TWI436852B - 研磨裝置及研磨方法 - Google Patents

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TWI436852B TW097122820A TW97122820A TWI436852B TW I436852 B TWI436852 B TW I436852B TW 097122820 A TW097122820 A TW 097122820A TW 97122820 A TW97122820 A TW 97122820A TW I436852 B TWI436852 B TW I436852B
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Description

研磨裝置及研磨方法
本發明係關於用於研磨諸如半導體晶圓之基板的研磨裝置及研磨方法，且詳言之，係關於用於使用研磨帶而研磨基板的週邊(periphery)之研磨裝置及研磨方法。
從改善在半導體製造之良率(yield)的觀點來看，在半導體晶圓之週邊中的表面狀態之管理近來已獲得注意。在半導體製造製程中，將一些材料重複沉積在晶圓上以形成多層結構。因此，不想要的材料及粗糙的表面會形成在不能使用為產品的週邊上。近年來，藉由僅支承晶圓之週邊以轉移晶圓係越來越普遍。在這些情況下，在許多製程期間，不想要的材料會脫離週邊至形成在晶圓上之裝置，造成較低的良率。因此，已習慣使用研磨裝置而研磨晶圓之週邊以移除不想要的銅膜及粗糙的表面。
第1圖係用於研磨晶圓之週邊的習知研磨裝置之示意圖。如第1圖所示，此種類型之研磨裝置具有晶圓載物台單元(wafer stage unit)120組構成支承晶圓W之形態，研磨頭142組構成以對著晶圓W之週邊按壓研磨帶141之形態，用於供應研磨帶141至研磨頭142之供應捲盤(supply reel)145a，以及用於捲收使用過的研磨帶141之捲收盤(rewind reel)145b。供應捲盤145a及捲收盤145b係旋轉以便供應與捲收研磨帶141。供應捲盤145a及捲收盤145b係固定在研磨裝置部分之靜止構件。
研磨頭142具有帶移送機構(tape transfer mechanism)143在其中。帶移送機構143具有帶移送捲軸及支承捲軸。當旋轉帶移送捲軸因而移送研磨帶141時，研磨帶141即插入在轉移帶捲軸及支承捲軸之間。藉由帶移送機構143將研磨帶141拉向研磨頭142。研磨帶141之移動方向係藉由引導滾輪(guide roller)157a、157b、157c、157d、157e引導使得研磨帶141與晶圓W之週邊接觸。在接觸晶圓W之週邊之後，研磨帶141係藉由捲收盤145b而捲收。供應捲盤145a及捲收盤145b耦接至提供研磨帶141適當張力之未圖示的馬達。如第1圖之箭頭所示，研磨頭142在垂直方向執行線性往復運動(linearly－reciprocating motion)由此在研磨帶141與晶圓W之間提供相對運動，由此研磨晶圓W之週邊。
第2圖係顯示研磨頭142之線性往復運動機構之俯視圖。第3A至3D圖係沿著第2圖之線III－III所擷取之圖式。
研磨頭142係固定在可移動手臂160之一端，而凸輪軸(cam shaft)161係設置在可移動手臂160之另一端。可移動手臂160係藉由支撐手臂162經線性引導器163而支撐。線性引導器163係組構成引導可移動手臂160運動以便允許可移動手臂160相對於支撐手臂162線性移動之形態。用於驅動凸輪軸161之馬達M安裝於支撐手臂162上。馬達M具有旋轉的輪軸，經由滑輪(pulley)p101及p102與傳送帶(belt)b100耦接至凸輪軸161。馬達M的旋轉輪軸及凸輪軸161係藉由安裝於支撐手臂162上之軸承164A 及164B而旋轉地支撐。凸輪軸161具有偏離軸承164B中央軸之偏心輪軸(eccentric shaft)161a。在偏心輪軸161a之頂端上安裝有凸輪165。凸輪165係安裝至可移動手臂160之U型部分之溝槽166中(見第3A圖)。
當供給馬達M能量時，凸輪軸161經由滑輪p101及p102與傳送帶b100而旋轉。由於偏心輪軸161a係從軸承164B中央軸脫離之中央軸偏離旋轉，凸輪165亦偏離旋轉。如第3A至3D圖所示，在溝槽166中之凸輪165之偏離旋轉使可移動手臂160在垂直方向執行線性往復運動，因此使在可移動手臂160之頂端上之研磨頭142在垂直方向執行線性往復運動。
帶移送機構143係可操作以在一定的速度將研磨帶141從供應捲盤145a移送至捲收盤145b。一方面，移送帶的速度相當慢，而另一方面，線性往復運動之研磨頭142之速度相當快高。因此，在稍後將會討論之供應捲盤145a及捲收盤145b之供應及捲收帶操作中，當與往復運動之研磨頭142之速度相比時，移送帶之速度是幾乎可以忽略的。
第4A至4C圖係顯示研磨頭142、供應捲盤145a及捲收盤145b之操作之圖式。在第4A至4C圖中，元件符號A與B代表附著於供應捲盤145a及捲收盤145b之研磨帶141上之某些點。
第4A圖顯示研磨頭142之中心Ch對準晶圓W之厚度中心Cw(以下簡稱為晶圓中心)之狀態。在研磨期間，晶圓中心Cw固定在適當位置上。另一方面，研磨頭142橫 跨晶圓中心Cw執行線性往復運動。
