。此外，可以將本發明的顯示裝置廣泛地應用於如下電視裝置：安裝到行動電話機等的可攜式終端的小型電視裝置；能夠搬運的中型電視裝置；以及大型電視裝置(例如40英寸以上)。

圖7E所示的可攜式計算機，包括主體9401、顯示部9402等。對於顯示部9402可以應用本發明的顯示裝置。其結果是，可以提供能夠顯示圖像品質高的圖像的高功能且高可靠性的可攜式計算機。

圖7F所示的自動賭博機包括主體9501及顯示部9502等。對於顯示部9502可以適用本發明的液晶顯示裝置。其結果是，可以提供能夠顯示圖像品質高的圖像的高功能且高可靠性的自動賭博機。

另外，在本發明中將自發光型的發光元件用作顯示元件的顯示裝置(發光顯示裝置)可以用作照明裝置。應用本發明的顯示裝置可以用作小型的臺燈或室內的大型的照明裝置。而且，本發明的發光顯示裝置也可以用作液晶顯示裝置的背光燈。藉由將本發明的發光顯示裝置用作液晶顯示裝置的背光燈，可以實現液晶顯示裝置的高可靠性化 。另外，本發明的發光顯示裝置是面發光的照明裝置且可以實現大面積化，因此可以實現背光燈的大面積化，而且可以實現液晶顯示裝置的大面積化。進而，因為本發明的發光顯示裝置是薄型的，所以可以實現液晶顯示裝置的薄型化。

