TWI436845B - 雷射切割方法及雷射切割裝置 - Google Patents

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Description

雷射切割方法及雷射切割裝置
本發明係主張JP2009-245573(申請日：2009/10/26)之優先權，內容亦引用其全部內容。
本發明關於使用脈衝雷射束之雷射切割方法及雷射切割裝置。
半導體基板之切割使用脈衝雷射束之方法係被揭示於日本專利第3867107號公報。該方法係藉由脈衝雷射束產生之光學損傷而於加工對象物內部形成裂痕區域。之後，以該裂痕區域為起點來切斷加工對象物。
於習知技術，係以脈衝雷射束之能量、光點直徑、脈衝雷射束與加工對象物之相對移動速度等作為參數，來控制裂痕區域之形成。
習知技術存在著在未被預期之位置產生裂痕等無法充分控制裂痕之產生之問題。因此，特別是例如在藍寶石等硬質基板之切割，或者切割幅窄的切割上有其適用之困難。
本發明有鑑於上述問題，目的在於提供雷射切割方法及雷射切割裝置，其藉由脈衝雷射束之照射圖案之最最佳化來控制裂痕之產生，可以實現較佳之切割特性。
本發明之一態樣之雷射切割方法，其特徵為：將被加工基板載置於載置台；產生時脈信號；射出和上述時脈信號同步之脈衝雷射束；使上述被加工基板與上述脈衝雷射束相對移動；使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射，同步於上述時脈信號而控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依此而依據光脈衝單位進行切換；於上述被加工基板形成到達基板表面之裂痕。
於上述態樣之方法中較好是，上述脈衝雷射束之照射與非照射，係依據由光脈衝數所界定之特定條件來進行。
於上述態樣之方法中較好是，藉由移動上述載置台，而使上述被加工基板與上述脈衝雷射束相對移動。
於上述態樣之方法中較好是，在上述脈衝雷射束之照射與非照射時，上述載置台係以一定速度移動。
於上述態樣之方法中較好是，上述脈衝雷射束之照射與非照射，係同步於上述載置台之位置。
於上述態樣之方法中較好是，上述被加工基板為藍寶石基板。
另外，本發明另一態樣之雷射切割裝置，其特徵為具備：載置台，可以載置被加工基板；基準時脈振盪電路，用於產生時脈信號；雷射振盪器，用於射出脈衝雷射束；雷射振盪器控制部，用於使上述脈衝雷射束同步於上述時脈信號；脈衝拾取器，設於上述雷射振盪器與上述載置台之間之光路，用於切換上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射；脈衝拾取器控制部，係同步於上述時脈信號，依據光脈衝單位來控制上述脈衝雷射束於上述脈衝拾取器之通過與遮斷。
於上述態樣之裝置中較好是，具備：加工表格部，其記憶著以上述脈衝雷射束之光脈衝數將切割加工資料予以記述而成的加工表格；上述脈衝拾取器控制部，係依據上述加工表格來控制上述脈衝雷射束於上述脈衝拾取器之通過與遮斷。
以下參照圖面說明實施形態。
本實施形態之雷射切割方法，係將被加工基板載置於載置台；產生時脈信號；射出和時脈信號同步之脈衝雷射束；使被加工基板與脈衝雷射束相對移動；使脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射，同步於時脈信號而控制脈衝雷射束之通過與遮斷，依此而依據光脈衝單位進行切換，於被加工基板形成到達基板表面之裂痕區域。
依據上述構成，可藉由最適合之分配以良好精確度進行脈衝雷射束對被加工基板之照射與非照射。因此，藉由控制到達基板表面之裂痕之產生，可以穩定最適合形狀形成裂痕區域。因此，可提供能實現良好切割特性之雷射切割方法。