第4B圖顯示研磨頭142從晶圓中心Cw向下線性移動之狀態。在向下移動期間，研磨帶141從供應捲盤145a及捲收盤145b拉回，而在研磨帶141上之點A與B係向下移動，如第4B圖所示。因此，供應捲盤145a及捲收盤145b係經由某些對應於已被拉出之研磨帶141長度之角度而旋轉。
第4C圖顯示研磨頭142從晶圓中心Cw向上線性移動之狀態。在向上移動期間，研磨帶141係藉由供應捲盤145a及捲收盤145b而捲收，而在研磨帶141上之點A與B係向上移動，如第4C圖所示。因此，供應捲盤145a及捲收盤145b係經由某些對應於已被捲收之研磨帶141長度之角度而旋轉。以此方式，依照在研磨頭142與供應及捲收盤145a、145b之間距離的改變，供應捲盤145a及捲收盤145b重複研磨帶141之供應與捲收，如第4B與4C圖所示。
然而，隨著供應捲盤145a及捲收盤145b重複研磨帶141之供應與捲收，當供應與捲收操作切換時，研磨帶141之張力會改變，造成不穩定之研磨性能。尤其是，隨著往復運動變的較快。當供應與捲收操作切換時，可能有過度的張力施力於研磨帶141上。因此，研磨帶141會被切割或拉長(也就是固定的伸張)。另一方面，當供應與捲收操作切換時，研磨帶141之張力可能為零。因此，研磨帶141變鬆弛，而無法獲得期望的研磨性能。
如果可以增加研磨頭142的往復運動速度，就可增加 每單位時間材料之磨除量(也就是研磨速度或移除率)。因此，可改善研磨裝置之研磨性能。然而，由於上述的問題，研磨頭142之往復運動速度不能增加很高。為了解決這些問題，可合併供應捲盤145a在研磨頭142中。然而，在此情況中，用於提供研磨帶張力之馬達變得很重。此外，如果使用長的研磨帶141，則需要大的供應捲盤145a。這表示用於往復運動之研磨頭142與驅動機構需要大尺寸。
有鑒於上述缺點而產生了本發明。因此本發明之目的係提供能夠在研磨期間提供實質上一定張力之研磨帶與能夠改善移除率之研磨裝置與研磨方法。
為了解決上述缺點，根據本發明之一態樣乃提供一種用於藉由提供在研磨帶與工件之間相對運動而研磨該工件之研磨裝置。該裝置包含：支承部，係組構成支承該工件之形態；研磨頭，係組構成將該研磨帶與該工件接觸之形態；供應捲盤，係組構成供應該研磨帶至該研磨頭之形態；捲收盤，係組構成捲收已接觸該工件之該研磨帶之形態；以及，擺動機構(swing mechanism)，係組構成使該研磨頭執行擺動動作之形態。
在本發明之較佳態樣中，該研磨帶從該供應捲盤經由該研磨頭之該擺動動作之樞軸延伸至該工件。
在本發明之較佳態樣中，該擺動動作之樞軸係位在該研磨頭中。
在本發明之較佳態樣中，該工件包括具有形成在半導 體晶圓之週邊中之凹口部分之該半導體晶圓；而且，該研磨頭係組構成將該研磨帶與該凹口部分接觸。
本發明之另一態樣係提供研磨裝置，包含：支承部，係組構成支承該工件之形態；研磨頭，係組構成將該研磨工具與該工件接觸之形態；擺動機構，係組構成使該研磨頭執行擺動動作之形態；以及，傾斜機構，係組構成使該研磨頭與該擺動機構對該工件之表面傾斜。
在本發明之較佳態樣中，該研磨工具包括研磨帶；該研磨裝置進一步包括供應捲盤，係組構成供應該研磨帶至該研磨頭之形態，以及捲收盤，係組構成捲收已接觸該工件之該研磨帶之形態；而該研磨帶從該供應捲盤經由該研磨頭之該擺動動作之樞軸延伸至該工件。
在本發明之較佳態樣中，該擺動機構包含：(i)擺動手臂，該研磨頭係固定至該擺動手臂，(ii)支撐手臂，係經由連接軸旋轉地耦接至該擺動手臂，以及(iii)驅動機構，係組構成使該擺動手臂執行擺動動作之形態，而該擺動動作之樞軸係位於該連接軸之中心軸線上。該傾斜機構包含：(i)可旋轉之支撐軸，係支撐該擺動手臂，以及(ii)旋轉機構，係組構成旋轉該支撐軸之形態。
在本發明之較佳態樣中，該連接軸與該支撐軸係彼此平行排列。
在本發明之較佳態樣中，該研磨頭之該擺動動作包括該研磨頭在順時針方向與逆時針方向交替地經由從參考線之相同角度之旋轉，而該參考線係交叉於該連接軸之該中 心軸線與該支撐軸之中心軸線之適當角度處。
本發明之另一態樣係提供一種藉由提供在研磨帶與工件之間相對運動而研磨工件之研磨方法。該方法包含下列步驟：支承該工件；當從供應捲盤供應研磨帶至該研磨頭時，藉由該研磨頭將該研磨帶與該工件接觸；以及，擺動該研磨頭。
在本發明之較佳態樣中，該研磨帶從該供應捲盤經由該研磨頭之該擺動動作之樞軸延伸至該工件。
在本發明之較佳態樣中，該擺動動作之樞軸係位在該研磨頭中。
在本發明之較佳態樣中，該工件包括具有形成在半導體晶圓之週邊中之凹口部分之半導體晶圓；以及，該藉由研磨頭將該研磨帶與該工件接觸之步驟包括藉由該研磨頭將該研磨帶與該凹口部分接觸。
本發明之另一態樣係提供一種藉由提供在研磨帶與工件之間相對運動而研磨該工件之研磨方法。該方法包含下列步驟：支承該工件；藉由研磨頭將該研磨帶與該工件接觸；擺動該研磨頭；以及，一面擺動該研磨頭，一面使該研磨頭對該工件之表面傾斜。
在本發明之較佳態樣中，該研磨工具包括研磨帶；以及，該擺動該研磨頭之步驟包括一面經由該研磨頭之擺動動作之樞軸而移送該研磨頭至該工件，一面擺動該研磨頭。
根據本發明，一面保持研磨帶之一定張力，一面在高速下執行擺動動作。因此，可增加每單位時間材料之移除 量(也就是移除率)，而因此，可改善研磨裝置之產量。
以下將本發明之具體實施例參考圖式而加以詳述。