如上所述，藉由使用本發明的顯示裝置，可以提供能夠顯示圖像品質高的圖像的高功能且高可靠性的電子設備。

本實施方式可以與上述實施方式1至4適當地組合。

本申請基於2007年6月15日在日本專利局提交的日本專利申請序列號2007－159178，在此引用其全部內容作為參考。

531‧‧‧電極層

550‧‧‧基板

551‧‧‧電晶體

554‧‧‧半導體層

556‧‧‧偏振器

557‧‧‧絕緣層

558‧‧‧閘極絕緣層

560‧‧‧電極層

561‧‧‧絕緣層

562‧‧‧液晶層

563‧‧‧絕緣層

564‧‧‧電極層

565‧‧‧著色層

568‧‧‧基板

569‧‧‧偏振器

570‧‧‧遮光層

571‧‧‧絕緣層

572‧‧‧隔離物

581‧‧‧電晶體

582‧‧‧閘電極層

584‧‧‧閘極絕緣層

586‧‧‧半導體層

588‧‧‧電極層

589‧‧‧球形粒子

594‧‧‧空洞

595‧‧‧填料

598‧‧‧絕緣層

599‧‧‧無機絕緣膜

600‧‧‧基板

606‧‧‧像素區域

607‧‧‧驅動電路區域

611‧‧‧絕緣膜

612‧‧‧絕緣膜

615‧‧‧絕緣膜

616‧‧‧絕緣膜

620‧‧‧電晶體

621‧‧‧電晶體

622‧‧‧電晶體

623‧‧‧電容元件

630‧‧‧電極層

631‧‧‧絕緣層

632‧‧‧液晶層

633‧‧‧絕緣層

634‧‧‧電極層

635‧‧‧著色層

637‧‧‧隔離物

678‧‧‧端子電極層

692‧‧‧密封劑

694‧‧‧FPC

695‧‧‧相對基板

696‧‧‧各向異性導電體層

901‧‧‧像素部

902‧‧‧信號線驅動電路

903‧‧‧掃描線驅動電路

904‧‧‧調諧器

905‧‧‧圖像信號放大電路

906‧‧‧圖像信號處理電路

907‧‧‧控制電路

908‧‧‧信號分割電路

909‧‧‧聲音信號放大電路

910‧‧‧聲音信號處理電路

911‧‧‧控制電路

912‧‧‧輸入部

913‧‧‧揚聲器

1400‧‧‧基板

1403‧‧‧液滴噴出單元

1404‧‧‧成像裝置

1405‧‧‧噴頭

1406‧‧‧虛線

1407‧‧‧控制裝置

1408‧‧‧儲存媒體

1409‧‧‧圖像處理裝置

1410‧‧‧計算機

1411‧‧‧標記

1412‧‧‧噴頭

1413‧‧‧材料供給源

1414‧‧‧材料供給源

1700‧‧‧基板

1703‧‧‧液晶層

1704‧‧‧絕緣層

1705‧‧‧電極層

1710‧‧‧基板

1712‧‧‧絕緣層

1713‧‧‧顯示元件

1714‧‧‧偏振片

1715‧‧‧電極層

1716‧‧‧無機絕緣膜

1720‧‧‧遮光層

1721‧‧‧絕緣層

2001‧‧‧框體

2002‧‧‧顯示用面板

2003‧‧‧主屏

2004‧‧‧數據機

2005‧‧‧接收器

2006‧‧‧遙控器

2007‧‧‧顯示部

2008‧‧‧子屏

2009‧‧‧揚聲器部

2010‧‧‧框體

2011‧‧‧顯示部

2012‧‧‧遙控器

2013‧‧‧揚聲器部

2600‧‧‧TFT基板

2601‧‧‧相對基板

2602‧‧‧密封劑

2603‧‧‧像素部

2604‧‧‧顯示元件

2605‧‧‧著色層

2606‧‧‧偏振片

2607‧‧‧偏振片

2608‧‧‧佈線電路部

2609‧‧‧撓性線路板

2610‧‧‧冷陰極管

2611‧‧‧反射板

2612‧‧‧電路基板

2613‧‧‧擴散板

2700‧‧‧基板

2701‧‧‧像素部

2702‧‧‧像素

2703‧‧‧掃描線輸入端子

2704‧‧‧信號線輸入端子

2751‧‧‧驅動器IC

2912‧‧‧控制部

3700‧‧‧基板

3701‧‧‧像素部

3702‧‧‧掃描線驅動電路

3704‧‧‧信號線輸入端子

4700‧‧‧基板

4701‧‧‧像素部

4702‧‧‧掃描線驅動電路

4704‧‧‧信號線驅動電路

552a‧‧‧閘電極層

552b‧‧‧閘電極層

553a‧‧‧半導體層

553b‧‧‧半導體層

553c‧‧‧半導體層

555a‧‧‧佈線層

555b‧‧‧佈線層

555c‧‧‧佈線層

557a‧‧‧無機絕緣膜

557b‧‧‧無機絕緣膜

585a‧‧‧佈線層

585b‧‧‧佈線層

587a‧‧‧電極層

587b‧‧‧電極層

590a‧‧‧黑色區域

590b‧‧‧白色區域

604a‧‧‧基底膜

604b‧‧‧基底膜

608a‧‧‧驅動電路區域

608b‧‧‧驅動電路區域

617a‧‧‧無機絕緣膜

617b‧‧‧無機絕緣膜

641a‧‧‧偏振器

641b‧‧‧偏振器

9101‧‧‧主體

9102‧‧‧顯示部

9201‧‧‧主體

9202‧‧‧顯示部

9301‧‧‧主體

9302‧‧‧顯示部

9401‧‧‧主體

9402‧‧‧顯示部

9501‧‧‧主體

9502‧‧‧顯示部

9701‧‧‧顯示部

9702‧‧‧顯示部

1701a‧‧‧電極層

1701b‧‧‧電極層

1701c‧‧‧電極層

1706a‧‧‧著色層

1706b‧‧‧電極層

1706c‧‧‧電極層

1714a‧‧‧偏振片

1714b‧‧‧偏振片

2910a‧‧‧紅色光源

2910b‧‧‧綠色光源

2910c‧‧‧藍色光源

圖1A和1B是表示本發明的顯示裝置的截面圖；圖2是表示本發明的顯示裝置的截面圖；圖3是表示在本發明的顯示裝置的製造步驟中可以利用的液滴噴出裝置的圖；圖4A和4B是表示本發明的顯示裝置的平面圖及截面圖；圖5是表示本發明的顯示裝置的截面圖；圖6A和6B是表示本發明的顯示模組的截面圖；圖7A至7F是表示本發明的電子設備的圖；圖8A至8C是表示本發明的顯示裝置的平面圖； 圖9A和9B是表示本發明的顯示裝置的平面圖；圖10是表示應用了本發明的電子設備的主要結構的方塊圖；圖11A和11B是表示本發明的電子設備的圖。