實現上述雷射切割方法之本實施形態之雷射切割裝置，係具備：載置台，可以載置被加工基板；基準時脈振盪電路，用於產生時脈信號；雷射振盪器，用於射出脈衝雷射束；雷射振盪器控制部，用於使脈衝雷射束同步於時脈信號；脈衝拾取器，設於雷射振盪器與載置台之間之光路，用於切換脈衝雷射束對被加工基板之照射與非照射；脈衝拾取器控制部，係同步於時脈信號，依據光脈衝單位來控制脈衝雷射束於脈衝拾取器之通過與遮斷。
圖1表示本實施形態之雷射切割裝置之一例之概略構成圖。如圖1所示，本實施形態之雷射切割裝置10，其主要構成為具備：雷射振盪器12，脈衝拾取器14，射束整型器16，聚光透鏡18，XYZ載置台部20，雷射振盪器控制部22，脈衝拾取器控制部24，及加工控制部26。加工控制部26，係具備用於產生所要之時脈信號S1的基準時脈振盪電路28及加工表格部30。
雷射振盪器12，係構成為可射出和基準時脈振盪電路28產生之時脈信號S1同步之週期Tc之脈衝雷射束PL1。照射脈衝光之強度係表示高斯(Gaussian)分布。
由雷射振盪器12射出之雷射波長係使用對被加工基板具有透過性之波長。雷射可以使用Nd：YAG雷射、Nd：YVO4 雷射、Nd：YLF雷射等。例如被加工基板為藍寶石基板時較好是使用波長532nm之Nd：YVO4 雷射。
脈衝拾取器14係設於雷射振盪器12與聚光透鏡18之間之光路。構成為和時脈信號S1同步進行脈衝雷射束PL1之通過與遮斷(ON/OFF)，如此而可以光脈衝數單位進行脈衝雷射束對被加工基板之照射與非照射之切換。如此則，藉由脈衝拾取器14之動作，脈衝雷射束PL1將成為，為加工被加工基板而被控制ON/OFF、被調變之調變脈衝雷射束PL2。
脈衝拾取器14較好是由例如音響光學元件(AOM)構成。另外，亦可使用例如拉曼(Raman)繞射型光電元件(EOM)。
射束整型器16，係將射入之脈衝雷射束PL2整型成為所要形狀之脈衝雷射束PL3。例如射束直徑以一定倍率予以擴大之射束擴大器。另外，例如具備使射束斷面之光強度分布成為均勻之均化器等之光學元件亦可。另外，例如具備使射束斷面成為圓形之元件或使射束成為圓偏光之光學元件亦可。
聚光透鏡18，係將射束整型器16整型後之脈衝雷射束PL3予以聚光，而對載置於XYZ載置台部20上之被加工基板W，例如在下面形成有LED的藍寶石基板照射脈衝雷射束PL4而構成。
XYZ載置台部20，係可以載置被加工基板W，具備：可於XYZ方向自由移動之XYZ載置台(以下亦有簡單稱為載置台)，其之驅動機構部，具有測定載置台之位置的例如雷射干涉計之位置感測器等。XYZ載置台係構成為其之定位精確度及移動誤差成為次微米(sub-micro)範圍之高精確度。
加工控制部26係控制雷射切割裝置10之加工全體。基準時脈振盪電路28係產生所要之時脈信號S1。另外，於加工表格部30記憶著以脈衝雷射束之光脈衝數記述切割加工資料而成的之加工表格。
以下依據圖1-7說明使用上述雷射切割裝置10之雷射切割方法。
首先，將被加工基板W之例如藍寶石基板載置於XYZ載置台部20。該藍寶石基板，係於例如下面具有磊晶成長之GaN層，於該GaN層將複數個LED予以圖案形成之晶圓。以形成於晶圓之溝槽或定位平面為基準而對XYZ載置台進行晶圓之定位。
圖2表示本實施形態之雷射切割方法之時序控制說明圖。於加工控制部26內之基準時脈振盪電路28產生週期Tc之時脈信號S1。雷射振盪器控制部22，係以雷射振盪器12射出同步於時脈信號S1之週期Tc之脈衝雷射束PL1的方式進行控制。此時，於時脈信號S1之上升與脈衝雷射束之上升產生延遲時間t1 。
雷射光係使用對被加工基板具有透過性之波長者。於此，較好是使用相較於被加工基板材料之吸收之能隙Eg，照射之雷射光之光子之能量hν為較大之雷射光。能量hν相較於能隙Eg為極大時，會產生雷射光之吸收。此稱為多光子吸收，將雷射光之脈寬設為極短，於被加工基板內部產生多光子吸收時，多光子吸收之能量不會轉化為熱能，而激發出離子價數變化、結晶化、非晶質化、極化配向或微小裂痕形成等之永續之構造變化，而形成折射率變化區域(color center(彩色中心))。