第5圖係顯示根據本發明實施例之研磨裝置之俯視圖。第6圖係在第5圖中之研磨裝置之截面圖。根據實施例之研磨裝置係適合使用在研磨諸如半導體晶圓之基板之週邊之斜面部分與凹口部分。斜面部分係在晶圓之週邊中適當角度邊緣已被移除之部分，其目的為預防晶圓碎片與粒子之產生。凹口部分係形成在晶圓之週邊中之凹口(notch)，其目的為便於晶圓方位(周圍位置)之辨識。本發明應用的例子將描述於下。下述之實施例係用於使用在研磨晶圓之凹口部分之研磨裝置。
如第5及6圖所示，根據實施例之研磨裝置包含晶圓載物台單元(基板支承部(substrate holding section))20，具有用於支承晶圓W之晶圓載物台23，用於移動平行晶圓載物台(wafer stage)23之上表面(晶圓支承表面)方向之晶圓載物台單元20之載物台移動機構30，以及用於研磨藉由晶圓載物台23支承晶圓W凹口部分V之凹口研磨單元40。
晶圓載物台單元20、載物台移動機構30、以及凹口研磨單元40係容納於外罩(housing)11中。該外罩11具有內部空間，係藉由分隔板14分割成兩個空間：上室(研磨間)15與下室(機器間)16。晶圓載物台23與凹口研磨單元40係位在上室15中，而載物台移動機構30係位於下室16中。 上室15具有擁有開口12之側壁，該開口可藉由由未圖示之氣缸(air cylinder)驅動之開關器(shutter)13而關閉。
晶圓W係經由開口12移送至或移送出外罩11。晶圓W之移送係藉由諸如移送機器人(transfer robot)之已知移送機構(未圖示於圖中)而執行。溝槽26形成在晶圓載物台23之上表面上。溝槽26經由垂直延伸之中空軸(hollow shaft)27與未圖示之真空泵(vacuum pump)連接。當驅動真空泵時，真空形成在溝槽26中，使得晶圓W被支承在晶圓載物台23之上表面上。真空軸27係藉由軸承28而旋轉地支撐，而經由滑輪p1及p2及傳送帶b1耦接至馬達m1。隨著這些排列，晶圓W係藉由馬達m1在馬達之下表面被晶圓載物台23之上表面支承而旋轉。
研磨裝置進一步包含排列在外殼11中之晶圓吸盤機構(wafer－chucking mechanism)80。該晶圓吸盤機構80係可操作以：從上述晶圓轉移機構接收在外罩11中之晶圓W；將晶圓W放置於晶圓載物台23上；以及將晶圓W從晶圓載物台23移除至晶圓轉移機構。在第5圖中，只描述部分的晶圓吸盤機構80。
第7圖顯示晶圓吸盤機構(wafer－chucking mechanism)之吸盤手(chuck hands)之俯視圖。如第7圖所述，晶圓吸盤機構80具有第一吸盤手81與第二吸盤手82，第一吸盤手81具有接腳(pin)83於其上而第二吸盤手82具有接腳83於其上。第一與第二吸盤手81及82係藉由未圖示之開關機構而驅動以便彼此靠近或遠離(如箭頭T所示)。進一 步提供吸盤移動機構(未圖示於圖中)以便移動第一與第二吸盤手81與82在垂直由晶圓載物台23上支承之晶圓W表面之方向。
晶圓移送機構之手73係可操作以移送晶圓W至第一與第二吸盤手81與82之間之位置。然後，第一與第二吸盤手81與82係彼此接近以將接腳83與晶圓W之週邊接觸，而晶圓W係藉由第一與第二吸盤手81與82而鉗緊(clamp)。在此狀況下，晶圓W之中心與晶圓載物台23之中心(也就是晶圓載物台23之旋轉軸)係彼此對準。因此，第一與第二吸盤手81與82可作用為中心機構。
如第6圖所示，載物台移動機構30包含圓筒形(cylindrical)軸承基底29，用於旋轉地支撐中空軸27，軸承基底29安裝於支撐板32上，可移動板33可移動的與支撐板32整合，球形螺桿(ball screw)b2耦接至可移動板33，以及用以旋轉球形螺桿b2之馬達m2。可移動板33經由線性引導器35耦接至分隔板14之下表面，使得可移動板33在平行於晶圓載物台23之上表面之方向係可移動的。軸承基底29經由形成於分隔板14中之穿孔(through－hole)17而延伸。用於旋轉中空軸27之上述之馬達m1係安裝於支撐板32上。
隨著這些排列，當馬達m2旋轉球形螺桿b2時，可移動板33、軸承基底29與中空軸27係沿著線性引導器35之縱方向移動。因此，晶圓載物台23係與平行於晶圓載物台之上表面方向移動。在第6圖中，藉由載物台移動機構 30之晶圓載物台23之移動方向係由箭頭X所指示。
如第6圖所示，凹口研磨單元40包含研磨帶41，研磨頭42組構成對著晶圓W之凹口部分V按壓研磨帶41，供應捲盤45a組構成供應研磨帶41至研磨頭42，而捲收盤45b組構成捲收已供應至研磨頭42之研磨帶41。供應捲盤45a及捲收盤45b位於設置於外殼11上之捲盤室(reel chamber)46。供應捲盤45a及捲收盤45b固定在適當位置。
研磨頭42在其中具有帶移送機構43。帶移送機構43包含帶移送捲軸(roller)及支承捲軸。當旋轉帶移送滾輪因而移送研磨帶41時，研磨帶41插入在帶移送捲軸及支承捲軸之間。研磨帶41係藉由帶移送機構43從供應捲盤45a拉出，並經由引導滾輪57a向研磨頭42移送。研磨頭42係可操作以將研磨帶41之研磨表面與晶圓W之凹口部分V接觸。在接觸凹口部分V之後，研磨帶41係藉由捲收盤45b經由引導滾輪57b而捲收。如第6圖所示，研磨液體供應噴嘴(nozzle)58安排在晶圓W之上與下，使得可供應研磨液體(典型為純水)或冷卻水於晶圓W與研磨帶41之間之接觸部分上。