1701a‧‧‧電極層

1701b‧‧‧電極層

1701c‧‧‧電極層

1706a‧‧‧著色層

1706b‧‧‧電極層

1706c‧‧‧電極層

1700‧‧‧基板

1703‧‧‧液晶層

1704‧‧‧絕緣層

1705‧‧‧電極層

1710‧‧‧基板

1712‧‧‧絕緣層

1713‧‧‧顯示元件

1714‧‧‧偏振片

1716‧‧‧無機絕緣膜

1720‧‧‧遮光層

1721‧‧‧絕緣層

Claims (32)

1. 一種顯示裝置，包括：顯示元件，包括：包括導電性聚合物的第一電極層；與所述第一電極層相對的第二電極層；設置在所述第一電極層和所述第二電極層之間的顯示層；以及設置在所述第一電極層和所述顯示層之間的無機絕緣膜，其中，所述第一電極層還包含有機樹脂。
2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中所述第一電極層和所述無機絕緣膜彼此接觸。
3. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中所述無機絕緣膜是氮化矽膜或氮氧化矽膜。
4. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中所述無極絕緣膜的膜厚度為等於或大於5nm且等於或小於500nm。
5. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中所述導電性聚合物是選自聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、以及它們的衍生物中的一種。
6. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中所述第一電極層還包括作為摻雜劑的鹵素、路易士酸、無機酸、有機酸、過渡金屬鹵素化合物、有機氰化合物、以及非離子性表面活性劑中的一種或多種。
7. 一種顯示裝置，包括： 顯示元件，包括：包括導電性聚合物的第一電極層；與所述第一電極層相對的第二電極層；設置在所述第一電極層和所述第二電極層之間的顯示層；以及設置在所述第一電極層和所述顯示層之間的無機絕緣膜，其中，所述顯示層是液晶層，以及其中，所述第一電極層還包含有機樹脂。
8. 如申請專利範圍第7項之顯示裝置，其還包括：設置在所述無機絕緣膜和所述顯示層之間的對準膜。
9. 如申請專利範圍第7項之顯示裝置，其中所述第一電極層和所述無機絕緣膜彼此接觸。
10. 如申請專利範圍第7項之顯示裝置，其中所述無機絕緣膜是氮化矽膜或氮氧化矽膜。
11. 如申請專利範圍第7項之顯示裝置，其中所述無極絕緣膜的膜厚度為等於或大於5nm且等於或小於500nm。
12. 如申請專利範圍第7項之顯示裝置，其中所述導電性聚合物是選自聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、以及它們的衍生物中的一種。
13. 如申請專利範圍第7項之顯示裝置，其中所述第一電極層還包括作為摻雜劑的鹵素、路易士酸、無機酸、有機酸、過渡金屬鹵素化合物、有機氰化合物、以及非離 子性表面活性劑中的一種或多種。
14. 一種顯示裝置，包括：顯示元件，包括：包括導電性聚合物的第一電極層；包括所述導電性聚合物且與所述第一電極層相對的第二電極層；設置在所述第一電極層和所述第二電極層之間的顯示層；設置在所述第一電極層和所述顯示層之間的第一無機絕緣膜；以及設置在所述第二電極層和所述顯示層之間的第二無機絕緣膜。