對被加工基板材料使用具有透過性之波長時，可於基板內部之焦點附近導引、聚集雷射光。因此，可局部性進行折射率變化區域之加工。之後稱該折射率變化區域為改質區域。
脈衝拾取器控制部24，係參照加工控制部26所輸出之加工圖案信號S2，產生同步於時脈信號S1之脈衝拾取器驅動信號S3。加工圖案信號S2，係參照被記憶於加工表格部30，針對照射圖案之資訊藉由光脈衝單位以光脈衝數予以記述之加工表格而產生。脈衝拾取器14，係依據脈衝拾取器驅動信號S3，同步於時脈信號S1進行脈衝雷射束PL1之通過與遮斷(ON/OFF)之切換動作。
藉由該脈衝拾取器14之動作而產生調變脈衝雷射束PL2。另外，於時脈信號S1之上升與脈衝雷射束之上升、下降會產生延遲時間t2 、t3 。另外，於脈衝雷射束之上升、下降與脈衝拾取器動作會產生延遲時間t4 、t5 。
於被加工基板之加工時，考慮延遲時間t1 ～t5 ，來決定脈衝拾取器驅動信號S3等之產生時序或被加工基板與脈衝雷射束間之相對移動時序。
圖3表示本實施形態之雷射切割方法之脈衝拾取器動作及調變脈衝雷射束PL2之時序圖。脈衝拾取器動作，係同步於時脈信號S1而以光脈衝單位進行切換。如上述說明，使脈衝雷射束之振盪及脈衝拾取器之動作，同步於時脈信號S1而可以實現光脈衝單位之照射圖案。
具體言之為，脈衝雷射束之照射與非照射係依據由光脈衝數界定之特定條件來進行。亦即，依據照射光脈衝數(P1)及非照射光脈衝數(P2)來執行脈衝拾取器動作，而切換對被加工基板之照射與非照射。用於界定脈衝雷射束之照射圖案的P1值及P2值，例如係於加工表格作為照射區域暫存器設定、非照射區域暫存器設定而被界定。P1值或P2值，係依據被加工基板之材質、雷射束之條件等，而設為使切割時之裂痕形成成為最佳化之特定條件。
調變脈衝雷射束PL2，係藉由射束整型器16被整型成為所要形狀之脈衝雷射束PL3。另外，整型後之脈衝雷射束PL3，係藉由聚光透鏡18被聚光而成為具有所要射束直徑之脈衝雷射束PL4，而照射至被加工基板之晶圓上。
使晶圓於X軸方向及Y軸方向進行切割時，首先，例如使XYZ載置台以一定速度於X軸方向移動，掃描脈衝雷射束PL4。當所要之X軸方向之切割結束後，使XYZ載置台以一定速度於Y軸方向移動，掃描脈衝雷射束PL4。如此而進行Y軸方向之切割。
關於Z軸方向(高度方向)，以使聚光透鏡之聚光位置位於晶圓內之特定深度的方式進行調整。該特定深度，係設定成為切割時裂痕被形成為所要之形狀。
此時，設定如下：
被加工基板之折射率：n
被加工基板表面起之加工位置：L
Z軸移動距離：Lz
則Lz=L/n。亦即，聚光透鏡之聚光位置，當以被加工基板之表面為Z軸初期位置時，欲加工至基板表面起深度「L」之位置時，使Z軸移動「Lz」即可。
圖4表示本實施形態之雷射切割方法之照射圖案說明圖。如圖所示，同步於時脈信號S1而產生脈衝雷射束PL1。同步於時脈信號S1而控制脈衝雷射束之通過與遮斷，如此而產生調變脈衝雷射束PL2。
藉由載置台之橫向(X軸方向或Y軸方向)之移動，使調變脈衝雷射束PL2之照射光脈衝於晶圓上形成照射光點。如上述說明，藉由產生調變脈衝雷射束PL2，照射光點可以光脈衝單位被控制而以斷續方式照射至晶圓上。圖4之情況下，設定照射光脈衝數(P1)=2，非照射光脈衝數(P2)=1，則被設定之條件為照射光脈衝(高斯光)以光點直徑之間距重複進行照射與非照射。
於此，設定以下條件進行加工，
射束光點直徑：D(μm)
重複頻率：F(KHz)
則被照射光脈衝以光點直徑之間距重複進行照射與非照射時之載置台移動速度V(m/sec)成為
V=D×10-6 ×F×103
例如設定以下之加工條件進行時，
射束光點直徑：D=2μm
重複頻率：F=50KHz