研磨頭42具有在其中排列之引導滾輪(guide rollers)57c、57d、57e、57f及57g以便引導研磨帶41之移動方向。研磨頭42組構成執行擺動動作(振盪動作)，而擺動動作之樞軸位在引導滾輪57c之下端點上(也就是引導滾輪57c之外部周圍表面之最低端)。更特別地，研磨頭42在引導滾輪57c上之點Cn附近藉由擺動機構旋轉預定的角 度，此將敘述於下。在以下之描述中，引導滾輪57c之下端點Cn將稱為樞軸(pivot)(擺動動作中心)Cn。
第8圖係描述擺動機構之俯視圖，而第9A至9D圖各顯示由第8圖線IX-IX所擷取之截面圖。
如第8圖所示，擺動機構包含擺動手臂60，而研磨頭42係固定於該擺動手臂60，支撐手臂62支撐擺動手臂60，連接手臂67使擺動手臂60與支撐手臂62彼此耦接，而驅動機構係用以擺動擺動手臂60。驅動機構包含具有偏心輪軸61a之凸輪軸(曲柄軸)61，凸輪65固定至凸輪軸61，而馬達M1視為用於旋轉凸輪軸61之驅動來源。
研磨頭42安裝於擺動手臂60之一端上，而凸輪軸61安排在擺動手臂60之另一端上。連接軸67固定於擺動手臂60並藉由安裝於支撐手臂62上之軸承64A旋轉地支撐，使得擺動手臂60可旋轉於連接軸67附近。上述的樞軸Cn係位於連接軸67之中心軸Ln上。馬達M1固定於支撐手臂62，而馬達M1之旋轉軸係經由滑輪p11及p12與傳送帶b10耦接至凸輪軸61。凸輪軸61係藉由安裝於支撐手臂62上之軸承64B旋轉地支撐。凸輪軸61之偏心輪軸61a係偏離關於軸承64B之中心軸之中心。凸輪65係安裝於偏心輪軸61a之頂端上。凸輪65係安裝至擺動手臂60之U型部分之溝槽66中(見第9A圖)。
當供給馬達M1能量時，凸輪軸61經由滑輪p11及p12與傳送帶b10而旋轉。由於偏心輪軸61a係從軸承64B中央軸脫離之中央軸偏離旋轉，凸輪65亦偏離旋轉。如第 9A至9D圖所示，在溝槽66中之凸輪65之偏離旋轉引起擺動手臂60在連接軸67之中心軸上執行擺動動作。如上述，連接軸67之中心軸Ln係對準如第6圖所示之樞軸Cn。因此，安裝於擺動手臂60之頂端上之研磨頭42在樞軸Cn上執行擺動動作。在此說明書中，擺動動作意指在順時針方向與逆時針方向交替地在點(在此實施例為樞軸Cn)附近旋轉某些角度。
如第8圖所示，支撐手臂62係可旋轉於固定在其上之支撐軸90附近使得研磨頭42與擺動機構係對晶圓W表面整體傾斜。支撐軸90延伸與連接軸67平行，並藉由安裝於靜止構件95上之軸承91旋轉地支撐。支撐軸90經由滑輪p13及p14與傳送帶b11耦接至視為驅動來源之馬達M2。研磨點(在研磨帶41與晶圓W之間之接觸點)係在支撐軸90之中心軸Lt上。因此，研磨頭42及擺動機構係藉由由馬達M2所驅動支撐軸90之旋轉而在研磨點附近旋轉(也就是傾斜)。在此實施例中，用於傾斜研磨頭42之傾斜機構係由支撐軸90、滑輪p13及p14、傳送帶b11與馬達M2所構成。
如第9A至9C圖所示，在順時針方向之研磨頭42之旋轉角度θ係相等於在逆時針方向之旋轉角度θ。更特別地，研磨頭42使得順時針旋轉與逆時針旋轉經過從參考線Lr之相同角度θ。參考線Lr定義為交叉連接軸67之中心軸與支撐軸90之中心軸Lt在適當角度之線。即使當研磨頭42藉由傾斜機構而傾斜時，也能執行研磨頭42之擺動 動作。
第10A至10C圖係用於顯示研磨頭42之傾斜運動之圖式。更特別地，第10A圖顯示研磨頭42之樞軸Cn對準晶圓W中心Cw之狀態，第10B圖顯示研磨頭42向上傾斜之狀態，而第10C圖顯示研磨頭42向下傾斜之狀態。
由於擺動手臂60及研磨頭42係與支撐手臂62整體傾斜，而不論研磨頭42之傾斜角度，擺動動作之樞軸Cn係一直位在研磨頭42中。因此，即使當研磨頭傾斜時，研磨頭42可執行在樞軸Cn上之擺動動作。在此擺動動作中，不論研磨頭42傾斜的角度，研磨頭42使得順時針旋轉與逆時針旋轉於樞軸Cn附近為相同的角度。
從供應捲盤45a供應之研磨帶41係藉由引導滾輪57a及引導滾輪57c所引導以便經由樞軸Cn延伸至設置於研磨頭42之前端之引導滾輪57d及引導滾輪57e。引導滾輪57d係排列在引導滾輪57e之上。研磨帶41之移動方向係藉由引導滾輪57d及引導滾輪57e而引導使得研磨帶41接觸晶圓W。
供應捲盤45a及捲收盤45b係耦接至提供研磨帶41適當張力之未圖示之馬達，使得研磨帶41不會變鬆弛(slacken)。帶移送機構43係可操作以固定速度從供應捲盤45a移送研磨帶41至捲收盤45b。此帶移送速度係每分鐘數毫米至數萬毫米。另一方面，研磨帶42之擺動速度係高達每分鐘數百次。因此，當與研磨頭42之擺動速度相比時，帶移送之速度是幾乎可以忽略的。
研磨帶41可包括具有研磨表面之基底膜(base film)，而諸如鑽石粒子(diamond particle)或碳化矽粒子之摩擦粒子(abrasive particle)附著於該研磨帶。根據需要的晶圓類型與研磨性能而選擇附著於該研磨帶41之摩擦粒子。例如，摩擦粒子可以是具有平均直徑範圍在0.1 μm至5.0 μm之鑽石粒子或碳化矽粒子。研磨帶42可以是沒有摩擦粒子之傳輸帶形式之研磨布。基底膜可包括由諸如聚酯(polyester)、聚氨酯(polyurethane)、或聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)之撓性材料所製造之膜。