15. 如申請專利範圍第14項之顯示裝置，其中所述第一電極層和所述第一無機絕緣膜彼此接觸，並且所述第二電極層和所述第二無機絕緣膜彼此接觸。
16. 如申請專利範圍第14項之顯示裝置，其中所述第一無機絕緣膜和所述第二無機絕緣膜是氮化矽膜或氮氧化矽膜。
17. 如申請專利範圍第14項之顯示裝置，其中所述第一無機絕緣膜和所述第二無機絕緣膜的膜厚度分別為等於或大於5nm且等於或小於500nm。
18. 如申請專利範圍第14項之顯示裝置，其中所述導電性聚合物是選自聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、以及它們的衍生物中的一種。
19. 如申請專利範圍第14項之顯示裝置，其中所述第一電極層還包括有機樹脂，並且所述第二電極層還包括所述有機樹脂。
20. 如申請專利範圍第14項之顯示裝置，其中所述第一電極層和所述第二電極層分別還包括作為摻雜劑的鹵素、路易士酸、無機酸、有機酸、過渡金屬鹵素化合物、有機氰化合物、以及非離子性表面活性劑中的一種或多種。
21. 一種顯示裝置，包括：顯示元件，包括：包括導電性聚合物的第一電極層；包括所述導電性聚合物且與所述第一電極層相對的第二電極層；設置在所述第一電極層和所述第二電極層之間的顯示層；設置在所述第一電極層和所述顯示層之間的第一無機絕緣膜；以及設置在所述第二電極層和所述顯示層之間的第二無機絕緣膜，其中所述顯示層是液晶層。
22. 如申請專利範圍第21項之顯示裝置，其還包括：設置在所述第一無機絕緣膜和所述顯示層之間的第一對準膜；以及設置在所述第二無機絕緣膜和所述顯示層之間的第二 對準膜。
23. 如申請專利範圍第21項之顯示裝置，其中所述第一電極層和所述第一無機絕緣膜彼此接觸，並且所述第二電極層和所述第二無機絕緣膜彼此接觸。
24. 如申請專利範圍第21項之顯示裝置，其中所述第一無機絕緣膜和所述第二無機絕緣膜是氮化矽膜或氮氧化矽膜。
25. 如申請專利範圍第21項之顯示裝置，其中所述第一無機絕緣膜和所述第二無機絕緣膜的膜厚度分別為等於或大於5nm且等於或小於500nm。
26. 如申請專利範圍第21項之顯示裝置，其中所述導電性聚合物是選自聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、以及它們的衍生物中的一種。
27. 如申請專利範圍第21項之顯示裝置，其中所述第一電極層還包括有機樹脂，並且所述第二電極層還包括所述有機樹脂。
28. 如申請專利範圍第21項之顯示裝置，其中所述第一電極層和所述第二電極層分別還包括作為摻雜劑的鹵素、路易士酸、無機酸、有機酸、過渡金屬鹵素化合物、有機氰化合物、以及非離子性表面活性劑中的一種或多種。
29. 一種電子設備，包括如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中所述電子設備是選自電視裝置、可攜式資訊終端、數位影像拍攝裝置、可攜式電話機、可攜式電視裝 置、可攜式計算機、以及自動賭博機中的一種。
30. 一種電子設備，包括如申請專利範圍第7項之顯示裝置，其中所述電子設備是選自電視裝置、可攜式資訊終端、數位影像拍攝裝置、可攜式電話機、可攜式電視裝置、可攜式計算機、以及自動賭博機中的一種。
31. 一種電子設備，包括如申請專利範圍第14項之顯示裝置，其中所述電子設備是選自電視裝置、可攜式資訊終端、數位影像拍攝裝置、可攜式電話機、可攜式電視裝置、可攜式計算機、以及自動賭博機中的一種。
32. 一種電子設備，包括如申請專利範圍第21項之顯示裝置，其中所述電子設備是選自電視裝置、可攜式資訊終端、數位影像拍攝裝置、可攜式電話機、可攜式電視裝置、可攜式計算機、以及自動賭博機中的一種。