則載置台移動速度：V=100mm/sec。
另外，照射光之功率設為P(瓦特)時，脈衝單位之照射脈衝能量P/F之光脈衝將被照射至晶圓。
圖5表示照射至藍寶石基板上之照射圖案之上面圖。由照射面上看時，照射光脈衝數(P1)=2，非照射光脈衝數(P2)=1，照射光點係以照射光點直徑之間距被形成。圖6表示圖5之AA斷面圖。如圖所示，於藍寶石基板內部形成改質區域。由該改質區域起沿著光脈衝之掃描線上被形成到達基板表面之裂痕。另外，於改質區域之照射光點對應之區域間在橫向亦被形成裂痕。
如上述說明，藉由到達基板表面之裂痕之形成，之後之基板之切斷成為容易。因此，可實現切割成本之削減。另外，裂痕形成後之最終之基板切斷、亦即分割為各個LED晶片，可於裂痕形成後自然分割，或者另外施加人工力量進行分割。
如習知將脈衝雷射束連續照射至基板之方法，例如即使將載置台移動速度、聚光透鏡之開口數、照射光功率等予以最佳化時，欲使到達基板表面之裂痕控制成為所要形狀乃困難者。如本實施形態般，使脈衝雷射束之照射與非照射，依據光脈衝單位以斷續方式予以切換而使照射圖案成為最佳化，如此則，到達基板表面之裂痕之產生將被控制，可實現具備極佳切斷特性之雷射切割方法。
亦即，例如於基板表面沿著雷射掃描線之直線式狹幅裂痕之形成變為可能。因此，切割時，裂痕對形成於基板之LED等元件之影響可設為最小化。另外，例如直線式裂痕之形成變為可能，因此基板表面被形成之裂痕區域之寬度變窄。如此則，設計上之切割寬度可以縮小。因此，可以增大同一基板或晶圓上所形成之元件之晶片數，有助於元件之製造成本之削減。
另外，依據本實施形態之雷射切割裝置，脈衝雷射束之照射與非照射，可以光脈衝單位任意設定。因此，依據光脈衝單位來切換脈衝雷射束之照射與非照射，使照射圖案成為最佳化，如此則，裂痕之產生被控制，可實現具備極佳切斷特定之雷射切割。
圖7表示載置台移動與切割加工間之關係說明圖。於XYZ載置台設有位置感測器用於檢測X軸、Y軸方向之移動位置。例如載置台對X軸、Y軸方向之移動開始後，事先將載置台速度進入速度穩定區域之位置設為同步位置。於位置感測器檢測出同步位置時，例如使移動位置檢測信號S4(圖1)被傳送至脈衝拾取器控制部24，而使脈衝拾取器動作被許可，藉由脈衝拾取器驅動信號S3使脈衝拾取器進行動作。
如上述說明，以下被管理，
SL ：同步位置起至基板間之距離
WL ：加工長度
W1 ：基板端起至照射開始位置之間之距離
W2 ：加工範圍
W3 ：照射終了位置起至基板端之間之距離
如上述說明，載置台位置與脈衝拾取器之動作開始位置呈同步。亦即，脈衝雷射束之照射與非照射可以取得和載置台位置間之同步。因此，脈衝雷射束之照射與非照射時，可以擔保載置台以一定速度移動(處於速度穩定區域)。因此，照射光點位置之規則性可以確保，可實現穩定之裂痕之形成。
另外，較好是例如使載置台之移動同步於時脈信號，如此則，可以更進一步提升照射光點位置之精確度，此可以藉由使由加工控制部26傳送至XYZ載置台部20之載置台移動信號S5(圖1)同步於時脈信號S1而予以實現。
以上係依據具體例說明本發明之實施形態，但本發明並不限定於彼等具體例。於實施形態中，雷射切割方法、雷射切割裝置等，關於本發明之說明非直接必要之部分可以省略其記載，必要之雷射切割方法、雷射切割裝置等相關之要素可以適當選擇使用。
另外，具備本發明之要素，業者可以適當變更設計之全部有機EL顯示裝置之製造方法、雷射切割裝置，亦包含於本發明之範圍。本發明之範圍包含申請專利範圍及其均等物之範圍所定義者。
例如實施形態中，被加工基板係說明形成有LED之藍寶石基板之例，本發明雖較適用於藍寶石基板等之硬質之較難切斷之基板，但被加工基板亦可為其他之SiC(碳化矽)基板等之半導體材料基板、壓電材料基板、玻璃基板等。