接著，描述具有上述結構之研磨裝置之操作。晶圓W係藉由未圖示之晶圓移送機構經由開口12移送至外罩(housing)11。晶圓吸盤機構80從晶圓移送機構之手73(見第7圖)接收晶圓W，並藉由第一與第二吸盤手81與82而鉗緊晶圓W。在第一與第二吸盤手81與82接收晶圓W之後，晶圓移送機構之手73係從外罩11移除，然後關閉開關器13。晶圓吸盤機構80向下移動以降低晶圓W並放置晶圓W至晶圓載物台23之上表面上。然後，未圖示之真空泵操作以吸引晶圓W至晶圓載物台23之上表面。
支承晶圓W之晶圓載物台23係藉由載物台移動機構30移動至接近研磨頭42之位置。供給馬達m1能量以旋轉晶圓載物台23使得晶圓W之凹口部分V面對研磨頭42。然後，研磨液體從研磨液體供應噴嘴58供應至晶圓W。在所供應之研磨液體之流量到達預定值之後，晶圓W即藉由載物台移動機構30移動直到晶圓W接觸研磨帶41。然 後，擺動機構操作以使研磨頭42執行擺動動作。因此，研磨帶41在垂直晶圓W之表面之方向擺動(oscillate)，而使研磨帶41之研磨表面與凹口部分V滑動接觸。以此方式，研磨晶圓W之凹口部分V。進一步地，使研磨頭42傾斜使得研磨帶41在變化角度接觸晶圓W，因而在整體之凹口部分V從其上表面研磨至其下表面。
第11A至11C圖係各顯示顯示於第6圖中之研磨裝置部分之圖式。以下，將當研磨頭42執行擺動動作時，研磨頭42、供應捲盤45a及捲收盤45b之操作，參考第11A至11C圖加以詳述。在第11A至11C圖中，元件符號A與B代表附著於供應捲盤45a及捲收盤45b之研磨帶41上之某些點。如上述，當與研磨頭42之擺動動作速度相比時，研磨帶41之轉移速度是幾乎可以忽略的。因此，以下之描述假設研磨帶41之轉移速度為零。
第11A圖顯示樞軸Cn位在與晶圓W之中心線(厚度方向之中心)Cw相同平面之狀態。如箭頭所示，研磨頭42執行位於研磨頭42中樞軸Cn上之擺動動作。因此，無論研磨頭42是否執行擺動動作，在供應捲盤45a與樞軸Cn之間之距離一直是一定的。
第11B圖顯示在擺動動作期間，研磨頭42之前端向上移動之狀態。在向上移動期間，位於在供應捲盤45a與在樞軸Cn上之引導滾輪57c之間的研磨帶41之長度實質上並沒有改變。位於在排列於研磨帶42之前端上之引導滾輪57c與引導滾輪57d之間的研磨帶41之長度實質上也沒 有改變。因此，如從第11A與11B圖所見，在供應捲盤側之點A實質上停留在其原始位置，而在捲收盤側之點B稍微地移動。
第11C圖顯示在擺動動作期間，研磨頭42之前端向下移動之狀態。在向下移動期間，位於在供應捲盤45a與在樞軸Cn上之引導滾輪57c之間的研磨帶41之長度實質上並沒有改變。位於在引導滾輪57c與引導滾輪57d之間的研磨帶41之長度實質上也沒有改變。因此，如從第11A與11C圖所見，在供應捲盤側之點A實質上停留在其原始位置，而在捲收盤側之點B稍微地移動。
如第11B與11C圖所示，研磨頭42之擺動動作提供晶圓W與在研磨頭42之前端上之研磨帶41之間的相對運動。在運動期間，在研磨帶41上之點A的位置實質上並沒有改變。
因為研磨帶41係藉由帶移送機構43所鉗緊，對於研磨性能是重要的研磨帶41之張力係在帶移送機構43與供應捲盤45a之間之區域中維持。因此，引導滾輪57f及57g係較佳地位在捲收盤側，使得引導滾輪57f及57g不會引起在研磨帶41之捲收上的反效果。例如，引導滾輪57f及57g係排列在適當位置處，使得研磨帶41不會變鬆弛太多而不會脫離引導滾輪。為了減少在捲收盤側之點B之運動，較佳的排列引導滾輪57f及57g，使得研磨帶41經由盡可能接近樞軸Cn之某些點而返回捲收盤45b。
在研磨頭42與供應及捲收盤45a與45b之間的區域 中，研磨帶41幾乎不移動或稍微地移動。因此，相較於使重複捲收與拉回研磨帶之習知線性往復運動，研磨帶41之張力可以是穩定的。即使當擺動動作在高速執行時，也不會在研磨帶42切換其運動方向時有過度的張力施加於研磨帶41。因此，可維持穩定的研磨性能。而且，不太可能會發生研磨帶41之切割或延長(固定的伸張)。再且，研磨帶41之張力不會變成零，而研磨帶41不會變鬆弛。
第12圖顯示當研磨頭執行線性往復運動(先前技術)與擺動動作(本發明)時施加於研磨帶之張力之測量結果之範例的圖形。水平軸顯示時間，而垂直軸顯示指示關於預設張力為100%之研磨帶知實際張力之百分比。張力係使用商業上可利用之張力感測器而測量。
第12圖顯示從測試獲得的資料，該測試係實施在研磨頭之線性往復運動與擺動動作均執行在每分鐘300個循環之情況。如從第12圖所見，由於研磨帶之重複拉回與捲收，在線性往復運動之張力波動很大。這不只是因為線性往復運動之方向切換的影響，也是由於引導滾輪之旋轉方向改變造成的旋轉摩擦的影響。另一方面，如從第12圖所見，根據本發明之擺動動作之張力波動不會很大且是穩定的。這是因為研磨頭42之擺動動作使研磨帶41作少許運動。因此，帶拉回與捲收操作與引導滾輪之旋轉摩擦不會影響研磨帶之張力。
在研磨頭之線性往復運動與擺動動作均在每分鐘500個循環之情況下執行進一步測試。該測試顯示線性往復運 動造成在帶張力之大的波動，但擺動動作仍然造成帶張力之少許波動。測試結果確定可增加在研磨帶與晶圓之間相對速度之增加，而移除率可因此大大地增加。
進一步地，就具有厚度100nm之氧化物膜在上面之矽晶圓測量需要移除矽晶圓之凹口部分上之氧化物膜之時間。因此，執行線性往復運動之習知研磨頭需要28秒。另一方面，執行擺動動作之研磨頭需要15秒以完全移除氧化物膜。這些實驗在研磨頭操作在每分鐘300個循環之情況下實施。當研磨頭執行擺動動作在每分鐘500個循環時，仍然可實現穩定的晶圓研磨。在此情況下，最多需要10秒以完全移除氧化物膜。此外，檢查測試結果顯示深的刮痕(scratch)較少形成在研磨表面上。這似乎是由於張力之波動是小的，而沒有大的負載施加於波動之頂端。
如上述，根據本發明，當維持在穩定之研磨性能時，可在高速執行擺動動作。因此，可增加每單位時間之移除量(也就是移除率)，而因此，可改善研磨裝置之產量。
以上係提供實施例之描述以使熟知本技術領域者可製造與使用本發明。此外，對於熟知本技術領域者而言，這些實施例之各種修改將是相當明顯的，而在此定義之一般原則與特定範例可實施於其他實施例。因此，本發明不受限於以上所描述之實施例，而以與由申請專利範圍與其相等物限制之定義之最廣範圍為準。
11‧‧‧外罩
12‧‧‧開口
13‧‧‧開關器
14‧‧‧分隔板
15‧‧‧上室
16‧‧‧下室
17‧‧‧穿孔
20、120‧‧‧晶圓載物台單元
23‧‧‧晶圓載物台
26、66、166‧‧‧溝槽
27‧‧‧中空軸
28、64A、64B、91、164A、164B‧‧‧軸承
29‧‧‧軸承基底
30‧‧‧載物台移動機構
32‧‧‧支撐板
33‧‧‧可移動板
35‧‧‧線性引導器
40‧‧‧凹口研磨單元
41、141‧‧‧研磨帶
42、142‧‧‧研磨頭
43、143‧‧‧帶移送機構
45a、145a‧‧‧供應捲盤
45b、145b‧‧‧捲收盤
46‧‧‧捲盤室
57a、57b、57c、57d、57e、57f、57g、157a、157b、157c、157d、157e‧‧‧引導滾輪
58‧‧‧研磨液體供應噴嘴
60‧‧‧擺動手臂
61、161‧‧‧凸輪軸
61a、161a‧‧‧偏心輪軸
62、162‧‧‧支撐手臂
65、165‧‧‧凸輪
67‧‧‧連接軸
73‧‧‧手
80‧‧‧晶圓吸盤機構
81‧‧‧第一吸盤手
82‧‧‧第二吸盤手
83‧‧‧接腳
90‧‧‧支撐軸
95‧‧‧靜止構件
160‧‧‧可移動手臂
163‧‧‧線性引導器
第1圖係顯示用於研磨晶圓週邊之習知研磨裝置之示 意圖；第2圖係描述用於研磨頭之線性往復動作機構之俯視圖；第3A至3D圖係沿著第2圖之線III－III所擷取之圖式；第4A至4C圖係描述研磨頭、供應捲盤及捲收盤之操作之圖式；第5圖係顯示根據本發明實施例之研磨裝置之俯視圖；第6圖係在第5圖中研磨裝置之截面圖；第7圖係顯示晶圓吸盤機構之吸盤手之俯視圖；第8圖係顯示擺動機構之俯視圖；第9A至9D圖係各顯示沿著第8圖之線IX－IX所擷取之截面圖；第10A至10C圖係用於描述研磨頭之傾斜動作之圖式；第11A至11C圖係各顯示在第6圖中研磨裝置部分之圖式；以及第12圖係顯示研磨晶圓之測試結果之圖表。
11‧‧‧外罩
12‧‧‧開口
14‧‧‧分隔板
15‧‧‧上室
16‧‧‧下室
17‧‧‧穿孔
20、120‧‧‧晶圓載物台單元
23‧‧‧晶圓載物台
26‧‧‧溝槽
27‧‧‧中空軸
28‧‧‧軸承
29‧‧‧軸承基底
30‧‧‧載物台移動機構
32‧‧‧支撐板
33‧‧‧可移動板
35‧‧‧線性引導
41‧‧‧研磨帶
42‧‧‧研磨頭
43‧‧‧帶移送機構
45a‧‧‧供應捲盤
45b‧‧‧捲收盤
46‧‧‧捲盤室
57a、57b、57c、57d、57e、57f、57g‧‧‧引導滾輪
58‧‧‧研磨液體供應噴嘴
81‧‧‧第一吸盤手
82‧‧‧第二吸盤手
83‧‧‧接腳

Claims (13)

  1. 一種用於藉由提供在研磨帶與工件之間相對運動而研磨該工件之研磨裝置，該裝置包括：支承部，係組構成支承該工件之形態；研磨頭，係組構成將該研磨帶與該工件接觸之形態；供應捲盤，係組構成供應該研磨帶至該研磨頭之形態；捲收盤，係組構成捲收已接觸該工件之該研磨帶之形態；以及擺動機構，係組構成使該研磨頭執行擺動動作之形態；其中該研磨帶從該供應捲盤經由該研磨頭之該擺動動作之樞軸延伸至該工件。
  2. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中，該擺動動作之樞軸係位在該研磨頭中。
  3. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中：該工件包括具有形成在半導體晶圓之週邊中之凹口部分之該半導體晶圓；而且該研磨頭係組構成將該研磨帶與該凹口部分接觸之形態。
  4. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中：該工件包括半導體晶圓；而且該研磨頭係組構成將該研磨帶與該半導體晶圓之週邊接觸之形態。
  5. 一種用於藉由提供在研磨工具與工件之間相對運動而研磨該工件之研磨裝置，該裝置包括：支承部，係組構成支承該工件之形態；研磨頭，係組構成將該研磨工具與該工件接觸之形態；擺動機構，係組構成使該研磨頭執行擺動動作之形態；以及傾斜機構，係組構成使該研磨頭與該擺動機構對該工件之表面傾斜之形態；其中該研磨工具包括研磨帶；該研磨裝置進一步包括供應捲盤，係組構成供應該研磨帶至該研磨頭之形態，以及捲收盤，係組構成捲收已接觸該工件之該研磨帶之形態；而該研磨帶從該供應捲盤經由該研磨頭之該擺動動作之樞軸延伸至該工件。