又，實施形態中說明藉由移動載置台，而使被加工基板與脈衝雷射束相對移動之例，但是例如使用雷射束掃描器等進行脈衝雷射束之掃描，而使被加工基板與脈衝雷射束相對移動之方法或裝置亦可。
又，實施形態中說明照射光脈衝數(P1)=2，非照射光脈衝數(P2)=1之例，但P1與P2之值可取任意之值據以設為最佳條件。另外，實施形態中說明照射光脈衝以光點直徑之間距重複進行照射與非照射之例，但是藉由變化脈衝頻率或載置台移動速度，而變化照射與非照射之間距，找出最佳條件亦可以。例如照射與非照射之間距可以設為光點直徑之1/n或n倍。
另外，關於切割加工之圖案，例如藉由設置複數個照射區域暫存器及非照射區域暫存器，以即時方式於所要時序將照射區域暫存器及非照射區域暫存器值變更為所要之值，如此則，可以對應於各種切割加工圖案。
另外，雷射切割裝置，係說明具備加工表格部之裝置之亦，該加工表格部係記憶著：將切割加工資料以脈衝雷射束之光脈衝數予以記述而成的加工表格。但是，未必一定需要該加工表格部，只要是裝置之為構成具有可以光脈衝單位進行脈衝雷射束之脈衝拾取器中之通過與遮斷之控制即可。
(實施例)
以下說明本發明之實施例。
(實施例1)
藉由實施形態記載之方法，於以下條件進行雷射切割。
被加工基板：藍寶石基板
雷射光源：Nd：YVO4 雷射
波長：532nm
照射光脈衝數(P1)：1
非照射光脈衝數(P2)：2
圖8表示實施例1之照射圖案之圖。如圖所示，照射1次光脈衝之後，依光脈衝單位設定2脈衝分之非照射。以下將該條件以照射/非照射=1/2之形式予以記述。另外，照射/非照射之間距係和光點直徑相等。
圖9表示雷射切割之結果圖。圖9A為基板上面之照片，圖9B為較圖9A低倍率之基板上面之照片，圖9C為沿基板之切割方向之斷面之照片。
(實施例2)
除設定照射/非照射=2/2以外均和實施例1同樣之方法進行雷射切割。圖10表示雷射切割之結果。圖10A為基板上面之照片，圖10B為較圖10A低倍率之基板上面之照片。
(實施例3)
除設定照射/非照射=1/3以外均和實施例1同樣之方法進行雷射切割。圖11表示雷射切割之結果。圖11A為基板上面之照片，圖11B為圖11A之低倍率照片。
(實施例4)
除設定照射/非照射=2/3以外均和實施例1同樣之方法進行雷射切割。圖12表示雷射切割之結果。圖12A為基板上面之照片，圖12B為圖12A之低倍率照片。
(實施例5)
除設定照射/非照射=3/3以外均和實施例1同樣之方法進行雷射切割。圖13表示雷射切割之結果。圖13A為基板上面之照片，圖13B為圖13A之低倍率照片。
(實施例6-9)
實施例6-9除分別設定照射/非照射=1/4、2/4、3/4、4/4以外均和實施例1同樣之方法進行雷射切割。圖14表示雷射切割之結果。圖14A為實施例6之基板上面之照片，圖14B為實施例7之基板上面之照片，圖14C為實施例8之基板上面之照片，圖14D為實施例9之基板上面之照片。
特別是，由圖9C及圖12C之斷面照片可知，形成由基板內部之改質區域到達基板表面之裂痕。另外，由圖9A或圖12A之照片可知，在實施例1之照射/非照射=1/2條件、實施例4之照射/非照射=2/3條件下，比較上可於基板上面形成直線式窄幅之裂痕。另外，由圖10B或圖13B之照片可知，在實施例2之照射/非照射=2/2條件、實施例5之照射/非照射=3/3條件下，比較上可於基板上面形成多曲折式之裂痕。
如上述說明，藉由光脈衝單位進行脈衝雷射束之照射與非照射之切換，則進行雷射切割時，可以最佳化之照射圖案來控制裂痕之產生，可實現良好之切斷特性。
10．．．雷射切割裝置
12．．．雷射振盪器
14．．．脈衝拾取器
16．．．射束整型器
18．．．聚光透鏡
20．．．XYZ載置台部
22．．．雷射振盪器控制部
24．．．脈衝拾取器控制部
26．．．加工控制部
28．．．基準時脈振盪電路
30．．．加工表格部
S1．．．時脈信號
S2．．．加工圖案信號
S3．．．脈衝拾取器驅動信號
S4．．．移動位置檢測信號
S5．．．載置台移動信號
PL1．．．脈衝雷射束
PL2．．．調變脈衝雷射束
PL3．．．脈衝雷射束
PL4．．．脈衝雷射束
W．．．被加工基板
圖1表示實施形態之雷射切割方法使用之雷射切割裝置之一例之概略構成圖。
圖2表示實施形態之雷射切割方法之時序控制說明圖。
圖3表示實施形態之雷射切割方法之脈衝拾取器動作及調變脈衝雷射束之時序圖。
圖4表示實施形態之雷射切割方法之照射圖案說明圖。
圖5表示照射至藍寶石基板上之照射圖案之上面圖。
圖6表示圖5之AA斷面圖。
圖7表示載置台移動與切割加工間之關係說明圖。
圖8表示第1實施形態之照射圖案之圖。
圖9表示實施例1之雷射切割之結果圖。
圖10為實施例2之雷射切割之結果圖。
圖11表示實施例3之雷射切割之結果圖。
圖12表示實施例4之雷射切割之結果圖。
圖13表示實施例5之雷射切割之結果圖。
圖14表示第6-9實施例之雷射切割之結果圖。
10．．．雷射切割裝置
12．．．雷射振盪器
14．．．脈衝拾取器
16．．．射束整型器
18．．．聚光透鏡
20．．．XYZ載置台部
22．．．雷射振盪器控制部
24．．．脈衝拾取器控制部
26．．．加工控制部
28．．．基準時脈振盪電路
30．．．加工表格部
S1．．．時脈信號
S2．．．加工圖案信號
S3．．．脈衝拾取器驅動信號
S4．．．移動位置檢測信號
S5．．．載置台移動信號
PL1．．．脈衝雷射束
PL2．．．調變脈衝雷射束
PL3．．．脈衝雷射束
PL4．．．脈衝雷射束
W．．．被加工基板

Claims (7)

  1. 一種雷射切割方法，其特徵為：將被加工基板載置於載置台；產生時脈信號；射出和上述時脈信號同步之脈衝雷射束；使上述被加工基板與上述脈衝雷射束相對移動；使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射，同步於上述時脈信號而控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依此而依據光脈衝單位進行切換；記憶著以上述脈衝雷射束之光脈衝數將切割加工資料予以記述而成的加工表格；依據上述加工表格來控制上述脈衝雷射束於上述脈衝拾取器之通過與遮斷；於上述被加工基板形成到達基板表面之裂痕。
  2. 如申請專利範圍第1項之雷射切割方法，其中上述脈衝雷射束之照射與非照射，係依據由光脈衝數所界定之特定條件來進行。
  3. 如申請專利範圍第1項之雷射切割方法，其中藉由移動上述載置台，而使上述被加工基板與上述脈衝雷射束相對移動。
  4. 如申請專利範圍第3項之雷射切割方法，其中在上述脈衝雷射束之照射與非照射時，上述載置台係以一定速度移動。
  5. 如申請專利範圍第3項之雷射切割方法，其中 上述脈衝雷射束之照射與非照射，係同步於上述載置台之位置。
  6. 如申請專利範圍第1項之雷射切割方法，其中上述被加工基板為藍寶石基板。
  7. 一種雷射切割裝置，其特徵為具備：載置台，可以載置被加工基板；基準時脈振盪電路，用於產生時脈信號；雷射振盪器，用於射出脈衝雷射束；雷射振盪器控制部，用於使上述脈衝雷射束同步於上述時脈信號；脈衝拾取器，設於上述雷射振盪器與上述載置台之間之光路，用於切換上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射；脈衝拾取器控制部，係同步於上述時脈信號，依據光脈衝單位來控制上述脈衝雷射束於上述脈衝拾取器之通過與遮斷；及加工表格部，其記憶著以上述脈衝雷射束之光脈衝數將切割加工資料予以記述而成的加工表格；上述脈衝拾取器控制部，係依據上述加工表格來控制上述脈衝雷射束於上述脈衝拾取器之通過與遮斷。
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