  6. 如申請專利範圍第5項之研磨裝置，其中：該擺動機構包含：(i)擺動手臂，該研磨頭係固定至該擺動手臂，(ii)支撐手臂，係經由連接軸旋轉地耦接至該擺動手臂，以及(iii)驅動機構，係組構成使該擺動手臂執行擺動動作之形態，而該擺動動作之樞軸係位於該連接軸之中心軸線上；以及該傾斜機構包含： (i)可旋轉之支撐軸，係支撐該擺動手臂，以及(ii)旋轉機構，係組構成旋轉該支撐軸之形態。
  7. 如申請專利範圍第6項之研磨裝置，其中，該連接軸與該支撐軸係彼此平行排列。
  8. 如申請專利範圍第7項之研磨裝置，其中，該研磨頭之該擺動動作包括該研磨頭在順時針方向與逆時針方向交替地經由從參考線之相同角度之旋轉，而該參考線係交叉於該連接軸之該中心軸線與該支撐軸之中心軸線之適當角度處。
  9. 一種藉由提供在研磨帶與工件之間相對運動而研磨該工件之研磨方法，該方法包括下列步驟：支承該工件；一面從供應捲盤供應該研磨帶至研磨頭，一面藉由該研磨頭將該研磨帶與該工件接觸；以及擺動該研磨頭；其中該研磨帶從該供應捲盤經由該研磨頭之該擺動動作之樞軸延伸至該工件。
  10. 如申請專利範圍第9項之研磨方法，其中，該擺動動作之樞軸係位在該研磨頭中。
  11. 如申請專利範圍第9項之研磨方法，其中：該工件包括具有形成在半導體晶圓之週邊中之凹口部分之該半導體晶圓；以及該藉由研磨頭將該研磨帶與該工件接觸之步驟包括藉由該研磨頭將該研磨帶與該凹口部分接觸。
  12. 如申請專利範圍第9項之研磨方法，其中：該工件包括半導體晶圓；以及該藉由研磨頭將該研磨帶與該工件接觸之步驟包括藉由該研磨頭將該研磨帶與該半導體晶圓之週邊接觸。
  13. 一種藉由提供在研磨帶與工件之間相對運動而研磨該工件之研磨方法，該方法包括下列步驟：支承該工件；藉由研磨頭將該研磨帶與該工件接觸；擺動該研磨頭；以及一面擺動該研磨頭，一面使該研磨頭對該工件之表面傾斜；其中該研磨工具包括研磨帶；以及該擺動該研磨頭之步驟包括一面經由該研磨頭之擺動動作之樞軸而移送該研磨帶至該工件，一面擺動該研磨頭。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8892238B2 (en) * 2009-10-06 2014-11-18 Edward T. Sweet Edge break details and processing
US20110081839A1 (en) * 2009-10-06 2011-04-07 Apple Inc. Method and apparatus for polishing a curved edge
JP5182317B2 (ja) * 2010-03-31 2013-04-17 ブラザー工業株式会社 レンズ
CN101934489B (zh) * 2010-07-30 2012-10-03 溧阳市四方不锈钢制品有限公司 管坯焊缝打磨机
JP5649417B2 (ja) * 2010-11-26 2015-01-07 株式会社荏原製作所 固定砥粒を有する研磨テープを用いた基板の研磨方法
US8540551B2 (en) * 2010-12-15 2013-09-24 Corning Incorporated Glass edge finish system, belt assembly, and method for using same
CN102233536A (zh) * 2011-05-10 2011-11-09 淄博隆嘉工贸有限公司 陶瓷手模自动抛光机
TWI590915B (zh) * 2012-09-24 2017-07-11 Ebara Corp Grinding method
US9339912B2 (en) 2013-01-31 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer polishing tool using abrasive tape
JP6071611B2 (ja) * 2013-02-13 2017-02-01 Ｍｉｐｏｘ株式会社 オリエンテーションフラット等切り欠き部を有する、結晶材料から成るウエハの周縁を、研磨テープを使用して研磨することにより円形ウエハを製造する方法
JP2015000451A (ja) * 2013-06-17 2015-01-05 ワイエイシイ株式会社 基板表面加工装置
JP6113624B2 (ja) * 2013-10-11 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
CN105196140B (zh) * 2015-10-20 2017-05-31 慈溪市华表机械有限公司 一种外圆超精机
EP3335832B1 (en) * 2016-12-15 2021-02-03 Ebara Corporation Polishing apparatus and pressing pad for pressing polishing tool
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
JP6974067B2 (ja) * 2017-08-17 2021-12-01 株式会社荏原製作所 基板を研磨する方法および装置
JP7129166B2 (ja) * 2018-01-11 2022-09-01 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び制御方法
JP7226711B2 (ja) * 2019-02-28 2023-02-21 範多機械株式会社 斫り装置
CN111745504B (zh) * 2020-05-20 2022-06-21 深圳市裕展精密科技有限公司 打磨机构、打磨装置及打磨方法
CN111941201B (zh) * 2020-08-21 2021-12-07 许昌学院 一种用于法布里-珀罗干涉仪镜板的高精度制造装置
CN114619338A (zh) * 2022-03-28 2022-06-14 坦龙环保设备南通有限公司 一种扫地车液压杆生产装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2837342B2 (ja) * 1993-12-13 1998-12-16 日本ミクロコーティング株式会社 研磨装置
JP3081140B2 (ja) 1995-09-21 2000-08-28 日本ミクロコーティング株式会社 研磨テープによる研磨装置
NO306765B1 (no) * 1998-04-03 1999-12-20 Grobi As Anordning for kantrunding av hull i et arbeidsstykke
US6685539B1 (en) * 1999-08-24 2004-02-03 Ricoh Company, Ltd. Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus
US6629875B2 (en) * 2000-01-28 2003-10-07 Accretech Usa, Inc. Machine for grinding-polishing of a water edge
JP4156200B2 (ja) * 2001-01-09 2008-09-24 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
JP2003220546A (ja) * 2002-01-24 2003-08-05 Soken Kogyo Kk ベルト式研磨装置
JP4090247B2 (ja) * 2002-02-12 2008-05-28 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP4125148B2 (ja) 2003-02-03 2008-07-30 株式会社荏原製作所 基板処理装置
EP1719161B1 (en) * 2004-02-25 2014-05-07 Ebara Corporation Polishing apparatus
US7744445B2 (en) * 2004-10-15 2010-06-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Polishing apparatus and polishing method
JP2006142388A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨テープ及び方法
US20090017733A1 (en) * 2005-04-19 2009-01-15 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
KR101203505B1 (ko) 2005-04-19 2012-11-21 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5196709B2 (ja) * 2005-04-19 2013-05-15 株式会社荏原製作所 半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法
US7993485B2 (en) * 2005-12-09 2011-08-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
WO2007070353A2 (en) * 2005-12-09 2007-06-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
WO2007126815A2 (en) * 2006-03-30 2007-11-08 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for polishing an edge of a subtrate
JP2008036783A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Sony Corp 研磨方法および研磨装置
JP2008284684A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Applied Materials Inc 研磨アームを使用して基板の縁部を研磨する方法及び装置

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